JP3525830B2 - エッチング装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハを下
面側を開放させた状態で保持し、その保持状態で前記半
導体ウエハの上面のエッチング面を内底面としたエッチ
ング処理室を構成するエッチングポットを、エッチング
ベース上に支持するようにしたエッチング装置に関す
る。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】例えば半導体圧力セン
サや半導体加速度センサ等のセンサチップを製造するに
あたっては、図７（ａ）に示すように、半導体ウエハ
（シリコンウエハ）１に数百〜数千のセンサチップ２を
形成し、その後、各チップ２を切離すことが行なわれ
る。この場合、図７（ｂ）に示すように、半導体ウエハ
１の片面側には、エピタキシャル層が形成され、各セン
サチップ２に対応して信号処理回路を構成する回路素子
や給電用電極等が形成されるようになっており、以てこ
の面が回路面１ａとされている。

【０００３】そして、圧力センサの場合、センサチップ
２は、図８に示すような形状をなし、前記回路面１ａと
は反対側の面に、周囲部を除く全体に凹部２ａを形成す
ることによりダイヤフラムが形成されるようになってい
る。また、加速度センサの場合も、図９に示すように、
回路面１ａとは反対側の面に、中央部に島状の膨らみを
残した状態で凹部２ａが形成されるようになっている。
一般に、前記凹部２ａを形成するためには、半導体ウエ
ハ１の回路面１ａと反対側のエッチング面１ｂを、凹部
２ａ形成部分を除いてマスク３により覆ったうえで、そ
のエッチング面１ｂを例えば水酸化カリウムなどの強ア
ルカリ液に浸す浸漬方式のエッチング法（例えば異方性
エッチング）が用いられる。

【０００４】図１０は、従来のエッチング装置を示して
いる。ここで、前記半導体ウエハ１は、その回路面１ａ
及びエッチング面１ｂの外周縁部（センサチップ２の非
形成領域）がマスキング材４により覆われた状態で、例
えばセラミックプレートからなるエッチング治具５に保
持される。そして、その状態で、エッチング液６を収容
した処理槽７に浸されることにより、エッチング面１ｂ
に対するエッチングがなされるようになる。また、所定
厚みのエッチングがなされたところで、エッチング治具
５に保持された半導体ウエハ１を処理槽７から取出し、
水洗浄がなされることにより、エッチングが停止される
ようになる。

【０００５】この場合、エッチング液６を処理に適した
温度（例えば１１０℃）に維持するために、処理槽７に
は、ヒータ８が添設されていると共に、そのヒータ８
は、エッチング液６の温度を検出する温度センサ９に検
出に基づいて、ヒータ制御回路１０により制御されるよ
うになっている。処理槽７内には、エッチング液６を撹
拌する撹拌機１１も設けられる。尚、電気化学ストップ
エッチングを行なう場合には、更に、エッチング液６内
に浸される電極１２、その電極１２と半導体ウエハ１
（回路面１ａ）との間に直流電流を流すための電源１
３、流れる電流値を検出する電流検出器１４等が設けら
れるようになっている。

【０００６】ところで、センサチップ２を形成する場
合、図８及び図９に示す、半導体ウエハ１（センサチッ
プ２）にエッチングにより形成される薄肉部（圧力セン
サの場合ダイヤフラム）の厚みＴを、目標厚みとするよ
う精度良く加工することが、センサとしての性能面で重
要となる。従って、上記エッチング処理を行なうにあた
っては、凹部２ａの所定のエッチング深さが得られた時
点でエッチングを停止させるよう管理することが必要と
なる。従来では、一般に、この厚み管理の方法として時
間管理方式が採用されていた。

【０００７】この時間管理方式は、エッチング時間とエ
ッチング深さとがほぼ比例関係にあることを利用し、図
１１に示すように、予め単位時間あたりのエッチング量
（エッチングレートという）を試験的に求めて、時間と
エッチング深さの関係を示すグラフを作成しておく。そ
して、半導体ウエハ１の元の厚みＴ0 と、目標となる厚
みＴとから、（Ｔ0 −Ｔ）のエッチング深さが得られる
時間ｔ１をグラフより求め、実際のエッチング時間（浸
漬時間）を管理するものであった。

【０００８】ところが、この方法では、エッチングレー
トの正確な再現性が要求されるため、エッチング液６の
濃度や温度の厳密な管理を行なう必要があり、現実的に
は、近年求められる精度（ウエハ間平均厚みばらつき±
０．５μｍ）を一度のエッチング処理により得ることは
困難であった。そのため、実際には、エッチング処理と
厚み測定とを複数回に分け、それら処理を繰返すことが
行なわれていた。

【０００９】また、電気化学ストップエッチングの場合
には、図１２に示すように、時間経過に伴い、電流検出
器１４により検出される電流値が変動し、目標とする厚
みＴの近傍で電流のピーク値Ｐが現れることを利用し、
ピーク値Ｐが現れてから所定時間ｔ２経過後にエッチン
グを停止することが行なわれている。これによれば、エ
ッチングレートの影響が少ないため、上記の時間管理方
式に比べ、厚み管理の精度は高いものとなる。

【００１０】ところが、この電気化学ストップエッチン
グでは、２０μｍ以上の厚いダイヤフラムのエッチング
はできず、また、エピ層より薄い厚みを得ることが原理
的に行なえないといった事情がある。そして、半導体ウ
エハ１間でのエピ層の厚みが±１０％程度のばらつきが
あるため、±１μｍ程度のウエハ間平均厚みばらつきが
生じ、やはり１回の処理では十分な厚みの精度が得られ
ないものとなっていた。このように、従来の方式では、
エッチング中の半導体ウエハ１の厚みを、正確に直接把
握してエッチング停止時期を制御することができないと
いう根本的な問題があったのである。

【００１１】そこで、本出願人は、半導体ウエハ１の厚
みを、非接触で直接的に検出することができる厚みセン
サを開発し、先に出願している（特開平７−３０６０１
８号公報参照）。この厚みセンサにより、半導体ウエハ
１のエッチング部分の厚みをモニタしながら、エッチン
グ処理を制御することができれば、厚み制御を高精度に
行なうことが可能となる。しかしながら、上記した従来
の浸漬方式のエッチング処理方法では、厚みセンサの配
置自体が困難であり、仮に配置できたとしても、センサ
をエッチング液６から保護するための複雑な構造が必要
となるなど、実用化は難しい。

【００１２】これに対し、本発明者等は、従来の浸漬方
式に代えて、半導体ウエハを保持した状態で該半導体ウ
エハの上面のエッチング面を内底面とするエッチング処
理室を構成するエッチングポットを用いる、いわゆるポ
ット工法を開発してきている。このポット工法によれ
ば、半導体ウエハ１の回路面１ａ側を開放させることが
でき、上記した厚みセンサの取付けが実現可能となる。

【００１３】ところが、センサチップ２の小形化，高精
度化に伴い、一辺が例えば１ｍｍ以下の微小な凹部２ａ
を形成する場合、半導体ウエハ１の測定点ｋと厚みセン
サの焦点との位置合せを、いかに高精度に行なうかが新
たな技術的課題となっているのである。尚、エッチング
処理を高温で行なうような場合には、エッチングポット
の各部の熱膨張，収縮が発生し、半導体ウエハ１の測定
点ｋと厚みセンサとの位置合せ精度を低下させることに
もなり、その対処も求められる。

【００１４】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、厚みセンサにより、エッチング中の半
導体ウエハの厚みを直接的に把握することができるもの
であって、その際の半導体ウエハの測定点と厚みセンサ
との位置合せを高精度で行なうことができるエッチング
装置を提供するにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１のエッ
チング装置は、エッチングポットにより半導体ウエハを
保持するものにあって、エッチングポットの下面部に、
位置決めプレートを位置調整手段により前後左右方向の
取付け位置の調整可能に取付けると共に、エッチングポ
ットを支持するエッチングベースに、半導体ウエハの厚
みを下面側から非接触で検出する厚みセンサを設け、位
置決めプレートによってエッチングポットがエッチング
ベースに対して位置決め支持されることにより、厚みセ
ンサが半導体ウエハの所定の測定点の厚みを検出するよ
うに位置合せされるところに特徴を有する。

【００１６】これによれば、位置調整手段により、エッ
チングポットに対する位置決めプレートの位置調整を行
なうことによって、半導体ウエハの所定の測定点に対す
る厚みセンサの位置合せを正確に行なうことが可能とな
る。従って、厚みセンサにより、エッチング中の半導体
ウエハの厚みを直接的に把握することができるものであ
って、その際の半導体ウエハの測定点と厚みセンサとの
位置合せを高精度で行なうことができるという優れた効
果を得ることができる。

【００１７】この場合、エッチングベースの所定位置に
設けられた複数の位置決めピンが、位置決めプレートの
所定位置に形成された複数の位置決め穴に夫々挿入され
ることにより、エッチングベースに対するエッチングポ
ットの位置決めが行なわれるようにすることができる
（請求項２の発明）。これにより、簡単な構成で、確実
にエッチングベースに対するエッチングポットの位置決
めが行なわれるようになる。

【００１８】またこのとき、位置決めピンを、エッチン
グベースに設けられた基準プレートに取付けるように
し、それら基準プレート及び位置決めピン並びに位置決
めプレートを、機械的強度に加えて、温度変化に対する
寸法安定性に優れた金属又はセラミック製とすることが
望ましい（請求項３の発明）。これによれば、熱膨張，
収縮に起因してエッチングベースに対するエッチングポ
ットの位置決め精度が低下することを抑制することがで
きる。

【００１９】そして、半導体ウエハの下面に対して近接
及び離間する方向に移動可能な主昇降部をエッチングベ
ースに設け、前記厚みセンサをその主昇降部に取付ける
ことができる（請求項４の発明）。これによれば、厚み
測定時において、厚みセンサを、半導体ウエハの下面に
対して上下方向に適切な高さ離れた位置に配置すること
ができる。

【００２０】このとき、エッチングポットに、半導体ウ
エハの下面の外周縁部を加熱可能に保持する加熱リング
を設け、その加熱リングを主昇降部の上昇ストッパとし
て機能させる構成とすることができる（請求項５の発
明）。これによれば、主昇降部を加熱リングに当接する
まで上昇させることにより、厚みセンサを、加熱リング
ひいては半導体ウエハに対して常に上下方向に一定の距
離離れた位置に停止させることができ、厚みセンサの上
下方向の位置合せが容易となる。

【００２１】また、主昇降部に発熱体を設け、主昇降部
が加熱リングに当接することにより、発熱体の熱が加熱
リングに対して伝達される構成としても良い（請求項６
の発明）。これによれば、主昇降部と加熱リングとの当
接により、加熱リングに対する熱伝達及び厚みセンサの
上下方向の位置決めを同時に行なうことができ、構成を
簡単に済ませることができる。

【００２２】さらには、発熱体を発熱ケース内に収容
し、その発熱ケースを介して加熱リングに熱伝達を行な
う構成とすると共に、それら発熱ケース及び加熱リング
を、熱伝導性に優れ且つ温度変化に対する寸法安定性に
優れた金属製とすることができる（請求項７の発明）。
これによれば、発熱ケースから加熱リングへの熱伝達が
良好に行なわれると共に、熱膨張，収縮に起因して加熱
リングに対する主昇降部の上下方向の当接位置精度が低
下することを抑制することができる。

【００２３】前記厚みセンサを、主昇降部に対して該主
昇降部の移動方向と同じ方向に移動可能とするためのセ
ンサ昇降機構を設けることもできる（請求項８の発
明）。これによれば、半導体ウエハと厚みセンサとの距
離の変化があっても、センサ昇降機構により厚みセンサ
の高さ位置の調整を行なうことができ、適切な距離で半
導体ウエハの厚みを検出することができるようになる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を多数個の圧力セン
サのセンサチップを形成する半導体ウエハのエッチング
処理に適用した一実施例について、図１ないし図９を参
照しながら説明する。尚、この実施例でも、図７〜図９
に示したような、半導体ウエハ１をエッチング処理する
ことにより、各センサチップ２の凹部２ａを形成する場
合を例としている。従って、これら半導体ウエハ１やセ
ンサチップ２等は従来例で述べたものと共通するので、
新たな図示を省略し、符号を共通して使用することとす
る。

【００２５】図１は、本実施例に係るエッチング装置２
１の全体構成を示している。このエッチング装置２１
は、大きく分けて、半導体ウエハ１を保持するエッチン
グポット２２、このエッチングポット２２の下面側を支
持するエッチングベース２３、エッチングポット２２の
上面側に被せられるように設けられるエッチングヘッド
２４、を備えている。また、図示はしないが、このエッ
チング装置２１の全体を制御（生産管理）するマイコン
等からなる制御装置が設けられている。さらには、本実
施例では、後述する位置合せ治具２５（図６参照）も備
えている。以下、上記各部について詳述する。

【００２６】まず、前記エッチングポット２２の構成に
ついて図２及び図３も参照して述べる。このエッチング
ポット２２は、その底部を構成し前記半導体ウエハ１を
下から支持する支持ベース２６、この支持ベース２６に
載置状に設けられ前記半導体ウエハ１を加熱するための
加熱リング２７、周壁部を構成すると共に前記支持ベー
ス２６との間で半導体ウエハ１を挟付けて保持する押え
リング２８、前記支持ベース２６と押えリング２８とを
締結するための締結手段を構成するシリンダ２９等を備
えて構成される。

【００２７】図２等に示すように、前記支持ベース２６
は、例えばテフロン（ＰＴＦＥ）等の高い耐熱性及び耐
食性を有した合成樹脂からなり、前記半導体ウエハ１よ
りも十分大きな外径を有し且つ中央部に前記半導体ウエ
ハ１よりも径小な円形の貫通孔２６ａを有する比較的厚
肉な円板状に構成されている。

【００２８】前記加熱リング２７は、熱伝導性に優れ且
つ高い耐食性及び機械的強度を有し、更に半導体ウエハ
１と同等の熱膨張係数を有した金属、例えばニッケルか
らなり、前記支持ベース２６の貫通孔２６ａに嵌り込む
ような円筒状に構成されると共に、その上端部に前記半
導体ウエハ１の外径と同等の外径を有し外周部が上方に
若干量立上がる鍔状部２７ａが一体に形成されている。
また、この加熱リング２７は、後述する発熱体（リング
ヒータ）と熱的に接続される。

【００２９】これにて、前記半導体ウエハ１は、エッチ
ング面１ｂを上面として前記加熱リング２７の鍔状部２
７ａに外周縁部を揃えた状態で載置されることにより、
支持ベース２６に保持されるようになっている。このと
き、加熱リング２７の中空部及び支持ベース２６の貫通
孔２６ａによって、半導体ウエハ１の下面側は開放され
た状態となる。また、加熱リング２７によって、半導体
ウエハ１の下面側外周部を加熱することができるように
なっている。

【００３０】そして、前記支持ベース２６の上面には、
前記半導体ウエハ１（加熱リング２７）の外周側に位置
するようにして、やや深い嵌合凹部２６ｂが全周にリン
グ状に形成されている。さらに、支持ベース２６の下面
には、図３にも示すように、リング状凹部２６ｃが、幅
が広く且つ底の浅い状態で形成されている。このリング
状凹部２６ｃ内に、後述する位置決めプレート３０が設
けられるようになっている。

【００３１】前記押えリング２８は、前記支持ベース２
６と同等の材料からなり、上下方向に比較的短いほぼ円
筒状をなすと共に、その下半部側は、前記支持ベース２
６とほぼ同等の外径となるように外周方向に膨らんでい
る。そして、その下面側には、支持ベース２６の嵌合凹
部２６ｂの上半部に嵌り込むリング状のガイド凸部２８
ａが一体に設けられている。また、押えリング２８の下
部内周部には、パッキン保持部２８ｂが設けられ、この
パッキン保持部２８ｂにパッキン３１が取付けられてい
る。このパッキン３１は、耐食性を有したゴム等の弾性
体から、内周形状が前記半導体ウエハ１の外周形状に対
応したリング状に構成されている。

【００３２】この押えリング２８は、前記ガイド凸部２
８ａが、前記嵌合凹部２６ｂに嵌込まれることにより、
前記支持ベース２６に対して位置合せ状態に重ね合せら
れる。このとき、加熱リング２７上に載置された半導体
ウエハ１の上面の外周縁部（センサチップ２の形成部分
の外側部位）に、前記パッキン３１の内周部下部が当接
してシールするようになる。そして、この状態では、押
えリング２８の下面外周部と、支持ベース２６の上面外
周部とが、上下に所定の隙間を介して対向するようにな
り、この隙間部分に、前記シリンダ２９が配置される。

【００３３】このシリンダ２９は、例えばゴム等の弾性
材からリング状に構成され、断面がほぼ正方形状をなす
と共に、上面の内周縁部及び外周縁部、並びに、下面の
内周縁部及び外周縁部に、４方向にいわば断面Ｘ字状に
張出したシールリップ２９ａを一体に有して構成されて
いる。また、このシリンダ２９には、上下に貫通する連
結孔２９ｂが、例えば円周方向に等間隔に８個形成され
ている。

【００３４】このシリンダ２９の上面側の２つのシール
リップ２９ａにより、前記押えリング２８の外周下面側
に、密閉された真空ポケット３２が形成され、下面側の
２つのシールリップ２９ａにより、前記支持ベース２６
の外周上面側に、密閉された真空ポケット３３が形成さ
れ、それらが前記連結孔２９ｂによってつながった状態
とされる。そして、図示しない真空ポンプにより、前記
真空ポケット３２，３３内が真空（減圧）状態とされる
ようになっており、もってシリンダ２９が弾性的に変形
しながら、押えリング２８と支持ベース２６とが相互に
引寄せられる方向に引張られて締結されるようになるの
である。このときの締結力は全周に均等に作用するよう
になる。

【００３５】これにより、半導体ウエハ１を保持したエ
ッチングポット２２が構成されるようになり、このエッ
チングポット２２内には、半導体ウエハ１のエッチング
面１ｂを内底面とし、押えリング２８の内周壁を内壁と
したエッチング処理室３４が形成されるのである。この
エッチング処理室３４内には、例えばＫＯＨ等のエッチ
ング液３５（図１参照）や洗浄用の純水が収容されるよ
うになっている。これにて、エッチングポット２２が半
導体ウエハ１を保持するマスキング用の治具として機能
すると共に、エッチング処理用の容器としても機能する
のである。

【００３６】さて、前記支持ベース２６の下面部（リン
グ状凹部２６ｃ内）に設けられる位置決めプレート３０
部分について述べる。ここで、図１及び図２（並びに図
６）は、便宜上、エッチングポット２２を図３のＡ−Ａ
線に沿う断面で示しており、縦断正面図（右半部）と、
縦断右側面図（左半部）とを中心で合体させた形態で示
している。図３にも示すように、この位置決めプレート
３０は、例えば金属から薄形のリング状に形成され、前
記リング状凹部２６ｃの溝幅寸法よりも小さいリング幅
寸法、つまりリング状凹部２６ｃの内周側より大きい内
径を有し且つ外周側よりも小さい外径を有している。

【００３７】一方、前記支持ベース２６には、図３に示
すように、下面側のリング状凹部２６ｃと上面側の嵌合
凹部２６ｂとをつなぐように、３個の取付穴２６ｄが形
成されている。これら３個の取付穴２６ｄは、図で右側
及びそれと９０度離れた前側（図３で上側）並びに、そ
れらと等間隔に離れた左後ろ側（図３で左下側）の３か
所に位置して形成されている。そして、これら３個の取
付穴２６ｄには、夫々金属製のジョイントピン３６，３
７，３８が、その頭部が嵌合凹部２６ｂの下部に位置す
るように上方から差込まれており、前記位置決めプレー
ト３０はそれらジョイントピン３６，３７，３８の下端
部に連結固定されている。

【００３８】このとき、ジョイントピン３６，３７，３
８の外径寸法に比べて、各取付穴２６ｄの内径寸法の方
が大きく構成されているため、ジョイントピン３６，３
７，３８は取付穴２６ｄ内を水平方向に若干量の移動が
可能とされ、これにより、位置決めプレート３０は、リ
ング状凹部２６ｃ内を若干量の移動が可能に取付けられ
ているのである。ちなみに、本実施例では、位置決めプ
レート３０は、左右方向（Ｘ軸方向）及び前後方向（Ｙ
軸方向）に夫々±２ｍｍ程度の移動が可能に取付けられ
ている。

【００３９】そして、この支持ベース２６には、位置決
めプレート３０の取付位置を調整する位置調整手段とし
ての、Ｘ軸方向調整機構３９及びＹ軸方向調整機構４０
が組込まれている。即ち、前記ジョイントピン３６の軸
部の中間部には、ねじ穴３６ａがＸ軸方向に貫通して形
成されており、支持ベース２６には、外周面右側部で開
口し内周側に向けてＸ軸方向に延びるねじ挿通穴２６ｅ
が、そのねじ穴３６ａと連続するように形成されてい
る。そして、前記ねじ挿通穴２６ｅを通して前記ねじ穴
３６ａに螺合するＸ軸方向移動ねじ４１が、支持ベース
２６の外周面右側部に取付けられた基準ナックル４２に
支持されて設けられている。

【００４０】これにて、Ｘ軸方向調整機構３９が構成さ
れ、Ｘ軸方向移動ねじ４１の基端部のつまみ部を回転さ
せることにより、ジョイントピン３６のＸ軸方向位置ひ
いては位置決めプレート３０のＸ軸方向位置を調整する
ことができるようになっている。尚、Ｘ軸方向移動ねじ
４１は、ねじ挿通穴２６ｅに対して前後方向（Ｙ軸方
向）に若干量のがたが許容された状態で配置されるよう
になっている。

【００４１】同様に、前記ジョイントピン３７の軸部の
中間部には、ねじ穴３７ａがＹ軸方向に貫通して形成さ
れており、支持ベース２６には、外周面前側部で開口し
内周側に向けてＹ軸方向に延びるねじ挿通穴２６ｆが、
そのねじ穴３７ａと連続するように形成されている。そ
して、前記ねじ挿通穴２６ｆを通して前記ねじ穴３７ａ
に螺合するＹ軸方向移動ねじ４３が、支持ベース２６の
外周面前側部に取付けられた基準ナックル４４に支持さ
れて設けられている。

【００４２】これにて、Ｙ軸方向調整機構４０が構成さ
れ、Ｙ軸方向移動ねじ４３の基端部のつまみ部を回転さ
せることにより、ジョイントピン３７のＹ軸方向位置ひ
いては位置決めプレート３０のＹ軸方向位置を調整する
ことができるようになっている。尚、この場合も、Ｙ軸
方向移動ねじ４３は、ねじ挿通穴２６ｆに対して左右方
向（Ｘ軸方向）に若干量のがたが許容された状態で配置
されるようになっている。

【００４３】このように構成されたＸ軸方向調整機構３
９及びＹ軸方向調整機構４０により、位置決めプレート
３０の支持ベース２６（エッチングポット２２に対す
る）前左右方向、つまり半導体ウエハ１の面方向（水平
方向）の取付位置の調整が可能とされているのである。
この位置決めプレート３０の取付位置の調整は、後述す
るように位置合せ治具２５を用いて行なわれるようにな
っている。

【００４４】そして、前記位置決めプレート３０には、
位置決め穴３０ａが直径方向の両端側の２か所に位置し
て形成されている。尚、図３に示すように、これら位置
決め穴３０ａの形成位置は、ジョイントピン３６，３７
の取付け位置とは本来異なるものであるが、図１及び図
２（並びに図６）では、便宜上、同一の断面に存在する
ように図示されている。

【００４５】次に、前記エッチングベース２３の構成に
ついて、図１を参照して述べる。このエッチングベース
２３は、例えばテフロン等の高い耐熱性及び耐食性を有
した材料からなり、設置面上に水平に載置される設置部
２３ａの上部に、前記エッチングポット２２（支持ベー
ス２６）を支持する支持台部２３ｂを有した円筒状に構
成されている。また、前記支持台部２３ｂの中央部に
は、前記支持ベース２６の貫通孔２６ａに対応してそれ
より僅かだけ径小な円形孔２３ｃが形成されている。
尚、前記設置部２３ａと支持台部２３ｂとの接合部分に
は、Ｏリング４５が設けられ、気密にシールされてい
る。

【００４６】そして、前記支持台部２３ｂの直径方向の
両端側の２か所には前記位置決めプレート３０の位置決
め穴３０ａに対応して、２個の位置決めピン４６が上下
に貫通するように設けられている。これら位置決めピン
４６は、その下端部が、前記支持台部２３ｂの裏面側に
設けられたリング状の基準プレート４７に固定されてお
り、上端部が前記位置決め穴３０ａに挿入により嵌合さ
れるように設けられている。このとき、位置決めピン４
６はニッケル等の金属から構成され、基準プレート４７
も、ＳＵＳ３０４等の金属から構成されている。尚、こ
れら位置決めピン４６と支持台部２３ｂの貫通孔との間
にも、Ｏリング４８が設けられて気密性が確保されてい
る。

【００４７】また、このエッチングベース２３の内部に
は、前記加熱リング２７を加熱するための加熱ユニット
４９、この加熱ユニット４９を上下動させるための主昇
降部５０、前記加熱ユニット４９に設けられ前記半導体
ウエハ１の厚みを検出する厚みセンサ５１、この厚みセ
ンサ５１の前記加熱ユニット４９に対する上下位置を調
整するセンサ昇降機構たるセンサ高さ調整機構５２が設
けられる。

【００４８】そのうち加熱ユニット４９は、熱伝導性の
良い金属から下面が開口した円筒状に構成された発熱ケ
ース５３、この発熱ケース５３の内周部に設けられた発
熱体たるリングヒータ５４、このリングヒータの内側に
設けられた断熱リング５５、前記発熱ケース５３の上面
部に取付けられた断熱プレート５６を備えて構成されて
いる。前記発熱ケース５３は、前記支持台部２３ｂの円
形孔２３ｃの内径に対応した外径を有し、その円形孔２
３ｃの内周面を上下に摺動可能に設けられている。この
摺動面にもＯリング５７が設けられている。

【００４９】前記主昇降部５０は、エッチングベース２
３の内底部に設けられた昇降シリンダ５８、この昇降シ
リンダ５８のロッドに取付けられた昇降プレート５９、
この昇降プレートから上方に延びて設けられた複数本の
支柱６０、これら支柱６０の上端に取付けられ前記加熱
ユニット４９（発熱ケース５３）の下端部に連結される
取付プレート６１を備えている。これにて、前記昇降シ
リンダ５８の駆動により、加熱ユニット４９は、図示し
たような上昇位置と、図示しない下降位置との間で上下
動されるようになっているのである。このとき、加熱ユ
ニット４９の上昇位置では、前記加熱リング２７の下面
部が、加熱ユニット４９の上昇ストッパとして機能する
のである。

【００５０】この加熱ユニット４９の上昇位置では、発
熱ケース５３の上面が加熱リング２７の下面に当接して
熱的に接続されるようになっていると共に、前記断熱プ
レート５６が加熱リング２７の内周部に位置され、その
断熱プレート５６の中心を上下に貫通するように設けら
れた前記厚みセンサ５１の上端部が、前記半導体ウエハ
１の下面側に所定量だけ離間して位置されるようになっ
ている。

【００５１】このとき、図示しないガイドロッドによ
り、前記昇降プレート５９ひいては加熱ユニット４９
は、前記基準プレート４７つまり位置決めピン４６に対
して、一定の水平方向位置を保った状態で上下動される
ようになっており、もって基準プレート４７つまり位置
決めピン４６に対する厚みセンサ５１の水平方向位置
が、常に一定の位置関係（中心に来る）を保つようにさ
れている。

【００５２】前記厚みセンサ５１は、図４，図５にも示
すように、前記半導体ウエハ１の所定の測定点ｋの厚み
を、半導体ウエハ１の下面（回路面１ａ）側から非接触
で検出するものである。その原理については、本出願人
の先の出願に係る特開平７−３０６０１８号公報に詳し
いので、詳しい説明は省略するが、先端から半導体を透
過する光ビーム（例えば赤外線）Ｂを、波長を変化させ
ながら照射し、半導体ウエハ１の底面で反射する反射光
と表面で反射する反射光との干渉光を検出して、その干
渉光の位相あるいは周期の変化から半導体ウエハ１の測
定点ｋの実際の厚みを直接的に検出するものである。

【００５３】そして、この厚みセンサ５１は、前記断熱
リング５５の内周部に配置されたセンサホルダ６２に支
持されて、前記断熱プレート５６を上下に貫通するよう
に設けられている。前記センサホルダ６２は、前記昇降
プレート５９から上方に延びて設けられたガイドバー６
３に沿って上下動可能に設けられ、前記センサ高さ調整
機構５２により上下動されることにより、前記厚みセン
サ５１の半導体ウエハ１に対する上下方向位置（焦点距
離）が微調整されるようになっている。尚、断熱プレー
ト５６と厚みセンサ５１との間にもシール用のＯリング
６４が設けられている。

【００５４】前記センサ高さ調整機構５２は、前記昇降
プレート５９に上方に延びて回転可能に設けられ前記セ
ンサホルダ６２に螺合して上下動させる昇降ねじ６５、
前記昇降プレート５９に取付けられたサーボモータ６
６、このサーボモータ６６の回転を前記昇降ねじ６５に
伝達する歯車機構６７から構成されている。これにて、
前記サーボモータ６６により昇降ねじ６５が回転され、
前記センサホルダ６２ひいては厚みセンサ５１が、加熱
ユニット４９に対して上下動するのである。このとき、
図１に概略的に示すように、前記厚みセンサ５１の検出
信号は、前記制御装置の一部を構成する厚み評価ユニッ
ト６８に入力され、この厚み評価ユニット６８が、常に
厚みセンサ５１の最適な焦点を得るように前記サーボモ
ータ６６をフィードバック制御するようになっているの
である。

【００５５】次いで、前記エッチングヘッド２４につい
て、図１を参照して述べる。このエッチングヘッド２４
は、前記エッチングポット２２の押えリング２８の上面
開口部を一部が嵌り込んだ状態に塞ぐ蓋状をなし、ヘッ
ドシール６９を挟んでエッチングポット２２上に載置さ
れる。このエッチングヘッド２４には、前記エッチング
処理室３４内に連通するエッチング液供給口２４ａ及び
洗浄水供給口２４ｂが設けられていると共に、エッチン
グ処理室３４内の液を排出するための排液口２４ｃが設
けられている。

【００５６】詳しく図示はしないが、前記エッチング液
供給口２４ａには、エッチング処理室３４内にエッチン
グ液（ＫＯＨ）３５を調整された温度で供給するための
エッチング液供給機構７０が接続されている。また、前
記洗浄水供給口２４ｂには、エッチング処理室３４内に
洗浄水（純水）を供給するための洗浄水供給機構７１が
接続されている。さらに、図示はしないが、前記排液口
２４ｃには、エッチング処理室３４内の液を強制排出す
るための排液装置（例えばエゼクタ等の真空排液装置）
が接続されている。

【００５７】そして、このエッチングヘッド２４には、
エッチング処理室３４内のエッチング液３５を撹拌する
ための、モータ７２ａ及び撹拌羽根７２ｂからなる撹拌
機７２が設けられていると共に、エッチング液３５を加
熱するためのヒータ７３が設けられている。図示はしな
いが、エッチング液３５の温度を検出するための温度セ
ンサも設けられている。

【００５８】さらに、このエッチングヘッド２４には、
電気化学ストップエッチングを行なう際に使用される電
極７４が設けられている。この電極７４は、スイッチ７
５、直流電源７６、電流検出器７７の直列接続回路の一
端に接続されている。図示はしないが、その直列接続回
路の他端側は、前記エッチングポット２２の支持ベース
２６に設けられ半導体ウエハ１に接触する給電電極に接
続されるようになっている。尚、エッチングヘッド２４
の前記撹拌機７２及びヒータ７３並びに電極７４の取付
部分には、夫々Ｏリング７８が設けられている。

【００５９】以上のように構成されたエッチング装置２
１の各機構は、後の作用説明にて述べるように、前記制
御装置により、運転プログラム及び予め設定された製品
・処理条件（製品種類、測定点ｋの位置、凹部２ａにお
ける目標厚みＴ、温度等のエッチング条件など）に基づ
いて制御され、もって、予備加熱工程、エッチング工
程、洗浄工程等からなるエッチング処理を実行するよう
になっている。

【００６０】次に、上記構成の作用について、前記位置
合せ治具２５の構成と併せて述べる。半導体ウエハ１に
対するエッチング処理を行なうにあたっては、まず、そ
の準備段階として、エッチングポット２２に半導体ウエ
ハ１をセットする作業が行なわれると共に、エッチング
ポット２２（支持ベース２６）に対して位置決めプレー
ト３０を位置決めする作業が行なわれる。尚、このとき
には、既に半導体ウエハ１の回路面１ａには所定の回路
が形成され、エッチング処理面１ｂは、凹部２ａ形成部
分を除いてマスク３により覆われている。

【００６１】エッチングポット２２に半導体ウエハ１を
セットするには、まず、支持ベース２６（加熱リング２
７）上に半導体ウエハ１をエッチング面１ｂを上面とし
て載置し、次いで、その支持ベース２６に対し、押えリ
ング２８を外周部にシリンダ２９を挟んで重ねるように
配置し、この後、シリンダ２９により形成される真空ポ
ケット３２，３３内を真空状態として、押えリング２８
と支持ベース２６とを締結させる。

【００６２】これにて、図１，図２に示すように、半導
体ウエハ１は、その上面の外周縁部がパッキン３１によ
ってシールされてエッチング面１ｂ以外の部分がマスキ
ングされた状態でエッチングポット２２に支持され、以
て、半導体ウエハ１のエッチング面１ｂを内底面とし、
押えリング２８の内周面を内壁としたエッチング処理室
３４が構成される。このとき、シリンダ２９により半導
体ウエハ１の外周縁部全周が均等な力で締結され、半導
体ウエハ１は安定した状態で保持されるようになる。ま
た、半導体ウエハ１の下面外周部は、加熱リング２７に
熱的に接続されるようになる。

【００６３】次いで、エッチングポット２２に対する位
置決めプレート３０の位置決め作業が行なわれるのであ
るが、この位置決めは、図６に示すように、エッチング
ポット２２を上下反転した状態とし、その上に、位置合
せ治具２５を配置して行なわれる。この位置合せ治具２
５は、プレート７９、このプレート７９の両端側に下向
きに取付けられた２本の位置決めピン８０、プレート７
９の中心に下向きに取付けられた拡大カメラ８１を備え
てなり、前記２個の位置決めピン８０を、夫々位置決め
プレート３０の位置決め穴３０ａに挿入した状態にセッ
トされる。

【００６４】そして、この状態で、前記拡大カメラ８１
は半導体ウエハ１の中心部分を撮影し、その拡大画像が
モニタ８２に表示されるようになっている。モニタ８２
の画面の中心位置には、マーカ（照準）８３が設けられ
ている。このとき、プレート７９に対する位置決めピン
８０の位置及びカメラ８１の視野の中心位置は、前記エ
ッチングベース２３に設けられた基準プレート４７に対
する位置決めピン４６の位置及び厚みセンサ５１の中心
位置に一致するように設定されている。

【００６５】この場合、前記Ｘ軸方向移動ねじ４１及び
Ｙ軸方向移動ねじ４３が操作されると、エッチングポッ
ト２２つまり半導体ウエハ１に対して位置決めプレート
３０が左右前後方向に夫々移動されるので、作業者は、
モニタ８２の画像を見ながらそれらねじ４１，４３を操
作して、半導体ウエハ１の測定点ｋが、マーカ８３の中
心に一致するように位置決めプレート３０の位置を調整
する。このとき、マスク３は回路面１ａに対して相対的
に位置決めされて形成されているので、回路面１ａの回
路パターンから半導体ウエハ１の測定点ｋを特定するこ
とができる。

【００６６】なお、前記測定点ｋは、圧力センサチップ
２の場合には、図４，図５，図８に示すように、半導体
ウエハ１の中心部に位置する所定のセンサチップ２の凹
部２ａの中心位置となり、加速度センサチップ２の場合
には、図９に示すように、凹部２ａのうち一つのコーナ
ー部分になる。この位置合せの精度は、例えば±０．０
５ｍｍの精度で実行することができ、例えば凹部２ａの
一辺が１ｍｍ以下のセンサチップ２でも高精度に位置決
めすることが可能となる。

【００６７】このように位置決めプレート３０の位置調
整が完了すると、位置合せ治具２５を取外し、エッチン
グポット２２を正規の上下向きとして、前記エッチング
ベース２３上にセットすることが行なわれる。このとき
には、位置決めプレート３０の位置決め穴３０ａに、位
置決めピン４６を挿入した状態とされるのであるが、上
記したように位置決めプレート３０がエッチングポット
２２に対して位置決めされていることにより、厚みセン
サ５１の中心が、半導体ウエハ１の測定点ｋに一致する
ように位置合せされるようになるのである。また、これ
と共に、エッチングポット２２の上部にエッチングヘッ
ド２４がセットされ、エッチング装置２１が構成され
る。

【００６８】エッチング処理が開始されると、まず主昇
降部５０によって加熱ユニット４９が加熱リング２７に
当接するまで上昇されて加熱リング２７に対する熱伝達
が可能な状態となる。また、リングヒータ５４（加熱ユ
ニット４９）は予め設定された温度に調整された状態と
され、これにて、加熱リング２７を加熱する予備加熱が
行なわれる。このとき、加熱ユニット４９が加熱リング
２７に当接するまで上昇することにより、厚みセンサ５
１が加熱リング２７ひいては半導体ウエハ１に対して上
下方向に適切な高さ離れた位置に配置されるようになる
と共に、図４及び図５に示すように、厚みセンサ５１
が、測定点ｋの真下に来るように位置される。

【００６９】さらに、前記厚み評価ユニット６８により
センサ高さ調整機構５２が制御されて、厚みセンサ５１
の高さ位置が、半導体ウエハ１の下面に対して適切な焦
点距離となるように、厚みセンサ５１の高さ位置の微調
整がなされる。尚、焦点距離が合わない場合や、計測厚
みが製品種類に応じた値と異なる場合には、エラーとな
り警報を発生してその後の処理を中止する。

【００７０】予備加熱の工程後、図１に示すように、エ
ッチング液供給機構７０により、温度，濃度が調整され
たエッチング液３５がエッチング液供給口２４ａからエ
ッチング処理室３４内に供給されてエッチング工程が開
始される。このエッチング工程では、撹拌機７２により
エッチング液３５が撹拌されると共に、温度センサの検
出に基づいてヒータ７３が制御され、エッチング液３５
は適切な温度に維持される。これにて、半導体ウエハ１
のエッチング面１ｂのうちマスク３の存在しない部分が
食刻され、凹部２ａが次第に深く形成されていくように
なる。

【００７１】しかして、上記予備加熱工程及びエッチン
グ工程の初期（エッチング液３４が供給されてから全体
の温度が安定するまで）には、エッチングポット２２の
各部（特に合成樹脂製の部分）やエッチングベース２３
が熱膨張する事情がある。ところが、本実施例では、加
熱リング２７、加熱ユニット４９の発熱ケース５３、位
置決めプレート３０やジョイントピン３６〜３８、基準
プレート４７及び位置決めピン４６は、全て温度変化に
対する寸法安定性に優れた金属製とされているので、半
導体ウエハ１の面方向（水平方向）に関する測定点ｋと
厚みセンサ５１との位置合せ状態が維持され、高い位置
決め精度が確保されるのである。

【００７２】また、各部の上下方向に対する熱膨張や半
導体ウエハ１自体の熱歪みやたわみ等により、半導体ウ
エハ１と厚みセンサ５１との高さ方向の位置（焦点距
離）について変化を招く虞がある。そこで、本実施例で
は、エッチング液３５の温度が安定した状態（熱変形が
停止した状態）で、前記厚み評価ユニット６８によりセ
ンサ高さ調整機構５２が制御されて、厚みセンサ５１の
高さ位置の再調整がなされるようになっている。

【００７３】さて、このエッチング工程においては、前
記厚みセンサ５１により半導体ウエハ１の測定点ｋの厚
みの検出が継続的に行なわれる。このとき、本実施例で
は、厚みセンサ５１により検出された厚みを、例えば実
験的に求められ予め設定されている予測値と比較し、そ
れらがほぼ一致していることがモニタリングされながら
エッチング工程を進行させるようになっている。尚、厚
みセンサ５１により検出された厚みが予測値とかけ離れ
た値となって場合には、エッチングの進行あるいは厚み
センサ５１に異常があったと判断し、半導体ウエハ１を
救済すべく、処理が停止されるようになっている。

【００７４】そして、エッチングが正常に進行し、厚み
センサ５１が目標厚みＴを検出した時点で（実際にはエ
ッチング停止までのタイムラグを考慮して目標厚みＴと
なる手前の時点で）、ヒータ７３が停止されると共に、
洗浄水供給機構７１を動作させて洗浄水供給口２４ｂか
ら、エッチング処理室３４内に洗浄水が供給されエッチ
ング液３５が希釈，冷却されてエッチングが停止され
る。このとき、エッチング処理室３４内の液は、排液口
２４ｃから強制排出されるようになる。

【００７５】厚みセンサ５１の検出厚みに変化がなくな
ったことが確認された時点で、エッチング工程が終了し
たと判断され、加熱ユニット４９が下降されると共に、
さらにエッチング処理室３４内に洗浄水を供給しながら
撹拌する洗浄工程が実行される。半導体ウエハ１のエッ
チング面１ｂの所定の清浄度が得られるまで（例えば３
分間）洗浄工程が実行され、その後、洗浄水が排液口２
４ｃから強制排出される。しかる後、その半導体ウエハ
１がエッチングポット２２から取出されて処理が完了す
る。

【００７６】このように本実施例によれば、従来の時間
管理方式や電気化学ストップエッチングの方式と異な
り、厚みセンサ５１によりエッチング中の半導体ウエハ
１の測定点ｋの実際の厚みを直接的に把握してエッチン
グ工程の停止時点を制御することができる。この結果、
従来のようなエッチング工程を複数回に分けて行なう必
要はなくなり、１回の処理で、半導体ウエハ１の凹部２
ａ部分の厚みの制御を高精度で行なうことができる。ち
なみに、本実施例では、半導体ウエハ１間での凹部２ａ
部分の厚みばらつきを、±０．５μｍ以下と飛躍的に改
善することができた。

【００７７】そして、本実施例では、位置決めプレート
３０を介してエッチングポット２２がエッチングベース
２３に対して位置決め支持されることにより、厚みセン
サ５１が半導体ウエハ１の所定の測定点ｋの厚みを検出
するように水平方向に位置合せされる構成としたので、
半導体ウエハ１の測定点ｋと厚みセンサ５１との位置合
せを高精度で行なうことができるという優れた効果を得
ることができる。

【００７８】このとき、半導体ウエハ１を支持する加熱
リング２７、厚みセンサ５１を保持する加熱ユニット４
９（発熱ケース５３）、位置決めプレート３０やジョイ
ントピン３６〜３８、基準プレート４７及び位置決めピ
ン４６は、全て温度変化に対する寸法安定性に優れた金
属製とされているので、各部の熱膨張・収縮があって
も、水平方向に関する半導体ウエハ１の測定点ｋと厚み
センサ５１との高い位置合せ精度が確保され、ひいては
厚みセンサ５１により常に正確な厚み検出を行なうこと
ができ、信頼性の高いものとなる。しかも、センサ高さ
調整機構５２などにより、上下方向にも半導体ウエハ１
と厚みセンサ５１とを高精度で位置合せすることができ
る。

【００７９】さらに、本実施例のエッチング装置２１に
よれば、制御装置に製品・処理条件（製品種類、測定点
ｋの位置、凹部２ａにおける目標厚みＴ、温度等のエッ
チング条件など）を設定することにより、製品の厚みや
チップパターンの相違する多くの種類の製品に対応する
ことができ、それらに対するエッチング及び洗浄の工程
を自動で連続して行なうことができるといったメリット
も得ることができるものである。

【００８０】尚、上記実施例では、エッチングポット２
２に対する位置決めプレート３０の位置決めを、位置合
せ治具２５を用いて人的に行なうようにしたが、パター
ン認識装置等を組込むことにより自動化することも可能
であり、さらには、エッチング装置自体に、自動位置決
め機構を組込む構成とすることも可能である。エッチン
グポット２２に対する位置決めプレート３０の可動範囲
についても、±２ｍｍとしたのは一例に過ぎず、製品に
よって自在に変更することができる。また、位置決めプ
レート３０や基準プレート４７及び位置決めピン４６の
材質としては、金属に代えて、温度変化に対する寸法安
定性に優れたセラミックを採用することもでき、同様の
作用・効果を得ることができる。

【００８１】その他、エッチングの停止方法としては、
例えばエッチングポット２２を上下反転させて（あるい
は傾けて）エッチング液３５を排出し、その後シャワー
状に半導体ウエハ１のエッチング面１ｂに洗浄水を吹付
けるといった方法でも良い。また、加熱リング２７や加
熱ユニット４９については、必要に応じて設ければ良
く、さらには、圧力センサや加速度センサのセンサチッ
プの製造以外にも、エッチング処理全般に適用すること
ができる等、本発明は要旨を逸脱しない範囲内で、適宜
変更して実施し得るものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示すもので、エッチング装
置の全体構成を示す縦断面図

【図２】エッチングポットの構成を示す縦断面図（図３
のＡ−Ａ線に沿う断面図）

【図３】エッチングポットの底面図

【図４】半導体ウエハの測定点と厚みセンサとの関係を
示す拡大縦断面図

【図５】半導体ウエハの測定点と厚みセンサとの関係を
示す斜視図

【図６】位置決めプレートの位置決め作業時の様子を示
す縦断面図

【図７】半導体ウエハの概略的な平面図（ａ）及び縦断
面図（ｂ）

【図８】圧力センサチップの平面図（ａ）及び縦断面図
（ｂ）

【図９】加速度センサチップの平面図（ａ）及び縦断面
図（ｂ）

【図１０】従来のエッチング装置の構成を概略的に示す
図

【図１１】エッチング深さとエッチング時間との関係を
示す図

【図１２】電気化学ストップエッチングにおける時間経
過に伴う電流値の変化の様子を示す図

【符号の説明】

図面中、１は半導体ウエハ、１ｂはエッチング面、２は
センサチップ、２ａは凹部、２１はエッチング装置、２
２はエッチングポット、２３はエッチングベース、２４
はエッチングヘッド、２５は位置合せ治具、２６は支持
ベース、２７は加熱リング、２８は押えリング、２９は
シリンダ、３０は位置決めプレート、３４はエッチング
処理室、３５はエッチング液、３９はＸ軸方向調整機構
（位置調整手段）、４０はＹ軸方向調整機構（位置調整
手段）、４６は位置決めピン、４７は基準プレート、４
９は加熱ユニット、５０は主昇降部、５１は厚みセン
サ、５２はセンサ高さ調整機構（センサ昇降機構）、５
３は発熱ケース、５４はリングヒータ（発熱体）、ｋは
測定点を示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 吉次 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式 会社デンソー内 (72)発明者 石原 康生 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式 会社デンソー内 (56)参考文献 特開 平11−154663（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−176880（ＪＰ，Ａ) 特開2000−277483（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/306,21/308

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハを下面側を開放させた状態
   で保持し、その保持状態で前記半導体ウエハの上面のエ
   ッチング面を内底面としたエッチング処理室を構成する
   エッチングポットと、このエッチングポットの下面側を
   支持するエッチングベースとを備えるエッチング装置で
   あって、 前記エッチングポットの下面部に取付けられた位置決め
   プレートと、 この位置決めプレートの前記エッチングポットに対する
   前後左右方向の取付け位置を調整する位置調整手段と、 前記エッチングベースに設けられ前記エッチングポット
   に保持された半導体ウエハの厚みを下面側から非接触で
   検出する厚みセンサとを具備すると共に、 前記位置決めプレートによって前記エッチングポットが
   前記エッチングベースに対して位置決め支持されること
   により、前記厚みセンサが前記半導体ウエハの所定の測
   定点の厚みを検出するように位置合せされることを特徴
   とするエッチング装置。
2. 【請求項２】 前記エッチングベースに対するエッチン
   グポットの位置決めは、該エッチングベースの所定位置
   に設けられた複数の位置決めピンが、前記位置決めプレ
   ートの所定位置に形成された複数の位置決め穴に夫々挿
   入されることにより行なわれることを特徴とする請求項
   １記載のエッチング装置。
3. 【請求項３】 前記位置決めピンは、前記エッチングベ
   ースに設けられた基準プレートに取付けられ、それら基
   準プレート及び位置決めピン並びに前記位置決めプレー
   トは、金属又はセラミック製であることを特徴とする請
   求項２記載のエッチング装置。
4. 【請求項４】 前記半導体ウエハの下面に対して近接及
   び離間する方向に移動可能な主昇降部が前記エッチング
   ベースに設けられ、前記厚みセンサは前記主昇降部に取
   付けられていることを特徴とする請求項１ないし３のい
   ずれかに記載のエッチング装置。
5. 【請求項５】 前記エッチングポットは、前記半導体ウ
   エハの下面の外周縁部を加熱可能に保持する加熱リング
   を備え、その加熱リングが前記主昇降部の上昇ストッパ
   として機能することを特徴とする請求項４記載のエッチ
   ング装置。
6. 【請求項６】 前記主昇降部は発熱体を備えて構成さ
   れ、該主昇降部が前記加熱リングに当接することによ
   り、前記発熱体の熱が前記加熱リングに対して伝達され
   ることを特徴とする請求項５記載のエッチング装置。
7. 【請求項７】 前記発熱体は発熱ケース内に収容され、
   その発熱ケースが前記加熱リングに当接すると共に、そ
   れら発熱ケース及び加熱リングは金属製であることを特
   徴とする請求項６記載のエッチング装置。
8. 【請求項８】 前記厚みセンサを、前記主昇降部に対し
   て該主昇降部の移動方向と同じ方向に移動可能とするた
   めのセンサ昇降機構を備えることを特徴とする請求項４
   ないし７のいずれかに記載のエッチング装置。