JP6436126B2 - 電子部品及び電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品及び電子部品の製造方法に関し、より特定的には、インダクタを備えた電子部品及び電子部品の製造方法に関する。

従来の電子部品に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の積層型電子部品が知られている。該積層型電子部品は、積層体及びインダクタを備えている。積層体は、複数の層状の絶縁体が積層方向に積層されて構成されている。インダクタは、複数の内部導体及び複数のビアホール導体を含んでいる。内部導体は、絶縁体の主面上に設けられており、角張ったＵ字型をなしている。ビアホール導体は、絶縁体を積層方向に貫通しており、積層方向に隣り合う２つの内部導体の端部同士を接続する。これにより、インダクタは、積層方向に沿って延在する中心軸を有する弦巻状をなしている。

特開２００７−１２３７２６号公報

ここで、本願発明者は、特許文献１に記載の積層型電子部品が備えるような、絶縁体層上に設けられた複数のインダクタ導体層（内部導体）を含むインダクタを備える電子部品において、インダクタの積層方向における長さを短くすることを検討した。

そこで、本発明の目的は、インダクタの積層方向における長さを短くすることができる電子部品及び電子部品の製造方法を提供することである。

本発明の一形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層方向に積層されて構成されている積層体と、前記絶縁体層上に設けられ、電気的に直列に接続されている複数のインダクタ導体層を含み、かつ、周回しながら下層側である一端から上層側である他端に向かって進行する螺旋状をなすインダクタと、を備えており、前記複数のインダクタ導体層は、第１のインダクタ導体層及び該第１のインダクタ導体層の前記他端側に隣り合う第２のインダクタ導体層を含んでおり、前記第１のインダクタ導体層及び第２のインダクタ導体層はそれぞれ、前記積層方向から見たときに、前記一端側又は前記他端側に隣り合う前記インダクタ導体層と重なる接続部と、前記一端側及び前記他端側に隣り合う前記インダクタ導体層と重ならない線状部とを有し、前記第２のインダクタ導体層の前記線状部の下面は、前記第１のインダクタ導体層の前記線状部の下面よりも高く、前記第１のインダクタ導体層の前記線状部の上面よりも低い位置にあること、を特徴とする。

本発明の一形態に係る電子部品の製造方法は、第１の絶縁体層を形成する第１の工程と、前記第１の絶縁体層上に第１のインダクタ導体層を一端から他端に向かって線状に形成する第２の工程と、前記第１の絶縁体層上に、前記第１のインダクタ導体層の厚みよりも小さな厚みを有する第２の絶縁体層を形成する第３の工程と、前記第１のインダクタ導体層の前記他端の上方に一端を形成するとともに、該一端から前記第２の絶縁体層上にかけて、第２のインダクタ導体層を線状に形成することにより、前記第１のインダクタ導体層の前記他端の上方に前記第２のインダクタ導体層の接続部を、前記第２の絶縁体層上に前記第２のインダクタ導体層の線状部を、それぞれ形成する第４の工程と、を備えていること、を特徴とする。

本発明によれば、インダクタの積層方向における長さを短くすることができる。

電子部品１０の外観斜視図である。 図１の電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。 積層体１２を前側から透視した図である。 図３ＡのＣにおける拡大図である。 図３ＡのＡ−Ａにおける断面構造図である。 図３ＡのＢ−Ｂにおける断面構造図である。 電子部品１０の製造時の工程断面図である。 電子部品１０の製造時の工程断面図である。 電子部品１０の製造時の工程断面図である。 電子部品１０の製造時の工程断面図である。 電子部品１０の製造時の工程断面図である。 電子部品１０の製造時の工程断面図である。 製造時の電子部品１０を前側から見た図である。 製造時の電子部品１０を前側から見た図である。 製造時の電子部品１０を前側から見た図である。 製造時の電子部品１０を前側から見た図である。 製造時の電子部品１０を前側から見た図である。 製造時の電子部品１０を前側から見た図である。 比較例に係る電子部品３１０の断面構造図である。 実施例に係る電子部品１０ａの断面構造図である。 インダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｂとがビアホール導体ｖ１により接続された電子部品１０ｂの断面構造図である。 インダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｂとがビアホール導体ｖ１により接続された電子部品１０ｃの断面構造図である。 電子部品１０ｃの製造時の工程断面図である。 電子部品１０ｃの製造時の工程断面図である。 電子部品１０ｃの製造時の工程断面図である。

以下に、本発明の実施形態に係る電子部品及び電子部品の製造方法について説明する。

（電子部品の構成）
以下に、一実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、電子部品１０の外観斜視図である。図２は、図１の電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。図３Ａは、積層体１２を前側から透視した図である。図３Ｂは、図３ＡのＣにおける拡大図である。図４Ａは、図３ＡのＡ−Ａにおける断面構造図である。図４Ｂは、図３ＡのＢ−Ｂにおける断面構造図である。

以下では、電子部品１０の積層方向を前後方向と定義する。また、前側から見たときに、電子部品１０の長辺が延在している方向を左右方向と定義し、電子部品１０の短辺が延在している方向を上下方向と定義する。上下方向、左右方向及び前後方向は互いに直交している。また、上下方向、左右方向及び前後方向は説明のために用いた一例である。そのため、使用時において電子部品１０の上下方向、左右方向及び前後方向が、実際の上下方向、左右方向及び前後方向と一致している必要はない。

電子部品１０は、図１及び図２に示すように、積層体１２、外部電極１４ａ，１４ｂ、引き出し導体層２０ａ，２０ｂ及びインダクタＬを備えている。よって、引き出し導体層２０ａ，２０ｂはインダクタＬの一部ではない。

積層体１２は、図２に示すように、長方形状の絶縁体層１６ａ〜１６ｋ（複数の絶縁体層の一例）が積層方向の後ろ側（下層側）から前側（上層側）へとこの順に並ぶように積層されて構成されており、直方体状をなしている。

絶縁体層１６ａ〜１６ｋは、図２に示すように、左右方向に延在する長辺及び上下方向に延在する短辺を有する長方形状をなしており、例えば、硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁材料により形成されている。ただし、絶縁体層１６ｂ〜１６ｊはそれぞれ、後述する外部導体層２５ａ〜２５ｉ，２６ａ〜２６ｉ及びインダクタ導体層１８ａ〜１８ｉが設けられる部分には絶縁材料が設けられていない形状を有している。すなわち、絶縁体層１６ｂ〜１６ｊは、長方形の一部が切り欠かれた形状をなしている。以下では、絶縁体層１６ａ〜１６ｋの前側の面を表面と称し、絶縁体層１６ａ〜１６ｋの後ろ側の面を裏面と称す。

また、積層体１２の左面は、絶縁体層１６ａ〜１６ｋの左側の短辺が連なることにより形成されている。積層体１２の右面は、絶縁体層１６ａ〜１６ｋの左側の短辺が連なることにより形成されている。積層体１２の上面は、絶縁体層１６ａ〜１６ｋの上側の長辺が連なることにより形成されている。積層体１２の下面は、絶縁体層１６ａ〜１６ｋの下側の長辺が連なることにより形成されている。積層体１２の下面は、積層体１２の実装面である。実装面とは、電子部品１０が回路基板に実装される際に回路基板と対向する面であり、積層方向と平行である。

外部電極１４ａは、めっき層１５ａ及び外部導体層２５ａ〜２５ｊを含んでいる。外部導体層２５ａは、図２に示すように、絶縁体層１６ａの表面の左下の角近傍に設けられている。また、外部導体層２５ａ〜２５ｉはそれぞれ、絶縁体層１６ａ〜１６ｉの左下の角に設けられている切り欠きに設けられている。従って、外部導体層２５ｂ〜２５ｊは、絶縁体層１６ｂ〜１６ｊを前後方向に横切っている。このような外部導体層２５ａ〜２５ｊは、同じ形状を有しており、前側から見たときに、Ｌ字型をなしている。具体的には、外部導体層２５ａ〜２５ｊは、前側から見たときに、積層体１２の左下の角から上側に向かって伸びると共に、積層体１２の左下の角から右側に向かって伸びる形状をなしている。また、外部導体層２５ａ〜２５ｊは、前側から見たときに一致した状態で重なり合っている。よって、外部導体層２５ａ〜２５ｊはそれぞれ、前後方向に隣り合うもの同士で接続されている。

めっき層１５ａは、外部導体層２５ａ〜２５ｊが積層体１２の左面及び下面において積層体１２から露出している部分を覆っている。めっき層１５ａは、左側から見たときに、長方形状をなしており、下側から見たときに、長方形状をなしている。このようなめっき層１５ａは、Ｎｉめっき上にＳｎめっきが施されることにより作製されている。

外部電極１４ｂは、めっき層１５ｂ及び外部導体層２６ａ〜２６ｊを含んでいる。外部導体層２６ａは、図２に示すように、絶縁体層１６ａの表面の右下の角近傍に設けられている。また、外部導体層２６ａ〜２６ｉはそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｊの右下の角に設けられている切り欠きに設けられている。従って、外部導体層２６ａ〜２６ｉは、絶縁体層１６ｂ〜１６ｊを前後方向に横切っている。外部導体層２６ａ〜２６ｊは、同じ形状を有しており、前側から見たときに、Ｌ字型をなしている。具体的には、このような外部導体層２６ａ〜２６ｊは、前側から見たときに、積層体１２の右下の角から上側に向かって伸びると共に、積層体１２の右下の角から左側に向かって伸びる形状をなしている。また、外部導体層２６ａ〜２６ｊは、前側から見たときに一致した状態で重なり合っている。よって、外部導体層２６ａ〜２６ｊはそれぞれ、前後方向に隣り合うもの同士で接続されている。

めっき層１５ｂは、外部導体層２６ａ〜２６ｊが積層体１２の右面及び下面において積層体１２から露出している部分を覆っている。めっき層１５ｂは、右側から見たときに、長方形状をなしており、下側から見たときに、長方形状をなしている。このようなめっき層１５ｂは、Ｎｉめっき上にＳｎめっきが施されることにより作製されている。なお、めっき層１５ａ、１５ｂは、例えば、Ｓｎ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕやこれらを含む合金など、低電気抵抗、高耐はんだ性又は高はんだ濡れ性などの性質を有する材料で構成されていてもよい。

インダクタＬは、外部電極１４ａ，１４ｂと電気的に接続されており、電気的に直列にこの順に接続されているインダクタ導体層１８ａ〜１８ｊ（複数のインダクタ導体層の一例）を含んでいる。インダクタＬは、前後方向に沿って延在する中心軸を有する弦巻状のコイルである。本実施形態では、インダクタＬは、前側から見たときに、時計回り方向に周回しながら、後ろ側（下層側）から前側（上層側）に向かって進行する弦巻状をなしている。弦巻状とは３次元構造の螺旋状を意味する。また、インダクタＬの径は、実質的に均一であり、前後方向のいずれの位置においても実質的に同じである。従って、インダクタＬは、前側から見たときに、図３Ａに示すように、丸みを持つ角を有する六角形状の環状の軌道Ｒ上を周回している。ただし、インダクタＬ（軌道Ｒ）は、前側から見たときに、外部電極１４ａ，１４ｂとは重なっていない。

インダクタ導体層１８ａ〜１８ｊはそれぞれ、絶縁体層１６ａ〜１６ｊの表面上（すなわち、絶縁体層１６ａ〜１６ｊ上）に設けられており、軌道Ｒの一部が切り欠かれた形状をなす線状の導体層である。これにより、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｊは、後ろ側から前側へとこの順に並ぶと共に、この順に電気的に直列に接続されている。なお、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｊの前後方向に沿った厚みは概ね等しい。

また、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｊは、前側から見たときに、互いに重なり合って軌道Ｒを形成している。インダクタ導体層１８ａ〜１８ｆは、例えば、Ａｇを主成分とする導電性材料により作製されている。以下に、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂを例に挙げて、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｊについてより詳細に説明する。

インダクタ導体層１８ａ（第１のインダクタ導体層の一例）は、絶縁体層１６ａ（第１の絶縁体層の一例）の表面上に設けられており、インダクタＬの１周分の長さよりも短い長さを有する。インダクタＬの１周分の長さとは、軌道Ｒの長さである。インダクタ導体層１８ａの長さとは、インダクタ導体層１８ａの線状形状の線路長を指す。

更に、絶縁体層１６ｂ（第２の絶縁体層の一例）は、絶縁体層１６ａの表面上に設けられている。ただし、絶縁体層１６ｂには、インダクタ導体層１８ａと同じ形状の切り欠きが設けられている。よって、インダクタ導体層１８ａは、絶縁体層１６ｂの切り欠き内に位置している。ただし、図４Ａに示すように、すなわち、絶縁体層１６ｂの前後方向の厚み（以下、単に絶縁体層の厚みと呼ぶ）Ｄ１は、図４Ａに示すように、インダクタ導体層１８ａの前後方向の厚み（以下、単にインダクタ導体層の厚みと呼ぶ）ｄ１よりも小さい。そのため、インダクタ導体層１８ａは、絶縁体層１６ｂの表面よりも前側に突出している。すなわち、インダクタ導体層１８ａは、絶縁体層１６ｂによって覆われていない。

インダクタ導体層１８ｂ（第２のインダクタ導体層の一例）は、インダクタ導体層１８ａの前側（上層側の一例）に隣り合うとともに、絶縁体層１６ｂの表面上に設けられており、インダクタＬの１周分の長さよりも短い長さを有する。また、インダクタ導体層１８ａは、前側（積層方向）から見たときに、上層側に隣り合うインダクタ導体層１８ｂと重なる接続部と、インダクタ導体層１８ｂと重ならない線状部を有する。また、インダクタ導体層１８ｂは、前側から見たときに、下層側に隣り合うインダクタ導体層１８ａと重なる接続部、上層側に隣り合うインダクタ導体層１８ｃと重なる接続部、インダクタ導体層１８ａ及びインダクタ導体層１８ｃと重ならない線状部を有する。これにより、インダクタ導体層１８ａの接続部の上面Ｓ１とインダクタ導体層１８ｂの接続部の下面Ｓ２とが直接に接触している。また、インダクタ導体層１８ｂの接続部の上面Ｓ１は、図４Ａの拡大図に示すように、インダクタ導体層１８ｂの線状部よりも前側に突出している。ただし、図４Ａの電子部品１０の全体の断面構造図では、図面が煩雑になることを防止するために、インダクタ導体層１８ｂの時計回り方向の上流側の接続部がインダクタ導体層１８ｂの線状部よりも前側に突出していることは表現されていない。以上の様な構造により、インダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｂとが電気的に直列に接続されている。

ただし、インダクタ導体層１８ａの長さ及びインダクタ導体層１８ｂの長さの合計は、インダクタＬの１周分の長さよりも短い。これにより、インダクタ導体層１８ｂの下流端が、前側から見たときに、インダクタ導体層１８ａと重なっていない。これにより、インダクタ導体層１８ａの時計回り方向の上流側の端部とインダクタ導体層１８ｂの時計回り方向の下流側の端部とが接触することによる短絡を防ぐことができる。

また、絶縁体層１６ｃ（第３の絶縁体層の一例）は、絶縁体層１６ｂの表面上に設けられている。絶縁体層１６ｃの厚みＤ２は、インダクタ導体層１８ｂの線状部の厚みｄ２よりも小さい。そのため、インダクタ導体層１８ｂは、絶縁体層１６ｃの表面よりも前側に突出している。すなわち、インダクタ導体層１８ｂは、絶縁体層１６ｃによって覆われていない。ただし、絶縁体層１６ｂの厚みＤ１及び絶縁体層１６ｃの厚みＤ２の合計は、インダクタ導体層１８ａの厚みｄ１よりも大きい。これにより、インダクタ導体層１８ａは、絶縁体層１６ｃにより覆われている。

以上のように、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、インダクタ導体層１８ａは絶縁体層１６ａの表面上に設けられ、インダクタ導体層１８ｂの線状部は絶縁体層１６ｂの表面上に設けられている。更に、絶縁体層１６ｂの厚みＤ１はインダクタ導体層１８ａの線状部の厚みｄ１よりも小さい。そのため、インダクタ導体層１８ａの上面Ｓ１はインダクタ導体層１８ｂの線状部の下面Ｓ２よりも前側に位置している。ただし、インダクタ導体層１８ａの上面Ｓ１はインダクタ導体層１８ｂの上面Ｓ３よりも後ろ側に位置している。これにより、インダクタ導体層１８ｂの線状部の下面Ｓ２は、インダクタ導体層１８ａの線状部の下面Ｓ２より高く、インダクタ導体層１８ａの線状部の上面Ｓ３よりも低い位置にある。

ここで、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｊの内の前後方向（下層側から上層側）に隣り合う２つのインダクタ導体層の間には、インダクタ導体層１８ａ（第１のインダクタ導体層の一例）とインダクタ導体層１８ｂ（第２のインダクタ導体層の一例）との関係と同じ関係が成立している。例えば、インダクタ導体層１８ｂとインダクタ導体層１８ｂの前側に隣り合うインダクタ導体層１８ｃとの間には、インダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｂとの関係と同じ関係が成立している。すなわち、インダクタ導体層１８ｂとインダクタ導体層１８ｃとの間では、インダクタ導体層１８ｂが第１のインダクタ導体層の一例であり、インダクタ導体層１８ｃが第２のインダクタ導体層の一例である。この場合、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、絶縁体層１６ｃ及びインダクタ導体層１８ｂの線状部は絶縁体層１６ｂの表面上に設けられている。更に、絶縁体層１６ｃ（第３の絶縁体層の一例）の厚みはインダクタ導体層１８ｂの線状部の厚みよりも小さい。また、絶縁体層１６ｃの厚み及び絶縁体層１６ｄの厚みの合計は、インダクタ導体層１８ｂの厚みより大きい。

インダクタ導体層１８ｃとインダクタ導体層１８ｄとの関係以降についても、インダクタ導体層１８ｂとインダクタ導体層１８ｃとの関係と同様である。

引き出し導体層２０ａは、絶縁体層１６ａの表面上に設けられている線状の導体層である。引き出し導体層２０ａは、インダクタ導体層１８ａの時計回り方向の上流側の端部と外部導体層２５ａとを接続している。引き出し導体層２０ｂは、絶縁体層１６ｊの表面上に設けられている線状の導体層である。引き出し導体層２０ｂは、インダクタ導体層１８ｊの下流端と外部導体層２６ｊとを接続している。これにより、インダクタＬは、外部電極１４ａと外部電極１４ｂとの間に電気的に接続されている。引き出し導体層２０ａ，２０ｂは、例えば、Ａｇを主成分とする導電性材料により作製されている。

ここで、インダクタ導体層１８ａ，１８ｊと引き出し導体層２０ａ，２０ｂとの境界、及び、外部導体層２５ａ，２６ｊと引き出し導体層２０ａ，２０ｂとの境界について説明する。以下では、引き出し導体層２０ａを例に挙げて図３Ｂを参照しながら説明する。

インダクタ導体層１８ａは、軌道Ｒ上に位置している部分であり、軌道Ｒ上に位置していない導体層は、インダクタ導体層１８ａではない。従って、インダクタ導体層１８ａと引き出し導体層２０ａとの境界は、引き出し導体層２０ａが軌道Ｒに接触する部分である。

また、図３Ａに示すように、外部導体層２５ａの上端は左右方向に沿って延在している。よって、左右方向に延在している上端よりも左側に位置する部分は外部導体層２５ａであり、該上端よりも右側に位置する部分は引き出し導体層２０ａである。

（電子部品の製造方法）
以下に、本実施形態に係る電子部品１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図５Ａないし図５Ｃ及び図６Ａないし図６Ｃは、電子部品１０の製造時の工程断面図である。図５Ａないし図５Ｃ及び図６Ａないし図６Ｃにおいて、左半分は図３ＡのＡ−Ａにおける断面構造図であり、右半分は図３ＡのＢ−Ｂにおける断面構造図である。図７Ａないし図７Ｃ及び図８Ａないし図８Ｃは、製造時の電子部品１０を前側から見た図である。

まず、絶縁体層１６ａとなるべきマザー絶縁体層１１６ａを形成する（第１の工程の一例）。マザー絶縁体層とは、絶縁体層１６ａ〜１６ｋとなる部分が複数繋がった状態でマトリクス状に配列された大判の絶縁体層である。キャリアフィルム上に硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁ペーストを塗布した後に、該絶縁ペーストの全体を紫外線で露光する。これにより、絶縁ペーストが硬化し、マザー絶縁体層１１６ａが形成される。

次に、図５Ａ及び図７Ａに示すように、フォトリソグラフィ工程により、マザー絶縁体層１１６ａの絶縁体層１６ａとなる部分上にインダクタ導体層１８ａ、引き出し導体層２０ａ及び外部導体層２５ａ，２６ａを形成する（第２の工程の一例）。具体的には、Ａｇを金属主成分とする感光性導電ペーストを印刷により塗布して、導電ペースト層をマザー絶縁体層１１６ａ上に形成する。更に、導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等で現像する。これにより、インダクタ導体層１８ａ、引き出し導体層２０ａ及び外部導体層２５ａ，２６ａが、マザー絶縁体層１１６ａ上に形成される。このとき、インダクタ導体層１８ａを時計回り方向の上流側の端部（第１の端部の一例）から時計回り方向の下流側の端部（第２の端部の一例）に向かって線状に形成する。

次に、図５Ｂ及び図７Ｂに示すように、絶縁体層１６ｂとなるべきマザー絶縁体層１１６ｂを形成する（第３の工程の一例）。マザー絶縁体層１１６ａ上に硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁ペーストを塗布した後に、インダクタ導体層１８ａ、引き出し導体層２０ａ及び外部導体層２５ａ，２６ａを覆うフォトマスクを介して該絶縁ペーストを紫外線で露光する。これにより、フォトマスクに覆われた部分以外の絶縁ペーストが硬化する。この後、未硬化の絶縁ペーストをアルカリ溶液などで除去する。ここで、絶縁ペーストの塗布厚みを、インダクタ導体層１８ａ、引き出し導体層２０ａ及び外部導体層２５ａ，２６ａの厚みよりも小さくする。これにより、絶縁体層１６ａとなる部分上に、インダクタ導体層１８ａの厚みｄ１よりも小さな厚みＤ１を有する絶縁体層１６ｂとなる部分を形成する。その結果、インダクタ導体層１８ａ、引き出し導体層２０ａ及び外部導体層２５ａ，２６ａを覆っていないマザー絶縁体層１１６ｂが形成される。また、インダクタ導体層１８ａ、引き出し導体層２０ａ及び外部導体層２５ａ，２６ａは、マザー絶縁体層１１６ｂよりも前側に突出している。

次に、図５Ｃ及び図７Ｃに示すように、フォトリソグラフィ工程により、インダクタ導体層１８ａに直列に接続されるインダクタ導体層１８ｂ及び外部導体層２５ｂ，２６ｂをマザー絶縁体層１１６ｂ上に形成する（第４の工程の一例）。具体的には、Ａｇを金属主成分とする感光性導電ペーストを印刷により塗布して、導電ペースト層をマザー絶縁体層１１６ｂ上に形成する。更に、導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等で現像する。これにより、インダクタ導体層１８ｂ及び外部導体層２５ｂ，２６ｂが、マザー絶縁体層１１６ｂ上に形成される。このとき、インダクタ導体層１８ａの時計回り方向の下流側の端部（第２の端部の一例）上にインダクタ導体層１８ｂの時計回り方向の上流側の端部（第３の端部の一例）を形成するとともに、該端部からマザー絶縁体層１１６ｂの絶縁体層１６ｂとなる部分にかけて、インダクタ導体層１８ｂを線状に形成する。これにより、インダクタ導体層１８ａの時計回り方向の下流側の端部上にインダクタ導体層１８ｂの時計回り方向の上流側の接続部を、絶縁体層１６ｂとなる部分上にインダクタ導体層１８ｂの線状部を、それぞれ形成でき、インダクタ導体層１８ａと上層側に隣り合うインダクタ導体層１８ｂが形成される。

次に、図６Ａ及び図８Ａに示すように、絶縁体層１６ｃとなるべきマザー絶縁体層１１６ｃを形成する（第５の工程の一例）。マザー絶縁体層１１６ｂ上に硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁ペーストを塗布した後に、インダクタ導体層１８ｂ及び外部導体層２５ｂ，２６ｂを覆うフォトマスクを介して該絶縁ペーストを紫外線で露光する。これにより、フォトマスクに覆われた部分以外の絶縁ペーストが硬化する。この後、未硬化の絶縁ペーストをアルカリ溶液などで除去する。ここで、絶縁ペーストの塗布厚みを、インダクタ導体層１８ｂ、引き出し導体層２０ｂ及び外部導体層２５ｂ，２６ｂの厚みよりも小さくする。これにより、絶縁体層１６ｂとなる部分上に、インダクタ導体層１８ｂの厚みｄ１よりも小さな厚みＤ１を有する絶縁体層１６ｃとなる部分を形成する。更に、マザー絶縁体層１１６ｂの厚みＤ１及びマザー絶縁体層１１６ｃの厚みＤ２の合計は、インダクタ導体層１８ａの厚みｄ１よりも大きい。これにより、インダクタ導体層１８ａを覆い、かつ、インダクタ導体層１８ｂ及び外部導体層２５ｂ，２６ｂを覆っていないマザー絶縁体層１１６ｃが形成される。また、インダクタ導体層１８ｂ及び外部導体層２５ｂ，２６ｂは、マザー絶縁体層１１６ｃよりも前側に突出している。

次に、図６Ｂ及び図８Ｂに示すように、フォトリソグラフィ工程により、インダクタ導体層１８ｂに直列に接続されるインダクタ導体層１８ｃ（第３のインダクタ導体層の一例）及び外部導体層２５ｃ，２６ｃをマザー絶縁体層１１６ｃ上に形成する（第６の工程の一例）。具体的には、Ａｇを金属主成分とする感光性導電ペーストを印刷により塗布して、導電ペースト層をマザー絶縁体層１１６ｃ上に形成する。更に、導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等で現像する。これにより、インダクタ導体層１８ｃ及び外部導体層２５ｃ，２６ｃが、マザー絶縁体層１１６ｃ上に形成される。このとき、インダクタ導体層１８ｂの時計回り方向の下流側の端部（第４の端部の一例）上にインダクタ導体層１８ｃの時計回り方向の上流側の端部（第５の端部の一例）を形成するとともに、該端部からマザー絶縁体層１１６ｃの絶縁体層１６ｃとなる部分にかけて、インダクタ導体層１８ｃを線状に形成する。これにより、インダクタ導体層１８ｂの時計回り方向の下流側の端部上にインダクタ導体層１８ｃの時計回り方向の上流側の接続部を、絶縁体層１６ｃとなる部分上にインダクタ導体層１８ｃの線状部を、それぞれ形成でき、インダクタ導体層１８ｂと上層側に隣り合うインダクタ導体層１８ｃが形成される。

次に、図６Ｃ及び図８Ｃに示すように、絶縁体層１６ｄとなるべきマザー絶縁体層１１６ｄを形成する。マザー絶縁体層１１６ｃ上に硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁ペーストを塗布した後に、インダクタ導体層１８ｃ及び外部導体層２５ｃ，２６ｃを覆うフォトマスクを介して該絶縁ペーストを紫外線で露光する。これにより、フォトマスクに覆われた部分以外の絶縁ペーストが硬化する。この後、未硬化の絶縁ペーストをアルカリ溶液などで除去する。ここで、マザー絶縁体層１１６ｄの厚みは、インダクタ導体層１８ｃの厚みよりも小さい。更に、マザー絶縁体層１１６ｃの厚み及びマザー絶縁体層１１６ｄの厚みの合計は、インダクタ導体層１８ｂの厚みよりも大きい。これにより、インダクタ導体層１８ｂを覆い、かつ、インダクタ導体層１８ｃ及び外部導体層２５ｃ，２６ｃを覆っていないマザー絶縁体層１１６ｄが形成される。また、インダクタ導体層１８ｃ及び外部導体層２５ｃ，２６ｃは、マザー絶縁体層１１６ｄよりも前側に突出している。

この後、図５Ａないし図５Ｃ及び図６Ａの工程（第２の工程ないし第５の工程の一例）を複数回繰り返して、絶縁体層１６ｅ〜１６ｊとなるべきマザー絶縁体層１１６ｅ〜１１６ｊ、インダクタ導体層１８ｄ〜１８ｊ、引き出し導体層２０ｂ及び外部導体層２５ｄ〜２５ｊ，２６ｄ〜２６ｊを形成する。

次に、絶縁体層１６ｋとなるべきマザー絶縁体層１１６ｋを形成する。マザー絶縁体層１１６ｋの形成は、マザー絶縁体層１１６ａの形成と同じであるので説明を省略する。以上の工程を経て、複数の積層体１２が繋がった状態でマトリクス状に配列されたマザー積層体を得る。

次に、ダイシング等によりマザー積層体を複数の未焼成の積層体１２にカットする。マザー積層体のカット工程では、カットにより形成されるカット面において外部導体層２５ａ〜２５ｊ，２６ａ〜２６ｊを積層体１２から露出させる。なお、後述する焼成において積層体１２が収縮するので、収縮を考慮してマザー積層体をカットする。

次に、未焼成の積層体１２を所定条件で焼成し、積層体１２を得る。更に、積層体１２に対してバレル加工を施す。

最後に、外部導体層２５ａ〜２５ｊ，２６ａ〜２６ｊが積層体１２から露出している部分に、２μｍ以上１０μｍ以下の厚さのＮｉめっき及び２μｍ以上１０μ以下の厚みのＳｎめっきを施す。以上の工程を経て、電子部品１０が完成する。電子部品１０のサイズは、例えば、０．４ｍｍ×０．２ｍｍ×０．２ｍｍである。

なお、電子部品１０は、導体層が設けられたセラミックグリーンシートを１枚ずつ積層・圧着して未焼成の積層体を形成した後に、未焼成の積層体を焼成するシート積層方法によって作製されてもよい。

（効果）
以上のように構成された電子部品１０によれば、インダクタＬの前後方向（積層方向）における長さを短くすることができる。より詳細には、インダクタ導体層１８ｂの線状部の下面Ｓ２は、インダクタ導体層１８ａの線状部の下面Ｓ２より高く、インダクタ導体層１８ａの線状部の上面Ｓ３よりも低い位置にある。これにより、前後方向に隣り合うインダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｂとの間隔を小さくすることができる。なお、電子部品１０では、インダクタ導体層１８ｂ〜１８ｊにおいて前後方向に隣り合う２つのインダクタ導体層においても、インダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｂとの関係と同じ関係が成立している。よって、インダクタ導体層１８ｂ〜１８ｊにおいて前後方向に隣り合う２つのインダクタ導体層の間隔も小さくすることができる。よって、インダクタＬの前後方向の長さを短くすることができる。

また、電子部品１０によれば、前記のように、インダクタＬのインダクタンス値が大きくなる。以下に、比較例に係る電子部品３１０を例に挙げて説明する。図９Ａは、比較例に係る電子部品３１０の断面構造図である。電子部品３１０において、電子部品１０と同じ構成については、電子部品１０に用いた参照符号に３００を足した参照符号を用いた。図９Ｂは、実施例に係る電子部品１０ａの断面構造図である。

まず、比較例に係る電子部品３１０の構造について説明する。電子部品３１０では、インダクタ導体層３１８ａ〜３１８ｅにおいて前後方向に隣り合うもの同士が、上下方向又は左右方向から見たときに、重なっていない。すなわち、特許文献１に記載の積層型電子部品と同様の構成を有している。ただし、インダクタ導体層３１８ａ〜３１８ｅはそれぞれ、実施例に係る電子部品１０ａのインダクタ導体層１８ａ〜１８ｅと同じ長さを有している。よって、電子部品３１０のインダクタＬの巻き数は実施例に係る電子部品１０ａのインダクタＬの巻き数と同じである。また、インダクタ導体層３１８ａ〜３１８ｅの厚みを厚みＴ１とした。前後方向に隣り合うインダクタ導体層３１８ａ〜３１８ｅの間隔を間隔Ｔ２とした。この場合、電子部品３１０のインダクタＬの前後方向の長さは、５Ｔ１＋４Ｔ２となる。

次に、実施例に係る電子部品１０ａの構造について説明する。インダクタ導体層１８ａ〜１８ｅの厚みを厚みＴ１とし、インダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｃとの間隔、インダクタ導体層１８ｂとインダクタ導体層１８ｄとの間隔及びインダクタ導体層１８ｃとインダクタ導体層１８ｅとの間隔を間隔Ｔ３とした。ここで、電子部品１０と電子部品３１０とを同じ条件（同じプロセスルール）で形成した場合、インダクタ導体層を覆う部分の絶縁体層の厚みの下限値は同等となる。したがって、間隔Ｔ２と間隔Ｔ３とは等しいものとする。この場合、電子部品１０のインダクタＬの前後方向の長さは、３Ｔ１＋２Ｔ３（＝３Ｔ１＋２Ｔ２）となる。

ここで、Ｌ＝μＮ^２Ｓ／ｌ（Ｌ：インダクタンス値、μ：透磁率、Ｎ：巻き数、Ｓ：断面積、ｌ：インダクタの前後方向の長さ）の関係が成立している。電子部品１０のインダクタＬと電子部品３１０のインダクタＬとはインダクタＬの前後方向の長さ以外において実質的に等しい。更に、電子部品１０のインダクタＬの前後方向の長さ３Ｔ１＋２Ｔ３は、電子部品３１０のインダクタＬの前後方向の長さ５Ｔ１＋４Ｔ２よりも短い。故に、電子部品１０のインダクタンス値は、電子部品３１０のインダクタンス値よりも大きい。

そこで、電子部品１０では、インダクタＬの巻き数Ｎを減らしたとしても、電子部品３１０と同等のインダクタンス値を得ることができる。インダクタＬの巻き数Ｎが減ると、インダクタＬの線路長（電流経路長）が短くなる。よって、インダクタＬの抵抗値が低減される。そのため、電子部品１０は、電子部品３１０のインダクタＬの抵抗値よりも小さな抵抗値を有するにも関わらず、電子部品３１０と同等のインダクタンス値を得ることができる。その結果、電子部品１０では、Ｑ値が向上する。

ところで、電子部品１０では、インダクタＬの前後方向（積層方向）における長さを短くするために、インダクタ導体層１８ｂの線状部の下面Ｓ２は、インダクタ導体層１８ａの線状部の下面Ｓ２より高く、インダクタ導体層１８ａの線状部の上面Ｓ３よりも低い位置にある。このような構造を実現するために、電子部品１０及び電子部品１０の製造方法では、インダクタ導体層１８ａは絶縁体層１６ａの表面上に設けられ、インダクタ導体層１８ｂは絶縁体層１６ｂの表面上に設けられている。更に、絶縁体層１６ｂの厚みはインダクタ導体層１８ａの厚みよりも小さい。ただし、他の構造によって、インダクタ導体層１８ａの一部とインダクタ導体層１８ｂの一部とが上下方向又は左右方向から見たときに重なっている構造が実現されていてもよい。

また、電子部品１０及び電子部品１０の製造方法では、図４Ａに示すように、絶縁体層１６ｃは、絶縁体層１６ｂの表面上に設けられている。絶縁体層１６ｃの厚みＤ２は、インダクタ導体層１８ｂの厚みｄ２よりも小さい。そのため、インダクタ導体層１８ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｃの表面よりも前側に突出している。ただし、絶縁体層１６ｂの厚みＤ１及び絶縁体層１６ｃの厚みＤ２の合計は、インダクタ導体層１８ａの厚みｄ１よりも大きい。これにより、インダクタ導体層１８ａは、絶縁体層１６ｃにより覆われている。絶縁体層１６ｃがこのような構造を有することにより、絶縁体層１６ｃの表面にインダクタ導体層１８ｃを形成すると、インダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｃとが絶縁されつつ、インダクタ導体層１８ｂとインダクタ導体層１８ｃとが互いに電気的に直列に接続される。更に、インダクタ導体層１８ｂの一部とインダクタ導体層１８ｃの一部とが上下方向又は左右方向から見たときに重なるようになる。ただし、厚みＤ１と厚みＤ２の合計は、必ずしも厚みｄ１よりも大きい必要はなく、例えばインダクタ導体層１８ａ，１８ｂ，１８ｃの合計で１ターンとなる場合（１周戻ってくる場合）、絶縁体層１６ｂ，１６ｃ，１６ｄの厚みの合計が、厚みｄ１よりも大きければよい。

また、電子部品１０及び電子部品１０の製造方法では、インダクタＬにおいてビアホール導体が不要となる。以下に、インダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｂとの接続を例に挙げて説明する。一般的な電子部品では、２つのインダクタ導体層を接続するために絶縁体層を積層方向に貫通するビアホール導体が設けられる。一方、電子部品１０では、インダクタ導体層１８ａの時計回り方向の下流側の接続部の上面Ｓ１とインダクタ導体層１８ｂの時計回り方向の上流側の接続部の下面Ｓ２とが直接に接触している。すなわち、インダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｂとがインダクタ導体層を介することなく接続されている。これにより、電子部品１０では、インダクタＬにおいてビアホール導体が不要となる。

また、上記のようにビアホール導体が不要となると、インダクタＬのＱ値が向上する。より詳細には、ビアホール導体は、インダクタの巻き数には寄与せず、インダクタの線路長に寄与する。よって、ビアホール導体がなくなると、インダクタのＬ値は変わらず、抵抗値が小さくなる。よって、インダクタＬのＱ値が向上する。

ここで、インダクタＬのインダクタンス値を大きくするためには、インダクタＬの内径を大きくすればよい。そのためには、ビアホール導体の径を小さくすることが好ましい。ただし、ビアホール導体は、絶縁体層にレーザービームを照射してビアホールを形成した後に、ビアホールに導電性ペーストを充填することにより形成される。そのため、ビアホール導体の径が小さくなると、ビアホールに対する導電性ペーストの充填が困難になる。そのため、インダクタの接続信頼性が低下する。

一方、電子部品１０では、インダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｂとの接続にビアホール導体が不要である。その代わり、インダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｂとを直接に接触させている。そのため、ビアホールに対する導電性ペーストの充填工程が不要である。以上より、電子部品１０では、インダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｂとの間に断線が発生しにくくなる。同じ理由により、インダクタ導体層１８ｂ〜１８ｊの間に断線が発生しにくくなる。なお、電子部品１０では、絶縁体層１６ａ〜１６ｋの積層方向は、外部電極１４ａ，１４ｂの積層体１２からの露出面と平行な方向である。このとき、インダクタＬの内径における磁束の発生方向は、外部電極１４ａ、１４ｂが広がる面方向と平行となる。したがって、該磁束が外部電極１４ａ、１４ｂに遮られることによる渦電流損を低減することができ、インダクタＬのＱ値を向上することができる。また、この場合、実装安定性の面から、電子部品１０の前後方向の長さは、インダクタＬの積層方向における長さ（前後方向の長さ）の短縮化に関わらず、電子部品１０の左右方向の長さに対してバランス良く調整することが好ましい。具体的には、絶縁体層１６ａ，１６ｋの厚みを適宜大きくすることにより、バランスを取ればよい。このように、電子部品１０において、インダクタＬの積層方向における長さを短くすることは、電子部品１０の小型化とは異なる技術思想である。

ただし、電子部品１０において、インダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｂとがビアホール導体により接続されていてもよい。図１０は、インダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｂとがビアホール導体ｖ１により接続された電子部品１０ｂの断面構造図である。図１１は、インダクタ導体層１８ａとインダクタ導体層１８ｂとがビアホール導体ｖ１により接続された電子部品１０ｃの断面構造図である。なお、図１０及び図１１は、図４Ａの拡大図に対応する。図１２Ａ、図１２Ｂ及び図１２Ｃは、電子部品１０ｃの製造時の工程断面図である。

電子部品１０ｂでは、インダクタ導体層１８ａの時計回り方向の下流側の接続部とインダクタ導体層１８ｂの時計回り方向の上流側の接続部との間及びその近傍にのみ、絶縁体層１７が設けられている。これにより、インダクタ導体層１８ａの時計回り方向の下流側の接続部とインダクタ導体層１８ｂの時計回り方向の上流側の接続部とが直接に接触しなくなる。そこで、ビアホール導体ｖ１が、絶縁体層１７を前後方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ａの時計回り方向の下流側の接続部とインダクタ導体層１８ｂの時計回り方向の上流側の接続部とを接続している。なお、他のインダクタ導体層１８ｂ〜１８ｊ間の接続も、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂ間の接続と同様に、ビアホール導体が用いられてもよい。

電子部品１０ｃでは、インダクタ導体層１８ａの時計回り方向の下流側の接続部とインダクタ導体層１８ｂの時計回り方向の上流側の接続部との間及びその近傍にも、絶縁体層１６ｂが設けられている。そして、ビアホール導体ｖ１が、絶縁体層１６ｂを前後方向に貫通しており、インダクタ導体層１８ａの時計回り方向の下流側の接続部とインダクタ導体層１８ｂの時計回り方向の上流側の接続部とを接続している。なお、他のインダクタ導体層１８ｂ〜１８ｊ間の接続も、インダクタ導体層１８ａ，１８ｂ間の接続と同様に、ビアホール導体が用いられてもよい。

上記のように、インダクタ導体層１８ｂの時計回り方向の上流側の接続部は、インダクタ導体層１８ａの時計回り方向の下流側の接続部のビアホール導体ｖ１を介した前側に形成されていてもよい。すなわち、インダクタ導体層１８ｂの時計回り方向の上流側の接続部は、インダクタ導体層１８ａの時計回り方向の下流側の接続部の上方に形成されればよい。なお、ここで、「インダクタ導体層１８ａの時計回り方向の下流側の接続部の上方」とは、ビアホール導体ｖ１を介した該接続部の上方領域だけでなく、該接続部の直上も含む。

ここで、電子部品１０ｃの絶縁体層１６ｂの形成について説明する。まず、図１２Ａに示すように、絶縁体層１６ａの表面上に、絶縁体層１６ｂとなるべき絶縁ペーストを塗布する。絶縁ペーストの厚みは、インダクタ導体層１８ａよりも僅かに厚い。

次に、図１２Ｂに示すように、絶縁ペーストを乾燥させる。この際、絶縁ペーストが収縮し、インダクタ導体層１８ａ上の絶縁ペーストがその他の部分よりも盛り上がった状態となる。

最後に、図１２Ｃに示すように、ビアホール導体ｖ１を形成する。これにより、インダクタ導体層１８ａの時計回り方向の下流側の接続部とインダクタ導体層１８ｂの時計回り方向の上流側の接続部との間及びその近傍に絶縁体層１６ｂが設けられ、更に、インダクタ導体層１８ａの時計回り方向の下流側の接続部とインダクタ導体層１８ｂの時計回り方向の上流側の接続部とをビアホール導体ｖ１が接続するようになる。

なお、電子部品１０では、絶縁体層１６ａ〜１６ｋの積層方向は、外部電極１４ａ，１４ｂの積層体１２からの露出面と平行な方向である。このとき、インダクタＬの内径における磁束の発生方向は、外部電極１４ａ、１４ｂが広がる面方向と平行となる。したがって、該磁束が外部電極１４ａ、１４ｂに遮られることによる渦電流損を低減することができ、インダクタＬのＱ値を向上することができる。また、この場合、実装安定性の面から、電子部品１０の前後方向の長さは、インダクタＬの積層方向における長さ（前後方向の長さ）の短縮化に関わらず、電子部品１０の左右方向の長さに対してバランス良く調整することが好ましい。具体的には、絶縁体層１６ａ，１６ｋの厚みを適宜大きくすることにより、バランスを取ればよい。このように、電子部品１０において、インダクタＬの積層方向における長さを短くすることは、電子部品１０の小型化とは異なる技術思想である。

（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品及び電子部品の製造方法は、前記電子部品１０，１０ａ〜１０ｃ及び前記電子部品１０，１０ａ〜１０ｃの製造方法に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

なお、電子部品１０，１０ａ〜１０ｃ及び電子部品１０，１０ａ〜１０ｃの製造方法の構成を任意に組み合わせてもよい。

なお、電子部品１０，１０ａ〜１０ｃでは、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｊの内の前後方向に隣り合う２つのインダクタ導体層の間には、インダクタ導体層１８ａ（第１のインダクタ導体層の一例）とインダクタ導体層１８ｂ（第２のインダクタ導体層の一例）との関係と同じ関係が成立している。しかしながら、電子部品１０では、少なくとも１組の前後方向に隣り合う２つのインダクタ導体層の間に、インダクタ導体層１８ａ（第１のインダクタ導体層の一例）とインダクタ導体層１８ｂ（第２のインダクタ導体層の一例）との関係と同じ関係が成立していればよい。

なお、電子部品１０，１０ａ〜１０ｃにおいて、インダクタＬの径は、均一ではなく、前後方向に位置によって異なっていてもよい。このとき、インダクタＬを左右上下方向に沿った平面で切ったある断面において、インダクタＬが渦巻状、すなわち２次元構造の螺旋状となる場合があってもよい。また、電子部品１０，１０ａ〜１０ｃにおいて、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｊは、すべてインダクタＬの１周分の長さよりも短い構成であったが、例えば、少なくともその一部やその全部が径を変化させながら周回することによって、１周以上周回する構成であってもよい。

なお、電子部品１０，１０ａ〜１０ｃにおいて、外部電極１４ａ，１４ｂは、外部導体層２５ａ〜２５ｊ，２６ａ〜２６ｊを備えていなくてもよい。すなわち、外部電極１４ａ，１４ｂは、例えば、積層体１２の表面に導電性ペーストが塗布されることで形成された下地電極にＮｉめっき及びＳｎめっきが施されて形成されてもよい。また、下地電極は、例えば、スパッタによって形成された金属膜であってもよい。なお、この場合、下字電極に直接引き出し導体層２０ａ，２０ｂが接続される。

なお、インダクタ導体層、外部導体層、引き出し導体層、ビアホール導体等の導体層は、導電性ペーストを塗布する以外に、例えば、スパッタ法や、蒸着法、箔の圧着、めっき等で形成されてもよい。また、セミアディティブ法のように、ネガパターンを形成してめっき膜により導体パターンを形成した後、不要部を除去してもよい。また、インダクタ導体層、外部導体層、引き出し導体層、ビアホール導体等の導体層の主成分は、Ａｇ以外に、ＣｕやＡｕなどの電気抵抗の低い導体材料であってもよい。

また、絶縁体層１６ａ〜１６ｋの材料は、ガラス、セラミック材料以外に、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリマー樹脂等の有機材料でもよいし、ガラスエポキシ樹脂のような複合材料でもよい。ただし、絶縁体層１６ａ〜１６ｋの材料は、誘電率及び誘電損失の小さな材料であることが好ましい。

なお、マザー絶縁体層１１６ａ〜１１６ｋの絶縁性ペーストの塗布は、例えば、スピンコート法、スプレー塗布法等が挙げられる。ただし、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｉ、引き出し導体層２０ａ，２０ｂ及び外部導体層２５ａ〜２５ｉ，２６ａ〜２６ｉを覆うスクリーン版を用いて、マザー絶縁体層１１６ｂ〜１１６ｊの絶縁ペーストを印刷してもよい。

電子部品１０，１０ａ〜１０ｃのサイズは、０．４ｍｍ×０．２ｍｍ×０．２ｍｍに限らない。

以上のように、本発明は、電子部品及び電子部品の製造方法に有用であり、特に、インダクタの積層方向における長さを短くすることができる点で優れている。

１０，１０ａ〜１０ｃ：電子部品
１２：積層体
１６ａ〜１６ｋ：絶縁体層
１８ａ〜１８ｊ：インダクタ導体層
１１６ａ〜１１６ｋ：マザー絶縁体層
Ｌ：インダクタ
Ｒ：軌道

Claims (15)

1. 複数の絶縁体層が積層方向の下層側から上層側へと積層されて構成されている積層体と、
   前記絶縁体層上に設けられ、電気的に直列に接続されている複数のインダクタ導体層を含み、かつ、周回しながら下層側から上層側に向かって進行する螺旋状をなすインダクタと、
   を備えており、
   前記複数のインダクタ導体層は、第１のインダクタ導体層及び該第１のインダクタ導体層に対して前記上層側に隣り合う第２のインダクタ導体層を含んでおり、
   前記第１のインダクタ導体層及び第２のインダクタ導体層はそれぞれ、前記積層方向から見たときに、前記下層側又は前記上層側に隣り合う前記インダクタ導体層と重なる接続部と、前記下層側及び前記上層側に隣り合う前記インダクタ導体層と重ならない線状部とを有し、
   前記第２のインダクタ導体層の前記線状部の下面は、前記第１のインダクタ導体層の前記線状部の下面よりも高く、前記第１のインダクタ導体層の前記線状部の上面よりも低い位置にあること、
   を特徴とする電子部品。
2. 前記第１のインダクタ導体層の前記接続部の上面と前記第２のインダクタ導体層の前記接続部の下面とが直接に接触していること、
   を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
3. 前記第１のインダクタ導体層の長さ及び前記第２のインダクタ導体層の長さは、前記インダクタの１周分の長さよりも短いこと、
   を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
4. 前記第１のインダクタ導体層の長さ及び前記第２のインダクタ導体層の長さの合計は、前記インダクタの１周分の長さよりも短いこと、
   を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
5. 前記複数の絶縁体層は、第１の絶縁体層及び第２の絶縁体層を含んでおり、
   前記第１のインダクタ導体層は、前記第１の絶縁体層上に設けられており、
   前記第２の絶縁体層は、前記第１の絶縁体層上に設けられており、
   前記第２のインダクタ導体層は、前記第２の絶縁体層上に設けられており、
   前記第２の絶縁体層の厚みは、前記第１のインダクタ導体層の厚みよりも小さいこと、
   を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
6. 前記複数の絶縁体層は、第３の絶縁体層を更に含んでおり、
   前記第３の絶縁体層は、前記第２の絶縁体層上に設けられており、
   前記第３の絶縁体層の厚みは、前記第２のインダクタ導体層の厚みよりも小さく、
   前記第２の絶縁体層の厚み及び前記第３の絶縁体層の厚みの合計は、前記第１のインダクタ導体層の厚みよりも大きいこと、
   を特徴とする請求項５に記載の電子部品。
7. 前記第２のインダクタ導体層と該第２のインダクタ導体層の前記上層側に隣り合うインダクタ導体層との間には、前記第１のインダクタ導体層と前記第２のインダクタ導体層との関係と同じ関係が成立していること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の電子部品。
8. 隣り合う２つの前記インダクタ導体層の間には、前記第１のインダクタ導体層と前記第２のインダクタ導体層との関係と同じ関係が成立していること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品。
9. 前記電子部品の実装面は、前記積層方向と平行であること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の電子部品。
10. 第１の絶縁体層を形成する第１の工程と、
    前記第１の絶縁体層上に第１のインダクタ導体層を第１の端部から第２の端部に向かって線状に形成する第２の工程と、
    前記第１の絶縁体層上に、前記第１のインダクタ導体層の厚みよりも小さな厚みを有する第２の絶縁体層を形成する第３の工程と、
    前記第１のインダクタ導体層の前記第２の端部の上方に第３の端部を形成するとともに、該第３の端部から前記第２の絶縁体層上にかけて、第２のインダクタ導体層を線状に形成することにより、前記第１のインダクタ導体層の前記第２の端部の上方に前記第２のインダクタ導体層の接続部を、前記第２の絶縁体層上に前記第２のインダクタ導体層の線状部を、それぞれ形成する第４の工程と、
    を備えていること、
    を特徴とする電子部品の製造方法。
11. 前記第２の絶縁体層上に、前記第２のインダクタ導体層の厚みよりも小さな厚みを有する第３の絶縁体層を形成する第５の工程を、
    更に備えていること、
    を特徴とする請求項１０に記載の電子部品の製造方法。
12. 前記第２のインダクタ導体層の第４の端部の上方に第５の端部を形成するとともに、該第５の端部から前記第３の絶縁体層上にかけて、第３のインダクタ導体層を線状に形成することにより、前記第２のインダクタ導体層の前記第４の端部の上方に前記第３のインダクタ導体層の接続部を、前記第３の絶縁体層上に前記第３のインダクタ導体層の線状部を、それぞれ形成する第６の工程を、
    更に備えていること、
    を特徴とする請求項１１に記載の電子部品の製造方法。
13. 前記第２の絶縁体層の厚み及び前記第３の絶縁体層の厚みの合計は、前記第１のインダクタ導体層の厚みよりも大きいこと、
    を特徴とする請求項１１又は請求項１２のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
14. 前記第１のインダクタ導体層の長さ及び前記第２のインダクタ導体層の長さは、前記インダクタの１周分の長さよりも短いこと、
    を特徴とする請求項１０ないし請求項１３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
15. 前記第１のインダクタ導体層の長さ及び前記第２のインダクタ導体層の長さの合計は、前記インダクタの１周分の長さよりも短いこと、
    を特徴とする請求項１０ないし請求項１４のいずれかに記載の電子部品の製造方法。

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