JP6010613B2 - 基板枚葉式並列処理システム - Google Patents

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Description

例示的な実施形態は、概して基板処理システムに関するものであり、より具体的には、縦型ウエハ枚葉式流体並列処理システムに関するものである。
いくつかの処理の中で流体処理が、フィルムや材料を、半導体ウエハやシリコンワークピース又は基板等の種々の構造及び表面への張付け又は取外すための製造技術として使用されている。縦型流体処理によって、処理すべき基板の完全な浸漬と、ウエハ表面に極めて近接させて流体を操作することとが可能になる。垂直向きに基板を搬送し処理することは、搬送又は処理中に基板への損傷の危険性が殆ど無いように精密な位置決めを必要とするという問題を生じさせる。水平向きから垂直向きへの基板の搬送及び処理は、高い信頼性と高速搬送システムとを必要とするというさらなる問題を生じさせる。従って、基板を垂直向きに搬送し処理するための新規で改良された方法及び装置に対する要望が存在する。
上記の態様及び開示された実施形態の他の特徴は、添付の図面を考慮して、以下の詳細な説明で説明される。
例示的な基板枚葉式並列処理システムの等角図である。 例示的な基板枚葉式並列処理システムの上面図である。 例示的な基板枚葉式並列処理システムの上面図である。 例示的な基板枚葉式並列処理システムの側面図である。 例示的な基板枚葉式並列処理システムの部分等角図である。 例示的な基板枚葉式並列処理システムの部分側面図である。 例示的な基板枚葉式並列処理システムの上面図である。 例示的な基板枚葉式並列処理システムの部分等角図である。 例示的な基板枚葉式並列処理システムの部分側面図である。 例示的な基板枚葉式並列処理システムの部分端面図である。 例示的な基板枚葉式並列処理システムの部分等角図である。 例示的な基板枚葉式並列処理システムの部分正面図である。 例示的な基板枚葉式並列処理システムの部分背面図である。 例示的な基板枚葉式並列処理システムの部分側面図である。 例示的な基板枚葉式並列処理システムの部分側面図である。 ウエハホルダを示す図である。 ウエハホルダ・フィンガを示す図である。 ウエハホルダを示す図である。 ウエハホルダを示す図である。 ウエハホルダを示す図である。 ウエハホルダを示す図である。 ウエハホルダの一部を示す図である。 ウエハホルダの一部を示す図である。 ウエハホルダのアレイを示す図である。 ウエハホルダの一部を示す図である。 ウエハホルダの一部を示す図である。 ローダモジュールの等角図である。 ローダモジュールの端面図である。 ローダモジュールの端面図である。 ローダモジュールとホルダアレイとの等角図である。 ローダモジュールとホルダアレイとの等角図である。 ローダモジュールと搬送装置上のホルダアレイとの正面図である。 ローダモジュールとホルダアレイと搬送装置との側面図である。 ホルダのクロスメンバの断面図である。 ローダモジュールとホルダアレイとの部分正面図である。 ローダモジュールとホルダアレイとの部分正面図である。 ローダモジュールとホルダアレイとの部分正面図である。 ローダモジュールとホルダアレイとの部分正面図である。 ローダモジュールとホルダアレイとの部分正面図である。 ローダモジュールとホルダアレイとの部分正面図である。 ローダモジュールとホルダアレイとの部分正面図である。 ローダモジュールとホルダアレイとの部分正面図である。 ローダモジュールとホルダアレイとの部分正面図である。 ローダモジュールとホルダアレイとの部分正面図である。 ローダモジュールとホルダアレイとの部分正面図である。 ローダモジュールとホルダアレイとの部分正面図である。 ローダモジュールとホルダアレイとの部分正面図である。 ローダの動作表を示す図である。 ローダの動作表を示す図である。 ローダの動作表を示す図である。 ローダの動作表を示す図である。 ローダの動作表を示す図である。 ローダモジュールの部分等角図である。 ローダモジュールの部分等角図である。 ホルダアレイの等角図である。 ホルダアレイの側面図である。 ホルダアレイの部分等角図である。 ホルダアレイの部分側面図である。 搬送装置とアレイの動作状態表とを示す図である。 搬送装置とアレイの動作状態表とを示す図である。 搬送装置とアレイの動作状態表とを示す図である。 搬送装置とアレイの動作状態表とを示す図である。 搬送装置とアレイの動作状態表とを示す図である。 搬送装置とアレイの動作状態表とを示す図である。 搬送装置とアレイの動作状態表とを示す図である。 搬送装置とアレイの動作状態表とを示す図である。 ローダモジュールとホルダアレイとの部分正面図である。 ローダモジュールとホルダアレイとの部分正面図である。 せん断プレート撹拌モジュールの等角図である。 せん断プレート撹拌モジュールの側面図である。 せん断プレート撹拌モジュールの側面図である。 せん断プレート撹拌モジュールの側面図である。 せん断プレート撹拌モジュールの等角図である。 せん断プレート撹拌モジュールの等角図である。 せん断プレート撹拌モジュールの等角図である。 せん断プレート撹拌モジュールの端面図である。 せん断プレート撹拌モジュールの等角図である。 せん断プレート撹拌モジュールの等角図である。 せん断プレート撹拌モジュールの等角図である。 せん断プレート撹拌モジュールの等角図である。 せん断プレート撹拌モジュールの等角図である。 せん断プレート撹拌モジュールの等角図である。 せん断プレート撹拌モジュールの等角図である。 ガイドローラの等角図である。 ガイドローラの断面図である。 せん断プレート撹拌モジュールの正面図である。 せん断プレート撹拌モジュールの正面図である。 せん断プレート撹拌モジュールの等角図である。 せん断プレート撹拌部材の等角図である。 せん断プレート撹拌部材の等角図である。 せん断プレート撹拌モジュールの等角図である。 せん断プレート撹拌モジュールの等角図である。 せん断プレート撹拌モジュールの等角図である。 マランゴニ乾燥モジュールの概略図である。 処理フロー図である。 堰の一部の等角図である。 堰の一部の上面図である。 ウエハ枚葉式並列処理モジュールの等角図である。 ウエハ枚葉式並列処理モジュールの側面図である。 ウエハ枚葉式並列処理モジュールの側面図である。 ウエハ枚葉式並列処理モジュールの等角図である。 ウエハ枚葉式並列処理モジュールの等角図である。 ウエハ枚葉式並列処理モジュールの上面図である。 ウエハ枚葉式並列処理モジュールの側面図である。 ウエハ枚葉式並列処理モジュールの側面図である。 直線状ＩＰＡ排出ノズルと堰アッセンブリとの断面図である。 直線状ＩＰＡ排出ノズルと堰アッセンブリとの断面図である。 直線状ＩＰＡ排出ノズルと堰アッセンブリとの断面図である。 直線状ＩＰＡ排出ノズルと堰マニホールドアッセンブリとの等角図である。 直線状ＩＰＡ排出ノズルと堰マニホールドアッセンブリとの側面図である。 堰排出プレートの上面図である。 堰排出プレートの断面図である。 直線状ＩＰＡ排出ノズルと堰アッセンブリとの断面図である。 直線状ＩＰＡ排出ノズル内のホルダと堰アッセンブリとの等角図である。 直線状ＩＰＡ排出ノズル内のホルダと堰アッセンブリとの上面図である。 マランゴニ乾燥モジュールの等角図である。 マランゴニ乾燥モジュールの断面図である。 ＩＰＡ噴射マニホールドの等角図である。 ＩＰＡ噴射マニホールドの断面図である。 ＩＰＡ噴射マニホールドの断面図である。 底部プレートの等角断面図である。 プレートの等角図である。 ＩＰＡ噴射ノズルマニホールドとＮ２パージマニホールドとの等角図である。 エアナイフの断面図である。 ホルダとマランゴニ乾燥モジュールとの断面図である。 ホルダとマランゴニ乾燥モジュールとの断面図である。 ホルダとマランゴニ乾燥モジュールとの断面図である。 直線状ノズルの等角図である。 直線状ノズルの等角図である。 直線状ノズルの等角図である。 第１の位置におけるウエハホルダと処理モジュールとの側面図である。 第２の位置におけるウエハホルダと処理モジュールとの側面図である。 ウエハホルダと処理モジュールとの断面図である。 ウエハホルダと処理モジュールとの断面図である。 ウエハホルダと処理モジュールとの断面図である。 ウエハホルダのアレイと処理モジュールとの側面図である。 ウエハホルダのアレイと処理モジュールとの断面図である。 ウエハホルダのアレイと処理モジュールとの断面図である。 ウエハホルダのアレイと処理モジュールとの断面図である。 ノズルマニホールドの断面図である。 ウエハホルダのアレイと処理モジュールとの断面図である。 流体ジェットウエハ枚葉式並列処理モジュールの側面図である。 流体ジェットウエハ枚葉式並列処理モジュールの部分等角断面図である。 流体ジェットウエハ枚葉式並列処理モジュールの部分等角断面図である。 流体ジェットウエハ枚葉式並列処理モジュールの部分等角断面図である。 流体ジェットウエハ枚葉式並列処理モジュールの部分等角断面図である。 流体ジェットウエハ枚葉式並列処理モジュールの部分等角断面図である。 流体ジェット枚葉式並列処理モジュールの側面図である。 流体ジェットノズルアレイの部分等角断面図である。 流体ジェットノズルアレイの等角図である。 流体ジェットウエハ枚葉式並列処理モジュールの部分等角断面図である。 流体ジェットウエハ枚葉式並列処理モジュールの部分等角断面図である。 流体ジェットウエハ枚葉式並列処理モジュールの部分等角断面図である。
図１には、開示された実施形態の態様による基板枚葉式並列処理システムが示されている。開示された実施形態の態様を図面を参照しながら説明するが、開示された実施形態の態様は、多くの形態として具現化できることを理解されたい。さらに、任意の適切なサイズ、形状、又はタイプの要素又は材料を用いることができる。
ここで図１を参照すると、例示的な基板枚葉式並列処理システム２００の等角図が示されている。また図２も参照すると、例示的な基板枚葉式並列処理システム２００の上面図が示されている。図３も参照すると、例示的な基板枚葉式並列処理システム２００の上面図が示されている。さらに図４も参照すると、例示的な基板枚葉式並列処理システム２００の側面図が示されている。基板処理装置２００は、本願に開示された実施形態を用いた製造プロセスに適している。開示された実施形態は、電気めっき、洗浄又はエッチングシステムとして実装することができ、例えばマサチューセッツ州ビレリカの”NEXX Systems”のストラタス(Stratus)等の電着機と組合せて用いることができる。開示された実施形態の別の態様では、システム２００とモジュール２１０とを、任意の適切な基板処理システムと組合せて用いることができる。これらシステム２００とモジュール２１０とは、「ワークピースを流体処理するための方法及び装置(Method and apparatus for fluid processing a work piece)」という表題の特許協力条約に基づいて公開された公報発行日が２００５年５月１２日であるＷＯ２００５／０４２８０４ Ａ２に開示されるとともに、２００５年８月１４日に公開された米国特許出願公開第２００５／０１６７２７５号明細書に開示されたような特徴を組み込むことができ、これら両文献は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。システム２００は、例示的なシステムとして示されている。開示された実施形態の別の態様では、いくつかのモジュールは、様々な構成及び位置を有して提供されている。装置２００は、「基板処理システム(Substrate processing system)」という表題の２０１１年６月３日に出願された米国仮特許出願第６１／４９３，１８３号の特徴を有することができ、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
装置２００は、例えばフォトレジストでパターン化される又は他の方法で処理されたような既に処理された基板が、システムに出し入れされるようなロードポート２０６を含んでもよい。ロードステーション２０４は、ウエハローダモジュール２７４内に基板２７８を間接的又は直接的に移送させるようなロボットアーム２７６を有することができ、ここで、このウエハローダモジュール２７４は、ウエハ（複数可）をホルダ２７０，２７２にロードすることができる。ローダモジュール２７４は、以下により詳細に説明されるように、搬入位置２７４’と、ロード／アンロード位置２７４’’と、搬出位置２７４’’’とを含むシャトルを有するバッチ式交換ローダとすることができる。開示された実施形態の別の態様では、ローダモジュール２７４は、ホルダ２７０を回転させるとともに、ホルダ２７０内の１つ以上のウエハを並列して又は選択的にグリップし且つこのグリップを解除することを可能にするような機構を有してもよい。開示された実施形態の別の態様では、ロボットアーム２７６は、枚葉式、ウエハバッチ式又はそれらの組合せでウエハを搬送することができる。開示された実施形態の別の態様では、複数のローダモジュール２７４は、ホルダ２７０，２７２を並列してロードするように、或いはウエハを異なるタイプのホルダにロードしてもよく、これらホルダ２７０，２７２は、様々な機構を有する又は様々な種類の処理のために用いられる。開示された実施形態の別の態様では、ロードステーション２０４は、ロボットアーム２７６を有しており、このロボットアームによって基板２７８を基板ホルダ２７０，２７２内に直接的に移送し、次いで搬送装置２８０によってモジュール２１０に移送され、並列に、連続して又はこれら並列及び連続の組合せのいずれかで処理される。開示された実施形態の一態様では、搬送装置２８０又は別個のホルダ支持体は、ロボット２７６からホルダ２７０にウエハの直接的な受け渡しを可能にする機構を有することができ、ここで、搬送装置２８０は、例えば、ホルダ２７０を回転させるとともに、ホルダ２７０の１つ以上のウエハを並列に又は選択的にグリップする又はこのグリップを解除することを可能にする機構を有する。１つの搬送装置２８０が示されているが、より多くの搬送装置を、並列に又は他の態様で動作するように設けてもよい。例として、基板ホルダ２７０，２７２は、以下に示される実施形態でさらに説明されるように、枚葉式又はバッチ式の屈曲性ウエハ保持機構を備えてもよい。開示された実施形態の別の態様では、ホルダ２７０，２７２は、さらに説明されるような屈曲性ウエハに保持機構と、マサチューセッツ州ビレリカの”NEXX Systems”による「ストラタスシステム」に関して前述した刊行物に開示されるようなウエハホルダとの組合せであってもよい。開示された実施形態の別の態様では、システム２００内で任意の適切な組合せのホルダ（複数可）を利用してもよい。
処理モジュール２１０は、以下の開示された実施形態でさらに説明されるように、例えば、モジュール２１０が、電気めっきウエハ、陽極処理ウエハ、或いはフォトレジストの液状剥離、シード層エッチング、一般的なウエハ洗浄等の洗浄ウエハに適しているような機構を有してもよい。開示された実施形態において、ウエハホルダ及び関連する処理装置は、ウエハを垂直向きに処理するためのウエハ保持機構に基づく屈曲部を利用しており、それによって、ウエハの流体槽中への完全な浸漬を可能にするとともに、例えばせん断プレートの撹拌によって、単独で又は組合せのいずれかでウエハ表面に近接するウエハ表面付近の流体を容易に撹拌するような流体処理の垂直方向の様々な態様を利用しており、ここで、液体や気体をウエハ表面に噴霧する又はマランゴニ効果によってウエハ等を乾燥することのいずれかを行うようなウエハ表面に近接された様々なノズルジェットは、浸漬した状態から周囲の大気の非浸漬した状態に垂直方向に引き出され、或いは直線状ノズル又は複数のノズルを通じて清浄な乾燥窒素等のガスをウエハ表面に向けて吹き付けることによって乾燥させるために引き出される。開示された実施形態は、枚葉式縦型処理とバッチ式ウエハ縦型処理との両方、又は枚葉式及びバッチ式ウエハ縦型処理の組合せを包含する。例えば、枚葉式ウエハホルダは、枚葉式ウエハプロセスで処理され、続いて１つ以上のバッチ処理のために一緒にグループ化される。あるいはまた、システム２００は、全てが枚葉式又は全てがバッチ式のウエハ処理を行ってもよい。開示された実施形態の別の態様では、ウエハホルダに基づく屈曲部は、任意の適切な向き、垂直方向、水平方向又は他の方向での処理に用いることができる。枚葉式又はバッチ式のいずれかの湿式処理ツールでは、より詳細に説明するように、流体処理要素に対してウエハ表面を精密に配置する設備についてさらに開示されており、ここで、流体処理要素は、１つ以上の撹拌パドル（複数可）であるか、或いは部材（複数可）（例えば、せん断プレート撹拌部材）、直線状流体排出溝、直線状ノズルエアやＮ２ナイフ、マランゴニ式乾燥直線状ノズル及びウエハホルダアレイのノズルアレイ、走査ノズルアレイ又はその他のノズルアレイとすることができる。制御装置（複数可）２２０を各ステーション又はモジュール内に設けて、このステーション又はモジュール内でプロセス及び／又は搬送を順序付けることができる。システム制御装置（複数可）２２２を、ステーション同士の間で又は処理モジュール同士の間で基板を順序付けるととともに、ホスト通信、ロット出し入れ、又はシステム２００を制御するために必要とされる他の動作等のシステム動作を調整するためにシステム内に設けてもよい。開示された実施形態の別の態様では、処理モジュール２１０は、洗浄モジュールと電着モジュールとの組合せを含むことができる。開示された実施形態の別の態様では、複数の好適な組合せのいくつかのモジュールを任意の適切な組合せとして提供してもよい。このように、システム２００の構成の全ての変形形態、代替形態及び修正形態が包含される。
ここで図８を参照すると、バッチ式ウエハ処理システム又は基板枚葉式並列処理システム２４０が示されている。また図９も参照すると、バッチ式ウエハ処理システム又は基板枚葉式並列処理システム２４０の側面図が示されている。さらに図１０も参照すると、バッチ式ウエハ処理システム又は基板枚葉式並列処理システム２４０の端面図が示されている。開示された実施形態では、ツールには、（１）搬送２５６、（２）処理２５８、及び（３）マランゴニ乾燥機２６０の三つのレベルがある。図示される実施形態では、搬送装置（図示せず）は、多数のウエハホルダ２４４，２４６を、例えば軸線２７２，２７４に沿って処理モジュール２６２，２６４，２６６，２６８，２７０の間で取り扱うことができる。図示される実施形態では、６つのウエハホルダが、アレイ２４４，２４６にそれぞれ示されている。開示された実施形態の別の態様では、適切な数のウエハホルダ（複数可）を各アレイに用いることができ、例えば、１枚，１３枚又は任意の適切な数を用いることができる。ウエハホルダの仮想アレイ２４４は、搬送装置によってツールを介してあるプロセスから別のプロセスに移動させることができる。図７に図示される実施形態に関して以下でより詳細に説明されるように、シャトルは、ロード／アンロード位置２５０、搬入位置及び／又はアレイ２４８、搬出位置及び／又はアレイ２５２を有するように提供されてもよい。例として、処理すべきウエハは、例えば、ウエハキャリア又はＦＯＵＰからアレイ２４８内へ搬入され、ロード位置２５０を往復して、処理するべくホルダ２４６に移送することができる。さらなる例として、処理済みウエハは、アンロード位置２５０においてホルダ２４６から搬出アレイ２５２に移送されるとともに、後処理のために搬出する又はウエハキャリアやＦＯＵＰ等で移送するべく搬出位置２５２を往復する。開示された実施形態の別の態様では、単一のシャトルアレイが、これから説明するように、処理済みウエハをホルダ２４６から受け取るとともに、未処理ウエハをホルダ２４６に供給するように用いてもよい。図示される実施形態ではホルダアレイ２４６は水平方向に示されているが、開示された実施形態の別の態様では、このアレイ２４６は、垂直向きにすることができる。開示された実施形態の別の態様では、アレイ２４６は、中間アレイを使用せずにロボットとの間でウエハを直接的に移送するために、位置２５０から位置２５２に又は位置２４８から位置２５０に往復することができる。さらに、開示された実施形態の別の態様では、別のロード及びアンロードステーションを、例えば、搬入及び搬出ステーション２４８，２５２に沿って又は処理モジュールに沿って設けてもよい。また、開示された実施形態の別の態様では、ウエハをロード及びアンロードするために、ホルダは、アレイ全体を９０度回転させて水平方向のウエハ搬送を可能にするようにロードステーション内に挿入することができる。ここでは、ロードステーション２５０は、９０度回転させてウエハを水平方向に渡すとともに、簡単なカム従動動作を提供してウエハ移送を可能にするように屈曲部をこじ開けるためのウエハホルダ２４６のブレードをクレードル(cradle)内に置いていくようにしてもよい。開示された実施形態では、搬送装置は、アレイ内に毎回形成される、ウエハホルダをブレードとして単に取り扱う代わりに、アレイを任意の種類の「カセット」に組み込むことなくウエハホルダのアレイを運ぶことができ、多数のウエハホルダが搬送装置によってピックアップされる。
処理モジュール２６２〜２６８に関して、後工程、例えば溶媒リンス及びＤＩＷリンスでの流体ラインの高さは、最終リンス及び乾燥工程中にウエハホルダの頂部よりも高くてもよい。以下でより詳細に説明され且つ示されるように、ウエハホルダ上の傾斜面は、水平面上に生じる他の流体の捕捉を最小限にするために設けられており、ウエハホルダの完全なリンスを可能にすることができる。開示された実施形態では、システム２４０は、６個のウエハホルダのアレイを一度にピックアップするとともにピックアップ解除することができるようなウエハホルダグリッパを含む搬送装置を有してもよい。開示された実施形態の別の態様では、システムは、ホルダのアレイ（複数可）をいくつかの基板と共に取り扱う、又は様々な処理モジュールにおける様々な数のホルダと共に取り扱うように構成することができる。さらにより詳細に説明するように、マランゴニ乾燥モジュール２９０及びせん断プレート撹拌流体モジュール６２６〜２６８は、複数のウエハホルダを受け入れるように設けてもよい。開示された実施形態では、６つの片面ウエハホルダは、アレイ２４４を構成するために約２．５４ｃｍ（1”）から３．８１（1.5”）ｃｍ又は他の寸法のピッチで離間されている。個々のウエハホルダは、例えばマランゴニ乾燥処理のため及びウエハの背面にＤＦＲ粒子の再付着を回避することを確実にするために、ウエハの背面へのアクセスを可能にする。システム２４０の潜在的な用途は、水平面又は垂直面でのバッチ式ロード、水平面又は垂直面でのウエハ枚葉式ロード、或いは処理及び／又はホルダタイプの任意の適切な組合せを含む枚葉式及び／又はバッチ式ロードの組合せのいずれかで具現化することができる。開示された実施形態では、例示的なシステムレイアウトが、例えばフォトレジスト剥離のために、基板バッチ式又は基板枚葉式並列処理のために示されている。ここでは、縦型ウエハ流体処理ツールの実施形態の一例は、ドライフィルムフォトレジストのバッチ式除去である。例として、モジュール２６２〜２６８，２９０は、バッチ式せん断プレート撹拌の予備浸漬タンク、バッチ式せん断プレート撹拌のレジスト溶解タンク、バッチ式せん断プレート撹拌のＩＰＡ洗浄タンク及び／又はバッチ式マランゴニＩＰＡ乾燥タンク２９０のうちの１つ以上、又は１つ以上の処理モジュールの任意の他の適切な組合せとすることができる。示されるように、最終的なＤＩ水リンスが、マランゴニ乾燥機２９０の処理ステーション内で混合されるような４つ又は５つの処理ステーションが存在する。開示された実施形態の別の態様では、いくつかのモジュールを処理におけるボトルネックを解消するために追加することができ、様々な工程が、単独で又は他のバッチサイズと組合せて使用されるような同じ又は異なるバッチサイズを有してもよい。従って、開示された実施形態は、全てのそのような組合せを包含することを意図している。
ここで図７を参照すると、例示的なウエハ枚葉式並列処理システム３００の上面図が示されている。また図５も参照すると、バッチ式のウエハ枚葉並列処理３００の部分等角図が示されている。さらに図６も参照すると、ウエハ枚葉式並列処理システム３００の部分側面図が示されている。実施形態では、システム３００は、ウエハ搬送部３０４と、バッチ式ロード及びアンロード部３０６と、処理部３０８と、記憶又は配電部３０２とを有する。ここでは、基板搬送システムは、処理モジュール３４０，３４２，３４６，３４４とキャリア３１２との間で基板を搬送する。ここでは、より詳細に説明されるように、システム３００は、ウエハホルダのアレイを有しており、このウエハホルダのアレイは、ホルダのアレイ内の他のホルダに対して移動可能に且つ独立して位置決め可能である個々のホルダを含む。搬送装置３２６は、処理モジュール３４０，３４２からローダ３２４にホルダのアレイをユニットとして搬送するように構成されており、ここで、ローダ３２４は、ホルダのアレイから基板をアンロードするとともに、高速スワップ動作で新しいウエハをホルダのアレイにロードするように構成されている。基板搬送ロボット３１４は、ローダ３２４とキャリア３１２の間で基板を搬送する。ウエハ３１０は、ロボット３１４によって搬入シャトルアレイ３２２又は搬出シャトルアレイ３２０との間で、ポッドドア開閉装置３１２から搬送することができる。ロボット３１４は、例えばウエハを同時にロード（搬入）し且つ取外し（搬出）するために、単一のアーム及びエンドエフェクタ、又は２つのアーム及び／又は２つのエンドエフェクタを有してもよい。ローダ及びアンローダ３０６は、搬入位置３３２からロード位置３３０に搬入シャトルアレイ３２２を選択的に位置決めすることができるようなシャトルを有する。ローダ及びアンローダ３０６は、搬出位置３３４からアンロード位置３３０に搬出シャトルアレイ３２０を選択的に位置決めするようなシャトルを有する。以下でより詳細に説明するように、ロード及び／又はアンロード位置３３０において、搬送装置３２６は、ウエハホルダアレイ３２４をロード及び／又はアンロード位置３３０に搬送して、処理すべきウエハのバッチを搬入シャトルアレイ３２２からウエハホルダアレイ３２４にロードする、又は処理済みのウエハのバッチをウエハホルダアレイ３２４から搬出シャトルアレイ３２０にアンロードする。１つ以上のシャトルアレイ（複数可）３２０，３２２は、これらシャトルアレイ（複数可）３２０，３２２が、ウエハホルダアレイ３２４と同数のホルダ位置を有する、あるいはまた、以下でより詳細に説明するように、複数のホルダ位置を有するように提供されてもよく、ここで、シャトルアレイ３２０は、高速スワップ用にウエハの搬入及び搬出バッチの両方をウエハホルダアレイ３２４を用いて同時に保持することができる。
開示された実施形態の別の態様では、シャトル３０６は、シャトルアレイ（複数可）と共に提供されておらず、例えばウエハホルダアレイ３２４が、シャトル３０６によって位置３３０，３３２，３３４又は他の位置に搬送され、ここで、シャトルは、ホルダ３２４の部材を再配列及び／又は作動させるとともに、ロボット３１４とウエハホルダアレイ３２４との間でウエハの直接的な搬送を容易にさせる機構を有する。開示された実施形態の別の態様では、追加の及び／又は別個のロード及びアンロード位置を設けてもよく、いくつかの搬入及び／又は搬出位置を設けてもよい。例えば、単一の位置又はシャトルアレイを、搬入及び搬出のために使用してもよく、又は別個のロード又はアンロード位置を提供してもよい。シャトルは、例えば１つ以上のシャトルアレイを独立して位置決めするための単一のシャトル軸線又は複数の軸線を含むことができる。バッチアレイは、開示された実施形態では、例えば前工程の洗浄、剥離洗浄、又は他の洗浄に用いることができるような、例えば１時間あたり２５０枚のウエハを機械的スループットさせるより高速な移送を可能にするとともに、改善されたツールレイアウト及びアクセスを提供するために用いることができる。図示される実施形態では、側面取付型搬送装置ロボット３２６が、例えば、ツール３００の側面の低い位置に取り付けられた主軸受と自動化装置と共に示されている。システム３００は、シャトル３２０，３２２を用いる垂直方向ウエハ搬送を利用して、ウエハロボット３１４によってプリロード（pre-load）やポストアンロード(post-unload)を可能にする。ここで、ロボット３１４は、シャトルアレイ３２０，３２２への移送が垂直向きに達成されるように、回外(supinating)手首を有してもよい。ここでは、ウエハホルダ３２４の１３枚のウエハのバッチは、前工程ウエハロボット３１４を搬送装置３２６の作動から切り離すように、例えば搬送装置３２６とシャトル３２０，３２２との間で３０秒で交換することができる。さらに、より詳細に説明するように、タンク自動化装置のための片持ち式構造が、せん断プレートモジュール３４０，３４２，３４４及びマランゴニモジュール３４６について示されている。システム３００は、４つのＦＯＵＰ前部３０４を包含するような幅広ツール構造を有するように示されており、垂直方向移送ローダ３３０と側面ロボット３２６との両方を可能にする。ウエハ面は、ツールを介したＹ軸方向の移動に対して平行に示されている。加熱されたカバーが、ウエハ部分の上に近接して設けられており、ウエハホルダアレイを処理タンク内に挿入した後に、ウエハホルダのハンドル部の下に設けられ、それによって、ウエハホルダのクロスビーム上のホットストリッパーや他の化学物質の結露を回避することができる。後述するように、バッチ式マランゴニ乾燥３４６は、１３個のメニスカスのインターフェイス部を同時にバランスさせる必要がある。
図示される実施形態では、ウエハ表面に対して平行（Ｙ方向）に移動させる方向の１３個の要素のウエハホルダのバッチが示されている。開示された実施形態の別の態様では、任意の適切な数のウエハ又は要素又は移動の方向性を提供してもよい。図５及び図６では、２つのウエハホルダのバッチが示されており、一方がローダ３３０の処理位置３２４’にあり、他方が搬送位置３２４にあり、ここで搬送装置３２６は、これら２つの位置の間だけでなくＹ軸方向にもウエハホルダを搬送する。マランゴニ乾燥モジュール３４６は、背が高く示されており、一体型リフトを有してもよい。ウエハホルダアレイのバッチ３２４が搬送装置３２６によって置かれるロードステーション３３０は、ウエハホルダのバッチ３２４がローダ３３０によって固定位置に保持されるようなステーションであり、ここで、搬送装置３２６は、ウエハホルダアレイ３２４を放出し、他の活動に移ることができる。約５０．８ｃｍ(20”)又は他の大きさのＺ方向方向動作が、搬送装置３２６によって必要とされてもよい。開示された実施形態の別の態様では、搬送装置３２６は、さらに、ウエハホルダアレイ３２４を任意の適切な向きに選択的に位置決めするためのｘ軸又は１つ以上の適切な回転軸を有してもよい。例えば、いくつかのロードステーション又は処理モジュール又はポスト処理モジュールを、異なる位置に又は他の位置に設けてもよい。ウエハホルダ３２４の脚部を押し開いてウエハを放出させるような作動機構をロードステーション３３０に設けてもよい。搬入ウエハ３２２及び搬出ウエハ３２０の位置を含むＸ方向動作シャトルを設けてもよく、これらの位置は、例えばウエハホルダのバッチ内の各ウエハについて３つの位置を有する。開示された実施形態の別の態様では、任意の適切な数の選択可能な位置を、同一又は異なる動作軸線上の１つ以上の独立したシャトルに設けてもよい。例として、ウエハホルダのバッチ３２４の３．８１ｃｍ(1.5”)のピッチについて、このピッチは、シャトル上に例えば１．２７ｃｍ(0.5”)ピッチの選択可能なピッチを示しており、それによって、シャトルは、後述するように、約１．２７ｃｍ(0.5”)だけ±Ｘ方向に移動する。シャトルアレイ３２２，３２０上の上部フィンガ及び底部クレードルの動作は、これらのウエハ接触要素を、ウエハエッジの真ん中から例えば２〜３ｍｍだけ半径方向外側に移動させることができるようにシャトルに提供してもよく、それにより、ウエハホルダのバッチ３２４においてウエハホルダによって真ん中に保持されたウエハに接触させることなく、Ｘ方向に（すなわち、ウエハ表面に対して垂直方向に）シャトルを移動させることを可能にする。一例として、ウエハホルダのバッチ３２０，３２２の１３個のシャトル位置について、これは、２ｘ２ｘ１３＝５２個のアクチュエータを有しており、このアクチュエータは大抵の場合ソレノイドであり、ウエハをロボット３１４のエンドエフェクタを用いて交換するためにペアで移動させる、又はローダ３３０のウエハホルダのバッチアッセンブリ３２４と係合させるために同時に５２個の全てのアクチュエータを移動させることのいずれかができる。ここでは、シャトルの最小限の動きが必要とされ、例えば、３．８１ｃｍ(1.5”)ピッチのウエハホルダのバッチについて約±１．２７ｃｍ(0.5”)だけの最小限の動きが必要とされる。さらに、エンドエフェクタを用いる中心(on-center)移送は、ウエハホルダからシャトルクレードル内にウエハが「落下」する危険性を回避することができ、むしろ、ウエハは、いずれか１つの脚部が押し拡げられる前に、エンドエフェクタとシャトルとの両方で同時にグリップされる。ここでは、２〜３ｍｍの「落下」距離を与えてもよい。単一シャトルが設けられる場合には、ロボット３１４は、バッチ式移送が行われているときに待機状態にされるであろう。対照的に、図８に見られるように２つのシャトルを使用した場合に、ロボット３１４は、代替シャトルを用いてロード／アンロードを継続することができる。ここでは、例として、第２シャトルによって提供されるゲインは、より小さなバッチ式ウエハホルダレイサイズについてより大きくなる。
ここで図１１を参照すると、例示的な基板枚葉式並列処理システム２００の部分等角図が示されている。また図１２Ａも参照すると、例示的な基板枚葉式並列処理システム２００の部分正面図が示されている。図１２Ｂも参照すると、例示的な基板枚葉式並列処理システム２００の部分背面図が示されている。図１２Ｃも参照すると、例示的な基板枚葉式並列処理システム２００の部分側面図が示されている。さらに図１２Ｄも参照すると、例示的な基板枚葉式並列処理システム２００の部分側面図が示されている。開示された実施形態では、システム２００は、処理側３４６及びバッファ側を有してもよい。ここでは、例えば、処理側３４６は、処理モジュール２１０及びマランゴニ乾燥モジュール２９０を有して示される一方、バッファ側３４８は、バッファステーション３５０，３５２，３５４，３５８，３６０’を有して示されている。開示された実施形態の別の態様では、処理側３４６及びバッファ側３４８は、全ての処理モジュール又は任意の適切な組合せの処理モジュールを含むことができ、バッファモジュール又は他のモジュールは、処理モジュール、バッファモジュール又は他のモジュールの任意の組合せを有するように構成可能であってもよい。ここでは、搬送装置２８０は、１つ以上のホルダ３５９のアレイを処理側３４６又はバッファ側３４８上の任意の適切な位置に移動させるように構成可能であってもよく、ホルダ３５９のアレイを処理側３４６からバッファ側３４８に、任意の適切な処理位置に、バッファ位置に又はその他の位置に移動させるために、Ｘ軸線又は回転Ｔ軸線又は任意の適切な軸線と共に構成されてもよい。あるいはまた、搬送装置２８０は、アレイ支持構造体２８１を処理側３４６からバッファ側３４８に往復させるようなシャトル２８０'とインターフェイスすることができる。ここでは、搬送装置２８０は、ホルダ３５９のアレイを処理側３４６及び／又はバッファ側３４８のいずれかに搬送するようなホルダアレイ支持構造体を有してもよく、このホルダアレイ支持構造体の搬送装置の両側によって、アレイ支持構造体２８１との間でホルダ３５９のアレイをピックアップして配置することができ、シャトル２８０'は、アレイ支持構造体２８１を処理側３４６からバッファ側３４８に往復させることができる。
開示された実施形態の別の態様では、複数の基板表面を処理するためのシステム２００が設けられている。このシステム２００は、処理モジュールフレームを有するとともに、基板表面に接触することなく基板表面を処理するための複数の処理要素を有するような処理モジュール２１０と、複数の基板ホルダアッセンブリ５８６とを備える。各アッセンブリが複数の基板ホルダを有しており、各アッセンブリが処理モジュールフレームに着脱自在に結合されており、基板ホルダアッセンブリ５８６内の各基板ホルダが、基板を保持するように構成されている。処理モジュールフレーム２１０は、複数の処理要素内の各処理要素が基板同士の間に配置されるように、複数の処理要素の各処理要素に対して、基板ホルダアッセンブリ内の基板ホルダのそれぞれを繰返し可能なアライメント位置に整列させるようなアライメント機構を有している。ローダモジュール２７４，４００（図２２Ａ参照）は、基板ホルダアッセンブリのそれぞれから複数の処理済み基板をアンロードするとともに、複数の未処理基板を基板ホルダアッセンブリのそれぞれにロードするように構成される。搬送装置２８０は、基板ホルダアッセンブリ５８６のそれぞれを、処理モジュール２１０とローダモジュール２７４との間で搬送するように構成されている。システムは、第２の処理モジュール２９０をさらに有しており、搬送装置は、基板ホルダアッセンブリのそれぞれを、処理モジュール２１０と第２の処理モジュール２９０とローダモジュール２７４との間で搬送するように構成されている。システムは、未処理基板を基板キャリアからローダモジュール２７４に搬送するように構成されるとともに、処理済み基板をローダモジュールから基板キャリアに搬送するようにさらに構成されるような基板搬送前部２０４をさらに有している。基板表面は、実質的に垂直向きで存在している。複数の処理要素は、基板表面に接触することなく基板表面に近接して流体を撹拌するような撹拌部材のアレイであってもよい。基板ホルダアッセンブリは、処理モジュールフレームからユニットとして着脱自在にされてもよい。基板ホルダアッセンブリ５８６内の各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリ内の他のホルダとは独立した処理モジュールフレームから着脱自在にされてもよい。基板ホルダアッセンブリ５８６内の各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリ内の他の基板ホルダに対して独立して移動可能に且つ位置決め可能とすることができる。基板ホルダアッセンブリ５８６内の各基板ホルダは、複数の処理要素内の各処理要素を基板同士の間に配置するように、複数の処理要素内の各処理要素に対して繰返し可能にアライメントされる。システム２００は、流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理するように示されている。基板ホルダアッセンブリ５８６内の各基板ホルダは、複数の処理要素内の各処理要素を基板同士の間に配置するように、複数の処理要素内の対応する処理要素に対して繰返し可能にアライメントされるとともに、複数の処理要素内の他の処理要素とは独立している。基板表面は、平行なアライメントに維持され且つ垂直向きに維持される。
開示された実施形態の別の態様では、流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理するためのシステム２００が提供される。このシステム２００は、基板表面に接触することなく基板表面を処理するための複数の処理要素を有する、フレームを含む処理モジュール又はセクション２１０を有する。基板ホルダアッセンブリ５８６は、ホルダフレーム９４６と複数の基板ホルダとを有しており、各基板ホルダは、ホルダフレーム９４６に結合されるとともに基板を保持するように構成されており、それによって、ホルダアッセンブリの各基板ホルダは、処理セクション２１０との間で基板ホルダアッセンブリを用いて基板をユニットとして搬送するために、基板ホルダ内の別の基板を保持する。基板ホルダアッセンブリ５８６とこのアッセンブリに含まれる各基板ホルダとは、処理セクションフレーム２１０に着脱自在に結合される。基板ホルダアッセンブリ５８６の少なくとも１つの基板ホルダは、ホルダフレームに対して移動可能にされるとともに、処理セクション２１０の所定の機構に対して繰返し可能なアライメント位置で位置決め可能にされ、且つ処理セクションに対してホルダフレームの位置決めとは独立している。ホルダフレームは、搬送装置に結合されたエンドエフェクタであってもよく、ここで、搬送装置は、処理セクション２１０との間で基板ホルダアッセンブリ５８６を移動させるように構成されており、搬送装置２８０は、処理セクション２１０との間でホルダフレームを用いて別の基板ホルダアッセンブリを移動させるように構成されている。複数の基板ホルダのそれぞれは、ホルダフレームに着脱自在に結合されてもよい。基板ホルダアッセンブリ５８６内の基板ホルダのそれぞれは、処理要素に対して独立して移動可能に且つ位置決め可能にされる。基板ホルダアッセンブリ５８６内の基板ホルダのそれぞれは、基板ホルダアッセンブリ内の他の基板ホルダとは独立した処理セクションの所定の機構に対して、繰返し可能にアライメントされる。複数の処理要素内の各処理要素は、基板同士の間に配置されている。基板ホルダアッセンブリ５８６内の各基板ホルダは、複数の処理要素内の各処理要素を基板同士の間に配置するように、複数の処理要素の対応する処理要素に対して繰返し可能にアライメントされるとともに、複数の処理要素内の他の処理要素と独立している。別の基板は、処理モジュール２１０との間でユニットとして搬送するために、基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダによって保持される。基板ホルダアッセンブリと基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダとが、処理モジュールフレームに着脱自在に結合されており、この処理モジュールフレームに結合されたときに、各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリ５８６の他の基板ホルダに対して独立して移動可能に且つ位置決め可能にされる。基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリ内の他の基板ホルダとは独立した処理モジュールの所定の機構に対して繰返し可能アライメントされる。
開示された実施形態の一態様では、流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理するためのシステム２００が提供される。このシステム２００は、基板表面に接触することなく基板表面を処理又は流体処理するための複数の処理要素を有する、フレームを含む処理セクション又はモジュール２１０を有している。後述するように、複数の処理要素は、撹拌部材、乾燥部材、流体ジェット部材又は任意の適切な処理要素であってもよい。複数の基板ホルダを有する基板ホルダアッセンブリ５８６（図１７）は、処理セクション２１０と別の位置との間で１つ以上の基板をユニットとして搬送するように構成されている。ここでは、基板ホルダアッセンブリ５８６は、複数の基板ホルダを有するとともに、基板をユニットとしてバッチ搬送するように構成されている。基板ホルダアッセンブリと各基板ホルダとは、処理セクションフレームに着脱自在に結合するように構成されている。基板ホルダアッセンブリ５８６内の各基板ホルダは、１つの基板又は複数の基板のうちの少なくとも１つを保持するように構成されている。処理セクションフレーム２１０は、アライメント機構を有しており、このアライメント機構は、基板ホルダアッセンブリ５８６を処理セクションフレームに結合する際に、同アライメント機構が、基板ホルダアッセンブリ５８６の各基板ホルダとのインターフェイス部を備えており、且つ各基板ホルダと処理セクションフレームとを対応させて結合するときに、処理セクション２１０の所定の機構に対して各基板ホルダを繰返し可能なアライメント位置に位置するように配置される。所定の機構は、基板を垂直向きに配置した状態で、基板同士の間に配置することができる。所定の機構は、複数の処理要素内の各処理要素を基板同士の間に配置した状態で、各々の処理要素であってもよい。アライメント機構は、複数の処理要素内の対応する処理要素に対して、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダを繰返し可能なアライメント位置に整列させる垂直方向ガイドとすることができ、ここで、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダは、各垂直方向ガイドの嵌合機構と協働するような一体型位置決め機構を有する。
ホルダアッセンブリ５８６は、フレーム９４６に結合された複数の基板ホルダであってもよく（図２８Ａを参照）、フレームは、搬送装置に結合されたエンドエフェクタであってよい。ここで、搬送装置は、処理モジュール２１０との間で基板ホルダアッセンブリを移動させるように構成されており、この搬送装置は、処理モジュール２１０との間でホルダフレームを含む別の基板ホルダアッセンブリを移動させるように構成されている。基板ホルダアッセンブリ５８６内の各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリ内の他の基板ホルダに対して独立して移動可能に且つ位置決め可能にされる。基板ホルダアッセンブリ５８６内の各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリ５８６内の他の基板ホルダとは独立して、処理セクションの所定の機構に対して繰返し可能にアライメントされる。基板ホルダアッセンブリ５８６内の各基板ホルダは、複数の処理要素内の対応する処理要素に対して繰返し可能にアライメントにされるとともに、複数の処理要素内の他の処理要素とは独立している。モジュールフレームは、挿入ガイドを有しており、各基板ホルダは、各基板ホルダから垂下するとともに挿入ガイドに対応する嵌合ガイドを有しており、これら挿入ガイドと嵌合ガイドとは、基板ホルダとモジュールフレームとを結合する際に、挿入ガイドが、複数の処理要素内の対応する処理要素に対して、基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダを繰返し可能なアライメント位置に整列させるような、各基板ホルダの対応する嵌合ガイドを受容するように構成されている。挿入ガイドは、複数の処理要素内の対応する処理要素に対して、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダを繰返し可能なアライメント位置で整列させるような垂直方向ガイドであってもよい。ホルダアッセンブリ５８６は、フレーム９４６に結合された複数の基板ホルダとしてもよく、ここで、このフレームが、搬送装置に結合されたエンドエフェクタを有しており、この搬送装置は、処理装置との間で基板ホルダアッセンブリを移動させるように構成されており、搬送装置２８０は、処理装置との間でホルダフレームを含む別の基板ホルダアッセンブリを移動させるように構成されている。基板ホルダアッセンブリ５８６内の各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリ５８６内の他の基板ホルダとは独立して、複数の処理要素内の対応する処理要素に対して繰返し可能にアライメントされる。
ここで図１３を参照すると、ウエハ枚葉式ホルダ３６０が示されている。ホルダ３６０は、ハンドル部３６２とウエハ部３６４とを有して示されている。ハンドル部３６２は、ウエハ部３６４の左右屈曲部３６８，３７０を結合するようなクロスバー３６６を有する。左フィンガ３７２及び３７４が、左屈曲部３６８に結合されるように示されている。右フィンガ３７６及び３７８が、右屈曲部３７０に結合されるように示されている。図１５Ａも参照すると、ウエハ３８０は、屈曲部３６８，３７０が閉じた状態で中央に示されており、フィンガ３７２，３７４，３７６，３７８で捕捉されたウエハ３８０を保持している。また図１５Ｂも参照すると、ウエハ３８０が依然として中心に存在するとともに、屈曲部３６８，３７０を例えば１.７７８ｍｍ(0.070”)又は他の寸法で開いた状態３８２のウエハホルダ３６０が示されている。さらに図１５Ｃも参照すると、ウエハ３８０を例えば４．５７２ｍｍ(0.180”)又は別の寸法で下降させるとともに、屈曲部３６８，３７０を例えば１．７７８ｍｍ(0.070”)又は他の寸法で開いた状態のウエハホルダ３６０が示されている。ここでは、例えば、ウエハホルダの上部フィンガ３７２，３７６の適切なクリアランスによってウエハ表面に対して垂直方向に平行移動することを可能にするために、屈曲部３６８，３７０は、ウエハ３８０をウエハホルダ３６０に対して下降させた３８４、開いた状態３８２として示されている。開示された実施形態の別の態様では、ウエハは、接触部をクリアにするために下降する必要はない。ここでは、ウエハホルダアレイの支持体は、ウエハの支持体に対してＺ方向及びＸ方向の両方に移動させることができる（Ｘは、ここでウエハ表面に対して垂直方向である）。ロード／アンロードに関して屈曲性ウエハホルダの上部から底部にかけての非対称性開口位置は、ローダにおいて比較的容易に乗り越えられ、システムの残りの部分でのシンプルさと剛性とを得る。図１５Ｄも参照すると、ウエハ３８０は、屈曲部３６８，３７０とともに中央に示されているが、フィンガがウエハ３８０を捕捉できないように図面に対して垂直方向にオフセットされて示されている。ここでは、屈曲部３６８，３７０は、緩んだ状態で、ウエハ３８０がフィンガ３７２，３７４，３７６，３７８で捕捉されないように、ウエハ３８０のエッジの内側に閉じた状態にされる。屈曲フレームは、ステンレス鋼ＳＳ３１６、ＰＥＥＫ、又は任意の適切な材料から製作することができる。ここでは、動作に基づく撓み（屈曲）によって、ウエハをアッセンブリとしてロードし且つグリップするために用いることができ、ウエハホルダに対するウエハ位置を撓んだ状態で示している。
図１５Ａは、ウエハを保持した状態のビームを示しているが、図１５Ｂは、６．３５ｃｍ(2.5”)の長さの又はその他の長さの屈曲部の１．７７８ｍｍ(0.070”)の例示的な撓みを示しており、その撓みは、上部接触ブロックの捕捉リムをクリアするのに十分であり、ウエハを下部接触ブロックから落下させるようにする。このタイプの作動は、（１）屈曲部／接触ブロックアッセンブリを開ける前にウエハに支持を提供するためのロードステーションか、又は（２）屈曲部が撓んで開かれたときに、ウエハを支持するために、ウエハの背面により広範な表面を有するような下部接触ブロックのいずれかが必要な場合がある。屈曲性ウエハ保持機構又はウエハホルダ３６０は、基板表面の縦型流体処理中に基板３８０を保持し且つ維持し、ここで、ホルダ３６０は、支持部材３５５を含むとともに、フレーム３６６に結合された第１の脚部３６８と第２の脚部３７０とを含み、それぞれ第１の柔軟性屈曲部３８４及び第２の柔軟性屈曲部３８６と共に支持部材から垂下するようなフレームを有している。ここでは、第１及び第２の柔軟性屈曲部は、少なくとも１つの脚部が、他の脚部に対して移動可能となるように構成される。第１の脚部３６８は、基板３８０の第１の端部３８８に係合するように示された第１の接触フィンガ又は部材３７２，３７４を有するように示されている。第２の脚部３７０は、基板５５２の第２の端部３９０と係合するように構成された第２の接触フィンガ又は部材３７６，３７８を有しており、それによって、基板３８０がこの脚部によって支持されるように示されている。開示された実施形態の別の態様では、いくつかの接触フィンガを設けることができ、例えば単一の接触フィンガを１つの脚部に設けることができ、複数の接触フィンガを対向する脚部に設けることができる。第１及び第２の柔軟性屈曲部の撓みに応じて、第１及び第２の脚部は、基板３８０の第１及び第２の端部から第１及び第２の接触フィンガの係合を解除するように実質的に反対方向に移動可能にされる。ここでは、第１及び第２の柔軟性屈曲部の撓みに応じて、第１及び第２の脚部の相対的な移動によって、第１及び第２の接触部材を基板の第１及び第２の端部から係合させ且つこの係合を解除させる。実施形態では、屈曲性ウエハ保持機構は、保持力が、フェールセーフ、シンプル性且つコンパクト性を有するようにウエハ３８０の周囲上のいくつかの点でウエハ３８０に接触する。ここでは、フェイルセーフ機構によって、ウエハ又は基板３８０の落下又は損傷の危険性がほとんどない状態で、自動化されたシステム全体を通じてホルダ３６０の搬送を行うことができる。ここでは、シンプル性は、基板係合機構の単純さだけでなく、複数のウエハホルダをバッチ、例えば６つの又は他の数のウエハホルダのバッチ内にグループ分けして、処理ツールを介してウエハのより高いスループットを可能にする機能性を提供する。ここでは、コンパクト性は、様々な流体処理機構をウエハ保持機構によって阻害されることなくウエハ表面に非常に接近して接近させることができ、例えば、せん断プレート撹拌機構がウエハ表面から０．５ｍｍの距離で作動するようにされ、あるいはまた任意の他の適切な機構が、所定の距離又は他の距離で作動するようにされる。基板ホルダ５５０は、任意の適切な流体処理機構と組合せて使用することができ、例えば、流体ノズルアレイ、窒素エアナイフ及びマランゴニ乾燥ノズルアッセンブリ又はその他のノズルを含むことができる。開示された実施形態では、屈曲性ウエハホルダ３６０は、有利な流体流を提供するために垂直向きの利点を活しながら、これらの流体又は気体の処理要素に対してウエハの精密な位置及び移動を提供するために使用され得る。こうして、ウエハホルダが精密な整列キャリア（ＰＡＣ）ウエハホルダとして設計される。
本実施形態において、接触フィンガは、流体処理要素が、ウエハの前面の例えば０．５ｍｍ又は他の寸法以内で背面よりもウエハ３８０の前面寄りに位置決めされるように非対称とすることができる。図示される実施形態では、ウエハホルダの脚部３６８，３７０は、ウエハ３８０が、ハンドルを湿潤させることなく流体槽中に浸漬されるように、ハンドル３６８又はクロスバーからいくらか距離を置いて設けられている。脚部３６８，３７０は、以下でより詳細に説明されるように、ウエハの挿抜を可能にするように開閉することができる。ロード作動機構（図示せず）は、ウエハホルダの中心線から離れる方向に脚を広げるために、例えば各脚部の下部の内面を押すことにより、脚部３６８，３７０を離れさせ、それによって、脚部をハンドルに接続する屈曲部３８４，３８６は、ウエハ３８０が接触フィンガ面の外側に移動できるように十分に撓まされる。ウエハホルダ脚部が図１５Ａに示されるように閉じた位置にあるとき、４つの接触フィンガ３７２，３７４，３７６，３７８は、ウエハとほぼ同じ直径となるような円を規定し、この円は、ウエハホルダ３６０によって捕捉されたときにウエハの中心が整列するように、ウエハホルダのノミナル中心点データムを規定すると考えることができる。ウエハホルダの脚部が撓まされるとき、４つの接触フィンガは、ウエハの直径よりも数ｍｍ又はこれよりも大きい第２の円を規定しており、この第２の円の中心は、屈曲性脚部の組合せの撓みによってデータム中心から数ｍｍ離れて配置することができる。ウエハの中心が第２の円の中心と整列するようにウエハが平行移動される場合に、ウエハ３８０を、接触フィンガの外側に持ち上げるとともに、ウエハホルダ３６０から取り外すことができる。開示された実施形態の別の態様では、ウエハホルダの屈曲性を有する設計は、第１及び第２の円中心線が実質的に同じになるようにすることができ、それによって、ウエハ抜取りは、ホルダ３６０からの挿抜中にウエハとホルダとの間の相対的な移動を用いない。開示された実施形態の一態様は、接触フィンガ上のウエハ捕獲面の詳細な形状及び捕捉方法であり、この態様は、以下でより詳細に説明するように、ロード及びアンロード中のウエハの動作は、保持機構が非常に固定されており且つさらにウエハ表面に対して最小限の接触を有しており、滴下又は他の望ましくない流体処理アーチファクトを最小限に抑える。図示される実施形態では、ロードステーションは、屈曲性／接触ブロックアッセンブリを開ける前にウエハに支持を提供するように使用される、又は下部接触ブロック３７４，３７８は、屈曲部が撓わんで開かれたときに、表面を支持するために例えばウエハ３８０の背面側において、図１４に示されるよりもより広範な表面を設けることのいずれかができる。図１５Ｃに確認されるように、例えば４．５７２ｍｍ(0.180”)だけウエハ３８０を垂直方向にオフセットすることにより、接触ブロックの開口部内にウエハ３８０をほぼセンタリングして（屈曲部が、１．７７８ｍｍ(0.070”)だけ又は他の距離だけ撓まされたとき）、ここでウエハは、捕捉セクションに対して、例えば、２．７９４ｍｍ(0.11”)のクリアランスを有することができ、ウエハは依然として背面支持面の上方に存在する。ロードステーションでのこの動作は、次のようになる。
１．搬送装置２８０を使用してＷＨアレイ３６０を垂直方向に挿入する。
２．ウエハが接触ブロックの背面に対して重力によって付勢されるように、クレードルを垂直方向に１０度離すように回転させる。
３．下部接触ブロックによって停止させるとともに上部接触ブロックの背面に対して後方に傾斜させながら、ウエハを４．５７２ｍｍ(0.180”)だけＺ方向の下向きにスライドさせるように、ＷＨの屈曲性脚部を曲げるために１０Ｎの力を加える（すなわち、それら屈曲性脚部を半開きにする）。
４．この地点で、ウエハをＺ方向方向に支持するために、５．０８ｍｍ(0.2”)だけロードステーション垂直昇降要素を上向きに移動させ（エンドエフェクタの挿入を不明瞭にさせるものではないが、ウエハエッジに接触するように、ウエハ軸線に平行である一対のバーのみが存在する）、ウエハがその上部でＺ方向に弱く拘束されているので、少しのオーバートラベル（超過）が、許容される。
５．屈曲性脚部を曲げて開いた位置にするために２０Ｎの力を加える。これによって、接触ブロックの前部捕捉リムのそれぞれにウエハの２．５ｍｍのクリアランスを提供することができ、それによって、ウエハ３６０は、そのウエハ軸に沿って持ち上げられるような適切なクリアランスを有する。
６．クレードルを水平方向に回転させる。ウエハは、接触ブロックの傾斜面によってＺ方向方向の上向きへの移動が弱く拘束される。
７．完成ウエハをピックアップするとともに新たなウエハと交換するために、動作を開始する単純なエンドエフェクタを使用する。
後述するように、開示された実施形態の別の態様では、ロードステーションは、ウエハの周囲に３つの接触点を有するパレットの交互配置されたセットを含むことができ、ＷＨアレイは、屈曲部が開いたときにウエハが接触点上に落下するように、垂直方向に挿入され、且つ水平方向に回転された後に持ち上げられる。接触ブロックの傾斜した背面に近接する屈曲部が、ウエハホルダ５５０のグリップ面内でウエハを持ち上げる。図１４において、基板３８０の外周エッジ３９０と接触するウエハエッジ支持面５５０を有する下部接触ブロック３７８が示されている。下部接触ブロック３７８は、基板３８０の表面上の外周エッジにおいて第１面３８０’と接触するような第１支持部５５２をさらに有している。下部接触ブロック３７８は、基板３８０の表面上の外周エッジにおいて第１面に対向する第２面を３８０’'と接触するような第２支持部５５４をさらに有する。ウエハ接触機構３７８は、処理モジュール、例えばマランゴニモジュール又はせん断プレート撹拌モジュールの一方から引き上げられるときに、流体を捕捉しないように設計され示されており、ここで、ウエハと接触部との間に捕捉された液体は、乾燥の後にウエハ上に再堆積され、ウォータースポットの原因となる。ここでは、ウエハの両面は、キャピラリ長さ（２ｍｍ）よりも多く離間されており５５３，５５５、それによって、重力が表面接触力を上回り、流体が、持ち上げられたＰＡＣと共に留まるというよりも槽内で後方に滴下する。ＰＡＣウエハ接触部、例えば接触フィンガ３７２，３７４，３７６，３７８は、シャープエッジのベベルと接触する際に磨耗しないように十分固いが、Ｓｉウエハを摩耗させないように十分柔らかい材料から構成され、それによって、テーパティクル生成が防止される。１つの典型的な材料は、ＰＥＥＫ又は任意の適切な代替材料である。このように、各フィンガ３７２，３７４，３７６，３７８の組合せによって、基板３８０を保持する。開示された実施形態の別の態様では、フィンガは、ウエハ３８０の表面（複数可）に対して傾斜した部分（複数可）等の特徴部を有してもよく、それによって、例えば、ウエハを開いた位置に支持するときに、ウエハの外側底部又は背面エッジのみが表面と接触し、且つウエハは、ホルダ３６０が開いているときに、ホルダ３６０によって水平向きに支持される。開示された実施形態の別の態様では、テーパ面（複数可）が、ウエハ３８０の表面（複数可）に対して角度を付けて設けられ、例えば歪んだウエハ又は他のウエハをクランプ及び捕捉する際に、ウエハの外側エッジに接触してもよい。部分５５２，５５４の長さ及びサイズは、ウエハ３８０の前面の流体処理の相互作用を最小限に留めるように最小化することができる。開示された実施形態の別の態様では、半径ノーズが、さらに、ウエハを吊るす又は他の動作を防止するために設けられてもよい。あるいはまた、任意の適切な接触ブロックの幾何学的形状を、単独で、又は任意の適切な組合せで適用することができる。
図１３に確認されるように、接触ブロック又はフィンガ３７８は、着脱自在な接触ブロックであってもよい。ここでは、３ｍｍ又は他の寸法の２つの適切なピンによって、接触ブロックが位置決めされ、及び重複するＭ２．５ｍｍの皿ねじ５５６，５５８又は他の適切な締結具によって、ブロック３７８を所定の位置に保持される。屈曲部３７０のフレームは、３１６ステンレス鋼から切断して、アニールされ、取付面のウォータージェット切断及びミーリング加工を行う前に平坦且つ平行になるようにブランチャー研削される。あるいはまた、任意の適切な材料又は製造技術を用いることができる。屈曲性を有するホルダ３６０の脚部３６８，３７０は、例えば、ウエハ又はプロセス化学物質から十分遠く離れた引込み及びホイール回転面を提供するように十分に幅広にされる。アッセンブリ３６０の質量は、１．０４３ｋｇ(2.3lbs)又は他の質量とすることができ、ウエハ３８０の上部付近に重心が存在する状態で最小化することができる。ここでは、テーパ面５６０，５６２，５６４を設けてもよく、ホルダ３６８，３７０の脚部（前方、後方、側方）の下端に表示されており、以下でより詳細に説明及び示されるように、これらテーパ面は、流体処理モジュールの機構をガイドするためのウエハホルダ３６０のアライメントを容易にする。開示された実施形態では、ホルダ３６０は、流体要素を処理するためにウエハを整列させるための構造体を提供する。ウエハ枚葉式並列処理を可能にするために、ウエハホルダは、いくつかの機能を果たすことができる：処理モジュール内の基準面に対してウエハを精密に保持するためにフェールセーフする。ウエハのロード及びアンロードを可能にする。多数の処理モジュールに十分に高い精度で配置した状態で、ウエハホルダのアレイを並列に搬送することを可能にする。最小限の滴下で縦型処理を可能にする。
同時に行われるデュアルウエハサイズ、例えば３００ｍｍと２００ｍｍとが、ウエハホルダの底部に２００ｍｍウエハを位置決めすることによって提供されており（すなわち、２００ｍｍと３００ｍｍとの底部エッジが接するように）、それによって、２００ｍｍ用のローダ機構が、３００ｍｍのローダ機構と干渉せず、３００ｍｍと２００ｍｍサイズによって異なるウエハホルダを開くための距離と干渉しない。同様に、３００ｍｍと２００ｍｍのホルダの外形寸法は、同じせん断プレート又は他の処理ネストが、２００ｍｍ及び３００ｍｍの両方に用いることができるように同一にされる。図示される実施形態では、柔軟性パッド接触部は、可撓性又は脆いウエハ又は基板を収容するための捕捉干渉部を増加させるために、追加の機構、例えば、第３のエッジグリッパを備えてもよい。図１４に図示される実施形態では、ホルダ３６０は、以下でより詳細に説明するように、アライメントを提供するとともに、ウエハエッジ洗浄等の機能をさらにサポートするような複合「Ｖ溝」タイプを用いるよりも、別の半径方向及び軸方向のウエハ接触面を個別の要素内で用いる。後述されるように、パーフルオロ・エラストマーパッドが、ウエハの半径方向接触のために用いることができ、このパッドは、高い点接触力を回避するとともに摩耗による関連するパーティクルの発生を回避する。ここでは、シリコン／ガラスの貼り合わせウエハ又は他の脆い基板の安全な取り扱いを提供することができる。ここでは、エラストマーパッドは、接触フィンガ上に型成形されてもよい。マランゴニノズル又は他の処理要素のために必要な３１０ｍｍ又は他の適切な幅広の移動（走行）領域５６６の外側の取付け機構を有する、薄い、約２〜３ｍｍ又は他の適当なサイズのフィンガ要素３７２，３７４，３７６，３７８が設けられており、それによって、直線状マランゴニ又は他のノズルのより近接した均一な接近が可能になる。アキシャル制限機構が、滴下を開始する接合部を回避するために、これらの部品内で直接機械加工することができる。ホルダ３６０は、ピン留めされた複数の部品から構成されてもよく、及び／又は熱収縮嵌合又は他の適切な製造技術を提供することができる。図示される実施形態では、異なる幾何学的形状が、上部フィンガ３７２，３７６及び底部フィンガ３７４，３７８に設けられており、それによって、液滴が、ウエハ３８０から離れるように重力により下向きに引っ張られる。図示される実施形態では、側方屈曲性脚部３６８，３７０は、上部クロスバー３６８とは別個の要素であってもよい。
図１６Ａを参照すると、フィンガ３７８’が示されている。このフィンガ３７８’は、半径方向の荷重を支持するエラストマーパッド５７０を有しており、ここで、ステンレス鋼は、軸線方向（すなわち、ページの内外で）にウエハ位置を規制するスロット５７２を有する。ウエハ３８０は、２ｍｍのエッジ除外部５７６を含むレジスト５７４と共に示される。ここでは、フィンガ３７８’は、エッジ除外ゾーン内に留まる下部又は底部フィンガとして示されている。図１６Ｂも参照すると、フィンガ３７６’が示されている。上部接触フィンガ３７６’は、液滴がウエハ３８０から離れて下向きに流れるように様々な幾何学的形状５７８を有するものとして示されている。ウエハにおける断面接触領域が最小となるフィンガが、表面張力によって保持される流体体積を最小化する。図示される実施形態では、ＳＳ又はＰＥＥＫのフィンガ要素においてウエハ厚み方向にクリアランスが存在しており、このクリアランスは、例えば流体動作を誘導するせん断プレート撹拌との相互作用により、処理中にウエハ動作を回避するのに十分に緊密な寸法にされる。引込みを接触フィンガの一部に設けてもよく、例えば、交換ローダ機構を用いることによって許容することができる約１／２ｍｍまで縮小され、ここで、ウエハは、クリアランスが、ウエハホルダ３６０内で反復する必要がないようにローダグリッパによって精密に位置決めすることができ、それによって、処理要素、例えばせん断プレートとマランゴニ処理要素又は他の部品のより近い近接性を可能にする。
ここで図１７を参照すると、ウエハホルダ５８６のアレイが示されている。また図１８Ａも参照すると、ウエハホルダ３６０の部分図が示されている。さらに図１８Ｂも参照すると、ウエハホルダ３６０の部分図が示されている。個々のウエハ・ホルダ３６０は、「バッチ」５８６を形成するために互いに取り付けられておらず、代わりにそれらホルダ３６０は、ツール内の１つの処理ステーションから次の処理ステーションにウエハホルダ５８６の「仮想アレイ」５８６を持ち上げ、搬送し、置くような搬送装置の作動により「バッチ」内に一時的に形成されている。ウエハホルダ３６０上の複数の機構は、仮想アレイ５８６として適切な搬送を可能にするとともに、モジュール内で要素を処理するために個々のウエハの精密なアライメントを可能にする。ここでは、搬送装置は、アレイ５８６をＺ方向に持ち上げ且つ支持する。搬送中に、加速度が、（ウエハ表面に平行な）Ｙ方向に生じており、リフト面から重心をオフセットすることに起因して生じる１次トルクによって、例えば、ウエハホルダ３６０の３８．１ｃｍ(15”)だけ又は他の適当な幅５８８だけ十分に安定化される。搬送中に、具体的に持上げ及び下降中に、トルク５９０が安定化するために必要とされ、且つウエハホルダのアレイピッチ５９２が、３．８１ｃｍ(1.5”)又はその他のピッチであるため、この安定化を行うためにはほとんど利用されない。このように、機構５９４は、殆どこの３．８１ｃｍ(1.5”)の長さを用いて各ホルダ３６０に設けられている。ＳＰ（せん断プレート）の撹拌部材付近の下部引込み領域又はＬＩＮＥＷ（マランゴニ）表面は、例えば、脚部３６８，３７０の下部エッジを延長することによって提供されてもよい。例えばマランゴニＬＩＮＥＷアレイ持上げ要素内に整列されたウエハホルダを保持するような、上部引出し領域、又は安定化領域を設けてもよい。上部ブロック５９４は、搬送装置によって両方のピックアップが可能になるような、幅広の板を有するように示されており、運搬中にウエハホルダを安定化させるために使用される。ここで、ピックアップ機構は、ウエハホルダを固定プレート内にクランプする。このクランプは、処理モジュールからの昇降中であって線形的な加速度と緩い加速度の際に、緊密にすることができ、それによって、過剰な制約が回避され、ウエハホルダ３６０が、与えられた処理モジュール又は搬送モジュール内にこのウエハホルダ３６０の精密な場所を見つけることができる。上部ブロック５９４上の第２機構は、ウエハホルダの重量を処理モジュールにおいて支持するような水平方向スタブ(stub)５９６とすることができ、これによって、より高い位置にあるプレート機構５９４が、ピックアップ及びピックアップしたものを降ろすための搬送装置にアクセスできるように、下降位置を制限する。このスタブ５９５の上面は、ウエハホルダ３６０を下向きにクランプするためにＳＰモジュールで使用され、撹拌によって生じるせん断プレート撹拌部材の抵抗力に対抗する。
開示された実施形態の別の態様では、基板ホルダ３６０は、基板表面の縦型流体処理中に、基板３８０を保持し且つ維持するように構成されている。ウエハホルダ３６０は、フレーム３６６と、第１の柔軟性屈曲部によってこのフレームに結合された第１の脚部３６８を有しており、第１の脚部は、基板の第１の端部と係合するように構成された第１の接触部材を有する。第２の脚部３７０は、第２の柔軟性屈曲部によってフレームに結合されており、第２の脚部は、基板の第２の端部と係合するように構成された第２の接触部材を有する。第１及び第２の柔軟性屈曲部の撓みに応じて、第１及び第２の脚部３６８，３７０は、第１及び第２の接触フィンガを基板の第１及び第２の端部からそれぞれ係合を解除するように反対方向に実質的に移動可能にされる。第１の接触部材は、基板の第１の端部の別の部分と係合するような第１及び第２の接触フィンガであってもよい。第１の接触部材は、第１の接触点５５０、第２の接触点５５２及び第３の接触点５５４を含んでもよく、第１の接触点は、基板の第１の端部に係合し、第２の接触部は、基板の表面に係合し、第３の接触点は、基板の反対側のこの基板の他方の面に係合する。第１及び第２の脚部５６８，５７０は、同一平面内で移動可能にされる。第１及び第２の脚部は、さらに、嵌合配置機構と協働するように構成された第１及び第２の一体化位置決め機構であってもよい。第１及び第２の脚部は、さらに、嵌合配置機構と係合するように構成された第１及び第２のテーパ付の先端エッジ５６０であってもよい。第１の柔軟性屈曲部は、第１及び第２の屈曲性要素であってもよく、第１の屈曲性要素は、第２の屈曲性要素に対して実質的に平行である。ハンドリング機構５９４は、フレームに結合されてもよく、ホルダ搬送装置のインターフェイス面を有するハンドリング機構は、第１及び第２の脚部に対して実質的に垂直である。
ここで図１９を参照すると、ローダモジュール８０８の等角図が示されている。また図２０も参照すると、ローダモジュール８０８の側面図が示されている。さらに図２１も参照すると、ローダモジュール８０８の側面図が示されている。開示された実施形態では、ローダ８０８は、シャトル９１０を有しており、ここで、シャトル・ステージ９１０は、例えばより高いスループットのために第２のシャトル８０８を追加するが、単一のシャトル８０８についてＸ方向にほぼ２．５４ｃｍ(1”)移動することができ、それによって、一方のシャトルがロード／アンロードされている間に他方のシャトルがアレイの移送を行う。これは、６つのウエハアレイ８１８が約５０．８ｃｍ(20”)移動するために両方のシャトルを必要とする。ここでは、ローダ８０８は、ウエハホルダ屈曲部８１８を開けるために不可欠な運動を有するようなフレームワーク９１６内でウエハホルダアレイ５８６を受け取る。ここで、この「ウィッシュボーン（Ｖ字型）」運動は、ウエハホルダ（ＷＨ）８１８の中心とシャトル９１０の中心線の周りに約１．７７８ｍｍ(0.070”)の対称性を有することができる（すなわち、合計３．５５６ｍｍ(0.14”)運動ができる）。図示される実施形態では、「アレイ交換ローダ」８０８の要素が、６つのウエハアレイ５８６のサイズについて示されている。開示された実施形態の別の態様では、任意の適当な数のウエハアレイを設けてもよい。ローダ８０８は、柔軟性ウエハグリッパ（ＣＷＧ）要素９２０のアレイを含むシャトル９１０を有しており、各搬入及び搬出位置の一方について、ベースプレート９２４に取り付けられたリニア軸受９２２に搭載されている。ウエハホルダドック(dock)９１６は、ＷＨアレイ５８６を受け取り、交換のためにＷＨアレイを開けるように、数度の旋回動作９３０，９３２を行い、及びＣＷＧグリッパ上でＷＨを開いたフィンガ位置をセンター決めするように、４〜６ｍｍの垂直方向移動９３６を行う。ここでは、ウエハは、ウエハホルダドック９１６の側壁のスロットを通して回外された（すなわち、垂直）向きに挿抜される。搬送装置グリッパプレート９４６も示されている。図２０では、ＷＨアレイ５８６は、ＷＨアレイ５８６を落下させた直後又はＷＨアレイ５８６をピックアップする直前の開いた位置でローダと搬送装置の要素とによって支持されるように示されている。図２１では、ＷＨアレイ５８６は、シャトル／ＣＷＧグリッパッセンブリ９１０／９２０が、図２４Ａ〜図２４Ｍ及び図２５Ａ〜図２５Ｅの表に詳細に示されるように、ＣＷＧグリッパとＷＨ要素との間の移送のためにウエハ表面に対して垂直方向に移動するように、開いた状態で位置決めされるように示されている。ＷＨドック９１６の側面要素は、この運動を行うために旋回することができ、ＷＨドックは、４〜６ｍｍだけ持ち上げられ、シャトル９１０上で、開いた位置にあるＷＨアレイのフィンガをＣＷＧグリッパ９２０内にウエハと共に中心上に移動させることが可能である。ここでは、ローダ内の動作のより詳細なシーケンスが、図２４Ａ〜図２４Ｍ及び図２５Ａ〜図２５Ｅの表に示される。図２２Ｂ及び２２Ａも参照すると、迅速な並列交換が、ローダ・シャトル内に挿入された完了した処理済みウエハと、ＷＨアレイによって取り除かれた搬出方向の未処理ウエハと共に示されている。ここでは、シャトルアレイ位置が、ＣＷＧグリッパについて２つ存在しており、ＷＨについて１方が空である。これらの位置は、約３．８１ｃｍ(1.5”)のアレイピッチに分割され、それらの位置は、搬出方向又は処理済みウエハは、「Ａ」と表示され、搬入方向又は未処理ウエハは「Ｂ」と表示され、及び「Ｃ」は、ＣＷＧグリッパ要素を用いて取り込まれおらず、ＷＨアレイ要素を挿入する位置が存在する。交換処理中に、シャトルは、ほぼ±１．９０５ｃｍ(0.75”)水平方向に移動する。ＷＨアレイは、搬送装置によって約５０．８ｃｍ(20”)だけ垂直方向に移動され、ウエハグリッパ・アレイを取り囲むＷＨドックを出入りする。
ここで図２２Ａを参照すると、６つの処理済みウエハ４０２をホルダアレイ３２４’からシャトルアレイ３２０’に移送するバッチ式交換ローダ４００が示されている。また図２２Ｂも参照すると、６つの処理済みウエハ４０２をホルダアレイ３２４’からシャトルアレイ３２０’に移送した後に、６つの未処理ウエハ４０４をシャトルアレイ３２０’からホルダアレイ３２４’に移送するバッチ式交換ローダ４００が示されている。ここでは、ローダ４００は、ローダ８０８に関して説明したような機構を有してもよく、アレイ３２４’は、アレイ５８６に関して説明したような機構を有してもよい。ここでは、ローダ４００は、シャトルアレイ３２０’とホルダアレイ３２４’との間で「高速スワップ」方法として後述されるように基板を移送してもよい。図示される実施形態では、ローダ４００は、シャトルアレイ３２０’と、シャトル４１０軸線と、ウエハホルダアレイ３２４’を捕捉するためのクレードル又は支持体と、ホルダアレイ３２４’の屈曲部を拡張するためのアクチュエータと、シャトルアレイ３２０’のウエハクランプ機構を拡張するためアクチュエータとを有する。それぞれの場合に、ローダ４００は、例えば以下にアンロード及びロードシーケンスに関して説明されるように、ウエハホルダアレイ３２４’又はシャトルアレイ３２０’のいずれかを用いて１つ以上のウエハを選択的にグリップすることができる。ローダ４００は、ウエハホルダ屈曲部を開けるために不可欠な運動を有するようなフレームワーク内でウエハホルダアレイ３２４を受け取ることができ、例えば、ウエハホルダの中心とシャトル中心線の周りに約１．７７８ｍｍ(0.070”)又は他の寸法の対称な「ウィッシュボーン」の動作を行う（すなわち、合計約３．５５６ｍｍ(0.14”)動作となる）。
ここでは、図２２Ａ及び図２２Ｂは、６つのウエハバッチサイズについて「バッチ式交換ローダ」の主要な要素の等角図を示す。ここで、図２２Ａは、ローダシャトル４００内に挿入された完了した処理済みウエハ４０２を示しており、図２２Ｂは、ウエハホルダアレイ３２４’によって取り除かれた搬出方向の未処理ウエハを示している。ウエハ４０２は、搬入方向の処理済み又は剥離済みのウエハを示しており、ウエハ４０４は、例えば、ツールの処理セクションにおいてこれから剥離されるようなフォトレジストを含む搬入方向のウエハを示している。シャトルアレイ３２０’は、搬出方向又は処理済みウエハ４０２のために使用されるような６つの位置「Ａ」を有している。シャトルアレイ３２０’は、さらに６つの位置「Ｂ」を有しており、搬出方向又は処理済みウエハ４０４について使用されるような６つの位置「Ａ」と交互配置される。開示された実施形態の別の態様では、「Ａ」は、搬入方向又は未処理ウエハのために用いることができる。開示された実施形態の別の態様では、これよりも多い又は少ない位置を設けてもよい。ここでは、ローダ４００は、ウエハホルダ３２４’のアレイに対してウエハをロード及びアンロードするように構成される。図示される実施形態では、ローダ４００は、第１及び第２の交換ホルダアレイ３２０’「Ｂ」及び３２０’「Ａ」を有しており、それぞれのホルダアレイが、交換ホルダを交互に有しており、互いに対して交互配置される。ここでは、第１の交換ホルダアレイ３２０’「Ｂ」が、ロード又は搬入方向のウエハを有しており、ウエハホルダ３２４’のアレイが、アンロード又は搬出方向のウエハを有する。アンロードウエハは、ホルダ３２４’のアレイから第２の交換ホルダアレイ３２０’「Ａ」にグループとして移動され、後述されるように、ロードウエハは、第１の交換ホルダアレイ３２０’「Ｂ」からホルダ３２４’のアレイにグループとして移動される。図示される実施形態では、また、精密整列キャリア（ＰＡＣ）アレイとして公知の６つの要素ウエハホルダアレイ（ＷＨアレイ）３２４’は、搬送装置（図示せず）と、シャトルアレイ３２０’の２つのウエハグリッパ「Ａ」及び「Ｂ」のアレイとから懸架され、搬入用ウエハの１つと搬出用ウエハの１つとが、以下でシャトル機構４１０（図示せず）で搬送される。交換処理中に、ウエハグリッパ／シャトル３２０’，４１０は、約２．５４ｃｍ(one inch)又は水平方向に移動する一方、ＷＨアレイは、ウエハグリッパアレイによって占有されるエンベロープを出入りするように搬送装置によって又は他の装置によって約５０．８ｃｍ(20”)又は他の寸法だけ垂直方向に移動する。ウエハグリッパは、ウエハを比較的精密な位置に保持することができ、例えば、ウエハは、理想的な中心位置から約±０．４ｍｍのエンベロープ内に位置決めすることができる。さらに、各ウエハグリッパは、ウエハをいくつかの適合部材を用いて保持することができ、それによって、交換工程の間であって、ウエハがウエハホルダとシャトル３２０’のウエハグリッパとの両方によって接触される場合に、２セットの接触面同士の間の小さな固有の不整合によってウエハに非常に大きな力が加えらないようにする。このようなグリッパは、適合性ウエハグリッパ（ＣＷＧ）と称される。シャトル３２０’には、１２個のウエハグリップ機構４２０を設けてもよく、例えば米国特許第６，１７４，０１１号に説明されており、この文献は、その全体が参照として本明細書中に組み込まれる。
開示された実施形態の別の態様では、任意の適切なウエハグリップ機構を用いることができる。グリッパ機構は、例えば、ここでシャトル（図示せず）に取り付けられたウエハグリッパの下端に示されるように、一端部から作動させることもでき、ここで、単一の作動によって、ウエハグリッパの屈曲装置の撓みに起因してグリップ機構の正確な動作を提供する。図２４〜図２５に関して説明されるように、バッチ交換手順は、シャトル３２０’「Ｂ」が、（シャトル３２０’「Ａ」位置から任意の完成したウエハを同時に取外す）前工程ウエハロボットによってロードされ、且つウエハホルダアレイ３２４’が、ツール湿式処理と乾燥セクションとを通って処理された後に行われる。ここでは、ウエハは、縁部グリップエンドエフェクタと回外機構とを有するツールの先端で市販ウエハロボットによってローダとの間で移送され、ここで、回外機構は、搬入方向のカセット又はＦＯＵＰ内の水平向きからウエハグリッパ／シャトル３２０’への挿入に適した垂直向きにウエハを回転させる機構である。高速システムでは、このような２つのエンドエフェクタを有する市販のウエハロボットが使用される。開示された実施形態の別の態様では、同時に行われるデュアルウエハサイズ、例えば、３００ｍｍ及び２００ｍｍ又はその他の機構は、ウエハホルダの下部（すなわち、２００ｍｍと３００ｍｍとのウエハが接する底部エッジ）に２００ｍｍのウエハを位置決めすることによって取り扱うことができ、それによって、２００ｍｍ用ローダ機構は、３００ｍｍ用ローダ機構と干渉しなくなる。ウエハホルダを開けるための動作距離は、３００ｍｍと２００ｍｍサイズについて異なることがある。ここで、外形寸法が実質的に類似又は同一でもよく、それによって、同一のせん断プレートネスト、マランゴニ乾燥部品又は他の処理部品又はポスト処理部品を、２００ｍｍと３００ｍｍサイズの両方に用いることができる。
ここで図２３Ａを参照すると、処理領域３０８を通る処理ツール３００の断面が示されている。図示される実施形態では、搬送装置３２６は、例示的な処理モジュール３４０との間でＰＡＣウエハホルダアレイ３２４を搬送する。処理モジュール３４０は、処理モジュール３４０の液面４３４の上方に近接して、且つ流体処理位置に３２４’として示されるウエハホルダアレイのクロスバー（複数可）４３２’の下部に近接するような、移動可能な加熱カバー４３０（開いた状態を示す）を有することができ、ここで、加熱カバー４３０は、例えばウエハホルダアレイ上又はそれ以外の場所での凝縮を防止するために設けられている。フィルタファン装置４３８は、クリーンな小さい環境を維持するようにシステム３００の筐体４４２内に設けられてもよく、ここで、例えば、搬送領域４３６は、搬送装置３２７の移動部品を収容するために設けられてよく、排出プレナム４４０を通って出てくる排出空気を収容するために設けられてもよい。ここで図２３Ｂを参照すると、例示的なバッチ式交換ローダ４００の断面図が示されている。ローダ４００は、シャトルアレイ３２０’と、ウエハホルダアレイ支持体４６０と、シャトル４６４とを有することができる。図示される実施形態では、シャトルアレイ３２０’は、上述したように、処理済みウエハ及び未処理ウエハの両方を保持することができる。開示された実施形態の別の態様では、シャトルアレイ３２０’は、処理済みウエハ又は未処理ウエハのいずれかのみを保持することができる。あるいはまた、シャトルアレイ３２０’が設けられておらず、例えば、ウエハホルダアレイ３２４’は、例えば、搬入又は搬出位置で往復することが可能であり、ウエハは、中間シャトルアレイを直接的に使用することなくウエハハンドリングロボットによって直接的に移送される。図示される実施形態では、シャトル４６４は、単一のシャトルとして示されている。開示された実施形態の別の態様では、２つ以上のシャトル（複数可）を、同じ又は異なる動作軸線上に設けてもよく、その軸上に結合されるか、又は追加のシャトルアレイ、追加のウエハホルダアレイ又はそれら以外のアレイを扱うことと独立して、選択的に位置決め可能に、動作可能にされる。さらに、開示された実施形態の別の態様では、シャトル４６４は、シャトルアレイ３２０’、ウエハホルダアレイ３２４’又は他のアレイを任意の適切な向き、例えば垂直方向から水平方向に又は他の方向に選択可能に再向き合わせする機構と共に設けてもよい。
搬送装置３２６は、ローダ４００との間でウエハホルダアレイ３２４’を搬送することができ、ここで、ローダ４００は、搬送装置３２６と組み合わせてウエハをウエハホルダアレイ３２４’からロード及びアンロードするような機構と共に設けられている。例えば、搬送装置３２６は、垂直方向動作のために使用されており、移送中にシャトル又はシャトルアレイに対してウエハホルダアレイ３２４’を静止して保持する。開示された実施形態の別の態様では、ローダ４００は、搬送装置３２６とは独立して、ウエハホルダアレイ３２４’との間でウエハを移送するように動作可能にされ、例えば、搬送装置３２６は、基板ホルダアレイ３２４’との間で基板をロード及び／又はアンロードするローダ４００の動作と平行して、他のＰＡＣウエハホルダアレイ（複数可）をある処理から別の処理に又は他の処理同士の間で移送することができる。搬送装置３２６は、アクチュエータ４７６によって作動される第１及び第２のグリッパ４７２，４７４を有するグリッパ部分４７０を備えており、ここで、アクチュエータ４７６は、ウエハ搬送アレイを選択的にグリップする又はこのグリップを解除する。グリッパ部分４７２，４７４は、ウエハホルダアレイ３２４’内で嵌合機構４８２，４８４に係合するような任意の適切なグリップ機構４７８，４８０を有してもよい。グリッパ部分４７２，４７４及びグリップ機構４７８，４８０は、必要に応じて剛性又は柔軟性を有しており、ウエハホルダアレイに対してグリッパ４７０を積極的に配置するための引込み機構、ピン及びソケット機構又は任意の適切な機構を有してもよい。支持体４６０を設けてもよく、例えば、搬送装置は、ウエハバッチ式交換中に必要とはされず、支持体４６０は、フレーム４８０又は移動シャトル４６４に対して接することができる。
１つ又は２つの軸線アクチュエータ４８２，４８４は、例えば搬送装置３２６とは独立して又はこの装置３２６に連動して、ウエハのバッチ式移送をサポートするために、支持体４６０を垂直方向に、水平方向に又は他の方向に移動させるために設けられていてもよく、ここで、アクチュエータ４８２，４８４は、フレーム４８０又は移動シャトル４６４に対して接することができる。引込み機構４８６，４８８を、挿入又は他の動作の間に、ウエハホルダアレイ３２４’のガイドを容易にするために、支持体４６０に設けることができる。クランプ（図示せず）は、ウエハホルダアレイ３２４’を支持体４６０に積極的に結合するに設けることができる。アクチュエータ４９０，４９２は、ウエハホルダアレイ３２４’と共にウエハを選択的に放出又はグリップするように設けられており、ここで、アクチュエータ４９０，４９２は、支持体４６０、フレーム４８０又は他の部品に対して接することができる。シャトル４６４は、スライド４９４，４９８と、シャトル支持テーブル５００と、駆動装置５０２とを有するフレーム４８０に接していてもよく、ここで、駆動装置５０２は、地面４８０に対してテーブル５００を選択可能に位置決めするような、送りねじ駆動装置又は任意の適切な直線駆動装置とされてもよい。シャトルアレイ３２０’は、シャトルテーブル５００によって直接的に支持されてもよく、シャトルアレイ３２０’に対して（個別に、又はグループとして存在する）１つ以上のウエハを選択的にグリップする又はこのグリップを解除するようなアクチュエータ（複数可）４０６を有することができる。開示された実施形態の別の態様では、シャトルアレイ３２０’は、中間支持体５１０によって支持することができ、そのアレイ３２０’は、例えば１軸又は２軸アクチュエータであるアクチュエータ５１２，５１４を有する往復テーブル５００に対して移動可能であってもよく、例えば、ウエハのバッチ式移送を容易にするために、垂直方向又は水平方向に移動可能にされる。開示された実施形態の別の態様では、支持体、アクチュエータ又は他の部品の任意の適切な組合せを、ウエハのバッチ式移送を容易にするために使用してもよい。ここで図２３Ｃを参照すると、ＰＡＣウエハホルダ３２４’のクロスバー４３２の断面図が示されている。図示される実施形態では、キャビティは重量を低減させるために設けられており、平滑化された滴下最小化表面が、滴下する可能性を最小限にするために設けられている。また、コーティングが、結露を排除又は低減するために提供されており、あるプロセスから別のプロセスへ搬送される凝縮物を防止する。滴下する可能性を有する表面は、さらにオフセットされており、例えばウエハ表面又は他の表面からオフセットされている。
開示された実施形態の別の態様では、複数のアレイ状基板ホルダから複数の処理済み基板をアンロードするとともに、複数の複数の未処理基板をアレイ状基板ホルダにロードするように構成された基板アンロード及びロード装置４００が提供される。この基板アンロード及びロード装置４００は、フレームと、このフレームに結合されるとともに複数の処理済み基板を支持するように構成された複数の処理済み基板支持体「Ａ」とを有する。複数の未処理基板支持体「Ｂ」は、フレームに結合されるとともに、複数の未処理基板を支持するように構成されている。複数の未処理基板支持体のそれぞれは、複数の処理済み基板支持体のそれぞれに対して交互配置される。ホルダリリース４９０，４９２が、フレームに結合されるとともに、複数のアレイ状基板ホルダに係合するように構成される。ホルダリリースは、複数のアレイ状基板ホルダが、複数の処理済み基板を複数のアレイ状基板ホルダから放出するような第１の状態を有する。ホルダリリースは、複数のアレイ状基板ホルダが、複数の未処理基板を複数のアレイ状基板ホルダを用いて捕捉するような第２の状態を有する。複数の処理済み基板は、第１の状態において、複数のアレイ状基板ホルダから複数の処理済み基板支持体にアンロードされる。複数の未処理基板は、第２の状態において、複数の未処理基板支持体から複数のアレイ状基板ホルダにロードされる。複数の処理済み基板は、垂直向きに配列されつつ、複数のアレイ状基板ホルダからアンロードされる。複数の未処理基板は、垂直方向に配列されつつ、複数のアレイ状基板ホルダにロードされる。複数の処理済み基板支持体と複数の未処理基板支持体とが、インデクサ(indexer)を有するフレームに結合されており、ここで、このインデクサが、複数の処理済み基板支持体と複数の未処理基板支持体とを第１の位置から同時に移動させ、複数の処理済み基板が、複数のアレイ状基板ホルダから第２の位置にアンロードされ、複数の未処理基板が、複数のアレイ状基板ホルダにロードされる。ホルダリリースは、第１の状態のときに、複数のアレイ状基板ホルダの基板エッジ支持部材を複数の処理済み基板のエッジから係合を解除する。ホルダリリースは、第２の状態のときに、基板エッジ支持部材を複数の未処理基板のエッジに係合させる。複数の未処理基板支持体によって支持された複数の未処理基板のそれぞれは、複数の処理済み基板支持体によって支持された複数の処理済み基板のそれぞれに対して交互配置される。複数の未処理基板支持体によって支持された複数の未処理基板のそれぞれは、複数の処理済み基板支持体によって支持された複数の処理済み基板のそれぞれに対して軸線方向に整列される。複数の未処理基板のエッジが、複数の未処理基板支持体によって支持され、ここで、複数の処理済み基板のエッジが、複数の処理済み基板支持体によって支持される。複数の処理済み基板は、第１の状態において、複数のアレイ状基板ホルダから複数の処理済み基板支持体に処理済み基板グループとして同時にアンロードされる。複数の未処理基板は、第２の状態において、複数の未処理基板支持体から複数のアレイ状基板ホルダに未処理基板グループとして同時にロードされる。複数のホルダ支持体は、フレームに結合されるとともに、複数のアレイ状基板ホルダ内の他のホルダとは独立して、複数のアレイ状基板ホルダの各ホルダを支持し且つ整列するように構成される。
ここで図２４Ａ〜図２４Ｍを参照すると、例示的なロード・シーケンスが示されている。ここで図２４Ａを参照すると、ホルダアレイ３２４’とシャトルアレイ３２０’との側面図が示されている。ここでは、動作状態は、ＰＡＣ ＷＨアレイ３２４’によるシャトル３２０’内への垂直方向下向きの動作を含んでおり、Ｚ方向の整列位置の上方に例えば２．５４ｃｍ(１inch)の所に示されている。ここでは、ＷＨアレイ３２４’は、搬出方向のウエハで充たされており、接触面が閉じた状態である。ここでは、シャトル「Ａ」位置は、接触面が開いた位置で、空の状態で示されており、シャトル「Ｂ」位置は、接触面が閉じた位置で、搬入方向のウエハで充たされるように示されている。図２４Ｂも参照すると、ホルダアレイ３２４’とシャトルアレイ３２０’との側面図が示されている。ここでは、動作状態は、ＷＨアレイ３２４’によってシャトル３２０’内への垂直方向下向きの動作を含んでおり、Ｚ方向の整列位置に示されている。ここでは、ＰＡＣ ＷＨアレイ３２４’は、搬出方向のウエハで充たされており、接触面が閉じた状態である。ここでは、シャトル「Ａ」位置は、接触面が開いた位置で、空の状態で示されており、シャトル「Ｂ」位置は、接触面が閉じた位置で、搬入方向のウエハで充たされるように示されている。図２４Ｃも参照すると、ホルダアレイ３２４’とシャトルアレイ３２０’との側面図が示されている。ここでは、動作状態は、「Ａ」位置をＷＨアレイ３２４’ウエハに整列させるために、シャトル３２０による水平方向の動作を含む。ここでは、ＷＨアレイ３２４’は、搬出方向のウエハで充たされており、接触面が閉じた状態である。ここでは、シャトル「Ａ」位置は、接触面が開いた位置の状態で充たされるように示されており、シャトル「Ｂ」位置は、接触面が閉じた位置で、搬入方向のウエハで充たされるように示されている。図２４Ｄも参照すると、ホルダアレイ３２４’とシャトルアレイ３２０’との側面図が示されている。ここでは、動作状態は、搬出方向のウエハ上で屈曲部が閉じた状態のシャトル「Ａ」位置を含む。ここでは、ＷＨアレイ３２４’は、搬出方向のウエハで充たされており、接触面が閉じた状態である。ここでは、シャトル「Ａ」位置は、接触面が閉じた位置の状態で充たされるように示されており、シャトル「Ｂ」位置は、接触面が閉じた位置で、搬入方向のウエハで充たされるように示されている。
図２４Ｅも参照すると、ホルダアレイ３２４’とシャトルアレイ３２０’との側面図が示されている。ここでは、動作状態が、搬出方向のウエハを放出するために屈曲部が開いた状態のＷＨアレイ３２４’を含む。ここでは、ＷＨアレイ３２４’は、搬出方向のウエハで充たされており、接触面が開いた状態である。ここでは、シャトル「Ａ」位置は、接触面が閉じた位置の状態で充たされるように示されており、シャトル「Ｂ」位置は、接触面が閉じた位置で、搬入方向のウエハで充たされるように示されている。図２４Ｆも参照すると、ホルダアレイ３２４’とシャトルアレイ３２０’との側面図が示されている。ここでは、動作状態は、ＷＨアレイ３２４’が、例えば４．５７２ｍｍ(0.180”)上昇して、シャトル３２０’が搬出方向のウエハがその接触面を通過することを含む。ここでは、ＷＨアレイ３２４’は、接触面が開いた状態で、空の状態である。ここでは、シャトル「Ａ」位置は、接触面が閉じた位置で、搬出方向のウエハで充たされるように示されており、シャトル「Ｂ」位置は、接触面が閉じた位置で、搬入方向のウエハで充たされるように示されている。図２４Ｇも参照すると、ホルダアレイ３２４’とシャトルアレイ３２０’との側面図が示されている。ここでは、動作状態は、シャトル３２０’を水平方向に移動して、搬入方向のウエハをＷＨアレイ３２４’の接触面に整列させることを含む。ここでは、ＷＨアレイ３２４’は、接触面が上方に開いた状態で、空の状態である。ここでは、シャトル「Ａ」位置は、接触面が閉じた位置で、搬出方向のウエハで充たされるように示されており、シャトル「Ｂ」位置は、接触面が閉じた位置で、搬入方向のウエハで充たされるように示されている。図２４Ｈも参照すると、ホルダアレイ３２４’とシャトルアレイ３２０’との側面図が示されている。ここでは、動作状態は、ＷＨアレイ３２４’を例えば、４．５７２ｍｍ(0.180”)だけ下方に移動して、シャトル３２０’に整合させることを含む。ここでは、ＷＨアレイ３２４’は、接触面が下方に開いた状態で、空の状態である。ここでは、シャトル「Ａ」位置は、接触面が閉じた位置で、搬出方向のウエハで充たされるように示されており、シャトル「Ｂ」位置は、接触面が閉じた位置で、搬入方向のウエハで充たされるように示されている。
図２４Ｉ及び図２４Ｊも参照すると、ホルダアレイ３２４’とシャトルアレイ３２０’との側面図が示されている。ここでは、動作状態は、ＷＨアレイ３２４’の屈曲部が、搬入方向のウエハを捕捉するように近接することを含む。ここでは、ＷＨアレイ３２４は、接触面が下方に閉じた状態で充たされているように示される。ここでは、シャトル「Ａ」位置は、接触面が閉じた位置で、搬出方向のウエハで充たされるように示されており、シャトル「Ｂ」位置は、接触面が閉じた位置で、搬入方向のウエハで充たされるように示されている。図２４Ｋも参照すると、ホルダアレイ３２４’とシャトルアレイ３２０’との側面図が示されている。ここでは、動作状態は、シャトル「Ｂ」位置の接触面が開かれて、搬入方向のウエハを放出することを含む。ここでは、ＷＨアレイ３２４’は、接触面が下方に閉じた状態で充たされるように示されている。ここでは、シャトル「Ａ」位置は、接触面が閉じた位置で、搬出方向のウエハで充たされるように示されており、シャトル「Ｂ」位置は、接触面が開いた位置で、搬入方向のウエハで充たされるように示されている。図２４Ｌも参照すると、ホルダアレイ３２４’とシャトルアレイ３２０’との側面図が示されている。ここでは、動作状態は、シャトル３２０’を水平方向に移動して、ＷＨアレイ３２４’用のクリアランスを絞り出すことが含まれている。ここでは、ＷＨアレイ３２４’は、接触面が下方に閉じた状態で、搬入方向のウエハで充たされるように示されている。ここでは、シャトル「Ａ」位置は、接触面が閉じた位置で、搬出方向のウエハで充たされるように示されており、シャトル「Ｂ」位置は、接触面が開いた位置で、空の状態で示されている。図２４Ｍも参照すると、ホルダアレイ３２４’とシャトルアレイ３２０’との側面図が示されている。ここでは、動作状態は、ＷＨアレイ３２４’が、ローダの外側に垂直方向に移動するとともに、搬入方向のウエハの処理を進めることを含む。ここでは、ＷＨアレイ３２４’は、接触面が上向きに移動して閉じた状態で、搬入方向のウエハで充たされるように示されている。ここでは、シャトル「Ａ」位置は、接触面が閉じた位置で、搬出方向のウエハで充たされるように示されており、シャトル「Ｂ」位置は、接触面が開いた位置で、空の状態で示されている。開示された実施形態の別の態様では、ローダは、シャトルアレイ３２０’を垂直方向に移動させ、例えば搬送装置の代わりに、ウエハホルダアレイ３２４’を係合させ且つこの係合を解除し、或いはウエハホルダアレイ３２４’を垂直方向に移動させる。さらに、開示された実施形態の別の態様では、ウエハホルダアレイ３２４’の上下方向に移動が必要とされないことがある。
ここで図２５Ａ〜図２５Ｅを参照すると、ウエハレベルにおけるロード／アンロード動作中に、ローダＷＨドック８０８及びＷＨアレイ８１８（５８６）によって行われる主要な垂直方向運動及び旋回運動を含む表が示されている。図２５Ａ〜２５Ｅに示される表は、シャトルの例示的なシーケンスがＷＨアレイをアンロード及び再ロードするように使用されるときに、図２４Ａ〜２４Ｍに示されるシーケンスと組合せて使用することができる。
ここで図２６を参照すると、開示された実施形態の別の態様を示すローダモジュールのシャトルアレイ３２０’'の部分等角図が示されている。また図２７も参照すると、シャトルアレイ３２０’’の部分等角図が示されている。図示される実施形態では、アレイ３２０’’は、複数の支持体６０２からなるアレイを有しており、各アレイは、３つのウエハ支持体６０４，６０６，６０８を有する。ウエハ支持体のそれぞれは、前述したように、シャトルアレイのＡ及びＢ位置に対応する２つの溝６１０，６１２を有する。ウエハ支持体６０４，６０６，６０８は、シャトル３２０’に関して前述したように又は前述したように、搬出方向のウエハ６１２及び搬入方向のウエハ（図示せず）を垂直向きに協働して支持する。図３０Ａも参照すると、ローダモジュール４００とホルダアレイ３２４’との部分正面図が示されている。図３０Ｂも参照すると、ローダモジュール４００とホルダアレイ３２４’との部分正面図が示されている。図３０Ａは、挿入／取外し位置にＰＡＣ３２４’を示しており、一方図３０Ｂは、開いた状態のＰＡＣが、ローダモジュール４００に対して１.５ｍｍだけ持ち上げられるような開いた状態のＰＡＣ３２４’を示している。この小さな２次動作は、上部ウエハ接触面と下部ウエハ接触面との間の位置の差を補償するために必要とされており、屈曲部に荷重が生じる間にそれらの位置を水平方向及び垂直方向に結合させる。
ここで図２８Ａを参照すると、ホルダアレイの等角図が示されている。また図２８Ｂも参照すると、ホルダアレイの側面図が示されている。図２８Ｃも参照すると、ホルダアレイの部分等角図が示されている。さらに図２８Ｄも参照すると、ホルダアレイの部分側面図が示されている。図２８Ａ〜図２８Ｄは、ホルダ８１８と、搬送装置グリッパ９４６と、処理モジュール支持体９９６とを示している。搬送装置９４６とＷＨ９５０との間で相互作する例示的特徴部が、図２８Ａ〜図２８Ｄに示されており、図２９Ａ〜図２９Ｈに示す表により詳細に列挙されている。ここでは、搬送ピックアップ機構９４６は、ウエハホルダ９５０に接触する２つの主要部品を含んでおり、この２つの主要部品は、搬送装置の自動化ステージに固定された上部プレート１００４と、この上部プレートに対して垂直方向及び水平方向の両方に移動するクランプ１００８のペアとである。各処理ステーションは、ＷＨ９５０を支持するとともに、それらＷＨをそのＷＨモジュール内の主要な要素に整列させるための構造体９９６を含み、一般化された支持構造体９９６は、ＷＨアレイ５８６が置かれる又はそのＷＨアレイがピックアップされるプレートのぺアとして示されている。ここでは、個々のＷＨ９５０は、仮想アレイ５８６又はＷＨアレイ５８６を形成しており、搬送装置９４６によって搬送されるときに、ＷＨ９５０は、固定手段によって互いに実際には結合されておらず、より詳細に説明するように、各ウエハ表面に非常に近接させた処理要素、例えば、マランゴニ、せん断プレート、Ｎ２エアナイフ、及び他の又は類似の部品に各ウエハを単独で整列することを可能にする。
ここで図２９Ａ〜図２９Ｈを参照すると、搬送装置とアレイの動作状態表とが示されており、この状態表は、例えば処理モジュール又は他のモジュールにおいて、ウエハホルダアレイ８１８をピックアップして降ろす搬送装置の動作シーケンスを示している。ここでは、状態表は、搬送装置と処理位置との間の主要な要素の交換、又はローダ、せん断プレートモジュール、マランゴニモジュール、エアナイフモジュール、流体ジェットモジュール、又は他のタイプの処理モジュールとなるステーションの例示的なシーケンスを示している。ここでは、ＷＨ要素９５０は、搬送装置の「仮想アレイ」８１８として或るステーションから別のステーションに搬送され、ＷＨ要素は、搬送装置がそれらＷＨ要素を所定の位置に置いたときに、それぞれのステーションによって個別に精密に整列される。開示された実施形態の別の態様では、より多い又は少ない工程を、任意の適切な組合せとして提供してもよい。
ここで図３１を参照すると、システム８００と共に用いるのに適したせん断プレート撹拌モジュール１０５０の等角図が示されている。モジュール１０５０は、個々のＳＰブレード１０６０とウエハ８５６の表面との間に近接させて且つ繰返し可能なアライメントを提供しており、１０ｍｍのＳＰブレードの間隔を用いて約±２０ｍｍ（合計４０ｍｍ）の全幅非繰返し振動を（すなわち、２０ｍｍの全幅の１次振動であり、２０ｍｍの全幅のより遅い周波数の「移動(walking)」振動と一緒に）提供する。せん断プレート（ＳＰ）及びウエハ、又はウエハホルダ（ＷＨ）の間の２つの例示的なタイプの整列は、ＳＰをモジュールフレームに及びＷＨをモジュールフレームに、又はＷＨを直接的にＳＰに、及びＳＰをモジュールフレームに含めることがある。前者のタイプは、より公差の小さい積み重ねと、ウエハ表面及びＳＰ撹拌表面の間の緊密な整列との利点を有しており、後者のタイプは、移動中の整列のためにＷＨ表面を使用しないという利点を有しており、それによって、ＷＨ整列機構の仕上り面のいくつかの製造上の制約を排除することができる。剥離を含む高温流体処理を用いる問題点は、流体上方の水平方向表面の結露であり、この凝縮物に由来する汚染を回避することである。スロットを有する可動式カバーは、ＳＰモジュール１０５０内でこの蒸気を収容するために使用されており、せん断プレートによってウエハ表面に付与される垂直方向の振動力に抵抗するようにＷＨを所定の位置で垂直方向にクランプするために同じ動作を用いることができる。せん断プレートというよりもむしろモジュールフレーム構造体に対してウエハホルダを整列させることは、ＷＨ表面に接して進むようなＳＰの振動ガイドホイールを必要としない。図示される実施形態では、タンク１０６２は、せん断プレートアッセンブリが浸漬され、ＷＨアレイ５８６が挿入されるとともに取り外されるような処理流体、例えばフォトレジスト・ストリッパ、ＩＰＡ、又はＤＩＷを保持している。内部フレーム１０６６は、ＷＨアレイ５８６を支持するとともに、精密に位置決めされたガイドホイールを含む。一連のガイドホイールは、フレームに対してせん断プレートを整列させるように設定し、一連のガイドホイールは、フレームに対してＷＨを整列させるように設定する。適切なリニアモータと軸受アッセンブリ（図示せず）とによって、ウエハ表面の前面で流体を直ぐに撹拌するためにせん断プレート１０６０を上下方向に駆動することができる。より詳細に説明されるように、回転モータと偏心カム装置とを使用してもよい。適切な自動化機構は、処理するために処理モジュール内でＷＨ５８６を垂直方向に移動し、処理が完了したときにそれらＷＨ５８６を垂直方向に取外すことができる。
ここで図３２Ａ〜図３２Ｃを参照すると、せん断プレートモジュール１０５０の正面図が示されている。ここでは、図３２Ａは、せん断プレートが下方位置にある状態の正面図を示しており、図３２Ｂは、せん断プレートが中心位置にある状態の正面図を示しており、図３２Ｃは、せん断プレートが上方位置にある状態の正面図を示しており、せん断プレートは典型的な全体的なストロークが４０ｍｍであり、±１０ｍｍの１次ストロークと±１０ｍｍの２次プロファイルを有するようなせん断プレートの動作プロファイルに適している。開示された実施形態の別の態様では、他の適切なプロファイル又はストロークが提供されてもよい。図示される実施形態では、各せん断プレート１０６０について、４セットのガイドホイールは、そのガイドホイール表面に対して垂直方向に平行な向きの動きを可能にしながら、そのガイドホイール表面に対して水平方向に平行に且つそのガイドホイール表面に対して垂直方向にそのガイドホイール位置を拘束することができる。同様に、１０個のホイールセット、片側に５個のホイールセットは、同じく、ＷＨ５８６のグループを挿入及び取外すための垂直方向の運動を可能にしながら、ＷＨ９５０のそれぞれを水平方向及び垂直方向に拘束する。ＷＨとせん断プレートガイドホイールセットとの間の精密なアライメントは、ウエハ上の全ての点を、せん断プレート面から±０．５〜１．０ｍｍの間に、あるいはまた±０.３ｍｍ又は他の寸法の範囲内に位置するように、フレーム要素内で調整することができる。ＷＨアライメントは、ウエハがせん断プレート付近に存在する前に、各ＷＨ９５０と各ウエハ８５６とを完全に整列させるような引込み距離を提供するために、より多数のホイールセット（１０対４）を含むことができ、こうして、ウエハとせん断プレートとの間の衝突を回避する。
図３３Ａ〜図３３Ｃも参照すると、せん断プレートモジュール１０５０内に挿入されるウエハホルダアレイ５８６が示されている。ＷＨ９５０用のガイドホイールは、図３３Ａ〜図３３Ｃの左側に対してフレームの内側１０７０に存在しており、せん断プレート１０５０用のガイドホイールは、図３３Ａ〜図３３Ｃの右側に対して各フレーム要素の外側１０７２に存在している。各ガイドポイントにおいて、ホイールのペアは、ウエハ表面に対して垂直な方向にＷＨを整列させ、単一のホイールは、ウエハ表面に対して平行な方向にＷＨ位置を制限する。ホイールのペアは、対向させて設定されており、平行なガイドポイントは、ＷＨの挿入と取外しのための垂直方向の自由運動を可能にしながら、垂直方向及び平行方向の両方でＷＨを完全に拘束する。同様に、せん断プレートの４つのガイドポイントのそれぞれにおいて、ガイドホイールのペアは、そのガイドホイール表面に対して垂直な方向にせん断プレートを拘束し、ガイドホイールのペアは、そのガイドホイール表面に対して平行な方向にせん断プレートを拘束し、対向するホイールセットのペアは、そのガイドホイール表面に対して平行な方向にせん断プレートを完全に拘束する。図３４も参照すると、モジュール１０５０の端部断面図が示されている。
図３５も参照すると、モジュール１０５０の等角断面図が示されている。液浸流体処理の一態様は、各ウエハに均一なマクロスケールの流体流を保証することであり、新しい（フレッシュな）溶液が処理タンクの底部に噴射され、処理タンク１０６２の上部付近の堰１０８０をオーバーフローさせる。この堰は、タンク内の溶液レベルを設定する。図３４は、ウエハの上部付近の詳細な断面を示しており、ここで、個々の流体オーバーフロー堰１０８０は、個々のウエハの領域から離れる使用済みの流体を搬送する。図３５は、タンク１０６２の高さ全体を通じた断面を示しており、流体入口マニホールドと孔とが、各ＳＰ１０６０の容器の底部に示されている。代替の実施形態では、新しい（フレッシュな）流体は、各ウエハ表面付近のモジュールの上部において噴射され、タンクの底部からポンプで汲み出され、堰の必要性が排除される。せん断プレート１０６０は、１つ以上のリニアモータによって駆動され、例えばツールの処理配管側で軸受に取り付けられた片持ち梁であってもよく、リニア駆動モータ、ボールねじ等により駆動される。図３５は、構造体の底部を示しており、ここで、堰は、ベースプレート７２４を通過するとともに、サイズ１．５２４ｍｍ(0.06”)のアレイ又はウエハホルダの下部のＹ方向に沿った孔１１０２によって、個々のウエハホルダに結合されるような流入マニホールド１１００に溶接される前に、ベースプレートの底部に溶接されてもよい。示される堰ボックス構造体は、ツール・フレームワークに取り付けられるとともに、ウエハホルダを搬送装置に対して整列させる。従って、この構造体は、せん断プレート撹拌から直線運動慣性負荷を受けることがあり、６．３５ｍｍ(１/4”)ステンレス製ボックス等とすることができる。化学物質の返送手段のために重力を用いることで、この構造体は流体リザーバ内に着座する。
堰の高さは、飛散を回避するために、せん断プレートの上方に存在するように決定することができ、流体の高さは、堰通路の内側での酸化を最小限にするために堰に非常に近接させることができる。最小断面積を有するウエハホルダの挿入は、２．５４ｃｍ(1”)の厚さの中実本体ウエハホルダを用いるめっきセルと比較して、ほぼ同じ量の流体を移動させることがなく、それによって、ロードとアンロードとの間の流体変化が最小限にされる。シノワ(chinois)タイプの細かいメッシュ状のステンレス鋼ろ過器は、堰の有意な高さを活かして、レジスト粒子をキャッチするように堰に配置することができる。示されるように、堰開口部は、１．２７ｃｍ(0.5”) のみ又は他の寸法にされ、ここで、この開口部が、シノワに対して緊密にされ、あるいはまた、ユニットは、所定の場所に平坦プレートとして溶接されたろ過器メッシュを含む中実スチールの側面を有している。図示される実施形態では、別個の流入口が、タンクの底部に設けられており、流体堰及び排出口が、各ウエハについて個々の流入口及び流出口を有するタンクの頂部に設けられている。ウエハの特定の流入口と排出口との組合せによって、繰返し可能な方法で、各ウエハから溶解された物質を除去する。代替実施形態では、単一の流入マニホールドのみをタンク全体の下部に亘って設けてもよく、このタンクの１つ又は２つの頂端部において単一のオーバーフロー堰の排出口を設けてもよい。図示される実施形態では、個々のオーバーフロー堰１１０４は、流体流のより良いウエハ間繰返し流れを保証するために、ウエハホルダ同士の間に配置されている。堰の高さは、飛散を回避するために、せん断プレートの上方に存在するように決定することができ、流体の高さは、堰通路の内側での酸化を最小限にするために堰にかなり近接される。例えばレベルセンサ又は圧力センサ等のトランスデューサを設けてもよく、シノワを変更し且つ清掃する時に自動信号を提供するようにしてもよい。開示された実施形態の別の態様では、モジュール１０５０の機構は、ノズルアレイ、枚葉式又はバッチ式マランゴニ乾燥機、浸水及び浸漬、或いはこれらを単独で又は組合せのいずれかを含むアプリケーションで処理するために同様に適用することができる。
ここで図３６Ａを参照すると、バッチ式ウエハホルダ４２１とバッチ式処理モジュール４７１とが示されている。また図３６Ｂも参照すると、バッチ式ウエハホルダ４２１とバッチ式処理モジュール４７１とが示されている。縦型流体処理４７１の一実施形態は、不要なフォトレジスト残留物を除去するための装置を組み込んでいる。処理モジュールは、リニアモータ４８３により、流体タンク４８１に対して移動するせん断プレートアッセンブリ４７３を含むことができる。図示されるように、ウエハホルダ４２１は、せん断プレートアッセンブリ４７３に取付けられたホイールによってせん断プレートに対して整列される。この実施形態では、各ウエハの前面のみ、すなわちレジスト軸受側が、せん断プレートによって撹拌されるが、隣接するウエハの前面から除去された大きなレジスト粒子及び破片を捕捉するようなスクリーンを通過した流体を導くような流体オーバーフロー排出区画が、各ウエハの背面に位置決めされている。図３６Ｂは、せん断プレート処理モジュール４７１の上に位置決めされた６つのウエハホルダ４２１のバッチ４２１を示しており、図３６Ａは、せん断プレート処理モジュール４７１内に挿入されるとともに処理のために位置決めされた６つのウエハホルダのバッチ４２１を示している。処理モジュール４７１は、流入及び排出マニホールドを含む外側タンク４８１と、ガイドホイール４８５を含むせん断プレートアレイ４７３と、選択的に制御される垂直方向往復パターンにおいて、せん断プレートアレイ４７３を駆動するタンクのコーナー部に位置決めされたリニアモータ４８３とを備える。開示された実施形態の一態様では、より詳細に網羅されるように、個々のウエハホルダが、せん断プレートアッセンブリ４７３に対して整列される。
ここで図３７Ａを参照すると、せん断プレート撹拌モジュール１０５０の部分等角図が示されている。また図３７Ｂも参照すると、せん断プレート撹拌モジュール１０５０の部分等角図が示されている。図３７Ａ及び図３７Ｂは、内部フレームから挿抜されるウエハホルダホルダアレイ５８６を示しており、各ホルダ９５０は、３つのガイドホイールセット１０７６と別個に係合しており、追加のガイドホイールセット１０７６は、ホルダアレイ５８６内の他のホルダとは独立して、それぞれのせん断プレート１０６０に対してホルダアレイ５８６内の各ホルダ９５０を積極的に配置するために、上側３つのガイドホイールセットの下部に配置されている。より詳細に説明されるように、各せん断プレート１０６０は、ガイドホイールの別個のセットの上に独立して位置してもよく、且つ他のせん断プレートに対して垂直方向に独立して移動可能にされる。図３８Ａも参照すると、せん断プレート撹拌モジュール１０５０の部分等角図が示されている。また図も３８Ｂ参照すると、せん断プレート撹拌モジュール１０５０の部分等角図が示されている。各ガイドホイールセット１０７６は、ホルダ９５０の脚部の前面側で、外側で、背面側で係合する３つのガイドホイール１０７８，１０８０及び１０８２を有する。ここでは、ホルダ９５０は、弾丸形状ノーズ部や引込み機構を有しており、フレーム１０６６内へのホルダ９５０の挿入中にミスアライメント（不整列）が存在する場合に、設けられた前面側テーパ１０８６、外側テーパ１０８８、背面側テーパ１０９０が提供される。図３９Ａも参照すると、ガイドホイールアッセンブリ１０８０の等角図が示されている。また図３９Ｂも参照すると、ガイドホイールアッセンブリ１０７８の等角図が示されている。ここで図４０Ａ及び図４０Ｂを参照すると、せん断プレートモジュール１０５０の正面図が示されている。ここでは、図４０Ｂは、せん断プレート１０６０が下方位置に存在する状態の正面図を示しており、図４０Ａは、せん断プレート１０６０が上方位置に存在する状態の正面図を示しており、このせん断プレートは、４０ｍｍの典型的な全幅ストロークを有しており、この全幅は、±１０ｍｍの１次ストロークと±１０ｍｍの２次プロファイルを有するようなせん断プレートの動作プロファイルに適している。開示された実施形態の別の態様では、他の適切なプロファイル又はストロークを提供してもよい。図４１も参照すると、せん断プレート撹拌モジュール１０５０の部分等角図が示されている。図４１は、ガイドホイールセット１０７６と同様の機構を有するガイドホイールセット１１０８を示している。ここでは、ガイドホイールセット１１０８は、せん断プレート撹拌部材１０６０をガイドするために設けられている。複数のガイドホイールセット１１０８は、例えば、ガイドホイールセット１１０８の上方に、且つ対応するホルダ９５０に対してせん断プレート撹拌部材１０６０を積極的に配置するためにフレーム１０６６の両側に設けてもよい。ここでは、各ホルダは、ホルダアレイ５８６内の他のホルダに対して独立して移動可能に配置されており、各ホルダは、フレーム１０６６内の各撹拌部材９５０に対して積極的に且つ個別に配置されている。
ここで図４２Ａを参照すると、せん断プレート１０６０が示されている。また図４２Ｂも参照すると、せん断プレート１０６０の一部が示されている。せん断プレートの製作は、１０ｍｍのピッチ又は他のピッチで、１ｍｍの厚さ又は他の厚さのブレード１１１０を有しており、ブレード１１１０の開口スパンは、幾何学的形状がプレート１０６０の高さと幅とをさらに規定するように、３４０ｍｍ又は他の寸法を有する。例えば、１０ｍｍの２次サイクルを含む２０ｍｍの１次のサイクルの動きに基づいて、中心から合計±１５ｍｍの動作について、それぞれ上半分と下半分に１７枚のブレードが存在し得る。開示された実施形態の別の態様では、ブレードストローク、ブレードの数は、例えば、追加の撹拌を提供するために最適化されており、レジスト「スキン」を確保するためにブレード同士の間に十分なスペースを残すことによって、せん断プレート構造内で捕捉されなくなる。プレート１０６０は、ステンレス鋼３１６から製作することができ、例えば、各ブレードは、７３９．３５ｇ(１.63lbs)の重量を有する。軽量孔が、底部エッジ及び上部エッジに設けられており、例えば、互いから、そしてバーのエッジから０．１５ｍｍの最小距離を有することができる。サイドバー１１１２，１１１４は、約１．０１６ｃｍ(0.4”)の幅又は他の寸法幅を有することができる。切欠きによって、ウエハホルダの前面側ガイドホイールへのクリアランスをサイドバーに提供してもよく、これらの機構の位置決めは、せん断プレートネスト／アレイアッセンブリから追い込むことができ、サイドプレートによって、ホイール位置が規定される。開示された実施形態の別の態様では、任意の適切なせん断プレート撹拌部材の幾何学的形状を提供してもよい。
図４３Ａ及び図４３Ｂも参照すると、フレームアッセンブリ１０６６は、タンクアッセンブリ１０６２内に挿入するために用意されたホルダアレイ５８６と共に示されている。また図４３Ｃも参照すると、フレーム１１３４上のタンクアッセンブリ１０６２の等角図が、せん断プレート撹拌部材の駆動アッセンブリ１１２０と共に示されている。図示される実施形態では、駆動アッセンブリは、１次振動駆動部１１２２と２次振動駆動部１１２４とを有する。ここでは、１次振動駆動部１１２２は、高い周波数の１次振動運動において各せん断プレート９５０を移動させるが、２次振動駆動部１１２４は、より低い周波数の２次振動運動においてせん断プレート９５０のグループを移動させる。１次及び２次振動運動（複数可）は、正弦波、変調正弦波、階段状又は任意の適切な選択的な振動運動であってもよい。１次振動駆動部１１２２は、カム装置１１２８に結合されたフレーム１１３２上にサーボアクチュエータ１１２６を有して示されており、ここで、カム装置２８は、８つの偏心器を有しており、各々の偏心器が個々の結合機構１１３０にリンクされている。この結合機構１１３０は、カム装置の偏心器を各せん断プレート撹拌部材１０６０に結合する。図示される実施形態では、各偏心器は、例えば、位相が４５度ずれており、高い周波数の１次運動は、隣接する撹拌部材に対して位相が４５度ずれた状態で同様に動作する各せん断プレート撹拌部材を有する。あるいはまた、任意の適切な位相又は位相の組合せを提供してもよい。さらに、異なる数のホルダが相対位相で構成される場合に、各位相間の遅延は、ホルダの数を３６０度で又は他の角度で割った値としてもよい。２次振動駆動部１１２４は、フレーム１１３４上にサーボアクチュエータ１１３６を有して示されており、このサーボアクチュエータ１１３６は、タイミングベルト又は他のベルトによって、第１及び第２駆動シャフト１１３８，１１４０に結合されている。第１及び第２の駆動シャフト１１３８，１１４０のそれぞれは、フレーム１１３４をフレーム１１３２に結合する２つの偏心器を有しており、それによって、第１及び第２の駆動シャフト１１３８，１１４０の回転によって、フレーム１１３２をフレーム１１３４に対して垂直方向に移動させ、こうして、せん断プレート１０６０を含む１次振動駆動部１１２２をグループとして移動させる。ここでは、１次振動駆動部１１２２は、高い周波数のせん断プレート撹拌部材１０６０を異なる位相角度で部材１０６０と共に移動させるが、２次振動駆動部１１２４は、部材１０６０がより低い周波数で同相でグループとして一緒に移動するように、より低い周波数でせん断プレート撹拌部材１０６０を移動させる。開示された実施形態の別の態様では、別の駆動部、例えば、リニアモータ駆動部又は他の駆動部を設けてもよい。例えば、開示された実施形態の別の態様では、１つ以上の撹拌部材（複数可）を駆動するようなリニアモータ駆動部を設けてもよく、１次及び２次動作は、このリニアモータ駆動部によって提供される。開示された実施形態の別の態様では、撹拌部材の全てを、同相又は相対位相（複数可）の任意の組合せで一緒に駆動してもよい。
開示された実施形態の別の態様では、流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理するのためのシステム１０５０が提供される。このシステム１０５０は、フレームと、、基板表面に接触することなく基板表面を流体処理するための複数の撹拌部材１０６０とを含む処理モジュール又は処理セクションを有している。基板ホルダアッセンブリ５８６が、ホルダフレーム９４６と複数の基板ホルダ９５０とを有しており、各基板ホルダは、このホルダフレームに結合されるとともに基板を保持するように構成されており、それによって、別の基板が、処理モジュール１０５０との間でユニットとして搬送するために、基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダによって保持される。基板ホルダアッセンブリと基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダとが、処理モジュールフレームに着脱自在に結合されており、処理モジュールフレームに結合されたとき、各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリ５８６の他の基板ホルダに対して独立して移動可能に且つ位置決め可能にされる。複数の撹拌部材の各撹拌部材１０６０は、複数の撹拌部材内の他の撹拌部材とは独立して、垂直方向に移動可能にされてもよい（図４３Ｃ参照）。基板表面は、実質的に垂直向きになる。処理モジュールフレームは、流体タンク１０６２を有してもよい。複数の基板ホルダのそれぞれは、ホルダフレームに着脱自在に結合されてもよい。基板ホルダアッセンブリは、処理モジュールフレームからユニットとして着脱自在にされる。基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリ内の他のホルダとは独立して、処理モジュールのフレームから着脱自在にされる。基板ホルダアッセンブリ５８６は、複数の基板ホルダ９５０を有しており、処理セクションと別の位置との間で１つ以上の基板をユニットとして搬送するように構成されている。基板ホルダアッセンブリと基板ホルダのそれぞれとが、処理セクションのフレームに着脱自在に結合するように構成されており、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダが、少なくとも１つの基板を保持するように構成されている。処理セクションフレームは、アライメント１０７６機構を有しており、このアライメント機構は、基板ホルダアッセンブリを処理セクションフレームに結合する際に、アライメント機構が、基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダとのインターフェイスを備えており、各基板ホルダと処理セクションとを対応させて結合するときに、処理セクションの撹拌部材１０６０に対して、各基板ホルダを繰返し可能なアライメント位置に設置するように置かれる。複数の基板ホルダは、基板をユニットとしてバッチ移送するように構成されている。モジュールフレームは、挿入ガイド１０７６を有しており、各基板ホルダは、各基板ホルダから垂下するとともに挿入ガイドに対応する嵌合ガイドを有する。挿入ガイド及び嵌合ガイドは、基板ホルダとモジュールフレームとを結合する際に、挿入ガイドが、複数の撹拌部材内の対応する撹拌部材１０６０に対して、基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダを繰返し可能なアライメント位置で整列させるような、各基板ホルダの対応する嵌合ガイドを受容するように構成されている。
ここで図４４を参照すると、マランゴニ乾燥モジュール２９０の概略図が示されている。より詳細に説明するように、例示的なマランゴニ乾燥システム２９０は、ウエハホルダ上のウエハのクリーンな乾燥を可能にする。マランゴニ乾燥は、ウエハが脱イオン水（ＤＩ）ウォーターバスから引き出される際に、例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の溶媒蒸気の噴流をウエハの水位線付近に噴射する。水と溶媒との間の表面張力の差によって、メニスカスを薄くし、ウエハからの水をそのバス内に引き戻す。図示される実施形態では、マランゴニ乾燥システム２９０は、ＩＰＡ蒸気供給システムと処理モジュール３１０とを有している。モジュール３１０は、モータ制御装置３０２とモジュール制御装置２２０’に接続されたリニアモータ１３００を有しており、このリニアモータは、ＤＩウォーターバス１３０６からウエハホルダ２７０’を選択的且つ制御可能に徐々に引き上げることができる。開示された実施形態の別の態様では、他の適切な駆動部を用いてもよい。開示された実施形態の別の態様では、ホルダ２７０’は、モジュール３１０の構成部品が移動可能にされる場合に、静止される。開示された実施形態の別の態様では、ホルダ２７０’及び／又はモジュール３１０は、互いに対して個々に又は別個に又は独立して移動可能とされてもよい。図示されるように、例示的な一実施形態では、ウエハホルダ２７０’は、２つの対向するウエハ（Ａ＆Ｂ）を保持してもよい。従って、処理モジュール３１０と蒸気供給システム１３０８とが、Ａ側ウエハ１３１２とＢ側ウエハ１３１４との両方にＩＰＡ蒸気を導くことを可能にしてもよい。開示された実施形態の別の態様では、蒸気は、単一ウエハに、ウエハの片側に又は単一ウエハの対向する側に向けることができる。同様に、マランゴニモジュール３１０は、他のサブシステムを有してもよく、各サブシステムは、Ａ側とＢ側とを有してもよい。
さらに、以下でより詳細に説明するように、システム２９０は、ウエハ枚葉式並列乾燥機構造で複数のウエハの乾燥をサポートすることができ、ここで、複数のモジュール又はモジュール３１０及び／又は１３０８のサブ構成部品を、並列方式で複数のウエハホルダ内の複数のウエハを処理するために提供してもよい。脱イオン水（ＤＩＷ）バス１３０６は、堰１３１６と排出口１３１８とを有している。ここでは、ＤＩＷは、堰１３１６上をスムーズに流れる。ＩＰＡ蒸気噴射システム１３２２は、ＩＰＡ蒸気を堰１３１６の直ぐ上方に向ける。窒素パージシステム１３２６は、ウエハがＤＩＷバス１３０６内に下降している間に、ウエハの酸化を防止するために使用されてもよい。窒素エアナイフ１３３０は、ウエハの上方でウエハホルダ２７０’の一部から水滴を吹き飛ばすために使用されてもよく、それによって、水滴が、後でクリーンでドライなウエハ表面上に落下しないようにする。ウエハホルダ動作システム１３００は、例えば、ウエハホルダ２７０’をＤＩバス１３０６及び堰１３１６内に迅速に下降させ、ウエハホルダ２７０’を徐々に引き上げるように使用されるリニアモータを有してもよい。ＩＰＡ蒸気供給システム（ＶＤＳ）１３０８は、例えば、ニューヨーク州の”Precision Flow Technologies of Saugertiesによって供給されるような市販の化学的又は蒸気供給システムであってもよい。ＩＰＡ蒸気供給システム（ＶＤＳ）１３０８は、手動又は別の方法で再充填可能なＩＰＡリザーバやタンクと、容器内の管であるＩＰＡバブラー（泡発生装置）とを有してもよい。ＶＤＳ１３０８は、流動する９７％Ｎ２ストリーム１３５４内に一定の３％ＩＰＡ濃度を維持するために、一定の温度にＩＰＡを維持する。開示された実施形態の別の態様では、様々な蒸気及びガスの組合せ（複数可）を含む様々な濃度を用いてもよい。後述するように、溶媒排出口１３３４は、ＣＤＡ供給源１３３８によって供給されるベンチャー(venture)ポンプ１３４０に接続されており、ここで、溶媒排出１３４４が、排出口１３５８，１３６０で排出される。Ｎ２供給源１３６２は、ＩＰＡ ＶＤＳ１３０８用の窒素を、３％ＩＰＡ蒸気１３５４の９７％Ｎ２濃度の供給源として供給する。Ｎ２供給源１３４２と１３４６とが、Ｎ２エアナイフ１３３０とＮ２パージ分配チューブ１３２６とのそれぞれをサポートする。ＤＩ水供給源１３５０を、ＤＩＷバス１３０６用のＤＩ水供給源として提供してもよい。開示された実施形態の別の態様では、より多い又は少ない機構及びサブシステムを設けてもよい。例として、Ｎ２パージ分配及び／又はＮ２エアナイフを設けなくてもよい。さらなる例として、複数のＩＰＡ蒸気噴射マニホールドは、ウエハ枚葉式並列構成における各基板の片面又は両面を乾燥させるような構成として設けてもよく、ここで、複数のウエハを含む複数のホルダは、複数のＩＰＡ蒸気噴射マニホールドによって乾燥される。このような任意の適切な組合せ又は構成を提供してもよい。
ここで図４５を参照すると、プラットフォーム２００内で図４４に示されるマランゴニシステム２９０と共に用いるために適しているマランゴニ乾燥の処理フロー図１３８０が示されている。処理フロー１３８０を実行する前に、システム２９０は、ＩＰＡ蒸気が溶媒排出マニホールド内に排出されることを保証するために、ＣＤＡ供給源１３３８がある圧力付近になることを保証するように初期化１３８４することができる。さらに、ＤＩ堰１３１６フローは、所定範囲内で足りていないようにする及びチェックすることができ、過剰な堰フローは、マランゴニプロセスを混乱させることがある。さらに、ＶＤＳシステム１３０８は、適切なＩＰＡ蒸気のパーセンテージを保証するために、必要に応じて加温してもよい。工程１３８６は、上部位置においてリニアモータ１３００を初期化し、LinMotシステム１３００が、上部位置に位置しており、ウエハホルダ２７０’を受け取る準備が整ったことを保証する。Ｎ２パージを有効にする工程１３８８は、搬送動作の前にパージを有効にして、処理セルをＮ２で充填させるのに十分な時間を与える。ここでは、工程１３８８の目的は、ホルダ２７０’の下降中にウエハの酸化を回避することである。工程１３９０は、例えば搬送自動化装置２８０を介してウエハホルダを処理セルに搬送するとともに、ウエハホルダ２７０’をLinMotシステム１３００に受け渡す。工程１３９２は、ウエハホルダをＮ２エアナイフ位置に下降させる。ここでは、この下降位置で、ウエハは、ＤＩ水に部分的に浸漬されてもよい。ホルダ２７０’は、このLinMotシステム３００の位置で一時的に停止してもよい。工程１３９４は、Ｎ２エアナイフ１３３０を有効にする。工程１３９６は、Ｎ２パージ１３２６を無効にする。工程１３９８は、ウエハホルダ２７０’を底部位置に継続して下降させる。ここでは、エアナイフ１３３０によって、この処理工程中にウエハホルダの最上部を乾燥させる。工程１４００は、Ｎ２エアナイフ１３３０を無効にする。工程１４０２は、中間まで上昇させるようにLinMot１３００値を設定するとともに、中速で持上げ動作をするようにLinMot１３００を準備する。工程１４０４は、ＩＰＡ蒸気がウエハ底部よりわずかに上方に存在するような位置にウエハホルダを上昇させる。工程１４０６は、ウエハエッジ付近のＷＨ２７０’の底領域の乾燥と、ウエハのエッジにおいてウエハホルダ２７０’のリップ部をシールする接触リングとを改良するために、ウエハ上昇速度を遅くするような緩やかに上昇のためにLinMot１３００値を設定する。開示された実施形態の別の態様では、ウエハホルダは、例えばホルダを利用する接触リングシールを有していなくてもよく、ここで、ウエハは、ウエハのエッジ部分（複数可）に保持され、ウエハは、ＤＩＷバス１３０６内に完全に浸漬される。工程１４０８は、ウエハホルダ２７０’を上部位置に上昇させる。ここでは、ウエハとウエハホルダとが乾燥され、ウエハ乾燥処理が完了する。工程１４１０は、ＤＩ堰１３１６フローを無効にし、マランゴニ乾燥機システム２９０に要求されるような他の適切なサブ構成部品を無効にすることもできる。開示された実施形態の別の態様では、より多い又は少ない工程を、システム２９０の個々の及び／又は複数の構成部品並びにサブ構成部品をサポートするために提供してもよく、開示された実施形態に関連して提供されてもよい。開示された実施形態の別の態様では、同一のいくつかの工程は、任意の適切な類似の又は異なるシーケンスの工程において提供されてもよい。
ここで図４６Ａ及び図４６Ｂを参照すると、堰１３１６’の部分的な等角図や上面図がそれぞれ示されている。また図４７Ａ、図４７Ｂ及び図４７Ｃも参照すると、例示的なウエハ枚葉式並列処理モジュール３１０’の等角図及び２つの側面図がそれぞれ示されている。図４８Ａ、図４８Ｂ及び図４８Ｃも参照すると、例示的なウエハ枚葉式並列処理モジュール３１０’の２つの等角断面図及び上面図がそれぞれ示されている。さらに図４９Ａ及び図４９Ｂも参照すると、例示的なウエハ枚葉式並列処理モジュール３１０’の側面図が示されている。例示的なウエハ枚葉式並列処理システム３１０の実施形態では、図４７Ａ、図４７Ｂ、図４８Ａ及び図４９Ａは、上昇位置において単一ウエハを保持する複数の並列ウエハホルダを示しているが、図４７Ｃ、図４８Ｂ及び図４９Ｂは、下降位置において単一ウエハを保持する複数の並列ウエハホルダを示している。図示されるウエハ枚葉式並列マランゴニ乾燥モジュール３１０’の実施形態では、複数のＮ２／ＩＰＡ／ＤＩＷマニホールド１４５０は、タンク１４５４に対して所定の位置で浮揚してもよく、タンク１４５４とは独立して整列させることができる。以下でより詳細に説明するように、マニホールド１４５０は、直線状ノズルをＤＩＷ堰に非常に近接させて組み込むＩＰＡ／Ｎ２蒸気噴射部と、ウエハ１４５６の両側の乾燥を容易にするための溶媒排出部とを包含する。説明されるように、システム３１０’は、例えばウエハホルダ１４６０の屈曲部を用いるように示されている。あるいはまた、任意の適切なウエハホルダを用いてもよい。ホルダ１４６０とともに、例えば電気的及び流体的なシール面を必要とするような電気めっきに使用されるタイプのシールされた本体ウエハホルダよりも少ない水を屈曲性ホルダによって移動させることができる。各ウエハの各乾燥又は処理位置における十分な堰フローが、乾燥部位（複数可）においてＩＰＡ蒸気飽和水の十分な希釈を確実にするために提供されてもよい。それによって、十分な流量は、高いスループットを有するマランゴニ乾燥のために必要な濃度勾配を維持する。全ての処理位置に亘って堰フローを促進するための例示的な設計上の機構は、例えば、ほぼ１ｍｍ又はその程度の範囲内でバランスされた高さの堰を含んでもよい。全ての処理位置に亘って堰フローを促進するためのさらなる例示的な設計上の機構は、堰の全て又はかなりの部分が恒久的に湿潤される状態となるような堰設計を含んでもよい。例として、これは、図４６Ａ及び図４６Ｂに示されるように、ウエハに対して平行且つ垂直の両方向にスカラップ(scalloped)堰を用いて達成することができ、こうして、わずかに低い堰の高さを用いた処理位置であっても堰フローを促進することができる。全ての処理位置に亘って堰フローを促進するためのさらなる例示的な設計上の機構は、わずかに低い堰の高さの乾燥処理位置であっても堰フローを促進するように共通のリザーバ内で流体の撹拌を生成するような機構１４６４を含むことができる。ここでは、機構１４６４は、振動板、非軸対称回転装置、振動ベローズ、ピストン、作動バルブを含むポンプ、又は局所的な堰フローを促進するために波動、流体運動を形成するための任意の他の適切な方法であってもよい。図示される実施形態では、ホルダ１４６０の８つのウエハアレイが、より高いスループットのために任意の適切な数、例えば１３枚又はそれ以外の数に拡張されるように増減するように示されている。
図示される実施形態では、ローダ２７４、モジュール２１０及びマランゴニ乾燥機３１０’との間でホルダを搬送するための搬送装置２８０の移動２８２の方向は、搬送装置の移動２８２がウエハに対して平行になるようにローダによって設定することができる。開示された実施形態の別の態様では、移動の任意の好適な向き又は方向（複数可）を提供してもよい。確認されるように、上方又は上昇位置に示されるモジュール３１０’のＺ方向ステージ１４７０は、搬送装置２８０からウエハ１４５６を含むホルダ１４６０を受け取る。ここでは、Ｚ方向ステージ１４７０は、ガイド１４７６により案内され、且つ垂直方向１４７８にリニアモータ駆動部等の適切な駆動部又は任意の適切な駆動部により駆動されるような垂直方向キャリッジに結合されたホルダ支持体１４７２を有してもよい。ウエハ１４５６がＤＩＷ１４８２に完全浸漬される状態の下方位置に示されるＺ方向ステージ１４７０で確認されるように、Ｚ方向ステージ１４７０は、直線状ＩＰＡ排出ノズル及び堰（ＬＩＮＥＷ）アッセンブリ１４５０を通じてウエハを徐々に引き抜くことができる。図示される実施形態では、（明確に示されていない）処理配管は、各ＬＩＮＥＷの端部からＸ方向１４８４にモジュール３１０’の側面から抜け出て、処理サポート領域２８４内でツール２００の背面に向けて９０度回転させることができる。図示される実施形態では、ホルダ支持体１４７２は、柔軟性を提供し、及び／又はホルダ１４６０のグループの個々のホルダ同士の間での相対運動を可能にすることができ、ここで、個々のホルダは、ホルダアレイ１４６０の他の個々のホルダに接続されていない。あるいはまた、ホルダアレイ１４６０は、個々のホルダ同士の間に柔軟性を提供してもよい。ここでは、以下でより詳細に説明するように、ホルダアレイ１４６０内の個々のホルダは、マニホールド（複数可）１４５０の個々のホルダの対応する構成部品に対してモジュール３１０’内で独立して位置決めすることができる。例えば、図示されるように、ウエハホルダ１４６０は、ＬＩＮＥＷアレイ１４５０内に組み込まれたアライメントホイールに係合されてもよく、それによって、アレイ１４６０内の各ＷＨは、アレイ内のＬＩＮＥＷ要素のそれぞれと精密に整列される。ここでは、ホルダ支持体１４７２への搬送装置２８０の落下動作は、アライメントホイールとの柔軟性係合部を含むことができ、こうして、Ｚ方向ステージクレードルの必要性を回避して、θ−Ｘ軸周りの回転（すなわち、ウエハ表面に平行な軸線周りの回転）を拘束する。図示される実施形態では、ツール２００のＸＹデータムは、搬送装置２８０とＺ方向駆動部１４７０との間の受け渡し位置であってもよく、ここで、乾燥モジュール３１０’用のタンク１４５４は、次に、例えばせん断プレートモジュール等の他の処理モジュール又は他の適切なモジュール用のタンクよりもより低くすることができる。開示された実施形態の別の態様では、例えば、エアナイフモジュール、Ｎ２パージ分配モジュール、又は他のモジュール等の任意の適切なモジュールを設けてもよい。
ここで図５０Ａ〜５０Ｃを参照すると、直線状ＩＰＡ排出ノズルと堰（ＬＩＮＥＷ）アッセンブリ１４５０との断面図が示されている。図示される実施形態では、直線状ＩＰＡ排出ノズルと堰アッセンブリ１４５０とは、マニホールド１５１０，１５１２，１５１４を有しており、各マニホールドは、Ｎ２／ＩＰＡ流入部１５２０、Ｎ２／ＩＰＡ蒸気噴射部１５２２、ＤＩＷ堰１５２４、Ｎ２／ＩＰＡ排出部１５２６及びＤＩＷ排出部１５２８を有する。図示される実施形態では、流入部及び排出部が、各マニホールド又はマニホールドのアレイの個別のＬＩＮＥＷ上で２つの対向するＮ２／ＩＰＡ蒸気噴射部及び２つの対向するＤＩＷ堰部に流体連通しおり且つ共用されている。開示された実施形態の別の態様では、より多い又は少ない部分を共用又は隔離することができる。開示された実施形態の別の態様では、より多い又は少ないマニホールドを設けてもよい。図示される実施形態では、ＤＩＷレベル１５３０でのＤＩＷ堰オーバフローは、ＬＩＮＥＷマニホールド自体に直接的に流入し、こうして、別個のＤＩＷ返送経路を２次容器内で下向きに提供する必要性を回避する。図５０Ａでは、ＬＩＮＥＷマニホールド１５１０，１５１２，１５１４を通じて流れる液体及びＮ２／ＩＰＡ蒸気が、例えば１つ又は２つのウエハホルダアレイについて示されている。ここでは、マニホールドのＬＩＮＥＷアレイが、ＤＩＷ１５８２のタンク１４５４内に着座されており、それによって、ＤＩＷの流入ポンプ１５３２によって、そのＤＩＷが、マニホールドのＬＩＮＥＷアレイ内のスロット１５４２，１５４４を通って上向き１５３４，１５３６，１５３８，１５４０に流れ、且つ下部ＬＩＮＥＷ要素１５５２の堰エッジ１５５０によって形成された個々の堰１５２４の上１５５６を流れるようにする。また、ＤＩＷレベル１５３０が、堰エッジ１５５０よりわずかに上方にのみ存在するようにする。ＤＩＷ排出は、スロット１５６０のアレイを通じて、各ＬＩＮＥＷマニホールドの端部のチューブに接続されているクロス孔１５６２に流れ込む。ＩＰＡ／Ｎ２蒸気が、ＬＩＮＥＷマニホールドの一端から入り、ＬＩＮＥＷマニホールドの上部要素１５７０と中間要素１５７２との間に形成されたキャビティによってノズルに沿って水平方向に（すなわち、図５０Ｂのページの内外に）分配される。交差スロット１５７４のアレイは、分配マニホールドとして機能して、外側エッジでＬＩＮＥＷマニホールド要素の上部１５７０と中間１５７２との間で、例えば、０．２５４ｍｍ(0.01”)又は他の適切なギャップとすることができるようなエジェクタスロット１５７６内にＩＰＡ／Ｎ２を均一に供給する。排出流は、ＬＩＮＥＷマニホールド要素の中間上部５７２と中間下部１５５３との間の包囲されたキャビティによって形成された水平方向チャネル１５８０を通じてＬＩＮＥＷマニホールドから引き出され、ここでチャネル１５８０は、チャネル１５６２と流体連通してもよい。ここでは、ＬＩＮＥＷマニホールドの長さに沿った均一な排出流は、ＤＩＷを堰エッジ１５５０から流体排出チャネルに搬送するような、下部要素１５５２内のスロット１５６０の同じアレイによって支配される。水は、主に排出管チャネル１５６２内の排出流の流れから落ちる一方、周囲の雰囲気ガス（空気）と共にＩＰＡ／Ｎ２は、排出チャネル１５８２の傍のＬＩＮＥＷマニホールドから排出負圧によって引き出される。開示された実施形態の別の態様では、任意の適切なマニホールド構造を設けてもよい。
図５２も参照すると、マニホールドアレイ１４５０の断面図が示されている。図示される実施形態では、ボルト１６００のアレイが、ＬＩＮＥＷマニホールド１５１４の４つの部分１５７０，１５７２，１５５２，１５５３と一緒にクランプするように使用されて、下部要素１５５２にねじ込まれるボルト１６００を用いて流入ＩＰＡ／Ｎ２チャネル及び排出チャネルを形成することが示される。開示された実施形態の別の態様では、より多い又は少ない部分を有する任意の適切なクランプ又は製造方法を用いることができる。図５１Ａも参照すると、直線状ＩＰＡ排出ノズルと堰マニホールドアッセンブリ１４５０との等角図が示されている。また図５１Ｂも参照すると、直線状ＩＰＡ排出ノズルと堰マニホールドアッセンブリ１４５０との断面図が示されている。アッセンブリ１４５０は、堰排出プレート１５５２と上部プレート１５７０とを有する。ＩＰＡ Ｎ２噴射口１６３０は、各噴射器のＩＰＡ噴射チャネル１５２０と流体連通している。ＩＰＡ排出口１６３２は、各噴射器のＩＰＡ排出チャネル１５２６と流体連通している。水排出口１６３４，１６３６，１６３８，１６４０は、各堰の排出チャネル１５２８と流体連通するような排出チャネル１５６２と流体連通している。図５１Ｃも参照すると、堰排出プレート１５５２の上面図が示されている。また図５１Ｄも参照すると、堰排出プレート１５５２の断面図が示されている。ここでは、堰排出口プレート１５５２は、構造的支持体として機能し、堰／ＤＩＷ放出を提供する。図５１Ｃに確認されるように、水排出口１６３４，１６３６，１６３８，１６４０は、各堰１５２４の排出チャネル１５２８とさらに流体連通するような排出チャネル１５６２と流体連通している。ここで、ＤＩＷは、各堰１５２４のエッジ１５５０上を流れるとともに、排出口１６３４，１６３６，１６３８，１６４０を通じて排出される。開示された実施形態の別の態様では、各堰は、排出を容易にするために、エッジ１６４４と１６４６とにおいて低くすることができる。ここでは、各堰は、短く切断される、テーパ状に切断される、又は他の形状に切断される。このような低くしたエッジでは、流れが、ウエハ表面に対して平行に向けられており、ここで、堰は、ウエハの直径の外側のエッジにおいて排出する。図５１Ｄに確認されるように、２つのレベル堰１５２４が、開示された実施例の別の態様として示されている。堰１５２４は、１次堰１５５０及び２次堰１６５０を有するものとして示されている。水は、チャネル１６５２を充填する１次堰１５５０の上を流れた後に、排出チャネル１５２８内の２次堰１６５０上を流れ、次に排出チャネル１５６２に流れる。チャネル１６５２は、１次堰と２次堰との間に局在化する水のリザーバとして機能し、ここで、１次堰と２次堰との高さの差を、キャピラリ長さ未満にする、すなわち約２ｍｍ又は他の寸法以下とすることができる。これによって、主水源とリザーバとの間の流体連通が可能になり、１次堰の湿潤を促進し、堰上の均一な流れを増大させる。開示された実施形態の別の態様では、任意の適切な幾何学的形状の堰を設けてもよい。ここで、図５３Ａを参照すると、直線状ＩＰＡ排出ノズル内のホルダと堰アッセンブリとの等角図が示されている。図５３Ｂも参照すると、直線状ＩＰＡ排出ノズル内のホルダと堰アッセンブリ１４５０との等角図が示されている。図示される実施形態では、３つのローラ１６２０の３つのアレイそれぞれは、ホルダ２７０’の各脚部を拘束するのに配置されており、それによって、ウエハ１４５６の表面が、ＩＰＡ蒸気噴射器や、直線状ＩＰＡ排出ノズル及び堰アッセンブリ１４５０の堰部から所定の距離に留まるようにする。開示された実施形態の別の態様では、ＩＰＡ蒸気噴射器や、直線状ＩＰＡ排出ノズル及び堰アッセンブリ１４５０の堰部に対して、いくつかのローラ又はホルダ２７０’及び／又はウエハ１４５６の他の適切な案内及び位置を提供することができる。
開示された実施形態の別の態様では、液体中の基板の幅表面を乾燥させるための基板乾燥装置３１０’を設けてもよい。基板乾燥装置３１０’は、液体を収容する液体タンク１４５４を有している。噴射ノズル１５７６が、液体タンクに結合されており、この噴射ノズルが、基板の幅表面に亘った連続的なナイフエッジ噴射面を有する。排出口１５２４が、噴射ノズルに結合されており、排出口は、連続的なナイフエッジ噴射面に実質的に平行であり、且つ基板１４５６の幅表面に亘る連続的な排出面を有する。液体は、連続的な排出面と基板の幅表面との間にメニスカスを形成する。噴射ノズルは、このメニスカスに蒸気を向ける。基板は、実質的に垂直向きである。基板は、ホルダに結合されており、ホルダと基板とが、噴射ノズルと排出口とに対して移動可能にされる。連続的な排出面１５２４は、実質的に永久的に湿潤する堰を形成する。連続的な排出表面は、ウエハ表面に対して平行及び垂直の両方の方向でスカラップ形状となる堰を形成する。基板乾燥装置は、液体を補充するように構成された液体リザーバをさらに有してもよく、この液体リザーバは、液体を撹拌する撹拌機構を有する。排出口は、下部液体排出部１５２８と上部蒸気排出部１５２６とを有する排出マニホールドを含んでもよい。システム３１０’は、液体内の基板の幅表面を乾燥するためのマランゴニ乾燥装置であってもよい。噴射ノズルは、液体及び蒸気併用排出口に接続されてもよい。この液体及び蒸気併用排出口は、連続的なナイフエッジ噴射面１５７６に対して実質的に平行な連続的な排出面１５２４を有する。連続的なナイフエッジ噴射面と連続的な排出面とが、ウエハ幅に亘って連続している。蒸気は、基板表面と液体及び蒸気併用排出口との間に形成されるメニスカスに対して連続的なナイフエッジ噴射面の長さに沿って噴射され、液体及び蒸気は、液体及び蒸気併用排出口に流入する。開示された実施形態の別の態様では、液体中の複数の基板の対向する表面を乾燥させるための複数の基板乾燥装置３１０’が提供される。複数の基板乾燥装置は、液体を収容する液体タンクと複数のマニホールド１４５０とを有している。各マニホールドは、基板の対向する表面のそれぞれに近接しており、各マニホールドは、液体タンクに結合された噴射ノズルを有する。各マニホールドは、噴射ノズルに結合された排出口を有しており、排出口は、連続的なナイフエッジ噴射面に対して実質的に平行であり、且つ基板の幅表面に亘る連続的な排出面を有する。液体は、各連続的な排出面と複数の基板の各幅表面との間にメニスカスを形成し、ここで、噴射ノズルは、このメニスカスに蒸気を向けている。
ここで図５４を参照すると、ホルダ７０６と共に用いるのに適したマランゴニ乾燥モジュール７００の等角図が示されている。また図５５も参照すると、ホルダ７０６と共に用いるのに適したマランゴニ乾燥モジュール７００の断面図が示されている。図示される実施形態では、ホルダ７０６は、ホルダ７０６の両側に２つのウエハを支持することができ、ここで、２つのウエハのそれぞれは、ＤＩＷバスに露出された単一の外面のみを有しており、例えば、２つの接触リングシール（ＣＲＳ）が、ウエハの外部エッジに対してシールするとともに、ウエハの内面だけでなくホルダ７０６の内側部分をＤＩＷバスから隔離するために、ホルダ７０６に設けられている。マランゴニ乾燥モジュール７００は、所望される選択可能な速度と動作プロファイルでホルダ７０６を選択的に上昇及び／又は下降させるように、駆動クレードルとホルダとの釣合いを取るカウンタウェイト７１２を含むLinMot垂直方向駆動部７１０を有する。マランゴニ乾燥モジュール７００は、対向するＩＰＡ噴射モジュール７１６，７２０、対向するＮ２パージ分配モジュール７２４，７２６、及び対向するエアナイフモジュール７３０，７３２を有する。ブラケット７３６には、制御バルブ（複数可）を設けてもよい。図示される実施形態では、Ｎ２パージマニホールドは、ＩＰＡ噴射器の噴射口及び排出口に嵌合するスウェージロック(Swagelock)継手と共にＩＰＡ噴射器の上方に示されている。Ｎ２パージマニホールド７２４は、孔７４６が均等に間隔を置いて配置されるようなチューブとして示されている。チューブは、取付フランジを介して容器プレート７４８の側面にボルトで固定されるように示されており、一端においてねじ込まれるような配管接続を有するように示されている。雄型コネクタのスウェージロック継手が、ＩＰＡ噴射口７５０及び排出口７５４用に示されている。ここでは、ＩＰＡマニホールドが容器支持プレートにボルトで固定された後に、継手を設置してもよい。開示された実施形態の別の態様では、任意の適切なマニホールドの幾何学形状、継手又は接続部等を設けてもよい。示されるＮ２パージ７２４，７２６によって、パージされ取囲まれた搬送環境によってウエハの受け渡し時の酸化が防止される。底部プレート７６０は、さらに説明するように、（２つの）ＤＩＷ／溶媒排出孔７６２，７６４と、マランゴニ乾燥モジュール７００内のＤＩＷバス用のＤＩ水噴射口の単一の孔７６６とを有している。図５４は、ホルダ７０６が下降位置にあるときのマランゴニ乾燥モジュール７００を示しているが、リニアモータ７１０の作動時にカウンタウェイト７１２を下降させた状態で、ホルダ７０６を、上昇搬送位置まで上昇させてもよい。図５５は、ホルダ７０６が下降位置にあるときの乾燥モジュール７００を示している。底部プレート７６０は、ＤＩ水排出用の側方チューブ７６２，７６４と共に、ＤＩ水噴射口用の中央噴射口チューブ７６６を有するように示されている。外側容器プレート７８０，７８２は、構造的剛性のために底部プレート７６０及びサイドプレート７４８，７６８に対してシールされており、排出ＤＩ水が底部プレート７６０から漏出することを防止する。容器内側プレート７８４，７８６が、底部プレート７６０及びサイドプレート７４８，７６８に対してシールされており、供給ＤＩＷを排出ＤＩＷから隔離するためにＩＰＡ噴射器７１６，７２０にまで延長されている。空気ナイフ７３０，７３２が、ＩＰＡ噴射マニホールド７１６，７２０の上方に位置するように示されている。機械ＨＤＰＥブロック７９０，７９２が、ウエハホルダ７０６を所定の位置にガイドするように、上部プレート７９４上に示されている。
図５６Ａも参照すると、ＩＰＡ噴射口継手７５４とＩＰＡ蒸気排出口継手７５４とを有するＩＰＡ噴射ノズル７２０の等角図が示されている。また図５６Ｂ及び図５６Ｃも参照すると、ＩＰＡ噴射器７１６，７２０及び空気ナイフ７３０，７３２のそれぞれ断面図が示されており、ここで、ＩＰＡ噴射マニホールド及びエアナイフの両方が、ウエハホルダ７０６とＣＲＳ８０５，８０７との両方を洗浄する。図５７Ａも参照すると、モジュール７００の底部プレート７６０の部分等角断面図が示されている。ここでは、ＤＩ水噴射口は、一連の等間隔に間を置いた孔が底部プレート７６０に結合されるようなプレート８１３として示されている。図５７Ｂも参照すると、スタッド８７１がプレート７８４をＩＰＡ噴射ノズル７２０に結合するようなプレート７８４の等角図が示されている。図５８も参照すると、ホルダ７０６が下降位置にある状態のＩＰＡ噴射ノズル７１６，７２０の断面図が示されている。ＩＰＡ噴射ノズル７２０は、上部セクション８４１、中間セクション８４３及び下部セクション８４４を有するとともに、１次マニホールド面及び２次スロットを用いる同様の概念を用いて、３つの流れについて内向き又は外向きの流体又は気体の流れを拡散させる：ここで、３つの流れは、（１）強制的な内向きＮ２／ＩＰＡ８５１及び受動的な空気の流れ８５３、（２）外向きＮ２／エア８５５、（３）堰８５６をオーバーフローするとともに、下部セクション８４５の孔８５９のアレイ内に流入するＤＩＷである。３つのセクション８４１，８４３，８４５は、底部セクション８４５が、堰壁にボルトで固定され且つ流体流の全体が堰８６５の上となるように平準化されるように、上部から挿入されたねじ８６１によって一緒に保持される。セクション８４１，８４３は、次いでＮ２／ＩＰＡ流体ギャップと排出キャビティとを規定するためにボルトで下方に固定されてもよい。上部から中間セクション８４１，８４３は、中間から下部セクション８４３，８４５が、ボルトシャフトと平坦面等で整列されるように、１．０１６ｍｍ(0.04”)幅の直線状ボス／スロットの組合せ等によってＹ方向に整列させることができる。上部から中間セクションのアライメントが、０．２５４ｍｍ(0.01”)±０．５０８ｍｍ(0.02”)の幅広エアギャップ等のギャップを規定する。内側堰プレート７８４とＩＰＡ噴射器７２０との間の内部流体の閉じ込めは、噴射器アッセンブリ７２０が、噴射器７２０がボルトで固定された堰プレート７８４上にスタッド溶接されたねじ込み式スタッド８７１を使用するとともに、かなりの量の漏出を液密にシールするために堰プレートに対して噴射器を緊密に引っ張るように、連続的に行われる、すなわち水密となるように受容可能に行われる。調整機能を設けてもよい：（１）θ−Ｙ方向：（すなわち、堰をプランブ(plumb)ラインに対して垂直にさせ、流体流の厚さが均一になる。これは、流体流が、上部プレート取付け面に対して平行になることを意味し、スタッドをそれらの孔に緩く嵌合させることによって達成できる）（２）Ｚ方向及びＸ方向位置：（すなわち、左右を同じにする）、θ−Ｙと同様である（３）シムプレート等を使用してＷＨからＹ方向にオフセットする、（４）θ−Ｚ方向とθ−Ｘ方向：調整は必要なく、堰プレートの溶接によって設定される。開示された実施形態の別の態様では、より多い又は少ない調整機構を設けてもよい。図示される実施形態では、流体容器は、フレーム内で溶接される堰プレート７８４に対して噴射器アッセンブリ７２０をクランプすることによって製作することができる。ここで図５９を参照すると、ＣＲＳ８０５，８０７の間のクリアランスを示すＮ２エアナイフ部の断面が示されている。エアナイフ７３２は、下部８７７にボルト８７９で固定された上部８７５を有しており、ここで、上部８７５と下部８７７の対向する面同士の間のギャップ８８１は、Ｎ２圧力源８８３から基板表面を横切る流体ジェットを形成する。ここで図６０Ａ〜図６０Ｃを参照すると、マランゴニ乾燥モジュール７００内に２つのウエハＷを有するホルダ７０６の断面図が示されている。ホルダ７０６は、モジュールフレーム内のガイド機構８８９と嵌合するような直線状突起８８７の位置決め機構を有する。ここでは、ガイド機構は、図６０Ａに示されるような引込みプロファイルを含んでもよい。開示された実施形態の別の態様では、いくつかの機構を設けてもよい。
ここで図６１Ａを参照すると、ウエハホルダ２４００と直線状ノズル２４３０との図が示されている。また図６１Ｂも参照すると、ウエハホルダ２４００と直線状ノズル２４３０との図が示されている。さらに図６１Ｃも参照すると、ウエハ２３００と直線状ノズル２４３０との図が示されている。図示される実施形態では、直線状ノズル２４３０は、均一なガス流を１つ以上のウエハ表面（複数可）２３０２，２３０２’に提供する。一実施形態では、ウエハ表面上に均一で、高い速度のガス流の衝突を提供するような処理モジュールを含む縦型処理ツールを有してもよい。この実施形態は、いわゆる「エアナイフ」構成と言われ、ウエハを乾燥するために例えば窒素ガス流と共に使用される。あるいはまた、この実施形態は、電着の前に希釈ガス媒介コーティングをウエハ表面に塗布するために用いることができる。開示された実施形態の屈曲性ウエハホルダ及び処理モジュールアライメント要素は、以下で説明されるように、直線状ノズルをウエハ表面に近接させて位置決めするような機構を提供する。開示された実施形態の別の態様では、開示された直線状ノズル及び精密アライメント技術は、電気めっき用途のシールされたウエハホルダと共に用いることができ、例えば、米国特許第７，４４５，６９７号、米国特許第７，７２２，７４７号、米国特許第７，７２７，３３６号に記載されており、これらの文献は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。図示される実施形態では、ウエハホルダ２４００は、直線状ノズル２４３０をウエハホルダ２４００に対して（又はウエハホルダをノズルに対して）に移動させるような処理モジュールのアライメントガイド（図示せず）によって直線状ノズル２４３０に対して位置決めされており、それによって、ノズル２４３０から放出されたガスジェットは、下部カバーから上部カバーへ移動して、ウエハ表面（複数可）２３０２，２３０２’を通過する。図６１Ｃは、ウエハ表面付近の直線状ノズル部分２４３０の拡大断面図を示す。図示される実施形態では、約３０度の角度を付られた約０．２５ｍｍの厚さの直線状ギャップ２４３２，２４３２’は、ウエハ表面２３０２，２３０２’にそれぞれ提供されており、ウエハ表面の前面から約１ｍｍの所に位置決めされ、高い速度でウエハ表面２３０２に向けてガスを噴射させ、それによって、ほとんどの流体を移動させるのに十分なエネルギーで表面に衝突させて、薄く残存する流体層がその後すぐに蒸発によって乾燥する。開示された実施形態の別の態様では、他の適切な幾何学的形状を提供してもよい。開示された実施形態の別の態様では、均一で精密にアライメントされた直線状ガスジェットは、ガス媒介物質等をウエハ表面上に適用するために用いることができる。第２の直線状ノズル２４３２’が、ウエハ背面から約５ｍｍの所に位置決めされてもよく、また、背面の乾燥をもたらすとともに、またウエハを不利に撓ませるような正味のガス圧の適用を回避する。開示された実施形態では、例示的な直線状ノズル構成が示されている。２つの製造されたピース２４３４，２４３６は、狭い直線状ギャップ２４３２を与えるように１次及び２次マニホールドのシーケンスを形成するために一緒にボルトで固定される又はエポキシ樹脂で接着され、この狭い直線状ギャップは、図６１Ａ〜図６１Ｃに示されるようにノズル開口部を規定する。分離ブロック２４３８を、均一な圧力及び流れ分布を保証するためにマニホールド内に設けてもよい。
ここで図６２Ａを参照すると、ウエハホルダ２４００と処理モジュール２４５０とが示されている。また図６２Ｂも参照すると、ウエハホルダ２４００と処理モジュール２４５０とが示されている。さらに図６３Ａ〜図６３Ｃも参照すると、ウエハホルダ２４００と処理モジュール２４５０とが示されている。図示される実施形態では、流体処理要素２４３０に対するウエハ２３００の精密なアライメントが提供されており、モジュール２４５０は、ウエハが流体処理要素２４３０に近づく前に、ガイドホイール２４５２が、ウエハホルダ脚部要素の下部セクションに係合するように、処理モジュールフレーム２４５４に取り付けられたガイドホイール２４５２を用いる。例示的な実施形態では、図６２は、ウエハ２３００が直線状ノズル処理要素２４３０に係合する前のウエハホルダ２４００を示しており、ここで、図６２Ｂは、直線状ノズル２４３０を貫通するウエハホルダ２４００を示している。また、図６３Ａ〜図６３Ｃは、ウエハホルダ２４００が所定の位置に移動されるとともに、ガイドホイール２４５２のアレイによって両側でガイドされ、且つ垂直方向の処理中に、一例として、リニアモータモジュール、搬送装置２８０又は他の適切な装置（図示せず）であるシステム自動化構成部品によってガイドされる、ことを段階的に示している。図示される実施形態では、ウエハホルダ２４００は、ウエハ２３００が直線状ノズル２４３０の近傍に入ってくる前に、ガイドホイール２４５２によって係合され、こうして、垂直方向に動作の処理フェーズ中に直線状ノズル２４３０をウエハ２３００に対して間隔を置いて近接させる機構を達成する間に、ウエハ２３００が直線状ノズル２４３０に接触してウエハ表面に損傷を与える危険性を回避する。ここでは、処理フレーム２４５４に取り付けられたホイール２４５２は、ウエハ２３００が、直線状ノズル２４３０の緊密なギャップ２４５６に入る前に、ウエハホルダ２４００を最終的な位置に導く。あるいはまた、開示された実施形態に関連して、処理フレームガイド要素は、せん断プレート流体浸漬及び撹拌、マランゴニ乾燥、及び走査ノズルアレイ等の他の実施形態でも用いることができ、本ガイド（案内）態様は、例えばフォトレジスト剥離システム又は他のシステムにおいて前述した６つのウエハホルダのバッチ等のウエハホルダのバッチに適用することもできる。バッチ用途に関して、単一のガイド要素を、バッチ内の個々のホルダに対して設けてもよいし、あるいはまた、より少ないガイド要素を設けてもよい。
ここで図６４を参照すると、ウエハホルダアレイ２５００と処理モジュール２５４５内の直線状ノズルアレイ２５３０との図が示されている。また図６５Ａも参照すると、ウエハホルダアレイ２５００と直線状ノズルアレイ２５３０との図が示されている。図６５Ｂも参照すると、ウエハアレイ２３００’が直線状ノズルアレイ２５３０から引出される又はこのアレイ内に挿入される図が示されている。さらに図６５Ｃも参照すると、ウエハアレイ２３００’が直線状ノズルアレイ２５３０によって受け渡される図が示されている。図示される実施形態では、直線状ノズル２５３０は、均一なガス流を１つ以上のウエハ表面（複数可）２３０２’’，２３０２’’’に提供する。一実施形態では、処理モジュールを含む縦型処理ツールを有してもよく、このツールは、均一で、高い速度のガス流衝突をウエハ表面上に提供する。この実施形態は、いわゆる「エアナイフ」構成と言われ、ウエハを乾燥するための例えば窒素ガス流と共に用いることができる。あるいはまた、この実施形態は、電着の前に希釈ガス媒介コーティングをウエハ表面に塗布するように用いることができる。開示された実施形態の屈曲性ウエハホルダ及び処理モジュールアライメント要素は、直線状ノズルをウエハ表面に近接させて位置決めする機構を提供する。開示された実施形態の別の態様では、開示された直線状ノズル及び精密アライメント技術は、電気めっき用途のシールされたウエハホルダと共に用いることができ、例えば、米国特許第７，４４５，６９７号、米国特許第７，７２２，７４７号、米国特許第７，７２７，３３６号に記載されており、これらの文献は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。図示される実施形態では、ウエハホルダアレイ２５００内の各ホルダは、直線状ノズル２５３０をウエハホルダ２４００に対して（又は、ウエハホルダアレイをノズルアレイに対して）移動させるように、処理モジュール・アライメントガイド（図示せず）によって直線状ノズル２５３０内の各直線状ノズルに対して位置決めされており、それによって、ノズル２５３０から放出されたガスジェットが、下部カバーから上部カバーに移動して、ウエハ表面（複数可）２３０２’’，２３０２’’を通過する。
図６５Ｄ及び図６５Ｅは、ウエハ表面付近の直線状ノズル部２５３０の拡大断面図を示している。図示される実施形態では、約４５度の角度で角度付けられた約０．２５ｍｍ厚さの直線状ギャップ２５３２，２５３２’が、ウエハ表面２３０２’’，２３０２’’’にそれぞれ設けられるとともに、ウエハ表面から約１〜４ｍｍの所に位置決めされており、高い速度のガスをウエハ表面に向けて噴出させ、それによって、ほとんどの流体を移動させるのに十分なエネルギーで表面に衝突させて、薄く残存する流体層がその後蒸発によって迅速に乾燥する。開示された実施形態の別の態様では、他の適切な幾何学的形状を提供してもよい。開示された実施形態の別の態様では、均一で精密に角度が付けされた直線状ガスジェットは、ガス媒介物質等をウエハ表面上に塗布するために用いることができる。第２の直線状ノズル２５３２’を、ウエハ背面から約５ｍｍの所に位置決めしてもよく、この背面の乾燥させ、またウエハを不利に撓ませるような有意な正味のガス圧を適用することが回避される。開示された実施形態では、例示的な直線状ノズル構成が示されている。２つの製造されたピース２５３４，２５３６は、狭い直線状ギャップ２５３２を与えるように１次及び２次マニホールド２５３７のシーケンスを形成するために一緒にボルト固定される又はエポキシ樹脂で接着され、この狭い直線状ギャップは、ノズル開口部を規定する。均一な圧力及び流れ分布を保証するために、マニホールド内に分離ブロック２５３８を設けてもよい。図示される実施形態では、ウエハが流体処理要素２５３０に近づく前にガイドホイール２５５２がウエハホルダの脚要素の下部セクションに係合するように、流体処理要素２５３０に対するウエハ２３００’のアレイの精密なアライメントは、モジュール２５４５が処理モジュールフレーム２５５４に取り付けられたガイドホイール２５５２を用いる場合に提供される。図示される実施形態では、ウエハホルダ２５００は、ウエハ２３００’が直線状ノズルアレイ２５３０の近傍に入ってくる前にガイドホイール２５５２によって係合され、それによって、ウエハ２３００を直線状ノズル２５３０に接触させてウエハ表面に損傷を与える危険性を回避する一方、垂直方向の動作の処理フェーズ中に、直線状ノズルアレイ２５３０をウエハアレイ２３００’に対して間隔を置いて近接させる機構を達成している。ここでは、処理フレーム２５５４に取付けられたホイール２５５２は、ウエハアレイ２３００内の各ウエハが、直線状ノズルアレイ２５３０の緊密なギャップ２５５６に入る前に、ウエハホルダアレイ２５００内の各ホルダを最終的な位置に導く。あるいはまた、開示された実施形態に関連して、処理フレームガイド要素は、せん断プレート流体浸漬及び撹拌、マランゴニ乾燥、及び走査ノズルアレイ等の他の実施形態として用いることができ、ここで、本ガイド（案内）態様は、例えばフォトレジスト剥離システム等の前述した６つのウエハホルダのバッチ等のウエハホルダのバッチに適用することもできる。バッチ用途に関して、単一のガイド要素を、バッチ内の個々のホルダに対して設けてもよく、あるいはまた、少ないガイド要素を設けてもよい。
ここで図６６を参照すると、流体ジェットウエハ枚葉式並列処理モジュール１３００の側面図が示されている。ここでは、流体処理モジュール１３００は、複数の基板ホルダを並列に処理することができ、ここで、モジュール１３００は、流体処理タンク内の複数の基板ホルダに対応する複数の直線状ジェットノズルを有しており、複数の基板ホルダのそれぞれが、他の基板ホルダとは独立して、複数の直線状ジェットノズルのうちの対応する１つのノズルに対して整列及び位置決めされる。流体ジェットは、高い速度の流体をウエハ表面に与えることができる。流体ジェット、すなわち制限されたギャップ又はノズルを介して高い速度で噴射される流体は、表面張力に打ち勝ち、ウエハ表面を湿潤させる、若しくはウエハ表面のマイクロスケールの機構から不要な粒子又は破片を取り除く又は運び去るために用いることができるように、かなりの速度でウエハ表面に流体を衝突する。流体ジェットインターフェイスに対してウエハを空気や窒素等のガスによって取り囲んでいる場合には、流体流のエネルギーは、表面張力及び湿潤力に打ち勝つことが可能である。周囲流体内に浸漬された流体ジェットアッセンブリは、ウエハ表面における混合（混和）を改善するために用いることもできるが、その混合エネルギーの大部分は、取り囲む周囲流体によって吸収することができる。せん断プレート流体撹拌は、流体に浸漬されるウエハ表面の前面の流体境界層を薄くするために有用であるが、これによって、ウエハ表面と反応する反応物質の境界層を通じての輸送速度や、ウエハ表面から離れる物質による反応を増大させ、それは、濡れ抵抗に打ち勝つように流体エネルギーを実質的に使用しておらず、ウエハ表面上の粒子を有利に取り除けない。モジュール１３００を利用するウエハ枚葉式並列（ＰＳＷ）流体ジェット処理は、ウエハ８５６の表面に間隔をおいて近接させて精密に整列させるような流体ジェット１３１４のアレイ１３１０を有しており、それによって、処理効率及びと処理の繰返し性について効果的な流体エネルギー伝達を提供する。流体ジェットのアレイ１３１０又はいくつかのアレイは、高い生産性を提供するようにホルダアレイ８１８内の各ウエハ表面を同時に処理するように設けてもよい。モジュール１３００では、垂直方向の向きによって、ウエハ線の衝突１３２０に対して流体をジェット流から離れるように排出させ、それによって、流体エネルギーが、例えば実質的に水平方向に発生するように、液体の層に衝突することによって浪費されないようにする。モジュール１３００では、ウエハのアレイは、単一の処理モジュール内で同時に処理することができ、それによって、共有流体ポンプ、流体の閉じ込め及び他の流体処理システム要素の経済的利益が提供されるだけでなく、複数のウエハを処理モジュールとの間で搬送するための自動化サブシステムの単一の動作を用いることができる経済的利益も提供される。
図６７も参照すると、流体ジェットウエハ枚葉式並列処理モジュール１３００の部分等角断面図が示されている。図６６は、流体閉じ込め容器１３２６の前壁が取り外された正面図を示しているのに対し、図６７は、流体ジェット処理モジュール１３００を通じた断面図を示している。アレイ８１８として流体ジェット処理ユニット１３００に供給されたウエハ８５６は、ウエハホルダ９５０によって保持されている。流体ジェットノズルの複数のアレイ１３１０のうちの或るアレイは、ＷＨ-アレイに対して精密に位置決めされるとともに、以下でより詳細に示されるように上下方向に垂直に走査される。タンク要素１３２６は、流体がウエハ表面の下方に滴下されるとともに、流体をノズルアレイに返送するようにポンプ圧送するようなポンプ及び濾過システムに流体を返送する際に、流体を収容する。図６８Ａ〜図６８Ｃも参照すると、流体ジェットウエハ枚葉式並列処理モジュール１３００の部分等角断面図が示されている。図６８Ａ〜図６８Ｃは、ウエハ８５６の底部（図６８Ａ）から上部（図６８Ｃ）まで走査するノズルアレイ１３１０を示すような流体ジェットモジュール１３００の断面を示している。走査の各終了部において、アレイは、典型的にウエハのエッジをわずかに超過する「オーバースキャン」位置に移動し、それによって、ウエハ表面に対して流体ジェット処理の完全な処理範囲を保証する。従来の垂直方向のノズルアレイの走査は、例えば、同期して動作する４つのリニアモータのセットを用いており、それぞれのリニアモータが、矩形アレイの四隅のうちの１つに配置される。好ましい製造業者は、ウィスコンシン州のエルクホーンによるLinMotである。例えばガイドホイール又は他のホイールによる適切なガイドは、それぞれのノズル１３１４に対してそれぞれ独立して、ホルダ９５０を正確に位置決めするように用いることができる。図６９も参照すると、ＷＨアレイ８１８が流体ジェットモジュール１３００内に挿入されるような、流体ジェットウエハ枚葉式並列処理モジュール１３００の部分等角断面図が示されている。また図７０も参照すると、ＷＨアレイ８１８が流体ジェットモジュール１３００内に挿入されるような、流体ジェットウエハ枚葉式並列処理モジュール１３００の側面図が示されている。図示される実施形態では、ＷＨアレイ８１８は、システムの自動化装置の要素９４６によって保持されており、搬送装置は、ＷＨアレイ８１８の重量を支持するとともに、ノズルアレイ１３１０に対してＷＨを精密な位置にガイドするために機能するような、流体ジェットモジュール１３００上の機構に対してそのＷＨアレイを整列させる。搬送装置が、ＷＨ９５０を放出するときに、ＷＨ要素９５０のそれぞれは、ノズルアレイ１３２０内のそれぞれのノズルマニホールド１３１４と自由に整列するようになり、それぞれの対応するノズル１３１４に対して独立して位置決めされる。
図７１も参照すると、流体ジェットノズルアレイ１３１０の部分等角断面図が示されている。また図７２も参照すると、ノズル１３１４内の流体ジェットノズルアレイ１３２６の等角図が示されている。図７１及び図７２は、流体ジェットがウエハに衝突するような領域の拡大断面図を示す。ここでは、ウエハ８５６は、ノズルマニホールド１３１４に対して精密に整列されるＷＨ９５０によって保持される。個々のノズル１３２８は、例えばLechler社から市販されており、又はカスタムメイドすることができる。例えば脱イオン水、溶媒、又はエッチング液等の処理流体１３３０は、ノズルマニホールド１３１４内に圧送され、マニホールドキャビティに沿って分配され、各個別ノズル１３２８に入って、高い速度の流体ジェット１３３０として出現する。図面に示されていることは、Ｖ字状の扇形パターンのジェット流を放出する市販のノズルである。あるいはまた、任意の適切なパターンを用いることができる。図７２は、ウエハ８５６の上部エッジの上方に位置決めされた１つのノズルマニホールド１３１４における、すなわち、「オーバースキャン」の位置におけるノズル１３２６の水平方向のアレイを示している。図示されるように、ノズル１３２８の２つの並列なアレイは、数ｍｍだけ垂直方向に、あるいはまた横方向に離れて位置決めされ、それによって、各ノズルから拡がる流体ジェット流が干渉せず、他のノズルからの途中で捕捉されたストリームが提供される前に、ウエハ表面上に実質的に衝突させてもよい。図７３Ａ〜図７３Ｃも参照すると、代替実施形態である流体ジェットウエハ枚葉式並列処理モジュール１３００の部分等角断面図が示されている。モジュール１３００’は、各ウエハが２つのノズルアレイを含む構成について図７３Ａ〜図７３Ｃの底部、中間部、上部走査位置にそれぞれに示されるように、より小ない垂直方向走査距離がウエハ表面を完全に網羅するために必要とされるような垂直方向に分離された複数の水平方向のノズルアレイ１３４０，１３４２，１３４４を用いる。開示された実施形態の別の態様では、任意の適切な組合せを提供してもよい。
開示された実施形態の別の態様では、流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理するのためのシステム２５４５が提供される。このシステムは、フレームを含む処理モジュール又はセクションと、基板表面に接触することなく基板表面で流体を噴射するための複数の流体ジェット要素２５３０とを有している。基板ホルダアッセンブリ２５００は、ホルダフレーム９４６と複数の基板ホルダとを有しており、各基板ホルダは、ホルダフレームに結合されるとともに基板を保持するように構成されており、それによって、別の基板が、処理モジュールとの間でのユニットとして搬送するために、基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダによって保持される。基板ホルダアッセンブリ２５００、この基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダは、処理モジュールフレームに着脱自在に結合されており、処理モジュールフレームに結合されたときに、各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリの他の基板ホルダに対して独立して移動可能に且つ位置決め可能にされる。複数の流体ジェット要素２５３０は、基板ホルダアッセンブリに対してグループとして移動可能にされる。基板表面は、実質的に垂直向きである。処理モジュールフレームは、流体タンクであってもよい。複数の基板ホルダのそれぞれは、ホルダフレームに着脱自在に結合される。基板ホルダアッセンブリ２５００は、処理モジュールフレームからユニットとして着脱自在にされる。基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリ内の他のホルダとは独立して、処理モジュールフレームから着脱自在にされる。基板ホルダアッセンブリは、複数の基板ホルダを有するとともに、処理セクションと別の位置との間で１つ以上の基板をユニットとして搬送するように構成されている。基板ホルダアッセンブリ及び基板ホルダのそれぞれは、処理セクションフレームに着脱自在に結合するように構成されており、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダは、少なくとも１つの基板を保持するように構成されている。処理セクションフレームは、アライメント機構２５５２を有しており、このアライメント機構は、基板ホルダアッセンブリを処理セクションフレームに結合する際に、同アライメント機構が、基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダとのインターフェイスを備えており、各基板ホルダと処理セクションフレームとを対応して結合するときに、処理セクションの流体ジェット要素に対して、各基板ホルダを繰返し可能なアライメント位置に配置するように置かれる。基板ホルダアッセンブリは、複数の基板ホルダを有するとともに、基板をユニットとしてバッチ搬送するように構成されており、基板ホルダアッセンブリ及び基板ホルダのそれぞれは、モジュールフレームに着脱自在に結合するように構成されており、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダは、基板を保持するように構成されるように配置される。モジュールフレームは、挿入ガイド２５５２を有しており、各基板ホルダは、各基板ホルダから垂下するとともに挿入ガイドに対応する嵌合ガイドを有する。挿入ガイド及び嵌合ガイドは、基板ホルダとモジュールフレームとを結合する際に、挿入ガイドは、複数の流体ジェット要素２５３０内の対応する流体ジェット要素に対して、基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダを繰返し可能なアライメント位置で整列させるように、各基板ホルダの対応する嵌合ガイドを受容するように構成されている。
１４６１８
開示された実施形態の一態様では、流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理するためのシステムが提供される。システムは、基板表面に接触することなく基板表面を処理するための複数の処理要素を有する、フレームを含む処理セクションと、複数の基板ホルダを有するとともに、処理セクションと別の位置との間で１つ以上の基板をユニットとして搬送するように構成された基板ホルダアッセンブリとを有しており、基板ホルダアッセンブリ及び基板ホルダのそれぞれが、処理セクションフレームに着脱自在に結合するように構成されており、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダが、少なくとも１つの基板を保持するように構成されており、処理セクションフレームは、アライメント機構を有しており、このアライメント機構は、基板ホルダアッセンブリを処理セクションフレームに結合する際に、同アライメント機構が、基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダとのインターフェイスを備えており、各基板ホルダと処理セクションフレームとを対応させて結合するときに、処理セクションの所定の機構に対して、各基板ホルダを繰返し可能なアライメント位置に配置するように置かれる。
開示された実施形態の別の態様では、所定の機構は、複数の処理要素内の処理要素のそれぞれが基板同士の間に配置されるような、処理要素のそれぞれを有する。
開示された実施形態の別の態様では、アライメント機構は、複数の処理要素内の対応する処理要素に対して、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダを繰返し可能なアライメント位置に整列させるような垂直方向ガイドを備えており、ここで、基板ホルダアッセンブリ内の基板ホルダのそれぞれは、垂直方向ガイドのそれぞれの嵌合機構と協働する一体化位置決め機構を有する。
開示された実施形態の別の態様では、ホルダアッセンブリは、フレームに結合された複数の基板ホルダを備えており、ここで、このフレームは、搬送装置に結合されたエンドエフェクタを備えており、この搬送装置は、処理モジュールとの間で基板ホルダアッセンブリを移動させるように構成されており、搬送装置は、処理モジュールとの間でホルダフレームを含む別の基板ホルダアッセンブリを移動させるように構成されている。
開示された実施形態の別の態様では、基板ホルダアッセンブリ内の基板ホルダのそれぞれは、基板ホルダアッセンブリ内の他の基板ホルダに対して独立して移動可能に且つ位置決め可能にされる。
開示された実施形態の別の態様では、基板ホルダアッセンブリ内の基板ホルダのそれぞれは、処理セクションの所定の機構に対して繰返し可能にアライメントされるとともに、基板ホルダアッセンブリ内の他の基板ホルダとは独立している。
開示された実施形態の別の態様では、基板ホルダアッセンブリ内の基板ホルダのそれぞれは、複数の処理要素内の他の処理要素とは独立して、複数の処理要素内の対応する処理要素に対して繰返し可能にアライメントされる。
開示された実施形態の別の態様では、流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理のためのシステムが提供されている。このシステムは、フレームを含むモジュール、及び基板表面に接触することなく基板表面を流体処理するための複数の処理要素を有する処理装置と、複数の基板ホルダを有するとともに、基板をユニットとしてバッチ搬送するように構成された基板ホルダアッセンブリとを有しており、基板ホルダアッセンブリ及び基板ホルダのそれぞれは、モジュールフレームに着脱自在に結合するように構成されており、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダは、基板を保持するように構成されており、ここで、モジュールフレームは、挿入ガイドを有しており、各基板ホルダは、各基板ホルダから垂下するとともに挿入ガイドに対応する嵌合ガイドを有しており、挿入ガイド及び嵌合ガイドは、基板ホルダとモジュールフレームとを結合する際に、挿入ガイドが、複数の処理要素内の対応する処理要素に対して、基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダを繰返し可能なアライメント位置で整列させるように、各基板ホルダの対応する嵌合ガイドを受容するように構成されている。
開示された実施形態の別の態様では、挿入ガイドは、複数の処理要素内の対応する処理要素に対して、基板ホルダアッセンブリ内の基板ホルダのそれぞれを繰返し可能なアライメント位置に整列させるような垂直方向ガイドを含む。
開示された実施形態の別の態様では、ホルダアッセンブリは、フレームに結合された複数の基板ホルダを含んでおり、ここで、フレームは、搬送装置に結合されたエンドエフェクタを有しており、この搬送装置は、処理装置との間で基板ホルダアッセンブリを移動させるように構成されており、搬送装置は、処理装置との間でホルダフレームを含む別の基板ホルダアッセンブリを移動させるように構成されている。
開示された実施形態の別の態様では、基板ホルダアッセンブリ内の基板ホルダのそれぞれは、基板ホルダアッセンブリ内の他の基板ホルダとは独立して、複数の処理要素内の対応する処理要素に対して、繰返し可能にアライメントされる。
開示された実施形態の別の態様では、流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理のためのシステムが提供される。このシステムは、基板表面に接触することなく基板表面を処理するための複数の処理要素を有するフレームを含む流体処理セクションと、複数の基板ホルダを有するとともに、１つ以上の基板を垂直方向に搬送するとともに処理セクションと別の位置との間でユニットとして搬送するように構成され基板ホルダアッセンブリと、を有しており、基板ホルダアッセンブリ及び基板ホルダのそれぞれは、処理セクションフレームに着脱自在に結合されるように構成されており、各基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダは、少なくとも１つの基板を保持するように構成されており、処理セクションフレームは、アライメント機構を有しており、このアライメント機構は、基板ホルダアッセンブリを処理セクションフレームに結合する際に、同アライメント機構が、基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダとのインターフェイスを備えており、各基板ホルダと処理セクションフレームとを対応させて結合するときに、所定の機構のそれぞれが基板同士の間に配置されるように、処理セクションの所定の機構に対して、各基板ホルダを繰返し可能なアライメント位置に配置するように置かれる。
１４６７４
開示された実施形態の別の態様では、流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理するのためのシステムが提供される。このシステムは、基板表面に接触することなく基板表面を処理するための複数の処理要素を有するフレームを含む処理セクションと、ホルダフレームと複数の基板ホルダとを有する基板ホルダアッセンブリであって、各基板ホルダは、ホルダフレームに結合されるとともに、基板を保持するように構成されており、それによって、ホルダアッセンブリの各基板ホルダは、処理セクションとの間での基板ホルダアッセンブリを用いてユニットとして搬送するために、基板ホルダアッセンブリ内の別の基板を保持する、基板ホルダアッセンブリと、を有しており、基板ホルダアッセンブリ及び各基板ホルダは、処理セクションフレームに着脱自在に結合されており、基板ホルダアッセンブリの少なくとも１つの基板ホルダは、ホルダフレームに対して移動可能にされ、且つ処理セクションの所定の機構に対して繰返し可能なアライメント位置に位置決め可能にされるとともに、処理セクションに対してホルダフレームの位置決めとは独立している。
開示された実施形態の別の態様では、ホルダフレームは、搬送装置に結合されたエフェクターを備えており、この搬送装置は、処理セクションとの間で基板ホルダアッセンブリを移動させるように構成されており、搬送装置は、処理セクションとの間でホルダフレームを含む別の基板ホルダアッセンブリを移動させるように構成されている。
開示された実施形態の別の態様では、複数の基板ホルダのそれぞれが、ホルダフレームに着脱自在に結合される。
開示された実施形態の別の態様では、基板ホルダアッセンブリ内の基板ホルダのそれぞれは、処理要素に対して独立して移動可能に且つ位置決め可能にされる。
開示された実施形態の別の態様では、基板ホルダアッセンブリ内の基板ホルダのそれぞれは、基板ホルダアッセンブリ内の他の基板ホルダとは独立して、処理セクションの所定の機構に対して繰返し可能にアライメントされる。
開示された実施形態の別の態様では、複数の処理要素内の処理要素のそれぞれは、基板同士の間に配置される。
開示された実施形態の別の態様では、基板ホルダアッセンブリ内の基板ホルダのそれぞれは、複数の処理要素内の対応する処理要素に対して繰返し可能にアライメントされ、且つ複数の処理要素内の処理要素のそれぞれが基板同士の間に配置されるように、複数の処理要素内の他の処理要素とは独立している。
開示された実施形態の別の態様では、流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理のためのシステムが提供される。このシステムは、フレーム、及び基板表面に接触することなく基板表面を流体処理するための複数の処理要素を含む処理モジュールと、ホルダフレーム及び複数の基板ホルダを有する基板ホルダアッセンブリであって、各基板ホルダは、ホルダフレームに結合されるとともに、基板を保持するように構成されており、それによって、別の基板が、処理モジュールとの間でのユニットとして搬送するために、基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダによって保持される、基板ホルダアッセンブリと、を有する。基板ホルダアッセンブリ及び基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダが、処理モジュールフレームに着脱自在に結合され、処理モジュールフレームに結合されるときに、各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリの他の基板ホルダに対して独立して移動可能に且つ位置決め可能にされる。
開示された実施形態の別の態様では、ホルダフレームは、搬送装置に結合されたエンドエフェクタを備えており、この搬送装置は、処理モジュールとの間で基板ホルダアッセンブリを移動させるように構成されており、搬送装置は、処理モジュールとの間でホルダフレームを含む別の基板ホルダアッセンブリを移動させるように構成されている。
開示された実施形態の別の態様では、基板ホルダアッセンブリ内の基板ホルダのそれぞれは、基板ホルダアッセンブリ内の他の基板ホルダとは独立して、処理モジュールの所定の機構に対して繰返し可能にアライメントされる。
開示された実施形態の別の態様では、流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理するためのシステムが提供される。このシステムは、フレーム、及び基板表面に接触することなく基板表面を流体処理するための複数の処理要素を含む処理モジュールと、ホルダフレーム及び複数の基板ホルダを有する基板ホルダッセンブリであって、各基板ホルダは、ホルダフレームに着脱自在に結合されるとともに、基板を垂直方向に保持するように構成されており、それによって、別の基板は、処理モジュールとの間でユニットとして搬送するために、基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダによって保持される、基板ホルダッセンブリとを有する。基板ホルダアッセンブリ及び基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダは、処理モジュールフレームに着脱自在に結合されており、処理モジュールフレームに結合されたときに、各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリの他の基板ホルダに対して独立して移動可能に且つ位置決め可能にされる。
１４６６４ホルダ
開示された実施形態の別の態様では、基板表面を縦型流体処理する際に、基板を保持し且つ維持するように構成された基板ホルダが提供される。ウエハホルダが、フレームと、第１の柔軟性屈曲部によってフレームに結合された第１の脚部であって、この第１の脚部は、基板の第１の端部に係合するように構成された第１の接触部材を有する、第１の脚部と、第２の柔軟性屈曲部によってフレームに結合された第２の脚部であって、この第２の脚部は、基板の第２の端部に係合するように構成された第２の接触部材を有する、第２の脚部と、を有する。第１及び第２の柔軟性屈曲部の撓みに応じて、第１及び第２の脚部は、基板の第１及び第２の端部から第１及び第２の接触フィンガをそれぞれ係合を解除するように、実質的に反対方向に移動可能にされる。
開示された実施形態の別の態様では、第１の接触部材は、基板の第１の端部の別の部分に係合するような第１及び第２の接触フィンガを備える。
開示された実施形態の別の態様では、第１の接触部材は、第１、第２及び第３の接触点を含み、第１の接触点は基板の第１の端部に係合し、第２接触点は基板表面に係合し、第３接触点は基板の反対側の基板の他方の表面に係合する。
開示された実施形態の別の態様では、第１及び第２の脚部は、同一平面内で移動可能にされる。
開示された実施形態の別の態様では、第１及び第２の脚部は、さらに、嵌合配置機構と協働するように構成された第１及び第２の一体化位置決め機構を備える。
開示された実施形態の別の態様では、第１及び第２の脚部は、嵌合配置機構に係合するように構成された第１及び第２の先端テーパエッジをさらに含む。
開示された実施形態の別の態様では、第１の柔軟性屈曲部は、第１及び第２の屈曲性要素を含み、第１屈曲性要素は、第２の屈曲要素に対して実質的に平行にされる。
開示された実施形態の別の態様では、基板表面を縦型流体処理する際に、基板を保持し且つ維持するように構成された基板ホルダが提供される。ウエハホルダが、フレームと、第１の柔軟性屈曲部によってフレームに結合された第１の脚部であって、この第１の脚部は、基板の第１の端部と係合する構成された第１の接触部材を有する、第１の脚部と、第２の柔軟性屈曲部によってフレームに結合された第２の脚部であって、この第２の脚部は、基板の第２の端部と係合するように構成された第２接触部材を有する、第２の脚部と、フレームに結合されたハンドリング機構であって、このハンドリング機構は、第１及び第２の脚部に実質的に垂直なホルダ搬送装置インターフェイス面を有する、ハンドリング機構とを有する。ここで、第１及び第２の柔軟性屈曲部の撓みに応じて、第１及び第２の脚部は、基板の第１及び第２の端部から第１及び第２の接触フィンガをそれぞれ係合を解除するように実質的に反対方向に移動可能にされる。
開示された実施形態の別の態様では、基板ホルダは、基板表面を縦型流体処理する際に、基板を保持し且つ維持するように構成された基板ホルダが提供される。ウエハホルダが、フレームと、第１の柔軟性屈曲部によってフレームに結合された第１の脚部であって、この第１の脚部は、基板の第１の端部の別の部分と係合するように構成された第１及び第２の接触フィンガを含む第１の接触部材を有する、第１の脚部と、第２の柔軟性屈曲部によってフレームに結合された第２の脚部であって、この第２の脚部は、基板の第２の端部の別の部分と係合するように構成された第３及び第４の接触フィンガを含む第２の接触部材を有する、第２の脚部とを有する。第１及び第２の柔軟性屈曲部の撓みに応じて、第１及び第２の脚部は、基板の第１及び第２の端部から第１及び第２の接触フィンガをそれぞれ係合を解除するように実質的に反対方向に移動可能にされる。
１４６６５ローダ
開示された実施形態の別の態様では、複数のアレイ状基板ホルダから第１の複数の基板をアンロードするとともに、第１の複数の基板とは異なる第２の複数の基板を複数のアレイ状基板ホルダにロードするように構成された基板アンロード及びロード装置が提供される。この基板アンロード及びロード装置が、フレームと、このフレームに結合されるとともに、第１の複数の基板を支持するように構成された第１の複数の基板支持体と、フレームに結合されるとともに、第２の複数の基板を支持するように構成された第２の複数の基板支持体であって、この第２の複数の基板支持体の各支持体は、第１の複数の基板支持体の各支持体に対して交互配置される、第２の複数の基板支持体と、フレームに結合されるとともに、複数のアレイ状基板と係合するように構成されたホルダリリースであって、このホルダリリースは、同ホルダリリースが、複数のアレイ状基板ホルダから第１の複数の基板をリリースさせるような第１の状態を有しており、同ホルダリリースが、第２の複数の基板を複数のアレイ状基板ホルダで捕捉するような第１の状態とは異なる第２の状態を有する、ホルダリリースと、を有する。ここで、第１の複数の基板支持体、第２の複数の基板支持体及び複数のアレイ状基板ホルダは、ホルダリリースが第１の状態で、第１の複数の基板は、複数のアレイ状基板ホルダから第１の複数の基板支持体にアンロードされ、ホルダリリースが第２の状態で、第２の複数の基板は、第２の複数の基板支持体から複数のアレイ状基板ホルダにロードされるように配置される。
開示された実施形態の別の態様では、第１の複数の基板は、垂直向きの状態で、複数のアレイ状基板ホルダからアンロードされる。ここで、第２の複数の基板は、垂直向きの状態で、複数のアレイ状基板ホルダにロードされる。
開示された実施形態の別の態様では、第１の複数の基板支持体及び第２の複数の基板支持体が、インデクサ(indexer)を含むフレームに結合されている。このインデクサは、第１の複数の基板支持体及び第２の複数の基板支持体を第１の位置から同時に移動させ、ここで、第１の複数の基板は、複数のアレイ状基板ホルダから第２の位置にアンロードされ、第２の複数の基板が、複数のアレイ状基板ホルダにロードされる。
開示された実施形態の別の態様では、ホルダリリースは、第１の状態において、複数のアレイ状基板ホルダの基板エッジ支持部材を第１の複数の基板のエッジから係合を解除し、ホルダリリースは、第２の状態において、基板エッジ支持部材を第２の複数の基板のエッジに係合させる。
開示された実施形態の別の態様では、第２の複数の基板支持体によって支持された第２の複数の基板の各基板は、第１の複数の処理済み基板支持体によって支持された第１の複数の各基板に対して交互配置される。
開示された実施形態の別の態様では、第１の複数の基板支持体と第２の複数の基板支持体とが、インデクサを含むフレームに結合されており、このインデクサは、第１の複数の基板支持体及び第２の複数の基板支持体を第１の位置から同時に移動させ、ここで、第１の複数の基板が、複数のアレイ状基板ホルダから第２の位置にアンロードされ、第２の複数の基板が、複数のアレイ状基板ホルダにロードされる。
開示された実施形態の別の態様では、第２の複数の基板のエッジは、第２の複数の基板支持体によって支持されており、第１の複数の基板のエッジは、第１の複数の基板支持体によって支持されている。
開示された実施形態の別の態様では、複数のアレイ状基板ホルダから第１の複数の基板をアンロードするとともに、第１の複数の基板とは異なる第２の複数の基板を複数のアレイ状基板ホルダにロードするように構成された基板アンロード及びロード装置が提供される。この基板アンロード及びロード装置は、フレームと、このフレームに結合されるとともに、第１の複数の基板を支持するように構成された第１の複数の基板支持体と、フレームに結合されるとともに、第２の複数の基板を支持するように構成された第２の複数の基板支持体であって、第２の複数の基板支持体の各支持体は、第１の複数の基板支持体の各支持体に対して交互配置される、第２の複数の基板支持体と、フレームに結合されるとともに、複数のアレイ状基板ホルダと係合するように構成されたホルダリリースであって、このホルダリリースは、複数のアレイ状基板ホルダが、第１の複数の基板を複数のアレイ状基板ホルダからリリースするような第１の状態を有しており、同ホルダリリースは、複数のアレイ状基板ホルダが、第２の複数の基板を捕捉するような第２の状態を有する、ホルダリリースと、を有する。ここで、第１の複数の基板支持体、第２の複数の基板支持体及び複数のアレイ状基板ホルダは、ホルダリリースが第１の状態において、第１の複数の基板が、複数のアレイ状基板ホルダから第１の複数の基板支持体に基板グループとして同時にアンロードされ、ホルダリリースが第２の状態において、第２の複数の基板が、第２の複数の基板支持体から複数のアレイ状基板ホルダに未処理基板グループとして同時にロードされるように配列される。
開示された実施形態の別の態様では、複数のアレイ状基板ホルダから複数の処理済み基板をアンロードするとともに、複数の未処理基板を複数のアレイ状基板ホルダにロードするように構成された基板アンロード及びロード装置が提供される。この基板アンロード及びロード装置は、フレームと、このフレームに結合されるとともに、複数の処理済み基板を支持するように構成された複数の処理済み基板支持体と、フレームに結合されるとともに、複数の未処理基板を支持するように構成された複数の未処理基板支持体であって、この複数の未処理基板支持体のそれぞれは、複数の処理済み基板に対して交互配置される、複数の未処理基板支持体と、フレームに結合されるとともに、複数のアレイ状基板ホルダ内の他のホルダとは独立して、複数のアレイ状基板ホルダの各ホルダを支持し且つ整列するように構成された複数のホルダ支持体と、フレームに結合されるとともに、複数のアレイ状基板ホルダに係合するように構成されたホルダリリースであって、このホルダリリースは、複数のアレイ状基板ホルダが、複数のアレイ状基板ホルダから複数の処理済み基板をリリースするような第１状態を有するとともに、同ホルダリリースは、複数のアレイ状基板ホルダが、複数の未処理基板を複数のアレイ状基板ホルダを用いて捕捉するような第２の状態を有する、ホルダリリースと、を有する。ここで、複数の処理済み基板は、第１の状態において、複数のアレイ状基板ホルダから複数の処理済み基板にアンロードされ、複数の未処理基板は、第２の状態において、複数の未処理基板体から複数のアレイ状基板ホルダにロードされる。
１４７２９システム
開示された実施形態の別の態様では、複数の基板表面を処理するためのシステムが提供される。このシステムは、処理モジュールは、処理モジュールフレームと、基板表面に接触することなく複数の基板表面を処理するための複数の処理要素とを含む処理モジュールと、複数の基板ホルダアッセンブリであって、各基板ホルダアッセンブリが、複数の基板ホルダを有し、各基板ホルダが処理モジュールフレームに着脱自在に結合される。基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダは基板を保持するように構成され、それによって、各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリを用いてユニットとして搬送するために、基板ホルダアッセンブリ内の別の基板を保持され、処理モジュールフレームは、複数の処理要素内の処理要素のそれぞれが基板同士の間において少なくとも部分的に配置され且つ突出するように、複数の処理要素内の処理要素のそれぞれに対して、基板ホルダアッセンブリ内の基板ホルダのそれぞれを繰返し可能なアライメント位置に整列させる、複数の基板ホルダアッセンブリと、基板ホルダアッセンブリのそれぞれから複数の処理済み基板をアンロードするとともに、複数の未処理基板を基板ホルダアッセンブリのそれぞれにロードするように構成されるローダモジュールと、処理モジュール及びローダモジュールとの間で基板ホルダアッセンブリのそれぞれを搬送するように構成される搬送装置と、を有する。
開示された実施形態の別の態様では、システムは、第２の処理モジュールをさらに有しており、ここで、搬送装置は、処理モジュール、第２の処理モジュール及びローダモジュールとの間で基板ホルダアッセンブリのそれぞれを搬送するように構成されている。
開示された実施形態の別の態様では、システムは、未処理基板を基板キャリアからローダモジュールに搬送するように構成されるとともに、処理済み基板をローダモジュールから基板キャリアに搬送するようにさらに構成された基板搬送用前部をさらに有する。
開示された実施形態の別の態様では、基板表面は、実質的に垂直向きで存在する。
開示された実施形態の別の態様では、複数の処理要素は、基板表面に接触することなく基板表面に近接する流体を撹拌するような撹拌部材のアレイを有する。
開示された実施形態の別の態様では、基板ホルダアッセンブリは、処理モジュールフレームからユニットとして着脱自在にされる。
開示された実施形態の別の態様では、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリ内の他のホルダとは独立して、処理モジュールフレームから着脱自在にされる。
開示された実施形態の別の態様では、複数の基板表面を処理するためのシステムが提供される。このシステムは、基板表面に接触することなく複数の基板の基板表面を処理するための複数の処理要素を含む処理モジュールフレームと、複数の基板ホルダを有する基板ホルダアッセンブリであって、各基板ホルダが処理モジュールフレームに着脱自在に結合され、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダが基板を保持するように構成され、それによって、各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリを用いてユニットとして搬送するために、基板ホルダアッセンブリ内の別の基板を保持し、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダが基板ホルダアッセンブリ内の他の基板ホルダに対して独立して移動可能に且つ位置決め可能にされ、複数の処理要素内の処理要素のそれぞれは、基板同士の間で少なくとも部分的に配置され且つ突出するように、複数の処理要素の処理要素のそれぞれに対して、基板ホルダアッセンブリ内の処理要素のそれぞれを繰返し可能なアライメント位置で整列させる、基板ホルダアッセンブリと、基板ホルダアッセンブリのそれぞれから複数の処理済み基板をアンロードするとともに、複数の未処理基板を基板ホルダアッセンブリのそれぞれにロードするように構成されたローダモジュールと、処理モジュール及びローダモジュールとの間で基板ホルダアッセンブリのそれぞれを搬送するように構成された搬送装置と、を有する。
開示された実施形態の別の態様では、流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理するためのシステムが提供される。このシステムは、基板表面に接触させることなく基板表面を流体処理するための複数の処理要素を有する処理モジュールフレームと、複数の基板ホルダを有する基板ホルダアッセンブリであって、各基板ホルダが、処理モジュールフレームに着脱自在に結合され、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダが、基板を保持するように構成され、それによって、各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリを用いてユニットとして搬送するために、基板ホルダアッセンブリ内の別の基板を保持し、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダが、基板ホルダアッセンブリ内の他の基板ホルダに対して独立して移動可能に且つ位置決め可能にされ、基板ホルダアッセンブリ内の基板ホルダのそれぞれは、複数の処理要素内の処理要素のそれぞれが、基板同士の間に少なくとも部分的に配置され且つ突出するように、複数の処理要素内の対応する処理要素に対して繰返し可能なアライメント位置に位置決め可能にされるとともに、複数の処理要素の他の処理要素とは独立しており、ここで、基板の表面が、実質的に平行なアライメントで上方向に維持される、基板ホルダアッセンブリと、基板ホルダアッセンブリのそれぞれから複数の処理済み基板をアンロードするとともに、複数の未処理基板を基板ホルダアッセンブリのそれぞれにロードするように構成されたローダモジュールと、処理モジュール及びローダモジュールとの間で基板ホルダアッセンブリのそれぞれを搬送するように構成された搬送装置と、を有する。
せん断プレート
開示された実施形態の別の態様では、流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理するためのシステムが提供される。このシステムは、フレームを含む処理モジュール、及び基板表面に接触することなく基板表面を流体処理するための複数の撹拌部材と、ホルダフレーム及び複数の基板ホルダを有する基板ホルダアッセンブリであって、各基板ホルダが、ホルダフレームに結合されるとともに、基板を保持するように構成され、それによって、別の基板が、処理モジュールとの間でユニットとして搬送するために、基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダによって保持される、基板ホルダアッセンブリとを有する。ここで、基板ホルダアッセンブリと基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダとが、処理モジュールフレームに着脱自在に結合され、処理モジュールフレームに結合されるときに、各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリの他の基板ホルダに対して独立して移動可能に且つ位置決め可能にされる。
開示された実施形態の別の態様では、複数の撹拌部材の各撹拌部材は、複数の撹拌部材内の他の撹拌部材とは独立して、垂直方向に移動可能にされる。
開示された実施形態の別の態様では、基板表面は、実質的に垂直向きで存在する。
開示された実施形態の別の態様では、処理モジュールフレームは、流体タンクを有する。
開示された実施形態の別の態様では、複数の基板ホルダのそれぞれが、ホルダフレームに着脱自在に結合される。
開示された実施形態の別の態様では、基板ホルダアッセンブリは、処理モジュールフレームからユニットとして着脱自在にされる。
開示された実施形態の別の態様では、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリ内の他のホルダとは独立して、処理モジュールフレームから着脱自在にされる。
開示された実施形態の別の態様では、流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理するのためのシステムが提供される。このシステムは、基板表面に接触することなく基板表面を処理するための複数の撹拌部材を有するフレームを含む処理セクションと、複数の基板ホルダを有するとともに、処理セクションと別の位置と間で１つ以上の基板をユニットとして搬送するように構成された基板ホルダアッセンブリと、を有する。基板ホルダアッセンブリ及び基板ホルダのそれぞれが、処理セクションフレームに着脱自在に結合するように構成され、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダが、少なくとも一つの基板を保持するように構成される。処理セクションフレームは、アライメント機構を有しており、このアライメント機構は、基板ホルダアッセンブリを処理セクションフレームに結合する際に、同アライメント機構が、基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダとのインターフェイスを備えており、且つ各基板ホルダと処理セクションフレームとを対応して結合させるときに、処理セクションの撹拌部材に対して、各基板ホルダを繰返し可能なアライメント位置に配置されるように置かれる。
開示された実施形態の別の態様では、流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理するためのシステムが提供される。このシステムは、フレームを含むモジュール、及び基板表面に接触することなく基板表面を流体処理するための複数の撹拌部材を有する処理装置と、複数の基板ホルダを有するとともに、基板をユニットとしてバッチ搬送するように構成された基板ホルダアッセンブリであって、基板ホルダアッセンブリ及び基板ホルダのそれぞれが、モジュールフレームに着脱自在に結合され、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダが、基板を保持するように構成される、基板ホルダアッセンブリとを有する。ここで、モジュールフレームは、挿入ガイドを有しており、各基板ホルダは、各基板ホルダから垂下されるとともに挿入ガイドに対応する嵌合ガイドを有しており、挿入ガイド及び嵌合ガイドは、基板ホルダとモジュールフレームとを結合する際に、挿入ガイドは、複数の撹拌部材内の対応する撹拌部材に対して、基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダを繰返し可能なアライメント位置に整列させるように、各基板ホルダの対応する嵌合ガイドを受容するように構成されている。
マランゴニ
開示された実施形態の別の態様では、流体内の基板の幅表面を乾燥させるための基板乾燥装置が提供される。この基板乾燥装置は、液体を収容するように構成されたタンクと、このタンクに結合された噴射ノズルであって、この噴射ノズルが、基板の幅表面に亘って連続的なナイフエッジ噴射面を有する、噴射ノズルと、噴射ノズルに接続された排出口であって、この排出口が、連続的なナイフエッジ噴射面を有するとともに、基板の幅表面に亘って同一の広がりを有する連続的な排出面を有する、排出口と、を有する。ここで、連続的な排出面は、タンク内の液体が、続的な排出面と基板の幅表面との間にメニスカスを形成するように配置され、噴射ノズルは、その噴射ノズルがこのメニスカスにおける蒸気に向くように構成されている。
開示された実施形態の別の態様では、基板は、装置内で実質的に垂直向きであり、連続的な排出面は、連続的なナイフエッジ噴射面に実質的に平行である。
開示された実施形態の別の態様では、基板はホルダに結合されており、ホルダと基板とが、噴射ノズルと排出口とに対して移動可能にされる。
開示された実施形態の別の態様では、連続的な排出面は、実質的に恒久的に湿潤された堰を形成する。
開示された実施形態の別の態様では、連続的な排出面は、ウエハ表面に対して平行及び垂直の両方の方向にスカラップ形状の堰を形成する。
開示された実施形態の別の態様では、基板乾燥装置は、液体を補充するように構成された液体リザーバをさらに有しており、液体リザーバは、液体を撹拌する流体撹拌機構を有する。
開示された実施形態の別の態様では、排出口は、下部排液部と上部蒸気排出部とを有する排出マニホールドを備える。
開示された実施形態の別の態様では、液体中の基板の幅表面を乾燥させるためのマランゴニ乾燥装置が提供される。このマランゴニ乾燥装置は、液体及び蒸気併用排出口に結合された噴射ノズルを有しており、この噴射ノズルが、連続的なナイフエッジ噴射面を有する。液体及び蒸気併用排出口が、連続的なナイフエッジ噴射面と同一の広がりを有する連続的な排出面を有する。連続的なナイフエッジ噴射面と連続的な排出面とが、基板の乾燥幅に亘って連続している。ここで、噴射ノズルは、この噴射ノズルが、基板表面と液体及び蒸気併用排出口との間に形成されるメニスカスに対して、連続的なナイフエッジ噴射面の長さに沿って蒸気を噴射するように構成され、且つ液体及び蒸気併用排出口は、液体及び蒸気が、液体及び蒸気併用排出口内に流入するように配置される。
開示された実施形態の別の態様では、液体中の複数の基板の対向面を乾燥させるための基板乾燥装置が提供される。この基板乾燥装置は、液体を収容するように構成されたタンクと、複数のマニホールドとを有する。各マニホールドは、複数の基板のうちの対応する１つの対向面に近接している。各マニホールドは、液体タンクに結合された噴射ノズルを有する。噴射ノズルは、対応する基板の対向面のそれぞれの基板の幅全体に亘った連続的なナイフエッジ噴射面を有する。各マニホールドは、噴射ノズルに結合された排出口を有する。この排出口は、連続的なナイフエッジ噴射面に対して実質的に平行且つ基板の幅表面に亘る連続的な排出面を有する。ここで、各マニホールドの連続的な排出面は、タンク内の液体が、連続的な排出口及び対応する基板の各対向面の幅の間にメニスカスを形成するように配置される。噴射ノズルが、このメニスカスにおける蒸気に向くように構成されている。
エアナイフ
開示された実施形態の別の態様では、流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理するためのシステムが提供される。このシステムは、フレームを含む処理モジュール、及び基板表面に接触することなく基板表面に流体を噴射するための複数の流体ジェット要素と、ホルダフレーム及び複数の基板ホルダを有する基板ホルダアッセンブリであって、各基板ホルダは、ホルダフレームに結合されるとともに、基板を保持するように構成されており、それによって、別の基板は、処理モジュールとの間でユニットとして搬送するために、基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダによって保持される基板ホルダアッセンブリと、を有する。ここで、基板ホルダアッセンブリ及び基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダは、処理モジュールに着脱自在に結合される。処理モジュールフレームに結合されるときに、各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリの他の基板ホルダに対して独立して移動可能に且つ位置決め可能にされる。
開示された実施形態の別の態様では、複数の流体ジェット要素は、基板ホルダアッセンブリに対してグループとして移動可能にされる。
開示された実施形態の別の態様では、基板表面は、実質的に垂直向きに存在する。
開示された実施形態の別の態様では、処理モジュールフレームは、流体タンクを備えている。
開示された実施形態の別の態様では、複数の基板ホルダのそれぞれは、ホルダフレームに着脱自在に結合される。
開示された実施形態の別の態様では、基板ホルダアッセンブリは、処理モジュールフレームからユニットとして着脱自在にされる。
開示された実施形態の別の態様では、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダは、基板ホルダアッセンブリ内の他のホルダとは独立して、処理モジュールフレームから着脱自在にされる。
開示された実施形態の別の態様では、流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理するためのシステムが提供される。このシステムは、基板表面に接触することなく基板表面に流体を噴射するための複数の流体ジェット要素を有する、フレームを含む処理セクションと、複数の基板ホルダを有するとともに、処理セクションと別の位置との間で１つ以上の基板をユニットとして搬送するように構成された基板ホルダアッセンブリであって、基板ホルダアッセンブリ及び基板ホルダのそれぞれは、処理セクションフレームに着脱自在に結合するように構成されており、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダは、少なくとも一つの基板を保持するように構成される基板ホルダアッセンブリと、を有する。処理セクションフレームは、アライメント機構を有しており、このアライメント機構は、基板ホルダアッセンブリを処理セクションフレームに結合する際に、同アライメント機構が、基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダとのインターフェイスを備えており、基板ホルダの各々と処理セクションフレームとを対応して結合するときに、処理セクションの流体ジェット要素に対して、各基板ホルダを繰返し可能なアライメント位置に配置するように置かれる。
開示された実施形態の別の態様では、流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理するためのシステムが提供される。このシステムは、フレームを含むモジュール、及び基板表面に接触することなく基板表面に流体を噴射するための複数の流体ジェット要素を有する処理装置と、複数の基板ホルダを有するとともに、基板をユニットとしてバッチ搬送するように構成された基板ホルダアッセンブリであって、この基板ホルダアッセンブリ及び基板ホルダのそれぞれは、モジュールフレームに着脱自在に結合するように構成されており、基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダは、基板を保持するように構成されている、基板ホルダアッセンブリとを備える。ここで、モジュールフレームは、挿入ガイドを有しており、各基板ホルダは、各基板ホルダから垂下するとともに挿入ガイドに対応する嵌合ガイドを有する。挿入ガイド及び嵌合ガイドは、基板ホルダとモジュールフレームとを結合する際に、挿入ガイドが、複数の流体ジェット要素内の対応する流体ジェット要素に対して、基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダを繰返し可能なアライメント位置で整列させるように、各基板ホルダの対応する嵌合ガイドを受容するように構成されている。
前述した説明は、開示された実施形態の例示的な態様に過ぎないことを理解すべきである。様々な代替及び修正は、開示された実施形態の態様から逸脱することなく当業者によって創作することができる。従って、開示された実施形態の態様は、添付の特許請求の範囲内に含まれる全てのそのような変更、修正及び変形を包含することを意図している。さらに、異なる特徴が相互に異なる従属請求項又は独立請求項に記載されているという単なる事実は、これらの特徴の組合せが、本発明の態様の範囲内に留まるそのような組合せを有利に使用できないことを示すものではない。

Claims (20)

  1. 流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理するためのシステムであって、当該システムが、
    前記基板表面に接触することなく該基板表面を処理するための複数の処理要素を有する、フレームを含む処理セクションと、
    複数の基板ホルダを有するとともに、前記処理セクションと別の位置との間で１つ以上の基板をユニットとして搬送するように構成された基板ホルダアッセンブリであって、該基板ホルダアッセンブリ及び前記基板ホルダのそれぞれが、前記処理セクションの処理セクションフレームに着脱自在に結合するように構成されており、前記基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダが、少なくとも１つの基板を保持するように構成されている、基板ホルダアッセンブリと、を備えており、
    前記処理セクションフレームは、アライメント機構を有しており、該アライメント機構は、該基板ホルダアッセンブリを前記処理セクションフレームに結合する際に、前記アライメント機構が、前記基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダとのインターフェイスを有しており、各基板ホルダと前記処理セクションフレームとを対応させて結合するときに、前記処理セクションの所定の機構に対して、各基板ホルダを繰返し可能なアライメント位置に設置するように配置される、
    システム。
  2. 前記所定の機構は、前記複数の処理要素内の前記処理要素のそれぞれが前記基板同士の間に配置されるような、前記処理要素のそれぞれを有する、
    請求項１に記載のシステム。
  3. 前記アライメント機構は、前記複数の処理要素内の対応する処理要素に対して、前記基板ホルダアッセンブリ内の前記基板ホルダのそれぞれを繰返し可能なアライメント位置に整列させるような垂直方向ガイドを有しており、
    前記基板ホルダアッセンブリ内の前記基板ホルダのそれぞれは、前記垂直方向ガイドのそれぞれの嵌合機構と協働するような一体化位置決め機構を有する、
    請求項１に記載のシステム。
  4. 前記基板ホルダアッセンブリは、フレームに結合された前記複数の基板ホルダを有しており、
    前記フレームは、搬送装置に結合されたエンドエフェクタを含み、前記搬送装置は、処理モジュールとの間で前記基板ホルダアッセンブリを移動させるように構成されており、前記搬送装置は、前記処理モジュールとの間で前記基板ホルダのフレームを用いて別の基板ホルダアッセンブリを移動させるように構成されている、
    請求項１に記載のシステム。
  5. 前記基板ホルダアッセンブリ内の前記基板ホルダのそれぞれは、前記基板ホルダアッセンブリ内の他の基板ホルダに対して独立して移動可能に且つ位置決め可能にされる、
    請求項１に記載のシステム。
  6. 前記基板ホルダアッセンブリ内の前記基板ホルダのそれぞれは、前記基板ホルダアッセンブリ内の他の基板ホルダとは独立して、前記処理セクションの前記所定の機構に対して繰返し可能にアライメントされる、
    請求項１に記載のシステム。
  7. 前記基板ホルダアッセンブリ内の前記基板ホルダのそれぞれは、前記複数の処理要素内の対応する処理要素に対して繰返し可能にアライメントされるとともに、前記複数の処理要素内の他の処理要素とは独立している、
    請求項１に記載のシステム。
  8. 流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理するためのシステムであって、当該システムが、
    フレームを含むモジュール、及び前記基板表面に接触することなく該基板表面を流体処理するための複数の処理要素を有する処理装置と、
    複数の基板ホルダを有するとともに、基板をユニットとしてバッチ搬送するように構成された基板ホルダアッセンブリであって、該基板ホルダアッセンブリ及び前記基板ホルダのそれぞれが、前記モジュールのモジュールフレームに着脱自在に結合するように構成されており、前記基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダが、基板を保持するように構成される、基板ホルダアッセンブリと、を備えており、
    前記モジュールフレームが、挿入ガイドを有しており、各基板ホルダは、各基板ホルダから垂下されるとともに前記挿入ガイドに対応する嵌合ガイドを有しており、前記挿入ガイド及び前記嵌合ガイドは、前記基板ホルダ及び前記モジュールフレームを結合する際に、前記挿入ガイドが、前記複数の処理要素内の対応する処理要素に対して、前記基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダを繰返し可能なアライメント位置に整列させるような各基板ホルダの前記対応する嵌合ガイドを受容するように構成されている、
    システム。
  9. 前記複数の処理要素内の前記処理要素のそれぞれは、前記基板同士の間に配置される、
    請求項８に記載のシステム。
  10. 前記挿入ガイドは、前記複数の処理要素内の前記対応する処理要素に対して、前記基板ホルダアッセンブリ内の前記基板ホルダのそれぞれを繰返し可能なアライメント位置に整列させるような垂直方向ガイドを含む、
    請求項８に記載のシステム。
  11. 前記基板ホルダアッセンブリは、フレームに結合された前記複数の基板ホルダを有しており、
    前記フレームは、搬送装置に結合されたエンドエフェクタを有しており、前記搬送装置は、前記処理装置との間で前記基板ホルダアッセンブリを移動させるように構成されており、前記搬送装置は、前記処理装置との間で前記基板ホルダのフレームを用いて別の基板ホルダアッセンブリを移動させるように構成されている、
    請求項８に記載のシステム。
  12. 前記基板ホルダアッセンブリ内の前記基板ホルダのそれぞれは、前記基板ホルダアッセンブリ内の他の基板ホルダに対して独立して移動可能に且つ位置決め可能にされる、
    請求項８に記載のシステム。
  13. 前記基板ホルダアッセンブリ内の前記基板ホルダのそれぞれは、前記基板ホルダアッセンブリ内の他の基板ホルダとは独立して、前記複数の処理要素内の前記対応する処理要素に対して繰返し可能にアライメントされる、
    請求項８に記載のシステム。
  14. 前記基板ホルダアッセンブリ内の前記基板ホルダのそれぞれは、前記複数の処理要素内の前記対応する処理要素に対して繰返し可能にアライメント位置されるとともに、前記複数の処理要素内の他の処理要素とは独立している、
    請求項８に記載のシステム。
  15. 流体中に配列された１つ以上の基板表面を流体処理するためのシステムであって、当該システムが、
    前記基板表面に接触することなく該基板表面を処理するための複数の処理要素を有する、フレームを含む流体処理セクションと、
    複数の基板ホルダを有するとともに、１つ以上の基板を、垂直方向に且つ処理セクションと別の位置との間にユニットとして搬送するように構成された基板ホルダアッセンブリであって、前記基板ホルダアッセンブリ及び前記基板ホルダのそれぞれが、前記処理セクションの処理セクションフレームに着脱自在に結合するように構成されており、前記基板ホルダアッセンブリ内の各基板ホルダは、少なくとも１つの基板を保持するように構成されている、基板ホルダアッセンブリと、を備えており、
    前記処理セクションフレームは、垂直方向アライメント機構を有しており、該垂直方向アライメント機構は、前記基板ホルダアッセンブリを前記処理セクションフレームに結合する際に、前記基板ホルダアッセンブリの各基板ホルダとのインターフェイスを有しており、各基板ホルダ及び処理セクションフレームを対応させて結合するときに、所定の機構のそれぞれが前記基板同士の間に配置されるように、前記処理セクションの前記所定の機構に対して、各基板ホルダを繰返し可能なアライメント位置に配置するように置かれる、
    システム。
  16. 前記所定の機構のそれぞれは、前記複数の処理要素内の前記処理要素のそれぞれが前記基板同士の間に配置されるような、各処理要素を有する、
    請求項１５に記載のシステム。
  17. 前記垂直方向アライメント機構は、前記複数の処理要素内の対応する処理要素に対して、前記基板ホルダアッセンブリ内の前記基板ホルダのそれぞれを繰返し可能なアライメント位置に整列させるような垂直方向ガイドを有しており、
    前記基板ホルダアッセンブリ内の前記基板ホルダのそれぞれは、前記垂直方向ガイドのそれぞれの嵌合機構と協働するような一体化位置決め機構を有する、
    請求項１５に記載のシステム。
  18. 前記基板ホルダアッセンブリは、フレームに結合された前記複数の基板ホルダを有しており、
    前記フレームは、搬送装置に結合されたエンドエフェクタを有しており、前記搬送装置は、処理モジュールとの間で前記基板ホルダアッセンブリを移動させるように構成されており、前記搬送装置は、前記処理モジュールとの間で前記基板ホルダのフレームを用いて別の基板ホルダアッセンブリを移動させるように構成されている、
    請求項１５に記載のシステム。
  19. 前記基板ホルダアッセンブリ内の前記基板ホルダのそれぞれは、前記基板ホルダアッセンブリ内の他の基板ホルダに対して独立して移動可能に且つ位置決め可能にされる、
    請求項１５に記載のシステム。
  20. 前記基板ホルダアッセンブリ内の前記基板ホルダのそれぞれは、前記基板ホルダアッセンブリ内の他の基板ホルダとは独立して、前記処理セクションの前記所定の機構に対して、繰返し可能にアライメントされる、
    請求項１５に記載のシステム。
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US (8) US20120308346A1 (ja)
JP (1) JP6010613B2 (ja)
KR (1) KR20140030259A (ja)
CN (1) CN103582532B (ja)
TW (1) TWI564988B (ja)
WO (1) WO2012167285A1 (ja)

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120308346A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Arthur Keigler Parallel single substrate processing system loader
JP5908266B2 (ja) * 2011-11-30 2016-04-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 陽極化成装置及びそれを備えた陽極化成システム並びに半導体ウエハ
JP6095958B2 (ja) * 2011-12-27 2017-03-15 新光電気工業株式会社 発光装置
WO2014080067A1 (en) * 2012-11-23 2014-05-30 Picosun Oy Substrate loading in an ald reactor
CN104813438B (zh) * 2012-11-28 2017-07-25 盛美半导体设备（上海）有限公司 半导体硅片的清洗方法和装置
JP6234731B2 (ja) * 2013-08-08 2017-11-22 上村工業株式会社 クランパーを備える保持具
US20150047674A1 (en) * 2013-08-16 2015-02-19 Tel Nexx, Inc. Method and apparatus for removal of photoresist using improved chemistry
US9945044B2 (en) * 2013-11-06 2018-04-17 Lam Research Corporation Method for uniform flow behavior in an electroplating cell
US9666465B2 (en) 2013-12-12 2017-05-30 Seagate Technology Llc Positioning apparatus
JP6239417B2 (ja) * 2014-03-24 2017-11-29 株式会社荏原製作所 基板処理装置
TW201539604A (zh) * 2014-04-10 2015-10-16 G Tech Optoelectronics Corp 存放治具
TWI653701B (zh) * 2014-06-09 2019-03-11 日商荏原製作所股份有限公司 Substrate attaching and detaching portion for substrate holder, wet substrate processing device including the substrate attaching and detaching portion, substrate processing device, and substrate transfer method
JP6251124B2 (ja) * 2014-06-09 2017-12-20 株式会社荏原製作所 基板ホルダ用の基板着脱部及びこれを備えた湿式基板処理装置
US10040048B1 (en) 2014-09-25 2018-08-07 Synthego Corporation Automated modular system and method for production of biopolymers
EP3035375B1 (en) * 2014-12-19 2017-05-03 ATOTECH Deutschland GmbH Treating module of an apparatus for horizontal wet-chemical treatment of large-scale substrates
US11183401B2 (en) * 2015-05-15 2021-11-23 Suss Microtec Lithography Gmbh System and related techniques for handling aligned substrate pairs
US20170040205A1 (en) * 2015-08-05 2017-02-09 Lam Research Corporation High-hardness-material-powder infused elastomer for high friction and compliance for silicon wafer transfer
KR101932410B1 (ko) 2015-08-18 2018-12-31 주식회사 엘지화학 일체형 세척 및 건조 장치
CN109075115A (zh) * 2016-05-06 2018-12-21 应用材料公司 用于改进的基板运送组件的系统、设备及方法
US10074554B2 (en) * 2016-06-27 2018-09-11 Tel Nexx, Inc. Workpiece loader for a wet processing system
US10283396B2 (en) * 2016-06-27 2019-05-07 Asm Nexx, Inc. Workpiece holder for a wet processing system
US10607879B2 (en) * 2016-09-08 2020-03-31 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus
JP6723889B2 (ja) 2016-09-28 2020-07-15 株式会社荏原製作所 めっき装置
US10651067B2 (en) * 2017-01-26 2020-05-12 Brooks Automation, Inc. Method and apparatus for substrate transport apparatus position compensation
JP6865613B2 (ja) * 2017-03-28 2021-04-28 株式会社荏原製作所 基板搬送装置、基板搬送装置の制御装置、基板搬送装置における変位補償方法、当該方法を実施するプログラムおよび当該プログラムが記録された記録媒体
CN108931415B (zh) * 2017-05-23 2021-02-19 北京诚智光辉科技有限公司 带有清洗机构的细胞制片染色一体机
CN107365980B (zh) * 2017-07-10 2019-01-11 深圳丰盛装备股份有限公司 一种石墨舟自动装卸片设备
CN107699940B (zh) * 2017-08-24 2019-11-26 温岭市妙想鞋业有限公司 一种用于生产开关柜的新型自动镀锡机
JP2019067948A (ja) * 2017-10-02 2019-04-25 川崎重工業株式会社 基板搬送装置
CN108480277A (zh) * 2018-04-10 2018-09-04 绍兴文理学院 一种硅片清洗烘干装置
TWI688433B (zh) * 2018-11-12 2020-03-21 群翊工業股份有限公司 基板處理設備及上料機台
US11342204B2 (en) * 2018-12-14 2022-05-24 Xia Tai Xin Semiconductor (Qing Dao) Ltd. Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers
FR3093716B1 (fr) * 2019-03-15 2021-02-12 Soitec Silicon On Insulator systeme de fracture d'une pluralitÉ d'assemblages de tranches.
CN110976199B (zh) * 2019-12-24 2020-10-27 温州职业技术学院 汽配工件自动涂漆设备
US20210407824A1 (en) * 2020-06-30 2021-12-30 Applied Materials, Inc. Spm processing of substrates
CN111540704B (zh) * 2020-07-10 2020-09-25 清华大学 晶圆偏转装置和晶圆处理装备
CN112429302A (zh) * 2020-11-06 2021-03-02 杭州岚达科技有限公司 一种基于传感器融合技术的水果分箱系统
CN112430838B (zh) * 2020-12-01 2022-06-17 刘鹏 一种电镀模组
KR102634455B1 (ko) * 2020-12-02 2024-02-06 세메스 주식회사 클리닝 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11699595B2 (en) 2021-02-25 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Imaging for monitoring thickness in a substrate cleaning system
US11929264B2 (en) 2021-03-03 2024-03-12 Applied Materials, Inc. Drying system with integrated substrate alignment stage
CN113206032A (zh) * 2021-05-08 2021-08-03 长鑫存储技术有限公司 晶圆加工装置、晶圆传送组件及其工作方法
WO2023148869A1 (ja) * 2022-02-03 2023-08-10 株式会社荏原製作所 めっき装置及び乾燥方法
TWI812409B (zh) * 2022-08-17 2023-08-11 凱爾迪科技股份有限公司 水平與垂直轉置裝置
CN117448926B (zh) * 2023-12-20 2024-03-08 宝鸡钛普锐斯钛阳极科技有限公司 一种钛阳极板表面镀覆加工设备
CN117790638B (zh) * 2024-02-26 2024-04-19 江苏宁美新能源有限公司 一种光伏板用装框设备及其工作方法

Family Cites Families (182)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2585729A (en) * 1948-03-09 1952-02-12 Berman Frank Wire mesh strainer or the like
US3918756A (en) * 1973-12-26 1975-11-11 Fluoroware Inc Wafer holder
US3949891A (en) 1974-07-22 1976-04-13 Micro Glass Inc. Semiconductor wafer transfer device
US4002141A (en) 1975-11-26 1977-01-11 Airco, Inc. System for handling substrate holders for vacuum coating
JPS5387904A (en) 1977-01-13 1978-08-02 Mitsui Mining & Smelting Co Apparatus for grinding electrolysis matrixplate
US4208760A (en) 1977-12-19 1980-06-24 Huestis Machine Corp. Apparatus and method for cleaning wafers
US4202071A (en) 1978-03-20 1980-05-13 Scharpf Mike A Apparatus for washing and drying phonograph records
DE2812271C2 (de) 1978-03-21 1983-01-27 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vorrichtung mit mehreren Schleusenkammern zum chargenweisen Beschichten von Substraten
US4243472A (en) 1979-03-02 1981-01-06 Burroughs Corporation Method for liquid phase epitaxy multiple dipping of wafers for bubble film growth
US4311427A (en) 1979-12-21 1982-01-19 Varian Associates, Inc. Wafer transfer system
JPS5873698U (ja) 1981-11-12 1983-05-18 パイオニア株式会社 スピ−カ
US4410209A (en) 1982-03-11 1983-10-18 Trapani Silvio P Wafer-handling tool
US4485759A (en) 1983-01-19 1984-12-04 Multi-Arc Vacuum Systems Inc. Planetary substrate support apparatus for vapor vacuum deposition coating
US4568234A (en) * 1983-05-23 1986-02-04 Asq Boats, Inc. Wafer transfer apparatus
US4500407A (en) 1983-07-19 1985-02-19 Varian Associates, Inc. Disk or wafer handling and coating system
US4915564A (en) 1986-04-04 1990-04-10 Materials Research Corporation Method and apparatus for handling and processing wafer-like materials
JPH0411707Y2 (ja) 1986-05-22 1992-03-24
JP2613039B2 (ja) * 1987-01-26 1997-05-21 三菱電機株式会社 ウエハ搬送処理装置
JP2564303B2 (ja) * 1987-05-08 1996-12-18 株式会社日立製作所 ウエハキャリア治具
JP2508540B2 (ja) 1987-11-02 1996-06-19 三菱マテリアル株式会社 ウェ―ハの位置検出装置
US4856957A (en) * 1988-01-11 1989-08-15 Mactronix, Inc. Semiconductor wafer transfer apparatus with back-to-back positioning and separation
FR2626261B1 (fr) 1988-01-26 1992-08-14 Recif Sa Appareil elevateur de plaquettes de silicium notamment
US4875824A (en) 1988-02-01 1989-10-24 Biorne Enterprises, Inc. Wafer transfer apparatus
KR970003907B1 (ko) 1988-02-12 1997-03-22 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 기판처리 장치 및 기판처리 방법
US5125784A (en) 1988-03-11 1992-06-30 Tel Sagami Limited Wafers transfer device
US4987407A (en) * 1988-04-22 1991-01-22 Asq. Boats, Inc. Wafer interleaving with electro-optical safety features
US4840530A (en) * 1988-05-23 1989-06-20 Nguyen Loc H Transfer apparatus for semiconductor wafers
US4858980A (en) 1988-08-23 1989-08-22 Cincinnati Milacron Inc. Article gripper
NL8900480A (nl) 1989-02-27 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.
KR0134962B1 (ko) 1989-07-13 1998-04-22 나까다 구스오 디스크 세척장치
JP2771645B2 (ja) * 1989-11-15 1998-07-02 株式会社荏原製作所 ウエハキャリヤの洗浄槽に設けられる位置決め装置
US4981408A (en) 1989-12-18 1991-01-01 Varian Associates, Inc. Dual track handling and processing system
JPH042126A (ja) * 1990-04-18 1992-01-07 Fujitsu Ltd 洗浄装置
US5153841A (en) 1990-11-21 1992-10-06 Advanced Micro Devices Method of and apparatus for semi-conductor wafer selection
US6295870B1 (en) * 1991-02-08 2001-10-02 Alliedsignal Inc. Triaxial angular rate and acceleration sensor
US5282923A (en) 1992-08-13 1994-02-01 Vlsi Technology, Inc. Liquid agitation and purification system
US5516732A (en) 1992-12-04 1996-05-14 Sony Corporation Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus
JPH0650347U (ja) * 1992-12-10 1994-07-08 川崎製鉄株式会社 ウエハ用カセット
US5295777A (en) 1992-12-23 1994-03-22 Materials Research Corporation Wafer transport module with rotatable and horizontally extendable wafer holder
JP2694248B2 (ja) 1993-02-22 1997-12-24 セイコーインスツルメンツ株式会社 試料搬送装置
US5565034A (en) 1993-10-29 1996-10-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate
DE4408537A1 (de) 1994-03-14 1995-09-21 Leybold Ag Vorrichtung für den Transport von Substraten
DE19549488C2 (de) 1995-01-05 2001-08-02 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur chemischen Naßbehandlung
US5730162A (en) * 1995-01-12 1998-03-24 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrates
US5660642A (en) 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
JPH0992704A (ja) 1995-09-21 1997-04-04 Nakajima:Kk 半導体用シリコンウェハーの移し替え装置
US5735662A (en) 1996-05-14 1998-04-07 Micron Technology, Inc. Adjustable wafer transfer machine
US6318951B1 (en) 1999-07-09 2001-11-20 Semitool, Inc. Robots for microelectronic workpiece handling
US6536131B2 (en) * 1996-07-15 2003-03-25 Semitool, Inc. Wafer handling system
US6091498A (en) 1996-07-15 2000-07-18 Semitool, Inc. Semiconductor processing apparatus having lift and tilt mechanism
US6672820B1 (en) * 1996-07-15 2004-01-06 Semitool, Inc. Semiconductor processing apparatus having linear conveyer system
CH697146A5 (de) 1996-10-09 2008-05-15 Tec Sem Ag Greifvorrichtung zur Handhabung von Wafern.
JP3376258B2 (ja) * 1996-11-28 2003-02-10 キヤノン株式会社 陽極化成装置及びそれに関連する装置及び方法
US5883762A (en) 1997-03-13 1999-03-16 Calhoun; Robert B. Electroplating apparatus and process for reducing oxidation of oxidizable plating anions and cations
US6736148B2 (en) 1997-05-05 2004-05-18 Semitool, Inc. Automated semiconductor processing system
US5884640A (en) 1997-08-07 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for drying substrates
US6213853B1 (en) 1997-09-10 2001-04-10 Speedfam-Ipec Corporation Integral machine for polishing, cleaning, rinsing and drying workpieces
JPH1197404A (ja) * 1997-09-16 1999-04-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US6155773A (en) 1997-09-22 2000-12-05 Applied Materials, Inc. Substrate clamping apparatus
US5807439A (en) 1997-09-29 1998-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Apparatus and method for improved washing and drying of semiconductor wafers
JPH11221742A (ja) 1997-09-30 1999-08-17 Hoya Corp 研磨方法及び研磨装置並びに磁気記録媒体用ガラス基板及び磁気記録媒体
JPH11112430A (ja) 1997-10-08 1999-04-23 Fujitsu Ltd 光加入者ネットワークシステム及び光加入者ネットワークシステムにおける障害監視方法
JP3510463B2 (ja) 1997-11-10 2004-03-29 東京エレクトロン株式会社 基板の整列装置及び整列方法
US6368040B1 (en) 1998-02-18 2002-04-09 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of transporting substrates to be processed
JPH11257851A (ja) * 1998-03-10 1999-09-24 Tokyo Electron Ltd 乾燥装置及び乾燥方法
JP4537509B2 (ja) 1998-05-07 2010-09-01 株式会社リコー 画像形成装置
JP3938436B2 (ja) 1998-06-05 2007-06-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板移載装置およびそれを用いた基板処理装置
CH693726A5 (de) 1998-07-09 2003-12-31 Tec Sem Ag Vorrichtung und Verfahren zur Bereitstellung eines vollständigen Waferstapels.
JP2000049206A (ja) 1998-07-28 2000-02-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6457929B2 (en) * 1998-11-03 2002-10-01 Seh America, Inc. Apparatus and method for automatically transferring wafers between wafer holders in a liquid environment
US6156580A (en) 1998-11-18 2000-12-05 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor wafer analysis system and method
US6055694A (en) 1998-11-30 2000-05-02 Tsk America, Inc. Wafer scrubbing machine
IL128925A (en) 1999-03-10 2004-03-28 Nova Measuring Instr Ltd Positioning assembly
US6322312B1 (en) 1999-03-18 2001-11-27 Applied Materials, Inc. Mechanical gripper for wafer handling robots
US6328814B1 (en) 1999-03-26 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning and drying substrates
US6523553B1 (en) 1999-03-30 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Wafer edge cleaning method and apparatus
US6174011B1 (en) 1999-04-14 2001-01-16 Arthur Keigler Method of and apparatus for handling thin and flat workpieces and the like
US6274506B1 (en) 1999-05-14 2001-08-14 Fsi International, Inc. Apparatus and method for dispensing processing fluid toward a substrate surface
US7022211B2 (en) 2000-01-31 2006-04-04 Ebara Corporation Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer
WO2000074116A2 (en) 1999-05-27 2000-12-07 Oliver Design, Inc. Apparatus and methods for drying batches of disks
JP4230642B2 (ja) 1999-07-08 2009-02-25 株式会社荏原製作所 基板搬送治具及び基板搬送装置
US6612801B1 (en) 1999-08-26 2003-09-02 Tokyo Electron Limited Method and device for arraying substrates and processing apparatus thereof
US6232247B1 (en) 1999-09-01 2001-05-15 Micron Technology, Inc. Substrate coating apparatus and semiconductor processing method of improving uniformity of liquid deposition
US6192600B1 (en) * 1999-09-09 2001-02-27 Semitool, Inc. Thermocapillary dryer
US6513848B1 (en) 1999-09-17 2003-02-04 Applied Materials, Inc. Hydraulically actuated wafer clamp
US6555276B2 (en) 1999-10-04 2003-04-29 Micron Technology, Inc. Substrate coating and semiconductor processing method of improving uniformity of liquid deposition
US6395101B1 (en) 1999-10-08 2002-05-28 Semitool, Inc. Single semiconductor wafer processor
JP4295878B2 (ja) 1999-11-17 2009-07-15 スピードファムクリーンシステム株式会社 円板形ワークの洗浄装置
JP2001219391A (ja) 1999-12-01 2001-08-14 Ses Co Ltd 基板反転装置および基板洗浄システム
US6488462B1 (en) 2000-01-12 2002-12-03 Quantum Corporation Transport mechanism for a storage system
JP4526151B2 (ja) 2000-01-28 2010-08-18 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置の基板移載装置
US6530388B1 (en) 2000-02-15 2003-03-11 Quantum Global Technologies, Llc Volume efficient cleaning systems
US6926016B1 (en) 2001-02-15 2005-08-09 Quantum Global Technologies, Llc System for removing contaminants from semiconductor process equipment
US7328712B1 (en) 2000-02-15 2008-02-12 Quantum Global Technologies Cleaning bench for removing contaminants from semiconductor process equipment
JP2001274232A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US6622334B1 (en) 2000-03-29 2003-09-23 International Business Machines Corporation Wafer edge cleaning utilizing polish pad material
US20010048867A1 (en) 2000-03-29 2001-12-06 Lebar Technology, Inc. Method and apparatus for processing semiconductor wafers
US7364625B2 (en) 2000-05-30 2008-04-29 Fsi International, Inc. Rinsing processes and equipment
JP4069236B2 (ja) 2000-06-05 2008-04-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP2001351871A (ja) 2000-06-09 2001-12-21 Asm Japan Kk 半導体製造装置
EP1168422B1 (en) * 2000-06-27 2009-12-16 Imec Method and apparatus for liquid-treating and drying a substrate
US20040026694A1 (en) 2000-07-09 2004-02-12 Jakob Blattner Storage device, especially for the intermediate storage of test wafers
US6631935B1 (en) 2000-08-04 2003-10-14 Tru-Si Technologies, Inc. Detection and handling of semiconductor wafer and wafer-like objects
JP4342745B2 (ja) 2000-09-27 2009-10-14 株式会社日立国際電気 基板処理方法および半導体装置の製造方法
JP2002110609A (ja) 2000-10-02 2002-04-12 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理装置
US6578893B2 (en) 2000-10-02 2003-06-17 Ajs Automation, Inc. Apparatus and methods for handling semiconductor wafers
FR2818050B1 (fr) 2000-12-12 2006-08-11 Semco Engineering Sa Dispositif de prehension electrostatique d'une tranche de composant electronique
US20020071756A1 (en) 2000-12-13 2002-06-13 Gonzalez Jose R. Dual wafer edge gripping end effector and method therefor
JP4856308B2 (ja) 2000-12-27 2012-01-18 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置及び経由チャンバー
JP4770029B2 (ja) 2001-01-22 2011-09-07 株式会社Ｉｈｉ プラズマｃｖｄ装置及び太陽電池の製造方法
US6494666B2 (en) 2001-01-26 2002-12-17 Fortrend Engineering Corporation Simplified and enhanced SCARA arm
US6592324B2 (en) 2001-02-26 2003-07-15 Irm, Llc Gripper mechanism
US6964276B2 (en) 2002-09-03 2005-11-15 Nova Measuring Instruments Ltd. Wafer monitoring system
US6935830B2 (en) 2001-07-13 2005-08-30 Tru-Si Technologies, Inc. Alignment of semiconductor wafers and other articles
US6615113B2 (en) 2001-07-13 2003-09-02 Tru-Si Technologies, Inc. Articles holders with sensors detecting a type of article held by the holder
US6638004B2 (en) 2001-07-13 2003-10-28 Tru-Si Technologies, Inc. Article holders and article positioning methods
US6866460B2 (en) * 2001-07-16 2005-03-15 Semitool, Inc. Apparatus and method for loading of carriers containing semiconductor wafers and other media
US6652656B2 (en) 2001-07-24 2003-11-25 Tokyo Electron Limited Semiconductor wafer holding assembly
US7513062B2 (en) 2001-11-02 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying methods
EP1446827A2 (en) 2001-11-02 2004-08-18 Applied Materials, Inc. Single wafer dryer and drying method
JP3960774B2 (ja) 2001-11-07 2007-08-15 株式会社荏原製作所 無電解めっき装置及び方法
JP3751246B2 (ja) 2001-11-13 2006-03-01 大日本スクリーン製造株式会社 薄膜形成装置および搬送方法
JP2005510055A (ja) 2001-11-13 2005-04-14 エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド マイクロエレクトロニクス基板の自動処理用の低減フットプリントツール
JP4033689B2 (ja) 2002-03-01 2008-01-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP4002126B2 (ja) 2002-03-25 2007-10-31 丸三産業株式会社 水中浮遊性繊維構造物を用いた除草方法
JP3939178B2 (ja) 2002-03-25 2007-07-04 大日本スクリーン製造株式会社 高圧乾燥装置、高圧乾燥方法および基板処理装置
JP3953361B2 (ja) * 2002-05-08 2007-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US6875289B2 (en) 2002-09-13 2005-04-05 Fsi International, Inc. Semiconductor wafer cleaning systems and methods
US7069937B2 (en) * 2002-09-30 2006-07-04 Lam Research Corporation Vertical proximity processor
US7383843B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
TWI262165B (en) 2002-10-16 2006-09-21 Sez Ag Device and method for transporting wafer-shaped articles
US7211461B2 (en) 2003-02-14 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
US7033126B2 (en) 2003-04-02 2006-04-25 Asm International N.V. Method and apparatus for loading a batch of wafers into a wafer boat
EP1691940A2 (en) * 2003-04-03 2006-08-23 SC Fluid Technologies, Inc. Method and apparatus for rotation of a workpiece in supercritical fluid solutions for removing photo resist, residues and particles therefrom
US7393439B2 (en) 2003-06-06 2008-07-01 Semitool, Inc. Integrated microfeature workpiece processing tools with registration systems for paddle reactors
KR100562502B1 (ko) 2003-07-02 2006-03-21 삼성전자주식회사 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치 및 방법
US7100954B2 (en) 2003-07-11 2006-09-05 Nexx Systems, Inc. Ultra-thin wafer handling system
EP1654752B1 (en) 2003-08-01 2011-06-29 SGL Carbon SE Holder for supporting wafers during semiconductor manufacture
JP4413562B2 (ja) 2003-09-05 2010-02-10 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び処理方法
US7727366B2 (en) 2003-10-22 2010-06-01 Nexx Systems, Inc. Balancing pressure to improve a fluid seal
CN1920105B (zh) * 2003-10-22 2010-12-08 内克斯系统公司 用于对工件进行流体处理的方法和设备
DE10361880B3 (de) 2003-12-19 2005-05-04 Atotech Deutschland Gmbh Behandlungseinheit zur nasschemischen oder elektrolytischen Behandlung von flachem Behandlungsgut und Verwendung der Behandlungseinheit
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060033678A1 (en) * 2004-01-26 2006-02-16 Applied Materials, Inc. Integrated electroless deposition system
US7281535B2 (en) 2004-02-23 2007-10-16 Towa Intercon Technology, Inc. Saw singulation
WO2005086208A1 (en) 2004-02-27 2005-09-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for drying substrates
KR20070058445A (ko) * 2004-07-02 2007-06-08 스트라스바흐, 인코포레이티드 웨이퍼 처리 방법 및 시스템
JP4347156B2 (ja) 2004-07-28 2009-10-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7371022B2 (en) 2004-12-22 2008-05-13 Sokudo Co., Ltd. Developer endpoint detection in a track lithography system
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
JP4671724B2 (ja) 2005-03-16 2011-04-20 信越半導体株式会社 半導体ウェーハの保持用グリッパー及び保持方法並びに形状測定装置
US7374391B2 (en) 2005-12-22 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Substrate gripper for a substrate handling robot
TWI346989B (en) 2005-04-25 2011-08-11 Terasemicon Co Ltd Batch type of semiconductor manufacturing device,and loading/unloading method and apparatus of semiconductor substrate
JP4711771B2 (ja) * 2005-08-01 2011-06-29 株式会社アルバック 搬送装置および真空処理装置
JP2007053361A (ja) * 2005-08-12 2007-03-01 Jiwontech Co Ltd ガラス基板のエッチング装置
US7748542B2 (en) 2005-08-31 2010-07-06 Applied Materials, Inc. Batch deposition tool and compressed boat
US7712808B2 (en) 2005-09-29 2010-05-11 Brooks Automation, Inc. End effector with centering grip
US7841035B2 (en) 2005-10-13 2010-11-30 Hitachi High-Technologies Corporation Disc cleaning machinery, disc cleaning device thereof and rotary brush thereof
JP4688637B2 (ja) 2005-10-28 2011-05-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びバッチ編成装置並びにバッチ編成方法及びバッチ編成プログラム
US8029653B2 (en) 2006-02-21 2011-10-04 Ebara Corporation Electroplating apparatus and electroplating method
CN101390197B (zh) 2006-02-22 2011-02-23 株式会社荏原制作所 基板处理装置、基板搬运装置、基板把持装置以及药液处理装置
JP5034262B2 (ja) 2006-02-24 2012-09-26 富士通セミコンダクター株式会社 研磨装置および研磨方法
JP4642787B2 (ja) * 2006-05-09 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び縦型熱処理装置
JP4844261B2 (ja) 2006-06-29 2011-12-28 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体
JP4735576B2 (ja) * 2006-09-22 2011-07-27 株式会社Ｉｈｉ 摩擦駆動搬送装置
US7777203B2 (en) 2006-09-27 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Substrate holding apparatus
US7879401B2 (en) 2006-12-22 2011-02-01 The Regents Of The University Of Michigan Organic vapor jet deposition using an exhaust
JP4327206B2 (ja) 2007-01-30 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び縦型熱処理方法
US8033288B2 (en) 2007-03-09 2011-10-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment apparatus
US7789443B2 (en) 2007-03-16 2010-09-07 Axcelis Technologies, Inc. Workpiece gripping device
JP4746003B2 (ja) 2007-05-07 2011-08-10 リンテック株式会社 移載装置及び移載方法
JP4871910B2 (ja) 2007-05-16 2012-02-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ ディスクチャック機構およびディスクハンドリングロボット
WO2009085337A2 (en) 2007-07-16 2009-07-09 Advanced Research Corporation Wafer fixture for wet process applications
JP4828503B2 (ja) 2007-10-16 2011-11-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板搬送方法、コンピュータプログラムおよび記憶媒体
WO2009081952A1 (ja) * 2007-12-26 2009-07-02 Canon Anelva Corporation 基板ホルダー、基板ホルダーを用いた成膜方法、ハードディスクの製造方法、成膜装置、プログラム
US8152981B2 (en) 2008-01-16 2012-04-10 Applied Materials, Inc. Methods and compositions for electrophoretic metallization deposition
DE102008027861A1 (de) * 2008-06-11 2009-12-17 Vistec Semiconductor Systems Jena Gmbh Vorrichtung zum Halten von scheibenförmigen Objekten
JP2010182797A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウェハ処理装置
KR101534357B1 (ko) * 2009-03-31 2015-07-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 지지 장치 및 기판 지지 방법
US20110020096A1 (en) 2009-07-27 2011-01-27 Lotus Systems Gmbh Batch processing system in an in-line facility
US20120315113A1 (en) * 2010-02-05 2012-12-13 Tokyo Electron Limited Substrate holder, substrate transfer apparatus, and substrate processing apparatus
US20120308346A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Arthur Keigler Parallel single substrate processing system loader

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