JPS5927570A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5927570A JPS5927570A JP13818582A JP13818582A JPS5927570A JP S5927570 A JPS5927570 A JP S5927570A JP 13818582 A JP13818582 A JP 13818582A JP 13818582 A JP13818582 A JP 13818582A JP S5927570 A JPS5927570 A JP S5927570A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- semiconductor device
- region
- transistor
- performance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 235000011468 Albizia julibrissin Nutrition 0.000 description 1
- 240000007185 Albizia julibrissin Species 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はエミッタ領域が複数個忙分れている半導体装
置の改良に関するものである。以下、トランジスタを例
に挙げて説明する。
置の改良に関するものである。以下、トランジスタを例
に挙げて説明する。
第１図は従来のこの種トランジスタの一例を示す平面図
で、（１）はコレクタ領域を形成する基体（表面絶縁層
は省略）、（２）はコレクタコンタクト用拡散領域、（
３）はベース拡散領域、（４ａ ） ＋ （４ｂ）はエ
ミッタ拡散領域、（５）はコレクタコンタクト孔、（６
ＥＬ） ＋（６ｂ）はそれぞれエミッタ拡散領域（４ａ
）、（４ｂ）へのユミツタコンタクト孔、（７）はベー
スコンタクト孔、（８）はコレクタ引出し用アルミニウ
ム（Ａｊ）配線、（９）はエミッタ拡散領域（ａａ）、
（４ｂ）の双方から共通に引出されたエミッタ引出し用
Ａｔ配線、θりはベース引出し用Ａｔ配線である０ このように、エミッタ拡散領域（ａａ） 、 （４ｂ）
がベースコンタクト孔（７）を挾んで両側に設けられ゛
ているので、す≦゛れた特性のトランジスタが得られる
が、従来はエミッタ拡散領域（４ａ）、（４ｂ）が互い
に独立に形成され、エミッタ引出し用Ａｔ配線（９）に
よって接続されているので、この接続部処断線を生じる
と、一方のエミッタ拡散領域しか動作に寄４ルなくなり
、トランジスタの性能が低下するという欠点があった。
で、（１）はコレクタ領域を形成する基体（表面絶縁層
は省略）、（２）はコレクタコンタクト用拡散領域、（
３）はベース拡散領域、（４ａ ） ＋ （４ｂ）はエ
ミッタ拡散領域、（５）はコレクタコンタクト孔、（６
ＥＬ） ＋（６ｂ）はそれぞれエミッタ拡散領域（４ａ
）、（４ｂ）へのユミツタコンタクト孔、（７）はベー
スコンタクト孔、（８）はコレクタ引出し用アルミニウ
ム（Ａｊ）配線、（９）はエミッタ拡散領域（ａａ）、
（４ｂ）の双方から共通に引出されたエミッタ引出し用
Ａｔ配線、θりはベース引出し用Ａｔ配線である０ このように、エミッタ拡散領域（ａａ） 、 （４ｂ）
がベースコンタクト孔（７）を挾んで両側に設けられ゛
ているので、す≦゛れた特性のトランジスタが得られる
が、従来はエミッタ拡散領域（４ａ）、（４ｂ）が互い
に独立に形成され、エミッタ引出し用Ａｔ配線（９）に
よって接続されているので、この接続部処断線を生じる
と、一方のエミッタ拡散領域しか動作に寄４ルなくなり
、トランジスタの性能が低下するという欠点があった。
この発明は複数個のエミッタ領域自体が連続するように
形成することＫよって上述のような欠点のない半導体装
置を提供することを目的としている。
形成することＫよって上述のような欠点のない半導体装
置を提供することを目的としている。
第２図はこの発明の一実施例を示す平面図で、第１図と
同等部分は同一符号で示したので、その説明は重複を避
ける。この実施例でにエミ、ツタ拡敗領域（４）はベー
スコンタクト（い７）の両側にまたがって形成されては
いるが、（４ｃ）で示すように一部が拡散層でつながっ
ている。このように構成されているので、エミッタ引出
し用Ａ７配線（９）の接続部に断線することがあっても
、上記接続拡散層（翻）を介してエミッタ拡散領域（４
）の２つの部分にエミツク電流が流れ、トランジスタの
性能が低下するのを防止できる。
同等部分は同一符号で示したので、その説明は重複を避
ける。この実施例でにエミ、ツタ拡敗領域（４）はベー
スコンタクト（い７）の両側にまたがって形成されては
いるが、（４ｃ）で示すように一部が拡散層でつながっ
ている。このように構成されているので、エミッタ引出
し用Ａ７配線（９）の接続部に断線することがあっても
、上記接続拡散層（翻）を介してエミッタ拡散領域（４
）の２つの部分にエミツク電流が流れ、トランジスタの
性能が低下するのを防止できる。
以上実施例ではトランジスタについて述べたが、トラン
ジスタに限らずサイリスクなどその他の半導体装置にも
この発＃Ｈ；を適用できる。
ジスタに限らずサイリスクなどその他の半導体装置にも
この発＃Ｈ；を適用できる。
上述のように１この発明になる半導体装置では１つのエ
ミッタ引出し用金属配線釦接続される複数個のエミッタ
拡散領域部分をその一部において拡散層でつながるよう
にしたので、上記金属配線の接続部に断線が発生しても
、半導体装置の電気的性能が低下することがなく、信頼
度を高く保持することができる０
ミッタ引出し用金属配線釦接続される複数個のエミッタ
拡散領域部分をその一部において拡散層でつながるよう
にしたので、上記金属配線の接続部に断線が発生しても
、半導体装置の電気的性能が低下することがなく、信頼
度を高く保持することができる０
第１図は従来のエミッタ領域が２つに分れている形式の
トランジスタの一例を示す平面図、第２′図はこの発明
の一実施例を示す平面図である０図において、（４）は
エミッタ拡散領域、（４Ｃ）はその２つの部分を接続す
る拡散層、（９）はエミッタ引き出し用金属配線である
Ｏ なお、図中同一符号は同一まだは相当部分を示すＯ 代理人 葛せ信−（外１名〕
トランジスタの一例を示す平面図、第２′図はこの発明
の一実施例を示す平面図である０図において、（４）は
エミッタ拡散領域、（４Ｃ）はその２つの部分を接続す
る拡散層、（９）はエミッタ引き出し用金属配線である
Ｏ なお、図中同一符号は同一まだは相当部分を示すＯ 代理人 葛せ信−（外１名〕
Claims (1)
- （１） ともＶＣｌつのエミッタ引出し用金属配線に
接続される複数個のエミッタ拡散領域部分を有するもの
において、上記複数個のエミッタ拡散領域部分が互いに
その一部において拡散層でつながっていることを特徴と
する半導体装置Ｏ□
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13818582A JPS5927570A (ja) | 1982-08-07 | 1982-08-07 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13818582A JPS5927570A (ja) | 1982-08-07 | 1982-08-07 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5927570A true JPS5927570A (ja) | 1984-02-14 |
Family
ID=15216045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13818582A Pending JPS5927570A (ja) | 1982-08-07 | 1982-08-07 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927570A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01238061A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-22 | Rohm Co Ltd | 高周波トランジスタ |
-
1982
- 1982-08-07 JP JP13818582A patent/JPS5927570A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01238061A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-22 | Rohm Co Ltd | 高周波トランジスタ |
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