JPS5899447A - 電荷移動錯体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は赤外＊ａ収能を示すとともに導電性をも示す新
規な電荷移動錯体に関するものである。

ｊ） 子電子供与性化合物との錯体が有機化合物としてきわめ
て＾い電導性を有することが見出され、その物性中応用
に関する研究が行われている。

一方赤外！Ｉ畝収剤と称される物質が可視の透過率を左
欄低下せしめることなく近赤外の輻射を遮断する物性を
もつため陽よけ銀鏡、Ｓ接用限鏡その１ｉｉＫ６！！用
されている。

本発明者らはこれらの赤外線歇収剤に用いられている物
質のなかで、一般式 （式中、Ｘ、、Ｘ、、Ｘ、、Ｘ４はそれぞれ水嵩、アル
中ル基、ア（〕基、Ｋ−置換ア擢ノ基、エト−基又はＡ
−ゲン原子を示す）で表わされる構造をもつＭ、Ｍ、Ｗ
’、Ｍ’−テトラキス−（ｐ−置換フェニル）−）−７
二二レンジア々ンが電荷供与性を持つととに着回し、電
荷吸収性の強いＩＩり嵩と有する電荷移動錯体を形成す
ることを見出し、本発明に到った。

（式中”　１　、”　１　＊　”　Ｈ＊　Ｘａはそれぞ
れ水素、アルキル基、ア々）基、賛置換ア電ノ基、エト
−基又はハ四ゲン原子を示す） であられされる鍵、Ｎ、Ｍ’、Ｎ’−テトラキス−（＊
−置換フェニル）−ｐ−フェニレンシア々ント欝り素と
の電荷移動錯体を提供するものである。

本発明の電荷移動錯体の製造法はたとえば次のとおりで
ある。

ヨウ素と翼、’ＩＩ、Ｗ、Ｎ’−テトラキスー（ｐ−置
換フェニル）−ｐ−フェニレンシア建ンヲ有機Ｓ媒中に
加え、ｉｉ〜７０℃に加熱する。不溶分のある場合は熱
時濾過し、さらに必Ｊｌｌ！により溶液を鏝縮した後冷
却し、析出する結晶をｒ別する。

ここで用いられる有機溶媒としては、メタノール、エタ
ノール等のアルコール、ア七トン、メチルエチルケトン
等のケトン−テトラヒドロフラン、ジオキサン勢のエー
テル、アセトニトリル等のニトリルがあげられる。

又、舅、Ｍ、Ｎ’、Ｎ／−テトラキス−（ｐ−置換フェ
ニル）−？−フェニレンジアミンとし【はｐ−置換フェ
ニルの置換基として、水嵩、アルキル基、ア々ノ基、ド
置換アセノ基、エト田基、ハ田ゲン原子があげられるが
、電荷供与性が轟く安定であるド置換ア電ノ基が好まし
い、Ｎ置換ア建ノ基の賛置換基とし【はメチル、エチル
等のアルキル基及びメトキシ、エトキシ等のアルフキシ
基があげられるが、耐水性のあるアルキル基が好ましい
。

なお、ｐ−置換フェニルの置換基Ｘ、〜ｘ４は、４個と
も同じである事が好ましいが、必ずしも同じである必要
はない。

Ｍ、Ｎ、ｌｆ’、Ｍ’−デトツキスー（ｐ−を換フエエ
ルン−）−フェニレンシアセンは炉殻ＫＪＩ１１ｉ１１
性”ｔｌ”＆るが、本発明の錯体は安定でかつ有機溶媒
に対する溶解性が大きい、従ってポリ！−の有機溶媒に
よる溶液Ｋｍ合し、キャスティング法により製膜し、ポ
リマー中に分子分散させるのに有利である。又この錯体
は可視部の高波長域及び１、Ｓｓ近辺の赤外線領域の吸
収が向上し【いるとと−に電気伝導性も向上しているた
め、ポリマー中に微量分散することＫよつ【赤外ｌＩｉ
！吸収能の外に帯電鋳止能をも付与することができる。

本発明の錯体のボｌマー中への分散方法とし【は、電荷
移動錯体を形成してそれぞれが単体である場合よりも熱
安定性が向上しているためポリｉ−との溶融ブレンドも
可能である。

更に、本発明の電荷移動錯体は近赤外線及び可視部の吸
収能を増大しているとともに電気伝導性が牛導体領域の
伝導性にまで向上しているので各種の光電素子たとえば
有機太陽電池及び元導電性本子への応用が可能である。

以下本発明の詳細な実施例によって詳述する。

実施＄１１１＋ 璽り素と翼、ｍ、１．Ｎ’−テトラキス−（ｐ−ジエチ
ルアンノブエエル）−ｐ−フェニＶンシアζンとを毫ル
比で２；１の割合でア七トンに加えて４０℃に加熱し、
鋳解し九後ｍ＊乾１１により濃縮し、０℃で数時間冷却
し、生成した黒紫色ないし青紫色の結晶をＰ別し友。

得られた結晶の螢光Ｘ＠及びヨウ素と翼＊　Ｎ　＃　Ｍ
’＃Ｖ−テトラキス（ｐ−ジエチルア電ノフエエル）−
ｐ−アエエレンジア電ンの各種の割合の螢光Ｘ線を測定
し、■つ素に基ずく、Ｌα線の螢光Ｘ線強度を沈着して
、Ｎ、もｖ、Ｉ−テトツキスＣｐ−ジｘｆルアミノフェ
ニル）−ｐ−７エ墨レンジア電ンと璽つ素は峰ル比１：
２で電荷移動錯体を形成していることがわかった。

さらにこの結晶のＸ線回折を測定し、結晶性の回折を得
て原料化合物のｘＩｍ回折と沈着し九紬呆をｌｌ５１図
に示し友。こζでムは本実施例で得た電荷移動錯体、Ｂ
はＮ、Ｍ、ビ、≠テトツ午ス（ｐ−ジエチルア電ノフエ
エル）−ｐ−フエニレンジアミン、０は璽り素の結果で
ある。この結果から本発−の電荷移動錯体が原料化合物
とは完全に別の結晶構造をもつことがわかった。

次に本実施例で得た電荷移動錯体及び原料の曹つ素とｗ
、ｗ、ｄ、Ｉ−テトラキス−（ｐ−ジエチルアミノフェ
ニル）−ｐ−フェニレンジ”アミンの６００翼Ｓ〜２１
００１１μの吸収スペクトルを測定し、その結果を第２
図に示し友。こζでム。

Ｓ、Ｏはそれぞれ第！図の場合と同機である１２＃ｌＪ
に示すように７５０１１μ及び８５０１１声の長波長の
可視の吸収が錯体形成によって着しく増大しているとと
もに、１４２０１１１μを吸収極大とする広い赤外線領
域の吸収も増大しているという効ＪＲがあることがわか
った。

一方、本実施例で得られた電荷移動錯体の結晶をプレス
成形装置によって、直径２０■厚さ１■のディスクに成
形し、４端千法（ｍｉｍｌ電気社製比抵抗測定装置でｍ
ｌ定した。）で比抵抗を測定した結果２０℃で２．８に
Ω、曙の半導体領域の抵抗を示すことがわかった。又、
比抵抗は温度上昇とともに減少し、本発−の電荷移動錯
体の結晶は牛導体約性質を示すことがわかりえ。

さらに示差熱及び温度上昇に伴う重量蛮化なＴＧ−Ｄ’
ｒム（ＩＩ学電気社ＩＩＩ）で測定し、原料化合物と比
較した結果を第５図に示した。ここでＡ、ｍｌ、Ｏはそ
れぞれ＠＋図の場合と同機である。

比較Ｈ＋ 四り素とｙ、ｙ、ｄ、Ｎ′−テトラメチル−１）−７エ
具レンジア電ンとをモル比２：１の割合でアセトンに加
えて４０℃で加熱し、鋳解し九俵蒸発乾固により濃縮し
、０℃で数時間冷却すると、結晶をＦ別することかで龜
た。この結晶は、原料のものとは異なるＸ線回折を示し
、電荷移動錯体が形成されていることがわかった。−気
伝導性も半導体領域の比抵抗を示した。しかし、この結
晶のアセトン躊液は近赤外線領域の＠取部が本発明の実
施例ＩＫ示したものと比し、着しく小さかった。

実施例２ アセトンのかわりにアセトニトリルを用い友以外は実施
ｆ１１と同様にした場合でもロウ索とＮ、ｗ、ｄ、ビー
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−ｐ−フェニレンジア
ミンのモル比が２；１の比率の電荷移動錯体の結晶が得
られた。

【図面の簡単な説明】

テトラキス−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−ｐ−フ
ェニレンジアミン及び実施例１でＩ＃られた本発明の電
荷移動錯体の結晶のＸ線回折のグラフ、第２図は第１図
に示し九原料及び電荷移動錯体の６００１１声〜２１０
０票μの主トして近赤外領域の吸収スペクトル、第５図
は、第１図に示した原料及び電荷移動錯体をＴＧ−ＤＴ
＆測定装置で測定した場合の温度上昇に伴う試料の重量
減少のグラフである。 Ａ・・・本発明の電荷移動錯体 Ｂ・・・ｍ、ｗ、ｖ、ｄ−テトラキス−（ｐ−ジエチル
アミノフェニル）−ｐ−フェニレンジアミン Ｃ・・・璽り素 出願人代理人　　古　　谷　　　　　ｉ第　　１　　図 １０　２０　５０　４０ ２θ　（度） 第　　　２　　　図 １０００　１５００　２０００ 波　　長　（ｍμ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （式中Ｘ１．Ｘ、、Ｘ、、Ｘ４はそれぞれ水素、アルキ
   ル基、アミ）基、肩置換ア電ノ基、ニトロ基スはハロゲ
   ン原子を示す） であられされる鯖、Ｍ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス−（ｐ
   −置換フェニル〕−ｐ−フェニレンジ２ア電ンと輩つ素
   との電荷移動錯体。