JPH0611852A - フッ素化ポリカーボネートを含有する光導電性像形成部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電荷輸送層用の樹脂バインダーとしてフッ素
化ポリカーボネートを用いることにより、改良され耐磨
耗性を有する光導電性像形成部材を提供することを目的
とする。 【構成】 支持基体、光生成層、およびフッ素化ポリカ
ーボネート中に分散させた電荷輸送成分を含む電荷輸送
層とを含む耐磨耗性光導電性像形成部材。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、一般に像形成部材およ
びその製造方法に関する。さらに詳細には、本発明は、
支持基体、光生成層、および該光生成層上のフッ素化ポ
リカーボネートバインダー樹脂中に分散させた電荷輸送
成分を含む電荷輸送層とを含む耐磨耗性光導電性像形成
部材に関する。本発明の像形成部材の有する利点には、
耐磨耗性の電荷輸送層、例えばゼロックス コーポレー
ション 5090 のようなゼログラフィー像形成装置におけ
る、例えば、５０，０００回の像形成サイクルまでの像
形成部材の寿命延長、特にワイパーブレードによるクリ
ーニング中の磨耗およびキャリヤー粒子との接触による
磨耗に対する耐性、効率的で効果的なクリーニング等が
ある。本発明の光導電性像形成部材は、例えば、光生成
層と正孔輸送層との間に、または光生成層と該光生成層
に接触させた電荷輸送層を有する支持基体との間に存在
させた、例えば、ビスアゾ光生成性顔料を含む光導電性
化合物をも含有し得る。

【０００２】

【従来の技術】多層型像形成部材は公知である。これら
の像形成部材は、光生成層および該光生成層と接触させ
たアリールジアミンを含む電荷輸送層とを含み得る（米
国特許第４，２６５，９９０号参照）。マクロロン(MAK
ROLON 、登録商標) のようなポリカーボネートのような
樹脂バインダー中に分散させた電荷輸送アリールジアミ
ンを含む多層型像形成部材も公知である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】これらの像形成部材
は、その意図する目的には適しているけれども、クリー
ニング対して実質的に耐性がなくまたおよそ２５，００
０回の像形成サイクル後に磨耗を受けるような多くの欠
点を有し、それ故に、低下した画質を有する望ましくな
いコピーを生ずる。また、これらの像形成部材は、クリ
ーニングするのが難しく、あるいは適切なクリーニング
を行うのに複雑で高価なクリーニング装置を必要とし得
る。これらおよび他の欠点は、本発明の像形成部材によ
って回避または最小化される。本発明の目的は、多くの
上述した利点を有する像形成部材を提供することであ
る。本発明のもう１つの目的は、電荷輸送分子とフッ素
化ポリカーボネートとを含む電荷輸送層を提供すること
であり、この電荷輸送層を含む像形成部材は、約４００
〜約８００ｎｍ、好ましくは約４００〜約６８０ｎｍの
波長に感光性であり得る。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明の上記および他の
目的は、本発明の各実施態様において、多層型光導電性
像形成部材を提供することによって達成し得る。さらに
詳細には、本発明は、フッ素化ポリカーボネート樹脂バ
インダー中に分散させたアリールアミンのような電荷輸
送分子または成分を含む電荷輸送層を有する光導電性像
形成部材に関する。１つの実施態様においては、本発明
は、支持基体、光生成層、およびフッ素化ポリカーボネ
ート中に分散させた電荷輸送成分を含む電荷輸送層とを
含む耐磨耗性光導電性像形成部材に関する。本発明の像
形成部材は、各実施態様において、アルミニウム、マイ
ラー(MYLAR、登録商標) 、チタン処理マイラー等の支持
基体; その上の、樹脂バインダー中に必要に応じて分散
させた三方晶セレン、無定形セレン、銅フタロシアニン
のような金属フタロシアニン、ｘ−無金属のような無金
属フタロシアニン、バナジルフタロシアニン、スクアラ
イン類、ビスアゾ類、チタニルフタロシアニン（特にタ
イプIV）等のような公知の光生成性顔料を含む光生成
層; および、その上の、該光生成層と接触する、フッ素
化ポリカーボネート樹脂バインダー中に分散させた公知
のアリールジアミンのような電荷輸送成分特に正孔輸送
成分を含む電荷輸送層とを含み得る。

【０００５】本発明の重要な特徴は、電荷輸送層用の樹
脂バインダーとしてフッ素化ポリカーボネートを選択す
ることにある。フッ素化ポリカーボネート樹脂バインダ
ーの具体的例には、ポリ〔４，４^' −ヘキサフルオロイ
ソプロピリデン ビスフェノール-co-４，４^' −（１，
４−フェニレンビスイソプロピリデン）ビスフェノー
ル〕カーボネート；ポリ〔４，４^' −ヘキサフルオロプ
ロピリデン ビスフェノール-co-４，４^' −（１，４−
フェニレンビスイソプロピリデン）ビスフェノール〕カ
ーボネート；ポリ〔４，４^' −ヘキサフルオロアルキリ
デン ビスフェノール-co-４，４^' −（１，４−フェニ
レンビスアルキリデン）ビスフェノール〕カーボネート
（式中、アルキルは、メチル、エチル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、オクチル、ノニル等であり、一般的に、
１〜約２５個好ましくは１〜約１０個の炭素原子を含有
する）；ポリ（４，４^' −ヘキサフルオロイソプロピリ
デンビスフェノール-co-４，４^' −シクロヘキシリデン
ビスフェノール）カーボネート；ポリ（４，４^' −ヘ
キサフルオロイソプロピリデン ビスフェノール）カー
ボネート；ポリ（４，４^' −ヘキサフルオロイソプロピ
リデン ビスフェノール-co-４，４^' −イソプロピリデ
ン ビスフェノール）カーボネート；ポリ〔４，４^' −
ヘキサフルオロイソプロピリデン ビスフェノール−
４，４^' −（１，３−フェニレンビスイソプロピリデ
ン）ビスフェノール〕カーボネートがある。

【０００６】さらに、ポリ（４，４^' −ヘキサフルオロ
イソプロピリデン ビスフェノール-co-４，４^' −シク
ロヘキシリデン−２，２^' −ジメチル ビスフェノー
ル）カーボネート；ポリ〔４，４^' −ヘキサフルオロイ
ソプロピリデン ビスフェノール-co-４，４^' −（イソ
プロピリデン−２，２^' −ジメチル ビスフェノール）
カーボネート；ポリ｛４，４^' −ヘキサフルオロイソプ
ロピリデン ビスフェノール-co-〔４，４^' −（１，４
−フェニレンビスイソプロピリデン）ビスフェノール〕
−４，４^' −ビスフェノール｝カーボネート；ポリ
（４，４^' −ヘキサフルオロイソプロピリデン ビスフ
ェノール-co-４，４^' −ジフェニルメチリデンビスフェ
ノール）カーボネート；ポリ（４，４^' −ヘキサフルオ
ロイソプロピリデン) ビスフェノール−４，４^' −シク
ロヘプチリデン ビスフェノール）カーボネート；ポリ
（４，４^' −ヘキサフルオロイソプロピリデン ビスフ
ェノール-co-４−ｔ−ブチルシクロヘキシリデン) ビス
フェノール）カーボネート；およびポリ｛４，４^' −ヘ
キサフルオロイソプロピリデン ビスフェノール−
〔４，４^' −（１，４−フェニレンビスイソプロピリデ
ン）ビスフェノール〕−４，４^' −ジヒドロキシジフェ
ニルエーテル｝カーボネートもある。

【０００７】各実施態様において選択されるフッ素化ポ
リカーボネートは、下記の式によって表し得る：

【化１】

【０００８】上記式において、Ａ部分は、１種以上好ま
しくは１〜２種のビスフェノールから誘導されたポリマ
ー分子の非フッ素化部分であり、Ａ部分の特定の例に
は、４，４^' −（１，４−フェニレンビスイソプロピリ
デン）ビスフェノール、４，４ ^' −シクロヘプチリデン
ビスフェノール、４，４^' −ジヒドロキシジフェニル
エーテル、４，４^' −シクロヘプチリデン ビスフェノ
ール、４，４^' −イソプロピリデン ビスフェノール、
４，４^' −（１，３−フェニレンビスイソプロピリデ
ン）ビスフェノール、４，４^' −シクロヘキシリデン−
２，２^' −ジメチルビスフェノール、４，４^' −シクロ
ヘキシリデン ビスフェノール、４，４^'−イソプロピ
リデン−２，２^' −ジメチル ビスフェノール、４，４
^' −ｔ−ブチルシクロヘキシリデン ビスフェノール、
４，４^' −フェニルシクロヘキシリデン ビスフェノー
ル、４，４^' −（１−フェニルエチリデン）ビスフェノ
ール、４，４^' −ジフェニルメチリデン ビスフェノー
ル等から誘導された構造またはセグメントがあり；ｊお
よびｎは、繰り返しセグメントの数を示し；ｍは、繰り
返しセグメントの数を示し；Ｒ₁ およびＲ₂ は、アルキ
ルのような脂肪族成分、またはフェニル、ナフチル、ベ
ンジルのような置換フェニル等の芳香族成分を示す。

【０００９】さらに詳細には、ｊおよびｎは、重合度に
相応し、例えば、約４〜約２００の範囲の数である。Ｒ
₁ は、メチリデン、１，１−エチリデン、１，２−エチ
リデン、２，２−プロピリデン、ブチリデン、ヘキシリ
デン、ヘプチリデン、オクチリデン、シクロヘキシリデ
ン、ｔ−ブチルシクロヘキシリデン、フェニルシクロヘ
キシリデン、シクロヘプチリデン等の通常同じ炭素原子
（限定するものではないが）上に置換基を有するアルキ
リデン基；アルキルまたは、例えばフルオロ、クロロお
よびブロモのようなハロゲンで置換したアルキル；およ
びメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキ
シル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル等のアルキ
ルのような置換基を含有し得るアリールであり得る。ま
た、Ｒ₁は、１，３−フェニレンビスイソプロピリデ
ン、１，４−フェニレンビスイソプロピリデン、スルホ
ニル基、カルボニル、酸素等であり得；この中心置換基
Ｒ₁は、酸素に対して１、４またはパラである必要はな
く、酸素に対して１、３またはメタであり得；Ｒ₁ は、
２個のアリールまたはフェニル環置換基間の炭素結合に
換えることができる。Ｒ₂ は、メチル、エチル、プロピ
ル、ブチル、ヘキシル、オクチル、ノニル、ペンチル等
の、例えば、１〜約２５個好ましくは１〜約１２個の炭
素原子を含有するアルキル；水素；または塩素もしくは
臭素のようなハロゲンであり得る。アルキルは、例えば
アルキル基を枝分かれさせていてもよく、あるいはアリ
ール置換基を含有し得る。アルキル基は、各実施態様に
おいて、メチル、エチル等の例えば１〜約２５個の炭素
原子を含有し、アリール基は、フェニル、ベンジル、ナ
フチル、シクロヘキシル、ｔ−ブチルシクロヘキシル、
フェニルシクロヘキシル、シクロヘプチル等の６〜約２
４個の炭素原子を含有する。

【００１０】ポリマー分子の“Ａ”部分に相応し得る構
造は、Hermann Schnell's Chemist-ry and Physics of
Polycarbonates, Polymer Reviews V. 9, Interscience
Pu-blishersの主として86〜90頁の表IV-1、表IV-2、V-
1 、V-2 、V-3 、V-4 、V-5、およびV-6 の構造におい
て見い出される。これらのセグメントの多くは、米国特
許第４，７６６，２５５号に開示されているような方法
で調製し得る。Ａの特定の例には、４，４^' −（１，４
−フェニレンビスイソプロピリデン）ビスフェノール、
４，４^' −シクロヘプチリデン ビスフェノール、４，
４^' −ジヒドロキシジフェニルエーテル、４，４^' −シ
クロヘプチリデン ビスフェノール、４，４^' −イソプ
ロピリデン ビスフェノール、４，４^' −（１，３−フ
ェニレンビスイソプロピリデン）ビスフェノール、４，
４^' −シクロヘキシリデン−２，２^' −ジメチル ビス
フェノール、４，４^' −シクロヘキシリデン ビスフェ
ノール、４，４^' −イソプロピリデン−２，２^' −ジメ
チル ビスフェノール、４，４^' −ｔ−ブチルシクロヘ
キシリデン ビスフェノール、４，４^' −フェニルシク
ロヘキシリデン ビスフェノール、４，４^' −（１−フ
ェニルエチリデン）ビスフェノール、４，４^' −ジフェ
ニルメチリデン ビスフェノールから誘導された構造ま
たはセグメントがある。ポリマー分子の“Ｂ”部分は、
フッ素化ビスフェノールから誘導し得る。フッ素は、
“Ａ”部分用に用い得るビスフェノール構造の脂肪族ま
たは芳香族置換基上で置換し得る。各実施態様におい
て、フッ素は、ヘキスト セラニーズ社から入手し得る
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパンを“Ｂ”ビスフェノールとして用いることに
よってポリマー分子中に導入し得る。

【００１１】例えば、ＢＡＳＦ社から入手し得る本発明
のポリカーボネートは、公知のポリエステル化によって
調製し得る。さらに詳細には、本発明のポリカーボネー
トは、１つの実施態様において、１種以上、例えば５種
まで、好ましくは３種まで、より好ましくは２種までの
ビスフェノールと、ジアリール カーボネート、特にジ
フェニルカーボネートのようなビス（アリール）カーボ
ネート（米国特許第４，３４５，０６２号参照）とを、
触媒、例えば、チタニウム ブトキサイド、チタニウム
イソプロポキシド、ジルコニウム イソプロポキシド
等の金属アルコキシド；酢酸マグネシウム、酢酸亜鉛の
ような金属酢酸塩；ジブチル錫オキサイド、ジ−ｎ−ブ
チル錫ジメトキサイドのような錫化合物；テトラメチル
アンモニウム テトラフェニル ボロハイドライドの
ようなテトラボレート化合物；チタニウム アルコキシ
ドまたはジルコニウム アルコキシド；金属ジ酢酸塩；
オルガノ錫化合物またはボロハイドライド系化合物の存
在下に反応させることによって調製し得る；上記のビス
（アリール）カーボネート反応物は、普通、炭酸芳香族
ジエステルとも称されており、米国特許第３，１６３，
００８号の第２欄２３〜７２行および第３欄１〜４２行
の式III に記載されているものがあり、好ましいビス
（アリール）カーボネートは、ジフェニル カーボネー
ト、ジクレシルカーボネート、ビス（２−クロロフェニ
ル）カーボネート；ヒドロキノン、レゾルシノールおよ
び４，４^' −ジヒドロキシジフェニルのビス−フェニル
−カーボネート；ビス（４−ヒドロキシアリール）−ア
ルカン、シクロアルカン、エーテルおよびスルフィド、
スルホン等、並びにポリジフェニル シロキサンのよう
なシラノール末端化ポリシロキサンテロマーのビスフェ
ニル カーボネートである。ジフェニルカーボネート
は、各実施態様において、用いるビスフェノール総モル
数に対してモル過剰で用い；この過剰は、約５〜約３０
％好ましくは約１０％の範囲である。触媒は、例えば、
ビスフェノール分の約０．０１〜約１．０モル％の有効
量で好ましくはビスフェノール基準で約０．１〜約０．
３の量で用いる。この混合物を、少なくとも１．０ｍバ
ール程の低い真空を維持し得る１リットルのスチール反
応器内で、攪拌させながら加熱する。反応器は、少なく
とも３００℃程の高い温度に加熱し得るべきであり、か
つフェノールのような重合副生成物とモル過剰のジフェ
ニルカーボネートの収集用のコンデンサーを備えるべき
である。

【００１２】詳細には、本発明の方法は、各実施態様に
おいて、次の如くして実施し得る：１リットルの反応器
に、約１７３ｇ即ち約１／２モルの４，４^' −（１，４
−フェニレンビスイソプロピリデン）ビスフェノール、
約１６８ｇ即ち約１／２モルの４，４^' −ヘキサフルオ
ロイソプロピリデン ビスフェノールとを、約１０％モ
ル過剰即ち約２３５．６ｇのジフェニルカーボネートと
一緒に加える。チタニウム ブトキサイドのような触媒
を、加熱により溶融させた固形ビスフェノールとジフェ
ニルカーボネートの約０．５ｍｌの量で加える。加熱
は、反応容器を取り巻く電気素子ヒーターによって行い
得る。各ビスフェノールとジフェニルカーボネートを含
むモノマー混合物は、約８０〜約１４０℃の温度範囲で
溶融する。溶融したとき、反応器を密封し、攪拌を開始
し、乾燥窒素ガスの連続流を反応器中に約５０分間また
はその他の有効時間で流入させる。反応器温度を、約２
２０℃に約５０分間で上昇させる。この温度を、反応器
内の圧力を真空ポンプ装置で減圧しながら維持する。圧
力は、約１，０００ｍバールから約５００ｍバールに約
１０分間で減圧する。次いで、圧力を約０ｍバールに約
８０分間でさらに減圧する。温度を２２０℃に約１００
〜約１８０分間好ましくは約１３３分間維持した後、反
応の進行を攪拌機のトルクの上昇によりモニターし得
る；攪拌機のトルク上昇は、溶融粘度が約１０センチポ
イズから約１，０００，０００センチポイズ以上に上昇
するにつれて、約０．０１２ｍＶから約０．１〜０．３
ｍＶに上昇するＨＢＭトルクトランジュサーとメーター
のミリボルト信号により示され、その粘度上昇は、反応
が進行するにつれてのポリマー分子量の増大によりある
いはフェノール副生成物の収集により生じ（２モルのフ
ェノールが、重合するビスフェノール各モル毎に生成す
る）、重合度を直接追跡できる。

【００１３】次いで、温度を、約２８０℃に約１０分で
上昇させる。この温度を約９７分間維持する。さらに、
温度を約３００℃に約１０分内で上昇させる。この温度
を約９７分間維持する。次に、反応器を乾燥窒素ガスで
大気圧に再上昇させ、得られた溶融ポリマーを、大きい
ピンセットで反応器の底から乾燥不活性雰囲気中に引出
し、ワイヤーカッターで切断し、室温の約２５℃に冷却
せしめて生成物のポリ〔４，４^' −ヘキサフルオロイソ
プロピリデン ビスフェノール−４，４^' −（１，４−
フェニレンビスイソプロピリデン）ビスフェノール〕カ
ーボネート（０．５：０．５Ｍ）を得る。この生成物お
よびその構造をＮＭＲで確認したところ、この特定の生
成物においてはＭｎ＝２０、８００、Ｍｗ＝５７、５０
０であった。生成物の精製を行った後、生成物を、米国
特許第４，９２１，９４０号に略述されている方法によ
って処理し得る；この方法によれば、例えば、１０ｇの
上記ポリカーボネート生成物をポリマー溶媒としての１
００ｍｌのジメチルホルムアミド（錯生成剤として０．
２５ｇの酒石酸を含有するような）中に加える。混合物
を１６時間攪拌させた後、得られたポリマー溶液を、３
リットルの急速攪拌中の脱イオン水中に沈殿させる。ポ
リマーを、濾過により回収し、真空炉内で約８０℃で一
夜乾燥させる。フッ素化モノマーの存在は２つのコモノ
マーの統計的分布での導入であることがＮＭＲにより確
認できる。数平均分子量、重量平均分子量およびＭｗ／
Ｍｎ比は、１００、５００、５００、および１０⁴ オン
グストロームの孔径を有する４本のウルトラスチラゲル
(ULTRASTYRAGEL、登録商標) カラムを用い、かつ溶媒と
してＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いたウォターズ
ゲル浸透グロマトグラフ(Waters Gel Permeation Chrom
atograph) によって測定し得る。

【００１４】上記のフッ素化樹脂バインダーは、電荷輸
送層中に、例えば約２５〜約７５重量％好ましくは約４
５〜約６５重量％のような種々の有効量で存在する。本
発明の光導電性像形成部材において使用し得るアリール
アミン正孔輸送分子の例は、米国特許第４，２６５，９
９０号に例示されている。また、電荷輸送分子の例は、
米国特許第４，９２１，７７３号および前述の各米国特
許に例示されている。これらの成分は、例えば約７５〜
約２５重量％好ましくは約５５〜約３５重量％のような
種々の有効量で存在する。電荷輸送層は、例えば電荷特
に正孔を有効に輸送する限り、アリールアミン化合物ま
たは他の成分（上記 ‘７７３号米国特許参照）のよう
な種々の成分を含み得る。１つの実施態様においては、
電荷輸送層は、下記の式を有するアリールアミン化合物
を含み得る：

【００１５】

【化２】 （式中、Ｘは、アルキルおよびハロゲンからなる群より
選ばれる。）

【００１６】１つの特定の例示としての実施態様におい
ては、本発明の光導電性像形成部材は、（１）支持基
体、（２）正孔ブロッキング層、（３）任意成分として
の接着界面層、（４）光生成層、および（５）フッ素化
ポリカーボネート中に分散させた電荷輸送成分を含む電
荷輸送層とを含み得る。本発明の１つの特定の光導電性
像形成部材は、導電性支持基体、該支持基体と接触した
正孔ブロッキング金属酸化物層、接着層、該任意成分接
着層上にオーバーコーティングさせた、例えばビスアゾ
化合物を含む光生成層、およびトップ層としてのフッ素
化ポリカーボネート樹脂マトリックス中に分散させたあ
る種のジアミンを含む正孔輸送層とを含み得る。本発明
の感光性装置は、ゼログラフィー像形成方法として通常
公知のシステムのような種々の像形成システムにおいて
使用し得る。さらに、本発明の像形成部材は、可視光お
よび／または近赤外光による像形成システムおよびプリ
ンティングシステムにおいても使用し得る。この実施態
様においては、本感光性装置を負帯電させ、約４００〜
約８００ｎｍ好ましくは４００〜６８０ｎｍの波長の光
に連続的にまたは瞬間的に露光させ、次いで得られた像
を現像し紙に転写させる。

【００１７】本発明の光導電性像形成部材は、支持基
体；樹脂バインダー組成物中に分散させたバナジルフタ
ロシアニン、三方晶セレンまたはチタニルフタロシアニ
ン特にタイプIVのチタニルフタロシアニンのような光生
成性顔料を含む光生成層；および不活性樹脂フッ素化ポ
リカーボネートバインダー組成物中に分散させた正孔輸
送分子を含む電荷キャリヤー正孔輸送層とを含むか、あ
るいは支持基体；実施例１の樹脂状フッ素化ポリカーボ
ネートバインダー組成物中に分散させたアリールアミン
正孔輸送分子を含む正孔輸送層；および樹脂バインダー
組成物中に分散させた光生成性顔料を含む光生成層とを
含む。上記像形成部材の支持基体は、マイラー(MYLAR、
登録商標；商業的に入手し得るポリマー）、チタン処理
マイラーのような無機または有機高分子材料ような絶縁
性材料；酸化錫インジウムまたはアルミニウムのような
半導電性表面層を有する有機または無機材料の層；また
はアルミニウム、チタニウム、クロム、ニッケル、黄銅
等の導電性材料を含み得る。基体は、可撓性、シームレ
スまたは剛性であり得、プレート、円筒状ドラム、スク
ロール、エンドレス可撓性ベルト等のような多くの種々
の形状を有し得る。この層は、例えば１３５ミル（３．
４３ｍｍ）までの実質的厚さまたは装置に悪影響を及ぼ
さない限りの最小厚さを有し得る。各実施態様におい
て、この層の厚さは、約３〜約２５ミル（約７６．２〜
約６３５μｍ）である。

【００１８】一般に、光生成層は、約０．０５〜約１０
μｍまたはそれ以上の厚さを有し、好ましくは、約０．
１〜約４μｍの厚さを有する。しかしながら、この層の
厚さは、約５〜約１００％で変化し得る光生成性顔料の
重量含有量、他の層の成分等に主として依存する。光生
成層用の任意成分としての樹脂バインダーには、ポリエ
ステル、ポリビニルブチラール等がある。本発明の光導
電性像形成部材は、必要に応じて、支持基体と光生成層
間に正孔ブロッキング層を含有し得る。この層は、酸化
アルミニウム等の金属酸化物、またはシラン、ナイロン
等の材料を含み得る。この層の主目的は、帯電中および
帯電後の基体からの正孔注入を防止することである。典
型的には、この層は、約５〜約３００オングストローム
の厚さを有するが、ある場合には、３μｍ程の厚さであ
り得る。さらに、必要に応じて、本発明の光導電性像形
成部材は、正孔ブロッキング層と光生成層との間に接着
界面層も含有し得る。この層は、ポリエステル−１００
(Polyester-100) のようなポリエステル、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルピロリドン等の高分子材料を含み
得る。典型的には、この層は、例えば、約０．９μｍ以
下の厚さを有し得るが、約０．０５〜約１μｍの厚さ範
囲が本発明の各実施態様において適している。

【００１９】１つの実施態様においては、本発明の光導
電性像形成部材は、（１）厚さ７５μｍを有し、厚さ
０．０２μｍのチタンの導電性真空蒸着層を有するマイ
ラーの導電性支持基体；（２）厚さ０．１μｍを有する
Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランの
正孔ブロッキング層；（３）厚さ０．０５μｍを有する
４９，０００ポリエステル（デュポン ケミカル社から
入手し得る）の接着層；（４）厚さ１μｍを有する三方
晶セレン分散体の光生成層；および（５）実施例１のフ
ッ素化ポリカーボネートの樹脂バインダー中に分散させ
たアリールアミンの厚さ２０μｍを有する電荷輸送層と
を含む。本発明の像形成部材は、各実施態様において優
れたゼログラフィー特性を示す。例えば、暗現像電位
（Ｖ_ddp ）の値は、約−４００〜約−９７５ボルトの範
囲であり得る。本発明の像形成部材における好ましい暗
現像電位範囲は、通常約−４００〜約−９００ボルトで
あるが、−８００ボルトが各実施態様において特に好ま
しい。高暗現像電位は、高コントラスト電位を与え、本
質的にバックグラウンドの汚れのない高画質の像を生ず
る。また、本発明の像形成部材は、各実施態様におい
て、例えば約−５０ボルト／秒以下の低暗減衰値を示
す。低暗減衰値は、高画質の像を現像するのに重要であ
り得る；何故ならば、暗減衰は感光体の帯電後に消散す
る電荷量を決定し、感光体の露光領域と未露光領域間の
大きい差異が高コントラストを有する像を生ずるからで
ある。暗減衰の許容し得る値は、像形成部材を収容する
像形成装置の設計によって変動する。この暗減衰は、−
１００ボルト／秒程の高い値であり得るが、−５０ボル
ト／秒および−１０〜−２０ボルト／秒が各実施態様に
おいて好ましい。

【００２０】本発明の像形成部材の残留電位値（Ｖ_R ）
は、各実施態様において優れており、例えば約−５〜約
−５０ボルトの範囲にある。残留電位は、露光による消
去後でかつ像形成前に像形成部材上に残留する電荷量の
尺度である。−５〜−２０ボルトの残留電位は、極めて
例外的であると考えられる。本発明の像形成部材の感光
度値は、各実施態様において許容し得、ある場合には優
れており、例えば、約４〜約２５エルグ／ｃｍ² であり
得る。許容し得る感光度値は、像形成部材を収容する像
形成部材の設計によって変動し；即ち、ある場合には、
４０または５０エルグ／ｃｍ² 程の高い値も許容し得、
約５エルグ／ｃｍ² の値が好ましい。また、本発明は、
本発明の光導電性像形成部材による像形成方法も包含す
る。この方法は、本発明の光導電性像形成部材上に静電
像を発生させ、次いで、この静電像を、樹脂粒子、顔料
粒子、帯電調節剤のような添加剤、およびキャリヤー粒
子を含む公知の現像剤組成物（米国特許第４，５５８，
１０８号、第４，５６０，５３５号、第３，５９０，０
００号、第４，２６４，６７２号、第３，９００，５８
８号および第３，８４９，１８２号参照）で現像し、現
像した静電像を適当な基体に転写し、転写像を基体に永
久的に定着させることを含む。１つの像形成部材の製造
方法の実施態様においては、バナジルフタロシアニン光
生成体を、支持基体上に、例えばバードアプリケーター
を用いてコーティングし、次いで、電荷輸送層の溶液コ
ーティングを行い、その後、例えばオーブン中で乾燥さ
せる。

【００２１】

【実施例】

【実施例１】重合 ：用いた反応器は、螺旋コイル攪拌機と２重の機械
的シールを備えた１リットルのステンレススチール反応
器であった。この反応器を３０：１のギアー減速を有す
る０．５馬力のモーターで駆動させた。反応器は電気的
に加熱した。トルク計は攪拌機駆動装置の１部であっ
た。圧力は、圧力トランジュサーとピラニ計の両方でモ
ニターした。温度は白金ＲＴＤｓでモニターした。圧力
と温度は、フィッシャー アンド ポーター カメレオ
ン(Fischer and Porter Chameleon)調節計により正確に
制御し分布させた。特別設計のコンデンサーにより、フ
ェノールとジフェニルカーボネートの効率的縮合のモニ
ターを確実にした。比例配分バルブと回転オイルポンプ
により、反応器圧の変動を制御した。上記の反応器に、
１７３．１ｇ（０．５モル）のビスフェノールＰ〔４，
４^'−（１，４−フェニレンビスイソプロピリデン）ビ
スフェノール〕、１６８．１ｇ（０．５モル）のビスフ
ェノールＡＦ（４，４^' −ヘキサフルオロイソプロピリ
デン ビスフェノール）、２３５．６ｇ（１．１モル）
のジフェニルカーボネート、および０．５ｍｌのチタニ
ウム ブトキサイドを加えた。

【００２２】反応器を密封し、温度を約２２０℃に上げ
た。次いで、圧力を約１０分間隔で約５００ｍバールま
で下げた。圧力が５００ｍバールに近づくにつれて、フ
ェノールがコンデンサー内に集まり始めた。減圧速度を
遅くして、２ｍバール以下の圧力に達するのに約８０分
を要するようにした。２２０℃で合計１７０分後に、温
度を２６０℃に上げて、この温度に約６７分間保った。
続いて、温度を２８０℃に上げ、約９７分間保ち、さら
に、３００℃に上げさらに１２０分間保った。溶融ポリ
マーを、反応器から乾燥窒素雰囲気中に引出して冷却し
た。得られたポリマーのポリ〔４，４^' −ヘキサフルオ
ロイソプロピリデン ビスフェノール-co-４，４^' −
（１，４−フェニレンビスイソプロピリデン）ビスフェ
ノール〕カーボネートは、デュポン インスツルメンツ
(DuPont Instruments)DSC 10 で測定したとき、１５５
℃のＴｇを有していた。ＧＰＣ分子量は、狭い分子量分
布のポリスチレン標準により標準化した１本の１００
Å、２本の５００Åおよび１本の１０⁴ Åのウォーター
ズ ウルトラスチラゲル(Waters ULTRASTRYRAGEL) カラ
ムを用いたウォーターズ クロマトグラフ装置で測定し
たところ、Ｍｎ＝２０，８００、Ｍｗ＝５７，５００で
あることが判った。ＮＭＲによりその構造を確認した。
１０ｇのポリマーを１００ｍｌの０．２５ｇの酒石酸を
含有するＤＭＦに加え、一夜即ち約１８時間攪拌した。
ポリマー溶液を、１．５リットルの急速攪拌脱イオン水
中に沈殿させた。続いて、定量的收率のポリマーを乾燥
させ、感光体中の電荷輸送層マトリックスポリマーとし
て評価した。

【００２３】

【実施例２】実施例１の方法を、温度条件を下記のよう
に変化させて繰り返した：２２０℃での合計時間を１３
３分に短縮し、２６０℃での温度プラトーを省略し、２
８０℃での時間は９７分のままであり、３００℃での時
間は９７分に短縮した。得られたポリマーは、１６１℃
のＴｇ、Ｍｎ＝２９，３００およびＭｗ＝８７，８００
のＧＰＣ平均分子量を有していた。

【００２４】

【実施例３】実施例２の方法を繰り返したが、次の反応
物、即ち、１４３．５ｇ（０．５モル）のビスフェノー
ルＡＰ〔４，４^' −（１−フェニルエチリデン）ビスフ
ェノール〕、１６８．１ｇ（０．５モル）のビスフェノ
ールＡＦ（４，４^' −ヘキサフルオロイソプロピリデン
ビスフェノール）、２３５．６ｇ（１．１モル）のジ
フェニルカーボネート、および０．５ｍｌのチタニウム
ブトキサイドを用いた。ポリマー生成物のポリ〔４，
４^' −ヘキサフルオロイソプロピリデン ビスフェノー
ル-co-４，４^' −（１−フェニルエチリデン）ビスフェ
ノール〕カーボネート（０．５：０．５Ｍ）は、１７８
℃のＴｇ、Ｍｎ＝２７，６００およびＭｗ＝７０，９０
０のＧＣＰ平均分子量を有していた。

【００２５】

【実施例４】実施例２の方法を繰り返したが、次の反応
物、即ち、１３４．０ｇ（０．５モル）のビスフェノー
ルＺ（４，４^' −シクロヘキシリデン ビスフェノー
ル）、１６８．１ｇ（０．５モル）のビスフェノールＡ
Ｆ（４，４^' −ヘキサフルオロイソプロピリデン ビス
フェノール）、２３５．６ｇ（１．１モル）のジフェニ
ルカーボネート、および０．５ｍｌのチタニウム ブト
キサイドを用いた。ポリマー生成物のポリ（４，４^' −
ヘキサフルオロイソプロピリデン ビスフェノール-co-
４，４^' −シクロヘキシリデン ビスフェノール）カー
ボネート（０．５：０．５Ｍ）は、１７０℃のＴｇ、Ｍ
ｎ＝２７，７００およびＭｗ＝１２０，０００のＧＰＣ
平均分子量を有していた。

【００２６】

【実施例５】実施例２の方法を繰り返したが、次の反応
物、即ち、６７．０ｇ（０．２５モル）のビスフェノー
ルＺ（４，４^' −シクロヘキシリデン ビスフェノー
ル）、２５２．２ｇ（０．７５モル）のビスフェノール
ＡＦ（４，４^' −ヘキサフルオロイソプロピリデン ビ
スフェノール）、２３５．６ｇ（１．１モル）のジフェ
ニルカーボネート、および０．５ｍｌのチタニウム ブ
トキサイドを用いた。得られたポリマーのポリ（４，４
^' −ヘキサフルオロイソプロピリデン ビスフェノール
-co-４，４^' −シクロヘキシリデン ビスフェノール）
カーボネート（０．７５：０．２５Ｍ）は、１７３℃の
Ｔｇ、Ｍｎ＝２７，８００およびＭｗ＝５６，７００の
ＧＰＣ平均分子量を有していた。

【００２７】

【実施例６】実施例２の方法を繰り返したが、次の反応
物、即ち、２０１．０ｇ（０．７５モル）のビスフェノ
ールＺ（４，４^' −シクロヘキシリデン ビスフェノー
ル）、８４．１ｇ（０．２５モル）のビスフェノールＡ
Ｆ（４，４^' −ヘキサフルオロイソプロピリデン ビス
フェノール）、２３５．６ｇ（１．１モル）のジフェニ
ルカーボネート、および０．５ｍｌのチタニウム ブト
キサイドを用いた。得られたポリマーのポリ（４，４^'
−ヘキサフルオロイソプロピリデン ビスフェノール-c
o-４，４^' −シクロヘキシリデン ビスフェノール）カ
ーボネート（０．２５：０．７５Ｍ）は、１７５℃のＴ
ｇ、Ｍｎ＝２９，２００およびＭｗ＝７５，９００のＧ
ＰＣ平均分子量を有していた。

【００２８】

【実施例７】実施例２の方法を繰り返したが、次の反応
物、即ち、１８０．８ｇ（０．５４モル）のビスフェノ
ールＡＦ（４，４^' −ヘキサフルオロイソプロピリデン
ビスフェノール）、１２６．７ｇ（０．５９モル）の
ジフェニルカーボネート、および０．２５ｍｌのチタニ
ウム ブトキサイドを用いた。得られたポリマーのポリ
（４，４^' −ヘキサフルオロイソプロピリデン ビスフ
ェノール）カーボネートは、１７０℃のＴｇ、Ｍｎ＝３
０，９００およびＭｗ＝６８，９００のＧＰＣ平均分子
量を有していた。

【００２９】

【実施例８】実施例２の方法を繰り返したが、次の反応
物、即ち、１１４．１ｇ（０．５モル）のビスフェノー
ルＡ（４，４^' −イソプロピリデン ビスフェノー
ル）、１６８．１ｇ（０．５モル）のビスフェノールＡ
Ｆ（４，４^' −ヘキサフルオロイソプロピリデン ビス
フェノール）、２３５．６ｇ（１．１モル）のジフェニ
ルカーボネート、および０．５ｍｌのチタニウム ブト
キサイドを用いた。得られたポリマーのポリ（４，４^'
−ヘキサフルオロイソプロピリデン ビスフェノール-c
o-４，４^' −イソプロピリデン ビスフェノール）カー
ボネート（０．５：０．５Ｍ）は、１５８℃のＴｇ、Ｍ
ｎ＝２８，７００およびＭｗ＝６２，２００のＧＰＣ平
均分子量を有していた。

【００３０】

【実施例９】実施例２の方法を繰り返したが、次の反応
物、即ち、１７３．１ｇ（０．５モル）のビスフェノー
ルＭ〔４，４^' −（１，３−フェニレンビスイソプロピ
リデン）ビスフェノール〕、１６８．１ｇ（０．５モ
ル）のビスフェノールＡＦ（４，４^' −ヘキサフルオロ
イソプロピリデン ビスフェノール）、２３５．６ｇ
（１．１モル）のジフェニルカーボネート、および０．
５ｍｌのチタニウム ブトキサイドを用いた。得られた
ポリマーのポリ〔４，４^' −ヘキサフルオロイソプロピ
リデン ビスフェノール-co-４，４^' −（１，３−フェ
ニレンビスイソプロピリデン ビスフェノール〕カーボ
ネート（０．５：０．５Ｍ）は、１２１℃のＴｇ、Ｍｎ
＝２８，２００およびＭｗ＝５９，３００のＧＰＣ平均
分子量を有していた。

【００３１】

【実施例１０】実施例２の方法を繰り返したが、１００
ミリリットルのステンレススチール反応器により、次の
反応物、即ち、１３．０ｇ（０．０３７５モル）のビス
フェノールＰ〔４，４^' −（１，４−フェニレンビスイ
ソプロピリデン）ビスフェノール〕、８．４ｇ（０．０
２５モル）のビスフェノールＡＦ（４，４^' −ヘキサフ
ルオロイソプロピリデン ビスフェノール）、７．０ｇ
（０．０３７５モル）の４，４^' −ビフェノール、２
３．６ｇ（０．１１モル）のジフェニルカーボネート、
および０．０５ｍｌのチタニウム ブトキサイドを用い
た。得られたポリマーのポリ｛４，４^' −ヘキサフルオ
ロイソプロピリデン ビスフェノール-co-〔４，４^' −
（１，４−フェニレンビスイソプロピリデン）ビスフェ
ノール〕-co-４，４^' −ビフェノール｝カーボネート
（０．２５：０．３７５：０．３７５Ｍ）は、１４７℃
のＴｇ、Ｍｎ＝１４，４００およびＭｗ＝３２，３００
のＧＰＣ平均分子量を有していた。

【００３２】

【実施例１１】正孔輸送層としての実施例１のフッ素化
ポリマーバインダー中に分子分散させたＮ，Ｎ^, −ジフ
ェニル−Ｎ，Ｎ^, −ビス（３−メチルフェニル）−
〔１，１^,−ビフェニル〕−４，４^, −ジアミン（ＴＰ
Ｄ）と、三方晶セレン発生体層とを含む多層型感光性像
形成部材を、下記のようにして作成した：三方晶セレン
とポリ（Ｎ−ビニル カルバゾール）の分散液を、１．
６ｇの三方晶セレンと１．６ｇのポリ（Ｎ−ビニル カ
ルバゾール）とを各１４ｍｌのテトラヒドロフランとト
ルエン中でボールミリングすることによって調製した。
次いで、１０ｇの得られたスラリーを、各５ｍｌのテト
ラヒドロフランとトルエン中に０．２４ｇのＮ，Ｎ^, −
ジフェニル−Ｎ，Ｎ^, −ビス（３−メチルフェニル）−
〔１，１^, −ビフェニル〕−４，４^, −ジアミン（ＴＰ
Ｄ）の溶液で希釈した。１．５μｍ厚の光生成体層を、
上記の分散液をアルミニウム処理マイラー基体上にバー
ドフィルムアプリケーターにより７５μｍの厚さでコー
ティングし、次いで、強制送風炉内で１３５℃で５分間
乾燥させることによって形成させた。その後、電荷輸送
層用の溶液を、０．８ｇのＮ，Ｎ^, −ジフェニル−Ｎ，
Ｎ^, −ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１^, −ビフ
ェニル〕−４，４^, −ジアミン（ＴＰＤ）と１．２ｇの
実施例１のポリマーバインダーを１０ｍｌの塩化メチレ
ン中に溶解させることによって調製した。次いで、この
溶液を上記の光生成体層上にバードフィルムアプリケー
ターによりコーティングした。得られた部材を強制送風
炉内で１３５℃で２０分間乾燥させ、２０μｍ厚の電荷
輸送層を得た。次に、対照像形成部材の電荷輸送層用の
溶液を、０．８ｇのＮ，Ｎ^, −ジフェニル−Ｎ，Ｎ^, −
ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１^, −ビフェニ
ル〕−４，４^, −ジアミン（ＴＰＤ）と１．２ｇのビス
フェノールＡ ポリカーボネート〔マクロロン(MAKROLO
N) 5705 、登録商標）を１０ｍｌの塩化メチレン中に溶
解させることによって調製した。次いで、この溶液を上
記の光生成体層上にバードフィルムアプリケーターによ
りコーティングした。得られた多層型光導電性像形成部
材を強制送風炉内で１３５℃で２０分間乾燥させ、２０
μｍ厚の電荷輸送層を得た。

【００３３】磨耗試験装置を組み立てて、トナーとの相
互作用およびブレードクリーニングに供した電荷輸送層
の相対磨耗および磨耗率を測定した。上述のようにして
作成した２つの感光性像形成部材を、試験装置内のアル
ミニウムドラム上に巻付けテープ付けすることによって
用いた。モーター制御のドラム速度は、変動させること
ができ、試験中は通常約５５ｒｐｍに維持する。トナー
はホッパーから連続的に供給し、像形成部材上の残留ト
ナーのクリーニングはクリーニングブレードによって行
った。磨耗試験中の典型的な試験条件は、つぎの如くで
ある： トナー：４６．７％のポリスチレン／ｎ−ブチルアクリ
レートコポリマー（５８／４２）、４９．６％の立方体
マグネタイト BL220、１．０％のＰ51（アルミニウム
塩、日本のホドガヤ カガク社から入手した帯電調節
剤）、２．５％の660Pワックス（日本のサンヨー社から
入手したポリプロピレン）、および０．２％のエロジー
ル(AEROSIL、登録商標）R972。 ブレード：ゼロックス像形成装置 1065 クリーニングブ
レード。 ドラム速度：５５ｒｐｍ。 サイクル数：５０，０００回。

【００３４】新しいクリーニングブレードを各試験にお
いて用いた。ブレード力は、約３０ｇ／ｃｍであり、ブ
レードホルダー上に取り付けたマイクロメーターで調整
した。磨耗は、電荷輸送層の厚さ減少として測定したも
のであり、磨耗試験前後の電荷輸送層厚さの差である。
磨耗は、ナノメーター（ｎｍ）で表した。磨耗率は、磨
耗をサイクル数で割ることによって得られ、ｎｍ／Ｋサ
イクルで表した。磨耗率は、標準化しており、磨耗試験
の総サイクル数の変化とは無関係である。得られたデー
タは、下記の表１に示すとおりであり、対照に対しての
実施例１のポリマーの磨耗低減を示している。表１で示
す磨耗試験の結果は、実施例１のポリマーバインダー
が、感光体装置の電荷輸送層において使用したときに、
約１２ｎｍ／Ｋサイクルの磨耗率を示しており、同じ試
験条件下で試験したビスフェノールＡ ポリカーボネー
ト（マクロロン 5705)( 対照感光体) で得られた磨耗率
の半分であることを明らかにしている。

【００３５】

【表１】 表 １ ＣＴＬ（電荷輸送層）の磨耗に関してのポリマーバインダーの効果 ポリマーバインダー 50000 サイクルでの磨耗 磨耗率(nm/K サイクル) マクロロン 5705(対照) １．２μｍ ２４ 実施例１のポリマー ０．６μｍ １２ 実施例３のポリマー １．５μｍ ３０

【００３６】

【実施例１２】実施例１１の多層型感光性像形成部材を
次のようにして電気的に試験した：実施例１１の像形成
部材のゼログラフィー電気特性は、該像形成部材の表面
をその表面電位（電圧計に接続させた容量結合プローブ
で測定したときの）が約−８００ボルトの初期値Ｖ₀ に
達するまでコロナ放電源により静電的に帯電させること
によって測定した。暗中で０．５秒間の停止後、各帯電
部材はＶ_ddp （暗現像電位）の表面電位に達した。次い
で、各部材を、ＸＯＢ １５０ワット白熱電球を有する
フィルター付きキセノンランプからの光に露光させた。
光放電による表面電位のＶ_bg値（バックグラウンド電
位）への低減を観察した。バックグラウンド電位は、上
記の露光エネルギーよりも約１０倍大きい光強度によっ
て露光させることにより低減した。像形成部材上で得ら
れた電位は、残留電位Ｖres として表示した。ボルト／
秒での暗減衰は、（Ｖ₀ −Ｖ_ddp ）／０．５として算出
した。光放電％は、１００％（Ｖ_ddp −Ｖ_bg）／Ｖ_ddp
として算出した。露光光の所望の波長とエネルギーは、
ランプの前に置いた上記のタイプのフィルターで決定し
た。これらの像形成部材の広帯域白色光（４００〜７０
０ｎｍ）感光度は、席外線カットオフフィルターを用い
て測定し、一方、単色光感光度は、狭帯域通過フィルタ
ーを用いて測定した。各像形成部材の感光度は、Ｅ_1/2
と称され、暗現像電位から５０％の光放電を得るのに必
要なエルグ／ｃｍ² での露光エネルギーの量として通常
表される。感光度が高い程、Ｅ_1/2 値は小さい。各装置
を繰り返しの帯電、放電および消去の１，０００サイク
ルに供してサイクル操作安定性を測定した。Ｖ_ddp 、Ｖ
_bg、Ｖ_res の変化を、ΔＶ_ddp 、ΔＶ_bg、ΔＶ_res とし
て示す。

【００３７】実施例１１の各像形成部材の電気試験の結
果の要約を、下記の表２に示す。バインダーとして実施
例１のフッ素化ポリカーボネートを用いた像形成部材に
おいては、アクセプタンス電位は−８００ボルトであ
り、残留電位は−２０ボルトであり、感光度（Ｅ_1/2 ）
は２．３エルグ／ｃｍ² であった。ポリマーバインダー
としてビスフェノールＡ ポリカーボネート（マクロロ
ン 5705)を用いた対照像形成部材において得られた表２
で示す結果は、アクセプタンス電位が−８００ボルトで
あり、残留電位は−２２ボルトであり、感光度
（Ｅ_1/2 ）は２．１エルグ／ｃｍ² であったことを示し
ている。各像形成部材は、繰り返しの帯電、放電および
消去の１，０００回サイクルに供したところ、表２に示
すように優れたサイクル操作安定性を示した。結果は、
実施例１のポリマーバインダーにおいて優れたサイクル
操作安定性を示す。このことは、このタイプのポリマー
バインダーを感光性像形成部材用の電荷輸送層の低磨耗
性バインダーとして使用し得る可能性を示唆している。

【００３８】

【表２】 表 ２ フッ素化ポリカーボネートのゼログラフィーサイクル操作安定性 ゼログラフィー バインダーとしてマクロ バインダーとして実施例 パラメーター ロン 5705 を用いた対照 １のフッ素化ポリカーボ 部材 ネートを用いた部材 Ｖ_ddp （Ｖ） −８００ −８００ Ｅ_1/2(エルグ／ｃｍ² ) ２．１ ２．３ Ｖ_res （Ｖ） ２２ ２０ サイクル操作安定性 サイクル数 １，０００ １，０００ ΔＶ_ddp （Ｖ） −３６ −４０ ΔＶ_bg（Ｖ） ５ ０ ΔＶ_res （Ｖ） １０ １０

【００３９】

【実施例１３】電荷輸送層中の樹脂バインダーとしての
実施例１のポリマーバインダーと光生成体としてのバナ
ジルフタロシアニンを含む感光性像形成部材を、次のよ
うにして作成した：厚さ７５μｍを有するマイラーと厚
さ０．０２μｍを有するチタンフィルムとを含む約７５
μｍの厚さを有するチタン処理マイラー基体を、マーチ
ン プロセッシング社から入手した。上記のチタンフィ
ルムを、１００ｍｌのエタノール中１ｍｌの３−アミノ
プロピルトリメトキシシランの溶液でコーティングし
た。このコーティングを１１０℃で１０分間加熱して
０．１μｍ厚のポリシラン層を形成させた。このポリシ
ラン層は、正孔ブロッキング層であり、チタンフィルム
からの正孔の注入を防止しかつ電荷発生層中への正孔の
流れをブロックする。このポリシラン層を用いて得られ
る像形成部材において所望の約−８００ボルトの初期表
面帯電値を得る。０．０７ｇのバナジルフタロシアニン
と０．１３ｇのバイテル(Vitel) PE-200（グッドイヤー
社）との１２ｍｌの塩化メチレン中混合物を２４時間ボ
ールミリングすることによって調製した光生成体分散液
を、上記のポリシラン層上にバードフィルムアプリケー
ターでコーティングした。このコーティングを強制送風
炉内で１３５℃で１０分間乾燥させた後、３５重量％の
バナジルフタロシアニンと６５重量％のポリエステルを
含む０．５μｍ厚のバナジルフタロシアニン光生成層を
得た。次いで、電荷輸送層用の溶液を、０．８ｇのＮ，
Ｎ^, −ジフェニル−Ｎ，Ｎ^, −ビス（３−メチルフェニ
ル）−〔１，１^, −ビフェニル〕−４，４^, −ジアミン
（ＴＰＤ）、１．２ｇの実施例１のフッ素化ポリカーボ
ネートとを１０ｍｌの塩化メチレン中に溶解させること
によって調製した。この溶液を上記の光生成体層上にバ
ードフィルムアプリケーターでコーティングした。得ら
れた多層型光導電性像形成部材を強制送風炉内で１３５
℃で２０分間乾燥させて２０μｍ厚の電荷輸送層を得
た。

【００４０】上記で作成した像形成部材を、実施例１２
の手順に従って電気的に試験した。詳細には、この像形
成部材を８００ボルトに負帯電させ、８３０ｎｍの波長
の単色光に露光させて放電させた。この装置の半減衰感
光度は８エルグ／ｃｍ² であり、残留電位は１５ボルト
であった。この像形成部材の電気特性は、１，０００サ
イクルの繰り返しの帯電および放電後に本質的に変化し
ないままであった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダサラロ ケイ マーティ カナダ エル６エル ４ティー２ オンタ リオ ミシソーガ セント ローレント コート 3667

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持基体、光生成層、およびフッ素化ポ
   リカーボネート中に分散させた電荷輸送成分を含む電荷
   輸送層とを含む耐磨耗性光導電性像形成部材。