JP5872221B2 - ガラス基板エッチング装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 135
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 132
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 98
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 19
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
- C03C15/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching for making a smooth surface
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/102—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration with means for agitating the liquid
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0683—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating measurement during deposition or removal of the layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Weting (AREA)
Description
本発明はエッチング装置に関し、さらに詳細には、ガラス基板エッチング装置に関する。
平板ディスプレイはシリコン酸化物からなるガラス基板を含む。ガラス基板は平板ディスプレイで占める重量が一番大きくて、平板ディスプレイの軽量化及び薄膜化の一環としてガラス基板の重量を減らす研究が活発に進行されている。
ガラス基板の重量を減らす方法の代表的な例ではガラス基板の厚さを薄くする薄板化である。ガラス基板の薄板化はエッチング工程を遂行した後、表面が滑らかでなければならない。すなわち、ガラス基板の薄板化は均一度が重要であり、均一度を確保しなければ、平板ディスプレイの画質に欠陥が発生することがある。
本発明の目的は、均一であり、且つ効率的にガラス基板をエッチングすることができるガラス基板エッチング装置を提供することにある。
本発明の実施例に係るガラス基板エッチング装置は、エッチング液を収容する容器と、前記容器内に配置され、ガラス基板が水平に安着する第１プレートと、前記ガラス基板と向き合うように前記容器内に配置され、前記第１プレート上で前記エッチング液を流動させる流動部と、前記第１プレートと前記容器との間に設けられ、前記流動部によって前記ガラス基板の周囲において流動された前記エッチング液の通過を許容する排出口と、前記容器の底面に連結され、前記排出口を通過する前記エッチング液を排出する回収管と、を含む。
本発明の実施例に係る流動部は、前記第１プレートに対向する第２プレートと、前記第２プレートの下部面に付着した回転翼とを含むことができる。
本発明の実施例に係る流動部は、前記第２プレートを制御する駆動部をさらに含み、前記駆動部は前記第１プレートと前記第２プレートとの隔離距離を調節し、前記第２プレートの回転速度を調節することができる。
本発明の実施例に係るガラス基板エッチング装置は、前記第１プレートに隣接した前記容器の側壁に配置され、前記ガラス基板の厚さを測定するセンサと、前記センサから受信信号が伝達されて前記駆動部に駆動信号を伝達する制御部とをさらに含むことができる。
本発明の実施例に係るガラス基板エッチング装置は、前記回収管のエッチング液の流れを調節するバルブと、前記バルブを通過したエッチング液を浄化するフィルタと、前記容器に前記エッチング液を供給する供給管と、前記フィルタで浄化されたエッチング液を前記供給管に伝達するポンプとをさらに含むことができる。
本発明の実施例に係る前記第１プレート及び前記第２プレートは平面的に円形であり得る。
本発明の実施例に係る前記流動部は前記第１プレート上で水平移動して前記エッチング液を流動させることができる。
本発明の実施例に係る前記流動部は、ボディーと、前記ボディーに付着した水平移動羽と、前記ボディーの動作を制御する駆動部とを含み、前記駆動部は前記第１プレートと前記ボディーとの隔離距離を調節し、前記ボディーの水平移動速度を調節することができる。
本発明の実施例に係る前記第１プレートは平面的に四角形であり得る。
本発明の実施例に係るガラス基板エッチング装置は、エッチング液を収容する容器と、前記容器内に配置され、ガラス基板が水平に安着するプレートとを含み、前記第１プレートは回転されて前記エッチング液の相対的流動を誘導し、さらに、前記プレートと前記容器との間に設けられ、前記流動部によって前記ガラス基板の周囲において流動された前記エッチング液の通過を許容する排出口と、前記容器の底面に連結され、前記排出口を通過する前記エッチング液を排出する回収管と、を含む。
本発明の実施例に係るガラス基板エッチング装置は、前記プレートを制御する駆動部をさらに含み、前記駆動部は前記プレートの垂直移動と前記プレートの回転速度を調節することができる。
本発明の実施例に係るガラス基板エッチング装置は、前記プレートに隣接した容器の側壁に配置され、前記ガラス基板の厚さを測定するセンサと、前記センサから受信信号が伝達されて前記駆動部に駆動信号を伝達する制御部とをさらに含むことができる。
本発明のガラス基板エッチング装置によれば、均一であり、且つ効率的にガラス基板をエッチングすることができる。
以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。しかし、本発明の実施例は、多様な形態に変形でき、本発明の範囲が後述する実施例に限定されると解釈されてはならない。本発明の実施例は、本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。
本明細書において、ある構成要素が異なる構成要素上にあると記載された場合に、前記ある構成要素上に直接形成されるか、またはそれらの間に第３の構成要素が介在され得る。明細書の全体にかけて同じ符号は同じ要素を示す。
本発明の理想的な実施例を概略的に図示した断面図及び／または斜視図を参照して本発明の実施例を説明する。各実施例は、例えば、製造技術及び／または許容誤差の結果として図示された形状から偏差がありえる。
本明細書の様々な実施例において、第１、第２、第３などの用語は様々な構成要素の記述のために使用できるが、それらの構成要素は、それらの用語に限定されると解釈されてはならない。それらの用語は、１つの構成要素を他の構成要素と区別するために用いられるだけである。ここに説明及び例示する実施例はそれの相補的な実施例も含む。
本明細書で使われる用語は、特定の実施例を記述するための目的として用いられるものであり、本発明の範囲を制限するためのものではない。本明細書で、単数として使われた用語は、それについての単数であることを示す明白な背景に関する言及がない限り、複数も含むものである。また、本明細書で使われる「包含する」という用語は、言及された構成要素を特定するものではあるが、１つまたはそれ以上の他の構成要素の存在または付加を除外するものではない。
図１は、本発明の第１実施例に係るガラス基板エッチング装置を説明するための図である。図２は、本発明の第１実施例に係るガラス基板エッチング装置の容器及びプレートの形状を詳細に示すための斜視図である。図３は、本発明の第１実施例に係るプレートと回転翼を詳細に示す図である。
図１〜図３に示すように、本発明の第１実施例に係るガラス基板エッチング装置１００は、エッチング液１１５を収容する容器１１０と、前記容器１１０内に配置され、ガラス基板１２５が水平に安着する第１プレート１２０と、前記容器１１０内に配置され、前記第１プレート１２０上で前記エッチング液１１５を流動させる流動部１３０とを含む。
前記ガラス基板１２５は真空吸着方式で前記第１プレート１２０に安着することができる。前記第１プレート１２０に安着した前記ガラス基板１２５は複数個であり得る。複数個のガラス基板１２５が同時に薄型化されて製造費用を減少させることができる。前記エッチング液１１５は、フッ化物塩、硫酸塩、窒酸塩、スルホン酸塩、フッ化水素酸、硫酸または窒酸などを含むことができる。前記エッチング液１１５はエッチング速度を増加させるために加熱することができる。前記ガラス基板１２５はディスプレイ装置、例えばタッチスクリーンパネル（ｔｏｕｃｈ ｓｃｒｅｅｎ ｐａｎｅｌ）に使用することができる。
前記流動部１３０は前記第１プレート１２０に対向する第２プレート１３２及び前記第２プレート１３２の下部面に付着した回転翼１３５を含むことができる。前記第１プレート１２０及び前記第２プレート１３２は平面的に円形であり得る。前記容器１１０は円筒状であり得る。
前記流動部１３０は前記第２プレート１３２を制御する駆動部１３８をさらに含むことができる。前記駆動部１３８は前記第２プレート１３２を垂直方向に移動させることができる。前記第２プレート１３２が垂直方向に移動され、前記第２プレート１３２と前記第１プレート１２０との離隔距離Ｌを調節することができる。また、前記駆動部１３８は前記第２プレート１３２の回転速度を調節することができる。前記回転翼１３５は渦流を発生させることができ、前記渦流は前記ガラス基板１２５に接触するエッチング液１１５の流動に影響を及ぼすことができる。
前記駆動部１３８は前記第２プレート１３２の垂直方向への移動及び回転速度を制御して前記ガラス基板１２５のエッチング速度を調節することができる。前記駆動部１３８は前記回転翼１３５を利用してエッチング液１１５を一定の速度で流動させることができ、前記ガラス基板１２５の一面をエッチングすることができる。
前記ガラス基板エッチング装置１００は、前記第１プレート１２０に隣接した容器１１０の側壁に配置され、前記ガラス基板１２５の厚さを測定するセンサ１４０をさらに含むことができる。前記センサ１４０はレーザーセンサであり得る。前記センサ１４０は反射された信号によってガラス基板１２５の厚さを測定することができる。前記ガラス基板エッチング装置１００は前記センサ１４０から受信信号が伝達されて前記駆動部１３０に駆動信号を伝達する制御部１４５をさらに含むことができる。前記センサ１４０によってガラス基板１２５のエッチングされた厚さを測定し、前記制御部１４５の駆動信号を利用して前記駆動部１３０はエッチング速度を調節することができる。前記センサ１４０、前記駆動部１３０及び制御部１４５を利用して前記ガラス基板１２５を薄い厚さ、例えば約０．０２ｍｍまでエッチングすることができる。前記ガラス基板１２５が薄い厚さを有するので、ディスプレイ装置（例えば、タッチスクリーンパネルの基板、液晶表示素子の基板または有機電界発光素子の基板）の厚さ及び重さを減らすことができる。前記ガラス基板１２５は薄い厚さを有するので、撓ませることができる。前記ガラス基板１２５は例えば、フレキシブルディスプレイ（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｄｉｓｐｌａｙ）に適用することができる。
前記ガラス基板エッチング装置１００は前記容器１１０にエッチング液１１５を供給する供給管１６０、前記容器１１０の底面に連結されて前記エッチング液１１５を排出する回収管１７５、及び前記第１プレート１２０と前記容器１１０との間の排出口１５０をさらに含むことができる。これと異なり、前記排出口１５０は前記第１プレート１２０を貫通するように形成することができる。前記供給管１６０によって供給されたエッチング液１１５は前記流動部１３０によって流動され、前記排出口１５０を経由して前記回収管１７５に到逹することができる。このようなエッチング液１１５の流れによって前記ガラス基板１２５がエッチングされ、これは流体流れグラインディング（ｆｌｕｉｄ ｆｌｏｗ ｇｒｉｎｄｉｎｇ）と名付けることができる。
前記ガラス基板エッチング装置１００は前記回収管１７５のエッチング液１１５の流れを調節するバルブ１７２、前記バルブ１７２を通過したエッチング液１１５を浄化するフィルタ１７４及び前記フィルタ１７４で浄化されたエッチング液１１５を前記供給管１６０に伝達するポンプ１７６をさらに含むことができる。前記フィルタ１７４は前記ガラス基板１２５のエッチング物１２７を濾過することができる。前記エッチング液１１５は前記回収管１７５、フィルタ１７４、ポンプ１７６及び供給管１６０によって循環することができる。したがって、エッチング液１１５は再使用することができる。
図４は、本発明の第２実施例に係るガラス基板エッチング装置を説明するための図である。図１〜図３を参照して第１実施例で説明した技術的特徴は説明の簡略化のために省略する。
図４に示すように、本発明の第２実施例に係るガラス基板エッチング装置２００は、エッチング液２１５を収容する容器２１０と、前記容器２１０内に配置され、ガラス基板２２５が水平に安着する第１プレート２２０と、前記容器２１０内に配置され、前記第１プレート２２０下で前記エッチング液２１５を流動させる流動部２３０とを含む。
前記ガラス基板２２５は真空吸着方式で前記第１プレート２２０に安着することができる。前記ガラス基板２２５は前記第１プレート２２０の下部面に吸着することができる。前記ガラス基板２２５はディスプレイ装置、例えばタッチスクリーンパネル（ｔｏｕｃｈ ｓｃｒｅｅｎ ｐａｎｅｌ）に使用することができる。
前記流動部２３０は前記第１プレート２２０に対向する第２プレート２３２と、前記第２プレート２３２の上部面に付着した回転翼２３５とを含むことができる。前記第１プレート２２０及び前記第２プレート２３２は平面的に円形であり得る。前記容器２１０は円筒状であり得る。
前記流動部２３０は前記第２プレート２３２を制御する駆動部２３８をさらに含むことができる。前記駆動部２３８は前記第２プレート２３２を垂直方向に移動させることができる。前記第２プレート２３２が垂直方向に移動されて前記第２プレート２３２と前記第１プレート２２０との離隔距離Ｌを調節することができる。また、前記駆動部２３８は前記第２プレート２３２の回転速度を調節することができる。
前記駆動部２３８は前記第２プレート２３２の垂直方向への移動及び回転速度を制御して前記ガラス基板２２５のエッチング速度を調節することができる。前記エッチング液２１５の流動によって、前記ガラス基板２２５の露出された一面をエッチングすることができる。
前記ガラス基板エッチング装置２００は前記第１プレート２２０に隣接した容器２１０の側壁に配置され、前記ガラス基板２２５の厚さを測定するセンサ２４０をさらに含むことができる。前記センサ２４０はレーザーセンサであり得る。前記センサ２４０は反射された受信信号によってガラス基板２２５の厚さを測定することができる。前記ガラス基板エッチング装置２００は前記センサ２４０から受信信号が伝達されて前記駆動部２３０に駆動信号を伝達する制御部２４５をさらに含むことができる。前記センサ２４０によってガラス基板２２５のエッチングされた厚さを測定し、前記制御部２４５の駆動信号を利用して前記駆動部２３０はエッチング速度を調節することができる。
前記ガラス基板エッチング装置２００は前記容器２１０にエッチング液２１５を供給する供給管２６０、前記容器２１０の底面に連結されて前記エッチング液２１５を排出する回収管２７５及び前記第１プレート２２０と前記容器２１０との間の排出口２５０をさらに含むことができる。これと異なり、前記排出口２５０は前記第１プレート２２０を貫通するように形成することができる。
前記ガラス基板エッチング装置２００は前記回収管２７５のエッチング液２１５の流れを調節するバルブ２７２、前記バルブ２７２を通過したエッチング液２１５を浄化するフィルタ２７４及び前記フィルタ２７４で浄化されたエッチング液２１５を前記供給管２６０に伝達するポンプ２７６をさらに含むことができる。前記フィルタ２７４は前記ガラス基板２２５のエッチング物２２７を濾過することができる。前記エッチング液２１５は前記回収管２７５、フィルタ２７４、ポンプ２７６及び供給管２６０によって循環することができる。したがって、エッチング液２１５は再使用することができる。
図５は、本発明の第３実施例に係るガラス基板エッチング装置を説明するための図である。図６は、本発明の第３実施例に係るガラス基板エッチング装置の容器、プレート及び流動部の形状を詳細に示すための図である。図１〜図３を参照して第１実施例で説明した技術的特徴は説明の簡略化のために省略する。
図５及び図６に示すように、本発明の第３実施例に係るガラス基板エッチング装置３００は、エッチング液３１５を収容する容器３１０と、前記容器３１０内に配置され、ガラス基板３２５が水平に安着する第１プレート３２０と、前記容器３１０内に配置され、前記第１プレート３２０の上で前記エッチング液３１５を流動させる流動部３３０とを含む。
前記ガラス基板３２５は真空吸着方式で前記第１プレート３２０に安着することができる。前記ガラス基板３２５は前記第１プレート３２０の上部面に安着することができる。前記ガラス基板３２５はタッチスクリーンパネル（ｔｏｕｃｈ ｓｃｒｅｅｎ ｐａｎｅｌ）に使用することができる。
前記流動部３３０は前記第１プレート３２０上のボディー３３２及び前記ボディー３３２の下部面に付着した水平移動羽３３５を含むことができる。前記第１プレート３２０は平面的に四角形であり得る。
前記流動部３３０は前記ボディー３３２の移動を制御する駆動部３３８をさらに含むことができる。前記駆動部３３８は前記ボディー３３２を垂直方向に移動させることができる。前記ボディー３３２が垂直方向に移動されて前記ボディー３３２と前記第１プレート３２０との離隔距離Ｌを調節することができる。また、前記駆動部３３８は前記第ボディー３３２の水平移動速度を調節することができる。
前記駆動部３３８は前記ボディー３３２の垂直方向と水平方向への移動速度を制御して前記ガラス基板３２５のエッチング速度を調節することができる。前記エッチング液３１５の流動によって、前記ガラス基板３２５の露出された一面をエッチングすることができる。
前記ガラス基板エッチング装置３００は前記第１プレート３２０に隣接した容器３１０の側壁に配置され、前記ガラス基板３２５の厚さを測定するセンサ３４０をさらに含むことができる。前記センサ３４０はレーザーセンサであり得る。前記センサ３４０は反射された受信信号によってガラス基板３２５の厚さを測定することができる。前記ガラス基板エッチング装置３００は前記センサ３４０から受信信号が伝達されて前記駆動部３３０に駆動信号を伝達する制御部３４５をさらに含むことができる。前記センサ３４０によってガラス基板３２５のエッチングされた厚さを測定し、前記制御部３４５の駆動信号を利用して前記駆動部３３０はエッチング速度を調節することができる。
前記ガラス基板エッチング装置３００は前記容器３１０にエッチング液３１５を供給する供給管３６０、前記容器３１０の底面に連結されて前記エッチング液３１５を排出する回収管３７５及び前記第１プレート３２０と前記容器３１０との間の排出口３５０をさらに含むことができる。これと異なり、前記排出口３５０は前記第１プレート３２０を貫通するように形成することができる。
前記ガラス基板エッチング装置３００は前記回収管３７５のエッチング液３１５の流れを調節するバルブ３７２、前記バルブ３７２を通過したエッチング液３１５を浄化するフィルタ３７４及び前記フィルタ３７４で浄化されたエッチング液３１５を前記供給管３６０に伝達するポンプ３７６をさらに含むことができる。前記フィルタ３７４は前記ガラス基板３２５のエッチング物３２７を濾過することができる。前記エッチング液３１５は前記回収管３７５、フィルタ３７４、ポンプ３７６及び供給管３６０によって循環することができる。したがって、エッチング液３１５は再使用することができる。
本発明の第３実施例によれば、ガラス基板エッチング装置３００は前記ガラス基板３２５を薄い厚さになるようにエッチングすることができる。また、ガラス基板エッチング装置３００は水平移動する流動部３３０を有するので、均一性が確保されて前記ガラス基板３２５を同一の厚さにエッチングすることができる。
図７は、本発明の第４実施例に係るガラス基板エッチング装置を説明するための図である。
図７に示すように、本発明の第４実施例に係るガラス基板エッチング装置４００は、エッチング液４１５を収容する容器４１０と、前記容器４１０内に配置され、ガラス基板４２５が水平に安着するプレート４２０とを含む。前記プレート４２０は回転されて前記エッチング液４１５の相対的流動を誘導することができる。
前記ガラス基板４２５は真空吸着方式で前記プレート４２０に安着することができる。前記ガラス基板４２５は前記プレート４２０の上部面に安着することができる。前記ガラス基板４２５はタッチスクリーンパネル（ｔｏｕｃｈ ｓｃｒｅｅｎ ｐａｎｅｌ）に使用することができる。
前記ガラス基板エッチング装置４００は前記プレート４２０を制御する駆動部４３０をさらに含むことができる。前記駆動部４３０は前記プレート４２０の回転速度を調節することができる。また、前記駆動部４３０は前記プレート４２０を垂直方向に移動させることができる。
前記駆動部４３０は前記プレート４２０の垂直方向への移動と回転速度を制御して前記ガラス基板４２５のエッチング速度を調節することができる。前記エッチング液４１５の相対的流動によって、前記ガラス基板４２５の露出された一面をエッチングすることができる。
前記ガラス基板エッチング装置４００は前記プレート４２０に隣接した容器４１０の側壁に配置され、前記ガラス基板４２５の厚さを測定するセンサ４４０をさらに含むことができる。前記センサ４４０はレーザーセンサであり得る。前記ガラス基板エッチング装置４００は前記センサ４４０から受信信号が伝達されて前記駆動部４３０に駆動信号を伝達する制御部４４５をさらに含むことができる。前記センサ４４０によってガラス基板４２５のエッチングされた厚さを測定し、前記制御部４４５の駆動信号を利用して前記駆動部４３０はエッチング速度を調節することができる。
前記ガラス基板エッチング装置４００は前記容器４１０にエッチング液４１５を供給する供給管４６０、前記容器４１０の底面に連結されて前記エッチング液４１５を排出する回収管４７５及び前記プレート４２０と前記容器４１０との間の排出口４５０をさらに含むことができる。これと異なり、前記排出口４５０は前記プレート４２０を貫通するように形成することができる。
前記ガラス基板エッチング装置４００は前記回収管４７５のエッチング液４１５の流れを調節するバルブ４７２、前記バルブ４７２を通過したエッチング液４１５を浄化するフィルタ４７４及び前記フィルタ４７４で浄化されたエッチング液４１５を前記供給管４６０に伝達するポンプ４７６をさらに含むことができる。前記フィルタ４７４は前記ガラス基板４２５のエッチング物４２７を濾過することができる。前記エッチング液４１５は前記回収管４７５、フィルタ４７４、ポンプ４７６及び供給管４６０によって循環することができる。したがって、エッチング液４１５は再使用することができる。
表１は本発明の実施例と比較例によるガラス基板の厚さを比較する表である。Ｓ１はガラス基板をエッチング液に単純に沈積させてエッチングする比較例であり、Ｓ２は本発明の実施例に係るガラス基板エッチング装置を利用した場合である。
下記の表に示すように、比較例より厚さを１／１０程度まで減少させることができる。また、本発明の実施例によって製作されたガラス基板はフレキシブル特性が優れており、曲率半径が約１０ｃｍとして測定された。
１１０ 容器、
１２０ 第１プレート、
１３０ 流動部、
１３２ 第２プレート、
１３５ 回転翼、
１３８ 駆動部、
１４５ 制御部。
１２０ 第１プレート、
１３０ 流動部、
１３２ 第２プレート、
１３５ 回転翼、
１３８ 駆動部、
１４５ 制御部。
Claims (12)
- エッチング液を収容する容器と、
前記容器内に配置され、ガラス基板が水平に安着する第１プレートと、
前記ガラス基板と向き合うように前記容器内に配置され、前記第１プレート上で前記エッチング液を流動させる流動部と、
前記第１プレートと前記容器との間に設けられ、前記流動部によって前記ガラス基板の周囲において流動された前記エッチング液の通過を許容する排出口と、
前記容器の底面に連結され、前記排出口を通過する前記エッチング液を排出する回収管と、を有するガラス基板エッチング装置。 - 前記流動部は、
前記第１プレートに対向する第２プレートと、
前記第２プレートの下部面に付着した回転翼とを含むことを特徴とする請求項１に記載のガラス基板エッチング装置。 - 前記流動部は前記第２プレートを制御する駆動部をさらに含み、
前記駆動部は前記第１プレートと前記第２プレートとの隔離距離を調節し、前記第２プレートの回転速度を調節することを特徴とする請求項２に記載のガラス基板エッチング装置。 - 前記第１プレートに隣接した前記容器の側壁に配置され、前記ガラス基板の厚さを測定するセンサと、
前記センサから受信信号が伝達されて前記駆動部に駆動信号を伝達する制御部とをさらに含むことを特徴とする請求項３に記載のガラス基板エッチング装置。 - 前記第１プレート及び前記第２プレートは平面的に円形であることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載のガラス基板エッチング装置。
- 前記回収管のエッチング液の流れを調節するバルブと、
前記バルブを通過したエッチング液を浄化するフィルタと、
前記容器に前記エッチング液を供給する供給管と、
前記フィルタで浄化されたエッチング液を前記供給管に伝達するポンプとをさらに含むことを特徴とする請求項１〜５に記載のガラス基板エッチング装置。 - 前記流動部は前記第１プレート上で水平移動して前記エッチング液を流動させることを特徴とする請求項１に記載のガラス基板エッチング装置。
- 前記流動部はボディー、前記ボディーに付着した水平移動羽及び前記ボディーの動作を制御する駆動部を含み、
前記駆動部は前記第１プレートと前記ボディーとの隔離距離を調節し、前記ボディーの水平移動速度を調節することを特徴とする請求項７に記載のガラス基板エッチング装置。 - 前記第１プレートは平面的に四角形であることを特徴とする請求項７または請求項８に記載のガラス基板エッチング装置。
- エッチング液を収容する容器と、
前記容器内に配置され、ガラス基板が水平に安着するプレートとを含み、
前記プレートは回転されて前記エッチング液の相対的流動を誘導し、
さらに、前記プレートと前記容器との間に設けられ、前記流動部によって前記ガラス基板の周囲において流動された前記エッチング液の通過を許容する排出口と、
前記容器の底面に連結され、前記排出口を通過する前記エッチング液を排出する回収管と、を有するガラス基板エッチング装置。 - 前記プレートを制御する駆動部をさらに含み、
前記駆動部は前記プレートの垂直移動と前記プレートの回転速度を調節することを特徴とする請求項１０に記載のガラス基板エッチング装置。 - 前記プレートに隣接した容器の側壁に配置され、前記ガラス基板の厚さを測定するセンサと、
前記センサから受信信号が伝達されて前記駆動部に駆動信号を伝達する制御部とをさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載のガラス基板エッチング装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2010-0106208 | 2010-10-28 | ||
| KR1020100106208A KR101233687B1 (ko) | 2010-10-28 | 2010-10-28 | 유리 기판 식각 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012092001A JP2012092001A (ja) | 2012-05-17 |
| JP5872221B2 true JP5872221B2 (ja) | 2016-03-01 |
Family
ID=45065665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011208705A Active JP5872221B2 (ja) | 2010-10-28 | 2011-09-26 | ガラス基板エッチング装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9598310B2 (ja) |
| EP (1) | EP2455350B1 (ja) |
| JP (1) | JP5872221B2 (ja) |
| KR (1) | KR101233687B1 (ja) |
| CN (1) | CN102557465B (ja) |
| TW (1) | TWI563556B (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9698062B2 (en) * | 2013-02-28 | 2017-07-04 | Veeco Precision Surface Processing Llc | System and method for performing a wet etching process |
| US9079210B2 (en) * | 2013-07-22 | 2015-07-14 | Infineon Technologies Ag | Methods for etching a workpiece, an apparatus configured to etch a workpiece, and a non-transitory computer readable medium |
| KR102087193B1 (ko) | 2013-09-09 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 터치 패널의 제조 방법 |
| CN104779188B (zh) * | 2015-05-04 | 2017-06-16 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种蚀刻装置 |
| JP7173018B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2022-11-16 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスのエッチング方法及びエッチング処理装置並びにガラス板 |
| CN108704872A (zh) * | 2018-06-05 | 2018-10-26 | 昆山木利机械设计有限公司 | 一种屏幕擦拭装置 |
| WO2020180536A1 (en) * | 2019-03-01 | 2020-09-10 | Zygo Corporation | Method for figure control of optical surfaces |
| TWI718794B (zh) * | 2019-10-08 | 2021-02-11 | 辛耘企業股份有限公司 | 濕製程裝置 |
| WO2021167787A1 (en) * | 2020-02-18 | 2021-08-26 | Corning Incorporated | Etching of glass surfaces to reduce electrostatic charging during processing |
Family Cites Families (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2411298A (en) * | 1945-02-12 | 1946-11-19 | Philips Corp | Piezoelectric crystal |
| NL302018A (ja) | 1962-12-26 | |||
| US3649509A (en) * | 1969-07-08 | 1972-03-14 | Buckbee Mears Co | Electrodeposition systems |
| US3798056A (en) * | 1972-04-05 | 1974-03-19 | Bell Telephone Labor Inc | Electroless plating process |
| JP2807238B2 (ja) | 1988-09-13 | 1998-10-08 | 古河電気工業株式会社 | ガラス母材の表面処理方法 |
| JP3122857B2 (ja) * | 1992-01-20 | 2001-01-09 | 株式会社日立製作所 | 半導体基体のエッチング装置およびエッチング方法 |
| US5277715A (en) * | 1992-06-04 | 1994-01-11 | Micron Semiconductor, Inc. | Method of reducing particulate concentration in process fluids |
| US5308447A (en) * | 1992-06-09 | 1994-05-03 | Luxtron Corporation | Endpoint and uniformity determinations in material layer processing through monitoring multiple surface regions across the layer |
| US5499733A (en) * | 1992-09-17 | 1996-03-19 | Luxtron Corporation | Optical techniques of measuring endpoint during the processing of material layers in an optically hostile environment |
| US5891352A (en) * | 1993-09-16 | 1999-04-06 | Luxtron Corporation | Optical techniques of measuring endpoint during the processing of material layers in an optically hostile environment |
| JP2912538B2 (ja) | 1993-12-08 | 1999-06-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 浸漬型基板処理装置 |
| DE4405278C1 (de) * | 1994-02-19 | 1995-05-04 | Berthold Lab Prof Dr | Verfahren und Vorrichtung zum Polieren oder Mattieren von Glasflächen in einem Säurebad |
| US5846444A (en) * | 1995-10-03 | 1998-12-08 | Corning Incorporated | Surface treatment of glass |
| AU7467798A (en) * | 1997-04-22 | 1998-11-13 | James W. Early | Laser detection of material thickness |
| KR100606460B1 (ko) * | 1997-07-17 | 2006-07-31 | 호야 가부시키가이샤 | 투광성물질의 불균일성검사방법 및 그 장치와 투명기판의 선별방법 |
| US6028669A (en) * | 1997-07-23 | 2000-02-22 | Luxtron Corporation | Signal processing for in situ monitoring of the formation or removal of a transparent layer |
| US6103096A (en) * | 1997-11-12 | 2000-08-15 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for the electrochemical etching of a wafer |
| KR100272513B1 (ko) | 1998-09-08 | 2001-01-15 | 구본준 | 유리기판의 식각장치 |
| US6690473B1 (en) * | 1999-02-01 | 2004-02-10 | Sensys Instruments Corporation | Integrated surface metrology |
| JP3525830B2 (ja) * | 1999-11-16 | 2004-05-10 | 株式会社デンソー | エッチング装置 |
| US6203412B1 (en) * | 1999-11-19 | 2001-03-20 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Submerge chemical-mechanical polishing |
| US6547937B1 (en) * | 2000-01-03 | 2003-04-15 | Semitool, Inc. | Microelectronic workpiece processing tool including a processing reactor having a paddle assembly for agitation of a processing fluid proximate to the workpiece |
| US6454916B1 (en) * | 2000-01-05 | 2002-09-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Selective electroplating with direct contact chemical polishing |
| DE60134120D1 (de) * | 2000-01-21 | 2008-07-03 | Hamamatsu Photonics Kk | Dickenmessvorrichtung, dickenmessverfahren und nassätzvorrichtung und nassätzverfahren, die diese verwenden |
| JP2002087844A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-27 | Sony Corp | 表示パネルの製造方法 |
| US6558238B1 (en) * | 2000-09-19 | 2003-05-06 | Agere Systems Inc. | Apparatus and method for reclamation of used polishing slurry |
| KR100712472B1 (ko) * | 2000-12-16 | 2007-04-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 식각장치 및 식각방법 |
| US7365860B2 (en) * | 2000-12-21 | 2008-04-29 | Sensory Analytics | System capable of determining applied and anodized coating thickness of a coated-anodized product |
| KR100380844B1 (ko) * | 2001-04-12 | 2003-04-18 | 니시야마 스테인레스 케미컬 가부시키가이샤 | 액정유리기판의 화학연마 방법 및 화학연마장치 |
| KR100813018B1 (ko) | 2001-06-02 | 2008-03-13 | 삼성전자주식회사 | 세정액 형성장치 |
| US7090750B2 (en) * | 2002-08-26 | 2006-08-15 | Micron Technology, Inc. | Plating |
| US6955747B2 (en) * | 2002-09-23 | 2005-10-18 | International Business Machines Corporation | Cam driven paddle assembly for a plating cell |
| US6875322B1 (en) * | 2003-01-15 | 2005-04-05 | Lam Research Corporation | Electrochemical assisted CMP |
| US7691279B2 (en) * | 2003-03-27 | 2010-04-06 | Hoya Corporation | Method of producing a glass substrate for a mask blank and method of producing a mask blank |
| KR20050003759A (ko) * | 2003-07-04 | 2005-01-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 유리기판 수납용 카세트 |
| TWI310850B (en) * | 2003-08-01 | 2009-06-11 | Foxsemicon Integrated Tech Inc | Substrate supporting rod and substrate cassette using the same |
| JP4003882B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2007-11-07 | シャープ株式会社 | 基板移載システム |
| US7931786B2 (en) * | 2005-11-23 | 2011-04-26 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for agitating liquids in wet chemical processing of microfeature workpieces |
| KR100732019B1 (ko) * | 2006-02-17 | 2007-06-25 | (주)지원테크 | 유리 기판의 박판화 장치 |
| JP5016351B2 (ja) | 2007-03-29 | 2012-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板洗浄装置 |
| KR100928050B1 (ko) | 2007-08-24 | 2009-11-24 | (주)지원테크 | 유리기판 식각 방법 및 유리기판 식각 장치 |
| US20090065478A1 (en) * | 2007-09-11 | 2009-03-12 | Dockery Kevin P | Measuring etching rates using low coherence interferometry |
| KR100908936B1 (ko) | 2007-11-21 | 2009-07-22 | 에이스하이텍 주식회사 | 디스플레이 유리기판의 침지형 식각장치 |
| US8177944B2 (en) * | 2007-12-04 | 2012-05-15 | Ebara Corporation | Plating apparatus and plating method |
| KR20090070792A (ko) | 2007-12-27 | 2009-07-01 | 주식회사 디에스티 | 유리기판의 식각장치 |
| WO2009119826A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 古河電気工業株式会社 | 板材の製造方法および板材 |
| JP2009290169A (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | Canon Inc | 振動子の製造方法 |
| US8133097B2 (en) * | 2009-05-07 | 2012-03-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polishing apparatus |
-
2010
- 2010-10-28 KR KR1020100106208A patent/KR101233687B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-09-23 US US13/244,118 patent/US9598310B2/en active Active
- 2011-09-26 JP JP2011208705A patent/JP5872221B2/ja active Active
- 2011-10-27 TW TW100139091A patent/TWI563556B/zh active
- 2011-10-27 EP EP11186844.4A patent/EP2455350B1/en active Active
- 2011-10-28 CN CN201110333585.5A patent/CN102557465B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101233687B1 (ko) | 2013-02-15 |
| CN102557465B (zh) | 2015-07-22 |
| TWI563556B (en) | 2016-12-21 |
| US20120103520A1 (en) | 2012-05-03 |
| EP2455350B1 (en) | 2016-10-26 |
| US9598310B2 (en) | 2017-03-21 |
| JP2012092001A (ja) | 2012-05-17 |
| TW201218266A (en) | 2012-05-01 |
| CN102557465A (zh) | 2012-07-11 |
| EP2455350A1 (en) | 2012-05-23 |
| KR20120044746A (ko) | 2012-05-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120912 |
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