JP6526343B2 - 半導体装置の測定方法 - Google Patents
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Description
以下、本実施の形態に関する半導体装置の測定方法について説明する。説明の便宜上、まず、スポット破壊と、その発生メカニズムについて説明する。
図1は、本実施の形態に関する半導体装置、具体的には、ショットキーバリアダイオード(SBD)の部分的な構造を概略的に例示する断面図である。また、図2は、本実施の形態に関する半導体装置の部分的な構造を概略的に例示する平面図である。図1は、図2のAB断面図に相当する。
次に、本実施の形態に関する半導体装置にプローブ針を用いて高電圧を印加するテストを行う場合について述べる。ここで、高電圧を印加するテストとは、たとえば、逆方向に50V以上の電圧を印加するテストをいう。
本実施の形態に関する半導体装置の測定方法について説明する。以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
図14は、本実施の形態に関する半導体装置、具体的には、ショットキーバリアダイオード(SBD)の構造を概略的に例示する断面図である。図14に例示される構成は、第1の実施の形態において例示された構成のうち、アノードp型領域3の代替として、ショットキー電極11よりもショットキー障壁が高い電極である、高障壁ショットキー電極14を備える。高障壁ショットキー電極14は、エピタキシャル層2の上面に形成される。なお、高障壁ショットキー電極14は、平面視において、同心円状に形成された複数の領域を有する構造であってもよい。また、高障壁ショットキー電極14は、平面視において、同心円状に形成された単一の領域からなる構造、すなわち、円形の輪郭のみの構造であってもよい。
本実施の形態に関する半導体装置の測定方法について説明する。以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
図18は、本実施の形態に関する半導体装置、具体的には、ショットキーバリアダイオード(SBD)の構造を概略的に例示する断面図である。また、図19は、本実施の形態に関する半導体装置の構造を概略的に例示する平面図である。図18は、図19のAB断面図に相当する。
本実施の形態に関する半導体装置の測定方法について説明する。以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成と同様の構成については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
図23は、本実施の形態に関する半導体装置、具体的には、ショットキーバリアダイオード(SBD)の構造を概略的に例示する断面図である。また、図24は、本実施の形態に関する半導体装置の構造を概略的に例示する平面図である。図23は、図24のAB断面図に相当する。
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果を例示する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面において例示であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。
Claims (6)
- 半導体装置に対しプローブ針を用いて電圧を印加する、半導体装置の測定方法であり、
前記半導体装置は、
第1の導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の上面に形成される、第1の導電型のエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層の表層に、輪郭を有して部分的に形成される、少なくとも1つの第2の導電型の第2導電型領域と、
前記エピタキシャル層の上面および前記第2導電型領域の上面を覆って形成されるショットキー電極と、
前記ショットキー電極の上面に形成されるアノード電極と、
前記半導体基板の下面に形成されるカソード電極とを備え、
前記プローブ針を、平面視で少なくとも1つの前記第2導電型領域の前記輪郭が形成される範囲内の、前記アノード電極の上面に接触させて、電圧を印加し、
前記半導体装置に対ししきい値よりも高い電圧を印加する場合、前記プローブ針を、平面視で、少なくとも1つの前記第2導電型領域の前記輪郭が形成される範囲内の、前記アノード電極の上面にのみ接触させ、
前記半導体装置に対ししきい値よりも低い電圧を印加する場合、前記プローブ針を、平面視で、少なくとも1つの前記第2導電型領域の前記輪郭が形成される範囲内の前記アノード電極の上面に加え、平面視で、前記第2導電型領域が形成されない範囲の前記アノード電極の上面にも接触させる、
半導体装置の測定方法。 - 前記第2導電型領域は、平面視において、前記輪郭内の全体が第2の導電型である領域である、
請求項1に記載の半導体装置の測定方法。 - 前記半導体装置は、さらに、
前記エピタキシャル層の表層に部分的に形成され、かつ、前記ショットキー電極と接触する第2の導電型である領域と前記ショットキー電極と接触する第1の導電型である領域とを有する、少なくとも1つの第2の導電型のJBS領域を備え、
前記JBS領域における第2の導電型である領域の形成幅は、前記第2導電型領域の形成幅よりも小さく、
前記JBS領域のドーパント濃度は、前記第2導電型領域のドーパント濃度よりも高い、
請求項2に記載の半導体装置の測定方法。 - 前記第2導電型領域は、平面視において、第2の導電型である領域に囲まれる第1の導電型である領域を有する、
請求項1に記載の半導体装置の測定方法。 - 半導体装置に対しプローブ針を用いて電圧を印加する、半導体装置の測定方法であり、
前記半導体装置は、
第1の導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の上面に形成される、第1の導電型のエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層の上面に少なくとも1つ形成される第1のショットキー電極と、
前記エピタキシャル層の上面に少なくとも1つ形成され、かつ、前記第1のショットキー電極よりも前記エピタキシャル層との間のショットキー障壁が高い第2のショットキー電極と、
前記第1のショットキー電極の上面および前記第2のショットキー電極の上面に形成されるアノード電極と、
前記半導体基板の下面に形成されるカソード電極とを備え、
前記プローブ針を、平面視で少なくとも1つの前記第2のショットキー電極が形成される範囲内の、前記アノード電極の上面に接触させて、電圧を印加する、
半導体装置の測定方法。 - 前記半導体装置に対ししきい値よりも高い電圧を印加する場合、前記プローブ針を、平面視で、少なくとも1つの前記第2のショットキー電極が形成される範囲内の、前記アノード電極の上面にのみ接触させ、
前記半導体装置に対ししきい値よりも低い電圧を印加する場合、前記プローブ針を、平面視で、少なくとも1つの前記第2のショットキー電極が形成される範囲内の前記アノード電極の上面に加え、平面視で、前記第2のショットキー電極が形成されない範囲の前記アノード電極の上面にも接触させる、
請求項5に記載の半導体装置の測定方法。
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