JP7463937B2 - インダクタ部品 - Google Patents

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Description

本発明は、インダクタ部品に関する。
従来、インダクタ部品としては、特開2015-15297号公報(特許文献1)に記載されたものがある。このインダクタ部品は、素体と、素体内に設けられたコイルと、第1外部電極と、第2外部電極とを有する。コイルは、絶縁ペースト層上にコイル導体層を形成し、このような絶縁ペーストを積層し、その後焼成することにより形成される。
特開2015-015297号公報
上記のようなインダクタ部品では、高周波で用いた場合に、小型化に対応しつつ必要なインダクタンス値(L値)を取得するために、外形サイズ当たりのL値の取得効率を向上させると、Q値を向上させることが困難であった。
そこで、本発明の課題は、L値の取得効率を向上させつつQ値を向上させることができる高周波用のインダクタ部品を提供することにある。
前記課題を解決するため、本開示の一態様である高周波用のインダクタ部品は、
素体と、
前記素体内に設けられたコイルと、
前記素体に設けられ、前記コイルに電気的に接続された第1外部電極と第2外部電極と
を備えたインダクタ部品であって、
前記素体は、互いに対向する第1端面および第2端面と、互いに対向する第3端面と第4端面と、前記第1端面と前記第2端面との間および前記第3端面と前記第4端面との間に接続された底面と、前記底面と対向する天面とを含み、
前記第1外部電極は、前記第1端面から前記底面にかけて形成され、
前記第2外部電極は、前記第2端面から前記底面にかけて形成され、
前記コイルは、コイルの軸が前記底面と平行であり、かつ、前記第3端面と前記第4端面とを交差するように前記軸に沿って巻回されたヘリカル構造であり、
前記素体は、絶縁層と内部磁性部材と第1外部磁性部材と第2外部磁性部材とを有し、
前記内部磁性部材は、前記軸方向においてコイルよりも内側に存在し、
前記第1外部磁性部材および前記第2外部磁性部材は、前記軸方向においてコイルよりも外側に存在し、
前記コイルは、Agを含み、
前記絶縁層は、ガラスを含み、
前記内部磁性部材、第1外部磁性部材および第2外部磁性部材は、磁性材料を含み、
前記底面に平行かつ前記軸に垂直な方向におけるインダクタ部品の大きさが0.7mm未満であり、
前記軸に平行な方向におけるインダクタ部品の大きさが0.4mm未満であり、
インダクタンス値は、100nH以下である。
前記実施形態によれば、高周波用のインダクタ部品において、L値の取得効率を向上させつつQ値を向上させることができる。
また、高周波用のインダクタ部品の一実施形態では、前記内部磁性部材、前記第1外部磁性部材および前記第2外部磁性部材は、樹脂と磁性材料とのコンポジット体である。
前記実施形態によれば、L値の取得効率を向上させることができる。
高周波用のインダクタ部品の一実施形態では、前記磁性材料が、Co系フェライト、六方晶フェライト、および1μm以下の粒径を有する金属磁性粉の少なくとも1つを含む。
前記実施形態によれば、一般的なNi-Znフェライトなどの磁性材料を用いた場合と比べて、高周波まで損失が小さいため、インダクタ部品のQ値を向上しつつ、高周波の特性も維持できる。
また、高周波用のインダクタ部品の一実施形態では、
前記第1外部電極および前記第2外部電極が前記素体内に埋め込まれており、
前記コイルは、前記軸に沿って積層された複数のコイル配線を有し、
前記軸に直交し、かつ、前記コイル配線、前記第1外部電極および前記第2外部電極の存在する断面において、前記絶縁層の面積は、前記コイル配線と前記第1外部電極と前記第2外部電極との合計面積よりも大きい。
前記実施形態によれば、コイルと外部電極の面積を小さくできるので、磁性損失による高周波でのQ値の低下および自己共振周波数(SRF)低下を抑えることができる。
また、高周波用のインダクタ部品の一実施形態では、前記素体および前記コイルを前記軸方向に沿って前記第3端面に投影したときに、
前記内部磁性部材の外周面と前記コイルの内周面との間の最短距離が、10μm以上20μm以下である。
前記実施形態によれば、コイルと内部磁性材料との間隔を確保することによって短絡、電流漏れを抑制できる。
また、高周波用のインダクタ部品の一実施形態では、前記内部磁性部材は、前記コイルの内径側のみに存在する。
前記実施形態によれば、コイルと外部電極との間に内部磁性部材が存在しないこととなり、SRFの低下を抑えることができる。また、コイルの外部を絶縁層で一体に形成できるので、インダクタ部品の強度が強くなる。しかも、コイルの外部に内部磁性部材が存在しないため、コイルの径を大きくすることができる。
また、高周波用のインダクタ部品の一実施形態では、前記第1外部磁性部材は、前記第3端面を構成し、前記第2外部磁性部材は、前記第4端面を構成する。
前記実施形態によれば、磁性部材上に他の部材を設けなくてもよくなり、素体の大きさを小さくできる。
また、高周波用のインダクタ部品の一実施形態では、前記底面と垂直な方向におけるインダクタ部品の大きさが、前記軸に平行な方向におけるインダクタ部品の大きさよりも大きい。
前記実施形態によれば、コイルの径を大きくできる。
また、高周波用のインダクタ部品の一実施形態では、前記第1外部磁性部材または前記第2外部磁性部材が、前記底面、前記天面、前記第1端面および前記第2端面の少なくとも1つの面において、前記絶縁層上に延在する。
前記実施形態によれば、外部磁性部材と素体との密着度が上がる。
また、高周波用のインダクタ部品の一実施形態では、前記素体および前記コイルを前記軸方向に沿って前記第3端面に投影したときに、前記内部磁性部材の、前記コイルの内径側の部分の外周面は、前記コイルの内周面に対応した形状である。
前記実施形態によれば、内部磁性部材を大きくすることができる。
また、高周波用のインダクタ部品の一実施形態では、自己共振周波数が1GHz以上である。
本発明によれば、L値の取得効率を向上させつつQ値を向上させることができる高周波用のインダクタ部品を提供することができる。
本発明のインダクタ部品の第1実施形態を示す斜視図である。 インダクタ部品の底面図である。 インダクタ部品の天面図である。 インダクタ部品の正面図である。 インダクタ部品の側面図である。 インダクタ部品のX-X断面図である。 インダクタ部品の透視斜視図である。 インダクタ部品の分解図である。 インダクタ部品において、透磁率とΔLとの関係を示す図である。 インダクタ部品において、透磁率とΔQとの関係を示す図である。 インダクタ部品において、透磁率とΔRとの関係を示す図である。 インダクタ部品の透視正面図である。 本発明のインダクタ部品の第2実施形態を示す断面図である。 第2実施形態のインダクタ部品の製造方法の一部を説明する説明図である。 第2実施形態のインダクタ部品の製造方法の一部を説明する説明図である。
以下、本開示の一態様であるインダクタ部品を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。
(第1実施形態)
図1は、インダクタ部品の第1実施形態を示す斜視図である。図2は、インダクタ部品1の底面図である。図3は、インダクタ部品1の天面図である。図4は、インダクタ部品1の正面図である。図5は、インダクタ部品1の側面図である。図6は、インダクタ部品1のX-X断面図である。図7は、インダクタ部品1の透視斜視図である。図8は、インダクタ部品1の分解図である。
図1から図8に示すように、インダクタ部品1は、素体10と、素体10に設けられたコイル20と、素体10に設けられ、コイルに電気的に接続された第1外部電極30と第2外部電極40とを有する。
インダクタ部品1は、第1、第2外部電極30,40を介して、図示しない回路基板の配線に電気的に接続される。インダクタ部品1は、例えば、高周波回路のインピーダンス整合用コイル(マッチングコイル)として用いられ、パソコン、DVDプレーヤー、デジカメ、TV、携帯電話、カーエレクトロニクス、医療用・産業用機械などの電子機器に用いられる。ただし、インダクタ部品1の用途はこれに限られず、例えば、同調回路、フィルタ回路や整流平滑回路などにも用いることもできる。
素体10は、複数の絶縁層11を積層して構成される。絶縁層11は、ガラスを含む。より詳細には絶縁層11は、ガラスの焼結体からなる。ガラスとしては、例えば、硼珪酸ガラスを挙げることができる。絶縁層11は、さらに、非磁性フェライト、アルミナ、樹脂等を含んでいてもよい。複数の絶縁層11は、W方向に積層されている。絶縁層11は、W方向の積層方向に直交するLT平面に広がった層状である。なお、複数の絶縁層11は、焼成などによって、隣り合う2つの絶縁層11の界面が明確となっていない場合がある。
素体10は、略直方体状に形成されている。素体10は、互いに対向する第1端面13および第2端面14と、互いに対向する第3端面15と第4端面16と、第1端面13と第2端面14との間および第3端面15と第4端面16との間に接続された底面17と、底面17と対向する天面18とを含む。すなわち、素体10の外表面は、第1端面13と、第1端面13に対向する第2端面14と、第1端面13と第2端面14の間に接続された第3端面15と、第3端面15に対向する第4端面16と、第3端面15と第4端面16の間に接続された底面17と、底面17に対向する天面18とから構成される。なお、図示するように、L方向は、第1端面13と第2端面14とに垂直な方向であり、W方向は、第3端面15と第4端面16とに垂直な方向であり、T方向は、底面17と天面18とに垂直な方向である。L方向、W方向、T方向は、互いに直交する。
コイル20は、コイルの軸が素体10の底面17と平行であり、かつ、素体10の第3端面15と第4端面16とを交差するようにコイルの軸に沿って巻回されたヘリカル構造である。
コイル20は、軸方向からみて、略長方形状に形成されているが、この形状に限定されない。コイル20の形状は、例えば、円形、楕円形、長方形、その他の多角形などであってもよい。コイル20の軸方向とは、コイル20が巻き回された螺旋の中心軸に平行な方向を指す。コイル20の軸方向と絶縁層11の積層方向は、同一方向である。本願における「平行」とは、厳密な平行関係に限定されず、現実的なばらつきの範囲を考慮し、実質的な平行関係も含む。
コイル20は、平面に沿って巻回されたコイル配線21を含む。複数のコイル配線21は、軸方向に沿って積層されている。コイル配線21は、軸方向に直交する絶縁層11の主面(LT平面)上に巻回されて形成される。積層方向に隣り合うコイル配線21は、絶縁層11を厚み方向(W方向)に貫通するビア配線26を介して、電気的に直列に接続される。すなわち、コイル20は、コイル配線21およびビア配線26を含む。このように、複数のコイル配線21は、互いに電気的に直列に接続されながら、螺旋を構成している。具体的には、コイル20は、互いに電気的に直列に接続され、巻回数が1周未満の複数のコイル配線21が積層された構成を有する。コイル配線21は、1層のコイル導体層から構成される。なお、コイル配線21は、互いに面接触して積層された複数層のコイル導体層から構成されていてもよく、この場合、アスペクト比が高く、かつ、矩形度が高いコイル配線21を形成することができる。また、コイル配線21は1周以上のスパイラル形状であってもよい。
コイル20はAgを含む。コイル20は、Ag以外の導電性材料(例えば、Cu、Auなど)、およびガラスを含んでいてもよい。
第1外部電極30は、第1端面13と底面17にかけて設けられたL字形状である。第2外部電極40は、第2端面14と底面17にかけて設けられたL字形状である。すなわち、第1、第2外部電極30,40はともに底面17に露出する。第1外部電極30は、コイル20の第1端に接続され、第2外部電極40は、コイル20の第2端に接続されている。
第1外部電極30は、下地電極層31とめっき膜層32との2つの層からなる。第2外部電極40は、下地電極層41とめっき膜層42との2つの層からなる。
下地電極層31は、互いに面接触して積層された複数層の外部電極導体層33から構成されている。下地電極層41は、互いに面接触して積層された複数層の外部電極導体層43から構成されている。下地電極層31、41は、例えば、Ag、Cu、Auなどの導電性材料、および、ガラス粒子から構成されていてもよく、コイル20と同じ材料から形成されていてもよい。なお、外部電極導体層33および43は、素体10に埋め込まれていてもよく、素体10の外面上に形成されていてもよい。
めっき膜層32、42は、例えば、Ni、Sn、Au、Cuめっきなどにより形成し、具体的には、NiとSnとのめっきにより形成する。
素体10は、第1外部磁性部材61、第2外部磁性部材62、および内部磁性部材63をさらに含む。
第1外部磁性部材61および第2外部磁性部材62は、コイル20の軸方向においてコイル20よりも外側に存在する。第1外部磁性部材61は、素体10の第3端面15を構成し、第2外部磁性部材62は、素体10の第4端面16を構成する。第1外部磁性部材61、および第2外部磁性部材62は、磁性材料を含み、樹脂と磁性材料とのコンポジット体から構成されてもよい。なお、本明細書において、磁性部材とは、磁性材料を含む部材を意味し、樹脂は含まなくてもよい。なお、第1、第2外部磁性部材61,62の外面側に、絶縁や保護を目的として、樹脂材料や無機材料で絶縁性の層等の他の部材を積層(コーティング)してもよい。つまり、他の部材を設けることによって、第1、第2外部磁性部材61,62の剥離、亀裂の発生や、第1、第2外部電極30,40間の短絡、電流漏れの発生を抑制できる。
内部磁性部材63は、第1外部磁性部材61および第2外部磁性部材62と接続している。内部磁性部材63は、コイル20の軸方向においてコイル20よりも内側に存在する。内部磁性部材63は、磁性材料を含み、樹脂と磁性材料とのコンポジット体から構成されてもよい。内部磁性部材63は、第1外部磁性部材61および第2外部磁性部材62と同じ材料から構成されてよい。
インダクタ部品1は、底面17に平行かつコイル20の軸に垂直な方向における大きさが0.7mm未満であり、コイル20の軸に平行な方向における大きさが0.4mm未満である。例えば、インダクタ部品1のサイズ(L方向×W方向×T方向)は、0.6mm×0.3mm×0.3mm、0.4mm×0.2mm×0.2mm、0.2mm×0.1mm×0.1mmなどである。また、W方向とT方向の長さは等しくなくてもよく、例えば、0.4mm×0.2mm×0.3mmなどであってもよい。
インダクタ部品1は、高周波用のインダクタ部品であり、L値は、100nH以下である。ここで、高周波用とは、インダクタ部品1のSRFが500MHz以上であることを意味する。なお、インダクタ部品1のSRFは1GHz以上であることが好ましく、これにより、インダクタ部品1を多様な高周波回路に使用できる。
上記インダクタ部品1によれば、小型化に対応しつつ必要なL値を取得するために、外形サイズ当たりのL値の取得効率を向上させつつ、Q値を向上させることができる。以下に詳しく述べる。
インダクタ部品では、小型化、すなわち外形サイズが小さくなることによって、コイルの内径を大きくできなくなるため、L値が取得しにくくなる。すなわち、外形サイズ当たりのL値の取得効率が下がる。この場合、必要なL値を取得するため、L値取得効率を向上させる方法の一つとして、コイルの巻き数を増やすことが考えられるが、コイルの巻き数を増やすと、コイルの線路長が長くなるため、インダクタ部品の直流電気抵抗値(R値)が高くなり、Q値が向上しにくい傾向にある。上記傾向は、インダクタ部品のL方向の大きさが0.7mm以下、かつW方向の大きさが0.4mm以下など、外形サイズが小さくなればなるほど、強くなる。
また、L値取得効率を向上させる別の方法として、高周波用以外のインダクタ部品では、素体に磁性材料を用いる場合がある。しかし、高周波用のインダクタ部品において、素体に磁性材料を用いると、高周波において磁性材料による磁性損失が増え、Q値が向上しにくくなる。このように、高周波用のインダクタ部品において、小型化に対応しつつ必要なL値を取得しようとするために、L値の取得効率を向上させると、Q値を向上させることが困難であった。
さらに、通常、素体に磁性材料を用いるのは、大きなL値を取得するためであることから、100nH以下とL値が比較的小さい高周波用のインダクタ部品では、素体に磁性材料を用いることは想定されてこなかった。同様に、スネークの限界より、高周波用で使用できる磁性材料は透磁率が低いものに限られ、相対的にL値取得効率の向上効果が低いことも、高周波用のインダクタ部品で、素体に磁性材料を用いられなかった一因である。
一方、本願発明者らは、高周波用のインダクタ部品において、あえて素体が磁性材料を有する構成を検討したところ、特定の構成において、Q値を向上させることができることを発見した。本願発明者らが行った実験は次のとおりである。
まず、高周波用のインダクタ部品の基準例として、上記の実施形態と同様に、素体と、素体内に設けられたコイルと、素体に設けられ、コイルに電気的に接続された第1外部電極と第2外部電極とを備えたインダクタ部品を作成した。基準例において、第1外部電極は、素体の第1端面から底面にかけて形成し、第2外部電極は、第2端面から底面にかけて形成した。基準例のコイルは、コイルの軸が底面と平行であり、かつ、第3端面と第4端面とを交差するようにコイルの軸に沿って巻回されたヘリカル構造とした。また、基準例において、コイルはAgを含み、素体はガラスのみで形成し、L方向の大きさを0.6mm、W方向の大きさを0.3mmとし、L値が100nHとなるようにコイルを形成した。
次に、高周波用のインダクタ部品の比較例として、素体が、ガラスからなる絶縁層に加えて、W方向(コイルの軸方向)において、コイルの両端より内側に位置し、磁性材料からなる内部磁性部材を有するものを作成した。また、高周波用のインダクタ部品の実施例として、上記実施形態と同様に、素体が、絶縁層及び内部磁性部材に加えて、W方向において、コイルの両端より外側に位置し、磁性材料からなる第1外部磁性部材、第2外部磁性部材を有するものとを作成した。なお、比較例及び実施例については、上記素体の磁性部材の構造を除いては、基準例と同じ構造とした。また、比較例及び実施例については、磁性材料の透磁率(複素透磁率の実部μ’)を1.2から4まで変化させたものを作成した。
図9A、図9B、図9Cは、それぞれ、基準例におけるL値、Q値、R値を基準値(0%)とした、比較例及び実施例のL値、Q値、R値の増加率(それぞれ、ΔL、ΔQ、ΔRとする)を示したグラフである。具体的には、図9A、図9B、図9Cでは、横軸に透磁率μ’、縦軸にΔL、ΔQ、ΔRをそれぞれ設けている。なお、ΔLは、磁性材料を用いない基準例(素体のμ’=1のとき)のL値からの増加率を示す。ΔQ、およびΔRについても同様である。図9A、図9B、図9Cにおいて、上記実施例のグラフは実線S1で、比較例のグラフは二点鎖線S0で記載した。
まず、図9Aに示すように、実施例および比較例の両方とも、透磁率が高くなるにつれL値が高くなることが分かる。なお、全体的に実施例の方が比較例よりもL値が高いが、これは、第1、第2外部磁性部材の存在により、コイルに電流が流れることで発生した磁束が周回する経路(磁路)において、磁性部材が占める比率が比較例より実施例の方が大きくなり、磁性抵抗が低いこと、漏れ磁束が低減されることによるものである。
ただし、図9Bに示すように、比較例では、透磁率が高くなるにつれ、Q値の増加率が低減し、ある一定の透磁率(μ’=2~3)を超えると、Q値が増加しなくなる。これは図9Cに示すように、比較例では、透磁率が高くなるにつれ、R値も増加するためであり、Q値におけるL値の増加の影響を、R値の増加の影響が打ち消してしまうためである。一方、図9Bに示すように、実施例では、透磁率が高くなるにつれ、Q値も増加している。これは、図9Cに示すように、実施例では、透磁率が高くなっても、比較例ほどにはR値は増加していないためである。
以上のように、高周波用のインダクタ部品においても、実施例のように、素体が、絶縁層に加えて、磁性材料を含む内部磁性部材と第1外部磁性部材と第2外部磁性部材とを有することで、L値の取得効率を向上させつつQ値を向上させることができることが分かる。
なお、比較例においては透磁率が高くなるにつれ、R値が増加しているのに対し、実施例においては透磁率が高くなっても、比較例ほどにはR値が増加していないのは次のような理由であると考えられる。本願の発明者らは、比較例において、高周波の信号を入力した際のコイルにおける電流密度を確認したところ、W方向(コイルの軸方向)におけるコイルの両端に位置する箇所に電流が集中し、電流密度が高くなっていることを発見した。また、透磁率の増加に伴って、当該箇所ではより電流密度が高くなることも確認された。電流密度が高くなると、当該箇所では温度が上昇し、導体の電気抵抗率が増加する。すなわち、比較例では、透磁率の増加により、W方向におけるコイルの両端に電流が集中することで、R値が増加していると推測される。
一方、実施例において、同様に高周波の信号を入力した際の電流密度を確認したところ、比較例よりもW方向におけるコイルの両端での電流の集中が低減されていた。すなわち、コイルの両端付近に位置する第1外部磁性部材、第2外部磁性部材が、当該コイルの両端における電流の集中を緩和する働きを持つことが分かった。これにより、実施例では、透磁率の増加によるW方向におけるコイルの両端の電流集中が緩和され、比較例ほどにはR値が増加しないと推測される。
以上のように、本実施形態のインダクタ部品1では、第1外部磁性部材61および第2外部磁性部材62を内部磁性部材63とともに用いることにより、W方向において、コイル20の両端への電流の集中を緩和でき、透磁率の増加に対するR値の増加率を低減することで、L値の取得効率を向上させつつQ値を向上させることができる。
なお、図9Aに示すように、変化させた透磁率の範囲全体に渡って、実施例の方が比較例よりもL値が高いが、これは、第1、第2外部磁性部材の存在により、コイルに電流が流れることで発生した磁束が周回する経路(磁路)において、磁性部材が占める比率が比較例より実施例の方が大きくなり、磁性抵抗が低くなることや、漏れ磁束が低減されることによるものと考えられる。このように、実施例では、R値の増加率を低減するだけでなく、L値の増加率を向上させることによっても、比較例よりも高いQ値を得ることができる。
図8に示すように、好ましくは、第1、第2外部磁性部材61、62および内部磁性部材63において、磁性材料は、Co系フェライト、六方晶フェライト、および1μm以下の粒径を有する金属磁性粉の少なくとも1つを含む。このような磁性材料を用いると、一般的なNi-Znフェライトなどの磁性材料を用いた場合と比べて高周波まで磁性損失が小さいため、インダクタ部品のQ値を向上しつつ、高周波の特性も維持できる。
また、上記磁性材料が、樹脂と磁性材料とのコンポジット体から構成される場合、樹脂は、例えば、エポキシ樹脂である。
図8に示すように、好ましくは、第1、第2外部電極30,40は素体10内に埋め込まれている場合、コイル20の軸に直交し、かつ、コイル配線21、第1、第2外部電極30,40の存在する断面において、絶縁層11の面積は、コイル20と第1外部電極30と第2外部電極40との合計面積よりも大きい。
このような態様をとることにより、当該断面におけるコイル20と第1、第2外部電極30および40との合計面積、すなわち導体部分の面積を小さくできるので、磁束が導体に入射することで発生する渦電流損失による高周波でのQ低下や、SRFの低下を抑えることができる。なお、全ての断面において、絶縁層11の面積が上記合計面積よりも大きい必要はなく、少なくとも1つの断面において大きければよい。
図10は、インダクタ部品1から、第1、第2外部磁性部材61,62、めっき膜層32,42を除いた部分における透視正面図である。なお、本開示において、「正面図」は積層方向(W方向)からインダクタ部品1を見た図を意味する。図10において、コイル配線21は、互いに重なって存在し、絶縁層の一部と内部磁性部材63とを囲う。「互いに重なる」とは、製造ばらつきなどにより、コイル配線21に多少の積層ズレが発生する場合も含む。
図10に示すように、素体10およびコイル20をコイル20の軸方向に沿って第3端面15に投影したときに、内部磁性部材63の外周面とコイル20の内周面との間の最短距離xが、10μm以上20μm以下である。なお、このとき、内部磁性部材63の外周面とコイル20の内周面との間に、絶縁層11の一部が存在する。
前記実施形態によれば、上記最短距離xが20μm以下であるため、内部磁性部材63の面積を大きくすることによって、Q値をより上げることができる。また、上記最短距離xが10μm以上であるため、コイル20と内部磁性部材63との間隔を確保することによって、内部磁性部材63を介した短絡、電流漏れを抑制できる。また、上記最短距離xが10μm以上であるため、内部磁性部材63における高周波の磁性損失の影響を低減でき、よりQ値を向上できる。
好ましくは、内部磁性部材63は、コイル20の内径側のみに存在する。
上記実施形態によれば、コイル20と第1外部電極30および第2外部電極40との間に内部磁性部材63が存在しないこととなり、SRFの低下を抑えることができる。また、コイル20の外部を絶縁層11で一体に形成できるので、インダクタ部品1の強度が強くなる。しかも、コイル20の外部に内部磁性部材63が存在しないため、コイル20の径を大きくすることができる。
好ましくは、素体10の底面17と垂直な方向(T方向)におけるインダクタ部品1の大きさが、コイル20の軸に平行な方向(W方向)におけるインダクタ部品1の大きさよりも大きい。このような態様とすることにより、コイル20の内径を大きくできる。
なお、コイル20の軸に平行な方向(W方向)におけるインダクタ部品1の大きさが、素体10の底面17と垂直な方向(T方向)におけるインダクタ部品1の大きさよりも大きくてもよい。このような態様とすることにより、コイル20の巻き数(言い換えると、コイル配線21の数)を増やすことができる。
好ましくは、素体10およびコイル20をコイル20の軸方向に沿って第3端面15に投影したときに、内部磁性部材63の、コイル20の内径側の部分の外周面は、コイル20の内周面に対応した形状である。例えば、コイルの内周面が凹凸形状を有し、磁性部材の外周面が当該凹凸形状に沿った形状を有する。この凹凸形状は、コイル配線21の端部、つまり、ビアパットにより形成されてもよい。
上記のような態様とすることにより、内部磁性部材63を大きくすることができる。
(インダクタ部品1の製造方法)
次に、インダクタ部品1の製造方法の一例を説明する。なお、インダクタ部品1の製造方法は以下の方法に限定されず、別の製造方法を用いてもよい。
まず、硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁ペースト、Agを主成分とする導電ペーストを用意する。絶縁ペーストは、後述する焼成後に絶縁層となる。導電ペーストは、後述する焼成後に、塗布する位置によってコイル配線、ビア配線、下地電極層となる。
次に、絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布し、絶縁層となる部分を形成する。
塗布された絶縁ペースト上に、スクリーン印刷により導電ペーストを必要量塗布し、フォトリソグラフィ法によるパターニング工程により、コイル配線、下地電極層となる部分を形成する。
次に、導体ペーストが塗布、パターニングされた絶縁ペースト上に、スクリーン印刷により絶縁ペーストを必要量塗布する。さらに、フォトリソグラフィ法によるパターニング工程により、絶縁ペーストに開口を設ける。
次に、開口が設けられた絶縁ペースト上に、スクリーン印刷により導電ペーストを必要量塗布する。この際、開口に導電ペーストを充填することで、ビア配線、下地電極層となる部分を形成する。また、上記と同様に、フォトリソグラフィ法によるパターニング工程により、コイル配線および下地電極層となる部分を形成する。
次に、マザー積層体のコイル配線の内径側に、レーザー、サンドブラスト等を用いて、内部磁性部材を設けるための貫通孔を設ける。なお、貫通孔を設ける方法としては、フォトリソグラフィで開口する方法、内径側にダミーの導体を形成し、メタルエッチングで開口する方法であってもよい。
次に、ダイシング等によりマザー積層体を複数の未焼成の積層体にカットする。マザー積層体のカット工程では、カットにより形成されるカット面において下地電極層となる部分を積層体から露出させる。
次に、貫通孔に、磁性ペーストを充填して内部磁性部材を形成し、さらに、積層体の端面に磁性ペーストを塗布して外部磁性部材を形成する。
次に、未焼成の積層体を所定条件で焼成し、導電ペーストからコイル配線、ビア配線、下地電極層を得、絶縁ペーストから絶縁層を得、磁性ペーストから、内部磁性部材、外部磁性部材を得る。このように、絶縁層、内部磁性部材、外部磁性部材を有する素体を得る。
さらに素体に対してバレル加工を施し、その後、下地電極層が素体から露出している部分に、バレルめっきにより、2μm~10μmの厚さを有するNiめっき、および、2μm~10μmの厚さを有するSnめっきを形成し、めっき膜層を設ける。以上の工程を経て、インダクタ部品1が完成する。
なお、上記では、未焼成の積層体を焼成したが、その代わりに、マザー積層体に貫通孔を設けた後に、焼成し、その後、貫通孔に磁性ペーストを充填して内部磁性部材を形成してもよい。この場合、磁性ペーストの充填後に、ダンシング等により積層体にカットする。この場合、磁性ペーストを熱硬化することによって内部磁性部材、外部磁性部材を形成できる。
(第2実施形態)
図11は、第2実施形態のインダクタ部品1AにおけるWT方向の断面図である。
インダクタ部品1Aは、第1実施形態のインダクタ部品1とは、第1、第2外部磁性部材の形状が相違する。この相違する点について、以下に説明する。その他の構成は、第1実施形態と同じ構成であり、第1実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
インダクタ部品1Aは、第1外部磁性部材61が、素体10の底面17および天面18において、それぞれの絶縁層11上に延在する。すなわち、第1外部磁性部材61の延在部64は、底面17および天面18の第3端面15側に存在する。第2外部磁性部材62が、素体10の底面17および天面18において、それぞれの絶縁層11上に延在する。すなわち、第2外部磁性部材62の延在部64は、底面17および天面18の第4端面16側に存在する。
上記のような態様とすることにより、第1、第2外部磁性部材61,62と素体10との密着度が上がる。
なお、第1外部磁性部材61は、素体10の底面17、天面18、第1端面13および第2端面14のうちの少なくとも1面の絶縁層11上に延在してもよく、第2外部磁性部材62は、素体10の底面17、天面18、第1端面13および第2端面14のうちの少なくとも1面の絶縁層11上に延在してもよい。
(インダクタ部品1Aの製造方法)
次に、インダクタ部品1Aの製造方法の一例を説明する。なお、インダクタ部品1Aの製造方法は以下の方法に限定されず、別の製造方法を用いてもよい。
インダクタ部品1Aは、マザー積層体の形成まではインダクタ部品1と同様に製造する。
次に、マザー積層体のコイル配線の内径側に、レーザー、サンドブラスト等を用いて、内部磁性部材を設けるための貫通孔600を設ける。
次に、ダイシング等によりマザー積層体を複数の未焼成の積層体100にカットする。マザー積層体のカット工程では、カットにより形成されるカット面において下地電極層となる部分を積層体100から露出させる。
次に、貫通孔に、磁性ペーストを充填する。図12A、図12Bを用いて充填方法について以下に説明する。
図12Aは、磁性ペースト610を、カット工程後のインダクタ部品1Aの貫通孔600に充填するとともに、延在部64となる延在部分640を設ける方法を説明する説明図である。図12Bは、貫通孔600に磁性ペースト610を充填し、上記の延在部分640を設けた状態を説明する説明図である。なお、図12A、Bでは、積層体100は、WT方向の断面概略図として記載している。なお、積層体100は、コイル部200、素体部110および貫通孔600を有し、コイル部200および素体部110は、焼成後にそれぞれコイル20および素体10となる。
図12Aに示すように、積層体100の両端面に磁性ペースト610を配置し、その両側から一対のダイ700で挟んで押圧する。
図12Bに示すように、押圧することにより、貫通孔600に磁性ペースト610の一部を充填して内部磁性部材を形成し、さらに、積層体の端面に磁性ペースト610の一部を残して外部磁性部材を形成し、さらに、隣り合う積層体100間の隙間の開口側に磁性ペースト610の一部を挿入し、延在部分640を形成する。
次に、ダイ700を取り除いた後、未焼成の積層体100を所定条件で焼成し、その後、延在部分640を2つに分割して隣り合う積層体を分割する。この時に、延在部分640の2つに分割したものが、それぞれ延在部64を形成する。
このように、絶縁層11、内部磁性部材63、第1、第2外部磁性部材61,62を有する素体10を得る。
次に、素体10に対して、第1実施形態と同じように、バレル加工を施し、バレルめっきによりめっき膜層32および42を設けることにより、インダクタ部品1Aが完成する。
なお、本発明は上述の第1および第2実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。
各材料は上記に例示したもの限定されるものではなく、公知のものを用いることができる。
また、貫通孔に磁性ペーストを充填するのは、ダイシング等によりマザー積層体をカットする前であってもよい。また、マザー積層体を一部のみカットした状態で磁性ペーストを充填し、その後に完全にマザー積層体を分離してもよい。
上述の実施形態では、第1、第2外部電極30,40は、L字形状であるが、例えば5面電極であってもよい。つまり、第1外部電極30は、第2端面14全面と、第3端面15、第4端面16、底面17、天面18の一部とに設けられてもよく、第2外部電極40は、第1端面13全面と、第3端面15、第4端面16、底面17、天面18の一部とに設けられてもよい。
1 インダクタ部品
10 素体
13 第1端面
14 第2端面
15 第3端面
16 第4端面
17 底面
18 天面
20 コイル
21 コイル配線
26 ビア配線
30 第1外部電極
40 第2外部電極
31,41 下地電極層
32,42 めっき膜層
61 第1外部磁性部材
62 第2外部磁性部材
63 内部磁性部材
64 延在部
100 積層体
110 素体部
200 コイル部
600 貫通孔
610 磁性ペースト
640 延在部分
700 ダイ

Claims (11)

  1. 素体と、
    前記素体内に設けられたコイルと、
    前記素体に設けられ、前記コイルに電気的に接続された第1外部電極と第2外部電極と
    を備えたインダクタ部品であって、
    前記素体は、互いに対向する第1端面および第2端面と、互いに対向する第3端面と第4端面と、前記第1端面と前記第2端面との間および前記第3端面と前記第4端面との間に接続された底面と、前記底面と対向する天面とを含み、
    前記第1外部電極は、前記第1端面から前記底面にかけて形成され、
    前記第2外部電極は、前記第2端面から前記底面にかけて形成され、
    前記コイルは、コイルの軸が前記底面と平行であり、かつ、前記第3端面と前記第4端面とを交差するように前記軸に沿って巻回されたヘリカル構造であり、
    前記素体は、絶縁層と内部磁性部材と第1外部磁性部材と第2外部磁性部材とを有し、
    前記内部磁性部材は、前記軸方向においてコイルよりも内側に存在し、
    前記第1外部磁性部材および前記第2外部磁性部材は、前記軸方向においてコイルよりも外側に存在し、
    前記コイルは、Agを含み、
    前記絶縁層は、ガラスを含み、
    前記内部磁性部材、第1外部磁性部材および第2外部磁性部材は、磁性材料を含み、
    前記底面に平行かつ前記軸に垂直な方向におけるインダクタ部品の大きさが0.7mm未満であり、
    前記軸に平行な方向におけるインダクタ部品の大きさが0.4mm未満であり、
    インダクタンス値は、100nH以下であり、
    前記磁性材料が、Co系フェライト、六方晶フェライト、および1μm以下の粒径を有する金属磁性粉の少なくとも1つを含
    前記素体および前記コイルを前記軸方向に沿って前記第3端面に投影したときに、
    前記内部磁性部材の外周面と前記コイルの内周面との間の最短距離が、10μm以上20μm以下である、
    高周波用のインダクタ部品。
  2. 素体と、
    前記素体内に設けられたコイルと、
    前記素体に設けられ、前記コイルに電気的に接続された第1外部電極と第2外部電極と
    を備えたインダクタ部品であって、
    前記素体は、互いに対向する第1端面および第2端面と、互いに対向する第3端面と第4端面と、前記第1端面と前記第2端面との間および前記第3端面と前記第4端面との間に接続された底面と、前記底面と対向する天面とを含み、
    前記第1外部電極は、前記第1端面から前記底面にかけて形成され、
    前記第2外部電極は、前記第2端面から前記底面にかけて形成され、
    前記コイルは、コイルの軸が前記底面と平行であり、かつ、前記第3端面と前記第4端面とを交差するように前記軸に沿って巻回されたヘリカル構造であり、
    前記素体は、絶縁層と内部磁性部材と第1外部磁性部材と第2外部磁性部材とを有し、
    前記内部磁性部材は、前記軸方向においてコイルよりも内側に存在し、
    前記第1外部磁性部材および前記第2外部磁性部材は、前記軸方向においてコイルよりも外側に存在し、
    前記コイルは、Agを含み、
    前記絶縁層は、ガラスを含み、
    前記内部磁性部材、第1外部磁性部材および第2外部磁性部材は、磁性材料を含み、
    前記底面に平行かつ前記軸に垂直な方向におけるインダクタ部品の大きさが0.7mm未満であり、
    前記軸に平行な方向におけるインダクタ部品の大きさが0.4mm未満であり、
    インダクタンス値は、100nH以下であり、
    前記第1外部電極および前記第2外部電極が前記素体内に埋め込まれており、
    前記コイルは、前記軸に沿って積層された複数のコイル配線を有し、
    前記軸に直交し、かつ、前記コイル配線、前記第1外部電極および前記第2外部電極の存在する断面において、前記絶縁層の面積は、前記コイル配線と前記第1外部電極と前記第2外部電極との合計面積よりも大きい、
    高周波用のインダクタ部品。
  3. 前記内部磁性部材、前記第1外部磁性部材および前記第2外部磁性部材は、樹脂と磁性材料とのコンポジット体である、請求項1または2に記載の高周波用のインダクタ部品。
  4. 前記磁性材料が、Co系フェライト、六方晶フェライト、および1μm以下の粒径を有する金属磁性粉の少なくとも1つを含む、請求項2に記載の高周波用のインダクタ部品。
  5. 前記素体および前記コイルを前記軸方向に沿って前記第3端面に投影したときに、
    前記内部磁性部材の外周面と前記コイルの内周面との間の最短距離が、10μm以上20μm以下である、請求項2に記載の高周波用のインダクタ部品。
  6. 前記内部磁性部材は、前記コイルの内径側のみに存在する、請求項1-5のいずれか1項に記載の高周波用のインダクタ部品。
  7. 前記第1外部磁性部材は、前記第3端面を構成し、
    前記第2外部磁性部材は、前記第4端面を構成する、請求項1-6のいずれか1項に記載の高周波用のインダクタ部品。
  8. 前記底面と垂直な方向におけるインダクタ部品の大きさが、前記軸に平行な方向におけるインダクタ部品の大きさよりも大きい、請求項1-7のいずれか1項に記載の高周波用のインダクタ部品。
  9. 前記第1外部磁性部材または前記第2外部磁性部材が、前記底面、前記天面、前記第1端面および前記第2端面の少なくとも1つの面において、前記絶縁層上に延在する、
    請求項1-8のいずれか1項に記載の高周波用のインダクタ部品。
  10. 前記素体および前記コイルを前記軸方向に沿って前記第3端面に投影したときに、前記内部磁性部材の、前記コイルの内径側の部分の外周面は、前記コイルの内周面に対応した形状である、請求項1-9のいずれか1項に記載の高周波用のインダクタ部品。
  11. 自己共振周波数が1GHz以上である、請求項1-10のいずれか1項に記載の高周波用のインダクタ部品。
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