KR940020539A - 저 인덕턴스 반도체 패키지(Low inductance semiconductor package) - Google Patents

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KR940020539A
KR940020539A KR1019940001436A KR19940001436A KR940020539A KR 940020539 A KR940020539 A KR 940020539A KR 1019940001436 A KR1019940001436 A KR 1019940001436A KR 19940001436 A KR19940001436 A KR 19940001436A KR 940020539 A KR940020539 A KR 940020539A
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insulating material
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low inductance
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더블유. 핀더 브렌트
에이. 베린저 케네스
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빈센트 비. 인그라시아
모토로라 인코포레이티드(Motorola Incoporated)
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Abstract

적어도 두 개의 반도체 다이를 수용하기 위한 저 인덕턴스 반도체 패키지(33)는 히트싱크(11), 절연재(13), 다수의 패키지 리드(22), 프레임(19), 캡(21) 및 피복 재료(23)를 포함하며, 적어도 3개의 병렬 금속 스트립(26 내지 29)은 적어도 2개의 반도체 다이에 대해 상호 접속을 제공하는 절연재(13)의 표면(15)상에 형상화되며, 각각 다수의 패키지 리드(22)는 기생 인덕턴스를 최소화하는 적어도 3개의 금속 스트립(26 내지 29)의 대응 금속 스티립에 직접 접속된다.

Description

저 인덕턴스 반도체 패키지(Low inductance semiconductor package)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 패키지 히트 싱크의 도면.

Claims (2)

  1. 적어도 두 개의 반도체 다이(17)를 수용하기 위한 저 인덕턴스 반도체 패키지(33)에 있어서, 히트 싱크(11)와, 상기 히트 싱크(11)상에 인접 배치된 전기 절연재(13)와, 상호 접속을 제공하기 위해 상기 절연재(13)의 제1표면(15)상에 형상화되며 서로 절연된 적어도 3개의 병렬 금속 스트립(26, 28, 29)과, 프레임(19)과, 캡(21)과, 반도체 패키지(33)의 외부로 상호 접속을 제공하며 수직 방향으로 대응 금속 스트립(26, 28, 29)에 각각 직접 접속되는 다수의 패키지 리드(22)와, 상기 히트 싱크(11), 프레임(19) 및 캡(21)을 서로 결합하기 위한 피복 재료(23)를 포함하는 것을 특징으로 하는 저 인덕턴스 반도체 패키지.
  2. 적어도 두 개의 반도체 다이(17)를 수용하기 위한 저 인덕턴스 반도체 패키지(33)에 있어서, 히트 싱크(11)와, 상기 히트 싱크(11)에 결합되는 전열성 전기 절연재(13)와, 적어도 두 개의 반도체 다이(17)에 상호 접속을 제공하기 위해 상기 절연재(13)의 제2표면상에 형상화되며 서로 절연된 적어도 3개의 금속영역(26, 28, 29)과, 상기 절연재(13)의 상기 제2표면상의 캘빈 접촉부(31)와, 프레임(19)과, 캡(21)과, 반도체 패키지(33)에 대해 외부로 상호 접속을 제공하며 수직 방향으로 상기 절연재(13)의 상기 제2표면상에 대응하는 금속 영역에 접속되는 다수의 패키지 리드(22)와, 상기 히트 싱크(11), 프레임(19) 및 캡(21)을 서로 결합하기 위한 피복재료(23)를 포함하며, 상기 절연재(13)는 제1표면에 결합된 금속층을 가지며, 상기 금속층은 상기 절연재(13)를 상기 히트 싱크(11)에 고정하기 위해 상기 히트싱크(11)에 납땜되는 것을 특징으로 하는 저 인덕턴스 반도체 패키지.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940001436A 1993-02-01 1994-01-27 저 인덕턴스 반도체 패키지(Low inductance semiconductor package) KR940020539A (ko)

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