JP6532992B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 456
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 283
- 238000000034 method Methods 0.000 description 172
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 79
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 50
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 49
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 41
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 40
- 230000006870 function Effects 0.000 description 33
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 33
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 31
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 30
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 29
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 25
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 22
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 19
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 18
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 15
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 14
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VUFNLQXQSDUXKB-DOFZRALJSA-N 2-[4-[4-[bis(2-chloroethyl)amino]phenyl]butanoyloxy]ethyl (5z,8z,11z,14z)-icosa-5,8,11,14-tetraenoate Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCC(=O)OCCOC(=O)CCCC1=CC=C(N(CCCl)CCCl)C=C1 VUFNLQXQSDUXKB-DOFZRALJSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100040844 Dual specificity protein kinase CLK2 Human genes 0.000 description 2
- 101000749291 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK2 Proteins 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000001980 Cucurbita pepo Species 0.000 description 1
- 235000009852 Cucurbita pepo Nutrition 0.000 description 1
- 102100040862 Dual specificity protein kinase CLK1 Human genes 0.000 description 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000282414 Homo sapiens Species 0.000 description 1
- 101000749294 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK1 Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 1
- 101000800735 Mycolicibacterium fortuitum Putative 3-methyladenine DNA glycosylase Proteins 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229940127554 medical product Drugs 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
- H01L29/1029—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors
- H01L29/1033—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate, e.g. characterised by the length, the width, the geometric contour or the doping structure
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
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- H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
- H01L29/1029—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors
- H01L29/1033—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate, e.g. characterised by the length, the width, the geometric contour or the doping structure
- H01L29/1054—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate, e.g. characterised by the length, the width, the geometric contour or the doping structure with a variation of the composition, e.g. channel with strained layer for increasing the mobility
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/785—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate having a channel with a horizontal current flow in a vertical sidewall of a semiconductor body, e.g. FinFET, MuGFET
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- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
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Description
マニュファクチャ、または組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。また、本
発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、プ
ロセッサに関する。または、半導体装置、表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記
憶装置、プロセッサの製造方法に関する。または、半導体装置、表示装置、発光装置、照
明装置、蓄電装置、記憶装置、プロセッサの駆動方法に関する。特に、本発明の一態様は
、酸化物半導体を含む半導体装置、表示装置、または発光装置に関する。
全般を指す。表示装置、発光装置、照明装置、電気光学装置、半導体回路および電子機器
は、半導体装置を有する場合がある。
リコンとが使い分けられている。例えば、大型の表示装置を構成するトランジスタに適用
する場合、大面積基板への形成技術が確立されている非晶質シリコンを用いると好適であ
る。一方、駆動回路を一体形成した高機能の表示装置を構成するトランジスタに適用する
場合、高い電界効果移動度を有するトランジスタを作製可能な多結晶シリコンを用いると
好適である。多結晶シリコンは、非晶質シリコンに対し高温での熱処理、またはレーザ光
処理を行うことで形成する方法が知られる。
する非晶質酸化物半導体を用いたトランジスタが開示されている(特許文献1参照。)。
するトランジスタのチャネル形成領域に用いることができる。また、酸化物半導体を用い
たトランジスタは、高い電界効果移動度を有するため、駆動回路を一体形成した高機能の
表示装置を実現できる。また、非晶質シリコンを用いたトランジスタの生産設備の一部を
改良して利用することが可能であるため、設備投資を抑えられるメリットもある。
が小さいことが知られている。例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタのリーク特性
を応用した低消費電力のCPUなどが開示されている(特許文献2参照。)。
移動度を有するトランジスタが得られることが開示されている(特許文献3参照。)。
気特性の安定したトランジスタを提供することを課題の一とする。または、オフ時(非導
通時)の電流の小さいトランジスタを提供することを課題の一とする。または、当該トラ
ンジスタを有する半導体装置を提供することを課題の一とする。または、新規な半導体装
置を提供することを課題の一とする。
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
領域を有するソース電極およびドレイン電極と、半導体と接する領域を有するゲート絶縁
膜と、ゲート絶縁膜を介して半導体と面する領域を有するゲート電極と、を有し、半導体
は、ソース電極およびドレイン電極と接する領域より、ソース電極およびドレイン電極と
接しない領域の、チャネル幅方向の長さが短い半導体装置である。
ドレイン電極と接しない領域が薄い上述の半導体装置である。
と接する領域を有するソース電極およびドレイン電極と、半導体と接する領域を有するゲ
ート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して半導体と面する領域を有するゲート電極と、を有す
る半導体装置の作製方法であって、半導体を覆う導電膜を形成した後、導電膜を半導体上
で分割することで、半導体の上面と接する領域、および側面と接する領域を有するソース
電極およびドレイン電極を形成し、ソース電極およびドレイン電極をマスクとして、半導
体のソース電極およびドレイン電極と接しない領域における厚さを薄く、かつチャネル幅
方向の長さを短くする半導体装置の作製方法である。
安定したトランジスタを提供することができる。または、オフ時の電流の小さいトランジ
スタを提供することができる。または、当該トランジスタを有する半導体装置を提供する
ことができる。または、新規な半導体装置などを提供することができる。なお、これらの
効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これら
の効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項な
どの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から効
果を抽出することが可能である。
明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に
理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるもの
ではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異
なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを同じく
し、特に符号を付さない場合がある。
いる場合がある。
との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧を電位と言い換えることが可能である
。
順を示すものではない。そのため、例えば、「第1の」を「第2の」または「第3の」な
どと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載されている序数詞と
、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。
ての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「絶縁体」は境界が曖昧であり、厳密
に区別できない場合がある。したがって、本明細書に記載の「半導体」は、「絶縁体」と
言い換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「絶縁体」は、「半導体
」と言い換えることができる場合がある。
ての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「導電体」は境界が曖昧であり、厳密
に区別できない場合がある。したがって、本明細書に記載の「半導体」は、「導電体」と
言い換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「導電体」は、「半導体
」と言い換えることができる場合がある。
が0.1原子%未満の元素は不純物である。不純物が含まれることにより、例えば、半導
体のDOS(Density of State)が高くなることや、キャリア移動度が
低下することや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導体
である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第1族元素、第2族元
素、第14族元素、第15族元素、主成分以外の遷移金属などがあり、特に、例えば、水
素(水にも含まれる)、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素な
どがある。酸化物半導体の場合、例えば水素などの不純物の混入によって酸素欠損を形成
する場合がある。また、半導体がシリコンである場合、半導体の特性を変化させる不純物
としては、例えば、酸素、水素を除く第1族元素、第2族元素、第13族元素、第15族
元素などがある。
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタの構造について説明する。
図1(A)および図1(B)は、本発明の一態様のトランジスタの上面図および断面図で
ある。図1(A)は上面図であり、図1(B)は、図1(A)に示す一点鎖線A1−A2
、および一点鎖線A3−A4に対応する断面図である。なお、図1(A)の上面図では、
図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
402と、絶縁膜402の凸部上の半導体406と、半導体406の上面および側面と接
する導電膜416aおよび導電膜416bと、半導体406上、導電膜416a上および
導電膜416b上の絶縁膜412と、絶縁膜412の上面に接し、半導体406の上面お
よび側面に面する導電膜404と、導電膜416a上、導電膜416b上および導電膜4
04上の絶縁膜418と、を有する。なお、絶縁膜402が凸部を有さなくても構わない
。なお、導電膜404は、トランジスタのゲート電極として機能する。また、絶縁膜41
2は、トランジスタのゲート絶縁膜として機能する。また、導電膜416aおよび導電膜
416bは、トランジスタのソース電極およびドレイン電極として機能する。
において、導電膜416aおよび導電膜416bと重ならない領域よりも厚い。言い換え
ると、半導体406は、導電膜416aおよび導電膜416bと重ならない領域において
、導電膜416aおよび導電膜416bと重なる領域よりも薄い。
膜416aおよび導電膜416bと重ならない領域よりも、一点鎖線A3−A4方向が長
い。言い換えると、半導体406は導電膜416aおよび導電膜416bと重ならない領
域において、導電膜416aおよび導電膜416bと重なる領域よりも、一点鎖線A3−
A4方向が短い。
ル幅方向と言い換えることができる。チャネル幅方向は、短辺方向、幅方向または短手方
向と言い換えてもよい。同様に、一点鎖線A1−A2方向をチャネル長方向と言い換える
ことができる。チャネル長方向は、長辺方向または長手方向と言い換えてもよい。
ソース(ソース領域またはソース電極)とドレイン(ドレイン領域またはドレイン電極)
との距離をいう。すなわち、図1(A)では、チャネル長は、半導体406と導電膜40
4とが重なる領域における、導電膜416aと導電膜416bとの距離となる。チャネル
幅とは、半導体とゲート電極とが重なる領域における、ソースとドレインとが平行に向か
い合っている長さをいう。すなわち、図1(A)では、チャネル幅は、半導体406と導
電膜404とが重なる領域における、導電膜416aと導電膜416bとが平行に向かい
合っている長さをいう。
大きく、導電膜416aおよび導電膜416bと接しない領域(チャネル形成領域)が小
さい形状(亜鈴状(ダンベル状)、ひょうたん状)である。したがって、ゲート電極から
の電界をチャネル形成領域全体に行き渡らせやすく、かつソース電極およびドレイン電極
に係る接触抵抗を小さくできる形状を有する。即ち、図1に示すトランジスタは、導通時
の抵抗(オン抵抗ともいう。)が低いためにオン電流が高く、非導通時の抵抗(オフ抵抗
)が高いためにオフ電流の低いトランジスタとなる。
電膜の電界によって、半導体を電気的に取り囲むトランジスタの構造を、surroun
ded channel(s−channel)構造とよぶ。)。そのため、半導体40
6の全体(バルク)にチャネルが形成される場合がある。s−channel構造では、
トランジスタのソース−ドレイン間に大電流を流すことができ、高いオン電流を得ること
ができる。
適した構造といえる。トランジスタを微細化できるため、該トランジスタを有する半導体
装置は、集積度の高い、高密度化された半導体装置とすることが可能となる。例えば、ト
ランジスタのチャネル長を、好ましくは40nm以下、さらに好ましくは30nm以下、
より好ましくは20nm以下とし、かつ、トランジスタのチャネル幅を、好ましくは40
nm以下、さらに好ましくは30nm以下、より好ましくは20nm以下とする。
部)は、半導体406などの半導体の、表面、側面、上面、または/および下面の少なく
とも一部(または全部)に設けられている。
全部)は、半導体406などの半導体の、表面、側面、上面、または/および、下面の少
なくとも一部(または全部)と、接している。または、導電膜416a(または/および
導電膜416b)の、少なくとも一部(または全部)は、半導体406などの半導体の少
なくとも一部(または全部)と、接している。
全部)は、半導体406などの半導体の、表面、側面、上面、または/および、下面の少
なくとも一部(または全部)と、電気的に接続されている。または、導電膜416a(ま
たは/および導電膜416b)の、少なくとも一部(または全部)は、半導体406など
の半導体の少なくとも一部(または全部)と、電気的に接続されている。
全部)は、半導体406などの半導体の、表面、側面、上面、または/および下面の少な
くとも一部(または全部)に、近接して配置されている。または、導電膜416a(また
は/および導電膜416b)の、少なくとも一部(または全部)は、半導体406などの
半導体の少なくとも一部(または全部)に、近接して配置されている。
全部)は、半導体406などの半導体の、表面、側面、上面、または/および下面の少な
くとも一部(または全部)の横側に配置されている。または、導電膜416a(または/
および導電膜416b)の、少なくとも一部(または全部)は、半導体406などの半導
体の少なくとも一部(または全部)の横側に配置されている。
全部)は、半導体406などの半導体の、表面、側面、上面、または/および下面の少な
くとも一部(または全部)の斜め上側に配置されている。または、導電膜416a(また
は/および導電膜416b)の、少なくとも一部(または全部)は、半導体406などの
半導体の少なくとも一部(または全部)の斜め上側に配置されている。
全部)は、半導体406などの半導体の、表面、側面、上面、または/および下面の少な
くとも一部(または全部)の上側に配置されている。または、導電膜416a(または/
および導電膜416b)の、少なくとも一部(または全部)は、半導体406などの半導
体の少なくとも一部(または全部)の上側に配置されている。
ァイア基板、安定化ジルコニア基板(イットリア安定化ジルコニア基板など)などを用い
てもよい。また、シリコンや炭化シリコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、
シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板、SOI(Silicon On Ins
ulator)基板などを適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が配
置されたものを用いてもよい。
酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム
、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム
または酸化タンタルを含む絶縁膜を、単層で、または積層で用いればよい。
コン膜、ケイ化ゲルマニウム膜、ヒ化ガリウム膜、リン化インジウム膜、セレン化亜鉛膜
、硫化カドミウム膜、酸化物半導体膜などの化合物半導体膜、および有機半導体膜などを
用いればよい。半導体406は、単層、または積層で用いればよい。
については後述する。
、コバルト、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀
、タンタルおよびタングステンを一種以上含む導電膜を、単層で、または積層で用いれば
よい。
酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム
、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム
または酸化タンタルを含む絶縁膜を、単層で、または積層で用いればよい。
銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、タンタルおよびタング
ステンを一種以上含む導電膜を、単層で、または積層で用いればよい。
酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム
、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム
または酸化タンタルを含む絶縁膜を、単層で、または積層で用いればよい。
体406が酸化物半導体である場合、絶縁膜402は、半導体406に酸素を供給する役
割を担うことができる。したがって、絶縁膜402は酸素を含む絶縁膜であることが好ま
しい。例えば、化学量論的組成よりも多い酸素を含む絶縁膜であることがより好ましい。
以下では、半導体406に適用可能な酸化物半導体について詳細に説明する。
例えば、インジウムを含むと、キャリア移動度(電子移動度)が高くなる。また、酸化物
半導体は、元素Mを含むと好ましい。元素Mは、好ましくは、アルミニウム、ガリウム、
イットリウムまたはスズなどとする。そのほかの元素Mに適用可能な元素としては、ホウ
素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、モ
リブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステンなどが
ある。ただし、元素Mとして、前述の元素を複数組み合わせても構わない場合がある。元
素Mは、例えば、酸素との結合エネルギーが高い元素である。元素Mは、例えば、酸化物
のエネルギーギャップを大きくする機能を有する元素である。また、酸化物半導体は、亜
鉛を含むと好ましい。酸化物が亜鉛を含むと、例えば、酸化物を結晶化しやすくなる。
えば、亜鉛スズ酸化物、ガリウムスズ酸化物であっても構わない。
ルギーギャップは、例えば、2.5eV以上4.2eV以下、好ましくは2.8eV以上
3.8eV以下、さらに好ましくは3eV以上3.5eV以下とする。
の電気特性を安定にするためには、酸化物半導体中の不純物濃度を低減し、低キャリア密
度化および高純度化することが有効である。なお、酸化物半導体のキャリア密度は、1×
1017個/cm3未満、1×1015個/cm3未満、または1×1013個/cm3
未満とする。酸化物半導体中の不純物濃度を低減するためには、近接する膜中の不純物濃
度も低減することが好ましい。
ある。そのため、酸化物半導体と絶縁膜402との間におけるシリコン濃度を、二次イオ
ン質量分析法(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrome
try)において、1×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018at
oms/cm3未満、さらに好ましくは2×1018atoms/cm3未満とする。ま
た、酸化物半導体と絶縁膜412との間におけるシリコン濃度を、SIMSにおいて、1
×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3未満、
さらに好ましくは2×1018atoms/cm3未満とする。
。酸化物半導体の水素濃度はSIMSにおいて、2×1020atoms/cm3以下、
好ましくは5×1019atoms/cm3以下、より好ましくは1×1019atom
s/cm3以下、さらに好ましくは5×1018atoms/cm3以下とする。また、
酸化物半導体中に窒素が含まれると、キャリア密度を増大させてしまう場合がある。酸化
物半導体の窒素濃度は、SIMSにおいて、5×1019atoms/cm3未満、好ま
しくは5×1018atoms/cm3以下、より好ましくは1×1018atoms/
cm3以下、さらに好ましくは5×1017atoms/cm3以下とする。
好ましい。絶縁膜402の水素濃度はSIMSにおいて、2×1020atoms/cm
3以下、好ましくは5×1019atoms/cm3以下、より好ましくは1×1019
atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1018atoms/cm3以下とする
。また、酸化物半導体の窒素濃度を低減するために、絶縁膜402の窒素濃度を低減する
と好ましい。絶縁膜402の窒素濃度は、SIMSにおいて、5×1019atoms/
cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3以下、より好ましくは1×10
18atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1017atoms/cm3以下と
する。
好ましい。絶縁膜412の水素濃度はSIMSにおいて、2×1020atoms/cm
3以下、好ましくは5×1019atoms/cm3以下、より好ましくは1×1019
atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1018atoms/cm3以下とする
。また、酸化物半導体の窒素濃度を低減するために、絶縁膜412の窒素濃度を低減する
と好ましい。絶縁膜412の窒素濃度は、SIMSにおいて、5×1019atoms/
cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3以下、より好ましくは1×10
18atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1017atoms/cm3以下と
する。
酸化物半導体とは、CAAC−OS(C Axis Aligned Crystall
ine Oxide Semiconductor)、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化
物半導体、非晶質酸化物半導体などをいう。
は、一辺が100nm未満の立方体内に収まる大きさである。したがって、CAAC−O
Sに含まれる結晶部は、一辺が10nm未満、5nm未満または3nm未満の立方体内に
収まる大きさの場合も含まれる。
on Microscope)によって観察すると、明確な結晶部同士の境界、即ち結晶
粒界(グレインバウンダリーともいう。)を確認することができない。そのため、CAA
C−OSは、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子の
各層は、CAAC−OSを形成する面(被形成面ともいう。)または上面の凹凸を反映し
た形状であり、CAAC−OSの被形成面または上面と平行に配列する。
観察)すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列していること
を確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られない
。
される。例えば、CAAC−OSの上面に対し、例えば1nm以上30nm以下の電子線
を用いる電子回折(ナノビーム電子回折ともいう。)を行うと、スポットが観測される(
図19(A)参照。)。
ることがわかる。
を用いて構造解析を行うと、例えばInGaZnO4の結晶を有するCAAC−OSのo
ut−of−plane法による解析では、回折角(2θ)が31°近傍にピークが現れ
る場合がある。このピークは、InGaZnO4の結晶の(009)面に帰属されること
から、CAAC−OSの結晶がc軸配向性を有し、c軸が被形成面または上面に概略垂直
な方向を向いていることが確認できる。
。
ne法による解析では、2θが56°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは、
InGaZnO4の結晶の(110)面に帰属される。InGaZnO4の単結晶酸化物
半導体であれば、2θを56°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸(φ軸)として
試料を回転させながら分析(φスキャン)を行うと、(110)面と等価な結晶面に帰属
されるピークが6本観察される。これに対し、CAAC−OSの場合は、2θを56°近
傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。
則であるが、c軸配向性を有し、かつc軸が被形成面または上面の法線ベクトルに平行な
方向を向いていることがわかる。したがって、前述の断面TEM観察で確認された層状に
配列した金属原子の各層は、結晶のab面に平行な面である。
た際に形成される。上述したように、結晶のc軸は、CAAC−OSの被形成面または上
面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。したがって、例えば、CAAC−OSの形状
をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のc軸がCAAC−OSの被形成面また
は上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
晶部が、CAAC−OSの上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上面近傍の
領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、CAAC−O
Sに不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部分的に結晶
化度の異なる領域が形成されることもある。
よる解析では、2θが31°近傍のピークの他に、2θが36°近傍にもピークが現れる
場合がある。2θが36°近傍のピークは、CAAC−OS中の一部に、c軸配向性を有
さない結晶が含まれることを示している。CAAC−OSは、2θが31°近傍にピーク
を示し、2θが36°近傍にピークを示さないことが好ましい。
コン、遷移金属元素などの酸化物半導体の主成分以外の元素である。特に、シリコンなど
の、酸化物半導体を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化物半導体
から酸素を奪うことで酸化物半導体の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。
また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径(または分子
半径)が大きいため、酸化物半導体内部に含まれると、酸化物半導体の原子配列を乱し、
結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体に含まれる不純物は、キャリアトラ
ップやキャリア発生源となる場合がある。
体中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによってキャリ
ア発生源となることがある。
実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体は
、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。したがって、当
該酸化物半導体を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性(ノー
マリーオンともいう。)になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純度真
性である酸化物半導体は、キャリアトラップが少ない。そのため、当該酸化物半導体を用
いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる。なお
、酸化物半導体のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要する時間が長
く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が高く、欠陥
準位密度が高い酸化物半導体を用いたトランジスタは、電気特性が不安定となる場合があ
る。
変動が小さい。
い場合がある。微結晶酸化物半導体に含まれる結晶部は、1nm以上100nm以下、ま
たは1nm以上10nm以下の大きさであることが多い。特に、1nm以上10nm以下
、または1nm以上3nm以下の微結晶であるナノ結晶(nc:nanocrystal
)を有する酸化物半導体を、nc−OS(nanocrystalline Oxide
Semiconductor)と呼ぶ。また、nc−OSは、例えば、TEMによる観
察像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。
nm以下の領域)において原子配列に周期性を有する。また、nc−OSは、異なる結晶
部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、全体で配向性が見られない。したがっ
て、nc−OSは、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合があ
る。例えば、nc−OSに対し、結晶部よりも大きい径のX線を用いるXRD装置を用い
て構造解析を行うと、out−of−plane法による解析では、結晶面を示すピーク
が検出されない。また、nc−OSは、結晶部よりも大きいプローブ径(例えば50nm
以上)の電子線を用いる電子回折(制限視野電子回折ともいう。)を行うと、ハローパタ
ーンのような回折パターンが観測される。一方、nc−OSに対し、結晶部の大きさと近
いか結晶部より小さいプローブ径の電子線を用いるナノビーム電子回折を行うと、スポッ
トが観測される。また、nc−OSに対しナノビーム電子回折を行うと、円を描くように
(リング状に)輝度の高い領域が観測される場合がある。また、nc−OSに対しナノビ
ーム電子回折を行うと、リング状の領域内に複数のスポットが観測される場合がある(図
19(B)参照。)。
nc−OSは、非晶質酸化物半導体よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、nc−OS
は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、nc−OSは、CAA
C−OSと比べて欠陥準位密度が高くなる。
OSのうち、二種以上を有してもよい。
可能となる場合がある。
試料室14と、試料室14の下の光学系16と、光学系16の下の観察室20と、観察室
20に設置されたカメラ18と、観察室20の下のフィルム室22と、を有する透過電子
回折測定装置を示す。カメラ18は、観察室20内部に向けて設置される。なお、フィル
ム室22を有さなくても構わない。
透過電子回折測定装置内部では、電子銃室10に設置された電子銃から放出された電子が
、光学系12を介して試料室14に配置された物質28に照射される。物質28を通過し
た電子は、光学系16を介して観察室20内部に設置された蛍光板32に入射する。蛍光
板32では、入射した電子の強度に応じたパターンが現れることで透過電子回折パターン
を測定することができる。
することが可能である。カメラ18のレンズの中央、および蛍光板32の中央を通る直線
と、蛍光板32の上面と、の為す角度は、例えば、15°以上80°以下、30°以上7
5°以下、または45°以上70°以下とする。該角度が小さいほど、カメラ18で撮影
される透過電子回折パターンは歪みが大きくなる。ただし、あらかじめ該角度がわかって
いれば、得られた透過電子回折パターンの歪みを補正することも可能である。なお、カメ
ラ18をフィルム室22に設置しても構わない場合がある。例えば、カメラ18をフィル
ム室22に、電子24の入射方向と対向するように設置してもよい。この場合、蛍光板3
2の裏面から歪みの少ない透過電子回折パターンを撮影することができる。
は、物質28を通過する電子を透過するような構造をしている。ホルダは、例えば、物質
28をX軸、Y軸、Z軸などに移動させる機能を有していてもよい。ホルダの移動機能は
、例えば、1nm以上10nm以下、5nm以上50nm以下、10nm以上100nm
以下、50nm以上500nm以下、100nm以上1μm以下などの範囲で移動させる
精度を有すればよい。これらの範囲は、物質28の構造によって最適な範囲を設定すれば
よい。
方法について説明する。
変化させる(スキャンする)ことで、物質の構造が変化していく様子を確認することがで
きる。このとき、物質28がCAAC−OSであれば、図19(A)に示したような回折
パターンが観測される。または、物質28がnc−OSであれば、図19(B)に示した
ような回折パターンが観測される。
の回折パターンが観測される場合がある。したがって、CAAC−OSの良否は、一定の
範囲におけるCAAC−OSの回折パターンが観測される領域の割合(CAAC化率とも
いう。)で表すことができる場合がある。例えば、良質なCAAC−OSであれば、CA
AC化率は、60%以上、好ましくは80%以上、さらに好ましくは90%以上、より好
ましくは95%以上となる。なお、CAAC−OSと異なる回折パターンが観測される領
域を非CAAC化率と表記する。
加熱処理後のCAAC−OSを有する各試料の上面に対し、スキャンしながら透過電子回
折パターンを取得した。ここでは、5nm/秒の速度で60秒間スキャンしながら回折パ
ターンを観測し、観測された回折パターンを0.5秒ごとに静止画に変換することで、C
AAC化率を導出した。なお、電子線としては、プローブ径が1nmのナノビーム電子線
を用いた。
て、450℃加熱処理後のCAAC化率が高いことがわかる。即ち、350℃より高い温
度(例えば400℃以上)における加熱処理によって、非CAAC化率が低くなる(CA
AC化率が高くなる)ことがわかる。ここで、CAAC−OSと異なる回折パターンのほ
とんどはnc−OSと同様の回折パターンであった。したがって、加熱処理によって、n
c−OSと同様の構造を有する領域は、隣接する領域の構造の影響を受けてCAAC化し
ていることが示唆される。
る場合がある。
構造、3層構造であってもよい。
化物半導体層406a(下層)および酸化物半導体層406c(上層)は、酸化物半導体
層406bを構成する酸素以外の元素一種以上、または二種以上から構成される酸化物半
導体である。酸化物半導体層406bを構成する酸素以外の元素一種以上、または二種以
上から酸化物半導体層406aおよび酸化物半導体層406cが構成されるため、酸化物
半導体層406aと酸化物半導体層406bとの界面、および酸化物半導体層406bと
酸化物半導体層406cとの界面において、界面準位が形成されにくい。
0atomic%としたとき、好ましくはInが50atomic%未満、Mが50at
omic%以上、さらに好ましくはInが25atomic%未満、Mが75atomi
c%以上とする。また、酸化物半導体層406bがIn−M−Zn酸化物のとき、Inお
よびMの和を100atomic%としたとき、好ましくはInが25atomic%以
上、Mが75atomic%未満、さらに好ましくはInが34atomic%以上、M
が66atomic%未満とする。また、酸化物半導体層406cがIn−M−Zn酸化
物のとき、InおよびMの和を100atomic%としたとき、好ましくはInが50
atomic%未満、Mが50atomic%以上、さらに好ましくはInが25ato
mic%未満、Mが75atomic%以上とする。なお、酸化物半導体層406cは、
酸化物半導体層406aと同種の酸化物を用いても構わない。
406aと酸化物半導体層406bとの混合領域を有する場合がある。また、酸化物半導
体層406bと酸化物半導体層406cとの間には、酸化物半導体層406bと酸化物半
導体層406cとの混合領域を有する場合がある。混合領域は、界面準位密度が低くなる
。そのため、酸化物半導体層406a、酸化物半導体層406bおよび酸化物半導体層4
06cの積層体は、それぞれの界面近傍において、エネルギーが連続的に変化する(連続
接合ともいう。)バンド構造となる。
も電子親和力の大きい酸化物を用いる。例えば、酸化物半導体層406bとして、酸化物
半導体層406aおよび酸化物半導体層406cよりも電子親和力の0.07eV以上1
.3eV以下、好ましくは0.1eV以上0.7eV以下、さらに好ましくは0.15e
V以上0.4eV以下大きい酸化物を用いる。なお、電子親和力は、真空準位と伝導帯下
端のエネルギーとの差である。
06b、酸化物半導体層406cのうち、電子親和力の大きい酸化物半導体層406bに
チャネルが形成される。
さいほど好ましい。例えば、酸化物半導体層406cは、10nm未満、好ましくは5n
m以下、さらに好ましくは3nm以下とする。一方、酸化物半導体層406cは、チャネ
ルの形成される酸化物半導体層406bへ、隣接する絶縁膜を構成する酸素以外の元素(
シリコンなど)が入り込まないようブロックする機能を有する。そのため、酸化物半導体
層406cは、ある程度の厚さを有することが好ましい。例えば、酸化物半導体層406
cの厚さは、0.3nm以上、好ましくは1nm以上、さらに好ましくは2nm以上とす
る。
cは薄いことが好ましい。具体的には、酸化物半導体層406aの厚さは、20nm以上
、好ましくは30nm以上、さらに好ましくは40nm以上、より好ましくは60nm以
上とする。酸化物半導体層406aの厚さを、20nm以上、好ましくは30nm以上、
さらに好ましくは40nm以上、より好ましくは60nm以上とすることで、隣接する絶
縁膜と酸化物半導体層406aとの界面からチャネルの形成される酸化物半導体層406
bまでを20nm以上、好ましくは30nm以上、さらに好ましくは40nm以上、より
好ましくは60nm以上離すことができる。ただし、半導体装置の生産性が低下する場合
があるため、酸化物半導体層406aの厚さは、200nm以下、好ましくは120nm
以下、さらに好ましくは80nm以下とする。
を、SIMSにおいて、1×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018
atoms/cm3未満、さらに好ましくは2×1018atoms/cm3未満とする
。また、酸化物半導体層406bと酸化物半導体層406cとの間におけるシリコン濃度
を、SIMSにおいて、1×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018
atoms/cm3未満、さらに好ましくは2×1018atoms/cm3未満とする
。
よび酸化物半導体層406cの水素濃度を低減すると好ましい。酸化物半導体層406a
および酸化物半導体層406cの水素濃度はSIMSにおいて、2×1020atoms
/cm3以下、好ましくは5×1019atoms/cm3以下、より好ましくは1×1
019atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1018atoms/cm3以下
とする。また、酸化物半導体層406bの窒素濃度を低減するために、酸化物半導体層4
06aおよび酸化物半導体層406cの窒素濃度を低減すると好ましい。酸化物半導体層
406aおよび酸化物半導体層406cの窒素濃度は、SIMSにおいて、5×1019
atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3以下、より好まし
くは1×1018atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1017atoms/
cm3以下とする。
化物半導体層406cのない2層構造としても構わない。
以下では、図1に示したトランジスタの作製方法について、図2乃至図5を用いて説明す
る。なお、図2(A)、図3(A)、図4(A)および図5(A)には、トランジスタの
上面図を示し、図2(B)、図3(B)、図4(B)および図5(B)には、それぞれの
一点鎖線A1−A2および一点鎖線A3−A4に対応する断面図を示す。
学気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)法、分子
線エピタキシー(MBE:Molecular Beam Epitaxy)法またはパ
ルスレーザ堆積(PLD:Pulsed Laser Deposition)法、原子
層堆積(ALD:Atomic Layer Deposition)法などを用いて形
成すればよい。
法を用いて、異なる形成方法で形成してもよい。例えば、1層目をCVD法で形成し、2
層目をALD法で形成してもよい。または、1層目をスパッタリング法で形成し、2層目
をALD法で形成してもよい。このように、それぞれ、異なる形成方法を用いることによ
って、各層に異なる機能や性質を持たせることができる。そして、それらの層を積層する
ことによって、積層膜全体として、より適切な膜を構成することができる。
法などのうちの少なくとも1つの方法で形成し、n+1層目を、スパッタリング法、CV
D法、MBE法またはPLD法、ALD法などのうちの少なくとも1つの方法で形成する
(nは自然数)。なお、n層目の層と、n+1層目の層とで、形成方法が同じでも異なっ
ていてもよい。なお、n層目の層とn+2層目の層とで、形成方法が同じでもよい。また
は、すべての層において、形成方法が同じでもよい。
酸化法によって形成してもよい。
Chemical Mechanical Polishing)処理を行ってもよい。
CMP処理を行うことで、絶縁膜402となる絶縁膜の平均面粗さ(Ra)を1nm以下
、好ましくは0.3nm以下、さらに好ましくは0.1nm以下とする。上述の数値以下
のRaとすることで、半導体406の結晶性が向上する場合がある。Raは原子間力顕微
鏡(AFM:Atomic Force Microscope)にて測定可能である。
ALD法などを用いて形成すればよい。
の加工面にダメージが入らないようエッチングすることが好ましい。例えば、ドライエッ
チング法を用いて、中性ビームエッチングを行えばよい。中性ビームであることから、電
荷によるチャージアップが起こらず、また低エネルギーであるため、低ダメージでエッチ
ングすることが可能となる。または、半導体406が結晶である場合、結晶面によってエ
ッチレートが異なることを利用したウェットエッチング法を用いても構わない。ウェット
エッチング法を用いることにより、加工面へのダメージを低減することができる。
形成してもよい。
nhanced CVD)法、熱を利用する熱CVD(TCVD:Thermal CV
D)法などに分類できる。さらに用いる原料ガスによって金属CVD(MCVD:Met
al CVD)法、有機金属CVD(MOCVD:Metal Organic CVD
)法に分けることができる。
いため、プラズマダメージが生じず、欠陥の少ない膜が得られる。
えば、MCVD法およびMOCVD法では、原料ガスの流量比によって、任意の組成の膜
を形成することができる。また、例えば、MCVD法およびMOCVD法では、成膜しな
がら原料ガスの流量比を変化させることによって、組成が連続的に変化した膜を成膜する
ことができる。原料ガスの流量比を変化させながら成膜する場合、複数の成膜室を用いて
成膜する場合と比べて、搬送や圧力調整に掛かる時間の分、成膜に掛かる時間を短くする
ことができる。したがって、トランジスタの生産性を高めることができる。MOCVD法
を用いることが可能な成膜装置の具体例については後述する。
的に変化した膜を成膜してもよい。
に、絶縁膜402へダメージを与えない形成方法を用いると好ましい。即ち、該半導体の
成膜には、例えば、MOCVD法などを用いると好ましい。
CVD法(PECVD法、TCVD法、MCVD法、MOCVD法など)、MBE法、P
LD法、ALD法などのような形成方法を用いて、異なる形成方法で形成してもよい。例
えば、1層目をMOCVD法で形成し、2層目をスパッタリング法で形成してもよい。ま
たは、1層目をALD法で形成し、2層目をMOCVD法で形成してもよい。または、1
層目をALD法で形成し、2層目をスパッタリング法で形成してもよい。または、1層目
をALD法で形成し、2層目をスパッタリング法で形成し、3層目をALD法で形成して
もよい。このように、それぞれ、異なる形成方法を用いることによって、各層に異なる機
能や性質を持たせることができる。そして、それらの層を積層することによって、積層膜
全体として、より適切な膜を構成することができる。
ング法、CVD法(PECVD法、TCVD法、MCVD法、MOCVD法など)、MB
E法、PLD法、ALD法などのうちの少なくとも1つの方法で成膜し、n+1層目の層
を、スパッタリング法、CVD法(PECVD法、TCVD法、MCVD法、MOCVD
法など)、MBE法、PLD法、ALD法などのうちの少なくとも1つの方法で形成する
場合、n層目の層と、n+1層目の層とで、形成方法が異なっていてもよい(nは自然数
)。なお、n層目の層とn+2層目の層とで、形成方法が同じでもよい。または、すべて
の層において、形成方法が同じでもよい。
402、または絶縁膜402の積層膜の内の少なくとも一つの層とは、同じ形成方法を用
いてもよい。例えば、どちらも、ALD法を用いてもよい。これにより、大気に触れさせ
ずに形成することができる。その結果、不純物の混入を防ぐことができる。これにより、
同じチャンバーで形成することができる。その結果、不純物の混入を防ぐことができる。
このように、半導体406と絶縁膜402の場合だけでなく、近接して配置されている別
々の層において、同じ形成方法を用いてもよい。ただし、本発明の一態様に係る半導体装
置の作製方法は、これらに限定されない。
BE法またはPLD法、ALD法などを用いて形成すればよい。
電膜を形成した後で、該導電膜の一部をエッチングすることで形成される。この後、半導
体406の導電膜416aおよび導電膜416bと重ならない領域をエッチングする。ま
た、半導体406の側面がエッチングされうる条件を選択することで、チャネル幅方向に
も半導体406を縮小することができる(図3参照。)。なお、該導電膜の形成時に、半
導体406へダメージを与えない形成方法を用いると好ましい。即ち、該導電膜の形成に
は、MCVD法などを用いると好ましい。
を、スパッタリング法、CVD法(PECVD法、TCVD法、MCVD法、MOCVD
法など)、MBE法、PLD法、ALD法などのような形成方法を用いて、異なる形成方
法で形成してもよい。例えば、1層目をMOCVD法で形成し、2層目をスパッタリング
法で形成してもよい。または、1層目をALD法で形成し、2層目をMOCVD法で形成
してもよい。または、1層目をALD法で形成し、2層目をスパッタリング法で形成して
もよい。または、1層目をALD法で形成し、2層目をスパッタリング法で形成し、3層
目をALD法で形成してもよい。このように、それぞれ、異なる形成方法を用いることに
よって、各層に異なる機能や性質を持たせることができる。そして、それらの層を積層す
ることによって、積層膜全体として、より適切な膜を構成することができる。
層目の層を、スパッタリング法、CVD法(PECVD法、TCVD法、MCVD法、M
OCVD法など)、MBE法、PLD法、ALD法などのうちの少なくとも1つの方法で
形成し、n+1層目の層を、スパッタリング法、CVD法(PECVD法、TCVD法、
MCVD法、MOCVD法など)、MBE法、PLD法、ALD法などのうちの少なくと
も1つの方法で形成し、n層目の層と、n+1層目の層とで、形成方法が異なっていても
よい(nは自然数)。なお、n層目の層とn+2層目の層とで、形成方法が同じでもよい
。または、すべての層において、形成方法が同じでもよい。
積層膜の内の少なくとも一つの層と、半導体406、または半導体406の積層膜の内の
少なくとも一つの層とは、同じ形成方法を用いてもよい。例えば、どちらも、ALD法を
用いてもよい。これにより、大気に触れさせずに形成することができる。その結果、不純
物の混入を防ぐことができる。または、例えば、半導体406と接する導電膜416a(
導電膜416b)と、導電膜416a(導電膜416b)と接する半導体406とは、同
じ形成方法を用いてもよい。これにより、同じチャンバーで形成することができる。その
結果、不純物の混入を防ぐことができる。このように、半導体406と導電膜416a(
導電膜416b)の場合だけでなく、近接して配置されている別々の層において、同じ形
成方法を用いてもよい。ただし、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法は、これら
に限定されない。
積層膜の内の少なくとも一つの層と、半導体406、または半導体406の積層膜の内の
少なくとも一つの層と、絶縁膜402、または絶縁膜402の積層膜の内の少なくとも一
つの層とは、同じ形成方法を用いてもよい。例えば、どれも、ALD法を用いてもよい。
これにより、大気に触れさせずに形成することができる。その結果、不純物の混入を防ぐ
ことができる。ただし、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法は、これらに限定さ
れない。
を用いて形成すればよい。
CVD法(PECVD法、TCVD法、MCVD法、MOCVD法など)、MBE法、P
LD法、ALD法などのような形成方法を用いて、異なる形成方法で形成してもよい。例
えば、1層目をMOCVD法で形成し、2層目をスパッタリング法で形成してもよい。ま
たは、1層目をALD法で形成し、2層目をMOCVD法で形成してもよい。または、1
層目をALD法で形成し、2層目をスパッタリング法で形成してもよい。または、1層目
をALD法で形成し、2層目をスパッタリング法で形成し、3層目をALD法で形成して
もよい。このように、それぞれ、異なる形成方法を用いることによって、各層に異なる機
能や性質を持たせることができる。そして、それらの層を積層することによって、積層膜
全体として、より適切な膜を構成することができる。
ング法、CVD法(PECVD法、TCVD法、MCVD法、MOCVD法など)、MB
E法、PLD法、ALD法などのうちの少なくとも1つの方法で形成し、n+1層目の層
を、スパッタリング法、CVD法(PECVD法、TCVD法、MCVD法、MOCVD
法など)、MBE法、PLD法、ALD法などのうちの少なくとも1つの方法で形成し、
n層目の層と、n+1層目の層とで、形成方法が異なっていてもよい(nは自然数)。な
お、n層目の層とn+2層目の層とで、形成方法が同じでもよい。または、すべての層に
おいて、形成方法が同じでもよい。
416a(導電膜416b)、または導電膜416a(導電膜416b)の積層膜の内の
少なくとも一つの層とは、同じ形成方法を用いてもよい。例えば、どちらも、ALD法を
用いてもよい。これにより、大気に触れさせずに形成することができる。その結果、不純
物の混入を防ぐことができる。または、例えば、絶縁膜412と接する導電膜416a(
導電膜416b)と、導電膜416a(導電膜416b)と接する絶縁膜412とは、同
じ形成方法を用いてもよい。これにより、同じチャンバーで形成することができる。その
結果、不純物の混入を防ぐことができる。
416a(導電膜416b)、または導電膜416a(導電膜416b)の積層膜の内の
少なくとも一つの層と、半導体406、または半導体406の積層膜の内の少なくとも一
つの層と、絶縁膜402、または絶縁膜402の積層膜の内の少なくとも一つの層とは、
同じ形成方法を用いてもよい。例えば、どれも、ALD法を用いてもよい。これにより、
大気に触れさせずに形成することができる。その結果、不純物の混入を防ぐことができる
。ただし、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法は、これらに限定されない。
ALD法などを用いて形成すればよい。
は、導電膜404となる導電膜の形成時に、絶縁膜412へダメージを与えない形成方法
を用いると好ましい。即ち、該導電膜の形成には、MCVD法などを用いると好ましい。
CVD法(PECVD法、TCVD法、MCVD法、MOCVD法など)、MBE法、P
LD法、ALD法などのような形成方法を用いて、異なる形成方法で形成してもよい。例
えば、1層目をMOCVD法で形成し、2層目をスパッタリング法で形成してもよい。ま
たは、1層目をALD法で形成し、2層目をMOCVD法で形成してもよい。または、1
層目をALD法で形成し、2層目をスパッタリング法で形成してもよい。または、1層目
をALD法で形成し、2層目をスパッタリング法で形成し、3層目をALD法で形成して
もよい。このように、それぞれ、異なる形成方法を用いることによって、各層に異なる機
能や性質を持たせることができる。そして、それらの層を積層することによって、積層膜
全体として、より適切な膜を構成することができる。
ング法、CVD法(PECVD法、TCVD法、MCVD法、MOCVD法など)、MB
E法、PLD法、ALD法などのうちの少なくとも1つの方法で形成し、n+1層目の層
を、スパッタリング法、CVD法(PECVD法、TCVD法、MCVD法、MOCVD
法など)、MBE法、PLD法、ALD法などのうちの少なくとも1つの方法で形成し、
n層目の層と、n+1層目の層とで、形成方法が異なっていてもよい(nは自然数)。な
お、n層目の層とn+2層目の層とで、形成方法が同じでもよい。または、すべての層に
おいて、形成方法が同じでもよい。
412、または絶縁膜412の積層膜の内の少なくとも一つの層とは、同じ形成方法を用
いてもよい。例えば、どちらも、ALD法を用いてもよい。これにより、大気に触れさせ
ずに形成することができる。その結果、不純物の混入を防ぐことができる。または、例え
ば、絶縁膜412と接する導電膜404と、導電膜404と接する絶縁膜412とは、同
じ形成方法を用いてもよい。これにより、同じチャンバーで形成することができる。その
結果、不純物の混入を防ぐことができる。
412、または絶縁膜412の積層膜の内の少なくとも一つの層と、導電膜416a(導
電膜416b)、または導電膜416a(導電膜416b)の積層膜の内の少なくとも一
つの層と、半導体406、または半導体406の積層膜の内の少なくとも一つの層と、絶
縁膜402、または絶縁膜402の積層膜の内の少なくとも一つの層とは、同じ形成方法
を用いてもよい。例えば、どれも、ALD法を用いてもよい。これにより、大気に触れさ
せずに形成することができる。その結果、不純物の混入を防ぐことができる。ただし、本
発明の一態様に係る半導体装置の作製方法は、これらに限定されない。
を用いて形成すればよい。
CVD法(PECVD法、TCVD法、MCVD法、MOCVD法など)、MBE法、P
LD法、ALD法などのような形成方法を用いて、異なる形成方法で形成してもよい。例
えば、1層目をMOCVD法で形成し、2層目をスパッタリング法で形成してもよい。ま
たは、1層目をALD法で形成し、2層目をMOCVD法で形成してもよい。または、1
層目をALD法で形成し、2層目をスパッタリング法で形成してもよい。または、1層目
をALD法で形成し、2層目をスパッタリング法で形成し、3層目をALD法で形成して
もよい。このように、それぞれ、異なる形成方法を用いることによって、各層に異なる機
能や性質を持たせることができる。そして、それらの層を積層することによって、積層膜
全体として、より適切な膜を構成することができる。
ング法、CVD法(PECVD法、TCVD法、MCVD法、MOCVD法など)、MB
E法、PLD法、ALD法などのうちの少なくとも1つの方法で形成し、n+1層目の層
を、スパッタリング法、CVD法(PECVD法、TCVD法、MCVD法、MOCVD
法など)、MBE法、PLD法、ALD法などのうちの少なくとも1つの方法で形成し、
n層目の層と、n+1層目の層とで、形成方法が異なっていてもよい(nは自然数)。な
お、n層目の層とn+2層目の層とで、形成方法が同じでもよい。または、すべての層に
おいて、形成方法が同じでもよい。
416a(導電膜416b)、または導電膜416a(導電膜416b)の積層膜の内の
少なくとも一つの層とは、同じ形成方法を用いてもよい。例えば、どちらも、ALD法を
用いてもよい。これにより、大気に触れさせずに形成することができる。その結果、不純
物の混入を防ぐことができる。または、例えば、絶縁膜418と接する導電膜416a(
導電膜416b)と、導電膜416a(導電膜416b)と接する絶縁膜418とは、同
じ形成方法を用いてもよい。これにより、同じチャンバーで形成することができる。その
結果、不純物の混入を防ぐことができる。
416a(導電膜416b)、または導電膜416a(導電膜416b)の積層膜の内の
少なくとも一つの層と、半導体406、または半導体406の積層膜の内の少なくとも一
つの層と、絶縁膜402、または絶縁膜402の積層膜の内の少なくとも一つの層と、絶
縁膜412、または絶縁膜412の積層膜の内の少なくとも一つの層とは、同じ形成方法
を用いてもよい。例えば、どれも、ALD法を用いてもよい。これにより、大気に触れさ
せずに形成することができる。その結果、不純物の混入を防ぐことができる。ただし、本
発明の一態様に係る半導体装置の作製方法は、これらに限定されない。
また、図5(A)に示すように、上面図は図1(A)と同様であって、図5(B)に示す
断面図のように絶縁膜412下に酸化物半導体層407を配置しても構わない。酸化物半
導体層407としては、酸化物半導体層406cとして示した半導体を用いればよい。そ
の場合、半導体406を、図5(C)に示すような積層膜とすればよい。図5(C)に示
す酸化物半導体層406aおよび酸化物半導体層406bについては、図1(C)につい
ての説明を参照する。なお、そのほかの構成については、図1に示したトランジスタにつ
いての記載を参照する。
図6(A)および図6(B)は、本発明の一態様のトランジスタの上面図および断面図で
ある。図6(A)は上面図であり、図6(B)は、図6(A)に示す一点鎖線B1−B2
、および一点鎖線B3−B4に対応する断面図である。なお、図6(A)の上面図では、
図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
電膜614上の絶縁膜602と、絶縁膜602上の半導体606と、半導体606上面お
よび側面と接する導電膜616aおよび導電膜616bと、半導体606上、導電膜61
6a上および導電膜616b上の絶縁膜612と、絶縁膜612の上面に接し、半導体6
06の上面および側面に面する導電膜604と、を有する。なお、基板600と導電膜6
14の間に絶縁膜を有しても構わない。なお、導電膜614または/および導電膜604
は、トランジスタのゲート電極として機能する。また、絶縁膜602または/および絶縁
膜612は、トランジスタのゲート絶縁膜として機能する。また、導電膜616aおよび
導電膜616bは、トランジスタのソース電極およびドレイン電極として機能する。
18についての記載を参照する。
構わない。
404についての記載を参照する。また、絶縁膜602は絶縁膜412についての記載を
参照する。また、半導体606は半導体406についての記載を参照する。また、導電膜
616aおよび導電膜616bは、導電膜416aおよび導電膜416bについての記載
を参照する。また、絶縁膜612は、絶縁膜412についての記載を参照する。また、導
電膜604は、導電膜404についての記載を参照する。
以下では、本発明の一態様に係る半導体装置を例示する。
以下では、本発明の一態様のトランジスタを利用した回路の一例について説明する。
図7(A)に本発明の一態様の半導体装置の断面図を示す。図7(A)に示す半導体装置
は、下部に第1の半導体を用いたトランジスタ2200を有し、上部に第2の半導体を用
いたトランジスタ2100を有している。図7(A)では、第2の半導体を用いたトラン
ジスタ2100として、図1で例示したトランジスタを適用した例を示している。
。例えば、第1の半導体を酸化物半導体以外の半導体とし、第2の半導体を酸化物半導体
としてもよい。第1の半導体として単結晶シリコンを用いた場合は、高速動作をすること
に適したトランジスタ2200とすることができる。また、第2の半導体として酸化物半
導体を用いた場合は、オフ電流を低くすることに適したトランジスタ2100とすること
ができる。
によって適切なトランジスタを用いる。また、トランジスタ2100または/およびトラ
ンジスタ2200として、上述したトランジスタや図7(A)に示したトランジスタを用
いなくても構わない場合がある。
ジスタ2200の上部にトランジスタ2100を有する。また、トランジスタ2200と
トランジスタ2100の間には、配線として機能する複数の導電膜2202が配置されて
いる。また各種絶縁膜に埋め込まれた複数の導電膜2203により、上層と下層にそれぞ
れ配置された配線や電極が電気的に接続されている。また、該半導体装置は、トランジス
タ2100上の絶縁膜2204と、絶縁膜2204上の導電膜2205と、トランジスタ
2100のソース電極およびドレイン電極と同一層に(同一工程を経て)形成された導電
膜2206と、を有する。
とができる。
ランジスタ2200の第1の半導体の近傍の絶縁膜の水素濃度が高いことが好ましい。該
水素により、シリコンのダングリングボンドを終端させることで、トランジスタ2200
の信頼性を向上させることができる。一方、トランジスタ2100に用いる第2の半導体
に酸化物半導体を用いた場合、トランジスタ2100の第2の半導体の近傍の絶縁膜の水
素濃度が低いことが好ましい。該水素は、酸化物半導体中にキャリアを生成する要因の一
つとなるため、トランジスタ2100の信頼性を低下させる要因となる場合がある。した
がって、単結晶シリコンを用いたトランジスタ2200、および酸化物半導体を用いたト
ランジスタ2100を積層する場合、これらの間に水素をブロックする機能を有する絶縁
膜2207を配置することは両トランジスタの信頼性を高めるために有効である。
ム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸
化窒化ハフニウム、イットリア安定化ジルコニア(YSZ)などを含む絶縁膜を、単層で
、または積層で用いればよい。
上に水素をブロックする機能を有する絶縁膜を形成することが好ましい。絶縁膜としては
、絶縁膜2207と同様の絶縁膜を用いることができ、特に酸化アルミニウム膜を適用す
ることが好ましい。酸化アルミニウム膜は、水素、水分などの不純物および酸素の双方に
対して膜を透過させない遮断効果が高い。したがって、トランジスタ2100を覆う絶縁
膜として酸化アルミニウム膜を用いることで、トランジスタ2100に含まれる酸化物半
導体からの酸素の脱離を防止するとともに、酸化物半導体への水および水素の混入を防止
することができる。
トランジスタとすることができる。例えば、FIN(フィン)型のトランジスタなどとす
ることができる。その場合の断面図の例を、図7(D)に示す。半導体基板2211の上
に、絶縁層2212が配置されている。半導体基板2211は、先端の細い凸部(フィン
ともいう。)を有する。なお、凸部の上には、絶縁膜が設けられていてもよい。該絶縁膜
は、凸部を形成するときのマスクとして機能する。なお、凸部は、先端が細くなくてもよ
く、例えば、略直方体の凸部であってもよいし、先端が太い凸部であってもよい。半導体
基板2211の凸部の上には、ゲート絶縁膜2214が配置され、その上には、ゲート電
極2213が配置されている。半導体基板2211には、ソース領域およびドレイン領域
2215が形成されている。なお、ここでは、半導体基板2211が、凸部を有する例を
示したが、本発明の一態様に係る半導体装置は、これに限定されない。例えば、SOI基
板を加工して、凸型の半導体領域を形成しても構わない。
上記回路において、トランジスタ2100やトランジスタ2200の電極の接続を異なら
せることにより、様々な回路を構成することができる。以下では、本発明の一態様の半導
体装置を用いることにより実現できる回路構成の例を説明する。
図7(B)に示す回路図は、pチャネル型のトランジスタ2200とnチャネル型のトラ
ンジスタ2100を直列に接続し、かつそれぞれのゲートを接続した、いわゆるCMOS
インバータの構成を示している。
また図7(C)に示す回路図は、トランジスタ2100とトランジスタ2200のそれぞ
れのソースとドレインを接続した構成を示している。このような構成とすることで、いわ
ゆるCMOSアナログスイッチとして機能させることができる。
本発明の一態様に係るトランジスタを用いた、電力が供給されない状況でも記憶内容の保
持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)の一例を図8に
示す。
導体を用いたトランジスタ3300、および容量素子3400を有している。なお、トラ
ンジスタ3300としては、上述したトランジスタを用いることができる。
00のオフ電流が小さいことにより、半導体装置の特定のノードに長期にわたり記憶内容
を保持することが可能である。つまり、リフレッシュ動作を必要としない、またはリフレ
ッシュ動作の頻度が極めて少なくすることが可能となるため、消費電力の低い半導体装置
となる。
続され、第2の配線3002はトランジスタ3200のドレインと電気的に接続される。
また、第3の配線3003はトランジスタ3300のソース、ドレインの一方と電気的に
接続され、第4の配線3004はトランジスタ3300のゲートと電気的に接続されてい
る。そして、トランジスタ3200のゲート、およびトランジスタ3300のソース、ド
レインの他方は、容量素子3400の電極の一方と電気的に接続され、第5の配線300
5は容量素子3400の電極の他方と電気的に接続されている。
特性を有することで、以下に示すように、情報の書き込み、保持、読み出しが可能である
。
ンジスタ3300が導通状態となる電位にして、トランジスタ3300を導通状態とする
。これにより、第3の配線3003の電位が、トランジスタ3200のゲート、および容
量素子3400の電極の一方と電気的に接続するノードFGに与えられる。すなわち、ト
ランジスタ3200のゲートには、所定の電荷が与えられる(書き込み)。ここでは、異
なる二つの電位レベルを与える電荷(以下Lowレベル電荷、Highレベル電荷という
。)のどちらかが与えられるものとする。その後、第4の配線3004の電位を、トラン
ジスタ3300が非導通状態となる電位にして、トランジスタ3300を非導通状態とす
ることにより、ノードFGに電荷が保持される(保持)。
って保持される。
えた状態で、第5の配線3005に適切な電位(読み出し電位)を与えると、第2の配線
3002は、ノードFGに保持された電荷量に応じた電位をとる。これは、トランジスタ
3200をnチャネル型とすると、トランジスタ3200のゲートにHighレベル電荷
が与えられている場合の見かけ上のしきい値電圧Vth_Hは、トランジスタ3200の
ゲートにLowレベル電荷が与えられている場合の見かけ上のしきい値電圧Vth_Lよ
り低くなるためである。ここで、見かけ上のしきい値電圧とは、トランジスタ3200を
「導通状態」とするために必要な第5の配線3005の電位をいうものとする。したがっ
て、第5の配線3005の電位をVth_HとVth_Lの間の電位V0とすることによ
り、ノードFGに与えられた電荷を判別できる。例えば、書き込みにおいて、ノードFG
にHighレベル電荷が与えられていた場合には、第5の配線3005の電位がV0(>
Vth_H)となれば、トランジスタ3200は「導通状態」となる。一方、ノードFG
にLowレベル電荷が与えられていた場合には、第5の配線3005の電位がV0(<V
th_L)となっても、トランジスタ3200は「非導通状態」のままである。このため
、第2の配線3002の電位を判別することで、ノードFGに保持されている情報を読み
出すことができる。
を読み出さなくてはならない。ほかのメモリセルの情報を読み出さないためには、ノード
FGに与えられた電荷によらずトランジスタ3200が「非導通状態」となるような電位
、つまり、Vth_Hより低い電位を第5の配線3005に与えればよい。または、ノー
ドFGに与えられた電荷によらずトランジスタ3200が「導通状態」となるような電位
、つまり、Vth_Lより高い電位を第5の配線3005に与えればよい。
た半導体装置と異なる。この場合も図8(A)に示した半導体装置と同様の動作により情
報の書き込みおよび保持動作が可能である。
3300が導通状態になると、浮遊状態である第3の配線3003と容量素子3400と
が導通し、第3の配線3003と容量素子3400の間で電荷が再分配される。その結果
、第3の配線3003の電位が変化する。第3の配線3003の電位の変化量は、容量素
子3400の電極の一方の電位(または容量素子3400に蓄積された電荷)によって、
異なる値をとる。
の配線3003が有する容量成分をCB、電荷が再分配される前の第3の配線3003の
電位をVB0とすると、電荷が再分配された後の第3の配線3003の電位は、(CB×
VB0+C×V)/(CB+C)となる。したがって、メモリセルの状態として、容量素
子3400の電極の一方の電位がV1とV0(V1>V0)の2つの状態をとるとすると
、電位V1を保持している場合の第3の配線3003の電位(=(CB×VB0+C×V
1)/(CB+C))は、電位V0を保持している場合の第3の配線3003の電位(=
CB×VB0+C×V0)/(CB+C))よりも高くなることがわかる。
ができる。
ンジスタを用い、トランジスタ3300として第2の半導体が適用されたトランジスタを
駆動回路上に積層して配置する構成とすればよい。
を適用することで、長期にわたって記憶内容を保持することが可能となる。つまり、リフ
レッシュ動作が不要となるか、またはリフレッシュ動作の頻度を極めて低くすることが可
能となるため、消費電力の低い半導体装置を実現することができる。また、電力の供給が
ない場合(ただし、電位は固定されていることが好ましい)であっても、長期にわたって
記憶内容を保持することが可能である。
りにくい。例えば、従来の不揮発性メモリのように、フローティングゲートへの電子の注
入や、フローティングゲートからの電子の引き抜きを行わないため、絶縁膜の劣化といっ
た問題が生じない。すなわち、本発明の一態様に係る半導体装置は、従来の不揮発性メモ
リで問題となっている書き換え可能回数に制限はなく、信頼性が飛躍的に向上した半導体
装置である。さらに、トランジスタの導通状態、非導通状態によって、情報の書き込みが
行われるため、高速な動作が可能となる。
以下では、上述したトランジスタ、または記憶装置を含むRFIDタグについて、図9を
用いて説明する。
、非接触手段、例えば無線通信を用いて外部と情報の授受を行うものである。このような
特徴から、RFIDタグは、物品などの個体情報を読み取ることにより物品の識別を行う
個体認証システムなどに用いることが可能である。なお、これらの用途に用いるためには
高い信頼性が要求される。
すブロック図である。
もいう)に接続されたアンテナ802から送信される無線信号803を受信するアンテナ
804を有する。またRFIDタグ800は、整流回路805、定電圧回路806、復調
回路807、変調回路808、論理回路809、記憶回路810、ROM811を有して
いる。なお、復調回路807に含まれる整流作用を示すトランジスタの半導体には、逆方
向電流を十分に抑制することが可能な、例えば、酸化物半導体を用いてもよい。これによ
り、逆方向電流に起因する整流作用の低下を抑制し、復調回路の出力が飽和することを防
止できる。つまり、復調回路の入力に対する復調回路の出力を線形に近づけることができ
る。なお、データの伝送形式は、一対のコイルを対向配置して相互誘導によって交信を行
う電磁結合方式、誘導電磁界によって交信する電磁誘導方式、電波を利用して交信する電
波方式の3つに大別される。RFIDタグ800は、そのいずれの方式に用いることも可
能である。
テナ802との間で無線信号803の送受信を行うためのものである。また、整流回路8
05は、アンテナ804で無線信号を受信することにより生成される入力交流信号を整流
、例えば、半波2倍圧整流し、後段の容量素子により、整流された信号を平滑化すること
で入力電位を生成するための回路である。なお、整流回路805の入力側または出力側に
は、リミッタ回路を有してもよい。リミッタ回路とは、入力交流信号の振幅が大きく、内
部生成電圧が大きい場合に、ある電力以上の電力を後段の回路に入力しないように制御す
るための回路である。
回路である。なお、定電圧回路806は、内部にリセット信号生成回路を有していてもよ
い。リセット信号生成回路は、安定した電源電圧の立ち上がりを利用して、論理回路80
9のリセット信号を生成するための回路である。
るための回路である。また、変調回路808は、アンテナ804より出力するデータに応
じて変調をおこなうための回路である。
入力された情報を保持する回路であり、ロウデコーダ、カラムデコーダ、記憶領域などを
有する。また、ROM811は、固有番号(ID)などを格納し、処理に応じて出力を行
うための回路である。
係る記憶装置は、電源が遮断された状態であっても情報を保持できるため、RFIDタグ
に好適である。さらに本発明の一態様に係る記憶装置は、データの書き込みに必要な電力
(電圧)が従来の不揮発性メモリに比べて低いため、データの読み出し時と書込み時の最
大通信距離の差を生じさせないことも可能である。さらに、データの書き込み時に電力が
不足し、誤動作または誤書込みが生じることを抑制することができる。
ため、ROM811に適用することもできる。その場合には、生産者がROM811にデ
ータを書き込むためのコマンドを別途用意し、ユーザが自由に書き換えできないようにし
ておくことが好ましい。生産者が出荷前に固有番号を書込んだのちに製品を出荷すること
で、作製したRFIDタグすべてについて固有番号を付与するのではなく、出荷する良品
にのみ固有番号を割り当てることが可能となり、出荷後の製品の固有番号が不連続になる
ことがなく出荷後の製品に対応した顧客管理が容易となる。
以下では、本発明の一態様に係るRFIDタグの使用例について図10を用いて説明する
。RFIDタグの用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券
類、証書類(運転免許証や住民票等、図10(A)参照。)、包装用容器類(包装紙やボ
トル等、図10(C)参照。)、記録媒体(DVDやビデオテープ等、図10(B)参照
。)、乗り物類(自転車等、図10(D)参照。)、身の回り品(鞄や眼鏡等)、食品類
、植物類、動物類、人体、衣類、生活用品類、薬品や薬剤を含む医療品、または電子機器
(液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装置、または携帯電話)等の物品、もしく
は各物品に取り付ける荷札(図10(E)および図10(F)参照。)等に設けて使用す
ることができる。
、物品に固定される。例えば、本であれば紙に埋め込み、有機樹脂からなるパッケージで
あれば当該有機樹脂の内部に埋め込み、各物品に固定される。本発明の一態様に係るRF
IDタグ4000は、小型、薄型、軽量を実現するため、物品に固定した後もその物品自
体のデザイン性を損なうことがない。また、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、ま
たは証書類等に本発明の一態様に係るRFIDタグ4000により、認証機能を付与する
ことができ、この認証機能を活用すれば、偽造を防止することができる。また、包装用容
器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、または電子機器等に本発明の
一態様に係るRFIDタグ4000を取り付けることにより、検品システム等のシステム
の効率化を図ることができる。また、乗り物類であっても、本発明の一態様に係るRFI
Dタグ4000を取り付けることにより、盗難などに対するセキュリティ性を高めること
ができる。
とができる。
以下では、上述したトランジスタや上述した記憶装置などの半導体装置を含むCPUにつ
いて説明する。
ある。
ic logic unit、演算回路)、ALUコントローラ1192、インストラク
ションデコーダ1193、インタラプトコントローラ1194、タイミングコントローラ
1195、レジスタ1196、レジスタコントローラ1197、バスインターフェース1
198(Bus I/F)、書き換え可能なROM1199、およびROMインターフェ
ース1189(ROM I/F)を有している。基板1190は、半導体基板、SOI基
板、ガラス基板などを用いる。ROM1199およびROMインターフェース1189は
、別チップに設けてもよい。もちろん、図11に示すCPUは、その構成を簡略化して示
した一例にすぎず、実際のCPUはその用途によって多種多様な構成を有している。例え
ば、図11に示すCPUまたは演算回路を含む構成を一つのコアとし、当該コアを複数含
み、それぞれのコアが並列で動作するような構成としてもよい。また、CPUが内部演算
回路やデータバスで扱えるビット数は、例えば8ビット、16ビット、32ビット、64
ビットなどとすることができる。
デコーダ1193に入力され、デコードされた後、ALUコントローラ1192、インタ
ラプトコントローラ1194、レジスタコントローラ1197、タイミングコントローラ
1195に入力される。
ラ1197、タイミングコントローラ1195は、デコードされた命令に基づき、各種制
御を行なう。具体的にALUコントローラ1192は、ALU1191の動作を制御する
ための信号を生成する。また、インタラプトコントローラ1194は、CPUのプログラ
ム実行中に、外部の入出力装置や、周辺回路からの割り込み要求を、その優先度やマスク
状態から判断し、処理する。レジスタコントローラ1197は、レジスタ1196のアド
レスを生成し、CPUの状態に応じてレジスタ1196の読み出しや書き込みを行なう。
2、インストラクションデコーダ1193、インタラプトコントローラ1194、および
レジスタコントローラ1197の動作のタイミングを制御する信号を生成する。例えばタ
イミングコントローラ1195は、基準クロック信号CLK1を元に、内部クロック信号
CLK2を生成する内部クロック生成部を備えており、内部クロック信号CLK2を上記
各種回路に供給する。
1196のメモリセルとして、上述したトランジスタや記憶装置などを用いることができ
る。
指示に従い、レジスタ1196における保持動作の選択を行う。すなわち、レジスタ11
96が有するメモリセルにおいて、フリップフロップによるデータの保持を行うか、容量
素子によるデータの保持を行うかを、選択する。フリップフロップによるデータの保持が
選択されている場合、レジスタ1196内のメモリセルへの、電源電圧の供給が行われる
。容量素子におけるデータの保持が選択されている場合、容量素子へのデータの書き換え
が行われ、レジスタ1196内のメモリセルへの電源電圧の供給を停止することができる
。
記憶素子1200は、電源遮断で記憶データが揮発する回路1201と、電源遮断で記憶
データが揮発しない回路1202と、スイッチ1203と、スイッチ1204と、論理素
子1206と、容量素子1207と、選択機能を有する回路1220と、を有する。回路
1202は、容量素子1208と、トランジスタ1209と、トランジスタ1210と、
を有する。なお、記憶素子1200は、必要に応じて、ダイオード、抵抗素子、インダク
タなどのその他の素子をさらに有していてもよい。
への電源電圧の供給が停止した際、回路1202のトランジスタ1209のゲートにはG
ND(0V)、またはトランジスタ1209がオフする電位が入力され続ける構成とする
。例えば、トランジスタ1209のゲートが抵抗等の負荷を介して接地される構成とする
。
て構成され、スイッチ1204は、一導電型とは逆の導電型(例えば、pチャネル型)の
トランジスタ1214を用いて構成した例を示す。ここで、スイッチ1203の第1の端
子はトランジスタ1213のソースとドレインの一方に対応し、スイッチ1203の第2
の端子はトランジスタ1213のソースとドレインの他方に対応し、スイッチ1203は
トランジスタ1213のゲートに入力される制御信号RDによって、第1の端子と第2の
端子の間の導通または非導通(つまり、トランジスタ1213の導通状態または非導通状
態)が選択される。スイッチ1204の第1の端子はトランジスタ1214のソースとド
レインの一方に対応し、スイッチ1204の第2の端子はトランジスタ1214のソース
とドレインの他方に対応し、スイッチ1204はトランジスタ1214のゲートに入力さ
れる制御信号RDによって、第1の端子と第2の端子の間の導通または非導通(つまり、
トランジスタ1214の導通状態または非導通状態)が選択される。
ちの一方、およびトランジスタ1210のゲートと電気的に接続される。ここで、接続部
分をノードM2とする。トランジスタ1210のソースとドレインの一方は、低電源電位
を供給することのできる配線(例えばGND線)に電気的に接続され、他方は、スイッチ
1203の第1の端子(トランジスタ1213のソースとドレインの一方)と電気的に接
続される。スイッチ1203の第2の端子(トランジスタ1213のソースとドレインの
他方)はスイッチ1204の第1の端子(トランジスタ1214のソースとドレインの一
方)と電気的に接続される。スイッチ1204の第2の端子(トランジスタ1214のソ
ースとドレインの他方)は電源電位VDDを供給することのできる配線と電気的に接続さ
れる。スイッチ1203の第2の端子(トランジスタ1213のソースとドレインの他方
)と、スイッチ1204の第1の端子(トランジスタ1214のソースとドレインの一方
)と、論理素子1206の入力端子と、容量素子1207の一対の電極のうちの一方と、
は電気的に接続される。ここで、接続部分をノードM1とする。容量素子1207の一対
の電極のうちの他方は、一定の電位が入力される構成とすることができる。例えば、低電
源電位(GND等)または高電源電位(VDD等)が入力される構成とすることができる
。容量素子1207の一対の電極のうちの他方は、低電源電位を供給することのできる配
線(例えばGND線)と電気的に接続される。容量素子1208の一対の電極のうちの他
方は、一定の電位が入力される構成とすることができる。例えば、低電源電位(GND等
)または高電源電位(VDD等)が入力される構成とすることができる。容量素子120
8の一対の電極のうちの他方は、低電源電位を供給することのできる配線(例えばGND
線)と電気的に接続される。
積極的に利用することによって省略することも可能である。
びスイッチ1204は、制御信号WEとは異なる制御信号RDによって第1の端子と第2
の端子の間の導通状態または非導通状態を選択され、一方のスイッチの第1の端子と第2
の端子の間が導通状態のとき他方のスイッチの第1の端子と第2の端子の間は非導通状態
となる。
に対応する信号が入力される。図12では、回路1201から出力された信号が、トラン
ジスタ1209のソースとドレインの他方に入力される例を示した。スイッチ1203の
第2の端子(トランジスタ1213のソースとドレインの他方)から出力される信号は、
論理素子1206によってその論理値が反転された反転信号となり、回路1220を介し
て回路1201に入力される。
レインの他方)から出力される信号は、論理素子1206および回路1220を介して回
路1201に入力する例を示したがこれに限定されない。スイッチ1203の第2の端子
(トランジスタ1213のソースとドレインの他方)から出力される信号が、論理値を反
転させられることなく、回路1201に入力されてもよい。例えば、回路1201内に、
入力端子から入力された信号の論理値が反転した信号が保持されるノードが存在する場合
に、スイッチ1203の第2の端子(トランジスタ1213のソースとドレインの他方)
から出力される信号を当該ノードに入力することができる。
タ1209以外のトランジスタは、酸化物半導体以外の半導体または基板1190にチャ
ネルが形成されるトランジスタとすることができる。例えば、シリコン膜またはシリコン
基板にチャネルが形成されるトランジスタとすることができる。また、記憶素子1200
に用いられるトランジスタ全てを、チャネルが酸化物半導体で形成されるトランジスタと
することもできる。または、記憶素子1200は、トランジスタ1209以外にも、チャ
ネルが酸化物半導体で形成されるトランジスタを含んでいてもよく、残りのトランジスタ
は酸化物半導体以外の半導体でなる層または基板1190にチャネルが形成されるトラン
ジスタとすることもできる。
また、論理素子1206としては、例えばインバータやクロックドインバータ等を用いる
ことができる。
、回路1201に記憶されていたデータを、回路1202に設けられた容量素子1208
によって保持することができる。
えば、酸化物半導体にチャネルが形成されるトランジスタのオフ電流は、結晶性を有する
シリコンにチャネルが形成されるトランジスタのオフ電流に比べて著しく低い。そのため
、当該トランジスタをトランジスタ1209として用いることによって、記憶素子120
0に電源電圧が供給されない間も容量素子1208に保持された信号は長期間にわたり保
たれる。こうして、記憶素子1200は電源電圧の供給が停止した間も記憶内容(データ
)を保持することが可能である。
作を行うことを特徴とする記憶素子であるため、電源電圧供給再開後に、回路1201が
元のデータを保持しなおすまでの時間を短くすることができる。
1210のゲートに入力される。そのため、記憶素子1200への電源電圧の供給が再開
された後、容量素子1208によって保持された信号を、トランジスタ1210の状態(
導通状態、または非導通状態)に変換して、回路1202から読み出すことができる。そ
れ故、容量素子1208に保持された信号に対応する電位が多少変動していても、元の信
号を正確に読み出すことが可能である。
記憶装置に用いることで、電源電圧の供給停止による記憶装置内のデータの消失を防ぐこ
とができる。また、電源電圧の供給を再開した後、短時間で電源供給停止前の状態に復帰
することができる。よって、プロセッサ全体、もしくはプロセッサを構成する一つ、また
は複数の論理回路において、短い時間でも電源停止を行うことができるため、消費電力を
抑えることができる。
Digital Signal Processor)、カスタムLSI、PLD(Pr
ogrammable Logic Device)等のLSI、RF−ID(Radi
o Frequency Identification)にも応用可能である。
以下では、本発明の一態様に係る表示装置の構成例について説明する。
図13(A)には、本発明の一態様に係る表示装置の上面図を示す。また、図13(B)
には、本発明の一態様に係る表示装置の画素に液晶素子を用いた場合における画素回路を
示す。また、図13(C)には、本発明の一態様に係る表示装置の画素に有機EL素子を
用いた場合における画素回路を示す。
nチャネル型のトランジスタを用いる例を示す。なお、画素に用いたトランジスタと同一
工程を経て作製したトランジスタを駆動回路として用いても構わない。このように、画素
や駆動回路に上述したトランジスタを用いることにより、表示品位が高い、または/およ
び信頼性の高い表示装置となる。
上には、画素部5001、第1の走査線駆動回路5002、第2の走査線駆動回路500
3、信号線駆動回路5004が配置される。画素部5001は、複数の信号線によって信
号線駆動回路5004と電気的に接続され、複数の走査線によって第1の走査線駆動回路
5002、および第2の走査線駆動回路5003と電気的に接続される。なお、走査線と
信号線とによって区切られる領域には、それぞれ表示素子を有する画素が配置されている
。また、表示装置の基板5000は、FPC(Flexible Printed Ci
rcuit)等の接続部を介して、タイミング制御回路(コントローラ、制御ICともい
う)に電気的に接続されている。
004は、画素部5001と同じ基板5000上に形成される。そのため、駆動回路を別
途作製する場合と比べて、表示装置を作製するコストを低減することができる。また、駆
動回路を別途作製した場合、配線間の接続数が増える。したがって、同じ基板5000上
に駆動回路を設けることで、配線間の接続数を減らすことができ、信頼性の向上、または
/および歩留まりの向上を図ることができる。
また、画素の回路構成の一例を図13(B)に示す。ここでは、VA型液晶表示装置の画
素などに適用することができる画素回路を示す。
素電極は異なるトランジスタに接続され、各トランジスタは異なるゲート信号で駆動でき
るように構成されている。これにより、マルチドメイン設計された画素の個々の画素電極
に印加する信号を、独立して制御できる。
13には、異なるゲート信号を与えることができるように分離されている。一方、データ
線として機能するソース電極またはドレイン電極5014は、トランジスタ5016とト
ランジスタ5017で共通に用いられている。トランジスタ5016とトランジスタ50
17は上述したトランジスタを適宜用いることができる。これにより、表示品位が高い、
または/および信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。
気的に接続する第2の画素電極の形状について説明する。第1の画素電極と第2の画素電
極の形状は、スリットによって分離されている。第1の画素電極はV字型に広がる形状を
有し、第2の画素電極は第1の画素電極の外側を囲むように形成される。
スタ5017のゲート電極はゲート配線5013と電気的に接続されている。ゲート配線
5012とゲート配線5013に異なるゲート信号を与えてトランジスタ5016とトラ
ンジスタ5017の動作タイミングを異ならせ、液晶の配向を制御することができる。
は第2の画素電極と電気的に接続する容量電極とで容量素子を形成してもよい。
える。第1の液晶素子5018は第1の画素電極と対向電極とその間の液晶層とで構成さ
れ、第2の液晶素子5019は第2の画素電極と対向電極とその間の液晶層とで構成され
る。
例えば、図13(B)に示す画素回路に新たにスイッチ、抵抗素子、容量素子、トランジ
スタ、センサ、または論理回路などを追加してもよい。
画素の回路構成の他の一例を図13(C)に示す。ここでは、有機EL素子を用いた表示
装置の画素構造を示す。
極の一方から電子が、他方から正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、
電流が流れる。そして、電子および正孔が再結合することにより、発光性の有機化合物が
励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズム
から、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
トランジスタを2つ用いる例を示す。なお、nチャネル型のトランジスタには、上述した
トランジスタを用いることができる。また、当該画素回路は、デジタル時間階調駆動を適
用することができる。
いて説明する。
発光素子5024および容量素子5023を有する。スイッチング用トランジスタ502
1は、ゲート電極が走査線5026に接続され、第1電極(ソース電極、ドレイン電極の
一方)が信号線5025に接続され、第2電極(ソース電極、ドレイン電極の他方)が駆
動用トランジスタ5022のゲート電極に接続されている。駆動用トランジスタ5022
は、ゲート電極が容量素子5023を介して電源線5027に接続され、第1電極が電源
線5027に接続され、第2電極が発光素子5024の第1電極(画素電極)に接続され
ている。発光素子5024の第2電極は共通電極5028に相当する。共通電極5028
は、同一基板上に形成される共通電位線と電気的に接続される。
ンジスタを用いることができる。これにより、表示品位の高い、または/および信頼性の
高い有機EL表示装置となる。
、低電源電位とは、電源線5027に設定される高電源電位より低い電位であり、例えば
GND、0Vなどを低電源電位として設定することができる。発光素子5024の順方向
のしきい値電圧以上となるように高電源電位と低電源電位を設定し、その電位差を発光素
子5024に印加することにより、発光素子5024に電流を流して発光させる。なお、
発光素子5024の順方向電圧とは、所望の輝度とする場合の電圧を指しており、少なく
とも順方向しきい値電圧を含む。
り省略できる場合がある。駆動用トランジスタ5022のゲート容量については、チャネ
ル形成領域とゲート電極との間で容量が形成されていてもよい。
方式の場合、駆動用トランジスタ5022がオンまたはオフの二つの状態となるようなビ
デオ信号を、駆動用トランジスタ5022に入力する。なお、駆動用トランジスタ502
2を線形領域で動作させるために、電源線5027の電圧よりも高い電圧を駆動用トラン
ジスタ5022のゲート電極に与える。また、信号線5025には、電源線電圧に駆動用
トランジスタ5022のしきい値電圧Vthを加えた値以上の電圧をかける。
24の順方向電圧に駆動用トランジスタ5022のしきい値電圧Vthを加えた値以上の
電圧をかける。なお、駆動用トランジスタ5022が飽和領域で動作するようにビデオ信
号を入力し、発光素子5024に電流を流す。また、駆動用トランジスタ5022を飽和
領域で動作させるために、電源線5027の電位を、駆動用トランジスタ5022のゲー
ト電位より高くする。ビデオ信号をアナログとすることで、発光素子5024にビデオ信
号に応じた電流を流し、アナログ階調駆動を行うことができる。
例えば、図13(C)に示す画素回路にスイッチ、抵抗素子、容量素子、センサ、トラン
ジスタまたは論理回路などを追加してもよい。
第1の電極)、高電位側にドレイン電極(第2の電極)がそれぞれ電気的に接続される構
成とする。さらに、制御回路等により第1のゲート電極の電位を制御し、第2のゲート電
極にはソース電極に与える電位よりも低い電位など、上記で例示した電位を入力可能な構
成とすればよい。
以下では、本発明の一態様に係る半導体装置を適用した表示モジュールについて、図14
を用いて説明を行う。
間に、FPC8003に接続されたタッチパネル8004、FPC8005に接続された
セル8006、バックライトユニット8007、フレーム8009、プリント基板801
0、バッテリー8011を有する。なお、バックライトユニット8007、バッテリー8
011、タッチパネル8004などを有さない場合もある。
06のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
に重畳して用いることができる。また、セル8006の対向基板(封止基板)に、タッチ
パネル機能を持たせるようにすることも可能である。または、セル8006の各画素内に
光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。または、セル8006
の各画素内にタッチセンサ用電極を設け、静電容量方式のタッチパネルとすることも可能
である。
ユニット8007の端部に設け、光拡散板を用いる構成としてもよい。
発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有してもよい。またフレー
ム8009は、放熱板としての機能を有していてもよい。
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
もよいし、別途設けたバッテリー8011による電源であってもよい。商用電源を用いる
場合には、バッテリー8011を有さなくてもよい。
加して設けてもよい。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備
えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc
等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いること
ができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器と
して、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍、ビデオカメラ、デ
ジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ
)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレ
イヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い
機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図15に示す。
904、マイクロフォン905、スピーカー906、操作キー907、スタイラス908
等を有する。なお、図15(A)に示した携帯型ゲーム機は、2つの表示部903と表示
部904とを有しているが、携帯型ゲーム機が有する表示部の数は、これに限定されない
。
13、第2表示部914、接続部915、操作キー916等を有する。第1表示部913
は第1筐体911に設けられており、第2表示部914は第2筐体912に設けられてい
る。そして、第1筐体911と第2筐体912とは、接続部915により接続されており
、第1筐体911と第2筐体912の間の角度は、接続部915により変更が可能である
。第1表示部913における映像を、接続部915における第1筐体911と第2筐体9
12との間の角度にしたがって、切り替える構成としてもよい。また、第1表示部913
および第2表示部914の少なくとも一方に、位置入力装置としての機能が付加された表
示装置を用いるようにしてもよい。なお、位置入力装置としての機能は、表示装置にタッ
チパネルを設けることで付加することができる。または、位置入力装置としての機能は、
フォトセンサとも呼ばれる光電変換素子を表示装置の画素部に設けることでも、付加する
ことができる。
ーボード923、ポインティングデバイス924等を有する。
3等を有する。
操作キー944、レンズ945、接続部946等を有する。操作キー944およびレンズ
945は第1筐体941に設けられており、表示部943は第2筐体942に設けられて
いる。そして、第1筐体941と第2筐体942とは、接続部946により接続されてお
り、第1筐体941と第2筐体942の間の角度は、接続部946により変更が可能であ
る。表示部943における映像を、接続部946における第1筐体941と第2筐体94
2との間の角度にしたがって切り替える構成としてもよい。
イト954等を有する。
ーションによって計算した。
、計算で用いたトランジスタの構造を示す。なお、図16(A)は、トランジスタの上面
図である。図16(A)に示す一点鎖線F1−F2および一点鎖線F3−F4に対応する
断面図を図16(B)に示す。
106aと、酸化物半導体層106a上の凸部および凹部を有する酸化物半導体層106
bと、酸化物半導体層106bの凸部の上面、酸化物半導体層106bの凸部の側面、酸
化物半導体層106aの側面および絶縁膜102の側面と接する導電膜116aおよび導
電膜116bと、酸化物半導体層106bの凹部の上面、酸化物半導体層106bの凹部
の側面、酸化物半導体層106aの側面および絶縁膜102の側面と接する酸化物半導体
層107と、酸化物半導体層107を介して、酸化物半導体層106bの凹部の上面、酸
化物半導体層106bの凹部の側面、酸化物半導体層106aの側面および絶縁膜102
の側面と面する絶縁膜112と、絶縁膜112および酸化物半導体層107を介して、酸
化物半導体層106bの凹部の上面、酸化物半導体層106bの凹部の側面、酸化物半導
体層106aの側面および絶縁膜102の側面と面する導電膜104と、を有する。
bとの間にはn型化領域(nと表記)を配置した。
方向(チャネル長方向、長辺方向または長手方向ともいう。)の長さをL1、酸化物半導
体層106bの凹部における一点鎖線F3−F4方向(チャネル幅方向、短辺方向または
短手方向ともいう。)の長さをW1とする。また、酸化物半導体層106bの凸部および
凹部を合わせたときの一点鎖線F1−F2方向の長さをL2とする。また、酸化物半導体
層106bの凸部における一点鎖線F3−F4方向の長さをW2とする。なお、酸化物半
導体層106bにおける凹部から見て凸部の迫り出し量(はみ出し量ともいう。)は、上
下で同じとしている。
と、の差(凹部の深さともいう。)をtとする。また、酸化物半導体層106aおよび酸
化物半導体層106bの界面の高さと、酸化物半導体層106aおよび酸化物半導体層1
06bと重ならない領域における絶縁膜112および導電膜104の界面の高さ(ここで
は絶縁膜112の厚さに相当する。)と、の差をhとする。したがって、hが正の値をと
るとき、図16に示すトランジスタはs−channel構造とみなせる。
。また、酸化物半導体層106aについては、酸化物半導体層406aについての記載を
参照する。また、酸化物半導体層106bとしては、酸化物半導体層406bについての
記載を参照する。また、導電膜116aおよび導電膜116bについては、導電膜416
aおよび導電膜416bについての記載を参照する。また、酸化物半導体層107につい
ては、酸化物半導体層407についての記載を参照する。また、絶縁膜112については
、絶縁膜412についての記載を参照する。また、導電膜104については、導電膜40
4についての記載を参照する。
電圧Vdが1VにおけるVg−Id特性を示し、図17(B)にはドレイン電圧Vdが0
.1VにおけるVg−Id特性を示す。カーブの左にtの値を示す。上述したように、t
には、W2とW1との差が与えられる。また、W2は40nmである。したがって、tが
0nmであればW1は40nmであり、tが10nmであればW1は30nmであり、t
が20nmであればW1は20nmであり、tが30nmであればW1は10nmである
。
d特性が向上することがわかった。具体的には、ドレイン電流Idの立ち上がり始めるゲ
ート電圧Vgが正の値に近づく。また、サブスレッショルドスイング値(S値ともいう。
)が小さくなることがわかった。即ち、同じゲート電圧Vgで比較した場合、トランジス
タのオフ時のドレイン電流が小さくなることが示された。
った理由としては、トランジスタのチャネル形成領域が縮小することで、ゲート電極によ
る電界の効きが向上したためと考えられる。
の電流密度の計算結果を示す断面図である。なお、ゲート電圧Vgとして−3Vを印加し
、ドレイン電圧Vdとして1Vを印加した。
する導電膜104から遠い領域の電流密度が高くなることがわかった。一方、tが30n
mにおいては、酸化物半導体層106bの全体で電流密度が低くなることがわかった。
ンジスタのオフ時におけるドレイン電流Idを小さくできることがわかる。
あることがわかる。
12 光学系
14 試料室
16 光学系
18 カメラ
20 観察室
22 フィルム室
24 電子
28 物質
32 蛍光板
102 絶縁膜
104 導電膜
106a 酸化物半導体層
106b 酸化物半導体層
107 酸化物半導体層
112 絶縁膜
116a 導電膜
116b 導電膜
400 基板
402 絶縁膜
404 導電膜
406 半導体
406a 酸化物半導体層
406b 酸化物半導体層
406c 酸化物半導体層
407 酸化物半導体層
412 絶縁膜
416a 導電膜
416b 導電膜
418 絶縁膜
600 基板
602 絶縁膜
604 導電膜
606 半導体
612 絶縁膜
614 導電膜
616a 導電膜
616b 導電膜
800 RFIDタグ
801 通信器
802 アンテナ
803 無線信号
804 アンテナ
805 整流回路
806 定電圧回路
807 復調回路
808 変調回路
809 論理回路
810 記憶回路
811 ROM
901 筐体
902 筐体
903 表示部
904 表示部
905 マイクロフォン
906 スピーカー
907 操作キー
908 スタイラス
911 筐体
912 筐体
913 表示部
914 表示部
915 接続部
916 操作キー
921 筐体
922 表示部
923 キーボード
924 ポインティングデバイス
931 筐体
932 冷蔵室用扉
933 冷凍室用扉
941 筐体
942 筐体
943 表示部
944 操作キー
945 レンズ
946 接続部
951 車体
952 車輪
953 ダッシュボード
954 ライト
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
1200 記憶素子
1201 回路
1202 回路
1203 スイッチ
1204 スイッチ
1206 論理素子
1207 容量素子
1208 容量素子
1209 トランジスタ
1210 トランジスタ
1213 トランジスタ
1214 トランジスタ
1220 回路
2100 トランジスタ
2200 トランジスタ
2201 絶縁膜
2202 導電膜
2203 導電膜
2204 絶縁膜
2205 導電膜
2206 導電膜
2207 絶縁膜
2211 半導体基板
2212 絶縁層
2213 ゲート電極
2214 ゲート絶縁膜
2215 ソース領域およびドレイン領域
3001 配線
3002 配線
3003 配線
3004 配線
3005 配線
3200 トランジスタ
3300 トランジスタ
3400 容量素子
4000 RFIDタグ
5000 基板
5001 画素部
5002 走査線駆動回路
5003 走査線駆動回路
5004 信号線駆動回路
5010 容量配線
5012 ゲート配線
5013 ゲート配線
5014 ソース電極またはドレイン電極
5016 トランジスタ
5017 トランジスタ
5018 液晶素子
5019 液晶素子
5020 画素
5021 スイッチング用トランジスタ
5022 駆動用トランジスタ
5023 容量素子
5024 発光素子
5025 信号線
5026 走査線
5027 電源線
5028 共通電極
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 セル
8007 バックライトユニット
8008 光源
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリー
Claims (2)
- 第1の半導体と、
前記第1の半導体の上面と接するソース電極及びドレイン電極と、
前記第1の半導体の上面、前記ソース電極の上面及び前記ドレイン電極の上面と接する第2の半導体と、
前記第2の半導体の上面と接する領域を有するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第1の半導体及び前記第2の半導体と面する領域を有するゲート電極と、を有し、
前記第1の半導体は、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接する領域より、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接しない領域の、チャネル幅方向の長さが短く、
前記第1の半導体は、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接する領域より、前記ソース電極および前記ドレイン電極と接しない領域が薄いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1の半導体及び前記第2の半導体が酸化物半導体であることを特徴とする半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013193615 | 2013-09-19 | ||
JP2013193615 | 2013-09-19 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014186099A Division JP6377470B2 (ja) | 2013-09-19 | 2014-09-12 | 半導体装置およびその作製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019095681A Division JP2019135794A (ja) | 2013-09-19 | 2019-05-22 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018191004A JP2018191004A (ja) | 2018-11-29 |
JP6532992B2 true JP6532992B2 (ja) | 2019-06-19 |
Family
ID=52667150
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014186099A Active JP6377470B2 (ja) | 2013-09-19 | 2014-09-12 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2018139065A Active JP6532992B2 (ja) | 2013-09-19 | 2018-07-25 | 半導体装置 |
JP2019095681A Withdrawn JP2019135794A (ja) | 2013-09-19 | 2019-05-22 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014186099A Active JP6377470B2 (ja) | 2013-09-19 | 2014-09-12 | 半導体装置およびその作製方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019095681A Withdrawn JP2019135794A (ja) | 2013-09-19 | 2019-05-22 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9443934B2 (ja) |
JP (3) | JP6377470B2 (ja) |
KR (1) | KR20150032628A (ja) |
TW (1) | TWI677989B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI663726B (zh) | 2014-05-30 | 2019-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導體裝置、模組及電子裝置 |
KR20160114511A (ko) | 2015-03-24 | 2016-10-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
US9806200B2 (en) | 2015-03-27 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI693719B (zh) * | 2015-05-11 | 2020-05-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JPWO2016189415A1 (ja) * | 2015-05-26 | 2018-03-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および電子機器 |
US11189736B2 (en) * | 2015-07-24 | 2021-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10714633B2 (en) | 2015-12-15 | 2020-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
KR20180123028A (ko) | 2016-03-11 | 2018-11-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장비, 상기 반도체 장치의 제작 방법, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
JP6921780B2 (ja) * | 2018-04-13 | 2021-08-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (163)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
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- 2014-09-09 US US14/480,900 patent/US9443934B2/en active Active
- 2014-09-11 KR KR20140120417A patent/KR20150032628A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-09-12 JP JP2014186099A patent/JP6377470B2/ja active Active
-
2018
- 2018-07-25 JP JP2018139065A patent/JP6532992B2/ja active Active
-
2019
- 2019-05-22 JP JP2019095681A patent/JP2019135794A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150076493A1 (en) | 2015-03-19 |
JP6377470B2 (ja) | 2018-08-22 |
JP2019135794A (ja) | 2019-08-15 |
TW201515230A (zh) | 2015-04-16 |
TWI677989B (zh) | 2019-11-21 |
US9443934B2 (en) | 2016-09-13 |
JP2018191004A (ja) | 2018-11-29 |
KR20150032628A (ko) | 2015-03-27 |
JP2015084413A (ja) | 2015-04-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190423 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190426 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190522 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6532992 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |