JPH011728A - アリールアミン含有ポリヒドロキシエーテル樹脂 - Google Patents
アリールアミン含有ポリヒドロキシエーテル樹脂Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一般にアリールアミン化合物、さらに詳しくは
、高分子ターシャリ−アリールアミン化合物およびその
ような高分子ターシャリ−アリールアミン化合物を用い
た電子写真像形成部材および方法に関する。
、高分子ターシャリ−アリールアミン化合物およびその
ような高分子ターシャリ−アリールアミン化合物を用い
た電子写真像形成部材および方法に関する。
電子写真技術においては、伝導性層上に光導電性絶縁層
を含む電子写真プレートを先ず該光導電性絶縁層の表面
を均一に静帯電させることによって像形成させる。次い
でプレートを光のような活性化用の電磁線照射像に露光
し、これにより非照射領域の静電潜像を残しながら光導
電性絶縁層の照射領域の電荷を選択的に消散させる。次
いで、この静電潜像は微分割検電トナー粒子を導電性絶
縁層表面に付着させることによって現像し可視像とする
ことができる。得られる可視トナー像は紙のような適当
な受は入れ部材に転写できる。この像形成法は再使用可
能な光導電性絶縁層によって多数回1桑返し得る。
を含む電子写真プレートを先ず該光導電性絶縁層の表面
を均一に静帯電させることによって像形成させる。次い
でプレートを光のような活性化用の電磁線照射像に露光
し、これにより非照射領域の静電潜像を残しながら光導
電性絶縁層の照射領域の電荷を選択的に消散させる。次
いで、この静電潜像は微分割検電トナー粒子を導電性絶
縁層表面に付着させることによって現像し可視像とする
ことができる。得られる可視トナー像は紙のような適当
な受は入れ部材に転写できる。この像形成法は再使用可
能な光導電性絶縁層によって多数回1桑返し得る。
さらに進歩したものとして、より高速の電子写真複写機
、デュプリケーターおよびプリンターが開発され、像品
質の劣下がサイクル操作中に生していた。さらにまた、
高速で操作する複雑な高性能複写装装置は感光体上での
狭い操作限界を包含する厳しい条件を有している。例え
ば、多くの最近の光導電性像形成部材において見い出さ
れる数多くの層は高度に可撓性で隣接層に良好に付着し
かつ狭い操作限界内で予期どおりの電気特性を示して多
数回のサイクルに亘って優れたトナー像を形成しなけれ
ばならない。また、極めて限られたスペースに押し込め
られた感光体ヘルド装置用の小直径支持ロールを用いる
コンパクトな像形成装置においては長使用寿命の可撓性
感光体が商業的に大いに求められている。小直径支持ロ
ールはコピー紙のビーム強度を用いてトナー像転写後の
感光体ヘルド表面からコピー紙を自動的にはぎ取る節−
川な信頼できるコピー紙はぎ取り装置においても大いに
望ましいものである。しかしながら、小直径、例えば、
約0.75インチ(19mm)以下の直径を有するロー
ルは感光体ヘルドのa械的性能基阜の限界値を一時的な
感光体ベルト材料の欠陥が可撓性(8光体ベルトの緊発
的事件となるような高レベルまで引き上げている。
、デュプリケーターおよびプリンターが開発され、像品
質の劣下がサイクル操作中に生していた。さらにまた、
高速で操作する複雑な高性能複写装装置は感光体上での
狭い操作限界を包含する厳しい条件を有している。例え
ば、多くの最近の光導電性像形成部材において見い出さ
れる数多くの層は高度に可撓性で隣接層に良好に付着し
かつ狭い操作限界内で予期どおりの電気特性を示して多
数回のサイクルに亘って優れたトナー像を形成しなけれ
ばならない。また、極めて限られたスペースに押し込め
られた感光体ヘルド装置用の小直径支持ロールを用いる
コンパクトな像形成装置においては長使用寿命の可撓性
感光体が商業的に大いに求められている。小直径支持ロ
ールはコピー紙のビーム強度を用いてトナー像転写後の
感光体ヘルド表面からコピー紙を自動的にはぎ取る節−
川な信頼できるコピー紙はぎ取り装置においても大いに
望ましいものである。しかしながら、小直径、例えば、
約0.75インチ(19mm)以下の直径を有するロー
ルは感光体ヘルドのa械的性能基阜の限界値を一時的な
感光体ベルト材料の欠陥が可撓性(8光体ベルトの緊発
的事件となるような高レベルまで引き上げている。
電子写真像形成装置でヘルドとして使用されている多層
型感光体の1つのタイプは基体、伝導性層、電荷ブロッ
キング層、電荷励起層、および電荷移送層を含む。電荷
移送層は多くの場合高分子フィルム形成性バイングー中
に分散または溶解させた活性化用小分子を含む。一般に
、移送層内の高分子フィルム形成性バインダーはそれ自
体電気的に不活性であり活性化用分子を含有したときに
電気的に活性となる。“電気的に活性”なる表現はその
材料が電荷励起層中の材料からの光励起電荷キャリヤー
の注入を支持し得かつこれら電荷キャリヤーの移送を電
気的活性層を通して行い活性層上の表面電荷を放電し得
ることを意味する。多層型の感光体はまた抗カール裏打
ち層、接着層、およびオーバーコーテイング層のような
追加のも含、779+7る。イ2れた1−ナー像は乾燥
現像剤粉末(トナー)によって現像する多層型ベルト感
光体によっても得るごとができるけれども、これらの感
光体は液体現像系で用いたとき不安定になることが判っ
ている。これらの感光体は液体現像剤インク中で昔通に
使用される有機、キャリヤー液、イソパラフィン系炭化
水素例えばアイソバール(Isopar)との接触によ
って生じるクラツキング、グレージング、活性化合物の
結晶化、活性化用化合物の相分離および活性化用化合物
の抽出を受け、これらは感光体の機械的一体性および電
気的性質を著しく劣下させる。さらに詳細には、液体現
像剤の有機キャリヤー液は電荷移送層中で典型的に使用
されるアリールアミン含有化合物のような活性化用小分
子を浸出させる傾向を有する。このクラスの物質の代表
的なものには、N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス
(3−メチルフェニル)−〔1,I’−ビフェニル)−
4,4’−ジアミン;ビス−(4−ジエチルアミノ−2
−メチルフェニル)−フェニルメタン;2,5−ビス−
(4′−ジメチルアミノフエニル)−1,3,4−オキ
サジアゾール;1−フェニル−3−(4’−ジエチルア
ミ/スチリル)−5−(4’−ジエチルアミンフェニル
)−ピラゾリン、1.1−ビス−54−(シーN、N’
−p−メチルフェニル)−アミノフェニルヨーシクロヘ
キサン;4−ジエチルアミノベンズアルデヒド−1,1
′−ジフェニルヒドラフン;1,1−ジフエニル−2(
p−N。
型感光体の1つのタイプは基体、伝導性層、電荷ブロッ
キング層、電荷励起層、および電荷移送層を含む。電荷
移送層は多くの場合高分子フィルム形成性バイングー中
に分散または溶解させた活性化用小分子を含む。一般に
、移送層内の高分子フィルム形成性バインダーはそれ自
体電気的に不活性であり活性化用分子を含有したときに
電気的に活性となる。“電気的に活性”なる表現はその
材料が電荷励起層中の材料からの光励起電荷キャリヤー
の注入を支持し得かつこれら電荷キャリヤーの移送を電
気的活性層を通して行い活性層上の表面電荷を放電し得
ることを意味する。多層型の感光体はまた抗カール裏打
ち層、接着層、およびオーバーコーテイング層のような
追加のも含、779+7る。イ2れた1−ナー像は乾燥
現像剤粉末(トナー)によって現像する多層型ベルト感
光体によっても得るごとができるけれども、これらの感
光体は液体現像系で用いたとき不安定になることが判っ
ている。これらの感光体は液体現像剤インク中で昔通に
使用される有機、キャリヤー液、イソパラフィン系炭化
水素例えばアイソバール(Isopar)との接触によ
って生じるクラツキング、グレージング、活性化合物の
結晶化、活性化用化合物の相分離および活性化用化合物
の抽出を受け、これらは感光体の機械的一体性および電
気的性質を著しく劣下させる。さらに詳細には、液体現
像剤の有機キャリヤー液は電荷移送層中で典型的に使用
されるアリールアミン含有化合物のような活性化用小分
子を浸出させる傾向を有する。このクラスの物質の代表
的なものには、N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス
(3−メチルフェニル)−〔1,I’−ビフェニル)−
4,4’−ジアミン;ビス−(4−ジエチルアミノ−2
−メチルフェニル)−フェニルメタン;2,5−ビス−
(4′−ジメチルアミノフエニル)−1,3,4−オキ
サジアゾール;1−フェニル−3−(4’−ジエチルア
ミ/スチリル)−5−(4’−ジエチルアミンフェニル
)−ピラゾリン、1.1−ビス−54−(シーN、N’
−p−メチルフェニル)−アミノフェニルヨーシクロヘ
キサン;4−ジエチルアミノベンズアルデヒド−1,1
′−ジフェニルヒドラフン;1,1−ジフエニル−2(
p−N。
N’−ジフェニルアミノフェニル)−エチレン;N−エ
チルカルバゾール−3−カルボキシアルデヒド−1−メ
チル−1−フェニルヒドラゾンがある。浸出は上述のア
リールアミン化合物のような活性化用化合物の感光体表
面上への結晶化および引き続いてのアリールアミンの液
体現像剤インク中−の移行をもたらす。さらに、インク
ビヒクル代表的にはC10%C14分岐炭化水素頚は感
光体表面にクラックおよびグレーズの形成を誘発する。
チルカルバゾール−3−カルボキシアルデヒド−1−メ
チル−1−フェニルヒドラゾンがある。浸出は上述のア
リールアミン化合物のような活性化用化合物の感光体表
面上への結晶化および引き続いてのアリールアミンの液
体現像剤インク中−の移行をもたらす。さらに、インク
ビヒクル代表的にはC10%C14分岐炭化水素頚は感
光体表面にクラックおよびグレーズの形成を誘発する。
これらの作用はコピー欠陥および感光体寿命の短縮をも
たらす。感光体の劣下はそれ自体で増大した背景および
完全な物理的感光体欠陥が生ずる前の他の複写欠陥とし
て表われる。
たらす。感光体の劣下はそれ自体で増大した背景および
完全な物理的感光体欠陥が生ずる前の他の複写欠陥とし
て表われる。
活性化用小分子の浸出はまたベルトを非使用時にベルト
支持ロール上に留め置いた場合の溶媒/応カタラノキン
グに対する移送層の感受性を増大させる。ある種のキャ
リヤー液はまた移送JU中のアリールアミン化合物およ
びその上述した3A導体のような活性化用小分子の相分
離を特に高濃度のアリールアミン化合物が移送層バイン
ダー中に存在する場合に促進する。活性化用小分子の相
分離もまた感光体の電気的および機械的性質を悪変させ
る。高分子フィルム形成性バインダー中に分散または溶
解させた活性化用小分子を含有する電荷移送層を用いる
硬質の円筒状多層型感光体においては、屈曲は通常化じ
ないけれども、電気的劣下は液体現像剤による現像中に
同様に生ずる。これら感光体の液体現像剤による十分な
劣下は使用の8時間以内で起り、そのため、感光体を幾
分低品質の像形成目的においてさえも適さないものとし
ている。
支持ロール上に留め置いた場合の溶媒/応カタラノキン
グに対する移送層の感受性を増大させる。ある種のキャ
リヤー液はまた移送JU中のアリールアミン化合物およ
びその上述した3A導体のような活性化用小分子の相分
離を特に高濃度のアリールアミン化合物が移送層バイン
ダー中に存在する場合に促進する。活性化用小分子の相
分離もまた感光体の電気的および機械的性質を悪変させ
る。高分子フィルム形成性バインダー中に分散または溶
解させた活性化用小分子を含有する電荷移送層を用いる
硬質の円筒状多層型感光体においては、屈曲は通常化じ
ないけれども、電気的劣下は液体現像剤による現像中に
同様に生ずる。これら感光体の液体現像剤による十分な
劣下は使用の8時間以内で起り、そのため、感光体を幾
分低品質の像形成目的においてさえも適さないものとし
ている。
高分子でもって調製された電荷移送コンブレノクスを含
む感光体が開発されている。例えば、ポリビニルカルバ
ゾールから調製された電荷移送コンプレックスは米国特
許第4,047,948号、第4、.346.158号
および第4,388,392号に開示されている。ポリ
ビニルカルバゾール層を用いる感光体は、現在の感光体
必要条件に照したとき、電気的および機械的性質の両方
において比較的貧弱な静電複写性能を示している。ジ第
2級アミンとシイオドアリール化合物の縮合により調製
した高分子量り−ルアミン分子は1981年8月260
に公開され、1984年5月16日に公告されたヨーロ
ッパ特許公報第34,425号に開示されている。これ
らのポリマーは極端にもろくまた極めて物理的劣下を受
けやすいフィルムを形成するので、その可撓性ヘルド形
状での使用は困難である。即ち、液体現像剤系に露出す
る多層型ベルト感光体を用いる進歩した像形成システム
においては、クランキングおよびクレージングがベルト
サイクル操作中の臨界的電荷移送層中で生じている。
む感光体が開発されている。例えば、ポリビニルカルバ
ゾールから調製された電荷移送コンプレックスは米国特
許第4,047,948号、第4、.346.158号
および第4,388,392号に開示されている。ポリ
ビニルカルバゾール層を用いる感光体は、現在の感光体
必要条件に照したとき、電気的および機械的性質の両方
において比較的貧弱な静電複写性能を示している。ジ第
2級アミンとシイオドアリール化合物の縮合により調製
した高分子量り−ルアミン分子は1981年8月260
に公開され、1984年5月16日に公告されたヨーロ
ッパ特許公報第34,425号に開示されている。これ
らのポリマーは極端にもろくまた極めて物理的劣下を受
けやすいフィルムを形成するので、その可撓性ヘルド形
状での使用は困難である。即ち、液体現像剤系に露出す
る多層型ベルト感光体を用いる進歩した像形成システム
においては、クランキングおよびクレージングがベルト
サイクル操作中の臨界的電荷移送層中で生じている。
サイクル提作中の電荷移送層中に発現するタラツクニオ
コピー品質に悪影N′l(を及:よす曳写十り欠陥とし
て示すことができる。さらにまた、感光体中○クラック
はクリーニンク工程において(除去てき1よ・、・トナ
ート立子を捕獲し、このトナー電子:まその後の複写物
中の背景に転写し得る。しかも、クランク領域はブレー
ドクリーニング装置と接触したとき:まがf′l−(離
層)を受け、かくして電子写真製品設計の融通性を制限
する。
コピー品質に悪影N′l(を及:よす曳写十り欠陥とし
て示すことができる。さらにまた、感光体中○クラック
はクリーニンク工程において(除去てき1よ・、・トナ
ート立子を捕獲し、このトナー電子:まその後の複写物
中の背景に転写し得る。しかも、クランク領域はブレー
ドクリーニング装置と接触したとき:まがf′l−(離
層)を受け、かくして電子写真製品設計の融通性を制限
する。
ポリカーボネートのような各種の[封脂中に分散または
溶解させた小分子アリールアミン(ヒ合物を含む電荷移
送層を有する感光体は当該技術において公知である。同
随に、ペンダントアリールアミンを有するポリビニル力
ルハゾーノベポリメククリレートのような分子を含有す
る高分子アリールアミンを1吏用した感光体も公知であ
るっさろに、シ第2級アミンとジーイオドアリール化合
物との縮合ポリマーも従来技術において記載されて戸る
。
溶解させた小分子アリールアミン(ヒ合物を含む電荷移
送層を有する感光体は当該技術において公知である。同
随に、ペンダントアリールアミンを有するポリビニル力
ルハゾーノベポリメククリレートのような分子を含有す
る高分子アリールアミンを1吏用した感光体も公知であ
るっさろに、シ第2級アミンとジーイオドアリール化合
物との縮合ポリマーも従来技術において記載されて戸る
。
カナダ特許第1,171,431号(1981年8月2
6日に公開され、1934年5月16日に公告されたヨ
ーロンパ特許出願第34,425号に相応する)には、
ジ第2級アミンとジーイオドアリール化合物との縮合ポ
リマーが例えば実施例■とXに開示されている。
6日に公開され、1934年5月16日に公告されたヨ
ーロンパ特許出願第34,425号に相応する)には、
ジ第2級アミンとジーイオドアリール化合物との縮合ポ
リマーが例えば実施例■とXに開示されている。
ストルカ等の゛′ホールトランスポートインポリマーズ
オブアロマテインクアミンーコンティニンクメタクリレ
ー) (Hole Transport +n Po
lymersof 八romatic Amine
−Containing Methacrylate
s) 、ジャーナルオブポリマーサイエンス(Jou
rnal ofPolymer 5ctence) :
ポリマーケミストリーエデインヨ7 (Polymer
Chemistry Edition)、Vol、2
1.969(1983)”には、正孔移送が高分子量ア
リールアミン置換ポリヌククリレート中で開示されてい
る。モノマーの合成、その重合、およびこれらポリマー
の一般的性質も記載されている。
オブアロマテインクアミンーコンティニンクメタクリレ
ー) (Hole Transport +n Po
lymersof 八romatic Amine
−Containing Methacrylate
s) 、ジャーナルオブポリマーサイエンス(Jou
rnal ofPolymer 5ctence) :
ポリマーケミストリーエデインヨ7 (Polymer
Chemistry Edition)、Vol、2
1.969(1983)”には、正孔移送が高分子量ア
リールアミン置換ポリヌククリレート中で開示されてい
る。モノマーの合成、その重合、およびこれらポリマー
の一般的性質も記載されている。
1977年10月4日付でストルカ等に付与された米国
特許第4,052,205号には、移送層中にポIJ
N−ヒ゛ニルカルバ 活性ポリマーを含む感光性像形成部材が開示されている
(例えば、第5(閘45行〜第6[閏27行)。
特許第4,052,205号には、移送層中にポIJ
N−ヒ゛ニルカルバ 活性ポリマーを含む感光性像形成部材が開示されている
(例えば、第5(閘45行〜第6[閏27行)。
活性ポリマーの誘導体はヒドロキシ置換し得る(例えば
、第5欄、62〜65行)。
、第5欄、62〜65行)。
1981年5月5日付でストルカ等に付与された米国特
許第4,265,990号には、小分+7りールアミン
とポリカーボネート樹脂バインダーを含む移送層が開示
されている。
許第4,265,990号には、小分+7りールアミン
とポリカーボネート樹脂バインダーを含む移送層が開示
されている。
1983年11月15日付でテトラ等に付与された米国
特許第4,415,641号には、カルバゾール誘導体
を含む電子写真感光性要素が開示されている(第3欄1
〜14行参照)。R2はヒドロキシ基を表わし得る。
特許第4,415,641号には、カルバゾール誘導体
を含む電子写真感光性要素が開示されている(第3欄1
〜14行参照)。R2はヒドロキシ基を表わし得る。
■986年5月13日付でストルカ等に付与された米国
特許第4,588,666号には、テトラフェニルビフ
ェニルジアミンのアルコキソ誘NL 体ヲ含む正孔移送
分子が開示されている(第3欄33〜66行参照)。R
1およびR2はメトキシを包含するアルコキシ基を示す
。ポリビニルカルバゾール、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリビニルブチラール、ポリヒドロキシエ
ーテルのような樹脂を正孔移送用分子のバインダーとじ
て使用できる。
特許第4,588,666号には、テトラフェニルビフ
ェニルジアミンのアルコキソ誘NL 体ヲ含む正孔移送
分子が開示されている(第3欄33〜66行参照)。R
1およびR2はメトキシを包含するアルコキシ基を示す
。ポリビニルカルバゾール、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリビニルブチラール、ポリヒドロキシエ
ーテルのような樹脂を正孔移送用分子のバインダーとじ
て使用できる。
1977年9月13日付でA、 M、ホーガンに付与さ
れた米国特許第4,047,948号にはポリビニルカ
ルバゾールを含み得る層を含む感光体が開示されている
。移送層中の小分チアり−ルアミン活性化用化合物の使
用も開示されている。好ましい小分子樹脂バインダーは
ポリカーボネート樹脂である。
れた米国特許第4,047,948号にはポリビニルカ
ルバゾールを含み得る層を含む感光体が開示されている
。移送層中の小分チアり−ルアミン活性化用化合物の使
用も開示されている。好ましい小分子樹脂バインダーは
ポリカーボネート樹脂である。
1982年8月24日付でペイ等に付与された米国特許
第、l、346,158号にはポリビニルカルバゾール
を含み得る感光体が開示されている。移送層中の小分子
アリールアミン活性化用化合物の使用も開示されている
。好ましい小分子樹脂バインダーはポリカーボネート樹
脂である。
第、l、346,158号にはポリビニルカルバゾール
を含み得る感光体が開示されている。移送層中の小分子
アリールアミン活性化用化合物の使用も開示されている
。好ましい小分子樹脂バインダーはポリカーボネート樹
脂である。
1987年6月140付でカトウ等に付与された米国特
許第4,388,392号には、ポリビニルカルバゾー
ルを含み得る感光体が開示されている。
許第4,388,392号には、ポリビニルカルバゾー
ルを含み得る感光体が開示されている。
電荷移送層中の電子供与性高分子光導電体中に混入させ
た電子供与性多環式芳香族炭化水素の使用も開示されて
いる。
た電子供与性多環式芳香族炭化水素の使用も開示されて
いる。
1981年6月16日付でペイ等に付与された米国特許
第4.273.84G号には、ポリカーボネート樹脂材
料と了り−ルアミンとを含む像形成部材が開示されてい
る(第2欄21〜34行の一般式参照)。ポリ−N−ビ
ニルカルバゾールは励起層中で使用できる。
第4.273.84G号には、ポリカーボネート樹脂材
料と了り−ルアミンとを含む像形成部材が開示されてい
る(第2欄21〜34行の一般式参照)。ポリ−N−ビ
ニルカルバゾールは励起層中で使用できる。
1974年10月9日付でツチャ等に付与された米国特
許第3,844,781号には、ヒドロキシル、アミノ
およびアルコキシ基のような置換基を含む種々の光導電
性物質が開示されている。
許第3,844,781号には、ヒドロキシル、アミノ
およびアルコキシ基のような置換基を含む種々の光導電
性物質が開示されている。
1975年6月17日付でナガシマ等に伺与された米国
特許第3.890.146号には、ヒドロキシル、アミ
ノおよびアルコキシ基のような置換基を含む種々の光導
電性物質が開示されている。
特許第3.890.146号には、ヒドロキシル、アミ
ノおよびアルコキシ基のような置換基を含む種々の光導
電性物質が開示されている。
1986年5月13日付でジョネスに付り、された米国
特許第4.588,667号には、基体、チタン金属層
、シロキサンブロッキング層、接若層、電荷励起バイン
ダー層、および電荷移送層とを有する多層型像形成部材
を包含するオーバーコーテイング型電子写真像形成部材
が開示されている。
特許第4.588,667号には、基体、チタン金属層
、シロキサンブロッキング層、接若層、電荷励起バイン
ダー層、および電荷移送層とを有する多層型像形成部材
を包含するオーバーコーテイング型電子写真像形成部材
が開示されている。
移送層はポリカーボネート樹脂のような樹脂バインダー
中に約25〜約75重量%のアリールアミン移送物質を
含み得る。
中に約25〜約75重量%のアリールアミン移送物質を
含み得る。
即ち、クラッキング、クレージング、はがれ、軟質化、
膨潤、活性化合物の結晶化、活性化合物の相分離および
活性化合物の浸出に対する改良された抵抗性を有する多
層型感光体が求められている。インク適応性条件以外に
も、電荷移送層中の活性化合物はまた電荷保持に対する
高抵抗性、急速放電に対する高正孔移動性、および長寿
命における機械的強じん性も有しなければならない。
膨潤、活性化合物の結晶化、活性化合物の相分離および
活性化合物の浸出に対する改良された抵抗性を有する多
層型感光体が求められている。インク適応性条件以外に
も、電荷移送層中の活性化合物はまた電荷保持に対する
高抵抗性、急速放電に対する高正孔移動性、および長寿
命における機械的強じん性も有しなければならない。
従って、本発明の1つの目的は上述の欠点を克服する改
良された高分子ターシャリ−アリールアミン化合物およ
びこの高分子化合物を含む感光性部材を提供することで
ある。
良された高分子ターシャリ−アリールアミン化合物およ
びこの高分子化合物を含む感光性部材を提供することで
ある。
本発明の別の目的は液体インクキャリヤー液によって誘
起されるクラッキングおよびクレージングに対するより
大きい抵抗性を示す改良された電子写真部材を提供する
ことである。
起されるクラッキングおよびクレージングに対するより
大きい抵抗性を示す改良された電子写真部材を提供する
ことである。
本発明のさらに別の目的は小直径ロールの周りをベルト
タイプ形状で機械的にサイクル操作するときにクランキ
ングおよびクレージングに対してより大きい抵抗性を示
す改良された電子写真部材を提供することである。
タイプ形状で機械的にサイクル操作するときにクランキ
ングおよびクレージングに対してより大きい抵抗性を示
す改良された電子写真部材を提供することである。
本発明のさらに別の目的は液体現像中の成分浸出に対す
る改良された抵抗性を示す光導電性像形成部材を提供す
ることである。
る改良された抵抗性を示す光導電性像形成部材を提供す
ることである。
本発明のさらに別の目的は液体現像中の成分結晶化に対
する改良された抵抗性を示す光導電性像形成部材を提供
することである。
する改良された抵抗性を示す光導電性像形成部材を提供
することである。
本発明のさらに別の目的はサイクル操作中に安定な電気
的性質を保持する電子写真像形成部材を提供することで
ある。
的性質を保持する電子写真像形成部材を提供することで
ある。
本発明のさらに別の目的はブレードクリーニング装置に
供したとき摩耗に耐える改良された電子写真部材を提供
することである。
供したとき摩耗に耐える改良された電子写真部材を提供
することである。
本発明のさらに別の目的は液体インクキャリヤー液にさ
らしたとき軟質化および膨潤に対する抵抗性を示す改良
された光導電性像形成部材を提供することである。
らしたとき軟質化および膨潤に対する抵抗性を示す改良
された光導電性像形成部材を提供することである。
上記および他の目的は、本発明によれば、次式で示され
る高分子アリールアミン化合物を提供することによって
達成される: 〔式中、Rは−H1CH3および−C2Hsからなる群
より選ばれ; mは約4〜約1,000であり; Aは式: で示されるアリールアミン基、および Ar (X)、lAr− (式中、mはO宏たは1であり、Zは および−Ar (X)n−Ar − からなる群より選ばれ、nは0または1であり、八rは からなる群より選ばれ、Rは−CH3、CzHs 、
CzH7、および−C4Hqからなる群より選ばれ、A
r’は 〉 からなる群より選ばれ、Xは からなる群より選ばれる) からなる群より選ばれ; BはAで定義したアリールアミン基、および− A r
−←■+7−−A r − (式中、計は前述したとおりであり、■ばからなる群よ
り選ばれる) からなる群から選ばれ;そして 少なくともAまたはBが上記アリールアミン基を包含す
る。〕 本発明の高分子子り−ルアミン化合物は、電導性表面を
有する基体、電荷ブロッキング層、電荷励起層および正
孔移送層とを含む電子写真像形成一 部材において使用し、少なくとも上記の電荷励起層また
は電荷移送層が本発明の上記高分子アリールアミン化合
物を含む。
る高分子アリールアミン化合物を提供することによって
達成される: 〔式中、Rは−H1CH3および−C2Hsからなる群
より選ばれ; mは約4〜約1,000であり; Aは式: で示されるアリールアミン基、および Ar (X)、lAr− (式中、mはO宏たは1であり、Zは および−Ar (X)n−Ar − からなる群より選ばれ、nは0または1であり、八rは からなる群より選ばれ、Rは−CH3、CzHs 、
CzH7、および−C4Hqからなる群より選ばれ、A
r’は 〉 からなる群より選ばれ、Xは からなる群より選ばれる) からなる群より選ばれ; BはAで定義したアリールアミン基、および− A r
−←■+7−−A r − (式中、計は前述したとおりであり、■ばからなる群よ
り選ばれる) からなる群から選ばれ;そして 少なくともAまたはBが上記アリールアミン基を包含す
る。〕 本発明の高分子子り−ルアミン化合物は、電導性表面を
有する基体、電荷ブロッキング層、電荷励起層および正
孔移送層とを含む電子写真像形成一 部材において使用し、少なくとも上記の電荷励起層また
は電荷移送層が本発明の上記高分子アリールアミン化合
物を含む。
本発明の電子写真像形成部材は任意の適当な電子写真像
形成法において使用できる。
形成法において使用できる。
一般に、本発明の高置チアり−ルアミン化合物は、次式
: (式中、m、 Ar、 Ar ’およびZは前述したと
おりである) で示されるヒドロキシアリールアミン、および式:%式
% (式中、ArおよびVは前述したとおりである)で示さ
れるヒドロキシジフェニレン化合物からなるヒドロキシ
化合物を式: (式中、m、Z、ArおよびAr’は前述したとおりで
ある) で示されるジグリシジルアリールアミン化合物、および
弐: (式中、Ar、 Vおよびnは前述したとおりである)
で示されるジグリシジルジフェニレン化合物からなる群
から選ばれた反応物と反応させることによって31’E
I mでき、そして使用する反応物の少なくとも1つは
、式: で示されるアリールアミン基を含有する。
: (式中、m、 Ar、 Ar ’およびZは前述したと
おりである) で示されるヒドロキシアリールアミン、および式:%式
% (式中、ArおよびVは前述したとおりである)で示さ
れるヒドロキシジフェニレン化合物からなるヒドロキシ
化合物を式: (式中、m、Z、ArおよびAr’は前述したとおりで
ある) で示されるジグリシジルアリールアミン化合物、および
弐: (式中、Ar、 Vおよびnは前述したとおりである)
で示されるジグリシジルジフェニレン化合物からなる群
から選ばれた反応物と反応させることによって31’E
I mでき、そして使用する反応物の少なくとも1つは
、式: で示されるアリールアミン基を含有する。
触媒は反応に使用できる。典型的な触媒には炭酸アンモ
ニウム、酢酸アンモニウム、重炭酸アンモニウム、炭酸
カリウム、トリエタノールアミン、トリフェニルホスフ
ィン、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロオキサイ
ドおよびテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイドが
ある。
ニウム、酢酸アンモニウム、重炭酸アンモニウム、炭酸
カリウム、トリエタノールアミン、トリフェニルホスフ
ィン、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロオキサイ
ドおよびテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイドが
ある。
トリフェニルアミンが著しく反応時間を短縮するので好
ましい。
ましい。
必要ならば、得られる高分子アリールアミンのヒドロキ
シ末端基はKOHのような強塩基およびCH3T 、
C21(S Iのようなアルキル化剤等で処理すること
によってアルコキシ末端基に転喚してもよい。OH末端
基のアルコキシ基による互換はOf(基がポリマーのア
リールアミン部分の末端フェニレン基のバラ位に存在す
るときに臨界的である。何故ならば、そのようなポリマ
ーはそのポリマーを用いる電子写真像形成部材中で許容
できない亮水準の篭筒捕捉を引き起すからである。
シ末端基はKOHのような強塩基およびCH3T 、
C21(S Iのようなアルキル化剤等で処理すること
によってアルコキシ末端基に転喚してもよい。OH末端
基のアルコキシ基による互換はOf(基がポリマーのア
リールアミン部分の末端フェニレン基のバラ位に存在す
るときに臨界的である。何故ならば、そのようなポリマ
ーはそのポリマーを用いる電子写真像形成部材中で許容
できない亮水準の篭筒捕捉を引き起すからである。
上記の反応は次の一般的反応弐によって表わし得る:
上記のヒドロキシアリールアミン式で示される化合物は
アルコキシアリールアミンを加水分解することによって
調製できる。アルコキシアリールアミンを調製する典型
的な方法はストルカ等の米国特許第4.588,666
号の実施例1に開示されており、その記載はすべて参考
として本明細書に引用する。米国特許第4,588,6
66号の実施例1の手順に従って、N、N’−ジ(3−
メトキシフェニル)N、N’−シフェニルグ1,1’−
ビフェニル〕−4,4′シアミンはm−イオドアニソー
ルから合成して90%の収率でm、p、120〜125
℃を得た。N、 N’−ジフェニル−N。
アルコキシアリールアミンを加水分解することによって
調製できる。アルコキシアリールアミンを調製する典型
的な方法はストルカ等の米国特許第4.588,666
号の実施例1に開示されており、その記載はすべて参考
として本明細書に引用する。米国特許第4,588,6
66号の実施例1の手順に従って、N、N’−ジ(3−
メトキシフェニル)N、N’−シフェニルグ1,1’−
ビフェニル〕−4,4′シアミンはm−イオドアニソー
ルから合成して90%の収率でm、p、120〜125
℃を得た。N、 N’−ジフェニル−N。
N′−ビス(3−ヒドロキシフェニル)−C1゜1′−
ビフェニルニー4.、r’−ジアミンは、例えば、N、
N’−ジ(3−メトキンフェニル)−N、 N’
−ジフェニル−〔1,1′−ビフェニルクー4.4’−
ジアミンから、fil的撹拌器およびアルゴンガス入口
を備えた2β三つ日丸底フラスコに137.5gのN、
N’ −ジフェニル−N、 N’−ビス(3−メトキシ
フェニル)−C1,1’ −ビフェニルツー4.4′−
ジアミン(0,25モル)、233、5 gの無水沃化
す) IJウム(1,5モル)および500dの加温ス
ルホラン(蒸留したもの)を導入することによって調製
した。フラスコ内容物を120℃に加熱し次いで60℃
に冷却した。
ビフェニルニー4.、r’−ジアミンは、例えば、N、
N’−ジ(3−メトキンフェニル)−N、 N’
−ジフェニル−〔1,1′−ビフェニルクー4.4’−
ジアミンから、fil的撹拌器およびアルゴンガス入口
を備えた2β三つ日丸底フラスコに137.5gのN、
N’ −ジフェニル−N、 N’−ビス(3−メトキシ
フェニル)−C1,1’ −ビフェニルツー4.4′−
ジアミン(0,25モル)、233、5 gの無水沃化
す) IJウム(1,5モル)および500dの加温ス
ルホラン(蒸留したもの)を導入することによって調製
した。フラスコ内容物を120℃に加熱し次いで60℃
に冷却した。
5 m(lのり、1.水を滴下しながら加え、次いで1
90.5mlのトリメチル(−クロロシラン)(1,5
モル)を加えた。内容物を6時間リフラ・7クスせしめ
た。HP L C分析を用いて反応が完了したときを測
定した。フラスコ内容物を1.5βの脱イオン水を含有
する3乏エーレンマイヤーフラスコ中に注いだ。水層を
デカンテーションし、暗色の油状残留物を500ny2
メタノール中に捕集した。メタノール?容ン夜を2部の
400mffヘキサンで抽出処理してヘキサメチルジシ
ロキナン副生成物を除去した。メタノール溶液は回転医
発させて溶媒を除去した。残留物を500mffのアセ
l−ン中に溶解し、次いで1.5ffの脱イオン中に沈
澱させた。灰白色固形分を濾過し、次いで脱イオン水で
洗浄し真空乾燥させた。粗N、N’−ジフェニル−N、
N’−ビス(3−ヒドロキシフェニル)−(1,M−ビ
フェニル)−4,4’−ジアミンをマグネチソクスター
ラーと1βのトルエンを含む21丸底フラスコ中に入れ
た。50gのフロリシル(Florisil、フロリゾ
イン社の登録商標)をフラスコに加え2時間攪拌せしめ
た。暗色フロリシルは濾別除去して薄黄色トルエン溶液
を残存させた。1−ルエンを回転蒸発させて薄黄色粘稠
油状物を得た。この油状生成物を400mj!のアセト
ンに溶解し、次いで400m1lのへブタンで希釈して
結晶化させた。無色結晶を濾過した。追加の生成物を濾
液からアセトンを回転蒸発させることによって得た。収
率は85%であり、m、p、 113〜117℃であっ
た。ヒドロキシアリールアミン化合物の前記式で示され
る代表的な化合物には次の如きものが包含される: 前記式で示される化合物にはN、N’−ジフェニル−N
、N’−ビス(3−ヒドロキシフェニル)−C1,1’
−ビフェニル)−4,4’−ジアミン、N、N’−ジ(
4−ヒドロキシフェニル)−m−)ルイジン;ビス((
N−(3−ヒドロキシフェニル)−N−フェニル)−4
−アミノフェニルツーイソプロピリデン、N、N’−ジ
フェニル−N、N’−ビス(3−ヒドロキシフェニル)
−(1,1’ :4’、l’−ターフェニル〕−4゜4
“−ジアミン;9−エチル−3,6−ビス〔N−フェニ
ル−N−3(3−ヒドロキシフェニル)−アミノ〕−カ
ルバゾール;1,4−ビス(N−フェニル−N−(3−
ヒドロキシフェニル)〕−フエニレンジアミン等がある
。
90.5mlのトリメチル(−クロロシラン)(1,5
モル)を加えた。内容物を6時間リフラ・7クスせしめ
た。HP L C分析を用いて反応が完了したときを測
定した。フラスコ内容物を1.5βの脱イオン水を含有
する3乏エーレンマイヤーフラスコ中に注いだ。水層を
デカンテーションし、暗色の油状残留物を500ny2
メタノール中に捕集した。メタノール?容ン夜を2部の
400mffヘキサンで抽出処理してヘキサメチルジシ
ロキナン副生成物を除去した。メタノール溶液は回転医
発させて溶媒を除去した。残留物を500mffのアセ
l−ン中に溶解し、次いで1.5ffの脱イオン中に沈
澱させた。灰白色固形分を濾過し、次いで脱イオン水で
洗浄し真空乾燥させた。粗N、N’−ジフェニル−N、
N’−ビス(3−ヒドロキシフェニル)−(1,M−ビ
フェニル)−4,4’−ジアミンをマグネチソクスター
ラーと1βのトルエンを含む21丸底フラスコ中に入れ
た。50gのフロリシル(Florisil、フロリゾ
イン社の登録商標)をフラスコに加え2時間攪拌せしめ
た。暗色フロリシルは濾別除去して薄黄色トルエン溶液
を残存させた。1−ルエンを回転蒸発させて薄黄色粘稠
油状物を得た。この油状生成物を400mj!のアセト
ンに溶解し、次いで400m1lのへブタンで希釈して
結晶化させた。無色結晶を濾過した。追加の生成物を濾
液からアセトンを回転蒸発させることによって得た。収
率は85%であり、m、p、 113〜117℃であっ
た。ヒドロキシアリールアミン化合物の前記式で示され
る代表的な化合物には次の如きものが包含される: 前記式で示される化合物にはN、N’−ジフェニル−N
、N’−ビス(3−ヒドロキシフェニル)−C1,1’
−ビフェニル)−4,4’−ジアミン、N、N’−ジ(
4−ヒドロキシフェニル)−m−)ルイジン;ビス((
N−(3−ヒドロキシフェニル)−N−フェニル)−4
−アミノフェニルツーイソプロピリデン、N、N’−ジ
フェニル−N、N’−ビス(3−ヒドロキシフェニル)
−(1,1’ :4’、l’−ターフェニル〕−4゜4
“−ジアミン;9−エチル−3,6−ビス〔N−フェニ
ル−N−3(3−ヒドロキシフェニル)−アミノ〕−カ
ルバゾール;1,4−ビス(N−フェニル−N−(3−
ヒドロキシフェニル)〕−フエニレンジアミン等がある
。
前述のヒドロキンジフェニレン化合物の式で示される化
合物には次の如きものがある:前述のジグリシジルアリ
ールアミン化合物の式で表わされる化合物は上記式によ
ってエビブロモヒドリンまたはエビクロロヒドリン(ア
ルドリッチケミカル社)によって調製できる。典型的な
反応はアルゴンを約10分間パップリングさせているN
−メチルピロリジノン200mffを用いて行い得る0
次いで、l1gの粉末KOHを攪拌しながら加える。こ
の混合物は約20分間攪拌した。
合物には次の如きものがある:前述のジグリシジルアリ
ールアミン化合物の式で表わされる化合物は上記式によ
ってエビブロモヒドリンまたはエビクロロヒドリン(ア
ルドリッチケミカル社)によって調製できる。典型的な
反応はアルゴンを約10分間パップリングさせているN
−メチルピロリジノン200mffを用いて行い得る0
次いで、l1gの粉末KOHを攪拌しながら加える。こ
の混合物は約20分間攪拌した。
次いで、N、N’−ジフェニル−N、N’−4−ヒドロ
キシフェニル−(1,1’−ビフェニルツー4.4’−
ジアミン(0,078モル)42.8gを粒状で攪拌し
ながら加える。溶解後、反応混合物を約10°Cに冷却
する。エビブロモヒドリンを滴下して攪拌しながら加え
る。%の添加を終えたのら、水浴を取り除いて、添加を
終了させる。反応は添加終了後2時間攪拌させる。反応
を水中で冷却する。華離した生成物をエチルアルコール
から再結晶できる。30gを単離した(収率50%)ジ
グリシジルアリールアミン化合物の前述の式で示される
化合物には次の如きものがある:\; 前記式で示される化合物には、N、N’−ジフェニル−
N、N’−ビス(3−(2,3−エポキシプロピル)フ
ェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジア
ミン、N、N’−ジ(4−(2,3−エポキシプロピル
)−フェニル)−アニリン;1.■−ビス(4−(N−
3−(2,3−エポキシプロピル)フェニル)−4−(
N−フェニル)−アミノフェニル)−シクロヘキサン;
ビス(N−(3−(2,3−エポキシプロピル)フェニ
ル)−N−フェニル−4−アミノフェニル〕−メタン;
ビスCN−(4−(2,3−エポキシプロピル)フェニ
ル)−N−フェニル−4−アミノフェニル〕−イソプロ
ピリデン、N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(3
−(2,3−エポキシプロピル)フェニル)−(1,1
:4’、IA−ターフェニル)−4,4’−ジアミン;
9−エチル−3,6−ビス〔N−フェニル−N−(3−
(2,3−エポキシプロピル)フェニル)−アミノコ−
カルボゾール;1,4−ビス〔N−フェニル−N−(3
−(2,3−エポキシプロピル)フェニル〕−フェニレ
ンジアミン等がある。
キシフェニル−(1,1’−ビフェニルツー4.4’−
ジアミン(0,078モル)42.8gを粒状で攪拌し
ながら加える。溶解後、反応混合物を約10°Cに冷却
する。エビブロモヒドリンを滴下して攪拌しながら加え
る。%の添加を終えたのら、水浴を取り除いて、添加を
終了させる。反応は添加終了後2時間攪拌させる。反応
を水中で冷却する。華離した生成物をエチルアルコール
から再結晶できる。30gを単離した(収率50%)ジ
グリシジルアリールアミン化合物の前述の式で示される
化合物には次の如きものがある:\; 前記式で示される化合物には、N、N’−ジフェニル−
N、N’−ビス(3−(2,3−エポキシプロピル)フ
ェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジア
ミン、N、N’−ジ(4−(2,3−エポキシプロピル
)−フェニル)−アニリン;1.■−ビス(4−(N−
3−(2,3−エポキシプロピル)フェニル)−4−(
N−フェニル)−アミノフェニル)−シクロヘキサン;
ビス(N−(3−(2,3−エポキシプロピル)フェニ
ル)−N−フェニル−4−アミノフェニル〕−メタン;
ビスCN−(4−(2,3−エポキシプロピル)フェニ
ル)−N−フェニル−4−アミノフェニル〕−イソプロ
ピリデン、N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(3
−(2,3−エポキシプロピル)フェニル)−(1,1
:4’、IA−ターフェニル)−4,4’−ジアミン;
9−エチル−3,6−ビス〔N−フェニル−N−(3−
(2,3−エポキシプロピル)フェニル)−アミノコ−
カルボゾール;1,4−ビス〔N−フェニル−N−(3
−(2,3−エポキシプロピル)フェニル〕−フェニレ
ンジアミン等がある。
ジグリシジルジフェニル化合物の前述の式で示される典
型的な化合物には次の如きものがある:【 前記式で示される化合物には、ジ(4−(2゜3−エポ
キシプロピル)フェニル)−エーテル;ジー(3−(2
,3−エポキシプロピル)フェニル)−エーテル;ジー
(4−(2,3−エポキシプロピル)フェニル)−メタ
ン;ジー(3−(2゜3−エポキシプロピル)フェニル
)−イソプロピリデン;ジ(4−(2,3−エポキシプ
ロピル)フェニル)−イソプロピリデン;ジ(4−(2
゜3−エポキシプロピル)フェニル)−チオエーテル;
・i、4″−ジ(2,3−エポキシプロピル)−1,1
’:3’、I“−ターフェニル等がある。
型的な化合物には次の如きものがある:【 前記式で示される化合物には、ジ(4−(2゜3−エポ
キシプロピル)フェニル)−エーテル;ジー(3−(2
,3−エポキシプロピル)フェニル)−エーテル;ジー
(4−(2,3−エポキシプロピル)フェニル)−メタ
ン;ジー(3−(2゜3−エポキシプロピル)フェニル
)−イソプロピリデン;ジ(4−(2,3−エポキシプ
ロピル)フェニル)−イソプロピリデン;ジ(4−(2
゜3−エポキシプロピル)フェニル)−チオエーテル;
・i、4″−ジ(2,3−エポキシプロピル)−1,1
’:3’、I“−ターフェニル等がある。
次は特定のジグリシジルジフェニレン化合物と特定のジ
ヒドロキシアリールアミン化合物との反応およびその後
の得られるポリマーのヒドロキシ基のメトキシ基による
置換を具体的に示す:亡口 (mの値は約18〜約19である) N、 N’−ジく4−ヒドロキシフェニル)−N。
ヒドロキシアリールアミン化合物との反応およびその後
の得られるポリマーのヒドロキシ基のメトキシ基による
置換を具体的に示す:亡口 (mの値は約18〜約19である) N、 N’−ジく4−ヒドロキシフェニル)−N。
N’−’;フェニルーC1,l’h”フェニル〕−4,
4’ −ジアミンとビス(4−(2,3−エポキシプロ
ピル)フェニル)−イソプロピリデンjこ基づくポリヒ
ドロキシエーテル樹脂、フェノキシ樹脂の調製: 反応容器に、5.2g(0,01モル)の上記ジヒドロ
キシアリールアミン化合物と3.4g(0,01モル)
の上記ジグリシジルジフェニレン化合物、5ccのp−
ジオキサンおよび0.52g(LO−2モル/エポキシ
ド当量)のトリフェニルホスフィン(CsHs)3pを
加えた。反応混合物を加熱し102±1℃に9日間維持
した。室温に冷却したときガラスに固化する極めて粘稠
な塊りを最少量のTHFに溶解し、ウォーリングベレン
ダー中で500ccのMeOH中にゆっくり加えて単離
した(収率85.6%)。
4’ −ジアミンとビス(4−(2,3−エポキシプロ
ピル)フェニル)−イソプロピリデンjこ基づくポリヒ
ドロキシエーテル樹脂、フェノキシ樹脂の調製: 反応容器に、5.2g(0,01モル)の上記ジヒドロ
キシアリールアミン化合物と3.4g(0,01モル)
の上記ジグリシジルジフェニレン化合物、5ccのp−
ジオキサンおよび0.52g(LO−2モル/エポキシ
ド当量)のトリフェニルホスフィン(CsHs)3pを
加えた。反応混合物を加熱し102±1℃に9日間維持
した。室温に冷却したときガラスに固化する極めて粘稠
な塊りを最少量のTHFに溶解し、ウォーリングベレン
ダー中で500ccのMeOH中にゆっくり加えて単離
した(収率85.6%)。
上記フェノキシ樹脂のアルキル化は4gの上記ポリマー
を溶解したN−メチルピロリジノン(アルドリンチケミ
カル社)10m7!中で行う。この溶液に1gの粉末に
○■4を加える。得られた黄色ン容ン夜にCH31,2
mlをカロえ、5 mj!のN−メチルピロリジノンで
稀釈した。これを約2時間攪拌せしめる。反応を50c
cのMeOH中で急冷させる。白色pptを濾過して集
成する。赤外スペクトルはすべてのOHがブロックされ
ていることを示した。
を溶解したN−メチルピロリジノン(アルドリンチケミ
カル社)10m7!中で行う。この溶液に1gの粉末に
○■4を加える。得られた黄色ン容ン夜にCH31,2
mlをカロえ、5 mj!のN−メチルピロリジノンで
稀釈した。これを約2時間攪拌せしめる。反応を50c
cのMeOH中で急冷させる。白色pptを濾過して集
成する。赤外スペクトルはすべてのOHがブロックされ
ていることを示した。
メチル化前の高分子反応生成物はジヒドロキシアリール
アミン反応物からの硬質ロッド様移送用アリールアミン
部分とポリマーに良好な機械的性質を与えるジグリシジ
ル−ビス−フェノール共反応物からの可撓性ユニットと
を交互に含んでいた。
アミン反応物からの硬質ロッド様移送用アリールアミン
部分とポリマーに良好な機械的性質を与えるジグリシジ
ル−ビス−フェノール共反応物からの可撓性ユニットと
を交互に含んでいた。
メチル化前のポリマーの赤外スペクトルからは、多くの
末端基がジヒドロキシアリールアミン出発物質のヒドロ
キシ基を有していることを示した。
末端基がジヒドロキシアリールアミン出発物質のヒドロ
キシ基を有していることを示した。
このポリマーを無定形セレン光励起体層上に20μm厚
フィルムとして注型し電気的性質について試験したとき
は、装置は、良好なフィルム形成性および機械的性質を
有していたにもかかわらず、静電複写用途においては使
用できない程の高水準の捕捉を示していた。しかしなが
ら、メチル化前の高分子反応生成物を塩基(KOH)お
よびメチル化材(CH3I )による処理によって完全
メチル化ポリマーB(フェノール性末端基および主鎖中
のヒドロキシ単位の両方を含む)に転換したときには、
メチル化前の高分子反応生成物と同じ試験条件でのメチ
ル化ポリマーの電気的評価は、メチル化ポリマーが正孔
移送能力において良好に機能したところ、即ら、高易動
性と低残留性を有していたことを示した。良好な正孔移
送能力を得るのに、メチル化はヒドロキシ基がアリール
アミン部分のフェニレン基のパラ位に存在するときのみ
必要であるようである。メチル化はヒドロキシ基が了り
−ルアミン部分のフェニレン基メタまたはオルソ位にあ
るときは必要でない。
フィルムとして注型し電気的性質について試験したとき
は、装置は、良好なフィルム形成性および機械的性質を
有していたにもかかわらず、静電複写用途においては使
用できない程の高水準の捕捉を示していた。しかしなが
ら、メチル化前の高分子反応生成物を塩基(KOH)お
よびメチル化材(CH3I )による処理によって完全
メチル化ポリマーB(フェノール性末端基および主鎖中
のヒドロキシ単位の両方を含む)に転換したときには、
メチル化前の高分子反応生成物と同じ試験条件でのメチ
ル化ポリマーの電気的評価は、メチル化ポリマーが正孔
移送能力において良好に機能したところ、即ら、高易動
性と低残留性を有していたことを示した。良好な正孔移
送能力を得るのに、メチル化はヒドロキシ基がアリール
アミン部分のフェニレン基のパラ位に存在するときのみ
必要であるようである。メチル化はヒドロキシ基が了り
−ルアミン部分のフェニレン基メタまたはオルソ位にあ
るときは必要でない。
次は特定のジグリシジルアリールアミン化合物と特定の
ジヒドロキシアリールアミン化合物間の具体的反応を示
すニ ー22・ N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(4−ヒ1−口
キジフェニル)−11,1’−ビフェニル〕−4..i
’−ジアミンとN、N’−ジフヱニルーN、N′−ビス
(4−(2,3−エポキシプロピル)フヱニル)−N、
1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミンに基づくポリ
ヒトI−トドジエーテル樹脂、フェノキシ樹脂の調装:
2種類の反応物、3.16 gの上記ジェポキシアリー
ルアミン化合物と2.6gの上記ヒドロキシアリールア
ミン化合物を2ccのジオキサンと0.026gの1−
リフェニルホスフィンを含む反応容器に入れた。反応は
加熱して105℃に3時間保った。
ジヒドロキシアリールアミン化合物間の具体的反応を示
すニ ー22・ N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(4−ヒ1−口
キジフェニル)−11,1’−ビフェニル〕−4..i
’−ジアミンとN、N’−ジフヱニルーN、N′−ビス
(4−(2,3−エポキシプロピル)フヱニル)−N、
1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミンに基づくポリ
ヒトI−トドジエーテル樹脂、フェノキシ樹脂の調装:
2種類の反応物、3.16 gの上記ジェポキシアリー
ルアミン化合物と2.6gの上記ヒドロキシアリールア
ミン化合物を2ccのジオキサンと0.026gの1−
リフェニルホスフィンを含む反応容器に入れた。反応は
加熱して105℃に3時間保った。
この反応時間中、ジオキサンを加えて粘度を攪拌に適す
るように維持した。殆んどゲル状の生成物をN−メチル
ピロリジノンとジオキサン中に溶解した。ポリマー沈澱
はMeOHで行った。収率は78%であった。
るように維持した。殆んどゲル状の生成物をN−メチル
ピロリジノンとジオキサン中に溶解した。ポリマー沈澱
はMeOHで行った。収率は78%であった。
前記反応において生成したポリマーとは異なり、移送用
部分に結合したフェノール末端基の数は実n的に減少し
、[多送用部分の含有量は57.8%から85.1%に
増大している。このポリマーは了り−ルアミン部分のフ
ェノール基のバラ位にヒドロキシ基を含んでいるけれど
も、このポリマーはその後のメチル基プロソキング工程
なしで正孔を移送する。しかも、ジグリシジルアリール
アミン化合物とジヒドロキシアリールアミン化合物との
反応によって生成したこのポリマーは鎖間水素結合を形
成し得る。この現象はその機械的強度を大いに増強し、
さらに、水素結合ができないポリマーに対しての疎油性
を増大させる。すべてのポリマーに誘導する合成工程お
よび重合工程自体は高収率である。
部分に結合したフェノール末端基の数は実n的に減少し
、[多送用部分の含有量は57.8%から85.1%に
増大している。このポリマーは了り−ルアミン部分のフ
ェノール基のバラ位にヒドロキシ基を含んでいるけれど
も、このポリマーはその後のメチル基プロソキング工程
なしで正孔を移送する。しかも、ジグリシジルアリール
アミン化合物とジヒドロキシアリールアミン化合物との
反応によって生成したこのポリマーは鎖間水素結合を形
成し得る。この現象はその機械的強度を大いに増強し、
さらに、水素結合ができないポリマーに対しての疎油性
を増大させる。すべてのポリマーに誘導する合成工程お
よび重合工程自体は高収率である。
任意の適当な溶媒を各反応物を溶解するのに使用できる
。典型的な溶媒にはジオキサン、テトラヒドロフラン等
がある。満足できる収率は約80〜約110°Cの反応
温度によって達成できる。使用する反応温度は、ある程
度、使用する特定の反応物に依存する。反応温度は加熱
マントル、放射加熱ランプ、油浴等の任意の適当な方法
による。
。典型的な溶媒にはジオキサン、テトラヒドロフラン等
がある。満足できる収率は約80〜約110°Cの反応
温度によって達成できる。使用する反応温度は、ある程
度、使用する特定の反応物に依存する。反応温度は加熱
マントル、放射加熱ランプ、油浴等の任意の適当な方法
による。
反応時間は反応温度と使用する反応物による。
即ら、短い反応時間は高温度を用いたときである。
−mに、反応時間の増大は重合度を増大させる。
満足できる結果は約り02℃°〜約105℃で約3日〜
約90間の反応時間で達成される。実施目的においては
、十分な重合度は反応生成物を反応温度で攪拌できなく
なる時間によって達成される。
約90間の反応時間で達成される。実施目的においては
、十分な重合度は反応生成物を反応温度で攪拌できなく
なる時間によって達成される。
反応は大気圧を含む任意の適当な厚刃下で行い得る。
十分な反応が形成されたかどうかは粘度をモニターする
ことによって決定できる。本発明の典型的な高分子子り
−ルアミン化合物に、例えば、次のようなものがある: 「−−°−“−′°−゛−゛−°゛−゛−:「−−“−
”−”−°−゛゛パ−゛°−゛−°−°−”°]; 廖 r −”−’“−: J ■ 本発明の好ましい高分子アリールアミンは約4、000
〜約40,000の分子量を存するN、N’−ジフェニ
ルーN、N’−ビス〔3−ヒドロキシフェニル)−(1
,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミンとビス(4
−(2,3−エポキシプロビル)フェニル)−イソプロ
ピリデンとの反応により得られたポリヒドロキシエーテ
ル樹脂がパラヒドロキシ置換子り−ルアミン末端基を有
しない好ましい樹脂である。これはその後の反応を必要
としないで最良の正孔移送を与える。この樹脂はまた主
鎖中にヒドロキシ官能性を保持して良好な物性をもたら
す。最も良好なものは次の式を有する。
ことによって決定できる。本発明の典型的な高分子子り
−ルアミン化合物に、例えば、次のようなものがある: 「−−°−“−′°−゛−゛−°゛−゛−:「−−“−
”−”−°−゛゛パ−゛°−゛−°−°−”°]; 廖 r −”−’“−: J ■ 本発明の好ましい高分子アリールアミンは約4、000
〜約40,000の分子量を存するN、N’−ジフェニ
ルーN、N’−ビス〔3−ヒドロキシフェニル)−(1
,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミンとビス(4
−(2,3−エポキシプロビル)フェニル)−イソプロ
ピリデンとの反応により得られたポリヒドロキシエーテ
ル樹脂がパラヒドロキシ置換子り−ルアミン末端基を有
しない好ましい樹脂である。これはその後の反応を必要
としないで最良の正孔移送を与える。この樹脂はまた主
鎖中にヒドロキシ官能性を保持して良好な物性をもたら
す。最も良好なものは次の式を有する。
r−”−”−”−””−−“−−一−−−−−゛−°゛
−本発明の光4電性像形成部材は電導性表面を有する基
体を用意し、この電導性表面上に電荷ブロッキング層を
適用し、このブロッキング層上に電荷励起層を適用し、
そしてこの電荷励起層上に電荷移送層を適用することに
よって作製できる。必要ならば、電荷移送層を電導性表
面に適用してもよいし、電荷励起層をその後電荷移送底
に適用してもよい。本発明の高分子子り−ルアミンは少
なくとも電荷励起層かあるいは電荷移送層中に存在する
。本発明の光導電性像形成部材を液体現像系で用いる場
合には、本発明の高分子アリールアミンは像形成部材の
少なくとも最外層中に存在することが好ましい。
−本発明の光4電性像形成部材は電導性表面を有する基
体を用意し、この電導性表面上に電荷ブロッキング層を
適用し、このブロッキング層上に電荷励起層を適用し、
そしてこの電荷励起層上に電荷移送層を適用することに
よって作製できる。必要ならば、電荷移送層を電導性表
面に適用してもよいし、電荷励起層をその後電荷移送底
に適用してもよい。本発明の高分子子り−ルアミンは少
なくとも電荷励起層かあるいは電荷移送層中に存在する
。本発明の光導電性像形成部材を液体現像系で用いる場
合には、本発明の高分子アリールアミンは像形成部材の
少なくとも最外層中に存在することが好ましい。
基体は不透明または実質的に透明であり得、所定の機械
的性質を有する多くの適当な材料を含み得る。従って、
基体は無機または有機化合物のような電気的に非伝導性
または伝導性の層を含み得る。電気的に非伝導性の材料
としては、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミ
ド、ポリウレタン等を包含するこの目的において公知の
種々の材料を用い得る。電気絶縁性または電導性基体は
可撓質または硬質であり得、任意の多くの形状、例エバ
、円筒状、シーi・、スクロール、エンドレス可撓性ヘ
ルド等の形状を有し得る。好ましいのは、基体はエンド
レス可撓性ベルトの形であり、マイラー(E、1.デュ
ポン社より入手できる)またはメリネソクス(IC1社
より入手できる)として商業的に入手できる公知の二1
袖配向ポリエステルを含む。
的性質を有する多くの適当な材料を含み得る。従って、
基体は無機または有機化合物のような電気的に非伝導性
または伝導性の層を含み得る。電気的に非伝導性の材料
としては、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミ
ド、ポリウレタン等を包含するこの目的において公知の
種々の材料を用い得る。電気絶縁性または電導性基体は
可撓質または硬質であり得、任意の多くの形状、例エバ
、円筒状、シーi・、スクロール、エンドレス可撓性ヘ
ルド等の形状を有し得る。好ましいのは、基体はエンド
レス可撓性ベルトの形であり、マイラー(E、1.デュ
ポン社より入手できる)またはメリネソクス(IC1社
より入手できる)として商業的に入手できる公知の二1
袖配向ポリエステルを含む。
基体層の厚さは経済性を含む多くの要因による、即ち、
可撓性ベルト用の層は、最終光導電性装置に悪影習を与
えない限り、例えば200μm以上の実質的厚さまたは
50μm以下の最小厚さを有し得る。1つの可撓性ヘル
ドの態様においては、この基体層の厚さは、小直径ロー
ル例えば12mm直径L7−ルの周りでサイクル掻作す
るときの最適可(え性および伸縮性のために、約65〜
約150μm好ましくは約75〜約125μmの範囲で
ある。基体表面はコーティング前にクリーニングして付
着コーティングのより大きい接着を促進させることか好
ましい。クリーニングは基体層表面をプラズマ放電、イ
オンボンバード等に露出することによって行い得る。
可撓性ベルト用の層は、最終光導電性装置に悪影習を与
えない限り、例えば200μm以上の実質的厚さまたは
50μm以下の最小厚さを有し得る。1つの可撓性ヘル
ドの態様においては、この基体層の厚さは、小直径ロー
ル例えば12mm直径L7−ルの周りでサイクル掻作す
るときの最適可(え性および伸縮性のために、約65〜
約150μm好ましくは約75〜約125μmの範囲で
ある。基体表面はコーティング前にクリーニングして付
着コーティングのより大きい接着を促進させることか好
ましい。クリーニングは基体層表面をプラズマ放電、イ
オンボンバード等に露出することによって行い得る。
電導性層は光導電性部材に所望される光透過性および可
撓性によって実質的に広い範囲に亘って厚さにおいて変
化し得る。従って、可撓性の感光性像形成装置が望まれ
る場合には、電導性層の厚さは、電導性、可撓性および
光透過性の最適組合せにおいて、約20〜約750オン
グストローム単位好ましくは約50〜約200オングス
トローム単位であり得る。電導性層は、例えば、基体上
に真空蒸着法のような任意の適当なコーティング技術に
よって形成された電導性金属層であり得る典型的な金属
にはアルミニウム、ジルコニウム、ニオブ、タンタル、
バナジウムとハフニウム、チタン、ニッケル、ステレス
スチーム、クロム、タングステン、モリブテン等がある
。必要ならば、適当な金属の合金も付着させ得る。典型
的な金属合金はジルコニウム、ニオブ、タンタル、バナ
ジウムおよびハフニウム、チタン、ニッケル、ステンレ
ススチール、クロム、タングステン、モリブデン等およ
びこれらの混合物のような2種以上の金属を含み得る。
撓性によって実質的に広い範囲に亘って厚さにおいて変
化し得る。従って、可撓性の感光性像形成装置が望まれ
る場合には、電導性層の厚さは、電導性、可撓性および
光透過性の最適組合せにおいて、約20〜約750オン
グストローム単位好ましくは約50〜約200オングス
トローム単位であり得る。電導性層は、例えば、基体上
に真空蒸着法のような任意の適当なコーティング技術に
よって形成された電導性金属層であり得る典型的な金属
にはアルミニウム、ジルコニウム、ニオブ、タンタル、
バナジウムとハフニウム、チタン、ニッケル、ステレス
スチーム、クロム、タングステン、モリブテン等がある
。必要ならば、適当な金属の合金も付着させ得る。典型
的な金属合金はジルコニウム、ニオブ、タンタル、バナ
ジウムおよびハフニウム、チタン、ニッケル、ステンレ
ススチール、クロム、タングステン、モリブデン等およ
びこれらの混合物のような2種以上の金属を含み得る。
金属層を形成するのに用いる方法に関係なく、金属酸化
物の7N層が、空気にさらしたとき、殆んどの金属の外
表面上で生成する。
物の7N層が、空気にさらしたとき、殆んどの金属の外
表面上で生成する。
即ら、金属層を覆う他の層が“連続”層として特徴付さ
れる場合には、これらの上部連′4?を層は、実際には
、酸化性金属層の外表面上に生成している金属酸化物薄
層と接触しているものとする。一般に、後の消去露光の
ためには、少なくとも約15%の電導層光透過性が望ま
しい。電導性層は金属に限定されない。電導性層の他の
例には約4000〜約7000オングストロームの波長
を有する光用の透明層としての電導性インジウム錫酸化
物の組合せまたは不透明電導性層としてのプラスチック
バインダー中に分散させた電導性カーボンブラックがあ
る。
れる場合には、これらの上部連′4?を層は、実際には
、酸化性金属層の外表面上に生成している金属酸化物薄
層と接触しているものとする。一般に、後の消去露光の
ためには、少なくとも約15%の電導層光透過性が望ま
しい。電導性層は金属に限定されない。電導性層の他の
例には約4000〜約7000オングストロームの波長
を有する光用の透明層としての電導性インジウム錫酸化
物の組合せまたは不透明電導性層としてのプラスチック
バインダー中に分散させた電導性カーボンブラックがあ
る。
金属層の付着後、正孔ブロッキング層を該金属層に適用
できる。一般には、正帯電型感光体用の電子ブロッキン
グ層は正孔を感光体の像形成表面から電導性層に向って
移行させる。隣接の光導電性層と電導性下層間で正孔に
対する電子バリヤー層を形成し得る任意の適当なブロッ
キング層を使用できる。ブロッキング層は有機または無
機であってもよく任意の適当な方法により付着させ得る
。
できる。一般には、正帯電型感光体用の電子ブロッキン
グ層は正孔を感光体の像形成表面から電導性層に向って
移行させる。隣接の光導電性層と電導性下層間で正孔に
対する電子バリヤー層を形成し得る任意の適当なブロッ
キング層を使用できる。ブロッキング層は有機または無
機であってもよく任意の適当な方法により付着させ得る
。
例えば、ブロッキング層が溶媒に可溶であるならば、溶
液として適用でき、溶媒はその後乾燥によるような任意
の通常の方法で除去できる。典型的なブロッキング層に
はオルガノ金属塩を含むポリビニルブチラール、オルガ
ノシラン、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリアミド、
ポリウレタン、ピロキシリン塩化ビニリデン樹脂等があ
る。他のブロッキング層材料には、米国特許第4,33
8,387号、第4,286,033号および第4,2
91.110号に記載されているようなトリメトキシシ
リルプロピレンジアミン、加水分解トリメトキシシリル
プロピルエチレンジアミン、N−ベーター(アミノエチ
ル)ガンマー−アミノ−プロピルトリメトキシシラン、
イソプロピル4−アミノベンゼンスルホニル、ジ(ドデ
シルベンゼンスルホニル)チタネート、イソプロビルジ
(4−アミノベンゾイル)インステアロイルチタネ−1
−、イソプロピルトリ (N、N−ジメヂルーエチルア
ミノ)チタネート、チタニウム−4−アミノヘンゼンス
ルホ不−1−オキシアセテート、チタニウム4−アミノ
ヘンシェードイソステアレートオキシアセテート、C1
1zN (CI+2) 4 ) CIl+Si (OC
113) 2、(ガンマ−アミノブチル)メチルジェト
キシシラン、および〔11□N(C1l□>s 〕C1
l:+Si (OCt(i) z、(ガンマ−アミノプ
ロピル)メチルジェトキシシランのような窒素含有シラ
ン類または窒素含有チタン化合物がある。
液として適用でき、溶媒はその後乾燥によるような任意
の通常の方法で除去できる。典型的なブロッキング層に
はオルガノ金属塩を含むポリビニルブチラール、オルガ
ノシラン、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリアミド、
ポリウレタン、ピロキシリン塩化ビニリデン樹脂等があ
る。他のブロッキング層材料には、米国特許第4,33
8,387号、第4,286,033号および第4,2
91.110号に記載されているようなトリメトキシシ
リルプロピレンジアミン、加水分解トリメトキシシリル
プロピルエチレンジアミン、N−ベーター(アミノエチ
ル)ガンマー−アミノ−プロピルトリメトキシシラン、
イソプロピル4−アミノベンゼンスルホニル、ジ(ドデ
シルベンゼンスルホニル)チタネート、イソプロビルジ
(4−アミノベンゾイル)インステアロイルチタネ−1
−、イソプロピルトリ (N、N−ジメヂルーエチルア
ミノ)チタネート、チタニウム−4−アミノヘンゼンス
ルホ不−1−オキシアセテート、チタニウム4−アミノ
ヘンシェードイソステアレートオキシアセテート、C1
1zN (CI+2) 4 ) CIl+Si (OC
113) 2、(ガンマ−アミノブチル)メチルジェト
キシシラン、および〔11□N(C1l□>s 〕C1
l:+Si (OCt(i) z、(ガンマ−アミノプ
ロピル)メチルジェトキシシランのような窒素含有シラ
ン類または窒素含有チタン化合物がある。
米国特許第4,338,387号、第、l、286,0
33号および第4,291,110号の記載はすべて本
明細書に引用する。好ましいブロッキング層は加水分解
シランと金属基平面層の酸化表面間の反応生成物を含む
。酸化表面は殆んどの金属基平面の外表面上に付着後の
空気への露出により固有的に生成するものである。この
組合せは低R11での電気的安全性を向上させる。加水
分解シランは次式またはその混合物を有する: (式中、R3は1〜20個の炭素原子を有するアルキリ
デン基であり、R2、R3およびR7は、個々に、11
.1〜3個の炭素原子を有する低級アルキル基およびフ
ェニル基からなる群より選ばれ、Xは酸または酸塩のア
ニオンであり、nは1.2.3または4であり、yは1
.2.3または4である) 保形成部材は、好ましくは、金属電導性アノード層の金
属酸化物層上にpH約4〜約10の加水分解アミノシラ
ンの水溶液のコーティングを付着させ、反応生成物層を
乾燥させてシロキサンフィルムを形成し、本発明の接着
層を適用し、その後光励起層および正孔移送層のような
電気作動層を上記シロキサンフィルムに適用することに
よって作製する。
33号および第4,291,110号の記載はすべて本
明細書に引用する。好ましいブロッキング層は加水分解
シランと金属基平面層の酸化表面間の反応生成物を含む
。酸化表面は殆んどの金属基平面の外表面上に付着後の
空気への露出により固有的に生成するものである。この
組合せは低R11での電気的安全性を向上させる。加水
分解シランは次式またはその混合物を有する: (式中、R3は1〜20個の炭素原子を有するアルキリ
デン基であり、R2、R3およびR7は、個々に、11
.1〜3個の炭素原子を有する低級アルキル基およびフ
ェニル基からなる群より選ばれ、Xは酸または酸塩のア
ニオンであり、nは1.2.3または4であり、yは1
.2.3または4である) 保形成部材は、好ましくは、金属電導性アノード層の金
属酸化物層上にpH約4〜約10の加水分解アミノシラ
ンの水溶液のコーティングを付着させ、反応生成物層を
乾燥させてシロキサンフィルムを形成し、本発明の接着
層を適用し、その後光励起層および正孔移送層のような
電気作動層を上記シロキサンフィルムに適用することに
よって作製する。
ブロッキング層は連続でかつ約0.5μm以下の厚さを
有すべきである。それより厚い層は望ましくない高残留
電圧をもたらし得るからである。約0.005.c+m
〜約0.3 μm (50〜3000オングストローム
)のブロッキング層が露光段階後の電荷中和を容易にし
最適電気性能が得られるので好ましい。金属酸化物層に
おいては、約0.03〜約0.06μmの厚さが最適の
電気的挙動のために好ましい。最適の結果はシロキサン
ブロッキング層によって得られる。ブロッキング層はス
プレー法、デイツプコーティング法、引き延ばし棒コー
ティング法、グラビアコーティング法、シルクスクリー
ニング法、エアーナイフコーティング法、リバースロー
ルコーティング法、真空薄着、化学処理法等の任意の適
当な通常の方法によって適用できる。この層を得るのに
好都合なのは、ブロッキング層を好ましくは稀溶液の形
で適用し、溶媒をコーテイング付着後真空、加熱等の通
常の方法により除去することである。一般には、約0.
05:100〜約0.5:100のブロッキング層物質
と溶媒の重量比がスプレーコーティングを満足させる。
有すべきである。それより厚い層は望ましくない高残留
電圧をもたらし得るからである。約0.005.c+m
〜約0.3 μm (50〜3000オングストローム
)のブロッキング層が露光段階後の電荷中和を容易にし
最適電気性能が得られるので好ましい。金属酸化物層に
おいては、約0.03〜約0.06μmの厚さが最適の
電気的挙動のために好ましい。最適の結果はシロキサン
ブロッキング層によって得られる。ブロッキング層はス
プレー法、デイツプコーティング法、引き延ばし棒コー
ティング法、グラビアコーティング法、シルクスクリー
ニング法、エアーナイフコーティング法、リバースロー
ルコーティング法、真空薄着、化学処理法等の任意の適
当な通常の方法によって適用できる。この層を得るのに
好都合なのは、ブロッキング層を好ましくは稀溶液の形
で適用し、溶媒をコーテイング付着後真空、加熱等の通
常の方法により除去することである。一般には、約0.
05:100〜約0.5:100のブロッキング層物質
と溶媒の重量比がスプレーコーティングを満足させる。
このシロキサンコーティングはり、A。
Teuscherの米国特許第4,464,450号に
記載されており、該米国特許の記載はすべて本明細書に
引用する。
記載されており、該米国特許の記載はすべて本明細書に
引用する。
必要に応じて、任意の適当な接着層を上記正孔ブロッキ
ング層に適用できる。典型的な接着層には、ハイチル(
ViLel)PE 100、バイチルPE−200、
ハイチル1’E−200DおよびハイチルPH−222
(いずれもグツドイヤータイヤアンドラバー社より人手
できる)のようなポリエステル樹脂;ポリビニルブチラ
ール;およびデュポン49.000ポリエステル等があ
る。接着層を用いるときには、接着層は連続であるべき
でかつ好ましくは約200〜約900μm、より好まし
くは約400〜約700μmの乾燥厚を有する。任意の
適当な溶媒または溶媒混合物を用いて接着層物質のコー
ティング溶液を調製できる。典型的な溶媒にはテ1−ラ
ヒドロフラン、トルエン、塩化メチレン、シクロヘキサ
ン、およびこれらの混合物等がある。一般には、グラビ
アコーティング法により約900オングストロームまた
はそれ以下の連続接着層厚を達成するためには、固形分
濃度は樹脂と溶媒とのコーティング混合物の総重量基準
で約2〜約5重世%である。しかしながら、任意の他の
適当な通常の方法を用いて接着層コーティング混合物を
混合L2その後電荷ブロッキング層に適用できる。典型
的な適用方法にはスプレー法、デイツプコーチインク法
、ロールコーチインク法およびワイヤー巻き棒コーティ
ング法等がある。付着コーティングの乾燥はオーブン乾
燥法、赤外線照射乾燥法、風乾法等の任意の適当な通常
の方法により行い得る。
ング層に適用できる。典型的な接着層には、ハイチル(
ViLel)PE 100、バイチルPE−200、
ハイチル1’E−200DおよびハイチルPH−222
(いずれもグツドイヤータイヤアンドラバー社より人手
できる)のようなポリエステル樹脂;ポリビニルブチラ
ール;およびデュポン49.000ポリエステル等があ
る。接着層を用いるときには、接着層は連続であるべき
でかつ好ましくは約200〜約900μm、より好まし
くは約400〜約700μmの乾燥厚を有する。任意の
適当な溶媒または溶媒混合物を用いて接着層物質のコー
ティング溶液を調製できる。典型的な溶媒にはテ1−ラ
ヒドロフラン、トルエン、塩化メチレン、シクロヘキサ
ン、およびこれらの混合物等がある。一般には、グラビ
アコーティング法により約900オングストロームまた
はそれ以下の連続接着層厚を達成するためには、固形分
濃度は樹脂と溶媒とのコーティング混合物の総重量基準
で約2〜約5重世%である。しかしながら、任意の他の
適当な通常の方法を用いて接着層コーティング混合物を
混合L2その後電荷ブロッキング層に適用できる。典型
的な適用方法にはスプレー法、デイツプコーチインク法
、ロールコーチインク法およびワイヤー巻き棒コーティ
ング法等がある。付着コーティングの乾燥はオーブン乾
燥法、赤外線照射乾燥法、風乾法等の任意の適当な通常
の方法により行い得る。
任意の適当な光励起層をブロッキング層または中間層(
使用した場合の)に適用でき、次いでこの光励起層を前
述したような連続正孔移送層でオーバーコーテイングす
ることができる。光励起層の例には、無定形セレン、三
方晶セレン、およびセレン−テルル、セレン−テルル−
ひ素、セレン−ひ素およびこれらの混合物からなる群よ
り選ばれたセレン合金のような無機光4電性粒子;およ
び米国特許筒3,357,989号に記載されているX
形の無金属フタロシアニン、バナジルフタロシアニンお
よび銅フタロシアニンのような金属フタロシアニンのよ
うな各種フタロシアニン顔料、デュポン社より商品名モ
ナストラル(Monastral)レッド、モナストラ
ルバイオレットおよびモナストラルレ、ドYとして人手
できるキナクリドン類、ジブロモアントアンスロン顔料
の商品名であるバットオレンジlおよびバットオレンジ
3、ベンズイミダゾールペリレン、米国特許筒3,44
2,781号に記載置換2,4−ジアミノ−トリアジン
類、アライドケミカル社より商品名インドファーストダ
ブルスカーレット、インドファーストバイオレットレー
キBおよびインドファーストオレンジとして入手できる
多核芳香族キノン類等を包含する有機光導電性粒子であ
ってフィルム形成性高分子バインダー中に分散させたも
のがある。セレン、セレン合金、ヘンズイミダゾールお
よびこれらのン昆合物は連続の均質光励起層として形成
できる。ベンズイミダゾールペリレン化合物は周知であ
り、例えば米国特許筒4,587,189号に記載され
ており、その記載はすべて参考として本明細書に参考と
して引用する。複数光励起層物質は光導電性層が光励起
層の性質を向上または低減させる場合に使用できる。こ
のタイプの形状の例は米国特許筒4,415,639号
に記載されており、該米国特許の記載はすべて参考とし
て本明細書に引用する。
使用した場合の)に適用でき、次いでこの光励起層を前
述したような連続正孔移送層でオーバーコーテイングす
ることができる。光励起層の例には、無定形セレン、三
方晶セレン、およびセレン−テルル、セレン−テルル−
ひ素、セレン−ひ素およびこれらの混合物からなる群よ
り選ばれたセレン合金のような無機光4電性粒子;およ
び米国特許筒3,357,989号に記載されているX
形の無金属フタロシアニン、バナジルフタロシアニンお
よび銅フタロシアニンのような金属フタロシアニンのよ
うな各種フタロシアニン顔料、デュポン社より商品名モ
ナストラル(Monastral)レッド、モナストラ
ルバイオレットおよびモナストラルレ、ドYとして人手
できるキナクリドン類、ジブロモアントアンスロン顔料
の商品名であるバットオレンジlおよびバットオレンジ
3、ベンズイミダゾールペリレン、米国特許筒3,44
2,781号に記載置換2,4−ジアミノ−トリアジン
類、アライドケミカル社より商品名インドファーストダ
ブルスカーレット、インドファーストバイオレットレー
キBおよびインドファーストオレンジとして入手できる
多核芳香族キノン類等を包含する有機光導電性粒子であ
ってフィルム形成性高分子バインダー中に分散させたも
のがある。セレン、セレン合金、ヘンズイミダゾールお
よびこれらのン昆合物は連続の均質光励起層として形成
できる。ベンズイミダゾールペリレン化合物は周知であ
り、例えば米国特許筒4,587,189号に記載され
ており、その記載はすべて参考として本明細書に参考と
して引用する。複数光励起層物質は光導電性層が光励起
層の性質を向上または低減させる場合に使用できる。こ
のタイプの形状の例は米国特許筒4,415,639号
に記載されており、該米国特許の記載はすべて参考とし
て本明細書に引用する。
当該技術で公知の他の適当な光励起物質ももし必要なら
ば使用できる。バナジルフタロシアニン、無金属フタロ
シアニン、ベンズイミダゾールペリレン、無定形セレン
、三方晶セレン、およびセレン−テルル、セレン−テル
ル−ひ素およびセレン−ひ素のようなセレン合金等、並
びにこれらの混合物のような光導電性物質を含む粒子ま
たは層を含む電荷励起バインダー層がその白色光に対す
る感度故に特に好ましい。バナジルフタロシアニン、無
金属フタロシアニンおよびテルル合金はまたこれら物質
が赤外線に対して感応性である追加の利点を与えること
からも好ましい。
ば使用できる。バナジルフタロシアニン、無金属フタロ
シアニン、ベンズイミダゾールペリレン、無定形セレン
、三方晶セレン、およびセレン−テルル、セレン−テル
ル−ひ素およびセレン−ひ素のようなセレン合金等、並
びにこれらの混合物のような光導電性物質を含む粒子ま
たは層を含む電荷励起バインダー層がその白色光に対す
る感度故に特に好ましい。バナジルフタロシアニン、無
金属フタロシアニンおよびテルル合金はまたこれら物質
が赤外線に対して感応性である追加の利点を与えること
からも好ましい。
例えば、米国特許筒3,121.006号に記載されて
いるものを包含する多くの不活性樹脂物質を光励起バイ
ンダー層で使用できる(該米国特許の記載はすべて参考
として本明細書に引用する)。
いるものを包含する多くの不活性樹脂物質を光励起バイ
ンダー層で使用できる(該米国特許の記載はすべて参考
として本明細書に引用する)。
典型的な有機樹脂バインダーにはポリカーボネート、ポ
リエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン
、ポリアリールエーテル、ポリアリ−ルスルホン、ポリ
ブタジェン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリメチル
ペンテン、ポリフェニルスルファイド、ポリ酢酸ビニル
、ホリシロニトサン、ポリアクリレート、ポリビニルア
セタール、アミン樹脂、フェニレンオキサイド樹脂、テ
レフタル酸樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリ
スチレン−アクリロニトリルコポリマー、ポリ塩化ビニ
ル、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、アクリレート
コポリマー、アルキッド樹脂、セルロース系フィルム形
成剤、ポリ (アミド−イミド)、スチレン−ブタジェ
ンコポリマー、塩化ビニリデン−塩化ビニルコポリマー
、酢酸ビニル−塩化ビニリデンコポリマー、スチレンア
ルキッド樹脂等の熱可塑性および熱硬化性樹脂がある。
リエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン
、ポリアリールエーテル、ポリアリ−ルスルホン、ポリ
ブタジェン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリメチル
ペンテン、ポリフェニルスルファイド、ポリ酢酸ビニル
、ホリシロニトサン、ポリアクリレート、ポリビニルア
セタール、アミン樹脂、フェニレンオキサイド樹脂、テ
レフタル酸樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリ
スチレン−アクリロニトリルコポリマー、ポリ塩化ビニ
ル、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、アクリレート
コポリマー、アルキッド樹脂、セルロース系フィルム形
成剤、ポリ (アミド−イミド)、スチレン−ブタジェ
ンコポリマー、塩化ビニリデン−塩化ビニルコポリマー
、酢酸ビニル−塩化ビニリデンコポリマー、スチレンア
ルキッド樹脂等の熱可塑性および熱硬化性樹脂がある。
これらのポリマーはブロック、ランダムまたは交互コポ
リマーであり得る。
リマーであり得る。
活性キャリヤー移送樹脂も光励起層中のバインダーとし
て使用できる。これらの樹脂はキャリヤー励起顔料粒子
の濃度が低くキャリヤー励起層の厚さが約0.7μrn
より実質的に大きい場合に特に有用である。バインダー
として普通使用される活性樹脂はポリビニルカルバゾー
ルであり、その機能は励起層内に捕捉されたキャリヤー
を移送することである。
て使用できる。これらの樹脂はキャリヤー励起顔料粒子
の濃度が低くキャリヤー励起層の厚さが約0.7μrn
より実質的に大きい場合に特に有用である。バインダー
として普通使用される活性樹脂はポリビニルカルバゾー
ルであり、その機能は励起層内に捕捉されたキャリヤー
を移送することである。
本発明の電気的に活性な高分子アミンは励起層中で上記
のポリビニルカルバゾールバインダーまたは他の任意の
活性または不活性バインダーと置き替えて使用できる。
のポリビニルカルバゾールバインダーまたは他の任意の
活性または不活性バインダーと置き替えて使用できる。
励起層中で用いる活性樹脂の1部またはすべてを本発明
の電気活性高分子アリールアミンで置き替えることがで
きる。
の電気活性高分子アリールアミンで置き替えることがで
きる。
゛光励起化合物理ち顔料は樹脂バインダー中に種々の量
で存在するが、一般には、約5〜約90容量%の光励起
顔料を約20〜約30容量%の樹脂バインダー中に分散
させ、より好ましいのは約20〜約30容量%の光励起
顔料を約70〜約80容量%の樹脂バインダー中に分散
させる。1つの実施態様においては、約8容量%の光励
起顔料を約92容量%の樹脂バインダー中に分散させる
。
で存在するが、一般には、約5〜約90容量%の光励起
顔料を約20〜約30容量%の樹脂バインダー中に分散
させ、より好ましいのは約20〜約30容量%の光励起
顔料を約70〜約80容量%の樹脂バインダー中に分散
させる。1つの実施態様においては、約8容量%の光励
起顔料を約92容量%の樹脂バインダー中に分散させる
。
光励起層が樹脂バインダーを含まない実施態様において
は、光励起層は任意の適当な良く知られた均質光励起物
質を含み得る。典型的な均質光励起物質には無定形セレ
ン、セレン−テルル、セレン−テルル−ひ素およびセレ
ン−ひ素のようなセレン合金のような無機光導電性化合
物;およびクロリンジウムフタロシアニン、クロルアル
ミニウムフタロシアニン、バナジルフタロシアニン等の
有機顔料がある。
は、光励起層は任意の適当な良く知られた均質光励起物
質を含み得る。典型的な均質光励起物質には無定形セレ
ン、セレン−テルル、セレン−テルル−ひ素およびセレ
ン−ひ素のようなセレン合金のような無機光導電性化合
物;およびクロリンジウムフタロシアニン、クロルアル
ミニウムフタロシアニン、バナジルフタロシアニン等の
有機顔料がある。
光寡電性化合物および/または顔料と樹脂バインダー物
質とを含む光励起層は約0.1〜約5.0μrnの厚さ
範囲にあり、好ましくは約0.3〜約3μmの厚さを有
する。光励起層厚はバインダー含有量に相関する。高バ
インダー含有組成物は一般に光励起用に厚目の層を必要
とする。上記範囲外の厚さも本発明の目的が達成される
限りにおいて使用できる。
質とを含む光励起層は約0.1〜約5.0μrnの厚さ
範囲にあり、好ましくは約0.3〜約3μmの厚さを有
する。光励起層厚はバインダー含有量に相関する。高バ
インダー含有組成物は一般に光励起用に厚目の層を必要
とする。上記範囲外の厚さも本発明の目的が達成される
限りにおいて使用できる。
活性電荷移送層は電荷励起層からの光励起正孔の注入を
支持しかつこれら正孔の移送層を通しての移送を可能に
して表面電荷を選択的に放電できる本発明高分子アリー
ルアミンを含む。光励起層が電導性層と活性電荷移送層
にはさまれているときには、移送層は正孔を移送するよ
うに作用するばかりでなく光導電性層を摩耗または化学
侵食から保護し従って電子写真像形成部材の操作寿命を
延長する。電荷移送層はゼログラフィーで使用できる波
長例えば4000〜9000オングストロームの波長に
露光させたときがあったとしても無視し得る放電を示さ
なければならない。従って、電荷移送層は感光体を使用
すべき領域の照射に対して実質的に透明である。即ち、
活性電荷移送層は励起層からの光励起正孔の注入を支持
する実質的に非光導電性の物質である。活性移送層は露
光をこの活性層を通して行ったとき通常透明であり照射
光の殆んどが効率的な光励起を行うために下層の電荷キ
ャリヤー励起体層によって利用されるのを確実にする。
支持しかつこれら正孔の移送層を通しての移送を可能に
して表面電荷を選択的に放電できる本発明高分子アリー
ルアミンを含む。光励起層が電導性層と活性電荷移送層
にはさまれているときには、移送層は正孔を移送するよ
うに作用するばかりでなく光導電性層を摩耗または化学
侵食から保護し従って電子写真像形成部材の操作寿命を
延長する。電荷移送層はゼログラフィーで使用できる波
長例えば4000〜9000オングストロームの波長に
露光させたときがあったとしても無視し得る放電を示さ
なければならない。従って、電荷移送層は感光体を使用
すべき領域の照射に対して実質的に透明である。即ち、
活性電荷移送層は励起層からの光励起正孔の注入を支持
する実質的に非光導電性の物質である。活性移送層は露
光をこの活性層を通して行ったとき通常透明であり照射
光の殆んどが効率的な光励起を行うために下層の電荷キ
ャリヤー励起体層によって利用されるのを確実にする。
透明基体と共に使用する場合には、像形成露光は基体を
通して行いすべての光が基体を通る。この場合、活性移
送物質は使用波長領域で透過性である必要はない。本発
明の励起層を組合せた電荷移送層は移送層上の静電荷が
照射光の不存在下では仏界しない程度に絶縁体の材料で
ある。
通して行いすべての光が基体を通る。この場合、活性移
送物質は使用波長領域で透過性である必要はない。本発
明の励起層を組合せた電荷移送層は移送層上の静電荷が
照射光の不存在下では仏界しない程度に絶縁体の材料で
ある。
移送層中で使用する不活性バインダー中の正孔移送用小
分子を含む移送材料の1部またはすべてを高分子アリー
ルアミンフィルム形成性物質を含む前記本発明の活性物
質によって置き換えてもよい。高分子アリールアミン化
合物中の置換基はいずれもNO2基、CN基等の電子吸
引基(electron withdrawing B
rouρ)を含むべきでない。正孔移送小分子−不活性
バインダー組成物は100%の本発明の高分子アリール
アミン化合物で完全に置き換えることができる。
分子を含む移送材料の1部またはすべてを高分子アリー
ルアミンフィルム形成性物質を含む前記本発明の活性物
質によって置き換えてもよい。高分子アリールアミン化
合物中の置換基はいずれもNO2基、CN基等の電子吸
引基(electron withdrawing B
rouρ)を含むべきでない。正孔移送小分子−不活性
バインダー組成物は100%の本発明の高分子アリール
アミン化合物で完全に置き換えることができる。
任意の適当な溶媒を用いて移送層物質を下地層に適用で
きる。典型的な溶媒には塩化メチレン、トルエン、テト
ラヒドロフラン等がある。塩化メチレンがすべての成分
を適切に溶解しまたその低沸点故に電荷移送層コーティ
ング混合物の特に望ましい成分がある。
きる。典型的な溶媒には塩化メチレン、トルエン、テト
ラヒドロフラン等がある。塩化メチレンがすべての成分
を適切に溶解しまたその低沸点故に電荷移送層コーティ
ング混合物の特に望ましい成分がある。
本発明の多層感光体の2つの電気作動層の1つに用いる
特に好ましい移送層は約50〜約100m星%のポリ
〔3,3−ビス−(ヒドロキシエチル)テトラフェニル
ヘンジジン〕カーボネートおよび約0〜約50重量%の
ビスフェノール−A−ポリカーボネートとを含む。
特に好ましい移送層は約50〜約100m星%のポリ
〔3,3−ビス−(ヒドロキシエチル)テトラフェニル
ヘンジジン〕カーボネートおよび約0〜約50重量%の
ビスフェノール−A−ポリカーボネートとを含む。
任意の適当な通常の方法を用いて電荷移送層コーティン
グ混合物を混合しその後下地層例えば電荷励起層に適用
することができる。典型的な適用方法にはスプレー法、
デイツプコーティング法、ロールコーティング法、ワイ
ヤー巻き捧コーティング法等がある。付着したコーティ
ングの乾燥はオーブン乾燥法、赤外線照射乾燥法、風乾
法等の任意の適当な通常の方法によって行い得る。
グ混合物を混合しその後下地層例えば電荷励起層に適用
することができる。典型的な適用方法にはスプレー法、
デイツプコーティング法、ロールコーティング法、ワイ
ヤー巻き捧コーティング法等がある。付着したコーティ
ングの乾燥はオーブン乾燥法、赤外線照射乾燥法、風乾
法等の任意の適当な通常の方法によって行い得る。
一般に、正孔移送層の厚さは約5〜約100μmである
が、この範囲以外の厚さも使用できる。
が、この範囲以外の厚さも使用できる。
正孔移送層は正孔移送層上の静電荷が照射の存在下で静
電潜像の形成および滞留を妨げる程の十分な速度で伝導
しない程度に絶縁性であるべきである。一般には、正孔
移送層対電荷励起層の厚さの比は好ましくは2:1〜2
00 : 1に維持し、ある場合には400:1程大き
く維持する。
電潜像の形成および滞留を妨げる程の十分な速度で伝導
しない程度に絶縁性であるべきである。一般には、正孔
移送層対電荷励起層の厚さの比は好ましくは2:1〜2
00 : 1に維持し、ある場合には400:1程大き
く維持する。
例えば、フィルム形成性バインダー中に分散させた伝導
性粒子を含む通常の基ストリップのような他の層も電導
性表面、ブロッキング層、接着層または電荷励起層と接
触させて感光体の一端に適用し得る。
性粒子を含む通常の基ストリップのような他の層も電導
性表面、ブロッキング層、接着層または電荷励起層と接
触させて感光体の一端に適用し得る。
必要ならば、オーバーコート層も適用して耐摩耗性を改
良し得る。ある場合には、裏打ちコーティングを感光体
の反対面に適用して平坦さおよび/または耐摩耗性を付
与し得る。これらのオーバーコーテイング層および裏打
ちコーティング層は電気絶縁性またはわずかに半型導性
である有機ポリマーまたは無機ポリマーを含み得る。
良し得る。ある場合には、裏打ちコーティングを感光体
の反対面に適用して平坦さおよび/または耐摩耗性を付
与し得る。これらのオーバーコーテイング層および裏打
ちコーティング層は電気絶縁性またはわずかに半型導性
である有機ポリマーまたは無機ポリマーを含み得る。
少なくとも励起層または移送層中に電気活性高分子アリ
ールアミンを含む本発明の電子写真部材は活性化用電磁
線照射に像形成的に露光する前に帯電させることを用い
る任意の適当な通常の電子写真像形成法において使用し
得る。通常の正または逆現像法を用いてマーキング材料
像を本発明の電子写真像形成部材の像形成表面上に形成
できる。
ールアミンを含む本発明の電子写真部材は活性化用電磁
線照射に像形成的に露光する前に帯電させることを用い
る任意の適当な通常の電子写真像形成法において使用し
得る。通常の正または逆現像法を用いてマーキング材料
像を本発明の電子写真像形成部材の像形成表面上に形成
できる。
即ち、適当な電気バイアスを適用し適当な極性の電荷を
有するトナーを使用することによって、トナー像を本発
明の電子写真部材の像形成表面上の負帯電領域または放
電領域中に形成できる。さらに詳細には、正現像法にお
いては、1つの極性の帯電トナー粒子を像形成表面の反
対荷電静電領域に付着させ、逆現像法においては、帯電
トナー粒子を像形成表面の放電領域に付着させる。本発
明の移送層が光励起層と電導性表面との間にはさまれて
いる場合には、正極性電荷が活性化用電磁線照射への像
形成的露光前に通常適用される。本発明の光励起層が移
送層と電導性表面の間にはさまれているときには、負極
性電荷が活性化用電磁線照射への像形成的露光前に通常
適用される。
有するトナーを使用することによって、トナー像を本発
明の電子写真部材の像形成表面上の負帯電領域または放
電領域中に形成できる。さらに詳細には、正現像法にお
いては、1つの極性の帯電トナー粒子を像形成表面の反
対荷電静電領域に付着させ、逆現像法においては、帯電
トナー粒子を像形成表面の放電領域に付着させる。本発
明の移送層が光励起層と電導性表面との間にはさまれて
いる場合には、正極性電荷が活性化用電磁線照射への像
形成的露光前に通常適用される。本発明の光励起層が移
送層と電導性表面の間にはさまれているときには、負極
性電荷が活性化用電磁線照射への像形成的露光前に通常
適用される。
本発明の電子写真部材はサイクル操作中のクラッキング
、クレージング、了り−ルアミン化合物の結晶化、アリ
ールアミン化合物の相分離およびアリールアミン化合物
の浸出に対する大きな抵抗性を有する。
、クレージング、了り−ルアミン化合物の結晶化、アリ
ールアミン化合物の相分離およびアリールアミン化合物
の浸出に対する大きな抵抗性を有する。
と−
〔実施例〕
以下、本発明を特定の好ましい実施態様に沿って詳細に
説明するが、これらの実施例はj′Aに例示を目的とす
るものであり本発明をこれら実施例で記載する材料、条
件、プロセスパラメーター等に限定するものでないこと
を理解されたい。すべての部およびパーセントは他に断
らない限り重量による。
説明するが、これらの実施例はj′Aに例示を目的とす
るものであり本発明をこれら実施例で記載する材料、条
件、プロセスパラメーター等に限定するものでないこと
を理解されたい。すべての部およびパーセントは他に断
らない限り重量による。
実施例I
N、N’−ジ(4−ヒドロキシフェニル)−N。
N′−ジフェニル−(1,1’−ビフェニルツー4.4
’−ジアミンとビス(4−2,3−エポキシプロピル)
フェニル)−イソプロピリデンに基づくポリヒドロキシ
エーテル樹脂、フェノキシ樹脂の調製二 反応容器に、5.2g(0,01モル)の上記ジヒドロ
キシアリールアミン化合物と3.’4 g (0,0
1モル)の上記ジグリシジルジフェニレン化合物、5c
cのp−ジオキサンおよび0.52 g (10−”モ
ル/エポキサイド当量)のトリフェニルホスフィン(C
zHshPとを加えた。反応混合物を加熱し、102±
1℃に9日間保った。室温に冷却したときガラスに固化
する極めて粘稠な塊状物を最少量のTHFに溶解し、ウ
ォーリングブレンダー中の500ccのMeOHにゆっ
くり加えることによって単離した。収率85.6%、M
w15.368、Mn7.433゜ 無定形セレンの真空蒸着0.5μm層を有するアルミニ
ウムプレートを得られたポリヒドロキシエーテル樹J指
のテトラヒドロフラン?容液(20重債%溶液)を50
μm引き延し棒を用いてコーティングした。〜12μm
の乾燥厚を有するフィルムを12時間の真空乾燥後に得
た。このサンプルのフラットプレート電気走査試験は9
00■の■。
’−ジアミンとビス(4−2,3−エポキシプロピル)
フェニル)−イソプロピリデンに基づくポリヒドロキシ
エーテル樹脂、フェノキシ樹脂の調製二 反応容器に、5.2g(0,01モル)の上記ジヒドロ
キシアリールアミン化合物と3.’4 g (0,0
1モル)の上記ジグリシジルジフェニレン化合物、5c
cのp−ジオキサンおよび0.52 g (10−”モ
ル/エポキサイド当量)のトリフェニルホスフィン(C
zHshPとを加えた。反応混合物を加熱し、102±
1℃に9日間保った。室温に冷却したときガラスに固化
する極めて粘稠な塊状物を最少量のTHFに溶解し、ウ
ォーリングブレンダー中の500ccのMeOHにゆっ
くり加えることによって単離した。収率85.6%、M
w15.368、Mn7.433゜ 無定形セレンの真空蒸着0.5μm層を有するアルミニ
ウムプレートを得られたポリヒドロキシエーテル樹J指
のテトラヒドロフラン?容液(20重債%溶液)を50
μm引き延し棒を用いてコーティングした。〜12μm
の乾燥厚を有するフィルムを12時間の真空乾燥後に得
た。このサンプルのフラットプレート電気走査試験は9
00■の■。
(電荷アクセプタンス)と〜800■のVR(残留電位
を示した。アイソバールし、即ち、イソパラフィン系炭
化水素への1週間の暴露は小分子浸出およびフィルムク
ラッキングを示さなかった。
を示した。アイソバールし、即ち、イソパラフィン系炭
化水素への1週間の暴露は小分子浸出およびフィルムク
ラッキングを示さなかった。
実施例2
上記フェノキシ樹脂のアルキル化を4gのポリマーを溶
解させたN−メチルピロリジノン(アルドリソヒケミカ
ル社)10ml中で行った。この溶液に1gの粉末KO
Hを加えた。得られた黄色)容?夜に、C1111,2
mllを力■え、51IllのN−メチルピロリジノン
で稀釈した。これを2時間攪拌せしめた。反応を50c
cのMeOH中で冷却した。
解させたN−メチルピロリジノン(アルドリソヒケミカ
ル社)10ml中で行った。この溶液に1gの粉末KO
Hを加えた。得られた黄色)容?夜に、C1111,2
mllを力■え、51IllのN−メチルピロリジノン
で稀釈した。これを2時間攪拌せしめた。反応を50c
cのMeOH中で冷却した。
白色ρptを濾過して集成した。赤外スペクトルはすべ
てのOHがブロックされていることを示した。
てのOHがブロックされていることを示した。
無定形セレンの真空蒸着0.5μm層を有するアルミニ
ウムプレートを得られたポリエトキシエーテル樹脂のテ
トラヒドロフラン溶液(20重量%溶液)を50μm引
き延し棒を用いてコーティングした。〜I2μmの乾燥
厚を有するフィルムを12時間の真空乾燥後に得た。こ
のサンプルのフラットプレート電気走査試験は920■
のVo(電荷アクセプタンス)と〜OVのVR(残留電
位を示した。アイソバールし、即ち、イソパラフィン系
炭化水素への1週間の暴露は小分子浸出およびフィルム
クランキングを示さなかった。
ウムプレートを得られたポリエトキシエーテル樹脂のテ
トラヒドロフラン溶液(20重量%溶液)を50μm引
き延し棒を用いてコーティングした。〜I2μmの乾燥
厚を有するフィルムを12時間の真空乾燥後に得た。こ
のサンプルのフラットプレート電気走査試験は920■
のVo(電荷アクセプタンス)と〜OVのVR(残留電
位を示した。アイソバールし、即ち、イソパラフィン系
炭化水素への1週間の暴露は小分子浸出およびフィルム
クランキングを示さなかった。
実施例3
N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(3−ヒドロキ
シフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−
ジアミンとビス(4−(2゜3−エポキシプロピル)フ
ェニル−イソプロピリデンに基づくポリヒドロキシエー
テル樹脂、フェノキシ樹脂の調製: アルゴンブランケット、機械的撹拌器、サーモスタット
付油浴を備えた三つ口250丸底フラスコ(掃気した)
に、上記ジェポキシフェニレン化合物DER332、お
よび上記ジヒドロキシアリールアミン化合物を加えた。
シフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−
ジアミンとビス(4−(2゜3−エポキシプロピル)フ
ェニル−イソプロピリデンに基づくポリヒドロキシエー
テル樹脂、フェノキシ樹脂の調製: アルゴンブランケット、機械的撹拌器、サーモスタット
付油浴を備えた三つ口250丸底フラスコ(掃気した)
に、上記ジェポキシフェニレン化合物DER332、お
よび上記ジヒドロキシアリールアミン化合物を加えた。
油浴を110℃に上昇させた。反応混合物に5mlのジ
オキサンと0.1gのトリフェニルホスフィン、(Cz
Hs)3Pを加えた。反応混合物は黄色であった。反応
を48時間続行した。この反応時間中、ジオキサンを、
1 malづつ、攪拌を維持する必要に応じて加えた。
オキサンと0.1gのトリフェニルホスフィン、(Cz
Hs)3Pを加えた。反応混合物は黄色であった。反応
を48時間続行した。この反応時間中、ジオキサンを、
1 malづつ、攪拌を維持する必要に応じて加えた。
反応は50m1のTHFを冷却反応フラスコに加えるこ
とによって終了させた。溶液をウォーリングブレンダー
中の約700m10MeOH中に加えた。灰白色固形物
を単離した。Mw21,700、Mn6.733゜ 無定形セレンの真空蒸着0.5μm層を有するアルミニ
ウムプレートを得られたポリヒドロキシエーテル格II
指のテ1−ラヒドロフランン容ンeL(20重量%溶液
)を50μm引き延し棒を用いてコーティングした。〜
12μmの乾燥厚を有するフィルムを12時間の真空乾
燥後に得た。このサンプルのフラットプレート電気走査
試験は990VのV。
とによって終了させた。溶液をウォーリングブレンダー
中の約700m10MeOH中に加えた。灰白色固形物
を単離した。Mw21,700、Mn6.733゜ 無定形セレンの真空蒸着0.5μm層を有するアルミニ
ウムプレートを得られたポリヒドロキシエーテル格II
指のテ1−ラヒドロフランン容ンeL(20重量%溶液
)を50μm引き延し棒を用いてコーティングした。〜
12μmの乾燥厚を有するフィルムを12時間の真空乾
燥後に得た。このサンプルのフラットプレート電気走査
試験は990VのV。
(電荷アクセプタンス)と〜OVの■、(残留電位を示
した。アイソバールし、即ち、イソパラフィン系炭化水
素への1週間の暴露は小分子浸出およびフィルムクラッ
キングを示さなかった。
した。アイソバールし、即ち、イソパラフィン系炭化水
素への1週間の暴露は小分子浸出およびフィルムクラッ
キングを示さなかった。
実施例4
N、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−
ジアミンとN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(4
−(2’、3−エポキシプロビル)フェニル)−C1,
1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミンに基づくポリ
ヒドロキシエーテル樹脂、フェノキシ樹脂の調製:2種
類の反応物、3.16 gの上記ジェポキシアリールア
ミン化合物と2.6gの上記ジヒドロキシアリールアミ
ン化合物を2ccのジ第4−サンと0、026 gのト
リフェニルホスフィンを含む反応容器中に加えた。反応
を加熱して105℃に3日間保った。この反応期間中、
ジオキサンを加えてPA拌に適する粘度を維持した。得
られた殆んどゲル状の生成物をN−メチルピロリジノン
とジオキサン中に溶解した。ポリマー沈澱は腕○Hで行
った。得られた収率は78%であった。Mw5.700
、Mn3.230゜ 無定形セレンの真空蒸着0.5μm層を有するアルミニ
ウムプレートを得られたポリヒドロキシエーテル樹脂の
テトラヒドロフラン溶液(50150重量%溶液)を5
0μm引き延し棒を用いてコーティングした。〜12μ
mの乾燥厚を有するフィルムを12時間の真空乾燥後に
得た。このサンプルのフラットプレート電気走査試験は
980■のV。
シフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−
ジアミンとN、N’−ジフェニル−N、N’−ビス(4
−(2’、3−エポキシプロビル)フェニル)−C1,
1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミンに基づくポリ
ヒドロキシエーテル樹脂、フェノキシ樹脂の調製:2種
類の反応物、3.16 gの上記ジェポキシアリールア
ミン化合物と2.6gの上記ジヒドロキシアリールアミ
ン化合物を2ccのジ第4−サンと0、026 gのト
リフェニルホスフィンを含む反応容器中に加えた。反応
を加熱して105℃に3日間保った。この反応期間中、
ジオキサンを加えてPA拌に適する粘度を維持した。得
られた殆んどゲル状の生成物をN−メチルピロリジノン
とジオキサン中に溶解した。ポリマー沈澱は腕○Hで行
った。得られた収率は78%であった。Mw5.700
、Mn3.230゜ 無定形セレンの真空蒸着0.5μm層を有するアルミニ
ウムプレートを得られたポリヒドロキシエーテル樹脂の
テトラヒドロフラン溶液(50150重量%溶液)を5
0μm引き延し棒を用いてコーティングした。〜12μ
mの乾燥厚を有するフィルムを12時間の真空乾燥後に
得た。このサンプルのフラットプレート電気走査試験は
980■のV。
(電荷アクセプタンス)と〜10■のVR(残留電位を
示した。アイソバールし、即ち、イソパラフィン系炭化
水素への1週間の暴露は小分子浸出およびフィルムクラ
ッキングを示さなかった。
示した。アイソバールし、即ち、イソパラフィン系炭化
水素への1週間の暴露は小分子浸出およびフィルムクラ
ッキングを示さなかった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Rは−H、−CH_3および−C_2H_5か
らなる群より選ばれ; mは約4〜約1,000であり; Aは式: ▲数式、化学式、表等があります▼ で示されるアリールアミン基 (式中、mは0または1であり、Zは ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 および−Ar−(X)_η−Ar− からなる群より選ばれ、nは0または1であり、Arは ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼および▲数式、化学式、表等がありま
す▼、 からなる群より選ばれ、Rは−CH_3、−C_2H_
5、−C_3H_7および−C_4H_9からなる群よ
り選ばれ、Ar′は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼および▲数式、化学式、表等がありま
す▼ からなる群より選ばれ、Xは −CH_2−、−C(CH_3)_2−、−O−、−S
−、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
す▼および ▲数式、化学式、表等があります▼ からなる群より選ばれる) からなる群より選ばれ、 BはAで定義したようなアリールアミン基、および ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Arは前述したとおりであり、Vは−CH_2
−、−C(CH_3)_2−、−O−、−S−、▲数式
、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表等があ
ります▼、 からなる群より選ばれる) からなる群より選ばれ;そして 少なくともAまたはBがアリールアミン基を含有してい
る〕 で示されるアリールアミン化合物。
Applications Claiming Priority (2)
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---|---|---|---|
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---|---|
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JPH0710912B2 JPH0710912B2 (ja) | 1995-02-08 |
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---|---|
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