JP6128885B2 - 電子写真感光体およびその製造方法ならびに電子写真装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子写真感光体およびその製造方法ならびに電子写真感光体を有する電子写真装置に関する。

電子写真装置に用いられる電子写真感光体（以下単に「感光体」とも表記する。）の一種として、光導電性材料に水素化アモルファスシリコンを用いた感光体（以下「ａ−Ｓｉ感光体」とも表記する。）が知られている。

ａ−Ｓｉ感光体は、一般的に、プラズマＣＶＤ法などの成膜方法により、導電性基体（以下単に「基体」とも表記する。）上に水素化アモルファスシリコンで構成された光導電層を形成することによって製造される。

従来から、ａ−Ｓｉ感光体の電気的特性、光学的特性、光導電的特性、使用環境特性、経時的安定性などの様々な特性に関して改善が検討されている。ａ−Ｓｉ感光体の特性を改善する技術の１つとして、水素化アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」とも表記する。）で構成された光導電層上に水素化アモルファスシリコンカーバイド（以下「ａ−ＳｉＣ」とも表記する。）で構成された表面層を設ける技術が知られている。

特許文献１には、ａ−ＳｉＣで構成された表面層中に、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が光導電層側から感光体の表面側に向かって漸増している領域（本発明では、以下「変化領域」とも表記する。）を設けること、および、この変化領域に周期表第１３族に属する原子（以下「第１３族原子」とも表記する。）を含有させることが記載されている。

特開２００２−２３６３７９号公報

近年、電子写真装置のデジタル化、フルカラー化、出力画像の高画質化が進んでいる。

デジタル化およびフルカラー化された電子写真装置では、出力画像の高画質化のため、感光体の帯電には負帯電が採用され、静電潜像の形成にはイメージ露光法（ＩＡＥ）が採用され、カラートナーにはネガトナーが採用されることが多い。

したがって、負帯電用の感光体には、負帯電時の帯電能のため、感光体の表面から光導電層への電荷（電子）の注入をできるだけ阻止する機能が求められる。

従来は、特許文献１に記載されているように、負帯電用のａ−Ｓｉ感光体では、感光体の表面から光導電層への電荷の注入を阻止する部分として第１３族原子を含有する部分を表面層中に設けることで、負帯電時の帯電能の向上を図ることが試みられてきた。

しかしながら、最近、デジタル化された情報を大量に出力する場合が多くなってきており、それに応じて、高速で画像出力する要求が高まっている。高速で画像出力するためには、感光体の帯電能および光感度のさらなる向上が必要になる。

本発明の目的は、負帯電時の帯電能および光感度が優れた電子写真感光体およびその製造方法ならびに該電子写真感光体を有する電子写真装置を提供することにある。

感光体を電子写真装置に設置し、電子写真装置内の帯電装置（一次帯電装置）の出力を増加させると、それに応じて、感光体の表面に保持される電荷の量が増加し、感光体の表面電位が高くなってくる。

上述のように、画像出力を高速で実行する場合は、感光体の表面の移動速度（感光体の回転速度）が高まることになり、その結果、感光体の表面が帯電装置に対向する位置を通過する時間が短くなるため、帯電装置から感光体の表面に供給される電荷の量は低下しやすくなる。そのため、所定の感光体の表面電位が得られにくくなる。

また、帯電装置から感光体の表面に供給される電荷の量が比較的少ないときは、帯電装置から感光体の表面に供給される電荷の量と、感光体の表面電位とは、直線関係になる。ところが、帯電装置から感光体の表面に供給される電荷の量が多くなっていくと、この直線関係が崩れ、所定の感光体の表面電位が得られにくくなる。このため、所定の感光体の表面電位を得るためには、帯電装置から感光体の表面に供給する電荷の量をより増加させる必要が生じてくる。

上述の直線関係が崩れる原因に関して、本発明者らが検討を行った結果、表面層内の変化領域における第１３族原子の含有のさせ方に因ることがわかった。

表面層内の変化領域の中で、第１３族原子を含有している部分（以下「上部電荷注入阻止部分」とも表記する。）は、感光体の表面が負帯電された際、感光体の表面から光導電層への負電荷の注入を阻止する機能を有する部分である。上部電荷注入阻止部分は、このような機能を備えるため、変化領域を構成するａ−ＳｉＣをベースの材料としたうえで、さらに、電気伝導性を制御するための原子として、第１３族原子を含有している。これにより、上部電荷注入阻止部分は、Ｐ型電気伝導性を有することになるため、負電荷が感光体の表面から光導電層へ注入するのを阻止することが可能となる。

一方、変化領域内の上部電荷注入阻止部分より感光体の表面側の部分（以下「表面側部分」とも表記する。）に、第１３族原子のような電気伝導性を制御するための原子を含有させなければ、表面側部分は、Ｉ型電気伝導性または若干のＮ型電気伝導性を示すことになる。

変化領域内において、表面側部分と上部電荷注入阻止部分とは接しているので、両部分のフェルミ準位が一致する状態で平衡状態が形成される。その結果、表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部では、表面側部分の伝導帯のエネルギー準位に対して、上部電荷注入阻止部分の伝導帯のエネルギー準位が急激に高くなる。すなわち、表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部に高いエネルギー障壁が生じる。

このような状態で、感光体の表面から光導電層に向かって負電荷が注入されてくると、上記境界部のエネルギー障壁により、変化領域内の表面側部分から上部電荷注入阻止部分への負電荷の注入が抑制される。

例えば、プラズマＣＶＤ法によって表面層内の変化領域を形成する場合、変化領域内の上部電荷注入阻止部分は、ケイ素原子導入用の原料ガスおよび炭素原子導入用の原料ガスとともに、第１３族原子供給用の原料ガスを反応容器内に導入し、形成する。

従来は、表面層内の変化領域の形成工程において、ケイ素原子導入用の原料ガスおよび炭素原子導入用の原料ガスを反応容器内に導入し、ある所定の時間が経過した後、第１３族原子供給用の原料ガスを所定の流量まで徐々に増加させながら反応容器内に追加で導入していた。そして、所定の時間が経過し、第１３族原子を含有している部分（上部電荷注入阻止部分）が形成された後、第１３族原子供給用の原料ガスの反応容器内への導入量を徐々に減少させ、最終的に第１３族原子供給用の原料ガスの反応容器内への導入を終了させていた。このように形成された上部電荷注入阻止部分も、Ｐ型電気伝導性を有しているため、負電荷が感光体の表面から光導電層へ注入するのを阻止する機能は有している。

ところが、従来の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部では、第１３族原子供給用の原料ガスの反応容器内への導入を徐々に減少させているので、第１３族原子の含有量は、上部電荷注入阻止部分側から表面側部分側に向かって徐々に減少している。そのため、従来の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部では、Ｐ型電気伝導性からＩ型電気伝導性または若干のＮ型電気伝導性へ徐々に変化していた。その結果、従来の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部では、表面側部分の伝導帯のエネルギー準位から上部電荷注入阻止部分の伝導帯のエネルギー準位へと徐々に変化していたことになる。すなわち、従来の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部には、十分なエネルギー障壁が生じていなかったと考えられる。

このような状態で、感光体の表面から光導電層に向かって負電荷が注入されてくると、上記境界部のエネルギー障壁が高くないため、変化領域内の表面側部分から上部電荷注入阻止部分への負電荷の注入が抑制されにくくなる。特に、帯電装置から感光体の表面に供給される負電荷の量が多くなると、バンドベンディングにより、変化領域内の表面側部分から上部電荷注入阻止部分への負電荷の注入が顕著になる。

そのために、帯電装置から感光体の表面に供給される電荷（負電荷）の量が多くなっていくと、上述の直線関係が崩れていくものと考えられる。

以上のことから、ａ−Ｓｉ感光体の表面層内の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布を制御することは、負帯電時の帯電能に優れたａ−Ｓｉ感光体を得るのに大きな意義があると考えられる。具体的には、該境界部において、表面側部分側から上部電荷注入阻止部分側に向かって第１３族原子が急激に増加するように制御することが、負帯電時の帯電能に優れたａ−Ｓｉ感光体を得るのに大きな意義があると考えられる。

層（堆積膜）中の原子の分布の分析に関しては、各種の方法が存在する。

各種の分析方法の中でも、層（堆積膜）中の深さ方向（層の厚さ方向）の原子の濃度の分析が可能で、ｐｐｍオーダーの分解能を有している点から、二次イオン質量分析法（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ。以下「ＳＩＭＳ」とも表記する。）が多用されている。

従来から、ＳＩＭＳによる層（堆積膜）と層（堆積膜）との境界部（界面）の原子の分布およびその急峻性の評価に関しては、多くの研究がなされている。

例えば、Ｓ．Ｈｏｆｍａｎｎ，“Ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ ｄｅｐｔｈ ｐｒｏｆｉｌｉｎｇ ｉｎ ｓｕｒｆａｃｅ ａｎａｌｙｓｉｓ：Ａｒｅｖｉｅｗ”，ＳＵＲＦＡＣＥ ＡＮＤ ＩＮＴＥＲＦＡＣＥ ＡＮＡＬＹＳＩＳ，Ｖｏｌ．２，Ｎｏ．４，ｐ．１４８（１９８０）には、標準偏差を層の厚さで規格化した値が層の厚さに対して示されている。

また、吉岡芳明、塚本和芳、“ＳＩＭＳによる化合物半導体超格子の界面急峻性の評価”、質量分析、Ｖｏｌ．３４，Ｎｏ．２，ｐｐ．８９〜９７（１９８６）は、層と層との境界部（界面）の原子の分布の急峻性の目安となる標準偏差が、層の厚さや一次イオンエネルギーに対して示されている。

ところが、ＳＩＭＳによる分析（以下「ＳＩＭＳ分析」とも表記する。）によって得られる層と層との境界部（界面）の原子の分布の急峻性（該境界部の深さ方向（厚さ方向）の分解能）は、測定条件によって変化しやすい。その結果、実際には原子の分布が急峻になっている層と層との境界部（界面）が存在していても、ＳＩＭＳ分析によって得られる原子の分布の深さ方向（厚さ方向）のプロファイル（以下「デプスプロファイル」とも表記する。）上は、該境界部（界面）の深さ方向（厚さ方向）に対して、原子の分布が徐々に（非急峻に）変化しているように見えることがある。

そのため、ＳＩＭＳ分析によって層と層との境界部（界面）における原子の分布およびその急峻性を正確に評価するため、分析装置、分析方法、標準試料の作製方法、解析方法など、様々な研究がなされている段階であるが現状である。

上述のように、ａ−Ｓｉ感光体の表面層内の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布は、負帯電用のａ−Ｓｉ感光体の帯電能を左右する重要な要素となる。しかしながら、従来は、多種多様な組成のａ−Ｓｉ感光体に対して、上記変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布およびその急峻性を正確に評価することは困難であった。

上述のように、ＳＩＭＳ分析は、測定条件によって結果に変化が生じてしまう。ただし、測定条件を固定した場合は、ＳＩＭＳ分析の結果の再現性は良好である。

そこで、本発明者らは、上記変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布に関して、以下のような分析を行うことによって、該境界部における第１３族原子の分布の急峻性を正確に評価することが可能になると考えた。

すなわち、まず、上記変化領域内の上部電荷注入阻止部分に対応する組成を有する膜（以下「膜Ａ_１」とも表記する。）と、上記変化領域内の表面側部分に対応する組成を有する膜（以下「膜Ａ_２」とも表記する。）とをこの順に積層してなる積層膜（以下「基準積層膜Ａ」とも表記する。）を作製する。基準積層膜Ａの作製の際には、理論上、第１３族原子を含有しない膜Ａ_２と第１３族原子を含有する膜Ａ_１との境界部（界面）において第１３族原子の分布が急峻になるよう、作製方法に留意する。そして、この基準積層膜Ａに対して、膜Ａ_２の表面を基準積層膜Ａの表面とし、所定の測定条件のＳＩＭＳ分析によって膜Ａ_２と膜Ａ_１との境界部（界面）における第１３族原子の分布を測定する。

次に、上記所定の測定条件と同一の測定条件のＳＩＭＳ分析によって、評価対象のａ−Ｓｉ感光体の表面層の表面を該ａ−Ｓｉ感光体の表面とし、該表面層内の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布を測定する。そして、基準積層膜Ａにおける測定結果（膜Ａ_２と膜Ａ_１との境界部（界面）における第１３族原子の分布の急峻性をΔＺ_０とする。）を基準として、評価対象のａ−Ｓｉ感光体における測定結果（表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布の急峻性をΔＺとする。）を相対的に比較する（ΔＺ／ΔＺ_０の値を確認する）ことで、該ａ−Ｓｉ感光体の表面層内の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布を評価することが可能となる。

このように、本発明者らは、ａ−Ｓｉ感光体の表面層内の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布の急峻性をΔＺ／ΔＺ_０の値をもって評価し、この値を特定の範囲に制御する（該境界部において、表面側部分側から上部電荷注入阻止部分側に向かって第１３族原子がある程度以上急激に増加するように制御する）ことが負帯電時の帯電能が優れたａ−Ｓｉ感光体を得るのに大きな効果があることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、導電性基体と、前記導電性基体上の水素化アモルファスシリコンで構成された光導電層と、前記光導電層上の水素化アモルファスシリコンカーバイトで構成された表面層とを有する負帯電用の電子写真感光体において、
前記表面層が、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が前記光導電層側から前記電子写真感光体の表面側に向かって漸増している変化領域を有し、
前記変化領域が、第１３族原子を含有する上部電荷注入阻止部分と、前記上部電荷注入阻止部分よりも前記電子写真感光体の表面側に位置し、第１３族原子を含有しない表面側部分とを有し、
前記表面側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布の急峻性を以下の評価方法Ａで評価したとき、下記式（Ａ７）で示される関係を満たすことを特徴とする電子写真感光体。

［第１３族原子の分布の急峻性の評価方法Ａ］
（Ａ１）前記電子写真感光体の表面からＳＩＭＳ分析によってデプスプロファイルを得る。

（Ａ２）前記デプスプロファイルにおいて、前記電子写真感光体の表面からの距離をＤとし、距離Ｄにおける第１３族原子のイオン強度を距離Ｄの関数ｆ（Ｄ）で表し、ｆ（Ｄ）の最大値をｆ（Ｄ_ＭＡＸ）で表し、ｆ（Ｄ）の二階微分をｆ”（Ｄ）で表し、光導電層に向かってＤを増加させていき、ｆ”（Ｄ）＝０からｆ”（Ｄ）＜０になる箇所の該電子写真感光体の表面からの距離をＤ_Ａとし、その後にｆ”（Ｄ）＜０からｆ”（Ｄ）＝０になる箇所の該電子写真感光体の表面からの距離をＤ_Ｂとする。

（Ａ３）ｆ（（Ｄ_Ａ＋Ｄ_Ｂ）／２）≧ｆ（Ｄ_ＭＡＸ）×０．５を満たす距離Ｄのうち、前記上部電荷注入阻止部分を電子写真感光体の表面から見て最初の距離をＤ_Ｓとし、距離Ｄ_Ｓにおける第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）を基準イオン強度ｆ（Ｄ_Ｓ）とする。

（Ａ４）前記基準イオン強度ｆ（Ｄ_Ｓ）を１００％としたとき、前記電子写真感光体の表面から見て、前記表面側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子のイオン強度が１６％から８４％となる前記境界部の厚さ方向の長さを急峻性ΔＺとする。

（Ａ５）前記上部電荷注入阻止部分に対応する組成を有する膜Ａ_１と前記表面側部分に対応する組成を有する膜Ａ_２とをこの順に積層してなる基準積層膜Ａを作製する。

（Ａ６）前記基準積層膜Ａに対して、前記膜Ａ_２の表面を前記基準積層膜Ａの表面とし、前記（Ａ１）〜（Ａ４）と同様の方法で、前記基準積層膜Ａの前記膜Ａ_２と前記膜Ａ_１との境界部における急峻性ΔＺ_０を求める。

（Ａ７）１．０≦ΔＺ／ΔＺ_０≦３．０ ・・・ （Ａ７）

本発明によれば、負帯電時の帯電能および光感度が優れた電子写真感光体およびその製造方法ならびに該電子写真感光体を有する電子写真装置を提供することができる。

本発明の負帯電用の電子写真感光体の層構成の例を示す図である。 変化領域における炭素原子の分布の例を示す図である。 変化領域における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の分布（デプスプロファイル）、イオン強度ｆ（Ｄ）の一階微分ｆ’（Ｄ）およびイオン強度ｆ（Ｄ）の二階微分ｆ”（Ｄ）の例を示す図である。 変化領域における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の分布（デプスプロファイル）、イオン強度ｆ（Ｄ）の一階微分ｆ’（Ｄ）およびイオン強度ｆ（Ｄ）の二階微分ｆ”（Ｄ）の別の例を示す図である。 変化領域における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）の例を示す図である。 基準積層膜Ａにおける、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）の例を示す図である。 本発明の負帯電用の電子写真感光体の製造に用いることのできる堆積膜形成装置の例を示す図である。 本発明の負帯電用の電子写真感光体を有する電子写真装置の例を示す図である。 変化領域における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）の分布（デプスプロファイル）、イオン強度ｇ（Ｅ）の一階微分ｇ’（Ｅ）およびイオン強度ｇ（Ｅ）の二階微分ｇ”（Ｅ）の例を示す図である。 変化領域における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）の例を示す図である。 基準積層膜Ｂにおける、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）の例を示す図である。

本発明の電子写真感光体は、導電性基体と、前記導電性基体上の水素化アモルファスシリコンで構成された光導電層と、前記光導電層上の水素化アモルファスシリコンカーバイトで構成された表面層とを有する負帯電用の電子写真感光体である。

図１は、本発明の負帯電用の電子写真感光体（ａ−Ｓｉ感光体）の層構成の例を示す図である。

図１の（ａ）および（ｂ）に示す電子写真感光体（感光体）１００は、導電性基体（基体）１０２上に下部電荷注入阻止層１０３と、光導電層１０４と、表面層１０５とがこの順に形成されてなるａ−Ｓｉ感光体である。

光導電層１０４は、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）で構成された層であり、表面層１０５は、水素化アモルファスシリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ）で構成された層である。

感光体１００の表面層１０５内には、変化領域１０６が設けられている。ａ−ＳｉＣで構成されている表面層１０５内に設けられている変化領域１０６もまた、ａ−ＳｉＣで構成されている。

本発明において、変化領域１０６とは、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が、光導電層１０４側から感光体１００の表面側に向かって漸増している領域を指す。図１中の１０７は、表面層１０５内の変化領域１０６よりも感光体の表面側に位置する領域（表面側領域）である。つまり、図１の（ａ）および（ｂ）に示す感光体１００の表面層１０５内には、変化領域１０６と表面側領域１０７とが設けられている。ａ−ＳｉＣで構成されている表面層１０５内に設けられている表面側領域１０７もまた、ａ−ＳｉＣで構成されている。

図１の（ａ）に示す電子写真感光体（感光体）１００は、表面層１０５内の変化領域１０６内に、上部電荷注入阻止部分１０８、上部電荷注入阻止部分１０８よりも感光体１００の表面側に位置する表面側部分１０９、および、上部電荷注入阻止部分１０８よりも光導電層１０４側に位置する光導電層側部分１１０が設けられている。

図１の（ｂ）に示す電子写真感光体（感光体）１００は、表面層１０５内の変化領域１０６内に、上部電荷注入阻止部分１０８、および、上部電荷注入阻止部分１０８よりも感光体１００の表面側に位置する表面側部分１０９が設けられている。

本発明において、上部電荷注入阻止部分１０８は、変化領域１０６を構成するａ−ＳｉＣをベースの材料としたうえで、さらに、電気伝導性を制御するための原子として、第１３族原子を含有している部分である。表面側部分１０９および光導電層側部分１１０は、ａ−ＳｉＣで構成され、第１３族原子を含有しない部分である。

図１の（ａ）に示す感光体１００では、上部電荷注入阻止部分１０８は、表面層１０５内の変化領域１０６内のほぼ中間に設けられている。

図１の（ｂ）に示す感光体１００では、上部電荷注入阻止部分１０８は、表面層１０５内の変化領域１０６内の最も光導電層１０４側に設けられており、上部電荷注入阻止部分１０８と光導電層１０４とが接している。

（基体１０２）
基体１０２は、その上に光導電層１０４や表面層１０５などの各層が形成され、これらを支持するものである。感光体１００の表面を負帯電した場合、光導電層１０４で発生した光キャリアのうちの電子は、基体１０２側に移動し、正孔は、感光体１００の表面に移動する。

本発明に用いられる基体１０２は、導電性のもの（導電性基体）である。

導電性基体の材料としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンの金属や、これらの合金を用いることができる。これらの中でも、加工性や製造コストの観点から、アルミニウム（アルミニウム合金）が好ましい。アルミニウム合金としては、例えば、Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金などが挙げられる。

また、ポリエステル、ポリアミドなどの樹脂製の基体の少なくとも層（堆積膜）を形成する側の表面を導電処理してなる基体を用いることもできる。

また、基体１０２の厚さは、取り扱いの容易性、機械的強度などの観点から、１０μｍ以上であることが好ましい。

（下部電荷注入阻止層１０３）
本発明においては、基体１０２と光導電層１０４との間に、感光体１００の表面が負帯電された際の、基体１０２側から光導電層１０４への電荷（正孔）の注入を阻止するため、下部電荷注入阻止層１０３を設けることが好ましい。

下部電荷注入阻止層１０３はａ−Ｓｉで構成されていることが好ましい。また、ベースの材料となっているａ−Ｓｉに炭素原子、窒素原子および酸素原子のうち少なくとも１種の原子をさらに含有させることにより、基体１０２から光導電層１０４への電荷（正孔）の注入を阻止する能力を向上させることができ、また、基体１０２と下部電荷注入阻止層１０３との密着性を向上させることができる。

下部電荷注入阻止層１０３に含有される炭素原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）および酸素原子（Ｏ）のうち少なくとも１種の原子は、下部電荷注入阻止層１０３中にまんべんなく均一に分布した状態で含有されていてもよい。また、層の厚さ方向には均一に含有されてはいるが、不均一に分布する状態で含有している部分があってもよい。いずれの場合においても、電子写真特性の均一化を図る観点から、基体１０４の表面に対して平行な面方向には均一に分布する状態で、炭素原子、窒素原子および酸素原子のうち少なくとも１種の原子が下部電荷注入阻止層１０３に含有されることが好ましい。

また、本発明においては、必要に応じて、下部電荷注入阻止層１０３に電気伝導性を制御するための原子を含有させてもよい。

下部電荷注入阻止層１０３に含有させる電気伝導性を制御するための原子は、下部電荷注入阻止層１０３中にまんべんなく均一に分布した状態で含有されていてもよい。また、下部電荷注入阻止層１０３の厚さ方向に不均一に分布した状態で含有されていてもよい。下部電荷注入阻止層１０３内において、電気伝導性を制御するための原子の分布が不均一な場合、基体１０２側に多く分布するように含有させることが好ましい。いずれの場合においても、電子写真特性の均一化を図る観点から、基体１０２の表面に対して平行な面方向には均一に分布する状態で、電気伝導性を制御するための原子が下部電荷注入阻止層１０３に含有されることが好ましい。

下部電荷注入阻止層１０３に含有させる電気伝導性を制御するための原子としては、周期表第１５族に属する原子（以下「第１５族原子」とも表記する。）を用いることができ、第１５族原子としては、例えば、窒素原子（Ｎ）、リン原子（Ｐ）、ヒ素原子（Ａｓ）、アンチモン原子（Ｓｂ）、ビスマス原子（Ｂｉ）などが挙げられる。

下部電荷注入阻止層１０３の厚さは、電子写真特性、経済性などの観点から、０．１〜１０μｍであることが好ましく、０．３〜５μｍであることがより好ましく、０．５〜３μｍであることがより好ましい。下部電荷注入阻止層１０３の厚さが厚いほど、基体１０２から光導電層１０４への電荷（正孔）の注入を阻止する能力が高まる。また、下部電荷注入阻止層１０３の厚さが薄いほど、下部電荷注入阻止層１０３を形成する時間を短くすることができる。

（光導電層１０４）
ａ−Ｓｉで構成された光導電層１０４は、画像露光光や前露光光が入射した場合、光導電性により、光キャリアが発生する層である。

光導電層１０４を構成するａ−Ｓｉは、その骨格を形成する原子であるケイ素原子の未結合手を補償する原子として水素原子が用いられているアモルファス材料であるが、ケイ素原子の未結合手を補償するための原子としてハロゲン原子を併用してもよい。

光導電層１０４におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と水素原子の原子数（Ｃ）とハロゲン原子の原子数（Ｘ）の和に対する水素原子の原子数（Ｃ）とハロゲン原子の原子数（Ｘ）の比（（Ｈ＋Ｘ）／（Ｓｉ＋Ｈ＋Ｘ））は、０．１０以上であることが好ましく、０．１５以上であることがより好ましい。一方、０．３０以下であることが好ましく、０．２５以下であることがより好ましい。

また、本発明においては、必要に応じて、光導電層１０４に電気伝導性を制御するための原子を含有させてもよい。

光導電層１０４に含有させる電気伝導性を制御するための原子は、光導電層１０４中にまんべんなく均一に分布した状態で含有されていてもよい。また、光導電層１０４の厚さ方向に不均一に分布した状態で含有されていてもよい。いずれの場合においても、電子写真特性の均一化を図る観点から、基体１０２の表面に対して平行な面方向には均一に分布する状態で、電気伝導性を制御するための原子が光導電層１０４に含有されることが好ましい。

光導電層１０４に含有させる電気伝導性を制御するための原子としては、光導電層１０４にＰ型電気伝導性を与える第１３族原子、または、光導電層１０４にＮ型電気伝導性を与える第１５族原子を用いることができる。

第１３族原子としては、例えば、ホウ素原子（Ｂ）、アルミニウム原子（Ａｌ）、ガリウム原子（Ｇａ）、インジウム原子（Ｉｎ）、タリウム原子（Ｔｌ）などが挙げられる。これらの中でも、ホウ素原子、アルミニウム原子、ガリウム原子が好ましい。

第１５族原子としては、具体的には、リン原子（Ｐ）、ヒ素原子（Ａｓ）、アンチモン原子（Ｓｂ）、ビスマス原子（Ｂｉ）などが挙げられる。これらの中でも、リン原子、ヒ素原子が好ましい。

光導電層１０４に含有させる電気伝導性を制御するための原子の含有量は、ケイ素原子に対して１×１０^−２原子ｐｐｍ以上であることが好ましく、５×１０^−２原子ｐｐｍ以上であることがより好ましく、１×１０^−１原子ｐｐｍ以上であることがより好ましい。一方、１×１０^４原子ｐｐｍ以下であることが好ましく、５×１０^３原子ｐｐｍ以下であることがより好ましく、１×１０^３原子ｐｐｍ以下であることがより好ましい。

本発明において、光導電層１０４の厚さは、電子写真特性、経済性などの観点から、１５μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがより好ましい。一方、６０μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましく、４０μｍ以下であることがより好ましい。光導電層１０４の厚さが薄いほど、帯電部材への通過電流量が低減し、劣化が抑制される。また、光導電層１０４の厚さを厚くしようとすると、ａ−Ｓｉの異常成長部位が大きくなりやすい（具体的には、水平方向で５０〜１５０μｍ、高さ方向で５〜２０μｍ）。

また、光導電層１０４は、単一の層で構成されてもよいし、複数の層（例えば、電荷発生層と電荷輸送層）で構成されてもよい。

（表面層１０５内の表面側領域１０７）
本発明においては、電気的特性、光学的特性、光導電的特性、使用環境特性、経時的安定性などのために、表面層１０５内には、変化領域１０６よりも感光体１００の表面側に位置する表面側領域１０７をさらに設けることが好ましい。

表面側領域１０７に含有させる炭素原子は、表面側領域１０７中にまんべんなく均一に分布した状態で含有させてもよいし、表面側領域１０７の厚さ方向に不均一に分布した状態で含有させてもよい。表面側領域１０７の厚さ方向に不均一に炭素原子を分布させる場合は、基体１０２側に炭素原子が少なくなるように分布させることが好ましい。炭素原子を表面側領域１０７中にまんべんなく均一に分布させる場合も、表面側領域１０７の厚さ方向に不均一に分布させる場合も、特性の均一化の観点から、基体１０２の表面に対して平行な方向には均一に炭素原子を分布させることが好ましい。

表面側領域１０７において、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）の和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））は、ａ−Ｓｉ感光体の電気的特性、光学的特性、光導電的特性、使用環境特性、経時的安定性などの観点から、０．５０を超え０．９８以下の範囲にあることが好ましい。

表面側領域１０７は、上述のとおり、ａ−ＳｉＣで構成されている。ａ−ＳｉＣは、その骨格を形成する原子であるケイ素原子および炭素原子の未結合手を補償する原子として水素原子が用いられているアモルファス材料であるが、ケイ素原子および炭素原子の未結合手を補償するための原子としてハロゲン原子を併用してもよい。

表面側領域１０７を構成するａ−ＳｉＣ中の水素原子の含有量は、該ａ−ＳｉＣを構成する原子の総量に対して３０〜７０原子％であることが好ましく、３５〜６５原子％であることがより好ましく、４０〜６０原子％であることがより好ましい。また、ケイ素原子および炭素原子の未結合手を補償する原子としてハロゲン原子を併用する場合、表面側領域１０７を構成するａ−ＳｉＣ中のハロゲン原子の含有量は、該ａ−ＳｉＣを構成する原子の総量に対して０．０１〜１５原子％であることが好ましく、０．１〜１０原子％であることがより好ましく、０．６〜４原子％であることがより好ましい。

表面層１０５内の表面側領域１０７の厚さは、電子写真特性や経済性などの観点から、０．１〜４μｍであることが好ましく、０．１５〜３μｍであることがより好ましく、０．２〜２μｍであることがより好ましい。表面側領域１０７の厚さが厚いほど、使用中に感光体１００の表面が摩耗しても表面層１０５または表面層１０５内の表面側領域１０７が失われにくくなる。また、表面側領域１０７の厚さが薄いほど、残留電位の増加が生じにくい。

（表面層１０５内の変化領域１０６）
変化領域１０６は、上述のとおり、ａ−ＳｉＣで構成されている。ａ−ＳｉＣは、その骨格を形成する原子であるケイ素原子および炭素原子の未結合手を補償する原子として水素原子が用いられているアモルファス材料であるが、ケイ素原子および炭素原子の未結合手を補償するための原子としてハロゲン原子を併用してもよい。ａ−ＳｉＣ中の水素原子の含有量およびハロゲン原子の含有量の好適範囲は、上記表面側領域１０７の場合と同様である。

また、変化領域１０６においては、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）の和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が、光導電層１０４側から感光体１００の表面側に向かって漸増している。

変化領域１０６においては、光導電層１０４側で、感光体１００の表面側よりも、上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））を小さくしている。これは、ａ−Ｓｉで構成されている光導電層１０４の変化領域１０６側の部位の屈折率と、変化領域１０６の光導電層１０４側の部位の屈折率との差をなくす、または、できるだけ小さくするためである。光導電層１０４と表面層１０５内の変化領域１０６とが接している場合、上記２つの屈折率の差をなくす、または、できるだけ小さくすることにより、光導電層１０４と表面層１０５（表面層１０５内の変化領域１０６）との境界部（界面）での反射光の量を小さくすることができる。

ａ−ＳｉＣの屈折率は、その中のケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）の和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））と相関があり、上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が大きくなるにつれて、ａ−ＳｉＣの屈折率は小さくなる傾向がある。また、一般的に、ａ−ＳｉＣの屈折率は、ａ−Ｓｉの屈折率よりも小さい。したがって、ａ−ＳｉＣの上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が小さくなるほど、その屈折率は、ａ−Ｓｉの屈折率に近づいていく。よって、変化領域１０６における上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））の最小値は、０．０以上０．１以下の範囲とするのが好ましい。

一方、変化領域１０６においては、感光体１００の表面側で、光導電層１０４側よりも、上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））を大きくしている。これは、表面側領域１０７の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が大きい場合に、変化領域１０６の表面側領域１０７側の部位の屈折率と、表面側領域１０７の変化領域１０６側の部位の屈折率との差をなくす、または、できるだけ小さくするためである。上記２つの屈折率の差をなくす、または、できるだけ小さくすることにより、表面層１０５内の表面側領域１０７と変化領域１０６との境界部での反射光の量を小さくすることができる。よって、変化領域１０６における上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））の最大値は、０．２５以上０．５０以下の範囲とするのが好ましく、０．３０以上０．５０以下の範囲とするのがより好ましい。一方、変化領域１０６は、上述のように、ａ−ＳｉＣで構成されているから、変化領域１０６における上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））の最小値は、０．００より大きい。

また、表面層１０５内の変化領域１０６は、上述のように、上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が光導電層１０４側から感光体１００の表面側に向かって漸増している領域である。上述のように、上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が大きくなるにつれて、ａ−ＳｉＣの屈折率は小さくなる傾向があるが、変化領域１０６においては、上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））を光導電層１０４側から感光体１００の表面側に向かって漸増させているため、変化領域１０６内における反射光の量は小さくすることができる。

図２は、変化領域１０６における炭素原子の分布の例を示す図である。

図２（ａ）〜（ｄ）には、上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））の漸増のさせ方が示されている。図２に示す例は、図１に示す例と同じく、表面層１０５内に変化領域１０６および表面側領域１０７を設けた例であり、表面側領域１０７の表面が感光体１００の表面となっており、変化領域１０６は光導電層１０４に接している。図２中、横軸は、表面側領域１０７と変化領域１０６との境界部から変化領域１０６と光導電層１０４との境界部（界面）までの距離を示す。図２中、横軸の左側が、変化領域１０６の表面側領域１０７側であり、右側が、変化領域１０６の光導電層１０４側である。図２中、縦軸は、上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））を示す。図２中、縦軸の線が、表面側領域１０７と変化領域１０６との境界部に相当し、右側の破線が、変化領域１０６と光導電層１０４との境界部（界面）に相当する。

変化領域１０６における上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））は、図２（ａ）に示すように、変化領域１０６と光導電層１０４との境界部（界面）から表面側領域１０７と変化領域１０６との境界部まで直線的に漸増させてもよいし、図２（ｂ）および（ｃ）に示すように、変化領域１０６と光導電層１０４との境界部（界面）から表面側領域１０７と変化領域１０６との境界部まで曲線的に漸増させてもよい。また、図２（ｄ）に示すように、変化領域１０６における上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））の変化領域１０６と光導電層１０４との境界部（界面）から表面側領域１０７と変化領域１０６との境界部までの漸増は、曲線的な漸増と直線的な漸増を混合させた漸増であってもよい。

表面層１０５内の表面側領域１０７の表面が、感光体１００の表面である場合、ａ−ＳｉＣで構成された表面側領域１０７の屈折率と大気の屈折率との間には差があるため、表面側領域１０７の表面では反射光が生じる。

そのような感光体１００を電子写真装置に搭載し、画像出力を繰り返した場合、転写材（紙など）、トナー、接触部材（クリーニングブレードなど）などとの摺擦により、表面層１０５内の表面側領域１０７の表面は次第に削られ、表面側領域１０７の厚さが変化する。

また、部分的に摺擦状況が異なる場合、表面側領域１０７の厚さが場所によって異なってくる場合がある。

表面層１０５内の表面側領域１０７と変化領域１０６との境界部、光導電層１０４と変化領域１０６との境界部（界面）、または、変化領域１０６内において反射光が生じると、表面側領域１０７の表面で生じる反射光と干渉を起こしてしまう。

このとき、表面側領域１０７の厚さが場所によって異なっていると、上記干渉にムラが生じるため、感光体１００の表面における反射光の量にムラが生じる。その結果、感光体１００の光感度が感光体１００の表面の場所によって異なってくる、すなわち、光感度のムラが生じる場合がある。

本発明のａ−Ｓｉ感光体（感光体１００）では、表面層１０５内の表面側領域１０７と変化領域１０６の境界部で生じる反射光の量や、表面層１０５内の変化領域１０６と光導電層１０４との境界部（界面）で生じる反射光の量や、変化領域１０６内における反射光の量を低減させることができる。各反射光の量を低減することにより、上記感光体の光感度のムラを低減することができる。

変化領域１０６の厚さは、０．３〜２．０μｍであることが好ましく、０．４〜１．５μｍであることがより好ましく、０．５〜１．０μｍであることがより好ましい。変化領域１０６の厚さが厚いほど、変化領域１０６内における反射光、表面層１０５内の表面側領域１０７と変化領域１０６との境界部で生じる反射光、表面層１０５内の変化領域１０６と光導電層１０４との境界部（界面）で生じる反射光の量を低減させやすい。また、変化領域１０６の厚さが薄いほど、変化領域１０６を形成する時間が短くなり、感光体１００の製造コストを抑えやすい。

（変化領域１０６内の上部電荷注入阻止部分１０８）
本発明においては、感光体１００の表面から光導電層１０４への電荷（負電荷）の注入を阻止する部分として、表面層１０５内の変化領域内１０６に上部電荷注入阻止部分１０８が設けられる。ａ−ＳｉＣで構成された変化領域１０６内に設けられる上部電荷注入阻止部分１０８もまた、ａ−ＳｉＣで構成される。

ａ−ＳｉＣは、その骨格を形成する原子であるケイ素原子および炭素原子の未結合手を補償する原子として水素原子が用いられているアモルファス材料であるが、ケイ素原子および炭素原子の未結合手を補償するための原子としてハロゲン原子を併用してもよい。ａ−ＳｉＣ中の水素原子の含有量およびハロゲン原子の含有量の好適範囲は、上記表面側領域１０７の場合と同様である。

上部電荷注入阻止部分１０８には、電気伝導性を制御するための原子として第１３族原子をさらに含有される。上部電荷注入阻止部分１０８における第１３族原子の含有量は、感光体１００の表面から光導電層１０４への電荷（負電荷）の注入を阻止する能力の観点から、上部電荷注入阻止部分１０８のａ−ＳｉＣ中のケイ素原子に対して、０．１〜３０００原子ｐｐｍであることが好ましい。第１３族原子の含有量が多いほど、Ｐ型電気伝導性が高まり、感光体１００の表面から光導電層１０４への電荷（負電荷）の注入を阻止する能力が高まる。また、第１３族原子の含有量が少ないほど、上部電荷注入阻止部分１０８の厚さ方向の正孔の移動度が小さくなるため、出力画像のボケが生じにくくなる。

上部電荷注入阻止部分１０８の厚さは、電子写真特性の観点から、０．０１〜０．３μｍであることが好ましく、０．０３〜０．１５μｍであることがより好ましく、０．０５〜０．１μｍであることがより好ましい。上部電荷注入阻止部分１０８の厚さが厚いほど、感光体１００の表面から光導電層１０４への電荷（負電荷）の注入を阻止する能力が高まる。また、上部電荷注入阻止部分１０８の厚さが薄いほど、出力画像のボケが生じにくくなる。

上部電荷注入阻止部分１０８に含有させる第１３族原子としては、例えば、ホウ素原子（Ｂ）、アルミニウム原子（Ａｌ）、ガリウム原子（Ｇａ）、インジウム原子（Ｉｎ）、タリウム原子（Ｔｌ）などが挙げられる。これらの中でも、ホウ素原子（Ｂ）が好ましい。

上部電荷注入阻止部分１０８は、変化領域１０６内のどの位置に設けられていてもよい。例えば、変化領域１０６と光導電層１０４との境界部（界面）に接して設けられてもよいし、変化領域１０６の途中に設けられてもよいし、表面層側領域１０７と変化領域１０６との境界部に接して設けられてもよい。その中でも、上部電荷注入阻止部分１０８は、変化領域１０６内の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．００を超え０．３０以下の部分に設けられていることが好ましい。変化領域１０６内の上部電荷注入阻止部分１０８を設ける部分の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が小さいほど、第１３族原子を含有させる（ドーピングする）効率が向上し、上部電荷注入阻止部分１０８の、感光体１００の表面から光導電層１０４への電荷（負電荷）の注入を阻止する能力が高まる。

さらに、本発明では、上部電荷注入阻止部分１０８の、感光体１００の表面から光導電層１０４への電荷（負電荷）の注入を阻止する能力をより高めるため、表面側部分１０９と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布を急峻にする必要がある。

以下に、第１３族原子を含有しない表面側部分１０９と第１３族原子を含有する上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布について説明する（（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）、（Ａ５）および（Ａ６））。

まず、ＳＩＭＳ分析により、基準イオン強度ｆ（Ｄ_Ｓ）を求め、それを用いて急峻性ΔＺを求める（（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）および（Ａ４））。

図３は、変化領域１０６における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の分布（デプスプロファイル）、イオン強度ｆ（Ｄ）の一階微分ｆ’（Ｄ）およびイオン強度ｆ（Ｄ）の二階微分ｆ”（Ｄ）の例を示す図である。

図３の上段、中段および下段の各グラフにおいて、横軸は、感光体１００の表面からの距離Ｄを示し、横軸の左側が感光体１００の表面側（表面側領域１０７側）であり、横軸の右側が光導電層１０４側である。図３の上段のグラフにおいて、縦軸は、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）を示す。図３の中段のグラフにおいて、縦軸は、ｆ（Ｄ）の一階微分ｆ’（Ｄ）を示す。図３の下段のグラフにおいて、縦軸は、ｆ（Ｄ）の二階微分ｆ”（Ｄ）を示す。

図３に示す例においては、Ｄが増加していくと、つまり、感光体１００の表面側から光導電層１０４側に向かうと、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）は、次のような分布をとる。

図３に示す例では、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）が０（検出限界以下を含む）から徐々に増加し（図３の上段のグラフ中の領域（Ｉ））、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）は急激に増加する（同領域（ＩＩ））。その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の増加の程度が緩やかに変化する（同領域（ＩＩＩ）〜（ＩＶ））。そして、ある箇所において第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）は最大値ｆ（Ｄ_ＭＡＸ）に到達し、その後、緩やかに減少する（同領域（Ｖ））。その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）は急激に減少する（同領域（ＶＩ））。その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の増加の程度が緩やかに変化し、０になる（同領域（ＶＩＩ））。

第１３族原子の分布の急峻性としては、イオン強度ｆ（Ｄ）が急激に増加し、その後に増加の程度が緩やかになるところが、重要な箇所となる。特に、上部電荷注入阻止部分（第１３族原子を含有する部分）１０４の表面側領域１０７（感光体１００の表面）に近いところが、つまり、図３の上段のグラフにおいては、領域（Ｉ）から領域（ＩＩＩ）までの部分が重要となる。

一般に、ある関数の二階微分が正なら当該関数は下に凸であり、二階微分が負なら上に凸である。よって、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の二階微分ｆ”（Ｄ）を図３の下段のグラフのように描いた場合、ｆ”（Ｄ）＝０からｆ”（Ｄ）＜０となる箇所が存在する。（図３の下段のグラフ中のＤ_１およびＤ_３）
つまり、ｆ”（Ｄ）＜０である近傍（図３の下段のグラフ中の領域（ＩＩＩ）および（Ｖ））に、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）が上に凸になる部分が存在し、第１３族原子の分布の増加の程度が変化する部分が存在する。

さらに、ｆ”（Ｄ）＜０の後、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）にピークがある場合、または、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）が一定に変化もしくは緩やかに変化する場合、ｆ”（Ｄ）は、少なくとも一度は、ｆ”（Ｄ）＝０を通過する。

よって、ｆ”（Ｄ）＝０からｆ”（Ｄ）＜０となり、その後、ｆ”（Ｄ）＜０からｆ”（Ｄ）＝０を通過する部分（図３の下段のグラフ中のＤ_１からＤ_２まで、および、Ｄ_３からＤ_４まで）のどこかに、第１３族原子の分布の増加率が変化する部分が存在する。

本発明においては、Ｄ_１からＤ_２までの中間点（（Ｄ_１＋Ｄ_２）／２）、Ｄ_３からＤ_４までの中間点（（Ｄ_３＋Ｄ_４）／２）を変化点と定義する。

ただし、図３に示す例のように、変化点が複数存在する場合がある。この場合、表面側領域１０７（感光体１００の表面）に近いほう（（図３中の（Ｄ_１＋Ｄ_２）／２）が重要となる。

本発明においては、感光体１００の表面（表面側領域１０７）から見て最初にｆ”（Ｄ）＝０からｆ”（Ｄ）＜０なる箇所の感光体１００の表面からの距離をＤ_Ａと定義する。そして、その後、ｆ”（Ｄ）＜０からｆ”（Ｄ）＝０になる箇所の感光体１００の表面からの距離をＤ_Ｂと定義する。図３に示す例の場合は、Ｄ_１がＤ_Ａとなり、Ｄ_２がＤ_Ｂとなる。そして、変化点（Ｄ_Ａ＋Ｄ_Ｂ）／２（図３に示す例では（Ｄ_１＋Ｄ_２）／２）のイオン強度ｆ（（Ｄ_Ａ＋Ｄ_Ｂ）／２）（図３に示す例ではｆ（（Ｄ_１＋Ｄ_２）／２））を第１３族原子の基準イオン強度ｆ（Ｄ_Ｓ）と定義する。Ｄ_Ｓは、第１３族原子の基準イオン強度ｆ（Ｄ_Ｓ）となる位置の感光体１００の表面からの距離である。

変化領域１０６のうち、感光体１００の表面からの距離がＤ_Ｓである箇所から表面側領域１０７側の部分は、第１３族原子の分布が比較的急激に変化する部分ということである。

図４は、変化領域１０６における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の分布（デプスプロファイル）、イオン強度ｆ（Ｄ）の一階微分ｆ’（Ｄ）およびイオン強度ｆ（Ｄ）の二階微分ｆ”（Ｄ）の別の例を示す図である。

図４の上段、中段および下段の各グラフにおいても、横軸は、感光体１００の表面からの距離Ｄを示し、横軸の左側が感光体１００の表面側（表面側領域１０７側）であり、横軸の右側が光導電層１０４側である。
図４の上段のグラフにおいて、縦軸は、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）を示す。
図４の中段のグラフにおいて、縦軸は、ｆ（Ｄ）の一階微分ｆ’（Ｄ）を示す。
図４の下段のグラフにおいて、縦軸は、ｆ（Ｄ）の二階微分ｆ”（Ｄ）を示す。

図４に示す例においては、Ｄが増加していくと、つまり、感光体１００の表面側から光導電層１０４の方向に向かうと、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）は、次のような分布をとる。

図４に示す例では、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）は、０（検出限界以下を含む）から徐々に増加し（図４の上段のグラフ中の領域（Ｉ））、その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の増加の程度が緩やかに変化する（同領域（ＩＩ））。その後、しばらく第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）が一定となる（同領域（ＩＩＩ））。その後、ある箇所から再度第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）が徐々に増加し（同領域（ＩＶ））、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）は急激に増加する（同領域（Ｖ））。その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の増加の程度が緩やかに変化し、そして、ある箇所において第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）は最大値ｆ（Ｄ_ＭＡＸ）に到達し、その後、緩やかに減少する（同領域（ＶＩ））。その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）は急激に減少する（同領域（ＶＩＩ））。その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の増加の程度が緩やかに変化し、０になる（同領域（ＶＩＩＩ））。

図４の下段のグラフの場合、ｆ”（Ｄ）＝０からｆ”（Ｄ）＜０となる箇所はＤ_１およびＤ_３であり、ｆ”（Ｄ）＜０からｆ”（Ｄ）＝０となる箇所はＤ_２およびＤ_４である。

上述の図３の例における理由と同じ理由から、図４の上段のグラフにおいては、領域（Ｉ）の部分ならびに領域（ＩＶ）から領域（Ｖ）の部分が重要と一応考えられる。

しかしながら、領域（Ｉ）の部分は、ａ−Ｓｉ感光体の負帯電時の帯電能に及ぼす影響は小さい。

この理由は、以下のように考えられる。

上述のように、上部電荷注入阻止部分１０８には、電荷（負電荷）が感光体の表面から光導電層に注入するのを阻止するために、第１３族原子を含有させ、Ｐ型電気伝導性を有させている。そのため、上部電荷注入阻止部分１０８は、第１３族原子はある程度の量を含有している必要がある。必要となる含有量は、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の最大値であるｆ（Ｄ_ＭＡＸ）がおよその基準の値となる。よって、ｆ（Ｄ_ＭＡＸ）に比べて第１３族原子の含有量が極めて少ない部分において、イオン強度ｆ（Ｄ）が急激に増加し、その後に増加の程度が緩やかになるところがあっても、ａ−Ｓｉ感光体の負帯電時の帯電能に及ぼす影響は小さい。

したがって、基準イオン強度ｆ（Ｄ_Ｓ）は、上述の条件（図３の例において説明した条件）にのみによって定義されるのではなく、ｆ（Ｄ_ＭＡＸ）との関係も定義の必要条件となる。

本発明者らの検討の結果、ｆ（Ｄ_ＭＡＸ）の５０％未満の部分において、イオン強度ｆ（Ｄ）が急激に増加し、その後に増加の程度が緩やかになるところがあっても、ａ−Ｓｉ感光体の負帯電時の帯電能に及ぼす影響は小さいことがわかった。

よって、図４に示す例の場合は、Ｄ_３がＤ_Ａとなり、Ｄ_４がＤ_Ｂとなる。そして、変化点（Ｄ_３＋Ｄ_４）／２のイオン強度ｆ（（Ｄ_３＋Ｄ_４）／２））が第１３族原子の基準イオン強度ｆ（Ｄ_Ｓ）となる。

以上をまとめると、基準イオン強度ｆ（Ｄ_Ｓ）は、以下のように定義される。

デプスプロファイル（変化領域１０６における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の分布）において、感光体１００の表面からの距離をＤとし、距離Ｄにおける第１３族原子のイオン強度を距離Ｄの関数ｆ（Ｄ）で表し、ｆ（Ｄ）の最大値をｆ（Ｄ_ＭＡＸ）で表し、ｆ（Ｄ）の二階微分をｆ”（Ｄ）で表し、光導電層に向かってＤを増加させていき、ｆ”（Ｄ）＝０からｆ”（Ｄ）＜０になる箇所の該電子写真感光体の表面からの距離をＤ_Ａとし、その後にｆ”（Ｄ）＜０からｆ”（Ｄ）＝０になる箇所の該電子写真感光体の表面からの距離をＤ_Ｂとする。そして、ｆ（（Ｄ_Ａ＋Ｄ_Ｂ）／２）≧ｆ（Ｄ_ＭＡＸ）×０．５を満たす距離Ｄのうち、前記上部電荷注入阻止部分を電子写真感光体の表面から見て最初の距離をＤ_Ｓとし、距離Ｄ_Ｓにおける第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）を基準イオン強度ｆ（Ｄ_Ｓ）とする。したがって、図３に示す例においては、Ｄ_１がＤ_Ａとなり、Ｄ_２がＤ_Ｂとなる。そして、図４に示す例においては、Ｄ_３がＤ_Ａとなり、Ｄ_４がＤ_Ｂとなる。図４に示す例においては、ｆ（（Ｄ_１＋Ｄ_２）／２）≧ｆ（Ｄ_ＭＡＸ）×０．５を満たさないため、Ｄ_１はＤ_Ａとならず、Ｄ_２はＤ_Ｂとならない。

次に、ＳＩＭＳ分析により、基準イオン強度ｆ（Ｄ_Ｓ）を用いて、急峻性ΔＺを求める。

図５は、変化領域１０６における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）の例を示す図である。

図５のグラフにおいて、横軸は、感光体１００の表面からの距離Ｄを示し、横軸の左側が感光体１００の表面側（表面側領域１０７側）であり、横軸の右側が光導電層１０４側である。また、図５のグラフにおいて、縦軸は、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）を示す。図５の第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）は、図３の上段の第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）と同一である。

図５中、ｆ（Ｄ_ＭＡＸ）は、上述のとおり、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の最大値である。Ｄ_ＭＡＸは、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ_ＭＡＸ）となる位置の感光体１００の表面からの距離である。

また、図５中、ｆ（Ｄ_８４）は、基準イオン強度ｆ（Ｄ_Ｓ）を１００％としたときの、８４％のイオン強度である。つまり、ｆ（Ｄ_８４）＝ｆ（Ｄ_Ｓ）×０．８４である。Ｄ_８４は、第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ_８４）となる位置の感光体１００の表面からの距離である。また、ｆ（Ｄ_１６）は、基準イオン強度ｆ（Ｄ_Ｓ）を１００％としたときの、１６％のイオン強度である。つまり、ｆ（Ｄ_１６）＝ｆ（Ｄ_Ｓ）×０．１６である。Ｄ_１６は、第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ_１６）となる位置の感光体１００の表面からの距離である。

ΔＺは、評価対象のａ−Ｓｉ感光体における第１３族原子の分布の急峻性を示す指標であり、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）がｆ（Ｄ_１６）からｆ（Ｄ_８４）となる深さ方向（厚さ方向）の距離である。つまり、ΔＺ＝｜Ｄ_８４−Ｄ_１６｜である。

一方、ＳＩＭＳ分析により、基準積層膜Ａにおける急峻性ΔＺ_０を求める（（Ａ５）および（Ａ６））。

本発明においては、基準積層膜Ａにおける急峻性ΔＺ_０を求める際のＳＩＭＳ分析の測定条件は、上述の感光体１００に対して行うＳＩＭＳ分析の測定条件と同一にすることが必須である。すなわち、急峻性ΔＺを求める際と急峻性ΔＺ_０を求める際とで、測定条件を固定する必要がある。

これは、同一の測定条件でＳＩＭＳ分析を行わないと、例えば、同じ試料に対して複数回のＳＩＭＳ分析を行った場合であっても、得られる結果（第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイル）が変化する場合があるためである。そのため、後述するように、感光体に係る急峻性ΔＺと基準積層膜Ａに係る急峻性ΔＺ_０とを比較しても、第１３族原子の分布の急峻性、ひいては、ａ−Ｓｉ感光体の負帯電時の帯電能を正確に評価できなくなるおそれがあるためである。

まず、上述のとおり、感光体１００の変化領域１０６内の上部電荷注入阻止部分１０８に対応する組成を有する膜（膜Ａ_１）と、変化領域１０６内の表面側部分１０９に対応する組成を有する膜（膜Ａ_２）とをこの順に積層してなる基準積層膜Ａを作製する。膜Ａ_１は、第１３族原子を均一に含有している。膜Ａ_２は、第１３族原子を含有していない。

基準積層膜Ａの作製の際には、理論上、第１３族原子を含有しない膜Ａ_２と第１３族原子を含有する膜Ａ_１との境界部（界面）において第１３族原子の分布が急峻になるよう、作製方法に留意する。

図６は、基準積層膜Ａにおける、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）の例を示す図である。

図６のグラフにおいて、横軸は、基準積層膜Ａの表面（膜Ａ_２の表面）からの距離Ｄ_Ｓを示し、横軸の左側が第１３族原子を含有していない膜Ａ_２側であり、横軸の右側が第１３族原子を含有している膜Ａ_１側である。また、図６のグラフにおいて、縦軸は、第１３族原子のイオン強度ｆ_Ｓ（Ｄ_Ｓ）を示す。図６に示す例の基準積層膜Ａは、変化領域１０６における第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の分布が図３で示す分布になっている感光体１００に対応する基準積層膜Ａである。

変化領域１０６における第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の分布が図３で示す分布になっている感光体１００に対応する基準積層膜Ａの膜Ａ_１は、基準イオン強度ｆ（Ｄ_Ｓ）と同等の基準イオン強度ｆ_Ｓ（Ｄ_ＳＳ）となるよう、第１３族原子を含有している。つまり、ｆ（Ｄ_Ｓ）＝ｆ_Ｓ（Ｄ_ＳＳ）となる。

その他は、上述の図３と同様であり、図６中、ｆ_Ｓ（Ｄ_Ｓ８４）は、基準イオン強度ｆ_Ｓ（Ｄ_ＳＳ）を１００％としたときの、８４％となるイオン強度である。つまり、ｆ_Ｓ（Ｄ_Ｓ８４）＝ｆ_Ｓ（Ｄ_ＳＳ）×０．８４である。Ｄ_Ｓ８４は、第１３族原子のイオン強度がｆ_Ｓ（Ｄ_Ｓ８４）となる位置の基準積層膜Ａの表面からの距離である。また、ｆ_Ｓ（Ｄ_Ｓ１６）は、基準イオン強度ｆ_Ｓ（Ｄ_ＳＳ）を１００％としたときの、１６％となるイオン強度である。つまり、ｆ_Ｓ（Ｄ_Ｓ１６）＝ｆ_Ｓ（Ｄ_ＳＳ）×０．１６である。Ｄ_Ｓ１６は、第１３族原子のイオン強度がｆ_Ｓ（Ｄ_Ｓ１６）となる位置の基準積層膜Ａの表面からの距離である。

ΔＺ_０は、基準積層膜Ａにおける第１３族原子の分布の急峻性を示す指標であり、第１３族原子のイオン強度ｆ_Ｓ（Ｄ_Ｓ）がｆ（Ｄ_Ｓ１６）からｆ（Ｄ_Ｓ８４）となる深さ方向（厚さ方向）の距離である。つまり、ΔＺ_０＝｜Ｄ_Ｓ８４−Ｄ_Ｓ１６｜である。

また、評価対象のａ−Ｓｉ感光体におけるｆ（Ｄ_Ｓ）を１００％としたときの、５０％となるイオン強度をｆ（Ｄ_５０）（不図示）とする。そして、第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ_５０）となる位置の感光体１００の表面からの距離をＤ_５０（不図示）とする。

上述のとおり、基準積層膜Ａの膜Ａ_１は、評価対象のａ−Ｓｉ感光体の変化領域内の上部電荷注入阻止部分に対応する組成を有する膜である。

また、上述のとおり、ａ−Ｓｉ感光体の負帯電時の帯電能を向上させるには、第１３族原子の分布の急峻性を特定の範囲に制御する（できるだけ急峻になるように制御する）ことが重要である。そのためには、感光体の表面層内の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布を正確に評価することが必要である。そのためには、基準積層膜Ａの膜Ａ_１および膜Ａ_２の組成は、それぞれ、評価対象のａ−Ｓｉ感光体の表面層内の変化領域内の上部電荷注入阻止部分および表面側部分の組成と同等とするべきであると考えられる。

評価対象のａ−Ｓｉ感光体の表面層内の変化領域内の上部電荷注入阻止部分および表面側部分のケイ素原子、炭素原子、水素原子および第１３族原子の含有量は、ＳＩＭＳ分析により、求めることができる。

しかしながら、評価対象のａ−Ｓｉ感光体の表面層は、ケイ素原子、炭素原子および水素原子を母材（主たる構成原子）とするａ−ＳｉＣで構成されている。そのため、ケイ素原子、炭素原子および水素原子の含有量を求める定量分析は、マトリックス効果が顕著に表れるので、相対感度係数（ＲＳＦ：Ｒｅｌａｔｉｖｅ Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｆａｃｔｏｒ）を計算して求める方法では、正確な含有量を求めることが困難なことが多い。このような場合、ＳＩＭＳ分析においては、一次イオンにＣｓ^＋を用い、目的の原子（Ｘとする。）と結合した分子イオンＣｓＸ^＋を、二次イオンとして検出することにより、ケイ素原子、炭素原子および水素原子の含有量を正確に求めることが可能である。

本発明の感光体の上部電荷注入阻止部分１０８のベースの材料となっているａ−ＳｉＣの場合、ＲＢＳ法およびＨＦＳ法で、ケイ素原子、炭素原子および水素原子の含有量（濃度：原子％）を求めたａ−ＳｉＣの標準試料を数種類用いる。そして、それぞれのＳＩＭＳ分析の測定条件で検量線を求め、ケイ素原子、炭素原子および水素原子の含有量を求めることが可能である。

具体的には、まず、水素原子／ケイ素原子の比率を、Ｃｓ^＋のＮｅｇａｔｉｖｅの測定より求める。そして、炭素原子／ケイ素原子の比率を、Ｃｓ^＋のＰｏｓｉｔｉｖｅの測定より求める。それにより、最終的に、ケイ素原子、炭素原子および水素原子の含有量を求めることが可能である。

ＳＩＭＳ分析によって得られる第１３族原子のイオン強度は、感光体１００の表面からの距離によって変わるが、本発明者らがＳＩＭＳ分析の結果を検討した結果、第１３族原子の基準イオン強度ｆ（Ｄ_Ｓ）が半分になる位置を基準積層膜Ａの膜Ａ_１と膜Ａ_２との界面と定義すれば、評価対象のａ−Ｓｉ感光体の負帯電時の帯電能との対応が良好となることがわかった。

以上をまとめると、基準積層膜Ａの膜Ａ_１および膜Ａ_２は、評価対象のａ−Ｓｉ感光体の表面からの距離がＤ_５０である位置でのケイ素原子、炭素原子および水素原子の含有量と同じ含有量でケイ素原子、炭素原子および水素原子を含有する層である。さらに、基準積層膜Ａの膜Ａ_１は、基準イオン強度ｆ（Ｄ_Ｓ）と同等の基準イオン強度ｆ_Ｓ（Ｄ_ＳＳ）となるよう、第１３族原子をさらに含有している。

これにより、基準積層膜Ａは、評価対象のａ−Ｓｉ感光体におけるＳＩＭＳ分析の測定結果を相対的に比較し、該ａ−Ｓｉ感光体の表面層内の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布の正確に急峻性を評価するのに適したものになっている。

さらに、上述のように、基準積層膜Ａにおいては、理論上、第１３族原子を含有しない膜Ａ_２と第１３族原子を含有する膜Ａ_１との境界部（界面）における第１３族原子の分布が急峻になっている必要があり、基準積層膜Ａの作製においては、その点を留意する必要がある。

本発明者らの検討の結果、例えば、以下のように基準積層膜Ａを作製すれば、第１３族原子を含有しない膜Ａ_２と第１３族原子を含有する膜Ａ_１との境界部（界面）における第１３族原子の分布が十分に急峻になる（膜Ａ_２側から膜Ａ_１側に向かって第１３族原子が急激に増加する）ことがわかった。

まず、反応容器内において、膜Ａ_１を形成する。

その後、反応容器内への膜Ａ_１形成用の原料ガス（ケイ素原子供給用の原料ガス、炭素原子供給用の原料ガス、第１３族原子供給用の原料ガス（必要に応じて、水素原子供給用の原料ガスなど））の導入および／または該原料ガスを分解するためのエネルギーの導入を停止する。高周波プラズマＣＶＤ法や高周波スパッタリング法によって基準積層膜Ａを作製する場合、反応容器内への高周波電力の導入を停止することで、膜Ａ_１の形成が停止する。また、このとき、膜Ａ_１形成用の原料ガスを停止させたうえ、反応容器内に第１３族原子供給用の原料ガスが残留しないよう、反応容器内から第１３族原子供給用の原料ガスを排気することが好ましい。

その後、膜Ａ_１上に第１３族原子を含有しない膜Ａ_２を形成する。反応容器内に第１３族原子供給用の原料ガスは供給しない。

このようにすることで、第１３族原子の分布が急峻な基準積層膜Ａを作製することができる。

このように作製された基準積層膜ＡのΔＺ_０および評価対象のａ−Ｓｉ感光体のΔＺを同一の測定条件のＳＩＭＳ分析によって得て、ΔＺ_０およびΔＺを比較する（ΔＺ／ΔＺ_０の値を確認する）。本発明においては、これを「第１３族原子の分布の急峻性の評価方法Ａ」とも呼ぶ。

本発明においては、ΔＺ／ΔＺ_０が１．０以上３．０以下（１．０≦ΔＺ／ΔＺ_０≦３．０）である。理論上、ΔＺ／ΔＺ_０の最小値は１．０となる。ΔＺ／ΔＺ_０が３．０を超えるということは、ａ−Ｓｉ感光体の表面層内の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部において、第１３族原子が十分に急峻に変化していない（該境界部において、表面側部分側から上部電荷注入阻止部分側に向かって第１３族原子が急激ではなく徐々に増加している）ことを意味する。すると、感光体の表面から光導電層への電荷（電子）の注入を十分に阻止できないことになる。

また、本発明において、例えば、図１の（ａ）に示すように、変化領域１０６内に光導電層側部分１１０、上部電荷注入阻止部分１０８および表面側部分１０９が存在する場合、ａ−Ｓｉ感光体の負帯電時の帯電能の観点から、光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布も急峻である（上部電荷注入阻止部分１０８側から光導電層側部分１１０側に向かって第１３族原子が急激に減少する）ことが好ましい。

また、例えば、図１の（ｂ）に示すように、変化領域１０６内に上部電荷注入阻止部分１０８および表面側部分１０９が存在し、光導電層側部分１１０が存在しない場合、換言すれば、上部電荷注入阻止部分１０８が表面層１０５内の最も光導電層１０４側の部分である場合、ａ−Ｓｉ感光体の負帯電時の帯電能の観点から、光導電層１０４と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布も急峻である（表面層１０５内の変化領域１０６側から光導電層１０４側に向かって第１３族原子が急激に減少する）ことが好ましい。

どちらの場合も、具体的には、後述のようにして求められるΔＹおよびΔＹ_０に関して、ΔＹ／ΔＹ_０が１．０以上３．０以下（１．０≦ΔＹ／ΔＹ_０≦３．０）であることが好ましい。理論上、ΔＹ／ΔＹ_０の最小値は１．０となる。ΔＹ／ΔＹ_０が３．０を超えるということは、ａ−Ｓｉ感光体の光導電層もしくは表面層内の変化領域内の光導電層側部分と表面層内の変化領域内の上部電荷注入阻止部分との境界部において、第１３族原子が十分に急峻に変化していない（該境界部において、上部電荷注入阻止部分側から光導電層側部分側もしくは光導電層側に向かって第１３族原子が急激ではなく徐々に減少している。）ことを意味する。本発明においては、これを「第１３族原子の分布の急峻性の評価方法Ｂ」とも呼ぶ。

上述の光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布も急峻であることが好ましい理由に関して、本発明者らは、以下のように推測している。

本発明において、感光体１００の表面層１０５内の変化領域１０６は、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が光導電層１０４側から感光体１００の表面側（表面側領域１０７側）に向かって漸増している領域である。光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部は、炭素原子の含有量が比較的少なくなっており、組成がａ−Ｓｉに比較的近くなっている。そのため、該境界部は、ａ−Ｓｉで構成された光導電層１０４のように、画像露光光や前露光光が入射した場合、光導電性により、光キャリアが発生しやすい。感光体１００の表面を負帯電した場合、画像露光光や前露光光の入射により発生した光キャリアのうちの電子は、本来、基体１０２側に移動する。このとき、該境界部に第１３族原子が存在していると、電子の走行性が低下するため、第１３族原子の量が多い場合、該境界部から基体１０２側まで移動しきれず、該境界部（界面）または該境界部（界面）と基体１０２との間に電子が残留しやすくなると考えられる。そのような状況のまま、次の感光体１００の表面が負帯電されると、負帯電により形成される電界により、上記のように残留していた電子が基体１０２側に向かって移動することで、感光体１００の表面電位の低下が引き起こされると考えられる。

本発明者らの検討によれば、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と表面層１０５との境界部における第１３族原子の分布の急峻性は、上述の急峻性の評価の方法と同様の方法によって、正確に評価することが可能であることがわかった。

以下に、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布について説明する（（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｂ５）および（Ｂ６））。

まず、ＳＩＭＳ分析により、基準イオン強度ｇ（Ｅ_Ｓ）を求め、それを用いて急峻性ΔＹを求める（（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３）および（Ｂ４））。

図９は、変化領域１０６における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）の分布（デプスプロファイル）、イオン強度ｇ（Ｅ）の一階微分ｇ’（Ｅ）およびイオン強度ｇ（Ｅ）の二階微分ｇ”（Ｅ）の例を示す図である。図９の第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）等は、図３の第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）等と同一であるが、説明の便宜上、記号を変えている。

図９の上段、中段および下段の各グラフにおいて、横軸は、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部からの距離Ｅを示し、横軸の左側が感光体１００の表面側（表面側領域１０７側）であり、横軸の右側が光導電層１０４側である。図９の上段のグラフにおいて、縦軸は、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）を示す。図９の中段のグラフにおいて、縦軸は、ｇ（Ｅ）の一階微分ｇ’（Ｅ）を示す。図９の下段のグラフにおいて、縦軸は、ｇ（Ｅ）の二階微分ｇ”（Ｅ）を示す。

図９に示す例においては、Ｅが増加していくと、つまり、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部側から感光体１００の表面側に向かうと、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）は、次のような分布をとる。

図９に示す例では、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）が０（検出限界以下を含む）から徐々に増加し（図９の上段のグラフ中の領域（ＶＩＩ））、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）は急激に増加する（同領域（ＶＩ））。その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）の増加の程度が緩やかに変化する（同領域（Ｖ））。そして、ある箇所において第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）は最大値ｇ（Ｅ_ＭＡＸ）（図３中のｇ（Ｄ_ＭＡＸ）と同じ。）に到達し、その後、緩やかに減少する（同領域（ＩＶ）〜（ＩＩＩ））。その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）は急激に減少する（同領域（ＩＩ））。その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）の増加の程度が緩やかに変化し、０になる（同領域（Ｉ））。

第１３族原子の分布の急峻性としては、イオン強度ｇ（Ｅ）が急激に増加し、その後に増加の程度が緩やかになるところが、重要な箇所となる。特に、上部電荷注入阻止部分（第１３族原子を含有する部分）１０８の、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０に近いところが、つまり、図９の上段のグラフにおいては、領域（ＶＩＩ）から領域（Ｖ）の最大値ｇ（Ｅ_ＭＡＸ）に到達するまで部分が重要となる。

上述のように、ある関数の二階微分が正なら当該関数は下に凸であり、二階微分が負なら上に凸である。よって、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）の二階微分ｇ”（Ｅ）を図３の下段のグラフのように描いた場合、ｇ”（Ｅ）＝０からｇ”（Ｅ）＜０となる箇所が存在する。（図９の下段のグラフ中のＥ_１およびＥ_３）
つまり、ｇ”（Ｅ）＜０である近傍（図９の下段のグラフ中の領域（Ｖ）および（ＩＩＩ））に、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）が上に凸になる部分が存在し、第１３族原子の分布の増加の程度が変化する部分が存在する。

さらに、ｇ”（Ｅ）＜０の後、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）にピークがある場合、または、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）が一定に変化もしくは緩やかに変化する場合、ｇ”（Ｅ）は、少なくとも一度は、ｇ”（Ｅ）＝０を通過する。

よって、ｇ”（Ｅ）＝０からｇ”（Ｅ）＜０となり、その後、ｇ”（Ｅ）＜０からｇ”（Ｅ）＝０を通過する部分（図９の下段のグラフ中のＥ_１からＥ_２まで、および、Ｅ_３からＥ_４まで）のどこかに、第１３族原子の分布の増加率が変化する部分が存在する。

上記と同様に、Ｅ_１からＥ_２までの中間点（（Ｅ_１＋Ｅ_２）／２）、Ｅ_３からＥ_４までの中間点（（Ｄ_３＋Ｄ_４）／２）を変化点と定義する。

ただし、図９に示す例のように、変化点が複数存在する場合がある。この場合、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０に近いほう（（図９中の（Ｅ_１＋Ｅ_２）／２）が重要となる。

本発明においては、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部から見て最初にｇ”（Ｅ）＝０からｇ”（Ｅ）＜０なる箇所の該境界部からの距離をＥ_Ａと定義する。そして、その後、ｇ”（Ｅ）＜０からｇ”（Ｅ）＝０になる箇所の、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部からの距離をＥ_Ｂと定義する。図９に示す例の場合は、Ｅ_１がＥ_Ａとなり、Ｅ_２がＥ_Ｂとなる。そして、変化点（Ｅ_Ａ＋Ｅ_Ｂ）／２（図９に示す例では（Ｅ_１＋Ｅ_２）／２）のイオン強度ｇ（（Ｅ_Ａ＋Ｅ_Ｂ）／２）（図９に示す例ではｇ（（Ｅ_１＋Ｅ_２）／２））を第１３族原子の基準イオン強度ｇ（Ｅ_Ｓ）と定義する。Ｅ_Ｓは、第１３族原子の基準イオン強度ｇ（Ｅ_Ｓ）となる位置の、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部からの距離である。

変化領域１０６のうち、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部からの距離がＥ_Ｓである箇所から光導電層１０４側もしくは光導電層側部分１１０側の部分は、第１３族原子の分布が比較的急激に変化する部分ということである。

また、上記基準イオン強度ｆ（Ｄ_Ｓ）と同様に、基準イオン強度ｇ（Ｅ_Ｓ）もまた、上述の条件（図９の例において説明した条件）にのみによって定義されるのではなく、ｇ（Ｅ_ＭＡＸ）との関係も定義の必要条件となる。

つまり、基準イオン強度ｇ（Ｅ_Ｓ）は、以下のように定義される。

デプスプロファイル（変化領域１０６における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）の分布）において、光導電層もしくは光導電層側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部（界面）からの距離をＥとし、距離Ｅにおける第１３族原子のイオン強度を距離Ｅの関数ｇ（Ｅ）で表し、ｇ（Ｅ）の最大値をｇ（Ｅ_ＭＡＸ）で表し、ｇ（Ｅ）の二階微分をｇ”（Ｅ）で表し、電子写真感光体の表面に向かってＥを増加させていき、ｇ”（Ｅ）＝０からｇ”（Ｅ）＜０になる箇所の光導電層もしくは光導電層側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部からの距離をＥ_Ａとし、その後にｇ”（Ｅ）＜０からｇ”（Ｅ）＝０になる箇所の光導電層もしくは光導電層側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部からの距離をＥ_Ｂとする。そして、ｇ（（Ｅ_Ａ＋Ｅ_Ｂ）／２）≧ｇ（Ｅ_ＭＡＸ）×０．５を満たす距離Ｅのうち、前記上部電荷注入阻止部分を光導電層もしくは光導電層側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部から見て最初の距離をＥ_Ｓとし、距離Ｅ_Ｓにおける第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）を基準イオン強度ｇ（Ｅ_Ｓ）とする。

次に、ＳＩＭＳ分析により、基準イオン強度ｇ（Ｅ）を用いて、急峻性ΔＹを求める。

図１０は、変化領域１０６における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）の例を示す図である。図１０の第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）等は、図５の第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）等と同一であるが、説明の便宜上、記号を変えている。

図１０のグラフにおいて、横軸は、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部（界面）からの距離Ｅを示し、横軸の左側が感光体１００の表面側（表面側領域１０７側）であり、横軸の右側が光導電層１０４側もしくは光導電層側部分１１０側である。また、図１０のグラフにおいて、縦軸は、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）を示す。図１０の第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）は、図９の上段の第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）と同一である。

図１０中、ｇ（Ｅ_ＭＡＸ）は、上述のとおり、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）の最大値である。Ｅ_ＭＡＸは、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ_ＭＡＸ）となる位置の、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部からの距離である。

また、図１０中、ｇ（Ｅ_８４）は、基準イオン強度ｇ（Ｅ_Ｓ）を１００％としたときの、８４％のイオン強度である。つまり、ｇ（Ｅ_８４）＝ｇ（Ｅ_Ｓ）×０．８４である。Ｅ_８４は、第１３族原子のイオン強度がｇ（Ｅ_８４）となる位置の、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部からの距離である。また、ｇ（Ｅ_１６）は、基準イオン強度ｇ（Ｅ_Ｓ）を１００％としたときの、１６％のイオン強度である。つまり、ｇ（Ｅ_１６）＝ｇ（Ｅ_Ｓ）×０．１６である。Ｅ_１６は、第１３族原子のイオン強度がｇ（Ｅ_１６）となる位置の、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部からの距離である。

ΔＹは、ΔＺと同様に、評価対象のａ−Ｓｉ感光体における第１３族原子の分布の急峻性を示す指標であり、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）がｇ（Ｅ_１６）からｇ（Ｅ_８４）となる深さ方向（厚さ方向）の距離である。つまり、ΔＹ＝｜Ｅ_８４−Ｅ_１６｜である。

一方、ＳＩＭＳ分析により、基準積層膜Ｂにおける急峻性ΔＹ_０を求める（（Ｂ５）および（Ｂ６））。

基準積層膜Ｂの場合も、基準積層膜Ａの場合と同様に、急峻性ΔＹを求める際と急峻性ΔＹ_０を求める際とで、測定条件を固定する必要がある。

まず、上述のとおり、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０に対応する組成を有する膜（膜Ｂ_１）と、上部電荷注入阻止部分１０８に対応する組成を有する膜（膜Ｂ_２）とをこの順に積層してなる基準積層膜Ｂを作製する。膜Ｂ_１は、第１３族原子を含有していない。膜Ｂ_２は、第１３族原子を均一に含有している。

基準積層膜Ｂの作製の際には、理論上、第１３族原子を含有しない膜Ｂ_１と第１３族原子を含有する膜Ｂ_２との境界部（界面）において第１３族原子の分布が急峻になるよう、作製方法に留意する。

図１１は、基準積層膜Ｂにおける、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）の例を示す図である。

図１１のグラフにおいて、横軸は、基準積層膜Ｂの裏面（膜Ｂ_１の表面）からの距離Ｅ_Ｓを示し、横軸の左側が第１３族原子を含有している膜Ｂ_２側であり、横軸の右側が第１３族原子を含有していない膜Ｂ_１側である。また、図１１のグラフにおいて、縦軸は、第１３族原子のイオン強度ｇ_Ｓ（Ｅ_Ｓ）を示す。図１１に示す例の基準積層膜Ｂは、変化領域１０６における第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）の分布が図９で示す分布になっている感光体１００に対応する基準積層膜Ｂである。

変化領域１０６における第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）の分布が図９で示す分布になっている感光体１００に対応する基準積層膜Ｂの膜Ｂ_２は、基準イオン強度ｇ（Ｅ_Ｓ）と同等の基準イオン強度ｇ_Ｓ（Ｅ_ＳＳ）となるよう、第１３族原子を含有している。つまり、ｇ（Ｅ_Ｓ）＝ｇ_Ｓ（Ｅ_ＳＳ）となる。

その他は、上述の図９と同様であり、図１１中、ｇ_Ｓ（Ｅ_Ｓ８４）は、基準イオン強度ｇ_Ｓ（Ｅ_ＳＳ）を１００％としたときの、８４％となるイオン強度である。つまり、ｇ_Ｓ（Ｅ_Ｓ８４）＝ｇ_Ｓ（Ｅ_ＳＳ）×０．８４である。Ｅ_Ｓ８４は、第１３族原子のイオン強度がｇ_Ｓ（Ｅ_Ｓ８４）となる位置の基準積層膜Ｂの表面からの距離である。また、ｇ_Ｓ（Ｅ_Ｓ１６）は、基準イオン強度ｇ_Ｓ（Ｅ_ＳＳ）を１００％としたときの、１６％となるイオン強度である。つまり、ｇ_Ｓ（Ｅ_Ｓ１６）＝ｇ_Ｓ（Ｅ_ＳＳ）×０．１６である。Ｅ_Ｓ１６は、第１３族原子のイオン強度がｇ_Ｓ（Ｅ_Ｓ１６）となる位置の基準積層膜Ｂの表面からの距離である。

ΔＹ_０は、基準積層膜Ｂにおける第１３族原子の分布の急峻性を示す指標であり、第１３族原子のイオン強度ｇ_Ｓ（Ｅ_Ｓ）がｇ（Ｅ_Ｓ１６）からｇ（Ｅ_Ｓ８４）となる深さ方向（厚さ方向）の距離である。つまり、ΔＹ_０＝｜Ｅ_Ｓ８４−Ｅ_Ｓ１６｜である。

また、評価対象のａ−Ｓｉ感光体におけるｇ（Ｅ_Ｓ）を１００％としたときの、５０％となるイオン強度をｇ（Ｅ_５０）（不図示）とする。そして、第１３族原子のイオン強度がｇ（Ｅ_５０）となる位置の感光体１００の表面からの距離をＥ_５０（不図示）とする。

上述のとおり、基準積層膜Ｂの膜Ｂ_２は、評価対象のａ−Ｓｉ感光体の変化領域内の上部電荷注入阻止部分に対応する組成を有する膜である。

上述のとおり、ａ−Ｓｉ感光体の負帯電時の帯電能を向上させるには、第１３族原子の分布の急峻性を特定の範囲に制御する（できるだけ急峻になるように制御する）ことが重要である。そのためには、感光体の光導電層もしくは光導電層側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部（界面）における第１３族原子の分布を正確に評価することが必要であり、そのためには、基準積層膜Ｂの膜Ｂ_１および膜Ｂ_２の組成は、それぞれ、評価対象のａ−Ｓｉ感光体の光導電層もしくは光導電層側部分の組成および上部電荷注入阻止部分の組成と同等とするべきであると考えられるが、基準積層膜Ａの場合と同様に、基準積層膜Ｂの膜Ｂ_１および膜Ｂ_２の組成は、以下のようにする。

すなわち、基準積層膜Ｂの膜Ｂ_１および膜Ｂ_２は、評価対象のａ−Ｓｉ感光体の光導電層もしくは光導電層側部分と表面層との境界部（界面）からの距離がＥ_５０である位置でのケイ素原子、炭素原子および水素原子の含有量と同じ含有量でケイ素原子、炭素原子および水素原子を含有する層である。さらに、基準積層膜Ｂの膜Ｂ_１は、基準イオン強度ｇ（Ｅ_Ｓ）と同等の基準イオン強度ｇ_Ｓ（Ｅ_ＳＳ）となるよう、第１３族原子をさらに含有している。

これにより、基準積層膜Ｂは、評価対象のａ−Ｓｉ感光体におけるＳＩＭＳ分析の測定結果を相対的に比較し、該ａ−Ｓｉ感光体の光導電層もしくは光導電層側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部（界面）における第１３族原子の分布の正確に急峻性を評価するのに適したものになっている。

さらに、上述のように、基準積層膜Ｂにおいては、理論上、第１３族原子を含有する膜Ａ_２と第１３族原子を含有しない膜Ａ_１との境界部（界面）における第１３族原子の分布が急峻になっている必要があり、基準積層膜Ｂの作製においても、基準積層膜Ａの作製の際と同様に、その点を留意する必要がある。

そのような基準積層膜Ｂは、上述の基準積層膜Ａの作製方法と同様にして、作製することができる。

（表面層１０５の形成方法）
本発明のａ−Ｓｉ感光体の表面層の形成方法は、上記条件を満足する層を形成できる方法であれば、いずれの方法でも採用することができる。

表面層の形成方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが挙げられる。これらの中でも、原料供給の容易性などの観点から、プラズマＣＶＤ法が好ましい。

表面層の形成方法としてプラズマＣＶＤ法を選択した場合、表面層の形成方法は、例えば、以下のとおりである。

ケイ素原子供給用の原料ガスおよび炭素原子供給用の原料ガスを、内部を減圧しうる反応容器内に所望のガス状態で導入し、該反応容器内にグロー放電を生起させる。これによって、該反応容器内に導入した原料ガスを分解し、該反応容器内の所定の位置に設置された基体上（導電性基体上）にａ−ＳｉＣで構成された表面層を形成すればよい。

ケイ素原子供給用の原料ガスとしては、例えば、シラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）などのシラン類が挙げられる。また、炭素原子供給用の原料ガスとしては、例えば、メタン（ＣＨ_４）、アセチレン（Ｃ_２Ｈ_２）などの炭化水素が挙げられる。

また、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）と水素原子の原子数（Ｈ）の和に対する水素原子の原子数（Ｈ）の比（Ｈ／（Ｓｉ＋Ｃ＋Ｈ））を調整するために、水素（Ｈ_２）を上記の原料ガスとともに使用してもよい。

第１３族原子供給用の原料ガスとしては、例えば、ジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）、三フッ化ホウ素（ＢＦ_３）などが挙げられる。

（光導電層１０４の形成方法）
本発明のａ−Ｓｉ感光体の光導電層の形成方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが挙げられる。これらの中でも、原料供給の容易性などの観点から、プラズマＣＶＤ法が好ましい。

光導電層の形成方法としてプラズマＣＶＤ法を選択した場合、光導電層の形成方法は、例えば、以下のとおりである。

ケイ素原子供給用の原料ガスを、内部を減圧しうる反応容器内に所望のガス状態で導入し、該反応容器内にグロー放電を生起させる。これによって、該反応容器内に導入した原料ガスを分解し、該反応容器内の所定の位置に設置された基体上にａ−Ｓｉで構成された光導電層を形成すればよい。

ケイ素原子供給用の原料ガスとしては、例えば、シラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）などのシラン類が挙げられる。

また、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と水素原子の原子数（Ｈ）の和に対する水素原子の原子数（Ｈ）の比（Ｈ／（Ｓｉ＋Ｈ））を調整するために、水素（Ｈ_２）を上記の原料ガスとともに使用してもよい。

また、ハロゲン原子、電気伝導性を制御するための原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子などを光導電層１０４に含有させる場合には、それぞれの原子を含むガス状または容易にガス化しうる物質を原料として適宜使用すればよい。

（本発明の電子写真感光体（ａ−Ｓｉ感光体）の製造方法）
図７は、本発明の負帯電用の電子写真感光体（ａ−Ｓｉ感光体）の製造に用いることのできる堆積膜形成装置の例を示す図である。図７に示す堆積膜形成装置は、高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法によって堆積膜を形成するための装置である。

図７に示す堆積膜形成装置７０００は、大別すると、減圧可能な反応容器７１１０を有する堆積装置７１００、原料ガス供給装置７２００、および、反応容器７１１０内を減圧するための排気装置（不図示）から構成されている。

堆積装置７１００中の反応容器７１１０内には、アースに接続された基体７１１２、基体加熱用ヒーター７１１３、および、原料ガス導入管７１１４が設置されている。また、カソード電極７１１１には、高周波マッチングボックス７１１５を介して高周波電源７１２０が接続されている。

原料ガス供給装置７２００は、ＳｉＨ_４，Ｈ_２，ＣＨ_４，ＮＯ，Ｂ_２Ｈ_６などの原料ガス用の原料ガスボンベ７２２１〜７２２５が設けられている。

また、堆積装置７１００は、バルブ７２３１〜７２３５、圧力調整器７２６１〜７２６５、流入バルブ７２４１〜７２４５、流出バルブ７２５１〜７２５５およびマスフローコントローラー７２１１〜７２１５を有している。

各原料ガスを封入したガスのボンベは、補助バルブ７２６０を介して反応容器７１１０内の原料ガス導入管７１１４に接続されている。

次に、この堆積膜形成装置７０００を使った堆積膜の形成方法について説明する。

まず、あらかじめ脱脂洗浄した基体７１１２を反応容器７１１０に受け台７１２３を介して設置する。次に、排気装置（不図示）を運転し、反応容器７１１０内を排気する。真空計７１１９の表示を見ながら、反応容器７１１０内の圧力が所定の圧力（例えば１Ｐａ以下）になったところで、基体加熱用ヒーター７１１３に電力を供給し、基体７１１２を所定の温度（例えば５０〜３５０℃）に加熱する。このとき、ガス供給装置７２００より、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガスを反応容器７１１０内に供給して、不活性ガス雰囲気中で加熱を行うこともできる。

次に、ガス供給装置７２００から堆積膜形成に用いる原料ガスを反応容器７１１０内に供給する。すなわち、必要に応じて、バルブ７２３１〜７２３５、流入バルブ７２４１〜７２４５、流出バルブ７２５１〜７２５５を開き、マスフローコントローラー７２１１〜７２１５に流量設定を行う。各マスフローコントローラーの流量が安定したところで、真空計７１１９の表示を見ながらメインバルブ７１１８を操作し、反応容器７１１０内の圧力が所定の圧力になるように調整する。所定の圧力が得られたところで高周波電源７１２０から高周波電力を反応容器７１１０内に導入するとともに、高周波マッチングボックス７１１５を操作し、反応容器７１１０内にプラズマ放電を生起させる。それにより、反応容器７１１０内に供給された原料ガスが励起する。その後、速やかに高周波電力を所定の電力になるように調整し、堆積膜の形成を行う。

所定の堆積膜の形成が終わったところで、反応容器７１１０内への高周波電力の導入を停止し、バルブ７２３１〜７２３５、流入バルブ７２４１〜７２４５、流出バルブ７２５１〜７２５５、および、補助バルブ７２６０を閉じ、反応容器７１１０内への原料ガスの供給を終える。それとともに、メインバルブ７１１８を全開にし、反応容器７１１０内の圧力が所定の圧力（例えば１Ｐａ以下）になるまで、反応容器７１１０内を排気する。

以上で堆積膜の形成を終えるが、複数の堆積膜を形成する場合、再び上記の手順を繰り返してそれぞれの層を形成すればよい。原料ガスの流量や、反応容器内の圧力などを変化させて、各層間の接合領域の形成を行うこともできる。

すべての堆積膜形成が終わった後、メインバルブ７１１８を閉じ、反応容器７１１０内に不活性ガスを導入し、反応容器７１１０内の圧力を大気圧にした後、基体７１１２を反応容器７１１０から取り出す。

（電子写真装置）
次に、本発明の電子写真感光体（ａ−Ｓｉ感光体）を有する電子写真装置について説明する。

図８は、本発明の負帯電用の電子写真感光体（ａ−Ｓｉ感光体）を有する電子写真装置の例を示す図である。

図８に示す電子写真装置８００は、円筒状の電子写真感光体（感光体）８０１を有している。感光体８０１の周りには、感光体８０１の表面を負帯電するための帯電装置（一次帯電装置）８０２が配置されている。

また、帯電された感光体８０１の表面に画像露光光８０３を照射して感光体８０１の表面に静電潜像を形成するための画像露光装置（不図示）が配置されている。

また、感光体８０１の表面に形成された静電潜像を現像して感光体８０１の表面にトナー像を形成するための現像装置として、ブラックトナーを有する第１現像装置８０４ａと、カラートナーを有する第２現像装置８０４ｂが配置されている。第２現像装置８０４ｂは、イエロートナーを有するイエロー用現像装置とマゼンタトナーを有するマゼンタ用現像装置とシアントナーを有するシアン用現像装置とが内蔵された回転型の現像装置である。

電子写真装置８００の現像装置は、第１現像装置８０４ａおよび第２現像装置８０４ｂなどからなっている。

また、電子写真装置８００には、感光体８０１の表面に形成されたトナー像を構成しているトナーの電荷を均一にし、安定した転写が行われるようにするための転写前帯電装置８０５が配置されている。

また、感光体８０１の表面から中間転写ベルト８０６の表面にトナー像が転写された後、感光体８０１の表面をクリーニングするための感光体用のクリーニングブレード８０７が配置されている。

また、感光体８０１の表面に前露光光を照射して感光体８０１の表面の除電を行うための前露光装置８０８が配置されている。

中間転写ベルト８０６は、感光体８０１に当接ニップ部を形成するように配置されており、回転駆動が可能である。

中間転写ベルト８０６の内側には、感光体８０１の表面のトナー像を中間転写ベルト８０６の表面に転写（一次転写）するための一次転写ローラー８０９が配置されている。

一次転写ローラー８０９には、感光体８０１の表面のトナー像を中間転写ベルト８０６の表面に転写するための一次転写バイアスを一次転写ローラー８０９に印加するためのバイアス電源（不図示）が接続されている。

また、中間転写ベルト８０６の周りには、中間転写ベルト８０６の表面のトナー像を転写材（紙など）８１２に転写（二次転写）するための二次転写ローラー８１０が、中間転写ベルト８０６の表面に接触するように配置されている。

二次転写ローラー８１０には、中間転写ベルト８０６の表面のトナー像を転写材８１２に転写するための二次転写バイアスを二次転写ローラー８１０に印加するためのバイアス電源（不図示）が接続されている。

また、中間転写ベルト８０６の表面から転写材８１２にトナー像が転写された後、中間転写ベルト８０６の表面をクリーニングするための中間転写ベルト用のクリーニングブレード８１１が配置されている。

電子写真装置８００の転写装置は、中間転写ベルト８０６、一次転写ローラー８０９および二次転写ローラー８１０などからなっている。

また、電子写真装置８００は、画像が形成される複数の転写材８１２を保持する給紙カセット８１３と、転写材８１２を給紙カセット８１３から中間転写ベルト８０６と二次転写ローラー８１０との当接ニップ部に搬送する搬送機構とが設けられている。転写材８１２の搬送経路上には、転写材８１２に転写されたトナー像を転写材８１２に定着させるための定着装置８１４が配置されている。

また、感光体８０１の内部にはヒーター８１５が配置されており、感光体８０１を所定の温度（例えば４０〜４５℃）に加熱する。

画像露光装置（不図示）としては、例えば、カラー画像の色分解・結像露光光学系や、画像情報の時系列電気デジタル画素信号に対応して変調されたレーザービームを出力するレーザースキャナーによる走査露光光学系などが用いられる。このような光学系により、画像パターンにしたがって、複数行、複数列の画素マトリックスの画素ごとに、光源（例えば、レーザー、ＬＥＤなど）から画像露光光（ビーム）を感光体８０１の表面に照射して、感光体８０１の表面に静電潜像を形成することができる。

次に、この電子写真装置の動作について説明する。

まず、感光体８０１が、反時計方向に所定の周速度（プロセススピード）で回転駆動され、中間転写ベルト８０６が、時計方向に、感光体８０１と同じ周速度で回転駆動される。

感光体８０１の表面は、回転過程において、帯電装置（一次帯電装置）８０２により負帯電される。

次いで、感光体８０１の表面には画像露光光８０３が照射され、これにより、感光体８０１の表面には、目的のカラー画像の第１の色成分像（例えばマゼンタ成分像）に対応した静電潜像が形成される。

次いで、第１の色成分像が例えばマゼンタ成分像である場合、第２現像装置８０４ｂが回転し、マゼンタ用現像装置器が所定の位置にセットされ、マゼンタ成分像に対応した静電潜像がマゼンタトナーにより現像され、感光体８０１の表面にマゼンタトナー像が形成される。このとき、第１現像装置８０４ａは、作動オフになっていて、感光体８０１には作用せず、マゼンタトナー像に影響を与えることはない。

一次転写バイアスがバイアス電源（不図示）から一次転写ローラー８０９に印加され、感光体８０１と中間転写ベルト８０５との間に電界が形成される。この電界の作用により、感光体８０１の表面に形成されたマゼンタトナー像は、感光体８０１と中間転写ベルト８０６との当接ニップ部を通過する過程において、中間転写ベルト８０６の表面（外周面）に転写（一次転写）される。

中間転写ベルト８０６の表面にマゼンタトナー像を転写し終えた感光体８０１の表面は、感光体用のクリーニングブレード８０７によりクリーニングされる。

次に、感光体８０１の表面に、第１色のトナー像（マゼンタトナー像）の形成と同様に、第２色のトナー像（例えばシアントナー像）が形成され、この第２色のトナー像（シアントナー像）が、第１色のトナー像（マゼンタトナー像）が転写された中間転写ベルト８０６の表面に重畳して転写（一次転写）される。

中間転写ベルト８０６の表面に第２色のトナー像（シアントナー像）を転写し終えた感光体８０１の表面は、感光体用のクリーニングブレード８０７によりクリーニングされる。

次に、感光体８０１の表面に、第１色のトナー像（マゼンタトナー像）の形成と同様に、第３色のトナー像（例えばイエロートナー像）が形成され、この第３色のトナー像（イエロートナー像）が、第１色のトナー像（マゼンタトナー像）が転写された中間転写ベルト８０６の表面に重畳して転写（一次転写）される。

中間転写ベルト８０６の表面に第３色のトナー像（イエロートナー像）を転写し終えた感光体８０１の表面は、感光体用のクリーニングブレード８０７によりクリーニングされる。

次に、感光体８０１の表面に、第１色のトナー像（マゼンタトナー像）の形成と同様に、第４色のトナー像（例えばブラックトナー像）が形成され、この第４色のトナー像（ブラックトナー像）が、第１色のトナー像（マゼンタトナー像）が転写された中間転写ベルト８０６の表面に重畳して転写（一次転写）される。

ブラックトナー像の形成の際には、現像装置として、第２現像装置８０４ｂの代わりにブラックトナーを有する第１現像装置８０４ａが作動オンになる。そのとき、第２現像装置８０４ｂは、作動オフになっていて、感光体８０１には作用しない。

中間転写ベルト８０６の表面に第４色のトナー像（ブラックトナー像）を転写し終えた感光体８０１の表面は、感光体用のクリーニングブレード８０７によりクリーニングされる。

このようにして、第１色〜第４色のトナー像が中間転写ベルト８０６の表面に順次重畳して転写（一次転写）され、目的のカラー画像に対応した合成カラートナー像が中間転写ベルト８０６の表面に形成される。

次に、二次転写ローラー８１０が中間転写ベルト８０６に当接されるとともに、給紙カセット８１３から中間転写ベルト８０６と二次転写ローラー８１０との当接ニップ部に所定のタイミングで転写材８１２が給送される。

二次転写バイアスがバイアス電源（不図示）から二次転写ローラー８１０に印加され、中間転写ベルト８０６の表面に形成された合成カラートナー像が転写材８１２に転写（二次転写）される。

転写材８１２に合成カラートナー像を転写し終えた中間転写ベルト８０６の表面は、中間転写ベルト用のクリーニングブレード８１１によりクリーニングされる。

合成カラートナー像が転写された転写材８１２は、定着装置８１４に導かれ、ここでトナー像は転写材８１２に定着される。

以下、実施例により、本発明をさらに詳細に説明する。なお、いずれの例も、反応容器内に導入するＳｉＨ_４、ＣＨ_４、Ｂ_２Ｈ_６、Ｈ_２はガス状である。

〈実施例１〉
図７に示す堆積膜形成装置７０００を用い、表１に示す条件で、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、厚さ３ｍｍのアルミニウム製の円筒状の導電性基体（基体）７１１２上に図１に示す層を形成して、円筒状の負帯電用の電子写真感光体（ａ−Ｓｉ感光体）を製造した。

変化領域１０６の形成に関しては、以下のように行った。

表１に示すように、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ_４の流量を１００［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］から９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］へと、９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］から７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］へと、７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］から１５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］へと、連続して変化させた。

それとともに、反応容器７１１０内へ導入するＣＨ_４の流量を２５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］から５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］へと、５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］から７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］へと、７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］から３６０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］へと、連続して変化させた。

そうして、上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が、図２（ａ）に示すように直線状に変化している変化領域１０６を形成した。

変化領域１０６の光導電層１０４側の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））は０．００であり、表面側領域１０７側の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））は０．６０であった。

変化領域１０６内の上部電荷注入阻止部分１０８の形成に関しては、以下のように行った。

変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ_４の流量が９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ_４の流量が５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、Ｂ_２Ｈ_６を６０秒間かけて反応容器７１１０内へ導入し、その導入量（流量）はＳｉＨ_４に対して０ｐｐｍから２００ｐｐｍに増加させた。その後、Ｂ_２Ｈ_６の流量をＳｉＨ_４に対して２００ｐｐｍを維持して堆積膜を形成した。

その後、変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ_４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ_４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、高周波電源７１２０の電源を直ちにＯＦＦにし、反応容器７１１０内へ導入する高周波電力を停止した。

その後、すべての原料ガスの反応容器７１１０内への導入を停止し、反応容器７１１０内をＡｒで５回のパージを行った。

その後、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ_４の流量を７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定し、ＣＨ_４の流量を７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定して、ＳｉＨ_４およびＣＨ_４の反応容器７１１０内への導入を再開し、ＳｉＨ_４およびＣＨ_４の流量および内圧（反応容器７１１０内の圧力）が安定したところで、反応容器７１１０内への高周波電力の導入を再開し、再び変化領域１０６の形成を開始した。

製造したａ−Ｓｉ感光体を評価用の電子写真装置（キヤノン（株）社製の複写機（商品名：ｉＲＣ６８００）を負帯電方式に改造した改造機）に設置し、「帯電能」、「光感度」および「急峻性」の評価を以下のように行った。なお、評価用の電子写真装置のプロセススピードを２６５ｍｍ／ｓｅｃに設定した。また、前露光光（ＬＥＤからの波長６６０ｎｍの光）の光量を４μＪ／ｃｍ^２に設定した。

「帯電能」
評価用の電子写真装置の帯電装置（一次帯電装置）の電流値を１０００μＡに設定し、ａ−Ｓｉ感光体を帯電した。表面電位計（ＴＲＥＫ社製、商品名：Ｍｏｄｅｌ５５５Ｐ−４）により、帯電後のａ−Ｓｉ感光体の表面の暗部電位を測定した。暗部電位の測定位置はａ−Ｓｉ感光体の軸方向中央位置とし、周方向の平均値をもって暗部電位とした。この暗部電位を帯電能とした。

「光感度」
ａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置の電位が、表面電位計（ＴＲＥＫ社製、商品名：Ｍｏｄｅｌ５５５Ｐ−４）で測定して−４５０Ｖ（暗部電位）になるように帯電装置（一次帯電装置）の電流値を調整し、ａ−Ｓｉ感光体を帯電した。帯電後、ａ−Ｓｉ感光体の表面の全面に画像露光光（レーザーからの波長６５５ｎｍの光）を照射した。その際、レーザーの光量を調整して、ａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置の電位が、上記表面電位計で測定して−５０Ｖ（明部電位）となるようにした。明部電位の測定位置は円筒状のａ−Ｓｉ感光体の軸方向中央位置とし、周方向の平均値をもって明部電位とした。このときに照射したレーザーの光量を光感度とした。

「急峻性」
製造したａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置に関して、ＳＩＭＳ分析を行った。ＳＩＭＳ分析は、上部電荷注入阻止部分１０８および上部電荷注入阻止部分１０８を含む変化領域１０６に対して実施した。ＳＩＭＳ分析には、ＣＡＭＥＣＡ製のＩＭＳ−４Ｆ（商品名）を使用し、ＳＩＭＳ分析の測定条件は表２に示す条件とした。ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ（Ｄ_Ｓ）およびΔＺを求めた。

さらに、第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ_５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、水素原子＝３２．２原子％、炭素原子＝１１．４原子％、ケイ素原子＝５６．３原子％であった。

次に、ａ−Ｓｉ感光体の製造時と同様に、図７に示す堆積膜形成装置７０００を用い、表３に示す条件で、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍのアルミニウム製の円筒状の導電性基体（基体）７１１２の表面に基準積層膜Ａ（膜Ａ_１と膜Ａ_２）を作製した。

具体的には、膜Ａ_１を形成した後、高周波電源７１２０の電源を直ちにＯＦＦにし、反応容器７１１０内へ導入する高周波電力を停止した。

その後、すべての原料ガスの反応容器７１１０内への導入を停止し、反応容器７１１０内をＡｒで５回のパージを行った。

その後、表３に示すように、膜Ａ_２形成用の原料ガスを反応容器７１１０内に導入し、原料ガスの流量および内圧（反応容器７１１０内の圧力）が安定したところで、反応容器７１１０内へ高周波電力を導入し、膜Ａ_１上に膜Ａ_２を形成した。

作製した基準積層膜Ａに対して、上述のａ−Ｓｉ感光体の場合と同様の条件でＳＩＭＳ分析を行った。

基準積層膜Ａにおける水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、基準積層膜Ａ（膜Ａ_１と膜Ａ_２）とも、水素原子＝３３．２原子％、炭素原子＝１２．４原子％、ケイ素原子＝５４．３原子％であった。つまり、上記のａ−Ｓｉ感光体において第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ_５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成と同等であった。

そして、ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ_Ｓ（Ｄ_ＳＳ）およびΔＺ_０を求めた。

その結果、ΔＺ／ΔＺ_０＝１．０であった。

得られた結果を表４に示す。なお、「帯電能」および「光感度」に関しては、いずれの例も、比較例１の結果を１００としたときの、相対評価で行った。

〈実施例２〉
表１に示す条件を表５に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様の手順で、ａ−Ｓｉ感光体を製造した。

ただし、本実施例では、上部電荷注入阻止部分１０８の形成に関して、以下のように行った。

変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ_４の流量が９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ_４の流量が５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、Ｂ_２Ｈ_６を６０秒間かけて反応容器７１１０内へ導入し、その導入量（流量）はＳｉＨ_４に対して０ｐｐｍから２００ｐｐｍに増加させた。その後、Ｂ_２Ｈ_６の流量をＳｉＨ_４に対して２００ｐｐｍを維持して堆積膜を形成した。その後、変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ_４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ_４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、Ｂ_２Ｈ_６の流入バルブ７２４５および流出バルブ７２５５を直ちに閉じ、反応容器７１１０内へのＢ_２Ｈ_６の導入を停止した。

その後、引き続き、変化領域１０６の形成を行った。

製造したａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に、「帯電能」および「光感度」の評価を行った。また、「急峻性」に関しては、以下のように行った。

「急峻性」
製造したａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置に関して、実施例１と同様に、ＳＩＭＳ分析を行った。ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ（Ｄ_Ｓ）およびΔＺを求めた。

さらに、第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ_５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、水素原子＝３２．２原子％、炭素原子＝１１．９原子％、ケイ素原子＝５５．９原子％であった。

次に、実施例１の手順に倣い、本実施例のａ−Ｓｉ感光体の製造時と同様に、基準積層膜Ａ（膜Ａ_１と膜Ａ_２）を作製し、ａ−Ｓｉ感光体の場合と同様の条件でＳＩＭＳ分析を行った。

そして、ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ_Ｓ（Ｄ_Ｓ）およびΔＺ_０を求めた。
その結果、ΔＺ／ΔＺ_０＝３．０であった。

得られた結果を表４に示す。

〈実施例３〉
表１に示す条件を表６に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様の手順で、ａ−Ｓｉ感光体を製造した。

ただし、本実施例では、上部電荷注入阻止部分１０８の形成に関して、以下のように行った。

変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ_４の流量が９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ_４の流量が５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、Ｂ_２Ｈ_６を６０秒間かけて反応容器７１１０内へ導入し、その導入量（流量）はＳｉＨ_４に対して０ｐｐｍから２００ｐｐｍに増加させた。その後、Ｂ_２Ｈ_６の流量をＳｉＨ_４に対して２００ｐｐｍを維持して堆積膜を形成した。その後、変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ_４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ_４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、Ｂ_２Ｈ_６の流入バルブ７２４５および流出バルブ７２５５を直ちに閉じ、反応容器７１１０内へのＢ_２Ｈ_６の導入を停止した。

反応容器７１１０内へのＢ_２Ｈ_６の導入の停止とともに、Ｈ_２を、Ｂ_２Ｈ_６の流量と同等の流量で反応容器７１１０内へ導入した。
その後、引き続き、変化領域１０６の形成を行った。

製造したａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に、「帯電能」および「光感度」の評価を行った。また、「急峻性」に関しては、以下のように行った。

「急峻性」
製造したａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置に関して、実施例１と同様に、ＳＩＭＳ分析を行った。ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ（Ｄ_Ｓ）およびΔＺを求めた。

さらに、第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ_５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、水素原子＝３３．２原子％、炭素原子＝１１．４原子％、ケイ素原子＝５６．３原子であった。

次に、実施例１の手順に倣い、本実施例のａ−Ｓｉ感光体の製造時と同様に、基準積層膜Ａ（膜Ａ_１と膜Ａ_２）を作製し、ａ−Ｓｉ感光体の場合と同様の条件でＳＩＭＳ分析を行った。

そして、ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ_Ｓ（Ｄ_Ｓ）およびΔＺ_０を求めた。
その結果、ΔＺ／ΔＺ_０＝１．６であった。

得られた結果を表４に示す。

〈比較例１〉
表１に示す条件を表７に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様の手順で、ａ−Ｓｉ感光体を製造した。

ただし、本比較例では、上部電荷注入阻止部分１０８の形成に関して、以下のように行った。

変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ_４の流量が９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ_４の流量が５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、Ｂ_２Ｈ_６を６０秒間かけて反応容器７１１０内へ導入し、その導入量（流量）はＳｉＨ_４に対して０ｐｐｍから２００ｐｐｍに増加させた。そして、Ｂ_２Ｈ_６の流量をＳｉＨ_４に対して２００ｐｐｍを維持して堆積膜を形成した。その後、変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ_４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ_４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、Ｂ_２Ｈ_６の流量を１０秒間直線的に減少させて、反応容器７１１０内へのＢ_２Ｈ_６の導入を停止した。

その後、引き続き、変化領域１０６の形成を行った。

製造したａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に、「帯電能」および「光感度」の評価を行った。また、「急峻性」に関しては、以下のように行った。

「急峻性」
製造したａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置に関して、実施例１と同様に、ＳＩＭＳ分析を行った。ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ（Ｄ_Ｓ）およびΔＺを求めた。

さらに、第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ_５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、水素原子＝３５．０原子％、炭素原子＝１２．９原子％、ケイ素原子＝５２．３原子であった。

次に、実施例１の手順に倣い、本比較例のａ−Ｓｉ感光体の製造時と同様に、基準積層膜Ａ（膜Ａ_１と膜Ａ_２）を作製し、ａ−Ｓｉ感光体の場合と同様の条件でＳＩＭＳ分析を行った。

そして、ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ_Ｓ（Ｄ_Ｓ）およびΔＺ_０を求めた。
その結果、ΔＺ／ΔＺ_０＝５．１であった。

得られた結果を表４に示す。

なお、比較例１の帯電能に係る暗部電位は−４２５Ｖであり、光感度に係るレーザーの光量は０．４５μＪ／ｃｍ^２であった。

〈比較例２〉
表１に示す条件を特開２００２−２３６３７９号報に記載の実施例１で採用されている条件に変更した以外は、実施例１と同様の手順で、ａ−Ｓｉ感光体を製造した。ただし、基体は、特開２００２−２３６３７９号報に記載の実施例１で採用されているものではなく、実施例１と同様のものを用いた。

製造したａ−Ｓｉ感光体に関して、本発明の実施例１と同様に、「帯電能」および「光感度」の評価を行った。また、「急峻性」に関しては、以下のように行った。

「急峻性」
製造したａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置に関して、実施例１と同様に、ＳＩＭＳ分析を行った。ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ（Ｄ_Ｓ）およびΔＺを求めた。

さらに、第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ_５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、水素原子＝４０．７原子％、炭素原子＝１７．６原子％、ケイ素原子＝４１．６原子％であった。

次に、実施例１の手順に倣い、本比較例のａ−Ｓｉ感光体の製造時と同様に、基準積層膜Ａ（膜Ａ_１と膜Ａ_２）を作製し、ａ−Ｓｉ感光体の場合と同様の条件でＳＩＭＳ分析を行った。なお、膜Ａ_１には、ホウ素原子をケイ素原子に対して３５００ｐｐｍ含有させた。ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ（Ｄ_Ｓ）およびΔＺを求めた。

基準積層膜Ａにおける水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、基準積層膜Ａ（膜Ａ_１と膜Ａ_２）とも、水素原子＝４１．０原子％、炭素原子＝１５．６原子％、ケイ素原子＝４３．３原子％であった。つまり、上記のａ−Ｓｉ感光体において第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ_５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成と同等であった。

そして、ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ_Ｓ（Ｄ_Ｓ）およびΔＺ_０を求めた。
その結果、ΔＺ／ΔＺ_０＝８．５であった。

得られた結果を表４に示す。

表４から明らかなように、表面側部分１０９と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布の急峻性に関して、下記式（Ａ７）で示される関係を満たすようにすることで、ａ−Ｓｉ感光体の帯電能（負帯電時の帯電能）および光感度が向上することがわかった。

１．０≦ΔＺ／ΔＺ_０≦３．０ ・・・ （Ａ７）
ａ−Ｓｉ感光体の光感度が向上する理由は、ａ−Ｓｉ感光体の帯電能（負帯電時の帯電能）が向上すると、ａ−Ｓｉ感光体の表面電位を所定の値にするのに必要な電荷（負電荷）の量が少なくなる。上述の光感度の評価においては、感光体の表面電位が−４５０Ｖ（暗部電位）になるように帯電装置（一次帯電装置）の電流値を調整している。このときの電流値が少なくなり、感光体の表面に供給する電荷（負電荷）の量が少なくても、感光体の表面電位を所定の値にすることができるようになる。

そのため、次に、感光体の表面電位を−５０Ｖ（明部電位）とするために必要となる光キャリアの生成量も少なくてすむようになる。つまり、照射するレーザーの光量が少なくてすむようになる、つまり、感光体の光感度が向上すると考えられる。

実施例２よりも実施例３のほうが、表面側部分１０９と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布の急峻性が向上し、ａ−Ｓｉ感光体の帯電能および光感度が向上している。

この理由は、以下のように考えられる。

実施例２では、Ｂ_２Ｈ_６の流入バルブ７２４５および流出バルブ７２５５を直ちに閉じ、反応容器７１１０内へのＢ_２Ｈ_６の導入を停止している。その結果、反応容器７１１０内の圧力に変動が生じる場合がある。その影響で、上記第１３族原子の急峻性が低下する場合があると考えられる。

一方、実施例３では、反応容器７１１０内へのＢ_２Ｈ_６の導入を停止するとともに、Ｂ_２Ｈ_６の流量と同等の流量のＨ_２を反応容器７１１０内へ導入したため、反応容器７１１０内の圧力の変動が抑制され、その結果、上記第１３族原子の急峻性が向上していると考えられる。

さらに、実施例２および３よりも実施例１のほうが、表面側部分１０９と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布の急峻性が向上し、ａ−Ｓｉ感光体の帯電能および光感度が向上している。

この理由は、以下のように考えられる。

実施例２および実施例３では、Ｂ_２Ｈ_６の流入バルブ７２４５および流出バルブ７２５５を直ちに閉じ、反応容器７１１０内へのＢ_２Ｈ_６の導入を停止している。

しかしながら、流入バルブ７２４５から反応容器７１１０までの配管内および反応容器７１１０から流出バルブ７２５５までの配管内には、流入バルブ７２４５および流出バルブ７２５５を閉じてもなお、Ｂ_２Ｈ_６が残留していると考えられる。その残留しているＢ_２Ｈ_６は、流入バルブ７２４５および流出バルブ７２５５を閉じた後でも、反応容器７１１０内に流入しうる。その間、高周波電力は供給されているので、堆積膜の形成が継続される。

一方、実施例１では、まず、反応容器７１１０内へ導入する高周波電力を停止し、その後、すべての原料ガスの反応容器７１１０内への導入を停止している。その後、反応容器７１１０内をＡｒで５回のパージを行った後、堆積膜の形成を再開している。つまり、反応容器７１１０内へ導入する高周波電力を停止することで、堆積膜の形成が停止し、その状態で、原料ガスの入れ替えが行っているので、上記第１３族原子の急峻性が向上していると考えられる。

〈実施例４〉
実施例１と同様の手順で、ａ−Ｓｉ感光体を製造した。

ただし、本実施例では、上部電荷注入阻止部分１０８の形成に関して、以下のように行った。

変化領域１０６内の上部電荷注入阻止部分１０８を形成する位置を、変化領域１０６内の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．００〜０．１０である位置、０．１０〜０．２０である位置、０．２０〜０．３０である位置、０．２５〜０．３５である位置、０．３０〜０．４０である位置と変更して上部電荷注入阻止部分１０８を形成した。

また、いずれの位置に上部電荷注入阻止部分１０８を形成する場合おいても、上部電荷注入阻止部分１０８の形成の終了（Ｂ_２Ｈ_６の反応容器７１１０内への導入の終了）は、上部電荷注入阻止部分１０８の形成の終了した時点で、実施例１と同様に、高周波電源７１２０の電源を直ちにＯＦＦにし、反応容器７１１０内へ導入する高周波電力を停止した。その後、すべての原料ガス（Ｂ_２Ｈ_６を含む）の反応容器７１１０内への導入を停止した。

反応容器７１１０内へ導入するＢ_２Ｈ_６の流量は、各条件であらかじめ帯電能が最大となるよう調整し、以下のような流量で実施した。

変化領域１０６内の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．００〜０．１０である位置に上部電荷注入阻止部分１０８を形成する場合、ＳｉＨ_４に対して１００ｐｐｍ。

変化領域１０６内の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．１０〜０．２０である位置に上部電荷注入阻止部分１０８を形成する場合、ＳｉＨ_４に対して２００ｐｐｍ。

変化領域１０６内の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．２０〜０．３０である位置に上部電荷注入阻止部分１０８を形成する場合、ＳｉＨ_４に対して５００ｐｐｍ。

変化領域１０６内の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．２５〜３５である位置に上部電荷注入阻止部分１０８を形成する場合、ＳｉＨ_４に対して８００ｐｐｍ。

変化領域１０６内の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．３０〜４０である位置に上部電荷注入阻止部分１０８を形成する場合、ＳｉＨ_４に対して１０００ｐｐｍ。

その後、反応容器７１１０内をＡｒで５回のパージを行った。

その後、ＳｉＨ_４の流量を７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定し、ＣＨ_４の流量を７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定し、ＳｉＨ_４およびＣＨ_４の流量および内圧（反応容器７１１０内の圧力）が安定したところで、反応容器７１１０内への高周波電力の導入を再開し、再び変化領域１０６の形成を開始した。

製造したａ−Ｓｉ感光体のそれぞれに関して、実施例１と同様に、「帯電能」および「光感度」の評価を行った。また、「急峻性」に関しては、以下のように行った。
「急峻性」
製造したａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置に関して、実施例１と同様に、ＳＩＭＳ分析を行った。ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ（Ｄ_Ｓ）およびΔＺを求めた。

次に、実施例１の手順に倣い、本実施例のａ−Ｓｉ感光体の製造時と同様に、基準積層膜Ａ（膜Ａ_１と膜Ａ_２）を作製し、ａ−Ｓｉ感光体の場合と同様の条件でＳＩＭＳ分析を行った。

そして、ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ_Ｓ（Ｄ_Ｓ）およびΔＺ_０を求めた。

得られた結果を表８に示す

表８から明らかなように、上部電荷注入阻止部分１０８を設ける位置は、変化領域１０６内の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．００を超え０．３０以下の部分に設けるほうが、０．３０を超える部分に設けるよりも帯電能（負帯電時の帯電能）が向上することがわかった。

この理由は、以下のように考えられる。

上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．３０を超えると、第１３族原子を含有させる（ドーピングする）効率が低下する。その結果、上部電荷注入阻止部分１０８に第１３族原子を多く含有させても、上部電荷注入阻止部分１０８が、感光体１００の表面から光導電層１０４への電荷（負電荷）の注入を効果的に阻止することができなくなる場合がある。そのため、表面側領域１０７と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布の急峻性を高めても、ａ−Ｓｉ感光体の帯電能（負帯電時の帯電能）が顕著に向上しない場合があると考えられる。

また、表８より、様々な上部電荷注入阻止部分１０８であっても、それぞれに対応する基準積層膜Ａを用い、表面側領域１０７と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子のイオン強度の分布の急峻性を評価し、上記式（Ａ７）で示される関係を満たすようにすることで、ａ−Ｓｉ感光体の帯電能（負帯電時の帯電能）が向上することがわかった。

〈実施例５〉
表１に示す条件を表９に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様の手順で、ａ−Ｓｉ感光体を製造した。

ただし、本実施例では、上部電荷注入阻止部分１０８の形成に関して、以下のように行った。

変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ_４の流量が９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ_４の流量が５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、高周波電源７１２０の電源を直ちにＯＦＦにし、反応容器７１１０内へ導入する高周波電力を停止した。

その後、すべての原料ガスの反応容器７１１０内への導入を停止し、反応容器７１１０内をＡｒで５回のパージを行った。

その後、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ_４の流量を９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定し、ＣＨ_４の流量を５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定し、Ｂ_２Ｈ_６の流量をＳｉＨ_４に対して２００ｐｐｍに設定し、ＳｉＨ_４、ＣＨ_４およびＢ_２Ｈ_６の流量および内圧（反応容器７１１０内の圧力）が安定したところで、反応容器７１１０内への高周波電力の導入を再開し、再び変化領域１０６の形成を開始した。

その後、Ｂ_２Ｈ_６の流量をＳｉＨ_４に対して２００ｐｐｍを維持して堆積膜を形成した。

その後、変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ_４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ_４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、高周波電源７１２０の電源を直ちにＯＦＦにし、反応容器７１１０内へ導入する高周波電力を停止した。

その後、すべての原料ガスの反応容器７１１０内への導入を停止し、反応容器７１１０内をＡｒで５回のパージを行った。

その後、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ_４の流量を７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定し、ＣＨ_４の流量を７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定し、ＳｉＨ_４およびＣＨ_４の流量および内圧（反応容器７１１０内の圧力）が安定したところで、反応容器７１１０内への高周波電力の導入を再開し、再び変化領域１０６の形成を開始した。

製造したａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に、「帯電能」および「光感度」の評価を行った。また、「急峻性」に関しては、表面層１０５（内の変化領域１０６内の上部電荷注入阻止部分１０８）と光導電層１０４との境界部（界面）における第１３族原子の分布の急峻性ΔＹを以下のように評価した。

「急峻性」
製造したａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置に関して、実施例１と同様に、ＳＩＭＳ分析を行った。ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｇ（Ｅ_Ｓ）およびΔＹを求めた。

さらに、第１３族原子のイオン強度がｇ（Ｅ_５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、水素原子＝１９．４原子％、炭素原子＝８．６原子％、ケイ素原子＝７１．９原子％であった。

次に、実施例１の手順に倣い、本実施例のａ−Ｓｉ感光体の製造時と同様に、基準積層膜Ｂ（膜Ｂ_１と膜Ｂ_２）を作製した。

すなわち、ａ−Ｓｉ感光体の製造時と同様に、図７に示す堆積膜形成装置７０００を用い、表１１に示す条件で、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍのアルミニウム製の円筒状の導電性基体（基体）７１１２の表面に基準積層膜Ｂ（膜Ｂ_１と膜Ｂ_２）を作製した。

具体的には、膜Ｂ_１を形成した後、高周波電源７１２０の電源を直ちにＯＦＦにし、反応容器７１１０内へ導入する高周波電力を停止した。

その後、すべての原料ガス反応容器７１１０内への導入を停止し、反応容器７１１０内をＡｒで５回のパージを行った。

その後、表１１に示すように、膜Ｂ_２形成用の原料ガスを反応容器７１１０内に導入し、原料ガスの流量および内圧（反応容器７１１０内の圧力）が安定したところで、反応容器７１１０内へ高周波電力を導入し、膜Ｂ_１上に膜Ｂ_２を形成した。

作製した基準積層膜Ｂに対して、上述のａ−Ｓｉ感光体の場合と同様の条件でＳＩＭＳ分析を行った。

基準積層膜Ｂにおける水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、基準積層膜Ｂ（膜Ｂ_１と膜Ｂ_２）とも、水素原子＝１９．６原子％、炭素原子＝９．０原子％、ケイ素原子＝７１．４原子％であった。つまり、上記のａ−Ｓｉ感光体において第１３族原子のイオン強度がｇ（Ｅ_５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成と同等であった。

そして、ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｇ_Ｓ（Ｅ_ＳＳ）およびΔＹ_０を求めた。

その結果、ΔＹ／ΔＹ_０＝１．０であった。

なお、本実施例に関して、ΔＺ／ΔＺ_０を実施例１に倣って求めたところ、ΔＺ／ΔＺ_０＝１．０であった。また、実施例１に関して、ΔＹ／ΔＹ_０を本実施例に倣って求めたところ、ΔＹ／ΔＹ_０＝９．５であった。

得られた結果を表１２に示す。

〈実施例６〉
表１に示す条件を表１０に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様の手順で、ａ−Ｓｉ感光体を製造した。

ただし、本実施例では、上部電荷注入阻止部分１０８の形成に関して、以下のように行った。

変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ_４の流量が９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ_４の流量が５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、マスフローコントローラーを用いて、反応容器７１１０内へ導入するＢ_２Ｈ_６の流量をＳｉＨ_４に対して２００ｐｐｍになるように急激に増加させた。

その後、Ｂ_２Ｈ_６の流量をＳｉＨ_４に対して２００ｐｐｍを維持して堆積膜を形成した。

その後、変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ_４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ_４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、高周波電源７１２０の電源を直ちにＯＦＦにし、反応容器７１１０内へ導入する高周波電力を停止した。

その後、すべての原料ガスの反応容器７１１０内への導入を停止し、反応容器７１１０内をＡｒで５回のパージを行った。

その後、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ_４の流量を９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定し、ＣＨ_４の流量を５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定し、ＳｉＨ_４およびＣＨ_４の流量および内圧（反応容器７１１０内の圧力）が安定したところで、反応容器７１１０内への高周波電力の導入を再開し、再び変化領域１０６の形成を開始した。

製造したａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例５と同様に、「帯電能」および「光感度」の評価を行った。また、「急峻性」に関しては、以下のように行った。

「急峻性」
製造したａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置に関して、実施例５と同様に、ＳＩＭＳ分析を行った。ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｇ（Ｅ_Ｓ）およびΔＹを求めた。

さらに、第１３族原子のイオン強度がｇ（Ｅ_５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、水素原子＝１９．４原子％、炭素原子＝８．８原子％、ケイ素原子＝７１．７原子であった。

次に、実施例５の手順に倣い、本実施例のａ−Ｓｉ感光体の製造時と同様に、基準積層膜Ｂ（膜Ｂ_１と膜Ｂ_２）を作製し、ａ−Ｓｉ感光体の場合と同様の条件でＳＩＭＳ分析を行った。

そして、ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｇ_Ｓ（Ｅ_ＳＳ）およびΔＹ_０を求めた。

その結果、ΔＹ／ΔＹ_０＝２．８であった。

なお、本実施例に関して、ΔＺ／ΔＺ_０を実施例１に倣って求めたところ、ΔＺ／ΔＺ_０＝１．０であった。

得られた結果を表１２に示す。

表１２から明らかなように、表面層１０５（内の変化領域１０６内の上部電荷注入阻止部分１０８）と光導電層１０４との境界部（界面）における第１３族原子の分布の急峻性を下記式（Ｂ７）で示される関係を満たすようにすることで、ａ−Ｓｉ感光体の帯電能（負帯電時の帯電能）が向上することがわかった。
１．０≦ΔＹ／ΔＹ_０≦３．０ ・・・ （Ｂ７）

１００ 電子写真感光体
１０２ 基体
１０３ 下部電荷注入阻止層
１０４ 光導電層
１０５ 表面層
１０６ 変化領域
１０７ 表面側領域
１０８ 上部電荷注入阻止部分
１０９ 表面側部分
１１０ 光導電層側部分
７０００ 堆積膜形成装置
７１００ 堆積装置
７１１０ 反応容器
７１１１ カソード電極
７１１２ 基体
７１１３ 加熱用ヒーター
７１１４ 原料ガス導入管
７１１５ 高周波マッチングボックス
７１１８ メインバルブ
７１１９ 真空計
７１２０ 高周波電源
７１２３ 受け台
７２００ 原料ガス供給装置
７２６０ 補助バルブ
７２１１〜７２１５ マスフローコントローラー
７２２１〜７２２５ 原料ガスボンベ
７２３１〜７２３５ バルブ
７２４１〜７２４５ 流入バルブ
７２５１〜７２５５ 流出バルブ
７２６１〜７２６５ 圧力調整器
８００ 電子写真装置
８０１ 電子写真感光体
８０２ 帯電装置（一次帯電装置）
８０３ 画像露光光
８０４ａ 第１現像装置
８０４ｂ 第２現像装置
８０５ 転写前帯電装置
８０６ 中間転写ベルト
８０７ クリーニングブレード
８０８ 前露光装置
８０９ 一次転写ローラー
８１０ 二次転写ローラー
８１１ 中間転写ベルト
８１２ 転写材
８１３ 給紙カセット
８１４ 定着装置
８１５ ヒーター

Claims (12)

1. 導電性基体と、前記導電性基体上の水素化アモルファスシリコンで構成された光導電層と、前記光導電層上の水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された表面層とを有する負帯電用の電子写真感光体において、
   前記表面層が、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が前記光導電層側から前記電子写真感光体の表面側に向かって漸増している変化領域を有し、
   前記変化領域が、第１３族原子を含有する上部電荷注入阻止部分と、前記上部電荷注入阻止部分よりも前記電子写真感光体の表面側に位置し、第１３族原子を含有しない表面側部分とを有し、
   前記表面側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布の急峻性を以下の評価方法Ａで評価したとき、下記式（Ａ７）で示される関係を満たすことを特徴とする電子写真感光体。
   ［第１３族原子の分布の急峻性の評価方法Ａ］
   （Ａ１）前記電子写真感光体の表面からＳＩＭＳ分析によってデプスプロファイルを得る。
   （Ａ２）前記デプスプロファイルにおいて、前記電子写真感光体の表面からの距離をＤとし、距離Ｄにおける第１３族原子のイオン強度を距離Ｄの関数ｆ（Ｄ）で表し、ｆ（Ｄ）の最大値をｆ（Ｄ_ＭＡＸ）で表し、ｆ（Ｄ）の二階微分をｆ”（Ｄ）で表し、前記光導電層に向かってＤを増加させていき、ｆ”（Ｄ）＝０からｆ”（Ｄ）＜０になる箇所の該電子写真感光体の表面からの距離をＤ_Ａとし、その後にｆ”（Ｄ）＜０からｆ”（Ｄ）＝０になる箇所の該電子写真感光体の表面からの距離をＤ_Ｂとする。
   （Ａ３）ｆ（（Ｄ_Ａ＋Ｄ_Ｂ）／２）≧ｆ（Ｄ_ＭＡＸ）×０．５を満たす距離Ｄのうち、前記上部電荷注入阻止部分を電子写真感光体の表面から見て最初の距離をＤ_Ｓとし、距離Ｄ_Ｓにおける第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）を基準イオン強度ｆ（Ｄ_Ｓ）とする。
   （Ａ４）前記基準イオン強度ｆ（Ｄ_Ｓ）を１００％としたとき、前記電子写真感光体の表面から見て、前記表面側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子のイオン強度が１６％から８４％となる前記境界部の厚さ方向の長さを急峻性ΔＺとする。
   （Ａ５）前記上部電荷注入阻止部分に対応する組成を有する膜Ａ_１と前記表面側部分に対応する組成を有する膜Ａ_２とをこの順に積層してなる基準積層膜Ａを作製する。
   （Ａ６）前記基準積層膜Ａに対して、前記膜Ａ_２の表面を前記基準積層膜Ａの表面とし、前記（Ａ１）〜（Ａ４）と同様の方法で、前記基準積層膜Ａの前記膜Ａ_２と前記膜Ａ_１との境界部における急峻性ΔＺ_０を求める。
   （Ａ７）１．０≦ΔＺ／ΔＺ_０≦３．０ ・・・ （Ａ７）
2. 前記上部電荷注入阻止部分が、前記変化領域内のケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）の和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．００を超え０．３０以下の部分に設けられている請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 前記上部電荷注入阻止部分が前記表面層内の最も前記光導電層側の部分である場合の前記上部電荷注入阻止部分と前記光導電層との境界部、あるいは、前記変化領域が前記上部電荷注入阻止部分よりも前記光導電層側に位置する光導電層側部分を有する場合の前記上部電荷注入阻止部分と前記光導電層側部分との境界部に関して、該境界部における第１３族原子の分布の急峻性を以下の評価方法Ｂで評価したとき、下記式（Ｂ７）で示される関係を満たす請求項１または２に記載の電子写真感光体。
   ［第１３族原子の分布の急峻性の評価方法Ｂ］
   （Ｂ１）前記電子写真感光体の表面からＳＩＭＳ分析によってデプスプロファイルを得る。
   （Ｂ２）前記デプスプロファイルにおいて、前記光導電層もしくは前記光導電層側部分と前記上部電荷注入阻止部分の境界部からの距離をＥとし、距離Ｅにおける第１３族原子のイオン強度を距離Ｅの関数ｇ（Ｅ）で表し、ｇ（Ｅ）の二階微分をｇ”（Ｅ）で表し、ｇ（Ｅ）の最大値をｇ（Ｅ_ＭＡＸ）で表し、前記電子写真感光体の表面に向かってＥを増加させていき、ｇ”（Ｅ）＝０からｇ”（Ｅ）＜０になる箇所の前記光導電層もしくは前記光導電層側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部からの距離をＥ_Ａとし、ｇ”（Ｅ）＜０からｇ”（Ｅ）＝０になる箇所の前記光導電層もしくは前記光導電層側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部からの距離をＥ_Ｂとする。
   （Ｂ３）ｇ（（Ｅ_Ａ＋Ｅ_Ｂ）／２）≧ｇ（Ｅ_ＭＡＸ）×０．５を満たす距離Ｅのうち、前記上部電荷注入阻止部分を前記光導電層もしくは前記光導電層側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部から見て最初の距離をＥ_Ｓとし、距離Ｅ_Ｓにおける第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）を基準イオン強度ｇ（Ｅ_Ｓ）とする。
   （Ｂ４）前記基準イオン強度ｇ（Ｅ_Ｓ）を１００％としたとき、前記光導電層もしくは前記光導電層側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部から見て、前記光導電層もしくは前記光導電層側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子のイオン強度が１６％から８４％となる前記境界部の厚さ方向の長さを急峻性ΔＹとする。
   （Ｂ５）前記光導電層もしくは前記光導電層側部分に対応する組成を有する膜Ｂ_１と前記上部電荷注入阻止部分に対応する組成を有する膜Ｂ_２とをこの順に積層してなる基準積層膜Ｂを作製する。
   （Ｂ６）前記基準積層膜Ｂに対して、前記膜Ｂ_２の表面を前記基準積層膜Ｂの表面とし、前記（Ｂ１）〜（Ｂ４）と同様の方法で、前記基準積層膜Ｂの前記膜Ｂ_２と前記膜Ｂ_１との境界部における急峻性ΔＹ_０を求める。
   （Ｂ７）１．０≦ΔＹ／ΔＹ_０≦３．０ ・・・ （Ｂ７）
4. 前記第１３族原子が、ホウ素原子である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
5. 前記電子写真感光体が、前記導電性基体と前記光導電層との間に下部電荷注入阻止層を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
6. 前記下部電荷注入阻止層が、水素化アモルファスシリコンで構成された層である請求項５に記載の電子写真感光体。
7. 前記下部電荷注入阻止層が、第１５族原子を含有する請求項５または６に記載の電子写真感光体。
8. 前記第１５族原子が、窒素原子である請求項７に記載の電子写真感光体。
9. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体を製造する方法であって、
   減圧可能な反応容器の内部に前記導電性基体を設置し、前記反応容器の内部に原料ガスを導入し、前記反応容器の内部に高周波電力を導入し、前記原料ガスを励起させ、前記導電性基体上に前記光導電層および前記表面層をこの順に形成する電子写真感光体の製造方法であって、
   前記表面層内の前記変化領域を形成する工程において、
   前記上部電荷注入阻止部分を形成するための原料ガスを前記反応容器の内部に導入し、前記反応容器の内部に高周波電力を導入し、前記上部電荷注入阻止部分を形成し、
   その後、前記上部電荷注入阻止部分を形成するための原料ガスの前記反応容器の内部への導入、および、前記高周波電力の前記反応容器の内部への導入を停止し、
   その後、前記上部電荷注入阻止部分を形成するための原料ガスのうち、第１３族原子供給用の原料ガスの前記反応容器の内部への導入は停止したまま、その他の原料ガスを前記停止する前の流量と同じ流量で前記反応容器の内部に導入し、前記高周波電力を前記停止する前の値と同じ値で前記反応容器の内部に導入し、前記表面側部分を形成する
   ことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
10. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体を製造する方法であって、
    減圧可能な反応容器の内部に前記導電性基体を設置し、前記反応容器の内部に原料ガスを導入し、前記反応容器の内部に高周波電力を導入し、前記原料ガスを励起させ、前記導電性基体上に前記光導電層および前記表面層をこの順に形成する電子写真感光体の製造方法であって、
    前記表面層内の前記変化領域を形成する工程において、
    前記上部電荷注入阻止部分を形成するための原料ガスを前記反応容器の内部に導入し、前記反応容器の内部に高周波電力を導入し、前記上部電荷注入阻止部分を形成し、
    その後、前記上部電荷注入阻止部分を形成するための原料ガスのうち、第１３族原子供給用の原料ガスの前記反応容器の内部への導入を直ちに停止し、その他の原料ガスの前記反応容器の内部への導入、および、前記高周波電力の前記反応容器の内部への導入はそのまま続け、前記表面側部分を形成する
    ことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
11. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体を製造する方法であって、
    減圧可能な反応容器の内部に前記導電性基体を設置し、前記反応容器の内部に原料ガスを導入し、前記反応容器の内部に高周波電力を導入し、前記原料ガスを励起させ、前記導電性基体上に前記光導電層および前記表面層をこの順に形成する電子写真感光体の製造方法であって、
    前記表面層内の前記変化領域を形成する工程において、
    前記上部電荷注入阻止部分を形成するための原料ガスを前記反応容器の内部に導入し、前記反応容器の内部に高周波電力を導入し、前記上部電荷注入阻止部分を形成し、
    その後、前記上部電荷注入阻止部分を形成するための原料ガスのうち、第１３族原子供給用の原料ガスの前記反応容器の内部への導入を直ちに停止し、その他の原料ガスの前記反応容器の内部への導入、および、前記高周波電力の前記反応容器の内部への導入はそのまま続け、かつ、前記停止する前の第１３族原子供給用の原料ガスの流量と同じ流量の水素を前記反応容器の内部に導入し、前記表面側部分を形成する
    ことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
12. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電装置、画像露光装置、現像装置および転写装置を有する電子写真装置。

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