JP5754397B2 - 縦型トレンチigbtの製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る縦型トレンチIGBTを示す斜視図である。図2は、図1のA−A´に沿った断面図である。n−型Si基板1上にn型電荷蓄積層2とp型ボディ層3が順に設けられている。トレンチゲート4が、p型ボディ層3を貫通するトレンチ内にゲート絶縁膜5を介して設けられている。トレンチゲート4は平面視においてストライプ状に配置されている。
図14は、本発明の実施の形態2に係る縦型トレンチIGBTを示す斜視図である。図15は、図14のA−A´に沿った断面図である。膜厚500Å〜5000Åのポリシリコン膜20が、p型ボディ層3及びn型エミッタ層6とコンタクトプラグ11との間に設けられている。
3 p型ボディ層(ボディ層)
4 トレンチゲート
5 ゲート絶縁膜
6 n型エミッタ層(エミッタ層、真性エミッタ層)
7 n+型エミッタ層(エミッタ層、外部エミッタ層)
8 p+型拡散層(拡散層)
9 層間絶縁膜
10 エミッタ電極
11 コンタクトプラグ
13 p型コレクタ層(コレクタ層)
16,20 ポリシリコン膜
17 レジスト
18 自然酸化膜
21 容量の電極
22 ポリシリコン抵抗
Claims (6)
- 第1導電型の半導体基板上に第2導電型のボディ層を形成する工程と、
前記ボディ層を貫通するトレンチを形成し、前記トレンチ内にゲート絶縁膜を介してトレンチゲートを形成する工程と、
前記ボディ層上に第1導電型の不純物を含むポリシリコン膜を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜から前記ボディ層に前記第1導電型の不純物を拡散させて前記ボディ層上に第1導電型のエミッタ層を形成する工程と、
前記半導体基板の下面に第2導電型のコレクタ層を形成する工程と、
後に前記エミッタ層を形成する領域において前記ポリシリコン膜上にレジストを形成する工程と、
前記レジストをマスクとして前記ポリシリコン膜をエッチングする工程と、
前記ポリシリコン膜をエッチングした後に、前記レジストをマスクとして前記ボディ層に第2導電型の不純物を注入する工程と、
熱処理を行って前記ボディ層の前記第2導電型の不純物を注入した領域に第2導電型の拡散層を形成する工程とを備えることを特徴とする縦型トレンチIGBTの製造方法。 - 第1導電型の半導体基板上に第2導電型のボディ層を形成する工程と、
前記ボディ層を貫通するトレンチを形成し、前記トレンチ内にゲート絶縁膜を介してトレンチゲートを形成する工程と、
前記ボディ層上に第1導電型の不純物を含むポリシリコン膜を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜から前記ボディ層に前記第1導電型の不純物を拡散させて前記ボディ層上に第1導電型のエミッタ層を形成する工程と、
前記半導体基板の下面に第2導電型のコレクタ層を形成する工程とを備え、
前記ポリシリコン膜のグレインサイズは前記エミッタ層の幅より小さいことを特徴とする縦型トレンチIGBTの製造方法。 - 第1導電型の半導体基板上に第2導電型のボディ層を形成する工程と、
前記ボディ層を貫通するトレンチを形成し、前記トレンチ内にゲート絶縁膜を介してトレンチゲートを形成する工程と、
前記ボディ層上に第1導電型の不純物を含むポリシリコン膜を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜から前記ボディ層に前記第1導電型の不純物を拡散させて前記ボディ層上に第1導電型のエミッタ層を形成する工程と、
前記半導体基板の下面に第2導電型のコレクタ層を形成する工程とを備え、
前記ポリシリコン膜を、前記トレンチゲートを構成するポリシリコンと同時に形成することを特徴とする縦型トレンチIGBTの製造方法。 - 第1導電型の半導体基板上に第2導電型のボディ層を形成する工程と、
前記ボディ層を貫通するトレンチを形成し、前記トレンチ内にゲート絶縁膜を介してトレンチゲートを形成する工程と、
前記ボディ層上に第1導電型の不純物を含むポリシリコン膜を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜から前記ボディ層に前記第1導電型の不純物を拡散させて前記ボディ層上に第1導電型のエミッタ層を形成する工程と、
前記半導体基板の下面に第2導電型のコレクタ層を形成する工程とを備え、
前記ポリシリコン膜を、容量の電極を構成するポリシリコンと同時に形成することを特徴とする縦型トレンチIGBTの製造方法。 - 第1導電型の半導体基板上に第2導電型のボディ層を形成する工程と、
前記ボディ層を貫通するトレンチを形成し、前記トレンチ内にゲート絶縁膜を介してトレンチゲートを形成する工程と、
前記ボディ層上に第1導電型の不純物を含むポリシリコン膜を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜から前記ボディ層に前記第1導電型の不純物を拡散させて前記ボディ層上に第1導電型のエミッタ層を形成する工程と、
前記半導体基板の下面に第2導電型のコレクタ層を形成する工程とを備え、
前記ポリシリコン膜をポリシリコン抵抗と同時に形成することを特徴とする縦型トレンチIGBTの製造方法。 - 第1導電型の半導体基板上に第2導電型のボディ層を形成する工程と、
前記ボディ層を貫通するトレンチを形成し、前記トレンチ内にゲート絶縁膜を介してトレンチゲートを形成する工程と、
前記ボディ層上に第1導電型の不純物を含むポリシリコン膜を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜から前記ボディ層に前記第1導電型の不純物を拡散させて前記ボディ層上に第1導電型のエミッタ層を形成する工程と、
前記半導体基板の下面に第2導電型のコレクタ層を形成する工程とを備え、
前記エミッタ層は、
前記トレンチゲートの近傍に形成された真性エミッタ層と、
前記真性エミッタ層を外部に引き出す外部エミッタ層とを有し、
前記外部エミッタ層は前記真性エミッタ層に比べて不純物濃度が高く、深さが浅いことを特徴とする縦型トレンチIGBTの製造方法。
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