JP5644637B2 - Iii族窒化物半導体結晶の製造方法 - Google Patents
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11:坩堝
12:ヒーター
13:供給管
14:排気管
15:冷却器
16:減圧ポンプ
17:Na回収タンク
Claims (5)
- 反応容器と、前記反応容器に少なくとも窒素を含む気体を供給する供給管と、前記反応容器から気体を排気する排気管と、前記排気管に接続された冷却器と、前記冷却器に接続された回収タンクと、を有する製造装置を用いて、前記反応容器内にIII 族金属とアルカリ金属とを少なくとも含む混合融液を保持し、前記供給管から少なくとも窒素を含む気体を前記反応容器に加圧供給し、前記混合融液と前記窒素とを、高温且つ加圧状態で反応させ、III 族窒化物半導体を結晶成長させるフラックス法によるIII 族窒化物半導体結晶の製造方法において、
結晶成長の終了後、結晶成長したIII 族窒化物半導体を前記反応容器から取り出す前に、前記反応容器内の温度及び圧力を調整して、前記混合融液から前記アルカリ金属のみを蒸発させ、前記窒素を含む気体の前記反応容器への供給及び前記反応容器から排気により、前記反応容器の外部に、前記排気管を通して、前記窒素を含む気体により前記アルカリ金属の蒸気を搬送し、搬送された前記アルカリ金属の蒸気を前記反応容器の外部に設けられ、前記排気管に接続された前記冷却器により冷却して前記アルカリ金属の蒸気を凝縮して液体とし、液体となったアルカリ金属を前記冷却器に接続された前記回収タンクに回収することにより、
前記結晶成長したIII 族窒化物半導体を前記反応容器から取り出す時には、前記反応容器内に残留する混合融液において、前記アルカリ金属が除去されている
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体結晶の製造方法。 - 前記アルカリ金属は、Naであることを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体結晶の製造方法。
- Naの蒸発は、150〜1000℃の温度で行う、ことを特徴とする請求項2に記載のIII 族窒化物半導体結晶の製造方法。
- Naの蒸発は、0.01Pa〜10MPaの圧力で行う、ことを特徴とする請求項2または請求項3に記載のIII 族窒化物半導体結晶の製造方法。
- 前記III 族窒化物半導体結晶は、GaN結晶であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011078828A JP5644637B2 (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | Iii族窒化物半導体結晶の製造方法 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2012214302A JP2012214302A (ja) | 2012-11-08 |
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JP2011078828A Active JP5644637B2 (ja) | 2011-03-31 | 2011-03-31 | Iii族窒化物半導体結晶の製造方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP5644637B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104131351B (zh) * | 2014-07-29 | 2017-12-15 | 北京大学东莞光电研究院 | 一种制备氮化物单晶体材料的工业化装置及方法 |
CN112098261B (zh) * | 2020-08-03 | 2022-03-11 | 中国原子能科学研究院 | 一种用于高温高压下液体金属钠蒸发的装置及操作方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4190711B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2008-12-03 | 株式会社リコー | Iii族窒化物結晶の結晶製造方法および結晶製造装置 |
JP4056785B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2008-03-05 | 株式会社リコー | Iii族窒化物結晶の製造方法およびiii族窒化物結晶の製造装置 |
EP1741807B1 (en) * | 2004-04-27 | 2013-09-25 | Panasonic Corporation | Apparatus for production of crystal of group iii element nitride and process for producing crystal of group iii element nitride |
WO2007094126A1 (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Ngk Insulators, Ltd. | フラックスからナトリウム金属を回収する方法 |
JP4702324B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2011-06-15 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体製造装置、およびiii族窒化物半導体の製造方法 |
JP2010269986A (ja) * | 2009-05-25 | 2010-12-02 | Panasonic Corp | Iii族窒化物結晶の取り出し方法及びそれに用いる装置 |
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2011
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012214302A (ja) | 2012-11-08 |
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