JP6350298B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6350298B2 JP6350298B2 JP2015009652A JP2015009652A JP6350298B2 JP 6350298 B2 JP6350298 B2 JP 6350298B2 JP 2015009652 A JP2015009652 A JP 2015009652A JP 2015009652 A JP2015009652 A JP 2015009652A JP 6350298 B2 JP6350298 B2 JP 6350298B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- layer
- voltage
- electrode
- gate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 183
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 256
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 28
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 14
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 101100102583 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) vgl1 gene Proteins 0.000 description 25
- 102100023478 Transcription cofactor vestigial-like protein 1 Human genes 0.000 description 25
- 101100102598 Mus musculus Vgll2 gene Proteins 0.000 description 13
- 102100023477 Transcription cofactor vestigial-like protein 2 Human genes 0.000 description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/868—PIN diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Description
本発明の第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。まず、図1を参照しつつ本実施形態の半導体装置1の構成について説明する。
半導体素装置1BがIGBT素子2として作動していると判定した場合、図3Aに示されるように、第1ゲート電極15aには時点T2までハイレベルであり、時点T2からローレベルとなるゲート駆動電圧VGL1が印加される。
半導体装置1BがFWD素子3として作動していると判定した場合、図3Bに示されるように、第1、第2ゲート電極15a、15bには、切替信号Skに応じて、第1、第2ゲート駆動電圧VGL1a、VGL1b、VGL2a、VGL2bのいずれか一方が印加される。具体的には、第1、第2ゲート駆動電圧VGL1a、VGL2aは、ローレベルの信号である。また、第1、第2ゲート駆動電圧VGL1b、VGL2bは、時点T4までがローレベルであり、時点T4から時点T5までハイレベルとなる信号である。なお、時点T4は、半導体装置1Bにリカバリ電流が流れ始める前の時点である。
半導体装置1Bに流れる電流が微小であって電流閾値Is未満の場合、半導体装置1BがIGBT素子2として作動しているかFWD素子3として作動しているかが判定できない。このため、図3Cに示されるように、第1ゲート電極15aには、時点T7までハイレベルであり、時点T7からローレベルとなるゲート駆動電圧VGL1が印加される。これにより、半導体装置1BがIGBT素子2として作動している場合には、第1トレンチ13aと接する部分に反転層が形成されるため、IGBT素子2における導通損失(オン電圧)を低減できる。なお、このゲート駆動電圧VGL1の波形は、PWM信号FLと同じ波形である。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してゲート絶縁構造の閾値電圧Vthを変更するためにエミッタ領域16の深さを変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
半導体素装置1BがIGBT素子2として作動していると判定した場合には、第1、第2ゲート電極15a、15bには、上記図3Aを用いて説明した第1、第2ゲート駆動電圧VGL1、VGL2a、VGL2bがそれぞれ印加される。このため、第2ゲート電極15bに第2ゲート駆動電圧VGL2bが印加されるようにした場合には、上記と同様に、スイッチング損失を低減できる。
半導体装置1BがFWD素子3として作動していると判定した場合、図5Aに示されるように、第1、第2ゲート電極15a、15bには、切替信号Skに応じて、第1、第2ゲート駆動電圧VGL1a、VGL2a〜VGL1d、VGL2dのいずれかが印加される。
半導体装置1Bに流れる電流が微小であるために半導体装置1Bの作動が不明であると判定した場合、図5Bに示されるように、第1ゲート電極15aには、時点T15までハイレベルであり、時点T15からローレベルとなるゲート駆動電圧VGL1が印加される。これにより、半導体装置1BがIGBT素子2として作動している場合には、第1トレンチ13aと接する部分に反転層が形成されるため、IGBT素子2における導通損失を低減できる。このゲート駆動電圧VGL1の波形は、PWM信号FLと同じ波形である。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
10 半導体基板
11 ドリフト層
12 ベース層
14 ゲート絶縁膜
15a、15b 第1、第2ゲート電極
16 エミッタ領域
19 第1電極
20 コレクタ層
21 カソード層
22 第2電極
Claims (6)
- 第1導電型のドリフト層(11)を構成する半導体基板(10)と、
前記ドリフト層上に形成された第2導電型のベース層(12)と、
前記ベース層の表層部であって、前記ベース層を挟んで前記ドリフト層から離間して形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第1導電型のエミッタ領域(16)と、
前記エミッタ領域と前記ドリフト層の間に挟まれた前記ベース層の表面に配置された複数のゲート絶縁膜(14)と、
前記ゲート絶縁膜上に配置された複数のゲート電極(15a、15b)と、
前記ドリフト層と接触すると共に前記ベース層から離間して形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第2導電型のコレクタ層(20)と、
前記ドリフト層と接触すると共に前記ベース層から離間して形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第1導電型のカソード層(21)と、
前記ベース層および前記エミッタ領域と電気的に接続される第1電極(19)と、
前記コレクタ層および前記カソード層と電気的に接続される第2電極(22)と、を有し、
前記ベース層のうち、前記ゲート絶縁膜を挟んで前記ゲート電極と反対側に位置する部分に前記エミッタ領域と前記ドリフト層との間を繋ぐ反転層を形成し、当該反転層を介して前記第1電極と前記第2電極との間に電流を流す半導体スイッチング素子(2)を備えていると共に、
前記ベース層と前記ドリフト層とによるPN接合を有し、前記第1電極と前記第2電極との間に電流を流すフリーホイールダイオード素子(3)を備えている半導体装置において、
前記複数のゲート電極は、一部のゲート電極(15a)と残部のゲート電極(15b)とが異なるゲート端子(G1、G2)に接続されることによって独立したゲート駆動電圧が印加されるようになっており、
前記一部のゲート電極および前記残部のゲート電極にゲート駆動電圧が印加された際、前記ベース層のうちの前記一部のゲート電極および前記残部のゲート電極が配置される前記ゲート絶縁膜と接する部分に前記エミッタ領域と前記ドリフト層とを繋ぐ反転層が形成される前記ゲート駆動電圧を第1電圧、前記ベース層のうちの前記一部のゲート電極および前記残部のゲート電極が配置される前記ゲート絶縁膜と接する部分に前記エミッタ領域と前記ドリフト層とを繋ぐ反転層が形成されない前記ゲート駆動電圧を第2電圧としたとき、
前記半導体基板に流れる電流に基づいて前記半導体スイッチング素子の作動か前記フリーホイールダイオード素子の作動かを判定できない際、
前記一部のゲート電極には前記第1電圧が印加され、前記残部のゲート電極には前記第2電圧が印加されることを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型のドリフト層(11)を構成する半導体基板(10)と、
前記ドリフト層上に形成された第2導電型のベース層(12)と、
前記ベース層の表層部であって、前記ベース層を挟んで前記ドリフト層から離間して形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第1導電型のエミッタ領域(16)と、
前記エミッタ領域と前記ドリフト層の間に挟まれた前記ベース層の表面に配置された複数のゲート絶縁膜(14)と、
前記ゲート絶縁膜上に配置された複数のゲート電極(15a、15b)と、
前記ドリフト層と接触すると共に前記ベース層から離間して形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第2導電型のコレクタ層(20)と、
前記ドリフト層と接触すると共に前記ベース層から離間して形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第1導電型のカソード層(21)と、
前記ベース層および前記エミッタ領域と電気的に接続される第1電極(19)と、
前記コレクタ層および前記カソード層と電気的に接続される第2電極(22)と、を有し、
前記ベース層のうち、前記ゲート絶縁膜を挟んで前記ゲート電極と反対側に位置する部分に前記エミッタ領域と前記ドリフト層との間を繋ぐ反転層を形成し、当該反転層を介して前記第1電極と前記第2電極との間に電流を流す半導体スイッチング素子(2)を備えていると共に、
前記ベース層と前記ドリフト層とによるPN接合を有し、前記第1電極と前記第2電極との間に電流を流すフリーホイールダイオード素子(3)を備えている半導体装置において、
前記複数のゲート電極は、一部のゲート電極(15a)と残部のゲート電極(15b)とが異なるゲート端子(G1、G2)に接続されることによって独立したゲート駆動電圧が印加されるようになっており、
前記一部のゲート電極を有する絶縁ゲート構造の閾値電圧と前記残部のゲート電極を有する絶縁ゲート構造の閾値電圧とが異なっており、
前記一部のゲート電極および前記残部のゲート電極にゲート駆動電圧が印加された際、前記ベース層のうちの前記一部のゲート電極が配置される前記ゲート絶縁膜と接する部分に前記エミッタ領域と前記ドリフト層とを繋ぐ反転層が形成されると共に、前記ベース層のうちの前記残部のゲート電極が配置される前記ゲート絶縁膜と接する部分に前記ドリフト層側から前記エミッタ領域に向かう途中位置まで反転層が形成される前記ゲート駆動電圧を第1電圧、前記ベース層のうちの前記一部のゲート電極および前記残部のゲート電極が配置される前記ゲート絶縁膜と接する部分に前記エミッタ領域と前記ドリフト層とを繋ぐ反転層が形成されない前記ゲート駆動電圧を第2電圧としたとき、
前記半導体基板に流れる電流に基づいて前記半導体スイッチング素子の作動か前記フリーホイールダイオード素子の作動かを判定できない際、
前記一部のゲート電極には前記第1電圧が印加され、前記残部のゲート電極には、前記第1電圧または前記第2電圧のいずれか一方が印加されることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体基板に流れる電流に基づいて前記半導体スイッチング素子の作動か前記フリーホイールダイオード素子の作動かを判定できない際、
前記残部のゲート電極には、前記一部のゲート電極に印加されるゲート駆動電圧が前記第1電圧から第2電圧に切り替わる所定期間前から、前記ベース層に前記反転層が形成される電圧の極性と反対の極性となる電圧が印加されることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板に流れる電流に基づいて前記半導体スイッチング素子の作動か前記フリーホイールダイオード素子の作動かを判定できない際、
前記残部のゲート電極には、前記一部のゲート電極に印加されるゲート駆動電圧が前記第1電圧から第2電圧に切り替わった後、前記フリーホイールダイオード素子として作動していた際にリカバリ電流が流れ始める前に前記第1電圧が印加されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記半導体基板に流れる電流に基づいて前記半導体スイッチング素子の作動であると判定した際、
前記残部のゲート電極には、前記一部のゲート電極に印加されるゲート駆動電圧が前記第1電圧から第2電圧に切り替わる所定期間前から、前記ベース層に前記反転層が形成される電圧の極性と反対の極性となる電圧が印加されることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記半導体基板に流れる電流に基づいて前記フリーホイールダイオード素子の作動であると判定した際、
前記一部のゲート電極および残部のゲート電極の少なくともいずれか一方には、リカバリ電流が流れ始める前に前記第1電圧が印加されることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015009652A JP6350298B2 (ja) | 2015-01-21 | 2015-01-21 | 半導体装置 |
PCT/JP2016/000269 WO2016117338A1 (ja) | 2015-01-21 | 2016-01-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015009652A JP6350298B2 (ja) | 2015-01-21 | 2015-01-21 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016134568A JP2016134568A (ja) | 2016-07-25 |
JP6350298B2 true JP6350298B2 (ja) | 2018-07-04 |
Family
ID=56416890
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015009652A Active JP6350298B2 (ja) | 2015-01-21 | 2015-01-21 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6350298B2 (ja) |
WO (1) | WO2016117338A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11296076B2 (en) | 2019-11-01 | 2022-04-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
US11563112B2 (en) | 2019-11-01 | 2023-01-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for controlling semiconductor device |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6414090B2 (ja) | 2016-01-27 | 2018-10-31 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP6952483B2 (ja) * | 2017-04-06 | 2021-10-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電力変換装置 |
JP6981777B2 (ja) * | 2017-05-29 | 2021-12-17 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置 |
JP6753951B2 (ja) * | 2017-06-06 | 2020-09-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
JP2020109901A (ja) * | 2019-01-04 | 2020-07-16 | 株式会社東芝 | 制御回路、半導体装置及び電気回路装置 |
JP7353891B2 (ja) * | 2019-09-20 | 2023-10-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体回路 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008072848A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP5012737B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2012-08-29 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP4840482B2 (ja) * | 2008-10-14 | 2011-12-21 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP5229288B2 (ja) * | 2010-09-20 | 2013-07-03 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその制御方法 |
JP5942737B2 (ja) * | 2012-09-24 | 2016-06-29 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP5696713B2 (ja) * | 2012-11-06 | 2015-04-08 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその検査方法 |
JP5812027B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2015-11-11 | 株式会社デンソー | 駆動制御装置 |
-
2015
- 2015-01-21 JP JP2015009652A patent/JP6350298B2/ja active Active
-
2016
- 2016-01-20 WO PCT/JP2016/000269 patent/WO2016117338A1/ja active Application Filing
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11296076B2 (en) | 2019-11-01 | 2022-04-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
US11563112B2 (en) | 2019-11-01 | 2023-01-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for controlling semiconductor device |
US11837654B2 (en) | 2019-11-01 | 2023-12-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for controlling semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016134568A (ja) | 2016-07-25 |
WO2016117338A1 (ja) | 2016-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6350298B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6414090B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5742672B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2016009616A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP6656414B2 (ja) | 半導体装置の駆動方法および駆動回路 | |
CN106796938B (zh) | 半导体元件 | |
JP4506808B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6652173B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6658021B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN109983565B (zh) | 半导体装置 | |
JP2008072848A (ja) | 半導体装置 | |
JP2012249509A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP4952638B2 (ja) | 半導体素子と半導体装置とその駆動方法 | |
WO2016072074A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP5939281B2 (ja) | 駆動制御装置 | |
JP2014063960A (ja) | 半導体装置 | |
JP6009815B2 (ja) | ゲート駆動回路 | |
CN111969050B (zh) | 半导体装置及其驱动方法 | |
JP2015220876A (ja) | 駆動回路システム | |
CN112786696A (zh) | 半导体装置 | |
JP4226444B2 (ja) | 駆動装置及び電力変換装置 | |
JP7352443B2 (ja) | 半導体装置の制御方法 | |
JP2015126084A (ja) | 半導体装置 | |
JP2014049552A (ja) | Igbtとダイオードが同一半導体基板に形成されている半導体装置 | |
JP2007134657A (ja) | スイッチング電源回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170905 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180508 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180521 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6350298 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |