JP6065943B2 - 露光装置、露光方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
δ=±k2・λ/NA2 … (2)
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1、k2はプロセス係数である。(1)式、(2)式より、解像度Rを高めるために、露光波長λを短くして、開口数NAを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。
れた基板のそれぞれに対して液浸露光を円滑に行うことができる露光装置並びにデバイス製造方法を提供することを目的とする。特に、本発明は基板上に形成される種々の膜部材に最適化した液浸条件の下で液浸露光を実現することができる露光装置並びにデバイス製造方法を提供することを目的とする。
動鏡55に対向する位置にはレーザ干渉計56が設けられている。基板ステージPST上の基板Pの2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計56によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTはレーザ干渉計56の計測結果に基づいて基板ステージ駆動装置PSTDを介してXYステージ53を駆動することで基板ステージPSTに支持されている基板PのX軸方向及びY軸方向における位置決めを行う。
第1、第2液体回収部33、34とを備えている。回収管33Aは複数の第1回収部材31のそれぞれに接続され、回収管34Aも複数の第2回収部材32のそれぞれに接続されているが、図2ではその図示を一部省略している。複数の第1回収部材31は、投影領域AR1の−X側において、略円弧状に配置されており、その回収口31Aを基板Pの表面に向くように配置されている。また、複数の第2回収部材32は、投影領域AR2の+X側において、略円弧状に配置されており、その回収口32Aを基板Pの表面に向くように配置されている。そして、これら複数の第1、第2回収部材31、32は、液体供給機構10の第1、第2供給部材13、14、及び投影領域AR1を取り囲むように配置されている。
くする。こうすることにより、基板P(膜部材SP)表面に対して液体1を良好に濡れ拡がらせることができ、液浸領域AR2を円滑に形成できる。また、膜部材SPが撥液性を有する場合、走査露光のために基板Pを走査移動すると、液体1が基板P(膜部材SP)に対して剥離を生じやすくなるが、液体供給量を多くすることで、液体1の剥離の発生を抑えることができる。
供給する場合には、液体供給機構10は、その液体供給位置を投影光学系PLの投影領域AR1に近い位置に、すなわち、液体供給位置の投影光学系PLの投影領域AR1に対する距離を短くすることにより、液体1の外側への漏洩を抑えることができる。
もに、その供給位置を投影光学系PLの投影領域AR1より離れた位置に設定して液浸領域AR2を大きくし、剥離の発生を抑えることができる。同様に、基板Pの走査速度(あるいは加速度)が高速化するに従い、基板P上の液体1を回収しづらくなるので、液体回収機構30による液体回収力を増大するとともに、この回収位置を投影光学系PLの投影領域AR1から離れた位置に設定して、液体1の流れの勢いが低減された位置で液体1を回収することで、液体1を円滑に回収することができる。
親和性)に基づいて、基板Pの移動条件(例えば、走査露光における基板Pの速度又は加速度又はその両方)を決定するようにしてもよい。例えば、膜部材SPの液体1に対する親和性が比較的高い場合には、走査露光における基板Pの速度や加速度を大きくする。膜部材SPと液体1との親和性が比較的高い場合には、液体1が基板P上で濡れ拡がりやすいため、基板Pの速度や加速度を大きくしても液浸領域AR2を円滑に形成することができる。逆に、膜部材SPの液体1に対する親和性が比較的低い場合には、走査露光における基板Pの速度や加速度を小さくする。膜部材SPの液体1に対する親和性が比較的低い場合には、液体1が基板P上で濡れ拡がりにくいため、基板Pの速度や加速度を大きくしすぎると液体1の剥離などが生じて、投影光学系PLと基板Pとの間を液体1で十分に満たせない可能性があるからである。
給位置及び液体回収位置の変更を行っているが、図7に示すように、供給部材及び回収部材の一部をフレキシブルチューブ80で構成し、このチューブ80を曲げることで、図7(a)、(b)に示すように、その供給位置及び回収位置を変更するようにしてもよい。
ダー油)を用いることも可能である。この場合も表面処理は用いる液体1の極性に応じて行われる。
レーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。
相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
Claims (26)
- 液体を介して照明光で基板を露光する液浸露光装置であって、
前記照明光でマスクを照明する照明光学系と、
前記液体と接するレンズを含む複数の光学素子を有し、前記複数の光学素子の少なくとも一部の移動によって結像特性が調整可能な投影光学系と、
前記マスクを保持し、前記投影光学系の上方で移動可能なマスクステージと、
前記レンズの周囲に設けられ、前記液体によって前記投影光学系の下に液浸領域を形成する液浸部材と、
前記基板を保持し、前記投影光学系の下方で移動可能な基板ステージと、
前記基板の露光中、前記照明光が照射される照明領域に対して前記マスクが相対移動するように前記マスクステージを移動するとともに、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記照明光が照射される投影領域を含むように前記投影光学系と前記基板の一部との間に形成される前記液浸領域に対して前記基板が相対移動するように前記基板ステージを移動する駆動装置と、
前記液浸領域に対する前記基板の相対移動において、前記基板と前記液浸領域の液体との接触角に関する情報に基づいて決定される速度及び加速度の少なくとも一方によって前記基板ステージが移動されるように前記駆動装置による前記基板ステージの駆動を制御する制御装置と、を備え、
前記液浸部材は、前記投影光学系の下に前記液体を供給する供給口と、前記液浸領域の液体を回収する回収口と、を有し、前記供給口が前記投影領域の外側に配置されるとともに、前記回収口が前記投影領域および前記供給口を囲むように配置され、前記基板は前記供給口および前記回収口に近接して配置される。 - 請求項1に記載の液浸露光装置において、
前記基板ステージは、前記接触角が互いに異なる表面を有する複数の基板をそれぞれ載置可能であるとともに、前記決定された速度及び加速度の少なくとも一方が前記複数の基板で異なるように移動される。 - 液体を介して照明光で基板を露光する液浸露光装置であって、
前記照明光でマスクを照明する照明光学系と、
前記液体と接するレンズを含む複数の光学素子を有し、前記複数の光学素子の少なくとも一部の移動によって結像特性が調整可能な投影光学系と、
前記マスクを保持して前記投影光学系の上方で移動可能なマスクステージと、
前記レンズの周囲に設けられ、前記液体によって前記投影光学系の下に液浸領域を形成する液浸部材と、
前記基板を保持して前記投影光学系の下方で移動可能、かつ前記液浸領域の液体との接触角が互いに異なる表面を有する複数の基板をそれぞれ載置可能な基板ステージと、
前記基板の露光中、前記照明光が照射される照明領域に対して前記マスクが相対移動するように前記マスクステージを移動するとともに、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記照明光が照射される投影領域を含むように前記投影光学系と前記基板の一部との間に形成される前記液浸領域に対して前記基板が相対移動するように前記基板ステージを移動する駆動装置と、
前記液浸領域に対する前記基板の相対移動において速度及び加速度の少なくとも一方が前記複数の基板で異なるように前記駆動装置による前記基板ステージの駆動を制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、前記基板ステージに載置される基板に応じて前記相対移動における速度及び加速度の少なくとも一方を制御し、
前記液浸部材は、前記投影光学系の下に前記液体を供給する供給口と、前記液浸領域の液体を回収する回収口と、を有し、前記供給口が前記投影領域の外側に配置されるとともに、前記回収口が前記投影領域および前記供給口を囲むように配置され、前記基板は前記供給口および前記回収口に近接して配置される。 - 請求項2又は3に記載の液浸露光装置において、
前記複数の基板のうち前記接触角が小さい基板ほど、前記速度及び加速度の少なくとも一方が高くなる。 - 請求項2〜4のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記基板ステージは、前記基板の露光動作における速度及び加速度の少なくとも一方が前記複数の基板で異なるように移動される。 - 請求項2〜5のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記複数の基板はそれぞれ走査露光が行われ、
前記基板ステージは、前記走査露光における速度及び加速度の少なくとも一方が前記複数の基板で異なるように移動される。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記基板ステージは、前記相対移動において許容される速度及び加速度の少なくとも一方が前記複数の基板で異なる。 - 請求項7に記載の液浸露光装置において、
前記基板ステージは、前記接触角が小さいほど、前記許容される速度及び加速度の少なくとも一方が高くなる。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記接触角に関する情報は、前記液体と接する、前記基板の膜部材に関する情報を含み、
前記膜部材は、前記基板のフォトレジスト層または保護層として設けられる。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記相対移動における速度及び加速度の少なくとも一方、または前記接触角に関する情報によって、前記液浸領域を形成するための液浸条件が異なる。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記基板ステージはその上面の一部に配置され、前記基板を保持するホルダを有し、前記基板の表面が前記基板ステージの上面とほぼ同一面となるように前記ホルダで前記基板を保持する。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載の液浸露光装置において、
前記液浸部材はその一部が前記投影光学系の光軸と直交する方向に可動である。 - 請求項1〜12のいずれか一項に記載の液浸露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
- 液体を介して照明光で基板を露光する液浸露光方法であって、
前記液体と接するレンズを含む複数の光学素子を有し、前記複数の光学素子の少なくとも一部の移動によって結像特性が調整可能な投影光学系の上方で、照明光学系を介して前記照明光が照射される照明領域に対してマスクが相対移動するように前記マスクを保持するマスクステージを移動することと、
前記液体の供給口および回収口を有し、前記レンズの周囲に設けられる液浸部材によって、前記基板の露光中に前記投影光学系と前記液体とを介して前記照明光が照射される投影領域を含むように前記レンズと前記基板の一部との間に形成される液浸領域に対して前記基板が相対移動するように、前記投影光学系の下方で前記基板を保持する基板ステージを移動することと、
前記液浸領域に対する前記基板の相対移動において、前記基板と前記液浸領域の液体との接触角に関する情報に基づいて決定される速度及び加速度の少なくとも一方によって前記基板ステージが移動されるように前記基板ステージの駆動を制御することと、を含み、
前記供給口は前記投影領域の外側に配置されるとともに、前記回収口は前記投影領域および前記供給口を囲むように配置され、前記基板は前記供給口および前記回収口に近接して配置される。 - 請求項14に記載の液浸露光方法において、
前記基板ステージは、前記接触角が互いに異なる表面を有する複数の基板をそれぞれ載置可能であるとともに、前記決定された速度及び加速度の少なくとも一方が前記複数の基板で異なるように移動される。 - 液体を介して照明光で基板を露光する液浸露光方法であって、
前記液体と接するレンズを含む複数の光学素子を有し、前記複数の光学素子の少なくとも一部の移動によって結像特性が調整可能な投影光学系の上方で、照明光学系を介して前記照明光が照射される照明領域に対してマスクが相対移動するように前記マスクを保持するマスクステージを移動することと、
前記液体の供給口および回収口を有し、前記レンズの周囲に設けられる液浸部材によって、前記基板の露光中に前記投影光学系と前記液体とを介して前記照明光が照射される投影領域を含むように前記レンズと前記基板の一部との間に形成される液浸領域に対して前記基板が相対移動するように、前記基板を保持し、かつ前記液浸領域の液体との接触角が互いに異なる表面を有する複数の基板をそれぞれ載置可能な基板ステージを、前記投影光学系の下方で移動することと、
前記液浸領域に対する前記基板の相対移動において速度及び加速度の少なくとも一方が前記複数の基板で異なるように前記基板ステージの駆動を制御することと、を含み、
前記基板ステージに載置される基板に応じて前記相対移動における速度及び加速度の少なくとも一方が制御され、
前記供給口は前記投影領域の外側に配置されるとともに、前記回収口は前記投影領域および前記供給口を囲むように配置され、前記基板は前記供給口および前記回収口に近接して配置される。 - 請求項15又は16に記載の液浸露光方法において、
前記複数の基板のうち前記接触角が小さい基板ほど、前記速度及び加速度の少なくとも一方が高くなる。 - 請求項15〜17のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記基板ステージは、前記基板の露光動作における速度及び加速度の少なくとも一方が前記複数の基板で異なるように駆動される。 - 請求項18に記載の液浸露光方法において、
前記複数の基板はそれぞれ走査露光が行われ、
前記基板ステージは、前記走査露光における速度及び加速度の少なくとも一方が前記複数の基板で異なるように駆動される。 - 請求項15〜19のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記基板ステージは、前記相対移動において許容される速度及び加速度の少なくとも一方が前記複数の基板で異なる。 - 請求項20に記載の液浸露光方法において、
前記基板ステージは、前記接触角が小さいほど、前記許容される速度及び加速度の少なくとも一方が高くなる。 - 請求項14〜21のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記接触角に関する情報は、前記液体と接する、前記基板の膜部材に関する情報を含み、
前記膜部材は、前記基板のフォトレジスト層または保護層として設けられる。 - 請求項14〜22のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記相対移動における速度及び加速度の少なくとも一方、または前記接触角に関する情報によって、前記液浸領域を形成するための液浸条件が異なる。 - 請求項14〜23のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記基板はその表面が前記基板ステージの上面とほぼ同一面となるように前記基板ステージに載置される。 - 請求項14〜24のいずれか一項に記載の液浸露光方法において、
前記液浸部材はその一部が前記投影光学系の光軸と直交する方向に可動である。 - 請求項14〜25のいずれか一項に記載の液浸露光方法を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
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---|---|---|---|---|
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US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
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US7528929B2 (en) | 2003-11-14 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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DE602004027162D1 (de) | 2004-01-05 | 2010-06-24 | Nippon Kogaku Kk | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren |
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JP3870207B2 (ja) | 2004-08-05 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101264939B1 (ko) | 2004-09-17 | 2013-05-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
CN101002303B (zh) * | 2004-12-07 | 2012-05-23 | 尼康股份有限公司 | 曝光装置及元件制造方法 |
US7324185B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1879217A4 (en) | 2005-03-18 | 2010-06-09 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND EXPOSURE APPARATUS EVALUATION METHOD |
US20090047607A1 (en) * | 2005-03-31 | 2009-02-19 | Hiroyuki Nagasaka | Exposure method, exposure apparatus and device fabricating methods |
US20060232753A1 (en) | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Asml Holding N.V. | Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow |
KR101396620B1 (ko) * | 2005-04-25 | 2014-05-16 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
WO2006118108A1 (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Nikon Corporation | 露光方法、露光装置、デバイス製造方法、及び膜の評価方法 |
US7317507B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101504765B1 (ko) | 2005-05-12 | 2015-03-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
JP5045437B2 (ja) * | 2005-06-21 | 2012-10-10 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US8111374B2 (en) | 2005-09-09 | 2012-02-07 | Nikon Corporation | Analysis method, exposure method, and device manufacturing method |
KR20080068013A (ko) | 2005-11-14 | 2008-07-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 액체 회수 부재, 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조방법 |
US7864292B2 (en) | 2005-11-16 | 2011-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7804577B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7803516B2 (en) * | 2005-11-21 | 2010-09-28 | Nikon Corporation | Exposure method, device manufacturing method using the same, exposure apparatus, and substrate processing method and apparatus |
US7773195B2 (en) | 2005-11-29 | 2010-08-10 | Asml Holding N.V. | System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography |
JP4889331B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-03-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US7656502B2 (en) * | 2006-06-22 | 2010-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2008124194A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Canon Inc | 液浸露光方法および液浸露光装置 |
US8004651B2 (en) * | 2007-01-23 | 2011-08-23 | Nikon Corporation | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method |
US8398778B2 (en) | 2007-01-26 | 2013-03-19 | Lam Research Corporation | Control of bevel etch film profile using plasma exclusion zone rings larger than the wafer diameter |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
WO2009050976A1 (en) | 2007-10-16 | 2009-04-23 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
SG185313A1 (en) | 2007-10-16 | 2012-11-29 | Nikon Corp | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2009267235A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Canon Inc | 露光装置 |
JP5360057B2 (ja) | 2008-05-28 | 2013-12-04 | 株式会社ニコン | 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法 |
NL2003362A (en) * | 2008-10-16 | 2010-04-19 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US8619231B2 (en) | 2009-05-21 | 2013-12-31 | Nikon Corporation | Cleaning method, exposure method, and device manufacturing method |
US9172856B2 (en) * | 2011-03-29 | 2015-10-27 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Folded imaging path camera |
JP6171293B2 (ja) * | 2012-09-13 | 2017-08-02 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP3001732B1 (en) * | 2013-06-14 | 2019-10-30 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Cell discovery method and device |
KR102326409B1 (ko) * | 2014-02-24 | 2021-11-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 |
NL2017128A (en) * | 2015-07-16 | 2017-01-23 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus, a projection system, a last lens element, a liquid control member and a device manufacturing method |
JP6757849B2 (ja) * | 2016-09-12 | 2020-09-23 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造 |
Family Cites Families (167)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US221563A (en) * | 1879-11-11 | Arthur l | ||
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4509852A (en) * | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) * | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) * | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JP3243818B2 (ja) * | 1992-02-14 | 2002-01-07 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
US5591958A (en) | 1993-06-14 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
JPH07220990A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH1041213A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
CN1244018C (zh) | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光方法和曝光装置 |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
DE69735016T2 (de) | 1996-12-24 | 2006-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern |
JP3747566B2 (ja) * | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) * | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
AU9095798A (en) * | 1997-09-19 | 1999-04-12 | Nikon Corporation | Stage device, a scanning aligner and a scanning exposure method, and a device manufactured thereby |
US6334902B1 (en) | 1997-09-24 | 2002-01-01 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method and apparatus for removing a liquid from a surface |
JPH11176727A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
AU2747999A (en) * | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
US6995930B2 (en) * | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7187503B2 (en) * | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
JP2001338860A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法 |
TW500987B (en) * | 2000-06-14 | 2002-09-01 | Asm Lithography Bv | Method of operating an optical imaging system, lithographic projection apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
KR100866818B1 (ko) * | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
US20020080339A1 (en) * | 2000-12-25 | 2002-06-27 | Nikon Corporation | Stage apparatus, vibration control method and exposure apparatus |
WO2002091078A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6752545B2 (en) * | 2001-08-16 | 2004-06-22 | Nagase & Co., Ltd. | Alkali-based treating liquid, treating liquid adjusting method and equipment, treating liquid supplying method and equipment |
US7092069B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
DE10229818A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
DE10210899A1 (de) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
JP4261810B2 (ja) * | 2002-03-18 | 2009-04-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置、デバイス製造方法 |
US6906851B2 (en) * | 2002-05-31 | 2005-06-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophoretic display device and method of producing the same |
US7362508B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-04-22 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US6954993B1 (en) * | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US6988326B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US7093375B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
US7110081B2 (en) * | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101470360B (zh) * | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
SG2010050110A (en) * | 2002-11-12 | 2014-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3953460B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2007-08-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影装置 |
DE10253679A1 (de) * | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
SG131766A1 (en) * | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10258718A1 (de) * | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
SG150388A1 (en) * | 2002-12-10 | 2009-03-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
EP1429190B1 (en) * | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
KR101036114B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2011-05-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
EP1573730B1 (en) | 2002-12-13 | 2009-02-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer |
US6770424B2 (en) * | 2002-12-16 | 2004-08-03 | Asml Holding N.V. | Wafer track apparatus and methods for dispensing fluids with rotatable dispense arms |
US7010958B2 (en) * | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
EP1732075A3 (en) | 2002-12-19 | 2007-02-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
EP1579435B1 (en) | 2002-12-19 | 2007-06-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
US6781670B2 (en) * | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
TW200424767A (en) * | 2003-02-20 | 2004-11-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Immersion exposure process-use resist protection film forming material, composite film, and resist pattern forming method |
US7090964B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
KR101562447B1 (ko) * | 2003-02-26 | 2015-10-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US7206059B2 (en) * | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US6943941B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) * | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
JP4488004B2 (ja) * | 2003-04-09 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ流体制御システム |
KR20170064003A (ko) | 2003-04-10 | 2017-06-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
CN104597717B (zh) | 2003-04-10 | 2017-09-05 | 株式会社尼康 | 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统 |
KR101129213B1 (ko) | 2003-04-10 | 2012-03-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 액체를 수집하는 런-오프 경로 |
JP4656057B2 (ja) | 2003-04-10 | 2011-03-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子 |
KR101178756B1 (ko) | 2003-04-11 | 2012-08-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침액체를 유지하는 장치 및 방법 |
KR101508810B1 (ko) | 2003-04-11 | 2015-04-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 |
JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
JP2006523958A (ja) | 2003-04-17 | 2006-10-19 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造 |
JP4146755B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4025683B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1480065A3 (en) * | 2003-05-23 | 2006-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
EP2261742A3 (en) * | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP4243140B2 (ja) | 2003-06-11 | 2009-03-25 | 日本放送協会 | データ送信装置、データ送信プログラムおよびデータ受信装置、データ受信プログラムならびにデータ送受信方法 |
JP4084710B2 (ja) * | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4054285B2 (ja) * | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6867844B2 (en) * | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4029064B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084712B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6809794B1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
US7236232B2 (en) | 2003-07-01 | 2007-06-26 | Nikon Corporation | Using isotopically specified fluids as optical elements |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7175968B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
US7326522B2 (en) * | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
US7700267B2 (en) * | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7579135B2 (en) * | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7061578B2 (en) * | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
EP3223074A1 (en) | 2003-09-03 | 2017-09-27 | Nikon Corporation | Apparatus and method for immersion lithography for recovering fluid |
US6961186B2 (en) | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
US7369217B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
EP1524558A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7678527B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
JP2007525824A (ja) | 2003-11-05 | 2007-09-06 | ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. | マイクロチップを製造するための方法および装置 |
US7924397B2 (en) * | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
WO2005054953A2 (en) | 2003-11-24 | 2005-06-16 | Carl-Zeiss Smt Ag | Holding device for an optical element in an objective |
US7545481B2 (en) | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7125652B2 (en) * | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
KR100965330B1 (ko) | 2003-12-15 | 2010-06-22 | 칼 짜이스 에스엠티 아게 | 적어도 한 개의 액체 렌즈를 가진 마이크로리소그래피 투사대물렌즈로서의 대물렌즈 |
WO2005059617A2 (en) | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
JP5102492B2 (ja) | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
US7460206B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
US20050185269A1 (en) | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7394521B2 (en) * | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050147920A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US7088422B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4371822B2 (ja) | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050153424A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
CN102169226B (zh) | 2004-01-14 | 2014-04-23 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 反射折射投影物镜 |
KR101099847B1 (ko) | 2004-01-16 | 2011-12-27 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
DE602005019689D1 (de) | 2004-01-20 | 2010-04-15 | Zeiss Carl Smt Ag | Belichtungsvorrichtung und messeinrichtung für eine projektionslinse |
US7026259B2 (en) * | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7391501B2 (en) * | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
US8852850B2 (en) * | 2004-02-03 | 2014-10-07 | Rochester Institute Of Technology | Method of photolithography using a fluid and a system thereof |
EP1716454A1 (en) | 2004-02-09 | 2006-11-02 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
US7050146B2 (en) * | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1714192A1 (en) | 2004-02-13 | 2006-10-25 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
JP2007523383A (ja) | 2004-02-18 | 2007-08-16 | コーニング インコーポレイテッド | 深紫外光による大開口数結像のための反射屈折結像光学系 |
US20050205108A1 (en) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
US7027125B2 (en) * | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
US7084960B2 (en) * | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
US7034917B2 (en) * | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7227619B2 (en) * | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7295283B2 (en) * | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005098504A1 (en) | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
US7898642B2 (en) * | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7271878B2 (en) * | 2004-04-22 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Wafer cell for immersion lithography |
US7244665B2 (en) * | 2004-04-29 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Wafer edge ring structures and methods of formation |
US7379159B2 (en) * | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060244938A1 (en) | 2004-05-04 | 2006-11-02 | Karl-Heinz Schuster | Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
EP1747499A2 (en) | 2004-05-04 | 2007-01-31 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7091502B2 (en) * | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
KR20170129271A (ko) | 2004-05-17 | 2017-11-24 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
US7616383B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006032834A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置、露光方法及び半導体装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-05-21 TW TW102142613A patent/TW201415536A/zh unknown
- 2004-05-21 TW TW093114402A patent/TWI421906B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-05-21 TW TW104112367A patent/TWI612557B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-05-21 TW TW102126874A patent/TWI463533B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-05-21 TW TW100126336A patent/TWI421911B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-05-21 TW TW102136490A patent/TWI511181B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-05-21 TW TW103146232A patent/TW201515064A/zh unknown
- 2004-05-21 TW TW104112370A patent/TWI614794B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-05-21 TW TW102126875A patent/TWI470671B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-05-24 EP EP04734603.6A patent/EP1632991B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-24 KR KR1020147017521A patent/KR101498439B1/ko active IP Right Grant
- 2004-05-24 KR KR1020137030195A patent/KR101464098B1/ko active IP Right Grant
- 2004-05-24 EP EP14179111.1A patent/EP2816411B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-24 KR KR1020137006891A patent/KR101411799B1/ko active IP Right Grant
- 2004-05-24 EP EP17189837.2A patent/EP3279740A1/en not_active Withdrawn
- 2004-05-24 EP EP18163314.0A patent/EP3364250A1/en not_active Withdrawn
- 2004-05-24 KR KR1020057022145A patent/KR101102286B1/ko active IP Right Grant
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