JP2011219296A - 炭化珪素単結晶ウェハ - Google Patents
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】口径100mm以上の炭化珪素単結晶ウェハ12であって、ウェハ面内における高低差で表される反り量が、口径100mmのウェハ換算比(反り量/ウェハ口径)で60μm/100mm以下であり、かつ、ウェハ中心における<0001>結晶方位に対して、ウェハ直径上の4つの測定点a1,a2,a1’,a2’での<0001>結晶方位のずれが、いずれも±1000秒以内である炭化珪素単結晶ウェハである。4つの測定点は、全てウェハ12の直径L1上に存在し、このうち2点a1,a1’はウェハ外周からウェハ中心に向かって2mm内側の位置、残りの2点a2,a2’は前記外周部の2点a1,a1’と中心a0とを結んだ線分の中点に位置する。
【選択図】図1
Description
デバイス作製工程におけるリソグラフプロセスで正しく焦点を結ぶことができず、1枚のウェハから得られる良好なデバイスの歩留まりが低くなるという問題が生じる。
(1)口径100mm以上の炭化珪素単結晶ウェハであって、
ウェハ面内における高低差で表される反り量が、口径100mmのウェハ換算比(反り量/ウェハ口径)で60μm/100mm以下であり、かつ、
ウェハ中心における<0001>結晶方位に対して、以下の4つの測定点での<0001>結晶方位のずれが、いずれも±1000秒以内であることを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハ。
測定点a1 :ウェハ外周からウェハ中心に向かって2mm内側の位置
測定点a2 :測定点a1とウェハ中心とを結んだ線分の中点にあたる位置
測定点a1':ウェハ直径上にあって、ウェハ中心をはさんで測定点a1と左右対称になる位置
測定点a2':ウェハ直径上にあって、ウェハ中心をはさんで測定点a2と左右対称になる位置
(2)ウェハ中心での<0001>結晶方位を基準にした前記4つの測定点での<0001>結晶方位のずれを、ウェハ中心から各測定点までの距離に基づきプロットし、得られたグラフの線形近似式の傾きから求めた平均ピークシフト値が、20秒/mm以下である(1)に記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
(3)反り量に関する換算比(反り量/ウェハ口径)が40μm/100mm以下である(1)又は(2)に記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
(4)種結晶を用いた昇華再結晶法により得られた炭化珪素単結晶インゴットから切り出されたものである(1)〜(3)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
(5)4°オフウェハの転位に相当するエッチピットの密度が5.0×104cm-2以下である(1)〜(4)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
(6)エッジ除外領域を除いたウェハ面内が単一のポリタイプで構成される(1)〜(5)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
測定点a1 :ウェハ外周からウェハ中心に向かって2mm内側の位置
測定点a2 :測定点a1とウェハ中心とを結んだ線分の中点にあたる位置
測定点a1':ウェハ直径上にあって、ウェハ中心をはさんで測定点a1と左右対称になる位置
測定点a2':ウェハ直径上にあって、ウェハ中心をはさんで測定点a2と左右対称になる位置
図6は、本発明の実施例、及び比較例に係るSiC単結晶ウェハを作製するためのSiC単結晶インゴットの製造に用いた、改良型レーリー法による単結晶成長の装置である。結晶成長は、昇華原料2を誘導加熱により昇華させ、種結晶1上に再結晶させることにより行われる。種結晶1は、黒鉛蓋4の内面に取り付けられており、昇華原料2は黒鉛坩堝3の内部に充填される。この黒鉛坩堝3、及び黒鉛蓋4は、熱シールドのために断熱材7で被膜され、二重石英管5内部の黒鉛支持棒6の上に設置される。石英管5の内部を、真空排気装置11を用いて1.0×10-4Pa未満まで真空排気した後、純度99.9999%以上の高純度Arガスを、配管9を介してマスフローコントローラ10で制御しながら流入させ、石英管内圧力を80kPaに保ちながらワークコイル8に高周波電流を流し、黒鉛坩堝下部を目標温度である2400℃まで上昇させる。窒素ガス(N2)も同様に、配管9を介してマスフローコントローラ10で制御しながら流入させ、雰囲気ガス中の窒素分圧を制御して、SiC結晶中に取り込まれる窒素元素の濃度を調整した。坩堝温度の計測は、坩堝上部及び下部の黒鉛製フェルト7に直径2〜15mmの光路を設けて二色温度計により行う。坩堝上部温度を種結晶温度、坩堝下部温度を原料温度とした。その後、石英管内圧力を成長圧力である0.8kPa〜3.9kPaまで約15分かけて減圧し、この状態を60〜80時間維持して結晶成長を実施した。
口径100mmウェハ作製用のSiC単結晶インゴット(A種)は、以下の条件で育成した。先ず、種結晶1として、口径101mmの(0001)面を有した、4Hの単一ポリタイプで構成されたSiC単結晶ウェハを使用した。成長圧力は1.33kPaであり、窒素ガスの分圧は180Paから65Paである。窒素分圧は成長時間によって変化させた。成長時間は60時間である。こうして得られたSiC単結晶インゴットは、一例として、口径が104.8mm、高さは32.8mmであった。このようにして、口径100mmウェハ作製用のSiC単結晶インゴットを合計14個製造した。
続いて、口径100mmウェハ作製用のSiC単結晶インゴット(B種)を育成した。育成条件は、坩堝構造、コイルと坩堝の相対位置をA種の製造条件から変更することにより、インゴットの面内温度勾配を、計算上、2℃/cm大きくなるように、インゴット外周部の温度を上げる条件にて行った以外は、A種と同様である。こうして得られたSiC単結晶インゴットは、一例として、口径が106.1mm、高さは29.6mmであった。このようにして、口径100mmウェハ作製用のSiC単結晶インゴットを、合計4個製造した。
口径125mmウェハ作製用の単結晶インゴットは、以下の条件で育成した。先ず、種結晶1として、口径127mmの(0001)面を有した、4Hの単一ポリタイプで構成されたSiC単結晶ウェハを使用した。成長圧力は1.33kPaであり、窒素ガスの分圧は160Paから70Paである。窒素分圧は成長時間によって変化させた。成長時間は80時間である。こうして得られたSiC単結晶インゴットは、一例として、口径が129mm、高さは37mmであった。口径125mmウェハ作製用のSiC単結晶インゴットは合計4個製造した。
まず、前述の100mmウェハ作製用インゴット(A種)のうちの1つに、以下のようにしてアニール処理を施した。その際、アニール処理用の加熱装置として、図1に示した単結晶成長装置と同等の誘導加熱炉を用い、黒鉛坩堝内部にインゴットを配置してアニール処理を行った。なお、アニール処理においてインゴット全体が等温に近い条件となるように、黒鉛坩堝と黒鉛坩堝周辺に設置された断熱材については、数値計算手法を用いて設計を行っており、アニール処理の目的に合わせて、インゴットを配置する空間の温度勾配ができるだけ小さくなるよう設計した。計算上、この坩堝の内部に配置してアニール温度に加熱されたインゴット内部の温度勾配は、2℃/cm以下である。
前述の125mmウェハ作製用インゴットの1つにアニール処理を施した。アニール用の加熱装置と坩堝等は実施例1と同じであり、アニールに先立つ真空、ガス置換も実施例1と同様である。そして、以下のようにした以外は実施例1と同様にしてSiC単結晶ウェハを得た。
前述の100mmウェハ作製用インゴット(A種)の1つにアニール処理を施した。アニール用の加熱装置と坩堝等は実施例1と同じであり、アニールに先立つ真空、ガス置換も実施例1と同様である。そして、以下のようにした以外は実施例1と同様にしてSiC単結晶ウェハを得た。
前述の100mmウェハ作製用インゴット(A種)の一つから、アニール処理を施さずに加工してウェハを作製した。ウェハの切り出し厚さは実施例1と同様に500μmであり、研磨して両面を鏡面に仕上げた。仕上がり後のSiC単結晶ウェハの口径は99.9mmであり、厚さは390μmであった。研磨後のSiC単結晶ウェハの反りを実施例1と同様にして調べたところ、反りは189μmであり、口径100mmのウェハ換算比(反り量/ウェハ口径)で189.2μm/100mmであった。
前述の125mmウェハ作製用インゴットから、アニール処理を施さずに加工して厚いウェハを作製した。ウェハの切り出し厚さは2000μmである。研磨して両面を鏡面に仕上げたところ、仕上がり後のSiC単結晶ウェハの口径は125.0mmであり、厚さは約1870μmであった。研磨後のSiC単結晶ウェハの反りを実施例1と同様にして調べたところ、反りは29μmであり、口径100mmのウェハ換算比(反り量/ウェハ口径)で23.2μm/100mmであった。
前述の100mmウェハ作製用インゴット(A種)の1つにアニール処理を施した。アニール用の加熱装置と坩堝等は実施例1と同じであり、アニールに先立つ真空、ガス置換も実施例1と同様である。そして、以下のようにした以外は実施例1と同様にしてSiC単結晶ウェハを得た。
前述の100mmウェハ作製用インゴット(B種)の一つから、比較例1と同様にアニール処理を施さずに加工してウェハを作製した。ウェハの切り出し厚さは実施例1と同様に500μmであり、研磨して両面を鏡面に仕上げた。仕上がり後のSiC単結晶ウェハの口径は100.0mmであり、厚さは385μmであった。研磨後のSiC単結晶ウェハの反りを実施例1と同様にして調べたところ、反りは234μmであり、口径100mmのウェハ換算比(反り量/ウェハ口径)で234.0μm/100mmであった。
前述の100mmウェハ作製用インゴット(B種)の1つにアニール処理を施した。アニール用の加熱装置と坩堝、およびアニール雰囲気、アニール温度条件は実施例1と同じであり、アニールに先立つ真空、ガス置換も実施例1と同様である。
2:昇華原料
3:黒鉛坩堝
4:黒鉛蓋
5:二重石英管
6:支持棒
7:黒鉛製フェルト
8:ワークコイル
9:高純度Arガス配管
10:高純度Arガス用マスフローコントローラ
11:真空排気装置
12:SiC単結晶ウェハ
13:X線照射機器
14:X線検出機器
Claims (6)
- 口径100mm以上の炭化珪素単結晶ウェハであって、
ウェハ面内における高低差で表される反り量が、口径100mmのウェハ換算比(反り量/ウェハ口径)で60μm/100mm以下であり、かつ、
ウェハ中心における<0001>結晶方位に対して、以下の4つの測定点での<0001>結晶方位のずれが、いずれも±1000秒以内であることを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハ。
測定点a1 :ウェハ外周からウェハ中心に向かって2mm内側の位置
測定点a2 :測定点a1とウェハ中心とを結んだ線分の中点にあたる位置
測定点a1':ウェハ直径上にあって、ウェハ中心をはさんで測定点a1と左右対称になる位置
測定点a2':ウェハ直径上にあって、ウェハ中心をはさんで測定点a2と左右対称になる位置 - ウェハ中心での<0001>結晶方位を基準にした前記4つの測定点での<0001>結晶方位のずれを、ウェハ中心から各測定点までの距離に基づきプロットし、得られたグラフの線形近似式の傾きから求めた平均ピークシフト値が、20秒/mm以下である請求項1に記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
- 反り量に関する換算比(反り量/ウェハ口径)が40μm/100mm以下である請求項1又は2に記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
- 種結晶を用いた昇華再結晶法により得られた炭化珪素単結晶インゴットから切り出されたものである請求項1〜3のいずれかに記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
- 4°オフウェハの転位に相当するエッチピットの密度が5.0×104cm-2以下である請求項1〜4のいずれかに記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
- エッジ除外領域を除いたウェハ面内が単一のポリタイプで構成される請求項1〜5のいずれかに記載の炭化珪素単結晶ウェハ。
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