JPS62282451A - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置Info
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- JPS62282451A JPS62282451A JP12599886A JP12599886A JPS62282451A JP S62282451 A JPS62282451 A JP S62282451A JP 12599886 A JP12599886 A JP 12599886A JP 12599886 A JP12599886 A JP 12599886A JP S62282451 A JPS62282451 A JP S62282451A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 25
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
この発明は、樹脂封止形半導体装置、特に高電圧用の半
導体装置に関するものである。
導体装置に関するものである。
第２図（ａｌ、 （ｂ）はそれぞれ従来の樹脂封止形半
導体装置の一例を示し、図において、１は概略箱形の樹
脂封止体、２．２ａ、２ｂ、２ｃはリード、３は金属板
、４はビス止め孔である。
導体装置の一例を示し、図において、１は概略箱形の樹
脂封止体、２．２ａ、２ｂ、２ｃはリード、３は金属板
、４はビス止め孔である。
これらの樹脂封止形半導体装置は、封入される半導体ペ
レット（図示せず）の製造技術の向上に伴い、近年非常
に高電圧で使用されることが多くなって来た。従来は１
００〜２００ｖで使用されるのがほとんどであったが、
近年は５００〜１００ＯＶ、また場合によっては１００
０〜３０００ Ｖのものまである。
レット（図示せず）の製造技術の向上に伴い、近年非常
に高電圧で使用されることが多くなって来た。従来は１
００〜２００ｖで使用されるのがほとんどであったが、
近年は５００〜１００ＯＶ、また場合によっては１００
０〜３０００ Ｖのものまである。
ここで問題になるのは、樹脂封止形半導体装置の形状に
よる絶縁耐量である。
よる絶縁耐量である。
第３図（ａｌ、 （ｂｌに示すように、その形状が原因
で絶縁破壊が発生することがある。これには第３図（ａ
ｌに示すようなリード２ａと２ｂ、又はリード２ｂと２
０との間のＡ部における絶縁破壊、第３図（ｂ）に示す
ように金属より成る冷却体７に密着させて使用する場合
は、リード２と冷却体７０間におけるＢ部での絶縁破壊
等があり、これらの絶縁破壊は主として、樹脂封止部表
面に沿って発生し、樹脂表面に汚れ等があればさらに発
生しやすくなる。このような絶縁破壊が発生すれば、そ
の半導体装置が故障に至るのはもちろんであるが、これ
を使用する機器の故障又は事故につながり、その損害は
甚大である。
で絶縁破壊が発生することがある。これには第３図（ａ
ｌに示すようなリード２ａと２ｂ、又はリード２ｂと２
０との間のＡ部における絶縁破壊、第３図（ｂ）に示す
ように金属より成る冷却体７に密着させて使用する場合
は、リード２と冷却体７０間におけるＢ部での絶縁破壊
等があり、これらの絶縁破壊は主として、樹脂封止部表
面に沿って発生し、樹脂表面に汚れ等があればさらに発
生しやすくなる。このような絶縁破壊が発生すれば、そ
の半導体装置が故障に至るのはもちろんであるが、これ
を使用する機器の故障又は事故につながり、その損害は
甚大である。
このような従来装置では、高電圧使用に対する絶縁破壊
を防止するために、形状そのも大きくする対策がなされ
た。つまり形状を大きくするということにより、第３図
（ａ）のＡ部、第３図（ｂｌのＢ部の距離を大きくした
のである。ところがこの方法によれば、形状そのものを
大きくするのであるから、製造原価の増大をもたらし、
これを使用する機器も大形になるという欠点があった。
を防止するために、形状そのも大きくする対策がなされ
た。つまり形状を大きくするということにより、第３図
（ａ）のＡ部、第３図（ｂｌのＢ部の距離を大きくした
のである。ところがこの方法によれば、形状そのものを
大きくするのであるから、製造原価の増大をもたらし、
これを使用する機器も大形になるという欠点があった。
この発明は、上記のような従来の欠点を解消するために
なされたもので、形状を大きくすることな（、絶縁破壊
耐量の大きい樹脂封止形半導体装置を得ることを目的と
する。
なされたもので、形状を大きくすることな（、絶縁破壊
耐量の大きい樹脂封止形半導体装置を得ることを目的と
する。
この発明は、従来の半導体装置の絶縁破壊が、樹脂封止
体の表面に沿って発生することから、同一の大きさでも
、絶縁されている２つの電極間の沿面距離を大きくとれ
ば、′ｌ＠縁破壊が防止できることに着目してなされた
ものであり、樹脂封止体のリードが突出する面に、リー
ドを囲む樹脂製の突起を設け、樹脂封止体の金属板を有
する面と上記リードが突出する面との稜部の長手方向に
沿って切や欠き部を設けたものである。
体の表面に沿って発生することから、同一の大きさでも
、絶縁されている２つの電極間の沿面距離を大きくとれ
ば、′ｌ＠縁破壊が防止できることに着目してなされた
ものであり、樹脂封止体のリードが突出する面に、リー
ドを囲む樹脂製の突起を設け、樹脂封止体の金属板を有
する面と上記リードが突出する面との稜部の長手方向に
沿って切や欠き部を設けたものである。
この発明においては、樹脂封止体のリードが突出する面
に、リードを囲む樹脂製の突起を設け、樹脂封止体の金
属板を有する面と上記リードが突出する面との稜部の長
手方向に沿って切り欠き部を設けたから、２つの電極間
の直線距離は同一でも、沿面距離が大きくなり、樹脂表
面のわずかな汚れや吸湿による絶縁破壊耐量の劣化を大
幅に改善できる。
に、リードを囲む樹脂製の突起を設け、樹脂封止体の金
属板を有する面と上記リードが突出する面との稜部の長
手方向に沿って切り欠き部を設けたから、２つの電極間
の直線距離は同一でも、沿面距離が大きくなり、樹脂表
面のわずかな汚れや吸湿による絶縁破壊耐量の劣化を大
幅に改善できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例による樹脂
封止形半導体装置を示し、図において、第２図と同一符
号は同一部分を示し、５はリード２ａ、’ｌｂ。
封止形半導体装置を示し、図において、第２図と同一符
号は同一部分を示し、５はリード２ａ、’ｌｂ。
２ｃが樹脂封止体１に接する部分に設けられた樹脂製の
突起部であり、これは樹脂封止体に接するリードの周囲
を囲んでいる。また６は金属板３が露出する面と、リー
ド２が突出する面とが接する稜部に沿って設けられた切
り欠き部である。
突起部であり、これは樹脂封止体に接するリードの周囲
を囲んでいる。また６は金属板３が露出する面と、リー
ド２が突出する面とが接する稜部に沿って設けられた切
り欠き部である。
次に作用効果について説明する。
このような本実施例装置では、第４図（ａｌのＡで示す
ように、リード２ａ、２ｂ間、リード２ｂ。
ように、リード２ａ、２ｂ間、リード２ｂ。
２ｃ間の沿面距離が大幅に増加する。また第４図（′ｂ
）のＢで示すように、リード２と冷却イ木７との間の沿
面距離も大幅に増加する。これにより絶縁耐量が大幅に
改善できる。
）のＢで示すように、リード２と冷却イ木７との間の沿
面距離も大幅に増加する。これにより絶縁耐量が大幅に
改善できる。
なお、上記実施例では、３本リードの半導体装置につい
て説明したが、これは２本リードあムい、は４本以上の
リードの半導体装置でもよい。
て説明したが、これは２本リードあムい、は４本以上の
リードの半導体装置でもよい。
以上のように、この発明にかかる樹脂封止形半導体装置
によれば、樹脂封止体のリードが突出する面に、リード
を囲む樹脂製の突起を設け、樹脂封止体の金属板を有す
る面と上記リードが突出する面との稜部に沿って切り欠
き部を設けたので、形状を大きくすることなく、その絶
縁ｉｎを向上でき、またこれを使用する機器の大形化や
製造原価の増加を抑えることができる。
によれば、樹脂封止体のリードが突出する面に、リード
を囲む樹脂製の突起を設け、樹脂封止体の金属板を有す
る面と上記リードが突出する面との稜部に沿って切り欠
き部を設けたので、形状を大きくすることなく、その絶
縁ｉｎを向上でき、またこれを使用する機器の大形化や
製造原価の増加を抑えることができる。
第１図は本発明の一実施例を説明するための斜視図、第
２図は従来の半導体装置を説明するための斜視図、第３
図は従来の半導体装置の絶縁破壊を説明するための図、
第４図は本発明の絶縁耐量を説明するための図である。 図中、１は樹脂封止体、２．２ａ、２ｂ、２ｃはリード
、３は金属板、４はビス止め穴、５は突起部、６は切り
欠き部、７は冷却体である。 ゛なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
２図は従来の半導体装置を説明するための斜視図、第３
図は従来の半導体装置の絶縁破壊を説明するための図、
第４図は本発明の絶縁耐量を説明するための図である。 図中、１は樹脂封止体、２．２ａ、２ｂ、２ｃはリード
、３は金属板、４はビス止め穴、５は突起部、６は切り
欠き部、７は冷却体である。 ゛なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）概略箱形の樹脂封止体の第１の面の一部に設けら
れ、その表面が露出している金属板と、該第１の面と隣
接する上記樹脂封止体の第２の面に、該面から突出する
ように設けられ、板状の金属よりなる互いに平行な複数
のリードとを有する樹脂封止形半導体装置において、 上記樹脂封止体の第２の面上に設けられ上記各リードを
囲む樹脂製の突起部と、 上記樹脂封止体の第１の面と第２の面との稜部の長手方
向に設けられた切り欠き部とを備えたことを特徴とする
樹脂封止形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12599886A JPS62282451A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 樹脂封止形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12599886A JPS62282451A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 樹脂封止形半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62282451A true JPS62282451A (ja) | 1987-12-08 |
Family
ID=14924191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12599886A Pending JPS62282451A (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | 樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62282451A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6320258B1 (en) | 1991-04-23 | 2001-11-20 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelectronica Nel Mezzogiorno | Semiconductor device having alternating electrically insulative coated leads |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4941955A (ja) * | 1972-08-17 | 1974-04-19 | ||
| JPS58209147A (ja) * | 1982-05-31 | 1983-12-06 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP12599886A patent/JPS62282451A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4941955A (ja) * | 1972-08-17 | 1974-04-19 | ||
| JPS58209147A (ja) * | 1982-05-31 | 1983-12-06 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6320258B1 (en) | 1991-04-23 | 2001-11-20 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelectronica Nel Mezzogiorno | Semiconductor device having alternating electrically insulative coated leads |
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