JPH0478215A - マスタースレーブ型フリップフロップ回路 - Google Patents
マスタースレーブ型フリップフロップ回路Info
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- JPH0478215A JPH0478215A JP2188100A JP18810090A JPH0478215A JP H0478215 A JPH0478215 A JP H0478215A JP 2188100 A JP2188100 A JP 2188100A JP 18810090 A JP18810090 A JP 18810090A JP H0478215 A JPH0478215 A JP H0478215A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/356—Bistable circuits
- H03K3/3562—Bistable circuits of the master-slave type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
- H03K3/037—Bistable circuits
- H03K3/0372—Bistable circuits of the master-slave type
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マスタースレーブ型フリップフロップ回路に
関し、特に低消費電力で、かつ高速動作が可能な光通信
システム等に用いて好適なマスタースレーブ型7971
7071回路に関する。
関し、特に低消費電力で、かつ高速動作が可能な光通信
システム等に用いて好適なマスタースレーブ型7971
7071回路に関する。
本発明のマスタースレーブ型フリップフロップ回路は、
入力パルス信号及び反転入力パルス信号がデータ入力端
子及び反転データ入力端子にそれぞれ供給されると共に
クロック信号がクロック入力端子に供給される第1、第
2伝送ゲートと、第1、第2インバータ及びこの第1、
第2インバータの入出力端子間にそれぞれ交叉接続され
た第1、第2抵抗器を有すると共に前記第1、第2伝送
ゲートの出力がそれぞれ供給される第1データ保持部と
、前記第1データ保持部の出力及び反転クロック入力端
子の反転クロック信号がそれぞれ供給される第3、第4
伝送ゲートと、第3、第4インバータ及びこの第3、第
4インバータの入出力端子間にそれぞれ交叉接続された
第3、第4抵抗器を有すると共に前記第3、第4伝送ゲ
ートの出力がそれぞれ供給される第2データ保持部とか
ら構成され、総インバータ数を削減して低消費電力化を
計ると共に、信号伝送路上のインバータ数を削減して高
速動作を可能にする。
入力パルス信号及び反転入力パルス信号がデータ入力端
子及び反転データ入力端子にそれぞれ供給されると共に
クロック信号がクロック入力端子に供給される第1、第
2伝送ゲートと、第1、第2インバータ及びこの第1、
第2インバータの入出力端子間にそれぞれ交叉接続され
た第1、第2抵抗器を有すると共に前記第1、第2伝送
ゲートの出力がそれぞれ供給される第1データ保持部と
、前記第1データ保持部の出力及び反転クロック入力端
子の反転クロック信号がそれぞれ供給される第3、第4
伝送ゲートと、第3、第4インバータ及びこの第3、第
4インバータの入出力端子間にそれぞれ交叉接続された
第3、第4抵抗器を有すると共に前記第3、第4伝送ゲ
ートの出力がそれぞれ供給される第2データ保持部とか
ら構成され、総インバータ数を削減して低消費電力化を
計ると共に、信号伝送路上のインバータ数を削減して高
速動作を可能にする。
また、前記第1乃至第4抵抗器と並列に第1乃至第4コ
ンデンサをそれぞれ接続した場合には、伝送ゲートのゲ
ート容量の充放電を高速化することにより最高動作周波
数を上げることができる。
ンデンサをそれぞれ接続した場合には、伝送ゲートのゲ
ート容量の充放電を高速化することにより最高動作周波
数を上げることができる。
[従来の技術]
従来、例えば特開昭63−280509号公報に記載さ
れている通り、例えばGaAs MESFET (G
aAs metalsea+1conductor F
ET )を論理ゲート素子とした化合物半導体(GaA
s) I Cで構成されたマスタースレーブ型フリッ
プフロップ回路が知られている。
れている通り、例えばGaAs MESFET (G
aAs metalsea+1conductor F
ET )を論理ゲート素子とした化合物半導体(GaA
s) I Cで構成されたマスタースレーブ型フリッ
プフロップ回路が知られている。
すなわち、第6図のマスタースレーブ型フリップフロッ
プ回路の一例を示す回路図において、NOR,乃至N0
R8は第1乃至第8 NOI?回路であり、N(IL、
NOI?4、NOR,及びN0R11はそれぞれフリ・
ンブフロ・ンフ。
プ回路の一例を示す回路図において、NOR,乃至N0
R8は第1乃至第8 NOI?回路であり、N(IL、
NOI?4、NOR,及びN0R11はそれぞれフリ・
ンブフロ・ンフ。
回路を構成する。NOI? 、及びN0Fkは、データ
入力端子DI 、反転データ入力端子D2から入力パル
ス信号及び反転入力パルス信号が供給されると共にクロ
ック入力端子CIJ 、からクロック信号がそれぞれ供
給される。N0R5及びN0R6は、NOR、及びN0
R4の出力が供給されると共にCLK Iからクロック
信号が供給される。なお、OUT+及び0UT2は出力
端子及び反転出力端子である。そして、前記NORI乃
至NOR,は、それぞれが例えばGaAsMESFET
を用いた論理ゲートから構成される。
入力端子DI 、反転データ入力端子D2から入力パル
ス信号及び反転入力パルス信号が供給されると共にクロ
ック入力端子CIJ 、からクロック信号がそれぞれ供
給される。N0R5及びN0R6は、NOR、及びN0
R4の出力が供給されると共にCLK Iからクロック
信号が供給される。なお、OUT+及び0UT2は出力
端子及び反転出力端子である。そして、前記NORI乃
至NOR,は、それぞれが例えばGaAsMESFET
を用いた論理ゲートから構成される。
第6図のマスタースレーブ型フリップフロップ回路は、
信号伝送路上に第1 NOI?回路NOR、、第38O
R1、第5 NOR回路N0R5、第7 NOR回路N
O1?+ (または第2 NOR回路N0R1、第4
NOR回路N0R4、第6NOR回路N0R61第8
NOR回路N0Rs)が介在するので、NOR回路−膜
島たりのゲート遅延時間を例えばGaAsMESFET
の30psとすれば、120psになり高速動作が期待
できない欠点があった。
信号伝送路上に第1 NOI?回路NOR、、第38O
R1、第5 NOR回路N0R5、第7 NOR回路N
O1?+ (または第2 NOR回路N0R1、第4
NOR回路N0R4、第6NOR回路N0R61第8
NOR回路N0Rs)が介在するので、NOR回路−膜
島たりのゲート遅延時間を例えばGaAsMESFET
の30psとすれば、120psになり高速動作が期待
できない欠点があった。
従って、本発明の目的は、前記欠点を改良したマスター
スレーブ型フリップフロ・ンブ回路を提供することにあ
る。
スレーブ型フリップフロ・ンブ回路を提供することにあ
る。
本発明のマスタースレーブ型フリップフロップ回路は、
入力パルス信号及び反転入力パルス信号がデータ入力端
子及び反転データ入力端子にそれぞれ供給されると共に
クロック信号がクロック入力端子に供給される第1、第
2伝送ゲートと、第11第2インバータ及びこの第1、
第2インバータの入出力端子間にそれぞれ交叉接続され
た第1、第2抵抗器を有すると共に前記第1、第2伝送
ゲートの出力がそれぞれ供給される第1データ保持部と
、前記第1データ保持部の出力及び反転クロック入力端
子の反転クロック信号がそれぞれ供給される第3、第4
伝送ゲートと、第3、第4インバータ及びこの第3、第
4インバータの入出力端子間にそれぞれ交叉接続された
第3、第4抵抗器を有すると共に前記第3、第4伝送ゲ
ートの出力がそれぞれ供給される第2データ保持部とか
ら構成される。
入力パルス信号及び反転入力パルス信号がデータ入力端
子及び反転データ入力端子にそれぞれ供給されると共に
クロック信号がクロック入力端子に供給される第1、第
2伝送ゲートと、第11第2インバータ及びこの第1、
第2インバータの入出力端子間にそれぞれ交叉接続され
た第1、第2抵抗器を有すると共に前記第1、第2伝送
ゲートの出力がそれぞれ供給される第1データ保持部と
、前記第1データ保持部の出力及び反転クロック入力端
子の反転クロック信号がそれぞれ供給される第3、第4
伝送ゲートと、第3、第4インバータ及びこの第3、第
4インバータの入出力端子間にそれぞれ交叉接続された
第3、第4抵抗器を有すると共に前記第3、第4伝送ゲ
ートの出力がそれぞれ供給される第2データ保持部とか
ら構成される。
また、本発明のマスタースレーブ型79717071回
路は、前記第1乃至第4の伝送ゲートの素子及び前記第
1乃至第4インバータの素子をGaAs FETで構成
すると共に前記第1乃至第4抵抗器と並列に第1乃至第
4コンデンサをそれぞれ接続して構成される。
路は、前記第1乃至第4の伝送ゲートの素子及び前記第
1乃至第4インバータの素子をGaAs FETで構成
すると共に前記第1乃至第4抵抗器と並列に第1乃至第
4コンデンサをそれぞれ接続して構成される。
本発明のマスタースレーブ型フリップフロップ回路によ
れば、信号伝送路上のインバータ数を削減することによ
り、従来の回路に比較して略2倍の高速動作が可能にな
る。
れば、信号伝送路上のインバータ数を削減することによ
り、従来の回路に比較して略2倍の高速動作が可能にな
る。
また、第1乃至第4伝送ゲートのGaAs FETのゲ
ート・ソース間容量を前記第1乃至第4抵抗器と並列に
接続した第1乃至第4コンデンサを通じて充放電するこ
とにより最高動作周波数を高くすることができる。
ート・ソース間容量を前記第1乃至第4抵抗器と並列に
接続した第1乃至第4コンデンサを通じて充放電するこ
とにより最高動作周波数を高くすることができる。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第1図は、本発明のマスタースレーブ回路の基本構成を
示す回路図であり、D、はデータ入力端子、D2は反転
データ入力端子である。G、乃至G4は、例えばGaA
s MESFETまたはGaAs JFETまたはGa
As HEMT等のGaAs FETで構成される第1
乃至第4の伝送ゲートであり、INV+乃至INV、は
第1乃至第4インバータである。第1ゲートGI及び第
2ゲートG2にはクロック入力端子CLK、からクロッ
ク信号S c+が供給され、第3ゲートG、及び第4ゲ
ー)G4には反転クロック入力端子CLK2から反転ク
ロック信号Scgが供給される。OUT 、は出力端子
、0UTzは反転出力端子である。R+ は第1抵抗器
であり、第1インバータINV、の入力端子P1と第2
インバータINV、の出力端子P2との間に接続される
。R2は第2抵抗器であり、第2インバータINVzの
入力端子P3と第1のインバータINvIの出力端子P
4との間に接続される。R3は第3抵抗器であり、第3
インバータINV、の入力端子と第4インバータINV
4の反転出力端子OUT、との間に接続される。R4は
第4抵抗器であり、第4インバータINV4の入力端子
と第3インバータrNV、の出力端子0[IT 、との
間に接続される。D r +は第1データ保持部であり
、第1インバータINV、、第2インバータINV、、
第1抵抗器R,及び第2抵抗器R2から構成され、Dr
2は第2データ保持部であり、第3インバータINV3
、第4インハ9 INV4、第3抵抗器R3及び第4抵
抗器R4から構成される。
示す回路図であり、D、はデータ入力端子、D2は反転
データ入力端子である。G、乃至G4は、例えばGaA
s MESFETまたはGaAs JFETまたはGa
As HEMT等のGaAs FETで構成される第1
乃至第4の伝送ゲートであり、INV+乃至INV、は
第1乃至第4インバータである。第1ゲートGI及び第
2ゲートG2にはクロック入力端子CLK、からクロッ
ク信号S c+が供給され、第3ゲートG、及び第4ゲ
ー)G4には反転クロック入力端子CLK2から反転ク
ロック信号Scgが供給される。OUT 、は出力端子
、0UTzは反転出力端子である。R+ は第1抵抗器
であり、第1インバータINV、の入力端子P1と第2
インバータINV、の出力端子P2との間に接続される
。R2は第2抵抗器であり、第2インバータINVzの
入力端子P3と第1のインバータINvIの出力端子P
4との間に接続される。R3は第3抵抗器であり、第3
インバータINV、の入力端子と第4インバータINV
4の反転出力端子OUT、との間に接続される。R4は
第4抵抗器であり、第4インバータINV4の入力端子
と第3インバータrNV、の出力端子0[IT 、との
間に接続される。D r +は第1データ保持部であり
、第1インバータINV、、第2インバータINV、、
第1抵抗器R,及び第2抵抗器R2から構成され、Dr
2は第2データ保持部であり、第3インバータINV3
、第4インハ9 INV4、第3抵抗器R3及び第4抵
抗器R4から構成される。
前記第1乃至第4インバータINν1乃至INV、は、
第2図の本発明のデータ保持部を示す回路図に示す通り
、例えばGaAs MESFETまたはGaAS JF
ETまたはGaAs HEMT等のGaAs FETQ
+及びG2を論理ゲート素子として用いる(但し、第1
データ保持部D r+のみ示すが第2データ保持部り、
□も略同様に構成される)。なお、RL、 、RL2は
、デプレッション型GaAs MESFET等で構成さ
れる負荷抵抗器であり、V ccは電源端子である。
第2図の本発明のデータ保持部を示す回路図に示す通り
、例えばGaAs MESFETまたはGaAS JF
ETまたはGaAs HEMT等のGaAs FETQ
+及びG2を論理ゲート素子として用いる(但し、第1
データ保持部D r+のみ示すが第2データ保持部り、
□も略同様に構成される)。なお、RL、 、RL2は
、デプレッション型GaAs MESFET等で構成さ
れる負荷抵抗器であり、V ccは電源端子である。
以上の構成における動作について第3図A乃至第3図E
の本発明の動作説明に用いるタイミングチャートを参照
しながら説明する。
の本発明の動作説明に用いるタイミングチャートを参照
しながら説明する。
時間t0において、データ入力端子DIに第3図Aに示
す入力パルス信号S、が供給されると共に反転データ入
力端子D2に入力パルス信号S。
す入力パルス信号S、が供給されると共に反転データ入
力端子D2に入力パルス信号S。
と逆相の入力信号が供給された時、第1伝送ゲートG1
及び第2伝送ゲートGzにクロック入力端子CLK 、
から供給される第3図Bに示すクロック信号Sclの立
ち上がりの時間t、で第1データ保持部D□がセットさ
れると共に時間も3でリセットされ、第2インバータI
NV2の出力端子P2に第3図りに示す出力パルス信号
S olが得られる。そして、反転クロック入力端子C
LKzに供給される第3図Cに示す反転クロック信号S
c2の立ち上がりの時間t2で第2データ保持部D r
2がセットされと共に時間t4でリセットされ、第4イ
ンバータINv4の出力端子0UTzに第3図りに示す
出力パルス信号Setが得られる。時間t1における第
2伝送ゲートG2のオン時には、第2ゲートG2の出力
電圧が第1インバータINVIの出力端子P4から第2
抵抗器R2を通じて供給される帰還電圧に打ち勝って第
2インバータINV、をリセット状態からセット状態に
反転させる。そして、第2インバータINv2のセット
状態を保持するために保持電流が第2抵抗器R2を通じ
て供給される。また、時間t2における第4伝送ゲート
G4のオン時には、第4ゲートG4の出力電圧が第3イ
ンバータINV、の出力端子OUT、から第4抵抗器R
4を通じて供給される帰還電圧に打ち勝って第4インバ
ータINV、をリセット状態からセット状態に反転させ
る。そして、第4インバータrNV2のセット状態を保
持するために保持電流が第4抵抗器R4を通じて供給さ
れる。
及び第2伝送ゲートGzにクロック入力端子CLK 、
から供給される第3図Bに示すクロック信号Sclの立
ち上がりの時間t、で第1データ保持部D□がセットさ
れると共に時間も3でリセットされ、第2インバータI
NV2の出力端子P2に第3図りに示す出力パルス信号
S olが得られる。そして、反転クロック入力端子C
LKzに供給される第3図Cに示す反転クロック信号S
c2の立ち上がりの時間t2で第2データ保持部D r
2がセットされと共に時間t4でリセットされ、第4イ
ンバータINv4の出力端子0UTzに第3図りに示す
出力パルス信号Setが得られる。時間t1における第
2伝送ゲートG2のオン時には、第2ゲートG2の出力
電圧が第1インバータINVIの出力端子P4から第2
抵抗器R2を通じて供給される帰還電圧に打ち勝って第
2インバータINV、をリセット状態からセット状態に
反転させる。そして、第2インバータINv2のセット
状態を保持するために保持電流が第2抵抗器R2を通じ
て供給される。また、時間t2における第4伝送ゲート
G4のオン時には、第4ゲートG4の出力電圧が第3イ
ンバータINV、の出力端子OUT、から第4抵抗器R
4を通じて供給される帰還電圧に打ち勝って第4インバ
ータINV、をリセット状態からセット状態に反転させ
る。そして、第4インバータrNV2のセット状態を保
持するために保持電流が第4抵抗器R4を通じて供給さ
れる。
この場合、第2インバータINν2及び第4インバータ
INV、の各遅延時間を30ps、第2、第4伝送ゲー
トG2、G、の遅延時間を5psとすれば、動作時間は
70psとなり、従来の略1/2に短縮することができ
る。
INV、の各遅延時間を30ps、第2、第4伝送ゲー
トG2、G、の遅延時間を5psとすれば、動作時間は
70psとなり、従来の略1/2に短縮することができ
る。
次に、本発明を光通信システムのデータ識別回路に適用
した場合について第4図の本発明の実施例を示す回路図
を参照しながら説明する。
した場合について第4図の本発明の実施例を示す回路図
を参照しながら説明する。
第4図において、A1は、例えば動作速度が2゜4Gb
/sのデータ信号が供給される入力アンプであり、デー
タ入力端子り、に入力パルス信号S。
/sのデータ信号が供給される入力アンプであり、デー
タ入力端子り、に入力パルス信号S。
を供給すると共に、この入力パルス信号S、と逆相の反
転入力パルス信号を反端データ入力端子D2に供給する
。A2は、データ信号より高い周波数のクロック信号が
供給される入力アンプであり、クロック入力端子CLK
、及び反転クロック入力端子CLK2にクロック信号
及び反転クロック信号をそれぞれ供給する。そして、入
力アンプA、に供給されるデータのマーク(ハイレベル
)がスペース(ローレベル)かを反転クロック入力端子
CLK、の反転クロック信号に同期して検出してその結
果を第4のインバータINV、に保持する。なお、A3
及びA4は、それぞれ出力アンプを示す。
転入力パルス信号を反端データ入力端子D2に供給する
。A2は、データ信号より高い周波数のクロック信号が
供給される入力アンプであり、クロック入力端子CLK
、及び反転クロック入力端子CLK2にクロック信号
及び反転クロック信号をそれぞれ供給する。そして、入
力アンプA、に供給されるデータのマーク(ハイレベル
)がスペース(ローレベル)かを反転クロック入力端子
CLK、の反転クロック信号に同期して検出してその結
果を第4のインバータINV、に保持する。なお、A3
及びA4は、それぞれ出力アンプを示す。
前述した第4図の実施例においても第1図のマスタース
レーブ回路と同様の作用効果が期待できる。
レーブ回路と同様の作用効果が期待できる。
次に、第5図の本発明の変形例を示す回路図について説
明する。
明する。
第5図において、CI乃至C4は、第1乃至第4のコン
デンサであり、第1乃至第4抵抗器R1乃至R4にそれ
ぞれ並列接続されると共に第1乃至第4伝送ゲートC,
乃至G4はGa、As FETで構成され、その他は第
1図と同様に構成される。
デンサであり、第1乃至第4抵抗器R1乃至R4にそれ
ぞれ並列接続されると共に第1乃至第4伝送ゲートC,
乃至G4はGa、As FETで構成され、その他は第
1図と同様に構成される。
以上の構成において、第1乃至第4伝送ゲートG1乃至
G、を構成するGaAs FETのゲート・ソース間容
量C9r、 I乃至C9S 4の充放電は第1乃至第4
コンデンサC1乃至C4を通じてそれぞれ行われるので
第1乃至第4抵抗器R1乃至R4と第1乃至第4のコン
デンサの時定数による劣化がなく最高動作周波数を高く
することができる。
G、を構成するGaAs FETのゲート・ソース間容
量C9r、 I乃至C9S 4の充放電は第1乃至第4
コンデンサC1乃至C4を通じてそれぞれ行われるので
第1乃至第4抵抗器R1乃至R4と第1乃至第4のコン
デンサの時定数による劣化がなく最高動作周波数を高く
することができる。
〔発明の効果)
以上の説明から明らかな通り、本発明のマスタースレー
ブ型フリップフロップ回路によれば、信号伝送路上のイ
ンバータ数を削減することにより、従来の回路に比較し
て略2倍の高速動作が可能になる。
ブ型フリップフロップ回路によれば、信号伝送路上のイ
ンバータ数を削減することにより、従来の回路に比較し
て略2倍の高速動作が可能になる。
また、第1乃至第4伝送ゲートのGaAs FETのゲ
ート・ソース間容量を前記第1乃至第4抵抗器と並列に
接続した第1乃至第4コンデンサを通じて充放電するこ
とにより最高動作周波数を高くすることができる利点が
ある。
ート・ソース間容量を前記第1乃至第4抵抗器と並列に
接続した第1乃至第4コンデンサを通じて充放電するこ
とにより最高動作周波数を高くすることができる利点が
ある。
第1図は本発明のマスタースレーブ型フリップフロップ
回路の基本構成を示す回路図、第2図は本発明のデータ
保持部を示す回路図、第3図A乃至第3図Eは本発明の
動作説明に用いるタイミングチャート、第4図は本発明
の一実施例を示す回路図、第5図は本発明の変形例を示
す回路図、第6図は従来のマスタースレーブ型フリップ
フロップ回路の一例を示す回路図である。 G、〜C4・・・−・・・−ヘ−・−第1乃至第4伝送
ゲ〜トI N V 、−−−−−−−−−・−−−m−
−−・・−−−−−−・−第1インバータI N V
2−−−−−−−・−・・−−−−−一−−・−・・−
第2インパークINV3−・−−−一−−・−・−・−
−一−−−〜−−第3インバータINVr−一・−−一
−−−−−−−−−−・−−−−一−−−−第4インバ
ータR1〜R,−−−−−−−−・−・第1乃至第4抵
抗器D□・−・・−−−一−−−−−−−−−−・−−
−一−−・・第一1デ一タ保持部D r 2−−−−−
−−−−〜−−−−−−−・−−−一−−−・−第2デ
ータ保持部り、−・−・−・・−・−・−・−−−−−
−−データ入力端子D2−・−・−−−−一一−−−−
−−−・−−−−−一反転データ入力端子CIJ t・
・−−−〜−−・−・−・−・−一−−−−・−クロッ
ク入力端子CLKr−一〜−・−・−・・−・−・−・
・−・・−反転クロック入力端子OuL’−−−一・−
・−・−・−・・−・−一−−−−−出力端子0tlT
!・・−・−・−・−−−−−−一−−−−−−−・−
反転出力端子C1 〜C4 ・第1乃至第4コンデンサ ジトヌを弗i−ダイ掌吏すfDガすfMK(21第2図 &べ呵/l塗jイ乍豹賓シ目j二用1)るワイξングす
ヤード第3図 、不溌明め一実施り110イ回路ロ
回路の基本構成を示す回路図、第2図は本発明のデータ
保持部を示す回路図、第3図A乃至第3図Eは本発明の
動作説明に用いるタイミングチャート、第4図は本発明
の一実施例を示す回路図、第5図は本発明の変形例を示
す回路図、第6図は従来のマスタースレーブ型フリップ
フロップ回路の一例を示す回路図である。 G、〜C4・・・−・・・−ヘ−・−第1乃至第4伝送
ゲ〜トI N V 、−−−−−−−−−・−−−m−
−−・・−−−−−−・−第1インバータI N V
2−−−−−−−・−・・−−−−−一−−・−・・−
第2インパークINV3−・−−−一−−・−・−・−
−一−−−〜−−第3インバータINVr−一・−−一
−−−−−−−−−−・−−−−一−−−−第4インバ
ータR1〜R,−−−−−−−−・−・第1乃至第4抵
抗器D□・−・・−−−一−−−−−−−−−−・−−
−一−−・・第一1デ一タ保持部D r 2−−−−−
−−−−〜−−−−−−−・−−−一−−−・−第2デ
ータ保持部り、−・−・−・・−・−・−・−−−−−
−−データ入力端子D2−・−・−−−−一一−−−−
−−−・−−−−−一反転データ入力端子CIJ t・
・−−−〜−−・−・−・−・−一−−−−・−クロッ
ク入力端子CLKr−一〜−・−・−・・−・−・−・
・−・・−反転クロック入力端子OuL’−−−一・−
・−・−・−・・−・−一−−−−−出力端子0tlT
!・・−・−・−・−−−−−−一−−−−−−−・−
反転出力端子C1 〜C4 ・第1乃至第4コンデンサ ジトヌを弗i−ダイ掌吏すfDガすfMK(21第2図 &べ呵/l塗jイ乍豹賓シ目j二用1)るワイξングす
ヤード第3図 、不溌明め一実施り110イ回路ロ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、入力パルス信号及び反転入力パルス信号がデータ入
力端子及び反転データ入力端子にそれぞれ供給されると
共にクロック信号がクロック入力端子に供給される第1
、第2伝送ゲートと、第1、第2インバータ及びこの第
1、第2インバータの入出力端子間にそれぞれ交叉接続
された第1、第2抵抗器を有すると共に前記第1、第2
伝送ゲートの出力がそれぞれ供給される第1データ保持
部と、前記第1データ保持部の出力及び反転クロック入
力端子の反転クロック信号がそれぞれ供給される第3、
第4伝送ゲートと、第3、第4インバータ及びこの第3
、第4インバータの入出力端子間にそれぞれ交叉接続さ
れた第3、第4抵抗器を有すると共に前記第3、第4伝
送ゲートの出力がそれぞれ供給される第2データ保持部
とを具備することを特徴とするマスタースレーブ型フリ
ップフロップ回路。 2、前記第1乃至第4の伝送ゲートの素子及び前記第1
乃至第4インバータの素子をそれぞれGaAsFETで
構成すると共に前記第1乃至第4抵抗器と並列に第1乃
至第4コンデンサをそれぞれ接続したことを特徴とする
請求項1記載のマスタースレーブ型フリップフロップ回
路。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2188100A JPH0478215A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | マスタースレーブ型フリップフロップ回路 |
DE69122189T DE69122189T2 (de) | 1990-07-18 | 1991-07-15 | Flip-Flop-Schaltung vom "Master-Slave"-Typ |
EP91111789A EP0467273B1 (en) | 1990-07-18 | 1991-07-15 | Master-slave type flip-flop circuit |
KR1019910012174A KR0170410B1 (ko) | 1990-07-18 | 1991-07-16 | 마스터슬레이브형 플립플롭회로 |
US07/731,258 US5140179A (en) | 1990-07-18 | 1991-07-17 | Master-slave type flip-flop circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2188100A JPH0478215A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | マスタースレーブ型フリップフロップ回路 |
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Publication Number | Publication Date |
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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JP (1) | JPH0478215A (ja) |
KR (1) | KR0170410B1 (ja) |
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- 1991-07-15 EP EP91111789A patent/EP0467273B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-16 KR KR1019910012174A patent/KR0170410B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-07-17 US US07/731,258 patent/US5140179A/en not_active Expired - Fee Related
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