JPH037940B2

JPH037940B2 -

Info

Publication number: JPH037940B2
Application number: JP58218223A
Authority: JP
Inventors: Osamu Sasaki; Kazumasa Watanabe; Hisahiro Hirose; Yoshio Takizawa
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1983-11-18
Filing date: 1983-11-18
Publication date: 1991-02-04
Also published as: JPS60108857A

Description

【発明の詳細な説明】

（産業上の利用分野）本発明は、感光体に関し、更に詳しくはテトラ
キスアゾ化合物を含有する新規な電子写真感光体
に関する。（従来技術）従来、感光体においては、セレン、酸化亜鉛、
酸化カドミウム等の無機光導電体を主成分とする
感光層を有するものが広範に用いられていた。し
かし、これらは感度、耐熱性、あるいは耐刷性等
において必らずしも十分満足するものではなかつ
た。これに対して、近年有機光導性化合物を主成分
とする感光層を有する電子写真感光体が注目を集
めている。これらは製造が比較的容易であり、製
造コストも低く、円筒ドラム、シート状、いずれ
の形体にも用いることができ、取り扱いも容易で
かつ、耐熱性にすぐれているなど多くの利点を有
している。しかしながら、例えばすでに実用化さ
れているポリーＮ−ビニルカルバゾールと２，
４，７−トリニトロ−９−フルオレン等のルイス
酸とから形成される電荷移動錯体を主成分とする
感光層を有する電子写真感光体においては、感度
および耐刷性について必らずしも満足できる結果
を得ることができていない。しかしながら、光導電性機能の面からキヤリア
発生機能とキヤリア輸送機能とをそれぞれ別個の
物質に分担されるようにした積層型あるいは分散
型の機能分離型電子写真感光体が発明されたこと
により、種々の利点が生れた。このような機能分
離型電子写真感光体は各々の物質の選択範囲が広
く、帯電特性、感度、残留電位等の電子写真特性
および耐刷性において高性能が比較的達成が容易
で、また任意の特性を有する電子写真感光体を作
成しやすいという利点を持つている。このような利点を持つ機能分離型電子写真感光
体においてキヤリア発生を主として分担するキヤ
リア発生物質としては、種々の無機・有機物が提
案されている。無機物質としては無定形セレンか
ら形成されるキヤリア発生層がよく知られている
が、これは高温条件下で結晶化し性能が劣化する
という欠点を持つている。また、有機物質として
は光導電性有機染料・顔料のうち、特にキヤリア
発生物質として用いることが種々提案されてお
り、例えば特開昭47−37543号公報、特開昭53−
95033号公報、特開昭53−132347号公報、特開昭
55−69148号公報、特開昭56−116040号公報、特
開昭57−200045号公報明細書記載等のアゾ化合物
がすでに公知である。しかし、これらのアゾ化合
物は、感度、残留電位、あるいは繰り返し使用し
た時の安定性等の特性において、必ずしも満足し
得るものではない。また、キヤリア輸送物質の選
択範囲も限定されるなど、電子写真プロセスの幅
広い要求を充分に満足させるものが得られていな
いのが実状である。さらに近年、感光体の光源としてArレーザー、
He−Neレーザー等の気体レーザーや、半導体レ
ーザーが使用され始めている。これらのレーザー
は時系列でON／OFFが可能であり、高速で高解
像記録を行なうことができ、かつ記録様式の多数
化が可能であるなどインテリジエントコピアをは
じめとする画像処理機能を有する複写機やコンピ
ユーターのアウトプツト用のプリンターの光源と
して特に有望視されている。中でも半導体レーザ
ーは、その性質上音響光学素子等の電気信号／光
信号の変換素子が不要であることや、装置の小
型・軽量化が可能であることなどから注目を集め
ている。しかし、この半導体レーザーは気体レー
ザーに比較して低出力であり、また、発振波長も
長波長（約780nm以上）であるため、従来の感光
体では分光感度が短波長側により過ぎており、半
導体レーザーを光源とする感光体としての使用は
不可能である。（発明の目的）本発明の目的は、熱および光に対して安定で、
かつキヤリア発生能に優れたテトラキスアゾ化合
物を含有する電子写真感光体を提供することにあ
る。本発明の他の目的は、高感度にして残留電位が
小さく、かつ繰り返し使用してもそれらの特性が
変化しない耐久性のすぐれた電子写真感光体を提
供することにある。本発明の更に他の目的は、広範なキヤリア輸送
物質との組み合わせにおいても有効にキヤリア発
生物質として作用し得るテトラキスアゾ化合物を
含有する電子写真感光体を提供することにある。本発明の更に他の目的は、半導体レーザー等の
長波長光源に対しても十分の実用感度を有する感
光体を提供することにある。（発明の構成）本発明者らは、以上の目的を達成すべく鋭意研
究の結果、下記一般式〔〕で示されるテトラキ
スアゾ化合物が感光体の有効成分として働き得る
ことを見い出し、本発明を完成したものである。一般式〔〕式中、X₁，X₂，X₃，X₄はそれぞれ水素原子、
ハロゲン原子（塩素原子、臭素原子、沃素原子、
弗素原子）、炭素数１〜４のアルキル基（飽和・
不飽和のものを含む。例えばメチル基、エチル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ビニル基
等）、炭素数１〜４のアルコキシ基（飽和・不飽
和のものを含む。例えばメトキシ基、エトキシ
基、iso−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ビニ
ルオキシ基等）を表わす。好ましくは水素原子を表わす。 Y₁，Y₂，Y₃，Y₄は水素原子またはシアノ基を
表わす。 Arはフエニレン基またはナフチレン基を表わ
す。Ａは、

【式】

【式】または

【式】であり、Ｙは、カルバモイル基（

【式】）、スルフアモイル基

【式】）であつて R₄は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基
（飽和・不飽和のものを含む。例えばメチル基、
エチル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、ビ
ニル基等）、フエニル基、アラルキル基（例えば
ベンジル基、フエネチル基等）を表わす。好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキル
基（飽和・不飽和のものを含む。例えばメチル
基、エチル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、
ビニル基等）を表わし、更に好ましくは水素原子
を表わす。 R₅は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基
（飽和・不飽和を含む、例えばメチル基、エチル
基、iso−プロピル基、ビニル基等）、アラルキル
基（例えばベンジル基、フエネチル基等）、芳香
族炭素環基（例えば、フエニル基、ナフチル基、
アンスリル基等）または芳香族複素環基（例えば
カルバゾリル基、ジベンゾフリル基等）を表わ
す。好ましくは芳香族炭素環基（例えば、フエニル
基、ナフチル基、アンスリル基等）、芳香族複素
環基（例えばカルバゾリル基、ベンゾフリル基
等）を表わし、更に好ましくは芳香族炭素環基
（例えばフエニル基、ナフチル基、アンスリル基
等）を表わす。Ｚは芳香族炭素環、芳香族複素環を形成するに
必要な原子群であつて、具体的には、例えばベン
ゼン環、ナフタレン環、インドール環、ベンゾフ
ラン環、カルバゾール環等を形成する原子群を表
わすがこの限りではない。 R₁は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基
（例えばメチル基、エチル基、iso−プロピル基、
ｎ−ブチル基、ビニル基等）、アミノ基（例えば
アミノ基、メチルアミノ基、アニリノ基等）、カ
ルボキシ基、そのエステル基（例えばエトキシカ
ルボニル基、ベンゾイルカルボニル基等）、カル
バモイル基（例えばＮ−メチルカルバモイル基、
Ｎ−フエニルカルバモイル基等）、シアノ基であ
り、好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキ
ル基（例えばメチル基、エチル基、iso−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ビニル基等）、シアノ基で
ある。 R₂は芳香族炭素環基であり、好ましくはフエ
ニル基である。 R₃は炭素数１〜４のアルキル基（例えばメチ
ル基、エチル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ビニル基等）、アラルキル基（例えばベンジ
ル基、フエネチル基等）、または芳香族炭素環基
（例えばフエニル基、ナフチル基、アンスリル基
等）であり、好ましくは炭素数１〜４のアルキル
基（例えばメチル基、エチル基、iso−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ビニル基等）、芳香族炭素環
基（例えばフエニル基、ナフチル基、アンスリル
基等）である。これらX₁，X₂，X₃，X₄，Ar，R₁，R₂，R₃，
R₄，R₅，Ｚに挙げた一連の基もしくは環は、上
記の無置換のもの以外に、次に示すような置換基
を有してもよい。限ち、例えば炭素数１〜４のア
ルキル基（飽和・不飽和のものを含む。例えばメ
チル基、エチル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ビニル基等）、ハロゲン原子（塩素原子、
臭素原子、弗素原子、沃素原子）、炭素数１〜４
のアルコキシ基（飽和・不飽和のものを含む。例
えばメトキシ基、エトキシ基、iso−プロボキシ
基、sec−ブトキシ基、アリルオキシ基等）ヒド
ロキシ基、アリールオキシ基（例えばフエノキシ
基、ナフトキシ基等）、アシルオキシ基（例えば
アセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等）カル
ボキシ基、そのエステル基（例えばエトキシカル
ボニル基、フエノキシカルボニル基等）、カルバ
モイル基（例えばＮ−メチルカルバモイル基、Ｎ
−フエニルカルバモイル基等）、アシル基（例え
ばアセチル基、ベンゾイル基等）スルホ基、スル
フアモイル基（例えばＮ−エチルスルフアモイル
基、Ｎ−ナフチルスルフアモイル基等）、アミノ
基（例えばアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリ
ノ基等）、アシルアミノ基（例えばアセチルアミ
ノ基、ベンゾイルアミノ基等）、スルホンアミド
基（例えばメタンスルホンアミド基、ベンゼンス
ルホンアミド基等）、シアノ基、ニトロ基、芳香
族炭素環基（例えばフエニル基、ナフチル基）、
芳香族複素環基（例えばオキサゾリル基、イミダ
ゾリル基等）が挙げられる。好ましくは炭素数１〜４のアルキル基（飽和・
不飽和のものを含み例えばメチル基、エチル基、
iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、ビニル基等）、
ハロゲン原子（塩素原子、臭素原子、弗素原子、
沃素原子等）、炭素数１〜４のアラコキシ基（飽
和・不飽和のものを含む。例えばメトキシ基、エ
トキシ基、iso−プロボキシ基、seo−ブトキシ
基、アリルオキシ基等）、シアノ基、ニトロ基で
ある。以上に挙げた一連の置換基は、更にまた上記に
挙げた一連の基の如き置換基によつて置換されて
もよい。すなわち、本発明においては前記一般式〔〕
で示されるテトラキスアゾ化合物を電子写真感光
体の感光層を構成する光導電性物質として用いる
ことにより、または本発明のテトラキスアゾ化合
物の優れたキヤリア発生能のみを利用し、これを
キヤリアの発生と輸送とをそれぞれ別個の物質で
行なう機能分離型電子写真感光体のキヤリア発生
物質として用いることにより熱光等に堅牢で安定
した特性を持ち、帯電特性、感度、残留電位等の
電子写真特性や耐刷性に優れ、かつ、長波長光源
に対し充分な感度を持つ電子写真感光体を作成す
ることができる。（発明の構成）前記一般式〔〕で示される本発明に有用なア
ゾ化合物としては、例えば次の構造式を有するも
のが挙げられるが、これによつて本発明のテトラ
キスアゾ化合物が限定されるものではない。

【表】

【表】以上の如きテトラキスアゾ化合物は、公知の方
法により容易に合成することができる。合成例１（例示化合物（Ａ−１）の合成）詳細な合成については省略するが、先ず下記合
成経路に従い、中間体の４，4′−｛Ｎ，Ｎ，N′，
N′−テトラキス（ｐ−アミノフエニル）ジアミ
ノ｝−１，４−ジスチリルベンゼンを合成した。即ち、ルート(i)においてJ.Med.Pharm.
Chem.1，197〜211（1959）記載の方法に準じて
４，4′−ジニトロジフエニルアミンを合成した。次にルート(ii)においてｐ−ヨードトルエンを常
法によりブロム化した後亜リン酸トリエチルとの
縮合により、Wordwouth試薬であるｐ−ヨード
ベンジルフオスフオネートを得た。次いでルート(iii)において、J.Am.Chem.Soc.，
83，1733（1961）記載の方法に準じて上記に得ら
れたｐ−ヨードベンジルフオスフオネートとテレ
フタルアルデヒドとの縮合により４，4′−ジヨー
ド−１，４−ジスチリルベンゼンを得た。更にルート(iv)において４，4′−ジニトロジフエ
ニルアミンと４，4′−ジヨード−１，４−ジスチ
リルベンゼンとをニトロベンゼン中、銅粉と炭酸
カリウム存在下に縮合せしめ、４，4′−｛Ｎ，Ｎ，
N′，N′−テトラキス（ｐ−ニトロフエニル）ジ
アミノ｝−１，４−ジスチリルベンゼンを得た後
に、このものを常法によりＮ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド（DMF）中で鉄と塩酸とで還元し、中
間体である４，4′−｛Ｎ，Ｎ，N′，N′−テトラキ
ス（ｐ−アミノフエニル）｝−1.4−ジスチリルベ
ンゼンを得た。上記において得たテトラアミノ体を用いて例示
化合物（Ａ−１）を合成する過程について以下に
詳述する。 6.8ｇ（0.01モル）の４，4′−｛Ｎ，Ｎ，N′，
N′−テトラキス（ｐ−アミノフエニル）ジアミ
ノ｝−１，４−ジスチリルベンゼンを200mlの6N
塩酸に分散し、撹拌下、内温０〜５℃に保持しつ
つ、3.0ｇ（0.044モル）の亜硝酸ソーダを20mlの
水に溶かした水溶液を滴下し、その後同温度で１
時間撹拌を続けた。その後3.0ｇの尿素を加えて
未反応の亜硝酸ソーダを分解せしめた後少量の残
渣を濾別し、濾液に42％のホウ弗化水素酸30mlを
加え、析出した沈澱を濾取し、水洗後乾燥した。
得られたオクタゾニウム塩を冷却下のＮ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド1500mlに溶解した。この溶液に２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸ア
ニリド（ナフトールAS）10.5ｇ（0.04モル）を５
〜10℃の内温下に加え、溶解せしめた後に、予じ
め準備しておいたトリエタノールアミン11.9ｇ
（0.08モル）を70mlのＮ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミドに溶かした液を、５〜10℃の内温を保ちなが
ら撹拌下に滴下した。滴下後、同温度にて１時間撹拌した後、室温下
３時間撹拌反応させた。その後析出した沈澱を濾
取し、1.5のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドで
２回、次に１のアセトンで１回洗浄し乾燥する
ことによつて目的のテトラキスアゾ化合物12.4ｇ
を得た。収率 70％融点 300℃以上赤外吸収スペクトルでν＝1680cm^-1にアミド吸
収が現われたことおよび下記元素分析結果から目
的のテトラキスアゾ化合物が合成されたことが確
認できた。元素分析計算値観測値Ｃ(%) 77.18 77.01 Ｈ(%) 4.55 4.78 Ｎ(%) 11.06 11.21 合成例２（例示化合物（Ａ−31）の合成）合成例１で得た４，4′−｛Ｎ，Ｎ，N′，N′−テ
トラキス（ｐ−アミノフエニル）ジアミノ｝−１，
４−ジスチリルベンゼン6.8ｇ（0.01モル）を200
mlの6N塩酸に分散し、撹拌下０〜５℃に保持し
つつ3.0ｇ（0.044モル）の亜硝酸ソーダを20mlの
水に溶かした水溶液を滴下し、その後同温度で１
時間撹拌を続けた。その後3.0ｇの尿素を加えて
未反応の亜硝酸ソーダを分解せしめた後少量の残
渣を濾別し、濾液に42％のホウ弗化水素酸30mlを
加え、析出した沈澱を濾取し、水洗後乾燥した。
得られたオクタゾニウム塩を冷却下のＮ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド1500mlに溶解した。この溶液に２−ヒドロキシ−３−（４−メトキ
シフエニルカルバモイル）ベンゾ〔ａ〕カルバゾ
ール（ナフトールAS−SG）14.9ｇ（0.04モル）
を５〜10℃の内温下に加え、溶解せしめた後に、
予じめ準備しておいた6.5ｇ（0.08モル）の酢酸
ソーダを70mlの水に溶かした液を、５〜10℃の内
温を保ちながら撹拌下に滴下した。滴下後、同温度にて１時間撹拌した後、室温下
３時間撹拌反応させた。その後析出した沈澱を濾
取し、１の水で２回、次に1.5のＮ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミドで２回、次に１のアセトン
で１回洗浄し乾燥することによつて目的のテトラ
キスアゾ化合物10.8ｇを得た。収率 48％融点 300℃以上赤外吸収スペクトルでν＝1680cm^-1にアミド吸
収が現われたことおよび下記元素分析結果から目
的のテトラキスアゾ化合物が合成されたことが確
認できた。元素分析計算値観測値Ｃ(%) 75.78 76.59 Ｈ(%) 4.48 4.61 Ｎ(%) 11.20 11.27 前記一般式〔〕で示されるテトラキスアゾ化
合物により本発明電子写真感光体の感光層を構成
するためには、当該テトラキスアゾ化合物を結着
剤中に分散せしめた層を導電性支持体上に設けれ
ばよい。或いは、当該テトラキスアゾ化合物をキ
ヤリア発生物質として用い、キヤリア輸送能を有
するキヤリア輸送物質と組み合せ、積層型若しく
は分散型のいわゆる機能分離型感光層を設けても
よい。感光層の構成においては、前記一般式
〔〕で示されるテトラキスアゾ化合物の１種の
みでなく２種以上を組み合せて用いること、他の
テトラキスアゾ化合物その他のキヤリア発生物質
と組み合せて用いることもできる。本発明電子写真感光体を機能分離型とする場合
における機械的構成は、従来知られている構成の
何れのものとしてもよい。通常は第１図〜第６図
の構成とされる。第１図及び第３図のものは導電
性支持体１上に上述のテトラキスアゾ化合物を主
成分とするキヤリア発生層２と、キヤリア輸送物
質を主成分として含有するキヤリア輸送層３との
積層体より成る感光層４を設けた構成、第２図及
び第４図のものはそれぞれ第１図及び第３図の構
成において導電性支持体１と感光層４との間に中
間層５を介挿した構成を有する。このように、感
光層４を二層構成とする場合に最も優れた電子写
真特性が得られる。第５図のものは、上述のテト
ラキスアゾ化合物より成るキヤリア発生物質７
を、キヤリア輸送物質を主成分として含有する層
６中に分散せしめて成る感光層４を導電性支持体
１上に直接設けた構成、第６図のものは、第５図
と同様の感光層４を中間層５を介して導電性支持
体１上に設けた構成である。前記キヤリア輸送物質としては、例えばトリニ
トロフルオレノン、テトラニトロフルオレノンな
どの電子輸送性の電子受容性物質、或いは、例え
ばポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールに代表されるよ
うな複素環化合物を側鎖に有する重合体、トリア
ゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダ
ゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリアリール
アルカン誘導体、フエニレンジアミン誘導体、ヒ
ドラゾン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、ト
リアリールアミン誘導体、カルバソール誘導体、
スチルベン誘導体などの正孔輸送性の電子供与性
物質が挙げられるが、本発明において用いられる
キヤリア輸送物質がこれらに限定されるものでは
ない。二層構成の感光層を形成する場合におけるキヤ
リア発生層２は、次の如き方法によつて設けるこ
とができる。 (イ) 既述のテトラキスアゾ化合物を適当な溶剤に
溶解した溶液或いはこれに結着剤を加えて混合
溶解した溶液を塗布する方法。 (ロ) 既述のテトラキスアゾ化合物をボールミル、
ホモミキサーなどによつて分散媒中で微細粒子
とし、必要に応じて結着剤を加えて混合分散し
て得られる分散液を塗布する方法。キヤリア発生層の形成に使用される溶剤或いは
分散媒としては、ｎ−ブチルアミン、ジエチルア
ミン、エチレンジアミン、イソプロパノールアミ
ン、トリエタノールアミン、トリエチレンジアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトン、
メチルエチルケチン、シクロヘキサノン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、クロロホルム、１，２
−ジクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、ジメチルスルホキシド等を挙げることができ
る。キヤリア発生層若しくはキヤリア輸送層の形成
に結着剤を用いる場合に、当該結着剤としては任
意のものを用いることができるが、特に疎水性で
かつ誘電率が高い電気絶縁性のフイルム形成性高
分子重合体が好ましい。斯かる重合体としては、
例えば次のものを挙げることができるが、勿論こ
れらに限定されるものではない。ａポリカーボネートｂポリエステルｃメタクリル樹脂ｄアクリル樹脂ｅポリ塩化ビニルｆポリ塩化ビニリデンｇポリスチレンｈポリビニルアセテートｉスチレン−ブタジエン共重合体ｊ塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体ｋ塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体ｌ塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共
重合体ｍシリコン樹脂ｎシリコン−アルキツド樹脂ｏフエノール−ホルムアルデヒド樹脂ｐスチレン−アルキツド樹脂ｑポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールｒポリビニルブチラールこれらの結着剤は、単独であるいは２種以上の
混合物として用いることができる。このようにして形成されるキヤリア発生層２の
厚さは0.01〜20μmであることが好ましいが、更
に好ましくは0.05〜5μmである。また既述のテト
ラキスアゾ化合物を分散せしめて感光層若しくは
キヤリア発生層を形成する場合においては、当該
テトラキスアゾ化合物は5μm以下、好ましくは
1μm以下の粒径の粉粒体とされるのが好ましい。本発明における導電性支持体としては、金属
板、金属ドラムまたは導電性ポリマー、酸化イン
ジウム等の導電性化合物若しくはアルミニウム、
パラジウム、金等の金属より成る導電性薄層を、
塗布、蒸着、ラミネート等の手段により、紙、プ
ラスチツクフイルム等の基体に設けて成るものが
用いられる。接着層或いはバリヤー層等として機
能する中間層としては、結着剤として説明したよ
うな高分子重合体、ポリビニルアルコール、エチ
ルセルロース、カルボキシメチルセルロースなど
の有機高分子物質または酸化アルミニウムなどよ
り成るものが用いられる。（発明の効果）本発明の感光体は、以上のような構成であつ
て、前記一般式〔〕で示されるテトラキスアゾ
化合物を感光体の感光層を構成する光導電性物質
として用いることにより、または本発明のテトラ
キスアゾ化合物の優れたキヤリア発生能のみを利
用し、これをキヤリアの発生と輸送とをそれぞれ
別個の物質で行なう機能分離型電子写真感光体の
キヤリア発生物質として用いることにより熱・光
等において堅牢で安定した特性を発揮し、かつ被
膜物性や帯電特性、感度、残留電位等の電子写真
特性および繰り返し使用した時にも疲労劣化が少
なく耐刷性に優れた電子写真感光体を作成するこ
とができる。また、本発明の電子写真感光体は長波長光（
780nm）に対する感度が良好であり、通常の複写
機のみならず半導体レーザー等の長波長光源に対
しても十分良好な感度を持つ感光体としてレーザ
ー・プリンター、レーザー・フアクシミリなどの
電子写真の応用分野に広く用いることができる。（実施例）本発明の実施例を具体的に説明するが、これに
より本発明の実施の態様が限定されるものではな
い。実施例１ポリエステルのフイルム上にアルミニウム箔を
ラミネートして成る導電性支持体上に塩化ビニル
−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体「エスレ
ツクMF−10」（積水化学社製）より成る厚さ
0.05μmの中間層を設け、その上に例示化合物
（Ａ−５）２重量部を１，２−ジクロルエタン140
重量部に分散混合した液を乾燥後の膜厚が0.5μm
になるように塗布し、キヤリア発生層を形成し
た。次いで、ｐ−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミン）ベン
ズアルデヒド−１，１−ジフエニルヒドラゾン６
重量部と、ポリエステル「バイロン200」（東洋紡
績社製）10重量部とを１，２−ジクロルエタン90
重量部中に溶解し、この溶液を乾燥後の膜厚が
10μmになるように塗布してキヤリア輸送層を形
成し、本発明の電子写真感光体を作成した。この電子写真感光体について、静電複写紙試験
装置「PS−428型」（川口電気製作所製）を用い
てダイナミツク方式で電子写真特性を測定した。前記感光体の感光層表面を帯電圧−6.0KVで５
秒間帯電せしめた時の表面電位V_A、次いでタン
グステンランプの光を感光体表面における照度が
35luxになるようにして照射し、表面電位V_Aを半
分に減衰させるのに要する露光量（半減露光量）
Ｅ1/2（lux・sec）並びに30lux・secの露光量で
露光した後の表面電位（残留電位）V_Rをそれぞ
れ求めた。また、同様の測定を100回繰り返して行なつた。
結果は第１表に示す通りである。

【表】比較例１キヤリア発生物質として、下記ビスアゾ化合物
を用いた他は実施例１と同様にして比較用感光体
を作成した。この比較用電子写真感光体について実施例１と
同様にして測定を行なつたところ、第２表に示す
ような結果を得た。

【表】以上の結果から明らかなように、本発明の電子
写真感光体は、比較用電子写真感光体に比べ、感
度、残留電位および繰り返しの安定性において極
めて優れたものである。実施例２キヤリア発生物質として例示化合物（Ａ−１）
を用いたほかは実施例１と同様にして本発明の電
子写真感光体を作成した。この電子写真感光体について実施例１と同様に
して測定を行なつたところ、第３表に示す結果を
得た。

【表】実施例３ポリエステルフイルムにアルミニウムを蒸着し
た上に実施例１で用いた中間層を設け、更にその
上に例示化合物（Ａ−２）２重量部を１，２−ジ
クロロエタン140重量部に分散混合した液を乾燥
後の膜厚が0.5μmになるように塗布し、キヤリア
発生層を形成した。次いで、ｐ−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ベン
ズアルデヒド−１，１−ジフエニルヒドラゾン６
重量部と、ポリカーボネート「パンライトＬ−
1250」（帝人化成社製）10重量部とを１，２−ジ
クロロエタン90重量部に溶解した液を乾燥後の膜
厚が12μmとなるように塗布してキヤリア輸送層
を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。この電子写真感光体について実施例１と同様に
して測定を行なつたところ、V_A＝890V，Ｅ1/2
＝1.8lux・sec，V_R＝0Vであつた。比較例２キヤリア発生物質として、下記トリスアゾ化合
物を用いたほかは実施例３と同様にして比較用電
子写真感光体を作成した。この比較用電子写真感光体について実施例１と
同様の測定を行なつたところ、V_A＝−490V，Ｅ
１／２＝5.9lux・sec，V_R＝10Vであつた。以上の結果から明らかなように本発明の電子写
真感光体は、比較用電子写真感光体に比べ、その
初期特性において著しく優れたものである。実施例４実施例３による本発明の電子写真感光体と比較
例２による比較用電子写真感光体の各々を、電子
写真複写機「Ｕ−Bix2000R」（小西六写真工業社
製）に装置して、帯電・露光・クリーニングの操
作を10000回繰り返して耐久試験を行なつた後、
直ちに再び実施例１におけると同様の測定を行な
つた。結果は第４表に示す通りである。

【表】この結果から明らかなように比較例２の電子写
真感光体の特性の劣化が著しく大きいのに比べ、
実施例３の本発明の電子写真感光体は、10000回
の帯電・露光の繰り返しにおいても、その特性が
初期とほとんど変らず安定していることがわか
る。実施例５実施例１で用いた導電性支持体上に例示化合物
（Ａ−13）２重量部と、ポリカーボネート「パン
ライトＬ−1250」（帝人化成社製）２重量部を、
１，２−ジクロロエタン140重量部に分散混合し
た液を乾燥後の膜厚が1μmになるように塗布して
キヤリア発生層を形成した。次いで、３−（ｐ−メトキシスチリル）−９−
（ｐ−メトキシフエニル）カルバゾール６重量部
と、メタクリル樹脂「アクリペツト」（三菱レイ
ヨン社製）10重量部とを１，２−ジクロロエタン
90重量部に溶解した液を乾燥後の膜厚が10μmに
なるように塗布してキヤリア輸送層を形成し、本
発明の電子写真感光体を作成した。この電子写真感光体について実施例１と同様に
測定したところ、Ｅ1/2＝2.2lux・sec，V_R＝0V
であつた。実施例６実施例１で用いた中間層を設けた導電性支持体
上に例示化合物（Ａ−18）の２％エチレンジアミ
ン溶液を感燥後の膜厚が0.3μmになるように塗布
しキヤリア発生層を形成した。さらにその上に１−フエニル−３−（ｐ−ジエ
チルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノ
フエニル）ビリゾリン６重量部と、ポリカーボネ
ート「ユーピロンＳ−100」（三菱ガス化学社製）
10重量部とを、１，２−ジクロルエタン90重量部
に溶解し、乾燥後の膜厚が14μmになるように塗
布してキヤリア輸送層を形成し、本発明の電子写
真感光体を作成した。この電子写真感光体について、実施例１と同様
にして測定したところ、Ｅ1/2＝1.7lux・sec，V_R
＝0Vであつた。また、この電子写真感光体を電子写真複写機
「Ｕ−Bix2000R」（小西六写真工業社製）に装置
し、画像の複写を行なつたところ、原画に忠実で
コントラストが高く、階調性の優れた鮮明な複写
画像を得た。これは連続10000回繰り返しても初
期と同様の複写画像が得られた。実施例７ポリエステルフイルムにアルミニウムを蒸着し
た上に塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸
共重合体「エスレツクスMF−10」（積水化学社
製）から成る厚さ0.05μmの中間層を設け、その
上に例示化合物（Ａ−８）３重量部と、４，4′−
ジメチルトリフエニルアミン６重量部と、ポリカ
ーボネート「パンライトＬ−1250」（帝人化成社
製）10重量部とを１，２−ジクロロエタン100重
量部中に加え、ボールミルでよく分散混合した液
を乾燥後の膜厚が10μmになるように塗布して本
発明の電子写真感光体を作成した。この電子写真感光体について静電複写紙試験装
置「SP−428型」（川口電機製作所製）を用いダ
イナミツク方式の電子写真特性を測定した。感光層表面を＋6KVで５秒間帯電し、次いで
タングステンランプの光を感光層表面における照
度が35luxになるようにして照射し、半減露光量
（Ｅ1/2）を求めたところ、Ｅ1/2＝1.9lux・secで
あり、さらに30lux・secの露光量を与えたときの
表面電位（残留電位）はV_R＝0Vであつた。実施例８直径100mmのアルミニウム製ドラムの表面に塩
化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体
「エスレツクMF−10」（積水化学社製）より成る
厚さ0.05μmの中間層を設け、その上に例示化合
物（Ａ−４）４ｇを１，２−ジクロロエタン400
mlに混合し、ボールミル分散機で24時記分散した
分散液を乾燥後の膜厚が0.6μmになるようにして
塗布し、キヤリア発生層を形成した。さらにこの上に下記の構造式で表わされるＮ，
Ｎ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１−
ジフエニルヒドラゾン30ｇとポリカーボネート樹脂「ユーピロンＳ−1000」
（三菱ガス化学社製）50ｇとを１，２−ジクロロ
エタン400mlに溶解し、乾燥後の膜厚が13μmにな
るように塗布してキヤリア輸送層を形成し、ドラ
ム状の電子写真感光体を作成した。このようにして作成した感光体を電子複写機
「Ｕ−Bix V2」（小西六写真工業社製）の改造機
に装着し、画像を複写したところ、コントラスト
が高く、原画に忠実で、かつ鮮明な複写画像を得
た。また、これは10000回繰に返しても変わること
はなかつた。比較例３実施例８において例示化合物（Ａ−４）を下記
の構造式で表わされるトリスアゾ化合物に代えた
他は、実施例８と同様にしてドラム状の比較用電
子写真感光体を作成し、実施例８と同様にして複
写画像を評価したところ、カブリが多い画像しか
得られなかつた。また複写を繰り返していくに従
い、複写画像のコントラストが低下し、10000回
繰り返すと、ほとんど複写画像は得られなかつ
た。実施例９ポリエステルフイルム上にアルミニウム箔をラ
ミネートして成る導電性支持体上に、塩化ビニル
−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体「エスレ
ツクMF−10」（積水化学社製）より成る厚さ
0.05μmの中間層を設け、その上に例示化合物
（Ａ−61）５ｇとポリカーボネート樹脂「パンラ
イトＬ−1250」（帝人化成社製）3.3ｇとをジクロ
ロメタン100mlに加え、ボールミルで24時間分散
した分散液を乾燥時の膜厚が10μmになるように
塗布し、電子写真感光体を作成した。以上のようにして得られた感光体を帯電圧を＋
6KVに代えた他は実施例１と同様にしてＥ1/2と
V_Rを測定した。１回目の結果はＥ1/2＝3.2lux・
secおよびV_R＝5Vであつた。実施例 10 直径100mmのアルミニウム製ドラムの表面に、
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合
体「エスレツクMF−10」（積水化学社製）より
なる厚さ0.05μmの中間層を設け、その上に例示
化合物（Ａ−32）４ｇを１，２−ジクロロエタン
400mlに混合し、ボールミル分散機で24時間分散
した分散液を乾燥後の膜厚が0.5μmになるように
して塗布し、キヤリア発生層を形成した。さらにその上にｐ−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）
ベンズアルデヒド−１，１−ジフエニルヒドラゾ
ン30ｇとポリカーボネート樹脂「「パンライトＬ
−1250」（帝人化成社製）50ｇとを１，２−ジク
ロロエタン400mlに溶解し、乾燥後の膜厚が12μm
になるように塗布してキヤリア輸送層を形成し、
ドラム上の電子写真感光体を作成した。この感光体の780nmにおける分光感度は
0.82μJ／cm²（半減露光量）であつた。次にこの感光体を感光体表面でのレーザー光強
度が0.85mWとなる半導体レーザー（780nm）を
装置した実験機により実写テストを行なつた。感光体の表面を−6KVに帯電した後、レーザ
ー露光し、−350Vのバイアス電圧で反転現像した
ところ、カブリのない良好な画像が得られた。また、これは10000回繰り返しても変わること
はなかつた。実施例 11〜14 実施例10において例示化合物（Ａ−32）に代え
て、例示化合物（Ａ−34），（Ａ−36），（Ａ−40），
（Ａ−48），（Ａ−68）を用いた他は同様にしてド
ラム状の感光体を得る。それぞれの感光体の780nmにおける分光感度は
第５表に示す通りであつた。

【表】次に実施例10に記した実験機による実写テスト
においてもそれぞれの感光体はカブリの無い良好
な画像を写え、これらはいずれも10000回繰り返
しても変わらなかつた。以上の結果から明らかなように、本発明の感光
体は、感度、残留電位等の特性において、また繰
り返しの特性においても著しく優れたものであ
る。さらに長波長における感度および繰り返しの安
定性においても十分実用的な優れた感光体であ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図はそれぞれ本発明の電子写真感
光体の機械的構成例について示す断面図である。１……導電性支持体、２……キヤリア発生層、
３……キヤリア輸送層、４……感光層、５……中
間層、６……キヤリア輸送物質を含有する層、７
……キヤリア発生物質。

Claims

【特許請求の範囲】１下記一般式〔〕で表わされるテトラキスア
ゾ化合物を少なくとも一種、導電性支持体上の感
光層に有することを特徴とする感光体。一般式〔〕（式中、 X₁，X₂，X₃，X₄：水素原子、ハロゲン原子、炭
素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４の
アルコキシ基 Y₁，Y₂，Y₃，Y₄：水素原子またはシアノ基 Ar：フエニレン基またはナフチレン基Ａ：【式】【式】【式】または【式】であり、Ｚ：芳香族炭素環または芳香族複素環を構成する
に必要な原子群Ｙ：カルバモイル基またはスルフアモイル基 R₁：水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ア
ミノ基、シアノ基、カルバモイル基、カルボ
キシ基またはそのエステル基 R₂：芳香族炭素環基 R₃およびR₃′：炭素数１〜４のアルキル基、アラ
ルキル基、芳香族炭素環基を表わす。）２前記感光層がキヤリア発生物質とキヤリア輸
送物質を含有し、当該キヤリア発生物質が前記一
般式〔〕で表わされるテトラキスアゾ化合物で
ある特許請求の範囲第１項記載の感光体。