JP2007184387A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ダイオードの形成面積の縮小およびESD耐性の向上を図る。
【解決手段】SOI層3には、P-領域5、P+領域6、N+領域7により構成されるダイオードが形成される。P-領域5とN+領域7との間のPN接合が、1つの活性領域内に複数形成される。また、シリサイド61,71は、PN接合に形成される空乏層の端部から100〜300nm程度の間隔をおいて配設される。
【選択図】図1
【解決手段】SOI層3には、P-領域5、P+領域6、N+領域7により構成されるダイオードが形成される。P-領域5とN+領域7との間のPN接合が、1つの活性領域内に複数形成される。また、シリサイド61,71は、PN接合に形成される空乏層の端部から100〜300nm程度の間隔をおいて配設される。
【選択図】図1
Description
本発明はダイオードを備える半導体装置およびその製造方法に関するものである。
支持基板上に配設された埋込酸化膜(BOX(Buried Oxide)層)上にシリコン層(SOI(Silicon On Insulator)層)が形成されて成るSOI基板を用いた半導体装置(以下「SOIデバイスと」と称す)が知られている。SOIデバイスは、寄生容量の低減、消費電力の低減および動作の高速化が可能であり、通信用LSIや携帯機器などに広く使用されている。
SOIデバイスの入出力回路には、外部から加わるESD(Electrostatic Discharge)から内部回路を保護するための保護ダイオードとして、PN接合ダイオードを設けることが多い。PN接合ダイオードの構造および製造方法は、例えば下記の特許文献1,2に開示されている。
特許文献1,2のダイオードでは、アノードまたはカソードとなる不純物拡散層の上部にシリサイドが形成されており、コンタクトが当該シリサイドを介して不純物拡散層に接続することで両者間の接続抵抗を低減させている。但し、アノード、カソード間の短絡を防止するため、基板表面におけるPN接合部(即ち、基板表面とPN接合とが接する部分)にはシリサイドが形成されないようにする必要がある。
そのため特許文献1では、不純物拡散層を形成するためのイオン注入を、ポリシリコンで形成されたゲート電極をマスクにして行い、不純物拡散層の一部にゲート電極をオーバーラップするようにしてPN接合をゲート電極の下方に形成している。つまり基板表面におけるPN接合部はゲート電極に覆われる。よって、不純物拡散層の上面のシリサイド化工程をゲート電極をマスクにして自己整合的に行えるので、デバイス構造の微細化に適している。
しかしながら、ゲート電極は薄いゲート絶縁膜を介して基板上に形成されているため、ESDによる高電圧がダイオードに引加されたときにそのゲート絶縁膜が破壊されて、ゲート電極とシリサイドとの間でリーク電流が発生し、ダイオードの保護素子としての機能が失われることが懸念される。通常、保護ダイオードのゲート絶縁膜としては、入出力回路のMOSFETのゲート絶縁膜を使用することで耐圧を確保しているが、その膜厚は最大でも7〜8nmであるため耐圧には限界がある。
一方、特許文献2には、基板表面のPN接合部の上にゲート電極を有していない構造のダイオードが開示されている。当該ダイオードでは、ゲート電極を有していないため、上記のリーク電流の問題は伴わない。しかし特許文献2のダイオードでは、シリサイドが基板上面のPN接合部から離れた活性領域の端部に形成されるため、アノード領域上のシリサイドとカソード上のシリサイドとの距離が大きくなり、ダイオードの導通抵抗が必要以上に上昇したり、形成面積が大きくなって微細化に不利となることが懸念される。
このように、従来はダイオードの形成面積の縮小およびESD耐性の向上の両立は困難であった。
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、ダイオードの形成面積の縮小およびESD耐性の向上を図ることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る半導体装置の第1の局面において、半導体装置は、半導体層に形成された、それぞれ1以上の第1導電型領域および第2導電型領域と、前記第1導電型領域と前記第2導電型領域との間のPN接合と、前記第1導電型領域の上部における前記PN接合から離れた部分に形成された第1シリサイドと、前記第2導電型領域の上部における前記PN接合から離れた部分に形成された第2シリサイドとを有するダイオード素子を備える半導体装置であって、第1導電型領域および第2導電型領域は、前記半導体層における1つの活性領域内に前記PN接合が複数形成されるように配設されており、前記半導体層の上面における前記PN接合の上は、層間絶縁膜によって覆われているものである。
本発明に係る半導体装置の第2の局面において、半導体装置は、半導体層に形成された第1導電型領域および第2導電型領域と、前記第1導電型領域と前記第2導電型領域との間のPN接合と、前記第1導電型領域の上部における前記PN接合から離れた部分に形成された第1シリサイドと、前記第2導電型領域の上部における前記PN接合から離れた部分に形成された第2シリサイドとを有するダイオード素子を備える半導体装置であって、前記半導体層の上面における前記PN接合の上は、層間絶縁膜によって覆われており、前記第1シリサイドおよび前記第2シリサイドは、実使用時に前記PN接合に形成される空乏層の端部から100〜300nm程度の間隔をおいて配設されているものである。
本発明に係る半導体装置の第3の局面において、半導体装置は、半導体層に形成された第1導電型領域および第2導電型領域と、前記第1導電型領域と前記第2導電型領域との間のPN接合と、前記第1導電型領域の上部における前記PN接合から離れた部分に形成された第1シリサイドと、前記第2導電型領域の上部における前記PN接合から離れた部分に形成された第2シリサイドとを有するダイオード素子を備える半導体装置であって、前記半導体層は、前記PN接合が形成された第1層と、前記第1層の上部における前記PN接合から離れた部分を結晶成長させて形成した第2層とにより構成され、前記第1シリサイドおよび第2シリサイドは、前記第2層の上部に形成されているものである。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、(a)半導体層にイオン注入を行うことにより、ダイオードを構成する第1導電型領域および第2導電型領域、並びにそれらの間のPN接合を形成する工程と、(b)前記半導体層を覆う絶縁膜を形成する工程と、(c)前記絶縁膜に、前記第1導電型領域および前記第2導電型領域の上面における前記PN接合から離れた部分を露出する開口を形成する工程と、(d)前記開口に露出した前記第1導電型領域および前記第2導電型領域の上面を結晶成長させた成長層を形成する工程と、(e)前記成長層の上部をシリサイド化する工程とを備えるものである。
本発明に係る半導体装置の第1の局面によれば、1つの活性領域内には複数のPN接合を有しているため、ダイオードの有効面積(PN接合面積)が大きくなる。つまり、小さい面積内に、有効面積の大きなダイオードを形成できるため、ダイオードの形成面積の縮小化に寄与できる。また、ダイオードの有効面積が大きくなると、その導通抵抗の低減および大容量化を図ることができるので、ESD耐性も向上する。
本発明に係る半導体装置の第2の局面によれば、第1および第2シリサイドが、実使用時にPN接合に形成される空乏層の端部から100〜300nm程度間隔をおいて配設されるので、PN接合におけるリーク電流の増加を抑制しつつダイオードの形成面積の縮小を図ることができ、なお且つ、ダイオードの導通抵抗の上昇も抑制されてESD耐性が向上する。
本発明に係る半導体装置の第3の局面によれば、ダイオードのPN接合は半導体層の第1層に形成され、第1および第2シリサイドはその上の第2層に形成されるので、PN接合と第1および第2シリサイドとの間の距離を縦方向に稼ぐことができる。従って、形成面積の増大を抑制しつつ、PN接合と第1および第2シリサイドとの間の距離を長くすることができる。言い換えれば、PN接合と第1および第2シリサイドとの間の距離を維持しつつ、ダイオードの形成面積を小さくできるので、半導体装置の高集積化に寄与できる。
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、成長層は第1導電型領域および第2導電型領域の上面におけるPN接合から離れた部分に形成され、シリサイドが成長層の上部に形成されるので、PN接合とシリサイドとの間の距離を縦方向に稼ぐことができる。従って、形成面積の増大を抑制しつつ、PN接合とシリサイドとの間の距離を長くすることができる。言い換えれば、PN接合とシリサイドとの間の距離を維持しつつ、ダイオードの形成面積を小さくできるので、半導体装置の高集積化に寄与できる。
<実施の形態1>
図1および図2は本発明の実施の形態1に係る半導体装置における保護ダイオードの構造を示す図であり、それぞれ当該ダイオードの断面図および上面図を示している。なお、図1は図2に示すA−A線に沿った断面に対応している。
図1および図2は本発明の実施の形態1に係る半導体装置における保護ダイオードの構造を示す図であり、それぞれ当該ダイオードの断面図および上面図を示している。なお、図1は図2に示すA−A線に沿った断面に対応している。
図1および図2を参照して、実施の形態1に係るダイオードの構造を説明する。当該ダイオードは、P-型シリコン基板である支持基板1、支持基板1上に形成された埋込酸化膜であるBOX層2、半導体層としてのSOI層3が、この順に積層したSOI基板10に形成されている。SOI層3にはSTI(Shallow Trench Isolation)と呼ばれる素子分離絶縁膜4(以下「STI4」)が形成されており、それによってダイオードが形成される活性領域が規定される。
SOI層3における活性領域には、P型の不純物領域であるP-領域5並びにP+領域6と、N型の不純物領域であるN+領域7とが形成されており、それらによって保護ダイオードが構成される。図1および図2に示すように、このダイオードは、アノードとしてのP+領域6とカソードとしてのN+領域7との間にP-領域5が配設された、いわゆるPiN構造を有している。従ってこのダイオードにおけるPN接合は、P-領域5とN+領域7との境界に形成される。またP-領域5、P+領域6、N+領域7は何れもSOI層3の上面からBOX層2に達しており、いわゆる縦型のダイオードを構成している。P+領域6およびN+領域7の上部には、それぞれシリサイド61,71が形成される。
ダイオードの上は層間絶縁膜8により覆われている。層間絶縁膜8内には、P+領域6と配線63とを電気的に接続するためのコンタクト62、並びにN+領域7と配線73とを電気的に接続するためのコンタクト72が形成されている。コンタクト62は、シリサイド61を介してP+領域6に接続し、コンタクト72は、シリサイド71を介してN+領域7に接続する。それにより、P+領域6とシリサイド61との間およびN+領域7とシリサイド71との間の接続抵抗の低減を図っている。
ダイオードの上は層間絶縁膜8により覆われている。層間絶縁膜8内には、P+領域6と配線63とを電気的に接続するためのコンタクト62、並びにN+領域7と配線73とを電気的に接続するためのコンタクト72が形成されている。コンタクト62は、シリサイド61を介してP+領域6に接続し、コンタクト72は、シリサイド71を介してN+領域7に接続する。それにより、P+領域6とシリサイド61との間およびN+領域7とシリサイド71との間の接続抵抗の低減を図っている。
図1および図2のように、本実施の形態に係るダイオードでは、SOI層3の上面におけるPN接合(P-領域5とN+領域7との境界)の部分(即ち、SOI層3の上面とPN接合とが接する部分)の上には、ゲート電極が形成されておらず、層間絶縁膜8によって覆われている。従って、特許文献1の構造のダイオードで懸念されたシリサイドとゲート電極との間のリーク電流の問題は生じない。
上記各要素の具体的な例を挙げると、SOI基板10を構成する支持基板1は不純物濃度が1×1014〜1×1016cm-3程度、BOX層2は厚さが0.02〜0.5μm程度、SOI層3は厚さが0.01〜0.5μm程度、SOI層3に形成されるP-領域5の不純物濃度は1×1014〜1×1018cm-3程度、SOI層3に形成されるP+領域6の不純物濃度は1×1019〜1×1022cm-3程度、SOI層3に形成されるN+領域7の不純物濃度は1×1019〜1×1022cm-3程度である。
図2に示すように、本実施の形態に係るダイオードは、それぞれ帯状に形成されたP-領域5、P+領域6、N+領域7をそれぞれ複数有しており、それらはP型領域とN型領域とが交互に並ぶように配設されている。即ち図2の如く、活性領域の一方の端から他方の端に向かって(図2に示すX方向)、P+領域6、P-領域5、N+領域7、P-領域5、P+領域6・・・と並ぶ構造となっている。それにより、当該活性領域内にはPN接合(P-領域5とN+領域7との境界)が複数形成される。そして図2に示すように各P+領域6は櫛型の配線63に接続し、各N+領域7は櫛型の配線73に接続している。このように1つの活性領域内にPN接合を複数有することにより、ダイオードの有効面積(PN接合面積)が大きくなる。つまり、小さい面積内に、有効面積の大きなダイオードを形成できるため、ダイオードの形成面積の縮小化に寄与できる。また、ダイオードの有効面積が大きくなると、その導通抵抗の低減および大容量化を図ることができるので、ESD耐性も向上する。
また上記のように、P+領域6の上部のシリサイド61とN+領域7の上部のシリサイド71との間の距離が長くなると、ダイオードの導通抵抗が必要以上に上昇したり、形成面積が大きくなって微細化に不利となる。しかし、シリサイド61とシリサイド71とを近づけすぎると、PN接合部分におけるリーク電流の増大という問題が生じてしまう。
不純物濃度、実使用電圧、温度等の条件に依存するが、シリサイド61,71のそれぞれを実使用時にPN接合に形成される空乏層の端部から100nm程度以上離して配設すれば、PN接合におけるリーク電流の増加を充分に抑制できる。また、シリサイド61,71から当該空乏層の端部までの距離を300nm程度以下に保つことにより、ESD耐性に劣化を防止できる程度にダイオードの導通抵抗の上昇が抑制される。従って、本実施の形態においては、シリサイド61,71のそれぞれが、実使用時にPN接合に形成される空乏層の端部から100〜300nm程度の間隔をおいて配設されるようにレイアウトする。それにより、ダイオードの形成面積の縮小とESD耐性の向上とを両立することができる。
なお、空乏層の幅は、P-領域5およびN+領域7の不純物濃度、PN接合に引加される電圧、温度条件等によって変化し得るが、典型的には、P-領域5の不純物濃度が1×1017cm-3の場合、空乏層のP-領域5内の幅は約100nmであり、N+領域7の不純物濃度が1×1021cm-3の場合、空乏層のN+領域7内の幅は数nm以下である。よって、例えばP+領域6上のシリサイド61を空乏層端から100nm離すのであればPN接合部から200nm程度離せばよく、またN+領域7上のシリサイド71を空乏層端から100nm離すならば、PN接合部から100nm程度離せばよい。従ってその場合には、シリサイド61とシリサイド71との間隔は約300nmとなる。
図3〜図11は、実施の形態1に係るダイオードの製造方法を示す工程図である。以下、これらの図を参照し、図1および図2に示したダイオードの形成方法について説明する。
まず、支持基板1、BOX層2、SOI層3により構成されるSOI基板10(ウェハ)を用意する(図3)。そしてSOI層3上にパッド酸化膜を形成し、その上に窒化膜を堆積し、フォトリソグラフィ技術を用いて当該窒化膜およびSOI層3をエッチングする。それにより、SOI層3にSTI4のためのトレンチが形成される。必要に応じて、当該トレンチ内に薄い酸化膜を形成してもよい。次いで酸化膜を堆積して該トレンチを埋め、窒化膜上の酸化膜をCMP(Chemical Mechanical Polishing)により除去し、さらに窒化膜を除去することでトレンチ内にSTI4が形成される。その後、STI4の上面をエッチングして、その上面の高さをSOI層3上面の高さに近くすることにより、図4に示す構造が得られる。
そして全面に例えばボロン等の不純物をイオン注入し、ダイオードが形成される活性領域全体にP-領域5を形成する(図5)。このイオン注入の目的は、SOIの不純物濃度および極性(導電型)を調節するためであるので、調整が不要であれば行わなくてもよいし、不純物はボロン以外のイオンであってもよい。
次いで、フォトリソグラフィ技術により、P+領域6の形成領域を開口したフォトレジスト21を形成する。そしてフォトレジスト21をマスクにして、例えばボロン等をイオン注入することにより、P+領域6を形成する(図6)。
フォトレジスト21を除去した後、フォトリソグラフィ技術により、今度はN+領域7の形成領域を開口したフォトレジスト22を形成する。そしてフォトレジスト22をマスクにして、例えばヒ素等をイオン注入することにより、N+領域7を形成する(図7)。その後、フォトレジスト22は除去する。
そして全面にシリコン酸化膜23を堆積し、フォトリソグラフィ技術によりシリサイド61,71の形成領域を開口したフォトレジスト24を形成する(図8)。次いで、フォトレジスト24をマスクにしてシリコン酸化膜23をエッチングすることにより、シリサイド61,71の形成領域上にシリコン酸化膜のパターン25を形成する(図9)。このパターン25は、次のシリサイド形成工程においてシリサイド化を妨げるマスクとして機能するので、以下「シリサイドブロック膜25」と称する。
図12はシリサイドブロック膜25のレイアウトを示す図であり、図2に示した上面図に、シリサイドブロック膜25のパターンを重ね合わせた図を示している。シリサイド61,71は、この後に形成するコンタクト62,72の形成領域を含む領域に形成され、なお且つ、実使用時にPN接合に形成される空乏層端から100〜300nm程度間隔をおくように配設される。従ってシリサイドブロック膜25は、図12の如くコンタクト62,72の形成領域を除く領域に形成され、なお且つ、SOI層3上面におけるPN接合部およびその近傍を覆うように形成される。
上記のように、典型的には、P-領域5の不純物濃度が1×1017cm-3の場合、空乏層のP-領域5内の幅は約100nmであり、N+領域7の不純物濃度が1×1021cm-3の場合、空乏層のN+領域7内の幅は数nm以下である。よって、例えばシリサイド61,71を空乏層端から100nm離すのであれば、シリサイドブロック膜25はP-領域5におけるPN接合部から200nm程度の範囲、およびN+領域7におけるPN接合部から100nm程度の範囲を覆うように形成すればよい。従ってその場合には、シリサイドブロック膜25の幅は約300nmとなる。
シリサイドブロック膜25を形成した後、フォトレジスト24を除去し、シリサイド化のための金属膜26を堆積する(図10)。この金属膜26としては、チタン、コバルト、ニッケルなどが一般的である。そして比較的低温のアニールを施してSOI層3と金属膜26とを反応させ、シリサイドブロック膜25上の未反応の金属膜26を除去し、さらに比較的高温のアニールを行う。その結果、シリサイドブロック膜25が形成されていないP+領域6およびN+領域7の上部にそれぞれシリサイド61,71が形成される。その後、シリサイドブロック膜25を除去する(図11)。
続いてシリコン酸化膜を堆積して層間絶縁膜8を形成し、その内部にコンタクト62,72を形成して、さらに配線63,73を形成することによって、図1および図2に示したダイオードが形成される。
なお、上の説明においては、シリサイドブロック膜25を酸化膜で形成したが、例えば窒化膜、あるいは酸化膜/窒化膜の積層したものであってもよい。
<実施の形態2>
実施の形態1においては、帯状のP型領域(P-領域5、P+領域6)およびN型領域(N+領域7)を一方向(図2のX方向)に交互に並べて配設することにより、ダイオードの有効面積(PN接合面積)を大きくしていた。本実施の形態では、それよりもさらに有効面積を大きくすることが可能な、本発明に係るダイオードのレイアウトパターンを提案する。
実施の形態1においては、帯状のP型領域(P-領域5、P+領域6)およびN型領域(N+領域7)を一方向(図2のX方向)に交互に並べて配設することにより、ダイオードの有効面積(PN接合面積)を大きくしていた。本実施の形態では、それよりもさらに有効面積を大きくすることが可能な、本発明に係るダイオードのレイアウトパターンを提案する。
図13および図14は、実施の形態2に係るダイオードの構造を示す図であり、それぞれ当該ダイオードの断面図および上面図を示している。図13は図14に示すB−B線に沿った断面に対応している。実施の形態2のダイオードは実施の形態1のダイオードに対して各構成要素のレイアウトが異なるのみであり、図13および図14においては図1および図2と参照符号を共通にしているので、ここでの構成要素それぞれについての説明は省略する。
本実施の形態においては、図14の如く、P型領域(P-領域5、P+領域6)内に、N型領域(N+領域7)が島状に形成される。図14の例では、島状のN型領域がP型領域内に碁盤の目状(碁盤格子状)に配設される。即ち、P型領域とN型領域とがX方向だけでなくY方向にも交互に並ぶように配設される。従って、N+領域7それぞれのX方向の側面だけでなく、Y方向の側面にもPN接合が形成されることになるので、実施の形態1よりもさらに有効面積が大きくなる。よって、実施の形態1よりもさらに、ダイオードの形成面積の縮小化およびESD耐性の向上を図ることができる。
なお、本実施の形態においても、シリサイド61,71のそれぞれが、実使用時にPN接合に形成される空乏層の端部から100〜300nm程度の間隔をおくように配設される。それにより、ダイオードの形成面積の縮小とESD耐性の向上とを両立することができる。
また、実施の形態2のダイオードは、実施の形態1のダイオードとレイアウトが異なるのみであるので、図3〜図11を用いて説明した実施の形態1のダイオードの製造方法におけるフォトレジスト21,22,24のパターンを適宜変更すれば、それと同様の方法により形成可能である。
図15は、本実施の形態に係るダイオードの製造工程におけるフォトレジスト24のレイアウト、即ちシリサイドブロック膜25のレイアウトを示しており、図14に示した上面図に、シリサイドブロック膜25のパターンを重ね合わせた図である。上記のように、シリサイド61,71は、コンタクト62,72の形成領域を含む領域に形成され、なお且つ、実使用時にPN接合に形成される空乏層端から100〜300nm程度間隔をおくように配設される。従ってシリサイドブロック膜25は、図15の如くコンタクト62,72の形成領域を除く領域に形成され、なお且つ、SOI層3上面におけるPN接合部およびその近傍を覆うように形成される。
<実施の形態3>
実施の形態3では、本発明に係るダイオードのレイアウトの他の一例を示す。図16および図17は、それぞれ実施の形態3に係るダイオードの断面図および上面図を示しており、図16は図17に示すC−C線に沿った断面に対応している。これらの図においても図1および図2と参照符号を共通にしている。
実施の形態3では、本発明に係るダイオードのレイアウトの他の一例を示す。図16および図17は、それぞれ実施の形態3に係るダイオードの断面図および上面図を示しており、図16は図17に示すC−C線に沿った断面に対応している。これらの図においても図1および図2と参照符号を共通にしている。
実施の形態3においては、P型領域(P-領域5、P+領域6)が、N型領域(N+領域7)内に島状に形成され、P型領域が市松模様状(市松格子状)に配設されている。この場合も、P型領域とN型領域とがX方向だけでなくY方向にも交互に並ぶように配設される。従って、P-領域5それぞれのX方向の側面だけでなく、Y方向の側面にもPN接合が形成されることになるので、実施の形態1よりもさらに有効面積が大きくなる。よって、実施の形態1よりもさらに、ダイオードの形成面積の縮小化およびESD耐性の向上を図ることができる。
本実施の形態においても、シリサイド61,71のそれぞれが、実使用時にPN接合に形成される空乏層の端部から100〜300nm程度の間隔をおくように配設される。それにより、ダイオードの形成面積の縮小とESD耐性の向上とを両立することができる。
また、実施の形態1のダイオードとは、レイアウトが異なるのみであるので、図3〜図11を用いて説明した製造方法におけるフォトレジスト21,22,24のパターンを適宜変更すれば、それと同様の方法により形成可能である。
図18は、実施の形態3に係るダイオードの製造工程におけるフォトレジスト24のレイアウト、即ちシリサイドブロック膜25のレイアウトを示しており、図17に示した上面図に、シリサイドブロック膜25のパターンを重ね合わせた図である。上記のように、シリサイド61,71は、コンタクト62,72の形成領域を含む領域に形成され、なお且つ、実使用時にPN接合に形成される空乏層端から100〜300nm程度間隔をおくように配設される。従ってシリサイドブロック膜25は、図17の如くコンタクト62,72の形成領域を除く領域に形成され、なお且つ、SOI層3上面におけるPN接合部およびその近傍を覆うように形成される。
<実施の形態4>
図19は本発明の実施の形態4に係る半導体装置における保護ダイオードの構造を示す図であり、当該ダイオードの断面図を示している。図19においても、図1と参照符号を共通にしている。
図19は本発明の実施の形態4に係る半導体装置における保護ダイオードの構造を示す図であり、当該ダイオードの断面図を示している。図19においても、図1と参照符号を共通にしている。
図19を参照し、実施の形態4に係るダイオードの構造を説明する。本実施の形態に係るダイオードは、SOI層3(第1層)とその上に形成されたエピタキシャル層64,74(第2層)とから成る2相構造の半導体層に形成されている。SOI層3内にはP-領域5、P+領域6、N+領域7が形成されている。エピタキシャル層64はP型であり、P+領域6の上部を結晶成長して形成したものである。またエピタキシャル層74はN型であり、N+領域7の上部を結晶成長して形成したものである。
図19に示すように、ダイオードのPN接合(P-領域5とN+領域7との境界)はSOI層3内に形成されており、エピタキシャル層64,74内には形成されない。即ちエピタキシャル層64,74は、SOI層3におけるPN接合から離れた部分の上部に形成されている。エピタキシャル層64,74の上部には、それぞれシリサイド61,71が形成されている。
当該ダイオード上は層間絶縁膜8,9により覆われている。層間絶縁膜9は、SOI層3の上面を覆っており、エピタキシャル層64,74は当該層間絶縁膜9内に形成されている。層間絶縁膜9の上には層間絶縁膜8が形成されており、層間絶縁膜8内には、ダイオードのP型領域(P-領域5、P+領域6、エピタキシャル層64)と配線63とを電気的に接続するためのコンタクト62、並びにN型領域(N+領域7、エピタキシャル層74)と配線73とを電気的に接続するためのコンタクト72が形成されている。コンタクト62は、シリサイド61を介してエピタキシャル層64に接続し、コンタクト72は、シリサイド71を介してエピタキシャル層74に接続している。
本実施の形態に係るダイオードでは、SOI層3の上面におけるPN接合の部分(即ち、SOI層3の上面とPN接合とが接する部分)の上にはゲート電極が形成されておらず、層間絶縁膜9によって覆われている。従って、特許文献1の構造のダイオードで懸念されたシリサイドとゲート電極との間のリーク電流の問題は生じない。
また図19のように、P+領域6とシリサイド61との間にエピタキシャル層64が介在し、N+領域7とシリサイド71との間にエピタキシャル層64が介在するため、PN接合とシリサイド61,71との間の距離を縦方向に稼ぐことができる。従って、形成面積の増大を抑制しつつ、PN接合とシリサイド61,71との間の距離を長くすることができる。言い換えれば、PN接合とシリサイド61,71との間の距離を維持しつつ、ダイオードの形成面積を小さくできるので、半導体装置の高集積化に寄与できる。
図20〜図29は、実施の形態4に係るダイオードの製造方法を示す工程図である。以下、これらの図を参照し、図19に示したダイオードの形成方法について説明する。
まず、SOI基板10の支持基板1、BOX層2、SOI層3により構成されるSOI基板10(ウェハ)を用意する(図20)。実施の形態1と同様の手法により、SOI基板10のSOI層3にSTI4を形成する(図21)。
そして全面に例えばボロン等の不純物をイオン注入し、ダイオードが形成される活性領域全体にP-領域5を形成する(図22)。このイオン注入の目的は、SOIの不純物濃度および極性(導電型)を調節するためであるので、調整が不要であれば行わなくてもよいし、不純物はボロン以外のイオンであってもよい。
次いで、フォトリソグラフィ技術により、P+領域6の形成領域を開口したフォトレジスト31を形成する。そしてフォトレジスト31をマスクにして、例えばボロン等をイオン注入することにより、P+領域6を形成する(図23)。
フォトレジスト31を除去した後、フォトリソグラフィ技術により、今度はN+領域7の形成領域を開口したフォトレジスト32を形成する。そしてフォトレジスト32をマスクにして、例えばヒ素等をイオン注入することにより、N+領域7を形成する(図24)。それによりSOI層3内にPN接合が形成される。その後、フォトレジスト32は除去する。
そして全面にシリコン酸化膜を堆積して層間絶縁膜9を形成し、フォトリソグラフィ技術によりエピタキシャル層64,74の形成領域(即ち、PN接合から離れた領域)を開口したフォトレジスト34を形成する(図25)。次いで、フォトレジスト34をマスクにして層間絶縁膜9をエッチングすることにより、SOI層3におけるP+領域6およびN+領域7の上面を露出する開口を形成する(図26)。
続いて層間絶縁膜9に形成した開口内に露出したSOI層3の上面を、選択エピタキシャル成長によって結晶成長させることで、エピタキシャル層64、74(成長層)を形成する(図27)。このとき必要に応じて、エピタキシャル層64,74上面を平坦化するためのCMP処理や、CMP処理後に上面の清浄化処理を行う。
またこのとき、エピタキシャル層64,74をそれぞれP型、N型にするために、フォトリソグラフィ技術とイオン注入技術とを組み合わせて、エピタキシャル層64,74のそれぞれに選択的にイオン注入を行ってもよい。但し、この後の工程に付随する熱処理の条件によっては、P+領域6内の不純物がエピタキシャル層64へ拡散すると共に、N+領域7内の不純物がエピタキシャル層64へ拡散するため、このイオン注入を行わずともエピタキシャル層64,74をそれぞれP型、N型にすることもできる。
その後、シリサイド化のための金属膜36を堆積する(図28)。この金属膜36としては、チタン、コバルト、ニッケルなどが一般的である。そして比較的低温のアニールを施してSOI層3と金属膜36とを反応させた後、未反応の金属膜36を除去し、さらに比較的高温のアニールを行う。その結果、エピタキシャル層64,74の上部にそれぞれシリサイド61,71が形成される(図29)。
そしてシリコン酸化膜を堆積して層間絶縁膜8を形成し、その内部にコンタクト62,72を形成して、さらに配線63,73を形成することによって、図19に示したダイオードが形成される。
なお、本実施の形態ではダイオードの断面構造のみを示し、上面図(レイアウト)の説明は省略したが、実施の形態1〜3に示した図2、図14、図17のようにP-領域5、P+領域6、N+領域7をレイアウトすれば、ダイオードの有効面積を大きくすることができ、実施の形態1〜3と同様の効果が得られる。
また本実施の形態においても、エピタキシャル層64,74の膜厚やそれが形成される層間絶縁膜9の開口の位置を調整して、シリサイド61,71が、実使用時にPN接合に形成される空乏層端から100〜300nm程度の間隔をおくように配設されるようにすれば、ダイオードの形成面積の縮小とESD耐性の向上とを両立することができる。
1 支持基板、2 BOX層、3 SOI層、4 STI、5 P-領域、6 P+領域、7 N+領域、8 層間絶縁膜、9 層間絶縁膜、10 SOI基板、25 シリサイドブロック膜、61,71 シリサイド、62,72 コンタクト、63,73 配線、64,74 エピタキシャル層。
Claims (12)
- 半導体層に形成された、それぞれ1以上の第1導電型領域および第2導電型領域と、
前記第1導電型領域と前記第2導電型領域との間のPN接合と、
前記第1導電型領域の上部における前記PN接合から離れた部分に形成された第1シリサイドと、
前記第2導電型領域の上部における前記PN接合から離れた部分に形成された第2シリサイドと
を有するダイオード素子を備える半導体装置であって、
第1導電型領域および第2導電型領域は、
前記半導体層における1つの活性領域内に前記PN接合が複数形成されるように配設されており、
前記半導体層の上面における前記PN接合の上は、
層間絶縁膜によって覆われている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置であって、
前記第1導電型領域および第2導電型領域はそれぞれ帯状に形成され、前記活性領域内に交互に並べて配設されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置であって、
前記第1導電型領域は、第2導電型領域内に島状に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項3記載の半導体装置であって、
前記第1導電型領域は、第2導電型領域内に碁盤格子状に配設されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項3記載の半導体装置であって、
前記第1導電型領域は、第2導電型領域内に市松格子状に配設されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から請求項5のいずれか記載の半導体装置であって、
前記第1シリサイドおよび前記第2シリサイドは、
実使用時に前記PN接合に形成される空乏層の端部から100〜300nm程度の間隔をおいて配設されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項6記載の半導体装置であって、
前記半導体層は、
前記PN接合が形成された第1層と、
前記第1層の上部における前記PN接合から離れた部分を結晶成長させて形成した第2層とにより構成され、
前記第1シリサイドおよび第2シリサイドは、
前記第2層の上部に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 半導体層に形成された第1導電型領域および第2導電型領域と、
前記第1導電型領域と前記第2導電型領域との間のPN接合と、
前記第1導電型領域の上部における前記PN接合から離れた部分に形成された第1シリサイドと、
前記第2導電型領域の上部における前記PN接合から離れた部分に形成された第2シリサイドと
を有するダイオード素子を備える半導体装置であって、
前記半導体層の上面における前記PN接合の上は、
層間絶縁膜によって覆われており、
前記第1シリサイドおよび前記第2シリサイドは、
実使用時に前記PN接合に形成される空乏層の端部から100〜300nm程度の間隔をおいて配設されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項8記載の半導体装置であって、
前記半導体層は、
前記PN接合が形成された第1層と、
前記第1層の上部における前記PN接合から離れた部分を結晶成長させて形成した第2層とにより構成され、
前記第1シリサイドおよび第2シリサイドは、
前記第2層の上部に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 半導体層に形成された第1導電型領域および第2導電型領域と、
前記第1導電型領域と前記第2導電型領域との間のPN接合と、
前記第1導電型領域の上部における前記PN接合から離れた部分に形成された第1シリサイドと、
前記第2導電型領域の上部における前記PN接合から離れた部分に形成された第2シリサイドと
を有するダイオード素子を備える半導体装置であって、
前記半導体層は、
前記PN接合が形成された第1層と、
前記第1層の上部における前記PN接合から離れた部分を結晶成長させて形成した第2層とにより構成され、
前記第1シリサイドおよび第2シリサイドは、
前記第2層の上部に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項10記載の半導体装置であって、
前記第1層の上面における前記PN接合の上は、層間絶縁膜によって覆われている
ことを特徴とする半導体装置。 - (a)半導体層にイオン注入を行うことにより、ダイオードを構成する第1導電型領域および第2導電型領域、並びにそれらの間のPN接合を形成する工程と、
(b)前記半導体層を覆う絶縁膜を形成する工程と、
(c)前記絶縁膜に、前記第1導電型領域および前記第2導電型領域の上面における前記PN接合から離れた部分を露出する開口を形成する工程と、
(d)前記開口に露出した前記第1導電型領域および前記第2導電型領域の上面を結晶成長させた成長層を形成する工程と、
(e)前記成長層の上部をシリサイド化する工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2006001059A JP2007184387A (ja) | 2006-01-06 | 2006-01-06 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009130130A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Denso Corp | ダイオード及びその製造方法 |
CN102122657A (zh) * | 2010-12-16 | 2011-07-13 | 苏州华芯微电子股份有限公司 | 集成电路的esd保护结构 |
-
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- 2006-01-06 JP JP2006001059A patent/JP2007184387A/ja active Pending
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