JP6009815B2 - ゲート駆動回路 - Google Patents
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Description
まず、図1を参照して、第1の実施形態に係るゲート駆動回路について説明する。図1に示すように、本実施形態に係るゲート駆動回路10は、シリコンカーバイド(SiC)を用いたMOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)20aと接続される。
次に、図2を参照して、第2の実施形態に係るゲート駆動回路について説明する。なお、前述した図1と同様の部分には同一参照符号を付してその詳しい説明を省略する。ここでは、図1と異なる部分について主に述べる。
次に、図3を参照して、第3の実施形態に係るゲート駆動回路について説明する。なお、前述した図1と同様の部分には同一参照符号を付してその詳しい説明を省略する。ここでは、図1と異なる部分について主に述べる。
次に、図4を参照して、第4の実施形態に係るゲート駆動回路について説明する。なお、前述した図1と同様の部分には同一参照符号を付してその詳しい説明を省略する。ここでは、図1と異なる部分について主に述べる。
Claims (3)
- シリコンカーバイドを用いたMOS型電界効果トランジスタと接続されるゲート駆動回路であって、
前記MOS型電界効果トランジスタのゲート端子に、ゲート抵抗を含む経路及び前記ゲート抵抗を含む当該経路に並列に接続した低インピーダンス経路を介して接続され、前記MOS型電界効果トランジスタがオフ状態の際には前記低インピーダンス経路を選択するドライバと、
前記MOS型電界効果トランジスタのソース端子と前記ドライバとの間に接続され、前記MOS型電界効果トランジスタをオン状態とする際に供給される正バイアス電圧に対して絶対値が小さく、かつ、0より大きい負バイアス電圧を、前記MOS型電界効果トランジスタをオフ状態とする際に供給する負バイアス電圧源と
を具備するゲート駆動回路。 - 前記負バイアス電圧源によって供給される負バイアス電圧値は、前記正バイアス電圧値に対して絶対値が1/5以下であることを特徴とする請求項1に記載のゲート駆動回路。
- 前記負バイアス電圧源は、前記正バイアス電圧から前記負バイアス電圧を生成する昇高圧チョッパ回路を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のゲート駆動回路。
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