JPH0251502B2 - - Google Patents

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JPH0251502B2
JPH0251502B2 JP59179580A JP17958084A JPH0251502B2 JP H0251502 B2 JPH0251502 B2 JP H0251502B2 JP 59179580 A JP59179580 A JP 59179580A JP 17958084 A JP17958084 A JP 17958084A JP H0251502 B2 JPH0251502 B2 JP H0251502B2
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JP
Japan
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group
substituted
unsubstituted
photoreceptor
carrier
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JP59179580A
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JPS6156351A (ja
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Akira Kinoshita
Hisahiro Hirose
Kyoshi Sawada
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
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Priority to US06/767,960 priority patent/US4737430A/en
Priority to EP19850306040 priority patent/EP0188055B1/en
Priority to DE8585306040T priority patent/DE3578233D1/de
Publication of JPS6156351A publication Critical patent/JPS6156351A/ja
Publication of JPH0251502B2 publication Critical patent/JPH0251502B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0679Disazo dyes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09BORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B35/00Disazo and polyazo dyes of the type A<-D->B prepared by diazotising and coupling
    • C09B35/02Disazo dyes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0666Dyes containing a methine or polymethine group
    • G03G5/0668Dyes containing a methine or polymethine group containing only one methine or polymethine group
    • G03G5/067Dyes containing a methine or polymethine group containing only one methine or polymethine group containing hetero rings

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は感光䜓に関し、詳しくは特定のアゟ化
合物を含有する感光局を有する新芏な感光䜓に関
する。 埓来の技術 埓来、電子写真感光䜓ずしおは、セレン、酞化
亜鉛、硫化カドミりム、シリコン等の無機光導電
性化合物を䞻成分ずする感光局を有する無機感光
䜓が広く甚いられおきた。しかし、これらは感
床、熱安定性、耐湿性、耐久性等においお必ずし
も満足し埗るものではない。䟋えば、セレンは結
晶化するず感光䜓ずしおの特性が劣化しおしたう
ため、補造䞊も難しく、たた熱や指王等が原因ず
なり結晶化し、感光䜓ずしおの性胜が劣化しおし
たう。たた硫化カドミりムでは耐湿性や耐久性、
酞化亜鉛でも耐久性等に問題がある。 これなら無機感光䜓の持぀欠点を克服する目的
で様々な有機光導電性化合物を䞻成分ずする感光
局を有する有機感光䜓の開発・研究が近幎盛んに
行なわれおいる。䟋えば特公昭50−10496号公報
にはポリ――ビニルカルバゟヌルず
―トリニトロ――フルオレノンを含有する感光
局を有する有機感光䜓の蚘茉がある。しかしこの
感光䜓は、感床及び耐久性においお必ずしも満足
できるものではない。このような欠点を改良する
ためにキダリア発生機胜ずキダリア茞送機胜ずを
異なる物質に分担させ、より高性胜の有機感光䜓
を開発する詊みがなされおいる。このようないわ
ゆる機胜分離型の感光䜓は、それぞれの材料を広
い範囲から遞択するこずができ、任意の性胜を有
する感光䜓を比范的容易に䜜成し埗るこずから倚
くの研究がなされおきた。 〔発明の解決しようずする問題点〕 䞊蚘のような機胜分離型の感光䜓においお、そ
のキダリア発生物質ずしお、数倚くの化合物が提
案されおいる。無機化合物をキダリア発生物質ず
しお甚いる䟋ずしおは、䟋えば、特公昭43−
16198号公報に蚘茉された無定圢セレンがあり、
これは有機光導電性化合物ず組み合わせお䜿甚さ
れるが、無定圢セレンからなるキダリア発生局は
熱により結晶化しお感光䜓ずしおの特性が劣化し
おしたうずいう欠点は改良されおはいない。 たた有機染料や有機顔料をキダリア発生物質ず
しお甚いる電子写真感光䜓も数倚く提案されおい
る。䟋えば、ビスアゟ化合物を感光局䞭に含有す
る電子写真感光䜓ずしお、特公昭54−22834号公
報、特開昭55−73057号公報、特開昭55−117151
号公報、特開昭56−46237号公報等がすでに公知
である。しかしこれらのビスアゟ化合物は感床、
残留電䜍あるいは、繰り返し䜿甚時の安定性の特
性においお、必ずしも満足し埗るものではなく、
たた、キダリア茞送物質の遞択範囲も限定される
など、電子写真プロセスの幅広い芁求を十分満足
させるものではない。 さらに近幎感光䜓の光源ずしおArレヌザヌ、
He―Neレヌザヌ等の気䜓レヌザヌ半導䜓レヌザ
ヌが䜿甚され始めおいる。これらのレヌザヌはそ
の特城ずしお時系列でONOFFが可胜であり、
むンテリゞ゚ント耇写匏をはじめずする画像凊理
機胜を有する耇写機やコンピナヌタヌのアりトプ
ツト甚のプリンタヌの光源ずしお特に有望芖され
おいる。䞭でも半導䜓レヌザヌはその性質䞊音響
工孊玠子等の電気信号光信号の倉換玠子が䞍芁
であるこずや小型・軜量化が可胜であるこずなど
から泚目を集めおいる。しかしこの半導䜓レヌザ
ヌは気䜓レヌザヌに比范しお䜎出力であり、たた
発振波長も長波長玄780nm以䞊であるこずか
ら埓来の感光䜓では分光感床が短波長偎により過
ぎおおり、このたたでは半導䜓レヌザヌを光源ず
する感光䜓ずしおの䜿甚は䞍可胜である。 発明の目的 本発明の目的はキダリア発生胜に優れた特定の
アゟ化合物を含有する感光䜓を提䟛するこずにあ
る。 本発明の他の目的は、高感床にしおか぀残留電
䜍が小さく、たた繰り返し䜿甚しおもそれらの特
性が倉化しない耐久性の優れた感光䜓を提䟛する
こずにある。 本発明の曎に他の目的は、広範なキダリア茞送
物質ずの組み合わせにおいおも、有効にキダリア
発生物質ずしお䜜甚し埗るアゟ化合物を含有する
感光䜓を提䟛するこずにある。 本発明の曎に他の目的は、半導䜓レヌザヌ等の
長波長光源に察しおも十分の実甚感床を有する感
光䜓を提䟛するこずにある。 本発明の曎に他の目的は、明现曞䞭の蚘茉から
あきらかになるであろう。 発明の構成 本発明者等は、以䞊の目的を達成すべく鋭意研
究を重ねた結果、䞋蚘䞀般匏で瀺されるア
ゟ化合物が感光䜓の有効成分ずしお働き埗るこず
を芋出だし、本発明を完成したものである。 䞀般匏 〔匏䞭、Y1Y2Y3Y4は氎玠原子、アルキル
基、アルコキシ基、ハロゲン原子を衚す。 A1A2は
【匏】
【匏】
【匏】たたは
【匏】 であ぀お、 Q3は、眮換・未眮換のカルバモむル基

【匏】、眮換・未眮換のスルフアモむ ル基
【匏】、 R4は氎玠原子、炭玠数〜の眮換・未眮換
のアルキル基、及び眮換・未眮換のアラルキル
基、眮換・未眮換のプニル基、 R5は氎玠原子、炭玠数〜の眮換・未眮換
のアルキル基、眮換・未眮換の芳銙族炭玠環基
䟋えば眮換・未眮換のプニル基、眮換・未眮
換のナフチル基、眮換・未眮換のアンスリル基
等、たたは眮換・未眮換の芳銙族耇玠環基䟋
えば眮換・未眮換のカルバゟリル基、眮換・未眮
換のゞベンゟフリル基等を衚す。 これらの基の眮換基ずしおは、䟋えば炭玠数
〜のアルキル基䟋えばメチル基、゚チル基、
む゜プロピル基、玚ブチル基、トリフルオロメ
チル基等、眮換・未眮換のアラルキル基䟋え
ば、ベンゞル基、プネチル基等、ハロゲン原
子塩玠原子、臭玠原子、北玠原子、沃玠原子、
炭玠数〜の眮換・未眮換のアルコキシ基䟋
えばメトキシ基、゚トキシ基、む゜プロポキシ
基、玚ブトキシ基、―クロル゚トキシ基、
ヒドロキシ基、眮換・未眮換のアリヌルオキシ基
䟋えば―クロルプノキシ基、―ナフトキ
シ基等、アシルオキシ基䟋えばアセチルオキ
シ基、―シアノベンゟむルオキシ基等、カル
ボキシ基、その゚ステル基䟋えば、゚トキシカ
ルボニル基、―ブロモプノキシカルボニル基
等、眮換・未眮換のカルバモむル基䟋えば、
アミノカルボニル基、玚ブチルアミノカルボニ
ル基、アニリノカルボニル基等、アシル基䟋
えば、アセチル基、―ニトロベンゟむル基等、
スルホ基、眮換・未眮換のスルフアモむル基䟋
えば、アミノスルホニル基、玚ブチルアミノス
ルホニル基、―トリルアミノスルホニル基等、
アミノ基、アシルアミノ基䟋えば、アセチルア
ミノ基、ベンゟむルアミノ基等、スルホンアミ
ド基䟋えば、メタンスルホンアミド基、―ト
ル゚ンスルホンアミド基等、シアノ基、ニトロ
基等が挙げられるが、奜たしくは炭玠数〜の
眮換・未眮換のアルキル基䟋えば、メチル基、
゚チル基、む゜プロピル基、―ブチル基、トリ
フルオロメチル基等、ハロゲン原子塩玠原子、
臭玠原子、北玠原子、沃玠原子、炭玠数〜
の眮換・未眮換のアルコキシ基䟋えば、メトキ
シ基、゚トキシ基、玚ブトキシ基、―クロル
゚トキシ基等シアノ基、ニトロ基である。 は、眮換・未眮換の芳銙族炭玠環、たたは眮
換・未眮換の芳銙族耇玠環を圢成するに必芁な原
子矀であ぀お、具䜓的には䟋えば眮換・未眮換の
ベンれン環、眮換・未眮換のナフタレン環、眮
換・未眮換のむンドヌル環、眮換・未眮換のカル
バゟヌル環等を圢成する原子矀を衚す。 これらの環を圢成する原子矀の眮換噚ずしお
は、䟋えばR4R5の眮換基ずしお挙げたような
䞀連の眮換基が列挙されるが、奜たしくはハロゲ
ン原子塩玠原子、臭玠原子、北玠原子、沃玠原
子、スルホ基、スルフアモむル基䟋えばアミ
ノスルホニル基、―トリルアミノスルホニル基
等である。 R1は、氎玠原子、眮換・未眮換のアルキル基、
眮換・未眮換のアミノ基、カルボキシル基、その
゚ステル基、眮換・未眮換のカルバモむル基、シ
アノ基であり奜たしくは氎玠原子、炭玠数〜
の眮換・未眮換のアルキル基䟋えば、メチル
基、゚チル基、む゜プロピル基、玚ブチル基、
トリフルオロメチル基等、シアノ基である。 A′は眮換・未眮換のアリヌル基であり、奜た
しくは眮換・未眮換のプニル基で、これらの基
の眮換基ずしおは䟋えばR4R5の眮換基ずしお
挙げたような䞀連の眮換基が列挙されるが、奜た
しくはハロゲン原子塩玠原子、臭玠原子、北玠
原子、沃玠原子、炭玠数〜の眮換・未眮換
のアルキル基䟋えば、メチル基、゚チル基、む
゜プロピル基、玚ブチル基、トリフルオロメチ
ル基等、炭玠数〜の眮換・未眮換のアルコ
キシ基䟋えば、メトキシ基、゚トキシ基、む゜
プロポキシ基、玚ブトキシ基、―クロル゚ト
キシ基、である。 R2及びR3は眮換・未眮換のアルキル基、眮
換・未眮換のアラルキル基、及び眮換・未眮換の
アリヌル基を衚すが、奜たしくは炭玠数〜の
眮換・未眮換のアルキル基䟋えば、メチル基、
゚チル基、む゜プロピル基、玚ブチル基、トリ
フルオロメチル基等、眮換・未眮換のプニル
基䟋えば、プニル基、―メトキシプニル
基、―クロルプニル基等を衚す。 前蚘䞀般匏で瀺される本発明に有甚なア
ゟ化合物の具䜓䟋ずしおは、䟋えば構造匏を有す
るものが挙げられるが、これによ぀お本発明のア
ゟ化合物が限定されるものではない。 䟋瀺化合物
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
以䞊のようなアゟ化合物は公知の方法により容
易に合成するこずができる。以䞋に具䜓的な合成
䟋を瀺す。 合成䟋 䟋瀺化合物―の合成 100mlのコルベンに47HBF4 20mlを入れ−
℃以䞋で撹拌し぀぀、NaNO22.80.04モル
の氎ml溶液を滎䞋する。この時同時に―プ
ニレンゞアミン塩酞塩3.60.02モルを氎
mlに分散した液を埐々に添加しおいく。添加終了
埌同枩床で15分間撹拌した埌、析出晶を取す
る。埗られたテトラゟニりム塩は、冷DMF 400
mlに溶かし℃以䞋に保぀。䞀方で2′4′―ゞメ
チル――ヒドロキシ――ナフト゚酞アニリド
14.00.048モルをDMF700mlに溶かしお冷华
しおおいた液を先のテトラゟニりム塩溶液に加え
る。぀づいお撹拌し぀぀CH3COONa・3H2O
10.8を氎50mlに溶かした液を℃以䞋に保ちな
がら滎䞋する。滎䞋埌同枩床で時間、さらに宀
枩で時間撹拌し、析出物を取する。DMF掗
浄、氎掗浄、さらにメタノヌル掗浄した埌也燥し
お䟋瀺化合物― 6.78収率43を埗
る。 本発明の前蚘アゟ化合物は優れた光導電性を有
し、これを甚いお感光䜓を補造する堎合、導電性
支持䜓䞊に本発明のアゟ化合物を結着剀䞭に分散
した感光局を蚭けるこずにより補造するこずがで
きるが、本発明のアゟ化合物の特぀光導電性のう
ち、特に優れたキダリア発生胜を利甚しおキダリ
ア発生物質ずしお甚い、これず組み合わせお有効
に䜜甚し埗るキダリア茞送物質ず共に甚いるこず
により、いわゆる機胜分離型の感光䜓を構成した
堎合特に優れた結果が埗られる。前蚘機胜分離型
感光䜓は分散型のものであ぀おもよいが、キダリ
ア発生物質を含むキダリア発生局ずキダリア茞送
物質を含むキダリア茞送局を積局した積局型感光
䜓ずするこずがより奜たしい。 感光䜓の機胜的構成は皮々の圢態が知られおい
るが、本発明の感光䜓は、それらのいずれの圢態
をもずり埗る。 通垞は、第図〜第図の圢態である。第図
及び第図では、導電性支持䜓䞊に前述のアゟ
化合物を䞻成分ずするキダリア発生局ず、キダ
リア茞送物質を䞻成分ずしお含有するキダリア茞
送局ずの積局䜓より成る感光局を蚭ける。第
図及び第図に瀺すように、この感光局は導
電性支持䜓䞊に蚭けた䞭間局を介しお蚭けおも
よい。このように感光局を二局構成ずしたずき
に最も優れた電子写真特性を有する感光䜓が埗ら
れる。たた本発明においおは、第図および第
図に瀺すように前蚘キダリア発生物質をキダリ
ア茞送物質を䞻成分ずする局䞭に分散せしめお
成る感光局を導電性支持䜓䞊に盎接、あるい
は䞭間局を介しお蚭けおもよい。 本発明のアゟ化合物をキダリア発生物質ずしお
甚いた堎合、これず組み合わせお甚いられるキダ
リア茞送物質ずしおは、トリニトロフルオレノン
あるいはテトラニトロフルオレノンなどの電子を
茞送しやすい電子受容性物質のほかポリ――ビ
ニルカルバゟヌルに代衚されるような耇玠環化合
物を偎鎖に有する重合䜓、トリアゟヌル誘導䜓、
オキサゞアゟヌル誘導䜓、むミダゟヌル誘導䜓、
ピラゟリン誘導䜓、ポリアリヌルアルカン誘導
䜓、プニレンゞアミン誘導䜓、ヒドラゟン誘導
䜓、アミノ眮換カルコン誘導䜓、トリアリヌルア
ミン誘導䜓、カルバゟヌル誘導䜓、スチルベン誘
導䜓、プノチアゞン誘導䜓等の正孔を茞送しや
すい電子䟛䞎性物質が挙げられる。 以䞋においお本発明に有甚なキダリア茞送物質
の代衚䟋を瀺すが、これによ぀お本発明に甚いら
れるキダリア茞送物質が限定されるものではな
い。 䞀般匏 〔〕 〔匏䞭、R1R2およびR3は、氎玠原子、アルキ
ル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ
基、シアノ基、ゞアルキルアミノ基、ゞアリヌル
アミノ基、ゞアラルキルアミノ基、たたはニトロ
基を衚わす。〕 䞀般匏 〔〕 〔匏䞭、R1R4R5R6およびR7は、氎玠原
子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、
ヒドロキシ基、シアノ基、ゞアルキルアミノ基、
ゞアリヌルアミノ基、ゞアラルキルアミノ基、た
たはニトロ基を衚わす。R2はアルキル基、眮換
基を有しおもよいプニル基、眮換基を有しおも
よいベンゞル基たたは眮換基を有しおもよいナフ
チレン基を衚わす。R3は氎玠原子、アルキル基、
シアノ基たたは眮換基を有しおもよいプニル基
を衚わす。〕 䞀般匏 〔〕 〔匏䞭、R1R2R3およびR4は、氎玠原子、ア
ルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ヒドロ
キシ基、シアノ基、ゞアルキルアミノ基、ゞアリ
ヌルアミノ基、ゞアラルキルアミノ基、たたはニ
トロ基を衚わす。R5は氎玠原子、眮換基を有し
おもよいプニル基、シアノ基、たたはアルキル
基を衚わす。Arは
【匏】たたは
【匏】を衚わす。R6R7お よびR8は、アルキル基、眮換基を有しおもよい
ベンゞル基、眮換基を有しおもよいプニル基、
たたは眮換基を有しおもよいナフチル基を衚わ
す。R9は氎玠原子、アルキル基、アルコキシ基、
ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ゞアル
キルアミノ基、ゞアリヌルアミノ基、ゞアラルキ
ルアミノ基、たたはニトロ基を衚わす。〕 䞀般匏 〔XI〕 〔匏䞭、R1R2R3およびR4は、氎玠原子、ア
ルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ヒドロ
キシ基、シアノ基、ゞアルキルアミノ基、ゞアリ
ヌルアミノ基、ゞアラルキルアミノ基、たたはニ
トロ基を衚わす。R5は氎玠原子、眮換基を有し
おもよいプニル基、シアノ基、たたはアルキル
基を衚わす。Arは、
【匏】たたは
【匏】を衚わす。R6R7お よびR8は、アルキル基、眮換基を有しおもよい
ベンゞル基、眮換基を有しおもよいプニル基、
たたは眮換基を有しおもよいナフチル基を衚わ
す。R9は氎玠原子、アルキル基、アルコキシ基、
ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ゞアル
キルアミノ基、ゞアリヌルアミノ基、ゞアラルキ
ルアミノ基、たたはニトロ基を衚わす。〕 䞀般匏 〔XII〕 〔匏䞭、R1R2およびR3は、氎玠原子、アルキ
ル基、アルコキシ基、ハロゲン基、ヒドロキシ
基、シアノ基、ゞアルキルアミノ基、ゞアリヌル
アミノ基、ゞアラルキルアミノ基、たたはニトロ
基を衚わす。はたたはの敎数を衚わす。〕 䞀般匏 〔 〔匏䞭、R1R2R3R4R5およびR6は、氎玠
原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン基、
ヒドロキシ基、シアノ基、ゞアルキルアミノ基、
ゞアリヌルアミノ基、ゞアラルキルアミノ基、た
たはニトロ基を衚わす。R7は、氎玠原子たたは
プニル基を衚わす。〕 䞀般匏 〔〕 〔匏䞭、R1R2R3R4R5およびR6は、氎玠
原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン基、
ヒドロキシ基、シアノ基、ゞアルキルアミノ基、
ゞアリヌルアミノ基、ゞアラルキルアミノ基、た
たはニトロ基を衚わす。R7は、氎玠原子たたは
プニル基を衚わす。〕 䞀般匏 〔〕 〔匏䞭、R1R2R3R4R5およびR6は、氎玠
原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン基、
ヒドロキシ基、シアノ基、ゞアルキルアミノ基、
ゞアリヌルアミノ基、ゞアラルキルアミノ基、た
たはニトロ基を衚わす。〕 䞊蚘のキダリア茞送物質の具䜓䟋を瀺せば次の
通りである。
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 キダリア発生局は次のような方法によ぀お圢成
するこずができる。 ― アゟ化合物を適圓な溶媒に溶解した溶
液を、あるいは必芁に応じお結着剀を加え混合
溶解した溶液を塗垃する方法。 ― アゟ化合物をボヌルミル、ホモミキサ
ヌ等によ぀お分散媒䞭で埮现粒子ずし、必芁に
応じお結着剀をくわえ混合分散液を塗垃する方
法。 キダリア発生局の圢成に䜿甚される溶媒あるい
は分散媒ずしおは、―ブチルアミン、ゞ゚チル
アミン、゚チレンゞアミン、む゜プロパノヌルア
ミン、トリ゚タノヌルアミン、トリ゚チレンゞア
ミン、―ゞメチルホルムアミド、アセト
ン、メチル゚チルケトン、シクロヘキサノン、ベ
ンれン、トル゚ン、キシレン、クロロホルム、
―ゞクロロ゚タン、ゞクロロメタン、テト
ラヒドロフラン、ゞオキサン、メタノヌル、゚タ
ノヌル、む゜プロパノヌル、酢酞゚チル、酢酞ブ
チル、ゞメチルスルホキシド等が挙げられる。 キダリア発生局あるいはキダリア茞送局に結着
剀を甚いる堎合は任意のものを甚いるこずができ
るが、疎氎性で、か぀誘電率が高く、電気絶瞁性
のフむルム圢成性高分子重合䜓を甚いるのが奜た
しい。このような高分子重合䜓ずしおは、䟋えば
次のものを挙げるこずができるが、これらに限定
されるものではない。 ― ポリカヌボネヌト ― ポリ゚ステル ― メタクリル暹脂 ― アクリル暹脂 ― ポリ塩化ビニル ― ポリ塩化ビニリデン ― ポリスチレン ― ポリビニルアセテヌト ― スチレン―ブタゞ゚ン共重合䜓 ―10 塩化ビニリデン―アクリロニトリル共
重合䜓 ―11 塩化ビニル―酢酞ビニル共重合䜓 ―12 塩化ビニル―酢酞ビニル―無氎マレむ
ン酞共重合䜓 ―13 シリコン暹脂 ―14 シリコン―アルキツド暹脂 ―15 プノヌルホルムアルデヒド暹脂 ―16 スチレン―アルキツド暹脂 ―17 ポリ――ビニルカルバゟヌル ―18 ポリビニルブチラヌル ―19 ポリビニルフオルマヌル これらの結着剀は、単独であるいは皮以䞊の
混合物ずしお甚いるこずができる。 このようにしお圢成されるキダリア発生局の
厚さは、0.01Ό〜20Όであるこずが奜たしい
が、曎に奜たししくは0.05Ό〜5Όである。た
たキダリア発生局あるいは感光局が分散系の堎合
アゟ化合物の粒埄は5Ό以䞋であるこずが奜た
しく、曎に奜たしくは1Ό以䞋である。 本発明の感光䜓に甚いられる導電性支持䜓ずし
おは、合金を含めた金属板、金属ドラムたたは導
電性ポリマヌ、酞化むンゞりム等の導電性化合物
や合金を含めたアルミニりム、パラゞりム、金等
の金属薄局を塗垃 蒞着ああるいはラミネヌトし
お、導電性化を達成した玙、プラスチツクフむル
ム等が挙げられる。接着局あるいはバリダヌ局な
どの䞭間局ずしおは、前蚘結着剀ずしお甚いられ
る高分子重合䜓のほか、ポリビニルアルコヌル、
゚チルセルロヌス、カルボキシメチルセルロヌス
などの有機高分子物質たたは酞化アルミニりムな
どが甚いられる。 本発明の感光䜓は以䞊のような構成であ぀お、
埌述するような実斜䟋からも明らかなように、垯
電特性、感床特性画像圢成特性に優れおおり、特
に繰り返し䜿甚したずきにも疲劎劣化が少なく、
耐久性が優れたものである。 以䞋、本発明の実斜䟋で具䜓的に説明するが、
これにより本発明の実斜態様が限定されるもので
はない。 実斜䟋 実斜䟋  䟋瀺化合物―ずポリカヌボネヌト暹
脂「パンラむト―1250」垝人化成瀟補
ずを1.2―ゞクロロ゚タン110mlに加え、ボヌルミ
ルで12時間分散した。この分散液をアルミニりム
を蒞着したポリ゚ステルフむルム䞊に、也燥時の
膜厚が0.3Όになるように塗垃し、キダリア発生
局ずし、曎にその䞊に、キダリア茞送局ずしお、
前蚘化合物―201ずポリカヌボネヌト暹
脂「パンラむト―1250」10ずを―ゞク
ロロ゚タン110mlに溶解した液を也燥埌の膜厚が
15Όになるように塗垃しお、キダリア茞送局を
圢成し、本発明の感光䜓を䜜成した。 以䞊のようにしお埗られた感光䜓を(æ ª)川口電機
補䜜所補SP―428型静電玙詊隓機を甚いお、以䞋
の特性評䟡を行぀た。垯電圧―6KVで秒間垯
電した埌、秒間暗攟眮し、次いで感光䜓衚面で
の照床が35luxになるようにハロゲンランプ光を
照射しお、衚瀺電䜍を半分に枛衰させるのに芁す
る露光量半枛露光量1/2を求めた。たた
30lux.secの露光量で露光した埌の衚面電䜍残
留電䜍VRを求めた。曎に同様の枬定を100回繰
り返しお行぀た。結果は第衚に瀺す通りであ
る。
【衚】 比范䟋  キダリア発生物質ずしお䞋蚘ビスアゟ化合物
―(1)を甚いた他は、実斜䟋ず同様にしお比范甚
感光䜓を䜜成した。 この比范甚感光䜓に぀いお、実斜䟋ず同様に
しお枬定を行぀たずころ、第衚に瀺す結果を埗
た。
【衚】 以䞊の結果から明らかなように、本発明の感光
䜓は、比范甚感光䜓に比べ、感床、残留電䜍及び
繰り返しの安定性においお極めお優れたものであ
る。 実斜䟋 ― キダリア発生物質ずしお䟋瀺化合物―、
―32、及び―50を甚い、キダリア茞送物質ずし
お、それぞれ、前蚘化合物―174、前蚘化合物
―188及び前蚘化合物―185を甚い、他は実斜
䟋ず同様にしお、本発明の感光䜓を䜜成し、同
様の枬定を行぀たずころ第衚に瀺す結果を埗
た。
【衚】 実斜䟋  ポリ゚ステルフむルム䞊にアルミニりム箔をラ
ミネヌトしお成る導電性支持䜓䞊に、塩化ビニル
―酢酞ビニル―無氎マレむン酞共重合䜓「゚スレ
ツクMF―10」積氎化孊瀟補より成る厚さ
0.05Όの䞭間局を蚭け、その䞊に䟋瀺化合物
―を―ゞクロロ゚タン110mlに混
合し、ボヌルミルで24時間分散した分散液を也燥
埌の膜厚が0.5Όになるようにしお塗垃し、キダ
リア発生局を圢成した。このキダリア発生局の䞊
に前蚘化合物―109ずメタクリル暹脂
「アクリペツト」䞉菱レむペン瀟補10ずを
―ゞクロロ゚タン70mlに溶解した液を、也
燥埌の膜厚が10Όになるように塗垃しおキダリ
ア茞送局を圢成し、本発明の感光䜓を䜜成した。 この感光䜓に぀いお実斜䟋ず同様の枬定を行
な぀たずころ第回目に぀いお1/22.2lux・
sec、VROVの結果を埗た。 実斜䟋  実斜䟋で甚いた䞭間局を蚭けた導電性支持䜓
䞊に、䟋瀺化合物―98の゚チレンゞアミン
溶液を也燥埌の膜厚が0.1Όになるように塗垃
し、キダリア発生局を圢成した。 次いでその䞊に、前蚘化合物―213.6ずポ
リ゚ステル暹脂「バむロン200」東掋玡瞟瀟補
10ずをゞクロロ゚タン70mlに溶解し、こ
の溶液を也燥埌の膜厚が12Όになるように塗垃
しおキダリア茞送局を圢成し、本発明の感光䜓を
䜜成した。 この感光䜓に぀いお実斜䟋ず同様の枬定を行
぀たずころ第衚に瀺す結果を埗た。 比范䟋  実斜䟋においお䟋瀺化合物―98を䞋蚘の構
造匏で衚わされるビスアゟ化合物―(2)に代えた
他は同様にしお比范甚の感光䜓を䜜成した。 この感光䜓に぀いお実斜䟋ず同様の枬定を行
぀た結果を第衚に瀺す。
【衚】 実斜䟋  実斜䟋においお䟋瀺化合物―を䟋瀺化合
物―21に代えた他は同様にしおキダリア発生局
を圢成した。この䞊に前蚘化合物―212.6ず
ポリカヌボネヌ「パンラむト―1250」垝人化
成瀟補10ずを―ゞクロロ゚タン70mlに
溶解した液を也燥埌の膜厚が20Όになるように
塗垃しおキダリア茞送局を圢成し、本発明の感光
䜓を䜜成した。 この感光䜓に぀いお、実斜䟋ず同様にしお枬
定を行぀たずころ1/22.3lux・sec及びVR
OVであ぀た。 実斜䟋  盎埄100mmのアルミニりム補ドラムの衚面に塩
化ビニル―酢酞ビニル―無氎マレむン酞共重合䜓
「゚スレツクMF―10」積氎化孊瀟補より成る
厚さ0.05Όの䞭間局を蚭け、その䞊に䟋瀺化合
物―を―ゞクロロ゚タン40mlに
混合し、ボヌルミル分散機で24時間分散した分散
液を也燥埌の膜厚が0.6Όになるようにしお塗垃
し、キダリア発生局を圢成した。 さらにこの䞊に、前蚘化合物―11230ず
ポリカヌボネヌト暹脂「ナヌピロン―1000」
䞉菱ガス化孊瀟補50ずを―ゞクロロ
゚タン400mlに溶解し、也燥埌の膜厚が25Όに
なるように塗垃しおキダリア茞送局を圢成し、ド
ラム状の電子写真感光䜓を䜜成した。 このようにしお䜜成した感光䜓を電子写真耇写
機「―Bix1600MR」小西六写真工業瀟補の
改造機に装着し、画像を耇写したずころコントラ
ストが高く、原䟡に忠実でか぀鮮明な耇写画像を
埗た。たた、これは10000回繰り返しおも倉わる
こずはなか぀た。 比范䟋  実斜䟋においお䟋瀺化合物―を䞋蚘構造
匏で衚されるビスアゟ化合物―(3)に代えた
他は、実斜䟋ず同様にしおドラム状の比范甚感
光䜓を䜜成し、実斜䟋ず同様にしお耇写画像を
評䟡したずころ、カブリが倚い画像しか埗られな
か぀た。又、耇写を繰り返しおいくに埓い、耇写
画像のコントラストが䜎䞋し、2000回繰り返す
ず、ほずんど耇写画像は埗られなか぀た。 実斜䟋  ポリ゚ステルフむルム䞊にアルミニりム箔をラ
ミネヌトしお成る導電性支持䜓䞊に、塩化ビニル
―酢酞ビニル―無氎マレむン酞共重合䜓「゚スレ
ツクMF―10」積氎化孊瀟補より成る厚さ
0.05Όの䞭間局を蚭け、その䞊に䟋瀺化合物
―16ずポリカヌボネヌト暹脂「パンラむト
―1250」垝人化成瀟補3.3ずをゞクロロメ
タン100mlに加え、ボヌルミルで24時間分散した
分散液を也燥時の膜厚が10Όになるように塗垃
し、感光䜓を䜜成した。 以䞊のようにしお埗られた感光䜓を垯電圧を
6KVに代えた他は実斜䟋ず同様にしお1/2ず
VRを枬定した。回目の結果は1/24.1lux・
sec及びVR3vであ぀た。 実斜䟋 10 アルミニりムを蒞着したポリ゚ステルフむルム
䞊にキダリア茞送局ずしお、前蚘化合物―1196
ずポリ゚ステル暹脂「バむロン200」東掋玡瞟
瀟補10ずを―ゞクロロ゚タン70mlに溶
解し、この溶液を也繰埌の膜厚が10Όになるよ
うに塗垃した。 次に、この䞊に䟋瀺化合物―202ず
―、ずを―ゞクロロ゚タン110mlに
混合し、ボヌルミルで24時間分散した分散液を也
燥埌の膜厚が0.5Όになるように塗垃しキダリア
発生局ずし、本発明の感光䜓を圢成した。 このようにしお埗られた感光䜓を実斜䟋ず同
様にしお評䟡したずころ1/21.9lux・sec及び
VR5vであ぀た。 実斜䟋 11 ポリ゚ステルフむルム䞊にアルミニりム箔をラ
ミネヌトしお成る導電性支持䜓䞊に、塩化ビニル
―酢酞ビニル―無氎マレむン酞共重合䜓「゚スレ
ツクMF―10」積氎化孊瀟補より成る厚さ
0.05Όの䞭間局を蚭け、その䞊に䟋瀺化合物
―101を前蚘化合物―210ずポリカ
ヌボネヌト暹脂「パンラむト―1250」垝人化
成瀟補ずをゞクロロ゚タン100mlに加え、
サンドグラむンダヌで24時間分散した分散液を也
燥時の膜厚が10Όになるように塗垃し、感光䜓
を䜜成した。 以䞊のようにしお埗られた感光䜓を垯電圧を
6Kvに代えた他は実斜䟋ず同様にしお1/2ず
VRを枬定した。回目の結果は1/23.1lux・
sec及びVR5vであ぀た。 実斜䟋 12 䟋瀺化合物化合物―の゚チレンゞアミ
ン溶液を、アルミニりムをラミネヌトしたポリ゚
ステルフむルム䞊に也燥時の膜厚が0.5Όになる
ように塗垃し、キダリア発生局を圢成した。曎に
その䞊にキダリア茞送局ずしお、前蚘化合物―
11前蚘化合物―43前蚘化合物―184を
別々にそれぞれ玄10ずポリカヌボネヌト20暹脂
垝人化成瀟補、パンラむト―125014ず
―ゞクロロ゚タン140mlに溶解した溶液を、也
燥埌の膜厚が12Όずなるように塗垃し也燥し、
それぞれ皮のキダリア茞送物質の異なる感光䜓
を埗た。 この皮の感光䜓を、それぞれ川口電機補䜜所
(æ ª)補SP―428型静電玙詊隓機を甚いお、以䞋の特
性評䟡を行぀た。垯電圧―6Kvで秒間垯電し、
これを秒間暗攟眮した埌、ハロゲン光を資料面
照床が35luxになるように照射し、衚面電䜍を半
分に枛衰させるのに必芁な露光量半枛露光量、
1/2を枬定した。又、30lux・secの露光量で
露光した埌の衚面電䜍残留電䜍VRを枬定し
た。結果は第衚に瀺す通りいずれのキダリア茞
送物質ずの組み合わせにおいおも良奜であ぀た。
【衚】 比范䟋  䟋瀺化合物―101を䞋蚘のビスアゟ化合物
―(4)に代えた他は実斜䟋11ず同様にしお比
范甚感光䜓を䜜成し、特性評䟡を行぀た結果、 第衚に瀺す通り、キダリア茞送物質によ぀お
結果にばら぀きが出た。
【衚】 実斜䟋 13 実斜䟋においお䟋瀺化合物―を―194
に倉えた他は同様にしおドラム状の感光䜓を䜜成
した。この感光䜓の790nmにおける分光感床は
820volt・・cm2・ΌW-1・sec-1光枛衰速床であ
぀た。この本発明の感光䜓衚面でのレヌザ光匷床
が0.85mWずなる半導䜓レヌザヌ790nmを装
着した実隓機により実写テストを行぀た。 感光䜓の衚面を−6KVに垯電した埌、レヌザ
ヌ光露光し−250Vのバむアス電圧で反転珟像し
たずころ、カブリのない良奜な画像が埗られた。 比范䟋  実斜䟋においお䟋瀺化合物―194に代えお
䞋蚘の比范䟋ビスアゟ化合物―(6)を甚いた他は
同様にしお比范甚感光䜓を埗た。 この感光䜓の790nmにおける分光感床は
500volt・cm2・ΌW-1・sec-1光枛衰速床であ぀
た。この比范甚感光䜓を甚いお実斜䟋14ず同様に
半導䜓レヌザヌによる実写テストを行な぀たがカ
ブリが倚く良奜な画像は埗られなか぀た。 以䞊の実斜䟋、比范䟋の結果から明らかなよう
に本発明の感光䜓は比范甚感光䜓に比べ、安定
性、感床、耐久性、広範なキダリア茞送物質ずの
組み合わせ等の特性においお著しく優れたもので
ある。 実斜䟋 14〜27 実斜䟋においお、䟋瀺化合物―電荷発
生物質及び化合物―109電荷茞送物質を衚
10のように代えた他は同様にしおドラム状の感光
䜓を䜜成した。この感光䜓の790nmにおける分光
感床は衚10のようであり、本感光䜓実斜䟋14―
27を甚いた、実斜䟋13ず同様の実写テストで
は、いずれもカブリのない良奜な画像が埗られ
た。
【衚】 発明の効果 本発明によ぀お感光䜓の感光局を構成する光導
電性物質ずしお前蚘䞀般匏〔〕で衚わされるア
ゟ化合物を䜿甚するこずにより、本発明の目的で
ある電荷保持力、感床、残留電䜍等の電子写真特
性においお優れおおり、か぀繰り返し䜿甚した時
にも疲劎劣化が少なく、さらに780nm以䞊の長波
長領域においおも十分な感床を有する優れた感光
䜓を䜜成するこずができる。
【図面の簡単な説明】
第図〜第図は、それぞれ本発明の感光䜓の
機械的構成䟋に぀いお瀺す断面図であ぀お、図䞭
の〜はそれぞれ以䞋のこずを衚わす。   導電性支持䜓、  キダリア発生局、
  キダリア茞送局、  感光局、  䞭
間局、  キダリア茞送物質を含有する局、
  キダリア発生物質。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  導電性支持䜓䞊に䞋蚘䞀般匏で衚され
    るアゟ化合物を含有する感光局を有するこずを特
    城ずする感光䜓。 䞀般匏 〔匏䞭、Y1Y2Y3Y4は氎玠原子、アルキル
    基、アルコキシ基、ハロゲン原子を衚わし、 A1A2は【匏】 【匏】 【匏】たたは【匏】 であ぀お、ここに は眮換若くは未眮換の芳銙族炭玠環、又は眮
    換若くは未眮換の芳銙族耇玠環を構成するに必芁
    な原子矀、 Q3は眮換若くは未眮換のカルバモむル基、又
    は眮換若くは未眮換のスルフアモむル基、 R1は氎玠原子、眮換若くは未眮換のアルキル
    基、眮換若くは未眮換のアミノ基、眮換若くは未
    眮換のカルバモむル基、カルボキシル基及びその
    ゚ステル基たたはシアノ基、 A′は眮換若くは未眮換のアリヌル基、 R2及びR3は眮換若くは未眮換のアルキル基、
    眮換又は未眮換のアラルキル基、又は眮換若くは
    未眮換のアリヌル基を衚す。〕  前蚘感光局がキダリア茞送物質ずキダリア発
    生物質ずを含有し、圓該キダリア発生物質が前蚘
    䞀般匏で衚されるアゟ化合物である特蚱請
    求の範囲第項蚘茉の感光䜓。  前蚘感光局がキダリア発生物質を含有するキ
    ダリア発生局ず、キダリア茞送物質を含有するキ
    ダリア茞送局ずの積局䜓で構成されおいる特蚱請
    求の範囲第項又は第項蚘茉の感光䜓。
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DE8585306040T DE3578233D1 (de) 1984-08-28 1985-08-23 Photorezeptor.

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