JP6611752B2 - 信号伝達回路装置、半導体装置とその検査方法及び検査装置、並びに、信号伝達装置及びこれを用いたモータ駆動装置 - Google Patents
信号伝達回路装置、半導体装置とその検査方法及び検査装置、並びに、信号伝達装置及びこれを用いたモータ駆動装置 Download PDFInfo
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Description
従来、ハイブリッド自動車、電気自動車、家電機器、産業機器、および医療機器の分野において、入出力間を直流的に絶縁し、かつ信号の伝達を行うために、アイソレータを用いた信号伝達回路装置が用いられてきた。
図33は、コイルを集積化した半導体装置の一従来例を示す模式図である。本従来例の半導体装置Y10は、コイルL1と、パッドY11及びY12と、を有して成る。なお、コイルL1の両端は、それぞれパッドY11及びY12に接続されている。
図43は、信号伝達装置の一従来例を示す回路ブロック図であり、図44は、その正常動作の一例を示すタイミングチャートである。本従来例の信号伝達装置100は、トランス駆動信号生成部101と、トランス102a及び102bと、コンパレータ103a及び103bと、SRフリップフロップ104と、を有しており、トランス102a及び102bを用いて、一次側回路の接地電圧GND1と二次側回路の接地電圧GND2を絶縁しながら、両回路間での信号伝達を実現するものである。
しかしながら、図19、図20に示す信号伝達回路装置はともに、入力側回路において入力された信号を出力側回路へ一方的に送信するものであり、たとえば入力信号伝達部におけるノイズの発生等に起因する入出力信号の不一致といった異常状態を回避する手段を兼ね備えてはいない。
ところで、図33、図34に示した半導体装置Y10の不良品検査に際して、電圧計Y24で得られる検出電圧Vdetの電圧値は、下記(1)式で表される。
しかしながら、図43に示した上記従来例の信号伝達装置100では、二次側回路の接地電圧GND2に変動が生じた場合など、トランス102a及び102bの二次側巻線に現れる誘起信号S10b及びS20bの一方または両方にノイズが発生した場合に、比較信号S10c及びS20cに誤パルスが生じて、出力信号OUTが意図しない論理レベルに変遷してしまうという課題があった。
本明細書において、「復元」とは元の信号の形態、位置(位相)に戻すことである。たとえば制御出力信号を例にすると、入力端子に入力された制御入力信号は出力端子に至るまでに各種各様の信号に変換または整形されるが、出力端子に出力される時点では制御出力信号は元の制御入力信号の形態、位置(位相)に戻される。この動作を「復元」と称する。
(a)前記入力側回路に入力された制御入力信号を受信し、第1補正信号を出力する第1パルス生成回路と、
(b)前記制御入力信号を受信し、第2補正信号を出力する第2パルス生成回路と、
(c)前記第1補正信号および前記第2補正信号を受信し、前記入力側回路から前記出力側回路へ信号の伝達を行う入力信号伝達部と、
(d)前記入力信号伝達部の出力を受信し、前記制御入力信号と等価な制御出力信号を出力する入力信号復元回路と、
(e)前記制御出力信号を受信し、前記出力側回路から前記入力側回路へ信号の伝達を行い、帰還信号を出力する帰還信号伝達部と、
(f)前記制御入力信号および前記帰還信号を受信し、前記制御入力信号と前記帰還信号の論理比較を行い、論理比較信号を出力する論理比較回路を備え、
(g)前記第1パルス生成回路は、前記制御入力信号とともに前記論理比較信号を受信し、前記制御入力信号と前記論理比較信号が第1の組み合わせとなった場合に前記第1補正信号を出力し、前記第2パルス生成回路は、前記制御入力信号とともに前記論理比較信号を受信し、前記制御入力信号と前記論理比較信号が前記第1の組み合わせとは異なる第2の組み合わせとなった場合に前記第2補正信号を出力する(第1−1の構成)。
(a)入力側回路に入力された制御入力信号を受信し、第1補正信号を出力する第1論理積回路と、
(b)前記制御入力信号の反転信号を受信し、第2補正信号を出力する第2論理積回路と、
(c)前記第1補正信号および前記第2補正信号を受信し、前記入力側回路から出力側回路へ信号の伝達を行う入力信号伝達部と、
(d)前記入力信号伝達部の出力を受信し、前記制御入力信号と等価な制御出力信号を出力する入力信号復元回路と、
(e)前記制御出力信号を受信し、前記出力側回路から前記入力側回路へ信号の伝達を行い、帰還信号を出力する帰還信号伝達部と、
(f)前記制御入力信号および前記帰還信号を受信し、前記制御入力信号と前記帰還信号の論理比較を行い、論理比較信号を出力する論理比較回路と、
(g)前記論理比較信号を受信し、前記論理比較信号に同期した論理比較パルス信号を出力する比較パルス生成回路を備え、
(h)前記第1論理積回路は、前記制御入力信号とともに前記論理比較パルス信号を受信し、前記第2論理積回路は、前記制御入力信号の反転信号とともに前記論理比較パルス信号を受信する(第1−21の構成)。
(a)入力側回路に入力された制御入力信号の立ち上がりエッジを検出し第1入力パルスを生成する第1エッジ検出回路と、
(b)前記制御入力信号の立ち下がりエッジを検出し第2入力パルスを生成する第2エッジ検出回路と、
(c)前記制御入力信号、前記第1入力パルス、および前記第2入力パルスを受信し、前記第1入力パルスまたは前記第2入力パルスを受信したタイミングでセット信号またはリセット信号を出力する信号合成回路と、
(d)前記セット信号および前記リセット信号を受信し、前記入力側回路から前記出力側回路へ信号の伝達を行う入力信号伝達部と、
(e)前記入力信号伝達部の出力を受信し、前記制御入力信号と等価な制御出力信号を出力する入力信号復元回路と、
(f)前記制御出力信号を受信し、前記出力側回路から前記入力側回路へ信号の伝達を行い、帰還信号を出力する帰還信号伝達部と、
(g)前記制御入力信号および前記帰還信号を受信し、前記制御入力信号と前記帰還信号の論理比較を行い、論理比較信号を出力する論理比較回路と、
(h)前記論理比較信号を受信し、前記論理比較信号に同期した論理比較パルス信号を出力する比較パルス生成回路を備え、
(i)前記信号合成回路は、前記制御入力信号、前記第1入力パルス、および前記第2入力パルスとともに、前記論理比較パルス信号を受信し、前記論理比較パルス信号を受信したタイミングにおいても、前記セット信号または前記リセット信号の出力を行う(第1−22の構成)。
(a)前記第1入力パルス、前記第2入力パルス、および前記論理比較パルス信号を受信する論理和回路と、
(b)前記制御入力信号と前記論理和回路の出力を受信し、前記セット信号を出力する第1論理積回路と、
(c)前記制御入力信号の反転信号と前記論理和回路の出力を受信し、前記リセット信号を出力する第2論理積回路を有する構成としてもよい(第1−23の構成)。
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、コイルを集積化した半導体装置であって、前記コイルの一端には、第1の電流供給用パッドと第1の電圧測定用パッドが接続されており、前記コイルの他端には、第2の電流供給用パッドと第2の電圧測定用パッドが接続されている構成(第2−1の構成)とされている。
上記目的を達成するために、本発明に係る信号伝達装置は、入力信号が第1論理レベルから第2論理レベルに変遷するパルスエッジに応じて第1トランス駆動信号に(N+a)発(ただし、N≧2、a≧0)のパルスを発生させ、前記入力信号が前記第2論理レベルから前記第1論理レベルに変遷するパルスエッジに応じて第2トランス駆動信号に(N+a)発のパルスを発生させるトランス駆動信号生成部と;一次側巻線に入力される前記第1トランス駆動信号に応じて二次側巻線に第1誘起信号を発生させる第1トランスと;一次側巻線に入力される前記第2トランス駆動信号に応じて二次側巻線に第2誘起信号を発生させる第2トランスと;前記第1誘起信号と所定の閾値電圧とを比較して第1比較信号を生成する第1コンパレータと;前記第2誘起信号と所定の閾値電圧とを比較して第2比較信号を生成する第2コンパレータと;前記第1比較信号にN発のパルスが発生したことを検出して第1検出信号にパルスを発生させる第1パルス検出部と;前記第2比較信号にN発のパルスが発生したことを検出して第2検出信号にパルスを発生させる第2パルス検出部と;前記第1検出信号に発生されたパルスに応じて出力信号を前記第1論理レベルから前記第2論理レベルに変遷させ、前記第2検出信号に発生されたパルスに応じて前記出力信号を前記第2論理レベルから前記第1論理レベルに変遷させるSRフリップフロップと;を有する構成(第3−1の構成)とされている。
本発明の信号伝達回路装置は、制御出力信号を帰還する帰還信号伝達部、制御入力信号と帰還信号の論理比較を行う論理比較回路、第1補正信号を出力する第1パルス生成回路、第2補正信号を出力する第2パルス生成回路を備えているので、制御入力信号と制御出力信号の不一致を検知し、速やかに制御出力信号の補正を行うことができる。また、第1パルス生成回路および第2パルス生成回路は入出力信号が不一致の場合のみ補正信号を出力するので低消費電力による動作が可能である。
本発明に係る半導体装置及びその検査方法であれば、コイルの抵抗値異常を検査することが可能となる。
本発明によれば、ノイズの影響を受けにくい信号伝達装置、及び、これを用いたモータ駆動装置を提供することが可能となる。
(第1の実施の形態)
図1は第1の実施の形態にかかる信号伝達回路装置である。信号伝達回路装置200は、入力端子201、第1パルス生成回路202、第2パルス生成回路204、入力信号伝達部206、入力信号復元回路208、出力端子219、帰還信号伝達部210、論理比較回路212を備える。
ベル)かつ帰還信号Sfが第2電位の場合に、制御入力信号Sinと帰還信号Sfの論理比較結果が“一致”であることを示す第2電位となり、制御入力信号Sinが第1電位かつ帰還信号Sfが第2電位の場合や、制御入力信号Sinが第2電位かつ帰還信号Sfが第1電位の場合に、制御入力信号Sinと帰還信号Sfが“不一致”であることを示す第1電位となる信号である。
図2は第2の実施の形態にかかる信号伝達回路装置である。図2は図1の一部を具体的な回路で示したものである。
図8は第3の実施の形態にかかる信号伝達回路装置である。信号伝達回路装置250は、入力端子251、第1パルス生成回路252、第2パルス生成回路254、第1トランス256、第2トランス258、RSフリップフロップ260、出力端子279、第1出力エッジ検出回路262、第2出力エッジ検出回路264、第3トランス266、第4トランス268、第2RSフリップフロップ270、および論理比較回路272を備える。
図12は第4の実施の形態にかかる信号伝達回路装置である。信号伝達回路装置330は、入力端子331、第1エッジ検出回路332、第2エッジ検出回路334、第1論理和回路336、第2論理和回路338、第1トランス340、第2トランス342、RSフリップフロップ344、出力端子359、帰還パルス生成回路346、第3トランス348、波形整形回路350、論理比較回路352、第1パルス生成回路354、および第2パルス生成回路356を備える。
図22は、本発明に係る半導体装置の第1実施形態を示す模式図である。本実施形態の半導体装置X10Aは、コイルL1を集積化した半導体装置であって、コイルL1の一端には、第1の電流供給用パッドX11aと第1の電圧測定用パッドX11bが接続されており、コイルL1の他端には、第2の電流供給用パッドX12aと第2の電圧測定用パッドX12bが接続されている。
スイッチ制御装置1は、コントローラ側電源電圧(VCC1−GND1間電圧)が所定の下側閾値電圧VUVLO1L以下になると、ハイサイドスイッチSWHをオフとし、FLT端子をローレベルとする。一方、スイッチ制御装置1は、コントローラ側電源電圧(VCC1−GND1間電圧)が所定の上側閾値電圧VUVLO1H以上になると、通常動作を開始し、FLT端子をオープン(ハイレベル)とする。
スイッチ制御装置1は、ドライバ側電源電圧(VCC2−GND2間電圧)が所定の下側閾値電圧VUVLO2L以下になると、ハイサイドスイッチSWHをオフとし、OCPOUT端子をローレベルとする。一方、スイッチ制御装置1は、ドライバ側電源電圧(VCC2−GND2間電圧)が所定の上側閾値電圧VUVLO2H以上になると通常動作を開始し、OCPOUT端子をオープン(ハイレベル)とする。
スイッチ制御装置1は、ERRIN端子への入力電圧が所定の閾値電圧VERRDET以上になると、ハイサイドスイッチSWHをオフとし、FLT端子をローレベルとする。このような構成とすることにより、スイッチ制御装置1の周辺回路に生じる異常についても、これを監視して適切な保護動作を行うことができるので、例えば、モータ電源の過電圧保護動作に利用することが可能である。なお、上記の閾値電圧ERRDETには、所定のヒステリシス(VERRHYS)を持たせるとよい。
スイッチ制御装置1は、OCP/DESATIN端子への入力電圧が所定の閾値電圧VOCDET(対GND2)以上になると、ハイサイドスイッチSWHをオフとし、OCPOUT端子をローレベルとする。
スイッチ制御装置1は、過電流保護動作後、一定時間(tOCPRLS)経過すると、自動復帰し、OCPOUT端子をオープン(ハイレベル)とする。なお、復帰時間は、スイッチ制御装置1の内部で固定的に設定してもよいし、装置外部から調整可能としてもよい。
スイッチ制御装置1は、ECU2から第1半導体チップ10に入力される入力信号INと、第2半導体チップ20から第1半導体チップ10にフィードバックされたウォッチドッグ信号S3とを比較し、両信号の論理が不一致である場合には、ハイサイドスイッチSWHをオフとし、FLT端子をローレベルとする。
スイッチ制御装置1は、過電流保護動作時、PROOUT端子をローレベルとし、OUT端子をオープンとする。このような制御により、ハイサイドスイッチSWHをゆっくりとオフすることが可能となる。なお、オフ時のスルーレートは、外付けの抵抗R5の抵抗値を適宜選択することによって任意に調整することが可能である。
スイッチ制御装置1は、ハイサイドスイッチSWHのゲート電位が所定の閾値電圧VAMC以下になったとき、CLAMP端子をLとする。このような制御により、ハイサイドスイッチSWHを確実にオフすることが可能となる。
スイッチ制御装置1は、CLAMP端子の印加電圧がVCC2−VSCC以上になると、CLAMP端子をハイレベルとする。このような制御により、ハイサイドスイッチSWHのゲート電位が第2電源電圧VCC2よりも上昇してしまうことがなくなる。
以下では、本発明に係る信号伝達装置を用いたモータ駆動装置(特に、高電圧を用いるハイブリッド自動車に搭載されるモータ駆動用IC)を例に挙げて詳細な説明を行う。なお、本発明に係る信号伝達装置が搭載されるモータ駆動装置の全体的な構成や動作については、先出の図26〜図30を参照しながら既に説明した通りであるため、以下では、重複した説明を割愛し、信号伝達装置の構成及び動作について重点的な説明を行う。
図35は、本発明に係る信号伝達装置の第1実施形態を示す回路ブロック図である。本実施形態の信号伝達装置は、一次側回路の接地電圧GND1と二次側回路の接地電圧GND2とを互いに絶縁させた状態で、一次側回路から二次側回路にスイッチ制御信号S1、S2を伝達するための回路ブロックとして、ロジック部15と、第1送信部11と、第2送信部12と、第1トランス31と、第2トランス32と、第3受信部21と、第4受信部22と、SRフリップフロップFFと、を有する。これらの回路ブロックはいずれも図26や図27で先出のものであるが、本実施形態の信号伝達装置においては、ノイズ等に起因する誤動作を回避するために、ロジック部15、並びに、第3受信部21及び第4受信部22の構成に創意工夫が凝らしてある。以下では、その特徴的な構成部分について重点的に説明する。
図37は、本発明に係る信号伝達装置の第2実施形態を示す回路ブロック図である。本実施形態の信号伝達装置は、基本的に先出の第1実施形態と同様の構成であるが、トランス31及び32が近接して配置されている場合には、第1誘起信号S1b及び第2誘起信号S2bの両方に同一のノイズが発生するであろうという想定の下、ロジック部15、並びに、第3受信部21及び第4受信部22の内部構成に変更が加えられている。そこで、以下では、上記の変更部分について重点的な説明を行う。
以上説明したように本発明の信号伝達回路装置は、帰還信号伝達部、論理比較回路、第1パルス生成回路、および第2パルス生成回路による出力信号補正機能を備えているので、制御出力信号が制御入力信号と“不一致”の状態となっても直ちに制御出力信号を制御入力信号と“一致”させることができる。また、帰還信号伝達部をフリップフロップを有する構成としたり、第1パルス生成回路および第2パルス生成回路と並列に第1エッジ検出回路および第2エッジ検出回路を備える構成とすれば、極めて小さいパルス幅をもった制御入力信号に対しても正確な制御出力信号を出力することができるため、その産業上の利用可能性は高い。
本発明は、例えば、ハイブリッド自動車、電気自動車、エアコン等の家電製品、及び、産業機械などに広く搭載されるモータ駆動IC(ゲートドライバIC)の信頼性を高める上で好適に利用可能な技術である。
本発明は、例えば、高電圧を用いるハイブリッド自動車、電気自動車、エアコン等の家電製品、及び、産業機械などに広く搭載されるモータ駆動IC(ゲートドライバIC)の信頼性を高める上で好適に利用可能な技術である。
200A、220A、250A、280A、300A、330A、360A、400A、430A、800A、850A 入力側回路
200B、220B、250B、280B、300B、330B、360B、400B、430B、800B、850B 出力側回路
201、221、251、281、301、331、361、401、431、801、851 入力端子
219、249、279、299、329、359、399、429、469、849、899 出力端子
202、222、252、282、302、354、384、420、452 第1パルス生成回路
204、224、254、284、304、356、386、422、454 第2パルス生成回路
212、238、272、298、322、352、382、418、450、818、874 論理比較回路
820、876 比較パルス生成回路
206、220C、250C、280C、300C、330C、360C、400C、430C、800C、850C 入力信号伝達部
208 入力信号復元回路
210、220D、250D、280D、300D、330D、360D、400D、430D、800D、850D 帰還信号伝達部
230、260、290、320、344、374、810、866 RSフリップフロップ
270 第2RSフリップフロップ
226、256、286、308、340、366、408、436、806、862 第1トランス
228、258、288、316、342、368、414、438、808、864 第2トランス
234、266、294、318、348、388、456、814、870 第3トランス
268、390、458 第4トランス
378、446 第5トランス
232、346、376、412、444、812、868 帰還パルス生成回路
236、350、380、416、448、816、872 波形整形回路
262、312 第1出力エッジ検出回路
264、314 第2出力エッジ検出回路
292 出力エッジ検出回路
296、310、410、442 Dフリップフロップ
306、406、440、856 論理和回路
332、362、402、432、852 第1エッジ検出回路
334、364、404、434、854 第2エッジ検出回路
336、370 第1論理和回路
338、372 第2論理和回路
850E 信号合成回路
802、858 第1論理積回路
804、860 第2論理積回路
902 電流源
904 スイッチングトランジスタ
906 キャパシタ
910 コンパレータ
GND A 第1の接地電位
GND B 第2の接地電位
GND 接地電位
S セット端子
R リセット端子
Q フリップフロップ出力端子
CLK クロック端子
X10A、X10B 半導体装置
X11a 第1の電流供給用パッド
X11b 第1の電圧測定用パッド
X11c 第1の共通パッド(X11a+X11b)
X12a 第2の電流供給用パッド
X12b 第2の電圧測定用パッド
X12c 第2の共通パッド(X12a+X12b)
X20 検査装置
X21a 第1の電流供給用プローブ
X21b 第1の電圧測定用プローブ
X22a 第2の電流供給用プローブ
X22b 第2の電圧測定用プローブ
X23 定電流源
X24 電圧計
1 スイッチ制御装置
2 エンジンコントロールユニット(ECU)
10 第1半導体チップ(コントローラチップ)
11 第1送信部
11−1 バッファ
12 第2送信部
12−1 バッファ
13 第1受信部
14 第2受信部
15 ロジック部
15−1、15−2 インバータ
15−3 第1パルス生成部
15−4 第2パルス生成部
15−5 パルス生成部
15−6 パルスカウンタ
15−7 エッジ検出部
15−8 パルス分配部
16 第1低電圧ロックアウト部(第1UVLO部)
17 外部エラー検出部(コンパレータ)
20 第2半導体チップ(ドライバチップ)
21 第3受信部
21−1 第1コンパレータ
21−2 第1パルス検出部
21−3 第1カウンタ
22 第4受信部
22−1 第1コンパレータ
22−2 第2パルス検出部
22−3 第2カウンタ
23 第3送信部
24 第4送信部
25 ロジック部
26 ドライバ部
27 第2低電圧ロックアウト部(第2UVLO部)
28 過電流検出部(コンパレータ)
29 OCPタイマ
30 第3半導体チップ(トランスチップ)
31 第1トランス
32 第2トランス
33 第3トランス
34 第4トランス
35 第1ガードリング
36 第2ガードリング
40 第1アイランド(低圧側アイランド)
50 第2アイランド(高圧側アイランド)
SWH ハイサイドスイッチ(IGBT、SiC−MOS)
SWL ローサイドスイッチ(IGBT、SiC−MOS)
Na、Nb、N1〜N3 Nチャネル型MOS電界効果トランジスタ
P1、P2 Pチャネル型MOS電界効果トランジスタ
E1、E2 直流電圧源
Q1 npn型バイポーラトランジスタ
Q2 pnp型バイポーラトランジスタ
C1〜C3 キャパシタ
R1〜R8 抵抗
D1 ダイオード
a1〜a8 パッド(第1の電流供給用パッドに相当)
b1〜b8 パッド(第1の電圧測定用パッドに相当)
c1〜c4 パッド(第2の電流供給用パッドに相当)
d1〜d4 パッド(第2の電圧測定用パッドに相当)
e1、e2 パッド
L11、L21、L31、L41 一次側コイル
L12、L22、L32、L42 二次側コイル
Claims (7)
- 入力信号が第1論理レベルから第2論理レベルに変遷するパルスエッジに応じて第1トランス駆動信号にパルスを発生させ、前記入力信号が前記第2論理レベルから前記第1論理レベルに変遷するパルスエッジに応じて第2トランス駆動信号にパルスを発生させるトランス駆動信号生成部と;
一次側巻線に入力される前記第1トランス駆動信号に応じて二次側巻線に第1誘起信号を発生させる第1トランスと;
一次側巻線に入力される前記第2トランス駆動信号に応じて二次側巻線に第2誘起信号を発生させる第2トランスと;
前記第1誘起信号と所定の閾値電圧とを比較して第1比較信号を生成する第1コンパレータと;
前記第2誘起信号と所定の閾値電圧とを比較して第2比較信号を生成する第2コンパレータと;
前記第1比較信号にパルスが発生したことに応じて出力信号を前記第1論理レベルから前記第2論理レベルに変遷させ、前記第2比較信号にパルスが発生したことに応じて前記出力信号を前記第2論理レベルから前記第1論理レベルに変遷させるSRフリップフロップと;
を有し、
前記トランス駆動信号生成部は、第1の半導体チップで形成され、
前記第1コンパレータ、前記第2コンパレータ、及び、前記SRフリップフロップは、第2の半導体チップで形成され、
前記第1トランス及び前記第2トランスは、第3の半導体チップで形成され、
前記第1、第2、第3の半導体チップは、一つのパッケージに封止されており、
前記パッケージは、相対する第1辺及び第2辺にそれぞれ複数のピンが配列されるものであって、前記第1辺には、前記第1の半導体チップに接続される複数のピンが配列されており、
前記第1、第2、第3の半導体チップは、前記ピンの配列方向に対して垂直に並べられており、
前記第1の半導体チップは、第1のアイランドに搭載されており、
前記第1のアイランドは、
前記パッケージの前記第1辺に対向する長辺と、前記パッケージの前記第1辺に対向しない短辺と、を備えた長方形状の主体部と;
前記主体部の前記短辺から前記第1辺に配列された複数のピンのうち前記主体部の前記長辺の端よりも外側に配列されたピンに向けて延びる延伸部と;
を備えていることを特徴とする信号伝達装置。 - 前記延伸部は、前記パッケージのGNDピンまで延びて前記GNDピンと接続していることを特徴とする請求項1に記載の信号伝達装置。
- 前記延伸部は、前記パッケージの最も外側に位置するピンまで延びて当該ピンと接続していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の信号伝達装置。
- 前記第2の半導体チップは、前記第1のアイランドとは異なる第2のアイランドに搭載されていることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
- 前記第1のアイランドに接続する第1のピンと前記第2のアイランドに接続する第2のピンは、前記パッケージの別の辺に配列されていることを特徴とする請求項4に記載の信号伝達装置。
- 前記第3の半導体チップは、前記第1のアイランドに搭載されていることを特徴とする請求項2〜請求項5のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
- 前記第3の半導体チップは、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップに挟まれていることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の信号伝達装置。
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