JP6018125B2 - 新規なアミノシリルアミン化合物、その製造方法、及びそれを用いたシリコン含有薄膜 - Google Patents

新規なアミノシリルアミン化合物、その製造方法、及びそれを用いたシリコン含有薄膜 Download PDF

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Description

本発明は、新規なアミノシリルアミン化合物、その製造方法、及びアミノシリルアミン化合物を用いたシリコン含有薄膜の形成に関し、より詳細には、熱的安定性及び高い揮発性を有し、室温及び取り扱いが容易な圧力下で液体形態である、新規なアミノシリルアミン化合物、その製造方法、及びそれを用いたシリコン含有薄膜に関する。
半導体分野において、シリコン含有薄膜は、多様な蒸着工程により、シリコン膜（silicon）、シリコン酸化膜（silicon oxide）、シリコン窒化膜（silicon nitride）、シリコン炭窒化膜（silicon carbonitride）、及びシリコン酸窒化膜（silicon oxynitride）等の様々な形態の薄膜に製造されており、その応用分野が広範囲である。
特に、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜は、非常に優れた段差被覆性及び耐酸化性を有するため、半導体素子の製作時に絶縁膜、拡散防止膜、ハードマスク、エッチング停止層、シード層、スペーサー、トレンチアイソレーション、金属間誘電物質、及び保護膜層として用いられる。
近年、多結晶シリコン薄膜が薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や太陽電池等に用いられており、その応用分野が益々多様になっている。
シリコンが含有された薄膜を製造するための代表的な公知技術としては、混合されたガス形態のシリコン前駆体と反応ガスとが反応して基板の表面に膜を形成したり、表面上に直接的に反応して膜を形成したりする有機金属化学気相蒸着法（ＭＯＣＶＤ）、ガス形態のシリコン前駆体が基板の表面に物理的または化学的に吸着された後、反応ガスが順に投入されて膜を形成する原子層蒸着法（ＡＬＤ）が挙げられる。また、これを応用した低圧化学気相蒸着法（ＬＰＣＶＤ）、低温で蒸着可能なプラズマを用いた化学気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ）及び原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）等、様々な薄膜製造技術が次世代の半導体及びディスプレイ素子の製造工程に適用され、超微細パターンの形成、及びナノ単位の厚さを有し、均一且つ優れた特性を有する極薄膜の蒸着に用いられている。
特許文献１に開示されているように、シリコン含有薄膜を形成するために用いられる前駆体は、シラン、シラン塩化物、アミノシラン、及びアルコキシシラン形態の化合物が代表的であり、具体的な例としては、ジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）及びヘキサクロロジシラン（Ｃｌ3ＳｉＳｉＣｌ3）等のシラン塩化物形態の化合物、トリシリルアミン（Ｎ（ＳｉＨ3）3）、ビスジエチルアミノシラン（Ｈ2Ｓｉ（Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2）2）、及びジイソプロピルアミノシラン（Ｈ3ＳｉＮ（ｉ‐Ｃ3Ｈ7）2）等が挙げられ、半導体及びディスプレイの製造及び量産に使用されている。
しかし、素子の超高集積化に起因する素子の微細化、縦横比の増加、及び素子材料の多様化により、所望の低温で均一且つ薄い厚さを有し、電気的特性に優れた超微細薄膜を形成するための技術が要求されているため、従来のシリコン前駆体を用いた６００℃以上の高温工程、ステップカバレッジ、エッチング特性、薄膜の物理的及び電気的特性が問題となっている。従って、さらに優れた新規なシリコン前駆体の開発が要求されている。
韓国公開特許第２００７‐００５５８９８号公報
本発明の目的は、新規なアミノシリルアミン化合物を提供することにある。
本発明の別の目的は、薄膜蒸着用前駆体化合物である新規なアミノシリルアミン化合物を提供することにある。
本発明の別の目的は、アミノシリルアミン化合物の製造方法を提供することにある。
本発明の別の目的は、本発明のアミノシリルアミン化合物を含有するシリコン含有薄膜蒸着用組成物、シリコン含有薄膜の製造方法、及び本発明のアミノシリルアミン化合物を含有して製造されるシリコン含有薄膜を提供することにある。
本発明は、低温でも優れた凝集力、高い蒸着率、優れた物理的及び電気的特性を有するシリコン薄膜を形成することができる新規なアミノシリルアミン化合物を提供する。
本発明の新規なアミノシリルアミン化合物は、下記化学式１で表される。
［化学式１］
（前記化学式１中、
Ｒ1〜Ｒ5は、互いに独立して、水素、ハロゲン、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルケニル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルキニル、（Ｃ３‐Ｃ７）シクロアルキル、または（Ｃ６‐Ｃ１２）アリールであり、
Ｒ6〜Ｒ7は、互いに独立して、水素、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルケニル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルキニル、（Ｃ３‐Ｃ１０）シクロアルキル、または（Ｃ６‐Ｃ１２）アリールであり；
但し、Ｒ1〜Ｒ7の全てがメチルの場合は除き；
前記Ｒ1〜Ｒ5のアルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、アリール及びＲ6〜Ｒ7のアルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、アリールは、ハロゲン、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキル、（Ｃ１‐Ｃ７）アルコキシ、または（Ｃ１‐Ｃ７）アリールオキシでさらに置換されていてもよい。）
本発明のアミノシリルアミン化合物である前記化学式１において、Ｒ1〜Ｒ7の全てがメチルである場合には常温及び常圧下で固体である反面、本発明のアミノシリルアミン化合物は液体状態の化合物であって、優れた揮発性を有するため、薄膜の形成が容易である。
さらに、本発明のアミノシリルアミン化合物は、中心窒素原子に３個のシリコン原子が結合されている、三角平面Ｓｉ3Ｎ分子構造の形態を有するため、高い熱的安定性及び低い活性化エネルギーを有して反応性が高く、非揮発性の副生成物を生成しないため、高い純度のシリコン含有薄膜を容易に形成することができる。
本発明の一実施例による前記化学式１で表されるアミノシリルアミン化合物において、高い熱的安定性及び反応性、高い純度の薄膜を形成するという点で、前記化学式１中の前記Ｒ1〜Ｒ5は、互いに独立して、水素、ハロゲン、（Ｃ１‐Ｃ５）アルキル、（Ｃ２‐Ｃ５）アルケニル、（Ｃ２‐Ｃ５）アルキニル、（Ｃ３‐Ｃ６）シクロアルキル、または（Ｃ６‐Ｃ１０）アリールであり、Ｒ6〜Ｒ7は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ５）アルキル、（Ｃ２‐Ｃ５）アルケニル、（Ｃ２‐Ｃ５）アルキニル、（Ｃ３‐Ｃ５）シクロアルキル、または（Ｃ６‐Ｃ１０）アリールであり、但し、Ｒ1〜Ｒ7の全てがメチルの場合は除くことが好ましい。
また、本発明の一実施形態によるアミノシリルアミン化合物において、前記化学式１中のＲ1〜Ｒ5は、互いに独立して、水素または（Ｃ１−Ｃ５）アルキルであり、Ｒ6〜Ｒ7は、互いに独立して、水素、（Ｃ１−Ｃ５）アルキルであり、但し、Ｒ1〜Ｒ7の全てがメチルの場合は除くことがより好ましい。
本発明の一実施形態による前記化学式１は、下記化合物から選択されることができるが、これに限定されるものではない。
本発明に記載の「アルキル」、「アルコキシ」、及びその他の「アルキル」部分を含む置換体は、直鎖または分枝鎖の両方の形態を含む。また、本発明に記載の「アリール」は、１つの水素除去によって芳香族炭化水素から誘導された有機ラジカルであり、各環に、適切には４個〜７個、好ましくは５個または６個の環原子を含有する単一または縮合環系を含み、多数個のアリールが単一結合で連結されている形態も含む。具体的な例として、フェニル、ナフチル、ビフェニル、アントリル、インデニル、フルオレニル等を含むが、これに限定されない。また、本発明のアルケニルは、１つ以上の二重結合を有する直鎖または分枝鎖の炭化水素であって、一例として、ビニル基、プロプ‐１‐エン（prop‐１‐ene）、ブタ‐１，３‐ジエン等を含むが、これに限定されるものではなく、本発明のアルキニルは、１つ以上の三重結合を有する直鎖または分枝鎖の炭化水素を含む。
また、本発明の前記化学式１で表されるアミノシリルアミン化合物は、好ましくは、シリコン含有薄膜蒸着用前駆体化合物であることができる。
また、本発明は、前記化学式１で表されるアミノシリルアミン化合物の製造方法を提供する。前記化学式１で表されるアミノシリルアミン化合物の製造方法は、下記化学式２で表される塩基または（Ｃ１‐Ｃ７）アルキルリチウムの存在下で、下記化学式３で表される化合物と下記化学式４で表される化合物とを反応させることで、前記化学式１で表される化合物を製造する段階を含む。
［化学式２］
Ｎ（Ｒ8）（Ｒ9）（Ｒ10）
［化学式３］
［化学式４］
（前記化学式１〜４中、
Ｒ8〜Ｒ10は、互いに独立して、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキルであり；
Ｒ1〜Ｒ5は、互いに独立して、水素、ハロゲン、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルケニル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルキニル、（Ｃ３‐Ｃ７）シクロアルキル、または（Ｃ６‐Ｃ１２）アリールであり、
Ｒ6〜Ｒ7は、互いに独立して、水素、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルケニル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルキニル、（Ｃ３‐Ｃ１０）シクロアルキル、または（Ｃ６‐Ｃ１２）アリールであり；
但し、Ｒ1〜Ｒ7の全てがメチルの場合は除き；
前記Ｒ1〜Ｒ5のアルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、アリール及びＲ6〜Ｒ7のアルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、アリールは、ハロゲン、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキル、（Ｃ１‐Ｃ７）アルコキシ、または（Ｃ１‐Ｃ７）アリールオキシでさらに置換されていてもよく；
Ｘ1はハロゲンである。）
本発明の一実施形態による（Ｃ１‐Ｃ７）アルキルリチウムは、炭素数１〜７のアルキルにリチウムが結合された化合物であり、例えば、メチルリチウム、ｎ‐ブチルリチウム等が挙げられ、好ましくはｎ‐ブチルリチウムであることができる。
本発明の一実施形態による方法は、下記化学式１１で表される化合物の存在下で、下記化学式１２で表される化合物と下記化学式１３で表される化合物とを反応させることで下記化学式１４で表される化合物を製造する段階と、下記化学式１４で表される化合物と下記化学式１５で表される化合物とを反応させることで前記化学式３で表される化合物を製造する段階と、をさらに含むことができる。
［化学式１１］
ＭＸ11
［化学式１２］
［化学式１３］
［化学式１４］
［化学式１５］
ＨＮ（Ｒ6）（Ｒ7）
（前記化学式１１〜１５中、
Ｍは、Ｂ、Ａｌ、またはＳｎであり；
Ｒ11〜Ｒ13は、互いに独立して、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキルであり；
Ｒ4〜Ｒ5は、互いに独立して、水素、ハロゲン、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルケニル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルキニル、（Ｃ３‐Ｃ７）シクロアルキル、または（Ｃ６‐Ｃ１２）アリールであり、
Ｒ6〜Ｒ7は、互いに独立して、水素、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルケニル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルキニル、（Ｃ３‐Ｃ１０）シクロアルキル、または（Ｃ６‐Ｃ１２）アリールであり；
Ｘ11及びＸ12は、互いに独立して、ハロゲンである。）
本発明の一実施形態による化学式１１は、ハロゲン化金属であることができる。ここで、金属は、Ｂ、Ａｌ、またはＳｎであり、好ましくはＡｌであることができる。
本発明の製造方法で使用される溶媒としては、通常の有機溶媒のうち、出発物質と反応しない溶媒であれば全て使用可能である、例えば、前記溶媒は、ノルマルヘキサン（n‐Hexane）、シクロヘキサン、ノルマルペンタン（n‐Pentane）、ジエチルエーテル、トルエン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジクロロメタン（ＤＣＭ）、卜リクロロメタン（クロロホルム）からなる群から選択される１種以上が選択されることができる。
本発明の製造方法における反応温度は、通常の有機合成で利用される温度であればよいが、反応時間、反応物質、及び出発物質の量に応じて変わり得る。また、ＮＭＲ及びＧＣ等により出発物質が完全に消耗されたことを確認した後に反応を完了させることが好ましい。反応が完了すると、濾過過程を経た後、単蒸留及び減圧下で溶媒を除去させた後、分別蒸溜または減圧蒸溜等の通常の方法で目的物を分離精製してもよい。
また、本発明は、本発明のアミノシリルアミン化合物を含有するシリコン含有薄膜用組成物、及びアミノシリルアミン化合物を含有するシリコン含有薄膜の製造方法を提供する。
本発明のシリコン含有薄膜用組成物には、本発明のアミノシリルアミン化合物が薄膜蒸着用前駆体として含有される。本発明の組成物中のアミノシリルアミン化合物の含量は、薄膜の成膜条件、薄膜の厚さ、特性等を考慮して、当業者が認識できる範囲内で含有されることができる。
また、本発明は、本発明のアミノシリルアミン化合物を含有して製造されたシリコン含有薄膜を提供する。
本発明のシリコン含有薄膜は、通常の方法で製造されることができ、例とえば、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、原子層蒸着法（ＡＬＤ）、減圧化学蒸着法（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ強化気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ）、またはプラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）等が挙げられる。
本発明のアミノシリルアミン化合物を前駆体として使用して製造されたシリコン含有薄膜は、本発明のアミノシリルアミン化合物が低い活性化エネルギを有するため、反応性が高く、非揮発性の副生成物が殆ど発生しないため、高い純度及び優れた物理的、電気的特性を有する。
本発明のアミノシリルアミン化合物が優れた熱的安定性及び高い反応性を有するため、これを前駆体として製造されたシリコン含有薄膜は、高い純度及び非常に優れた物理的、電気的特性を有する。
また、本発明のアミノシリルアミン化合物は、シリコン含量が高く、常温及び常圧で液体状態で存在するため、保管及び取り扱いが容易であり、揮発性が高くて蒸着速度が速く且つ容易であるだけでなく、優れた凝集力及びステップカバレッジを有する薄膜の蒸着が可能である。
また、本発明のアミノシリルアミン化合物を前駆体として使用して製造されたシリコン含有薄膜は、高い純度及び非常に優れた物理的、電気的特性を有する。
実施例３で製造したアルキルアミノシランの蒸気圧測定結果である。 実施例４で製造したアルキルアミノシランの熱重量分析結果である。 実施例４で製造したアルキルアミノシランの蒸気圧測定結果である。 実施例５及び６で製造したアルキルアミノシランの熱重量分析結果である。 実施例５及び６で製造したアルキルアミノシランの蒸気圧測定結果である。 実施例８で製造したアルキルアミノシランの熱重量分析結果である。 実施例８で製造したアルキルアミノシランの蒸気圧測定結果である。 実施例９及び１０で実施したシリコン含有薄膜の蒸着方法を示した図面である。 実施例９及び比較例で製造したシリコン含有薄膜の厚さをエリプソメータで分析した結果である。 実施例９で製造して蒸着したシリコン含有薄膜を赤外線分光器で分析した結果である。 実施例１０で製造したシリコン含有薄膜の蒸着率をエリプソメータ及び透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察した結果である。 実施例１０で製造したシリコン含有薄膜の厚さを透過型電子顕微鏡で観察した結果である。 実施例１０で製造して蒸着したシリコン含有薄膜を赤外線分光器で分析した結果である。 実施例１０で製造して蒸着したシリコン含有薄膜の組成をオージェ電子分光器（ＡＥＳ）で分析した結果である。 実施例１０で製造したシリコン含有薄膜のフッ化水素（３００：１ BOE 溶液）に対する耐性を分析した結果である。
以下、本発明を下記の実施例に基づいてより詳細に説明する。但し、下記実施例は本発明を例示するためのものにすぎず、本発明を限定するものではない。
以下の全ての化合物に係る実施例は、グローブボックスまたはシュレンクフラスコを用いて、無水及び不活性雰囲気下で行った。また、その生成物は、プロトン核磁気共鳴分光法（ＮＭＲ）、熱重量分析法（ＴＧＡ）、及びガスクロマトグラフィー（ＧＣ）により分析し、蒸着した薄膜の厚さは、エリプソメータ（Ellipsometer）及び透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で測定した。また、赤外線分光器及びオージェ電子分光器（ＡＥＳ）を用いて、蒸着された薄膜の組成を分析した。
［実施例１］ジエチルアミノジメチルジシラザンの合成
無水及び不活性雰囲気下で火炎乾燥された２０００ｍＬのシュレンクフラスコにヘキサメチルジシラザン（（（ＣＨ3）3Ｓｉ）2ＮＨ）２５０ｇ（１．５５ｍｏｌ）及びアルミニウムクロライド（ＡｌＣｌ3）１０ｇ（０．０７５ｍｏｌ）を入れて撹拌しながら、ジクロロジメチルシラン（（ＣＨ3）2ＳｉＣｌ2）４９９．８０ｇ（３．８７ｍｏｌ）を２５℃に維持しながら徐々に添加した後、反応溶液を徐々に４０℃に昇温させた。この混合反応溶液を３時間撹拌し、生成されたクロロトリメチルシラン（（ＣＨ3）3ＳｉＣｌ）及び過量添加されたジクロロジメチルシラン（（ＣＨ3）2ＳｉＣｌ2）を単蒸留または減圧蒸溜により除去した。回収されたクロロジメチルジシラザン（（（ＣＨ3）2ＳｉＣｌ）2ＮＨ））溶液を撹拌しながら、ジエチルアミン（（ＣＨ3ＣＨ2）2ＮＨ）４７５．４５ｇ（６．５ｍｏｌ）を−１５℃に維持しながら徐々に添加した。添加が完了した後、反応溶液を徐々に常温に昇温し、常温で６時間撹拌した。濾過して生成された白色固体を除去した後、濾過液を得た。この濾過液から溶媒を減圧下で除去し、減圧蒸溜によりジエチルアミノジメチルジシラザン（（ＣＨ3）2ＳｉＮ（ＣＨ2ＣＨ3）2）2ＮＨ）３１９．９０ｇ（１．１６ｍｏｌ）を得た（収率７５％）。
1H NMR(inC6D6)δ 0.14(s, 12H, HNSi(CH3)2N), 0.97(t, 12H, Si(NCH2CH3)2), 3.42(q, 8H, Si(NCH2CH3)2),沸点238℃
［実施例２］ジメチルアミノジメチルジシラザンの合成
無水及び不活性雰囲気下で火炎乾燥された２０００ｍＬのシュレンクフラスコにヘキサメチルジシラザン（（（ＣＨ3）3Ｓｉ）2ＮＨ）２５０ｇ（１．５５ｍｏｌ）及びアルミニウムクロライド（ＡｌＣｌ3）１０ｇ（０．０７５ｍｏｌ）を入れて撹拌しながら、ジクロロジメチルシラン（（ＣＨ3）2ＳｉＣｌ2）４９９．８０ｇ（３．８７ｍｏｌ）を２５℃に維持しながら徐々に添加した後、反応溶液を徐々に４０℃に昇温させた。この混合反応溶液を３時間撹拌し、生成されたクロロトリメチルシラン（（ＣＨ3）3ＳｉＣｌ）及び過量添加されたジクロロジメチルシラン（（ＣＨ3）2ＳｉＣｌ2）を単蒸留または減圧蒸溜により除去した。回収されたクロロジメチルジシラザン（（（ＣＨ3）2ＳｉＣｌ）2ＮＨ））溶液を撹拌しながら、ジメチルアミン（（ＣＨ3）2ＮＨ）１６８．５２ｇ（４．２ｍｏｌ）を−１５℃に維持しながら徐々に添加した。添加が完了した後、反応溶液を徐々に常温に昇温し、常温で６時間撹拌した。濾過して生成された白色固体を除去した後、濾過液を得た。この濾過液から溶媒を減圧下で除去し、減圧蒸溜によりジメチルアミノジメチルジシラザン（（ＣＨ3ＳｉＨＮ（ＣＨ3）2）2ＮＨ）１４６．５１ｇ（０．７４ｍｏｌ）を得た（収率７５％）。
1H-NMR(inC6D6)δ 0.09(s, 12H, (((CH3)2)2N(CH3)2Si)2NH), 2.45(s, 12H, (((CH3)2)2N(CH3)2Si)2NH).
［実施例３］ビスジエチルアミノジメチルシリルトリメチルシリルアミンの合成
無水及び不活性雰囲気下で火炎乾燥された２０００ｍＬのフラスコに実施例１で合成されたジエチルアミノジメチルジシラザン（（ＣＨ3）2ＳｉＮ（ＣＨ2ＣＨ3）2）2ＮＨ）１８０ｇ（０．６５ｍｏｌ）及び有機溶媒ｎ‐ヘキサン２００ｍｌを入れて撹拌しながら、２．２９Ｍ濃度のノルマルブチルリチウム（ｎ‐Ｃ4Ｈ9Ｌｉ）ヘキサン（Ｃ6Ｈ14）溶液２０２．１６ｇ（０．６５ｍｏｌ）を−１５℃に維持しながら徐々に添加した。添加が完了した反応溶液を徐々に常温に昇温し、１２時間撹拌した後、テトラヒドロフラン（Ｏ（Ｃ2Ｈ2）2）２００ｍｌを添加した。この反応溶液にクロロトリメチルシラン７０．９４ｇ（０．６５ｍｏｌ）を−２０℃に維持しながら徐々に添加した。添加が完了した反応溶液を徐々に昇温し、６５℃に維持しながら１２時間撹拌した。反応が終わった反応混合物を濾過して生成された白色固体を除去した後、濾過液を得た。この濾過液から溶媒を減圧下で除去し、減圧蒸溜によりビスジエチルアミノジメチルシリルトリメチルシリルアミン（（ＣＨ3）3ＳｉＮ（Ｓｉ（ＣＨ3）2Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2）2）１５９ｇ（０．４６ｍｏｌ）を得た（収率７０％）。
1H-NMR(inC6D6)δ 0.30(s, 12H, NSi(CH3)2N), 0.32(s, 9H, Si(CH 3)3), 0.99(t, 12H, Si(NCH2CH3)2), 2.82(q, 8H, Si(NCH2CH3)2); 沸点279℃; GC分析結果＞99.85%.
［実施例４］ビスジメチルアミノジメチルシリルジメチルシリルアミンの合成
無水及び不活性雰囲気下で火炎乾燥された２０００ｍＬのフラスコに実施例２で合成されたジメチルアミノジメチルジシラザン（（ＣＨ3）2ＳｉＮ（ＣＨ3）2）2ＮＨ）１４０ｇ（０．６４ｍｏｌ）及び有機溶媒ｎ‐ヘキサン２００ｍｌを入れて撹拌しながら、２．２９Ｍ濃度のノルマルブチルリチウム（ｎ‐Ｃ4Ｈ9Ｌｉ）ヘキサン（Ｃ6Ｈ14）溶液１８５．７４ｇ（０．６４ｍｏｌ）を−１５℃に維持しながら徐々に添加した。添加が完了した反応溶液を徐々に常温に昇温し、１２時間撹拌した後、テトラヒドロフラン（Ｏ（Ｃ2Ｈ2）2）２００ｍｌを添加した。この反応溶液にクロロジメチルシラン６０．３６ｇ（０．６４ｍｏｌ）を−２０℃に維持しながら徐々に添加した。添加が完了した反応溶液を徐々に昇温し、６５℃に維持しながら１２時間撹拌した。濾過して生成された白色固体を除去した後、濾過液を得た。この濾過液から溶媒を減圧下で除去し、減圧蒸溜によりビスジメチルアミノジメチルシリルジメチルシリルアミン（（（ＣＨ3）2）2Ｎ（ＣＨ3）2Ｓｉ）2ＮＳｉＨ（ＣＨ3）2）１２３．９６ｇ（０．４５ｍｏｌ）を得た（収率６５％）。
1H-NMR(inC6D6)δ 0.21(s, 12H, ((CH3)2)2N(CH3)2Si)2N), 0.30(d, 6H, NSiH(CH3)2), 2.41(t, 12H, ((CH3)2)2N(CH3)2Si)2N), 4.61(m, 1H, NSiH(CH3)2);沸点229℃;GC分析結果＞99.39%．
［実施例５］トリスジエチルアミノジメチルシリルアミンの合成
無水及び不活性雰囲気下で火炎乾燥された２０００ｍＬのフラスコに実施例１で合成されたジエチルアミノジメチルジシラザン（（ＣＨ3）2ＳｉＮ（ＣＨ2ＣＨ3）2）2ＮＨ）１８０ｇ（０．６５ｍｏｌ）及び有機溶媒ｎ‐ヘキサン２００ｍｌを入れて撹拌しながら、２．２９Ｍ濃度のノルマルブチルリチウム（ｎ‐Ｃ4Ｈ9Ｌｉ）ヘキサン（Ｃ6Ｈ14）溶液２０２．１６ｇ（０．６５ｍｏｌ）を−１５℃に維持しながら徐々に添加した。添加が完了した反応溶液を徐々に常温に昇温し、１２時間撹拌した後、テトラヒドロフラン（Ｏ（Ｃ2Ｈ2）2）２００ｍｌを添加した。この反応溶液に、ジクロロジメチルシラン（Ｃｌ2Ｓｉ（ＣＨ3）2）と２当量のジエチルアミンとを定量的に反応させて合成したクロロジメチルジエチルアミノシラン（（ＣＨ3ＣＨ2）2ＮＳｉＣｌ（ＣＨ3）2）１０８．２５ｇ（０．６５ｍｏｌ）を−２０℃に維持しながら徐々に添加した。添加が完了した反応溶液を徐々に昇温し、６５℃に維持しながら１２時間撹拌した。反応が完了した反応混合物を濾過して生成された白色固体を除去した後、濾過液を得た。この濾過液から溶媒を減圧下で除去し、減圧蒸溜によりトリスジエチルアミノシリルアミン（Ｎ（Ｓｉ（ＣＨ3）2Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2）3）１１９．００ｇ（０．２９ｍｏｌ）を得た（収率４５％）。
1H NMR(inC6D6)δ 0.37(s, 18H, NSi(CH3)2N), 1.02(t, 18H, Si(NCH2CH3)2), 2.86(q, 12H, Si(NCH2CH3)2);沸点311℃;GC分析結果＞99.27%．
［実施例６］トリスジエチルアミノジメチルシリルアミンの合成
無水及び不活性雰囲気下で火炎乾燥された２０００ｍＬのフラスコに実施例１で合成されたジエチルアミノジメチルジシラザン（（ＣＨ3）2ＳｉＮ（ＣＨ2ＣＨ3）2）2ＮＨ）１８０ｇ（０．６５ｍｏｌ）及び有機溶媒ｎ‐ヘキサン２００ｍｌを入れて撹拌しながら、２．２９Ｍ濃度のノルマルブチルリチウム（ｎ‐Ｃ4Ｈ9Ｌｉ）ヘキサン（Ｃ6Ｈ14）溶液２０２．１６ｇ（０．６５ｍｏｌ）を−１５℃に維持しながら徐々に添加した。添加が完了した反応溶液を徐々に常温に昇温し、１２時間撹拌した後、テトラヒドロフラン（Ｏ（Ｃ2Ｈ2）2）２００ｍｌを添加した。この反応溶液にジクロロジメチルシラン８４．３０ｇ（０．６５ｍｏｌ）を−２０℃に維持しながら徐々に添加した。添加が完了した反応溶液を徐々に昇温し、６５℃に維持しながら１２時間撹拌した。反応混合物を濾過して生成された白色固体を除去した後、濾過液を得た。この濾過液を撹拌しながら、ジエチルアミン（ＨＮ（Ｃ2Ｈ5）2）と２．２９Ｍ濃度のノルマルブチルリチウム（ｎ‐Ｃ4Ｈ9Ｌｉ）ヘキサン（Ｃ6Ｈ14）溶液とを定量的に反応させて得たリチウムジエチルアミン塩（ＬｉＮ（Ｃ2Ｈ5）2）５１．６５ｇ（０．６５ｍｏｌ）を−２０℃に維持しながら徐々に添加した。添加が完了した反応溶液を徐々に昇温し、６５℃に維持しながら１２時間撹拌した。反応混合物を濾過して生成された白色固体を除去した後、濾過液を得た。この濾過液から溶媒を減圧下で除去し、減圧蒸溜によりトリスジエチルアミノシリルアミン（Ｎ（Ｓｉ（ＣＨ3）2Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2）3）１７１．８８ｇ（０．４２ｍｏｌ）を得た（収率６５％）。
1H NMR(inC6D6)δ 0.37(s, 18H, NSi(CH3)2N), 1.02(t, 18H, Si(NCH2CH3)2), 2.86(q, 12H, Si(NCH2CH3)2);沸点311℃;GC分析結果＞99.27%．
［実施例７］ジメチルアミノメチルジシラザンの合成
無水及び不活性雰囲気下で火炎乾燥された２０００ｍＬのシュレンクフラスコにヘキサメチルジシラザン（（（ＣＨ3）3Ｓｉ）2ＮＨ）２５０ｇ（１．５５ｍｏｌ）及びアルミニウムクロライド（ＡｌＣｌ3）１０ｇ（０．０７５ｍｏｌ）を入れて撹拌しながら、ジクロロメチルシラン（ＣＨ3ＳｉＨＣｌ2）７１３．１９ｇ（６．２０ｍｏｌ）を２５℃に維持しながら徐々に添加した後、反応溶液を徐々に４０℃に昇温させた。この混合反応溶液を３時間撹拌し、生成されたクロロトリメチルシラン（（ＣＨ3）3ＳｉＣｌ）及び過量添加されたジクロロメチルシラン（ＣＨ3ＳｉＨＣｌ2）を単蒸留または減圧蒸溜により除去した。回収されたクロロメチルジシラザン（（ＣＨ3ＳｉＨＣｌ）2ＮＨ））溶液を撹拌しながら、ジメチルアミン（（ＣＨ3）2ＮＨ）２９３．４７ｇ（４．２ｍｏｌ）を−１５℃に維持しながら徐々に添加した。添加が完了した後、反応溶液を徐々に常温に昇温し、常温で６時間撹拌した。濾過して生成された白色固体を除去した後、濾過液を得た。この濾過液から溶媒を減圧下で除去し、減圧蒸溜によりジメチルアミノメチルジシラザン（（ＣＨ3ＳｉＨＮ（ＣＨ3）2）2ＮＨ）２２２．５４ｇ（１．１６ｍｏｌ）を得た（収率７５％）。
1H-NMR(inC6D6):δ 0.12(s, 6H, ((CH3)SHiN),
2.47(s, 12H, (((CH3)2)2NSi), 4.43(m, 2H, ((CH3)HSiNH).
［実施例８］ビスジメチルアミノメチルシリルトリメチルシリルアミンの合成
無水及び不活性雰囲気下で火炎乾燥された２０００ｍＬのフラスコに実施例７で合成されたジメチルアミノメチルジシラザン（（ＣＨ3ＳｉＨＮ（ＣＨ3）2）2ＮＨ）１９１．４３ｇ（１．００ｍｏｌ）及び有機溶媒ｎ‐ヘキサン２００ｍｌを入れて撹拌しながら、２．２９Ｍ濃度のノルマルブチルリチウム（ｎ‐Ｃ4Ｈ9Ｌｉ）ヘキサン（Ｃ6Ｈ14）溶液３０３．３２ｇ（１．００ｍｏｌ）を−１５℃に維持しながら徐々に添加した。添加が完了した反応溶液を徐々に常温に昇温し、１２時間撹拌した後、テトラヒドロフラン（Ｏ（Ｃ2Ｈ2）2）３００ｍｌを添加した。この反応溶液に、クロロトリメチルシラン１０８．６４ｇ（１．００ｍｏｌ）を−２０℃に維持しながら徐々に添加した。添加が完了した反応溶液を徐々に昇温し、６５℃に維持しながら１２時間撹拌した。反応が終わった反応混合物を濾過して生成された白色固体を除去した後、濾過液を得た。この濾過液から溶媒を減圧下で除去し、減圧蒸溜によりビスジメチルアミノメチルシリルトリメチルシリルアミン（（ＣＨ3）3ＳｉＮ（ＳｉＨ（ＣＨ3）Ｎ（ＣＨ3）2）2）１８４．５３ｇ（０．７０ｍｏｌ）を得た（収率７０％）。
1H-NMR(inC6D6)δ 0.29(m, 15H, NSiH(CH3)N(CH3)2, NSi(CH3 )3) 2.46(m, 12H, NSiH(CH3)N(CH3)2), 4.76(m, 2H, NSiH(CH3)N(CH3)2);沸点２３７℃；ＧＣ分析結果＞９９．５％。
［実施例９］プラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）によるアミノシリルアミン化合物のシリコン酸化膜の蒸着
本発明の実施例３〜実施例６及び実施例８のアミノシリルアミン化合物がそれぞれ含有されたシリコン含有薄膜蒸着用組成物を使用して、公知のプラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）を用いるプラズマ強化原子層蒸着（ＰＥＡＬＤ）装置で下記表１に記載の条件でシリコン酸化薄膜を製造し、その膜の特性を評価した。反応ガスとして酸素を使用し、不活性気体のアルゴンをパージガスとして使用した。以下、図８及び表１に具体的なシリコン酸化薄膜の蒸着方法を示した。
蒸着した薄膜の厚さをエリプソメータ（Ellipsometer）で測定し、赤外線分光器を用いてシリコン酸化膜の形成を観察した。図９はエリプソメータで観察した薄膜の厚さを示したものである。薄膜の厚さは、９９〜１１２．５A（オングストローム）の範囲で、置換基の種類及び個数に応じて異なっていた。このことから、高い蒸着率が要求されるシリコン酸化薄膜を応用する全分野で有用に用いられると判断される。図１０は、蒸着された薄膜を赤外線分光器で分析した結果である。全ての薄膜がシリコン酸化膜を形成したことが確認され、Ｃ‐Ｈ、Ｓｉ‐ＯＨ等の不純物ピークは観察されなかった。
すなわち、本発明により製造された新規なアミノシリルアミン化合物は、プラズマ原子層蒸着工程（ＰＥＡＬＤ）を用いて高い蒸着率及び高純度のシリコン酸化薄膜を形成するにおいて、その活用度が高いと確認された。
［比較例］プラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）による公知のアミノシリルアミン化合物のシリコン酸化膜の蒸着
下記表２に記載のように、公知のアミノシリルアミン化合物を使用したことを除き、実施例９で行った蒸着条件と同一の条件で、公知のプラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）を用いてシリコン酸化膜を形成し、膜の特性評価を行った。また、蒸着した薄膜の分析は、実施例９で行った分析方法と同一の条件で行って分析結果を得た。以下、図８及び表２に具体的なシリコン酸化薄膜の蒸着方法を示した。
薄膜の厚さは２１〜３５．５A（オングストローム）の範囲で、実施例３〜実施例６及び実施例８のアミノシリルアミンより低い蒸着率であった。また、全ての薄膜がシリコン酸化膜を形成したと確認された。
［実施例１０］プラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）によるアミノシリルアミン化合物のシリコン窒化膜及びシリコン炭窒化膜の蒸着
本発明の実施例３〜実施例６及び実施例８のアミノシリルアミン化合物を含有するシリコン含有薄膜蒸着用組成物を使用して、公知のプラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）を用いる通常のプラズマ強化原子層蒸着（ＰＥＡＬＤ）装置でシリコン窒化膜及びシリコン炭窒化膜を形成し、その膜の特性評価を行った。反応ガスとして窒素（Ｎ2）、アンモニア（ＮＨ3）、及びアルゴン（Ａｒ）を単独または混合して使用し、不活性気体のアルゴンをパージガスとして使用した。以下、図８及び表３に具体的なシリコン窒化膜及びシリコン炭窒化膜の蒸着方法を示した。
蒸着した薄膜の厚さはエリプソメータ（Ellipsometer）及び透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で測定し、赤外線分光器（ＩＲ）及びオージェ電子分光器（ＡＥＳ）を用いてシリコン窒化膜及びシリコン炭窒化膜の形成を観察した。図１１は、エリプソメータ及び透過型電子顕微鏡を用いて観察した薄膜の蒸着率を示したものである。図１１に示すように、薄膜の蒸着率は０．４３〜４．２５A（オングストローム）の範囲で、置換基の種類、個数、及び反応ガスに応じて異なっていた。図１２は、形成された薄膜の厚さを透過型電子顕微鏡で観察した結果であって、これに基づいて薄膜の蒸着率を検証した。図１３は赤外線分光器を、図１４はオージェ電子分光器を用いて、蒸着された薄膜の組成を分析した結果である。図１３及び図１４から分かるように、窒素（Ｎ2）とアンモニア（ＮＨ3）とを混合して使用した場合にはシリコン窒化物薄膜が形成され、窒素またはアルゴンを単独で使用した場合及び窒素とアルゴンとを混合して使用した場合には、炭素が１．７９〜１１．７２％含有されたシリコン炭質化薄膜が形成された。図１５は、本発明の実施例１０で形成されたシリコン窒化薄膜及びシリコン炭質化薄膜と、既存の高温で化学気相蒸着法（ＭＯＣＶＤ）、減圧化学蒸着法（ＬＰＣＶＤ）、及びプラズマを用いた化学気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ）により形成されたシリコン酸化薄膜またはシリコン窒化薄膜とを比較するために、フッ化水素（３００:１ BOE 溶液）に対する耐性を比較分析した結果である。図１５に示したように、本発明の実施例１０で製造されたシリコン窒化薄膜及びシリコン炭質化薄膜が、ＴＯＸ（高温で化学気相蒸着法（ＭＯＣＶＤ）により形成されたシリコン酸化薄膜）に比べ０．２５〜２．５３倍、ＬＰ ＳｉＮ（減圧化学蒸着法（ＬＰＣＶＤ）により形成されたシリコン窒化薄膜）に比べ５．１７〜２８．１１倍、ＰＥ ＳｉＮ（プラズマを用いた化学気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ）により形成されたシリコン窒化薄膜）に比べ０．２３〜４．９２倍のエッチング速度を有することが確認された。このことから、既存に公知のプラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥＡＬＤ）により蒸着したシリコン窒化薄膜に比べ、フッ化水素に対する耐性が高いということが分かった。
すなわち、本発明により製造された新規なアミノシリルアミン化合物は、プラズマ原子層蒸着工程により低温で蒸着可能な高純度のシリコン窒化薄膜及びシリコン炭質化薄膜を形成するにおいて、その活用度が高いと確認され、シリコン窒化薄膜を応用する全分野で有用に用いられると判断される。

Claims (6)

  1. 下記化学式１で表されるアミノシリルアミン化合物を含有するシリコン含有薄膜蒸着用組成物。
    ［化学式１］
    （前記化学式１中、
    Ｒ1〜Ｒ5は、互いに独立して、水素、ハロゲン、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルケニル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルキニル、または（Ｃ３‐Ｃ７）シクロアルキルであり、
    Ｒ6〜Ｒ7は、互いに独立して、水素、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルケニル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルキニル、（Ｃ３‐Ｃ１０）シクロアルキル、または（Ｃ６‐Ｃ１２）アリールであり；
    但し、Ｒ1〜Ｒ7の全てがメチルの場合は除き；
    前記Ｒ1〜Ｒ5のアルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、及びＲ6〜Ｒ7のアルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、アリールは、ハロゲン、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキル、（Ｃ１‐Ｃ７）アルコキシ、または（Ｃ１‐Ｃ７）アリールオキシでさらに置換されていてもよい。）
  2. 前記Ｒ1〜Ｒ5は、互いに独立して、水素、ハロゲン、（Ｃ１‐Ｃ５）アルキル、（Ｃ２‐Ｃ５）アルケニル、（Ｃ２‐Ｃ５）アルキニル、または（Ｃ３‐Ｃ６）シクロアルキルであり、
    Ｒ6〜Ｒ7は、互いに独立して、水素、（Ｃ１‐Ｃ５）アルキル、（Ｃ２‐Ｃ５）アルケニル、（Ｃ２‐Ｃ５）アルキニル、（Ｃ３‐Ｃ５）シクロアルキル、または（Ｃ６‐Ｃ１０）アリールであり、
    但し、Ｒ1〜Ｒ7の全てがメチルの場合は除く、請求項１に記載のアミノシリルアミン化合物を含有するシリコン含有薄膜蒸着用組成物。
  3. Ｒ1〜Ｒ5は、互いに独立して、水素または（Ｃ１‐Ｃ５）アルキルであり、Ｒ6〜Ｒ7は、互いに独立して、水素または（Ｃ１‐Ｃ５）アルキルであり、
    但し、Ｒ1〜Ｒ7の全てがメチルの場合は除く、請求項２に記載のアミノシリルアミン化合物を含有するシリコン含有薄膜蒸着用組成物。
  4. 前記化学式１は下記化合物から選択される、請求項１に記載のアミノシリルアミン化合物を含有するシリコン含有薄膜蒸着用組成物。
  5. 下記化学式２で表される塩基または（Ｃ１‐Ｃ７）アルキルリチウムの存在下で、下記化学式３で表される化合物と下記化学式４で表される化合物とを反応させることで、下記化学式１で表されるアミノシリルアミン化合物を含有するシリコン含有薄膜蒸着用組成物の製造方法。
    ［化学式１］
    ［化学式２］
    Ｎ（Ｒ8）（Ｒ9）（Ｒ10）
    ［化学式３］
    ［化学式４］
    （前記化学式１〜４中、
    Ｒ8〜Ｒ10は、互いに独立して、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキルであり；
    Ｒ1〜Ｒ5は、互いに独立して、水素、ハロゲン、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルケニル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルキニル、または（Ｃ３‐Ｃ７）シクロアルキルであり、
    Ｒ6〜Ｒ7は、互いに独立して、水素、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルケニル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルキニル、（Ｃ３‐Ｃ１０）シクロアルキル、または（Ｃ６‐Ｃ１２）アリールであり；
    但し、Ｒ1〜Ｒ7の全てがメチルの場合は除き；
    前記Ｒ1〜Ｒ5のアルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、及びＲ6〜Ｒ7のアルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、アリールは、ハロゲン、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキル、（Ｃ１‐Ｃ７）アルコキシ、または（Ｃ１‐Ｃ７）アリールオキシでさらに置換されていてもよく；
    Ｘ1はハロゲンである。）
  6. 下記化学式１１で表される化合物の存在下で、下記化学式１２で表される化合物と下記化学式１３で表される化合物とを反応させることで下記化学式１４で表される化合物を製造する段階と、
    下記化学式１４で表される化合物と下記化学式１５で表される化合物とを反応させることで前記化学式３で表される化合物を製造する段階と、をさらに含む、請求項５に記載の方法。
    ［化学式１１］
    ＭＸ11
    ［化学式１２］
    ［化学式１３］
    ［化学式１４］
    ［化学式１５］
    ＨＮ（Ｒ6）（Ｒ7）
    （前記化学式１１〜１５中、
    Ｍは、Ｂ、Ａｌ、またはＳｎであり；
    Ｒ11〜Ｒ13は、互いに独立して、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキルであり；
    Ｒ4〜Ｒ5は、互いに独立して、水素、ハロゲン、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルケニル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルキニル、または（Ｃ３‐Ｃ７）シクロアルキルであり、
    Ｒ6〜Ｒ7は、互いに独立して、水素、（Ｃ１‐Ｃ７）アルキル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルケニル、（Ｃ２‐Ｃ７）アルキニル、（Ｃ３‐Ｃ１０）シクロアルキル、または（Ｃ６‐Ｃ１２）アリールであり；
    Ｘ11及びＸ12は、互いに独立して、ハロゲンである。）
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Families Citing this family (371)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
EP3049499B1 (en) 2013-09-27 2020-07-22 L'air Liquide, Société Anonyme Pour L'Étude Et L'exploitation Des Procédés Georges Claude Amine substituted trisilylamine and tridisilylamine compounds
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR101723546B1 (ko) * 2014-10-20 2017-04-05 주식회사 케이씨텍 박막 형성방법 및 원자층 증착장치
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11124876B2 (en) 2015-03-30 2021-09-21 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Si-containing film forming precursors and methods of using the same
US9777025B2 (en) 2015-03-30 2017-10-03 L'Air Liquide, Société pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Si-containing film forming precursors and methods of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102014175B1 (ko) * 2016-07-22 2019-08-27 (주)디엔에프 플라즈마 원자층 증착법을 이용한 실리콘 질화 박막의 제조방법
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
KR102698026B1 (ko) * 2016-09-28 2024-08-21 삼성전자주식회사 유전막 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10464953B2 (en) 2016-10-14 2019-11-05 Versum Materials Us, Llc Carbon bridged aminosilane compounds for high growth rate silicon-containing films
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10822458B2 (en) 2017-02-08 2020-11-03 Versum Materials Us, Llc Organoamino-functionalized linear and cyclic oligosiloxanes for deposition of silicon-containing films
US11591692B2 (en) 2017-02-08 2023-02-28 Versum Materials Us, Llc Organoamino-polysiloxanes for deposition of silicon-containing films
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
WO2018182305A1 (en) * 2017-03-29 2018-10-04 Dnf Co., Ltd. Silylamine compound, composition for depositing silicon-containing thin film containing the same, and method for manufacturing silicon-containing thin film using the composition
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR20180110612A (ko) * 2017-03-29 2018-10-10 (주)디엔에프 비스(아미노실릴)알킬아민 화합물을 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법
KR102105976B1 (ko) * 2017-03-29 2020-05-04 (주)디엔에프 실리콘 함유 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 실리콘 함유 박막의 제조방법
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102093227B1 (ko) * 2017-04-20 2020-03-25 (주)디엔에프 다이실릴아민 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 실리콘 함유 박막증착용 조성물
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11177127B2 (en) 2017-05-24 2021-11-16 Versum Materials Us, Llc Functionalized cyclosilazanes as precursors for high growth rate silicon-containing films
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
US11049714B2 (en) * 2017-09-19 2021-06-29 Versum Materials Us, Llc Silyl substituted organoamines as precursors for high growth rate silicon-containing films
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
KR102190532B1 (ko) * 2017-11-22 2020-12-15 (주)디엔에프 실리콘 함유 박막 증착용 조성물 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
EP3728688B1 (en) * 2017-12-20 2021-11-10 Basf Se Process for the generation of metal-containing films
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
SG10201903201XA (en) 2018-04-11 2019-11-28 Versum Materials Us Llc Organoamino-functionalized cyclic oligosiloxanes for deposition of silicon-containing films
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
US12057310B2 (en) 2018-05-22 2024-08-06 Versum Materials Us, Llc Functionalized cyclosilazanes as precursors for high growth rate silicon-containing films
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US20210017198A1 (en) 2019-04-05 2021-01-21 Versum Materials Us, Llc Organoamino-Functionalized Cyclic Oligosiloxanes For Deposition Of Silicon-Containing Films
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
KR20210037393A (ko) * 2019-09-27 2021-04-06 (주)덕산테코피아 아미노실란 화합물 및 이를 포함하는 실리콘 함유 박막 증착용 조성물
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
WO2021201910A1 (en) 2020-04-02 2021-10-07 Versum Materials Us, Llc Organoamino-functionalized cyclic oligosiloxanes for deposition of silicon-containing films
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN113213439B (zh) * 2021-05-08 2022-08-26 亚洲硅业(青海)股份有限公司 三甲硅烷基胺的制备方法及系统
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6391803B1 (en) * 2001-06-20 2002-05-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing trisdimethylaminosilane
US7129187B2 (en) 2004-07-14 2006-10-31 Tokyo Electron Limited Low-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon-nitrogen-containing films
JP2006096675A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude 新規なアミノジシランおよび炭窒化珪素膜の形成方法
KR100734393B1 (ko) 2005-11-28 2007-07-02 주식회사 에이이티 실리콘 박막의 원자층 증착 방법
JP2010275602A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Adeka Corp 化学気相成長用原料とこれを用いたシリコン含有薄膜形成方法
KR101040325B1 (ko) * 2009-08-25 2011-06-10 (주)디엔에프 알킬아미노실란의 제조방법

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