JP2012214302A - Iii族窒化物半導体結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Naフラックス法によるGaN基板の育成終了後、温度500℃、圧力10PaでNaを蒸発させた。そして、排気管14を通して気体のNaを排出し、冷却器15によってNaを液化してNa回収タンク17によりNaを回収した。その後、圧力を大気圧に戻し、加熱を停止して温度を常温まで下げ、反応容器10を開封して中から坩堝11を取り出した。このとき、坩堝11内にはNaはほとんど残留していないため、GaN基板を短時間で安全に取り出すことができる。また、回収したNaは高純度であり、フラックスとして再利用することができる。
【選択図】図1
Description
11:坩堝
12:ヒーター
13:供給管
14:排気管
15:冷却器
16:減圧ポンプ
17:Na回収タンク
Claims (5)
- III 族金属とアルカリ金属とを少なくとも含む混合融液と、少なくとも窒素を含む気体とを反応させ、III 族窒化物半導体を結晶成長させるNaフラックス法によるIII 族窒化物半導体結晶の製造方法において、
結晶成長中に、または結晶成長の終了後、前記アルカリ金属を蒸発させ、その後前記アルカリ金属の蒸気を凝縮させることにより、前記混合融液から前記アルカリ金属を分離して回収する、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体結晶の製造方法。 - 前記アルカリ金属は、Naであることを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体結晶の製造方法。
- Naの蒸発は、150〜1000℃の温度で行う、ことを特徴とする請求項2に記載のIII 族窒化物半導体結晶の製造方法。
- Naの蒸発は、0.01Pa〜10MPaの圧力で行う、ことを特徴とする請求項2または請求項3に記載のIII 族窒化物半導体結晶の製造方法。
- 前記III 族窒化物半導体結晶は、GaN結晶であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体結晶の製造方法。
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