JP6388024B2 - 窒化ガリウム結晶の製造方法 - Google Patents

窒化ガリウム結晶の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6388024B2
JP6388024B2 JP2016508452A JP2016508452A JP6388024B2 JP 6388024 B2 JP6388024 B2 JP 6388024B2 JP 2016508452 A JP2016508452 A JP 2016508452A JP 2016508452 A JP2016508452 A JP 2016508452A JP 6388024 B2 JP6388024 B2 JP 6388024B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gallium
sodium
alloy
nitride crystal
gallium nitride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016508452A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2015141064A1 (ja
Inventor
佐藤 隆
隆 佐藤
正二 皿山
正二 皿山
昌弘 林
昌弘 林
直哉 三好
直哉 三好
千春 木村
千春 木村
和田 純一
純一 和田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Publication of JPWO2015141064A1 publication Critical patent/JPWO2015141064A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6388024B2 publication Critical patent/JP6388024B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
    • C30B9/04Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution
    • C30B9/08Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution using other solvents
    • C30B9/10Metal solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403AIII-nitrides
    • C30B29/406Gallium nitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/007Apparatus for preparing, pre-treating the source material to be used for crystal growth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
    • C30B9/04Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution
    • C30B9/08Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution using other solvents
    • C30B9/12Salt solvents, e.g. flux growth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Description

本発明は、窒化ガリウム結晶の製造方法に関し、特にフラックス法を用いた製造方法において残留したガリウムを回収する技術に関する。
窒化ガリウム結晶等の13族窒化物結晶を製造する方法として、フラックス法が知られている。フラックス法とは、反応容器内にアルカリ金属又はアルカリ土類金属及び13族元素を含む混合融液(フラックス)を形成し、混合融液中に窒素ガス等の原料ガスを溶解して過飽和状態にすることにより、混合融液中で13族窒化物結晶の自発核を成長させる、又は種結晶を核として13族窒化物結晶を成長させる方法である。
フラックス法により結晶成長を行う場合、成長工程の終了後の反応容器内には、窒化ガリウム結晶、アルカリ金属又はアルカリ土類金属、13族元素、及びアルカリ金属又はアルカリ土類金属と13族元素とからなる合金が残留する。従って、反応容器から13族窒化物結晶を取り出すためには、アルカリ金属又はアルカリ土類金属、13族元素、及びアルカリ金属又はアルカリ土類金属と13族元素とからなる合金を除去する必要がある。
また、混合融液として用いるアルカリ金属又はアルカリ土類金属及び13族元素を回収し、再利用することにより、量産時の生産性を向上させることができる。そのため、混合融液を再利用可能な状態で回収することが望まれている。アルカリ金属としてナトリウム(Na)、13族元素としてガリウム(Ga)を使用して窒化ガリウム(GaN)結晶を製造する場合において、結晶成長終了後の反応容器内に残留するナトリウム、ガリウム、Ga−Na合金の除去に関する方法として以下のような開示がある。
反応容器からナトリウムを除去する方法として、アルコール(主にエタノール)や水とナトリウムを反応させ、ナトリウムをイオン化する(エタノールの場合はナトリウムエトキシド、水の場合は水酸化ナトリウム水溶液にする)方法が知られている。この除去方法は、反応性が高く、アルコール類への着火、水素ガスの爆発等の危険性を有する。特許文献1は、アルコール及び水の温度管理を行うことにより安全性を確保する方法を開示している。また、特許文献2は、灯油等のナトリウムとは非反応性の媒体中でナトリウムを融点以上に加熱して融解し、ナトリウムを液体状態で分離・回収する方法を開示している。
反応容器からガリウムを除去する方法として、塩酸、硝酸、王水等の強酸とガリウムとを反応させ、ガリウムをイオン化することで除去する方法が知られている。特許文献3,4は、反応容器からナトリウムを除去した後、反応容器内に残留しているガリウムを融点(29.8℃)以上に加熱することにより、ガリウムを結晶上から取り除く方法を開示している。Ga−Na合金(金属間化合物)を除去する方法として、非特許文献1のように、当該合金と王水とを反応させ、合金を構成する元素をイオン化する方法が知られている。
フラックス法で窒化ガリウム結晶を製造する場合、その原料効率(13族元素の消費量/13族元素の原料量×100)は60〜95%程度である。特許文献1,3,4、非特許文献1のように、ガリウム原料量が数g〜数十gの場合、未反応のガリウムを回収する必要性は低い。しかし、大型の窒化ガリウム結晶を製造するためガリウム原料量が数百g〜数千gとなる場合には、未反応ガリウムを回収して再利用することで製造コストを低減できる。しかし、特許文献1〜4、非特許文献1には、結晶成長終了後に反応容器内に残留するGa−Na合金からガリウムを分離し、回収する方法の開示はない。
アルカリ金属としてナトリウム、13族元素としてガリウムを使用して窒化ガリウム結晶を製造する場合において、結晶成長終了後の反応容器内に残留するナトリウム、ガリウムを回収する方法について以下の開示がある。
特許文献5は、結晶成長後、混合融液が固化する前にアルカリ金属又はアルカリ土類金属と13族元素とからなる合金を吸引除去することで、13族窒化物結晶を取り出す方法を開示している。しかし、この方法では合金からガリウムとナトリウムを分離することができないため、吸引除去した合金を混合融液として再利用した場合、ガリウムとナトリウムの組成比を正確に把握できない問題がある。
特許文献6は、結晶成長後の坩堝を不活性雰囲気下で混合融液の融点以上に加熱し、混合融液を除去する方法を開示している。ガリウムとナトリウムの蒸気圧差を利用して混合融液を除去する場合、ガリウムとナトリウムの分離が可能である。しかし、混合融液をガリウム−ナトリウム合金の融点以上となる600℃で加熱すると、ナトリウム蒸気が漏洩して発火・爆発する恐れがあり、安全性に問題がある。
また、特許文献5,6共に大掛かりな設備が必要であり、結晶成長終了時の反応容器からガリウム、ナトリウムを分離、回収する作業は困難である。
しかしながら、特許文献1〜5、非特許文献1には、ガリウムとナトリウムからなる合金から単体のガリウム(金属ガリウム)を回収することは開示されていない。また、特許文献5,6に開示される方法では、ガリウムとナトリウムからなる合金から金属ガリウムを分離、回収する作業を簡易な設備で且つ安全に行うことはできない。
例えば、フラックス法を用いた窒化ガリウム結晶の製造方法において、数百g〜数千gのガリウムを原料として使用する場合には、結晶成長終了時に反応容器内に残留する未反応ガリウムの量はガリウム原料量の5〜40%となる。そのため、結晶成長終了後に反応容器内に残留するGa−Na合金から単体のガリウムを分離し、回収することができれば、生産性を向上させることができる。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、フラックス法を用いて窒化ガリウム結晶を製造する際に生成されるガリウムとナトリウムからなる合金から簡易に且つ安全にガリウムを回収できるようにすることを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、ガリウムとナトリウムを含む混合融液に窒素を溶解させて窒化ガリウム結晶を成長させる成長工程と、前記ガリウムと前記ナトリウムからなる合金と、前記ナトリウムをイオン化させる液体とを反応させることにより、前記合金から前記ナトリウムを前記液体中のナトリウムイオンとして分離し、分離されて残った単体ガリウムを回収する回収工程とを含み、回収された前記単体ガリウムを再利用することを特徴とする窒化ガリウム結晶の製造方法である。
本発明によれば、フラックス法を用いて窒化ガリウム結晶を製造する際に生成されるガリウムとナトリウムからなる合金から簡易に且つ安全にガリウムを回収することが可能となる。
図1は、第1の実施の形態における窒化ガリウム結晶の製造方法において用いられる製造装置の構成を例示する図である。 図2は、窒化ガリウム結晶の結晶成長終了時の反応容器内の状態を示す図である。 図3は、Ga−Na状態図である。 図4は、第1の実施の形態において窒化ガリウム結晶の成長からガリウムの回収までの流れを示すフローチャートである。 図5は、反応容器から残留したナトリウムを除去した状態を示す図である。 図6は、合金からナトリウムイオンとガリウムとを分離している状態を示す図である。 図7は、分離されたガリウムを回収している状態を示す図である。
(第1の実施の形態)
以下に添付図面を参照して、窒化ガリウム結晶の製造方法の実施の形態を詳細に説明する。図1は、第1の実施の形態における窒化ガリウム結晶の製造方法において用いられる製造装置1の構成を例示する図である。当該製造装置1はフラックス法により窒化ガリウム結晶5を製造するための装置である。
耐圧容器11は例えばステンレスにより構成される。耐圧容器11の内部には内部容器12が設置されている。内部容器12の内部には更に反応容器13が収容されている。
反応容器13はGa−Na混合融液(フラックス)6及び種結晶7を保持し、窒化ガリウム結晶5を成長させるための容器である。反応容器13の材質は特に限定されるものではなく、BN焼結体、P−BN等の窒化物、アルミナ、YAG、イットリア等の酸化物、SiC等の炭化物等を使用することができる。また、反応容器13の内壁面、すなわち反応容器13が混合融液6と接する部位は、混合融液6と反応し難い材質で構成されていることが望ましい。該材質の例としては、窒化ホウ素(BN)、パイロリティックBN(P−BN)、窒化アルミニウム等の窒化物、アルミナ、イットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)、イットリア等の酸化物、ステンレス鋼(SUS)等が挙げられる。
混合融液6は、少なくともガリウムとナトリウムとを含む融液である。ガリウムの他にも13族元素であるホウ素(B)、アルミニウム(Al)、インジウム(In)、又はタリウム(Tl)が含まれていてもよい。ナトリウムの他にもアルカリ金属であるリチウム(Li)又はカリウム(K)が含まれていてもよく、アルカリ土類金属であるカルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、ストロンチウム(Sr)、又はバリウム(Ba)が含まれていてもよい。混合融液6中には、雑晶生成を抑制したり、結晶成長速度を速めたりする効果のある添加剤としてカーボン(C)を含んでいてもよく、n型ドーパントとしてゲルマニウム(Ge)を含んでいてもよい。
反応容器13の内部には、種結晶7が混合融液6中に浸漬するように配置される。本実施の形態においては、種結晶7は反応容器13の底部に固定された状態となっている。種結晶7とは、窒化ガリウム結晶5の結晶成長の核となる窒化ガリウム結晶である。本実施の形態においては、種結晶7の形状として柱状結晶が用いられているが、種結晶7のその他の形状として針状、ピラミッド状、板状、ウェハ状等が挙げられる。また、図1においては反応容器13内に1つの種結晶7(窒化ガリウム結晶5)が設置されている状態が示されているが、複数の種結晶7を設置し、複数の窒化ガリウム結晶5を同時に製造するようにしてもよい。
反応容器13内の混合融液6を撹拌することで、混合融液6内部の窒素濃度分布を小さくし、結晶品質を向上することができる。混合融液6を撹拌する方法としては、耐圧容器11を機械的に揺動して撹拌する方法や、内部容器12を回転して撹拌する方法、混合融液6内部にプロペラ等を入れて撹拌する方法が挙げられる。図1には一例として、内部容器12を回転して撹拌する方法を示した。内部容器12を回転して撹拌する場合、反応容器13内部に構造物14を入れることで、より撹拌性能を高めることができる。
内部容器12は耐圧容器11内のターンテーブル21上に着脱可能に設置されている。ターンテーブル21は回転軸22に固定され、耐圧容器11の外側にある回転機構16により回転可能である。回転機構16は、モータ等により回転軸22を回転させるものである。回転軸22の回転速度、回転方向等は、プログラムに従って動作するコンピュータ、各種論理回路等から構成される制御部により制御される。回転軸22の回転に伴い内部容器12、反応容器13、構造物14等が回転する。尚、回転軸22の回転に伴い回転する部材はこれらに限られるものではなく、例えば更にヒータ15が回転してもよく、反応容器13のみが回転してもよい。反応容器13の回転に伴い種結晶7及び構造物14が回転することにより、混合融液6が撹拌される。
耐圧容器11の内部には、窒素を含む原料ガスが供給される。図1に示すように、耐圧容器11の内部空間及び内部容器12の内部空間には、それぞれ窒化ガリウム結晶5の原料である窒素(N)ガス及び全圧調整用の希釈ガスを供給する配管31,32が接続されている。配管31,32に接続している配管33は、上流部分で窒素供給管34及び希釈ガス供給管35に分岐している。窒素供給管34及び希釈ガス供給管35にはそれぞれバルブ36,37が設けられている。希釈ガスとしては、不活性ガスのアルゴン(Ar)ガスを用いることが望ましいが、これに限定されず、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)等を用いてもよい。
窒素ガスは、ガスボンベ等から窒素供給管34に流入し、圧力制御装置41で圧力が調整された後、バルブ36を介して配管33に流入する。一方、希釈ガスは、ガスボンベ等から希釈ガス供給管35に流入し、圧力制御装置42で圧力が調整された後、バルブ37を介して配管33に流入する。このようにして圧力が調整された窒素ガス及び希釈ガスは配管33内で混合ガスとなる。
上記混合ガスは、配管33からバルブ38及び配管31を経て耐圧容器11の内部空間に供給されると共に、バルブ39及び配管32を経て内部容器12の内部空間に供給される。内部容器12の内部空間と反応容器13の内部空間とは耐圧容器11内で連通しており、略同一雰囲気、略同一圧力となっている。内部容器12は製造装置1から取り外すことが可能となっている。配管33はバルブ40を介して外部につながっている。
配管33には圧力計45が設けられている。圧力計45を監視することにより耐圧容器11及び内部容器12(反応容器13)の内部空間の圧力を調整することができる。このように、窒素ガス及び希釈ガスの圧力をバルブ36,37と圧力制御装置41,42とにより調整することにより、反応容器13内の窒素分圧を調整することができる。また、耐圧容器11及び内部容器12の全圧を調整できるので、内部容器12内の全圧を高くして反応容器13内の混合融液6(例えばナトリウム)の蒸発を抑制することができる。すなわち、窒化ガリウムの結晶成長条件に影響を与える窒素分圧と、混合融液6の蒸発に影響を与える全圧とを別々に制御することができる。勿論、希釈ガスを導入せずに窒素ガスのみを反応容器13内に導入しても良い。尚、上記図1に示す製造装置1の全体構成は例示に過ぎず、反応容器13内に窒素を含むガスを供給する機構等の変更は本発明の技術的範囲に影響を与えない。
また、図1に示すように、耐圧容器11内の内部容器12の外周及び底部の下にはヒータ15が設置されている。ヒータ15は内部容器12及び反応容器13を加熱し、混合融液6の温度を調整する。
反応容器13に種結晶7、原料(ガリウム及びナトリウム)、カーボン(C)等の添加剤、ゲルマニウム(Ge)等のドーパント等を投入する作業は、例えばアルゴンガスのような不活性ガス雰囲気のグローブボックス内に内部容器12を入れた状態で行うとよい。また、この作業を内部容器12に反応容器13を入れた状態で行ってもよい。
混合融液6に含まれるガリウムとナトリウムとのモル比は、特に限定されるものではないが、ガリウムのモル数[Ga]とナトリウムのモル数[Na]の総モル数に対するガリウムのモル数[Ga]の比rGa(=[Ga]/([Ga]+[Na]))が0.05≦rGa≦0.60であることが好ましい。
このように原料等を投入した後、ヒータ15に通電して内部容器12及び反応容器13を結晶成長温度まで加熱すると、反応容器12内で原料のガリウム、ナトリウム、その他の添加物等が溶融し、混合融液6が生成する。この混合融液6に所定の窒素分圧の原料ガスを接触させることにより、混合融液6中に窒素が溶解する。このような混合融液6中に溶解している原料は種結晶7の表面に供給され、窒化ガリウム結晶5が結晶成長していく。
このような結晶成長工程において、回転機構16により反応容器13を回転させ、種結晶7及び構造物14を回転させることにより、混合融液6が撹拌され、混合融液6中の窒素濃度分布が均一に保たれる。窒素濃度分布が均一な混合融液6中で長時間結晶成長させることにより、高品質且つ大型の窒化ガリウム結晶5を製造することができる。
図2は、窒化ガリウム結晶5の結晶成長終了時の反応容器13内の状態を示す図である。同図においては、反応容器13内で2つの窒化ガリウム結晶5を同時に成長させた場合が示されている。反応容器13内には、種結晶7から成長した窒化ガリウム結晶5、残留したナトリウム50(混合融液6)、及びガリウムとナトリウムからなる合金51が残留している。
ガリウムとナトリウムを使用して窒化ガリウム結晶5を成長させた場合、結晶成長終了時に反応容器13内に残留する物質は、結晶成長終了時のナトリウムとガリウムの組成比によって変わる。図3は、Ga−Na状態図である(出典:Bulletin Alloy Phase Diagrams Vol.11 No.4 1990, Fig.1 Assessed Ga-Na Phase Diagram)。ガリウムのモル数[Ga]とナトリウムのモル数[Na]の総モル数に対するガリウムのモル数[Ga]の比rGa(=[Ga]/([Ga]+[Na]))が0<rGa≦0.64のとき、反応容器13内にはナトリウム、及びガリウムとナトリウムからなる合金(金属間化合物)51であるGa39Na22が残留する。0.64≦rGa≦0.80のとき、反応容器13内にはガリウムとナトリウムとからなる合金51であるGa39Na22及びGaNaが混在して残留する。rGa≧0.80のとき、反応容器13内にはガリウム、及びガリウムとナトリウムとからなる合金51であるGaNaが残留する。尚、上記のようにGaNaで示した合金51の組成比(x、yの値)には多少の変動が生ずる場合があり、当該Ga−Na状態図はGa−Na合金の状態変化についての一例に過ぎない。本実施の形態における合金51の組成比は他のGa−Na状態図との相違により否定されるものではない。
発明者らのこれまでの結晶成長実験により、窒化ガリウム結晶5を成長させるために適したガリウムとナトリウムの組成比rGaは0.05≦rGa≦0.6の範囲であることが判っている。また、0.1≦rGa≦0.4の範囲であることがより好ましい。この組成範囲で結晶成長を開始し、ナトリウムの蒸発が少ない状態で結晶成長を終えた場合、結晶成長終了時のrGaはrGa<0.4となる。そのため、反応容器13内には窒化ガリウム結晶5、ナトリウム51・カーボン(C)等の添加剤・ゲルマニウム(Ge)等のドーパント等からなる混合融液6、ガリウムとナトリウムからなる合金51であるGa39Na22が残留することとなる。
図4は、本実施の形態において窒化ガリウム結晶5の成長からガリウムの回収までの流れを示すフローチャートである。反応容器13内において混合融液6中に種結晶7が浸漬された状態にし(S1)、所定条件下で混合融液6中に窒素を供給すると(S2)、種結晶7を核として窒化ガリウム結晶5が成長する(S3)。窒化ガリウム結晶5の成長終了後、反応容器13内に残留しているナトリウム50を除去する(S4)。その後、反応容器13内に残留している合金51を溶解し(S5)、単体となったガリウムを反応容器13から回収する(S6)。
結晶成長終了後の反応容器13からナトリウム50を除去する工程(S4)について説明する。反応容器13内に残留したナトリウム50の除去は、周知の方法を適宜用いて行えばよい。例えば、反応容器13をエタノール中に浸漬し、ナトリウム50をナトリウムエトキシドにして除去すればよい。しかし、この方法は、ナトリウム50の残量が数百g〜数千gにもなると、全てのナトリウム50を除去するのに数時間〜数百時間を要するため、量産工程には適さない。そこで、特許文献6のように不活性雰囲気下でナトリウム50を融点以上に加熱して融解し、液体状態のナトリウム50を流し出す方法が好ましい。具体的には、アルゴンガス雰囲気中のグローブボックス内において、反応容器13をホットプレートに載せ、200℃〜300℃に加熱する。これにより、ナトリウム50を溶融させ、別容器に流し出すことができる。この方法により大部分のナトリウム50を除去することができる。この場合、反応容器13はナトリウム50の融点以上の温度に加熱されるが、ガリウムとアルミニウムからなる合金51の融点は超えないため、反応容器13内には、窒化ガリウム結晶5と合金51が残留する。
図5は、反応容器13から残留したナトリウム50を除去した状態を示す図である。この状態では、合金51の大部分は反応容器13の内壁面又は窒化ガリウム結晶5の表面に固着している。合金51が生成する箇所は、結晶成長工程の冷却プロセスにおいて、合金51の融点である556℃付近での温度分布に依存する。一般に反応容器13の壁面付近から冷却が進むため、合金51は反応容器13の内壁面に生成する。そこで、窒化ガリウム結晶5を反応容器13の内壁面から離した位置に設置することにより、結晶成長終了後にナトリウム50を除去するのみで窒化ガリウム結晶5を取り出すことも可能である。
また、合金51の融点である556℃付近での冷却速度を変えることで、合金51の大きさを変えることができる。例えば、85℃/h以上の速度で急冷した場合、合金51は反応容器13の内壁面の様々な場所で核発生を生じ、細かい合金51が入り組んだ状態で生成する。そのため、このような状態でナトリウム50を除去したとしても、反応容器13内に残留するナトリウム50は多くなる。一方で、35℃/h以下の速度で徐冷した場合、急冷した場合に比べて核発生密度が小さいため、合金51が入り組んだ状態にはならず、ナトリウム50を除去した後に反応容器13内に残留するナトリウム50は少なくなる。
そこで、先ず、不活性雰囲気下で反応容器13をナトリウム50の融点以上に加熱し、ナトリウム50のみを融解させ、液体状態のナトリウム50を別容器に流し出す。その後、反応容器13を十分に冷却し、上記流し出しによっては除去しきれなかったナトリウム50をエタノールによるアルコキシド化により除去する。これにより、反応容器13内に残留したナトリウム50を大部分除去することができる。
次に、ナトリウム50の除去後、反応容器13内の合金51を溶解する工程(S5)について説明する。図6は、合金51からナトリウムイオンとガリウム55とを分離している状態を示す図である。
ナトリウム50の除去が完了した後、反応容器13をエタノールから取出し、ステンレス製の容器54に溜めた水52に浸漬する。このとき、反応容器13内に多少残留していたナトリウム50と水52が反応し、水素53が発生する。そのため、当該工程はドラフト内で行われるべきである。ナトリウム50と水52の反応が終了した後、容器54をホットプレート56に載せて加熱する。これにより、水52が高温となり、水52と合金51中のナトリウムとが反応し、合金51はナトリウムイオンとガリウム55に分離する。当該工程も合金51中のナトリウムと水52とが反応し、水素53を発生させるため、ドラフト内で行われるべきである。尚、図6においては合金51が反応容器13の内壁に固着している状態を示したが、反応容器13から合金51を取出して、反応容器13外において水52と反応させてもよい。
水52の温度が高い程合金51を溶解する反応速度が速くなるが、実用的な反応速度で且つ安全性を確保するためには、水52の温度を50℃〜90℃(50℃以上90℃以下)の範囲にすることが好ましい。例えば、水52の温度を室温(25℃)で保持した場合、300g程度の合金51を溶解するのに1週間以上かかり、実用的な範囲から完全に外れてしまう。また、水52の温度を50℃に保持した場合、300g程度の合金51を溶解するのに約20時間かかる。この場合、水素53の発生は急激ではないため安全面には優れるが、実用的な反応速度とは言い難い。また、水52の温度を90℃に保持した場合、300g程度の合金51の溶解は約2時間で完了するが、水素53の発生が急激となる可能性があるため、安全面での対策が別途必要となる。発明者らの研究によれば、実用的な反応速度で且つ安全を確保するためには水52の温度を70℃近辺にすることが最適であるといえる。水52の温度を70℃に保持した場合、300g程度の合金51を3時間程度で溶解することができ、水素53の発生が爆発限界を超える程急激になることもない。
次に、合金51の溶解後、分離されたガリウム55を回収する工程(S6)について説明する。図7は、分離されたガリウム55を回収している状態を示す図である。
合金51と水52の反応は合金51の表面で起こるため、合金51の表面積又は合金51と水52との接触面積は広い方が好ましい。また、溶解が進むにつれて、分離されたガリウム55が合金51の表面を覆うことがある。そのため、液体状態のガリウム55をスポイト57等の吸引器具で吸い出すことにより、合金51の溶解反応の進行が妨げられないようにすることが好ましい。水52の温度がガリウム55の融点(約29.8℃)より高ければ、ガリウム55を液体の状態で回収することができる。水52はガリウム55と反応しないため、合金51に含まれるガリウム52を全量回収することができる。尚、ガリウム55の冷却を待って固体状態のカリウム55を回収してもよい。
上述した合金51からのガリウム55の分離は、合金51に含まれるナトリウムをイオン化させる水52の作用により実現される。すなわち、合金51に含まれるナトリウムをイオン化させる作用を有する液体であれば、水52以外の液体を利用することも可能である。このような水52に代わる液体としては、例えば酸が挙げられる。酸としては、例えば塩酸、硝酸、王水等が挙げられる。
合金51を溶解する(合金51に含まれるナトリウムをイオン化させる)液体として酸を用いる場合、酸と合金51との反応熱により徐々に液温が上昇するため、上記ホットプレート56のような加熱装置を不要とすることができる。また、酸は水52よりも合金51との反応速度が速いため、処理時間を短縮することが可能である。ただし、酸はナトリウムだけでなくガリウム55をイオン化させる作用も有するため、合金51に含まれるガリウム55の全量を回収できない可能性がある。
ここで、酸を用いる場合を、図6を用いて例示する。反応容器13内のナトリウム50(図2及び図5参照)を除去した後、反応容器13をエタノールから取出し、図6に示すようにガラス製の容器58に溜めた水52に浸漬する。反応容器13を水52に浸漬すると、反応容器13内に多少残留していたナトリウム50と水52が反応して水素53が発生する。そのため、この工程はドラフト内で行われるべきである。ナトリウム50と水52の反応が終了した後、水52を塩酸、硝酸、王水等の酸に入れ替える。このとき、爆発的な反応を防ぐため、始めは水で希釈した酸を用い、酸を徐々に加えていく方がよい。
容器58に酸を加えると、合金51中のナトリウムがガリウムより優先的に酸と反応し、ナトリウムイオンと単体のガリウム55とに分離する。この工程も水素53が発生するためドラフト内で行われるべきである。このとき、酸と合金51の反応熱により容器58内の液温が徐々に上昇し、反応速度が増加していく。そのため、安全を確保するために、容器58内に水を徐々に加えた方がよい。水素53の急激な発生だけでなく、分離したガリウム55と酸の反応によるガリウム55の回収率の低下を防ぐため、処理液の温度は30〜120℃の範囲で行うことが好ましい。実用的な反応速度を確保するには、50℃〜100℃の範囲で行うことが好ましく、80℃付近にすることが最適といえる。
合金51と酸の反応は合金51の表面で起こるため、合金51の表面積又は合金51と酸の接触面積は広い方が好ましい。また、溶解が進むにつれて、ガリウム55が合金51の表面を覆うことがある。そのため、液体状態のガリウム55をスポイト57等の吸引器具で吸い出すことにより、合金51の溶解反応の進行が妨げられないようにすることが好ましい。容器58内の液温がガリウム55の融点より高ければ、ガリウム55を液体の状態で回収することができる。
このように、合金51の溶解に酸を用いる場合には、ガリウム55と酸が反応するため一部のガリウム55がイオン化してしまうが、合金51中に含まれるガリウム55の大部分を回収することができる。尚、ガリウム55の冷却を待って固体状態のガリウム55を回収してもよい。
混合融液6中にn型ドーパントとしてゲルマニウム(Ge)を添加する場合があるが、この場合に形成されるGa−Na−Ge合金は、Ga−Na合金よりも水52との反応速度が遅いため、水52の温度を80℃以上に加熱した方がよい。また、Ga−Na−Ge合金を水52のみでナトリウムイオンと単体のガリウム55に分離させることは難しく、実用的な反応速度でナトリウムイオンと単体のガリウム55に分離させるためには、酸を用いた方が好ましい。
尚、本実施の形態には用いていないが、合金51のGaNaからガリウム55を分離できるか調査した。結晶成長終了時のガリウムとナトリウムの組成比がrGa≧0.80のとき、反応容器13内にはガリウム及びガリウムとナトリウムからなる合金51であるGaNaが残留する。発明者らが実験により検証したところ、GaNa合金は、Ga組成比が大きいため、ナトリウムをイオンとして分離することが困難であった。例えば王水と反応させた場合、合金51中のナトリウムが優先的に反応することはなく、ナトリウム、ガリウムが共に王水と反応してしまうため、単体のガリウム55として分離して回収することは困難であった。
(実施例1)
以下に、本実施の形態に係る製造装置1を用いて、窒化ガリウム結晶5を製造し、結晶成長終了後に反応容器13内に残留する合金51からガリウム55を分離、回収する実施例を記載する。
<結晶成長>
高純度Ar雰囲気のグローブボックス内でアルミナからなる反応容器13に、c軸方向の長さが50mm、m軸方向の長さが1mmの柱状の窒化ガリウム(GaN)結晶からなる種結晶7を2本設置した。種結晶7は反応容器13の底面にあけた穴に4mm差し込んで保持した。
次に、混合融液6として、加熱して液体にしたナトリウム(Na)を反応容器13内に入れた。ナトリウムが固化した後、ガリウム(Ga)とカーボンを入れた。ガリウムとナトリウムとのモル比を0.25:0.75とした。カーボンの添加量をガリウムとナトリウムとカーボンの全モル数に対して0.5%とした。具体的には、ガリウム1000g、ナトリウム989g、カーボン3.5gとした。
内部容器12内の全圧を2.2MPaにし、反応容器13を結晶成長温度まで昇温させた。結晶成長工程における温度条件を870℃、窒素ガス圧力を3.0MPaとした。この状態で1200時間結晶成長を行った。
<ナトリウム除去>
結晶成長終了後、反応容器13内には、窒化ガリウム結晶5、ナトリウム50、ナトリウムとガリウムからなる合金51が残留していた。ナトリウム50の除去は従来から知られている方法で行った。
先ず、ナトリウム50を除去するため、反応容器13をアルゴン雰囲気のグローブボックス内でホットプレート56に乗せ、200℃に加熱してナトリウム50を溶融し、別容器に流し出した。反応容器13の温度が十分に下がった後、グローブボックスから取り出し、ステンレス製の容器54内に反応容器13を収容した。その後、容器54内にエタノールを投入し、ドラフトチャンバー内で取り切れなかったナトリウム50を除去した。
<ガリウム分離、回収>
ナトリウム50の除去が終了した時点で、反応容器13内には窒化ガリウム結晶5及び合金51が残留していた。ステンレス製の容器54内のエタノールを全て排出した後、容器54内に水52を投入した。当該容器54をホットプレート56に乗せ、容器54内の水52の温度が70℃程度になるようにホットプレート56の温度を調整した。水52と合金51中のナトリウムとが反応し、水素53が発生した。当該反応の進行中、幾度かスポイト57で合金51から分離されたガリウム55を吸い出した。全ての反応が終了するのに、約3時間を要した。水52と合金51の反応が終了した際、反応容器13内には窒化ガリウム結晶5及び液状のガリウム55が残留していた。ガリウム55をスポイト57で全て吸引し、別容器に回収した。回収したガリウム55は218gであった。
<結晶の取出し>
上記工程を経ることによって、c軸方向の長さ65mm、c軸と垂直方向の長さ55mmのバルク状の窒化ガリウム結晶5を2個取出すことができた。このときの収率(ガリウムの消費量/ガリウムの原料量×100)は78%であった。つまり、結晶成長終了時に反応容器13内に残留していたガリウム55は220gであった。そのうち、218gのガリウム55を回収できたので、回収効率は99%であった。
<ガリウムのリサイクル>
回収したガリウム55は、高純度化処理を行うことにより、再度結晶成長原料として使用することができた。高純度化処理ができないような不純物は混入しておらず、高純度化処理を行ったガリウム55を原料として、結晶成長を行った場合にも問題が発生することなく窒化ガリウム結晶5を製造することができた。
(実施例2)
上記実施例1における<結晶成長>及び<ナトリウムの除去>と同様の処理を行った後、酸を用いてガリウム55の回収を行った。
<ガリウム分離、回収>
ナトリウム50の除去が終了した時点で、反応容器13内には窒化ガリウム結晶5及び合金51が残留していた。ステンレス製の容器54内のエタノールを全て排出した後、容器54内に水52を投入した。当該容器54をホットプレート56に乗せ、容器54内の水52の温度が70℃程度になるようにホットプレート56の温度を調整した。水52と合金51中のナトリウムとが反応し、水素53が発生した。当該反応の進行中、幾度かスポイト57で合金51から分離されたガリウム55を吸い出した。水52を投入後、1時間経過したところで、反応容器13内に残留している合金51をガラス製の容器58内に移した。容器58内に水を投入し、硝酸:水=1:2となるように硝酸を投入した。硝酸と合金51中のナトリウムとが反応し、水素53が発生した。当該反応の進行中、幾度かスポイト57で合金51から分離したガリウム55を吸い出した。合金51と酸との反応熱で容器58内の液温が上昇したため、水を加えて液温を80℃程度に保った。また、徐々に硝酸や塩酸を加えて酸濃度を高めて反応速度を保った。酸を投入後、全ての反応が終了するのに、約1時間を要した。全ての反応を水で行った場合に比べて、約1時間処理時間を短縮することができた。酸と合金51の反応が終了した際、反応容器13内には窒化ガリウム結晶5及び液状のガリウム55が残留していた。ガリウム55をスポイト57で全て吸引し、別容器に回収した。回収したガリウム55は200gであった。なお、本実施例のように最初に水52を投入せず、最初から硝酸などの酸を投入しても構わない。
<結晶の取出し>
上記工程を経ることによって、c軸方向の長さ65mm、c軸と垂直方向の長さ55mmのバルク状の窒化ガリウム結晶5を2個取出すことができた。このときの収率(ガリウムの消費量/ガリウムの原料量×100)は78%であった。つまり、結晶成長終了時に反応容器13内に残留していたガリウム55は、220gであった。そのうち、200gのガリウム55を回収できたので、回収効率は91%であった。
<ガリウムのリサイクル>
回収したガリウム55は、高純度化処理を行うことにより、再度結晶成長原料として使用することができた。高純度化処理ができないような不純物は混入しておらず、高純度化処理を行ったガリウム55を原料として、結晶成長を行った場合にも問題が発生することなく、窒化ガリウム結晶を製造することができた。
(実施例3)
<結晶成長>
高純度Ar雰囲気のグローブボックス内でアルミナからなる反応容器13に、φ2“ウェハ状の窒化ガリウム(GaN)種結晶7を4枚、反応容器13の底面に設置した。
次に、混合融液6として、加熱して液体にしたナトリウム(Na)を反応容器13内に入れた。ナトリウムが固化した後、ガリウム(Ga)とカーボン(C)とゲルマニウム(Ge)を入れた。ガリウムとナトリウムとのモル比を0.25:0.75とした。カーボンの添加量をガリウムとナトリウムとカーボンの全モル数に対して0.5%とした。ゲルマニウムの添加量をガリウムのモル数に対して2.0%とした。具体的には、ガリウム400g、ナトリウム396g、カーボン1.4g、ゲルマニウム8.5gとした。
内部容器12内の全圧を2.2MPaにし、反応容器13を結晶成長温度まで昇温させた。結晶成長工程における温度条件を870℃、窒素ガス圧力を3.0MPaとした。この状態で500時間結晶成長を行った。
<ナトリウムの除去>は実施例1と同様に行った。
<ガリウム分離、回収>
ナトリウム50の除去が終了した時点で、反応容器13内には、窒化ガリウム結晶5及び合金51が残留していた。ステンレス容器54内のエタノールを全て排出した後、容器54内に水52を投入した。当該容器54をホットプレート56に乗せ、容器54内の水52の温度が80℃程度になるようにホットプレート56の温度を調整した。水52と合金51中のナトリウムが反応し、水素53が発生した。水52を投入後、1時間経過しても大部分の合金51はナトリウムイオンと単体のガリウム55に分離せずに残留していた。残留していた合金51をガラス製の容器58に移した。容器58内に水を投入し、硝酸:水=1:2となるように硝酸を投入した。硝酸と合金51中のナトリウムとが反応し、水素53が発生した。当該反応の進行中、幾度かスポイト57で合金51から分離したガリウム55を吸い出した。合金51と酸との反応熱で容器58内の液温が上昇したため、水を加えて液温を80℃程度に保った。また、徐々に硝酸や塩酸を加えて酸濃度を高めて反応速度を保った。酸を投入後、全ての反応が終了するのに、約2時間を要した。混合融液6中にGeを微量添加すると、合金51からナトリウムイオンを分離し難くなり、Geを添加しない場合に比べて処理時間を要する。酸と合金51との反応が終了した際、反応容器13内には窒化ガリウム結晶5及び液状のガリウム55が残留していた。ガリウム55をスポイト57で全て吸引し、別容器に回収した。回収したガリウム55は85gであった。なお、本実施例のように最初に水52を投入せず、最初から硝酸などの酸を投入しても構わない。
<結晶の取出し>
上記工程を経ることによって、c軸方向の長さ6mmのφ2“バルク状の窒化ガリウム結晶5を4個取出すことができた。このときの収率(ガリウムの消費量/ガリウムの原料量×100)は74%であった。つまり、結晶成長終了時に反応容器13内に残留していたガリウム55は、104gであった。そのうち、85gのガリウム55を回収できたので、回収効率は82%であった。
<ガリウムのリサイクル>
回収したガリウム55は、高純度化処理を行うことにより、再度結晶成長原料として使用することができた。高純度化処理ができないような不純物は混入しておらず、高純度化処理を行ったガリウム55を原料として、結晶成長を行った場合にも問題が発生することなく、窒化ガリウム結晶5を製造することができた。
以上のように、本実施の形態によれば、フラックス法により窒化ガリウム結晶を製造する工程において形成されるガリウムとナトリウムからなる合金51から、簡素な設備で且つ安全にガリウムを回収することが可能となる。
1 製造装置
5 窒化ガリウム結晶
6 混合融液
7 種結晶
11 耐圧容器
12 内部容器
13 反応容器
14 構造物
15 ヒータ
16 回転機構
21 ターンテーブル
22 回転軸
31,32,33 配管
34 窒素供給管
35 希釈ガス供給管
36,37,38,39,40 バルブ
41,42 圧力制御装置
45 圧力計
50 ナトリウム
51 合金
52 水
53 水素
54,58 容器
55 ガリウム
56 ホットプレート
57 スポイト
特開2009−215085号公報 国際公開2007/094126号 特開2006−131454号公報 特開2009−007207号公報 国際公開2009/041053号 特開2010−269986号公報
J.Crystal Growth 218(2000)7−12

Claims (13)

  1. ガリウムとナトリウムを含む混合融液に窒素を溶解させて窒化ガリウム結晶を成長させる成長工程と、
    前記ガリウムと前記ナトリウムからなる合金と、前記ナトリウムをイオン化させる液体とを反応させることにより、前記合金から前記ナトリウムを前記液体中のナトリウムイオンとして分離し、分離されて残った単体ガリウムを回収する回収工程と
    を含み、
    回収された前記単体ガリウムを再利用することを特徴とする窒化ガリウム結晶の製造方法。
  2. 前記液体はガリウムの融点よりも高温の水である
    ことを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム結晶の製造方法。
  3. 前記水の温度は50℃以上90℃以下である
    ことを特徴とする請求項2に記載の窒化ガリウム結晶の製造方法。
  4. 前記液体は酸である
    ことを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム結晶の製造方法。
  5. 前記酸の温度は30℃以上120℃以下である
    ことを特徴とする請求項4に記載の窒化ガリウム結晶の製造方法。
  6. 前記回収工程は、前記成長工程後における前記混合融液中の前記ガリウムと前記ナトリウムの総モル数に対する前記ガリウムのモル数が0%より大きく80%以下である場合に実行される
    ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の窒化ガリウム結晶の製造方法。
  7. 前記回収工程は、前記成長工程後における前記混合融液中の前記ガリウムと前記ナトリウムの総モル数に対する前記ガリウムのモル数が0%より大きく64%以下である場合に実行される
    ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の窒化ガリウム結晶の製造方法。
  8. 前記合金は前記ガリウムと前記ナトリウムから構成される金属間化合物である
    ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の窒化ガリウム結晶の製造方法。
  9. 前記金属間化合物は略Ga39Na22である
    ことを特徴とする請求項8に記載の窒化ガリウム結晶の製造方法。
  10. 前記金属間化合物にゲルマニウムが含まれている
    ことを特徴とする請求項8に記載の窒化ガリウム結晶の製造方法。
  11. 前記回収工程を開始する前に、前記混合融液中に残留している前記ナトリウムを除去する除去工程
    を更に含むことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の窒化ガリウム結晶の製造方法。
  12. 前記単体ガリウムを液体状態で回収する
    ことを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の窒化ガリウム結晶の製造方法。
  13. 前記回収工程により回収された前記ガリウムを前記成長工程において利用する
    ことを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の窒化ガリウム結晶の製造方法。
JP2016508452A 2014-03-18 2014-11-27 窒化ガリウム結晶の製造方法 Active JP6388024B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014054470 2014-03-18
JP2014054470 2014-03-18
PCT/JP2014/081363 WO2015141064A1 (ja) 2014-03-18 2014-11-27 窒化ガリウム結晶の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2015141064A1 JPWO2015141064A1 (ja) 2017-04-06
JP6388024B2 true JP6388024B2 (ja) 2018-09-12

Family

ID=54144060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016508452A Active JP6388024B2 (ja) 2014-03-18 2014-11-27 窒化ガリウム結晶の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10100426B2 (ja)
EP (1) EP3121311A4 (ja)
JP (1) JP6388024B2 (ja)
CN (2) CN110295390A (ja)
WO (1) WO2015141064A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108796611A (zh) * 2018-07-06 2018-11-13 孟静 氮化镓单晶生长方法
JP7403118B2 (ja) * 2019-10-17 2023-12-22 豊田合成株式会社 金属の回収方法及び窒化ガリウムの製造方法
CN115637496B (zh) * 2022-09-21 2023-10-27 聚勒微电子科技(太仓)有限公司 一种双重容器材料生长装置及材料生长方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL207400B1 (pl) * 2001-06-06 2010-12-31 Ammono Społka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Sposób i urządzenie do otrzymywania objętościowego monokryształu azotku zawierającego gal
PL232212B1 (pl) * 2002-12-11 2019-05-31 Ammono Spólka Akcyjna W Upadlosci Likwidacyjnej Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego
KR100989507B1 (ko) 2002-07-31 2010-10-22 재단법인 오사카산업진흥기구 Ⅲ족 원소 질화물 단결정의 제조 방법 및 그것에 의하여얻어진 ⅲ족 원소 질화물 투명 단결정
US8241422B2 (en) * 2004-03-31 2012-08-14 Ngk Insulators, Ltd. Gallium nitride single crystal growing method and gallium nitride single crystal
JP4716711B2 (ja) 2004-11-05 2011-07-06 日本碍子株式会社 Iii属窒化物単結晶の育成方法
CN101370971A (zh) 2006-02-13 2009-02-18 日本碍子株式会社 从助熔剂中回收钠金属的方法
JP4968707B2 (ja) * 2006-03-06 2012-07-04 日本碍子株式会社 Iii族窒化物単結晶の育成方法
JP4915563B2 (ja) * 2006-09-13 2012-04-11 パナソニック株式会社 窒化ガリウム系単結晶の育成方法およびそれにより得られる窒化ガリウム系単結晶
US9481943B2 (en) 2006-11-22 2016-11-01 Soitec Gallium trichloride injection scheme
US20090223441A1 (en) 2006-11-22 2009-09-10 Chantal Arena High volume delivery system for gallium trichloride
WO2008064109A2 (en) 2006-11-22 2008-05-29 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Equipment for high volume manufacture of group iii-v semiconductor materials
US9481944B2 (en) 2006-11-22 2016-11-01 Soitec Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same
WO2008064077A2 (en) 2006-11-22 2008-05-29 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Methods for high volume manufacture of group iii-v semiconductor materials
KR101330156B1 (ko) 2006-11-22 2013-12-20 소이텍 삼염화 갈륨 주입 구조
JP5575482B2 (ja) 2006-11-22 2014-08-20 ソイテック 単結晶iii−v族半導体材料のエピタキシャル堆積法、及び堆積システム
WO2008130448A2 (en) 2006-11-22 2008-10-30 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Temperature-controlled purge gate valve for chemical vapor deposition chamber
JP4821007B2 (ja) 2007-03-14 2011-11-24 国立大学法人大阪大学 Iii族元素窒化物結晶の製造方法およびiii族元素窒化物結晶
JP4561784B2 (ja) 2007-06-25 2010-10-13 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物結晶の製造方法
JP2009007207A (ja) 2007-06-28 2009-01-15 Sharp Corp 結晶成長方法、および結晶成長装置
JP5338672B2 (ja) 2007-09-28 2013-11-13 株式会社リコー Iii族元素窒化物の単結晶の製造方法および製造装置
JP5030821B2 (ja) 2008-03-07 2012-09-19 パナソニック株式会社 フラックス処理方法
JP2010024125A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Sumitomo Electric Ind Ltd Iii族窒化物結晶の成長方法
JPWO2010079655A1 (ja) 2009-01-07 2012-06-21 日本碍子株式会社 単結晶育成用の反応容器および単結晶の育成方法
JP5147092B2 (ja) * 2009-03-30 2013-02-20 豊田合成株式会社 Iii族窒化物半導体の製造方法
JP2010269986A (ja) 2009-05-25 2010-12-02 Panasonic Corp Iii族窒化物結晶の取り出し方法及びそれに用いる装置
JP2012012259A (ja) 2010-07-01 2012-01-19 Ricoh Co Ltd 窒化物結晶およびその製造方法
JP5656697B2 (ja) 2010-07-14 2015-01-21 住友金属鉱山株式会社 窒化アルミニウム結晶の製造方法
JP2012169562A (ja) * 2011-02-16 2012-09-06 Kurita Water Ind Ltd 窒化物半導体材料の表面処理方法および表面処理システム

Also Published As

Publication number Publication date
CN106103816A (zh) 2016-11-09
WO2015141064A1 (ja) 2015-09-24
US20170022629A1 (en) 2017-01-26
CN110295390A (zh) 2019-10-01
US10100426B2 (en) 2018-10-16
JPWO2015141064A1 (ja) 2017-04-06
EP3121311A1 (en) 2017-01-25
EP3121311A4 (en) 2017-02-22
CN106103816B (zh) 2021-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5903474B2 (ja) カスケードプロセスを利用してシリコンを精製する方法
JP6388024B2 (ja) 窒化ガリウム結晶の製造方法
Fujiwara et al. Growth mechanism of Si-faceted dendrites
JP4692247B2 (ja) 高純度多結晶シリコンの製造方法
JP2008297153A (ja) Iii族窒化物半導体製造装置、およびiii族窒化物半導体の製造方法
JP4115432B2 (ja) 金属の精製方法
JP2009227520A (ja) 単結晶製造装置及びその方法
NO20110671A1 (no) Fremgangsmate og system for fremstilling av silisium og silisiumkarbid
CN203768482U (zh) 一种新型真空电子束熔炼炉
JP2007314389A (ja) シリコン精製方法
CN101781791A (zh) 一种单晶棒直拉过程中除去杂质的方法
JP2015189616A (ja) サファイア単結晶の製造方法
WO2012050410A1 (en) Method of purification of silicon
JP7403118B2 (ja) 金属の回収方法及び窒化ガリウムの製造方法
US20110120365A1 (en) Process for removal of contaminants from a melt of non-ferrous metals and apparatus for growing high purity silicon crystals
JP5644637B2 (ja) Iii族窒化物半導体結晶の製造方法
CN109536744B (zh) 通过熔析定向凝固耦合提纯稀土金属的方法
WO2012068717A1 (zh) 一种用于制造太阳能级硅的生产工艺
JP2000327488A (ja) 太陽電池用シリコン基板の製造方法
JP6621615B2 (ja) 13族窒化物単結晶の製造方法、および13族窒化物単結晶の製造装置
JPH10182132A (ja) シリコンの精製方法および精製装置
JP7163762B2 (ja) 鉄ガリウム合金結晶の結晶粒界の評価方法
US20190071794A1 (en) Efficient solar grade silicon production system
JP2021183551A (ja) 13族窒化物結晶の製造方法
TW201105580A (en) Purification of metallurgical silicon

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170314

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180123

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180323

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180717

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180730

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6388024

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250