JPH0227815B2 - - Google Patents
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- JPH0227815B2 JPH0227815B2 JP57091174A JP9117482A JPH0227815B2 JP H0227815 B2 JPH0227815 B2 JP H0227815B2 JP 57091174 A JP57091174 A JP 57091174A JP 9117482 A JP9117482 A JP 9117482A JP H0227815 B2 JPH0227815 B2 JP H0227815B2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
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- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Description
〔発明の技術分野〕
本発明は樹脂封止パツケージ部と、このパツケ
ージ部から突出する複数のリードを備えた樹脂封
止型の半導体装置の改良に関し、特に信頼性の改
善に関するものである。 〔発明の技術的背景〕 従来、樹脂封止型の半導体装置として第1図に
示すものが知られている。図において同図Aは平
面図であり、Bはその側面図を示す。 すなわち1は樹脂封止パツケージ部であり、2
はこのパツケージ部から突出するリードである。
パツケージ部1により、所定のリード、例えば2
2にマウントされた半導体チツプ(図示せず)、お
よび、このチツプと他のリード21,23とを接続
するワイヤーリード(図示せず)が封止られてい
る。また3はこの樹脂封止型半導体装置を放熱板
等(図示せず)に固定するための固定手段、例え
ばねじの挿入孔である。 第2図は、かかる従来の半導体装置をプリント
基板4及び放熱板5に取着した場合の一例を示す
ものである。すなわち、各リードとプリント基板
4とは半田6で固定されており、また、放熱板5
とはねじ6により固定されている。 〔背景技術の問題点〕 さて、従来のかかる構成の半導体装置の場合、
パツケージ1のリード間は平坦で、かつ沿面距離
も短かい。 このため、使用時に湿気が存在すると、リード
間(同図f部)に漏洩電流路が形成されやすく、
信頼性上不都合が生じる。特に半導体装置に供給
される電圧が高くなると、例えば100(V)以上に
なると、湿気の存在と相まつてリード間の漏洩電
流路が容易に形成され、発熱、発煙が観測された
り、時として、燃焼にまで到り、永久破壊するこ
とがあつた。 〔発明の目的〕 本発明はかかる背景に鑑みなされたもので、信
頼性の高い樹脂封止型半導体装置を提供すること
を目的としている。 〔発明の概要〕 本発明においては、信頼性を向上させるため
に、リード間の樹脂封止パツケージに切欠部を設
け、リード間の沿面距離を長くし、放熱板等の支
持材とリード間に水分が溜まりにくい構造にして
いる。 〔発明の実施例〕 以下、図面を参照しながら本発明の実施例につ
いて説明する。 第3図は本発明の一実施例を示す図であり、同
図Aは正面図、Bはその側面図を示している。図
から明らかなように本発明に係る樹脂型半導体装
置においてはリード2間の樹脂封止パツケージ部
1に切欠部Fを設け、リード間の沿面距離を長く
している。このため、水分の存在によつても漏洩
電流路は形成されにくい。 第4図は、本発明の他の一実施例を示す図であ
り、同図Aは平面図、同図Bは側面図を示す。図
から明らかなように、本実施例においては、パツ
ケージ1のリード突出部の背面側の一部にさらに
切欠部Gを設けることにより、例えば放熱板等に
固定された場合に、一層、水分がリード間に溜り
にくくなるようにしている。 第5図は、さらに本発明の一実施例を示すもの
で、リード21の突出するパツケージ1部を他の
リードのパツケージ部より突出させた構造になつ
ており、その結果リード21,22間に切欠部Fが
形成される。かかる構造においてはリード21,
22間が最も水分の影響に強い構造となつている。 第6図は本発明の他の一実施例を示す図であ
り、同図Aは平面図、Bはその側面図を示す。 本発明例においては、リード22の突出するパ
ツケージ部を他のリードの突出部よりへこませた
構造にすることにより、リード21,22間、及び
22,23間に各々切欠部Fを形成している。この
ためリード21と22間、および22と23間の沿面
距離が長くなつており、水分に対しても信頼性の
高い構造になつている。 第7図は、さらに本発明の一実施例を示す図で
あり、同図Aはその平面図、Bは側面図を示す。
この実施例においては、リード21,22間、およ
び22,23間のパツケージ部1に各々、切欠部F
を設け、リード間の沿面距離を長くしている。 さて、次に示す表1乃至表3は従来構造の樹脂
封止型半導体装置と、本発明に係る樹脂封止型半
導体装置の信頼性試験のテストデータ及び、試験
に用いた装置の各部の寸法をまとめたものであ
る。
ージ部から突出する複数のリードを備えた樹脂封
止型の半導体装置の改良に関し、特に信頼性の改
善に関するものである。 〔発明の技術的背景〕 従来、樹脂封止型の半導体装置として第1図に
示すものが知られている。図において同図Aは平
面図であり、Bはその側面図を示す。 すなわち1は樹脂封止パツケージ部であり、2
はこのパツケージ部から突出するリードである。
パツケージ部1により、所定のリード、例えば2
2にマウントされた半導体チツプ(図示せず)、お
よび、このチツプと他のリード21,23とを接続
するワイヤーリード(図示せず)が封止られてい
る。また3はこの樹脂封止型半導体装置を放熱板
等(図示せず)に固定するための固定手段、例え
ばねじの挿入孔である。 第2図は、かかる従来の半導体装置をプリント
基板4及び放熱板5に取着した場合の一例を示す
ものである。すなわち、各リードとプリント基板
4とは半田6で固定されており、また、放熱板5
とはねじ6により固定されている。 〔背景技術の問題点〕 さて、従来のかかる構成の半導体装置の場合、
パツケージ1のリード間は平坦で、かつ沿面距離
も短かい。 このため、使用時に湿気が存在すると、リード
間(同図f部)に漏洩電流路が形成されやすく、
信頼性上不都合が生じる。特に半導体装置に供給
される電圧が高くなると、例えば100(V)以上に
なると、湿気の存在と相まつてリード間の漏洩電
流路が容易に形成され、発熱、発煙が観測された
り、時として、燃焼にまで到り、永久破壊するこ
とがあつた。 〔発明の目的〕 本発明はかかる背景に鑑みなされたもので、信
頼性の高い樹脂封止型半導体装置を提供すること
を目的としている。 〔発明の概要〕 本発明においては、信頼性を向上させるため
に、リード間の樹脂封止パツケージに切欠部を設
け、リード間の沿面距離を長くし、放熱板等の支
持材とリード間に水分が溜まりにくい構造にして
いる。 〔発明の実施例〕 以下、図面を参照しながら本発明の実施例につ
いて説明する。 第3図は本発明の一実施例を示す図であり、同
図Aは正面図、Bはその側面図を示している。図
から明らかなように本発明に係る樹脂型半導体装
置においてはリード2間の樹脂封止パツケージ部
1に切欠部Fを設け、リード間の沿面距離を長く
している。このため、水分の存在によつても漏洩
電流路は形成されにくい。 第4図は、本発明の他の一実施例を示す図であ
り、同図Aは平面図、同図Bは側面図を示す。図
から明らかなように、本実施例においては、パツ
ケージ1のリード突出部の背面側の一部にさらに
切欠部Gを設けることにより、例えば放熱板等に
固定された場合に、一層、水分がリード間に溜り
にくくなるようにしている。 第5図は、さらに本発明の一実施例を示すもの
で、リード21の突出するパツケージ1部を他の
リードのパツケージ部より突出させた構造になつ
ており、その結果リード21,22間に切欠部Fが
形成される。かかる構造においてはリード21,
22間が最も水分の影響に強い構造となつている。 第6図は本発明の他の一実施例を示す図であ
り、同図Aは平面図、Bはその側面図を示す。 本発明例においては、リード22の突出するパ
ツケージ部を他のリードの突出部よりへこませた
構造にすることにより、リード21,22間、及び
22,23間に各々切欠部Fを形成している。この
ためリード21と22間、および22と23間の沿面
距離が長くなつており、水分に対しても信頼性の
高い構造になつている。 第7図は、さらに本発明の一実施例を示す図で
あり、同図Aはその平面図、Bは側面図を示す。
この実施例においては、リード21,22間、およ
び22,23間のパツケージ部1に各々、切欠部F
を設け、リード間の沿面距離を長くしている。 さて、次に示す表1乃至表3は従来構造の樹脂
封止型半導体装置と、本発明に係る樹脂封止型半
導体装置の信頼性試験のテストデータ及び、試験
に用いた装置の各部の寸法をまとめたものであ
る。
【表】
【表】
以上説明したように本発明に係る半導体装置に
おいては、リード間に存在するパツケージ部に切
欠部を設け、リード間の沿面距離を長くすること
により半導体装置の信頼性を大幅に改善すること
ができる。特に、加湿器等湿気の多い装置等、あ
るいは、それらの近くで使用される半導体装置に
適用されるものである。 また、本発明の説明において、3本のリードを
有する半導体装置について説明したが、これらに
限定されることなく、広く半導体装置に適用され
ることは言うまでもない。
おいては、リード間に存在するパツケージ部に切
欠部を設け、リード間の沿面距離を長くすること
により半導体装置の信頼性を大幅に改善すること
ができる。特に、加湿器等湿気の多い装置等、あ
るいは、それらの近くで使用される半導体装置に
適用されるものである。 また、本発明の説明において、3本のリードを
有する半導体装置について説明したが、これらに
限定されることなく、広く半導体装置に適用され
ることは言うまでもない。
第1図は従来の樹脂封止型半導体装置の一例を
示す図、第2図はその実装した状態の一例を示す
図、第3図乃至第7図は本発明に係る樹脂封止型
半導体装置の一実施例を示す図、第8図及び第9
図は信頼性試験に用いた、従来及び本発明に係る
樹脂封止型半導体装置を説明するための図であ
る。 1……樹脂封止パツケージ部、2……リード、
F,G……リード間の切欠部。
示す図、第2図はその実装した状態の一例を示す
図、第3図乃至第7図は本発明に係る樹脂封止型
半導体装置の一実施例を示す図、第8図及び第9
図は信頼性試験に用いた、従来及び本発明に係る
樹脂封止型半導体装置を説明するための図であ
る。 1……樹脂封止パツケージ部、2……リード、
F,G……リード間の切欠部。
Claims (1)
- 1 放熱板に固定される樹脂封止型半導体装置に
おいて、樹脂封止パツケージ部と、前記パツケー
ジ部から突出する複数のリードを具備し、前記リ
ード間の前記パツケージ部に切欠部を形成し、か
つ前記パツケージ部の前記リード突出部の背面側
の一部に切欠部を形成したことを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57091174A JPS58209147A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
DE8383303116T DE3381186D1 (de) | 1982-05-31 | 1983-05-31 | Ein schaltungselement in kunststoffverkapselung. |
EP83303116A EP0098051B1 (en) | 1982-05-31 | 1983-05-31 | A plastics-encapsulated circuit element |
US06/814,171 US4617585A (en) | 1982-05-31 | 1985-12-24 | Plastic enclosing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57091174A JPS58209147A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58209147A JPS58209147A (ja) | 1983-12-06 |
JPH0227815B2 true JPH0227815B2 (ja) | 1990-06-20 |
Family
ID=14019097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57091174A Granted JPS58209147A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4617585A (ja) |
EP (1) | EP0098051B1 (ja) |
JP (1) | JPS58209147A (ja) |
DE (1) | DE3381186D1 (ja) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59115653U (ja) * | 1983-01-25 | 1984-08-04 | サンケン電気株式会社 | 絶縁物封止半導体装置 |
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US5258649A (en) * | 1989-05-20 | 1993-11-02 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and electronic apparatus using semiconductor device |
JPH0322556A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の接続端子の構造 |
JPH03108744A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH0787160B2 (ja) * | 1990-06-08 | 1995-09-20 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
US5166570A (en) * | 1990-06-08 | 1992-11-24 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Electronic component |
US5095360A (en) * | 1990-10-10 | 1992-03-10 | Kyocera America, Inc. | Ceramic chip-resistant chamfered integrated circuit package |
IT1249388B (it) | 1991-04-26 | 1995-02-23 | Cons Ric Microelettronica | Dispositivo a semiconduttore incapsulato in resina e completamente isolato per alte tensioni |
US5204287A (en) * | 1991-06-28 | 1993-04-20 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit device having improved post for surface-mount package |
IT1255190B (it) * | 1992-06-30 | 1995-10-20 | Giuseppe Marchisi | Dispositivo di interfaccia di comando per un motore elettrico |
US5521427A (en) * | 1992-12-18 | 1996-05-28 | Lsi Logic Corporation | Printed wiring board mounted semiconductor device having leadframe with alignment feature |
US5305344A (en) * | 1993-04-29 | 1994-04-19 | Opto Power Corporation | Laser diode array |
JP3305941B2 (ja) * | 1996-01-22 | 2002-07-24 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
US5898211A (en) * | 1996-04-30 | 1999-04-27 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Laser diode package with heat sink |
US5977630A (en) * | 1997-08-15 | 1999-11-02 | International Rectifier Corp. | Plural semiconductor die housed in common package with split heat sink |
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US6636538B1 (en) * | 1999-03-29 | 2003-10-21 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Laser diode packaging |
JP2002171086A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-14 | Pioneer Electronic Corp | 部 品 |
US6700913B2 (en) | 2001-05-29 | 2004-03-02 | Northrop Grumman Corporation | Low cost high integrity diode laser array |
DE10142472A1 (de) * | 2001-08-31 | 2002-10-31 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Hochleistung- und Leistungsbauteil mit Ausgangskontaktstiften |
US7170919B2 (en) | 2003-06-23 | 2007-01-30 | Northrop Grumman Corporation | Diode-pumped solid-state laser gain module |
US7495848B2 (en) * | 2003-07-24 | 2009-02-24 | Northrop Grumman Corporation | Cast laser optical bench |
US7305016B2 (en) * | 2005-03-10 | 2007-12-04 | Northrop Grumman Corporation | Laser diode package with an internal fluid cooling channel |
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