KR100683117B1 - 이온주입설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법 및이를 수행하기 위한 장치 - Google Patents

이온주입설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법 및이를 수행하기 위한 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100683117B1
KR100683117B1 KR1020010027068A KR20010027068A KR100683117B1 KR 100683117 B1 KR100683117 B1 KR 100683117B1 KR 1020010027068 A KR1020010027068 A KR 1020010027068A KR 20010027068 A KR20010027068 A KR 20010027068A KR 100683117 B1 KR100683117 B1 KR 100683117B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
platen
guide plate
ion implantation
measuring
contact
Prior art date
Application number
KR1020010027068A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020088141A (ko
Inventor
채승원
허병도
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020010027068A priority Critical patent/KR100683117B1/ko
Publication of KR20020088141A publication Critical patent/KR20020088141A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100683117B1 publication Critical patent/KR100683117B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/20Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202Movement
    • H01J2237/20207Tilt

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 장치 및 방법이 개시되어 있다. 챔버내에 이온 주입부 및 플레튼이 구비되는 이온 주입 설비에서 상기 플레튼의 틸트 편차를 확인하는 장치는, 상기 플레튼의 상부면 전체를 커버하면서, 상기 플레튼과 접촉하도록 장착되는 가이드 판과, 상기 가이드 판의 상부면의 소정 지점과 상기 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽간의 이격 거리를 측정하는 측정 부재를 포함한다. 상기 측정 부재는 이동 가능한 접촉 팁이 구비하여 상기 가이드 판의 상부면과 직접 접촉하여 상기 이격 거리를 측정한다. 따라서 상기 이격 거리를 정확히 측정하여 플레튼의 틸트 편차를 측정할 수 있다.

Description

이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법 및 이를 수행하기 위한 장치{Method for measuring tilt difference of platen in ion implant system and apparatus for the same}
도 1은 종래에 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2a 내지 도 2b 및 3a 내지 3b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 장치를 설명하기 위한 단면도 및 평면도들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법을 나타내는 도면들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
20 : 접촉부 22 : 본체
24 : 접촉팁 26 : 지지대
28 : 거리 표시부 30 : 가이드 판
32 : 고정용 핀 34 : 라인
본 발명은 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼가 놓여지는 플레튼의 양단간의 틸트 편차를 측정하는 방법 및 이를 수행하기 위한 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 실리콘으로 형성되는 반도체 기판 상에 리소그래피, 노광, 이온주입, 화학 기계적 연마(chemical and mechanical polishing), 화학 또는 물리적 증착 및 플라즈마 에칭 등과 같은 일련의 단위 공정들을 수행하여 제조된다. 그런데, 최근의 반도체 장치는 고집적화되면서 동시에 고속 동작을 요구하기 때문에 상기 각각의 단위 공정 기술들은 이에 부응하여 발전되고 있다.
상기 단위 공정 기술 중에서 이온 주입 공정은 반도체 기판의 소정 부위에 불순물 이온을 주입하여 트랜지스터의 소오스(source), 드레인(drain)을 형성하는 공정이다. 상기 이온 주입 공정에서의 주요한 기술은 상기 불순물 이온을 균일한 깊이로 주입하여, 상기 소오스 및 드레인을 형성시키는 것이다. 상기 불순물 이온은 반도체 기판을 이루는 실리콘의 결정 구조에 따른 채널링 효과(channeling effect)에 의해 불균일한 깊이로 주입되기 때문에, 이를 방지하기 위해 상기 반도체 기판을 소정 각도로 틸트(tilt)시킨 상태에서 상기 불순물 이온을 주입한다.
즉, 상기 불순물 이온이 균일한 깊이로 주입되기 위해서는 상기 웨이퍼를 설정되어 있는 정확한 각도(예컨대 7°)로 틸트시킨 후 공정을 수행하여야만 한다. 이를 위하여 상기 이온 주입을 수행하기 위한 설비를 주기적으로 점검하여, 상기 장치에서 웨이퍼를 정확히 틸트시키는 지를 확인하여야만 한다.
상기 이온 주입 설비는 표면이 절연체로 형성되는 플레튼에 웨이퍼가 잡혀있고(clamping), 상기 플레튼을 구동하여 웨이퍼를 틸트한 후에 공정을 수행한다.
상기 플레튼을 포함하는 장치의 일 예가 라슨(Larsen)에게 허여된 미 합중국 특허 제 5,969,934호에 개시되어 있다.
도 1은 종래에 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1를 참조하면, 상기 틸트 편차를 측정하는 장치는 평평한 표면을 갖는 접촉부(10)와, 상기 평평한 일면으로부터 수직으로 세워지는 기둥형상의 본체부(12)와, 상기 본체부(12)의 단부로부터 돌출되어 있고, 눈금이 형성되어 있는 측정부(14)로 구성된다.
상기 플레튼의 틸트 편차는 상기 플레튼을 0°로 틸트시키고 난 후에, 이온 주입부가 장착되는 쪽의 챔버 측벽으로부터 상기 플레튼의 상부면까지의 이격거리를 측정하여 수행한다.
즉, 상기 플레튼을 0°로 틸트시키고 난 후에, 상기 접촉부(10)의 평평한 면을 상기 챔버 측벽에 밀착시킨다. 그리고, 상기 플레튼의 측면으로 상기 본체부(12)를 이동시켜 상기 플레튼까지 이르는 거리에 해당하는 눈금을 작업자가 읽는다.
이러한 방법으로, 상기 플레튼에서 서로 대향하는 각 지점들로부터 상기 챔 버의 측벽까지의 거리를 각각 측정한다. 그리고, 상기 거리의 차이가 설정된 범위를 벗어나는가를 확인하여 상기 플레튼의 틸트 편차를 측정한다.
그러나 상기 장치를 사용하여 상기 플레튼의 틸트 편차를 측정하면, 작업자에 따라 다른 값으로 눈금을 읽을 수 있어서 측정 오차가 발생할 수 있다. 상기 측정 오차가 발생하면, 상기 플레튼의 위치가 정상적인 위치에 있지 않게 되어 상기 플레튼을 정확한 각도로 틸트시키지 못한다. 따라서 상기 이온 주입 시에 공정 불량이 유발되어 반도체 장치의 신뢰성에 치명적인 영향을 준다.
따라서, 본 발명의 제1 목적은, 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 제2 목적은, 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법을 제공하는 데 있다.
상기한 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 챔버내에 이온 주입부 및 플레튼이 구비되는 이온 주입 설비에서 상기 플레튼의 틸트 편차를 확인하는 장치는, 상기 플레튼의 상부면 전체를 커버하면서, 상기 플레튼과 접촉하도록 장착되는 가이드 판과, 상기 가이드 판의 상부면의 소정 지점과 상기 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽간의 이격 거리를 측정하는 측정 부재를 포함한다.
상기 측정 부재는, 평평한 상부면 및 하부면을 갖는 접촉부와, 상기 제1 접촉부의 일면으로부터 수직하게 세워지는 본체와, 상기 본체의 길이 방향으로 연장 되도록 수평하게 이동하고, 상기 이동에 의해 상기 본체의 단부로부터 돌출되는 접촉 팁과, 상기 본체의 일면에 설치되고, 상기 접촉 팁과 결착되어 상기 접촉 팁이 본체를 따라 좌우로 이동하는 경로가 되는 지지대와, 상기 접촉부에서 상기 이동된 접촉 팁의 단부까지의 이격 거리를 수치로 표시하는 거리 표시부를 구비한다.
상기한 제2 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 챔버내에 이온 주입부 및 플레튼이 구비되는 이온 주입 장치에서 상기 플레튼의 틸트 편차를 확인하는 방법은, 상기 플레튼의 상부면 전체를 커버하면서, 상기 플레튼과 접촉하도록 가이드 판을 장착하는 단계와, 상기 가이드 판이 장착되어 있는 플레튼을 0°로 틸트시키는 단계와, 상기 가이드 판의 상부면의 제1 지점을 지정하고, 상기 제1 지점과 상기 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽간의 제1 이격 거리를 측정하는 단계와, 상기 제1 지점에서 상기 가이드 판의 중심에 대해 대향하는 가이드 판의 상부면에 제2 지점을 지정하고, 상기 제2 지점과 상기 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽간의 제2 이격 거리를 측정하는 단계와, 상기 제1 이격 거리 및 제2 이격 거리의 차이가 설정된 범위를 벗어나는지를 판단하는 단계를 수행한다.
따라서 상기 플레튼의 틸트 편차를 확인하는 장치를 사용하면, 상기 플레튼에 장착되는 상기 가이드 판에 직접 접촉 팁을 접촉시켜 거리를 측정하고, 또한 측정된 거리가 상기 표시부에 정확하게 표시된다. 따라서 상기 플레튼에 장착되는 가이드 판과 상기 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽간의 이격 거리가 정확하게 측정할 수 있고, 이에 따라 상기 플레튼의 틸트 편차를 정확하게 확인할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하 고자 한다.
도 2a 내지 도 2b 및 3a 내지 3b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 장치를 설명하기 위한 단면도 및 평면도들이다.
도 2a 내지 도 2b는 각 지점 간의 이격 거리를 측정하기 위한 측정 부재를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2a 내지 도 2b를 참조하면, 측정 부재는 상부면 및 하부면이 평평하게 형성되는 접촉부(20)가 구비된다. 상기 접촉부(20)에서 상기 하부면은 이격 거리를 측정하여야 하는 하나의 지점과 접촉하는데, 구체적으로는 이온 주입 장치에서 이온 주입부가 구비되어 있는 쪽의 챔버의 내측벽에 접촉된다.
상기 접촉부(20)에서 상기 상부면으로부터 수직한 형태로 부착되는 본체(22)가 구비된다. 상기 본체(22)는 상기 접촉부(20)에서 상기 챔버의 내측벽에 접촉되는 면과 대향하는 면에 부착된다.
상기 본체(22)로부터 길이 방향으로 연장되도록 수평하게 이동하고, 상기 이동에 의해 상기 본체(22)의 단부로부터 돌출되는 접촉 팁(24)이 구비된다.
도 2a는 상기 돌출 팁이 돌출되지 않았을 때를 도시하였고, 도 2b는 상기 돌출팁이 돌출되었을 때를 도시하였다.
상기 본체(22)의 일면에 설치되고, 상기 접촉 팁(24)이 상기 본체(22)를 따라 수평하게 이동할 수 있는 경로가 되는 지지대(26)가 구비된다. 상기 지지대(26)는 상기 접촉 팁(24)과 결착되어 있어서, 작업자에 의해 상기 접촉 팁(24)에 힘을 가하면 상기 지지대(26)를 따라 상기 접촉 팁(24)이 상기 본체(22)의 단부로부터 돌출된다.
상기 접촉 팁(24)에서 본체(22)의 단부로부터 돌출되는 부분과 대향하는 타단부와 연결되고, 상기 접촉부(20)의 하부면으로부터 상기 이동된 접촉 팁(24)의 단부까지의 이격 거리를 수치로 표시하는 거리 표시부(28)가 구비된다. 상기 거리 표시부(28)는 상기 접촉 팁(24)이 이동한 거리를 판단하여 상기 이격 거리를 표시해준다.
도 3a 내지 3b는 플레튼에 장착되는 가이드 판을 설명하기 위한 평면도들이다.
도 3a를 참조하면, 가이드 판(30)은 플레튼의 상부면 전체를 커버하면서 상기 플레튼과 접촉되어 장착된다. 상기 가이드 판(30)은 상부면과 하부면이 평평한 판 형태로 구비되고, 상기 플레튼의 상부면을 보호하는 역할을 한다.
상기 가이드 판(30)이 상기 플레튼에 장착되기 위해, 상기 가이드 판(30)의 이면에는 상기 플레튼에 구비되는 홈에 끼워지는 고정용 핀(32)이 구비된다.
도 3b는 상기 고정용 핀의 형상을 나타내는 평면도이다.
상기 고정용 핀(32)이 끼워 넣어지는 상기 홈은 상기 웨이퍼를 상기 플레튼과 접촉 또는 탈착시키기 위한 스파이더(spider)를 상기 플레튼에 장착시키기 위한 홈이다. 따라서 상기 플레튼에 상기 가이드 판(30)을 장착할 때는 상기 스파이더를 제거하여야 한다.
상기 가이드 판(30)의 이면으로부터 돌출되는 상기 핀(32a)들은 각각 상기 플레튼의 홈 내로 삽입된다. 따라서 상기 가이드 판(30)은 상기 플레튼에 고정된다.
그리고, 상기 가이드 판(30)의 상부면에는 상기 가이드 판(30)의 중심을 지나도록 직선으로 연장되는 라인(34)이 표시된다. 상기 라인(34)은 상기 가이드 판의 중심에서 방사형으로 다수개를 표시할 수 있다. 각각의 라인(34)상에는 상기 이온 주입부쪽의 챔버 내벽에 이르는 거리를 측정하는 부위가 되는 한 쌍의 측정 지점(34a)이 표시되어 있다. 상기 각각의 라인(34)상에 표시되는 한 쌍의 측정 지점(34a)에서 상기 가이드 판(30)과 상기 챔버의 내벽간의 거리를 측정하면, 항상 동일 지점에서 측정할 수 있으므로 더욱 정확히 상기 플레튼의 틸트 편차를 측정할 수 있다.
상기 가이드 판(30)의 소정 부위에는 상부면과 하부면을 관통하는 홀(36)이 형성된다. 상기 홀(36)은 작업자가 상기 가이드 판(30)을 장착할 때, 하부의 플레튼의 위치를 확인하기 위해 구비된다. 따라서 상기 가이드 판(30)을 장착할 때 상기 홀(36)을 통해 하부의 플레튼을 작업자의 육안으로 확인하면서 상기 가이드 판(30)을 장착할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법을 설명하기 위한 공정도이다. 도 5a내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 이온 주입 설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법을 보여주는 도면들이다.
도 4를 참조하면, 플레튼의 상부면 전체를 커버하면서, 상기 플레튼과 접촉 하도록 가이드 판(30)을 장착한다.(S10)
상기 가이드 판(30)은 상부면과 하부면이 평평하게 형성되고, 상기 플레튼의 상부면에 장착하여 상기 플레튼을 보호한다.
상기 가이드 판(30)의 장착은 상기 플레튼에 장착되어 있는 스파이더를 제거하고, 상기 스파이더가 장착된 부위에 형성되어 있는 홈으로 상기 가이드 판(30)의 이면으로부터 돌출되어 있는 핀(32a)들을 삽입하여 수행한다.
도 5a는 스파이더가 제거된 플레튼을 나타내는 도면이며, 도 5b는 상기 플레튼에 가이드 판이 장착한 형태를 나타내는 도면이다.
이어서, 상기 가이드 판(30)이 장착되어 있는 플레튼(40)을 0°로 틸트시킨다.(S12)
상기 가이드 판(30)이 장착되어 있는 플레튼(40)을 0°로 틸트시키면, 상기 플레튼(40)은 수직으로 세워지는 형태가 되고, 상기 챔버 내의 이온 주입부와 상기 플레튼(40)의 상부면이 서로 대향하게 된다.
상기 가이드 판(30)의 상부면에서 제1 지점을 지정하고, 상기 제1 지점과 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽간의 제1 이격 거리를 측정한다.(S14) 상기 가이드 판(30)의 제1 지점은 상기 가이드 판에 표시되어 있는 다수개의 측정 지점(34a)에서 하나를 선택할 수 있다.
도 5c는 가이드 판의 상부면의 제1 지점과 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽간의 제1 이격 거리를 측정하는 동작을 나타낸다.
도 5c를 참조하여 구체적으로 설명하면, 상기 측정부재의 접촉부(20)를 상기 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽(44)에 밀착시킨다. 그리고, 상기 측정부재에 구비되어 있는 상기 접촉 팁(24)을 이동하여 상기 가이드 판(30)의 상부면의 제1 지점과 접촉시킨다. 그러면, 상기 측정 부재의 거리 표시부(28)에는 상기 챔버의 내벽(44)과 상기 가이드 판(30)과의 제1 이격 거리(l1)가 수치로 표시된다.
상기 제1 이격 거리(l1)는 상기 접촉 팁(24)을 상기 가이드 판(30)에 직접 접촉시켜 측정하고, 또한 상기 표시부에서 수치로 표시되기 때문에 항상 정확한 데이터를 수득할 수 있다.
상기 제1 지점에서 상기 가이드 판(30)의 중심에 대해 대향하는 가이드 판(30)의 상부면에 제2 지점을 지정하고, 상기 제2 지점과 상기 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽(44)간의 제2 이격 거리를 측정한다.(S16)
도 5d는 가이드 판(30)의 상부면의 제2 지점과 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽간의 제2 이격 거리(l2)를 측정하는 동작을 나타낸다.
이 때, 상기 제2 이격 거리(l2)를 측정하는 방법은 상기 설명한 방법과 동일하다. 상기 측정 지점이 표시되어 있으므로 상기 가이드 판(30)의 중심에 대해 정확히 대향하는 지점에서 측정할 수 있다.
이어서 상기 제1 이격 거리(l1) 및 제2 이격 거리(l2)의 차이가 설정된 범위를 벗어나는지를 판단하여 상기 플레튼의 틸트 편차를 측정한다.(S18)
상기 플레튼은 0°로 틸트되어 있기 때문에 이상적으로는 상기 제1 이격 거 리(l1)와 제2 이격 거리(l2)가 동일하여야 한다. 만일 상기 제1 이격 거리(l1 )와 제2 이격 거리(l2)의 차이가 설정된 범위를 벗어난다면, 상기 플레튼이 0°로 정확히 틸트되어 있지 않다는 것을 나타내는 것이고, 또한 다른 각도로 틸트시키더라도 정확하게 틸트되지 못한다. 따라서 상기 제1 이격 거리(l1)와 제2 이격 거리(l2)를 비교함으로서 상기 플레튼의 틸트 편차를 측정할 수 있다.
상술한 바와 같이 상기 장치 및 방법을 통해 상기 이온 주입 장치에서 플레튼의 틸트 편차를 측정할 수 있다. 따라서 상기 이온 주입 공정을 수행할 때 상기 틸트 편차에 의해 발생되는 불량을 감소시킬 수 있다.
본 발명에 의하면, 상기 플레튼에 장착되는 가이드 판과, 소정 지점 간의 이격거리를 측정하고 수치로 표시하는 측정 부재를 포함하는 장치를 사용하여 플레튼의 틸트 편차를 정확히 측정할 수 있다. 따라서 상기 상기 이온 주입 공정을 수행할 때 상기 틸트 편차에 의해 발생되는 불량을 감소시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (10)

  1. 챔버 내에 이온 주입부 및 플레튼이 구비되는 이온 주입 장치에서 상기 플레튼의 틸트 편차를 확인하는 장치에 있어서,
    상기 플레튼의 상부면 전체를 커버하면서, 상기 플레튼과 접촉하도록 장착되는 가이드 판; 및
    상기 가이드 판의 상부면의 소정 지점과 상기 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽간의 이격 거리를 측정하여 수치로 표시하는 측정 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치에서 플레튼의 틸트 편차를 확인하는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 측정 부재는,
    평평한 상부면 및 하부면을 갖는 접촉부;
    상기 제1 접촉부의 일면으로부터 수직하게 세워지는 본체;
    상기 본체의 길이 방향으로 연장되도록 이동 가능하고, 상기 이동에 의해 상기 본체의 단부로부터 돌출되는 접촉 팁;
    상기 본체의 일면에 설치되고, 상기 접촉 팁과 결착되어 상기 접촉 팁이 본체를 따라 좌우로 이동하는 경로가 되는 지지대;
    상기 접촉부에서 상기 이동된 접촉 팁의 단부까지의 이격 거리를 수치로 표시하는 거리 표시부를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치에서 상기 플레튼의 틸트 편차를 확인하는 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 거리 표시부에 표시되는 이격 거리는 상기 접촉 팁이 이동한 거리를 판단하여 측정하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치에서 상기 플레튼의 틸트 편차를 확인하기 위한 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 가이드 판 외주의 소정 지점으로부터 상기 가이드 판의 중심을 지나도록 직선으로 연장되는 다수개의 라인이 표시되는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치에서 상기 플레튼의 틸트 편차를 확인하기 위한 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 각각의 라인 상에는 상기 가이드 판의 중심과 대향하는 한쌍의 측정 지점이 표시되는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치에서 상기 플레튼의 틸트 편차를 확인하기 위한 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 가이드 판의 이면에는 상기 플레튼에 구비되는 홈들에 각각 끼워지도록 고정용 핀이 형성되는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치에서 상기 플레튼의 틸트 편차를 확인하기 위한 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 가이드 판의 소정 부위에는 상기 플레튼의 상부면의 정확한 위치에 상기 가이드 판을 장착하도록 작업자의 육안으로 확인하기 위한 다수개의 홀들이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치에서 상기 플레튼 의 틸트 편차를 확인하기 위한 장치.
  8. 챔버내에 이온 주입부 및 플레튼이 구비되는 이온 주입 장치에서 상기 플레튼의 틸트 편차를 확인하는 방법에 있어서,
    상기 플레튼의 상부면 전체를 커버하면서, 상기 플레튼과 접촉하도록 가이드 판을 장착하는 단계;
    상기 가이드 판이 장착되어 있는 플레튼을 0°로 틸트시키는 단계;
    상기 가이드 판의 상부면의 제1 지점을 지정하고, 상기 제1 지점과 상기 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽간의 제1 이격 거리를 측정하는 단계;
    상기 제1 지점에서 상기 가이드 판의 중심에 대해 대향하는 가이드 판의 상부면에 제2 지점을 지정하고, 상기 제2 지점과 상기 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽간의 제2 이격 거리를 측정하는 단계;
    상기 제1 이격 거리 및 제2 이격 거리의 차이가 설정된 범위를 벗어나는지를 판단하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치에서 상기 플레튼의 틸트 편차를 확인하는 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 제1 및 제2 이격 거리의 측정은 측정 지점과 접촉되는 이동 가능한 접촉 팁이 구비되는 측정 부재에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치에서 상기 플레튼의 틸트 편차를 확인하는 방법.
  10. 제 9항에 있어서, 제1 및 제2 이격 거리의 측정은 상기 이온 주입부가 장착된 쪽의 챔버의 내벽에 측정 부재 본체의 접촉부를 접촉시키고, 상기 접촉면으로부터 수직 방향으로 상기 가이드 판의 상부면과 접촉되도록 상기 측정 부재에 구비되는 접촉 팁을 이동시켜, 각각 접촉된 부분 간의 거리를 측정하는 것을 특징으로 하는 챔버내에 이온 주입부 및 플레튼이 구비되는 이온 주입 장치에서 상기 플레튼의 틸트 편차를 확인하는 방법.
KR1020010027068A 2001-05-17 2001-05-17 이온주입설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법 및이를 수행하기 위한 장치 KR100683117B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010027068A KR100683117B1 (ko) 2001-05-17 2001-05-17 이온주입설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법 및이를 수행하기 위한 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010027068A KR100683117B1 (ko) 2001-05-17 2001-05-17 이온주입설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법 및이를 수행하기 위한 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020088141A KR20020088141A (ko) 2002-11-27
KR100683117B1 true KR100683117B1 (ko) 2007-02-15

Family

ID=27705327

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010027068A KR100683117B1 (ko) 2001-05-17 2001-05-17 이온주입설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법 및이를 수행하기 위한 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100683117B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100439843B1 (ko) * 2002-01-15 2004-07-12 삼성전자주식회사 이온주입설비의 대상체 정렬각도 검증장치 및 그 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000026343A (ko) * 1998-10-20 2000-05-15 윤종용 플레이트 기울기를 감지하는 이온주입 장치 및이를 이용한 이온주입 방법
KR20010106619A (ko) * 2000-05-22 2001-12-07 윤종용 반도체 웨이퍼의 틀어짐각 확인 장치를 구비한 이온 주입설비
JP2002231175A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Nec Yamagata Ltd イオン注入装置用エンドステ−ション

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000026343A (ko) * 1998-10-20 2000-05-15 윤종용 플레이트 기울기를 감지하는 이온주입 장치 및이를 이용한 이온주입 방법
KR20010106619A (ko) * 2000-05-22 2001-12-07 윤종용 반도체 웨이퍼의 틀어짐각 확인 장치를 구비한 이온 주입설비
JP2002231175A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Nec Yamagata Ltd イオン注入装置用エンドステ−ション

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020088141A (ko) 2002-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20110015272A (ko) 테스터 및 이를 구비한 반도체 디바이스 검사 장치
KR20160047803A (ko) 포크 로봇 및 포크의 삽입 거리 산출 방법
KR102213031B1 (ko) 측정 테이블 상의 마스크 홀더의 위치를 검출하기 위한 방법
US7012680B2 (en) Method and apparatus for quantitative quality inspection of substrate such as wafer
KR100683117B1 (ko) 이온주입설비에서 플레튼의 틸트 편차를 측정하는 방법 및이를 수행하기 위한 장치
JP2007080960A (ja) 搬送系調整用装置およびその調整方法
KR101746292B1 (ko) 프로브 카드 정렬 방법
US6172757B1 (en) Lever sensor for stepper field-by-field focus and leveling system
KR20060002812A (ko) 납땜 페이스트 프린팅 시 기판 및 프린팅 스크린을정렬하는 방법 및 장치
KR100422900B1 (ko) 기준각 제공장치
KR100319898B1 (ko) 웨이퍼의 치수인자 측정방법 및 그 장치
JPH0536767A (ja) プローブ装置
KR100244918B1 (ko) 반도체 패턴 검사장치 및 그 검사방법
KR20210107300A (ko) 더미 웨이퍼
CN112050720A (zh) 晶圆盒检测装置及检测方法
KR100868628B1 (ko) 반도체 제조 설비의 로봇 정렬용 장비
KR102250702B1 (ko) 멀티프로버 시스템용 얼라이너 및 이를 구비하는 멀티프로버 시스템
KR100262901B1 (ko) 프로우브장치에 있어서의 침위치 고정방법 및 프로우브방법
JPH09326426A (ja) ウェーハの検査装置および方法
JPH0536768A (ja) プローブ装置
JPH09246332A (ja) 半導体チップの測定方法
KR20070053831A (ko) 기판 검사 방법
JPH01227448A (ja) ウエハプローバ
KR20240076281A (ko) 검사대상체 위치 틀어짐 측정 시스템
JPH07105414B2 (ja) 半導体ウエハのプローブ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100114

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee