JP5253012B2 - パワー半導体の駆動回路装置およびそれに用いる信号伝達回路装置 - Google Patents
パワー半導体の駆動回路装置およびそれに用いる信号伝達回路装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5253012B2 JP5253012B2 JP2008164490A JP2008164490A JP5253012B2 JP 5253012 B2 JP5253012 B2 JP 5253012B2 JP 2008164490 A JP2008164490 A JP 2008164490A JP 2008164490 A JP2008164490 A JP 2008164490A JP 5253012 B2 JP5253012 B2 JP 5253012B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- output
- pulse
- circuit
- transmission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 title claims description 156
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 68
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 158
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 127
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 55
- 238000004092 self-diagnosis Methods 0.000 claims description 39
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/18—Modifications for indicating state of switch
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/689—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
- H03K17/691—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/007—Fail-safe circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Dc Digital Transmission (AREA)
- Hybrid Electric Vehicles (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Description
図1は第1の実施の形態にかかり、たとえばモータを駆動するパワー半導体の駆動回路装置を示す。パワー半導体の駆動回路装置30は、電子制御装置32、信号伝達回路装置300、パワー半導体40とを備える。電子制御装置32は、たとえばハイブリッド自動車の制御機構との間で信号のやりとりを行って車全体の制御を行う。電子制御装置32は、パワー半導体40およびモータ50を駆動するための制御入力信号Sinを生成する。
図2は第2の実施の形態にかかる信号伝達回路装置であり、図1と同じ箇所には同じ符号を用いた。図2は図1の一部を具体的な回路で示したものである。
図4は第3の実施の形態にかかる信号伝達回路装置である。図1および図2と同じ箇所には同じ符号を用いた。上記第2の実施の形態は主経路34および自己診断機能38それぞれに1つのトランスを用いたものを示した。第3の実施の形態は主経路34にトランス2つ用い、自己診断機能38の信号経路にはトランス1つ用いたものを示す。
こうした状態は、両者の信号は“不一致”であるとみなされる。なお、両者の信号が“一致”していると判定する場合であっても、制御出力信号は制御入力信号Sinよりも位相が遅れ、かつ、信号の形態も少し異なるのが一般的である。しかし、図5(c2)に示す制御出力信号Sout2は、もはやこうした許容範囲を逸脱しており、両者の信号は“不一致”として判定される。
図6は第4の実施の形態にかかる信号伝達回路装置である。図1、図2および図4と同じ箇所には同じ符号を用いた。上記第3の実施の形態は主経路34にトランス2つ用い、自己診断機能38にはトランスを1つ用いた。第4の実施の形態は、主経路34および自己診断機能38それぞれに2つのトランスを用いることを特徴とする。第4の実施の形態において、自己診断機能38は第3の実施の形態とは相違するが、主経路34は両者とも同じ回路を採用することができる。
32 電子制御装置
34 主経路
38 自己診断機能
40 パワー半導体
50 モータ
300 信号伝達回路装置
310 信号入力端子
312、314、352、356、388、389 導出線
320 送信パルス生成回路
322 エッジ検出器
324 第1エッジ検出器
326、354 インバータ
328 第2エッジ検出器
330 第1信号伝達回路
331 トランス
331a トランスの1次巻線
331b トランスの2次巻線
332 第1トランス
332a 第1トランスの1次巻線
332b 第1トランスの2次巻線
335 第2トランス
335a 第2トランスの1次巻線
335b 第2トランスの2次巻線
340 第1受信回路
342 Dフリップフロップ
344、381 RSフリップフロップ
350 信号出力端子
360 帰還パルス送信回路
362 パルス生成回路
364 第3エッジ検出器
368 第4エッジ検出器
370 第2信号伝達回路
372 帰還トランス
372a 帰還トランスの1次巻線
372b 帰還トランスの2次巻線
374 第1帰還トランス
374a 第1帰還トランスの1次巻線
374b 第1帰還トランスの2次巻線
376 第2帰還トランス
376a 第2帰還トランスの1次巻線
376b 第2帰還トランスの2次巻線
380 第2受信回路
382 入出力信号比較回路
382a、383a 第1入力端子
382b、383b 第2入力端子
382c 出力端子
383 エクスクルーシブOR回路
384 スイッチングトランジスタ
385 電流源
386 キャパシタ
387 コンパレータ
390 比較信号出力端子
Sin 制御入力信号
Sout、Sout1、Sout2 制御出力信号
Sp 送信パルス信号
Sp1 第1送信パルス信号
Sp2 第2送信パルス信号
Sf 帰還パルス信号
Sf1 第1帰還パルス信号
Sf2 第2帰還パルス信号
Ps11、Ps21 第1の整形パルス信号
Ps12、Ps22 第2の整形パルス信号
Sref、Sref1、Sref2 比較回路出力
GND A 第1の接地電位
GND B 第2の接地電位
Claims (15)
- 制御入力信号を生成する電子制御装置と、前記制御入力信号を復元した制御出力信号を生成する信号伝達回路装置と、前記信号伝達回路装置から出力された制御出力信号で駆動されるパワー半導体とを備えるパワー半導体の駆動回路装置において、前記信号伝達回路装置は、前記制御入力信号と、前記制御出力信号を比較する自己診断機能と、前記制御入力信号が入力される信号入力端子と、前記制御入力信号に同期した送信パルス信号を生成する送信パルス生成回路と、前記送信パルス信号を後段に伝達する第1信号伝達回路と、前記第1信号伝達回路から出力された前記送信パルス信号を受信し、かつ、前記制御入力信号とほぼ等価な信号に復元する第1受信回路と、前記復元した信号を制御出力信号として出力する信号出力端子と、前記制御出力信号に同期した帰還パルス信号を生成する帰還パルス送信回路と、前記帰還パルス信号を後段に伝達する第2信号伝達回路と、前記制御入力信号および前記帰還パルス信号を受信し、かつ、前記制御入力信号と、前記帰還パルス信号に基づいて波形整形された信号とを比較する第2受信回路を備え、前記自己診断機能の出力を前記電子制御装置に伝達し、前記電子制御装置は前記自己診断機能の前記出力に基づき、前記信号伝達回路装置を制御することを特徴とするパワー半導体の駆動回路装置。
- 前記パワー半導体は車に搭載されるモータを駆動することを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体の駆動回路装置。
- 前記自己診断機能はフォトカプラを有することを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体の駆動回路装置。
- 前記自己診断機能はトランスを有することを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体の駆動回路装置。
- 請求項1に記載のパワー半導体の駆動回路装置に用いる信号伝達回路装置であって、前
記信号伝達回路装置は、前記送信パルス生成回路は前記制御入力信号の立上りエッジおよび立下りエッジを検出して前記送信パルス信号を生成するエッジ検出器を備え、前記第1信号伝達回路は前記送信パルス信号が1次巻線に入力され、2次巻線から前記送信パルス信号とほぼ等価なパルス信号が出力されるトランスを備え、前記第1受信回路は前記制御入力信号を復元した信号を出力するDフリップフロップを備え、前記帰還パルス送信回路は前記制御出力信号に同期し、かつ、前記制御出力信号のハイの期間またはローの期間に連続パルスを有する前記帰還パルス信号を生成するパルス生成回路を備え、前記第2信号伝達回路は1次巻線に前記帰還パルス信号が入力され、2次巻線から前記帰還パルス信号とほぼ等価なパルス信号が出力される帰還トランスを備えることを特徴とする信号伝達回路装置。
- 前記トランスおよび前記帰還トランスの各1次巻線と各2次巻線は互いに別々の接地電位に接続されることを特徴とする請求項5に記載の信号伝達回路装置。
- 請求項1に記載のパワー半導体の駆動回路装置に用いる信号伝達回路装置であって、前記信号伝達回路装置は、前記送信パルス生成回路は前記制御入力信号の立上りエッジを検出して第1送信パルス信号を生成する第1エッジ検出器と前記制御入力信号の立下りエッジを検出して第2送信パルス信号を生成する第2エッジ検出器とを備え、前記第1信号伝達回路は前記第1送信パルス信号および前記第2送信パルス信号がそれぞれの1次巻線に各別に入力されそれぞれの2次巻線から前記第1送信パルス信号および前記第2送信パルス信号とほぼ等価なパルス信号が各別に出力される第1トランスおよび第2トランスとを備え、前記第1受信回路は前記第1トランスおよび前記第2トランスの2次巻線から出力された前記パルス信号がセット端子およびリセット端子に各別に入力されるRSフリップフロップを備え、前記RSフリップフロップの出力は前記信号出力端子に出力され、前記帰還パルス送信回路は前記制御出力信号に同期し、かつ、前記制御出力信号のハイの期間またはローの期間に連続パルスを有する帰還パルス信号を生成するパルス生成回路を備え、前記第2信号伝達回路は前記連続パルスが1次巻線に入力され、2次巻線から前記連続パルスとほぼ等価な連続パルス信号が出力される帰還トランスを備えることを特徴とする信号伝達回路装置。
- 前記第1トランス、前記第2トランスおよび前記帰還トランスの1次巻線と2次巻線は互いに別々の接地電位に接続されることを特徴とする請求項7に記載の信号伝達回路装置。
- 請求項1に記載のパワー半導体の駆動回路装置に用いる信号伝達回路装置であって、前記信号伝達回路装置は、前記送信パルス生成回路は前記制御入力信号の立上りエッジを検出して第1送信パルス信号を生成する第1エッジ検出器と前記制御入力信号の立下りエッジを検出して第2送信パルス信号を生成する第2エッジ検出器とを備え、前記第1信号伝達回路は前記第1送信パルス信号および前記第2送信パルス信号がそれぞれの1次巻線に各別に入力され、それぞれの2次巻線から前記第1送信パルス信号および前記第2送信パルス信号とほぼ等価なパルス信号が各別に出力される第1トランスおよび第2トランスとを備え、前記第1受信回路は前記第1トランスおよび第2トランスの2次巻線から出力された前記パルス信号がセット端子およびリセット端子に各別に入力されるRSフリップフロップを備え、前記RSフリップフロップの出力は前記信号出力端子に出力され、前記帰還パルス送信回路は、前記信号出力端子に出力される前記制御出力信号の立上りエッジを検出して第1帰還パルス信号を生成する第3エッジ検出器および前記制御出力信号の立下りエッジを検出して第2帰還パルス信号を生成する第4エッジ検出器とを備え、前記第2信号伝達回路は前記第1帰還パルス信号および前記第2帰還パルス信号がそれぞれの1次巻線に各別に入力され、2次巻線から各別に帰還パルス信号が出力される第1帰還トランスおよび第2帰還トランスとを備え、前記第2受信回路は前記第1帰還トランスおよび前記第2帰還トランスの2次巻線から各別に出力されたパルス信号がセット端子およびリセット端子に各別に入力されるRSフリップフロップを備えることを特徴とする信号伝達回路装置。
- 前記第1トランス、前記第2トランス、前記第1帰還トランスおよび前記第2帰還トランスの1次巻線と2次巻線は互いに別々の接地電位に接続されることを特徴とする請求項9に記載の信号伝達回路装置。
- 請求項1に記載のパワー半導体の駆動回路装置に用いる信号伝達回路装置であって、前記第1信号伝達回路および前記第2信号伝達回路の主回路はともにフォトカプラであることを特徴とする信号伝達回路装置。
- 請求項1に記載のパワー半導体の駆動回路装置に用いる信号伝達回路装置であって、前記第1信号伝達回路および前記第2信号伝達回路の主回路はともにトランスであることを特徴とする信号伝達回路装置。
- 請求項1に記載のパワー半導体の駆動回路装置に用いる信号伝達回路装置であって、前記第2受信回路はエクスクルーシブOR回路を備えることを特徴とする信号伝達回路装置。
- 請求項1に記載のパワー半導体の駆動回路装置に用いる信号伝達回路装置であって、前記第2受信回路は前記帰還パルス信号を前記制御入力信号とほぼ等価な信号に整形する波形整形回路を備えることを特徴とする信号伝達回路装置。
- 前記波形整形回路は前記帰還パルス信号でオン、オフするスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタと協働して前記帰還パルス信号とは異なる第1の整形パルス信号を生成するための電流源およびキャパシタと、前記第1の整形パルス信号が入力され前記第1の整形パルス信号とは異なる第2の整形パルス信号を生成するコンパレータと、前記コンパレータに接続されるエクスクルーシブOR回路を備えることを特徴とする請求項14に記載の信号伝達回路装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008164490A JP5253012B2 (ja) | 2008-06-24 | 2008-06-24 | パワー半導体の駆動回路装置およびそれに用いる信号伝達回路装置 |
US12/489,621 US8040161B2 (en) | 2008-06-24 | 2009-06-23 | Drive circuit device for a power semiconductor, and signal transfer circuit device for use therein |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008164490A JP5253012B2 (ja) | 2008-06-24 | 2008-06-24 | パワー半導体の駆動回路装置およびそれに用いる信号伝達回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010010762A JP2010010762A (ja) | 2010-01-14 |
JP5253012B2 true JP5253012B2 (ja) | 2013-07-31 |
Family
ID=41446623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008164490A Active JP5253012B2 (ja) | 2008-06-24 | 2008-06-24 | パワー半導体の駆動回路装置およびそれに用いる信号伝達回路装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8040161B2 (ja) |
JP (1) | JP5253012B2 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2010271405B2 (en) * | 2009-07-09 | 2014-07-10 | Enphase Energy, Inc. | Method and apparatus for single-path control and monitoring of an H-bridge |
US8947117B2 (en) * | 2009-11-05 | 2015-02-03 | Rohm Co., Ltd. | Signal transmission circuit device, semiconductor device, method and apparatus for inspecting semiconductor device, signal transmission device, and motor drive apparatus using signal transmission device |
US20120002377A1 (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | William French | Galvanic isolation transformer |
DE102010038735B3 (de) * | 2010-07-30 | 2011-11-17 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Betreiben eines PWM-Ausgangs eines Treibers für einen Leistungshalbleiter |
JP5702594B2 (ja) * | 2010-12-21 | 2015-04-15 | ローム株式会社 | ノイズキャンセル回路および信号伝達回路装置 |
JP2012242338A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Toshiba Corp | 診断用パルス信号を備える制御システム、及びその制御装置 |
JP5629248B2 (ja) * | 2011-08-23 | 2014-11-19 | アズビル株式会社 | デジタルアイソレータおよびフィールド機器 |
JP5714455B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2015-05-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路 |
JP5793376B2 (ja) * | 2011-09-08 | 2015-10-14 | ローム株式会社 | 信号伝達装置 |
JP5927060B2 (ja) * | 2012-06-20 | 2016-05-25 | ローム株式会社 | 信号伝達回路、集積回路およびそれを含む電気機器 |
JP5947633B2 (ja) | 2012-06-22 | 2016-07-06 | ローム株式会社 | 信号伝達回路、集積回路およびそれを含む電気機器 |
KR101408600B1 (ko) * | 2013-01-25 | 2014-06-17 | 삼성전기주식회사 | 스위칭 컨버터 및 이를 이용한 ac어댑터 |
US9502954B2 (en) | 2013-03-20 | 2016-11-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Signal transmission circuit and power conversion device equipped with same |
JP6368111B2 (ja) * | 2013-06-07 | 2018-08-01 | ローム株式会社 | 信号伝達装置 |
CN104135266B (zh) * | 2014-06-25 | 2018-02-27 | 台达电子企业管理(上海)有限公司 | 驱动装置及驱动方法 |
JP6582401B2 (ja) * | 2014-12-01 | 2019-10-02 | 富士電機株式会社 | 信号伝達装置 |
JP6390675B2 (ja) | 2016-08-08 | 2018-09-19 | 横河電機株式会社 | 信号伝送回路 |
JP6825294B2 (ja) * | 2016-10-03 | 2021-02-03 | サンケン電気株式会社 | パワー半導体駆動回路装置 |
US10749524B2 (en) | 2017-01-18 | 2020-08-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Isolator circuit |
JP7077588B2 (ja) * | 2017-11-21 | 2022-05-31 | 株式会社デンソー | 信号伝播装置 |
US10756715B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Rohm Co., Ltd. | Signal transfer device |
DE112021004099T5 (de) * | 2020-09-29 | 2023-06-01 | Rohm Co., Ltd. | Signalübertragungsvorrichtung, elektronische vorrichtung und fahrzeug |
CN115812279A (zh) * | 2020-10-07 | 2023-03-17 | 罗姆股份有限公司 | 传输电路 |
WO2024069400A1 (en) * | 2022-09-28 | 2024-04-04 | Delphi Technologies Ip Limited | Systems and methods for non-overlap enforcement for inverter for electric vehicle |
WO2024069428A1 (en) * | 2022-09-28 | 2024-04-04 | Delphi Technologies Ip Limited | Systems and methods for phase switch timing controller for inverter for electric vehicle |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2619859B1 (fr) * | 1987-08-27 | 1990-01-12 | Thomson Semiconducteurs | Circuit de commande d'allumage |
JP3110653B2 (ja) | 1995-06-15 | 2000-11-20 | シャープ株式会社 | 信号伝達装置 |
JPH11112313A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体回路及びパワートランジスタ保護回路 |
JPH11150461A (ja) * | 1997-11-13 | 1999-06-02 | Nissin High Voltage Co Ltd | 高電圧スイッチ回路 |
JP3883925B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2007-02-21 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体素子の駆動回路 |
WO2004100473A2 (en) * | 2003-04-30 | 2004-11-18 | Analog Devices, Inc. | Signal isolators using micro-transformers |
JP2005006381A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Hitachi Ltd | スイッチング素子の駆動回路 |
JP4619812B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2011-01-26 | 株式会社東芝 | ゲート駆動回路 |
DE102005023652B3 (de) * | 2005-05-23 | 2006-08-03 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Schaltungsanordnung mit Fehlererkennung zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern und zugehöriges Verfahren |
-
2008
- 2008-06-24 JP JP2008164490A patent/JP5253012B2/ja active Active
-
2009
- 2009-06-23 US US12/489,621 patent/US8040161B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8040161B2 (en) | 2011-10-18 |
US20090322380A1 (en) | 2009-12-31 |
JP2010010762A (ja) | 2010-01-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5253012B2 (ja) | パワー半導体の駆動回路装置およびそれに用いる信号伝達回路装置 | |
EP3220522B1 (en) | High-frequency-isolation gate driver circuit and gate circuit driving method | |
EP2579470B1 (en) | Semiconductor integrated circuit and drive apparatus including the same | |
TWI506951B (zh) | 信號傳達電路 | |
WO2011055611A1 (ja) | 信号伝達回路装置、半導体装置とその検査方法及び検査装置、並びに、信号伝達装置及びこれを用いたモータ駆動装置 | |
JPH07250485A (ja) | パワーデバイスの制御装置およびモータの駆動制御装置 | |
US20130285465A1 (en) | Transmitter circuit and semiconductor integrated circuit having the same | |
JP2008301681A (ja) | 駆動装置およびそれを備えた交流電力供給装置 | |
JP2014007502A (ja) | 信号伝達回路、集積回路およびそれを含む電気機器 | |
US9397582B2 (en) | Power converter, and inverter device including the power converter | |
US20220034946A1 (en) | Zero-crossing detection circuit | |
CN112165319A (zh) | 一种上桥臂驱动电路、高压集成电路以及功率模块 | |
JP5621533B2 (ja) | ノイズ低減装置およびこれを備えた電力変換装置 | |
WO2017099191A1 (ja) | 信号伝達回路 | |
WO2015008331A1 (ja) | 半導体素子の駆動回路および半導体装置 | |
JP6390691B2 (ja) | 信号伝達回路 | |
CN111726011B (zh) | 一种包含集成式隔离dc-dc的数字隔离器电路及包括该电路的数字隔离器 | |
JP5416673B2 (ja) | 信号伝送回路、スイッチング素子駆動回路及び電力変換装置 | |
JP2005304113A (ja) | スイッチング素子の駆動回路 | |
US10027319B2 (en) | Circuit arrangement for controlling power transistors of a power converter | |
JP5604932B2 (ja) | 受信回路、受信方法及び受信回路を備える通信システム | |
US9502954B2 (en) | Signal transmission circuit and power conversion device equipped with same | |
JP5927060B2 (ja) | 信号伝達回路、集積回路およびそれを含む電気機器 | |
JP6772810B2 (ja) | 電力変換装置の制御システム | |
US20060114046A1 (en) | Differential clock transmission apparatus, differential clock sending apparatus, differential clock receiving apparatus and differential clock transmission method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110623 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130319 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130416 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5253012 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160426 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |