JP6204945B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6204945B2 JP6204945B2 JP2015163625A JP2015163625A JP6204945B2 JP 6204945 B2 JP6204945 B2 JP 6204945B2 JP 2015163625 A JP2015163625 A JP 2015163625A JP 2015163625 A JP2015163625 A JP 2015163625A JP 6204945 B2 JP6204945 B2 JP 6204945B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- oxide semiconductor
- semiconductor film
- transistor
- metal oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 255
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 118
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 118
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 75
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 396
- 239000000463 material Substances 0.000 description 79
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 description 59
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 39
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 35
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 24
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 18
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 6
- -1 hydrogen compound Chemical class 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 5
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- 208000005156 Dehydration Diseases 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 4
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 4
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 229910019092 Mg-O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019395 Mg—O Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011276 addition treatment Methods 0.000 description 2
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 1
- 206010052128 Glare Diseases 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910020868 Sn-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 239000002990 reinforced plastic Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
Description
全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
注目されている。該トランジスタは集積回路(IC)や画像表示装置(表示装置)のよう
な電子デバイスに広く応用されている。トランジスタに適用可能な半導体薄膜としてシリ
コン系半導体材料が広く知られているが、その他の材料として酸化物半導体が注目されて
いる。
インジウム(In)、ガリウム(Ga)、および亜鉛(Zn)を含む非晶質酸化物を用い
たトランジスタが開示されている(特許文献1参照)。
も動作速度が速く、多結晶シリコンを用いたトランジスタよりも製造が容易であるものの
、電気的特性が変動しやすく信頼性が低いという問題点が知られている。例えば、光BT
試験前後において、トランジスタのしきい値電圧は変動してしまう。これに対して、特許
文献2および特許文献3では、酸化物半導体を用いたトランジスタのしきい値電圧のシフ
トを抑制するために、酸化物半導体層のチャネル形成領域と接して設けた界面安定化層に
よって酸化物半導体層の界面における電荷トラップを防止する技術が開示されている。
として、ゲート絶縁層と同質性を有する層を用いており、活性層との界面の状態を良好に
保つことができないため、活性層と界面安定化層との界面における電荷トラップを抑制す
ることが困難である。特に、界面安定化層と活性層が同等のバンドギャップを有する場合
には、電荷の蓄積が容易に起こりえる。
言えない。
、高信頼性化することを目的の一とする。
するのではなく、これらの間に、これらと接して金属酸化物膜が存在し、且つ該金属酸化
物膜は酸化物半導体膜と同種の成分でなることを技術的思想とするものである。つまり、
開示する発明の一態様は、金属酸化物膜および酸化物半導体膜とは異なる成分でなるゲー
ト絶縁膜と、金属酸化物膜と、酸化物半導体膜と、が積層された構造を備えている。ここ
で、「酸化物半導体膜と同種の成分」とは、酸化物半導体膜の構成元素から選択される一
または複数の金属元素を含むことを意味する。
などが、ゲート絶縁膜と酸化物半導体膜との界面に捕獲されることを十分に抑制すること
ができるのである。この効果は、酸化物半導体膜と相性の良い材料によって構成された金
属酸化物膜を酸化物半導体膜と接する態様で存在させることで、半導体装置の動作などに
起因して生じうる電荷などが酸化物半導体膜と金属酸化物膜との界面に捕獲されることを
抑制し、さらに、界面に電荷の捕獲中心が形成されうる材料を用いて構成されたゲート絶
縁膜を金属酸化物膜と接する態様で存在させることにより、金属酸化物膜とゲート絶縁膜
との界面に上述の電荷を捕獲させることができるというメカニズムによるものである。
界面における電荷の捕獲を抑制するのが困難になるところ、金属酸化物膜と接するゲート
絶縁膜により、金属酸化物膜とゲート絶縁膜との界面に優先的に電荷を捕獲し、酸化物半
導体膜と金属酸化物膜との界面における電荷の捕獲を抑制することができるのである。こ
のように、開示する発明の一態様に係る効果は、金属酸化物膜及び酸化物半導体膜とは異
なる成分でなるゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜と、酸
化物半導体膜と、が積層された構造に起因するものであって、ゲート絶縁膜と同質性を有
する金属酸化物膜と、酸化物半導体膜と、の積層構造が生ずる効果とは異質のものである
ということができる。
導体膜から遠ざけることができるという上述の効果により、半導体装置の動作不具合を抑
制し、半導体装置の信頼性を向上させることができるのである。
金属酸化物膜が薄い場合には、金属酸化物膜とゲート絶縁膜との界面に捕獲される電荷の
酸化物半導体膜に対する影響が大きくなる場合があるためである。例えば、金属酸化物膜
は、酸化物半導体膜よりも厚くするのが好適である。
との接続を妨げない態様で形成されるので、ソース電極またはドレイン電極と、酸化物半
導体膜との間に金属酸化物膜が存在する場合と比較して抵抗の増大を防ぐことができる。
よって、トランジスタの電気的特性の低下を抑制することができる。
らのずれや、電子供与体を形成する水素や水分の混入などが生じると、その電気伝導度が
変化してしまう。このような現象は、酸化物半導体を用いたトランジスタにとって電気的
特性の変動要因となる。したがって、水素、水分、水酸基または水素化物(水素化合物と
もいう)などの不純物を酸化物半導体より意図的に排除し、かつ不純物の排除工程によっ
て同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素を供給することに
よって、酸化物半導体膜を高純度化および電気的にi型(真性)化する。
化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することによりi型(
真性)の酸化物半導体、またはi型(真性)に限りなく近い酸化物半導体としたものであ
る。
属酸化物膜も同時にi型化することも可能である。開示する発明の一態様において、酸化
物半導体膜に接して設けられた金属酸化物膜は、水分や水素等の不純物が十分に低減され
、電気的にi型化した金属酸化物膜であるのが望ましい。
電気的特性に温度依存性がほとんど見られない。また、光劣化によるトランジスタ特性の
変動も少ない。
電極およびドレイン電極と、酸化物半導体膜と一部が接する金属酸化物膜と、金属酸化物
膜上において該金属酸化物膜と接するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
を有する半導体装置である。
の金属元素の酸化物を含んで構成されることがある。また、金属酸化物膜のエネルギーギ
ャップは、酸化物半導体膜のエネルギーギャップより大きい場合がある。また、金属酸化
物膜の伝導帯の下端のエネルギーは、酸化物半導体膜の伝導帯の下端のエネルギーより高
いことがある。
た、ゲート絶縁膜は、酸化シリコンまたは酸化ハフニウムを含んで構成されることがある
。
ン電極と接することがある。また、上記において、少なくともソース電極及びドレイン電
極の上面の一部が、酸化物半導体膜と接することがある。また、上記において、少なくと
もソース電極及びドレイン電極の上面の一部が、酸化物半導体膜と接し、酸化物半導体膜
のチャネル長方向の側端部と、金属酸化膜のチャネル長方向の側端部と、が一致すること
がある。
ある。また、酸化物半導体膜の下方に導電膜を有することがある。
のチャネル長Lは、10nm以上10μm以下、例えば、0.1μm〜0.5μmとする
ことができる。もちろん、チャネル長Lは、1μm以上であっても構わない。また、チャ
ネル幅についても、10nm以上とすることができる。
導体装置が提供される。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名
称を示すものではない。
本実施の形態では、半導体装置および半導体装置の作製方法の一形態を、図1乃至図5を
用いて説明する。
図1には、開示する発明の一態様に係る半導体装置の例として、トランジスタ110の平
面図および断面図を示す。ここで、図1(A)は平面図であり、図1(B)および図1(
C)はそれぞれ、図1(A)におけるA−B断面およびC−D断面に係る断面図である。
なお、図1(A)では、煩雑になることを避けるため、トランジスタ110の構成要素の
一部を省略している。
208a、ドレイン電極208b、金属酸化物膜210、ゲート絶縁膜212、ゲート電
極214を含む。
レイン電極208bを覆うように設けられている。
いるのが望ましい。具体的には、酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数
の金属元素の酸化物でなる膜である。このような材料は酸化物半導体膜206との相性が
良く、これを金属酸化物膜210に用いることで、酸化物半導体膜との界面の状態を良好
に保つことができるからである。つまり、上述の材料を金属酸化物膜210に用いること
で、酸化物半導体膜とこれに接する金属酸化物膜の界面(ここでは、酸化物半導体膜20
6と金属酸化物膜210との界面)における電荷の捕獲を抑制することができるのである
。
ギーギャップは、酸化物半導体膜206のエネルギーギャップより大きいことが求められ
る。また、金属酸化物膜210と酸化物半導体膜206の間には、少なくとも室温(20
℃)において、酸化物半導体膜206からキャリアが流出しない程度のエネルギー障壁の
形成が求められる。例えば、金属酸化物膜210の伝導帯の下端と、酸化物半導体膜20
6の伝導帯の下端とのエネルギー差、あるいは、金属酸化物膜210の価電子帯の上端と
、酸化物半導体膜206の価電子帯の上端とのエネルギー差は0.5eV以上であるのが
望ましく、0.7eV以上であるとより望ましい。また、1.5eV以下であると望まし
い。
合には、酸化ガリウムを含む材料などを用いて金属酸化物膜210を形成すればよい。な
お、酸化ガリウムとIn−Ga−Zn−O系の材料を接触させた場合のエネルギー障壁は
、伝導帯側で約0.8eVとなり、価電子帯側で約0.9eVとなる。
xの値を設定するのが好ましい。例えば、xの値を1.4以上2.0以下とするのが好ま
しく、xの値を1.5以上1.8以下とするのがより好ましい。ただし、酸化ガリウム膜
中に、イットリウムなどの3族元素、ハフニウムなどの4族元素、アルミニウムなどの1
3族元素、シリコンなどの14族元素、窒素、などの水素以外の不純物元素を含ませるこ
とで、酸化ガリウムのエネルギーギャップを拡大させて絶縁性を高めても良い。不純物を
含まない酸化ガリウム膜のエネルギーギャップは4.9eVであるが、上述の不純物を、
例えば0原子%を超えて20原子%以下程度含ませることで、そのエネルギーギャップを
6eV程度まで拡大することができる。
や水などの不純物は十分に低減されたものであるのが望ましい。この思想は、酸化物半導
体膜における不純物低減の思想と共通するものである。
面に電荷の捕獲中心が形成されうる材料を用いるのが望ましい。このような材料をゲート
絶縁膜212に用いることで、電荷はゲート絶縁膜212と金属酸化物膜210との界面
に捕獲されるため、金属酸化物膜210と酸化物半導体膜206の界面での電荷捕獲を十
分に抑制することができるようになる。
、窒化アルミニウム、これらの混合材料、などを単層でまたは積層して用いればよい。例
えば、金属酸化物膜210に酸化ガリウムを含む材料を用いる場合には、ゲート絶縁膜2
12には、酸化シリコンや窒化シリコンなどを用いるのが好適である。また、金属酸化物
膜210と接する関係上、ゲート絶縁膜212のエネルギーギャップは、金属酸化物膜2
10のエネルギーギャップより大きいことが望ましい。
とができるのであれば、ゲート絶縁膜212の材料を上述のものに限定する必要はない。
また、ゲート絶縁膜212と金属酸化物膜210との界面に、電荷の捕獲中心が形成され
る処理を行っても良い。このような処理としては、例えば、プラズマ処理や元素の添加処
理(イオン注入など)がある。
08aやドレイン電極208bと配線とを電気的に接続させるために、金属酸化物膜21
0、ゲート絶縁膜212、などには開口が形成されていても良い。また、酸化物半導体膜
206の下方に、さらに、第2のゲート電極を有していても良い。なお、酸化物半導体膜
206は島状に加工されていることが望ましいが、島状に加工されていなくても良い。
物膜、酸化物半導体膜、および基板を接合した構造、におけるエネルギーバンド図(模式
図)である。図2では、絶縁膜、金属酸化物膜、酸化物半導体膜のいずれもが真性である
という理想的な状況を仮定し、絶縁膜として酸化シリコン(SiOx)(バンドギャップ
Eg8eV〜9eV)を、金属酸化物膜として酸化ガリウム(GaOx)(バンドギャッ
プEg4.9eV)を、酸化物半導体膜としてIn−Ga−Zn−O系非単結晶膜(OS
)(バンドギャップEg3.15eV)を用いた場合について示している。また、基板は
主成分を酸化シリコンとするガラス基板(SiOx)であるとする。なお、酸化シリコン
の真空準位と伝導帯下端のエネルギー差は0.95eVであり、酸化ガリウムの真空準位
と伝導帯下端のエネルギー差は3.5eVであり、In−Ga−Zn−O系非単結晶膜の
真空準位と伝導帯下端のエネルギー差は4.3eVである。なお、図2には酸化物半導体
膜のフェルミ準位EFも記載する。
金属酸化物との界面に約0.8eVおよび約0.95eVのエネルギー障壁が存在する。
酸化物半導体と金属酸化物との界面において、このようなエネルギー障壁が存在すること
により、その界面においてキャリアの移動は妨げられるため、キャリアは酸化物半導体か
ら金属酸化物に移動することなく、酸化物半導体中を移動する。つまり、酸化物半導体膜
を、酸化物半導体よりもバンドギャップが段階的に大きくなる材料(ここでは、金属酸化
物膜と絶縁膜)を積層して設けることにより、キャリアは酸化物半導体膜中を移動する。
構造を示す。図3(A)乃至図3(F)では、開示する発明の一態様に係るトランジスタ
として、トップゲート型のトランジスタを示している。
ドレイン電極208b、金属酸化物膜210、ゲート絶縁膜212、ゲート電極214を
含む点で、トランジスタ110と共通している。トランジスタ120とトランジスタ11
0との相違は、酸化物半導体膜206と、ソース電極208aまたはドレイン電極208
bが接続する位置である。すなわち、トランジスタ120では、酸化物半導体膜206の
下部において、酸化物半導体膜206と、ソース電極208aやドレイン電極208bと
が接している。その他の構成要素については、図1のトランジスタ110と同様である。
詳細は、図1に関する記載を参酌することができる。
すトランジスタ120と共通している。トランジスタ130とトランジスタ120との相
違は、凸形状を有する絶縁膜202が設けられているか否かである。図3(B)に示すト
ランジスタ130においては、ソース電極208aおよびドレイン電極208bの上面の
少なくとも一部を露出するように、ソース電極208aおよびドレイン電極208b上に
絶縁膜202が設けられており、当該絶縁膜上に酸化物半導体膜206が設けられる。ま
た絶縁膜202は、ソース電極208aとドレイン電極208bの間に凸形状を有するの
で、酸化物半導体膜206もソース電極208aとドレイン電極208bの間に凸形状を
有する。その他の構成要素については、図3(A)のトランジスタ120と同様である。
すトランジスタ130と共通している。トランジスタ140とトランジスタ130との相
違は、絶縁膜202に代えて、金属酸化物膜210と同様の材料からなる金属酸化物膜2
04を用いている点である。その他の構成要素については、図3(B)のトランジスタ1
30と同様である。
タ180、は、上述の各構成要素を含む点で、それぞれ、図3(A)乃至図3(C)に示
すトランジスタ120、トランジスタ130、トランジスタ140、と共通している。こ
れらの相違は、金属酸化物膜210が島状に加工されているか否かである。ここで、酸化
物半導体膜206のチャネル長方向の側端部と、金属酸化膜210のチャネル長方向の側
端部と、が概略一致することが好ましい。その他の構成要素については、図3(A)乃至
図3(C)に示すトランジスタ120乃至トランジスタ140と同様である。
06の下方に下地絶縁膜を設け、当該下地絶縁膜を介して酸化物半導体膜206と重畳す
るように導電膜を設けてもよい。つまり、当該導電膜はいわゆるバックゲート電極として
機能する。
以下、図4および図5を用いて、図1及び図3(A)に示すトランジスタの作製工程の例
について説明する。
図4(A)乃至図4(D)を用いて、図1に示すトランジスタ110の作製工程の一例に
ついて説明する。
化物半導体膜206を形成する(図4(A)参照)。
熱性を有していることが必要となる。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、
サファイア基板などを、基板200として用いることができる。また、シリコンや炭化シ
リコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物
半導体基板、SOI基板などを適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子
が設けられたものを、基板200として用いてもよい。
ける場合、可撓性基板上に直接的にトランジスタを作り込んでもよいし、他の基板にトラ
ンジスタを形成した後、これを剥離し、可撓性基板に転置しても良い。なお、トランジス
タを剥離し、可撓性基板に転置するためには、上記他の基板とトランジスタとの間に剥離
層を形成すると良い。
スパッタリング法などを用いて作製することができる。また、酸化物半導体膜の厚さは、
3nm以上30nm以下とするのが望ましい。酸化物半導体膜を厚くしすぎると(例えば
、膜厚を50nm以上)、トランジスタがノーマリーオンとなってしまうおそれがあるた
めである。
−O系の材料や、三元系金属酸化物であるIn−Ga−Zn−O系の材料、In−Sn−
Zn−O系の材料、In−Al−Zn−O系の材料、Sn−Ga−Zn−O系の材料、A
l−Ga−Zn−O系の材料、Sn−Al−Zn−O系の材料や、二元系金属酸化物であ
るIn−Zn−O系の材料、Sn−Zn−O系の材料、Al−Zn−O系の材料、Zn−
Mg−O系の材料、Sn−Mg−O系の材料、In−Mg−O系の材料、In−Ga−O
系の材料や、単元系金属酸化物であるIn−O系の材料、Sn−O系の材料、Zn−O系
の材料などを用いることができる。また、上記の材料にSiO2を含ませてもよい。ここ
で、例えば、In−Ga−Zn−O系の材料とは、インジウム(In)、ガリウム(Ga
)、亜鉛(Zn)を有する酸化物膜、という意味であり、その組成比は特に問わない。ま
た、InとGaとZn以外の元素を含んでいてもよい。
用いた薄膜とすることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれ
た一または複数の金属元素を示す。例えば、Mとして、Ga、GaおよびAl、Gaおよ
びMn、またはGaおよびCoなどを用いることができる。
ターゲットを用いたスパッタリング法により形成する。
ては、例えば、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数
比]の酸化物半導体膜成膜用ターゲットを用いることができる。なお、ターゲットの材料
および組成を上述に限定する必要はない。例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1
:1:2[mol数比]の組成比の酸化物半導体膜成膜用ターゲットを用いることもでき
る。
成比は、原子数比で、In:Zn=50:1〜1:2(モル数比に換算するとIn2O3
:ZnO=25:1〜1:4)、好ましくはIn:Zn=20:1〜1:1(モル数比に
換算するとIn2O3:ZnO=10:1〜1:2)、さらに好ましくはIn:Zn=1
5:1〜1.5:1(モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=15:2〜3:4)と
する。例えば、In−Zn−O系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比が
In:Zn:O=X:Y:ZのときZ>1.5X+Yとする。
%以上99.9%以下とする。充填率の高い酸化物半導体膜成膜用ターゲットを用いるこ
とにより、成膜した酸化物半導体膜は緻密な膜とすることができるためである。
スと酸素の混合雰囲気下などとすればよい。また、酸化物半導体膜への水素、水、水酸基
、水素化物などの混入を防ぐために、水素、水、水酸基、水素化物などの不純物が十分に
除去された高純度ガスを用いた雰囲気とすることが望ましい。
00℃以下好ましくは200℃以上400℃以下とする。基板200が加熱された状態で
成膜を行うことで、酸化物半導体膜に含まれる不純物濃度を低減することができるためで
ある。また、スパッタリングによる損傷を軽減することができるためである。
た高純度ガスを導入し、上記ターゲットを用いて基板200上に酸化物半導体膜を成膜す
る。成膜室内の残留水分を除去するためには、排気手段として、クライオポンプ、イオン
ポンプ、チタンサブリメーションポンプなどの吸着型の真空ポンプを用いることが望まし
い。また、排気手段は、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。
クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素分子や、水(H2O)などの水
素原子を含む化合物(より好ましくは炭素原子を含む化合物も)などが除去されているた
め、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。
、直流(DC)電源を0.5kW、成膜雰囲気を酸素(酸素流量比率100%)雰囲気と
することができる。なお、パルス直流電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質(パー
ティクル、ごみともいう)が軽減でき、膜厚分布も均一となるため好ましい。
プラズマを発生させる逆スパッタを行い、基板200の表面に付着している粉状物質(パ
ーティクル、ごみともいう)を除去することが好ましい。逆スパッタとは、基板に電圧を
印加し、基板近傍にプラズマを形成して、基板側の表面を改質する方法である。なお、ア
ルゴンに代えて、窒素、ヘリウム、酸素などのガスを用いてもよい。
化物半導体膜をエッチングすることによって行うことができる。上述のマスクは、フォト
リソグラフィなどの方法を用いて形成することができる。または、インクジェット法など
の方法を用いてマスクを形成しても良い。
い。もちろん、これらを組み合わせて用いてもよい。
第1の熱処理によって酸化物半導体膜中の、過剰な水素(水や水酸基を含む)を除去し、
酸化物半導体膜の構造を整え、エネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができる
。第1の熱処理の温度は、250℃以上650℃以下、好ましくは450℃以上600℃
以下、または基板の歪み点未満とする。
450℃、1時間の条件で行うことができる。この間、酸化物半導体膜は大気に触れさせ
ず、水や水素の混入が生じないようにする。
によって、被処理物を加熱する装置を用いても良い。例えば、GRTA(Gas Rap
id Thermal Anneal)装置、LRTA(Lamp Rapid The
rmal Anneal)装置等のRTA(Rapid Thermal Anneal
)装置を用いることができる。GRTA装置は、高温のガスを用いて熱処理を行う装置で
ある。ガスとしては、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、熱処理によって被処
理物と反応しない不活性気体が用いられる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハ
ライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、
高圧水銀ランプなどのランプから発する光(電磁波)の輻射により、被処理物を加熱する
装置である。
間熱した後、当該不活性ガス雰囲気から被処理物を取り出すGRTA処理を行ってもよい
。GRTA処理を用いると短時間での高温熱処理が可能となる。また、被処理物の耐熱温
度を超える温度条件であっても適用が可能となる。なお、処理中に、不活性ガスを、酸素
を含むガスに切り替えても良い。酸素を含む雰囲気において第1の熱処理を行うことで、
酸素欠損に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができるためである
。
)を主成分とする雰囲気であって、水、水素などが含まれない雰囲気を適用するのが望ま
しい。例えば、熱処理装置に導入する窒素や、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの
純度を、6N(99.9999%)以上、好ましくは7N(99.99999%)以上(
すなわち、不純物濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下)とする。
に限りなく近い酸化物半導体膜を形成することで、極めて優れた特性のトランジスタを実
現することができる。
当該熱処理を、脱水化処理や、脱水素化処理などと呼ぶこともできる。当該脱水化処理や
、脱水素化処理は、例えば、酸化物半導体膜を島状に加工した後などのタイミングにおい
て行うことも可能である。また、このような脱水化処理、脱水素化処理は、一回に限らず
複数回行っても良い。
て説明したが、開示する発明の一態様はこれに限定して解釈されない。第1の熱処理を行
った後に、酸化物半導体膜を加工しても良い。
成される配線を含む)を形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ソース
電極208aおよびドレイン電極208bを形成する(図4(B)参照)。なお、ここで
形成されるソース電極208aの端部とドレイン電極208bの端部との間隔によって、
トランジスタのチャネル長Lが決定されることになる。
、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元
素を成分とする金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)
等を用いることができる。また、Al、Cuなどの金属膜の下側または上側の一方または
双方にTi、Mo、Wなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜(窒化チタン膜、
窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)を積層させた構成を用いても良い。
酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム(In2O3)、
酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム酸化スズ合金(In2O3
―SnO2、ITOと略記する)、酸化インジウム酸化亜鉛合金(In2O3―ZnO)
またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
ッチングに用いるレジストマスク形成時の露光には、紫外線やKrFレーザ光やArFレ
ーザ光などを用いるとよい。
と極めて波長が短い超紫外線(Extreme Ultraviolet)を用いて、レ
ジストマスク形成時の露光を行うとよい。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度
も大きい。したがって、後に形成されるトランジスタのチャネル長Lを微細化することが
可能であり、回路の動作速度を高めることができる。
を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成されたレジストマスクは、複数の膜厚を有す
る形状となり、アッシングによってさらに形状を変形させることができるため、異なるパ
ターンに加工する複数のエッチング工程に用いることが可能である。このため、一枚の多
階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスク
を形成することができる。つまり、工程の簡略化が可能となる。
(凹部)を有する酸化物半導体膜となることもある。
る酸化物半導体膜の表面に付着した吸着水などを除去してもよい。プラズマ処理を行った
場合、当該プラズマ処理に続けて大気に触れさせることなく、酸化物半導体膜206の一
部に接する金属酸化物膜210を形成することが望ましい。
06の一部と接するように、金属酸化物膜210を形成し、その後、金属酸化物膜210
と接するように、ゲート絶縁膜212を形成する(図4(C)参照)。
望ましい。このような材料は酸化物半導体膜206との相性が良く、これを金属酸化物膜
210に用いることで、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つことができるからで
ある。つまり、上述の材料を金属酸化物膜210に用いることで、酸化物半導体膜とこれ
に接する金属酸化物膜の界面(ここでは、酸化物半導体膜206と金属酸化物膜210と
の界面)における電荷の捕獲を抑制することができるのである。
ギーギャップは、酸化物半導体膜206のエネルギーギャップより大きいことが求められ
る。また、金属酸化物膜210と酸化物半導体膜206の間には、少なくとも室温(20
℃)において、酸化物半導体膜206からキャリアが流出しない程度のエネルギー障壁の
形成が求められる。例えば、金属酸化物膜210の伝導帯の下端と、酸化物半導体膜20
6の伝導帯の下端とのエネルギー差、あるいは、金属酸化物膜210の価電子帯の上端と
、酸化物半導体膜206の価電子帯の上端とのエネルギー差は0.5eV以上であるのが
望ましく、0.7eV以上であるとより望ましい。また、1.5eV以下であると望まし
い。
や水などの不純物は十分に低減されたものであるのが望ましい。この思想は、酸化物半導
体膜における不純物低減の思想と共通するものである。
体膜206などに水素や水などが混入しにくい方法を用いるのが望ましい。このような方
法としては、例えば、スパッタリング法などがある。
荷の捕獲中心が形成されうる材料を用いるのが望ましい。このような材料をゲート絶縁膜
212に用いることで、電荷はゲート絶縁膜212と金属酸化物膜210との界面に捕獲
されるため、金属酸化物膜210と酸化物半導体膜206の界面での電荷捕獲を十分に抑
制することができるようになる。
、窒化アルミニウム、これらの混合材料、などを用いればよい。例えば、金属酸化物膜2
10に酸化ガリウムを含む材料を用いる場合には、ゲート絶縁膜212には、酸化シリコ
ンや窒化シリコンなどを用いるのが好適である。また、金属酸化物膜210と接する関係
上、ゲート絶縁膜212のエネルギーギャップは、金属酸化物膜210のエネルギーギャ
ップより大きいことが望ましい。
の比誘電率が高い材料をゲート絶縁膜212に採用しても良い。ただし、この場合におい
ても、金属酸化物膜210と接触させることによって、その界面に電荷の捕獲中心が形成
されうる材料を用いるのが望ましいことに変わりはない。
とができるのであれば、ゲート絶縁膜212の材料を上述のものに限定する必要はない。
また、ゲート絶縁膜212と金属酸化物膜210との界面に、電荷の捕獲中心が形成され
る処理を行っても良い。このような処理としては、例えば、プラズマ処理や元素の添加処
理(イオン注入など)がある。
タリング法などの成膜方法を用いてゲート絶縁膜212を作製することができる。また、
ゲート絶縁膜212は、上述の材料を含む絶縁膜の単層構造としても良いし、積層構造と
しても良い。
を行うのが望ましい。第2の熱処理の温度は、250℃以上700℃以下、好ましくは4
50℃以上600℃以下、または基板の歪み点未満とする。
ppm以下、より好ましくは10ppb以下の空気)、または希ガス(アルゴン、ヘリウ
ムなど)の雰囲気下で行えばよいが、上記窒素、酸素、超乾燥空気、または希ガス等の雰
囲気に水、水素などが含まれないことが好ましい。また、熱処理装置に導入する窒素、酸
素、または希ガスの純度を、6N(99.9999%)以上好ましくは7N(99.99
999%)以上(即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下)とする
ことが好ましい。
態で加熱される。したがって、上述の脱水化(または脱水素化)処理によって減少してし
まう可能性のある酸化物半導体を構成する主成分材料の一つである酸素を、酸素を含む金
属酸化物膜210より酸化物半導体膜へ供給することができる。これによって、酸化物半
導体膜中の電荷捕獲中心を低減することができる。
されうる。
れない。例えば、ゲート電極214の形成後に第2の熱処理を行っても良い。または、第
1の熱処理に続けて第2の熱処理を行っても良いし、第1の熱処理に第2の熱処理を兼ね
させても良いし、第2の熱処理に第1の熱処理を兼ねさせても良い。
半導体膜206を、その主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することが
できる。高純度化された酸化物半導体膜206中にはドナーに由来するキャリアが極めて
少なく(ゼロに近い)、キャリア濃度は1×1014/cm3未満、好ましくは1×10
12/cm3未満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満である。
デン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等
の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて形成することができる。なお、
ゲート電極214は、単層構造としても良いし、積層構造としても良い。
図5(A)乃至図5(D)を用いて、図3(A)に示すトランジスタ120の作製工程の
一例について説明する。なお、図3(D)に示すトランジスタ160の作製工程は、酸化
物半導体膜206の形状に合わせて金属酸化物膜210を加工する点を除き、トランジス
タ120の作製工程と同様である。
を含む)を形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ソース電極208a
およびドレイン電極208bを形成する(図5(A)参照)。詳細については、トランジ
スタ110の作製工程に関する記載を参酌できる。
し、当該酸化物半導体膜を加工して島状の酸化物半導体膜206を形成する(図5(B)
参照)。詳細については、トランジスタ110の作製工程に関する記載を参酌できる。
06の一部と接するように、金属酸化物膜210を形成し、その後、金属酸化物膜210
と接するように、ゲート絶縁膜212を形成する(図5(C)参照)。詳細については、
トランジスタ110の作製工程に関する記載を参酌できる。
タ110の作製工程に関する記載を参酌できる。
導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜が積層され、さらに、金属酸化物膜と接するゲー
ト絶縁膜としては、金属酸化物膜及び酸化物半導体膜とは異なる成分でなる絶縁膜が接し
て設けられている。このように酸化物半導体膜と相性の良い材料によって構成された金属
酸化物膜を酸化物半導体膜と接する態様で存在させることで、半導体装置の動作などに起
因して生じうる電荷などが酸化物半導体膜と金属酸化物膜との界面に捕獲されることを抑
制し、さらに、界面に電荷の捕獲中心が形成されうる材料を用いて構成された絶縁物(ゲ
ート絶縁膜)を金属酸化物膜と接する態様で存在させることにより、金属酸化物膜と絶縁
物との界面に上述の電荷を捕獲させることができる。これによって、酸化物半導体膜への
電荷の影響を緩和することができるため、酸化物半導体膜界面への電荷トラップに起因す
るトランジスタのしきい値変動を抑制することができる。
水酸基又は水素化物(水素化合物ともいう)などの不純物を酸化物半導体より排除し、か
つ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料で
ある酸素を供給することによって、酸化物半導体膜を高純度化及び電気的にi型(真性)
化されたものである。このように高純度化された酸化物半導体膜を含むトランジスタは、
電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。
シフトする(例えば、バックチャネル側に正電荷がトラップされると、トランジスタのし
きい値電圧は負方向にシフトする)が、このような電荷捕獲の要因の一つとして、陽イオ
ン(またはその原因たる原子)の移動およびトラップのモデルを仮定することができる。
そして、酸化物半導体を用いたトランジスタにおいては、このような陽イオン源として、
水素原子が考えられる。開示する発明では、高純度化した酸化物半導体を用い、また、こ
れが金属酸化物膜と絶縁膜との積層構造に接する構成を採用しているため、上述のモデル
において想定される水素に起因する電荷捕獲さえも抑制できるのである。なお、上述のモ
デルは、水素のイオン化率が例えば10%程度で成立しうると考えられている。
ことができる。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
宜組み合わせて用いることができる。
実施の形態1で例示したトランジスタを用いて表示機能を有する半導体装置(表示装置と
もいう)を作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回路の一部または全体
を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。
て、シール材4005が設けられ、第2の基板4006によって封止されている。図6(
A)においては、第1の基板4001上のシール材4005によって囲まれている領域と
は異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成され
た走査線駆動回路4004、信号線駆動回路4003が実装されている。また別途形成さ
れた信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004または画素部4002に与えら
れる各種信号及び電位は、FPC(Flexible printed circuit
)4018a、FPC4018bから供給されている。
と、走査線駆動回路4004とを囲むようにして、シール材4005が設けられている。
また画素部4002と、走査線駆動回路4004の上に第2の基板4006が設けられて
いる。よって画素部4002と、走査線駆動回路4004とは、第1の基板4001とシ
ール材4005と第2の基板4006とによって、表示素子と共に封止されている。図6
(B)及び図6(C)においては、第1の基板4001上のシール材4005によって囲
まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半
導体膜で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。図6(B)及び図6(C
)においては、別途形成された信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004また
は画素部4002に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018から供給されている
。
の基板4001に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動
回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一
部のみを別途形成して実装しても良い。
ip On Glass)方法、ワイヤボンディング方法、或いはTAB(Tape A
utomated Bonding)方法などを用いることができる。図6(A)は、C
OG方法により信号線駆動回路4003、走査線駆動回路4004を実装する例であり、
図6(B)は、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図6(C
)は、TAB方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。
を含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。
源(照明装置含む)を指す。また、コネクター、例えばFPCもしくはTABテープもし
くはTCPが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が
設けられたモジュール、または表示素子にCOG方式によりIC(集積回路)が直接実装
されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
おり、実施の形態1で一例を示したトランジスタを適用することができる。
発光表示素子ともいう)、を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって
輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機EL(Electro
Luminescence)、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど、電気的作
用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
B)のM−Nにおける断面図に相当する。
有しており、接続端子電極4015及び端子電極4016はFPC4018が有する端子
と異方性導電膜4019を介して、電気的に接続されている。
016は、トランジスタ4010、トランジスタ4011のソース電極及びドレイン電極
と同じ導電膜で形成されている。
トランジスタを複数有しており、図7乃至図9では、画素部4002に含まれるトランジ
スタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれるトランジスタ4011とを例示して
いる。
で示したトランジスタを適用することができる。トランジスタ4010、トランジスタ4
011は、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。よって、図7乃至図
9で示す本実施の形態の半導体装置として信頼性の高い半導体装置を提供することができ
る。
ネルを構成する。表示素子は表示を行うことがでれば特に限定されず、様々な表示素子を
用いることができる。
子である液晶素子4013は、第1の電極層4030、第2の電極層4031、及び液晶
層4008を含む。なお、液晶層4008を挟持するように配向膜として機能する絶縁膜
4032、絶縁膜4033が設けられている。第2の電極層4031は第2の基板400
6側に設けられ、第1の電極層4030と第2の電極層4031とは液晶層4008を介
して積層する構成となっている。
サであり、液晶層4008の膜厚(セルギャップ)を制御するために設けられている。な
お、本実施の形態においては柱状のスペーサを用いる例を示すが、球状のスペーサを用い
ても良い。
晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これら
の液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイ
ラルネマチック相、等方相等を示す。
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するために数重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層に用いる。
ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が1msec以下と短
く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜
を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こ
される静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減す
ることができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。
1Ω・cm以上であり、さらに好ましくは1×1012Ω・cm以上である。なお、本明
細書における固有抵抗率の値は、20℃で測定した値とする。
ク電流等を考慮して、所定の期間、電荷を保持できるように設定される。高純度の酸化物
半導体膜を有するトランジスタを用いることにより、各画素における液晶容量に対して1
/3以下、好ましくは1/5以下の容量の大きさを有する保持容量を設ければ充分である
。
における電流値(オフ電流値)を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号
の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よ
って、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果
を奏する。
較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、液晶表示装置
の画素部に上記トランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。ま
た、上記トランジスタは、同一基板上に駆動回路部または画素部に作り分けて作製するこ
とができるため、液晶表示装置の部品点数を削減することができる。
lane−Switching)モード、FFS(Fringe Field Swit
ching)モード、ASM(Axially Symmetric aligned
Micro−cell)モード、OCB(Optical Compensated B
irefringence)モード、FLC(Ferroelectric Liqui
d Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liq
uid Crystal)モードなどを用いることができる。
透過型の液晶表示装置としてもよい。ここで、垂直配向モードとは、液晶表示パネルの液
晶分子の配列を制御する方式の一種であり、電圧が印加されていないときにパネル面に対
して液晶分子が垂直方向を向く方式である。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられ
るが、例えば、MVA(Multi−domain Vertical Alignme
nt)モード、PVA(Patterned Vertical Alignment)
モード、ASV(Advanced Super View)モードなどを用いることが
できる。また、画素(ピクセル)をいくつかの領域(サブピクセル)に分け、それぞれ別
の方向に分子を倒すよう工夫されているマルチドメイン化あるいはマルチドメイン設計と
いわれる方法を用いることができる。
防止部材などの光学部材(光学基板)などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差基
板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用
いてもよい。
(フィールドシーケンシャル駆動方式)を行うことも可能である。フィールドシーケンシ
ャル駆動方式を適用することで、カラーフィルタを用いることなく、カラー表示を行うこ
とができる。
ことができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、RGB(Rは
赤、Gは緑、Bは青を表す)の三色に限定されない。例えば、RGBW(Wは白を表す)
、又はRGBに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある。なお、
色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、本発明はカラ
ー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用することも
できる。
子を適用することができる。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料
が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機E
L素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明す
る。
て、基板上にトランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り出す
上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側の面
から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用する
ことができる。
513は、画素部4002に設けられたトランジスタ4010と電気的に接続している。
なお発光素子4513の構成は、第1の電極層4030、電界発光層4511、第2の電
極層4031の積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光素子4513から取
り出す光の方向などに合わせて、発光素子4513の構成は適宜変えることができる。
材料を用い、第1の電極層4030上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲
率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
されていてもどちらでも良い。
4031及び隔壁4510上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化シリコン
膜、窒化酸化シリコン膜、DLC(Diamond−Like Carbon)膜等を形
成することができる。また、第1の基板4001、第2の基板4006、及びシール材4
005によって封止された空間には充填材4514が設けられ密封されている。このよう
に外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム(貼り合わせフィ
ルム、紫外線硬化樹脂フィルム等)やカバー材でパッケージング(封入)することが好ま
しい。
は熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、ポリイ
ミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEVA(エ
チレンビニルアセテート)を用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよ
い。
位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
る。電子ペーパーは、電気泳動表示装置(電気泳動ディスプレイ)とも呼ばれており、紙
と同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能と
いう利点を有している。
、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に複数
分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロカプ
セル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示するも
のである。なお、第1の粒子または第2の粒子は染料を含み、電界がない場合において移
動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの(無色を含む
)とする。
ゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。
の電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また
、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレク
トロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を
用いればよい。
できる。ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用
いる電極層である第1の電極層及び第2の電極層の間に配置し、第1の電極層及び第2の
電極層に電位差を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法で
ある。
の電子ペーパーは、ツイストボール表示方式を用いた表示装置の例である。ツイストボー
ル表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層間に配置し
、電極層間に電位差を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方
法である。
れた第2の電極層4031との間には黒色領域4615a及び白色領域4615bを有し
、周りに液体で満たされているキャビティ4612を含む球形粒子4613が設けられて
おり、球形粒子4613の周囲は樹脂等の充填材4614で充填されている。第2の電極
層4031が共通電極(対向電極)に相当する。第2の電極層4031は、共通電位線と
電気的に接続される。
ス基板の他、可撓性を有する基板も用いることができ、例えば透光性を有するプラスチッ
ク基板などを用いることができる。プラスチックとしては、FRP(Fiberglas
s−Reinforced Plastics)板、PVF(ポリビニルフルオライド)
フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。ま
た、アルミニウムホイルをPVFフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシート
を用いることもできる。
、アクリル樹脂、ポリイミド、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂等の
、耐熱性を有する有機絶縁材料を用いると、平坦化絶縁膜として好適である。また上記有
機絶縁材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)、シロキサン系樹脂、PSG(リン
ガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等を用いることができる。なお、これらの材料
で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。
ピンコート法、ディッピング法、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スクリ
ーン印刷、オフセット印刷等)、ロールコーティング、カーテンコーティング、ナイフコ
ーティング等を用いることができる。
部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して
透光性とする。
、共通電極層、対向電極層などともいう)においては、取り出す光の方向、電極層が設け
られる場所、及び電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化
物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。
)、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有
する導電性材料を用いることができる。
(Mo)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(N
b)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、チタ
ン(Ti)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)等の金属、
又はその合金、若しくはその窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる
。
マーともいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子として
は、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリンま
たはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若
しくはアニリン、ピロールおよびチオフェンの2種以上からなる共重合体若しくはその誘
導体などがあげられる。
を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
体装置を提供することができる。なお、実施の形態1で例示したトランジスタは上述の表
示機能を有する半導体装置のみでなく、電源回路に搭載されるパワーデバイス、LSI等
の半導体集積回路、対象物の情報を読み取るイメージセンサ機能を有する半導体装置など
様々な機能を有する半導体装置に適用することが可能である。
宜組み合わせて用いることができる。
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用すること
ができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン
受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメ
ラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう
)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機など
が挙げられる。上記実施の形態で説明した半導体装置を具備する電子機器の例について説
明する。
2、表示部3003、キーボード3004などによって構成されている。実施の形態1ま
たは2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いノート型のパーソナルコ
ンピュータとすることができる。
外部インターフェイス3025と、操作ボタン3024等が設けられている。また、操作
用の付属品としてスタイラス3022がある。実施の形態1または2で示した半導体装置
を適用することにより、より信頼性の高い携帯情報端末(PDA)とすることができる。
01および筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701および筐体270
3は、軸部2711により一体とされており、該軸部2711を軸として開閉動作を行う
ことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。
込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成として
もよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とするこ
とで、例えば右側の表示部(図10(C)では表示部2705)に文章を表示し、左側の
表示部(図10(C)では表示部2707)に画像を表示することができる。実施の形態
1または2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高い電子書籍とすること
ができる。
筐体2701において、電源2721、操作キー2723、スピーカー2725などを備
えている。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一
面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の
裏面や側面に、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子など)、記録媒体挿入部など
を備える構成としてもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持た
せた構成としてもよい。
電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすること
も可能である。
れている。筐体2801には、表示パネル2802、スピーカー2803、マイクロフォ
ン2804、ポインティングデバイス2806、カメラ用レンズ2807、外部接続端子
2808などを備えている。また、筐体2800には、携帯型情報端末の充電を行う太陽
電池セル2810、外部メモリスロット2811などを備えている。また、アンテナは筐
体2801内部に内蔵されている。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用する
ことにより、信頼性の高い携帯電話とすることができる。
ている複数の操作キー2805を点線で示している。なお、太陽電池セル2810で出力
される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。
2802と同一面上にカメラ用レンズ2807を備えているため、テレビ電話が可能であ
る。スピーカー2803及びマイクロフォン2804は音声通話に限らず、テレビ電話、
録音、再生などが可能である。さらに、筐体2800と筐体2801は、スライドし、図
10(D)のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適
した小型化が可能である。
であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部
メモリスロット2811に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応でき
る。
よい。
接眼部3053、操作スイッチ3054、表示部(B)3055、バッテリー3056な
どによって構成されている。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することに
より、信頼性の高いデジタルビデオカメラとすることができる。
筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映像を表示
することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601を支持し
た構成を示している。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、
信頼性の高いテレビジョン装置とすることができる。
コン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から
出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向
(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
宜組み合わせて用いることができる。
120 トランジスタ
130 トランジスタ
140 トランジスタ
160 トランジスタ
170 トランジスタ
180 トランジスタ
200 基板
202 絶縁膜
204 金属酸化物膜
206 酸化物半導体膜
208a ソース電極
208b ドレイン電極
210 金属酸化物膜
212 ゲート絶縁膜
214 ゲート電極
2700 電子書籍
2701 筐体
2703 筐体
2705 表示部
2707 表示部
2711 軸部
2721 電源
2723 操作キー
2725 スピーカー
2800 筐体
2801 筐体
2802 表示パネル
2803 スピーカー
2804 マイクロフォン
2805 操作キー
2806 ポインティングデバイス
2807 カメラ用レンズ
2808 外部接続端子
2810 太陽電池セル
2811 外部メモリスロット
3001 本体
3002 筐体
3003 表示部
3004 キーボード
3021 本体
3022 スタイラス
3023 表示部
3024 操作ボタン
3025 外部インターフェイス
3051 本体
3053 接眼部
3054 操作スイッチ
3055 表示部(B)
3056 バッテリー
3057 表示部(A)
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 トランジスタ
4011 トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子電極
4016 端子電極
4018 FPC
4018a FPC
4018b FPC
4019 異方性導電膜
4021 絶縁層
4030 電極層
4031 電極層
4032 絶縁膜
4033 絶縁膜
4035 スペーサ
4510 隔壁
4511 電界発光層
4513 発光素子
4514 充填材
4612 キャビティ
4613 球形粒子
4614 充填材
4615a 黒色領域
4615b 白色領域
9600 テレビジョン装置
9601 筐体
9603 表示部
9605 スタンド
Claims (1)
- 絶縁表面を有する基板と、酸化物半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、金属酸化物膜と、絶縁膜と、ゲート電極と、を有し、
前記絶縁表面は、酸化珪素を有し、
前記酸化物半導体膜は、InとGaとZnとを有する酸化物を含み、トランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記絶縁表面上に接して設けられ、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜の上方に設けられ、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記金属酸化物膜は、Inを含まず、GaとZnとを有し、
前記金属酸化物膜のバンドギャップは、前記酸化物半導体膜のバンドギャップより大きく、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜上に接して設けられ、
前記絶縁膜は、ゲート絶縁膜となる機能を有し、
前記絶縁膜は、前記金属酸化物膜上に接して設けられ、
前記ゲート電極は、前記絶縁膜上に接して設けられ、
前記ゲート電極と、前記チャネル形成領域とは、前記絶縁膜を介して重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015163625A JP6204945B2 (ja) | 2010-04-02 | 2015-08-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010086461 | 2010-04-02 | ||
JP2010086461 | 2010-04-02 | ||
JP2015163625A JP6204945B2 (ja) | 2010-04-02 | 2015-08-21 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011078194A Division JP2011228690A (ja) | 2010-04-02 | 2011-03-31 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016115896A Division JP2016157989A (ja) | 2010-04-02 | 2016-06-10 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015228515A JP2015228515A (ja) | 2015-12-17 |
JP6204945B2 true JP6204945B2 (ja) | 2017-09-27 |
Family
ID=44708586
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011078194A Withdrawn JP2011228690A (ja) | 2010-04-02 | 2011-03-31 | 半導体装置 |
JP2015163625A Expired - Fee Related JP6204945B2 (ja) | 2010-04-02 | 2015-08-21 | 半導体装置 |
JP2016115896A Withdrawn JP2016157989A (ja) | 2010-04-02 | 2016-06-10 | 半導体装置 |
JP2017236782A Active JP6563468B2 (ja) | 2010-04-02 | 2017-12-11 | 半導体装置 |
JP2019110239A Expired - Fee Related JP6726787B2 (ja) | 2010-04-02 | 2019-06-13 | 半導体装置 |
JP2020111450A Active JP6936365B2 (ja) | 2010-04-02 | 2020-06-29 | 半導体装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011078194A Withdrawn JP2011228690A (ja) | 2010-04-02 | 2011-03-31 | 半導体装置 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016115896A Withdrawn JP2016157989A (ja) | 2010-04-02 | 2016-06-10 | 半導体装置 |
JP2017236782A Active JP6563468B2 (ja) | 2010-04-02 | 2017-12-11 | 半導体装置 |
JP2019110239A Expired - Fee Related JP6726787B2 (ja) | 2010-04-02 | 2019-06-13 | 半導体装置 |
JP2020111450A Active JP6936365B2 (ja) | 2010-04-02 | 2020-06-29 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9190522B2 (ja) |
JP (6) | JP2011228690A (ja) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101921047B1 (ko) | 2010-03-26 | 2018-11-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치를 제작하는 방법 |
WO2011122364A1 (en) | 2010-04-02 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9147768B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film |
US8884282B2 (en) | 2010-04-02 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101977152B1 (ko) | 2010-04-02 | 2019-05-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9196739B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film |
US8653514B2 (en) | 2010-04-09 | 2014-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101881729B1 (ko) | 2010-04-16 | 2018-07-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 성막 방법 및 반도체 장치를 제작하기 위한 방법 |
KR102434906B1 (ko) | 2010-04-23 | 2022-08-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101877377B1 (ko) | 2010-04-23 | 2018-07-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
WO2011132591A1 (en) | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
CN102859704B (zh) | 2010-04-23 | 2016-08-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
KR101854421B1 (ko) | 2010-04-23 | 2018-05-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101862808B1 (ko) | 2010-06-18 | 2018-05-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101932576B1 (ko) | 2010-09-13 | 2018-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP6053098B2 (ja) | 2011-03-28 | 2016-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20130007426A (ko) | 2011-06-17 | 2013-01-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR102377750B1 (ko) | 2011-06-17 | 2022-03-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치 |
US9166055B2 (en) | 2011-06-17 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9385238B2 (en) | 2011-07-08 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor using oxide semiconductor |
TWI562361B (en) | 2012-02-02 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
KR102388690B1 (ko) | 2012-05-31 | 2022-04-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6134598B2 (ja) | 2012-08-02 | 2017-05-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI624949B (zh) | 2012-11-30 | 2018-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
DE112013006219T5 (de) | 2012-12-25 | 2015-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren |
TWI614813B (zh) | 2013-01-21 | 2018-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
US9276125B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2015037164A (ja) * | 2013-08-16 | 2015-02-23 | 国立大学法人東京工業大学 | 半導体膜、薄膜トランジスタ、およびこれらの製造方法 |
TWI677989B (zh) | 2013-09-19 | 2019-11-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US9837291B2 (en) * | 2014-01-24 | 2017-12-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer processing method and apparatus |
US9627549B1 (en) * | 2015-10-05 | 2017-04-18 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor transistor device and method for fabricating the same |
JP6844845B2 (ja) | 2017-05-31 | 2021-03-17 | 三国電子有限会社 | 表示装置 |
JP6782211B2 (ja) * | 2017-09-08 | 2020-11-11 | 株式会社東芝 | 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法 |
JP7246681B2 (ja) * | 2018-09-26 | 2023-03-28 | 三国電子有限会社 | トランジスタ及びトランジスタの製造方法、並びにトランジスタを含む表示装置 |
JP7190740B2 (ja) | 2019-02-22 | 2022-12-16 | 三国電子有限会社 | エレクトロルミネセンス素子を有する表示装置 |
JP7210344B2 (ja) * | 2019-03-18 | 2023-01-23 | キオクシア株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP7444436B2 (ja) | 2020-02-05 | 2024-03-06 | 三国電子有限会社 | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (159)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6050963A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-22 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2000031493A (ja) | 1998-07-16 | 2000-01-28 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
US7445671B2 (en) * | 2000-06-29 | 2008-11-04 | University Of Louisville | Formation of metal oxide nanowire networks (nanowebs) of low-melting metals |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
WO2003040441A1 (en) | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP2003273361A (ja) | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7064359B2 (en) * | 2003-08-20 | 2006-06-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Switching semiconductor device and switching circuit |
US6887799B1 (en) * | 2003-12-18 | 2005-05-03 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Indium oxide conductive film |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
CN102867855B (zh) | 2004-03-12 | 2015-07-15 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 薄膜晶体管及其制造方法 |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
AU2005302963B2 (en) | 2004-11-10 | 2009-07-02 | Cannon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
RU2369940C2 (ru) | 2004-11-10 | 2009-10-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием |
JP5126729B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置 |
CA2585071A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI481024B (zh) | 2005-01-28 | 2015-04-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI562380B (en) | 2005-01-28 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US20080210934A1 (en) | 2005-03-25 | 2008-09-04 | Tokyo Institute Of Technology | Semiconductor Device Using Titanium Dioxide as Active Layer and Method for Producing Semiconductor Device |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) * | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
US20070044714A1 (en) | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for maintaining a cross sectional shape of a diffuser during processing |
JP4958253B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2012-06-20 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタ |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4981283B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-07-18 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP1995787A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof |
JP4907942B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2012-04-04 | シャープ株式会社 | トランジスタおよび電子デバイス |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101577293B (zh) | 2005-11-15 | 2012-09-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
KR100690925B1 (ko) * | 2005-12-01 | 2007-03-09 | 삼성전자주식회사 | 나노 크리스탈 비휘발성 반도체 집적 회로 장치 및 그 제조방법 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
JP5177954B2 (ja) | 2006-01-30 | 2013-04-10 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) * | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
KR101226974B1 (ko) | 2006-05-03 | 2013-01-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
JP2009528670A (ja) * | 2006-06-02 | 2009-08-06 | 財団法人高知県産業振興センター | 半導体機器及びその製法 |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP5332091B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2013-11-06 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP5216276B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2013-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7511343B2 (en) | 2006-10-12 | 2009-03-31 | Xerox Corporation | Thin film transistor |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101146574B1 (ko) | 2006-12-05 | 2012-05-16 | 캐논 가부시끼가이샤 | 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 및 표시장치 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR101312259B1 (ko) * | 2007-02-09 | 2013-09-25 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR101410926B1 (ko) * | 2007-02-16 | 2014-06-24 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP2008235871A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-10-02 | Canon Inc | 薄膜トランジスタの形成方法及び表示装置 |
WO2008105347A1 (en) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin-film transistor fabrication process and display device |
JP5121254B2 (ja) | 2007-02-28 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
WO2008117739A1 (ja) | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 半導体デバイス、多結晶半導体薄膜、多結晶半導体薄膜の製造方法、電界効果型トランジスタ、及び、電界効果型トランジスタの製造方法 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
JP5264197B2 (ja) | 2008-01-23 | 2013-08-14 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ |
WO2009097150A2 (en) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Northwestern University | Solution-processed high mobility inorganic thin-film transistors |
JP5371272B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2013-12-18 | キヤノン株式会社 | 非晶質酸化物膜及び半導体素子 |
JP4555358B2 (ja) | 2008-03-24 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置 |
KR100941850B1 (ko) | 2008-04-03 | 2010-02-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
US20090278120A1 (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Korea Institute Of Science And Technology | Thin Film Transistor |
JP5305730B2 (ja) | 2008-05-12 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | 半導体素子の製造方法ならびにその製造装置 |
JP5430248B2 (ja) | 2008-06-24 | 2014-02-26 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置 |
KR100963026B1 (ko) | 2008-06-30 | 2010-06-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
KR100963027B1 (ko) | 2008-06-30 | 2010-06-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
KR100963104B1 (ko) | 2008-07-08 | 2010-06-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
JP5480554B2 (ja) | 2008-08-08 | 2014-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5345456B2 (ja) | 2008-08-14 | 2013-11-20 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタ |
JP5602390B2 (ja) | 2008-08-19 | 2014-10-08 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス基板、及び撮像装置 |
JP5627071B2 (ja) | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2010062276A (ja) | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Brother Ind Ltd | 酸化物薄膜トランジスタ、及びその製造方法 |
JP5339825B2 (ja) | 2008-09-09 | 2013-11-13 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5185838B2 (ja) | 2009-01-05 | 2013-04-17 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP4752927B2 (ja) | 2009-02-09 | 2011-08-17 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
US8247276B2 (en) | 2009-02-20 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device |
KR101201891B1 (ko) * | 2009-03-26 | 2012-11-16 | 한국전자통신연구원 | 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
TWI535023B (zh) | 2009-04-16 | 2016-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
JP4415062B1 (ja) | 2009-06-22 | 2010-02-17 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
JP4571221B1 (ja) | 2009-06-22 | 2010-10-27 | 富士フイルム株式会社 | Igzo系酸化物材料及びigzo系酸化物材料の製造方法 |
JP5507202B2 (ja) * | 2009-10-28 | 2014-05-28 | 富士フイルム株式会社 | 放射線撮像装置およびそれを用いた放射線撮影システム |
JP5497417B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2014-05-21 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置 |
JP2011138934A (ja) | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
WO2011122364A1 (en) | 2010-04-02 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8884282B2 (en) | 2010-04-02 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9147768B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film |
KR101977152B1 (ko) | 2010-04-02 | 2019-05-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9196739B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film |
KR101850926B1 (ko) | 2010-04-09 | 2018-04-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
-
2011
- 2011-03-29 US US13/074,658 patent/US9190522B2/en active Active
- 2011-03-31 JP JP2011078194A patent/JP2011228690A/ja not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-08-21 JP JP2015163625A patent/JP6204945B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-06-10 JP JP2016115896A patent/JP2016157989A/ja not_active Withdrawn
-
2017
- 2017-12-11 JP JP2017236782A patent/JP6563468B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-13 JP JP2019110239A patent/JP6726787B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2020
- 2020-06-29 JP JP2020111450A patent/JP6936365B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019149584A (ja) | 2019-09-05 |
JP6936365B2 (ja) | 2021-09-15 |
JP6726787B2 (ja) | 2020-07-22 |
JP2011228690A (ja) | 2011-11-10 |
JP2018037694A (ja) | 2018-03-08 |
JP6563468B2 (ja) | 2019-08-21 |
JP2020174192A (ja) | 2020-10-22 |
JP2015228515A (ja) | 2015-12-17 |
JP2016157989A (ja) | 2016-09-01 |
US20110240994A1 (en) | 2011-10-06 |
US9190522B2 (en) | 2015-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6563468B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6305581B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6537680B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6347863B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6200468B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6273330B2 (ja) | 液晶表示装置及び半導体装置の作製方法 | |
JP6049973B2 (ja) | 半導体装置の作製方法及び半導体装置 | |
JP6131300B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160825 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160830 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170207 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170308 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170808 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170901 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6204945 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |