JPS58173849A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS58173849A JPS58173849A JP5530282A JP5530282A JPS58173849A JP S58173849 A JPS58173849 A JP S58173849A JP 5530282 A JP5530282 A JP 5530282A JP 5530282 A JP5530282 A JP 5530282A JP S58173849 A JPS58173849 A JP S58173849A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- electrode terminal
- sealed
- surrounded
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「＠明の技術分野」
本発明は、樹脂封止形半導体装置を高湿度雰囲気中にお
いても、その特性の劣化を小さくするような外囲器構造
を有する半導体装置に関するものである。１ ［発明の技術的背景〕 近年半導体装置の樹脂封止化は、ＩＣ（集積回路）で８
０−程度、個別トランジスタで９０−程度にまで伸張し
ている。これは、樹脂封止化が半導体装置の自動化を容
易にし、かつ生産性の向上を計ることができ、ひいては
低価格化することができる。けれども高耐圧半導体装置
については、金属封止形（気密封止）が主流を占めてい
るというのが現状であシ、前記メリットをいかした樹脂
封止化が急がれている。
いても、その特性の劣化を小さくするような外囲器構造
を有する半導体装置に関するものである。１ ［発明の技術的背景〕 近年半導体装置の樹脂封止化は、ＩＣ（集積回路）で８
０−程度、個別トランジスタで９０−程度にまで伸張し
ている。これは、樹脂封止化が半導体装置の自動化を容
易にし、かつ生産性の向上を計ることができ、ひいては
低価格化することができる。けれども高耐圧半導体装置
については、金属封止形（気密封止）が主流を占めてい
るというのが現状であシ、前記メリットをいかした樹脂
封止化が急がれている。
［背景技術の問題点］
しかしながら第１図、第２ｍで示されるような従来の樹
脂封止形半導体装置を、高温度雰囲気中で使用すると、
外８＠２の電極端子１，１間をま九がって水滴が付着し
て、樹脂面でスパークし九りするので、コレクタしゃ断
電流Ｉｃｍ。
脂封止形半導体装置を、高温度雰囲気中で使用すると、
外８＠２の電極端子１，１間をま九がって水滴が付着し
て、樹脂面でスパークし九りするので、コレクタしゃ断
電流Ｉｃｍ。
の増加、コレクタ・ベース間逆方向耐圧の低下、電流増
幅率ｈｒｍの減少など、半導体装置の特性の劣化がおこ
るなどの問題を有しており、その為高耐圧半導体装置へ
の機ｒｎｔ止化は信頼性上採用出来なかつ九。
幅率ｈｒｍの減少など、半導体装置の特性の劣化がおこ
るなどの問題を有しており、その為高耐圧半導体装置へ
の機ｒｎｔ止化は信頼性上採用出来なかつ九。
［発明の目的］
本発明の目的は、かかる外囲器の欠点を改善し、高耐圧
化を可能とし九檎脂封止形半導体装置を提供するもので
ある。
化を可能とし九檎脂封止形半導体装置を提供するもので
ある。
［発明の概要］
本発明は、樹脂封止番外囲器に配設され走電極端子の基
部を樹脂で囲繞するととＫよシ半導体装置の特性劣化を
低減させるものである。
部を樹脂で囲繞するととＫよシ半導体装置の特性劣化を
低減させるものである。
［発明の実施例］
第３図、第４図で示されるように本発明の樹脂封止形の
半導体装置は、内部の半導体素子自体に接続されている
複数の電極端子１と、半導体素子内部で発生した熱を放
熱する放熱フィン３と、半導体素子を樹脂封止し九外囲
器２′と、樹脂で囲繞し走電極端子の基部４とから構成
されている０以上のように構成されているので、各電極
端子間に１九がって付着する水滴は形成されＫ＜くなる
、即ち、電極端子の基部が樹脂でおおわれているので、
電極端子相互間には水滴による架橋ができなくなるので
ある。その結果半導体装置の特性の劣化を減少させるこ
とができる。崗以上は、中央に位置し走電極端子の基部
を樹脂で囲繞し九場合に限つ九が、何もこれにこにわら
ずに外側に位置し走電極端子の基部を樹脂で囲繞しても
よい。
半導体装置は、内部の半導体素子自体に接続されている
複数の電極端子１と、半導体素子内部で発生した熱を放
熱する放熱フィン３と、半導体素子を樹脂封止し九外囲
器２′と、樹脂で囲繞し走電極端子の基部４とから構成
されている０以上のように構成されているので、各電極
端子間に１九がって付着する水滴は形成されＫ＜くなる
、即ち、電極端子の基部が樹脂でおおわれているので、
電極端子相互間には水滴による架橋ができなくなるので
ある。その結果半導体装置の特性の劣化を減少させるこ
とができる。崗以上は、中央に位置し走電極端子の基部
を樹脂で囲繞し九場合に限つ九が、何もこれにこにわら
ずに外側に位置し走電極端子の基部を樹脂で囲繞しても
よい。
［発明の効果］
本発明では電極端子間にまえがって付着する水滴が形成
されにくくなった結果、半導体装置の特性の劣化が低減
されるなどの効果を奏する。
されにくくなった結果、半導体装置の特性の劣化が低減
されるなどの効果を奏する。
即ちコレクタしゃ断電流Ｉｃ１ｏの増加、コレクタ・ベ
ース間逆耐圧の低下、電流増幅率ｈｙｍの減少などが起
らなくなるものである。
ース間逆耐圧の低下、電流増幅率ｈｙｍの減少などが起
らなくなるものである。
第１図は従来の樹脂封止形の半導体装置の正面図であり
、第２図は従来の樹脂封止形の半導体装置の側面図であ
シ、第３図は本発明の樹脂封止形の半導体装置の正面図
であり、第４図は本発明の樹脂封止形の半導体装置の斜
視図である。 １・・・・・・電極端子 ２・・・・・・従来の樹脂封止形半導体装置の外−器１
′・・・・・・本発明の樹脂封止形半導体装置の外囲器
３・・・・・・放熱フィン ４・・・・・・・−極端子の基部を樹脂で囲繞したもの
（７３１７）代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか−
人）第 １ 回 第 ３ 図 第 ２ 口
、第２図は従来の樹脂封止形の半導体装置の側面図であ
シ、第３図は本発明の樹脂封止形の半導体装置の正面図
であり、第４図は本発明の樹脂封止形の半導体装置の斜
視図である。 １・・・・・・電極端子 ２・・・・・・従来の樹脂封止形半導体装置の外−器１
′・・・・・・本発明の樹脂封止形半導体装置の外囲器
３・・・・・・放熱フィン ４・・・・・・・−極端子の基部を樹脂で囲繞したもの
（７３１７）代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか−
人）第 １ 回 第 ３ 図 第 ２ 口
Claims (1)
- 半導体素子を樹脂封止して外囲器を形成するとともに、
該外囲器に配設された電極端子の基部を樹脂で囲繞した
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5530282A JPS58173849A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5530282A JPS58173849A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58173849A true JPS58173849A (ja) | 1983-10-12 |
Family
ID=12994769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5530282A Pending JPS58173849A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58173849A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0098051A2 (en) * | 1982-05-31 | 1984-01-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | A plastics-encapsulated circuit element |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5534624B2 (ja) * | 1973-11-24 | 1980-09-08 |
-
1982
- 1982-04-05 JP JP5530282A patent/JPS58173849A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5534624B2 (ja) * | 1973-11-24 | 1980-09-08 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0098051A2 (en) * | 1982-05-31 | 1984-01-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | A plastics-encapsulated circuit element |
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