JP2010024125A - Iii族窒化物結晶の成長方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本III族窒化物結晶の成長方法は、液相法によるIII族窒化物結晶の成長方法であって、下地基板1を準備する工程と、下地基板1の主面1mに、III族金属とアルカリ金属とを含む溶媒3に窒素含有ガス5を溶解させた溶液を接触させて、主面1m上にIII族窒化物結晶10を成長させる工程と、を備え、III族金属とアルカリ金属との合計のモル数に対するアルカリ金属のモル数の比が0.001以上0.2未満である。
【選択図】図2
Description
図1および図2を参照して、本実施形態のIII族窒化物結晶の成長方法に用いられる結晶成長装置は、たとえば、外容器29と、外容器29の内部に配置された断熱材27と、断熱材27の内部に配置されたヒータ25と、ヒータ25の内側に配置された内容器21とを備える。この内容器21内には、その中でIII族窒化物結晶10を成長させるための結晶成長容器23が配置されている。また、結晶成長容器23の開口部が蓋24で覆われていてもよい。
図1および図2を参照して、本実施形態のIII族窒化物結晶の成長方法は、下地基板1を準備する工程を備える。ここで、準備される下地基板1は、その主面1m上にIII族窒化物結晶10を成長させることができるものであれば特に制限はないが、成長させるIII族窒化物結晶10と下地基板1との間の結晶格子および格子定数の整合性を高める観点から、一主面1mを有するIII族窒化物種結晶1aを含むことが好ましく、成長させるIII族窒化物結晶10とIII族窒化物種結晶1aとが同じ化学組成を有することがより好ましい。ここで、III族窒化物結晶と化学組成が同じとは、結晶を構成する原子の種類および比率が同じことをいう。
図1および図2を参照して、本実施形態のIII族窒化物結晶の成長方法は、下地基板1の主面1mに、III族金属とアルカリ金属とを含む溶媒3に窒素含有ガス5を溶解させた溶液を接触させて、主面1m上にIII族窒化物結晶10を成長させる工程を備える。
1.GaN基板の準備
図1〜図2を参照して、下地基板1として、HVPE法で作製した主面1mが(0001)Ga原子表面で直径が2インチ(50.8mm)で厚さ500μmの自立性のGaN基板を準備した(基板の準備工程)。このGaN基板の主面1mにおける平均転位密度は、基板の主面をHClガスでエッチングして現れたピットの単位面積あたりの数(エッチピット密度)を微分干渉顕微鏡を用いて測定したところ、5×105cm-2であった。ここで、平均転位密度の測定においては、GaN基板の主面1mの100μm×100μmの正方形領域における転位密度を、ピッチ5mmの格子点上の81箇所で測定し、それらの平均を算出した。かかる平均転位密度の測定方法をEPD(エッチピット密度)測定法とも呼ぶ。
図2を参照して、上記各GaN基板(下地基板1)を、その平坦な主面1mを上に向けて、内径60mmで深さ20mmのアルミナ製の坩堝(結晶成長容器23)の底に配置した(基板配置サブ工程)。次に、GaN基板(下地基板1)が配置されたAl2O3製の坩堝(結晶成長容器23)内に、純度99.9999モル%の金属Gaと純度99.99モル%の金属Na(溶媒3)を、金属Ga(III族金属MIII)と金属Na(アルカリ金属MA)との合計のモル数に対する金属Na(アルカリ金属MA)のモル数の比(モル比MA/(MIII+MA))が0.1となる割合で、溶融したときの溶媒3(Ga−Na融液)の表面からGaN基板(下地基板1)の主面1mまでの深さが5mmになる量を入れた。
結晶成長温度を850℃としたこと以外は、実施例1と同様にして、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させた。結晶成長後30℃に冷却された内容器21のAl2O3製の坩堝(結晶成長容器23)の溶媒3には、金属Naは生成せず、金属Gaおよび合金Ga4Naが生成する。このため、溶媒3を少し(たとえば30℃以上に)加熱することにより金属Gaを融解させてGaN結晶を容易に取り出すことができる。取り出されたGaN結晶に付着している金属Gaを王水を用いて除去して、GaN結晶を得た。得られたGaN結晶の厚さは9μmであった。すなわち、GaN結晶の結晶成長速度は0.018μm/hrであった。結果を表1にまとめた。
結晶成長温度を900℃としたこと以外は、実施例1と同様にして、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させた。結晶成長後30℃に冷却された内容器21のAl2O3製の坩堝(結晶成長容器23)の溶媒3には、金属Naは生成せず、金属Gaおよび合金Ga4Naが生成する。このため、溶媒3を少し(たとえば30℃以上に)加熱することにより金属Gaを融解させてGaN結晶を容易に取り出すことができる。取り出されたGaN結晶に付着している金属Gaを王水を用いて除去して、GaN結晶を得た。得られたGaN結晶の厚さは3μmであった。すなわち、GaN結晶の結晶成長速度は0.006μm/hrであった。結果を表1にまとめた。
結晶成長圧力温度を6MPaとしたこと以外は、実施例1と同様にして、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させた。結晶成長後30℃に冷却された内容器21のAl2O3製の坩堝(結晶成長容器23)の溶媒3には、金属Naは生成せず、金属Gaおよび合金Ga4Naが生成する。このため、溶媒3を少し(たとえば30℃以上に)加熱することにより金属Gaを融解させてGaN結晶を容易に取り出すことができる。取り出されたGaN結晶に付着している金属Gaを王水を用いて除去して、GaN結晶を得た。得られたGaN結晶の厚さは10μmであった。すなわち、GaN結晶の結晶成長速度は0.02μm/hrであった。
結晶成長温度を850℃としたこと以外は、実施例4と同様にして、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させた。結晶成長後30℃に冷却された内容器21のAl2O3製の坩堝(結晶成長容器23)の溶媒3には、金属Naは生成せず、金属Gaおよび合金Ga4Naが生成する。このため、溶媒3を少し(たとえば30℃以上に)加熱することにより金属Gaを融解させてGaN結晶を容易に取り出すことができる。取り出されたGaN結晶に付着している金属Gaを王水を用いて除去して、GaN結晶を得た。得られたGaN結晶の厚さは13μmであった。すなわち、GaN結晶の結晶成長速度は0.026μm/hrであった。
結晶成長温度を900℃としたこと以外は、実施例4と同様にして、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させた。結晶成長後30℃に冷却された内容器21のAl2O3製の坩堝(結晶成長容器23)の溶媒3には、金属Naは生成せず、金属Gaおよび合金Ga4Naが生成する。このため、溶媒3を少し(たとえば30℃以上に)加熱することにより金属Gaを融解させてGaN結晶を容易に取り出すことができる。取り出されたGaN結晶に付着している金属Gaを王水を用いて除去して、GaN結晶を得た。得られたGaN結晶の厚さは15μmであった。すなわち、GaN結晶の結晶成長速度は0.03μm/hrであった。結果を表1にまとめた。
結晶成長温度を950℃としたこと以外は、実施例4と同様にして、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させた。結晶成長後30℃に冷却された内容器21のAl2O3製の坩堝(結晶成長容器23)の溶媒3には、金属Naは生成せず、金属Gaおよび合金Ga4Naが生成する。このため、溶媒3を少し(たとえば30℃以上に)加熱することにより金属Gaを融解させてGaN結晶を容易に取り出すことができる。取り出されたGaN結晶に付着している金属Gaを王水を用いて除去して、GaN結晶を得た。得られたGaN結晶の厚さは5μmであった。すなわち、GaN結晶の結晶成長速度は0.01μm/hrであった。
結晶成長圧力を9MPaとしたこと以外は、実施例1と同様にして、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させた。結晶成長後30℃に冷却された内容器21のAl2O3製の坩堝(結晶成長容器23)の溶媒3には、金属Naは生成せず、金属Gaおよび合金Ga4Naが生成する。このため、溶媒3を少し(たとえば30℃以上に)加熱することにより金属Gaを融解させてGaN結晶を容易に取り出すことができる。取り出されたGaN結晶に付着している金属Gaを王水を用いて除去して、GaN結晶を得た。得られたGaN結晶は、多結晶化していた。結果を表1にまとめた。
結晶成長温度を850℃としたこと以外は、実施例8と同様にして、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させた。結晶成長後30℃に冷却された内容器21のAl2O3製の坩堝(結晶成長容器23)の溶媒3には、金属Naは生成せず、金属Gaおよび合金Ga4Naが生成する。このため、溶媒3を少し(たとえば30℃以上に)加熱することにより金属Gaを融解させてGaN結晶を容易に取り出すことができる。取り出されたGaN結晶に付着している金属Gaを王水を用いて除去して、GaN結晶を得た。得られたGaN結晶の厚さは20μmであった。すなわち、GaN結晶の結晶成長速度は0.04μm/hrであった。結果を表1にまとめた。
結晶成長温度を900℃としたこと以外は、実施例8と同様にして、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させた。結晶成長後30℃に冷却された内容器21のAl2O3製の坩堝(結晶成長容器23)の溶媒3には、金属Naは生成せず、金属Gaおよび合金Ga4Naが生成する。このため、溶媒3を少し(たとえば30℃以上に)加熱することにより金属Gaを融解させてGaN結晶を容易に取り出すことができる。取り出されたGaN結晶に付着している金属Gaを王水を用いて除去して、GaN結晶を得た。得られたGaN結晶の厚さは35μmであった。すなわち、GaN結晶の結晶成長速度は0.07μm/hrであった。結果を表1にまとめた。
結晶成長温度を950℃としたこと以外は、実施例8と同様にして、GaN結晶(III族窒化物結晶10)を成長させた。結晶成長後30℃に冷却された内容器21のAl2O3製の坩堝(結晶成長容器23)の溶媒3には、金属Naは生成せず、金属Gaおよび合金Ga4Naが生成する。このため、溶媒3を少し(たとえば30℃以上に)加熱することにより金属Gaを融解させてGaN結晶を容易に取り出すことができる。取り出されたGaN結晶に付着している金属Gaを王水を用いて除去して、GaN結晶を得た。得られたGaN結晶の厚さは30μmであった。すなわち、GaN結晶の結晶成長速度は0.06μm/hrであった。結果を表1にまとめた。
Claims (4)
- 液相法によるIII族窒化物結晶の成長方法であって、
下地基板を準備する工程と、
前記下地基板の主面に、III族金属とアルカリ金属とを含む溶媒に窒素含有ガスを溶解させた溶液を接触させて、前記主面上に前記III族窒化物結晶を成長させる工程と、を備え、
前記III族金属と前記アルカリ金属との合計のモル数に対する前記アルカリ金属のモル数の比が0.001以上0.2未満であるIII族窒化物結晶の成長方法。 - 前記III族金属と前記アルカリ金属との合計のモル数に対する前記アルカリ金属のモル数の比が0.001以上0.1以下である請求項1に記載のIII族窒化物結晶の成長方法。
- 前記アルカリ金属は、NaおよびLiの少なくともいずれかを含む請求項1または請求項2に記載のIII族窒化物結晶の成長方法。
- 前記III族窒化物結晶はGaN結晶である請求項1から請求項3までのいずれかに記載のIII族窒化物結晶の成長方法。
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