JP2009016733A - 半導体装置の品質評価方法および製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】最終製品での電気特性検査において半導体装置の歩留まりが低下するのを抑制することが可能な半導体装置の品質評価方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置(安定化電源用IC)の品質評価方法は、n型エピタキシャル層13およびアノードショットキー電極層27からなるショットキーバリアダイオードの電気特性を測定する工程と、アノードショットキー電極層27と同時に形成され、半導体層(n+型エミッタ拡散層17、p+型ベース拡散層15b、n+型コレクタ補償拡散層18およびp+型ベース拡散層19a〜19d)にそれぞれオーミック接触されるオーミック電極層(エミッタオーミック電極層23、ベースオーミック電極層24、コレクタオーミック電極層25および抵抗オーミック電極層26a〜26d)の品質を、ショットキーバリアダイオードの電気特性により評価する工程とを備えている。
【選択図】図2
【解決手段】この半導体装置(安定化電源用IC)の品質評価方法は、n型エピタキシャル層13およびアノードショットキー電極層27からなるショットキーバリアダイオードの電気特性を測定する工程と、アノードショットキー電極層27と同時に形成され、半導体層(n+型エミッタ拡散層17、p+型ベース拡散層15b、n+型コレクタ補償拡散層18およびp+型ベース拡散層19a〜19d)にそれぞれオーミック接触されるオーミック電極層(エミッタオーミック電極層23、ベースオーミック電極層24、コレクタオーミック電極層25および抵抗オーミック電極層26a〜26d)の品質を、ショットキーバリアダイオードの電気特性により評価する工程とを備えている。
【選択図】図2
Description
この発明は、半導体装置の品質評価方法および製造方法に関し、特に、オーミック電極層の品質を評価する工程を備えた半導体装置の品質評価方法および製造方法に関する。
従来、半導体層にオーミック接触された電極層(オーミック電極層)を備えた半導体装置が知られている(たとえば、特許文献1参照)。また、上記特許文献1のようなオーミック電極層を備えた半導体装置として、安定化電源用ICが知られている。
図8は、オーミック電極層を備えた安定化電源用IC(半導体装置)の代表的な回路構成を示したブロック図である。図9は、図8に示した安定化電源用ICの一部の構造を示した断面図である。
従来の安定化電源用ICは、図8に示すように、入力端子101、npnトランジスタを含む基準電圧発生回路102、分圧抵抗を形成する2つの抵抗素子103aおよび103b、出力飽和防止回路104、および、負荷106が接続された出力端子105などによって構成されている。この安定化電源用ICは、入力端子101に供給される入力電圧(Vi)の変動や負荷106(出力電圧(Vo))の変動に影響されない安定した直流電圧を作り出すことが可能な定電圧制御用ICとして用いられるので、高い出力電圧精度(たとえば、出力電圧精度:±2%以内)が要求されている。また、安定化電源用ICの出力電圧(Vo)は、以下の式(1)に示すように、基準電圧発生回路102で制御される基準電圧(Vref)と、回路の出力側に備えた分圧抵抗(抵抗素子103aおよび103b)の抵抗R1およびR2とで決定される。このため、出力電圧精度を向上させるには、基準電圧発生回路102の制御用トランジスタであるnpnトランジスタや、分圧抵抗を形成する抵抗素子103aおよび103bの電気特性の精度が極めて重要になる。
出力電圧(Vo)=基準電圧(Vref)×(R1+R2)/R1・・・(1)
また、安定化電源用ICは、図9に示すように、npnトランジスタが形成されたトランジスタ形成領域130と、抵抗素子103aが形成された第1抵抗素子形成領域140と、抵抗素子103bが形成された第2抵抗素子形成領域141とを含んでいる。また、安定化電源用ICは、p型半導体基板111と、p型半導体基板111の所定領域上に形成された複数のn+型埋込拡散層112と、n+型埋込拡散層112を覆うようにp型半導体基板111上に形成されたn型エピタキシャル層113とを備えている。このn型エピタキシャル層113には、トランジスタ形成領域130と、第1抵抗素子形成領域140と、第2抵抗素子形成領域141とを分離するための複数のp+型分離拡散層114が形成されている。
トランジスタ形成領域130において、n型エピタキシャル層113には、p+型ベース拡散層115aおよび115bと、p+型ベース拡散層115aおよび115bの間に配置されたp-型ベース拡散層116およびn+型エミッタ拡散層117と、p+型ベース拡散層115bから所定の距離を隔てて配置されたn+型コレクタ補償拡散層118とが形成されている。また、コレクタとして機能するn型エピタキシャル層113と、ベースとして機能するp+型ベース拡散層115a、115bおよびp-型ベース拡散層116と、エミッタとして機能するn+型エミッタ拡散層117とによって、npnトランジスタが構成されている。
また、n型エピタキシャル層113上には、絶縁膜となる酸化シリコン膜122が形成されている。また、酸化シリコン膜122の開口部には、エミッタオーミック電極層123と、ベースオーミック電極層124と、コレクタオーミック電極層125とが配置されている。また、エミッタオーミック電極層123、ベースオーミック電極層124およびコレクタオーミック電極層125は、それぞれ、n+型エミッタ拡散層117、p+型ベース拡散層115bおよびn+型コレクタ補償拡散層118(n型エピタキシャル層113)にオーミック接触している。なお、オーミック接触とは、電流方向と電圧の大きさとに関係なく、その接触抵抗が一定となる状態を言う。また、オーミック接触の接触抵抗は、電流を阻害しないように、小さい抵抗値であることが望ましい。
また、酸化シリコン膜122上には、エミッタオーミック電極層123、ベースオーミック電極層124およびコレクタオーミック電極層125を覆うように、保護膜としての機能を有するPSG(Phospho Silicate Glass)膜129が形成されている。
また、第1抵抗素子形成領域140において、n型エピタキシャル層113には、p+型ベース拡散層119aおよび119bと、p+型ベース拡散層119aおよび119bの間に配置されたp-型ベース拡散層120aとが形成されている。また、酸化シリコン膜122の開口部には、Al−Siからなる抵抗オーミック電極層126aおよび126bが配置されている。また、抵抗オーミック電極層126aおよび126bは、それぞれ、p+型ベース拡散層119aおよび119bに、たとえば約9μm2の接触面積でオーミック接触している。
また、抵抗オーミック電極層126aおよび126bと、p+型ベース拡散層119aおよび119bと、p-型ベース拡散層120aとによって、抵抗素子103aが構成されている。具体的には、p+型ベース拡散層119aおよび119bと、p-型ベース拡散層120aとによって、抵抗Raが構成されている。また、抵抗オーミック電極層126aと、p+型ベース拡散層119aとによって、接触抵抗Rc1が構成されているとともに、抵抗オーミック電極層126bと、p+型ベース拡散層119bとによって、接触抵抗Rc2が構成されている。そして、抵抗Ra、接触抵抗Rc1およびRc2の総和によって、抵抗素子103aの抵抗R1が構成されている。すなわち、抵抗素子103aの抵抗R1=Ra+Rc1+Rc2となる。
また、第2抵抗素子形成領域141は、上記第1抵抗素子形成領域140と同様に形成されている。すなわち、第2抵抗素子形成領域141において、n型エピタキシャル層113には、p+型ベース拡散層119cおよび119dと、p+型ベース拡散層119cおよび119dの間に配置されたp-型ベース拡散層120bとが形成されている。また、酸化シリコン膜122の開口部には、Al−Siからなる抵抗オーミック電極層126cおよび126dが配置されている。また、抵抗オーミック電極層126cおよび126dは、それぞれ、p+型ベース拡散層119cおよび119dに、たとえば約9μm2の接触面積でオーミック接触している。
また、抵抗オーミック電極層126cおよび126dと、p+型ベース拡散層119cおよび119dと、p-型ベース拡散層120bとによって、抵抗素子103bが構成されている。具体的には、p+型ベース拡散層119cおよび119dと、p-型ベース拡散層120bとによって、抵抗Rbが構成されている。また、抵抗オーミック電極層126cと、p+型ベース拡散層119cとによって、接触抵抗Rc3が構成されているとともに、抵抗オーミック電極層126dと、p+型ベース拡散層119dとによって、接触抵抗Rc4が構成されている。そして、抵抗Rb、接触抵抗Rc3およびRc4の総和によって、抵抗素子103bの抵抗R2が構成されている。すなわち、抵抗素子103bの抵抗R2=Rb+Rc3+Rc4となる。
このような安定化電源用ICの製造プロセスとしては、まず、一般的なバイポーラ製造プロセスを用いて、p型半導体基板111上に、n+型埋込拡散層112からPSG膜129までが形成され、最終熱処理(シンタリング)として約400℃〜約500℃の温度で約30分間熱処理される。このとき、エミッタオーミック電極層123、ベースオーミック電極層124およびコレクタオーミック電極層125が、それぞれ、n+型エミッタ拡散層117、p+型ベース拡散層115bおよびn+型コレクタ補償拡散層118にオーミック接触するとともに、抵抗オーミック電極層126a〜126dが、それぞれ、p+型ベース拡散層119a〜119dにオーミック接触する。
その後、ウェハ状態の電気特性検査にて安定化電源用ICの良否判定が行われ、ウェハがダイシングされた後、良品判定された安定化電源用ICのみがダイボンディング、ワイヤボンディング、パッケージングの後工程処理が行われる。この後工程過程で、安定化電源用ICには200℃前後の熱が加わる。そして、パッケージ状態において、最終の電気特性検査が行われ、所定の電気特性が得られた場合、安定化電源用ICが良品であると判断される。
上記のようなオーミック電極層(エミッタオーミック電極層123、ベースオーミック電極層124、コレクタオーミック電極層125および抵抗オーミック電極層126a〜126d)のオーミック特性などの電気特性や品質(信頼性)は、オーミック電極層が接触する半導体層(n+型エミッタ拡散層117、p+型ベース拡散層115b、n+型コレクタ補償拡散層118およびp+型ベース拡散層119a〜119d)の不純物濃度、接触界面の状態や、オーミック電極層の電極材料、堆積条件、堆積後の熱処理条件(約400℃〜約500℃、約30分)などに依存し、特に、堆積後の熱処理条件により決定される。
特開平7−263771号公報
しかしながら、上記安定化電源用ICの製造プロセスでは、Al−Siからなるオーミック電極層の堆積後の熱処理は、通常、熱容量の大きい石英ボートにウェハを載せて行うので、石英ボートに接触するウェハの外周部の温度が上がりにくい。このため、ウェハの外周部に形成されたオーミック電極層は、半導体層とのオーミック接触が不十分になる(良好でない)場合があるという不都合がある。特に、半導体層(n+型エミッタ拡散層117、p+型ベース拡散層115b、n+型コレクタ補償拡散層118およびp+型ベース拡散層119a〜119d)が、たとえば2×1018(atoms/cm3)程度の低い不純物濃度を有するとともに、オーミック電極層(エミッタオーミック電極層123、ベースオーミック電極層124、コレクタオーミック電極層125および抵抗オーミック電極層126a〜126d)と半導体層との接触面積が、たとえば9μm2程度の小さい面積を有する場合、オーミック電極層は、半導体層とのオーミック接触が不十分になりやすい。そして、熱処理不足によりオーミック接触が不十分となったオーミック電極層の接触抵抗(Rc1〜Rc4など)は、後工程での200℃前後の熱処理により大きく変動するので、抵抗素子103aおよび103bの抵抗R1およびR2やnpnトランジスタの電気特性が変動するとともに、出力電圧(Vo)が変動するという不都合がある。なお、Al−Siに含まれるAlは、200℃付近の温度で再結晶化しやすいので、後工程での200℃前後の熱処理によって、オーミック電極層と半導体層との接触界面状態が変化しやすい。このため、良好なオーミック接触を有するオーミック電極層の接触抵抗も変動するが、オーミック接触が不十分なオーミック電極層の接触抵抗は、この変動がより顕著になりやすく、その抵抗値は大きく変動する。
また、オーミック電極層の接触抵抗は、4端子法により測定するので、専用の接触抵抗テストパターンが必要であるが、半導体装置(半導体素子)に接触抵抗テストパターンを設ける場合、半導体装置(半導体素子)が大型化してウェハ1枚あたりの半導体装置(半導体素子)の取れ数が少なくなるという不都合がある。このため、ウェハ状態においてオーミック電極層のオーミック特性などの電気特性や品質(信頼性)を評価することが困難であるので、パッケージ状態において、初めて、オーミック電極層のオーミック特性などの電気特性や品質(信頼性)を評価することになる。したがって、オーミック電極層のオーミック接触が不十分である場合、最終製品での電気特性検査において半導体装置の歩留まりが大幅に低下する場合があるという問題点がある。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、最終製品での電気特性検査において半導体装置の歩留まりが低下するのを抑制することが可能な半導体装置の品質評価方法および製造方法を提供することである。
上記目的を達成するために、この発明の第1の局面による半導体装置の品質評価方法は、第1半導体層および導電層からなるショットキーバリアダイオードの電気特性を測定する工程と、導電層と同時に形成され、第2半導体層にオーミック接触されるオーミック電極層の品質を、ショットキーバリアダイオードの電気特性により評価する工程とを備えている。
この第1の局面による半導体装置の品質評価方法では、上記のように、第1半導体層および導電層からなるショットキーバリアダイオードの電気特性を測定する工程と、導電層と同時に形成され、第2半導体層にオーミック接触されるオーミック電極層の品質を、ショットキーバリアダイオードの電気特性により評価する工程とを設けることによって、導電層と第1半導体層とからなるショットキーバリアダイオードの電気特性を測定することにより、導電層と同時に形成されたオーミック電極層の第2半導体層に対する接触抵抗などの電気特性を予測することができる。これにより、オーミック電極層が第2半導体層に良好にオーミック接触されているか否かを判断することができるので、オーミック電極層の品質(信頼性)を評価することができる。このため、ウェハ状態でオーミック電極層のオーミック特性などの電気特性や品質(信頼性)を直接的に評価することが困難である場合にも、ショットキーバリアダイオードの電気特性を測定することにより、ウェハ状態でオーミック電極層のオーミック特性などの電気特性や品質(信頼性)を間接的に評価することができる。その結果、オーミック電極層の電気特性や品質(信頼性)が良好でない場合に、半導体装置(半導体素子)を最終製品まで組み立てる必要がないので、最終製品での電気特性検査にて歩留まりが低下するのを抑制することができる。
上記第1の局面による半導体装置の品質評価方法において、好ましくは、ショットキーバリアダイオードの電気特性を測定する工程は、ショットキーバリアダイオードに所定の大きさの順方向電流を通電するとともに、ショットキーバリアダイオードに生じる順方向電圧を測定する工程を含む。このように、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧を用いれば、オーミック電極層の第2半導体層に対する接触抵抗を容易に予測することができるので、オーミック電極層が第2半導体層に良好にオーミック接触されているか否かを、容易に判断することができる。これにより、オーミック電極層の電気特性や品質(信頼性)を、容易に評価することができる。
上記ショットキーバリアダイオードの電気特性を測定する工程が、ショットキーバリアダイオードに生じる順方向電圧を測定する工程を含む半導体装置の品質評価方法において、好ましくは、オーミック電極層の品質を評価する工程は、ショットキーバリアダイオードの電気特性である順方向電圧が、しきい値電圧以上、または、しきい値電圧よりも大きい場合に、オーミック電極層の品質が良好であると判断する工程を含む。このように構成すれば、オーミック電極層の品質(信頼性)が良好であるか否かを、より容易に判断することができる。
上記ショットキーバリアダイオードの電気特性を測定する工程が、ショットキーバリアダイオードに生じる順方向電圧を測定する工程を含む半導体装置の品質評価方法において、好ましくは、導電層およびオーミック電極層は、Al−Siにより構成されている。このように構成すれば、Al−Siからなる導電層と第1半導体層とによって、容易にショットキーバリアダイオードを構成することができる。
この場合、好ましくは、ショットキーバリアダイオードの電気特性である順方向電圧のしきい値電圧は、ショットキーバリアダイオードに10μAの順方向電流を通電する場合、420mVである。このように構成すれば、オーミック電極層の品質(信頼性)が良好であるか否かを、より容易に判断することができる。
上記ショットキーバリアダイオードの電気特性を測定する工程が、ショットキーバリアダイオードに生じる順方向電圧を測定する工程を含む半導体装置の品質評価方法において、好ましくは、導電層およびオーミック電極層は、Alにより構成されている。このように構成すれば、Alからなる導電層と第1半導体層とによって、容易にショットキーバリアダイオードを構成することができる。
この場合、好ましくは、ショットキーバリアダイオードの電気特性である順方向電圧のしきい値電圧は、ショットキーバリアダイオードに10μAの順方向電流を通電する場合、350mVである。このように構成すれば、オーミック電極層の品質(信頼性)が良好であるか否かを、より容易に判断することができる。
上記第1の局面による半導体装置の品質評価方法において、好ましくは、ショットキーバリアダイオードは、半導体装置に形成される回路を構成する素子の一部である。このように構成すれば、ショットキーバリアダイオードの電気特性を測定するために、半導体装置に形成される回路とは別に素子(ショットキーバリアダイオード)を形成する必要がない。これにより、ウェハ1枚あたりの半導体装置の取れ数が少なくなるのを抑制することができる。
上記第1の局面による半導体装置の品質評価方法において、好ましくは、ショットキーバリアダイオードには、ガードリングが形成されていない。このように構成すれば、ガードリングの大きさや不純物濃度などの製造ばらつきが、ショットキーバリアダイオードの電気特性に影響することがないので、ショットキーバリアダイオードの電気特性の精度が低下するのを抑制することができる。
上記第1の局面による半導体装置の品質評価方法において、好ましくは、ショットキーバリアダイオードの第1半導体層と導電層との接触面積は、625μm2以上である。このように構成すれば、ショットキーバリアダイオードの第1半導体層と導電層との接触面積が製造時にばらつく割合を低減することができるので、ショットキーバリアダイオードの電気特性の精度が低下するのを抑制することができる。
上記第1の局面による半導体装置の品質評価方法において、好ましくは、オーミック電極層の品質を評価する工程は、ウェハ状態において、オーミック電極層の品質を評価する工程を含む。このように構成すれば、オーミック電極層の電気特性や品質(信頼性)が良好でない場合に、半導体装置(半導体素子)を最終製品まで組み立てる必要がないので、最終製品での電気特性検査にて歩留まりが低下するのを、容易に抑制することができる。
この発明の第2の局面による半導体装置の製造方法は、第1半導体層および第2半導体層上にそれぞれ同時に導電層およびオーミック電極層を形成することにより、第1半導体層および導電層からなるショットキーバリアダイオードと、第2半導体層にオーミック接触されるオーミック電極層とを形成する工程と、上記請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置の品質評価方法を用いて、オーミック電極層の品質を評価する工程とを備えている。
この第2の局面による半導体装置の製造方法では、上記のように、上記請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置の品質評価方法を用いて、オーミック電極層の品質を評価する工程を設けることによって、導電層と第1半導体層とからなるショットキーバリアダイオードの電気特性を測定することにより、導電層と同時に形成されたオーミック電極層の第2半導体層に対する接触抵抗などの電気特性を予測することができる。これにより、オーミック電極層が第2半導体層に良好にオーミック接触されているか否かを判断することができるので、オーミック電極層の品質(信頼性)を評価することができる。このため、ウェハ状態でオーミック電極層のオーミック特性などの電気特性や品質(信頼性)を直接的に評価することが困難である場合にも、ショットキーバリアダイオードの電気特性を測定することにより、ウェハ状態でオーミック電極層のオーミック特性などの電気特性や品質(信頼性)を間接的に評価することができる。その結果、オーミック電極層の電気特性や品質(信頼性)が良好でない場合に、半導体装置(半導体素子)を最終製品まで組み立てる必要がないので、最終製品での電気特性検査にて歩留まりが低下するのを抑制することができる。
上記第2の局面による半導体装置の製造方法において、好ましくは、半導体装置は、安定化電源用ICである。このように構成すれば、安定化電源用ICの最終製品での電気特性検査において歩留まりが低下するのを抑制することができる。また、安定化電源用ICには、通常、ショットキーバリアダイオードが形成されているので、ショットキーバリアダイオードの電気特性を測定するために、安定化電源用ICに形成される回路とは別に素子(ショットキーバリアダイオード)を形成する必要がない。これにより、ウェハ1枚あたりの安定化電源用ICの取れ数が少なくなるのを抑制することができる。
以上のように、本発明によれば、最終製品での電気特性検査において半導体装置の歩留まりが低下するのを抑制することが可能な半導体装置の品質評価方法および製造方法を容易に得ることができる。
図1は、本発明の一実施形態による安定化電源用ICの回路構成を示したブロック図である。図2は、本発明の一実施形態による安定化電源用ICの一部の構造を示した断面図である。まず、図1および図2を参照して、本発明の一実施形態による安定化電源用ICの構造について説明する。なお、安定化電源用ICは、本発明の「半導体装置」の一例である。
本発明の一実施形態による安定化電源用ICは、図1に示すように、入力端子1、基準電圧発生回路2、分圧抵抗を形成する2つの抵抗素子3aおよび3b、出力飽和防止回路4、および、負荷6が接続された出力端子5などによって構成されている。この安定化電源用ICは、負荷6(出力端子5)に供給される出力電圧(Vo)の変動を検出するとともに、出力電圧(Vo)の変動を自動的にコントロールすることが可能なフィードバック制御回路で構成されている。また、安定化電源用ICは、入力端子1に供給される入力電圧(Vi)の変動や負荷6(出力電圧(Vo))の変動に影響されない安定した直流電圧を作り出すことが可能な定電圧制御用ICとしての機能を有する。また、安定化電源用ICの出力電圧(Vo)は、上記式(1)で示したように、基準電圧発生回路2で制御される基準電圧(Vref)と、回路の出力側に備えた分圧抵抗(抵抗素子3aおよび3b)の抵抗R1およびR2とで決定される。
基準電圧発生回路2には、基準電圧発生回路2の制御用トランジスタとなるnpnトランジスタが含まれている。また、各制御回路には、各制御回路のトランジスタの飽和防止に使用するショットキーバリアダイオードが含まれている。
また、安定化電源用ICは、図2に示すように、npnトランジスタが形成されたトランジスタ形成領域30と、抵抗素子3aが形成された第1抵抗素子形成領域40と、抵抗素子3bが形成された第2抵抗素子形成領域41と、ショットキーバリアダイオードが形成されたショットキーバリアダイオード形成領域50とを含んでいる。
また、安定化電源用ICは、p型半導体基板11と、p型半導体基板11の所定領域上に形成された複数のn+型埋込拡散層12と、n+型埋込拡散層12を覆うようにp型半導体基板11上に形成されたn型エピタキシャル層13とを備えている。この複数のn+型埋込拡散層12は、トランジスタ形成領域30、第1抵抗素子形成領域40、第2抵抗素子形成領域41およびショットキーバリアダイオード形成領域50にそれぞれ形成されている。また、n型エピタキシャル層13には、トランジスタ形成領域30と、第1抵抗素子形成領域40と、第2抵抗素子形成領域41と、ショットキーバリアダイオード形成領域50とを分離するための複数のp+型分離拡散層14が形成されている。なお、n型エピタキシャル層13は、本発明の「第1半導体層」の一例である。
トランジスタ形成領域30において、n型エピタキシャル層13には、p+型ベース拡散層15aおよび15bと、p+型ベース拡散層15aおよび15bの間に配置されたp-型ベース拡散層16およびn+型エミッタ拡散層17と、p+型ベース拡散層15bから所定の距離を隔てて配置されたn+型コレクタ補償拡散層18とが形成されている。このp+型ベース拡散層15aおよび15bは、同一のプロセスにより同時に形成されている。また、n+型エミッタ拡散層17およびn+型コレクタ補償拡散層18は、同一のプロセスにより同時に形成されている。また、n+型コレクタ補償拡散層18には、高濃度の不純物が注入されている。これにより、n+型コレクタ補償拡散層18(n型エピタキシャル層13)を、後述するコレクタオーミック電極層25にオーミック接触しやすくすることが可能である。なお、p+型ベース拡散層15b、n+型エミッタ拡散層17およびn+型コレクタ補償拡散層18は、本発明の「第2半導体層」の一例である。
また、n型エピタキシャル層13と、p+型ベース拡散層15a、15bおよびp-型ベース拡散層16と、n+型エミッタ拡散層17とによって、npnトランジスタが構成されている。具体的には、n型エピタキシャル層13は、コレクタとして機能するとともに、p+型ベース拡散層15aおよび15bと、p-型ベース拡散層16とは、ベースとして機能する。また、n+型エミッタ拡散層17は、エミッタとして機能する。
また、n型エピタキシャル層13上には、n+型エミッタ拡散層17、p+型ベース拡散層15bおよびn+型コレクタ補償拡散層18上に開口部を有する絶縁膜となる酸化シリコン膜22が形成されている。また、酸化シリコン膜22の開口部には、エミッタオーミック電極層23と、ベースオーミック電極層24と、コレクタオーミック電極層25とが配置されている。これらエミッタオーミック電極層23と、ベースオーミック電極層24と、コレクタオーミック電極層25とは、Al−Siからなるとともに、同一のプロセスにより同時に形成されている。また、エミッタオーミック電極層23、ベースオーミック電極層24およびコレクタオーミック電極層25は、それぞれ、n+型エミッタ拡散層17、p+型ベース拡散層15bおよびn+型コレクタ補償拡散層18(n型エピタキシャル層13)にオーミック接触している。なお、エミッタオーミック電極層23、ベースオーミック電極層24およびコレクタオーミック電極層25は、本発明の「オーミック電極層」の一例である。
また、酸化シリコン膜22上には、エミッタオーミック電極層23、ベースオーミック電極層24およびコレクタオーミック電極層25を覆うように、保護膜としての機能を有するPSG膜29が形成されている。
また、第1抵抗素子形成領域40において、n型エピタキシャル層13には、p+型ベース拡散層19aおよび19bと、p+型ベース拡散層19aおよび19bの間に配置されたp-型ベース拡散層20aとが形成されている。このp+型ベース拡散層19aおよび19bは、p+型ベース拡散層15aおよび15bと同一のプロセスにより同時に形成されている。また、p-型ベース拡散層20aは、p-型ベース拡散層16と同一のプロセスにより同時に形成されている。また、p+型ベース拡散層19aおよび19bは、約2×1018(atoms/cm3)の不純物濃度を有する。なお、p+型ベース拡散層19aおよび19bは、本発明の「第2半導体層」の一例である。
また、n型エピタキシャル層13上には、p+型ベース拡散層19aおよび19b上に開口部を有する絶縁膜となる酸化シリコン膜22が形成されている。また、酸化シリコン膜22の開口部には、抵抗オーミック電極層26aおよび26bが配置されている。この抵抗オーミック電極層26aおよび26bは、Al−Siからなるとともに、エミッタオーミック電極層23、ベースオーミック電極層24およびコレクタオーミック電極層25と同一のプロセスにより同時に形成されている。また、抵抗オーミック電極層26aおよび26bは、それぞれ、p+型ベース拡散層19aおよび19bに約9μm2の接触面積でオーミック接触している。なお、抵抗オーミック電極層26aおよび26bは、本発明の「オーミック電極層」の一例である。
また、抵抗オーミック電極層26aおよび26bと、p+型ベース拡散層19aおよび19bと、p-型ベース拡散層20aとによって、抵抗素子3aが構成されている。具体的には、p+型ベース拡散層19aおよび19bと、p-型ベース拡散層20aとによって、抵抗Raが構成されている。また、抵抗オーミック電極層26aと、p+型ベース拡散層19aとによって、接触抵抗Rc1が構成されているとともに、抵抗オーミック電極層26bと、p+型ベース拡散層19bとによって、接触抵抗Rc2が構成されている。そして、抵抗Ra、接触抵抗Rc1およびRc2の総和によって、抵抗素子3aの抵抗R1が構成されている。すなわち、抵抗素子3aの抵抗R1=Ra+Rc1+Rc2となる。
また、酸化シリコン膜22上には、抵抗オーミック電極層26aおよび26bを覆うように、保護膜としての機能を有するPSG膜29が形成されている。
また、第2抵抗素子形成領域41は、上記第1抵抗素子形成領域40と同様に形成されている。すなわち、第2抵抗素子形成領域41において、n型エピタキシャル層13には、p+型ベース拡散層19cおよび19dと、p+型ベース拡散層19cおよび19dの間に配置されたp-型ベース拡散層20bとが形成されている。このp+型ベース拡散層19cおよび19dは、p+型ベース拡散層15aおよび15bと同一のプロセスにより同時に形成されている。また、p-型ベース拡散層20bは、p-型ベース拡散層16と同一のプロセスにより同時に形成されている。また、p+型ベース拡散層19cおよび19dは、約2×1018(atoms/cm3)の不純物濃度を有する。なお、p+型ベース拡散層19cおよび19dは、本発明の「第2半導体層」の一例である。
また、n型エピタキシャル層13上には、p+型ベース拡散層19cおよび19d上に開口部を有する絶縁膜となる酸化シリコン膜22が形成されている。また、酸化シリコン膜22の開口部には、抵抗オーミック電極層26cおよび26dが配置されている。この抵抗オーミック電極層26cおよび26dは、Al−Siからなるとともに、エミッタオーミック電極層23、ベースオーミック電極層24およびコレクタオーミック電極層25と同一のプロセスにより同時に形成されている。また、抵抗オーミック電極層26cおよび26dは、それぞれ、p+型ベース拡散層19cおよび19dに約9μm2の接触面積でオーミック接触している。なお、抵抗オーミック電極層26cおよび26dは、本発明の「オーミック電極層」の一例である。
また、抵抗オーミック電極層26cおよび26dと、p+型ベース拡散層19cおよび19dと、p-型ベース拡散層20bとによって、抵抗素子3bが構成されている。具体的には、p+型ベース拡散層19cおよび19dと、p-型ベース拡散層20bとによって、抵抗Rbが構成されている。また、抵抗オーミック電極層26cと、p+型ベース拡散層19cとによって、接触抵抗Rc3が構成されているとともに、抵抗オーミック電極層26dと、p+型ベース拡散層19dとによって、接触抵抗Rc4が構成されている。そして、抵抗Rb、接触抵抗Rc3およびRc4の総和によって、抵抗素子3bの抵抗R2が構成されている。すなわち、抵抗素子3bの抵抗R2=Rb+Rc3+Rc4となる。
また、酸化シリコン膜22上には、抵抗オーミック電極層26cおよび26dを覆うように、保護膜としての機能を有するPSG膜29が形成されている。
また、ショットキーバリアダイオード形成領域50において、n型エピタキシャル層13には、n+型カソード補償拡散層21が形成されている。このn+型カソード補償拡散層21は、n+型エミッタ拡散層17およびn+型コレクタ補償拡散層18と同一のプロセスにより同時に形成されている。また、n+型カソード補償拡散層21には、n+型コレクタ補償拡散層18と同様、高濃度の不純物が注入されている。これにより、n+型カソード補償拡散層21(n型エピタキシャル層13)を、後述するカソードオーミック電極層28にオーミック接触しやすくすることが可能である。
また、n型エピタキシャル層13上には、n型エピタキシャル層13およびn+型カソード補償拡散層21上に開口部を有する絶縁膜となる酸化シリコン膜22が形成されている。また、酸化シリコン膜22の開口部には、アノードショットキー電極層27およびカソードオーミック電極層28が配置されている。なお、アノードショットキー電極層27は、本発明の「導電層」の一例である。
ここで、本実施形態では、アノードショットキー電極層27およびカソードオーミック電極層28は、Al−Siからなるとともに、エミッタオーミック電極層23、ベースオーミック電極層24、コレクタオーミック電極層25および抵抗オーミック電極層26a〜26dと同一のプロセスにより同時に形成されている。また、アノードショットキー電極層27は、n型エピタキシャル層13に約625μm2(約25μm□)の接触面積でショットキー接触している。そして、アノードとして機能するアノードショットキー電極層27とカソードとして機能するn型エピタキシャル層13とによって、ショットキーバリアダイオードが構成されている。なお、ショットキー接触とは、導電材料(電極層)と半導体層との接触面が整流作用(一定方向に電流が流れる作用)を持つ接触状態であることを言う。
また、本実施形態では、アノードショットキー電極層27およびn型エピタキシャル層13からなるショットキーバリアダイオードには、高濃度不純物領域(p+型拡散層)などからなるガードリングが形成されていない。すなわち、n型エピタキシャル層13のアノードショットキー電極層27との接触面近傍の部分は、n型エピタキシャル層13のみにより形成されている。また、アノードショットキー電極層27とn型エピタキシャル層13との接触面積は、酸化シリコン膜22の開口部の大きさにより決定されるように構成されている。
また、カソードオーミック電極層28は、n+型カソード補償拡散層21(n型エピタキシャル層13)にオーミック接触している。
また、酸化シリコン膜22上には、アノードショットキー電極層27およびカソードオーミック電極層28を覆うように、保護膜としての機能を有するPSG膜29が形成されている。
次に、本発明の一実施形態による安定化電源用ICの製造プロセスについて説明する。
本発明の一実施形態による安定化電源用ICは、一般的なバイポーラ製造プロセスを用いて、図2に示すように、p型半導体基板11上に、n+型埋込拡散層12からPSG膜29までを形成する。このとき、本実施形態では、ショットキーバリアダイオード形成領域50のアノードショットキー電極層27およびカソードオーミック電極層28は、トランジスタ形成領域30のエミッタオーミック電極層23、ベースオーミック電極層24およびコレクタオーミック電極層25と、第1抵抗素子形成領域40の抵抗オーミック電極層26aおよび26bと、第2抵抗素子形成領域41の抵抗オーミック電極層26cおよび26dと同一のプロセスにより同時に形成する。
そして、熱容量の大きい石英ボート(図示せず)上にウェハを載せて、約400℃〜約500℃の温度で約30分間熱処理する。このとき、エミッタオーミック電極層23、ベースオーミック電極層24、コレクタオーミック電極層25および抵抗オーミック電極層26a〜26dは、それぞれ、n+型エミッタ拡散層17、p+型ベース拡散層15b、n+型コレクタ補償拡散層18およびp+型ベース拡散層19a〜19dにオーミック接触するとともに、アノードショットキー電極層27は、n型エピタキシャル層13にショットキー接触する。なお、この熱処理が不十分(熱処理不足)である場合、後述するように、オーミック電極層(エミッタオーミック電極層23、ベースオーミック電極層24、コレクタオーミック電極層25および抵抗オーミック電極層26a〜26d)は、半導体層(n+型エミッタ拡散層17、p+型ベース拡散層15b、n+型コレクタ補償拡散層18およびp+型ベース拡散層19a〜19d)に対して良好にオーミック接触されない。
その後、ウェハ状態において、電気特性検査を行う。この電気特性検査では、アノードショットキー電極層27およびn型エピタキシャル層13からなるショットキーバリアダイオードに約10μAの順方向電流IFを通電するとともに、その際にショットキーバリアダイオードに生じる順方向電圧を測定する。
また、本実施形態では、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧が、しきい値電圧(約420mV)よりも大きい場合には、オーミック電極層(エミッタオーミック電極層23、ベースオーミック電極層24、コレクタオーミック電極層25および抵抗オーミック電極層26a〜26d)の半導体層(n+型エミッタ拡散層17、p+型ベース拡散層15b、n+型コレクタ補償拡散層18およびp+型ベース拡散層19a〜19d)に対するオーミック接触が良好であると判断して、安定化電源用ICが良品であると判断する。その一方、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧が、しきい値電圧(約420mV)以下である場合には、オーミック電極層の半導体層に対するオーミック接触が不十分である(良好でない)と判断して、安定化電源用ICが不良品であると判断する。
その後、良品であると判断された安定化電源用ICのみを、後工程においてパッケージングする。この後工程では、安定化電源用ICに200℃前後の熱処理が行われる。
そして、パッケージ状態において、最終の電気特性検査を行い、所定の電気特性が得られた場合、安定化電源用ICが良品であると判断する。
本実施形態では、上記のように、n型エピタキシャル層13およびアノードショットキー電極層27からなるショットキーバリアダイオードの電気特性(順方向電圧)を測定する工程と、アノードショットキー電極層27と同時に形成され、半導体層(n+型エミッタ拡散層17、p+型ベース拡散層15b、n+型コレクタ補償拡散層18およびp+型ベース拡散層19a〜19d)にそれぞれオーミック接触されるオーミック電極層(エミッタオーミック電極層23、ベースオーミック電極層24、コレクタオーミック電極層25および抵抗オーミック電極層26a〜26d)の品質(信頼性)を、ショットキーバリアダイオードの電気特性により評価する工程とを設けることによって、アノードショットキー電極層27とn型エピタキシャル層13とからなるショットキーバリアダイオードの電気特性を測定することにより、アノードショットキー電極層27と同一のプロセスにより同時に形成されたオーミック電極層(エミッタオーミック電極層23、ベースオーミック電極層24、コレクタオーミック電極層25および抵抗オーミック電極層26a〜26d)のそれぞれの半導体層(n+型エミッタ拡散層17、p+型ベース拡散層15b、n+型コレクタ補償拡散層18およびp+型ベース拡散層19a〜19d)に対する接触抵抗などの電気特性を予測することができる。これにより、オーミック電極層が半導体層に良好にオーミック接触されているか否かを判断することができるので、オーミック電極層の品質(信頼性)を評価することができる。このため、ウェハ状態でオーミック電極層のオーミック特性などの電気特性や品質(信頼性)を直接的に評価することが困難である場合にも、ショットキーバリアダイオードの電気特性を測定することにより、ウェハ状態でオーミック電極層のオーミック特性などの電気特性や品質(信頼性)を間接的に評価することができる。その結果、オーミック電極層の電気特性や品質(信頼性)が良好でない場合に、安定化電源用ICを最終製品まで組み立てる必要がないので、最終製品での電気特性検査にて歩留まりが低下するのを抑制することができる。
また、本実施形態では、ショットキーバリアダイオードの電気特性として、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧を用いることによって、オーミック電極層(エミッタオーミック電極層23、ベースオーミック電極層24、コレクタオーミック電極層25および抵抗オーミック電極層26a〜26d)のそれぞれの半導体層(n+型エミッタ拡散層17、p+型ベース拡散層15b、n+型コレクタ補償拡散層18およびp+型ベース拡散層19a〜19d)に対する接触抵抗を容易に予測することができるので、オーミック電極層が半導体層に良好にオーミック接触されているか否かを、容易に判断することができる。これにより、オーミック電極層の接触抵抗(電気特性)や品質(信頼性)を、容易に評価することができる。
また、本実施形態では、ショットキーバリアダイオードの電気特性である順方向電圧が、しきい値電圧(約420mV)よりも大きい場合に、オーミック電極層(エミッタオーミック電極層23、ベースオーミック電極層24、コレクタオーミック電極層25および抵抗オーミック電極層26a〜26d)の品質(信頼性)が良好であると判断することによって、オーミック電極層の品質(信頼性)が良好であるか否かをより容易に判断することができる。
また、本実施形態では、ショットキーバリアダイオードの電気特性である順方向電圧のしきい値電圧を、ショットキーバリアダイオードに約10μAの順方向電流を通電する場合、約420mVにすることによって、オーミック電極層(エミッタオーミック電極層23、ベースオーミック電極層24、コレクタオーミック電極層25および抵抗オーミック電極層26a〜26d)の品質(信頼性)が良好であるか否かを、より容易に判断することができる。
また、本実施形態では、安定化電源用ICを構成する各制御回路に含まれているショットキーバリアダイオードを用いて、電気特性を測定することによって、ショットキーバリアダイオードの電気特性を測定するために、安定化電源用ICに形成される回路とは別に素子(ショットキーバリアダイオード)を形成する必要がない。これにより、ウェハ1枚あたりの安定化電源用ICの取れ数が少なくなるのを抑制することができる。
また、本実施形態では、ショットキーバリアダイオードに、高濃度不純物領域(p+型拡散層)などからなるガードリングを形成しないことによって、ガードリングの大きさや不純物濃度などの製造ばらつきが、ショットキーバリアダイオードの電気特性(順方向電圧)に影響することがないので、ショットキーバリアダイオードの電気特性の精度が低下するのを抑制することができる。
また、本実施形態では、ショットキーバリアダイオードのn型エピタキシャル層13とアノードショットキー電極層27との接触面積を、625μm2にすることによって、ショットキーバリアダイオードのn型エピタキシャル層13とアノードショットキー電極層27との接触面積が製造時にばらつく割合を低減することができるので、ショットキーバリアダイオードの電気特性の精度が低下するのをより抑制することができる。
図3〜図6は、ウェハ状態における電気特性検査の効果を確認するために行った実験を説明するための図である。次に、図2〜図6を参照して、上記したウェハ状態における電気特性検査の効果を確認するために行った実験について説明する。なお、以下の説明では、オーミック電極層として、第1抵抗素子形成領域40および第2抵抗素子形成領域41のオーミック電極層(抵抗オーミック電極層26a〜26d)について実験を行った例を示す。
まず、上記実施形態と同様の構造を有する第1抵抗素子形成領域40、第2抵抗素子形成領域41およびショットキーバリアダイオード形成領域50(図2参照)からなる半導体素子が複数形成された実験用ウェハ(図示せず)を3枚準備した。なお、実験用ウェハには、p+型ベース拡散層19a〜19d(図2参照)と同じ接触面積(約9μm2)を有する接触抵抗テストパターンを形成した。
そして、3枚の実験用ウェハを、それぞれ、約380℃、約400℃および約430℃の温度で約30分間熱処理を行った。また、各実験用ウェハについて、抵抗オーミック電極層26a〜26dのp+型ベース拡散層19a〜19dに対する接触抵抗を、接触抵抗テストパターンを用いて4端子法により測定した。その結果を図3に示す。
図3に示すように、熱処理温度が高くなるにしたがって、抵抗オーミック電極層26a〜26dのp+型ベース拡散層19a〜19dに対する接触抵抗が小さくなることが判明した。すなわち、熱処理温度が高くなるにしたがって、良好なオーミック接触が得られることが判明した。具体的には、約380℃の熱処理を行った実験用ウェハでは、接触抵抗は、約150Ω〜約174Ωであった。また、約400℃の熱処理を行った実験用ウェハでは、接触抵抗は、約82Ω〜約106Ωであった。また、約430℃の熱処理を行った実験用ウェハでは、接触抵抗は、約71Ω〜約85Ωであった。
また、接触抵抗を測定した半導体素子と同一の半導体素子を用いて、アノードショットキー電極層27およびn型エピタキシャル層13からなるショットキーバリアダイオードの順方向電流IF=約10μAにおける順方向電圧を測定した。その結果を図4に示す。
図4に示すように、熱処理温度が高くなるにしたがって、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧が大きくなることが判明した。具体的には、約380℃の熱処理を行った実験用ウェハでは、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧は、約413mV〜約419mVであった。また、約400℃の熱処理を行った実験用ウェハでは、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧は、約432mV〜約452mVであった。また、約430℃の熱処理を行った実験用ウェハでは、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧は、約446mV〜約480mVであった。
以上のように、抵抗オーミック電極層26a〜26dのp+型ベース拡散層19a〜19dに対する接触抵抗、および、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧は、共に熱処理温度に強く依存していることが判明した。また、同一の半導体素子における抵抗オーミック電極層26a〜26dのp+型ベース拡散層19a〜19dに対する接触抵抗と、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧との相関関係を、図5に示す。図5に示すように、抵抗オーミック電極層26a〜26dのp+型ベース拡散層19a〜19dに対する接触抵抗が大きい場合、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧が小さくなるとともに、接触抵抗が小さい場合、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧が大きくなることが判明した。
次に、後工程の熱処理を擬似的に再現するために、上記と同一の半導体素子を、オーブンを用いて約200℃の温度で約180分間熱処理を行った。そして、抵抗オーミック電極層26a〜26dのp+型ベース拡散層19a〜19dに対する接触抵抗を、接触抵抗テストパターンを用いて4端子法により測定した。約200℃の熱処理の前後における接触抵抗の変動を、図6に示す。
図6に示すように、約200℃の熱処理前における接触抵抗が約110Ωよりも小さい場合は、約200℃の熱処理を行なっても接触抵抗が変動しにくく、その一方、約200℃の熱処理前における接触抵抗が約150Ω以上である場合は、約200℃の熱処理により接触抵抗が増加しやすいことが判明した。具体的には、約200℃の熱処理前における接触抵抗が約71Ω〜約106Ωである場合は、約200℃の熱処理後における接触抵抗は約71Ω〜約111Ωになった。また、約200℃の熱処理前における接触抵抗が約150Ω〜約174Ωである場合は、約200℃の熱処理後における接触抵抗は約235Ω〜約292Ωになった。
ここで、約200℃の熱処理(後工程)前において、安定化電源用ICの抵抗オーミック電極層26a〜26dのp+型ベース拡散層19a〜19dに対する4つの接触抵抗Rc1〜Rc4(図2参照)のうちの3つの接触抵抗Rc1〜Rc3が、たとえば約80Ωになるとともに、1つの接触抵抗Rc4が、たとえば約150Ωになったと仮定した場合、抵抗RaおよびRbがそれぞれ、たとえば約4840Ωおよび約8090Ωとすれば、抵抗素子3aの抵抗R1は、約5000Ω(約4840Ω+約80Ω+約80Ω)になるとともに、抵抗素子3bの抵抗R2は、約8320Ω(約8090Ω+約80Ω+約150Ω)になる。これにより、基準電圧(Vref)を、たとえば約1.245Vとすると、上記式(1)を用いれば、出力電圧(Vo)は、約3.316Vになる。
そして、約200℃の熱処理(後工程)後において、安定化電源用ICの抵抗オーミック電極層26a〜26dのp+型ベース拡散層19a〜19dに対する4つの接触抵抗Rc1〜Rc4のうちの3つの接触抵抗Rc1〜Rc3が約80Ωのままであるとともに、1つの接触抵抗Rc4が、たとえば約300Ωに増加したと仮定した場合、抵抗素子3aの抵抗R1は、約5000Ω(約4840Ω+約80Ω+約80Ω)のままであるとともに、抵抗素子3bの抵抗R2は、約8470Ω(約8090Ω+約80Ω+約300Ω)に増加する。これにより、基準電圧(Vref)を、たとえば約1.245Vとすると、上記式(1)を用いれば、出力電圧(Vo)は、約3.354Vに増加する。
すなわち、約200℃の熱処理(後工程)の前後において、出力電圧(Vo)が約1.1%(=(3.354/3.316−1)×100)増加する。安定化電源用ICでは、一般的に約±2%以内の出力電圧精度が要求されているので、約200℃の熱処理(後工程)前のウェハ状態における電気特性検査において良品であると判断された安定化電源用ICであっても、接触抵抗が大きい場合(約150Ω以上の場合)には、後工程後のパッケージ状態における最終の電気特性検査で不良品になる可能性が大きいと考えられる。
また、図5に示したように、約200℃の熱処理(後工程)前における接触抵抗が約150Ω以上である場合は、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧は約420mV以下になるので、後工程前のウェハ状態における電気特性検査において、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧が約420mVよりも大きい場合は、安定化電源用ICが良品であると考えられ、約420mV以下である場合は、不良品になると考えられる。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
たとえば、上記実施形態では、安定化電源用ICに適用した例について示したが、本発明はこれに限らず、安定化電源用IC以外の半導体装置に適用してもよい。
また、上記実施形態では、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧のしきい値電圧を、約420mVにした例について示したが、本発明はこれに限らず、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧のしきい値電圧を、約420mV以外の値にしてもよい。ショットキーバリアダイオードの順方向電圧は、アノードショットキー電極層とn型エピタキシャル層との接触面積によって変化するので、アノードショットキー電極層とn型エピタキシャル層との接触面積が、たとえば約2500μm2である場合、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧のしきい値電圧を、約380mVにしてもよい。
また、上記実施形態では、ショットキーバリアダイオードに約10μAの順方向電流IFを通電した例について示したが、本発明はこれに限らず、ショットキーバリアダイオードに通電する順方向電流IFを、約10μA以外の値にしてもよい。ショットキーバリアダイオードの順方向電圧特性は、ショットキーバリアダイオードの製造条件や、アノードショットキー電極層とn型エピタキシャル層との接触面積などによって変化するので、予めショットキーバリアダイオードの順方向電圧特性(波形)を評価して、ショットキーバリアダイオードに通電する順方向電流IFを適正化すればよい。
また、上記実施形態では、電極層(アノードショットキー電極層27、エミッタオーミック電極層23、ベースオーミック電極層24、コレクタオーミック電極層25および抵抗オーミック電極層26a〜26d)を、Al−Siにより形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、電極層(アノードショットキー電極層27、エミッタオーミック電極層23、ベースオーミック電極層24、コレクタオーミック電極層25および抵抗オーミック電極層26a〜26d)を、Alにより形成してもよい。この場合、図7に示すように、ショットキーバリアダイオードに約10μAの順方向電流IFを通電すると、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧が約350mVよりも大きい場合には、接触抵抗が約110Ωよりも小さくなりオーミック接触が良好である一方、順方向電圧が約350mV以下である場合には、接触抵抗が約150Ωよりも大きくなりオーミック接触が良好でないので、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧のしきい値電圧を、約350mVにすればよい。なお、図7は、電極層をAlにより形成した場合におけるショットキーバリアダイオードの順方向電圧とオーミック電極層の接触抵抗との関係を示した図であり、前述した実験と同様の実験を行って得た結果である。
また、上記実施形態では、ショットキーバリアダイオードのアノードショットキー電極層とn型エピタキシャル層との接触面積を約625μm2にした例について示したが、本発明はこれに限らず、ショットキーバリアダイオードのアノードショットキー電極層とn型エピタキシャル層との接触面積を約625μm2以外の値にしてもよい。この場合、接触面積を約625μm2よりも大きくするのが好ましい。
また、上記実施形態では、トランジスタ形成領域にnpnトランジスタを形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、pnpトランジスタであっても良い。
また、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧を測定するために、必要に応じて、電極取出用配線と接触抵抗テストパターンとを設けてもよい。
13 n型エピタキシャル層(第1半導体層)
15b p+型ベース拡散層(第2半導体層)
17 n+型エミッタ拡散層(第2半導体層)
18 n+型コレクタ補償拡散層(第2半導体層)
19a、19b、19c、19d p+型ベース拡散層(第2半導体層)
23 エミッタオーミック電極層(オーミック電極層)
24 ベースオーミック電極層(オーミック電極層)
25 コレクタオーミック電極層(オーミック電極層)
26a、26b、26c、26d 抵抗オーミック電極層(オーミック電極層)
27 アノードショットキー電極層(導電層)
15b p+型ベース拡散層(第2半導体層)
17 n+型エミッタ拡散層(第2半導体層)
18 n+型コレクタ補償拡散層(第2半導体層)
19a、19b、19c、19d p+型ベース拡散層(第2半導体層)
23 エミッタオーミック電極層(オーミック電極層)
24 ベースオーミック電極層(オーミック電極層)
25 コレクタオーミック電極層(オーミック電極層)
26a、26b、26c、26d 抵抗オーミック電極層(オーミック電極層)
27 アノードショットキー電極層(導電層)
Claims (13)
- 第1半導体層および導電層からなるショットキーバリアダイオードの電気特性を測定する工程と、
前記導電層と同時に形成され、第2半導体層にオーミック接触されるオーミック電極層の品質を、前記ショットキーバリアダイオードの電気特性により評価する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の品質評価方法。 - 前記ショットキーバリアダイオードの電気特性を測定する工程は、前記ショットキーバリアダイオードに所定の大きさの順方向電流を通電するとともに、前記ショットキーバリアダイオードに生じる順方向電圧を測定する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の品質評価方法。
- 前記オーミック電極層の品質を評価する工程は、前記ショットキーバリアダイオードの電気特性である順方向電圧が、しきい値電圧以上、または、しきい値電圧よりも大きい場合に、前記オーミック電極層の品質が良好であると判断する工程を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の品質評価方法。
- 前記導電層および前記オーミック電極層は、Al−Siにより構成されていることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置の品質評価方法。
- 前記ショットキーバリアダイオードの電気特性である順方向電圧のしきい値電圧は、前記ショットキーバリアダイオードに10μAの順方向電流を通電する場合、420mVであることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の品質評価方法。
- 前記導電層および前記オーミック電極層は、Alにより構成されていることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置の品質評価方法。
- 前記ショットキーバリアダイオードの電気特性である順方向電圧のしきい値電圧は、前記ショットキーバリアダイオードに10μAの順方向電流を通電する場合、350mVであることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の品質評価方法。
- 前記ショットキーバリアダイオードは、半導体装置に形成される回路を構成する素子の一部であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体装置の品質評価方法。
- 前記ショットキーバリアダイオードには、ガードリングが形成されていないことを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体装置の品質評価方法。
- 前記ショットキーバリアダイオードの前記第1半導体層と前記導電層との接触面積は、625μm2以上であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体装置の品質評価方法。
- 前記オーミック電極層の品質を評価する工程は、ウェハ状態において、前記オーミック電極層の品質を評価する工程を含むことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体装置の品質評価方法。
- 第1半導体層および第2半導体層上にそれぞれ同時に導電層およびオーミック電極層を形成することにより、前記第1半導体層および前記導電層からなるショットキーバリアダイオードと、前記第2半導体層にオーミック接触されるオーミック電極層とを形成する工程と、
上記請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置の品質評価方法を用いて、前記オーミック電極層の品質を評価する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体装置は、安定化電源用ICであることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2007179655A JP2009016733A (ja) | 2007-07-09 | 2007-07-09 | 半導体装置の品質評価方法および製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109643667A (zh) * | 2016-09-01 | 2019-04-16 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的测定方法 |
JP2019087699A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-06 | ミツミ電機株式会社 | レギュレータ用半導体集積回路 |
CN116561985A (zh) * | 2023-04-18 | 2023-08-08 | 中国科学院国家空间科学中心 | 一种二极管质量可靠性快速评价方法及系统 |
-
2007
- 2007-07-09 JP JP2007179655A patent/JP2009016733A/ja active Pending
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