JP6845156B2 - 感光性ポリイミド組成物 - Google Patents

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Description

関連出願の相互参照
本出願は、2015年12月4日に出願された米国仮出願第62/263,372号、2015年6月26日に出願された米国仮出願第62/185,424号及び2015年4月21日に提出された米国仮出願第62/150,381号の優先権を主張する。先行出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている。
拡大し続けるモバイルコンピューティング用途は、より小さいデバイスのフットプリントに、ますます増大し続ける演算能力レベルを詰め込むことを要求している。半導体デバイスの設計者は、さまざまな新しいチップアーキテクチャの使用により、新しいデバイスの要求を満たそうとしている。これらの新たなアーキテクチャには、銅ピラーを使用したフリップチップウェハバンピング、並びに、シリコン貫通電極(TSV)を用いる手法、例えばウェハが薄化され、得られたダイが積層され、TSV及び2.5Dインターポーザ設計によって連結される、3次元集積回路(3D・IC)のような手法が含まれる。これらの手法は、これらの新たなICアーキテクチャの設計者だけでなく、これらのデバイスに使用されるパッケージング材料の設計者にとっても重大な課題をもたらす。
パッケージング用途の材料要件は、これらの新たな高度デバイスがウェハ・レベル・パッケージング(WLP)及び3D集積に大きく依存しているため、絶え間なく進化している。長年にわたって使用されてきた従来のパッケージング材料はいくつかあるが、ポリイミドはその優れた電気的、機械的、熱的特性から、半導体パッケージング用途に最適な材料である。しかし、従来のポリイミドの欠点として、高い硬化温度(350℃超)、高い硬化後収縮及び高い水分吸収レベルが挙げられる。この高度の収縮によって、硬化後のポリイミドフィルムが高い残留応力を有し、これによりシリコンウェハの反りが生じる。3D集積化を採用する次世代チップアーキテクチャでは、垂直集積の要件を満たすために、最も高度化された用途においてシリコンウェハを20μmまで薄化する必要がある。これらの薄化ウェハは非常に脆く、使用パッケージング材料の過剰な残留応力は破滅的であり得る。次世代パッケージング材料は、ウェハに及ぶ応力が最小限となるように設計すべきである。この理由から、硬化温度が低いことと硬化後収縮が低いことは、高度なパッケージング材料にとって重要な要件のうちにある。
可溶性ポリイミドポリマーは既に知られており、これらのポリマーに由来する感光性組成物が報告されている。一般に、ポリイミドポリマーの分子量が低い場合、許容されるリソグラフィー性能が認められるものの、機械的特性は、これらのポリマーを使用する組成物がパッケージング方法において高度化パッケージング材料として使用できない程度まで低下する。ポリイミド分子量が増加すると、許容される機械的特性が実現されるものの、得られたポリイミド組成物の現像剤への溶解度が低下し、リソグラフィー性能が不十分となる。本開示は、高度化パッケージング用途に適した良好な機械的特性と良好なリソグラフィー性能とを両立するポリイミド組成物について記載する。
本開示の実施形態は、感光性組成物及び優れたリソグラフィー特性及び機械的特性を有するこれらの組成物から製造される感光性フィルム(例えばドライフィルム)を特徴とする。
いくつかの実施形態において、本開示は、(A)約20,000ダルトン〜約70,000ダルトンの範囲の重量平均分子量を有する少なくとも1種の完全イミド化ポリイミドポリマー、(B)少なくとも1種の溶解度スイッチング化合物(SSC)、(C)少なくとも1種の光開始剤又は光増感剤/開始剤の組み合わせ、および(D)少なくとも1種の溶剤を含み、前記溶剤中でシクロペンタノンを現像剤として使用した場合に約0.15μm/秒を超える溶解速度を示すフィルム(例えば乾燥した未露光フィルム)を形成することができる、感光性組成物であることを特徴とする。
いくつかの実施形態において、本開示は、約20,000ダルトン〜約70,000ダルトンの範囲の重量平均分子量を有する少なくとも1種のポリイミドポリマー、少なくとも1種の溶解度スイッチング化合物、少なくとも1種の光開始剤又は光増感剤と開始剤との組み合わせ、及び少なくとも1種の溶剤を含む、感光性組成物を特徴とする。組成物は、シクロペンタノンを現像剤として使用した場合に約0.15μm/秒を超える溶解速度を示すフィルム(例えば乾燥した未露光フィルム)を形成することができる。溶解度スイッチング化合物は、シクロペンタノン中でのフィルムの溶解速度を、前記溶解度スイッチング化合物を含まない以外は含有成分が同じである感光性組成物から製造されたフィルムに比して上昇又は低下させることができる。
いくつかの実施形態において、本開示は、約20,000ダルトン〜約70,000ダルトンの範囲の重量平均分子量を有する少なくとも1種のポリイミドポリマー、少なくとも1種の溶解度スイッチング化合物、少なくとも1種の光開始剤、及び少なくとも1種の溶剤を含む感光性組成物を特徴とする。前記組成物は、シクロペンタノンを現像剤として使用した場合に約0.15μm/秒を超える溶解速度を示すフィルムを形成することができる。溶解度スイッチング化合物は、シクロペンタノン中でのフィルムの溶解速度を、前記溶解度スイッチング化合物を含まない以外は含有成分が同じである感光性組成物から製造されたフィルムに比して上昇させる。
いくつかの実施形態において、少なくとも1種の完全イミド化ポリイミドポリマーは、少なくとも1種のジアミンから調製され、前記少なくとも1種のジアミンは、構造(Ia)のジアミン及び構造(Ib)のジアミンからなる群から選択される化合物を含む。

式中、R、R、R、R、R、R11、R12、R13及びR14は、それぞれ独立に、Hであるか、置換若しくは非置換のC−Cの直鎖若しくは分枝のアルキル基であるか、又はC−Cシクロアルキル基である。
いくつかの実施形態において、前記少なくとも1種の完全イミド化ポリイミドポリマーは、2,2−[ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)]ヘキサフルオロプロパン二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、及び3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物からなる群から選択される少なくとも1種のテトラカルボン酸二無水物モノマーを含む。いくつかの実施形態において、前記少なくとも1種のテトラカルボン酸二無水物モノマーはフッ化二無水物である。
いくつかの実施形態において、前記少なくとも1種のジアミンは、構造(Ia)のジアミン及び構造(Ib)のジアミンからなる群より選択され、前記少なくとも1種のテトラカルボン酸二無水物は、2,2−[ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)]ヘキサフルオロプロパン二無水物である。
いくつかの実施形態において、本開示のポリイミドは、末端基(例えばアミノ末端ポリイミドポリマーの末端NH又は無水物末端ポリイミドポリマーの末端無水物)と、前記末端基と反応性を有する官能基を持つ化合物との反応によって、エンドキャップされていてもよい。または、アミノ末端ポリアミド酸又は無水物末端ポリアミド酸の末端基のエンドキャッピング反応を最初に行い、続いて化学的イミド化又は熱的イミド化を行ってもよい。
いくつかの実施形態において、エンドキャップ基は、置換又は非置換のアルケニル基及び置換又は非置換のアルキニル基から選択される少なくとも1個の第2の官能基を含有する。
いくつかの実施形態において、成分(B)(すなわち、溶解度スイッチング化合物)は、ビニル基、アリル基、ビニルエーテル基、プロペニルエーテル基、(メタ)アクリロイル基、SiH基及びチオール基からなる群から選択される少なくとも1個の官能基を含む。
いくつかの実施形態において、前記組成物は、これに限定されるわけではないが、接着促進剤、可塑剤、界面活性剤、染料及び粒子等の他の添加剤を含む。
いくつかの実施形態において、現像剤及び少なくとも1種の完全イミド化ポリイミドポリマーは、約0.1〜約3の相対エネルギー差を有する。
いくつかの実施形態において、組成物から作製したフィルムの領域が活性線に露光した場合、露光領域はシクロペンタノン中で約0.02μm/秒未満の溶解速度を示す。
いくつかの実施形態において、溶解度スイッチング化合物は、シクロペンタノン中におけるフィルムの溶解速度を、前記溶解度スイッチング化合物を含まない以外は含有成分が同じである感光性組成物から製造されたフィルムに比して上昇させる。
いくつかの実施形態において、本開示は、本明細書に記載の感光性組成物から形成される感光性フィルムを特徴とする。
いくつかの実施形態において、本開示は、基板を本明細書に記載の組成物(例えばポリイミド組成物)でコーティングして、前記基板上にフィルムを有するコート基板を形成すること、及び前記コート基板を乾式加熱して乾燥したフィルムを有するコート基板を形成することを含む方法を特徴とする。かかる実施形態において、コート基板は、約50℃〜約200℃の温度で乾式加熱することができる。前記方法は、以下の(1)乾燥したフィルムをマスクを介して放射線に露光して、乾燥され且つパターン状に露光されたフィルムを有するコート基板を形成する工程、(2)乾燥され且つパターン状に露光されたフィルムを第2の乾式加熱工程において、約50℃〜約150℃の温度で乾式加熱する工程、(3)乾燥した露光フィルムの一部を現像剤で現像して、基板上にレリーフ画像を生成する工程、(4)基板上のレリーフ画像を溶剤又は溶剤混合物ですすぐ工程、及び(5)レリーフ画像を有する基板を第3の乾式加熱工程において、約50℃〜約200℃の温度で乾式加熱する工程のうち、1つ又は複数をさらに含むことができる。
いくつかの実施形態において、本開示は、(a)キャリア基板、保護層、前記キャリア基板と前記保護層との間にある感光性ポリマー層、少なくとも1種の溶解度スイッチング化合物、及び少なくとも1種の光開始剤を含むドライフィルム構造体を提供すること、(b)前記ドライフィルム構造体から前記保護層を除去すること、(c)前記工程(b)で得られた構造体を電子基板上に適用して積層体を形成すること、および(d)前記感光性ポリマー層をパターン形成層に変換することを含む方法を特徴とする。前記感光性ポリマー層は、約20,000ダルトン〜約70,000ダルトンの範囲の重量平均分子量を有する少なくとも1種の完全イミド化ポリイミドポリマーを含有する。前記積層体は、前記電子基板と前記キャリア基板との間に前記感光性ポリマー層を含有する。前記パターン形成層は、約5μm以下(例えば約4μm以下又は約3μm以下)の厚さを有し、約3μm以下(例えば約2μm以下)の特徴的サイズを有する少なくとも1個の素子(element)を含む。
本開示のいくつかの実施形態は、キャリア基板及び前記キャリア基板によって支持される第1のポリマー層(例えば感光性ポリマー層)を含むドライフィルム構造体に関する。前記第1のポリマー層は、本明細書に記載した感光性組成物(上記の成分(A)、(B)及び(C)を含む感光性組成物など)から調製することができる。いくつかの実施形態において、ドライフィルムは、前記第1のポリマー層が前記キャリア基板と保護層の間になるように、前記保護層をさらに含むことができる。いくつかの実施形態において、前記ドライフィルム構造体内の前記第1のポリマー層は、5μm以下のフィルム厚を有することができる。いくつかの実施形態において、前記ドライフィルム構造体は、第2のポリマー層をさらに含むことができ、前記第2のポリマー層は前記第1のポリマー層と前記キャリア基板の間にあるか、又は前記第2のポリマー層は前記第1のポリマー層と前記保護層の間にある。いくつかの実施形態において、前記第2のポリマー層は、水溶性ポリマーを含むことができる。
いくつかの実施形態において、この開示は、ドライフィルム構造体の調製方法を特徴とする。前記方法は、(a)先に記載した少なくとも1種のポリイミドポリマー、少なくとも1種の溶解度スイッチング化合物(SSC)、少なくとも1種の開始剤、及び少なくとも1種の溶剤を含有する組成物でキャリア基板をコーティングすること、(b)コートした前記組成物を乾燥させて第1のポリマー層を形成すること、および(c)所望により、保護層を前記第1のポリマー層に適用してドライフィルム構造体を形成することを含む。
いくつかの実施形態において、本開示は、上記のドライフィルム構造体から積層体を形成する方法を特徴とする。前記方法は、(a)前記保護層が前記ドライフィルム構造体に存在する場合、前記保護層を前記ドライフィルム構造体から除去すること、および(b)前記工程(a)で得た構造体を電子基板上に適用して積層体を形成することを含むことができる。いくつかの実施形態において、本方法は、(1)前記積層体中の前記ポリマー層を活性線に露光する工程、(2)前記ポリマー層を露光する前又は後に前記キャリア基板を除去する工程、(3)現像剤を使用して前記ポリマー層の未露光部分を除去する工程、及び(4)残存する前記ポリマー層を硬化させる工程のうち、1つ又は複数をさらに含むことができる。
いくつかの実施形態において、本開示は、本明細書に記載の方法によって形成された少なくとも1つのパターンフィルムを含む三次元物体を特徴とする。いくつかの実施形態において、前記三次元物体は、少なくとも2つの積層体(例えば少なくとも3つの積層体)をなす複数のパターンフィルムを含むことができる。
いくつかの実施形態において、本開示は、本明細書に記載の三次元物体を含む半導体デバイスを特徴とする。いくつかの実施形態において、前記半導体デバイスは、集積回路、発光ダイオード、太陽電池又はトランジスタである。
本開示は、感光性組成物、及び、優れたリソグラフィー特性及び機械的特性を有するこれらの組成物から製造された感光性フィルムを特徴とする。いくつかの実施形態において、かかる感光性組成物は、(A)約20,000ダルトン〜約70,000ダルトンの範囲の重量平均分子量を有する少なくとも1種の完全イミド化ポリイミドポリマー、(B)少なくとも1種の溶解度スイッチング化合物(SSC)、(C)少なくとも1種の光開始剤又は光増感剤/開始剤の組み合わせ、(D)少なくとも1種の溶剤であって、前記溶剤中でシクロペンタノンを現像剤として使用して約0.15μm/秒を超える溶解速度を有するフィルム(例えば乾燥した未露光フィルム)を形成可能な溶剤を含む。本明細書に記載する場合、「未露光フィルム」又は「活性線未露光フィルム」という用語は、パターンを形成するために使用するリソグラフィー条件下で活性線に未露光であるフィルムを示す。
ポリイミドを形成するためのイミド化は、イミド環構造に起因する1770cm−1から1700cm−1までの赤外スペクトルの特性吸収を観測することによって確認できる。本明細書で使用する場合、「完全イミド化」という用語は、本開示のポリイミドポリマーが、少なくとも約90%(例えば少なくとも約95%、少なくとも約98%、少なくとも約99%、又は約100%)イミド化されていることを意味する。
いくつかの実施形態において、前記組成物の少なくとも1種の完全イミド化ポリイミドは、少なくとも1種のジアミンと少なくとも1つのジカルボン酸との反応によって調製される。ジアミンの例としては、これに限定にされるわけではないが、1−(4−アミノフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン−5−アミン(4,4’−[1,4−フェニレン−ビス(1−メチルエチリデン)]ビスアニリン)、1−(4−アミノフェニル)−1,3,3−トリメチル−2H−インデン−5−アミン、1−(4−アミノフェニル)−1,3,3−トリメチル−インダン−5−アミン、[1−(4−アミノフェニル)−1,3,3−トリメチル−インダン−5−イル]アミン及び1−(4−アミノフェニル)−2,3−ジヒドロ−1,3,3−トリメチル−1H−インデン−5−アミンを含む別名)、5−アミノ−6−メチル−1−(3’−アミノ−4’−メチルフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン、4−アミノ−6−メチル−1−(3’−アミノ−4’−メチルフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン、5,7−ジアミノ−1,1−ジメチルインダン、4,7−ジアミノ−1,1−ジメチルインダン、5,7−ジアミノ−1,1,4−トリメチルインダン、5,7−ジアミノ−1,1,6−トリメチルインダン、5,7−ジアミノ−1,1−ジメチル−4−エチルインダン、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、o−フェニレンジアミン、3−メチル−1,2−ベンゼン−ジアミン、1,2−ジアミノエタン、1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、1,5−ジアミノペンタン、1,6−ジアミノヘキサン、1,7−ジアミノヘプタン、1,8−ジアミノオクタン、1,9−ジアミノノナン、1,10−ジアミノデカン、1,2−ジアミノシクロヘキサン、1,4−ジアミノシクロヘキサン、1,3−シクロヘキサンビス(メチルアミン)、5−アミノ−1,3,3−トリメチルシクロヘキサンメタンアミン、2,5−ジアミノベンゾトリフルオライド、3,5−ジアミノベンゾトリフルオライド、1,3−ジアミノ−2,4,5,6−テトラフルオロベンゼン、4,4’−オキシジアニリン、3,4’−オキシジアニリン、3,3’−オキシジアニリン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−イソプロピリデンジアニリン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2’−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、4,4’−ジアミノジフェニルプロパン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4−アミノフェニル−3−アミノベンゾエート、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、3,3’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシフェニル)]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノ−4−メチルフェニル)−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス−(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス−(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス−(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス−(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1−(4−アミノフェノキシ)−3−(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2’−ビス−(4−フェノキシアニリン)イソプロピリデン、ビス(p−ベータ−アミノ−t−ブチルフェニル)エーテル、p−ビス−2−(2−メチル−4−アミノペンチル)ベンゼン、p−ビス−(1,1−ジメチル−5−アミノペンチル)ベンゼン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3’−ジクロロベンジジン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、4,4’−[1,3−フェニレンビス(1−メチル−エチリデン)]ビスアニリン、4,4’−[1,4−フェニレンビス(1−メチル−エチリデン)]ビスアニリン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゼン]、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、(1,3’−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン及び9H−フルオレン−2,6−ジアミンが挙げられる。ポリイミドポリマーが本開示の要件を満たす限り、上記のジアミンを、単独でまたは任意の好適な比で組み合わせとして使用することができる。
一般に、このように形成されたポリイミドポリマーは、有機溶剤において可溶性であり得る。いくつかの実施形態において、ポリイミドポリマーは、25℃にて少なくとも約50mg/mL(例えば少なくとも約100mg/mL、又は少なくとも約200mg/mL)の、有機溶剤中での溶解度を有することができる。
いくつかの実施形態において、前記少なくとも1種のジアミンは、構造(Ia)のジアミン及び構造(Ib)のジアミンからなる群から選択される化合物を含む。

式中、R、R、R、R、R、R11、R12、R13及びR14は、それぞれ独立に、Hであるか、置換若しくは非置換のC−Cの直鎖若しくは分枝のアルキル基であるか、又はC−Cシクロアルキル基である。
、R、R、R、R、R11、R12、R13及びR14における置換又は非置換のC−C直鎖又は分岐アルキル基の例としては、これに限定されるわけではないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、t−ブチル、アミル、ヘキシル及び2−メチルヘキシルが挙げられる。R、R、R、R、R、R11、R12、R13及びR14におけるC−Cシクロアルキル基の例としては、これに限定されるわけではないが、シクロペンチル、シクロヘキシル及びシクロヘプチルが挙げられる。
本態様における好適なジアミンの例としては、これに限定されるわけではないが、1−(4−アミノフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン−5−アミン(4,4’−[1,4−フェニレン−ビス(1−メチルエチリデン)]ビスアニリン、1−(4−アミノフェニル)−1,3,3−トリメチル−2H−インデン−5−アミン、1−(4−アミノフェニル)−1,3,3−トリメチル−インダン−5−アミン、[1−(4−アミノフェニル)−1,3,3−トリメチル−インダン−5−イル]アミン及び1−(4−アミノフェニル)−2,3−ジヒドロ−1,3,3−トリメチル−1H−インデン−5−アミンを含む別名)、5−アミノ−6−メチル−1−(3’−アミノ−4’−メチルフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン、4−アミノ−6−メチル−1−(3’−アミノ−4’−メチルフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン、5,7−ジアミノ−1,1−ジメチルインダン、4,7−ジアミノ−1,1−ジメチルインダン、5,7−ジアミノ−1,1,4−トリメチルインダン、5,7−ジアミノ−1,1,6−トリメチルインダン及び5,7−ジアミノ−1,1−ジメチル−4−エチルインダンが挙げられる。
いくつかの実施形態において、ジアミンの総量中の好ましいジアミンのモルパーセントは、約30%以上(例えば約35%以上、約40%以上、約45%以上、若しくは約50%以上)から約100%以下(例えば約95%以下、約90%以下、約80%以下、約75%以下、若しくは約70%以下)である。
いくつかの実施形態において、ポリイミドポリマーは、構造(II)のジアミンを除くジアミンから調製してもよい。

式中、R15、R16、R17及びR18はそれぞれ独立して、H、置換若しくは非置換のC−C直鎖若しくは分枝アルキル基、又はC−Cシクロアルキル基である。いくつかの実施形態において、R15、R16、R17及びR18のうち少なくとも3つは水素ではない。
15、R16、R17及びR18における置換又は非置換のC−C直鎖又は分岐アルキル基の例としては、これに限定されるわけではないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、t−ブチル、アミル、ヘキシル及び2−メチルヘキシルが挙げられる。R15、R16、R17及びR18におけるC−Cシクロアルキル基の例としては、これに限定されるわけではないが、シクロペンチル、シクロヘキシル及びシクロヘプチルが挙げられる。
構造(II)のジアミンの例としては、これに限定されるわけではないが、2,3,5,6−テトラメチルフェニレンジアミン、1,4−ジアミノ−1,3,5−トリメチルベンゼン、2,4−ジアミノ−1,3,5−トリメチルベンゼン、2,4−ジアミノ−3,5−ジメチル−1−エチルベンゼン、2,4−ジアミノ−1,5−ジメチル−3−エチルベンゼン、2,4−ジアミノ−1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、2,3,5,6−テトライソプロピル−フェニレンジアミン及び2,4−ジアミノ−1,3,5,6−テトラメチルベンゼンが挙げられる。
いくつかの実施形態において、ポリイミドポリマーは、2,4−ジアミノ−1,3,5−トリメチルベンゼンを除くジアミンから調製してもよい。
いくつかの実施形態において、ポリイミドは、構造(III)のシロキサンジアミンを除くジアミンから調製してもよい。

式中、R41及びR42は、それぞれ独立して2価の脂肪族又は芳香族基であり、R43、R44、R45及びR46は、それぞれ独立して1価の脂肪族又は芳香族基であり、mは1〜100の整数である。
構造(III)のシロキサンジアミンのモノマーの例としては、これに限定されるわけではないが、下記が挙げられる。

一般に、本明細書に記載のポリイミドポリマーを形成するために、ジアミンを少なくとも1種のテトラカルボン酸二無水物と反応させることができる。テトラカルボン酸無水物としては、これに限定されるわけではないが、1−(3’,4’−ジカルボキシフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン−5,6−ジカルボン酸二無水物、1−(3’,4’−ジカルボキシフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン−6,7−ジカルボン酸二無水物、1−(3’,4’−ジカルボキシフェニル)−3−メチルインダン−5,6−ジカルボン酸二無水物1−(3’,4’−ジカルボキシフェニル)−3−メチルインダン−6,7−ジカルボン酸無水物、ピロメリット酸二無水物、ベンゼン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,6−ジクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,7−ジクロロナフタレン−1,4,5、8−テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−テトラクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−,8,9,10−テトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ピラジン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、ブタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、シクロブタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン−1,2,4,5−テトラカルボン酸二無水物、ノルボルナン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクタ−7−エン−3,4,8,9−テトラカルボン酸二無水物、テトラシクロ[4.4.1.02,5.07,10]ウンデカン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、2,2,3’,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸無水物、2,2−[ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)]ヘキサフルオロプロパン二無水物、エチレングリコールビス(無水トリメリット酸)及び5−(2,5−ジオキソテトラヒドロ)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物が挙げられる。
好ましいテトラカルボン酸二無水物モノマーの例としては、これに限定されるわけではないが、1−(3’,4’−ジカルボキシフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン−5,6−ジカルボン酸二無水物、1−(3’,4’−ジカルボキシフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン−6,7−ジカルボン酸二無水物、1−(3’,4’−ジカルボキシフェニル)−3−メチルインダン−5,6−ジカルボン酸二無水物1−(3’,4’−ジカルボキシフェニル)−3−メチルインダン−6,7−ジカルボン酸無水物、ピラジン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、ノルボルナン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクタ−7−エン−3,4,8,9−テトラカルボン酸二無水物、テトラシクロ[4.4.1.02,5.07,10]ウンデカン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、2,2−[ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)]ヘキサフルオロプロパン二無水物、エチレングリコールビス(無水トリメリット酸)及び5−(2,5−ジオキソテトラヒドロ)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物が挙げられる。より好ましいテトラカルボン酸二無水物モノマーとしては、2,2−[ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)]ヘキサフルオロプロパン二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、及び3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。上記のテトラカルボン酸二無水物モノマーの任意の好適な組み合わせを、任意の好適な比で使用して、本明細書に記載のポリイミドポリマーを形成することができる。
いくつかの実施形態において、テトラカルボン酸二無水物モノマーの例としては、以下が挙げられる。

いくつかの実施形態において、テトラカルボン酸二無水物モノマーは、下記からなる群から選択されるフッ素化二無水物であってもよい。


いくつかの実施形態において、ポリイミドポリマー中のフッ素の量は、ポリマーの全重量の約30%以下(例えばポリマーの全重量の約28%以下、ポリマーの全重量の約26%以下、ポリマーの全重量の約25%以下、ポリマーの全重量の約24%以下、又はポリマーの全重量の約23%以下)である。
いくつかの実施形態において、少なくとも1種のジアミンは、構造(Ia)のジアミン及び構造(Ib)のジアミンからなる群から選択され、前記テトラカルボン酸二無水物は、ピラジン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、ノルボルナン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクタ−7−エン−3,4,8,9−テトラカルボン酸二無水物、テトラシクロ[4.4.1.02,5.07,10]ウンデカン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、3,3’、4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、2,2−[ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)]ヘキサフルオロプロパン二無水物、エチレングリコールビス(無水トリメリット酸)及び5−(2,5−ジオキソテトラヒドロ)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物からなる群から選択される。
いくつかの実施形態において、少なくとも1種のジアミンは、構造式(Ia)のジアミン及び構造式(Ib)のジアミンからなる群から選択され、前記テトラカルボン酸二無水物は、2,2−[ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)]ヘキサフルオロプロパン二無水物である。
いくつかの実施形態において、少なくとも1種のジアミンを少なくとも1種のテトラカルボン酸二無水物と反応させて、構造(IV)のポリアミド酸を生成する。式中、Xは前駆体ジアミンの核であり、Yは前駆体二無水物の核である。本明細書で使用する場合、前駆体ジアミンに言及する場合、「核」は、アミン官能基間の分子の部分を示す。前駆体二無水物に言及する場合、「核」は無水物官能基間の分子の部分を示す。

構造(IV)のポリアミド酸は、多数の合成手順又は当業者に既知の手順の変形によって合成することができる。一般に、構造(IV)のポリアミド酸は、1又は複数のジアミンと1又は複数のテトラカルボン酸二無水物との縮重合反応によって形成することができる。例えば、モノマー及び好ましくは得られるポリアミド酸を溶解するのに好適な溶媒の存在下で、1又は複数のジアミンを1又は複数のテトラカルボン酸二無水物と接触させることができる。
いくつかの実施形態において、ポリアミド酸を調製するために、ジアミン成分及びテトラカルボン酸二無水物成分を同時に反応容器に投入するか、又は固体若しくは溶液の形態の成分の1つを他の成分の溶液中に投入する(材料全てが完全には溶解しないことがある)。いくつかの実施形態において、両方の線分を同時に投入することは、投入に要する時間が短縮されるため、生産性の点で有利である。一般に、ジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物成分との縮重合反応は、約15℃〜約80℃にて約1〜約48時間行うことができる。
本開示における有用である好適な重合溶媒としては、これに限定されるわけではないが、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、テトラメチレンスルホン、p−クロロフェノール、m−クレゾール、ジエチレングルコールメチルエーテル、メチル−3−メトキシプロピオネート、エチル−3−エトキシプロピオネート、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及び2−クロロ−4−ヒドロキシトルエン等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。これらの溶媒の中でも、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン及びN,N−ジメチルアセトアミドが好ましく、N−メチル−2−ピロリドンがより好ましい。いくつかの実施形態において、ポリイミドの貧溶媒は、ポリアミド酸を沈殿させない量でこれらの溶媒と組み合わせて使用することができる。このような貧溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン及びo−ジクロロベンゼンが挙げられる。貧溶媒の使用量は、溶媒の総量に対して、50重量%以下(ゼロを含む)であることが好ましい。このようにして製造したポリアミド酸は、非溶媒又は貧溶媒中に沈殿させて単離し、濾過により回収して、続いてポリイミドへ転化するためのさらなる合成方法を行うことができる。いくつかの実施形態において、ポリアミド酸のこのような単離は必要ない。
いくつかの実施形態において、ジアミン成分のテトラカルボン酸二無水物成分に対するモル比は、1.00より大きくてよい。得られたポリマーは、アミノ末端ポリアミド酸(例えば、構造(Va)のポリアミド酸)である。ジアミン成分のテトラカルボン酸二無水物成分に対するモル比は、1.01〜1.40の範囲に及ぶことができ、ポリアミド酸及び前記ポリアミド酸のイミド化によって調製されたポリイミドの最終分子量に直接的な効果を有することができる。いくつかの実施形態において、モル比は、反応終了時のポリアミド酸が約20,000ダルトン以上(例えば約25,000ダルトン以上、約30,000ダルトン以上、約35,000ダルトン以上、約40,000ダルトン若しくは約45,000ダルトン以上)及び/又は約70,000ダルトン以下(例えば約65,000ダルトン以下、約60,000ダルトン以下、約55,000ダルトン以下、若しくは約50,000ダルトン以下)の重量平均分子量(Mw)を有するように選択される。

モル過剰のテトラカルボン酸二無水物を用いると、無水物末端ポリアミド酸(例えば、構造(Vb)のポリアミド酸)が生成する。
テトラカルボン酸二無水物成分のジアミン成分に対するモル比は、反応終了時のポリアミド酸が約20,000ダルトン以上(例えば約25,000ダルトン以上、約30,000ダルトン以上、約35,000ダルトン以上、約40,000ダルトン以上若しくは約45,000ダルトン以上)及び/又は約70,000ダルトン以下(例えば約65,000ダルトン以下、約60,000ダルトン以下、約55,000ダルトン以下若しくは約50,000ダルトン)の重量平均分子量(Mw)を有するように選択される。
当業者は、ポリアミド酸(例えば構造(Va)及び(Vb)のポリアミド酸)を本開示のポリイミドポリマーに転化するための合成経路が複数存在することを理解する。例えば、1つの経路は、構造(VIa)又は(VIb)のポリイミドを形成するための化学的又は熱イミド化技術を使用して構造(Va)及び(Vb)のポリアミド酸をイミド化することである。

いくつかの実施形態において、本明細書に記載のポリイミドは、末端基(例えば構造(VIa)中の末端NH又は構造(VIb)中の末端無水物)と、前記末端基と反応性である官能基を有する化合物と反応させることによってエンドキャップして、次にイミド化することができる。または、構造(VIa)又は(VIb)の末端基のエンドキャップ反応は、化学イミド化又は熱イミド化の後に行うことができる。
別の合成経路は、前記重合反応にモノアミン又はモノ無水物を含めることである。このような実施形態において、エンドキャップ反応は、重合反応と共に行われる。
熱イミド化は、例えば、約100℃〜約400℃(例えば約200℃〜約300℃又は約250℃)の範囲に及ぶ温度にて固体状態で行うことができる。別の実施形態において、熱イミド化は、約100℃〜約250℃の範囲に及ぶ温度にて溶液中で行うことができる。この温度範囲内で熱処理を行うことにより、未反応のポリアミド酸を最小限に抑えながら、イミド化反応性を所望の範囲内に制御することができる。いくつかの実施形態において、このような熱イミド化は、ポリマー末端基の反応の前に最も良好に行われる。
ポリアミド酸は、共沸熱的手順を使用して脱水することもできる。この反応の例は、米国特許第5478915号に記載されている。例えば、ポリアミド酸の合成が完了した後、トルエンを添加し、溶液を155℃にて共沸還流させ、水をディーンスタークトラップ内に回収する。
いくつかの実施形態において、構造(VIa)又は(VIb)のポリイミドは、化学イミド化によって製造される。例えば、構造(Va)又は(Vb)のポリアミド酸に化学イミド化剤(例えば脱水剤)を添加することができる。この化学イミド化剤は、ポリアミド酸基の閉環脱水過程を触媒して、ポリマー主鎖上にイミド官能基を形成することができる。ポリアミド酸を合成後に単離する場合、前記ポリアミド酸を相溶性溶媒に再溶解することができる。通常、化学イミド化を用いる場合、イミド化反応はポリアミド酸を単離せずに行われる。
好適な脱水剤を単独で又は非求核性塩基と組み合わせて使用して、ポリアミド酸をイミド化することができる。好適な脱水剤の例としては、これに限定されるわけではないが、トリフルオロメタンスルホン酸、メタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、エタンスルホン酸、ブタンスルホン酸、ペルフルオロブタンスルホン酸、酢酸無水物、プロピオン酸無水物、及び酪酸無水物が挙げられる。用いられる非求核性塩基は、使用する場合、エンドキャップ反応に用いられる非求核性塩基と同じであっても異なっていてもよい。好適な非求核性塩基の例として、これに限定されるわけではないが、ピリジン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、2−メチルピリジン、2,6−ルチジン、3,5−ルチジン、4−ピコリン、4−ジメチルアミノピリジン(DMAP)などが挙げられる。
いくつかの実施形態において、化学イミド化方法は、約60℃〜約130℃で約6時間〜約48時間、好適な脱水剤及び非求核性塩基を用いて実施する。脱水剤及び非求核性塩基は、等モル濃度で用いることができる。別の実施形態において、脱水剤の非求核性塩基に対するモル比は、約1.1〜約10(例えば約1.25〜5又は約1.5〜約3.0)である。ある実施形態においては、イミド化反応を完了させるために、混合物中に存在するポリアミド酸の総量に対して約90モル%〜200モル%の脱水剤が使用される。いくつかの実施形態においては、脱水剤を100モル%〜160モル%使用してイミド化方法を完了する。
構造(VIa)又は(VIb)のポリイミドを形成するためのイミド化は、イミド環構造に起因する1770cm−1から1700cm−1までの赤外スペクトルの特性吸収を観測することによって確認できる。
いくつかの実施形態において、エンドキャッピング化合物は、置換又は非置換のアルケニル基及び置換又は非置換のアルキニル基から選択される第2の官能基を少なくとも1つ含有する。
構造式(Va)及び(VIa)のポリマーの末端NH基は、任意で、アミンに対して反応性である官能基を有するエンドキャッピング化合物でエンドキャップされてもよい。このようなエンドキャッピング化合物の例としては、これに限定されるわけではないが、酸塩化物化合物、ジカルボン酸無水物、エポキシド化合物及びイソシアネート化合物が挙げられる。いくつかの実施形態において、エンドキャッピング化合物は、置換又は非置換のアルケニル基及び置換又は非置換のアルキニル基から選択される第2の官能基を少なくとも1つ含有するものが挙げられる。置換アルケニル基の例としては、これに限定されるわけではないが、アクリレート、メタクリレート、スチルベン及びビニルエーテルが挙げられる。アルキニル基上の置換基の例としては、これに限定されるわけではないが、アルキル(例えばMe又はEt)、アリール(例えばフェニル又は置換フェニル)、アルカノイル(例えばアセチル)及びアロイル(例えばベンゾイル)が挙げられる。
置換又は非置換のアルケニル基及び置換又は非置換のアルキニル基から選択される少なくとも1個の第2の官能基も有する、末端NH基に対して反応性である第1の官能基を有するエンドキャッピング化合物の例としては、これに限定されるわけではないが、以下の化合物が挙げられる。

構造式(Va)及び(VIa)のポリマーをエンドキャップする反応性官能基として無水物を使用する場合、アミド酸を含有する末端基が生成する。構造(Va)のポリマーを終端するポリアミド酸は、主鎖ポリアミド酸がイミド化された場合にイミド化することができる。アミノ末端ポリイミドをエンドキャップする反応性官能基として一無水物を使用する場合、末端基はポリアミド酸となる。これらの末端ポリアミド酸は、自発的に又は単離及び乾燥中にイミド化するか、又は弱熱又は最小限の脱水剤によって容易にイミド化することができる。
いくつかの実施形態において、エンドキャップされたポリアミド酸又はポリイミドの調製に好適な一無水物は「マスクされた」マレイン酸無水物基を含有し、前記マレイン酸無水物基は、無水物基のイミド基への転化後に「マスクされた」マレイミド基となる。この末端イミド基は、逆環化反応(例えばレトロディールス−アルダー反応)を受けて、マレイミド基をアンマスクすることができる。エンドキャップ基としてマレイミド基を含有するポリイミドポリマーは、溶解度スイッチング化合物(SSC)(例えば少なくとも2個のチオール基を含有する化合物)と反応して架橋ポリイミドを形成することができる。
逆環化反応を受けることができる一無水物の例としては、これに限定されるわけではないが、構造IXによって記載される化合物が挙げられる。

式中、Gは−O−、−(NR25)−、−[C(R26)=C(R27)]−又は−[C=C(R28]−であり、ここでR25、R26、R27及びR28はそれぞれ独立して、H、置換若しくは非置換C−C12直鎖、分枝単環式若しくは多環式アルキル基又は置換若しくは非置換フェニル基であり、R21、R22、R23及びR24はそれぞれ独立して、H、置換又は非置換C−C12直鎖、分枝単環式若しくは多環式アルキル基、置換又は非置換フェニル基、OR29、CHOR30、CHOC(=O)R31、CHC(=O)OR32、CHNHR33、CHNHC(=O)R34、CHC(=O)N(R35、C(=O)OR36であり、ここでR29、R30、R31、R32、R33、R34、R35及びR36はそれぞれ独立して、H又は置換若しくは非置換C−C直鎖、分枝若しくは単環式アルキル基である。
構造IXの具体的な好適な一無水物の例としては、これに限定されるわけではないが、以下の化合物が挙げられる。
構造(Vb)及び(VIb)の無水物末端ポリマーの末端無水物基は、無水物と反応性である第1の官能基を有する化合物との反応によって所望によりエンドキャップすることができる。いくつかの実施形態において、エンドキャッピング化合物は、置換又は非置換のアルケニル基及び置換又は非置換のアルキニル基から選択される第2の官能基を少なくとも1つ含有するものである。このような化合物の例としては、これに限定されるわけではないが、アミン化合物、アルコール及びチオールが挙げられる。いくつかの実施形態において、エンドキャッピング化合物は、置換又は非置換のアルケニル基及び置換又は非置換のアルキニル基から選択される第2の官能基を少なくとも1つ含有するものであってよい。
反応性基を含有するエンドキャッピング化合物の例としては、これに限定されるわけではないが、以下の化合物が挙げられる:
いくつかの場合において、非求核性塩基を使用して、末端無水物基との間の反応を促進することができる。好適な非求核性塩基の例として、これに限定されるわけではないが、ピリジン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、2−メチルピリジン、2,6−ルチジン、3,5−ルチジン、4−ピコリン、4−ジメチルアミノピリジン(DMAP)などが挙げられる。
構造(Vb)及び(VIb)の無水物末端ポリマーがアミン含有化合物によってエンドキャップされると、アミド酸を含有する末端基が生成される。この状況において、ポリアミド酸がイミド化されると、エンドキャップもイミド化される。無水物末端ポリイミドのアミン含有化合物によるエンドキャッピングから生じるポリアミド酸を単離することができる。または、末端ポリアミド酸は、ポリイミドの形成中又は形成後に、熱イミド化又は化学イミド化することができる。
いくつかの実施形態において、得られた本開示のポリイミドは、水及び/又は有機溶剤中への沈殿によって単離され、濾過によって回収され、乾燥され得る。別の実施形態において、本開示のポリイミドは、水と好適な非水混和性溶媒とを組み合わせたものに前記ポリイミドの溶液を添加することによって、単離することができる。ポリイミドポリマー中のモノマー部分の極性がより低いため、極性がより低い水非混和性溶媒への溶解度がより高いことによって、大半のポリイミドとは異なり、本開示のポリイミドを極性がより高い反応溶媒/水混合物から抽出することができる。この抽出されたポリマー溶液は、水で洗浄した後、水層を分離し、種々の揮発性化合物を蒸留し、続いてより高沸点の溶媒中に抽出することにより精製することができる。
溶解度スイッチング化合物(SSC)(成分B)は、一般に、露光前及び露光後に本明細書に記載の感光性組成物から調製されたフィルムの溶解速度に差異を生じるのを補助する。いくつかの実施形態において、SSCは、他のSSC化合物又はポリイミドポリマー上に任意で存在する末端官能基(例えば、上記のポリイミドポリマーの一部となる、エンドキャッピング試薬の第2の官能基)と反応することが可能な、少なくとも1個(例えば少なくとも2個又は少なくとも3個)の官能基を有する。SSCは、モノマー又はオリゴマーであり得る。オリゴマーは、2個以上のモノマー単位を含有することができ、最終ポリイミドポリマーに組み入れられるさらなる反応が可能である。このようなモノマー単位/オリゴマーの例は、以下の種類:(メタ)アクリレート、エステル、ビニル化合物(例えばビニルアルコール)、ウレタン、尿素、イミド、アミド、カルボキサゾール、カーボネート、ピラノース、シロキサン、尿素−ホルムアルデヒド及びメラミン−ホルムアルデヒドのうち1つ又は複数に基づく。本明細書で使用する場合、「(メタ)アクリレート」という用語は、アクリレート化合物及びメタクリレート化合物の両方を含む。いくつかの実施形態において、SSCは、少なくとも1個の第2の官能基とラジカル反応又は熱反応することができる、少なくとも1個の末端及び/又はペンダント反応性官能基を含有する。ある実施形態において、SSC上の反応性官能基は、二重結合又は三重結合を含む。
SSC上の反応性官能基の好適な例としては、これに含有されるわけではないが、ビニル基、アリル基、ビニルエーテル基、プロペニルエーテル基、(メタ)アクリロイル基、−SiH基及び−SH(チオール)基が挙げられる。
ある実施形態において、SSCの好適な例としては、これに限定されるわけではないが、ウレタンアクリレートオリゴマーが挙げられる。「ウレタンアクリレートオリゴマー」という用語は、ウレタン結合を含有し、ウレタンマルチ(メタ)アクリレート、マルチウレタン(メタ)アクリレート及びマルチウレタンマルチ(メタ)アクリレートなどの(メタ)アクリレート(例えばアクリレート又はメタアクリレート)官能基を有する化合物のクラスを示す。ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーの種類は、例えば、Coadyらによる米国特許第4,608,409号及びChisholmらによる米国特許第6,844,950号明細書に記載されている。SSCの他の具体例としては、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジビニルベンゼン、エトキシル化ビスフェノール−A−ジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールビス(アリルカーボネート)、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ/ヘキサ(メタ)アクリレート、イソシアヌレートトリ(メタ)アクリレート、ビス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートジ(メタ)アクリレート、1,3−ブタンジオールトリ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールトリ(メタ)アクリレート、メチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、(メタ)アクリレート変性尿素ホルムアルデヒド樹脂、(メタ)アクリレート変性メラミンホルムアルデヒド樹脂及び(メタ)アクリレート変性セルロースが挙げられる。
チオール基を含有するSSC化合物の例としては、これに限定されるわけではないが、トリメチロールプロパントリス(メルカプトアセテート)、ペンタエリスリトールテトラキス(メルカプトアセテート)、ジペンタエリスリトールヘキサキス(3−メルカプトプロピオネート)及びエトキシル化トリメチロールプロパントリ−3−メルカプトプロピオネートが挙げられる。ビニルエーテル基を含有するSSC化合物の例としては、これに限定されるわけではないが、1,4−ブタンジオールジビニルエーテル、1,4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ジ(エチレングリコール)ビニルエーテル、ポリ(エチレングリコール)ジビニルエーテル及びビス[4−(ビニルオキシ)ブチル](4−メチル−1,3−フェニレン)ビスカルバメートが挙げられる。SiH基を含有するSSC化合物の一例は、ハイブリッドプラスチックスから入手可能なオクタシランPOSS(登録商標)SH1310である。
いくつかの実施形態において、溶解度スイッチング化合物は、エポキシド基を含有する化合物を含まない。いくつかの実施形態において、溶解度スイッチング化合物は、ビスアジド部分を含有する化合物を含まない。
溶解度スイッチング化合物(SSC)は、本明細書に記載の感光性組成物から作製された未露光フィルムの溶解速度において重要な役割を果たすことができ、本開示のかかる未露光コーティングフィルムの溶解度を上昇又は低下させることができる。いくつかの実施形態において、溶解度スイッチング化合物(SSC)は、現像剤(例えばシクロペンタノン)中における本開示の感光性組成物から調製された未露光フィルムの溶解速度を上昇させる。活性線への露光後、フィルムの露光部分は現像剤中で(例えば架橋により)低い溶解速度を有することができ、それによりフィルムの露光部分と未露光部分の溶解速度の間に大幅な差を生じる。このように、パターン化レリーフを有するフィルムを形成するために、フィルムの未露光部分を現像剤への溶解により除去することができる。いくつかの実施形態において、溶解度スイッチング化合物(SSC)は、本発明の感光性組成物から調製した未露光フィルムの溶解速度を低下させる。このような実施形態において、フィルムの露光部分と未露光部分との溶解速度の差異が十分に大きい場合、フィルムは活性線への露光後にパターン形成されたレリーフをなお形成可能であり得る。
いくつかの実施形態において、光開始剤(即ち成分(C))は、組成物又は組成物の一部が活性線に露光されると、溶解度スイッチング化合物(SSC)の官能基間の又はSSCの官能基と所望によりエンドキャップされたポリマーの第2官能基との間の反応を開始することができる化合物である。前記組成物に使用されるいくつかの光開始剤は、露光波長にて光を吸収した後にフリーラジカルを生成することによって機能する。
高エネルギー放射線への露光時にフリーラジカルを生成する開始剤(光開始剤としても既知)の具体例としては、これに限定されるわけではないが、NCI−831(ADEKA Corp.より入手可能)、1,8−オクタンジオン、1,8−ビス[9−(2−エチルヘキシル)−6−ニトロ−9H−カルバゾール−3−イル]−1,8−ビス(O−アセチルオキシム)、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン((BASFによるイルガキュア184)、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンとベンゾフェノンのブレンド(BASFによるイルガキュア500)、2,4,4−トリメチルペンチルホスフィンオキシド(BASFによるイルガキュア1800、1850及び1700)、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン(BASFによるイルガキュア651)、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキシド(BASFによるイルガキュア819)、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルホリノプロパン−1−オン(BASFによるイルガキュア907)、(2,4,6−トリメチルベンゾイル)ジフェニルホスフィンオキシド(BASFによるルセリンTPO)、エトキシ(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキシド(BASFによるルセリンTPO−L)、ホスフィンオキシド、ヒドロキシケトン及びベンゾフェノン誘導体のブレンド(サートマーによるESACURE KTO 46)、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン(メルクによるダロキュア1173)、ベンゾフェノン、2−クロロチオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、ベンゾジメチルケタール、1,1,1−トリクロロアセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン、m−クロロアセトフェノン、プロピオフェノン、アントラキノン、ジベンゾスベロンなどが挙げられる。
非イオン型光開始剤の具体例としては、(5−トルイルスルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−2−メチルフェニル−アセトニトリル(BASFによるイルガキュア121)、フェナシルp−メチルベンゼンスルホネート、ベンゾインp−トルエンスルホネート、(p−トルエンスルホニル)オキシメチルベンゾイン、3−(p−トルエンスルホニルオキシ)−2−ヒドロキシ−2−フェニル−1−フェニルプロピルエーテル、N−(p−ドデシルベンゼンスルホニルオキシ)−1,8−ナフタルイミド、N−(フェニルスルホニルオキシ)−1,8−ナフタルイミド、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、1−p−トルエンスルホニル−1−シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、2−ニトロベンジルp−トルエンスルホネート、2,6−ジニトロベンジルp−トルエンスルホネート、2,4−ジニトロベンジルp−トリフルオロメチルベンゼンスルホネートなどが挙げられる。
または、光増感剤と開始剤(例えば活性線によって活性化されていない開始剤)との組み合わせを感光性組成物に使用してよい。この選択肢では、光増感剤が光を吸収し、開始剤にエネルギーを伝達してSSCとの反応を開始させる。光増感剤の例としては、これに限定されるわけではないが、9−メチルアントラセン、アントラセンメタノール、アセナフチレン、チオキサントン、メチル−2−ナフチルケトン、4−アセチルビフェニル及び1,2−ベンゾフルオレンが挙げられる。
増感剤によって活性化できる開始剤の具体例としては、これに限定されるわけではないが、ベンゾイルペルオキシド、シクロヘキサノンペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、tert−アミルペルオキシベンゾエート、tert−ブチルヒドロペルオキシド、ジクミルペルオキシド、クメンヒドロペルオキシド、コハク酸ペルオキシド、ジ(n−プロピル)ペルオキシジカーボネート、2,2−アゾビス(イソブチロニトリル)、2,2−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、ジメチル−2,2−アゾビスイソブチレート、4,4−アゾビス(4−シアノペンタン酸)、アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、2,2−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)などが挙げられる。
本開示の感光性組成物に有用である好適な溶剤(即ち成分(D))としては、アルコール、ケトン、ラクトン、エーテル、アミド、イミド及びエステルが挙げられる。溶剤は、典型的には、組成物の全ての成分を溶解し、良好なフィルムを形成し、組成物の化合反応(例えば成分(A)と(B)の架橋反応)を妨げるべきではない。有機溶剤の好適な例としては、これに限定されるわけではないが、γ−ブチロラクトン(GBL)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、ジメチルイミダゾリジノン、N−メチルカプロラクタム、N−メチルプロピオンアミド、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N−ジエチルホルムアミド、ジエチルアセトアミド、メチルエチルケトン(MEK)、メチルイソブチルケトン(MIBK)、2−ヘプタノン、シクロペンタノン(CP)、シクロヘキサノン、n−ブチルアセテート(nBA)、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールメチルエーテル(PGME)、エチルラクテート(EL)、プロピルラクテート、3−メチル−3−メトキシブタノール、テトラリン、イソホロン、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、メチル3−メトキシプロピオネート、エチル3−エトキシプロピネート、ジエチルマロネート、エチレングリコール1,4:3,6−ジアンヒドロソルビトール、2,5−ジメチルエーテル(2,5−ジメチルイソソルビド)、1,4:3,6−ジアンヒドロソルビトール2,5−ジエチルエーテル(2,5−ジエチルイソソルビド)及びその混合物が挙げられる。好ましい有機溶剤は、γ−ブチロラクトン(GBL)、シクロペンタノン(CP)、シクロヘキサノン、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)及びジメチルスルホキシド(DMSO)である。これらの溶剤は、個別に又は組み合わせて使用することができる。
いくつかの実施形態において、ポリイミド(成分(A))の量は、前記感光性ポリマー組成物の総重量の約5重量%〜約50重量%(例えば約10重量%〜約45重量%、又は約20重量%〜約40重量%である。
いくつかの実施形態において、少なくとも1個の反応性官能基を有する成分(B)(SSC)の量は、前記感光性ポリマー組成物の総重量の約1重量%以上(例えば約2重量%以上、約3重量%以上、約4重量%以上又は約5重量%以上)及び/又は約25重量%以下(例えば約20重量%以下、約15重量%以下又は約10重量%以下)である。
いくつかの実施形態において、溶解度スイッチング化合物(SSC)の量は、ポリイミドポリマーの量の約60重量%以下(例えば約55重量%以下、約50重量%以下、約45重量%以下、約40重量%以下又は約35重量%以下)である。溶解度スイッチング化合物(SSC)の量がポリイミドポリマーの量の約60重量%より多い場合、このようなポリマーから製造したフィルムの機械的特性並びに耐薬品性が悪化し、粘度が低いことによるフィルムのコーティング欠陥及び粘着性が認められると考えられる。
いくつかの実施形態において、溶解度スイッチング化合物(SSC)の量は、前記ポリイミドポリマーの量の約10重量%以上(例えば約15重量%以上、約20重量%以上、約25重量%以上又は約30重量%以上)である。溶解度スイッチング化合物(SSC)の量が前記ポリイミドポリマーの量の約10重量%未満である場合、このようなポリマーから製造したフィルムの露光領域と未露光領域とのコントラストが乏しく、フィルムのリソグラフィー性能が大幅に悪化すると考えられる。
いくつかの実施形態において、成分(C)(光開始剤)の量は、前記感光性ポリマー組成物の総重量の約0.0001重量%〜約20重量%(例えば約0.01重量%〜約15重量%、又は約1重量%〜約10重量%)である。
いくつかの実施形態において、成分(D)(溶剤)の量は、感光性組成物の全重量の約20〜約98重量%(例えば約50〜約95重量%又は約60〜約90重量%)である。
これに限定されるわけではないが、接着促進剤、界面活性剤、ナノ粒子及び可塑剤を含む他の添加剤を、本開示の感光性組成物に添加することができる。これらの追加的添加剤の量は、組成物の全重量に基づいて0重量%〜約15重量%の範囲であり得る。
適切な接着促進剤は、“Silane Coupling Agent”Edwin P.Plueddemann,1982 Plenum Press,New Yorkに記載されている。接着促進剤のクラスには、これに限定されるわけではないが、ビニルアルコキシシラン、メタクリロキシアルコキシシラン(例えば3−メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン及び3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン)、メルカプトアルコキシシラン、アミノアルコキシシラン、エポキシアルコキシシラン及びグリシジルオキシアルコキシシランが含まれる。好適な接着促進剤の例としては、これに限定されるわけではないが、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシジルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシジルオキシプロピル−メチルジエトキシシラン、グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン及びγ−メルカプトプロピル−メチルジメトキシシランが挙げられる。
いくつかの実施形態において、接着促進剤は、チオール基を有さないケイ素化合物を含有する。いくつかの実施形態において、接着促進剤は、アクリル部分を有さないケイ素化合物を含有する。いくつかの実施形態において、接着促進剤は、エポキシ基を有さないケイ素化合物を含有する。
所望により接着促進剤を用いる場合、その濃度は、感光性組成物の全重量の約0.1重量%〜約5重量%の範囲に及ぶ。いくつかの実施形態において、接着促進剤の量は、組成物の全重量の約0.2重量%〜約1.5重量%である。いくつかの実施形態において、接着促進剤の量は、組成物の全重量の約0.3重量%〜約1重量%である。
本開示の感光性組成物は、所望により少なくとも1種の界面活性剤を含有することもできる。界面活性剤が用いられる場合、前記界面活性剤は、本開示の感光性組成物の全重量の約0.001重量%〜約2重量%(例えば約0.01重量%〜約1重量%)まで添加することができる。好適な界面活性剤の例としては、これに限定されるわけではないが、特開昭62−36663号、特開昭61−226746号、特開昭61−226745号、特開昭62−170950号、同63−34540号、特開平7−230165号、特開平8−62834号、特開平9−54432号及び特開平9−5988号に記載されている界面活性剤が挙げられる。
本開示の感光性組成物は、所望により少なくとも1種の可塑剤を含有することができる。所望により存在する可塑剤の量は、用いられる場合、前記組成物の約1重量%〜約10重量%の範囲に及ぶことができる。いくつかの実施形態において、可塑剤の量は、前記組成物の約2重量%〜約10重量%の範囲に及ぶことができる。
いくつかの実施形態において、本開示の感光性組成物は、少なくとも1種のナノ粒子(例えば複数のナノ粒子)をさらに含むことができる。ナノ粒子は、1又は複数のポリマー、無機材料及び/又は金属から作製することができる。この用途に好適なナノ粒子は、好ましくは直径200μm未満であり、本開示の組成物の他の成分と相溶性である。このようなナノ粒子の例は、例えば米国特許第6,291,070号及び第6,844,950号に見出され、この内容は参照により本明細書に組み入れられている。理論に束縛されることを望むものではないが、ナノ粒子は、このような感光性組成物により製造されたドライフィルム構造体のポリマー層の機械的特性(例えばCTE)及び電気的特性(例えば誘電特性)を改善することができると考えられる。
ナノ粒子の例としては、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化ハフニウム、CdSe、CdS、CdTe、CuO、酸化亜鉛、酸化ランタン、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化ストロンチウム、酸化チタンカルシウム、ナトリウムチタネート及びカリウムニオベートが挙げられる。ナノ粒子は、表面処理ナノ粒子又は表面未処理ナノ粒子であることができる。
いくつかの実施形態において、本開示の感光性組成物は、上記のポリイミドポリマーと連続相を形成する第2のポリマーを含む。いくつかの実施形態において、本開示の組成物は、上記のポリイミドポリマーと不連続相を形成するポリマーを実質的に含まない。
本開示は、シクロペンタノン中において約0.15μm/秒(1500Å/秒)超(例えば約0.20μm/秒(2000Å/秒)超、約0.25μm/秒(2500Å/秒)超、約0.30μm/秒(3000Å/秒)超、約0.35μm/秒(3500Å/秒)超若しくは約0.40μm/秒(4000Å/秒)超)かつ/又は約1.4μm/秒(14000Å/秒)未満(例えば約1.2μm/秒(12000Å/秒)未満、約1.0μm/秒(10000Å/秒)未満、約0.8μm/秒(8000Å/秒)未満若しくは約0.6μm/秒(6000Å/秒)未満)の溶解速度を示す感光性フィルムも特徴とする。かかるフィルムは、約20,000ダルトン以上(例えば約25,000ダルトン以上、約30,000ダルトン以上、約35,000ダルトン以上、約40,000ダルトン以上若しくは約45,000ダルトン以上)かつ/又は約70,000ダルトン以下(例えば約65,000ダルトン以下、約60,000ダルトン以下、約55,000ダルトン以下若しくは約50,000ダルトン以下)の重量平均分子量(Mw)を有するポリイミド、溶解度スイッチング化合物(SSC)及び光開始剤を含有する感光性組成物から形成することができる。
いくつかの実施形態において、シクロペンタノン中における感光性フィルムの溶解速度は、約0.15μm/秒(1500Å/秒)以上約0.40μm/秒(4000Å/秒)以下(例えば約0.35μm/秒(3500Å/秒)以下、約0.30μm/秒(3000Å/秒)以下、約0.25μm/秒(2500Å/秒)以下又は約0.20μm/秒(2000Å/秒)以下)である。
いくつかの実施形態において、シクロペンタノン中における感光性フィルムの溶解速度は、約0.20μm/秒(2000Å/秒)以上約0.40μm/秒(4000Å/秒)以下(例えば約0.35μm/秒(3500Å/秒)以下、約0.30μm/秒(3000Å/秒)以下又は約0.25μm/秒(2500Å/秒)以下)である。
いくつかの実施形態において、シクロペンタノン中における感光性フィルムの溶解速度は、約0.25μm/秒(2500Å/秒)以上約0.40μm/秒(4000Å/秒)以下(例えば約0.35μm/秒(3500Å/秒)以下又は約0.30μm/秒(3000Å/秒)以下)である。
いくつかの実施形態において、シクロペンタノン中における感光性フィルムの溶解速度は、約0.30μm/秒(3000Å/秒)以上約0.40μm/秒(4000Å/秒)以下(例えば約0.35μm/秒(3500Å/秒)以下)である。
いくつかの実施形態において、シクロペンタノン中における感光性フィルムの溶解速度は、約0.35μm/秒(3500Å/秒)以上約0.40μm/秒(4000Å/秒)である。
いくつかの実施形態において、シクロペンタノン中における感光性フィルムの溶解速度は、約0.6μm/秒(6000Å/秒)以上約1.40μm/秒(14000Å/秒)以下(例えば約1.2μm/秒(12000Å/秒)以下、約1.0μm/秒(10000Å/秒)以下又は約0.80μm/秒(8000Å/秒)以下)である。
いくつかの実施形態において、シクロペンタノン中における感光性フィルムの溶解速度は、約0.80μm/秒(8000Å/秒)以上約1.40μm/秒(14000Å/秒)以下(例えば約1.2μm/秒(12000Å/秒)以下又は約1.0μm/秒(10000Å/秒)以下)である。
いくつかの実施形態において、シクロペンタノン中における感光性フィルムの溶解速度は、約1.0μm/秒(10000Å/秒)以上約1.40μm/秒(14000Å/秒)以下(例えば約1.2μm/秒(12000Å/秒)以下)である。
いくつかの実施形態において、シクロペンタノン中における感光性フィルムの溶解速度は、約1.2μm/秒(12000Å/秒)以上約1.40μm/秒(14000Å/秒)である。
いくつかの実施形態において、本明細書に記載の感光性フィルムは、活性線への露光後に、約0.02μm/秒(200Å/秒)未満(例えば約0.015μm/秒(150Å/秒)未満、約0.01μm/秒(100Å/秒)未満又は約0.005μm/秒(50Å/秒)未満)のシクロペンタノン中での溶解速度を有することができる。
感光性フィルムのコントラストは、未露光領域の溶解速度を露光領域の溶解速度で割った比として定義される。いくつかの実施形態において、本明細書に記載の感光性フィルムは、約7.5よりも高い(例えば約10より高い、約15より高い、約20より高い、約25より高い、約30より高い又は約35より高い)コントラストを有することができる。
本開示は、本明細書に記載の感光性組成物を使用してパターン化レリーフ画像を作製するリソグラフィー方法も特徴とする。かかる実施形態において、本明細書に記載の組成物は、ネガ型感光性樹脂組成物として使用することができる。かかる実施形態において、前記方法は、(a)基板を本開示の組成物でコーティングして、基板上にフィルム(例えば粘着性フィルム)を有するコート基板を形成すること、及び(b)前記コート基板を第1の乾式加熱工程において(例えば約50℃〜約150℃の温度で)乾式加熱して、乾燥したフィルムを備えたコート基板を形成することを含む。このようにして形成されたフィルムは、約0.15μm/秒(1500Å/秒)超(例えば約0.20μm/秒(2000Å/秒)超、約0.25μm/2500Å/秒)超、約0.30μm/秒(3000Å/秒)超又は約0.35μm/秒(3500Å/秒)超)のシクロペンタノン中での溶解速度を有することができる。前記方法は、以下の工程のうち1つ又は複数をさらに含むことができる:(1)乾燥したフィルムをマスク又はテンプレートを介して放射線に露光して、乾燥され且つパターン状に露光されたフィルムを有するコート基板を形成する工程、(2)所望により第2の乾式加熱工程において、乾燥され且つパターン状に露光されたフィルムを有するコート基板を(例えば約50℃〜約150℃の温度にて)乾式加熱する工程であって、フィルムの露光部分が架橋又は硬化される工程、(3)乾燥され且つパターン状に露光されたフィルムの一部を(例えば溶剤又は溶剤混合物を含有する)現像剤によって現像して、(例えば現像剤をフィルムの未露光部分の少なくとも一部に接触させることにより)基板上にレリーフ画像を生成する工程、(4)所望により、基板上のレリーフ画像を溶剤又は溶剤混合物ですすぐ工程、(5)所望により、第3の乾式加熱工程においてレリーフ画像を有する基板を(例えば約50℃〜約200℃の温度にて)乾式加熱する工程。
いくつかの実施形態において、露光工程の終わりに、コントラストは約10より高い(例えば約15より高い、約20より高い、約25より高い、約30より高い又は約35より高い)ことが可能である。
いくつかの実施形態において、露光した感光性フィルムは、約0.02μm/秒(200Å/秒)未満(例えば約0.015μm/秒(150Å/秒)未満、約0.01μm/秒(100Å/秒)未満又は約0.005μm/秒(50Å/秒)未満)のシクロペンタノン中での溶解速度を有する。
いくつかの実施形態において、基板のコーティングは、これに限定されるわけではないが、スピンコーティング、スリットコーティング、スプレーコーティング、浸漬コーティング及びインクジェットを含む任意の好適な方法によって行うことができる。当業者には、所与の用途に適切なコーティング方法がわかるであろう。
いくつかの実施形態において、乾式加熱工程は、一定温度にて又は1〜20℃/分の速度で温度を上昇させることによって、ホットプレート上での接触加熱又は近接加熱を使用して行うことができる。いくつかの実施形態において、乾式加熱工程は、真空下又は大気圧下にて、一定温度にて又は1〜20℃/分の速度で温度を上昇させることによって、オーブン内で行うことができる。使用される乾式加熱方法とは無関係に、乾式加熱工程は、単一工程又は複数工程のいずれかで実施することができる。好適な乾式加熱手段の例としては、これに限定されるわけではないが、ホットプレート、赤外線ランプ、対流オーブン、及びインクジェット印刷ヘッド上の熱加熱素子が挙げられる。当業者には、所与の用途に適切な乾式加熱方法がわかるであろう。
いくつかの実施形態において、露光工程は、特定の組成物中の開始剤に好適であるような、光又は他の活性線(例えば紫外光、可視光線、電子ビーム放射線又はX線)を使用して行うことができる。i線(365nm)、h線(405nm)又はg線(436nm)UV光の使用が好ましい。一般に露光工程は、露光領域の溶解速度を変化させることができる。当業者には、所与の用途に適切な高エネルギー放射線がわかるであろう。
いくつかの実施形態において、マスク又はテンプレートを介して光又は他の活性線にフィルムを露光した後、現像剤を使用することによって未露光部分を除去してパターンを形成する。いくつかの実施形態において、現像剤の例としては、有機溶剤又は有機溶剤混合物が挙げられる。現像剤はシクロペンタノンに限定されない。現像剤の好適な例としては、これに限定されるわけではないが、γ−ブチロラクトン(GBL)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、ジメチルイミダゾリジノン、N−メチルカプロラクタム、N−メチルプロピオンアミド、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N−ジエチルホルムアミド、ジエチルアセトアミド、メチルエチルケトン(MEK)、メチルイソブチルケトン(MIBK)、2−ヘプタノン、シクロペンタノン(CP)、シクロヘキサノン、n−ブチルアセテート(nBA)、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールメチルエーテル(PGME)、エチルラクテート(EL)、プロピルラクテート、3−メチル−3−メトキシブタノール、テトラリン、イソホロン、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、メチル3−メトキシプロピオネート、エチル3−エトキシプロピネート、ジエチルマロネート、エチレングリコール1,4:3,6−ジアンヒドロソルビトール、イソソルビドジメチルエーテル、1,4:3,6−ジアンヒドロソルビトール2,5−ジエチルエーテル(2,5−ジエチルイソソルビド)及びその混合物が挙げられる。好ましい現像剤は、γ−ブチロラクトン(GBL)、シクロペンタノン(CP)、シクロヘキサノン、イソソルビドジメチルエーテル、エチルラクテート(EL)、n−ブチルアセテート(nBA)及びジメチルスルホキシド(DMSO)である。より現像剤は、γ−ブチロラクトン(GBL)、シクロペンタノン(CP)及びシクロヘキサノンである。特定の組成物及びリソグラフィー工程に応じて画像品質を好適化するために、これらの現像剤は、個別に又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
いくつかの実施形態において、現像は、任意の好適な方法、例えば露光フィルム上に上記の現像剤を噴霧すること、現像剤に基板を浸漬すること、パドルによるオントラック(on track)現像又は現像剤に浸漬しながら基板に超音波を印加すること、基板を回転させながら現像剤を噴霧することなどによって行うことができる。当業者には、所与の用途に適切な現像方法がわかるであろう。現像時間は、約20秒〜約3分の範囲に及び得る。いくつかの実施形態において、現像時間は約30秒〜約2分の範囲に及び得る。いくつかの実施形態において、現像時間は、約45秒〜約90秒の範囲に及び得る。いくつかの実施形態において、複数の現像工程を用いることができる。いくつかの実施形態において、2つ又は3つの現像工程を用いることができる。いくつかの実施形態においては、それぞれ約25秒〜約45秒を要する現像工程が2つ又は3つ用いられる。
いくつかの実施形態において、現像後、所望により存在するすすぎ処理を、有機すすぎ溶剤を用いて行うことができる。当業者は所期用途に対していずれのすすぎ方法が適切であるかを判断可能であろう。有機すすぎ溶剤の好適な例としては、これに限定されるわけではないが、イソプロピルアルコール、メチルイソブチルカルビノール(MIBC)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)及びアミルアルコールなどのアルコール、n−ブチルアセテート(nBA)、エチルラクテート(EL)及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)などのエステル類、シクロペンタノン(CP)及びシクロヘキサノンなどのケトン、並びにその混合物が挙げられる。すすぎ溶剤を使用してすすぎ処理を行って、残留物を除去することができる。
いくつかの実施形態において、第1の乾式加熱工程の温度は、約50℃〜約120℃である。いくつかの実施形態において、第1の乾式加熱工程の温度は約70℃〜約120℃である。いくつかの実施形態において、第1の乾式加熱工程の温度は、約80℃〜約120℃である。当業者には、所与の用途に適切な乾式加熱手段がわかるであろう。
いくつかの実施形態において、第2の乾式加熱工程を現像前に組み入れることができる。いくつかの実施形態において、第2の乾式加熱工程の温度は、約40℃〜約150℃である。いくつかの実施形態において、第2の乾式加熱工程の温度は、約50℃〜約120℃である。いくつかの実施形態において、第2の乾式加熱工程の温度は、約50℃〜約110℃である。
いくつかの実施形態において、現像後に第3の乾式加熱工程を組み入れることができる。いくつかの実施形態において、第3の乾式加熱工程の温度は、約100℃〜約200℃である。いくつかの実施形態において、第3の乾式加熱工程の温度は、約120℃〜約180℃である。
いくつかの実施形態において、基板上に形成される膜の厚さは、好ましくは約0.5μm〜約200μmである。用いられる適切な膜厚は、具体的用途によって決まる。
ドライフィルム
本開示のいくつかの実施形態は、キャリア基板と、キャリア基板によって支持されるポリマー層(例えば感光性ポリマー層)と、を含むドライフィルム構造体に関する。ポリマー層は、本明細書に記載の感光性組成物(例えば上記の成分(A)、(B)及び(C)を含有する感光性組成物)から形成することができ、シクロペンタノン中での前記ポリマー層の溶解速度は、約0.15μm/秒を超える。いくつかの実施形態において、ドライフィルムは、ポリマー層がキャリア基板と保護層の間になるように保護層をさらに含むことができる。
いくつかの実施形態において、本開示は、ドライフィルム構造体の調製方法を特徴とする。前記方法は、(a)先に記載した少なくとも1種のポリイミドポリマーと、少なくとも1種の溶解度スイッチング化合物(SSC)と、少なくとも1種の開始剤と、少なくとも1種の溶剤と、を含有する組成物でキャリア基板をコーティングすること、(b)コートした組成物を乾燥して第1のポリマー層(例えば感光性ポリマー層)を形成すること、及び(c)所望により、保護層を第1のポリマー層に適用してドライフィルム構造体を形成することを含む。
いくつかの実施形態において、キャリア基板は、ドライフィルム構造体の第1のポリマー層と接触するフィルムの表面を改質する処理が所望により供されている単層又は多層フィルムである。いくつかの実施形態において、多層キャリア基板の1又は複数の層が粒子を含有することができる。粒子の例としては、これに限定されるわけではないが、二酸化ケイ素粒子(凝集シリカなど)、炭酸カルシウム粒子、アルミナ粒子、酸化チタン粒子及び硫酸バリウム粒子などの無機粒子;架橋ポリスチレン粒子、アクリル粒子及びイミド粒子などの有機粒子;並びにその混合物が挙げられる。理論に拘束されることを望むものではないが、粒子がキャリア基板の接着特性を改善でき、キャリア基板上にコートされた第1のポリマー層の均一性を改善できると考えられる。
いくつかの実施形態において、キャリア基板は優れた光透過性を有し、第1のポリマー層にレリーフパターンを形成するために使用される活性線照射を実質的に透過する。いくつかの実施形態において、キャリア基板は低い表面粗さを有し得る。キャリア基板は一般に、強度が十分であり、第1のポリマー層の形成に使用される溶媒に不溶性であるべきである。キャリア基板は、続いての使用でドライフィルム構造体の残り(例えば第1のポリマー層)から除去可能であり、又は製造したデバイスの最終構造の一部を形成することができる。キャリア基板が最終デバイスから最終的に、例えば剥離によって除去される状況では、キャリア基板と第1のポリマー層との間の接着は、容易に分離できるような十分な弱さであるべきである。このような実施形態において、キャリア基板は、キャリア基板の除去を容易にするために第1のポリマー層によってコートされる表面上に剥離層を含むことができる。キャリア基板が最終デバイスの一部である場合、キャリア基板の剥離を防止するために接着力は高い必要がある。
キャリア基板の具体例としては、各種のプラスチックフィルム、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、セルローストリアセテート、セルロースジアセテート、ポリ(メタ)アクリル酸アルキルエステル、ポリ(メタ)アクリル酸エステルコポリマー、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリスチレン、セロファン、ポリ塩化ビニルコポリマー、ポリアミド、ポリイミド、塩化ビニル−ビニルアセテートコポリマー、ポリテトラフルオロエチレン、ポリトリフルオロエチレンなどがあり得る。また、2種以上のプラスチックフィルム又は2種以上のポリマーを含有する複合材料を使用することができる。光透過性に優れたポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムが特に好ましい。キャリア基板の厚さは、約10μm以上(例えば約15μm以上、約20μm以上、約30μm以上、約40μm以上、約50μm以上又は約60μm以上)から約150μm以下(例えば約140μm以下、約120μm以下、約100μm以下、約90μm以下、約80μm以下又は約70μm以下)の範囲内にあることができる。キャリア基板のヤング率は、約100MPa以上(例えば約150MPa以上、約200MPa以上又は約250MPa以上)から約500MPa以下(例えば約450MPa以下、約400MPa以下又は約350MPa以下)の範囲内にあることができる。
キャリア基板は、コロナ処理の有無にかかわらず使用することができる。コロナは、金属電極又は絶縁電極に高周波高電圧エネルギーを放出することによって生成されるイオン化された空気である。この電極は、接地ロール上に配置される。フィルムのコロナ処理は、表面汚染物質を除去し、結合部位を生成し、表面エネルギーを上昇させることにより、表面を接着のために最適化することができる。いくつかの実施形態において、ロールを形成するためのキャリア基板フィルムの巻き取り中にフィルムをコロナ工程に通過させることにより、コロナ処理を行うことができる。これにより前処理コロナフィルムが生成される。このようなコロナ処理キャリア基板フィルムは市販されている。別の選択肢は、キャリア基板上に第1のポリマー層組成物をコーティングする直前に、キャリア基板フィルムをコロナチャンバに通過させる「オンラインコロナ処理」である。キャリア基板のオンラインコロナ処理によって、印刷品質を向上させ、コーティングのピンホールを除去し、ドライフィルム構造体の生産性を高めることができる。
第1のポリマー層を形成するためのコーティング方法は特に限定されない。例えば、スプレーコーティング、ロールコーティング、回転コーティング、スリットコーティング、圧縮コーティング、カーテンコーティング、ダイコーティング、ワイヤーバーコーティング及びナイフコーティングなどの方法を使用して第1のポリマー層を形成することができる。第1のポリマー層を形成するために使用する乾燥温度は、成分、有機溶剤及び含有率によって変化し得る。いくつかの実施形態において、乾燥は、約60℃以上(例えば約65℃以上、約70℃以上又は約75℃以上)から約120℃以下(例えば約105℃以下、約90°C以下又は約85℃以下)の温度にて、約30秒以上(例えば約1分以上、約2分以上、約4分以上又は約6分以上)から約15分以下(例えば約12分以下、約10分以下又は約8分以下)にわたって行う。乾燥手段の例は、熱風を使用する対流オーブンであるが、任意の適切な加熱手段を採用することができる。
本発明のドライフィルム構造体の第1のポリマー層の厚さは、特に限定されない。前記厚さは、約2μm以上(例えば約5μm以上、約10μm以上、約20μm以上、約25μm以上、約30μm以上、約35μm以上若しくは約40μm以上)及び/又は約100μm以下(例えば約90μm以下、約80μm以下、約70μm以下、約60μm以下、約50μm以下若しくは約45μm以下)である。いくつかの実施形態において、第1のポリマー層は比較的薄い厚さを有することができる。かかる実施形態において、第1のポリマー層は、約5μm以下(例えば約4μm以下又は約3μm以下)の厚さを有することができる。
いくつかの実施形態において、溶融粘度及び融点は、上記の第1のポリマー層の重要な熱的特性であり得る。これらの特性はどちらも、ドライフィルム構造体を基板上に効果的に積層するために重要であり得る。
いくつかの実施形態において、ドライフィルム構造体は、約60℃〜約140℃の温度にて約10ポアズ以上(例えば約20ポアズ以上、約30ポアズ以上、約40ポアズ以上又は約50ポアズ以上)及び/又は150ポアズ以下(例えば約140ポアズ以下、約130ポアズ以下、約120ポアズ以下、約110ポアズ以下、約100ポアズ以下又は約90ポアズ以下)の溶融粘度を有する第1のポリマー層を含む。理論に拘束されることを望むものではないが、第1のポリマー層の溶融粘度が低すぎると、積層中に第1のポリマー層のオーバーフローが起こり得ると考えられる。これにより積層フィルムのフィルム厚が不均一になり、基板の裏面の汚染が生じる。溶融粘度が高すぎると、ポリマー流が異常に遅くなり、これによりこのように形成された層に空隙及び気泡が生じることがある。さらに、キャリア基板がパターン形成される場合、ポリマー流が遅いと、パターンの充填が不完全かつ不適切となることがある。
いくつかの実施形態において、第1のポリマー層は、約60℃以上(例えば65℃以上、約70℃以上、約75℃以上又は約80℃以上)の融点及び/又は約140℃以下(例えば約135℃以下、約130℃以下、約125℃以下又は約120℃以下)の融点を有する。理論に縛られることを望むものではないが、第1のポリマー層の融点が低すぎる場合、ドライフィルムの形成は、通例、連続方法によるドライフィルム積層体の形成が妨げられる程度まで妨げられ得る。融点が高すぎる場合、第1のポリマー層とキャリア基板の積層中に高温が必要とされ、キャリア基板が溶融してドライフィルム積層体が破損するおそれがある。さらに、高融点を有する第1のポリマー層がより低温の積層方法において使用される場合、第1のポリマー層は基板との接着性が不十分であり得る。
いくつかの実施形態において、ドライフィルム構造体は、任意で保護層(例えば、保護フィルム又は保護カバーシート)を含み、第1のポリマー層が保護層とキャリア基板との間に配置される。保護層は、輸送及び貯蔵中に第1のポリマー層を保護し、粘着性第1のポリマー層がそれ自体に付着することを防止できる。いくつかの実施形態において、保護層は、ドライフィルム構造体の第1のポリマー層との接触表面を改質するための処理に所望により供された、単層又は多層フィルムである。保護層は、ポリエチレン、ポリプロピレン又は他の任意の好適なポリマーから作製することができる。いくつかの実施形態において、保護層の第1のポリマー層への接着力は、第1のポリマー層に対するキャリア基板の接着力よりも小さい。これにより、第1のポリマー層をキャリア基板から分離することもなく、保護層を第1のポリマー層から容易に分離することができる。保護層は、ロール圧縮法によって第1のポリマー層に積層することができる。
いくつかの実施形態において、保護層は、約100MPa以上(例えば約150MPa以上、約200MPa以上又は約250MPa以上)から約500MPa以下(例えば約450MPa以下、約400MPa以下又は約350MPa以下)の範囲内のヤング率を有することができる。
一般に、本明細書に記載のドライフィルム構造体は、第1のポリマー層を基板(例えば電子基板)に積層するために使用することができる。いくつかの実施形態において、ドライフィルム構造体の第1のポリマー層は、空隙のない積層のために真空、熱及び圧力が併用される差圧ラミネータを使用して、任意の種類の基板(例えば電子基板)に積層することができる。好適な電子基板の例としては、ケイ素基板、銅基板、アルミニウム基板、酸化ケイ素基板、窒化ケイ素基板、ガラス基板、有機積層体基板又は誘電材料基板が挙げられる。例えば、ドライフィルム構造体の保護層を剥離し、構造体の残り(例えばキャリア基板上の第1のポリマー層)を基板サイズに切断することができる。別の例として、ドライフィルム構造体をまず基板サイズに切断し、次に保護層を剥離して、第1のポリマー層を基板上に積層することができる。いくつかの実施形態において、手動で又は現在利用可能な分配装置を用いて予め積層されたこれらの基板を、スライド・マウント・プラテン上に配置するか、又はチャンバ内に位置決めする。厚さ及び形態が異なる基板を混ぜて、スループットを高めることができる。次いで、基板は、内蔵精密デジタルタイマによって決定された時間にわたって、真空保持(vacuum dwell)に供することができる。この期間の後、予熱したシリコーンゴム製ダイアフラムを被加工物上に降下させることができる。この作用によって、ばね式プラテン組立体の下の狭い隙間を閉じることができ、下加熱プラテンと直接熱接触することになる。上加熱プラテン及び下加熱プラテンの温度はどちらも、内蔵温度コントローラによって独立して制御することができる。差圧ラミネータは、一般にダイアフラム上への陽圧の印加を可能にし、効果的な積層圧力を劇的に上昇させる。保圧時間は、真空保持(vacuum dwell)に用いたタイマと同一のタイマによって調整することができる。サイクル完了時に、ドロワ機構を後退させ、積層された基板を、さらなる処理のために取り外すことができる。
いくつかの実施形態において、第1のポリマー層は、平面圧縮法又は熱ロール圧縮法を用いた第1のポリマー層の予備積層の後、約60℃〜約140℃での真空積層によって基板に積層することができる。熱ロール積層を用いる場合、ドライフィルム構造体を熱ロールラミネータに入れ、保護層を第1のポリマー層/キャリア基板から剥離することができ、第1のポリマー層を基板に接触させて、熱及び圧力によってローラーを使用して基板に積層することができる。
いくつかの実施形態において、上記の積層方法で使用する積層温度は、約50℃以上(例えば約70℃以上、約80℃以上、約90℃以上又は約100℃以上)から約220℃以下(例えば約190℃以下、約160℃以下、約130℃以下又は約110℃以下)である。上述の積層方法で使用する圧力は、約1.5psi以上(例えば約3psi以上、約5psi以上、約10psi以上、約15psi以上又は約20psi以上)から好ましくは約70psi以下(例えば約60psi以下、約50psi以下、約40psi以下又は約30psi以下)である。上記の積層方法で使用する真空は、約0.2トル以上から約5トル以下であり得る。上記の積層方法で使用されるローラーの速度は、約1cm/分以上(例えば約5cm/分以上、約10cm/分以上、約25cm/分以上又は約50cm/分以上)から約600cm/分以下(例えば約500cm/分以下、約400cm/分以下、約300cm/分以下、約200cm/分以下又は最大で約100cm/分)であることができる。
いくつかの実施形態において、本開示は、積層体を形成する方法を特徴とする。前記方法は、(a)保護膜がドライフィルム構造体内に存在する場合に、ドライフィルム構造体から保護層を除去すること;及び(b)工程(a)で得られたフィルム構造体を電子基板上に適用して積層体を形成すること、を含むことができる。いくつかの実施形態において、前記方法は、第1のポリマー層をパターン形成層に変換することをさらに含み得る。前記変換は、積層体中の第1のポリマー層を活性線に露光することを含み得る。このような実施形態において、前記変換は、第1のポリマー層を露光する前又は後にキャリア基板を除去することをさらに含み得る。第1のポリマー層を活性線に露光した後、前記変換は、露光した第1のポリマー層を現像して、レリーフパターンを有するパターン形成層を形成することをさらに含み得る。
いくつかの実施形態において、電子基板上に積層された第1のポリマー層は、第1のポリマー層における露光領域が架橋されるように、所望のパターン形成フォトマスクを通じて露光される。露光に使用する活性エネルギービームとしては、電子ビーム、紫外線、X線が挙げられ、紫外線が好ましい。光源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプなどを使用することができる。照射線量は、通例約100mJ/cm〜約1,000mJ/cmである。
キャリア基板は、露光の前又は後に剥離することによって除去することができる。
露光後、ドライフィルム構造体の第1のポリマー層は、約50℃以上(例えば約55℃以上、約60℃以上又は約65℃以上)から約100℃以下(例えば約95℃以下又は約90℃以下、約85℃以下、約80℃以下、約75℃以下、又は約70℃以下)まで、約60秒以上(例えば約65秒以上又は約70秒以上)から約240秒以下(例えば約180秒以下、約120℃以下、又は約90秒以下)にわたって熱処理することができる。熱処理は、通常、ホットプレート又はオーブンを使用して行う。
露光後、現像剤を使用してドライフィルム構造体の第1のポリマー層を現像し、未露光部分を除去することができる。現像は、例えば浸漬法やスプレー法によって行うことができる。現像後、積層基板上の第1のポリマー層にマイクロホール及び細線を生成することができる。
第1のポリマー層を現像するための現像剤の例は、感光性組成物のリソグラフィー工程について列挙された現像剤の例と同様である。
いくつかの実施形態において、第1のポリマー層中の現像剤とポリイミドポリマーとの相対エネルギー差(RED)は、約3以下(例えば約2.5以下、約2以下、約1.5以下又は1以下)及び/又は約0.1以上(例えば約0.2以上、約0.5以上、約0.7以上又は約1以上)であってよい。ここで「RED」は、ハンセンパラメータ(Ra)と相互作用半径(Ro)との間の距離の比を意味する。一般に、REDが低いほど、ポリイミドポリマーの溶媒への溶解度が良好となる。Raは、以下の式:(Ra)=4(δd2−δd1+(δp2−δp1+(δh2−δh1によって定義され、式中、δ、δ及びδはそれぞれ分散、分子間力及び分子間の水素結合である。Raは、ハンセン空間の球の半径を決定し、その中心は3個のハンセンパラメータである。ハンセンのパラメータについてのさらなる詳細事項は、以下の文献:“Hansen,Charles(2007).Hansen Solubility Parameters:A user’s handbook,Second Edition.Boca Raton,Fla:CRC Press.ISBN 978−0−8493−7248−3”に見出すことができる。
いくつかの実施形態において、現像工程の後に、有機すすぎ溶剤を用いたすすぎ処理工程を所望により行うことができる。有機すすぎ溶剤の好適な例は、感光性組成物のリソグラフィー工程について列挙された有機すすぎ溶剤の例と同様である。
いくつかの実施形態において、現像工程又は所望により存在するすすぎ処理工程の後に、所望により存在する乾式加熱工程(即ち、現像後乾式加熱)を、約120℃以上(例えば約130℃以上、約140℃以上、約150℃以上、約160℃以上、約170℃以上又は約180℃以上)から最大約250℃(例えば約240℃以下、約230℃以下、約220℃以下、約210℃以下、約200℃以下又は約190℃以下)の範囲に及ぶ温度にて行うことができる。乾式加熱時間は、約5分以上(例えば約10分以上、約20分以上、約30分以上、約40分以上、約50分以上又は約60分以上)及び/又は約5時間以下(例えば約4時間以下、約3時間以下、約2時間以下又は約1.5時間以下)である。この乾式加熱工程は、残存する第1のポリマー層から残留溶媒を除去することができ、残存する第1のポリマー層をさらに架橋することができる。現像後乾式加熱は、空気中で又は好ましくは窒素雰囲気下で行うことができ、任意の好適な加熱手段によって行ってよい。
いくつかの実施形態において、乾式加熱工程後に得られる乾式加熱された第1のポリマー層は、約180℃以上(例えば約190℃以上、約200℃以上又は約210℃以上)のガラス転移温度を有する。いくつかの実施形態において、現像後乾式加熱工程の後に得られる乾式加熱された第1のポリマー層は、約320℃以下(例えば約310℃以下、約300℃以下又は約290℃以下)のガラス転移温度を有する。本明細書で使用する場合、第1のポリマー層のガラス転移温度は、寸法変化(μ)対温度をプロットする熱機械分析計曲線上の感光変曲点として定義される。
いくつかの実施形態において、後に続くデバイス製造における加工工程及び後に続くデバイス使用の間のフィルム移動(film mobility)を防止してデバイス寿命をより長くするためには、乾式加熱された第1のポリマー層のガラス転移温度が高いことが望ましい。はんだ付けなどの一部の製造加工工程には高温が必要である。乾式加熱された第1のポリマー層のガラス転移温度が高いと、得られたデバイスの機械的完全性を維持するのに役立つ。
一般に、上記の方法は、半導体デバイスに使用する物品を形成するために使用できる。このような物品の例としては、半導体基板、エレクトロニクス用の可撓性フィルム、ワイヤーアイソレーション、ワイヤーコーティング、ワイヤーエナメル又はインク基板が含まれる。このような物品から製造することができる半導体デバイスの例としては、集積回路、発光ダイオード、太陽電池及びトランジスタが挙げられる。
いくつかの実施形態において、本開示は、本明細書に記載の方法によって形成された少なくとも1のパターン形成フィルムを含有する三次元物体を特徴とする。いくつかの実施形態において、三次元物体は、少なくとも2つの積層体(例えば少なくとも3つの積層体)をなす複数のパターン形成フィルムを含有することができる。
いくつかの実施形態において、上記の方法は、電子基板と、前記電子基板上に積層された(例えばレリーフパターン含有する)パターン形成層を含む物品を生じることができ、前記パターン形成層は少なくとも1のポリイミドポリマーを含む。最初のフィルム厚さが5μm以下である実施形態において、前記パターン形成層は、約5μm以下(例えば約4μm以下又は約3μm以下)の厚さを有し、約3μm以下(例えば2μm以下)の加工寸法(feature size)を有する少なくとも1個の素子を含むことができる。
いくつかの実施形態において、パターン形成層は、約1GPa以上(例えば約2GPa以上、約3GPa以上、約4GPa以上又は約5GPa以上)から20GPa以下(例えば約18GPa以下、約16GPa以下、約14GPa以下、約12GPa以下又は約10GPa以下)のヤング率を有することができる。いくつかの実施形態において、パターン形成層は、ドライフィルム構造体の第1のポリマー層のヤング率の約200%〜約300%のヤング率を有することができる。
いくつかの実施形態において、上記のドライフィルム構造体は、少なくとも1種の水溶性ポリマーを含む第2のポリマー層をさらに含むことができる。本明細書で定義する場合、「水溶性」ポリマーは、25℃の水において少なくとも5重量%の溶解度を示すポリマーを意味する。好適な水溶性ポリマーの例は、ポリ(ビニルアルコール)、ポリ(ビニルピロリドン)、ポリ(アクリル酸)及びその塩、ポリ(メタクリル酸)及びその塩、ポリ(アクリルアミド)及びその塩、ポリ(メタクリルアミド)及びその塩、ポリ(N−イソプロピルアクリルアミド)及びその塩、ポリ(2−オキサゾリン)、ポリ(エチレンオキシド)、ポリ(プロピレンオキシド)、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、デンプン、多糖類、デキストラン、シクロデキストラン並びに部分加水分解ポリビニルアセテートからなる群から選択することができる。
いくつかの実施形態において、第2のポリマー層は、ドライフィルム構造体における第1のポリマー層とキャリア基板との間に存在することができる。このような実施形態において、ドライフィルム構造体を電子基板上に積層し、キャリア基板を除去すると、このようにして形成された積層体は、電子基板、(感光性であってよい)第1のポリマー層、及び第2の水溶性ポリマー層をこの積層順で含む。このような実施形態において、第2のポリマー層は、保護層として作用することによって、第1のポリマー層の露光後遅延安定性(post exposure delay stability)を改善することができる。このような実施形態において、第2のポリマー層は、積層体を活性線に露光させた後及び現像前に、水を使用することによって除去することができる。
いくつかの実施形態において、第2のポリマー層は、ドライフィルム構造体における第1のポリマー層と保護層との間に存在することができる。このような実施形態において、を電子基板上に積層し、キャリア基板を除去すると、このようにして形成された積層体は、電子基板、第2の水溶性ポリマー層、及び(感光性であってよい)第1のポリマー層をこの積層順で含む。このような実施形態において、第2のポリマー層は、電子基板が有機現像剤に感受性である場合(例えば電子基板が有機基板である場合)、電子基板の保護層として作用することができる。このような実施形態において、現像後、水溶性の第2のポリマー層の一部(即ち、第1のポリマー層の未露光/現像部分の下の部分)を、水を用いて除去することができ、第2のポリマー層の残り(即ち第1のポリマー層の露光/未現像部分の下の部分)がこのように形成されたデバイスに残存することができる。
本明細書に引用した全ての刊行物(例えば特許、特許出願公開及び論文)の内容は、参照によりその全体が本明細書に組み入れられている。
本開示の原理及び実施をより明確に説明するために、以下の実施例を提供する。本開示が記載した実施例に限定されないことを理解されたい。
合成例1(P−1)
6FDA/DAPIポリイミドの調製
固体の4,4’−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ビス(フタル酸無水物)(6FDA)(2.370kg、5.33モル)を、25℃の1−(4−アミノフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン−5−アミン(4,4’−[1,4−フェニレン−ビス(1−メチルエチリデン)]ビスアニリン(DAPI)としても既知)(1.465kg、5.51モル)NMP(9.86kg)溶液中に投入した。反応混合物の温度を40℃まで上昇させ、6時間反応させた。次に、無水酢酸(1.125kg)及びピリジン(0.219kg)を添加して、反応混合物の温度を100℃まで上昇させ、12時間反応させた。
前記反応混合物を室温まで冷却し、機械式スターラを備えたより大型の容器に移した。反応溶液を酢酸エチルで希釈し、水で1時間洗浄した。撹拌を停止した後、混合物を静置した。相分離が生じた後、水相を除去した。有機相を酢酸エチル及びアセトンの組み合わせで希釈し、水で2回洗浄した。全ての洗浄に使用した有機溶剤(酢酸エチル及びアセトン)及び水の量を表1に示す。
洗浄した有機相にGBL(10kg)を加え、減圧蒸留で溶液を濃縮してポリマー溶液P−1を得た。最終ポリマーの固体%は29.94%であり、GPCによって測定した重量平均分子量(Mw)は51,000ダルトンであった。
GPCにより分子量を測定するために、上記ポリマー溶液200mgを、BHTを含むテトラヒドロフラン(THF)3.2gに最初に溶解させた。使用した機器はWatersゲル透過クロマトグラフであり、ソフトウェアはWaters Empower 2 Chromatographicソフトウェア(GPCモジュール)であった。使用した標準は、5種のポリスチレン標準及び1種のp−クレゾールダイマー標準であった。そのMw値は以下の通りであった:ポリスチレン標準は198400、89300、19100、4000、及び1200、p−クレゾールダイマーは228。使用したカラムはPhenomenex Guardカラム:Phenogel−10,7.8mmID×50mm長であり、流速は35℃にて1ミリリットル/分であった。
組成例1(FE−1)
ポリマー溶液(P−1)26.72g、GBL4.81g、PolyFox6320(OMNOVA Solutionsから入手可能)の0.5重量%GBL溶液0.48g、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン0.24g、NCI−831(商品名、ADEKA社より入手可能)0.24g、パラベンゾキノン0.02g、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート2.70g及びペンタエリスリトールトリアクリレート0.9gを使用することによって、感光性組成物FE−1を調製した。24時間機械撹拌した後、5ミクロンのシリンジフィルタを使用して溶液を濾過した。
溶解速度測定の一般手順
4枚のシリコンウェハに感光性組成物をスピンコートして、厚さ約15μmのコーティングを形成した。コートしたウェハを、ホットプレートを使用して95℃にて180秒間乾式加熱した。ウェハはシクロペンタノンを使用することによって15秒間、25秒間、35秒間及び65秒間現像した(各現像時間に1枚)。現像剤15ミリリットルを10秒間でウェハ上にストリーム分注(stream dispensed)してフィルムを完全に被覆し、その上に現像剤のパドルを形成し、25℃にてパドル現像を開始した(15秒、25秒、35秒及び65秒。記載した現像時間は、ストリーム分注を中止した後の時間である。)。分注工程及び現像工程の間に、ウェハを100RPMの回転速度で回転させた。現像剤のパドルを除去し、残りのフィルムを3000RPMの回転速度で15秒間回転させることによって乾燥させた。各ウェハのフィルム厚損失を測定し、厚み損失対現像時間のグラフをプロットした。フィルム厚はDektak IIA Profilometerを用いて測定した。データを線形関数に当てはめて、線の傾きを求め、これにより代表的な溶解速度を求めた。
処理例1
感光性組成物FE−1の溶解速度を、溶解速度測定の一般手順に従って測定した。結果を表2に示す。計算した溶解速度は約0.21μm/秒であった。
感光性組成物FE−1をシリコンウェハ上にスピンコートし、ホットプレートを使用して95℃にて180秒間乾式加熱して、厚さ約15μmのコーティングを形成した。露光用の所望のパターンを有するマスクを介して、広帯域UV露光ツール(Carl Suss MA−56)を用いて感光性ポリイミドフィルムを露光した。露光後、露光フィルムを50℃にて3分間加熱した。
露光後乾式加熱の後、シクロペンタノンを現像剤として使用して(現像75秒×2)、未露光部分を除去し、続いて現像フィルムをPGMEAで15秒間すすいで、パターンを形成した。150mJ/cmのフォトスピード(photospeed)で7μmの解像度が達成された。
組成例2(FE−2)
ポリマー溶液(P−1)26.72g、GBL4.81g、PolyFox6320(OMNOVA Solutionsから入手可能)の0.5重量%GBL溶液0.48g、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン0.24g、NCI−831(商品名、ADEKA社より入手可能)0.24g、パラベンゾキノン0.02g及び1,6−ヘキサンジオールジアクリレート3.60gを使用することによって、感光性組成物を調製した。24時間機械撹拌した後、5ミクロンのシリンジフィルタを使用して溶液を濾過した。
処理例2
溶解速度測定の一般手順に従って測定した感光性組成物FE−2の溶解速度は、0.59μm/秒であった。
感光性組成物FE−2をシリコンウェハ上にスピンコートし、ホットプレートを使用して95℃にて180秒間乾式加熱して、厚さ約15μmのコーティングを形成した。露光用の所望のパターンを有するマスクを介して、広帯域UV露光ツール(Carl Suss MA−56)を用いて感光性ポリイミドフィルムを露光した。露光後、露光フィルムを50℃にて3分間加熱した。
露光後乾式加熱の後、シクロペンタノンを現像剤として使用して(現像75秒×2)、未露光部分を除去し、続いて現像フィルムをPGMEAで15秒間すすいで、パターンを形成した。150mJ/cmのフォトスピード(photospeed)で10μmの解像度が達成された。
比較組成例1(CFE−1)
SSC量の関数としてのフィルムの溶解速度の効果
ポリマー溶液(P−1)26.72g、GBL4.81g、PolyFox6320(OMNOVA Solutionsから入手可能)の0.5重量%GBL溶液0.48g、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン0.24g、NCI−831(商品名、ADEKA社より入手可能)0.24g、パラベンゾキノン0.02g及び1,6−ヘキサンジオールジアクリレート1.20gを使用することによって、感光性組成物を調製した。24時間機械撹拌した後、5μmのシリンジフィルタを使用して溶液を濾過した。
比較処理例1
溶解速度測定の一般手順に従って測定した感光性組成物CFE−1の溶解速度は0.05μm/秒であった。
感光性組成物CFE−1をシリコンウェハ上にスピンコートし、ホットプレートを使用して95℃にて180秒間乾式加熱して、厚さ約15μmのコーティングを形成した。露光用の所望のパターンを有するマスクを介して、広帯域UV露光ツール(Carl Suss MA−56)を用いて感光性ポリイミドフィルムを露光した。露光後、露光フィルムを50℃にて3分間加熱した。
露光後乾式加熱の後、シクロペンタノンを現像剤として使用して(現像75秒×2)、未露光部分を除去し、続いて現像フィルムをPGMEAで15秒間すすいだ。全ての線量及びフィーチャについての重度の亀裂が認められた。
組成例2(FE−2)と比較組成例1(CFE−1)との比較によって、溶解度スイッチング化合物(SSC)の量が未露光フィルムの溶解度に、したがって組成物のリソグラフィー性能に、重要な役割を果たすことが示される。ここで、FE−2と比較してCFE−1の溶解速度が低いのは、SSCの量がより少ないためであると考えられる。さらに、SSCの量がより少ない組成物(CFE−1)は、全ての線量にて顕著な亀裂を示したのに対して、SSCの量がより多い組成物(FE−2)は、亀裂を全く示さなかった。
組成例3(FE−3)
ポリマー溶液(P−1)26.72g、GBL4.81g、PolyFox6320(OMNOVA Solutionsから入手可能)の0.5重量%GBL溶液0.48g、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン0.24g、NCI−831(商品名、ADEKA社より入手可能)0.24g、パラベンゾキノン0.02g、ビスフェノールAエトキシレートジアクリレート3.70g及びペンタエリスリトールトリアクリレート0.9gを使用することによって、感光性組成物を調製した。24時間機械撹拌した後、5ミクロンのシリンジフィルタを使用して溶液を濾過した。
処理例3
溶解速度測定の一般手順に従って測定した感光性組成物FE−3の溶解速度は0.88μm/秒であった。
感光性組成物FE−3をシリコンウェハ上にスピンコートし、ホットプレートを使用して95℃にて180秒間乾式加熱して、厚さ約15μmのコーティングを形成した。露光用の所望のパターンを有するマスクを介して、広帯域UV露光ツール(Carl Suss MA−56)を用いて感光性ポリイミドフィルムを露光した。露光後、露光フィルムを50℃にて3分間加熱した。
露光後乾式加熱の後、シクロペンタノンを現像剤として使用して(現像75秒×2)、未露光部分を除去し、続いて現像フィルムをPGMEAで15秒間すすいで、パターンを形成した。150mJ/cmのフォトスピード(photospeed)で12μmの解像度が達成された。
比較組成例2(CFE−2)
溶解度スイッチング化合物(SSC)量の関数としてのフィルムの溶解速度の効果
ポリマー溶液(P−1)26.72g、GBL3.22g、PolyFox6320(OMNOVA Solutionsから入手可能)の0.5重量%GBL溶液0.48g、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン0.24g、NCI−831(商品名、ADEKA社より入手可能)0.24g、パラベンゾキノン0.02g及びビスフェノールAエトキシレートジアクリレート2.80gを使用することによって、感光性組成物を調製した。24時間機械撹拌した後、5ミクロンのシリンジフィルタを使用して溶液を濾過した。
比較処理例2
溶解速度測定の一般手順に従って測定した感光性組成物CFE−2の溶解速度は0.09μm/秒であった。
感光性組成物CFE−2をシリコンウェハ上にスピンコートし、ホットプレートを使用して95℃にて180秒間乾式加熱して、厚さ約15μmのコーティングを形成した。露光用の所望のパターンを有するマスクを介して、広帯域UV露光ツール(Carl Suss MA−56)を用いて感光性ポリイミドフィルムを露光した。露光後、露光フィルムを50℃にて3分間加熱した。
露光後乾式加熱の後、シクロペンタノンを現像剤として使用して(現像75秒×2)、未露光部分を除去し、続いて現像フィルムをPGMEAで15秒間すすいだ。全ての線量及びフィーチャについての重度の亀裂及び隆起が認められた。
比較組成例3(CFE−3)
溶解度スイッチング化合物(SSC)量の関数としてのフィルムの溶解速度の効果
ポリマー溶液(P−1)26.72g、GBL1.64g、PolyFox6320(OMNOVA Solutionsから入手可能)の0.5重量%GBL溶液0.48g、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン0.24g、NCI−831(商品名、ADEKA社より入手可能)0.24g、パラベンゾキノン0.02g及びビスフェノールAエトキシレートジアクリレート2.00gを使用することによって、感光性組成物を調製した。24時間機械撹拌した後、5ミクロンのシリンジフィルタを使用して溶液を濾過した。
比較処理例3
溶解速度測定の一般手順に従って測定した感光性組成物CFE−3の溶解速度は0.11μm/秒であった。
感光性組成物CFE−3をシリコンウェハ上にスピンコートし、ホットプレートを使用して95℃にて180秒間乾式加熱して、厚さ約15μmのコーティングを形成した。露光用の所望のパターンを有するマスクを介して、広帯域UV露光ツール(Carl Suss MA−56)を用いて感光性ポリイミドフィルムを露光した。露光後、露光フィルムを50℃にて3分間加熱した。
露光後乾式加熱の後、シクロペンタノンを現像剤として使用して(現像75秒×2)、未露光部分を除去し、続いて現像フィルムをPGMEAで15秒間すすいだ。全ての線量及びフィーチャについての重度の亀裂及び隆起が認められた。
比較合成例1(CP−1)
2種のモノマーのモル比を1:1としたことを除いて合成例1を反復し、ポリマーを水中に沈殿させて単離した。水の量は、反応混合物の体積の10倍であった。水/メタノールの1:1混合物を用いて再スラリー化することによって、ポリマーをさらに精製した。得られたポリマーの重量平均分子量(Mw)は88,000ダルトンであった。
比較組成例4(CFE−4)
分子量(Mw)の効果
ポリマー((CP−1、Mw=88,000ダルトン)8.00g、GBL21.95g、PolyFox6320(OMNOVA Solutionsから入手可能)の0.5重量%GBL溶液0.48g、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン0.24g、NCI−831(商品名、ADEKA社より入手可能)0.24g、テトラエチレングリコールジアクリレート2.70g及びペンタエリスリトールトリアクリレート0.9gを使用することによって、感光性組成物を調製した。24時間機械撹拌した後、5ミクロンのシリンジフィルタを使用して溶液を濾過した。
比較処理例4
感光性組成物CFE−4をシリコンウェハ上にスピンコートし、ホットプレートを使用して95℃にて180秒間乾式加熱して、厚さ約15μmのコーティングを形成した。露光用の所望のパターンを有するマスクを介して、広帯域UV露光ツール(Carl Suss MA−56)を用いて感光性ポリイミドフィルムを露光した。露光後、露光フィルムを50℃にて3分間加熱した。
露光後乾式加熱の後、シクロペンタノンを現像剤として使用して未露光部分を除去した。長い現像時間(75秒間×3)の後でさえ、完全な現像は達成されず、この間に亀裂と隆起が認められた。組成物FE−1とCFE−4とのリソグラフィー性能の比較によって、ポリイミドポリマーの(例えばMwが70,000ダルトンより高い)高い重量平均分子量が、本開示の組成物の性能に有害な効果を有することが示された。
比較組成例5(CFE−5)
高分子量(Mw)の効果
ポリマー((CP−1、Mw=88,000ダルトン)8.00g、GBL21.95g、PolyFox6320(OMNOVA Solutionsから入手可能)の0.5重量%GBL溶液0.48g、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン0.24g、NCI−831(商品名、ADEKA社より入手可能)0.24g及びテトラエチレングリコールジアクリレート2.80gを使用することによって、感光性組成物を調製した。24時間機械撹拌した後、5ミクロンのシリンジフィルタを使用して溶液を濾過した。
比較処理例5
感光性組成物CFE−5をシリコンウェハ上にスピンコートして、厚さ約15μmのコーティングを形成した。コートしたウェハを95℃にて180秒間乾式加熱した。露光用の所望のパターンを有するマスクを介して、広帯域UV露光ツール(Carl Suss MA−56)を用いて感光性ポリイミドフィルムを露光した。露光後、露光フィルムを50℃にて3分間加熱した。
露光後乾式加熱の後、シクロペンタノンを現像剤として使用して未露光部分を除去した。長い現像時間(75秒間×3)の後でさえ、完全な現像は達成されず、亀裂と隆起が認められた。
組成例4(FE−4)
ポリマー溶液(P−1)26.72g、GBL4.81g、PolyFox6320(OMNOVA Solutionsから入手可能)の0.5重量%GBL溶液0.48g、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン0.24g、NCI−831(商品名、ADEKA社より入手可能)0.24g、パラベンゾキノン0.02g及びテトラエチレングリコールジアクリレート2.80gを使用することによって、感光性組成物を調製した。24時間機械撹拌した後、5ミクロンのシリンジフィルタを使用して溶液を濾過した。
処理例4
感光性組成物FE−4をシリコンウェハ上にスピンコートし、ホットプレートを使用して95℃にて180秒間乾式加熱して、厚さ約15μmのコーティングを形成した。露光用の所望のパターンを有するマスクを介して、広帯域UV露光ツール(Carl Suss MA−56)を用いて感光性ポリイミドフィルムを露光した。露光後、露光フィルムを50℃にて3分間加熱した。
露光後乾式加熱の後、シクロペンタノンを現像剤として使用して(現像60秒×2)、未露光部分を除去し、続いて現像フィルムをPGMEAで15秒間すすいで、パターンを形成した。100mJ/cmのフォトスピード(photospeed)で7μmの解像度が達成された。
組成物FE−4とCFE−5との比較によって、高Mwポリイミドポリマー(CFE−5、88,000ダルトンのMw)を含有する組成物が、未露光溶解速度が低く、75秒×3のパドル現像後でも、完全に現像できなかったのに対し、分子量が51,000ダルトンのポリイミドポリマーを含有する同様の組成物(FE−4)が、優れたフォトスピード(photospeed)(100mJ/cm)及び良好な解像度(7μm)で、合理的な時間にて現像されることが示された。
破壊ひずみとしても知られている破断伸びは、試験片を低速で引き伸ばして破断した後の、変化した長さと初期長さとの比である。破断伸びは、材料が亀裂形成を伴わずに形状の変化に耐える能力を反映している。
FE−4の露光フィルムの破断伸びは82%と測定され、これは優れた機械的特性を示す。破断伸びを測定するために、感光性組成物FE−4を酸化シリコンコート薄型ウェハ上にスピンコートし、ホットプレートを使用して95℃にて180秒間乾式加熱して、厚さ約15μmのコーティングを形成した。次に、ウェハを広帯域UV露光ツール(Carl Suss MA−56)内でドッグボーンマスクを用いて露光し、次いで真空下にてYESオーブン内で約200℃にて1時間乾式加熱した。次に、ウェハを2%フッ化水素中に1時間入れることにより、乾式加熱露光フィルムをウェハから剥離した。次に、フィルムを脱イオン水ですすぎ、空気を使用して乾燥させた。次に、15mm×5mmのドッグボーン構造フィルムの破断伸びをインストロン5543によって測定した。合計10回の測定を行った。最小数値と最大数値を除外して、他の8個の測定値の平均を計算した。
比較合成例2(CP−2)
2種のモノマー6FDAとDAPIとの比を11/12としたことを除いて合成例2を反復し、ポリマーを水中に沈殿させて単離した。得られたポリマーの重量平均分子量(Mw)は13,500ダルトンであった。
比較組成例6(CFE−6)
低分子量(Mw)の効果
ポリマー((P−2、Mw=13,500ダルトン)8.00g、GBL21.95g、PolyFox6320(OMNOVA Solutionsから入手可能)の0.5重量%GBL溶液0.48g、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン0.24g、NCI−831(商品名、ADEKA社より入手可能)0.24g及びテトラエチレングリコールジアクリレート2.80gを使用することによって、感光性組成物を調製した。24時間機械撹拌した後、5ミクロンのシリンジフィルタを使用して溶液を濾過した。
比較処理例6
感光性組成物CFE−6をシリコンウェハ上にスピンコートして、厚さ約15μmのコーティングを形成した。コートしたウェハを95℃にて180秒間乾式加熱した。露光用の所望のパターンを有するマスクを介して、広帯域UV露光ツール(Carl Suss MA−56)を用いて感光性ポリイミドフィルムを露光した。露光後、露光フィルムを50℃にて3分間加熱した。
露光後乾式加熱の後、シクロペンタノンを現像剤として使用して(現像35秒×2)、未露光部分を除去し、続いて現像フィルムをPGMEAで15秒間すすいだ。フィルムの機械的特性が弱いことを示すと考えられる顕著な亀裂が、露出した領域で認められた。比較組成例6は、ポリマーの分子量が異なることを除いて、組成例4と同じ組成を有する。どちらの組成物についてのリソグラフィー実験の結果も、重量平均分子量がより低いポリイミドポリマーが、不十分な機械的特性を生じ得ることを示した。
組成例5(FE−5)
ポリマー溶液(P−1)38.71g、GBL8.6g、PolyFox6320(OMNOVA Solutionsから入手可能)の0.5重量%GBL溶液0.75g、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン0.63g、NCI−831(商品名、ADEKA社より入手可能)0.38g、パラベンゾキノン0.03g、テトラエチレングリコールジアクリレート4.22g及びペンタエリスリトールトリアクリレート1.41gを使用することによって、感光性組成物を調製した。24時間機械撹拌した後、5ミクロンのシリンジフィルタを使用して溶液を濾過した。
処理例5
溶解速度測定の一般手順に従って測定した感光性組成物FE−5の溶解速度は0.37μm/秒であった。
感光性組成物FE−5をシリコンウェハ上にスピンコートし、ホットプレートを使用して95℃にて180秒間乾式加熱して、厚さ約5μmのコーティングを形成した。露光用の所望のパターンを有するマスクを介して、広帯域UV露光ツール(Carl Suss MA−56)を用いて感光性ポリイミドフィルムを露光した。露光後、露光フィルムを50℃にて3分間加熱した。
露光後乾式加熱の後、シクロペンタノンを現像剤として使用して(現像60秒×2)、未露光部分を除去し、続いて現像フィルムをPGMEAで15秒間すすいで、パターンを形成した。100mJ/cmのフォトスピード(photospeed)で2μmの解像度が達成された。フィルム厚損失は17.2%であった。
ドライフィルム例DF−1
組成物FE−5の調製を5倍大の規模で反復し、0.2μmフィルタ(Meissner Filtration Product,Inc.製Ultradyne、カタログ番号CFTM10.2−44B1)を使用して組成物を濾過した。濾過した感光性溶液を、2フィート/分(60cm/分)のライン速度で、富士フイルムUSA(グリーンウッド、サウスカロライナ州)製のリバース・マイクロバー・コーターを使用して、30umのマイクロバー隙間を空けて、キャリア基板として用いる幅16.2インチ及び厚さ35μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(TA30、東レ・プラスチックス・アメリカ社製)上に適用し、210°Fにて乾燥させて、厚さおよそ5.0μmの感光性ポリマー層を得た。このポリマー層上に、幅18インチ、厚さ20μmの二軸配向ポリプロピレンフィルム(BOPP、Mirwec Film Inc,ブルーミントン、インディアナ州、商品名ボプロン)をロール圧縮により積層して保護層として作用させた。
ドライフィルム例DF−2
組成物FE−5の調製を5倍大の規模で反復し、0.2μmフィルタ(Meissner Filtration Product,Inc.製Ultradyne、カタログ番号CFTM10.2−44B1)を使用して組成物を濾過した。濾過した感光性溶液を、2フィート/分(60cm/分)のライン速度で、富士フイルムUSA(グリーンウッド、サウスカロライナ州)製のリバース・マイクロバー・コーターを使用して、60umのマイクロバー間隙を空けて、キャリア基板として用いる幅16.2インチ及び厚さ35μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(TA30、東レ・プラスチックス・アメリカ社製)上に適用し、210°Fで乾燥させて、厚さおよそ10.0μmの感光性ポリマー層を得た。このポリマー層上に、幅18インチ、厚さ20μmの二軸配向ポリプロピレンフィルム(BOPP、Mirwec Film Inc,ブルーミントン、インディアナ州、商品名ボプロン)をロール圧縮により積層して保護層として作用させた。
ドライフィルムの積層(実施例L1)
剥離により保護層を除去した後、ドライフィルム構造体DF−1(6インチ×6インチ)の感光性ポリマー層を4インチWafernet銅コートウェハ上に配置した。ポリマー層を真空積層(0.2〜0.4トル)により20秒間にわたって、銅コートウェハ上に積層し、続いて40psiの圧力及び0.2〜0.4トルの真空の両方に70秒間供した。積層温度は90℃であった。積層方法は、ニュージャージー州OPTEK製のDPL−24A差圧積層装置を使用して行った。
積層DF−1のリソグラフィー評価
実施例L1の組成物DF−1によって積層した銅ウェハのキャリア基板を除去した。次いで、開始露光エネルギー50mJ/cmとし、露光エネルギーを50mJ/cm刻みで上昇させるパターン化露光アレイにてi線ステッパを利用して、感光性ポリマー層を活性線に露光した。次いで、露光フィルムを50℃にて3分間加熱し、シクロペンタノンを使用して2度の75秒パドルにより現像した。次にフィルムをPGMEAで15秒間洗浄した。100mJ/cmのエネルギー線量で、2μmの分解能を有するレリーフパターンを得た。フィルム厚損失は26.7%であった。
本開示の主題をその特定の実施形態を参照して詳細に説明したが、修正及び変更は、記載及び請求される本開示の精神及び範囲内であることが理解されよう。

Claims (42)

  1. 0,000ダルトン〜70,000ダルトンの範囲の重量平均分子量を有する少なくとも1種の完全イミド化ポリイミドポリマー;
    少なくとも1種の溶解度スイッチング化合物;
    少なくとも1種の光開始剤;および
    少なくとも1種の溶剤
    を含む感光性組成物であって、
    前記少なくとも1種の完全イミド化ポリイミドポリマーが、少なくとも1種のジアミンから調製され、前記少なくとも1種のジアミンが、構造(Ia)のジアミン及び構造(Ib)のジアミンからなる群より選択される化合物を含み、

    式中、R 、R 、R 、R 、R 、R 11 、R 12 、R 13 及びR 14 は、それぞれ独立に、Hであるか、置換若しくは非置換のC −C の直鎖若しくは分枝のアルキル基であるか、又はC −C シクロアルキル基であり、
    前記感光性組成物は、シクロペンタノンを現像剤として使用した場合に0.15μm/秒を超える溶解速度を示すフィルムを形成することができる、
    感光性組成物。
  2. 前記少なくとも1種のジアミンが、1−(4−アミノフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン−5−アミン、5−アミノ−6−メチル−1−(3’−アミノ−4’−メチルフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン、4−アミノ−6−メチル−1−(3’−アミノ−4’−メチルフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン、5,7−ジアミノ−1,1−ジメチルインダン、4,7−ジアミノ−1,1−ジメチルインダン、5,7−ジアミノ−1,1,4−トリメチルインダン、5,7−ジアミノ−1,1,6−トリメチルインダン及び5,7−ジアミノ−1,1−ジメチル−4−エチルインダンからなる群より選択される、請求項に記載の感光性組成物。
  3. 前記少なくとも1種の完全イミド化ポリイミドポリマーが、少なくとも1種の二無水物から調製され、前記少なくとも1種の二無水物が、2,2−[ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)]ヘキサフルオロプロパン二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物及び3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物からなる群より選択される化合物を含む、請求項1に記載の感光性組成物。
  4. 前記少なくとも1種の完全イミド化ポリイミドポリマーがフッ素化二無水物から調製される、請求項に記載の感光性組成物。
  5. 前記フッ素化二無水物が下記化合物からなる群より選択される、請求項に記載の感光性組成物。
  6. 前記少なくとも1種の完全イミド化ポリイミドポリマーが、構造(Ia)のジアミン及び構造(Ib)のジアミンからなる群より選択される少なくとも1種のジアミンと、2,2−[ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)]ヘキサフルオロプロパン二無水物と、から調製される、請求項1に記載の感光性組成物。
  7. 前記溶解度スイッチング化合物が、ビニル基、アリル基、ビニルエーテル基、プロペニルエーテル基、(メタ)アクリロイル基、SiH基及びチオール基からなる群より選択される少なくとも1個の官能基を含む、請求項1に記載の感光性組成物。
  8. 前記溶解度スイッチング化合物が、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジビニルベンゼン、エトキシル化ビスフェノール−A−ジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールビス(アリルカーボネート)、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ/ヘキサ(メタ)アクリレート、イソシアヌレートトリ(メタ)アクリレート、ビス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートジ(メタ)アクリレート、1,3−ブタンジオールトリ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールトリ(メタ)アクリレート、メチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、(メタ)アクリレート変性尿素ホルムアルデヒド樹脂、(メタ)アクリレート変性メラミンホルムアルデヒド樹脂及び(メタ)アクリレート変性セルロースからなる群より選択される、請求項に記載の感光性組成物。
  9. 前記現像剤及び前記少なくとも1種の完全イミド化ポリイミドポリマーの相対エネルギー差が0.1〜3である、請求項1に記載の感光性組成物。
  10. 前記感光性組成物から製造されたフィルムの領域を100mJ/cm 〜1,000mJ/cm の照射線量で活性線に露光した場合、露光した前記領域がシクロペンタノン中で0.02μm/秒未満の溶解速度を示す、請求項1に記載の感光性組成物。
  11. 前記溶解度スイッチング化合物は、シクロペンタノン中におけるフィルムの溶解速度を、前記溶解度スイッチング化合物を含まない以外は含有成分が同じである感光性組成物から製造されたフィルムに比して増加させる、請求項1に記載の感光性組成物。
  12. 請求項1〜請求項11のいずれか一項に記載の感光性組成物から形成された感光性フィルム。
  13. 請求項1〜請求項11のいずれか一項に記載の感光性組成物で基板をコーティングして、フィルムを前記基板の上に有するコート基板を形成すること;及び
    前記コート基板を乾式加熱して、乾燥したフィルムを有するコート基板を形成すること
    を含む方法。
  14. 前記コート基板は50℃〜200℃の温度にて乾式加熱される、請求項13に記載の方法。
  15. マスクを介して前記乾燥されたフィルムを放射線に露光し、乾燥され且つパターン状に露光されたフィルムを有するコート基板を形成することをさらに含む、請求項14に記載の方法。
  16. 第2の乾式加熱工程で、前記乾燥され且つパターン状に露光されたフィルムを50℃〜150℃の温度にて乾式加熱することをさらに含む、請求項15に記載の方法。
  17. 前記乾燥され且つパターン状に露光されたフィルムの一部を現像剤で現像して、前記基板の上にレリーフ画像を生成することをさらに含む、請求項16に記載の方法。
  18. 前記基板の上の前記レリーフ画像を溶剤又は溶剤混合物ですすぐことをさらに含む、請求項17に記載の方法。
  19. 第3の乾式加熱工程で、前記レリーフ画像を有する基板を50℃〜200℃の温度にて乾式加熱することをさらに含む、請求項18に記載の方法。
  20. 請求項13に記載の方法によって形成された少なくとも1つのパターン形成フィルムを含む三次元物体。
  21. 2つ以上の積層体をなす複数の前記パターン形成フィルムを含む、請求項20に記載の三次元物体。
  22. 3つ以上の積層体をなす複数の前記パターン形成フィルムを含む、請求項20に記載の三次元物体。
  23. 請求項20に記載の三次元物体を含む半導体デバイス。
  24. 集積回路、発光ダイオード、太陽電池又はトランジスタである、請求項23に記載の半導体デバイス。
  25. キャリア基板、及び
    前記キャリア基板によって支持された第1のポリマー層
    を含み、前記第1のポリマー層が請求項1〜請求項11のいずれか一項に記載の感光性組成物から作製される、ドライフィルム構造体。
  26. 保護層をさらに含み、前記第1のポリマー層が前記キャリア基板と前記保護層との間にある、請求項25に記載のドライフィルム構造体。
  27. 前記第1のポリマー層が5μm以下のフィルム厚さを有する、請求項25に記載のドライフィルム構造体。
  28. 第2のポリマー層をさらに含み、前記第2のポリマー層が前記第1のポリマー層と前記キャリア基板との間にあるか、または前記第2のポリマー層が前記第1のポリマー層と前記保護層との間にある、請求項26に記載のドライフィルム構造体。
  29. 前記第2のポリマー層が水溶性ポリマーを含有する、請求項28に記載のドライフィルム構造体。
  30. 請求項25に記載のドライフィルム構造体を電子基板上に適用して積層体を形成することを含む方法。
  31. 前記積層体の中の前記第1のポリマー層を活性線で露光することをさらに含む、請求項30に記載の方法。
  32. 前記第1のポリマー層を露光する前又は後に前記キャリア基板を除去することをさらに含む、請求項31に記載の方法。
  33. 現像剤を使用して前記第1のポリマー層の未露光部分を除去することをさらに含む、請求項32に記載の方法。
  34. 前記第1のポリマー層の残存する露光部分を乾式加熱することをさらに含む、請求項33に記載の方法。
  35. 請求項30に記載の方法によって形成された、三次元物体。
  36. 請求項35に記載の三次元物体を含む半導体デバイス。
  37. 集積回路、発光ダイオード、太陽電池又はトランジスタである、請求項36に記載の半導体デバイス。
  38. (a)キャリア基板、
    保護層、及び
    前記キャリア基板と前記保護層との間にあり、0,000ダルトン〜70,000ダルトンの範囲の重量平均分子量を有する少なくとも1種の完全イミド化ポリイミドポリマーと、少なくとも1種の溶解度スイッチング化合物と、少なくとも1種の光開始剤とを含む感光性ポリマー層
    を含む、ドライフィルム構造体であって、
    前記少なくとも1種の完全イミド化ポリイミドポリマーが、少なくとも1種のジアミンから調製され、前記少なくとも1種のジアミンが、構造(Ia)のジアミン及び構造(Ib)のジアミンからなる群より選択される化合物を含み、

    式中、R 、R 、R 、R 、R 、R 11 、R 12 、R 13 及びR 14 は、それぞれ独立に、Hであるか、置換若しくは非置換のC −C の直鎖若しくは分枝のアルキル基であるか、又はC −C シクロアルキル基である、
    ドライフィルム構造体を提供すること;
    (b)前記ドライフィルム構造体から前記保護層を除去すること;
    (c)工程(b)で得た構造体を電子基板の上に適用して、前記電子基板と前記キャリア基板との間に前記感光性ポリマー層を含む積層体を形成すること;及び
    (d)前記感光性ポリマー層をパターン形成層に変換すること、
    を含み、前記パターン形成層が5μm以下の厚さを有し且つ3μm以下の加工寸法(feature size)を有する少なくとも1つの素子を含む、方法。
  39. 前記パターン形成層が4μm以下の厚さを有する、請求項38に記載の方法。
  40. 前記パターン形成層が3μm以下の厚さを有する、請求項39に記載の方法。
  41. 前記パターン形成層が2μm以下の加工寸法(feature size)を有する少なくとも1つの素子を含む、請求項38に記載の方法。
  42. 0,000ダルトン〜70,000ダルトンの範囲の重量平均分子量を有する少なくとも1種の完全イミド化ポリイミドポリマー;
    少なくとも1種の溶解度スイッチング化合物;
    少なくとも1種の光開始剤;及び
    少なくとも1種の溶剤
    を含む感光性組成物であって、
    前記少なくとも1種の完全イミド化ポリイミドポリマーが、少なくとも1種のジアミンから調製され、前記少なくとも1種のジアミンが、構造(Ia)のジアミン及び構造(Ib)のジアミンからなる群より選択される化合物を含み、

    式中、R 、R 、R 、R 、R 、R 11 、R 12 、R 13 及びR 14 は、それぞれ独立に、Hであるか、置換若しくは非置換のC −C の直鎖若しくは分枝のアルキル基であるか、又はC −C シクロアルキル基であり、
    前記感光性組成物は、シクロペンタノンを現像剤として使用した場合に0.15μm/秒を超える溶解速度を示すフィルムを形成することができ、
    前記溶解度スイッチング化合物は、シクロペンタノン中におけるフィルムの溶解速度を、前記溶解度スイッチング化合物を含まない以外は含有成分が同じである感光性組成物から製造されたフィルムに比して増加させる、
    感光性組成物。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016172089A1 (en) 2015-04-21 2016-10-27 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Photosensitive polyimide compositions
JP7127937B2 (ja) * 2016-11-01 2022-08-30 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド ポリイミド
WO2018092123A1 (en) 2016-11-17 2018-05-24 Orbotech Ltd. Hybrid, multi-material 3d printing
WO2018117047A1 (ja) * 2016-12-20 2018-06-28 旭化成株式会社 2層感光層ロール
KR102064297B1 (ko) * 2017-02-16 2020-01-09 삼성에스디아이 주식회사 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 블랙 화소 격벽층 및 디스플레이 장치
WO2018154688A1 (ja) * 2017-02-23 2018-08-30 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 樹脂組成物、硬化物、パターン硬化物、硬化物の製造方法、層間絶縁膜、表面保護膜及び電子部品
WO2018232214A1 (en) 2017-06-16 2018-12-20 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Multilayer structure
CN109789644B (zh) * 2017-09-11 2023-01-31 富士胶片电子材料美国有限公司 形成介电膜的组合物
CN107608179B (zh) * 2017-10-19 2020-11-13 京东方科技集团股份有限公司 用于彩膜基板的色阻材料及彩膜基板色阻图案的制备方法
JP7293229B2 (ja) * 2017-12-15 2023-06-19 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機機能材料の調合物
CN108983550A (zh) * 2018-08-03 2018-12-11 广东泰亚达光电有限公司 一种水溶性感光干膜及其制备方法
TWI758624B (zh) * 2018-08-16 2022-03-21 長興材料工業股份有限公司 聚醯亞胺的製備方法
CN109627238A (zh) * 2018-12-24 2019-04-16 山东盛华新材料科技股份有限公司 一种含噻吩衍生物二酐类化合物及其合成方法及应用
US20220252979A1 (en) * 2019-06-03 2022-08-11 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Photosensitive resin composition and cured film thereof
JP7256708B2 (ja) * 2019-07-09 2023-04-12 株式会社荏原製作所 めっき装置
EP4024133A4 (en) * 2019-08-29 2023-05-24 Zhejiang First Advanced Material R&D Institute Co., Ltd. PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND APPLICATION THEREOF
JP2022550611A (ja) * 2019-10-04 2022-12-02 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド 平坦化プロセス及び組成物
JP2023511118A (ja) * 2020-01-16 2023-03-16 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド ドライフィルム
US11945894B2 (en) 2020-07-02 2024-04-02 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Dielectric film-forming composition
CN116157452A (zh) * 2020-07-15 2023-05-23 富士胶片电子材料美国有限公司 形成介电膜的组合物
JP7431696B2 (ja) 2020-08-04 2024-02-15 信越化学工業株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性ドライフィルム、ポジ型感光性ドライフィルムの製造方法、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品
JPWO2022059417A1 (ja) * 2020-09-17 2022-03-24
JPWO2022118618A1 (ja) * 2020-12-02 2022-06-09
KR20240042666A (ko) 2021-08-20 2024-04-02 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 전자 디바이스의 제조 방법 및 전자 디바이스
JP7332076B1 (ja) 2022-03-18 2023-08-23 日産化学株式会社 絶縁膜形成用感光性樹脂組成物
WO2023176259A1 (ja) * 2022-03-18 2023-09-21 日産化学株式会社 絶縁膜形成用感光性樹脂組成物
TWI824586B (zh) * 2022-06-28 2023-12-01 達興材料股份有限公司 顯影劑組成物、圖案形成方法及半導體裝置的製造方法

Family Cites Families (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4033768A (en) * 1976-04-14 1977-07-05 Xerox Corporation Method for the preparation of an electrostatographic photosensitive device
JPS61226745A (ja) 1985-03-30 1986-10-08 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物
JPS61226746A (ja) 1985-03-30 1986-10-08 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物
US4608409A (en) 1985-05-08 1986-08-26 Desoto, Inc. Polyacrylated oligomers in ultraviolet curable optical fiber coatings
JPH0616174B2 (ja) 1985-08-12 1994-03-02 三菱化成株式会社 ナフトキノンジアジド系化合物及び該化合物を含有するポジ型フオトレジスト組成物
US4786569A (en) * 1985-09-04 1988-11-22 Ciba-Geigy Corporation Adhesively bonded photostructurable polyimide film
JPS6256948A (ja) * 1985-09-04 1987-03-12 チバ−ガイギ− アクチエンゲゼルシヤフト 被覆材料
JPH083630B2 (ja) 1986-01-23 1996-01-17 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
US4681654A (en) * 1986-05-21 1987-07-21 International Business Machines Corporation Flexible film semiconductor chip carrier
JPS6334540A (ja) 1986-07-30 1988-02-15 Mitsubishi Chem Ind Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
US4830953A (en) * 1986-08-18 1989-05-16 Ciba-Geigy Corporation Radiation-sensitive coating composition with polyazide and polyimide and process of photo-crosslinking the coating
JPH01109792A (ja) 1987-10-23 1989-04-26 Hitachi Condenser Co Ltd プリント配線板
US4988413A (en) * 1989-02-17 1991-01-29 The Boeing Company Reducing plating anomalies in electroplated fine geometry conductive features
EP0438382A1 (en) * 1990-01-19 1991-07-24 Ciba-Geigy Ag Disubstituted aromatic dianhydrides and polyimides prepared therefrom
JPH0539218A (ja) 1991-08-05 1993-02-19 Sanwa Kagaku Kenkyusho Co Ltd 放射線障害治療剤
US5206117A (en) * 1991-08-14 1993-04-27 Labadie Jeffrey W Photosensitive polyamic alkyl ester composition and process for its use
US5412065A (en) 1993-04-09 1995-05-02 Ciba-Geigy Corporation Polyimide oligomers
JP3112229B2 (ja) 1993-06-30 2000-11-27 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物
JPH0862834A (ja) 1994-08-22 1996-03-08 Mitsubishi Chem Corp フォトレジスト組成物
US5633117A (en) 1995-04-27 1997-05-27 Imation Corp. Providing imagewise variation in glossiness to a receptor
JPH095988A (ja) 1995-06-21 1997-01-10 Mitsubishi Chem Corp 感放射線性塗布組成物
JP3562599B2 (ja) 1995-08-18 2004-09-08 大日本インキ化学工業株式会社 フォトレジスト組成物
MY122234A (en) 1997-05-13 2006-04-29 Inst Neue Mat Gemein Gmbh Nanostructured moulded bodies and layers and method for producing same
US5925498A (en) * 1997-06-16 1999-07-20 Kodak Polychrome Graphics Llc Photosensitive polymer composition and element containing photosensitive polyamide and mixture of acrylates
MY120763A (en) 1997-09-19 2005-11-30 Hitachi Chemical Co Ltd Photosensitive film, process for laminating photosensitive resin layer, photosensitive resin layer-laminated substrate and process for curing photosensitive resin layer
US6057079A (en) * 1997-09-24 2000-05-02 Shipley Company, L.L.C. Dry film photoresist construction suitable for rolling up on itself
DE60105754T2 (de) * 2000-04-28 2005-06-23 Mitsui Chemicals, Inc. Polyimid und polyamidsäure
JP2002121207A (ja) * 2000-10-16 2002-04-23 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 組成物とそれを用いた感光性組成物及びカバーレイ
JP2002341525A (ja) * 2001-05-14 2002-11-27 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト転写材料およびそれを用いた基板表面の加工方法
US20040235992A1 (en) 2001-05-30 2004-11-25 Koji Okada Photosensitive resin composition and photosensitive dry film resist and photosensitive coverlay film produced therefrom
US7141614B2 (en) * 2001-10-30 2006-11-28 Kaneka Corporation Photosensitive resin composition and photosensitive films and laminates made by using the same
JP2003140336A (ja) * 2001-10-31 2003-05-14 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd 感光性エレメントおよびそのパターンを有する表示装置
US6682872B2 (en) 2002-01-22 2004-01-27 International Business Machines Corporation UV-curable compositions and method of use thereof in microelectronics
US6878500B2 (en) 2002-04-06 2005-04-12 Marlborough, Stripping method
US20040161619A1 (en) 2002-12-12 2004-08-19 Arch Specialty Chemicals, Inc. Process for producing a heat resistant relief structure
US6844950B2 (en) 2003-01-07 2005-01-18 General Electric Company Microstructure-bearing articles of high refractive index
WO2004092838A1 (ja) * 2003-04-15 2004-10-28 Kaneka Corporation 水系現像が可能な感光性樹脂組成物および感光性ドライフィルムレジスト、並びにその利用
WO2004109403A1 (ja) * 2003-06-02 2004-12-16 Toray Industries, Inc. 感光性樹脂組成物およびそれを用いた電子部品ならびに表示装置
US7579134B2 (en) * 2005-03-15 2009-08-25 E. I. Dupont De Nemours And Company Polyimide composite coverlays and methods and compositions relating thereto
WO2006098291A1 (ja) 2005-03-15 2006-09-21 Toray Industries, Inc. 感光性樹脂組成物
KR20070114267A (ko) 2005-03-25 2007-11-30 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 전처리 조성물
TW200702913A (en) 2005-06-03 2007-01-16 Fujifilm Electronic Materials Pretreatment compositions
US7745516B2 (en) * 2005-10-12 2010-06-29 E. I. Du Pont De Nemours And Company Composition of polyimide and sterically-hindered hydrophobic epoxy
TW200728908A (en) * 2006-01-25 2007-08-01 Kaneka Corp Photosensitive dry film resist, printed wiring board using same, and method for producing printed wiring board
US8187788B2 (en) 2006-04-28 2012-05-29 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Photosensitive resin composition and photosensitive film
KR20090038390A (ko) * 2006-07-11 2009-04-20 니폰 가야꾸 가부시끼가이샤 감광성 알칼리 수용액 가용형 폴리이미드 수지 및 이를 함유하는 감광성 수지 조성물
JP5028059B2 (ja) 2006-09-28 2012-09-19 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、それを用いた硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置
JP5039622B2 (ja) * 2007-03-30 2012-10-03 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP4881811B2 (ja) 2007-07-31 2012-02-22 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、それを用いた硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置
US20090191356A1 (en) * 2008-01-28 2009-07-30 Hee Hyun Lee Method for forming a thin layer of particulate on a substrate
CN103091989B (zh) * 2008-01-29 2016-03-09 旭化成电子材料株式会社 感光性树脂层压体
WO2010044381A1 (ja) 2008-10-14 2010-04-22 日本化薬株式会社 フェノール性水酸基含有ポリイミド樹脂及びそれを用いた感光性樹脂組成物
WO2010113813A1 (ja) 2009-03-31 2010-10-07 大日本印刷株式会社 塩基発生剤、感光性樹脂組成物、当該感光性樹脂組成物からなるパターン形成用材料、当該感光性樹脂組成物を用いたパターン形成方法並びに物品
JP5515394B2 (ja) * 2009-04-30 2014-06-11 株式会社ピーアイ技術研究所 感光性変性ポリイミド樹脂組成物及びその用途
KR101443293B1 (ko) 2009-10-15 2014-09-19 주식회사 엘지화학 알칼리 수용액으로 현상 가능한 감광성 수지 조성물 및 이에 의해 제조된 드라이 필름
JP5732815B2 (ja) * 2009-10-30 2015-06-10 日立化成株式会社 感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、接着剤層付透明基板、及び半導体装置。
WO2011059089A1 (ja) * 2009-11-16 2011-05-19 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ポリイミド前駆体及び該ポリイミド前駆体を含む感光性樹脂組成物
CN102985505B (zh) * 2010-07-09 2014-08-20 东丽株式会社 感光性粘合剂组合物、感光性粘合剂膜和使用它们的半导体装置
WO2012098734A1 (ja) * 2011-01-18 2012-07-26 旭化成イーマテリアルズ株式会社 樹脂組成物、硬化物、樹脂フィルム及び配線板
BR112014004403A2 (pt) 2011-08-25 2017-03-21 Rolic Ag compostos fotorreativos
JP5990965B2 (ja) * 2012-03-23 2016-09-14 東レ株式会社 感光性樹脂組成物およびそれからなるフィルム積層体
TW201338970A (zh) 2012-03-30 2013-10-01 Nippon Kayaku Kk 具有底覆層之覆銅積層板及使用該積層板之配線基板
NL2010077C2 (en) 2013-01-02 2014-07-03 Univ Delft Tech Through-polymer via (tpv) and method to manufacture such a via.
US9493614B2 (en) 2013-02-26 2016-11-15 Toray Industries, Inc. Polyimide precursor, polyimide, flexible substrate prepared therewith, color filter and production method thereof, and flexible display device
CN105073851B (zh) 2013-04-03 2018-08-28 三井化学株式会社 聚酰胺酸、包含该聚酰胺酸的清漆、以及聚酰亚胺膜
SG11201508593QA (en) 2013-05-17 2015-12-30 Fujifilm Electronic Materials Novel polymer and thermosetting composition containing same
CN106164132B (zh) * 2014-01-31 2019-08-23 富士胶片电子材料美国有限公司 聚酰亚胺组合物
WO2016172089A1 (en) 2015-04-21 2016-10-27 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Photosensitive polyimide compositions
CN109789644B (zh) * 2017-09-11 2023-01-31 富士胶片电子材料美国有限公司 形成介电膜的组合物

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