JP7463937B2 - インダクタ部品 - Google Patents
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Description
そこで、本発明の課題は、L値の取得効率を向上させつつQ値を向上させることができる高周波用のインダクタ部品を提供することにある。
素体と、
前記素体内に設けられたコイルと、
前記素体に設けられ、前記コイルに電気的に接続された第1外部電極と第2外部電極と
を備えたインダクタ部品であって、
前記素体は、互いに対向する第1端面および第2端面と、互いに対向する第3端面と第4端面と、前記第1端面と前記第2端面との間および前記第3端面と前記第4端面との間に接続された底面と、前記底面と対向する天面とを含み、
前記第1外部電極は、前記第1端面から前記底面にかけて形成され、
前記第2外部電極は、前記第2端面から前記底面にかけて形成され、
前記コイルは、コイルの軸が前記底面と平行であり、かつ、前記第3端面と前記第4端面とを交差するように前記軸に沿って巻回されたヘリカル構造であり、
前記素体は、絶縁層と内部磁性部材と第1外部磁性部材と第2外部磁性部材とを有し、
前記内部磁性部材は、前記軸方向においてコイルよりも内側に存在し、
前記第1外部磁性部材および前記第2外部磁性部材は、前記軸方向においてコイルよりも外側に存在し、
前記コイルは、Agを含み、
前記絶縁層は、ガラスを含み、
前記内部磁性部材、第1外部磁性部材および第2外部磁性部材は、磁性材料を含み、
前記底面に平行かつ前記軸に垂直な方向におけるインダクタ部品の大きさが0.7mm未満であり、
前記軸に平行な方向におけるインダクタ部品の大きさが0.4mm未満であり、
インダクタンス値は、100nH以下である。
前記第1外部電極および前記第2外部電極が前記素体内に埋め込まれており、
前記コイルは、前記軸に沿って積層された複数のコイル配線を有し、
前記軸に直交し、かつ、前記コイル配線、前記第1外部電極および前記第2外部電極の存在する断面において、前記絶縁層の面積は、前記コイル配線と前記第1外部電極と前記第2外部電極との合計面積よりも大きい。
前記内部磁性部材の外周面と前記コイルの内周面との間の最短距離が、10μm以上20μm以下である。
図1は、インダクタ部品の第1実施形態を示す斜視図である。図2は、インダクタ部品1の底面図である。図3は、インダクタ部品1の天面図である。図4は、インダクタ部品1の正面図である。図5は、インダクタ部品1の側面図である。図6は、インダクタ部品1のX-X断面図である。図7は、インダクタ部品1の透視斜視図である。図8は、インダクタ部品1の分解図である。
第1外部電極30は、下地電極層31とめっき膜層32との2つの層からなる。第2外部電極40は、下地電極層41とめっき膜層42との2つの層からなる。
下地電極層31は、互いに面接触して積層された複数層の外部電極導体層33から構成されている。下地電極層41は、互いに面接触して積層された複数層の外部電極導体層43から構成されている。下地電極層31、41は、例えば、Ag、Cu、Auなどの導電性材料、および、ガラス粒子から構成されていてもよく、コイル20と同じ材料から形成されていてもよい。なお、外部電極導体層33および43は、素体10に埋め込まれていてもよく、素体10の外面上に形成されていてもよい。
めっき膜層32、42は、例えば、Ni、Sn、Au、Cuめっきなどにより形成し、具体的には、NiとSnとのめっきにより形成する。
インダクタ部品1は、高周波用のインダクタ部品であり、L値は、100nH以下である。ここで、高周波用とは、インダクタ部品1のSRFが500MHz以上であることを意味する。なお、インダクタ部品1のSRFは1GHz以上であることが好ましく、これにより、インダクタ部品1を多様な高周波回路に使用できる。
また、上記磁性材料が、樹脂と磁性材料とのコンポジット体から構成される場合、樹脂は、例えば、エポキシ樹脂である。
このような態様をとることにより、当該断面におけるコイル20と第1、第2外部電極30および40との合計面積、すなわち導体部分の面積を小さくできるので、磁束が導体に入射することで発生する渦電流損失による高周波でのQ低下や、SRFの低下を抑えることができる。なお、全ての断面において、絶縁層11の面積が上記合計面積よりも大きい必要はなく、少なくとも1つの断面において大きければよい。
図10に示すように、素体10およびコイル20をコイル20の軸方向に沿って第3端面15に投影したときに、内部磁性部材63の外周面とコイル20の内周面との間の最短距離xが、10μm以上20μm以下である。なお、このとき、内部磁性部材63の外周面とコイル20の内周面との間に、絶縁層11の一部が存在する。
前記実施形態によれば、上記最短距離xが20μm以下であるため、内部磁性部材63の面積を大きくすることによって、Q値をより上げることができる。また、上記最短距離xが10μm以上であるため、コイル20と内部磁性部材63との間隔を確保することによって、内部磁性部材63を介した短絡、電流漏れを抑制できる。また、上記最短距離xが10μm以上であるため、内部磁性部材63における高周波の磁性損失の影響を低減でき、よりQ値を向上できる。
上記実施形態によれば、コイル20と第1外部電極30および第2外部電極40との間に内部磁性部材63が存在しないこととなり、SRFの低下を抑えることができる。また、コイル20の外部を絶縁層11で一体に形成できるので、インダクタ部品1の強度が強くなる。しかも、コイル20の外部に内部磁性部材63が存在しないため、コイル20の径を大きくすることができる。
なお、コイル20の軸に平行な方向(W方向)におけるインダクタ部品1の大きさが、素体10の底面17と垂直な方向(T方向)におけるインダクタ部品1の大きさよりも大きくてもよい。このような態様とすることにより、コイル20の巻き数(言い換えると、コイル配線21の数)を増やすことができる。
上記のような態様とすることにより、内部磁性部材63を大きくすることができる。
次に、インダクタ部品1の製造方法の一例を説明する。なお、インダクタ部品1の製造方法は以下の方法に限定されず、別の製造方法を用いてもよい。
塗布された絶縁ペースト上に、スクリーン印刷により導電ペーストを必要量塗布し、フォトリソグラフィ法によるパターニング工程により、コイル配線、下地電極層となる部分を形成する。
次に、ダイシング等によりマザー積層体を複数の未焼成の積層体にカットする。マザー積層体のカット工程では、カットにより形成されるカット面において下地電極層となる部分を積層体から露出させる。
図11は、第2実施形態のインダクタ部品1AにおけるWT方向の断面図である。
インダクタ部品1Aは、第1実施形態のインダクタ部品1とは、第1、第2外部磁性部材の形状が相違する。この相違する点について、以下に説明する。その他の構成は、第1実施形態と同じ構成であり、第1実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
上記のような態様とすることにより、第1、第2外部磁性部材61,62と素体10との密着度が上がる。
なお、第1外部磁性部材61は、素体10の底面17、天面18、第1端面13および第2端面14のうちの少なくとも1面の絶縁層11上に延在してもよく、第2外部磁性部材62は、素体10の底面17、天面18、第1端面13および第2端面14のうちの少なくとも1面の絶縁層11上に延在してもよい。
次に、インダクタ部品1Aの製造方法の一例を説明する。なお、インダクタ部品1Aの製造方法は以下の方法に限定されず、別の製造方法を用いてもよい。
次に、ダイシング等によりマザー積層体を複数の未焼成の積層体100にカットする。マザー積層体のカット工程では、カットにより形成されるカット面において下地電極層となる部分を積層体100から露出させる。
図12Aは、磁性ペースト610を、カット工程後のインダクタ部品1Aの貫通孔600に充填するとともに、延在部64となる延在部分640を設ける方法を説明する説明図である。図12Bは、貫通孔600に磁性ペースト610を充填し、上記の延在部分640を設けた状態を説明する説明図である。なお、図12A、Bでは、積層体100は、WT方向の断面概略図として記載している。なお、積層体100は、コイル部200、素体部110および貫通孔600を有し、コイル部200および素体部110は、焼成後にそれぞれコイル20および素体10となる。
図12Aに示すように、積層体100の両端面に磁性ペースト610を配置し、その両側から一対のダイ700で挟んで押圧する。
図12Bに示すように、押圧することにより、貫通孔600に磁性ペースト610の一部を充填して内部磁性部材を形成し、さらに、積層体の端面に磁性ペースト610の一部を残して外部磁性部材を形成し、さらに、隣り合う積層体100間の隙間の開口側に磁性ペースト610の一部を挿入し、延在部分640を形成する。
このように、絶縁層11、内部磁性部材63、第1、第2外部磁性部材61,62を有する素体10を得る。
10 素体
13 第1端面
14 第2端面
15 第3端面
16 第4端面
17 底面
18 天面
20 コイル
21 コイル配線
26 ビア配線
30 第1外部電極
40 第2外部電極
31,41 下地電極層
32,42 めっき膜層
61 第1外部磁性部材
62 第2外部磁性部材
63 内部磁性部材
64 延在部
100 積層体
110 素体部
200 コイル部
600 貫通孔
610 磁性ペースト
640 延在部分
700 ダイ
Claims (11)
- 素体と、
前記素体内に設けられたコイルと、
前記素体に設けられ、前記コイルに電気的に接続された第1外部電極と第2外部電極と
を備えたインダクタ部品であって、
前記素体は、互いに対向する第1端面および第2端面と、互いに対向する第3端面と第4端面と、前記第1端面と前記第2端面との間および前記第3端面と前記第4端面との間に接続された底面と、前記底面と対向する天面とを含み、
前記第1外部電極は、前記第1端面から前記底面にかけて形成され、
前記第2外部電極は、前記第2端面から前記底面にかけて形成され、
前記コイルは、コイルの軸が前記底面と平行であり、かつ、前記第3端面と前記第4端面とを交差するように前記軸に沿って巻回されたヘリカル構造であり、
前記素体は、絶縁層と内部磁性部材と第1外部磁性部材と第2外部磁性部材とを有し、
前記内部磁性部材は、前記軸方向においてコイルよりも内側に存在し、
前記第1外部磁性部材および前記第2外部磁性部材は、前記軸方向においてコイルよりも外側に存在し、
前記コイルは、Agを含み、
前記絶縁層は、ガラスを含み、
前記内部磁性部材、第1外部磁性部材および第2外部磁性部材は、磁性材料を含み、
前記底面に平行かつ前記軸に垂直な方向におけるインダクタ部品の大きさが0.7mm未満であり、
前記軸に平行な方向におけるインダクタ部品の大きさが0.4mm未満であり、
インダクタンス値は、100nH以下であり、
前記磁性材料が、Co系フェライト、六方晶フェライト、および1μm以下の粒径を有する金属磁性粉の少なくとも1つを含み、
前記素体および前記コイルを前記軸方向に沿って前記第3端面に投影したときに、
前記内部磁性部材の外周面と前記コイルの内周面との間の最短距離が、10μm以上20μm以下である、
高周波用のインダクタ部品。 - 素体と、
前記素体内に設けられたコイルと、
前記素体に設けられ、前記コイルに電気的に接続された第1外部電極と第2外部電極と
を備えたインダクタ部品であって、
前記素体は、互いに対向する第1端面および第2端面と、互いに対向する第3端面と第4端面と、前記第1端面と前記第2端面との間および前記第3端面と前記第4端面との間に接続された底面と、前記底面と対向する天面とを含み、
前記第1外部電極は、前記第1端面から前記底面にかけて形成され、
前記第2外部電極は、前記第2端面から前記底面にかけて形成され、
前記コイルは、コイルの軸が前記底面と平行であり、かつ、前記第3端面と前記第4端面とを交差するように前記軸に沿って巻回されたヘリカル構造であり、
前記素体は、絶縁層と内部磁性部材と第1外部磁性部材と第2外部磁性部材とを有し、
前記内部磁性部材は、前記軸方向においてコイルよりも内側に存在し、
前記第1外部磁性部材および前記第2外部磁性部材は、前記軸方向においてコイルよりも外側に存在し、
前記コイルは、Agを含み、
前記絶縁層は、ガラスを含み、
前記内部磁性部材、第1外部磁性部材および第2外部磁性部材は、磁性材料を含み、
前記底面に平行かつ前記軸に垂直な方向におけるインダクタ部品の大きさが0.7mm未満であり、
前記軸に平行な方向におけるインダクタ部品の大きさが0.4mm未満であり、
インダクタンス値は、100nH以下であり、
前記第1外部電極および前記第2外部電極が前記素体内に埋め込まれており、
前記コイルは、前記軸に沿って積層された複数のコイル配線を有し、
前記軸に直交し、かつ、前記コイル配線、前記第1外部電極および前記第2外部電極の存在する断面において、前記絶縁層の面積は、前記コイル配線と前記第1外部電極と前記第2外部電極との合計面積よりも大きい、
高周波用のインダクタ部品。 - 前記内部磁性部材、前記第1外部磁性部材および前記第2外部磁性部材は、樹脂と磁性材料とのコンポジット体である、請求項1または2に記載の高周波用のインダクタ部品。
- 前記磁性材料が、Co系フェライト、六方晶フェライト、および1μm以下の粒径を有する金属磁性粉の少なくとも1つを含む、請求項2に記載の高周波用のインダクタ部品。
- 前記素体および前記コイルを前記軸方向に沿って前記第3端面に投影したときに、
前記内部磁性部材の外周面と前記コイルの内周面との間の最短距離が、10μm以上20μm以下である、請求項2に記載の高周波用のインダクタ部品。 - 前記内部磁性部材は、前記コイルの内径側のみに存在する、請求項1-5のいずれか1項に記載の高周波用のインダクタ部品。
- 前記第1外部磁性部材は、前記第3端面を構成し、
前記第2外部磁性部材は、前記第4端面を構成する、請求項1-6のいずれか1項に記載の高周波用のインダクタ部品。 - 前記底面と垂直な方向におけるインダクタ部品の大きさが、前記軸に平行な方向におけるインダクタ部品の大きさよりも大きい、請求項1-7のいずれか1項に記載の高周波用のインダクタ部品。
- 前記第1外部磁性部材または前記第2外部磁性部材が、前記底面、前記天面、前記第1端面および前記第2端面の少なくとも1つの面において、前記絶縁層上に延在する、
請求項1-8のいずれか1項に記載の高周波用のインダクタ部品。 - 前記素体および前記コイルを前記軸方向に沿って前記第3端面に投影したときに、前記内部磁性部材の、前記コイルの内径側の部分の外周面は、前記コイルの内周面に対応した形状である、請求項1-9のいずれか1項に記載の高周波用のインダクタ部品。
- 自己共振周波数が1GHz以上である、請求項1-10のいずれか1項に記載の高周波用のインダクタ部品。
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