JP4530004B2 - GaN結晶の成長方法 - Google Patents
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Description
本発明にかかるIII族窒化物結晶の成長方法の一実施形態は、図1〜図3を参照して、液相法によるIII族窒化物結晶10の成長方法であって、平坦な主面1mを有し、少なくとも主面1m側にIII族窒化物結晶10と同じ化学組成を有するIII族窒化物種結晶1aを含み、主面1mに最も近い(hkil)面1n(ここで、i=−(h+k)であり、h、kおよびlはそれぞれ−9以上9以下の整数)の反りの曲率半径が2m以上である基板を準備する工程と、基板1の主1m面に、III族金属を含む溶媒3に窒素含有ガス5を溶解させた溶液を接触させて、主面1m上にIII族窒化物結晶10を成長させる工程と、を備える。
本発明にかかるIII族窒化物結晶の一実施形態は、図3を参照して、実施形態1の成長方法により得られる。本実施形態のIII族窒化物結晶10は、実施形態1の方法により成長されたものであるため、大型の結晶となる。また、純度の高いIII族金属および窒素含有ガスを原料として用いることにより、純度の高いIII族窒化物結晶となる。
基板1として、HVPE法で作製した主面1mが研磨された平坦な(0001)Ga面で直径が2インチ(50.8mm)で厚さ350μmの自立性のGaN基板を多数準備した。いずれのGaN基板においても、その主面の中央部は、X線回折による測定結果から、(0001)面に対するオフ角が0.5°以下であった。かかる多数のGaN基板から、(0001)面の反りの曲率半径が1m以上2m未満のGaN基板、曲率半径が2m以上5m未満のGaN基板、曲率半径が5m以上10m未満のGaN基板、曲率半径が10m以上のGaN基板をそれぞれ10枚ずつ選別した。
図3を参照して、上記各GaN基板(基板1)を、その平坦な主面1mを上に向けて、内径60mmで深さ20mmのBN製坩堝(結晶成長容器23)の底に配置した。次に、GaN基板(基板1)が配置されたBN製坩堝(結晶成長容器23)内に、100gの純度99.9999質量%の金属Ga(溶媒3)を入れた。この金属Ga(溶媒3)は室温(約25℃)中では固体であるが、後の加熱により液体(金属Ga融液)となり、金属Ga融液(溶媒3)の表面からGaN基板(基板1)の主面1mまでの深さが5mmとなった。
Claims (6)
- 液相法によるGaN結晶の成長方法であって、
平坦な主面を有し、全体が前記GaN結晶と同じ化学組成を有するGaN種結晶で形成されている自立の基板であって、前記主面に最も近い(hkil)面(ここで、i=−(h+k)であり、h、kおよびlはそれぞれ−9以上9以下の整数)の反りの曲率半径が2m以上である基板を準備する工程と、
前記基板の前記主面に、金属Gaを含む溶媒に窒素含有ガスを溶解させた溶液を接触させて、前記主面上に前記GaN結晶を成長させる工程と、を備えるGaN結晶の成長方法。 - 前記曲率半径が5m以上である請求項1に記載のGaN結晶の成長方法。
- 前記曲率半径が10m以上である請求項1に記載のGaN結晶の成長方法。
- 前記主面の面積が1cm2以上である請求項1から請求項3までのいずれかに記載のGaN結晶の成長方法。
- 前記主面は、(0001)面、(10−10)面および(10−11)面からなる群から選ばれる1種類の面である請求項1から請求項4までのいずれかに記載のGaN結晶の成長方法。
- 前記溶媒は純度が99質量%以上の前記金属Gaである請求項1から請求項7までのいずれかに記載のGaN結晶の成長方法。
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JP2005247594A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Ricoh Co Ltd | Iii族窒化物の結晶成長方法およびiii族窒化物結晶および半導体デバイス |
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