JP2009267032A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents

半導体装置とその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009267032A
JP2009267032A JP2008114020A JP2008114020A JP2009267032A JP 2009267032 A JP2009267032 A JP 2009267032A JP 2008114020 A JP2008114020 A JP 2008114020A JP 2008114020 A JP2008114020 A JP 2008114020A JP 2009267032 A JP2009267032 A JP 2009267032A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
diode
insulating film
electrode
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008114020A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaki Konishi
正樹 小西
Hirokazu Fujiwara
広和 藤原
Takeo Yamamoto
武雄 山本
Takeshi Endo
剛 遠藤
Hidekazu Okuno
英一 奥野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Denso Corp
Toyota Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp, Toyota Motor Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2008114020A priority Critical patent/JP2009267032A/ja
Priority to DE102009016680A priority patent/DE102009016680A1/de
Priority to US12/385,594 priority patent/US20090267082A1/en
Publication of JP2009267032A publication Critical patent/JP2009267032A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861Diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/0445Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
    • H01L21/048Making electrodes
    • H01L21/0495Schottky electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66053Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
    • H01L29/6606Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70Bipolar devices
    • H01L29/72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H01L29/7393Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
    • H01L29/7395Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861Diodes
    • H01L29/872Schottky diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1608Silicon carbide

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】 半導体装置の小型化を実現するとともに、高い耐圧特性を持つ半導体装置を提供する。
【解決手段】 ダイオード100は、SiC基板2の表面にn型のドリフト層6と、p型のガードリング領域8と、アノード電極10と、カソード電極12を備えている。ダイオード100では、アノード電極10の端部10aを覆う位置からSiC基板2の側面まで連続して絶縁膜であるSOG4が形成されている。ダイオード100に逆方向の高電圧が印加されたときに、SOG4が接地電位となるアノード電極10の端部10aに接する位置から高電位となるSiC基板の側面2aに接する位置までの距離を確保することができる。アノード電極10と終端領域の距離を離さなくても、SOG4の距離を確保することによって、沿面放電の発生を抑制することができる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、半導体装置とその製造方法に関する。
耐圧特性の高い半導体装置が必要とされている。例えば、ダイオードの逆方向に高い電圧を印加しても主電極の間に電流が流れない半導体装置が必要とされている。あるいは、ゲート電極にゲートオン電圧を印加しない状態で一対の主電極の間に高い電圧を印加しても、主電極の間に電流が流れない半導体装置が必要とされている。
半導体素子を構成する半導体構造を改良することによって、高い耐圧特性を確保することができるようになっている。またSiC等の材料を利用することによって、高い耐圧特性を確保することができるようになっている。しかしながら半導体装置の耐圧には、半導体素子の内部における耐圧だけでは決まらず、半導体装置の表面に沿って放電するいわゆる沿面放電の起きやすさにも依存する。沿面放電が起きやすければ、半導体装置の耐圧特性は低下する。
特許文献1に、高い逆耐圧特性を実現したダイオードが開示されている。このダイオードでは、n型のドリフト層の表面にp型のアノード領域が形成されている。ダイオードの終端領域には電界集中を抑制するためのターミネーション領域が形成されている。この技術によると、ダイオードの表面に形成されているアノード電極がターミネーション領域から所定の距離だけ離されて形成されていることによって、逆方向電圧の印加時に空乏層が終端領域に向けて広げられる。半導体装置の表面に沿って観測したときに、アノード電極の一部が表面保護膜で覆われており、アノード電極から電位の高いターミネーション領域の外縁までの距離が確保されているため、沿面放電の発生を抑制することができる。その結果、高い耐圧特性を確保することができる。
特開2003−197921号公報
半導体装置の小型化が進められている。半導体装置を小型化していくと、電極と半導体装置の終端領域との距離が小さくなる。電極と終端領域との距離が小さくなると、例えばダイオードの耐圧試験等において逆方向の高電圧を印加したときに、空乏層が終端領域を超える位置まで伸びてしまうことがある。この場合、接地電位になっているアノード電極と高電位になっている終端領域の間の電位勾配が急になり、沿面放電が発生しやすくなる。その結果、半導体装置内部の耐電圧よりも低い電圧で半導体装置の外周に沿面放電が発生しやすくなる。沿面放電が発生すると半導体装置の耐圧が低下する。上記した特許文献1のダイオードでは、アノード電極をターミネーション領域から所定の距離だけ離すことによって沿面放電の発生を抑制している。現在の技術では、耐圧を低下させないで半導体装置の小型化を実現することができない。なおこれはダイオードに限らず、MOSやIGBT等のスイッチング素子に高電圧を印加したときにもみられる問題である。
本発明は、上記の課題を解決するために提案された。本発明は、半導体装置の小型化を実現するとともに、高い耐圧特性を持つ半導体装置を提供することを目的とする。また、そのような半導体装置を製造する方法を提供することをも目的とする。
本発明の半導体装置は、半導体素子と、半導体素子の第1主面の一部に形成されている第1主電極と、半導体素子の第2主面に形成されている第2主電極を備えている。第2主電極は半導体素子の第2主面の一部に形成されていてもよいし、第2主面の全面に形成されていてもよい。
本発明の半導体装置は、第1主電極の少なくとも一部を覆う位置から第1主面に沿って半導体素子の側面まで連続して伸びている絶縁膜を備えている。絶縁膜で覆われている第1主電極の範囲は限定されない。外部との導通が取れてさえいれば、第1主電極のほぼ全面が絶縁膜で覆われていてもよい。絶縁膜は、第1主電極の一部と第1主面と半導体素子の側面を連続して覆っている。半導体素子の側面は、全面が絶縁膜で覆われていてもよいし、一部が露出していてもよい。絶縁膜の材料は限定されない。
本発明の半導体装置によると、絶縁膜が第1主電極の一部から半導体素子の側面まで連続して形成されている。そのため、半導体装置に高電圧が印加されたときに、大きな電位差が発生する絶縁膜の一方の端部(絶縁膜が第1主電極に接する位置)から絶縁膜の他方の端部(絶縁膜が半導体素子の側面に接する位置)までの距離を確保することができる。第1主電極と終端領域の間を離して形成しなくても、絶縁膜の距離を確保することによって、沿面放電の発生を抑制することができる。本発明の半導体装置によると、半導体装置の小型化を実現するとともに、沿面放電を抑えて高い耐圧特性を確保することができる。
本発明の半導体装置では、絶縁膜が、第2主電極の側面まで連続して伸びていることが好ましい。第2主電極は、外部との導通が取れてさえいれば、ほぼ全面が絶縁膜で覆われていてもよい。絶縁膜の一方の端部(絶縁膜が第1主電極に接する位置)から絶縁膜の他方の端部(絶縁膜が第2主電極の側面に接する位置)までの距離を確保することができる。さらに絶縁膜が第2主電極の側面まで伸びていることによって、終端領域である半導体装置の側面の全面が絶縁膜と接しているため、高電圧が印加されても沿面放電の発生をさらに抑制することができる。
本発明の半導体装置では、半導体素子が炭化珪素を材料として形成されていることが好ましい。炭化珪素はシリコン等に比して絶縁破壊に至る電界強度が約10倍高い。そのため炭化珪素を材料として半導体素子を形成すると、半導体装置の小型化を実現するとともに、オン抵抗をも低減することができる。その一方において、炭化珪素を用いた半導体装置は、シリコン等による半導体装置よりも高い電圧で用いることから、沿面放電が発生しやすい。シリコン等の場合には大きな問題とならなかった沿面放電が半導体装置の耐圧を支配しやすい。本発明は、炭化珪素を用いる半導体装置に用いる場合に特に有効である。
本発明の半導体装置を製造する方法は、半導体素子の素子構造が形成されている半導体基板の第1主面の一部に第1主電極を形成する工程(第1主電極形成工程)と、半導体基板の第2主面に第2主電極を形成する工程(第2主電極形成工程)を備えている。第2主電極は、半導体基板の第2主面の一部に形成してもよいし、全面に形成してもよい。また、第2主電極形成工程を行う順番は限定されない。例えば後記する掘削工程の前に行ってもよいし、掘削工程の後に行ってもよい。
本発明の半導体装置を製造する方法は、第1主電極を形成した後に、半導体基板を複数個の半導体装置に分割するための分割線に沿って、半導体基板の第1主面から半導体基板を貫通しない深さまで掘削して溝を形成する工程(掘削工程)を備えている。掘削方法は限定されない。例えば分割線に沿ってハーフダイシングを行ってもよいし、エッチングを行ってもよい。
本発明の半導体装置を製造する方法は、半導体基板を掘削して溝を形成した後に、その溝の内部に絶縁材料を充填する工程(充填工程)を備えている。絶縁材料は、溝に充填するだけでなく、第1主電極と第1主面を覆うように塗布してもよい。絶縁材料は限定されない。
充填工程の後に、例えば第1主電極の一部のみが露出するように絶縁材料を選択的に固化することによって絶縁膜を形成してもよい。また、絶縁膜を固化した後に第1主電極の一部が露出するように絶縁膜の一部をエッチングしてもよい。また、絶縁膜を固化した後に、分割線に沿って半導体基板の第2主面から半導体基板を貫通しない深さまで掘削して溝を形成し、その後にその溝に絶縁材料をさらに充填することによって第2主電極の側面まで伸びる絶縁膜を形成してもよい。
本方法によると、第1主電極の一部を覆っている位置から半導体素子の側面まで連続して伸びている絶縁膜を備えている半導体装置を製造することができる。小型であるとともに、高い耐圧特性を持つ半導体装置を製造することができる。
本発明の半導体装置によると、半導体装置の小型化を実現するとともに、高い耐圧特性を持つ半導体装置を提供することができる。またそのような半導体装置を製造することができる。
下記に説明する実施例の好ましい特徴を列記する。
(第1特徴) 終端領域に、ドリフト層と異なる導電型のガードリング領域を形成する。(第2特徴) アノード電極のうち外部との導通部分を除く全ての範囲を絶縁膜で覆う。
(第3特徴) カソード電極の表面にまでは絶縁膜を形成しない。
(第1実施例)
図1に、本発明の第1実施例であるダイオード(半導体装置)100の断面図を示す。ダイオード100はショットキーバリアダイオードである。ダイオード100は、n型のSiC(炭化珪素)基板2の表面(第1主面)にn型のドリフト層6を備えている。ダイオード100の終端領域であってドリフト層6の表面の一部には、p型のガードリング領域8が形成されている。p型のガードリング領域8は、ダイオード100の第1主面を平面視したときに、ドリフト層6の輪郭の内側を一巡している。終端領域にガードリング領域8が形成されていることによって、ダイオード100に逆方向の電圧が印加されたときに空乏層を終端領域まで伸ばすことができ、ダイオード100の耐圧を向上させることができる。ドリフト層6の表面の一部には、アノード電極10が形成されている。アノード電極10はガードリング領域8の内側の範囲に形成されており、アノード電極10の一部はガードリング領域8と接している。SiC基板2の裏面(第2主面)には。カソード電極12が形成されている。ダイオード100では、アノード電極10の端部10aを覆う位置からドリフト層6の側面6aを経由してSiC基板2の側面2aまで連続してSOG(Spin on glass)(絶縁膜)4が伸びている。
図2〜図5に、ダイオード100を製造する方法を示す。
図2に示すように、n型のSiC基板2の表面にn型のドリフト層6をエピタキシャル成長させる。SiC基板2の不純物濃度は1×1019cm−3であり、厚みは350μmである。ドリフト層6の不純物濃度は5×1015cm−3であり、厚みは13μmである。次にダイオード100の終端領域であってドリフト層6の表面の一部に、p型のガードリング領域8を形成する。ガードリング領域8は、ドリフト層6の表面の一部にAl(アルミニウム)をイオン注入することによって形成する。その後に1600℃に加熱して活性化処理を行う。ガードリング領域8の不純物濃度は1×1019cm−3であり、厚みは0.8μmである。次にSiC基板2の裏面にスパッタリング法によってオーミック電極を成膜する。オーミック電極の材料にはNi(ニッケル)を用いる。その後、1000℃まで加熱してNiをシリサイド化する。シリサイド化したオーミック電極は、カソード電極12の一部となる。次にドリフト層6の表面に真空蒸着法によってショットキー電極と接合用のAl(アルミニウム)電極を成膜し、アノード電極10を形成する。ショットキー電極の材料には、例えばTi(チタン)等を用いる。その後にシリサイド化したオーミック電極の裏面に、接合用のTi/Ni/Al(チタン/ニッケル/アルミニウム)等を蒸着し、カソード電極12を形成する。
次に図3に示すように、ダイシングライン(分割線)(図示はしない)に沿ってドリフト層6の表面からSiC基板2を貫通しない深さまでハーフダイシングを行い、溝14を形成する。ダイシングする深さは250μmである。次に溝14に液体のSOG4を充填するとともに、SiC基板2の表面全面に液体のSOG4を塗布する。SOG4は感光性のものを用いる。次にSOG4を熱処理して硬化させる。次にフォトリソグラフィーを利用して、アノード電極10の端部10aを除いた範囲が露出するようにSOG4の一部を開口する。次にSiC基板2の裏面からダイシングラインに沿ってダイシングを行い、個々のダイオードに切り分けることによって、図1に示すダイオード100を製造することができる。
ダイオード100によると、絶縁膜であるSOG4がアノード電極の端部10aからドリフト層の側面6aを経由してSiC基板2の側面2aまで連続して形成されている。そのため、ダイオード100に逆方向の高電圧が印加されたときに、絶縁膜4が接地電位となるアノード電極10の端部10aに接する位置から、絶縁膜4が高電位となるSiC基板の側面2aに接する位置までの距離を確保することができる。アノード電極と終端領域の間を大きく離さなくても、SOG4の距離を確保することで、沿面放電の発生を抑制することができる。ダイオードの小型化を実現するとともに、高い耐圧特性を確保することができる。またダイオード100は、炭化珪素を材料として形成されているため、オン抵抗をも低減することができる。
ダイオード100に逆方向の高電圧が印加されたときに接地電位となっているアノード電極10のうち、電極の端部10aから最も沿面放電が発生しやすい。ダイオード100によると、アノード電極10の端部10aが絶縁膜であるSOG4で覆われているため、アノード電極10からの沿面放電の発生を抑制することもできる。さらにダイオード100では、小型化を実現することによって製造コストを低減することもできる。ダイオード100は、SiCで形成されており、高い電圧を印加して用いる。このとき絶縁膜4がなければ、沿面放電が発生するような高電圧を印加しても、SiC半導体装置の内部構造は正常に機能し続ける。絶縁膜4を形成して沿面放電の発生を抑制したために、絶縁膜4がなければ沿面放電が発生するような高電圧でも用いることができる。
(第2実施例)
図4に、本発明の第2実施例であるダイオード(半導体装置)200の断面図を示す。ダイオード200はショットキーバリアダイオードである。ダイオード200の構造は、絶縁膜が形成されている範囲のみがダイオード100と異なる。そのため、絶縁膜以外の構造については説明を省略する。ダイオード200では、アノード電極10のうち外部との導通部10bを除く範囲がSOG16で覆われている。ダイオード200では、SOG16がアノード電極10の一部からドリフト層6の側面6aとSiC基板2の側面2aを経由してカソード電極12の側面12aまで連続して伸びている。
次にダイオード200の製造方法を示す。SiC基板2をダイシングラインに沿ってドリフト層6の表面からハーフダイシングする工程まではダイオード100の製造方法と同様であるので説明を省略する。
ハーフダイシングを行った後、溝14に液体のSOG16を充填するとともに、SiC基板2の表面全面に液体のSOG16を塗布する。次にSOG16を熱処理して硬化させる。次にフォトリソグラフィーを利用して、アノード電極10のうち外部との導通部分10bのみがSOG16から露出するようにSOG16を選択的に露光して現像処理する。
次に図5に示すように、SiC基板2の裏面からSiC基板2を貫通しない深さまでハーフダイシングを行い、第2の溝18を形成する。次に、第2の溝18に液体のSOG16を充填する。次に熱処理を行って、第2の溝18に充填しているSOG16を硬化する。次にフォトリソグラフィーを利用して、カソード電極12の表面のみがSOG16から露出するようにSOG16を選択的に露光して現像処理する。次にSiC基板2の裏面からダイシングラインに沿ってダイシングを行い、個々のダイオードに切り分けることによって、図4に示すダイオード200を製造することができる。
ダイオード200によると、絶縁膜であるSOG16がアノード電極10からカソード電極12の側面12aまで連続して形成されている。そのため、ダイオード100に逆方向の高電圧が印加されたときに、SOG16が接地電位となるアノード電極10に接する位置から、高電位となるカソード電極12の側面12aに接する位置までの距離を確保することができる。さらにダイオード200ではSOG16がカソード電極12の側面12aまで伸びているため、沿面放電の発生が防止される。アノード電極と終端領域の間を大きく離さなくても、SOG16の距離を確保することによって、沿面放電の発生を抑制することができる。ダイオードの小型化を実現するとともに、高い耐圧特性を確保することができる。
本発明の半導体装置では、終端領域にドリフト層と異なる導電型のガードリング領域を形成することが好ましい。ガードリング領域を形成することによって、ガードリング領域の近傍で電界集中が緩和され、半導体装置の耐圧を向上させることができる。
本発明の半導体装置では、アノード電極のうち外部との導通部分を除く全ての範囲を絶縁膜で覆うことが好ましい。アノード電極からの沿面放電の発生を効果的に抑制することができる。
本発明の半導体装置では、カソード電極の表面にまでは絶縁膜を形成しないことが好ましい。半導体装置を回路基板に実装する際に、カソード電極が回路基板に取り付けられることが多い。絶縁膜がカソード電極の側面に接する位置まで伸びており、カソード電極の表面にまで及んでいなければ、半導体装置を回路基板に容易に取り付けることができる。
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
例えば、実施例ではショットキーバリアダイオードを記載したが、他の種類のダイオードであってもよい。またはMOSやIGBT等、他の種類の半導体装置であってもよい。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
本発明の第1実施例であるダイオード100の断面図を示す。 ダイオード100を製造する方法の工程(1)を示す。 ダイオード100を製造する方法の工程(2)を示す。 本発明の第2実施例であるダイオード200の断面図を示す。 ダイオード200を製造する方法の工程を示す。
符号の説明
2:SiC基板(半導体素子)
4、16:SOG(絶縁膜)
6:ドリフト層(半導体素子)
8:ガードリング領域
10:アノード電極(第1主電極)
10a:アノード電極の端部
10b:(アノード電極の)外部との導通部分
12:カソード電極(第2主電極)
14:溝
18:第2の溝
100、200:ダイオード(半導体装置)

Claims (4)

  1. 半導体素子と、
    その半導体素子の第1主面の一部に形成されている第1主電極と、
    前記半導体素子の第2主面に形成されている第2主電極と、
    前記第1主電極の少なくとも一部を覆う位置から前記第1主面に沿って前記半導体素子の側面まで連続して伸びている絶縁膜を備えていることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記絶縁膜が、前記第2主電極の側面まで連続して伸びていることを特徴とする請求項1の半導体装置。
  3. 前記半導体素子が炭化珪素を材料として形成されていることを特徴とする請求項1又は2の半導体装置。
  4. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置を製造する方法であり、
    内部に前記半導体素子の素子構造が形成されている半導体基板の第1主面の一部に前記第1主電極を形成する第1主電極形成工程と、
    前記半導体基板の第2主面に前記第2主電極を形成する第2主電極形成工程と、
    前記第1主電極形成工程の後に、前記半導体基板を複数個の前記半導体装置に分割するための分割線に沿って、前記半導体基板の第1主面から前記半導体基板を貫通しない深さまで掘削して溝を形成する掘削工程と、
    前記掘削工程の後に、その溝の内部に絶縁材料を充填する充填工程を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP2008114020A 2008-04-24 2008-04-24 半導体装置とその製造方法 Pending JP2009267032A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008114020A JP2009267032A (ja) 2008-04-24 2008-04-24 半導体装置とその製造方法
DE102009016680A DE102009016680A1 (de) 2008-04-24 2009-04-07 Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US12/385,594 US20090267082A1 (en) 2008-04-24 2009-04-14 Semiconductor device and manufacturing method of the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008114020A JP2009267032A (ja) 2008-04-24 2008-04-24 半導体装置とその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009267032A true JP2009267032A (ja) 2009-11-12

Family

ID=41112086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008114020A Pending JP2009267032A (ja) 2008-04-24 2008-04-24 半導体装置とその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20090267082A1 (ja)
JP (1) JP2009267032A (ja)
DE (1) DE102009016680A1 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013152982A (ja) * 2012-01-24 2013-08-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びこれを備えた半導体モジュール
JP2013187438A (ja) * 2012-03-09 2013-09-19 Mitsubishi Electric Corp 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
US9595584B2 (en) 2012-03-12 2017-03-14 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
WO2018078799A1 (ja) * 2016-10-28 2018-05-03 三菱電機株式会社 半導体装置および電力変換装置
WO2018179768A1 (ja) * 2017-03-29 2018-10-04 Tdk株式会社 半導体装置
WO2018190271A1 (ja) * 2017-04-14 2018-10-18 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置、電力変換装置、炭化珪素半導体装置の製造方法、および電力変換装置の製造方法
WO2021117345A1 (ja) * 2019-12-12 2021-06-17 ローム株式会社 チップ部品およびチップ部品の製造方法
WO2021229875A1 (ja) * 2020-05-14 2021-11-18 株式会社日立製作所 半導体装置およびその製造方法
JP7408097B2 (ja) 2020-09-29 2024-01-05 株式会社島津製作所 放電イオン化検出器およびガスクロマトグラフ分析装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8530902B2 (en) 2011-10-26 2013-09-10 General Electric Company System for transient voltage suppressors
DE102011122091A1 (de) * 2011-12-22 2013-06-27 Diotec Semiconductor Ag Schottky-Halbleiterprozess
JP6526343B2 (ja) * 2016-09-01 2019-06-05 三菱電機株式会社 半導体装置の測定方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4044332B2 (ja) 2001-12-26 2008-02-06 関西電力株式会社 高耐電圧半導体装置
JP3914226B2 (ja) * 2004-09-29 2007-05-16 株式会社東芝 高耐圧半導体装置

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013152982A (ja) * 2012-01-24 2013-08-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びこれを備えた半導体モジュール
JP2013187438A (ja) * 2012-03-09 2013-09-19 Mitsubishi Electric Corp 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
US9263525B2 (en) 2012-03-09 2016-02-16 Mitsubishi Electric Corporation Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method thereof
US10211285B2 (en) 2012-03-12 2019-02-19 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
US9595584B2 (en) 2012-03-12 2017-03-14 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
US11862672B2 (en) 2012-03-12 2024-01-02 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
US11075263B2 (en) 2012-03-12 2021-07-27 Rohm Co, , Ltd. Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
WO2018078799A1 (ja) * 2016-10-28 2018-05-03 三菱電機株式会社 半導体装置および電力変換装置
JP2018170305A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 Tdk株式会社 半導体装置
US11164953B2 (en) 2017-03-29 2021-11-02 Tdk Corporation Semiconductor device
WO2018179768A1 (ja) * 2017-03-29 2018-10-04 Tdk株式会社 半導体装置
JPWO2018190271A1 (ja) * 2017-04-14 2019-11-07 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置、電力変換装置、炭化珪素半導体装置の製造方法、および電力変換装置の製造方法
WO2018190271A1 (ja) * 2017-04-14 2018-10-18 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置、電力変換装置、炭化珪素半導体装置の製造方法、および電力変換装置の製造方法
WO2021117345A1 (ja) * 2019-12-12 2021-06-17 ローム株式会社 チップ部品およびチップ部品の製造方法
WO2021229875A1 (ja) * 2020-05-14 2021-11-18 株式会社日立製作所 半導体装置およびその製造方法
JP7461210B2 (ja) 2020-05-14 2024-04-03 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JP7408097B2 (ja) 2020-09-29 2024-01-05 株式会社島津製作所 放電イオン化検出器およびガスクロマトグラフ分析装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE102009016680A1 (de) 2009-10-29
US20090267082A1 (en) 2009-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009267032A (ja) 半導体装置とその製造方法
JP6241572B2 (ja) 半導体装置
JP4535151B2 (ja) 炭化珪素半導体装置の製造方法
US10020367B2 (en) Silicon carbide semiconductor device
JP6202944B2 (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP6296445B2 (ja) ショットキーバリアダイオード
US9728607B2 (en) Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device
JP2008251772A (ja) 半導体装置
JP6411258B2 (ja) 半導体装置
JP2010109221A (ja) 半導体装置
JP4910304B2 (ja) 半導体装置
US10340147B2 (en) Semiconductor device with equipotential ring contact at curved portion of equipotential ring electrode and method of manufacturing the same
JP5556863B2 (ja) ワイドバンドギャップ半導体縦型mosfet
JP2010251404A (ja) 半導体装置
JP5547022B2 (ja) 半導体装置
JP2009182217A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2012004466A (ja) 半導体装置
US11342435B2 (en) Wide-gap semiconductor device
WO2017149743A1 (ja) ワイドギャップ型半導体装置
JP2017098578A (ja) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP2014132678A (ja) 半導体装置