JPH037941B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

（産業上の利用分野） 本発明は、感光体に関し、更に詳しくはテトラ
キスアゾ化合物を含有する新規な電子写真感光体
に関する。 （従来技術） 従来、感光体においては、セレン、酸化亜鉛、
酸化カドミウム等の無機光導電体を主成分とする
感光層を有するものが広範に用いられていた。し
かし、これらは感度、耐熱性、あるいは耐刷性等
において必らずしも十分満足するものではなかつ
た。 これに対して、近年有機光導性化合物を主成分
とする感光層を有する電子写真感光体が注目を集
めている。これらは製造が比較的容易であり、製
造コストも低く、円筒ドラム、シート状、いずれ
の形体にも用いることができ、取り扱いも容易で
かつ、耐熱性にすぐれているなど多くの利点を有
している。しかしながら、例えばすでに実用化さ
れているポリーＮ−ビニルカルバゾールと２，
４，７−トリニトロ−９−フルオレン等のルイス
酸とから形成される電荷移動錯体を主成分とする
感光層を有する電子写真感光体においては、感度
および耐刷性について必らずしも満足できる結果
を得ることができていない。 しかしながら、光導電性機能の面からキヤリア
発生機能とキヤリア輸送機能とをそれぞれ別個の
物質に分担されるようにした積層型あるいは分散
型の機能分離型電子写真感光体が発明されたこと
により、種々の利点が生れた。このような機能分
離型電子写真感光体は各々の物質の選択範囲が広
く、帯電特性、感度、残留電位等の電子写真特性
および耐刷性において高性能が比較的達成が容易
で、また任意の特性を有する電子写真感光体を作
成しやすいという利点を持つている。 このような利点を持つ機能分離型電子写真感光
体においてキヤリア発生を主として分担するキヤ
リア発生物質としては、種々の無機・有機物が提
案されている。無機物質としては無定形セレンか
ら形成されるキヤリア発生層がよく知られている
が、これは高温条件下で結晶化し性能が劣化する
という欠点を持つている。また、有機物質として
は光導電性有機染料・顔料のうち、特にキヤリア
発生物質として用いることが種々提案されてお
り、例えば特開昭47−37543号公報、特開昭53−
95033号公報、特開昭53−132347号公報、特開昭
55−69148号公報、特開昭56−116040号公報、特
開昭57−200045号公報明細書記載等のアゾ化合物
がすでに公知である。しかし、これらのアゾ化合
物は、感度、残留電位、あるいは繰り返し使用し
た時の安定性等の特性において、必らずしも満足
し得るものではない。また、キヤリア輸送物質の
選択範囲も限定されるなど、電子写真プロセスの
幅広い要求を充分に満足させるものが得られてい
ないのが実状である。 さらに近年、感光体の光源としてArレーザー、
He−Neレーザー等の気体レーザーや、半導体レ
ーザーが使用され始めている。これらのレーザー
は時系列でON／OFFが可能であり、高速で高解
像記録を行なうことができ、かつ記録様式の多様
化が可能であるなどインテリジエントコピアをは
じめとする画像処理機能を有する複写機やコンピ
ユーターのアウトプツト用のプリンターの光源と
して特に有望視されている。中でも半導体レーザ
ーは、その性質上音響光学素子等の電気信号／光
信号の変換素子が不要であることや、装置の小
型・軽量化が可能であることなどから注目を集め
ている。しかし、この半導体レーザーは気体レー
ザーに比較して低出力であり、また、発振波長も
長波長（約780nm以上）であるため、従来の感光
体では分光感度が短波長側により過ぎており、半
導体レーザーを光源とする感光体としての使用は
不可能である。 （発明の目的） 本発明の目的は、熱および光に対して安定で、
かつキヤリア発生能に優れたテトラキスアゾ化合
物を含有する電子写真感光体を提供することにあ
る。 本発明の他の目的は、高感度にして残留電位が
小さく、かつ繰り返し使用してもそれらの特性が
変化しない耐久性のすぐれた電子写真感光体を提
供することにある。 本発明の更に他の目的は、広範なキヤリア輸送
物質との組み合わせにおいても有効にキヤリア発
生物質として作用し得るテトラキスアゾ化合物を
含有する電子写真感光体を提供することにある。 本発明の更に他の目的は、半導体レーザー等の
長波長光源に対しても十分の実用感度を有する感
光体を提供することにある。 （発明の構成） 本発明者らは、以上の目的を達成すべく鋭意研
究の結果、下記一般式〔〕で示されるテトラキ
スアゾ化合物が感光体の有効成分として働き得る
ことを見い出し、本発明を完成したものである。 一般式〔〕 式中、X₁，X₂，X₃，X₄はそれぞれ水素原子、
ハロゲン原子（塩素原子、臭素原子、沃素原子、
弗素原子）、炭素数１〜４のアルキル基（飽和・
不飽和のものを含む。例えばメチル基、エチル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ビニル基
等）、炭素数１〜４のアルコキシ基（飽和・不飽
和のものを含む。例えばメトキシ基、エトキシ
基、iso−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ビニ
ルオキシ基等）を表わす。 好ましくは水素原子を表わす。 Y₁，Y₂は、水素原子またはシアノ基を表わす。 Ａは、

【式】

【式】

【式】または

【式】であり、Ｙは、カルバモイ ル基（

【式】）、スルフアモイル基

【式】）であつて R₄は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基
（飽和・不飽和のものを含む、例えばメチル基、
エチル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、ビ
ニル基等）、フエニル基、アラルキル基（例えば
ベンジル基、フエネチル基等）を表わす。 好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキル
基（飽和・不飽和のものを含む。例えばメチル
基、エチル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、
ビニル基等）を表わし、更に好ましくは水素原子
を表わす。 R₅は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基
（飽和・不飽和を含む、例えばメチル基、エチル
基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、ビニル基
等）、アラルキル基（例えばベンジル基、フエネ
チル基）、芳香族炭素環基（例えば、フエニル基、
ナフチル基、アンスリル基等）または、芳香族複
素環基（例えばカルバゾリル基、ジベンゾフリル
基等）を表わす。 好ましくは芳香族炭素環基（例えば、フエニル
基、ナフチル基、アンスリル基等）、芳香族複素
環基（例えば、カルバゾリル基、ベンゾフリル基
等）を表わし、更に好ましくは芳香族炭素環基
（例えば、フエニル基、ナフチル基、アンスリル
基等）を表わす。 Ｚは芳香族炭素環、芳香族複素環を形成するに
必要な原子群であつて、具体的には、例えばベン
ゼン環、ナフタレン環、インドール環、ベンゾフ
ラン環、カルバゾール環等を形成する原子群を表
わすがこの限りではない。 R₁は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基
（例えばメチル基、エチル基、iso−プロピル基、
ｎ−ブチル基、ビニル基等）、アミノ基（例えば、
アミノ基、メチルアミノ基、アニリノ基等）、カ
ルボキシ基、そのエステル基（例えばエトキシカ
ルボニル基、ベンゾイルカルボニル基等）、カル
バモイル基（例えば、Ｎ−メチルカルバモイル
基、Ｎ−フエニルカルバモイル基等）、シアノ基
であり、好ましくは水素原子、炭素数１〜４のア
ルキル基（例えばメチル基、エチル基、iso−プ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ビニル基等）、シアノ
基である。 R₂は芳香族炭素環基であり、好ましくはフエ
ニル基である。 R₃は炭素数１〜４のアルキル基（例えばメチ
ル基、エチル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ビニル基等）、アラルキル基（例えばベンジ
ル基、フエネチル基等）、または芳香族炭素環基
（例えばフエニル基、ナフチル基、アンスリル基
等）であり、好ましくは炭素数１〜４のアルキル
基（例えばメチル基、エチル基、iso−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ビニル基等）、芳香族炭素環
基（例えばフエニル基、ナフチル基、アンスリル
基等）である。 これらX₁，X₂，X₃，X₄，Ar，R₁，R₂，R₃，
R₄，R₅，Ｚに挙げた一連の基もしくは環は、上
記の無置換のもの以外に、次に示すような置換基
を有してもよい。 限ち、例えば炭素数１〜４のアルキル基（飽
和・不飽和のものを含む。例えば、メチル基、エ
チル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、ビニ
ル基等）、ハロゲン原子（塩素原子、臭素原子、
弗素原子、沃素原子）、炭素数１〜４のアルコキ
シ基（飽和・不飽和のものを含む。例えばメトキ
シ基、エトキシ基、iso−プロボキシ基、sec−ブ
トキシ基、アリルオキシ基等）ヒドロキシ基、ア
リールオキシ基（例えばフエノキシ基、ナフトキ
シ基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオ
キシ基、ベンゾイルオキシ基等）カルボキシ基、
そのエステル基（例えば、エトキシカルボニル
基、フエノキシカルボニル基等）、カルバモイル
基（例えば、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ−フ
エニルカルバモイル基等）、アシル基（例えば、
アセチル基、ベンゾイル基等）スルホ基、スルフ
アモイル基（例えばＮ−エチルスルフアモイル
基、Ｎ−ナフチルスルフアモイル基等）、アミノ
基（例えば、アミノ基、ジメチルアミノ基、アニ
リノ基等）、アシルアミノ基（例えば、アセチル
アミノ基、ベンゾイルアミノ基等）、スルホンア
ミド基（例えば、メタンスルホンアミド基、ベン
ゼンスルホンアミド基等）、シアノ基、ニトロ基、
芳香族炭素環基（例えばフエニル基、ナフチル
基）、芳香族複素環基（例えば、オキサソリル基、
イミダゾリル基等）が挙げられる。 好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基（飽
和・不飽和のものを含み例えばメチル基、エチル
基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、ビニル基
等）、ハロゲン原子（塩素原子、臭素原子、弗素
原子、沃素原子）、炭素数１〜４のアルコキシ基
（飽和・不飽和のものを含む。例えばメトキシ基、
エトキシ基、iso−プロポキシ基、seo−ブトキシ
基、アリルオキシ基等）、シアノ基、ニトロ基で
ある。 以上に挙げた一連の置換基は、更にまた上記に
挙げた一連の基の如き置換基によつて置換されて
もよい。 すなわち、本発明においては前記一般式〔〕
で示されるテトラキスアゾ化合物を電子写真感光
体の感光層を構成する光導電性物質として用いる
ことにより、または本発明のテトラキスアゾ化合
物の優れたキヤリア発生能のみを利用し、これを
キヤリアの発生と輸送とをそれぞれ別個の物質で
行なう機能分離型電子写真感光体のキヤリア発生
物質として用いることにより、熱光等に堅牢で安
定した特性を持ち、帯電特性、感度、残留電位等
の電子写真特性や耐刷性に優れ、かつ、長波長光
源に対し充分な感度を持つ電子写真感光体を作成
することができる。 （発明の構成） 前記一般式〔〕で示される本発明に有用なテ
トラキスアゾ化合物としては、例えば次の構造式
を有するものが挙げられるが、これによつて本発
明のテトラキスアゾ化合物が限定されるものでは
ない。

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】

【表】 以上の如きテトラキスアゾ化合物は、公知の方
法により容易に合成することができる。 合成例１ （例示化合物（Ａ−１）の合成） J.Med.Pharm.Chem.1，197〜211（1959）記載
の方法に従がい合成した４，4′−ジニトロジフエ
ニルアミンと４，4′−ジヨードスチルベンとをニ
トロベンゼン中、銅粉と炭酸カリウム存在下に縮
合して、Ｎ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（Ｐ−ニ
トロフエニル）−４，4′−ジアミノスチルベンを
得た。これを常法により鉄と塩酸でＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド中還元してＮ，Ｎ，N′，N′−
テトラキス（Ｐ−アミノフエニル）−４，4′−ジ
アミノスチルベンを得た。 こうして得たＮ，Ｎ，N′，N′−テトラキス
（Ｐ−アミノフエニル）−４，4′−ジアミノスチル
ベン5.7ｇ（0.01モル）を100mlの6N塩酸に分散
し、撹拌下０〜５℃に保持しつつ3.0ｇ（0.044モ
ル）の亜硝酸ソーダを20mlの水に溶かした水溶液
を満下し、その後同温度で１時間撹拌を続けた。 その後3.0ｇの尿素を加えて未反応の亜硝酸ソ
ーダを分解せしめた後少量の残渣を濾別し、濾液
に42％のホウ弗化水素酸30mlを加え、析出した沈
澱を濾取し、水洗後乾燥した。得られたオクタゾ
ニウム塩を冷却下のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド1500mlに溶解した。 この溶液に２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸ア
ニリド（ナフトールAS）10.5ｇ（0.04モル）を５
〜10℃の内温下に加え溶解せしめた後に、予じめ
準備しておいたトリエタノールアミン11.9ｇ
（0.08モル）を70mlのＮ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミドに溶かした液を、５〜10℃の内温を保ちなが
ら撹拌下に滴下した。 滴下後、同温度にて１時間撹拌した後、室温下
３時間撹拌反応させた。その後析出した沈澱を濾
取し、1.5のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドで
２回、次に１のアセトンで１回洗浄し乾燥する
ことによつて目的のテトラキスアゾ化合物11.9ｇ
を得た。 収 率 71％ 融 点 300℃以上 赤外吸収スペクトルでν＝1680cm^-1にアミド吸
収が現われたことおよび下記元素分析結果から目
的のテトラキスアゾ化合物が合成されたことが確
認できた。 元素分析 計算値 観測値 Ｃ(%) 76.15 76.03 Ｈ(%) 4.46 4.67 Ｎ(%) 11.73 11.65 合成例２ （例示化合物Ａ−31の合成） 合成例１で得たＮ，Ｎ，N′，N′−テトラキス
（ｐ−アミノフエニル）−４，4′−ジアミノスチル
ベン5.7ｇ（0.01モル）を30mlの6N塩酸に分散し、
撹拌下０〜５℃に保持しつつ3.0ｇ（0.044モル）
の亜硝酸ソーダを20mlの水に溶かした水溶液を滴
下し、その後同温度で１時間撹拌を続けた。 その後3.0ｇの尿素を加えて未反応の亜硝酸ソ
ーダを分解せしめた後少量の残渣を濾別し、濾液
に42％のホウ弗化水素酸30mlを加え、析出した沈
澱を濾取し、水洗後乾燥した。 得られたオクタゾニウム塩を冷却下のＮ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド1500mlに溶解した。 この溶液に２−ヒドロキシ−３−（４−メトキ
シフエニルカルバモイル）ベンゾ〔ａ〕カルバゾ
ール（ナフトールAS−SG）14.9ｇ（0.04モル）
を５〜10℃の内温下に加え溶解せしめた後に、予
じめ準備しておいた6.5ｇ（0.08モル）の酢酸ソ
ーダを70mlの水に溶かした液を、５〜10℃の内温
を保ちながら撹拌下に滴下した。 滴下後、同温度にて１時間撹拌した後、室温下
３時間撹拌反応させた。その後析出した沈澱を濾
取し、１の水で２回、次に1.5のＮ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミドで２回、次に１のアセトン
で１回洗浄し乾燥することによつて目的のテトラ
キスアゾ化合物9.9ｇを得た。 収 率 46％ 融 点 300℃以上 赤外吸収スペクトルでν＝1680cm^-1にアミド吸
収が現われたことおよび下記元素分析結果から目
的のテトラキスアゾ化合物が合成されたことが確
認できた。 元素分析 計算値 観測値 Ｃ(%) 74.91 74.88 Ｈ(%) 4.41 4.51 Ｎ(%) 11.74 11.98 前記一般式〔〕で示されるテトラキスアゾ化
合物により本発明電子写真感光体の感光層を構成
するためには、当該テトラキスアゾ化合物を結着
剤中に分散せしめた層を導電性支持体上に設けれ
ばよい。或いは、当該テトラキスアゾ化合物をキ
ヤリア発生物質として用い、キヤリア輸送能を有
するキヤリア輸送物質と組み合せ、積層型若しく
は分散型のいわゆる機能分離型感光層を設けても
よい。感光層の構成においては、前記一般式
〔〕で示されるテトラキスアゾ化合物の１種の
みでなく２種以上を組み合せて用いること、他の
テトラキスアゾ化合物その他のキヤリア発生物質
と組み合せて用いることもできる。 本発明電子写真感光体を機能分離型とする場合
における機械的構成は、従来知られている構成の
何れのものとしてもよい。通常は第１図〜第６図
の構成とされる。第１図及び第３図のものは導電
性支持体１上に上述のテトラキスアゾ化合物を主
成分とするキヤリア発生層２と、キヤリア輸送物
質を主成分として含有するキヤリア輸送層３との
積層体より成る感光層４を設けた構成、第２図及
び第４図のものはそれぞれ第１図及び第３図の構
成において導電性支持体１と感光層４との間に中
間層５をを介挿した構成を有する。このように、
感光層４を二層構成とする場合に最も優れた電子
写真特性が得られる。第５図のものは、上述のテ
トラキスアゾ化合物より成るキヤリア発生物質７
を、キヤリア輸送物質を主成分として含有する層
６中に分散せしめて成る感光層４を導電性支持体
１上に直接設けた構成、第６図のものは、第５図
と同様の感光層４を中間層５を介して導電性支持
体１上に設けた構成である。 前記キヤリア輸送物質としては、例えばトリニ
トロフルオレノン、テトラニトロフルオレノンな
どの電子輸送性の電子受容性物質、或いは、例え
ばポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールに代表されるよ
うな複素環化合物を側鎖に有する重合体、トリア
ゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダ
ゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリアリール
アルカン誘導体、フエニレンジアミン誘導体、ヒ
ドラゾン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、ト
リアリールアミン誘導体、カルバソール誘導体、
スチルベン誘導体などの正孔輸送性の電子供与性
物質が挙げられるが、本発明において用いられる
キヤリア輸送物質がこれらに限定されるものでは
ない。 二層構成の感光層を形成する場合におけるキヤ
リア発生層２は、次の如き方法によつて設けるこ
とができる。 (イ) 既述のテトラキスアゾ化合物を適当な溶剤に
溶解した溶液或いはこれに結着剤を加えて混合
溶解した溶液を塗布する方法。 (ロ) 既述のテトラキスアゾ化合物をボールミル、
ホモミキサーなどによつて分散媒中で微細粒子
とし、必要に応じて結着剤を加えて混合分散し
て得られる分散液を塗布する方法。 キヤリア発生層の形成に使用される溶剤或いは
分散媒としては、ｎ−ブチルアミン、ジエチルア
ミン、エチレンジアミン、イソプロパノールアミ
ン、トリエタノールアミン、トリエチレンジアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトン、
メチルエチルケチン、シクロヘキサノン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、クロロホルム、１，２
−ジクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、ジメチルスルホキシド等を挙げることができ
る。 キヤリア発生層若しくはキヤリア輸送層の形成
に結着剤を用いる場合、当該結着剤としては任意
のものを用いることができるが、特に疎水性でか
つ誘電率が高い電気絶縁性のフイルム形成性高分
子重合体が好ましい。斯かる重合体としては、例
えば次のものを挙げることができるが、勿論これ
ら限定されるものではない。 ａ ポリカーボネート ｂ ポリエステル ｃ メタクリル樹脂 ｄ アクリル樹脂 ｅ ポリ塩化ビニル ｆ ポリ塩化ビニリデン ｇ ポリスチレン ｈ ポリビニルアセテート ｉ スチレン−ブタジエン共重合体 ｊ 塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体 ｋ 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体 ｌ 塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共
重合体 ｍ シリコン樹脂 ｎ シリコン−アルキツド樹脂 ｏ フエノール−ホルムアルデヒド樹脂 ｐ スチレン−アルキツド樹脂 ｑ ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール ｒ ポリビニルブチラール これらの結着剤は、単独であるいは２種以上の
混合物として用いることができる。 このようにして形成されるキヤリア発生層２の
厚さは0.01〜20μmであることが好ましいが、更
に好ましくは0.05〜5μmである。また既述のテト
ラキスアゾ化合物を分散せしめて感光層若しくは
キヤリア発生層を形成する場合においては、当該
テトラキスアゾ化合物は5μm以下、好ましくは
1μm以下の粒径の粉粒体とされるのが好ましい。 本発明における導電性支持体としては、金属
板、金属ドラムまたは導電性ポリマー、酸化イン
ジウム等の導電性化合物若しくはアルミニウム、
パラジウム、金等の金属より成る導電性薄層を、
塗布、蒸着、ラミネート等の手段により、紙、プ
ラスチツクフイルム等の基体に設けて成るものが
用いられる。接着層或いはバリヤー層等として機
能する中間層としては、結着剤として説明したよ
うな高分子重合体、ポリビニルアルコール、エチ
ルセルロース、カルボキシメテルセルロースなど
の有機高分子物質または酸化アルミニウムなどよ
り成るものが用いられる。 （発明の効果） 本発明の電子写真感光体は、以上のような構成
であつて、前記一般式〔〕で示されるテトラキ
スアゾ化合物を電子写真感光体の感光層を構成す
る光導電性物質として用いることにより、または
本発明のテトラキスアゾ化合物の優れたキヤリア
発生能のみを利用し、これをキヤリアの発生と輸
送とをそれぞれ別個の物質で行なう機能分離型電
子写真感光体のキヤリア発生物質として用いるこ
とにより熱・光等において堅牢で安定した特性を
発揮し、かつ被膜物性や帯電特性、感度、残留電
位等の電子写真特性および繰り返し使用した時に
も疲労劣化が少なく耐刷性に優れた電子写真感光
体を作成することができる。 また、本発明の電子写真感光体は長波長光（
780nm）に対する感度が良好であり、通常の複写
機のみならず半導体レーザー等の長波長光源に対
しても十分良好な感度を持つ感光体としてレーザ
ー・プリンター、レーザー・フアクシミリなどの
電子写真の応用分野に広く用いることができる。 （実施例） 本発明の実施例を具体的に説明するが、これに
より本発明の実施の態様が限定されるものではな
い。 実施例 １ ポリエステルのフイルム上のアルミニウム箔を
ラミネートして成る導電性支持体上に塩化ビニル
−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体「エスレ
ツクMF−10」（積水化学社製）より成る厚さ
0.05μmの中間層を設け、その上に例示化合物Ａ
−２ ２重量部を１，２−ジクロルエタン140重
量部に分散混合した液を乾燥後の膜厚が0.5μmに
なるように塗布し、キヤリア発生層を形成した。 次いで、１−フエニル−３−（Ｐ−ジエチルア
ミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフエニ
ル）ピラゾリン６重量部と、ポリエステル「バイ
ロン200」（東洋紡績社製）10重量部とを１，２−
ジクロルエタン90重量部中に溶解し、この溶液を
乾燥後の膜厚が10μmになるように塗布してキヤ
リア輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を
作成した。 この電子写真感光体について、静電複写紙試験
装置「PS−428型」（川口電気製作所製）を用い
てダイナミツク方式で電子写真特性を測定した。 前記感光体の感光層表面を帯電圧−6.0KVで５
秒間帯電せしめた時の表面電位VA、次いでタン
グステンランプの光を感光体表面における照度が
35luxになるようにして照射し、表面電位VAを
半分に減衰させるのに要する露光量（半減露光
量）Ｅ1/2（lux・sec）並びに30lux・secの露光
量で露光した後の表面電位（残留電位）VRをそ
れぞれ求めた。 また、同様の測定を100回繰り返して行なつた。
結果は第１表に示す通りである。

【表】 比較例 １ キヤリア発生物質として、下記ビスアゾ化合物
を用いた他は実施例１と同様にして比較用感光体
を作成した。 この比較用電子写真感光体について実施例１と
同様にして測定を行なつたところ、第２表に示す
ような結果を得た。

【表】 以上の結果から明らかなように、本発明の電子
写真感光体は、比較用電子写真感光体に比べ、感
度、残留電位および繰り返しの安定性において極
めて優れたものである。 実施例 ２ キヤリア発生物質として例示化合物Ａ−３を用
いたほかは実施例１と同様にして本発明の電子写
真感光体を作成した。 この電子写真感光体について実施例１と同様に
して測定を行なつたところ、第３表に示す結果を
得た。

【表】 実施例 ３ ポリエステルフイルムにアルミニウムを蒸着し
た上に実施例１で用いた中間層を設け、更にその
上に例示化合物Ａ−13 ２重量部を１，２−ジク
ロロエタン140重量部に分散混合した液を乾燥後
の膜厚が0.5μmになるように塗布し、キヤリア発
生層を形成した。 次いで、Ｐ−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ベン
ズアルデヒド−１，１−ジフエニルヒドラゾン６
重量部と、ポリカーボネート「パンライトＬ−
1250」（帝人化成社製）10重量部とを１，２−ジ
クロロエタン90重量部に溶解した液を乾燥後の膜
厚が12μmになるように塗布してキヤリア輸送層
を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。 この電子写真感光体について実施例１と同様に
して測定を行なつたところ、V_A＝750V，Ｅ1/2
＝1.8lux・sec，V_R＝0Vであつた。 比較例 ２ キヤリア発生物質として、下記トリスアゾ化合
物を用いたほかは実施例３と同様にして比較用電
子写真感光体を作成した。 この比較用電子写真感光体について実施例１と
同様の測定を行なつたところ、V_A＝−560V，Ｅ
１／２＝6.8lux・sec，V_R＝−15Vであつた。 以上の結果から明らかなように本発明の電子写
真感光体は、比較用電子写真感光体に比べ、その
初期特性において著しく優れたものである。 実施例 ４ 実施例３による本発明の電子写真感光体と比較
例２による比較用電子写真感光体の各々を、電子
写真複写機「Ｕ−Bix2000R」（小西六写真工業社
製）に装置して、帯電・露光・クリーニンの操作
を10000回繰り返して耐久試験を行なつた後、直
ちに再び実施例１におけると同様の測定を行なつ
た。結果は第４表に示す通りである。

【表】 この結果から明らかなように比較例２の電子写
真感光体の特性の劣化が著しく大きいのに比べ、
実施例３の本発明の電子写真感光体は、10000回
の帯電・露光の繰り返しにおいても、その特性が
初期とほとんど変らず安定していることがわか
る。 実施例 ５ 実施例１で用いた導電性支持体上に例示化合物
Ａ−13 ２重量部と、ポリカーボーネ「パンライ
トＬ−1250」（帝人化成社製）２重量部を、１，
２−ジクロロエタン140重量部に分散混合した液
を乾燥後の膜厚が1μmになるように塗布してキヤ
リア発生層を形成した。 次いで、３−（Ｐ−メトキシスチリル）−９−
（Ｐ−メトキシフエニル）カルバゾール６重量部
と、メタクリル樹脂「アクリペツト」（三菱レイ
ヨン社製）10重量部とを１，２−ジクロロエタン
90重量部に溶解した液を乾燥後の膜厚が10μmに
なるように塗布してキヤリア輸送層を形成し、本
発明の電子写真感光体を作成した。 この電子写真感光体について実施例１と同様に
測定したところ、Ｅ1/2＝2.1lux・sec，V_R＝0V
であつた。 実施例 ６ 実施例１で用いた中間層を設けた導電性支持体
上に例示化合物Ａ−14の２％エチレンジアミン溶
液を感燥後の膜厚が0.3μmになるように塗布しキ
ヤリア発生層を形成した。 さらにその上に１−フエニル−３−（Ｐ−ジエ
チルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノ
フエニル）ビリゾリン６重量部と、ポリカーボネ
ート「ユーピロンＳ−100」（三菱ガス化学社製）
10重量部とを、１，２−ジクロルエタン90重量部
に溶解し、乾燥後の膜厚が14μmになるように塗
布してキヤリア輸送層を形成し、本発明の電子写
真感光体を作成した。 この電子写真感光体について、実施例１と同様
にして測定したところ、Ｅ1/2＝1.8lux・sec，V_R
＝0Vであつた。 また、この電子写真感光体を電子写真複写機
「Ｕ−Bix2000R」（小西六写真工業社製）に装置
し、画像の複写を行なつたところ、原画に忠実で
コントラストが高く、階調性の優れた鮮明な複写
画像を得た。これは連続10000回繰り返しても初
期と同様の複写画像が得られた。 実施例 ７ ポリエステルフイルムにアルミニウムを蒸着し
た上に塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸
共重合体「エスレツクMF−10」（積水化学社製）
から成る厚さ0.05μmの中間層を設け、その上に
例示化合物Ａ−６ ３重量部と、４，4′−ジメチ
ルトリフエニルアミン６重量部と、ポリカーボネ
ート「パンライトＬ−1250」（帝人化成社製）10
重量部とを１，２−ジクロロエタン100重量部中
に加え、ボールミルでよく分散混合した液を乾燥
後の膜厚が10μmになるように塗布して本発明の
電子写真感光体を作成した。 この電子写真感光体について静電複写紙試験装
置「SP−428型」（川口電機製作所製）を用いダ
イナミツク方式で電子写真特性を測定した。 感光層表面を＋6KVで５秒間帯電し、次いで
タングステンランプの光を感光層表面における照
度が35luxになるようにして照射し、半減露光量
（Ｅ1/2）を求めたところ、Ｅ1/2＝1.9lux・secで
あり、さらに30lux・secの露光量を与えたときの
表面電位（残留電位）はV_R＝0Vであつた。 実施例 ８ 直径100mmのアルミニウム製ドラムの表面に塩
化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体
「エスレツクMF−10」（積水化学社製）より成る
厚さ0.05μmの中間層を設け、その上に例示化合
物Ａ−４ ４ｇを１，２−ジクロロエタン400ml
に混合し、ボールミル分散機で24時記分散した分
散液を乾燥後の膜厚が0.6μmになるようにして塗
布し、キヤリア発生層を形成した。 さらにこの上に下記の構造式で表わされるＮ，
Ｎ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１−
ジフエニルヒドラゾン30ｇと ポリカーボネート樹脂「ユーピロンＳ−1000」
（三菱ガス化学社製）50ｇとを１，２−ジクロロ
エタン400mlに溶解し、乾燥後の膜厚が13μmにな
るように塗布してキヤリア輸送層を形成し、ドラ
ム状の電子写真感光体を作成した。 このようにして作成した感光体を電子複写機
「Ｕ−Bix V2」（小西六写真工業社製）の改造機
に装着し、画像を複写したところ、コントラスト
が高く、原画に忠実で、かつ鮮明な複写画像を得
た。 また、これは10000回繰に返しても変わること
はなかつた。 比較例 ３ 実施例８において例示化合物Ａ−４を下記の構
造式で表わされるトリスアゾ化合物に代えた他
は、実施例８と同様にしてドラム状の比較用電子
写真感光体を作成し、実施例８と同様にして複写
画像を評価したところ、カブリが多い画像しか得
られなかつた。また複写を繰り返していくに従
い、複写画像のコントラストが低下し、10000回
繰り返すと、ほとんど複写画像は得られなかつ
た。 実施例 ９ ポリエステルフイルム上にアルミニウム箔をラ
ミネートして成る導電性支持体上に、塩化ビニル
−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体「エスレ
ツクMF−10」（積水化学社製）より成る厚さ
0.05μmの中間層を設け、その上に例示化合物Ａ
−18 ５ｇとポリカーボネート樹脂「パンライト
Ｌ−1250」（帝人化成社製）3.3ｇとをジクロロメ
タン100mlに加え、ボールミルで24時間分散した
分散液を乾燥時の膜厚が10μmになるように塗布
し、電子写真感光体を作成した。 以上のようにして得られた感光体を帯電圧を＋
6KVに代えた他は実施例１と同様にしてＥ1/2と
V_Rを測定した。１回目の結果はＥ1/2＝3.5lux・
secおよびV_R＝7Vであつた。 実施例 10 直径100mmのアルミニウム製ドラムの表面に、
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合
体「エスレツクMF−10」（積水化学社製）より
なる厚さ0.05μmの中間層を設け、その上に例示
化合物（Ａ−33）４ｇを１，２−ジクロロエタン
400mlに混合し、ボールミル分散機で24時間分散
した分散液を乾燥後の膜厚が0.5μmになるように
して塗布し、キヤリア発生層を形成した。 さらにその上にＰ−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）
ベンズアルデヒド−１，１−ジフエニルヒドラゾ
ン30ｇとポリカーボネート樹脂「パンライトＬ−
1250」（帝人化成社製）50ｇとを１，２−ジクロ
ロエタン400mlに溶解し、乾燥後の膜厚が12μmに
なるように塗布してキヤリア輸送層を形成し、ド
ラム上の電子写真感光体を作成した。 この感光体の780nmにおける分光感度は
0.79μJ／cm²（半減露光量）であつた。 次にこの感光体を感光体表面でのレーザー光強
度が0.85mWとなる半導体レーザー（780nm）を
装置した実験機により実写テストを行なつた。 感光体の表面を−6KVに帯電した後、レーザ
ー露光し、−350Vのバイアス電圧で反転現像した
ところ、カブリのない良好な画像が得られた。 また、これは10000回繰り返しても変わること
はなかつた。 実施例 11〜14 実施例10において例示化合物（Ａ−33）に代え
て、例示化合物（Ａ−31），（Ａ−32），（Ａ−35），
（Ａ−40），（Ａ−77）を用いた他は同様にしてド
ラム状の感光体を得た。 それぞれの感光体の780nmにおける分光感度は
第５表に示す通りであつた。

【表】 次に実施例10に記した実験機による実写テスト
においてもそれぞれの感光体はカブリの無い良好
な画像を写え、これらはいずれも10000回繰り返
しても変わらなかつた。 以上の結果から明らかなように、本発明の感光
体は、感度、残留電位等の特性において、また繰
り返しの特性においても著しく優れたものであ
る。 さらに長波長における感度および繰り返しの安
定性においても十分実用的な優れた感光体であ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図はそれぞれ本発明の電子写真感
光体の機械的構成例について示す断面図である。 １……導電性支持体、２……キヤリア発生層、
３……キヤリア輸送層、４……感光層、５……中
間層、６……キヤリア輸送物質を含有する層、７
……キヤリア発生物質。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 下記一般式〔〕で表わされるテトラキスア
   ゾ化合物を少なくとも一種、導電性支持体上の感
   光層に有することを特徴とする感光体。 一般式〔〕 （式中、 X₁，X₂，X₃，X₄：水素原子、ハロゲン原子、
   炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜４の
   アルコキシ基 Y₁，Y₂：水素原子またはシアノ基 Ａ：【式】【式】 【式】または【式】 であり、 Ｚ：芳香族炭素環または芳香族複素環を構成する
   に必要な原子群 Ｙ：カルバモイル基またはスルフアモイル基 R₁：水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ア
   ミノ基、シアノ基、カルバモイル基、カルボ
   キシ基またはそのエステル基 R₂：芳香族炭素環残基 R₃およびR₃′：炭素数１〜４のアルキル基、アラ
   ルキル基、芳香族炭素環残基 を表わす。） ２ 前記感光層がキヤリア発生物質とキヤリア輸
   送物質を含有し、当該キヤリア発生物質が前記一
   般式〔〕で表わされるテトラキスアゾ化合物で
   ある特許請求の範囲第１項記載の感光体。