JP6162231B2 - 量子ドット結合用リガンド及び組成物 - Google Patents

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Description

本願は、2012年6月22日付け米国仮出願第61/663234号優先権を主張した米国特許出願第13/603596号の部分継続出願であり、それらそれぞれの全体をすべての目的のためにここに取り入れる。
高性能ダウンコンバージョン蛍光体技術は、高効率固相白色発光(SSWL)を含む、次世代の可視発光において卓越した役割を果たすであろう。さらに、そのような技術はまた近赤外(NIR)および赤外(IR)発光技術に適用可能である。紫外線(UV)または青色発光半導体発光ダイオード(LEDs)から青色、赤色および緑色波長へのダウンコンバージョンは、商業的に魅力的な白色光源を供給するための速く、効率的且つコスト効率のよい方法を提供する。残念ながら、現在のところ固相ダウンコンバージョンの主要源である、現存のレアアース活性蛍光体またはハロリン酸塩は、当初蛍光灯および陰極線管(CRTs)での使用のために開発されており、したがって、SSWLの固有の要件になると多数の重大な不足がある。そのように、SSWLシステムに利用できるものがあるが、低い電力効率(<20ライトルーメン/ワット(lm/W))、貧弱な演色(演色指数(CRI)<75)および極めて高いコスト(>200ドル/キロルーメン(klm))がこの技術を懐中電灯および通路のライティングのようなニッチマーケットに限定している。
さらに、LEDsはチップ/コーティング界面での光子の内部反射の結果としての性能低下に悩むことが多い。通常、LEDsはポリマー材料(蛍光体を含むことがある)に封入されるか、コーティングされており、それによって、発光チップに安定性を付与する。現在、これらのコーティングは基材(すなわち、チップ)よりも極めて異なる屈折率を有する無機または有機コーティングを使用することによって形成されているが、その結果として、二つの材料間の界面での屈折率の不適合による有害な光学的効果が生じる。また、LEDの温度は100℃超に達することがある。この温度上昇に伴うことがある膨張および収縮を考慮に入れると、従属ポリマー層(例えば、シリコーン)はチップとの接合部に配置されることが多い。LEDに付加的な安定性を付与するために、この従属層はさらに多くの場合ハードシェルポリマーでコーティングされる。
結果として形成されたLED構造では、チップ/従属ポリマー界面で、LEDに関するポリマーコーティングの屈折率の低下による光消失が起きる。しかし、従属層の屈折率が増大すると、内部反射を原因として従属ポリマーおよびハードシェルポリマー間の高屈折率/低屈折率界面でより大きな損失が生じるであろう。
SSWL用に従来の無機蛍光体を使用するとき電力効率が低くなる決定的因子が複数ある。これらには下記のものが挙げられる。LEDから蛍光体層への光抽出が乏しいものとなるLEDチップおよび蛍光体層界面での全反射、蛍光体粒子によって生成する光の散乱およびLEDチップ、金属接点およびハウジングによる寄生吸収による蛍光体層から周囲への低い抽出効率、近赤外線へ放射される未使用光子によって生じる赤色波長範囲における広い蛍光体発光および青色波長範囲で励起されたときの蛍光体それ自体の低いダウンコンバージョン効率(これは吸収および放射効率の組み合わせである)である。効率は紫外線励起によって改善されるが、ストークス偏移放射の増大および紫外線対青色波長範囲におけるLED効率の低下による追加損失によって、この改善は全面的な解決法としてあまり魅力的なものではなくなる。
結果として、低効率が高い有効所有経費に至らせる。コストはまたそのようなデバイスを作製するための多くの時間と労力を要する製造および組み立て行程、例えば、パッケージング中のLEDチップ上への蛍光体層の不均一集積(非特許文献1)から顕著に影響される。歴史的に、青色LEDsは、白色光を生成するために種々のバンド端フィルタおよび蛍光体と併用して使用されていた。しかし、現在のフィルタの多くはスペクトルの青色端からの光子放射が可能であるが、それによって、白色LEDの品質が制限される。デバイスの性能は、また、利用できる蛍光体色の数および同時に青色に励起できる色の組み合わせが限定されていることから、演色が貧弱になる。したがって、可視光(特に青色端)、紫外線および近赤外線スペクトルで特定の光子放射を除去するように調整される効率的なナノコンポジットフィルタの必要性がある。
SSWL用に複数の有機蛍光体の開発が行われたが、有機材料には複数の乗り越えがたい欠点があり、したがって、高効率SSWLの実行可能な解決法とはなりそうもない。これらの欠点には下記のものが挙げられる。特に青色および近紫外線光の存在下での短い寿命につながる急速な光劣化、低い吸収効率、光学散乱、チップ−界面での貧弱な屈折率整合、異なる色の蛍光体が同時に多色を励起することを困難または不可能にする狭く、重複しない吸収スペクトル、および、広い放射スペクトルである。したがって、高品質、高明度、白色光の製造を助けるポリマー材料の必要性がある。本発明は、驚異的にこの、および、他の必要性を満たすものである。
米国特許第6225198号 米国特許第6207229号 米国特許第6322901号 米国特許第6872249号 米国特許第6949206号 米国特許第7572393号 米国特許第7267865号 米国特許第7374807号 米国特許公開第2008/0118755号(2005年12月9日出願) 米国特許第6861155号 米国特許公開第2010/0167011号 米国特許公開第2012/0113672号 米国特許第7750235号 米国特許第8053972号
DOE and Optoelectronics Industry Development Association "Light emitting diodes(LEDs)for general illumination"Technology Roadmap(2002) Alivisatos,A.P.,"Semiconductor clusters, nanocrystals, and quantum dots",Science 271:933(1996) X.Peng,M.Schlamp,A.Kadavanich,A.P.Alivisatos"Epitaxial growth of highly luminescent CdSe/CdS Core/ Shell nanocrystals with photostability and electronic accessibility",J.Am.Chem.Soc.30:7019−7029(1997) C.B.Murray,D.J.Norris,M.G.Bawendi, "Synthesis and characterization of nearly monodisperse CdE(E=sulfur,selenium,tellurium)semiconductor nanocrystallites",J.Am.Chem.Soc.115:8706(1993)
ある実施形態において、本発明は、複数個のモノマー繰返し単位を含むシロキサンポリマーを有する量子ドット結合用リガンドを提供する。この量子ドット結合用リガンドはまた、複数個のアミン又はカルボキシ結合用基をも含み、それらのそれぞれが前記モノマー繰返し単位の1つに共有結合し、それによってモノマー繰返し単位の第1の母集団を形成する。前記量子ドット結合用リガンドはまた、複数個の可溶化用基(solubilizing group)をも含み、それらのそれぞれが前記モノマー繰返し単位の1つに共有結合し、それによってモノマー繰返し単位の第2の母集団を形成する。
ある実施形態において、量子ドット結合用リガンドは、式Iの構造を有する。
ここで、各R1は独立してC1-20アルキル、C1-20ヘテロアルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、シクロアルキル又はアリール(これらはそれぞれ1個以上の−Si(R1a)3基で置換されていてよい)であることができ;各R1aは独立してC1-6アルキル、シクロアルキル又はアリールであることができ;各Lは独立してC3-8アルキレン、C3-8ヘテロアルキレン、C3-8アルキレン−O−C2-8アルキレン、C3-8アルキレン−(C(O)NH−C2-8アルキレン)q、C3-8ヘテロアルキレン−(C(O)NH−C2-8アルキレン)q又はC3-8アルキレン−O−C1-8アルキレン−(C(O)NH−C2-8アルキレン)qであることができ;各R2は独立してNR2a2b又はC(O)OHであることができ;各R2a及びR2bは独立してH又はC1-6アルキルであることができ;各R3は独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、シクロアルキル又はアリールであることができ;各R4は独立してC8-20アルキル、C8-20ヘテロアルキル、シクロアルキル又はアリール(これらはそれぞれ1個以上の−Si(R1a)3基で置換されていてよい)であることができ;各R5は独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、−L−(R2)q、シクロアルキル又はアリールであることができ;下付文字mは5〜50の整数であり;下付文字nは0〜50の整数であり;下付文字qは1〜10の整数であり、下付文字nが0である場合、R1はC8-20アルキル、C8-20ヘテロアルキル、C8-20アルケニル、C8-20アルキニル、シクロアルキル又はアリール(これらはそれぞれ1個以上の−Si(R1a)3基で置換されていてよい)であることができる。
ある実施形態において、本発明は、式Ibの量子ドット結合用リガンドを製造する方法を提供する。
式Iの量子ドット結合用リガンドの製造方法は、水及び式II:
の化合物を有する反応混合物を形成させて式III:
の化合物を提供することを含む。この方法はまた、(R5)3SiOMと式IIIの化合物との反応混合物を形成させて式IV:
の化合物を提供することも含む。
この方法はまた、式IVの化合物と触媒とCH2=CH(CH2)pNR2a2bとの反応混合物を形成させ、それによって式Iの化合物を生成させることも含む。式Ib、II、III及びIVについて、各R1は独立してC8-20アルキル、C8-20アルケニル、C8-20アルキニル、シクロアルキル又はアリールであることができ;各R2a及びR2bは独立してH又はC1-6アルキルであることができ;各R5は独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、C3-8アルキル−NR2a2b、シクロアルキル又はアリールであることができ;下付文字mは5〜50の整数であることができ;Mは水素又はカチオンであることができ;下付文字pは1〜6の整数であることができる。
ある実施形態において、本発明は、本発明の量子ドット結合用リガンドと、発光量子ドット(QD)の第1の母集団との組成物を提供する。
添付した図面(これらはここに取り入れられて、本明細書の一部を構成する)は、本発明を例示するものであり、明細書と一緒になって、本発明の原理を説明して関連技術者が本発明を利用することを可能にするためのさらなる助けとなる。
図1は、本発明の1つのタイプの量子ドット結合用リガンドの合成であって、商品として入手可能なシロキサンをアルケンによって一部ヒドロシリル化し、次いで残りのシラン基をアルケン−アミンによってヒドロシリル化することによるものを示す。
図2は、本発明の別のタイプの量子ドット結合用リガンドの合成であって、長鎖アルキル官能化ジクロロシラン(RSi(Cl)2H)と水とを縮合させ、次いでシロキサンポリマーの末端クロロ基をエンドキャップし、次いでシラン基を好適なアルケンアミンでヒドロシリル化することによるものを示す。
図3は、本発明の別のタイプの量子ドット結合用リガンドの合成であって、第1工程で調製した二置換クロロシラン(1a)を分離し、次いでシラノール(1b)に転化させ、次いでシロキサンポリマー(2)と反応させてエンドキャップされたシロキサンポリマー(3a)を生成させることによるものを示す。残りのシラン基を好適なアルケン及びKarstedt(カーステッド)触媒を反応させて、図2の式の生成物と比較して2個の追加のアルキル−アミン基及び4個の追加の長鎖アルキル基を持つ最終生成物(4a)を調製する。
図4はPSAW−1:1対エポキシシリコーンハイブリッド(ESH)量子ドット組成物についてのレーザーHALTデータを示し、PSAW−1:1−QD組成物については赤色(R)及び緑色(G)光線の両方について改善された寿命を示している。
図5は、シリル変性結合用リガンドの合成であって、シロキサンポリマーをトリアルキルシリル変性アルケンでヒドロシリル化し、次いでアルケン−アミンでヒドロシリル化して、トリアルキルシリル変性シロキサンポリマーを与えるものを示している。
図6は、単一のモノマー上にカルボン酸結合用基及び長鎖アルキル可溶化用基の両方を有するシロキサンホモポリマーの合成を示す。最初にトリクロロシランをGrignard(グリニャール)反応によって長鎖アルキルで変性する。生成物を次いで縮合条件下で重合させてポリシランを得て、これを次いでKarstedt触媒を用いたヒドロシリル化によってカルボン酸結合用基で変性する。
図7は、図7に示した化合物の別の合成を示す。トリクロロシランをアルキル可溶化用基で変性した後に、Karstedt触媒を用いたヒドロシリル化条件下でシリル基をビスカルボン酸結合用基の前駆体と反応させる。得られたジクロロシランを縮合条件下で重合させて、生成物のホモポリマーを生成させる。
図8は、1つのモノマー上にビス−アミン結合用基を有し且つ第2のモノマー上にアルキル可溶化用基を有するシロキサンコポリマーの合成を示す。このシロキサンポリマーは、ポリシランから出発して調製される。このポリシランをヒドロシリル化によって部分的に長鎖アルケンで変性する。残りのシリル基を、再びKarstedt触媒を用いたヒドロシリル化によって、ビスアミン結合基の前駆体(アリルコハク酸ジメチル)と反応させる。次いでこのコハク酸ジメチルを1,2−ジアミノエタンとの反応によってアミンに転化させて生成物のリガンドを得る。
図9は、単一のモノマー上にビス−アミン結合用基及び長鎖アルキル可溶化用基の両方を有するシロキサンホモポリマーの合成を示す。この合成は、図8について上に記載したものに従い、前記コハク酸ジメチルを1,2−ジアミノエタンとの反応によってアミンに転化させる追加の工程を有する。
発明の詳しい説明
I.概要
本発明は、量子ドットに結合させるためのシロキサンアミンワックス(SAW)を提供する。リガンドは複数個のアミン又はカルボキシ結合用基のせいで量子ドットについてより大きい安定性を提供する。
II.定義
「シロキサンポリマー」又は「ポリシロキサン」とは、式−Si(R2)O−のモノマー繰返し単位を持つポリマーを指す。シロキサンポリマーのR基は同一であっても異なっていてもよく、任意の好適な基であることができ、例えば水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘテロアリールを含むが、これらに限定されるわけではない。R基が両方とも水素以外である場合、このシロキサンポリマーは「シリコーン」と称することができる。シロキサンポリマーは、直鎖状、分岐鎖状又は環状であることができる。シロキサンポリマーは、単一のタイプのモノマー繰返し単位を含んでホモポリマーを形成することができる。シロキサンポリマーはまた、2つ以上のタイプのモノマー繰返し単位を含んでランダムコポリマー又はブロックコポリマーであることができるコポリマーを形成することもできる。
「可溶化用基」とは、実質的に無極性基であって、低い水中溶解性及び高い有機溶媒中溶解性を有するもの、例えばヘキサン、ペンタン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル、アセトン、酢酸エチル、ジクロロメタン(塩化メチレン)、クロロホルム、ジメチルホルムアミド、及びN−メチルピロリジノン等を指す。代表的な可溶化用基には、長鎖アルキル、長鎖ヘテロアルキル、長鎖アルケニル、長鎖アルキニル、シクロアルキル及びアリールが包含される。
「アミン結合用基」とは、式−NR2を有するアミンを指す。窒素に結合したR基は任意の好適な基であることができ、水素及びアルキルを包含する。さらに、R基は同一であっても異なっていてもよい。
「カルボキシ結合用基」とは、カルボン酸基C(O)OHを指す。
「アルキル」とは、示した炭素原子数を有する直鎖状又は分岐鎖状の飽和脂肪族基を指す。アルキルは、C1-2、C1-3、C1-4、C1-5、C1-6、C1-7、C1-8、C1-9、C1-10、C1-12、C1-14、C1-16、C1-18、C1-20、C8-20、C12-20、C14-20、C16-20及びC18-20等の、任意の炭素数のものを包含することができる。例えば、C1-6アルキルには、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec−ブチル、t−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ヘキシル等が包含されるが、これらに限定されるわけではない。その他のアルキル基には、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オクタデカン、ノナデカン及びイコサンが包含される。アルキル基は、置換されたもの又は非置換のものであることができる。
「長鎖アルキル基」とは、上で定義したようなアルキル基であって、少なくとも8個の炭素鎖原子を有するものである。長鎖アルキル基は、C8-20、C12-20、C14-20、C16-20又はC18-20等の、任意の炭素数のものを包含することができる。代表的な基には、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オクタデカン、ノナデカン及びイコサンが包含されるが、これらに限定されるわけではない。長鎖アルキル基は、シラン基で置換されていることもできる。
「アルキレン」とは、示した炭素原子数を有する直鎖状又は分岐鎖状の飽和脂肪族基であって少なくとも2個の別の基に結合した基を指す。アルキレンは、2、3、4又はそれ以上の基に結合することができ、二価、三価、四価又は多価であることができる。アルキレンに結合する基は、アルキレンの同一の原子又は異なる原子に結合することができる。例えば、直鎖アルキレンは、−(CH2)n−(ここで、nは1、2、3、4、5又は6である)の二価基であることができる。代表的なアルキレン基には、メチレン、エチレン、プロピレン、イソプロピレン、ブチレン、イソブチレン、sec−ブチレン、ペンチレン及びヘキシレンが包含されるが、これらに限定されるわけではない。アルキレン基は、置換されたもの又は非置換のものであることができる。
「アルキルアミン結合用基」とは、上記のようなアルキルに結合したアミン基であって、一般的に式−C1-20アルキル−NR2を有するものである。アルキルアミン結合用基のアルキル部分が、本発明のシロキサンポリマーに結合する。任意の好適なアルキル鎖が有用である。窒素原子に結合するR基は、任意の好適な基であることができ、水素及びアルキルを包含する。さらに、R基は同一であっても異なっていてもよい。
「ヘテロアルキル」とは、任意の好適な長さのアルキル基であって、N、O及びS等のヘテロ原子を1〜5個有するものを指す。追加のヘテロ原子も有用であり得、B、Al、Si及びPが包含されるが、これらに限定されるわけではない。ヘテロ原子はまた、酸化されたものであることもでき、−S(O)及び−S(O)2−等があるが、これらに限定されるわけではない。例えば、ヘテロアルキルには、エーテル(エチレンオキシ及びポリ(エチレンオキシ))、チオエーテル及びアルキルアミンが包含され得る。ヘテロアルキルのヘテロ原子部分がアルキル基の水素を置換して、ヒドロキシ、チオまたはアミノ基を形成することができる。また、ヘテロ原子は連結用原子であることもでき、また、2個の炭素原子の間に挿入されることもできる。
「長鎖ヘテロアルキル基」とは、上で定義したしたようなヘテロアルキル基であって、少なくとも8個の鎖原子を有するものである。長鎖ヘテロアルキル基は、C8-20、C12-20、C14-20、C16-20又はC18-20等の、任意の数の鎖原子を含むことができる。
「ヘテロアルキレン」とは、上で定義したようなヘテロアルキル基であって少なくとも2個の別の基に結合した基を指す。ヘテロアルキレンに結合する2つの部分は、ヘテロアルキレンの同一の原子又は異なる原子に結合することができる。
「アルケニル」とは、少なくとも2個の炭素原子及び少なくとも1個の二重結合を有する直鎖状又は分岐鎖状の炭化水素を指す。アルケニルは、C2、C2-3、C2-4、C2-5、C2-6、C2-7、C2-8、C2-9、C2-10、C2-12、C2-14、C2-16、C2-18、C2-20、C8-20、C12-20、C14-20、C16-20及びC18-20等の、任意の炭素数のものを包含することができる。アルケニル基は、任意の適当な数の二重結合を有することができ、その数は1個、2個、3個、4個、5個又はそれ以上を包含するが、これらに限定されるわけではない。アルケニル基の例には、ビニル(エテニル)、プロペニル、イソプロペニル、1−ブテニル、2−ブテニル、イソブテニル、ブタジエニル、1−ペンテニル、2−ペンテニル、イソペンテニル、1,3−ペンタジエニル、1,4−ペンタジエニル、1−ヘキセニル、2−ヘキセニル、3−ヘキセニル、1,3−ヘキサジエニル、1,4−ヘキサジエニル、1,5−ヘキサジエニル、2,4−ヘキサジエニル又は1,3,5−ヘキサトリエニルが包含されるが、これらに限定されるわけではない。アルケニル基は、置換されたもの又は非置換のものであることができる。
「長鎖アルケニル基」とは、上で定義したようなアルケニル基であって、少なくとも8個の炭素鎖原子を有するものである。長鎖アルケニル基は、C8-20、C12-20、C14-20、C16-20又はC18-20等の、任意の炭素数のものを包含することができる。代表的な基には、オクテン、ノネン、デセン、ウンデセン、ドデセン、トリデセン、テトラデセン、ペンタデセン、ヘキサデセン、ヘプタデセン、オクタデセン、ノナデセン及びイコセンが包含されるが、これらに限定されるわけではない。長鎖アルケニル基は、1個以上のアルケン基を有することができる。
「アルキニル」とは、少なくとも2個の炭素原子及び少なくとも1個の三重結合を有する直鎖状又は分岐鎖状の炭化水素を指す。アルキニルは、C2、C2-3、C2-4、C2-5、C2-6、C2-7、C2-8、C2-9、C2-10、C2-12、C2-14、C2-16、C2-18、C2-20、C8-20、C12-20、C14-20、C16-20及びC18-20等の、任意の炭素数のものを包含することができる。アルキニル基の例には、アセチレニル、プロピニル、1−ブチニル、2−ブチニル、イソブチニル、sec−ブチニル、ブタジイニル、1−ペンチニル、2−ペンチニル、イソペンチニル、1,3−ペンタジイニル、1,4−ペンタジイニル、1−ヘキシニル、2−ヘキシニル、3−ヘキシニル、1,3−ヘキサジイニル、1,4−ヘキサジイニル、1,5−ヘキサジイニル、2,4−ヘキサジイニル又は1,3,5−ヘキサトリイニルが包含されるが、これらに限定されるわけではない。アルキニル基は、置換されたもの又は非置換のものであることができる。
「長鎖アルキニル基」とは、上で定義したようなアルキニル基であって、少なくとも8個の炭素鎖原子を有するものである。長鎖アルキニル基は、C8-20、C12-20、C14-20、C16-20又はC18-20等の、任意の炭素数のものを包含することができる。代表的な基には、オクチン、ノニン、デシン、ウンデシン、ドデシン、トリデシン、テトラデシン、ペンタデシン、ヘキサデシン、ヘプタデシン、オクタデシン、ノナデシン及びイコシンが包含されるが、これらに限定されるわけではない。長鎖アルキニル基は、1個以上のアルキン基を有することができる。
「シクロアルキル」とは、飽和の又は一部不飽和の単環式、縮合二環式若しくは架橋多環状物であって、3〜12個の環原子又は示した原子数を有するものを指す。シクロアルキルは、C3-6、C4-6、C5-6、C3-8、C4-8、C5-8、C6-8、C3-9、C3-10、C3-11、C3-12、C6-10又はC6-12等の、任意の炭素数のものを包含することができる。飽和単環式シクロアルキル環には、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル及びシクロオクチルが包含される。飽和二環式及び多環式シクロアルキル環には、例えばノルボルナン、[2.2.2]ビシクロオクタン、デカヒドロナフタレン及びアダマンタンが包含される。シクロアルキル基はまた、部分的に不飽和で、環中に二重結合又は三重結合を1個以上有するものであることもできる。代表的な部分的不飽和シクロアルキル基には、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘキサジエン(1,3−及び1,4−異性体)、シクロヘプテン、シクロヘプタジエン、シクロオクテン、シクロオクタジエン(1,3−、1,4−及び1,5−異性体)、ノルボルネン及びノルボルナジエンが包含されるが、これらに限定されるわけではない。シクロアルキルが飽和単環式C3-8シクロアルキルである場合、例示的な基には、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル及びシクロオクチルが包含されるが、これらに限定されるわけではない。シクロアルキルが飽和単環式C3-6シクロアルキルである場合、例示的な基には、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル及びシクロヘキシルが包含されるが、これらに限定されるわけではない。シクロアルキル基は、置換されたもの又は非置換のものであることができる。
「アルキル−シクロアルキル」とは、アルキル成分及びシクロアルキル成分を有する基であって、アルキル成分がシクロアルキル成分を結合箇所に結び付けるものを指す。アルキル成分は、少なくとも二価のアルキレンであってシクロアルキル成分と結合箇所とを結び付けるということを除いて、上で定義した通りである。ある場合には、アルキル部分は存在しないこともできる。アルキル成分は、C1-6、C1-2、C1-3、C1-4、C1-5、C2-3、C2-4、C2-5、C2-6、C3-4、C3-5、C3-6、C4-5、C4-6及びC5-6等の、任意の炭素数のものを包含することができる。シクロアルキル成分は、この中で定義した通りである。例示的なアルキル−シクロアルキル基には、メチル−シクロプロピル、メチル−シクロブチル、メチル−シクロペンチル及びメチル−シクロヘキシルが包含されるが、これらに限定されるわけではない。
「アリール」とは、任意の好適な数の環原子及び任意の好適な数の環を有する芳香族環系を指す。アリール基は、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15又は16個の環原子のような任意の好適な数の環原子のもの及び6〜10、6〜12又は6〜14環員のものを包含することができる。アリール基は、単環式であることもでき、縮合して二環若しくは三環基を形成することもでき、又は結合によって結合してビアリール基を形成することもできる。代表的なアリール基には、フェニル、ナフチル及びビフェニルが包含される。その他のアリール基としては、メチレン結合基を有するベンジルがある。ある種のアリール基は、フェニル、ナフチル又はビフェニルのように、6〜12個の環員を有する。別のアリール基は、フェニル又はナフチルのように、6〜10個の環員を有する。ある種の別のアリール基は、フェニルのように、6個の環員を有する。アリール基は、置換されたもの又は非置換のものであることができる。
「アルキル−アリール」とは、アルキル成分及びアリール成分を有する基であって、アルキル成分がアリール成分を結合箇所に結び付けるものを指す。アルキル成分は、少なくとも二価のアルキレンであってアリール成分と結合箇所とを結び付けるということを除いて、上で定義した通りである。アルキル成分は、C0-6、C1-2、C1-3、C1-4、C1-5、C1-6、C2-3、C2-4、C2-5、C2-6、C3-4、C3-5、C3-6、C4-5、C4-6及びC5-6等の、任意の炭素数のものを包含することができる。ある場合には、アルキル部分は存在しないこともできる。アリール成分は、上で定義した通りである。アルキル−アリール基の例には、ベンジル及びエチルベンゼンが包含されるが、これらに限定されるわけではない。アルキル−アリール基は、置換されたもの又は非置換のものであることができる。
「シラン」又は「シリル」とは、いくつかの置換基を持つケイ素原子を指し、一般的には式−SiR3を有する。ケイ素原子に結合したR基は、任意の基であることができ、水素、ハロゲン及びアルキルを包含するが、これらに限定されるわけではない。さらに、R基は同一であっても異なっていてもよい。
「反応混合物を形成」とは少なくとも2種の成分を、それらが互いに反応して第3の成分を生成するのに適した条件下で容器中で一緒にすることを指す。
「触媒」とは、ヒドロシリル化反応を達成することができる遷移金属触媒を指す。代表的な触媒には、パラジウム及び白金触媒、例えばKarstedt触媒が包含される。他にも本発明において有用な触媒はある。
「カチオン」とは、少なくとも1+の電荷を有する金属又は非金属イオンを指す。本発明の金属カチオンとして有用な金属には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及びポスト遷移金属が包含される。アルカリ金属には、Li、Na、K、Rb及びCsが包含される。非金属カチオンは、アンモニウムイオンR4+のような第四級窒素基を含む様々な基から構成される。ここで、R基は同一であっても異なっていてもよく、任意の好適な基であることができ、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘテロアリールを包含するが、これらに限定されるわけではない。
「量子ドット」又は「ナノ結晶」とは、実質的に単結晶のナノ構造体を指す。ナノ結晶は、約500nm未満であって約1nm未満程度にまで至る寸法の少なくとも1つの領域又は特徴的寸法を有する。ここで用いた場合、任意の数値に言及した時に、「約」とは、示した値の±10%の値を意味する(例えば、約100nmとは、90nm〜110nmの寸法範囲(境界を含む)を包含する)。用語「ナノ結晶」、「量子ドット」、「ナノドット」及び「ドット」が同様の構造を表すことは、当業者であれば容易にわかることであり、本明細書においては区別なく用いられる。本発明はまた、多結晶質又は非晶質のナノ結晶を用いることも包含する。
III.量子ドット結合用リガンド
本発明は、量子ドット(QD)及び関連材料に結合させるためのシロキサンアミンワックス(SAW)を提供する。本発明のSAW材料は、ワックス状成分(長鎖アルキル)及びQDに結合することができる複数個のアミン又はカルボキシ基を含有し、得られるリガンド−QD錯体の安定性を改善する。
ある実施形態において、本発明は、複数個のモノマー繰返し単位を含むシロキサンポリマーを有する量子ドット結合用リガンドを提供する。この量子ドット結合用リガンドはまた、複数個のアミン又はカルボキシ結合用基をも含み、それらのそれぞれが前記モノマー繰返し単位の1つに共有結合し、それによってモノマー繰返し単位の第1の母集団を形成する。前記量子ドット結合用リガンドはまた、複数個の可溶化用基をも含み、それらのそれぞれが前記モノマー繰返し単位の1つに共有結合し、それによってモノマー繰返し単位の第2の母集団を形成する。
ある実施形態において、本発明は、複数個のモノマー繰返し単位を含むシロキサンポリマーを有する量子ドット結合用リガンドを提供する。この量子ドット結合用リガンドはまた、複数個のアルキルアミン結合用基をも含み、それらのそれぞれが前記モノマー繰返し単位の1つに共有結合し、それによってモノマー繰返し単位の第1の母集団を形成する。前記量子ドット結合用リガンドはまた、複数個の可溶化用基又は疎水性基をも含み、それらのそれぞれが前記モノマー繰返し単位の1つに共有結合し、それによってモノマー繰返し単位の第2の母集団を形成する。
シロキサンポリマーは、ワックス状成分及び結合用成分を有する任意のシロキサンポリマーであることができる。ワックス状成分は、任意の可溶化用又は疎水性基であることができる。ある実施形態において、可溶化用又は疎水性基は、長鎖アルキル基、長鎖アルケニル基、長鎖アルキニル基、シクロアルキル又はアリールであることができる。
ある実施形態において、可溶化用基又はワックス状成分は、長鎖アルキルであることができる。ある実施形態において、各長鎖アルキル基は、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オクタデカン、ノナデカン又はイコサンであることができる。ある実施形態において、各長鎖アルキル基は、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オクタデカン、ノナデカン又はイコサンであることができる。ある実施形態において、各長鎖アルキル基は、ヘキサデカン、オクタデカン又はイコサンであることができる。ある実施形態において、各長鎖アルキル基は、オクタデカンであることができる。長鎖アルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状であることができ、随意に置換されていてよい。
シロキサンポリマーは、任意の好適な数のモノマー繰返し単位を有することができる。例えば、シロキサンポリマーは、5〜100個のモノマー繰返し単位を含むことができる。また、シロキサンポリマーは、約5、10、15、20、25、30、40、50、60、70、80、90又は100個のモノマー繰返し単位を含むことができる。ある実施形態において、シロキサンポリマーは、約5〜約50個、又は約10〜約50個、又は約10〜約25個のモノマー繰返し単位を含むことができる。
少なくとも2つのタイプのモノマー繰返し単位が存在する場合、1つのタイプのモノマー繰返し単位がもう1つのタイプのモノマー繰返し単位と比較して多い量で存在することができる。また、異なるタイプのモノマー繰返し単位がほぼ同じ量で存在していてもよい。ある実施形態においては、モノマー繰返し単位の第1の母集団とモノマー繰返し単位の第2の母集団とをほぼ同じ数にする。
各モノマー繰返し単位は、同一であっても異なっていてもよい。ある実施形態において、シロキサンポリマー中には少なくとも2つのタイプのモノマー繰返し単位を存在させる。ある実施形態において、シロキサンポリマーは、少なくとも2つのタイプのモノマー繰返し単位を含み、第1のタイプが長鎖アルキル基を含み、第2のタイプがアルキルアミン結合用基を含む。また、別のタイプのモノマー繰返し単位が存在していてもよい。本発明のシロキサンポリマーは、1、2、3、4又はそれ以上の異なる種類のモノマー繰返し単位を含むことができる。ある実施形態において、本発明のシロキサンポリマーは、単一のタイプのモノマー繰返し単位を含む。別の実施形態において、本発明のシロキサンポリマーは、2つの異なるタイプのモノマー繰返し単位を含む。
ある実施形態においては、各モノマー繰返し単位がアミン又はカルボキシ結合用基と長鎖アルキル基との両方に共有結合して、モノマー繰返し単位の第1の母集団と第2の母集団とが同じものとなる。
ある実施形態においては、各モノマー繰返し単位がアルキルアミン結合用基と長鎖アルキル基との両方に共有結合して、モノマー繰返し単位の第1の母集団と第2の母集団とが同じものとなる。
ある実施形態において、量子ドット結合用リガンドは、式Iの構造を有する。
ここで、各R1は独立してC1-20アルキル、C1-20ヘテロアルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、シクロアルキル又はアリール(これらはそれぞれ1個以上の−Si(R1a)3基で置換されていてよい)であることができ;各R1aは独立してC1-6アルキル、シクロアルキル又はアリールであることができ;各Lは独立してC3-8アルキレン、C3-8ヘテロアルキレン、C3-8アルキレン−O−C2-8アルキレン、C3-8アルキレン−(C(O)NH−C2-8アルキレン)q、C3-8ヘテロアルキレン−(C(O)NH−C2-8アルキレン)q又はC3-8アルキレン−O−C1-8アルキレン−(C(O)NH−C2-8アルキレン)qであることができ;各R2は独立してNR2a2b又はC(O)OHであることができ;各R2a及びR2bは独立してH又はC1-6アルキルであることができ;各R3は独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、シクロアルキル又はアリールであることができ;各R4は独立してC8-20アルキル、C8-20ヘテロアルキル、シクロアルキル又はアリール(これらはそれぞれ1個以上の−Si(R1a)3基で置換されていてよい)であることができ;各R5は独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、−L−(R2)q、シクロアルキル又はアリールであることができ;下付文字mは5〜50の整数であり;下付文字nは0〜50の整数であり;下付文字qは1〜10の整数であり、下付文字nが0である場合、R1はC8-20アルキル、C8-20ヘテロアルキル、C8-20アルケニル、C8-20アルキニル、シクロアルキル又はアリール(これらはそれぞれ1個以上の−Si(R1a)3基で置換されていてよい)であることができる。
ある実施形態において、各R1は独立してC1-20アルキル、C1-20ヘテロアルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、シクロアルキル又はアリールであることができ;各R1aは独立してC1-6アルキル、シクロアルキル又はアリールであることができ;各Lは独立してC3-8アルキレンであることができ;各R2は独立してNR2a2b又はC(O)OHであることができ;各R2a及びR2bは独立してH又はC1-6アルキルであることができ;各R3は独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、シクロアルキル又はアリールであることができ;各R4は独立してC8-20アルキル、C8-20ヘテロアルキル、シクロアルキル又はアリールであることができ;各R5は独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、−L−(R2)q、シクロアルキル又はアリールであることができ;下付文字mは5〜50の整数であり;下付文字nは0〜50の整数であり;下付文字qは1〜10の整数であり、下付文字nが0である場合、R1はC8-20アルキル、C8-20ヘテロアルキル、C8-20アルケニル、C8-20アルキニル、シクロアルキル又はアリールであることができる。
基Lは、結合用基R2をシロキサンポリマーに結合させる任意の好適なリンカーであることができる。ある実施形態において、各Lは独立してC3-8アルキレン、C3-8アルキレン−O−C2-8アルキレン、C3-8アルキレン−(C(O)NH−C2-8アルキレン)2又はC3-8アルキレン−O−C1-8アルキレン−(C(O)NH−C2-8アルキレン)3であることができる。別の実施形態において、各Lは独立してC3-8アルキレンであることができる。ある別の実施形態において、各Lは独立してプロピレン、ブチレン、ペンチレン、n−プロピレン−O−イソプロピレン及びペンチレン−(C(O)NH−エチレン)2であることができる。さらに別の実施形態において、各Lは独立してプロピレン、ブチレン又はペンチレンであることができる。
結合用基R2は、任意の好適なアミン又はカルボン酸であることができる。例えば、R2はR2a及びR2bの両方がHである第1アミンであることができる。R2はまた、R2a及びR2bの内の一方がHであり且つもう一方がC1-6アルキルである第2アミンであることもできる。代表的な第2アミンには、R2aがメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル等であるものが包含されるが、これらに限定されるわけではない。R2a及びR2bがそれぞれC1-6アルキルである第3アミンもまた、結合用基R2として有用である。これらの場合、R2aとR2bとは同一であっても異なっていてもよい。代表的な第3アミンには、−N(Me)2、−N(Et)2、−N(Pr)2、−N(Me)(Et)、−N(Me)(Pr)、−N(Et)(Pr)等が包含されるが、これらに限定されるわけではない。
ある実施形態において、各−L−(R2)q基は独立してC3-8アルキレン−(R2)1-3、C3-8ヘテロアルキレン−R2又はC3-8アルキレン−(C(O)NH−C2-8アルキレン−R2)2であることができる。別の実施形態において、各L−(R2)q基は独立してC3-8アルキレン−C(O)OH、C3-8アルキレン−(C(O)OH)2、C3-8アルキレン−O−C2-8アルキレン−(C(O)OH)3、C3-8アルキレン−NR2a2b又はC3-8アルキレン−(C(O)NH−C2-8アルキレン−NR2a2b)2であることができる。ある別の実施形態において、各L−(R2)q基は独立してC3-8アルキレン−C(O)OH、C3-8アルキレン−(C(O)OH)2又はC3-8アルキレン−NR2a2bであることができる。ある別の実施形態において、各L−(R2)q基は独立して:
であることができる。さらに別の実施形態において、各L−(R2)q基は独立して:
であることができる。
基R1及びR4の内の1つは、可溶化用リガンドであることができる。下付文字nが0である場合、R1が可溶化用リガンドであることができる。下付文字nが1より大きい場合、R1及びR4のいずれかが可溶化用リガンドであることができる。任意の好適な可溶化用リガンドを本発明において用いることができる。ある実施形態においては、R1及びR4の少なくとも1つがC8-20アルキル又はC8-20ヘテロアルキルであることができ、各アルキル基は随意に1個の−Si(R1a)3基で置換されていてよい。別の実施形態においては、R1及びR4の少なくとも1つがC8-20アルキル又はC8-20ヘテロアルキルであることができる。ある別の実施形態においては、R1及びR4の少なくとも1つがC16アルキル、C18アルキル、C20アルキル又は−(CH2)2−(OCH2CH2)3−OCH3であることができ、各アルキル基は随意に1個の−Si(R1a)3基で置換されていてよい。さらに別の実施形態においては、R1及びR4の少なくとも1つがC16アルキル、C18アルキル、C20アルキル又は−(CH2)2−(OCH2CH2)3−OCH3であることができる。
1又はR4のアルキル基が−Si(R1a)3基で置換されている場合、置換基は、末端炭素又はアルキル鎖中の任意の別の炭素を含めて、アルキル基上の任意の場所にあることができる。アルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状であることができる。R1a基は、シロキサンポリマーの可溶化を促進する任意の好適な基であることができる。例えば、各R1aは独立してC1-6アルキル、シクロアルキル又はアリールであることができる。各R1aは同一であっても異なっていてもよい。ある実施形態において、各R1aは独立してC1-6アルキルであることができる。R1aのアルキル基は、分岐していても分岐していなくてもよい。代表的なR1aのアルキル基には、メチル、エチル、プロピル等が包含されるが、これらに限定されるわけではない。ある実施形態においては、各R1aがエチルであることができる。
基R3は任意の好適な基であることができる。ある実施形態において、各R3は独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、シクロアルキル又はアリールであることができる。別の実施形態において、各R3は独立してC1-20アルキルであることができる。ある別の実施形態において、各R3は独立してC1-6アルキルであることができる。さらに別の実施形態において、各R3は独立してC1-3アルキルであることができる。さらに別の実施形態において、各R3は独立してメチル、エチル又はプロピルであることができる。さらに別の実施形態において、各R3はメチルであることができる。
5は任意の好適な基であることができる。ある実施形態において、各R5は独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、−L−(R2)q、シクロアルキル又はアリールであることができる。別の実施形態において、各R5は独立してC1-20アルキルであることができる。ある別の実施形態において、各R5は独立してC1-6アルキルであることができる。さらに別の実施形態において、各R5は独立してC1-3アルキルであることができる。さらに別の実施形態において、各R5は独立してメチル、エチル又はプロピルであることができる。さらに別の実施形態において、各R5はメチルであることができる。
5はまた、アミン若しくはカルボキシ結合用基、又は可溶化用基であることができる。ある実施形態においては、少なくとも1個のR5が上で定義したような−L−(R2)qであることができる。別の実施形態においては、少なくとも1個のR5がC8-20アルキルであることができる。ある別の実施形態においては、少なくとも1個のR5がC12-20アルキルであることができる。さらに別の実施形態においては、少なくとも1個のR5がオクタデカンであることができる。
本発明の量子ドット結合用リガンドが2つのタイプのモノマー繰返し単位を有する場合(下付文字nが0ではないような場合)、その構造は、式Iにおいて各R5が独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、シクロアルキル又はアリールであることができ;下付文字mが5〜50の整数であることができ;且つ、下付文字nが1〜50の整数であることができる:という構造であることができる。ある実施形態において、R1は独立してC1-3アルキルであることができる。ある実施形態において、R4のアルキル基はC8-20、C12-20、C14-20、C16-20又はC18-20であることができる。
任意の好適な数の下付文字m及びnが、本発明の量子ドット結合用リガンド中に存在していることができる。例えば、下付文字m及びnの数は、約1〜約100、又は約5〜約100、又は約5〜約50、又は約10〜約50、又は約10〜約25であることができる。下付文字m及びnはまた、約5、10、15、20、25、30、40、50、60、70、80、90又は約100であることができる。
任意の好適な比の下付文字m及びnが、本発明の量子ドット結合用リガンド中に存在していることができる。例えば、下付文字m及びnの比は、約10:1、5:1、2.5:1、2:1、1:1、1:2、1:2.5、1:5又は約1:10であることができる。ある実施形態において、下付文字m対下付文字nの比は、約2:1である。ある実施形態において、下付文字m対下付文字nの比は、約1:1である。ある実施形態において、下付文字m対下付文字nの比は、約1:2である。
ある実施形態において、R1及びR3はそれぞれ独立してC1-3アルキルであることができ;各R1aは独立してC1-6アルキルであることができ;各R4は独立してC8-20アルキル又はC8-20ヘテロアルキルであることができ、ここで、アルキル基は随意に1個の−Si(R1a)3基で置換されていることができ;各R5は独立してC1-3アルキルであることができ;そして下付文字qは1〜3の整数であることができる。
ある実施形態において、下付文字nは0以外である。別の実施形態において、量子ドット結合用リガンドは次の構造を有することができる:
ここで、下付文字m及びnはそれぞれ10〜14の整数である。ある実施形態において、量子ドット結合用リガンドは、次の構造の内のいずれかを有することができる:
ここで、各R1aは独立してC1-6アルキルであることができ、下付文字m及びnはそれぞれ10〜14の整数であることができる。
ある実施形態において、量子ドット結合用リガンドは、次の構造の内のいずれかを有することができる:
ここで、各R1aは独立してC1-6アルキルであることができ、下付文字m及びnはそれぞれ10〜14の整数であることができる。
ある実施形態において、下付文字nは0である。別の実施形態において、各R5は独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、シクロアルキル又はアリールであることができ;下付文字mは5〜50の整数であることができ;下付文字nは0であることができる。ある別の実施形態において、各R1は独立してC8-20アルキル又はC8-20ヘテロアルキルであることができ、ここで、アルキル基は随意に1個の−Si(R1a)3基で置換されていることができ;各R1aは独立してC1-6アルキルであることができ;各R5は独立してC1-3アルキルであることができ;下付文字qは1〜3の整数であることができる。さらに別の実施形態において、各R1は独立してC8-20アルキル又はC8-20ヘテロアルキルであることができ;各R1aは独立してC1-6アルキルであることができ;各R5は独立してC1-3アルキルであることができ;下付文字qは1〜3の整数であることができる。
ある実施形態において、量子ドット結合用リガンドは次の構造を有する:
別の実施形態において、R1はC8-20アルキルであることができる。ある別の実施形態において、量子ドット結合用リガンドは、次の構造の内のいずれかを有することができる:
ここで、下付文字mは5〜50の整数である。
別の実施形態において、R1はC8-20アルキルであることができる。ある別の実施形態において、量子ドット結合用リガンドは、次の構造の内のいずれかを有することができる:
ここで、下付文字mは5〜50の整数である。
ある実施形態において、量子ドット結合用リガンドは、式Iaの構造を有する:
ここで、各R1は独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、シクロアルキル又はアリールであることができ、ここで、アルキル基は随意に1個の−Si(R1a)3基で置換されていてよく;各R2はC3-8アルキル−NR2a2bであることができ;各R2a及びR2bは独立してH又はC1-6アルキルであることができ;各R3は独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、シクロアルキル又はアリールであることができ;各R4は独立してC8-20アルキルであることができ;各R5は独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、C3-8アルキル−NR2a2b、シクロアルキル又はアリールであることができ;下付文字mは5〜50の整数であることができ;下付文字nは0〜50の整数であることができ;下付文字nが0である場合、R1はC8-20アルキル、C8-20アルケニル、C8-20アルキニル、シクロアルキル又はアリールであることができる。ある実施形態において、R1又はR4のアルキル基は、C8-20、C12-20、C14-20、C16-20又はC18-20であることができる。
基R5は、任意の好適な基であることができる。ある実施形態において、各R5は独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、C3-8アルキル−NR2a2b、シクロアルキル又はアリールであることができる。ある実施形態において、各R5は独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、シクロアルキル又はアリールであることができる。ある実施形態において、各R5はC1-20アルキルであることができる。ある実施形態において、各R5はC8-20アルキルであることができる。ある実施形態において、各R5はオクタデカンであることができる。ある実施形態において、各R5はC1-3アルキルであることができる。ある実施形態において、各R5は独立してメチル、エチル又はプロピルであることができる。ある実施形態において、各R5はアリールであることができる。ある実施形態において、各R5はフェニルであることができる。ある実施形態において、R5はC3-8アルキル−NR2a2bであることができる。ある実施形態において、R5はC3アルキル−NR2a2bであることができる。ある実施形態において、各R5は独立してオクタデカン又はC3アルキル−NR2a2bであることができる。
ある実施形態において、量子ドット結合用リガンドは次の構造を有することができる:
ある実施形態において、本発明の量子ドット結合用リガンドは、次の構造を有する:
ここで、下付文字m及びnはそれぞれ10〜14の整数である。
本発明の量子ドット結合用リガンドが単一のタイプのモノマー繰返し単位を有する場合(下付文字nが0であるような場合)、その構造は、式Iにおいて各R1が独立してC8-20アルキル、C8-20アルケニル、C8-20アルキニル、シクロアルキル又はアリールであることができる構造である。ある実施形態において、各R1は独立してC8-20アルキルであることができ;下付文字mは5〜50の整数であることができ;下付文字nは0あることができる。ある実施形態において、式Iの量子ドット結合用リガンドは、次の構造を有することができる:
ある実施形態において、式Iの量子ドット結合用リガンドは、次の構造を有することができる:
ここで、R1はC8-20アルキルであることができ;下付文字pは1〜6の整数であることができる。ある実施形態において、下付文字pは1、2、3、4、5又は6であることができる。ある実施形態において、下付文字pは1であることができる。
ある実施形態において、式Iの量子ドット結合用リガンドは、次の構造を有することができる:
ここで、下付文字mは6〜8の整数であることができる。
ある実施形態において、各R5は独立してC8-20アルキル、C8-20アルケニル、C8-20アルキニル、C3-8アルキル−NR2a2b、シクロアルキル又はアリールであることができる。ある実施形態において、各R5は独立してC8-20アルキル又はC3-8アルキル−NR2a2bであることができる。ある実施形態において、量子ドット結合用リガンドは、次の構造を有することができる:
IV.量子ドット結合用リガンドを製造する方法
本発明の量子ドット結合用リガンドは、当業者に周知の任意の好適な手段によって調製することができる。例えば、商品として入手可能なシロキサンポリマーを(図1に示したように)一連の工程でアルケン及びアルケン−アミノでヒドロシリル化して、式Iにおいて下付文字nが0ではない量子ドット結合用リガンドを生成させることができる。また、長鎖アルキル官能化ジクロロシラン(RSi(Cl)2H)と水とを縮合させ、次いで該ポリマーの末端クロロ基をエンドキャップし、次いでシラン基を好適なアルケンアミンでヒドロシリル化することによってシロキサンポリマーを調製することもできる(図2)。図3には本発明の量子ドット結合用リガンドのさらに別の調製方法が示されている。図2に記載した方法に従って、第1工程で調製した二置換クロロシラン(1a)を分離し、シラノール(1b)に転化させ、次いでシロキサンポリマー(2)と反応させてエンドキャップされたシロキサンポリマー(3a)を生成させる。残りのシラン基を好適なアルケン及びKarstedt触媒を反応させて、図2の式の生成物と比較して2個の追加のアルキル−アミン基及び4個の追加の長鎖アルキル基を持つ最終生成物(4a)を調製する。残りの図面にも、本発明の量子ドット結合用リガンドの別の製造方法が記載されている。
ある実施形態において、本発明は、式Ibの量子ドット結合用リガンドの製造方法を提供する。
式Iの量子ドット結合用リガンドの製造方法は、水及び式II:
の化合物を有する反応混合物を形成させて式III:
の化合物を提供することを含む。この方法はまた、(R5)3SiOMと式IIIの化合物との反応混合物を形成させて式IV:
の化合物を提供することも含む。
この方法はまた、式IVの化合物と触媒とCH2=CH(CH2)pNR2a2bとの反応混合物を形成させ、それによって式Iの化合物を生成させることも含む。式Ib、II、III及びIVについて、各R1は独立してC8-20アルキル、C8-20アルケニル、C8-20アルキニル、シクロアルキル又はアリールであることができ;各R2a及びR2bは独立してH又はC1-6アルキルであることができ;各R5は独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、C3-8アルキル−NR2a2b、シクロアルキル又はアリールであることができ;下付文字mは5〜50の整数であることができ;Mは水素又はカチオンであることができ;下付文字pは1〜6の整数であることができる。
ある実施形態において、R1のアルキル基はC12-20、C14-20、C16-20又はC18-20であることができる。ある実施形態において、R1のアルキル基はC18、オクタデカンであることができる。
任意の好適な量の水が、本発明の方法において有用である。例えば、水は、約0.01〜約1.0モル当量、又は約0.1〜1.0当量未満、又は約0.25〜約0.75当量、又は約0.5〜約0.75当量の量で存在させることができる。水はまた、約0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9又は約1.0モル当量の量で存在させることができる。ある実施形態において、水は、工程(a)において式IIの化合物に対して約1.0当量未満の量で存在させることができる。ある実施形態において、水は、工程(a)において式IIの化合物に対して約0.1〜約0.75当量の量で存在させることができる。ある実施形態において、水は、工程(a)において式IIの化合物に対して約0.5〜約0.75当量の量で存在させることができる。
任意の好適な求核試薬を式IIIの末端クロロ基をエンドキャップするために用いることができる。ある実施形態において、求核試薬は(R5)3SiOMであることができる。ここで、各R5は上記の通りであり、Mは水素又はカチオンであることができる。金属及び非金属カチオンを含めて、任意の好適なカチオンが求核試薬用に有用である。ある実施形態において、MはNa+又はK+等の金属カチオンであることができる。
工程(b)の触媒は、ヒドロシリル化反応を実施するのに好適な任意の触媒であることができる。例えば、この触媒は、遷移金属触媒、例えばKarstedt触媒、白金系触媒等であることができる。ある実施形態において、触媒はKarstedt触媒であることができる。
V.組成物
本発明の量子ドット結合用リガンドは、量子ドット(QD)に錯化することができる。ある実施形態において、本発明は、本発明の量子ドット結合用リガンドと、発光量子ドット(QD)の第1の母集団との組成物を提供する。
ある実施形態において、前記量子ドット結合用リガンドは、上記の式Iの構造を有することができる。ある実施形態において、前記量子ドット結合用リガンドは、次の構造を有することができる:
ここで、下付文字m及びnはそれぞれ10〜14の整数である。ある実施形態において、量子ドット結合用リガンドは、上記の式Ibの構造を有することができる。ある実施形態において、量子ドット結合用リガンドは、次の構造を有することができる:
ここで、下付文字mは6〜8の整数である。
量子ドット
一般的に、特性寸法区域は構造の最小軸に沿う。QDは材料特性において実質的に均一か、または、ある実施態様では、不均一であることもある。QDの光学特性は、それらの粒径、化学または表面組成によって、および/または、従来技術で利用可能な適切な光学的試験によって決定される。ナノ結晶サイズを約1nmから約15nmの範囲に調整する能力によって、全光学スペクトル内の光子放出範囲は演色における大きな多用途性を提供することができる。粒子カプセル化は、化学的および紫外線劣化剤に対する構造安定性を提供する。
追加として例示されるナノ構造として、限定するものではないが、ナノワイヤ、ナノロッド、ナノチューブ、分岐ナノ構造、ナノテトラポッド、トライポッド、バイポッド、ナノ粒子、および、寸法が約500nm未満、例えば、約200nm未満、約100nm未満、約50nm未満、または、さらに約20nm未満または約10nm未満の少なくとも一つの区域または特性寸法(任意で三次元の各々)を有する類似構造がある。一般的に、区域または特性寸法は構造の最小軸に沿うことになる。ナノ構造は、例えば、実質的に結晶質、実質的に単結晶、多結晶、非晶質またはその組み合わせである。
本発明で使用されるQD(または他のナノ構造)は、当業者には公知のいずれかの方法を使用して製造される。例えば、適切なQDおよび適切なQDを形成する方法は、特許文献1、2、3、4、5、6、7、8、9、10に開示されたものがあり、その各々はここでは全体として参照されて組み込まれている。
本発明で使用されるQD(または他のナノ構造)は、適切な材料のいずれかによって製造され、適切には無機材料、および、さらに適切には無機導体または半導体材料である。適切な半導体材料としては、II−VI族、III−V族、IV−VI族およびIV族半導体を含むいずれかの種類の半導体がある。適切な半導体材料は、限定するものではないが、Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C(ダイアモンドを含む)、P、BN、BP、BAs、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdSeZn、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BeS、BeSe、BeTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuBr、CuI、Si34、Ge34、Al23、(Al、Ga、In)2(S、Se、Te)3、Al2CO3および二つまたはそれ以上のそのような半導体の好適な組み合わせが挙げられる。
いくつかの実施態様では、半導体ナノ結晶または他のナノ構造は、また、p型ドーパントまたはn型ドーパントのようなドーパントを含むことがある。本発明で有用なナノ結晶(または他のナノ構造)には、また、II−VIまたはIII−V半導体を含むことがある。II−VIまたはIII−V半導体ナノ結晶およびナノ構造の例として、周期律表でZn、CdおよびHgのようなII族の元素とS、Se、Te、PoのようなVI族のいずれかの元素とのいずれかの組み合わせ、および、周期律表でB、Al、Ga、InおよびTlのようなIII族の元素とN、P、As、Sb、およびBiのようなV族のいずれかの元素とのいずれかの組み合わせがある。他の適切な無機ナノ構造に、金属ナノ構造がある。適切な金属には、限定するものではないが、Ru、Pd、Pt、Ni、W、Ta、Co、Mo、Ir、Re、Rh、Hf、Nb、Au、Ag、Ti、Sn、Zn、Fe、FePtなどがある。
当業者には公知のいずれかの方法によってナノ結晶蛍光体を生成することができるが、適切には、無機ナノ材料蛍光体の制御された成長のための液相コロイド法が使用される。非特許文献2、3、4を参照するが、その開示はここでは全体として参照されて組み込まれている。この製造方法技術は、クリーンルームおよび高価な製造装置の必要がない低コストプロセス可能性を活用する。これらの方法では、高温で熱分解を受ける金属前駆体は有機界面活性剤分子の熱溶液に急速に注入される。これらの前駆体は上昇した温度で分裂し、反応して、ナノ結晶を核にする。この初期の核生成相後、成長相は成長結晶にモノマーを添加することによって始まる。結果はそれらの表面をコーティングする有機界面活性剤分子を有する溶液内の独立した結晶ナノ粒子である。
この方法を使用すると、合成が数秒間以上起きる初期核生成事象として生じ、上昇した温度で数分間の結晶成長が続く。温度、存在する界面活性剤の種類、前駆体材料、およびモノマーに対する界面活性剤の割合などのパラメータを変更して、反応の性質および進行を変化させることができる。温度は核生成事象の構造相、前駆体の分解速度、成長速度を制御する。有機界面活性剤分子は溶解度およびナノ結晶の形状制御の両方に介在する。界面活性剤のモノマーに対する、界面活性剤のお互いに対する、モノマーのお互いに対する割合、および、モノマーの個々の濃度は、成長動態に強く影響する。
半導体ナノ結晶において、光誘起発光はナノ結晶のバンド端状態から起きる。発光ナノ結晶からのバンド端発光は、表面電子状態から発生する放射または非放射崩壊チャネルと競争する。非特許文献3を参照。その結果、ダングリングボンドのような表面欠陥の存在は非放射再結合中心を提供し、低下した放出効果の一因となる。表面トラップ状態を不動態化し、除去する有効かつ永続的な方法は、ナノ結晶表面上で無機シェル材料をエピタキシャルに成長させることである。非特許文献3を参照。シェル材料は、電子準位がコア材料に対してI型である(例えば、より大きいバンドギャップを有し、電子を局在化させる電圧段階を提供し、コアまで穴をあける)ように選択されることができる。その結果、非放射再結合の確率は減少する。
コア−シェル構造は、コアナノ結晶を含む反応混合物にシェル材料を含む有機金属前駆体を添加することによって得られる。この場合、核生成事象、それに続く成長よりむしろコアが核として挙動し、シェルはそれらの表面から成長する。シェル材料のナノ結晶の独立した核生成を防止しながら、コア表面に対するシェル材料モノマーの添加を助けるために、反応温度は低く保持される。反応混合物中に界面活性剤が存在して、シェル材料の制御された成長を管理し、溶解度を確実にする。二つの材料間に低い格子不整合があるとき、均一およびエピタキシャルに成長したシェルが得られる。
コア−シェル発光ナノ結晶を調製するための例となる材料は、限定するものではないが、Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C(ダイアモンドを含む)、P、Co、Au、BN、BP、BAs、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdSeZn、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BeS、BeSe、BeTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuBr、CuI、Si34、Ge34、Al23、(Al、Ga、In)2(S、Se、Te)3、Al2CO3および二つまたはそれ以上のそのような材料の適切な組み合わせが挙げられる。本発明の実施に使用されるコア−シェル発光ナノ結晶の例としては、限定するものではないが、(コア/シェルで表示)、CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbSe/PbS、CdSe/CdS、CdTe/CdS、CdTe/ZnSおよびその他が挙げられる。
いくつかの実施態様では、CdSeは、この材料の合成の相対的成熟度によってナノ結晶材料として使用される。一般的な表面化学の使用によって、ナノ結晶含有非カドミウムを置換することができる。発光ナノ結晶材料の例としてはコア/シェル発光ナノ結晶を含むCdSeまたはZnSがあり、CdSe/CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSeZn/CdS/ZnS、CdSeZn/ZnS、InP/ZnS、PbSe/PbS、CdSe/CdS、CdTe/CdSまたはCdTe/ZnSが挙げられる。最も好ましくは、本発明の量子ドットはCdSeを含むコアおよびCdSまたZnSを含む少なくとも一つのカプセル化シェル層を有するコア−シェルQDを含むことがある。他の実施態様では、InPがナノ結晶材料として使用される。
いくつかの実施態様では、光線放出量子ドットはCdSeまたはCdTeであり、量子ドット結合リガンドはアミン結合基を含むことがある。他の実施態様では、光線放出量子ドットはCdSeまたはCdTeであり、R2はNR2a2bであることがある。また他の実施態様では、光線放出量子ドットはInPであり、量子ドット結合リガンドはカルボキシ結合基を含むことがある。さらに別の実施態様では、光線放出量子ドットはInPであり、R2はC(O)OHであることがある。
発光ナノ結晶は酸素不浸透性の材料から形成され、それによって、QD蛍光体材料におけるQDの酸素障壁要件および光安定化を単純化する。いくつかの実施態様では、発光ナノ結晶は本発明の一つまたはそれ以上の量子ドット結合リガンドによってコーティングされ、下記に詳細に記載するような一つまたはそれ以上のマトリックス材料を有する有機ポリマーマトリックス内に分散される。さらに、発光ナノ結晶は、QDを密封するために、酸化シリコン、酸化アルミニウムまたは酸化チタン(例えば、SiO2、Si23、TiO2、またはAl23)などの一つまたはそれ以上の材料を有する一つまたはそれ以上の無機層でコーティングすることができる。
マトリックス材料
一般的に、高分子リガンドはナノ構造の表面に結合される。しかし、組成中のリガンド材料の全部がナノ構造に結合しなければならないわけではない。高分子リガンドが過剰に供給されることがあり、その結果、リガンドのある分子はナノ構造の表面に結合し、リガンドの他の分子はナノ構造の表面に結合しない。
本発明の蛍光体材料は、さらにQDが埋め込まれた、または、別の方法で配置されたマトリックス材料を備える。マトリックス材料はQDを収容することができる、適切なホストマトリックス材料のいずれでもよい。適切なマトリックス材料は、QDおよびいずれかの周辺包装材料又は層を含む、バックライティングユニット(BLU)コンポーネントと化学的および光学的に両立する。適切なマトリックス材料は、一次光および二次光の両方に透明で、それによって一次光および二次光の両方がマトリックス材料を通して伝播される非黄色化光学材料を含む。好ましい実施態様では、マトリックス材料はQDを完全に包囲して、酸素、湿気および温度のような環境条件によって引き起こされるQDの劣化を防止する防護壁を提供する。マトリックス材料は、可撓性または鋳造可能なQDフィルムが所望される用途では可撓性であることができる。あるいは、マトリックス材料は高強度、非可撓性材料を含むこともある。
好ましいマトリックス材料は、低い酸素透過性および透湿性を有し、高い光および科学安定性を示し、好ましい屈折率を示し、QD蛍光体材料に近接する保護層または他の層に接着し、したがって、QDを保護する気密シールを提供する。好ましいマトリックス材料は、紫外線または熱硬化法によって硬化可能であり、したがって、ロール−ロール加工を容易にする。熱硬化が最も好ましい。
本発明のQD蛍光体材料で使用される適切なマトリックス材料は、ポリマーおよび有機および無機酸化物である。本発明のマトリックスで使用される適切なポリマーは、そのような目的で使用できる当業者には公知のいずれかのポリマーである。適切な実施態様では、ポリマーは実質的に半透明または実質的に透明である。適切なマトリックス材料としては、限定するものではないが、エポキシ樹脂、アクリレート、ノルボルネン、ポリエチレン、ポリビニルブチラール:ポリ酢酸ビニル、ポリ尿素、ポリウレタン;シリコーンおよびシリコーン誘導体として、限定するものではないが、アミノシリコーン(AMS)、ポリフェニルメチルシロキサン、ポリフェニルアルキルシロキサン、ポリジフェニルシロキサン、ポリジアルキルシロキサン、シルセスキオキサン、フッ素化シリコーンおよびビニルおよびヒドリド置換シリコーン;限定するものではないが、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ブチルおよびメタクリル酸ラウリルであるモノマーから生成されるアクリルポリマーおよびコポリマー;ポリスチレン、アミノポリスチレン(APS)およびポリ(アクリロニトリルエチレンスチレン)(AES)のようなスチレンベースポリマー;ジビニルベンゼンのような二官能性モノマーと架橋されるポリマー;リガンド材料を架橋するのに適した架橋剤、リガンドアミンと結合してエポキシを形成するエポキシド(例えば、APSまたはPEIリガンドアミン)などである。
本発明で使用されるQDは、いずれかの適切な方法、例えば、ナノ結晶をポリマーと混合し、フィルムを鋳造するか、ナノ結晶をモノマーと混合して、それらを一緒に重合させるか、ナノ結晶をゾルゲルに混合して、酸化物を形成するか、または同業者に公知の他のいずれかの方法によってポリマーマトリックス(または他のマトリックス材料)に埋め込まれる。ここで使用するように、「埋め込まれる」という語は、発光ナノ結晶がマトリックスの多数成分を形成するポリマー内に封入またはケースに入れられることを示すために使用される。発光ナノ結晶は、さらなる実施態様では、用途−特有の均一分配機能によって分配されるが、マトリックスを通して適切に均一に分配されることに注目すべきである。
組成物は、任意で、例えば結合リガンドと共に複数または一群のナノ構造を含む。組成物は、任意で溶剤を含み、そこにナノ構造(複数)およびリガンドが分散される。前記のように、ナノ構造およびリガンドはマトリックスに組み込まれて、ポリマー層またはナノ複合材料(例えば、リガンドから形成されるシリコーンマトリックス)を形成する。したがって、組成物はまた架橋剤および/または開始剤を含む。適切な架橋剤としては、アミノ基(またはリガンド上の他の基)と反応して、共有結合を形成することができる二つまたはそれ以上の官能基(例えば、二、三または四)を有する有機またはポリマー化合物が挙げられる。そのような官能基としては、限定するものではないが、例えば、シリコーン、炭化水素または他の分子上のイソシアネート、エポキシド(またはエポキシと呼ばれる)、無水コハク酸または他の無水物または酸無水物、及びメチルエステル基が挙げられる。一つの種類の実施態様では、架橋剤はエポキシ架橋剤、例えば、エポキシシクロヘキシルまたはエポキシプロピル架橋剤(例えば、各々、表1の化合物A−CまたはD−G)である。架橋剤上の反応基はペンダントおよび/または末端であることがある(例えば、各々、表1の化合物BおよびDまたは化合物A、C、およびE−G)。架橋剤は任意でエポキシシリコーン架橋剤であり、たとえば、直鎖または分岐であることがある。ある実施態様では、架橋剤は直鎖エポキシシクロヘキシルシリコーンまたは直鎖エポキシプロピル(グリシジル)シリコーンである。表1に多数の典型的な架橋剤のリストを示した。適切な架橋剤は市販されている。例えば、化合物H−KはAldrichから市販され、化合物A−GはGelest,Inc.,から、例えば、化合物Aは製品番号DMS−EC13として化学式量が約900〜1100で、化合物Bは製品番号ECMS−327として化学式量が約18000で、モルパーセントmが3〜4%で、化合物Dは製品番号EMS−622として化学式量が約8000で、m≒6およびn≒100で、化合物Eは製品番号DMS−E09として市販されている。
本発明の量子ドット結合リガンドを使用して調製した量子ドット組成物およびフィルムは、様々な発光素子、量子ドット発光素子および量子ドットをベースとするバックライト装置に有用である。代表的なデバイスは当業者には周知であり、例えば、特許文献11、12、13、14に見られる。
本発明の量子ドット組成物は、バックライトユニット(BLU)のような発光素子を形成するために使用される。典型的なBLUは二つの障壁層の間に挟まれたQDフィルムを備えることがある。本発明のQDフィルムは、単一の量子ドットおよび単一の量子ドット結合リガンド、または複数の量子ドットおよび複数の量子ドット結合リガンドを含むことがある。例えば、本発明のQDフィルムは、CdS、CdTe、CdSe、CdSe/CdS、CdTe/CdS、CdTe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSeZn/CdS/ZnSまたはCdSeZn/ZnSのようなカドミウム量子ドット、およびアミン結合基を有する量子ドット結合リガンドを含むことがある。本発明のQDフィルムは、InPまたはInP/ZnSのようなInP量子ドットおよびカルボキシ結合基を有する量子ドット結合リガンドを含むことがある。
いくつかの実施態様では、本発明のQDフィルムは量子ドットを含むカドミウムおよびインジウムを両方含む。量子ドットを含むカドミウムおよびインジウムの両方が存在するとき、QDフィルムはカドミウム量子ドットを含む第一のフィルムおよびインジウム量子ドットを含む第二のフィルムを備えることができる。これらのフィルムは一つの上にもう一つを重ねて、層状フィルムが形成される。いくつかの実施態様では、バリアフィルムまたは他の型のフィルムが各カドミウムおよびインジウムフィルムの間に重ねられる。他の実施態様では、カドミウムおよびインジウム量子ドットを、それらの各々の量子ドット結合リガンドと共に、単一のQDフィルムへと一緒に混合する。
単一層または多層フィルムのどちらかと一緒に混合されたQDフィルムは、システムにおけるカドミウム量を減少させるという利点がある。例えば、カドミウムは、300ppm以下、200、100、75、50または25ppmに減少させることができる。いくつかの実施態様では、QDフィルムは約100ppm未満のカドミウムを含む。他の実施態様では、QDフィルムは約50ppm未満のカドミウムを含む。
VI.実施例
ポリマー性シリコーンアミンワックス(PSAW−1:1)の調製
この実施例は、比1:1のアルキルアミン(アミノプロピル)と長鎖アルキル(オクタデシル)を含むポリマー性シリコーンアミンワックス(PSAW)を生成する方法を提供する。
一般法
すべての操作を、酸素を含まない乾燥窒素雰囲気下で、標準的シュレンク技術を使用して実施した。アリルアミン、1−オクタデセン、ポリシラン(1)およびKarstedt触媒を、グローブボックス内で処理した。乾燥トルエン、アリルアミン(98%)および1−オクタデセン(GCにより>95%)を、Sigma−Aldrichから得た。アリルアミンは、CaCl2から蒸留させ、使用するまで窒素中で保存し、1−オクタデセンは、さらなる精製なしに使用した。キシレン中2.1〜2.4wt%のKarstedt触媒を、Gelestから得、さらなる精製なしに使用した。Karstedt触媒の100倍希釈物を、原液0.10mLをトルエン10mLに溶解させることによって生成した。(原液は、1mL当たり0.113モルの白金を含有しており、100倍希釈物は、溶液1mL当たり0.00113ミリモルの白金を含有している)。Mw1400〜1800および粘度15〜29Csのポリシラン(1)または「トリメチルシリル末端をもつポリメチルヒドロシロキサン」(PN:HMS−991)も、Gelestから得た。シランを、終夜撹拌しながらP<50ミリトールの真空によって精製し、次にグローブボックス内で処理した。NMR化学シフトデータを、Bruker FT NMRを用いてプロトンについては400MHzにおいて、または13C{1H}については100MHzにおいて記録した。それらをppmで記載する。IR分析は、減衰全反射(ATR)サンプリングアクセサリーを備えたNicolet 7200 FTIRで得た。
合成の第2ステップでは、水が第一級アミン(アミンは、このステップではシランの4倍当量である)と反応して、水酸化物イオンおよび第四級アミンが生成される。次に反応温度では、水酸化物イオンは、シリコーン骨格の再分布を触媒し、ポリマーのMn(数平均分子量)を実質的に増大させる。少量の水は、Mnをわずかに増大させるが、多量の水は、反応溶液をゲル化させる。Mnの増大がわずかであっても、リガンドがナノ結晶に結合する能力が低減するおそれがあり、ナノ結晶の結合が効率的でなくなると、ナノ結晶/リガンドの錯体の安定性が低下する。
ポリマー性シリコーンアミンワックス(3)の合成
装置は、窒素導入用アダプタ(テフロン(登録商標)弁/ストッパー)、反応溶液の温度を直接測定する(温度制御器により)位置に置かれる熱電対、およびレシーバを有する短経路蒸留ヘッドを備えた250mLの3つ口RBFを用いて設定した。さらに、蒸留ヘッドには、一方向弁を含有するバブラーを取り付けた。装置は、シュレンクラインをホースアダプタに取り付けたら、窒素ガスが、反応フラスコ内を通過し、反応溶液の表面を流れ、蒸留ヘッドに取り付けられたバブラーから出ることができるように構成した。また、バブラー上の一方向弁により、バブラーからホースアダプタまで、装置全体に真空を適用することができた。
シュレンクラインに取り付けた後、シランポリマーHMS−991(10g、10.2mL、6.25ミリモルのポリマー鎖と150ミリモルのシラン)を添加し、その後1−オクタデセン(18.9g、24.0mL、75ミリモル)をシリンジによって添加した。100ミリトール未満の圧力に達するまで、反応装置を真空下に置き、窒素で3回バックフラッシュした。蒸留ヘッドとバブラー開口の間の弁を用いて、真空を適用した。次にトルエン(50mL)を添加し、窒素ガス流を、ゆっくり装置に通過させ、バブラーから出るように調整した。冷却剤も蒸留ヘッド冷却器を介して循環させ、反応溶液の温度を120Cに設定した。トルエンの約半分が収集されるか、または約25mLになるまで、蒸留を継続した。次に、反応溶液を60Cに冷却し、蒸留ヘッドを、シュレンクラインに接続した窒素充填還流冷却器によって置き換えた。反応溶液を100Cに加熱し、Karstedt触媒(0.731mgおよび0.00375ミリモルの白金を含む原液の100倍希釈物3.32mL、または20,000回のターンオーバーに十分な量)をシリンジによって添加した。次に、反応溶液を、撹拌しながら100Cで終夜加熱した。加熱後に、わずかに琥珀色の反応溶液をサンプリングし、NMRおよびIR分析のために揮発物を除去した。プロトンNMRによる分析は、オレフィンが消費され、シランピークのサイズが50%減少したことを示した。合成の次のステップは、中間体2を単離せずに実施した。しかし、ポリシランシリコーンワックス2は単離し、特性決定した(下記参照)。
次に、反応溶液を60Cに冷却し、アリルアミン(17.1g、22.5mL、300ミリモル)をシリンジによって添加すると、すぐに無色溶液が生成された。アリルアミンを添加した直後に、Karstedt触媒(0.66mL、14.6mgおよび0.075ミリモルの白金、または1000回のターンオーバーに十分な量)をシリンジによって添加した。次に、反応溶液の温度を80Cに設定し、溶液を2時間加熱した。試料を、分析のために揮発物の真空搬送によって調製した。プロトンNMRは、中間体2の分析値の約0.25に積分される、ひとかたまりの共鳴を有するSi−Hピークの著しい低減を示した。したがって、他のピークがSi−H領域の積分を不明瞭にするので、FTIR分析を使用して正確に決定した。FTIRでは、Si−Hピークのほぼ完全な消失が決定された。
シランが消費された後、真空搬送によって揮発物を除去するために、反応溶液を室温に冷却した。このステップでは、還流冷却器および熱電対を、ストッパーおよびドライアイス/エタノールによって冷却した追加のトラップに接続した反応フラスコによって置き換えた。生成物を、その真空システムで数時間かけて乾燥させ、次に固体をヘラで破壊した後、真空下で室温において終夜乾燥させた。翌朝、生成物をヘラでさらに分割し、反応フラスコを、<50ミリトールの圧力に達するまで30分間、シュレンクライン上に直接置いた。生成物であるワックス状の半結晶性白色固体(27.9g、5.26ミリモルまたは収率84.2%)を、グローブボックス内で保存した。
ポリシランシリコーン(Gelest PN:HMS−991)(1)の分析。1H NMR(ニートを同軸インサートでベンゼン−d6と使用,δ):0.72〜0.96(m,90H,CH3)、5.40(s,24H,シラン)。13C{1H}(ニートを同軸インサートでベンゼン−d6と使用,δ):1.6〜2.7(m,CH3)。IR(cm-1,ダイヤモンド):2966 w(sp3 C−H)、2160 m(Si−H)、1259 m(sp3 C−H)、1034 s(Si−O−Si)、833 s(Si−H)および752 s(Si−CH3)。
ポリシランシリコーンワックス(2)の分析。1H NMR(トルエン−d8,δ):0.1〜0.4(広幅なm,90H,SiCH3)、0.7〜1.0(広幅なm,60H,SiCH2(CH216CH3)、1.2〜1.7(広幅なm,192H,SiCH2(CH216CH3)、5.0〜5.2(広幅なm,12H,SiH)。IR(cm-1,ダイヤモンド):2957 sh,2917 s,2850 s(sp3 C−H)、2168 sh,2158 m(Si−H)、1466(sp3 C−H)、1258 s(Si−CH3)、1086 sh,1033 s(Si−O−Si)および765 s(Si−CH3)。
ポリマー性シリコーンアミンワックス(3)の分析。1H NMR(トルエン−d8,δ):0.2〜0.5(広幅なm,90H,SiCH3)、0.6〜1.0(広幅なm,84H,SiCH2CH2CH2NH2,SiCH2(CH216CH3)、1.2〜1.7(広幅なm,216H,SiCH2CH2CH2NH2,SiCH2(CH216CH3)、2.5〜2.8(広幅なm,24H,SiCH2CH2CH2NH2)3.4〜3.6(広幅なm,24H,SiCH2CH2CH2NH2)。IR(cm-1,ダイヤモンド):2958 sh,2916 s,2849 s(sp3 C−H)、1467 w(sp3 C−H)、1257 m(Si−CH3)、1074 sh,1015(Si−O−Si)および784 sh,767 s(Si−CH3)。
ポリマー性シリコーンアミンワックス(PSAW−1:2)の調製
この実施例は、先の実施例1に記載した手順を使用して、比1:2のアルキルアミン(アミノプロピル)と長鎖アルキル(オクタデシル)を含むポリマー性シリコーンアミンワックス(PSAW)を生成する方法を提供する。例えば、シランポリマーHMS−991(10g、10.2mL、6.25ミリモルのポリマー鎖と150ミリモルのシラン)では、1−オクタデセン(25.3g、32.0mL、100ミリモル)およびアリルアミン(11.4g、15.0mL、200ミリモル)を使用した。したがってKarstedt触媒も、白金を使用して、第1のステップでは20,000回のターンオーバー(0.0050ミリモル)、次に第2のステップでは1000回のターンオーバー(0.050ミリモル)(302−071)に合わせて見積もった。
ポリマー性シリコーンアミンワックスPSAW−1:2の分析。1H NMR(トルエン−d8,δ):0.2〜0.5(広幅なm,90H,SiCH3)、0.6〜1.0(広幅なm,96H,SiCH2CH2CH2NH2,SiCH2(CH216CH3)、1.1〜1.7(広幅なm,528H,SiCH2CH2CH2NH2,SiCH2(CH216CH3)、2.5〜2.8(広幅なm,16H,SiCH2CH2CH2NH2)3.4〜3.7(広幅なm,16H,SiCH2CH2CH2NH2)。IR(cm-1,ダイヤモンド):2958 sh,2916 s,2849 s(sp3 C−H)、1467 w(sp3 C−H)、1257 m(Si−CH3)、1074 sh,1015(Si−O−Si)および784 sh,767 s(Si−CH3)。
ポリマー性シリコーンアミンワックス(PSAW−2:1)の調製
この実施例は、先の実施例1に記載した手順を使用して、比2:1のアルキルアミン(アミノプロピル)と長鎖アルキル(オクタデシル)を含むポリマー性シリコーンアミンワックス(PSAW)を生成する方法を提供する。例えば、シランポリマーHMS−991(10g、10.2mL、6.25ミリモルのポリマー鎖と150ミリモルのシラン)では、1−オクタデセン(12.6g、16.0mL、50ミリモル)およびアリルアミン(22.8g、30.0mL、400ミリモル)を使用した。したがってKarstedt触媒も、白金を使用して、第1のステップでは20,000回のターンオーバー(0.0025ミリモル)、次に第2のステップでは1000回のターンオーバー(0.10ミリモル)(302−075)に合わせて見積もった。
ポリマー性シリコーンアミンワックスPSAW−2:1の分析。1H NMR(トルエン−d8,δ):0.2〜0.6(広幅なm,90H,SiCH3)、0.6〜1.0(広幅なm,72H,SiCH2CH2CH2NH2,SiCH2(CH216CH3)、1.0〜1.8(広幅なm,288H,SiCH2CH2CH2NH2,SiCH2(CH216CH3)、2.5〜2.9(広幅なm,32H,SiCH2CH2CH2NH2)3.3〜3.7(広幅なm,16H,SiCH2CH2CH2NH2)。IR(cm-1,ダイヤモンド):2958 sh,2916 s,2849 s(sp3 C−H)、1467 w(sp3 C−H)、1257 m(Si−CH3)、1074 sh,1015(Si−O−Si)および784 sh,767 s(Si−CH3)。
オリゴマー性シリコーンアミンワックス(OSAW)の調製
この実施例では、各モノマー単位上に長鎖アルキル基およびアルキルアミン基の両方を有するオリゴマー性シリコーンアミンワックス(OSAW)の調製を記載する。
一般法
すべての操作を、酸素を含まない乾燥窒素雰囲気下で、標準的シュレンク技術を使用して実施した。試薬であるオクタデシルマグネシウムクロリド(テトラヒドロフランまたはTHF中0.5M)、トリクロロシラン、トリメチルシラノール酸ナトリウム(THF中1.0M)およびトリメチルアミンを、Sigma−Aldrichから得、グローブボックス内で保存した後、さらなる精製なしに使用した。アリルアミン(98%)をSigma−Aldrichから得、使用する前にCaCl2から蒸留させた。キシレン中2.1〜2.4wt%のKarstedt触媒を、Gelestから得、さらなる精製なしに使用した。(原液は、1mL当たり0.113モルの白金を含有している)。NMR化学シフトデータを、Bruker FT NMRを用いて1Hについて400MHzで記録した。それらをppmで記載する。IR分析は、減衰全反射(ATR)サンプリングアクセサリーを備えたNicolet 7200 FTIRで得た。
合成の最終ステップでは、水が第一級アミン(アミンは、このステップではシランの4倍当量である)と反応して、水酸化物イオンおよび第四級アミンが生成される。次に反応温度では、水酸化物イオンは、シリコーン骨格の再分布を触媒し、ポリマーのMn(数平均分子量)を実質的に増大させる。少量の水は、Mnをわずかに増大させるが、多量の水は、反応溶液をゲル化させる。
オクタデシルジクロロシラン(1)の合成
装置である2Lの3つ口RBFに、窒素導入用アダプタ(テフロン弁/ストッパー)、反応溶液の温度を直接測定する(温度制御器により)位置に置かれる熱電対、および500mLの添加漏斗を備えた。添加漏斗を中心の口に置いて、Grignard試薬を、反応溶液の最も効率的に混合された部分に滴下した。添加漏斗内の溶液の体積を測定した後、トルエン(370mL)を反応フラスコに添加し、その後シリンジからトリクロロシラン(100g、74.4mL、738ミリモル)を反応溶液に直接添加した。THF中オクタデシルマグネシウムクロリド(0.50M溶液369mLまたは185ミリモル)を、添加漏斗に移した。Grignard試薬の添加を開始し、反応溶液の温度を温めるとわずかに発熱反応があった。添加が完了したら、反応溶液は、微視的な塩により曇った灰色になったが、60Cに温めると、巨視的な結晶が溶液中に現れるにつれて反応溶液は白色になった。揮発物を、ドライアイス/エタノールで冷却したレシーバを使用して真空搬送により一晩かけて除去した。得られた白色スラリーを、ヘキサンで抽出し(1×80mL、2×20mL)、Fisherbrand P8(粒子保持20〜25um)を備えたフィルタチップカニューレを介して別個のフラスコに移した。濾液は透明で無色であった。揮発物を、<100ミリトールの圧力にして除去すると、無色の粘性油が生成された。その油を、ポットとドライアイス/エタノール浴で冷却したレシーバとの間に逆「U」字型コネクタを使用して、トラップ−トゥ−トラップ(trap-to-trap)で蒸留した。より高い沸点のビス付加副生成物から生成物を除去するために、ポット温度300C(加熱マントルとフラスコの間に熱電対)を、100ミリトール未満の圧力と共に使用した。蒸留中、逆「U」字管もヒートガンで加熱して、留出物を排出した。生成物は、透明な無色油である。この合成によって、48.6g、155ミリモル、収率84.0%が生成された。(参照302−115)
以下のことに留意されたい。反応では3倍過剰のトリクロロシランを使用したので、反応溶液からのトラップ内容物(またはトラップした反応揮発物)は、過剰のトリクロロシランを含有している。解凍したトラップ材料を、水(シリカートおよび塩酸を生成するため)、またはアルコールおよびアミンの溶液(アルコキシシリコーンおよび塩酸アンモニウムを生成するため)にゆっくり添加して、溶液を廃棄物に注ぐ前にクロロシランを分解させるべきである。
オリゴマー性シラン(3)の合成
1Lの3つ口RBFに、窒素導入用アダプタ(テフロン弁/ストッパー)、反応溶液の温度を直接測定する(温度制御器により)位置に置かれる熱電対、および油充填バブラーに取り付けられた別の導入用アダプタを備えた。装置は、窒素ガスがフラスコ内を通過し、反応溶液の表面を流れ、バブラーから出ることができるように構成した。次に、トルエン(300mL)を添加した後、オクタデシルジクロロシラン(1)(60g、192ミリモル)をシリンジによって添加した。次に、水(2.59g、2.59mL、144ミリモル)を50mLのシュレンクフラスコに添加し、THF(15mL)に溶解させた後、シリンジに引き入れた。反応溶液を急速に撹拌し、水/THF溶液を反応ボルテックスの中心に20分かけて滴下添加しながら、窒素を反応物表面に流した。水/THFの添加中、反応溶液の温度は著しく上昇しなかった。次に、反応溶液をRTで15分間撹拌した後、60Cにして5分間加熱した。
この時点でオリゴジクロロシラン(2)が形成されたが、この手順では単離しなかった。しかし、この種の分析は含まれる(下記参照)。約60Cで5分経過した後、トリメチルシラノール酸ナトリウム溶液をシリンジによって添加した(1.0M溶液48.0mLまたは48.0ミリモル)。約60Cでさらに5分経過した後、トリエチルアミン(29.1g、40.4mL、288ミリモル)を、シリンジによって反応溶液ボルテックスの中心に急速に添加すると、透明な反応溶液は不透明な白色に変化した。次に、反応溶液を60Cでさらに10分間撹拌した後、RTに冷却した。揮発物を、ドライアイス/エタノールで冷却したレシーバを使用して真空搬送により(一晩かけて)除去すると、白色ペーストが生成された。生成物を、ヘキサンで抽出する(1×80mLおよび2×40mL)ことによって単離し、各抽出物を、カニューレによって、Fisherbrand P8濾紙(粒子保持20〜25um)を備えたフィルタチップカニューレを使用して別個のシュレンクフラスコに移した。揮発物を真空搬送によって無色透明濾液から除去すると、白色固体が生成された。予備的な真空を適用した後、固体を破壊し、その後圧力<50ミリトールの最終的な真空を適用した。生成物である白色粉末を秤量すると、50.7gであった。式量は、プロトンNMRを用いて末端基分析を使用することによって、オクタデシルメチレンの積分をケイ素メチル基と比較することによって決定した。繰り返し単位n=7.2であることが決定されたので、式量は2312と算出され、したがって50.7gは21.9ミリモルであり、反応収率は82.1%であった。(参照302−189)
オリゴマー性シリコーンアミンワックスまたはOSAW(4)の合成
窒素導入用アダプタ(テフロン弁/ストッパー)、還流冷却器およびsuba sealを備えた250mLの3つ口RBFを、<200ミリトールの真空下に置き、窒素でバックフラッシュした。次に、オリゴシラン(3)(10g、3.36ミリモルのポリマー鎖、n=9.4、式量2974であるが、33.5ミリモルのシランを含有している)を、バイアルから「suba seal」オリフィスを介して添加した。そのオリフィスには、反応溶液の温度を直接測定する(温度制御器により)位置に置かれる熱電対を装着した。トルエン(6mL)を添加し、反応溶液を60Cに加熱した。アリルアミン(7.65g、10.0mL、134ミリモル)をシリンジによって添加した後、Karstedt触媒(0.296mL、0.0335ミリモルの白金、または1000回のターンオーバーに十分な量)を添加すると、溶液はわずかに加熱された。次に、反応溶液を65Cで2日間加熱した。FTIRによる試料の分析により、2160cm-1における小さいSi−Hピークが明らかになった後、さらに少しアリルアミン(1.52g、2mL、26.7ミリモル)を添加し、反応溶液を65Cでさらに1日加熱した。FTIRによって試料を分析しても、Si−Hピークが示されなかったので、反応溶液をRTに冷却した。反応溶液をRTに冷却しながらトルエン(2mL)を添加して、凝固を防止した。次に反応溶液を、メタノール(100mL)を入れた別個のシュレンクフラスコに10分かけて滴下添加した。メタノールにより、生成物は白色固体として沈殿した。上清を、Fishebrand P8濾紙(粒子保持20〜25um)を備えたフィルタチップカニューレによって除去し、沈殿物をメタノール2×100mLですすいだ後、生成物を、圧力<100ミリトールの真空下に置いた。生成物(n=9.4および式量3510を有する)は、いくらか粒状の白色粉末である(8.97g、3.02ミリモル、収率89.8%)。(参照302−173)
オクタデシルジクロロシラン(1)の分析。1H NMR(トルエン−d8,δ):0.77(t,2H,Si−CH2)、0.89(t,3H,オクタデシルCH3)、1.1〜1.4(m,32H,CH2)、5.30(s,1H,Si−H)。IR(cm-1,ダイヤモンド):2919 s,2852 s(sp3 C−H)、2203 m(Si−H)、1466 m(sp3 C−H)および553,501 m(対称および非対称Si−Cl)。
ジクロロオリゴマー性シラン(2)(n=7として)の分析。1H NMR(トルエン−d8,δ):0.7〜1.0(広幅なm,35H,SiCH2(CH216CH3)、1.2〜1.7(広幅なm,224H,SiCH2(CH216CH3)、5.0〜5.2(広幅なm,7H,SiH)。IR(cm-1,ダイヤモンド):2916 s,2849 s(sp3 C−H)、2163 m(Si−H)、1466(sp3 C−H)、1079 m,1030 sh(Si−O−Si)および464 m(Si−Cl)。
オリゴマー性シラン(3)(n=7として)の分析。1H NMR(トルエン−d8,δ):0.1〜0.3(広幅なm,18H,SiCH3)、0.7〜1.0(広幅なm,35H,SiCH2(CH216CH3)、1.2〜1.7(広幅なm,224H,SiCH2(CH216CH3)、5.0〜5.2(広幅なm,7H,Si−H)。IR(cm-1,ダイヤモンド):2917 s,2848 s(sp3 C−H)、2161 m(Si−H)、1468 m(sp3 C−H)、1075 m(Si−O−Si)。
オリゴマー性シリコーンアミンワックスまたはOSAW(4)(n=7として)の分析。1H NMR(トルエン−d8,δ):0.2〜0.4(広幅なm,18H,SiCH3)、0.7〜1.0(広幅なm,49H,SiCH2CH2CH2NH2およびSiCH2(CH216CH3)、1.2〜1.8(広幅なm,126H,SiCH2(CH216CH3およびSiCH2CH2CH2NH2)、2.6〜2.9(広幅なm,14H,SiCH2CH2CH2NH2)、3.6〜3.7(広幅なm,14H,CH2NH2)。IR(cm-1,ダイヤモンド):2917 s,2849 s(sp3 C−H)、1467 m(sp3 C−H)、1066 s,1036 s(Si−O−Si)。
PSAW−1:1の量子ドットの組成物
リガンド交換は、ナノ結晶/量子ドットをヘキサンまたはトルエンに溶解させ、アミノ官能性シリコーンを添加し、50℃〜60℃で16〜36時間加熱し、真空搬送によって揮発物を除去することによって完遂した。(一般に、リガンド交換は、典型的に50℃〜130℃において2〜72時間で完遂される)。量子収率および他のパラメータを維持すると、ナノ結晶は透明油としてシリコーン中に残った。
グローブボックス内で、トルエンに溶解させた、シェル合成から得たCdSe/CdS/ZnSナノ結晶(NC)を、2体積のエタノールで沈殿させ、ボルテックスミキサーで混合した後、10分間遠心分離処理することによって洗浄した。上清をデカントし、NCを、NCシェル溶液と同じ体積のトルエンに溶解させた。次に、光学密度(OD)を、少量のNC/リガンド/トルエン溶液をトルエンに溶解させ、460nmにおけるODを測定し、次に原液のODに外挿し戻すことによって決定した。交換に使用したPSAWの量は、あたかもPSAWが溶媒であるかのように、PSAWに溶解したNCの濃度に基づいて決定した。NCの濃度25〜400は、正常な範囲であった。次に、トルエンの量を算出して、6ODの溶液を生成した。NCを可溶化する量を超えるトルエンの量を使用して、フラスコ中のPSAWを溶解させ、100Cに加熱した。次に、NC/リガンド/トルエンの溶液を、15〜30分かけて滴下添加した後、交換溶液を100Cで2時間加熱した。揮発物を、真空搬送によって100ミリトール未満の圧力にして除去した。ここでNC/リガンドは、ワックス状の固体である。これをTHINKYミキサーによってPart Bエポキシ(Locktite CL30)に溶解させ、次にPart Aに混合された、熱硬化できるエポキシ混合物を生成した。使用したPart AとBの量は、重量比2:1であった。
例えば、シェル成長溶液(15mL)中のNCを、エタノール(30mL)と組み合わせ、混合し、20分間遠心分離処理することによって沈殿させた。上清をデカントし、ペレットをトルエン(15mL)に溶解させた。光学密度(OD)は、試料0.1mLをトルエン4.0mLに溶解させることによって測定し、吸光度は、460nmにおいて測定した。吸光度0.236によってOD9.68を算出した。トルエン(6.2mL)中の洗浄したNCの一部を、PSAW0.60gと共にリガンド交換のために使用して、PSAW中100ODを生成した。使用したトルエンの総体積は、10mLであり、交換ODは、OD6.0で生じると予測された。次に、フラスコにPSAW(0.60g)およびトルエン(3.8mL)を添加し、その溶液を100Cに加熱した。トルエン(6.2mL)中の洗浄したNCを、20分かけて滴下添加し、その溶液を100Cで120分間以上加熱した。リガンド交換後、溶液を室温に冷却し、揮発物を、真空搬送によって100ミリトール未満の圧力にして除去した。配合に使用されるNC/リガンドの量は、フィルムの厚さおよび所望の白点などのいくつかの他の因子に応じて決まるので、記載していない。
PSCAWの調製
この実施例は、異なるモノマー単位上に長鎖アルキル基およびアルキルカルボン酸基を有するポリマー性シリコーンワックス(PSAW)の合成を記載している。
一般法。すべての操作を、酸素を含まない乾燥窒素雰囲気下で、標準的シュレンク技術を使用して実施した。乾燥脱酸素化トルエン、メタノール、4−ペンテン酸、および1−オクタデセン(GCにより>95%)を、Aldrichから購入し、さらなる精製なしに使用した。キシレン中2.1〜2.4wt%のKarstedt触媒を、Gelestから得、さらなる精製なしに使用し、保存し、グローブボックス内で処理した。Karstedt触媒の100倍希釈物を、原液0.10mLをトルエン10mLに溶解させることによって生成した。(原液は、1mL当たり0.113モルの白金を含有しており、したがって100倍希釈物は、溶液1mL当たり0.00113ミリモルの白金を含有している)。ポリシランHMS−991(1)を、Gelestから購入した。シランを、P<50ミリトールの真空によって室温(RT)で終夜精製し、次にグローブボックス内で処理した。NMR化学シフトデータを、Bruker FT NMRを用いてプロトンについては400MHzにおいて、または13C{1H}については100MHzにおいて記録した。それらをppmで記載する。IR分析は、減衰全反射(ATR)サンプリングアクセサリーを備えたNicolet 7200 FTIRで得た。
ポリマー性シリコーンカルボン酸ワックス(3)の合成。装置は、窒素導入用アダプタ(テフロン弁/ストッパー)、反応溶液の温度を直接測定する(温度制御器により)位置に置かれる熱電対、およびレシーバを有する短経路蒸留ヘッドを備えた100mLの3つ口RBFを用いて設定した。さらに、蒸留ヘッドには、一方向弁を含有するバブラーを取り付けた。装置は、シュレンクラインをホースアダプタに取り付けたら、窒素ガスが、反応フラスコ内を通過し、反応溶液の表面を流れ、蒸留ヘッドに取り付けられたバブラーから出ることができるように構成した。また、バブラー上の一方向弁により、バブラーからホースアダプタまで、装置全体に真空を適用することができた。
シュレンクラインに取り付けた後、ポリシラン1(7.00g、4.38ミリモルのポリマー鎖と100ミリモルのシラン)を添加し、その後1−オクタデセン(13.0g、16.0mL、50.0ミリモル)をシリンジによって添加した。100ミリトール未満の圧力に達するまで、反応装置を真空下に置き、窒素で1回バックフラッシュした。この真空ステップは、蒸留ヘッドとバブラー開口の間の弁を用いて実施した。次にトルエン(30mL)を添加し、窒素ガス流を、ゆっくり装置に通過させ、バブラーから出るように調整した。冷却剤も蒸留ヘッド冷却器を介して循環させ、反応溶液の温度を120℃に設定した。トルエンの約半分が収集されるか、または約15mLになるまで、蒸留を継続した。次に、トルエン(15mL)を添加し、反応溶液を60℃に冷却し、蒸留ヘッドを、シュレンクラインに接続した窒素充填還流冷却器によって置き換えた。反応溶液を60℃に加熱し、Karstedt触媒(2.50×10-3ミリモルの白金を含む原液の100倍希釈物2.2mL、または20,000回のターンオーバーに十分な量)をシリンジによって添加した。反応は発熱性であり、130Cに達し、温度が低下した後、それを90℃で3時間加熱し、次に反応溶液をサンプリングし、分析のために揮発物を除去した。FTIRおよびプロトンNMRによる分析は、オレフィンが消費され、シランピークのサイズがおよそ50%減少したことを示した。合成の次のステップは、中間体2を単離せずに実施した。IR(cm-1、ダイヤモンド):2957 sh、2916 s、 2850 s(sp3 C−H)、2160 m (Si−H)。
次に、反応溶液を60℃に冷却し、4−ペンテン酸(10.0g、10.19mL、100ミリモル)をシリンジによって添加した。反応物が発熱し、140℃超に自己加熱すると、反応混合物はゲル化し、ゲル化生成物を冷却器に突沸させた。ゲル化生成物は、数日かけてトルエンにゆっくり溶解することができた。IR(cm-1、ダイヤモンド):3600〜2300広幅(カルボン酸OH)、2956 sh、2916 s、2849 s(sp2 C−H)、1709 s(カルボン酸C=O)、1077 sh、1015 s(Si−O−Si)。
PS2CAWの調製
この実施例は、シリコーン骨格上の異なる繰り返し単位上に長鎖アルキル基およびアルキルジカルボン酸基を有するポリマー性シリコーンアミンワックスを生成する方法を提供する。
一般法。すべての操作を、酸素を含まない乾燥窒素雰囲気下で、標準的シュレンク技術を使用して実施した。乾燥脱酸素化トルエン、メタノールおよび1−オクタデセン(GCにより>95%)を、Aldrichから購入し、さらなる精製なしに使用した。アリルコハク酸無水物を、TCI Americaから購入し、使用前に蒸留した。キシレン中2.1〜2.4wt%のKarstedt触媒を、Gelestから得、さらなる精製なしに使用し、保存し、グローブボックス内で処理した。Karstedt触媒の100倍希釈物を、原液0.10mLをトルエン10mLに溶解させることによって生成した。(原液は、1mL当たり0.113モルの白金を含有している)。ポリシラン(1)またはnが約6の「トリメチルシリル末端をもつポリメチルヒドロシロキサン」を、ミシガン州バートンのGenesee Polymers Corpから特注として購入した。シランを、P<50ミリトールの真空によって室温(RT)で終夜精製し、次にグローブボックス内で処理した。NMR化学シフトデータを、Bruker FT NMRを用いてプロトンについては400MHzにおいて、または13C{1H}については100MHzにおいて記録した。それらをppmで記載する。IR分析は、減衰全反射(ATR)サンプリングアクセサリーを備えたNicolet 7200 FTIRで得た。ポリシランシリコーン(1)は、以下を特徴とする。1H NMR(トルエン−d8,δ):0.16(m,36H,SiMe)、4.93(m,6H,Si−H);IR(cm-1,ダイヤモンド):2961 w(sp3 C−H)、2161 m(Si−H)、1257 m(sp3 C−H)、1039 s(Si−O−Si)。
ポリマー性シリコーンカルボン酸ワックス(4)の合成。装置は、窒素導入用アダプタ(テフロン弁/ストッパー)、反応溶液の温度を直接測定する(温度制御器により)位置に置かれる熱電対、およびレシーバを有する短経路蒸留ヘッドを備えた50mLの3つ口RBFを用いて設定した。さらに、蒸留ヘッドには、一方向弁を含有するバブラーを取り付けた。装置は、シュレンクラインをホースアダプタに取り付けたら、窒素ガスが、反応フラスコ内を通過し、反応溶液の表面を流れ、蒸留ヘッドに取り付けられたバブラーから出ることができるように構成した。また、バブラー上の一方向弁により、バブラーからホースアダプタまで、装置全体に真空を適用することができた。
シュレンクラインに取り付けた後、ポリシラン1(5.00g、9.56ミリモルのポリマー鎖と57.4ミリモルのシラン)を添加し、その後1−オクタデセン(7.42g、9.17mL、28.7ミリモル)をシリンジによって添加した。100ミリトール未満の圧力に達するまで、反応装置を真空下に置き、窒素で1回バックフラッシュした。この真空ステップは、蒸留ヘッドとバブラー開口の間の弁を用いて実施した。次に、トルエン(15mL)を添加し、窒素ガス流を、ゆっくり装置に通過させ、バブラーから出るように調整した。冷却剤も蒸留ヘッド冷却器を介して循環させ、レシーバをドライアイス/エタノールで冷却し、反応溶液の温度を120Cに設定した。トルエンの約半分が収集されるか、または約12〜13mLになるまで、蒸留を継続した。次に、トルエン(15mL)を添加し、反応溶液を60Cに冷却し、蒸留ヘッドを、シュレンクラインに接続した窒素充填還流冷却器によって置き換えた。反応溶液を60Cに加熱し、Karstedt触媒(1.43×10-3ミリモルの白金を含む原液の100倍希釈物1.27mL、または20,000回のターンオーバーに十分な量)をシリンジによって添加した。反応は発熱性であり、130Cに達し、温度が低下した後、それを90Cで3時間加熱し、次に反応溶液をサンプリングし、分析のために揮発物を除去した。FTIRおよびプロトンNMRによる分析は、オレフィンが消費され、シランピークのサイズがおよそ50%減少したことを示した。合成の次のステップは、中間体2を単離せずに実施した。
次に、反応溶液を60Cに冷却し、アリルコハク酸無水物(4.02g、3.43mL、28.7ミリモル)をシリンジによって添加した。アリルコハク酸無水物を添加した直後に、Karstedt触媒(原液の100倍希釈物2.54mL、または2.86×10-3ミリモルの白金、10,000回のターンオーバーに十分な量)をシリンジによって添加した。次に、溶液の温度を110Cに設定し、溶液を終夜加熱した。試料0.3mLを、急速に撹拌したメタノール溶液2mLに滴下添加することによって、分析のために試料を調製した。沈殿した後、上清をデカントし、白色蝋状試料を、メタノール(2mL)で洗浄した後、分析のために真空搬送によって揮発物を除去することによって調製した。プロトンNMRは、中間体2の分析値の約0.25に積分される、ひとかたまりの共鳴を有するSi−Hピークの著しい低減を示した。したがって、他のピークが少量の二重結合の移動に起因してSi−H領域の積分を不明瞭にするので、FTIR分析を使用して正確に決定した。FTIRでは、Si−Hピークのほぼ完全な消失が決定された。しかし、反応溶液を120Cでもう一度終夜加熱して、確実に反応が完了するようにした。その後の試料調製および分析によって、反応が完了したことが決定された。
シランが消費された後、トルエン(2mL)を添加し、反応溶液を室温に冷却した。反応溶液を、500mLのシュレンクフラスコ中メタノール(280mL)に、カニューレによって滴下により移すと、白色沈殿物が形成された。5分後に撹拌を停止し、沈殿物を沈降させた。次に、上清を、Fisherbrand P8濾紙(粒子保持20〜25um)を備えたフィルタチップカニューレによって除去し、沈殿物をメタノール(40mL)で洗浄した。次のステップでも、無水物生成物3はコハク酸に加水分解されなかったが、ポリマー性シリコーン無水物ワックス3の分析は、分析セクションで利用可能であった。1H NMR(トルエン−d8,δ):0.15〜0.40(m,36H,SiMe)、0.55〜0.95(m,21H,SiCH2CH2,(CH216CH3)、1.25〜1.75(m,114H,SiCH2(CH216CH3,SiCH2CH2CH2CH)、1.8〜2.8(m,9H,CH2CH(CO2H)CH2CO2H)。IR(cm-1,ダイヤモンド):2958 sh,2917 s,2849 s(sp3 C−H)、1863 m,1782 s(無水物対称&非対称)、1257 m(sp3 C−H)、1062 sh,1021 s(Si−O−Si)。
水(16mL、888ミリモル)を反応フラスコに添加し、細いワイヤー熱電対を、フラスコと加熱マントルの間に位置させて、反応溶液の温度をおおまかに測定した。反応溶液を、窒素中で130Cにおいて終夜加熱すると、ねっとりした不透明な白色溶液が生成された。ドライアイス/エタノールで冷却した補助トラップを使用して揮発物を除去した後、揮発物を破壊し、その後<50ミリトールの圧力に達するまで30分間、最終的な揮発物をシュレンクラインで真空によって除去した。生成物である半結晶性白色固体(9.79g、5.75ミリモルまたは収率60.2%)を、グローブボックス内で保存した。1H NMR(CDCl3,δ):−0.05〜0.15(m,36H,SiMe)、0.35〜0.60(m,12H,SiCH2CH2)、0.86(t,9H,(CH216CH3)、1.15〜1.80(m,108H,SiCH2(CH216CH3,SiCH2CH2CH2CH)、2.20〜3.10(m,9H,CH2CH(CO2H)CH2CO2H)。IR(cm-1,ダイヤモンド):3600〜2300広幅な(カルボン酸OH)、2958 sh,2921 s,2849 s(sp2 C−H)、1707 s(カルボン酸C=O)、1257 m(sp3 C−H)、1074 sh,1021 s(Si−O−Si)。
OSCAWの調製
この実施例では、同じモノマー繰り返し単位上に長鎖アルキル基およびアルキルカルボン酸の両方を有するオリゴマー性シリコーンワックス(OSCAW)の調製を記載する。
一般法
すべての操作を、酸素を含まない乾燥窒素雰囲気下で、標準的シュレンク技術を使用して実施した。4−ペンテン酸をSigma−Aldrichから得、グローブボックス内で保存した後、さらなる精製なしに使用した。キシレン中2.1〜2.4wt%のKarstedt触媒を、Gelestから得、さらなる精製なしに使用した。(原液は、1mL当たり0.113モルの白金を含有している)。NMR化学シフトデータを、Bruker FT NMRを用いて1Hについて400MHzで記録した。それらをppmで記載する。IR分析は、減衰全反射(ATR)サンプリングアクセサリーを備えたNicolet 7200 FTIRで得た。
ポリシラン3の合成については、上記を参照されたい。
オリゴマー性シリコーンカルボン酸ワックスまたはOSCAWの合成
100mLの3つ口RBFを、還流冷却器、温度制御器に接続した反応溶液の温度を測定する位置に置かれる熱電対、および窒素導入用アダプタを有するシュレンクラインで設定した。真空を適用し、窒素で3回バックフラッシュした後、ポリシラン3(5g、ポリマー繰り返し単位fwt298.51を使用して推定して16.7ミリモル)を、グローブボックス内で保存し秤量してから、バイアルから添加した。次に、反応フラスコを、もう一度100ミリトール未満の真空にし、窒素ガスでバックフラッシュした。トルエン(2mL)および4−ペンタン酸(2.77g、2.93mL、27.7ミリモル)を添加し、反応溶液を60Cに加熱した。Karstedt触媒(0.739mlまたは8.35×10-4ミリモルの原液の100倍希釈物、または20,000回のターンオーバーに十分な量)を添加し、溶液を60Cで数時間かけて加熱した。次に、温度を20Cの増分で上昇させ、反応溶液を120Cで終夜加熱した。FTIRおよび1H NMRによって試料を分析した後、シランが消費されたことが示され、反応溶液を室温に冷却する前にトルエン(2mL)を添加して、凝固を防止した。次に、反応溶液を、MeOH(45mL)を入れた別個のRBFに滴下添加して、生成物を沈殿させた。(4−ペンタン酸はMeOHに可溶性であることに留意されたい)。上清を、Fisherbrand濾紙(粒子保持20〜25um)を備えたフィルタチップカニューレによって除去し、沈殿物をMeOH(10mL)ですすいだ。揮発物を除去し、固体を破壊して乾燥を容易にした後、p<50ミリトールの最終的な真空を適用すると、わずかにくすんだ白色の粉末4.17g、1.37ミリモル、収率63.7%が残った(n=7.2のシランに基づく)。
オリゴマー性シリコーンカルボン酸ワックスまたはOSCAW(n=7として)の分析。1H NMR(トルエン−d8,δ):0.25〜0.50(広幅なm,18H,SiMe)、0.70〜1.20(広幅なm,49H,SiCH2CH2CH2CH2CO2HおよびSiCH2(CH216CH3)、1.20〜1.75(広幅なm,252H,SiCH2(CH216CH3,SiCH2CH2CH2CH2CO2HおよびSiCH2CH2CH2CH2CO2H)、2.2〜2.7(広幅なm,14H,SiCH2CH2CH2CO2H)および13.5〜15.5(広幅なm,14H,CH2CO2H)。IR(cm-1,ダイヤモンド):2500〜3500(広幅なCO2H)、2917 s,2849 s(sp3 C−H)、1711 m(C=O)、1467 s(sp3 C−H)、1077 s,1036 sh(Si−O−Si)。
OS2CAWの調製
この実施例は、同じオリゴマー繰り返し単位上に長鎖アルキル基およびアルキルジカルボン酸基を有するシリコーンオリゴマーであるオリゴマー性シリコーンジカルボン酸ワックス(OS2CAW)の合成を記載する。OS2CAWは、2つの方法を使用して合成した。第1の方法では、ワックス状シラン4(上記合成を参照されたい)で開始し、次にヒドロシリル化(hydrosilation)によってオリゴマー鎖上にジカルボン酸を配置する。第2の方法では、シリコーンに既に付着した無水物(ジカルボン酸前駆体)を含むシリコーンオリゴマーを構築する。全体的に、第2の方法は、第1の方法よりも少ないステップを有する。
方法1
一般法。すべての操作を、酸素を含まない乾燥窒素雰囲気下で、標準的シュレンク技術を使用して実施した。溶媒であるトルエンおよびメタノールを、1L容器中、既に脱酸素化し、乾燥された状態でFisherから購入し、さらなる精製なしに使用した。ジメトキシエタン(DME)を、やはり1L容器中、既に乾燥され、脱酸素化された状態でAldrichから購入し、さらなる精製なしに使用した。アリルコハク酸無水物をTCI Americaから購入し、使用前に蒸留した。白金(II)アセチルアセトナート[Pt(acac)2]を、Strem Chemicalから購入し、さらなる精製なしに使用した。グローブボックス内で、50mgのPt(acac)2をDME10mLに溶解させて、溶液1mL当たり1.27×10-2ミリモルのPtを含有する溶液を生成した。NMR化学シフトデータを、Bruker FT NMRを用いて1Hについて400MHzで記録した。それらをppmで記載する。IR分析は、減衰全反射(ATR)サンプリングアクセサリーを備えたNicolet 7200 FTIRで得た。
アリルコハク酸の合成。水(321g、321mL、1.78モル)を、1Lの3つ口RBFに入れ、手短に真空を適用して酸素を除去した。次に、アリルコハク酸無水物(50g、42.7mL、357ミリモル)を添加し、反応溶液を110Cに終夜加熱した。次に、反応溶液を室温に冷却し、揮発物を試料から除去して、FTIR分析のために準備した。無水物がカルボン酸に変換したことを確認した後、揮発物を真空搬送によって除去すると同時に、反応溶液を30Cで撹拌した。反応フラスコの温度を、温度制御器で維持すると同時に、加熱マントルと反応フラスコの間に位置した細いワイヤー熱電対を使用してモニタした。生成物が凝固し始めると、固体を破壊して乾燥を容易にした。水の大部分が除去された後、フラスコをシュレンクラインに直接接続して、終夜圧力<20ミリトールを達成した。生成物は白色固体である(55.6g、352ミリモル、収率98.5%)。1H NMR(DMSO−d6,δ):2.07〜2.35および2.42〜2.52(m,4H,CH2=CHCH2CH(CO2H)CH2CO2H)、2.66〜2.74(m,1H,CH2CH(CO2H)CH2)、5.00〜5.09(m,2H,CH2=CHCH2)5.6〜5.78(m,1H,CH2=CHCH2CH)。IR(cm-1,ダイヤモンド):2300〜3700(広幅なCO2H)、3029 w(sp2 C−H)、2978w,2921w(sp3 C−H)、1689 s(C=O)。
オリゴマー性シリコーンジカルボン酸ワックスまたはOS2CAWの合成。グローブボックス内で、250mLの4つ口RBFに、オリゴマー性(oilgomeric)シラン4(34.2g、fwt298.51を使用することによって推定して114ミリモルのシラン繰り返し単位;実施例8から)およびアリルコハク酸(19g、120ミリモル)を乾燥粉末として添加した。グローブボックスから取り出す前に、フラスコに窒素導入用アダプタおよび3つのSuba−sealストッパーを備えた。シュレンクラインに取り付けたら、フラスコに、還流冷却器および反応溶液の温度を直接測定する位置に置かれる熱電対を備えた。加熱マントルおよび温度制御器も、熱電対に接続した。次に、DME(20mL)を添加すると、スラリーが形成された。混合物を80Cに加熱する間に、スラリーは約60Cで溶液に転換し、80Cで容易に混合できた。しかし、反応溶液は濁り、撹拌を停止すると二相に分離した。次に、触媒溶液(0.189mLのPt(acac)2/DME、または2.40×10-3ミリモル、または50,000回のターンオーバーに十分な量)を、反応溶液に添加し、約15分後に温度を100Cに設定して、終夜穏やかに還流させた。
約16時間加熱した後、反応溶液は均質になった。試料を取り出す間に凝固するのを防止するために、トルエン約0.3mlをシリンジに引き入れた後、試料0.3mLを取り出した。揮発物の真空搬送によって、ワックス状固体が生成された。FTIR分析により、シランが消費されたことが決定され、これは1H NMRによって確認された。次に、反応溶液を、室温に冷却する前にDME20mLで希釈して、凝固を防止した。反応溶液を、1Lのシュレンクフラスコ中のMeOH(300mL)に滴下により移すと、生成物が沈殿した。10分間撹拌した後、上清を、Fisherbrand P8濾紙(20〜25um粒子保持)を備えたフィルタチップカニューレによって除去した。揮発物を、p<100ミリトールにして生成物から除去した後、水(540mL、30モル)を反応フラスコに添加して、生成物を加水分解してコハク酸に戻した。次に、反応フラスコに還流冷却器を装着し、フラスコと加熱マントルの間に熱電対を備えた温度制御器を使用して、100Cに加熱した。反応溶液を、窒素中で終夜加熱した。
FTIRによって酸への変換が確認された後、生成物を、ドライアイスで冷却した補助トラップを使用して揮発物を除去することによって単離した。水が除去されたら、固体を破壊して乾燥を容易にした。最終的には、生成物に、終夜p<20ミリトールの真空を適用した。生成物は、白色粉末37.3g、119ミリモル、収率73.6%であり、オリゴマーの繰り返し単位n=6.5であった。1H NMR(トルエン−d8,δ):0.2〜0.5(広幅なm,18H,SiCH3)、0.7〜1.1(広幅なm,49H,SiCH2CH2CH2およびSiCH2(CH216CH3)、1.2〜1.8(広幅なm,126H,SiCH2(CH216CH3およびSiCH2CH2CH2CHCO2H)、2.2〜2.7(広幅なm,21H,SiCH2CH2 CH2CH(CO2H)CH2CO2H)および13.5〜15.5(広幅なm,14H,CO2H)。IR(cm-1,ダイヤモンド):2500〜3500(広幅なCO2H)、2958 sh,2916 s,2849 s(sp3 C−H)、1711 m(C=O)、1467 s(sp3 C−H)、1066 s,1020 sh(Si−O−Si)。
方法2
すべての操作を、酸素を含まない乾燥窒素雰囲気下で、標準的シュレンク技術を使用して実施した。溶媒であるトルエンを、1L容器中、既に脱酸素化し、乾燥された状態でFisherから購入し、さらなる精製なしに使用した。1L容器に入った乾燥脱酸素化ジメトキシエタン(DME)を、Aldrichから購入し、さらなる精製なしに使用した。アリルコハク酸無水物をTCI Americaから購入し、使用前に蒸留した。Speier触媒であるヘキサクロロ白金酸水和物を、Aldrichから購入し、さらなる精製なしに使用した。(原液を生成するために、55mgをDME10.0mLに溶解させて、1.34×10-2ミリモルのPt/mL触媒溶液を生成した)。NMR化学シフトデータを、Bruker FT NMRを用いて1Hについて400MHzで記録した。それらをppmで記載する。IR分析は、減衰全反射(ATR)サンプリングアクセサリーを備えたNicolet 7200 FTIRで得た。
コハク酸無水物ワックス(2)の合成。窒素導入用アダプタおよび熱電対と温度制御器を備えた、100mLの4つ口RBFに、ジクロロシラン1(10.0g、31.9ミリモル)およびアリルコハク酸無水物(4.48g、3.82mL、31.9ミリモル)を添加すると、濁った溶液が形成された。撹拌を停止すると、濁った溶液は2相に分離した。反応溶液を80Cに加熱し、Speir触媒(0.955mL、1.28×10-4ミリモルの白金の原液の100倍希釈物、または250,000回のターンオーバーに十分な量)を、ストリームに一度にすべて添加した。発熱反応は観測されなかったが、反応溶液を80Cで終夜加熱した。80Cで約16時間経過した後、反応溶液は透明な淡黄色になり、撹拌を停止しても一相のままであった。試料0.2mLを、長い18Ga針内で試料が凝固しないようにトルエン0.3mLを入れたシリンジを使用して、この針に取り出した。揮発物を除去し、試料をFTIRおよび1H NMRによって分析し、反応が完了したことを決定した。この生成物は単離しなかったが、次の反応に直接持ち越した。コハク酸無水物ワックス2の分析を実施する。1H NMR(CDCl3,δ):0.55〜0.95(m,7H,CH3(CH216CH2SiCH2CH2)、1.05〜1.50(m,36H,CH3(CH216CH2SiCH2CH2CH2CH)、1.70〜2.00(m,3H,CH2Si(CH23CH(CO2H)CH2CO2H)。IR(cm-1,ダイヤモンド):2958 sh,2915 s,28449 s(sp3 C−H)、1856 m,1774 s(対称および非対称無水物C=O)、522 s,472 m(Si−Cl)。
オリゴマー性シリコーンコハク酸無水物ワックス(3)の合成。トルエン(25mL)を反応フラスコに添加し、反応溶液をRTに冷却した。水(0.287g、16.0ミリモル)を、分析用の秤で秤量し、次にグローブボックス内でDME(2mL)に溶解させた後、シリンジに取り出した。窒素充填バブラーを、反応フラスコの窒素導入用アダプタの反対側にある標準テーパに接続することによって、反応装置を窒素陽圧力下に修正した。窒素圧が大気圧を超えるようにわずかに上昇させることによって、窒素ガスが反応溶液に穏やかに流れ、バブラーから出るように調整した。フラスコの中心のストッパーを、suba sealに変更し、水/DME充填シリンジを、中心の開口に位置させて、水溶液を反応溶液のボルテックスに直接滴下できるようにした。次に、反応溶液を20分かけて撹拌しながら、水/DME溶液を滴下添加した。反応溶液を、RTでさらに15分撹拌した後、トリメチルシラノール酸ナトリウム(silenolate)(16.0mL、16ミリモル)をストリームにすべて一度に添加した。再び反応溶液をRTで15分間撹拌し、次に60Cで5分間加熱した後、RTに冷却した。熱電対およびバブラーをストッパーで置き換え、揮発物を、ドライアイス/エタノールで冷却した補助トラップを使用して、真空搬送によって一晩かけて除去した。真空下で約16時間経過した後、反応フラスコを、500ミリトール未満の圧力が得られるまで、真空ラインに直接接続した。FTIRおよび1H NMR分析は、Si−Cl結合が、Si−O−Si結合に加水分解されたことを示している。また生成物は、末端基分析によれば6〜8個の繰り返し単位を有していた。生成物は単離しなかったが、精製なしに次のステップに直接持ち越した。3(n=7):1H NMR(トルエン−d8,δ):0.05〜0.15(m,18H,SiMe)、0.40〜0.65(m,28H,CH2CH2SiCH2CH2)、0.86(t,21H,CH3CH2)、1.15〜1.95 m,252H,CH3(CH216CH2SiCH2CH2CH2CH)、2.4〜3.2(m,21H,CH2Si(CH23CH(CO2H)CH2CO2H);IR(cm-1,ダイヤモンド):2858 sh,2917 s,2849 s(sp3 C−H)、1862 m,1781 s 対称&非対称無水物)、1466 m(sp3 C−H)、1066 s,1010 sh(Si−O−Si)。
オリゴマー性シリコーンジカルボン酸ワックスまたはOS2CAW(4)の合成。反応フラスコに、反応溶液の温度を測定するように位置させた熱電対を備え、加水分解反応のために水(25mL、1.39モル)を添加した。反応溶液を60Cにして2時間加熱した。次に、揮発物を反応試料から除去すると、トルエン、クロロホルムおよびDMSOに不溶性の白色粉末が生成された。FTIR分析は、反応が終了し、無水物が酸に変換したことを示した。次に、熱電対をストッパーで置き換えた後、揮発物を、ドライアイス/エタノールで冷却した補助トラップを使用して、真空搬送によって一晩かけて除去した。約16時間真空を適用した後、水のほとんどは除去され、したがって固体の大きい塊を破壊した後、生成物に、終夜シュレンクラインで圧力50ミリトール未満の真空を適用した。生成物(n=7)は、白色固体9.93g、3.89ミリモルまたは収率97.7%である。IR(cm-1、ダイヤモンド):2500〜3500広幅(カルボン酸OH)、2958 sh、2916 s、2849 s(sp3 C−H)、1704 s(カルボン酸C=O)、1077 sh、1009 s(Si−O−Si)。
EO−PS2CAWの調製
この実施例では、シリコーン骨格の異なる繰り返し単位上にプロピルエチレンオキシドおよびアルキルジカルボン酸を含む短鎖ポリマー性シリコーンの調製を記載する。
一般法。すべての操作を、酸素を含まない乾燥窒素雰囲気下で、標準的シュレンク技術を使用して実施した。乾燥脱酸素化トルエンを、Fisherから購入し、さらなる精製なしに使用した。乾燥脱酸素化ジメトキシエタン(DME)を、Aldrichから購入し、さらなる精製なしに使用した。アリルオキシ(トリエチレンオキシド)、メチルエーテル、95%(Mn=3)をGelestから購入し、さらなる精製なしに使用した。キシレン中2.1〜2.4wt%のKarstedt触媒を、Gelestから得、さらなる精製なしに使用し、保存し、グローブボックス内で処理した。Karstedt触媒の100倍希釈物を、原液0.10mLをトルエン10mLに溶解させることによって生成した。(原液は、1mL当たり0.113モルの白金を含有している)。ポリシラン(1)またはMnが約6の「トリメチルシリル末端をもつポリメチルヒドロシロキサン」を、ミシガン州バートンのGenesee Polymers Corpから特注として購入した。シランを、終夜P<50ミリトールの真空によって精製し、次にグローブボックス内で処理した。NMR化学シフトデータを、Bruker FT NMRを用いてプロトンについては400MHzにおいて、または13C{1H}については100MHzにおいて記録した。それらをppmで記載する。IR分析は、減衰全反射(ATR)サンプリングアクセサリーを備えたNicolet 7200 FTIRで得た。ポリシランシリコーン(n=6のGP−1015)(1)は、以下を特徴とする。1H NMR(トルエン−d8,δ):0.16(m,36H,SiMe)、4.93(m,6H,Si−H);IR(cm-1,ダイヤモンド):2961 w(sp3 C−H)、2161 m(Si−H)、1257 m(sp2 C−H)、1039 s(Si−O−Si)。
エチレンオキシドポリマー性シリコーンジカルボン酸ワックス(3a)の合成。500mLの4つ口RBFに窒素導入用アダプタを備え、レシーバおよび熱電対を有する蒸留ヘッドを、シュレンクラインに取り付けた。さらに蒸留ヘッドに、一方向弁を含有するバブラーを取り付けた。装置は、シュレンクラインをホースアダプタに取り付けたら、窒素ガスが、反応フラスコ内を通過し、反応溶液の表面を流れ、蒸留ヘッドに取り付けられたバブラーから出ることができるように構成した。また、バブラー上の一方向弁により、バブラーからホースアダプタまで、装置全体に真空を適用することができた。熱電対を、所望の反応溶液の温度を維持するために、温度制御器を有する加熱マントルに取り付けた。装置を、100ミリトール未満の圧力の真空下に置いた後、窒素でバックフラッシュした。この真空ステップは、蒸留ヘッドとバブラー開口の間の弁を用いて実施した。
次に、ポリシラン1(34.2g、n=6の65.3ミリモルのポリマー鎖)を添加した後、アリルオキシ(トリエチレンオキシド)、メチルエーテル(40g、196ミリモル)をトルエン(160mL)と共に添加した。レシーバをドライアイス/エタノール浴で冷却し、反応フラスコを130Cに加熱すると同時に、窒素を導入用アダプタから反応溶液の表面に流し、蒸留ヘッドおよびバブラーから出した。留出物約150mLを収集した後、反応溶液を分析のためにサンプリングした。揮発物を、トルエン−D8中1H NMRによって分析するために試料から除去した。反応物の相対量を決定するために、3.1ppmにおけるOMeピークを積分して9になるように設定し、4.9ppmにおけるSi−Hピークと比較するために測定した。残念ながら、Si−Hピークは末端アリル多重線のプロトンの1つを分裂させており、直接積分することができない。2つの末端アリルプロトンは、十分に分離し、他のアリルプロトンと共に、反応混合物におけるアリルオキシ(トリエチレンオキシド)の量を決定するために使用することができる。5.2ppmにおける非重複末端アリルプロトンからの多重線を、5.7ppmにおける他の非重複アリルプロトン多重線と平均して、末端の1つのアリルプロトンについて積分値を決定した。次に、シランは、アリルプロトンと、他の末端アリルプロトンと組み合わされたシランの間の差異であった。分析により、ポリシランおよびアリルオキシ(トリエチレンオキシド)の化学量論量が、ヒドロシリル化反応が継続するのにほぼ十分であったことが実証された。
反応溶液を60Cに加熱した後、Karstedt触媒(1.94×10-3ミリモルの白金を含む原液の100倍希釈物1.72mL、または100,000回のターンオーバーに十分な量)を反応溶液に添加した。溶液の温度は、穏やかに発熱し、次にそれを100Cで終夜加熱した。反応溶液試料の分析では、反応が90%完了したことが決定され、したがって別の一定分量のKarstedt触媒(0.86mL、9.72×10-4モルの白金の100倍希釈物、または200,000回のターンオーバーに十分な量)を添加し、反応溶液を100Cで終夜加熱した。揮発物を除去した後の分析では、アリルが消費されたことによって決定される通り、反応が完了した。
反応溶液の12.9mL部分(12.0gまたは10.5ミリモルのポリシラン2)を、次の反応で使用した。グローブボックス内で、アリルコハク酸(5g、31.6ミリモル)を、熱電対および窒素アダプタを備えた100mLの3つ口RBFに添加した。次に、シュレンクラインで、ポリシラン2をシリンジによって添加し、反応溶液を80Cに加熱した後、Karstedt触媒(0.316mL、10,000倍希釈物からの3.57×10-6ミリモルの白金、または1,000,000回のターンオーバーに十分な量)を添加した。反応溶液は、わずかに発熱し、次に温度を終夜100Cに設定した。分析では、反応がまだ不完全であることが決定されたので、反応溶液の温度を80Cに低減し、DME(3.0mL)を添加して、反応溶液を効率的に撹拌した。次に、Karstedt触媒(1.27mL、1000倍希釈物の1.43×10-4モルの白金、または20,000回のターンオーバーに十分な量)を添加し、反応溶液を100Cで終夜加熱した。試料を調製した後、分析により、シランが消費されたが、コハク酸は無水物に部分的に変換され、すなわち3aと3bの混合物であったことが決定された。1H NMR(トルエン−d8,δ):0.05〜0.25(m,36H,SiMe)、0.50〜0.70(m,6H,SiCH2CH2)、1.50〜1.70(m,6H,SiCH2CH2CH2O)、3.10(s,9H,OCH3)、3.25〜3.65(m,42H,CH2CH2CH2OCH2CH2O)n,4.80〜4.90(m,3H,SiH)。IR(cm-1,ダイヤモンド):2958 w,2921 sh,2870 m(sp3 C−H)、2151 m,(Si−H)、1258 m(sp3 C−H)、1089 s,1029 s(Si−O−Si)。
生成物を、トルエン(20mL)、DME(20mL)および水(142mL、142g、7.9モル)に溶解させ、100Cで2時間加熱した。次に揮発物を、ドライアイス/エタノールで冷却した補助トラップを使用して真空搬送により一晩かけて除去した。生成物の乾燥を容易にするために、ほぼ無色の透明な油をゆっくり撹拌すると同時に、高真空ラインに直接取り付けて、終夜真空下に置いた。生成物を、圧力<20ミリトールが得られるまで真空下で終夜維持した。1H NMR(CDCl3,δ):0.05〜0.60(m,36H,SiMe)、0.60〜0.85(m,12H,SiCH2CH2)、1.40〜1.90(m,18H,SiCH2CH2CH2O,SiCH2CH2CH2CH)、2.15〜2.85(m,9H,CH2CH(CO2H)CH2CO2H)、3.15〜3.75(m,51H,CH2(OCH2CH2)OCH3)9〜11(広幅なm,6H,CO2H)。IR(cm-1,ダイヤモンド):2958 sh,2929 sh,2874 m(sp3 C−H)、1709 s,(カルボン酸C=O)、1858 m,(sp3 C−H)、1082s,1019 s(Si−O−Si)。
PSAW−Si(R)3の調製
PSAW−Si(R)3の調製は、図5に示されており、実施例1に記載のPSAWの調製手順に従って、オクタデセンの代わりにトリエチル(オクタデカ−1−エン−9−イル)シランを使用して行う。
PS2AWの調製
ポリマーシリコーンジアミン(PS2AW)の調製は、上記の実施例7におけるPS2CAWの合成に従うが、シロキサンを修飾するためにコハク酸アリルジメチルを使用する(図8参照)。マレイン酸ジメチルおよびイタコン酸ジメチルも使用することができる。Karstedt触媒、Speier触媒またはPt(acac)2などの触媒を使用するヒドロシリル化によるシロキサンポリマーへの結合後、エステルを過剰な1,2−ジアミノエタンと反応させて所望の生成物を形成することができる。
OS2AWの調製
オリゴマーシリコーンジアミン(OS2AW)の調製は、上記の実施例9において説明した手順に従うが、シロキサンを修飾するためにコハク酸アリルジメチルを使用する(図7参照)。Karstedt触媒、Speier触媒またはPt(acac)2などの触媒を使用するヒドロシリル化によるシロキサンポリマーへの結合後、エステルを1,2−ジアミノエタンと反応させて所望の生成物を形成することができる。
PS3CAWの調製
ポリマーシリコーントリカルボン酸(PS3CAW)の調製を以下で説明するが、この調製は上記の実施例7における手順に従う。市販の出発原料は、Aldrichからのクエン酸トリエチルである。公知の方法を用いてp−トルエンスルホニルクロリドによりアルコール基をトシラート脱離基に転化させることができる。その後、以下に示すように、そのトシル脱離基をアリルアルコキシドで置換して末端オレフィンを形成することができる。
その後、そのアリル修飾トリスエステルと実施例7からのシロキサンポリマー2とをKarstedt触媒、Speier触媒またはPt(acac)2などの適する触媒でのヒドロシリル化により反応させて、シロキサンモノマーを形成する。その後、例えばリパーゼ酵素による、エステルの鹸化によって、最終ポリマーを調製することができる。加えて、同様にリガンド合成の最終工程で容易に脱保護されるt−ブチルまたはベンジルなどの、他のエステルを使用してもよい。
OS3CAWの調製
オリゴマーシリコーントリカルボン酸(OS3CAW)の調製を以下で説明する。
市販の出発原料は、Aldrichからのクエン酸トリエチルである。p−トルエンスルホニルクロリドによってアルコール官能基をトシラート脱離基に転化させる。その後、以下に示すように、そのトシル脱離基をアリルアルコキシドで置換して末端オレフィンを形成することができる。
このリガンドは、1つ変更を加えた手順を用いて合成することになる。シリコーン主鎖を過剰のジメトキシシラン上へのオクタデカンのヒドロシリル化によって調製して、オクタデシルジメトキシシランを生成することになる。その生成物を蒸留によって二付加生成物から分離することになる。これらは、公知の合成手順であり、Karstedt触媒、Speier触媒またはPt(acac)2などの適する触媒によって行うことができる。その後、クエン酸アリルトリエステルを、ヒドロシリル化に付してオクタデシル官能化シランにし、続いて加水分解に付すことになるが、これらもまた公知の合成工程である。
その後、シロキサンモノマーを縮合させてポリマーを形成し、次いでエステルを、例えばリパーゼ酵素により、鹸化することによって、最終ポリマーを調製することができる:
加えて、同様にリガンド合成の最終工程で容易に脱保護されるt−ブチルまたはベンジルなどの、他のエステルを使用してもよい。
OSAWの調製
これらのリガンド中のトリメチルシリル末端基は、シリコーン主鎖の繰り返し単位のようにさらなるナノ結晶結合または可溶化を一切もたらさない。したがって、この無能を補正するために、シリコーン主鎖の末端におけるナノ結晶結合および可溶化基を有するリガンドを考案した。その合成を、OSAWに適応させて以下に示す。
この場合、副生成物1a、シランモノクロリドをその対応するアルコール1bに炭酸アンモニウムで転化させ、その後、その1bを使用してジクロロシリコーンオリゴマー2をエンドキャップして3aを形成した。これらは、すべて公知の合成工程である。同様の手順を用いて、OSCAW、OS2CAWまたはOS3CAWリガンド誘導体を合成することができよう。
レーザーHALT加速寿命試験
PSAW−1:1を有するナノ結晶組成物を、上で説明したように調製した。
比較ナノ結晶/シリコーン組成物の調製。別の例示的複合材を製造し、この複合材は、ペンダントアミン官能性シリコーンから形成されたマトリックス中のCdSe/CdS/ZnSナノ結晶を有した。トルエンに溶解した赤色および緑色CdSe/CdS/ZnSナノ結晶の別個のバッチ(各色について異なるサイズおよび発光ピークを有する2つのバッチ)を50℃で約66時間、アミノシリコーン(脱気AMS−242およびAMS−233の50:50混合物、Gelest,Inc.)と交換した。ナノ結晶濃度は、トルエン1mLにつき0.01〜0.1mLのアミノシリコーンを含有するトルエン中、約3ODと50ODの間であった。その後、その溶液を30℃に冷却し、約90分間、p<60ミリトルにして揮発分を除去した。試料をトルエンに25mg(ナノ結晶+アミノシリコーン)/mLで溶解した。紫外・可視測定器を使用して460nmで赤色および緑色ナノ結晶の各バッチについて(路長1cmで)OD/gを判定した。測定されるODが投影値に確実に近くなるように、アミノシリコーン中の正味のナノ結晶の密度を1であると仮定することにより(すなわち、40を掛けて)正味の解を算出した。その後、アミノシリコーン中の赤色ナノ結晶の2つのバッチおよび緑色ナノ結晶の2つのバッチからのナノ結晶を追加のアミノシリコーンと共に併せた。2つの赤色バッチから添加した赤色ナノ結晶の量を、約10の最終ODが得られるように調整し、および2つの緑色バッチから添加した緑色ナノ結晶の量を、約30の最終ODが得られるように調整した。この実施例では、6.8mLの各緑色ナノ結晶バッチおよび2.5mLの各赤色ナノ結晶バッチを、追加の11.49gのアミノシリコーン(再び、脱気AMS−242およびAMS−233の50:50混合物)と共に併せた。同量(30mL)のトルエンも添加した。その混合物を用いて60℃で16時間、リガンド交換を行った。加熱後、その混合物を30℃に冷却し、2時間、p<35ミリトルにして揮発分を除去した。揮発分除去後の生成物は、オレンジ色のペーストであった。
マトリックスの調製。次に、0.5gのQD/アミノシリコーンまたはQD/PSAW組成物を10mLプラスチックカップの中の9.5gの未硬化Loctite E−30clエポキシに添加した。その後、そのカップを遊星型ミキサー(THINKY ARV−310)内に配置し、4分間、2000rpmで均質になるまで動作した。その後、カップをグローブボックスに入れた。内容物を50um厚ポリエステルフィルム(3M、Ultrabarrier)上に注入した。第二のフィルム片をエポキシプールの上部に配置し、その後、その積層物を1セットの精密ロールに通してそれを圧搾し、その結果、エポキシ/量子ドット層は厚さ100umになった。その後、その積層物を15分間、100℃オーブン内に置いてエポキシを硬化させた。
レーザー手順。上でキャストしたフィルムから、スチールパンチを使用して20mm直径を切断する。その後、その試料を2枚のサファイア板の間に把持し、光路内に取り付ける。前記サファイアを発熱体に連結し、60+/−5℃の温度で維持する。青色レーザー(450nm)を60W/cm2に減衰させ、そのレーザーは、おおよそ1mmのスポットサイズを有する。シャッターを開け、光線をフィルム試料に通す。結果として生ずる発光スペクトルを、分光光度計(Ocean Optics,Inc.)と光ファイバープローブを使用して継続的に収集する。図4は、フィルム試料からの赤色および緑色発光を時間の関数としてプロットしたものである。表2は、フィルムについての発光データを要約したものである。
上記発明を、明確に理解できるように図表および実施例によって多少詳しく説明したが、ある一定の変更および修飾を添付のクレームの範囲内で実行してもよいことは当業者には理解されるであろう。加えて、本明細書において提供する各参考文献は、各参考文献を個別に参照により援用した場合と同程度に、その全体が参照により援用されている。本願と本明細書において提供する参考文献との間に矛盾が存在する場合、本願が優先されるものとする。

Claims (15)

  1. 式I:

    (ここで、
    1及びR4の少なくとも一方は、C8-20アルキル及びC8-20ヘテロアルキルより成る群から選択され、各アルキル基は、1個の−Si(R1a)3基で随意に置換されていてよく;
    各R1aは独立してC1-6アルキル、シクロアルキル及びアリールより成る群から選択され;
    各Lは独立してC3-8アルキレン、C3-8ヘテロアルキレン、C3-8アルキレン−O−C2-8アルキレン、C3-8アルキレン−(C(O)NH−C2-8アルキレン)q、C3-8ヘテロアルキレン−(C(O)NH−C2-8アルキレン)q及びC3-8アルキレン−O−C1-8アルキレン−(C(O)NH−C2-8アルキレン)qより成る群から選択され;
    各R2は独立してNR2a2b及びC(O)OHより成る群から選択され;
    各R2a及びR2bは独立してH及びC1-6アルキルより成る群から選択され;
    各R3は独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、シクロアルキル及びアリールより成る群から選択され;
    各R5は独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、−L−(R2)q、シクロアルキル及びアリールより成る群から選択され;
    下付文字mは5〜50の整数であり;
    下付文字nは0〜50の整数であり;
    下付文字qは1〜10の整数であり;
    下付文字nが0である場合、R1はC8-20アルキル、C8-20ヘテロアルキル、C8-20アルケニル、C8-20アルキニル、シクロアルキル及びアリールより成る群から選択され、これらはそれぞれ1個以上の−Si(R1a)3基で随意に置換されていてよい)
    の構造を含む、量子ドット結合用リガンドであり、
    前記量子ドットとは、実質的に単結晶であり、約500nm未満の寸法の少なくとも1つの領域又は特徴的寸法を有するナノ構造体である、
    量子ドット結合用リガンド
  2. 1及びR4の少なくとも1つがC16アルキル、C18アルキル、C20アルキル及び−(CH2)2−(OCH2CH2)3−OCH3より成る群から選択され、各アルキル基が随意に1個の−Si(R1a)3基で置換されていてよい、請求項1に記載の量子ドット結合用リガンド。
  3. 各R5が独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、シクロアルキル及びアリールより成る群から選択され;
    下付文字mが5〜50の整数であり;
    下付文字nが1〜50の整数である:
    請求項1に記載の量子ドット結合用リガンド。
  4. 下付文字m対下付文字nの比が約2:1である、請求項1に記載の量子ドット結合用リガンド。
  5. 下付文字m対下付文字nの比が約1:1である、請求項1に記載の量子ドット結合用リガンド。
  6. 下付文字m対下付文字nの比が約1:2である、請求項1に記載の量子ドット結合用リガンド。
  7. 1及びR3がそれぞれ独立してC1-3アルキルであり;
    各R1aが独立してC1-6アルキルであり;
    各R4が独立してC8-20アルキル及びC8-20ヘテロアルキルより成る群から選択され、該アルキル基が1個の−Si(R1a)3基で随意に置換されていてよく;
    各R5が独立してC1-3アルキルであり;
    下付文字qが1〜3の整数である:
    請求項1に記載の量子ドット結合用リガンド。
  8. 次式:

    (ここで、下付文字m及びnはそれぞれ10〜14の整数である)
    の構造を有する、請求項7に記載の量子ドット結合用リガンド。
  9. 次式:


    (ここで、各R1aは独立してC1-6アルキルであり、
    下付文字m及びnはぞれぞれ10〜14の整数である)
    より成る群から選択される構造を有する、請求項7に記載の量子ドット結合用リガンド。
  10. 各R5が独立してC1-20アルキル、C2-20アルケニル、C2-20アルキニル、シクロアルキル及びアリールより成る群から選択され、該アルキル基が1個の−Si(R1a)3基で随意に置換されていてよく;
    下付文字mが5〜50の整数であり;
    下付文字nが0である:
    請求項1に記載の量子ドット結合用リガンド。
  11. 次式:

    の構造を有する、請求項10に記載の量子ドット結合用リガンド。
  12. 1がC8-20アルキルである、請求項11に記載の量子ドット結合用リガンド。
  13. 次式:


    (ここで、下付文字mは5〜50の整数である)
    より成る群から選択される構造を有する、請求項10に記載の量子ドット結合用リガンド。
  14. 請求項1に記載の量子ドット結合用リガンドと、発光量子ドット(QD)の第1の母集団とを含む組成物。
  15. 前記量子ドット結合用リガンドが次式:

    の構造を含む、請求項14に記載の組成物。

JP2015518444A 2012-06-22 2013-06-11 量子ドット結合用リガンド及び組成物 Active JP6162231B2 (ja)

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