JP5761248B2 - 電子部品 - Google Patents

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Description

本発明は、電子部品に関し、より特定的には、コイルを内蔵している電子部品に関する。
従来の電子部品に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の積層電子部品が知られている。該積層型電子部品は、積層体及びコイルを備えている。積層体は、複数のフェライトシートが積層されてなる。コイルは、複数のコイル導体パターンがスルーホールにより接続されてなり、積層方向に進行しながら周回する螺旋状をなしている。
ところで、特許文献１に記載の積層電子部品では、例えば直流抵抗が低いコイルを得ようとすると、コイル導体パターンのライン幅を太くしたり厚くしたりする必要があるが、そうすると、大きなインダクタンス値を得ることが困難であるという問題を有する。より詳細には、螺旋状をなすコイルでは、コイル内部における磁束密度が高くなる。この場合、コイル内部を通過できない磁束が、コイル導体パターンを通過するようになる。コイルには高周波信号が流れるので、コイルが発生する磁束の方向は周期的に変動する。コイル導体パターンを通過する磁束の方向が周期的に変動すると、コイル導体パターンにおいて渦電流が発生しジュール熱が発生する。その結果、渦電流損が発生して、コイルのインダクタンス値が低下する。
特開２０００−２８６１２５号公報
そこで、本発明の目的は、大きなインダクタンス値を有する電子部品を提供することである。
本発明の一形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、前記絶縁体層と共に積層されている線状のコイル導体層により構成され、かつ、渦巻状又は周回しながら積層方向に進行する螺旋状をなすコイルと、を備えており、前記コイル導体層が延在している方向に直交する断面において、該コイル導体層における前記コイルの内周側を向く面には、該コイルの外周側に向かって窪んだ凹部が設けられており、前記複数の絶縁体層は、第１の絶縁体層及び該第１の絶縁体層上に積層されている第２の絶縁体層を含んでおり、前記コイル導体層は、第１のコイル導体層及び第２のコイル導体層を含んでおり、前記第１のコイル導体層は、前記第１の絶縁体層上に設けられており、前記第２の絶縁体層には、前記第１のコイル導体層の線幅及び前記第２のコイル導体層の線幅よりも細い線幅を有し、かつ、積層方向から平面視したときに、該第１のコイル導体層と重なる線状の開口が設けられており、前記第２のコイル導体層は、前記開口内及び前記第２の絶縁体層上に設けられており、前記複数の第１の絶縁体層と前記複数の第２の絶縁体層とは交互に積層されており、前記コイルは、前記第１のコイル導体層及び前記第２のコイル導体層をそれぞれ含む前記複数のコイル導体層が接続されてなる螺旋状のコイルであり、前記第２のコイル導体層において前記第１のコイル導体層と前記第１の絶縁体層を介して対向する面は窪んでいること、を特徴とする。
本発明によれば、大きなインダクタンス値を有する電子部品を得ることができる。
一実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。 図１の電子部品の分解斜視図である。 図１の電子部品の積層体のＡ−Ａにおける断面構造図である。 電子部品の製造時の工程断面図である。 電子部品の製造時の工程断面図である。 電子部品の製造時の工程断面図である。 電子部品の製造時の工程断面図である。 電子部品の製造時の工程断面図である。 電子部品の製造時の工程断面図である。 電子部品の製造時の工程断面図である。 電子部品の製造時の工程断面図である。 電子部品の製造時の工程断面図である。 電子部品の製造時の工程断面図である。 電子部品の製造時の工程断面図である。 電子部品の製造時の工程断面図である。 電子部品の製造時の工程断面図である。 電子部品の製造時の工程断面図である。 電子部品の製造時の工程断面図である。 電子部品の製造時の工程断面図である。 シミュレーション結果を示したグラフである。 コイル導体層の断面構造の写真である。 コイル導体層の断面構造図である。 シミュレーション結果を示したグラフである。
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品について説明する。
（電子部品の構造）
以下に、一実施形態に係る電子部品の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、図１の電子部品１０の分解斜視図である。図３は、図１の電子部品１０の積層体１２のＡ−Ａにおける断面構造図である。図３では、外部電極１４ａ，１４ｂを省略してある。以下では、積層体１２の積層方向を上下方向と定義し、積層体１２を上側から平面視したときに、積層体１２の短辺が延在している方向を前後方向と定義し、積層体１２の長辺が延在している方向を左右方向と定義する。
電子部品１０は、図１ないし図３に示すように、積層体１２、外部電極１４ａ，１４ｂ及びコイルＬを備えている。積層体１２は、絶縁体層２５，１６ａ〜１６ｉが積層されてなり、直方体状をなしている。絶縁体層２５，１６ａ〜１６ｉは、上側から下側へとこの順に積層されており、長方形状の外縁を有している。絶縁体層２５には、円形の空白部分が設けられている。円形の空白部分は、方向識別マークとして用いられる。また、絶縁体層１６ｂ，１６ｄ，１６ｆ，１６ｈにはそれぞれ、開口Ｏｐ１〜Ｏｐ４が設けられている。また、絶縁体層１６ｃ，１６ｅ，１６ｇには、スルーホールＴａ〜Ｔｃが設けられている。このように、開口Ｏｐ１〜Ｏｐ４が設けられた絶縁体層１６ｂ，１６ｄ，１６ｆ，１６ｈと、開口が設けられていない絶縁体層１６ｃ，１６ｅ，１６ｇとが交互に積層されている。開口Ｏｐ１〜Ｏｐ４及びスルーホールＴａ〜Ｔｃについては、後述する。絶縁体層１６ａ〜１６ｉは、磁性体材料を含有するガラスにより作製されている。以下では、絶縁体層１６ａ〜１６ｉの上側の面を表面と呼び、絶縁体層１６ａ〜１６ｉの下側の面を裏面と呼ぶ。
コイルＬは、上側から平面視したときに、時計回り方向に周回しながら下側から上側へと進行する螺旋状をなしている。コイルＬは、コイル導体層１９ａ〜１９ｄ及びビアホール導体Ｖａ〜Ｖｃを含んでいる。コイル導体層１９ａ〜１９ｄは、絶縁体層１６ａ〜１６ｉと共に積層され、上側から平面視したときに、積層体１２の中心（対角線の交点）を中心として時計回りに周回する線状導体である。コイル導体層１９ａ〜１９ｄは、例えば、Ａｇを主成分とする導電性材料により作製されている。以下では、コイル導体層１９ａ〜１９ｄの時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、コイル導体層１９ａ〜１９ｄの時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。
また、コイル導体層１９ａは、図２に示すように、コイル導体層１８ａ，１８ｂを含んでいる。コイル導体層１８ａ，１８ｂは、上側から平面視したときに、略同じ形状をなしており、上下方向に積み重ねられている。より詳細には、コイル導体層１８ｂは、絶縁体層１６ｃの表面上に設けられている。開口Ｏｐ１は、前記の通り、絶縁体層１６ｂに設けられている。開口Ｏｐ１は、上側から平面視したときに、コイル導体層１８ｂと重なる線状をなしており、コイル導体層１８ｂと略同じ形状をなしている。ただし、開口Ｏｐ１の線幅Ｗ３は、コイル導体層１８ａの線幅Ｗ１及びコイル導体層１８ｂの線幅Ｗ２よりも細い。
コイル導体層１８ａは、図２及び図３に示すように、開口Ｏｐ１内及び絶縁体層１６ｂの表面上に設けられている。ただし、コイル導体層１８ａは、上側から平面視したときに、絶縁体層１６ｂの表面上において開口Ｏｐ１の周囲にはみ出している。これにより、コイル導体層１８ａが延在する方向に直交する断面において、コイル導体層１８ａはＴ字型の断面形状をなしている。そして、コイル導体層１８ａの下面は、コイル導体層１８ｂの上面に接触している。これにより、コイル導体層１９ａは、コイル導体層１９ａが延在する方向に直交する断面において、Ｈ字型を９０度回転させた断面形状をなしている。そのため、コイル導体層１９ａが延在する方向に直交する断面において、コイル導体層１９ａにおけるコイルＬの内周側を向く面には、コイルＬの外周側に向かって窪んだ凹部Ｇａが設けられている。凹部Ｇａの深さＤ１（図３参照）は、６μｍ以上であって、コイル導体層１８ａ〜１８ｈの線幅Ｗ１，Ｗ２の４０％以下であることが好ましい。
コイル導体層１９ｂは、図２に示すように、コイル導体層１８ｃ，１８ｄを備えている。コイル導体層１９ｃは、図２に示すように、コイル導体層１８ｅ，１８ｆを備えている。コイル導体層１９ｄは、図２に示すように、コイル導体層１８ｇ，１８ｈを備えている。ただし、コイル導体層１９ｂ〜１９ｄの構成は、コイル導体層１９ａの構成と同様であるので説明を省略する。また、開口Ｏｐ２〜Ｏｐ４の構成も開口Ｏｐ１の構成と同様であるので説明を省略する。
スルーホールＴａ〜Ｔｃはそれぞれ、絶縁体層１６ｃ，１６ｅ，１６ｇを上下方向に貫通する孔である。スルーホールＴａは、上側から平面視したときに、コイル導体層１８ｂの上流端及びコイル導体層１８ｃの下流端と重なっている。スルーホールＴｂは、上側から平面視したときに、コイル導体層１８ｄの上流端及びコイル導体層１８ｅの下流端と重なっている。スルーホールＴｃは、上側から平面視したときに、コイル導体層１８ｆの上流端及びコイル導体層１８ｇの下流端と重なっている。
ビアホール導体Ｖａは、コイル導体層１８ｂの上流端から下方に突出しており、スルーホールＴａ内に設けられている。これにより、ビアホール導体Ｖａは、コイル導体層１８ｂの上流端とコイル導体層１８ｃの下流端とを接続している。ビアホール導体Ｖｂは、コイル導体層１８ｄの上流端から下方に突出しており、スルーホールＴｂ内に設けられている。これにより、ビアホール導体Ｖｂは、コイル導体層１８ｄの上流端とコイル導体層１８ｅの下流端とを接続している。ビアホール導体Ｖｃは、コイル導体層１８ｆの上流端から下方に突出しており、スルーホールＴｃ内に設けられている。これにより、ビアホール導体Ｖｃは、コイル導体層１８ｆの上流端とコイル導体層１８ｇの下流端とを接続している。これにより、コイル導体層１９ａ〜１９ｄは、ビアホール導体Ｖａ〜Ｖｃにより接続されることにより、螺旋状のコイルＬをなしている。
外部電極１４ａは、積層体１２の右側の端面を覆っていると共に、上面、下面及び前後方向の側面に折り返されている。コイル導体層１９ａの下流端は、積層体１２の右側の端面に引き出されている。これにより、コイル導体層１９ａの下流端と外部電極１４ａとが接続されている。
外部電極１４ｂは、積層体１２の左側の端面を覆っていると共に、上面、下面及び前後方向の側面に折り返されている。コイル導体層１９ｄの上流端は、積層体１２の左側の端面に引き出されている。これにより、コイル導体層１９ｄの上流端と外部電極１４ｂとが接続されている。
（電子部品の製造方法）
次に、電子部品１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図４ないし図１９は、電子部品１０の製造時の工程断面図である。以下では、一つの電子部品１０を製造する工程について説明するが、実際には、マザー積層体を作製してカットすることにより複数の電子部品１０を同時に作製する。
まず、図４に示すように、感光性絶縁ペーストを印刷により塗布する。そして、図５に示すように、該感光性絶縁ペーストの全面に対して露光を行う。これにより、感光性絶縁ペーストが硬化して絶縁体層１６ｉが形成される。
次に、図６に示すように、絶縁体層１６ｉ上に感光性導電ペーストを印刷により塗布する。そして、図７に示すように、マスクＭ１を介して、感光性導電ペーストに対して露光を行う。マスクＭ１には、コイル導体層１８ｈと同じ形状の開口が設けられている。これにより、感光性導電ペーストの内のコイル導体層１８ｈに相当する部分が硬化する。更に、図８に示すように、現像液により未硬化の感光性導電ペーストを除去する。これにより、コイル導体層１８ｈが形成される。
次に、図９に示すように、絶縁体層１６ｉ上及びコイル導体層１８ｈ上に感光性絶縁ペーストを印刷により塗布する。そして、図１０に示すように、マスクＭ２を介して、該感光性絶縁ペーストに対して露光を行う。マスクＭ２は、感光性絶縁ペーストにおける開口Ｏｐ４に対応する部分を覆う。これにより、感光性絶縁ペーストの内の開口Ｏｐ４を除く部分が硬化する。更に、図１１に示すように、現像液により未硬化の感光性絶縁ペーストを除去する。これにより、絶縁体層１６ｈが形成される。
次に、図１２に示すように、絶縁体層１６ｈ上及び開口Ｏｐ４内に感光性導電ペーストを印刷により塗布する。そして、図１３に示すように、マスクＭ３を介して、感光性導電ペーストに対して露光を行う。マスクＭ３には、コイル導体層１８ｇと同じ形状の開口が設けられている。これにより、感光性導電ペーストの内のコイル導体層１８ｇに相当する部分が硬化する。更に、図１４に示すように、現像液により未硬化の感光性導電ペーストを除去する。これにより、コイル導体層１８ｇが形成される。
次に、図１５に示すように、絶縁体層１６ｈ上及びコイル導体層１８ｇ上に感光性絶縁ペーストを印刷により塗布する。そして、図１６に示すように、図示しないマスクを介して、該感光性絶縁ペーストに対して露光を行う。図示しないマスクは、感光性絶縁ペーストにおけるスルーホールＴｃに対応する部分を覆う。これにより、感光性絶縁ペーストの内のスルーホールＴｃを除く部分が硬化する。更に、現像液により未硬化の感光性絶縁ペーストを除去する。これにより、絶縁体層１６ｇが形成される。この後、図６ないし図１６の工程を繰り返すことにより、図１７に示すように、絶縁体層１６ｂ〜１６ｆ、コイル導体層１８ａ〜１８ｆを形成する。
次に、図１８に示すように、絶縁体層１６ｂ上及びコイル導体層１８ａ上に感光性絶縁ペーストを印刷により塗布する。そして、図１９に示すように、感光性絶縁ペーストの全面に対して露光を行う。これにより、感光性絶縁ペーストが硬化し、絶縁体層１６ａが形成される。更に、絶縁体層１６ａ上に絶縁ペーストを印刷により塗布して絶縁体層２５を形成する。これにより、複数の積層体１２の集合体であるマザー積層体を得る。
次に、マザー積層体をダイシングソウ等によってカットし、未焼成の複数の積層体１２を得る。更に、未焼成の積層体１２に対して所定条件下で焼成を行う。
次に、ディップにより、積層体１２の両端面に対してＡｇからなる導電性ペーストを塗布し、焼き付けを行って、下地電極を形成する。最後に、下地電極上にＮｉ，Ｃｕ，Ｓｎ等のめっきを施して、外部電極１４ａ，１４ｂを形成する。以上の工程を経て、電子部品１０が完成する。
（効果）
本実施形態に係る電子部品１０によれば、大きなインダクタンス値を得ることができる。より詳細には、螺旋状をなすコイルＬでは、コイルＬ内部における磁束密度が高くなる。そして、コイルＬ内部を通過できない磁束が、コイル導体層１８ａ〜１８ｈを通過するようになる。このように、磁束がコイル導体層１８ａ〜１８ｈを通過すると、渦電流が発生し、コイルＬのインダクタンス値が低下する。
ここで、コイルＬ内部を通過できない磁束は、コイル導体層１９ａ〜１９ｄにおけるコイルＬの内周側を向く面近傍を通過する。したがって、渦電流もコイル導体層１９ａ〜１９ｄにおけるコイルＬの内周側を向く面近傍に発生しやすい。そこで、電子部品１０では、コイル導体層１９ａ〜１９ｄにおけるコイルＬの内周側を向く面には、コイルＬの外周側に向かって窪んだ凹部Ｇａ〜Ｇｄが設けられている。これによりコイル導体層１９ａ〜１９ｄにおけるコイルＬの内周側を向く面近傍の上下方向の厚みが小さくなる。よって、磁束がコイル導体層１９ａ〜１９ｄを通過する距離も短くなる。その結果、コイル導体層１９ａ〜１９ｄにおいて渦電流が発生することが低減され、コイルＬのインダクタンス値が低下することが抑制される。なお、後述するコンピュータシミュレーションより、凹部Ｇａ〜Ｇｄの深さＤ１は、６μｍ以上であって、コイル導体層１８ａ〜１８ｈの線幅Ｗ１，Ｗ２の４０％以下であることが好ましいことが分かっている。
（コンピュータシミュレーション）
本願発明者は、コイルＬのインダクタンス値が大きくなる原理が、前記説明で正しいことを確認するために、以下のコンピュータシミュレーションを行った。図３の拡大図に示すように、コイル導体層１９ａ〜１９ｄにおけるコイルＬの外周側を向く面に設けられている凹部を凹部Ｇｅ〜Ｇｈとする。そして、凹部Ｇｅ〜Ｇｈの深さを深さＤ２とする。本願発明者は、深さＤ１，Ｄ２を変化させて、コイルＬのインダクタンス値を演算した。以下に、コンピュータシミュレーションに用いた第１のモデルないし第３のモデルの条件について説明する。
第１のモデル
深さＤ１：０μｍ
深さＤ２：０μｍ
第２のモデル
深さＤ１：１０μｍ
深さＤ２：０μｍ
第３のモデル
深さＤ１：０μｍ
深さＤ２：１０μｍ
第１のモデルでは、インダクタンス値は２．２７６ｎＨであった。第２のモデルでは、インダクタンス値は２．３２１ｎＨであった。すなわち、第２のモデルでは、第１のモデルに比べて、インダクタンス値が０．０４５ｎＨ増加した。一方、第３のモデルでは、インダクタンス値は２．２８２ｎＨであった。すなわち、第３のモデルでは、第１のモデルに比べて、インダクタンス値が０．００６ｎＨだけしか増加しなかった。このように、コイル導体層１９ａ〜１９ｄにおけるコイルＬの内周側を向く面に凹部Ｇａ〜Ｇｄが設けられている場合の方が、コイル導体層１９ａ〜１９ｄにおけるコイルＬの外周側を向く面に凹部Ｇｅ〜Ｇｈが設けられている場合よりも、コイルＬのインダクタンス値が大きくなることが分かる。したがって、本コンピュータシミュレーションによれば、凹部Ｇａ〜Ｇｄが設けられることにより、コイル導体層１９ａ〜１９ｄにおいて発生する渦電流が低減され、コイルＬのインダクタンス値が低下することが抑制されていると考えられる。
次に、凹部Ｇａ〜Ｇｄの最適な深さＤ１を調べるために、以下の条件を有する第４のモデルないし第７のモデルを作成し、各モデルのインダクタンス値を演算した。
第４のモデル
コイル導体層１９ａ〜１９ｄの線幅（線幅Ｗ１，Ｗ２）：７０μｍ
コイル導体層１９ａ〜１９ｄの厚み：１２μｍ
第５のモデル
コイル導体層１９ａ〜１９ｄの線幅（線幅Ｗ１，Ｗ２）：６０μｍ
コイル導体層１９ａ〜１９ｄの厚み：１２μｍ
第６のモデル
コイル導体層１９ａ〜１９ｄの線幅（線幅Ｗ１，Ｗ２）：４０μｍ
コイル導体層１９ａ〜１９ｄの厚み：１２μｍ
第７のモデル
コイル導体層１９ａ〜１９ｄの線幅（線幅Ｗ１，Ｗ２）：４０μｍ
コイル導体層１９ａ〜１９ｄの厚み：８μｍ
以上の第４のモデルないし第７のモデルにおいて、凹部Ｇａ〜Ｇｄの深さＤ１を変化させて、コイルＬのインダクタンス値を演算した。図２０は、シミュレーション結果を示したグラフである。縦軸はインダクタンス値の変化率を示し、横軸は凹部Ｇａ〜Ｇｄの深さＤ１を示している。インダクタンス値の変化率とは、深さＤ１が０μｍであるときのインダクタンス値に対する変化率を意味する。
図２０によれば、第４のモデルないし第７のモデルのいずれも、深さＤ１が大きくなるにしたがって、インダクタンス値が増加していることが分かる。そして、第４のモデルないし第７のモデルのいずれにおいても、深さＤ１が６μｍ以上ではインダクタンス値が殆ど増加していない。よって、深さＤ１は、６μｍ以上であることが好ましいことが分かる。なお、本願発明者は、深さＤ１を１０μｍとしてインダクタンス値を演算した。よって、深さＤ１は、１０μｍ以下であることが好ましい。
また、第４のモデルでは、深さＤ１が３０μｍまでは、インダクタンス値が殆ど変動していないことが分かっている。第４のモデルでは、線幅Ｗ１は、７０μｍである。したがって、第４のモデルでは、深さＤ１が線幅Ｗ１の４２．８％以下であれば、インダクタンス値が殆ど変動していない。同様に、第５のモデルでは、深さＤ１が２５μｍまでは、インダクタンス値が殆ど変動していないことが分かっている。第５のモデルでは、線幅Ｗ１は、６０μｍである。したがって、第５のモデルでは、深さＤ１が線幅Ｗ１の４２．５％以下であれば、インダクタンス値が殆ど変動していない。第６のモデルでは、深さＤ１が１６μｍまでは、インダクタンス値が殆ど変動していないことが分かっている。第６のモデルでは、線幅Ｗ１は、４０μｍである。したがって、第６のモデルでは、深さＤ１が線幅Ｗ１の４０．０％以下であれば、インダクタンス値が殆ど変動していない。第７のモデルでは、深さＤ１が１６μｍまでは、インダクタンス値が殆ど変動していないことが分かっている。第７のモデルでは、線幅Ｗ１は、４０μｍである。したがって、第７のモデルでは、深さＤ１が線幅Ｗ１の４０．０％以下であれば、インダクタンス値が殆ど変動していない。以上より、凹部Ｇａ〜Ｇｄの深さＤ１は、コイル導体層１８ａ〜１８ｈの線幅Ｗ１，Ｗ２の４０％以下であることが好ましい。
なお、コイル導体層１９ａ〜１９ｄの他の寸法についても説明する。図３に示すように、コイル導体層１８ａ，１８ｃ，１８ｅ，１８ｇの絶縁体層１６ｂ，１６ｄ，１６ｆ，１６ｈ上に設けられている部分の厚みＨ１は、８μｍ〜１２μｍであることが好ましい。また、コイル導体層１８ａ，１８ｃ，１８ｅ，１８ｇの開口Ｏｐ１〜Ｏｐ４内に設けられている部分の厚みＨ３は、７μｍであることが好ましい。また、コイル導体層１８ｂ，１８ｄ，１８ｆ，１８ｈの厚みＨ２は、８μｍ〜１２μｍであることが好ましい。
（凹部の深さの測定方法）
以下に、凹部Ｇａ〜Ｇｄの深さＤ１の測定方法について図面を参照しながら説明する。
まず、電子部品１０を硬化樹脂で固める。硬化樹脂で固めた電子部品１０を研磨し、コイル導体層１９ａの断面を露出させる。更に、露出したコイル導体層１９ａの断面に対してバフ研磨を施して、コイル導体層１９ａの断面の研磨傷を消す。そして、レーザー顕微鏡（キーエンス社製のＶＫ−８７００）により、コイル導体層１９ａの断面を撮影する。図２１は、コイル導体層１９ａの断面構造の写真である。
図２１に示すように、コイル導体層１９ａの断面形状は、実際には、Ｈ字型から大きく崩れた形状をなしている。そこで、凹部Ｇａ〜Ｇｄの深さＤ１を測定する際には、凹部Ｇａ〜Ｇｄの底部を決定する。凹部Ｇａ〜Ｇｄの底部は、図２１に示すように、凹部Ｇａ〜Ｇｄにおいて最もコイルＬの外周側に位置している部分Ｐ１である。次に、凹部Ｇａ〜Ｇｄの入り口を決定する。凹部Ｇａ〜Ｇｄの入り口は、図２１に示すように、コイル導体層１９ａにおいて、コイルＬの最も内周側に位置している部分Ｐ２である。そして、部分Ｐ１と部分Ｐ２の左右方向の距離を測定し、深さＤ１とする。以上の工程により、深さＤ１を測定することができる。
（変形例）
以下に、変形例に係る電子部品１０ａについて図面を参照しながら説明する。図２２は、コイル導体層１９ａの断面構造図である。電子部品１０ａの外観斜視図及び分解斜視図については、図１及び図２を援用する。
電子部品１０ａは、コイル導体層１９ａ〜１９ｄの断面形状において電子部品１０と相違する。以下では、コイル導体層１９ａ〜１９ｄの断面形状について説明し、その他の構成の説明については省略する。
図２２に示すように、コイル導体層１８ｃにおいてコイル導体層１８ｂと絶縁体層１６ｃを介して対向する面（すなわち、上面）は窪んでいる。これにより、コイル導体層１８ｂとコイル導体層１８ｃとの距離が大きくなっている。その結果、近接効果による電子部品１０ａの挿入損失の増大が抑制されるようになる。なお、コイル導体層１８ｂとコイル導体層１８ｃとの関係を例に挙げて説明を行ったが、コイル導体層１８ｄとコイル導体層１８ｅとの関係及びコイル導体層１８ｆとコイル導体層１８ｇとの関係についてもコイル導体層１８ｂとコイル導体層１８ｃとの関係と同じである。
本願発明者は、電子部品１０ａの挿入損失が抑制されることを明確にするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。より詳細には、本願発明者は、以下の条件を有する第８のモデルないし第１０のモデルを作成し、高周波信号の周波数とＱ値との関係を調べた。
第８のモデルないし第１０のモデルに共通の条件
コイル導体層の線幅（線幅Ｗ１，Ｗ２）：６５μｍ
コイル導体層の数：５層
コイルＬの巻き数：４．５巻き
コイルＬから積層体の端面までの距離：２３μｍ
第８のモデル
コイル導体層１８ｂとコイル導体層１８ｃとの距離Ｌ１：５μｍ
第９のモデル
コイル導体層１８ｂとコイル導体層１８ｃとの距離Ｌ１：１０μｍ
第１０のモデル
コイル導体層１８ｂとコイル導体層１８ｃとの距離Ｌ１：１５μｍ
図２３は、シミュレーション結果を示したグラフである。縦軸はＱ値を示し、横軸は周波数を示す。図２３によれば、距離Ｌ１が大きくなるにしたがって、Ｑ値のピークが大きくなっていることが分かる。すなわち、コイル導体層１８ｃの上面が窪むことにより、コイル導体層１８ｂとコイル導体層１８ｃとの距離Ｌ１が大きくなり、電子部品１０ａのＱ値が増加することが分かる。すなわち、距離Ｌ１が大きくなれば、電子部品１０ａの挿入損失が抑制されることが分かる。
また、図２３によれば、距離Ｌ１が１０μｍ以上のときにＱ値のピークが大きく改善されていることが分かる。よって、距離Ｌ１は、１０μｍ以上であることが好ましい。
（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品は、前記電子部品１０，１０ａに限らずその要旨の範囲内において変更可能である。
なお、電子部品１０，１０ａでは、凹部Ｇｅ〜Ｇｈが設けられているが、凹部Ｇｅ〜Ｇｈは必須ではない。
また、電子部品１０，１０ａでは、コイルＬは、螺旋状のコイルであるが、例えば、上側から平面視したときに渦巻状をなすコイルであってもよい。また、コイルＬは、複数の渦巻状のコイル導体層が接続された螺旋状のコイルであってもよい。
以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、大きなインダクタンス値を有する電子部品を得ることができる点において優れている。
Ｇａ〜Ｇｈ 凹部
Ｌ コイル
Ｏｐ１〜Ｏｐ４ 開口
１０，１０ａ 電子部品
１２ 積層体
１４ａ，１４ｂ 外部電極
１６ａ〜１６ｉ 絶縁体層
１８ａ〜１８ｈ，１９ａ〜１９ｄ コイル導体層

Claims (3)

  1. 複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、
    前記絶縁体層と共に積層されている線状のコイル導体層により構成され、かつ、渦巻状又は周回しながら積層方向に進行する螺旋状をなすコイルと、
    を備えており、
    前記コイル導体層が延在している方向に直交する断面において、該コイル導体層における前記コイルの内周側を向く面には、該コイルの外周側に向かって窪んだ凹部が設けられており、
    前記複数の絶縁体層は、第１の絶縁体層及び該第１の絶縁体層上に積層されている第２の絶縁体層を含んでおり、
    前記コイル導体層は、第１のコイル導体層及び第２のコイル導体層を含んでおり、
    前記第１のコイル導体層は、前記第１の絶縁体層上に設けられており、
    前記第２の絶縁体層には、前記第１のコイル導体層の線幅及び前記第２のコイル導体層の線幅よりも細い線幅を有し、かつ、積層方向から平面視したときに、該第１のコイル導体層と重なる線状の開口が設けられており、
    前記第２のコイル導体層は、前記開口内及び前記第２の絶縁体層上に設けられており、
    前記複数の第１の絶縁体層と前記複数の第２の絶縁体層とは交互に積層されており、
    前記コイルは、前記第１のコイル導体層及び前記第２のコイル導体層をそれぞれ含む前記複数のコイル導体層が接続されてなる螺旋状のコイルであり、
    前記第２のコイル導体層において前記第１のコイル導体層と前記第１の絶縁体層を介して対向する面は窪んでいること、
    を特徴とする電子部品。
  2. 前記凹部の深さは６μｍ以上であること、
    を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
  3. 前記凹部の深さは前記コイル導体層の線幅の４０％以下であること、
    を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
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