JP5690730B2 - エレクトロスピニングプロセスにより生成される電解質含有ポリマーおよびその電解質含有ポリマーを使用する高効率の色素増感太陽電池 - Google Patents
エレクトロスピニングプロセスにより生成される電解質含有ポリマーおよびその電解質含有ポリマーを使用する高効率の色素増感太陽電池 Download PDFInfo
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Description
本発明は、従来の上記問題を解消するように構成される。本発明の一目的として、エレクトロスピニングナノ規模ポリマー繊維が、ポリマー薄膜電解質の電解質に追加されて、高性能色素増感太陽電池が生成される。
本発明のさらに別の目的は、無機酸化物層からの逆電流を阻止する機能層を導入することにより、光電流を増大させた色素増感太陽電池およびその色素増感太陽電池を製造する方法を提供することである。
本発明のさらに別の目的は、無機酸化物層を通る光が光散乱効果を受けるように、光散乱層を無機層上に導入することにより、光電流を増大させた色素増感太陽電池を提供することである。これにより、大量の光を吸収できるようになる。本発明は、上記を提供する手段にも関する。
互いに面するように配置された第1の基板および第2の基板と、
第1の基板と第2の基板との間に配置された第1の電極であって、無機酸化物層および無機酸化物層内に化学的に吸収されて、励起電子を提供する染料層を含む第1の電極と、
第1の電極とは逆側に配置される第2の電極であって、第1の基板と第2の基板との間に配置され、それにより、電流を流せるようにする第2の電極と、
無機酸化物層上への無機酸化物層の界面接合を容易にする第1の界面接合層と、
第1の界面接合層上の逆電流を回避する第2の界面接合層と、
第1の界面接合層と第2の界面接合層との間に配置された光散乱層であって、吸光を増大させる光散乱層と、
第1の電極と第2の電極との間に配置された固体電解質であって、エレクトロスピニング法により製造されたポリマーナノ繊維を含み、酸化還元反応により電子を染料層に提供することができる、固体電解質と
を備える色素増感太陽電池を提供する。
第1の基板を準備すること、
第1の基板の一表面に無機酸化物層を形成して、第1の電極を形成すること、
無機酸化物層上への無機酸化物層の界面接合を容易にする第1の界面接合層を形成すること、
第1の界面接合層上に、吸光を増大させる光散乱層を形成すること、
光散乱層上に、逆電流を回避する第2の界面接合層を形成すること、
第2の界面接合層上に染料層を吸収させること、
エレクトロスピニング装置を使用してポリマー溶液を、染料層が吸収された第2の界面接合層上にエレクトロスピニングし、電解質溶液をポリマーナノ繊維に塗布し、次に、塗布された溶液を蒸発させて、固体電解質を形成すること、および
固体電解質上に第2の電極および第2の基板を形成すること
を含む方法を提供する。
本発明は、ポリマーナノ繊維を電解質層に導入することにより、そのような問題を解消するように構成される。実施例に示されるように、色素増感太陽電池は、ポリマーナノ繊維を様々な条件で準備することにより上記問題を解消できるような原理を使用することにより準備される。
逆電流は、主に無機酸化物層および電解質層の界面に現れ、界面接合層を導入することにより逆電流を回避することもできる。光電流の量は、光散乱層を導入して、光の再吸収を容易にすることにより増大する。さらに、ナノ規模ポリマー繊維を電解質層に導入することにより得られる利点は、以下である。
第2に、ポリマーナノ繊維は、液体電解質を使用する色素増感太陽電池内の液体電解質の漏れに起因する作用電極と対電極との接触による短絡を回避する。したがって、従来の液体または半固体の色素増感太陽電池での長期安定性の問題を解消することができる。したがって、耐久性を維持することができる。
第3に、無機酸化物層上に導入される機能層および光散乱層により、逆電流が回避される。透過光を光散乱層内で再吸収して、光電流を増大させることができる。したがって、色素増感太陽電池の全体的な効率を向上させることができる。
最後に、エレクトロスピニングされたポリマーナノ繊維は、従来のポリマー膜と比較して優れた光起電効率を有する。これは、固体型色素増感太陽電池を開発する可能性を示す。
前記第1の電極(1002)は、透明材料により前記第1の基板(1001)の片面に形成される電極である。前記第1の電極(1002)は陰極として機能する。前記第1の電極(1002)では、前記第2の電極(1005)よりも低い仕事関数、透明性、および導電性を有する任意の材料を使用することができる。本発明では、前記第1の電極(1002)は、スパッタリング法またはスピンコート法を使用することにより、前記第1の基板(1001)の裏面に塗布または薄塗りすることができる。
無機酸化物層(1003)は、熱処理に続く前記第1の電極(1002)の片面への被膜処理により、第1の電極(1002)に塗布される。一般に、ドクターブレード法またはスクリーンプリント法が、約5μm〜30μm、好ましくは10μm〜15μmの厚さで、無機酸化物を含有するペーストを第1の電極(1002)の裏面に被膜するために使用される。スピンコート法、スプレー法、および液状塗装法を使用してもよい。
染料を無機酸化物層(1003)に吸収させるために、従来の方法を使用し得る。しかし、染料をアルコール、ニトリル、ハロゲン化炭化水素、エーテル、アミド、エステル、ケトン、N−メチルピロリドン等の溶媒に溶解させ、次に、無機酸化物層(1003)が被膜された光電極を溶液中に含浸させる方法が好ましい。
エレクトロスピニング法を介して準備されたポリマーナノ繊維は、電解質層(1008)の合計量に基づいて、5:95質量パーセント、好ましくは20:80質量パーセント、より好ましくは40:60質量パーセントの比で混合される。
金属添加物がポリマーナノ繊維内に導入される場合、エレクトロスピニングに使用される溶液のポリマー濃度に対して、金属添加物を0.1〜30質量パーセント、好ましくは1〜20質量パーセントの量で溶媒に混合することができる。無機ナノ充填材添加物がポリマーナノ繊維に導入される場合、無機ナノ充填材添加物は、エレクトロスピニングに使用される溶液のポリマー濃度に対して1〜50質量パーセント、好ましくは10〜40質量パーセントの量で溶媒に混合することができる。
ポリマーナノ繊維が上述したエレクトロスピニング法により準備される場合、ポリマー濃度の範囲が11〜17質量パーセントであり、印加電圧が8kV〜14kVであり、TCDが13cm〜19cmであり、溶液が2ml/hの流速で供給される条件が最も好ましい。
本発明において使用される電解質では、金属ヨウ化物または金属臭化物内の金属陽イオンは、Li、Na、K、Mg、Ca、Cs等を含む。有機ヨウ化物または有機臭化物内の陽イオンとして、イミダゾリウム、テトラアルキルアンモニウム、ピリジニウム、トリアゾリウム等のアンモニア化合物が適するが、陽イオンは上に列挙された化合物に限定されない。電解質に使用するために、上記から選択される少なくとも2つの化合物を混合してもよく、LiIまたはイミダゾリウムヨウ化物とI2の組み合わせの酸化還元対が特に好ましい。
第2の電極(1009)に使用可能な材料は、第1の電極(1002)に使用される材料よりも大きな仕事関数を有する材料であり、白金(Pt)、金、炭素等を含み、白金が好ましい。
前記第2の基板(1010)は、第1の基板(1001)と同様の透明な材料である。第2の基板(1010)は、PET(ポリエチレンテレフタラート)、PEN(ポリエチレンナフタレート)、PP(ポリプロピレン)、PI(ポリアミド)、TAC(三酢酸セルロース)を含む、ガラスまたはプラスチック等の透明材料から準備することができ、好ましくは、ガラスから準備される。
まず、無機酸化物、好ましくはコロイド状態の酸化チタンを、約5nm〜30μmの厚さで、第1の電極材料が被膜された第1の基板の表面に噴霧または被膜し、約450℃〜約550℃の温度で焼結して、有機体が除去された第1の基板/第1の電極/無機酸化物被膜/積層光電極を形成する。続けて、準備された無機酸化物層に染料を吸収させるために、染料、例えばルテニウム535を、事前に準備されていたエタノール溶液に添加して、染料溶液を準備する。その後、無機酸化物層で被膜された透明基板(例えば、FTOが被膜された光電極またはガラス基板等)を、形成された染料溶液中に入れ、それにより、染料が無機酸化物層に吸収される。染料を無機酸化物層に完全に吸収させた後、物理的に吸収された染料を除去するために、無機酸化物層をエタノール等で洗浄し、乾燥させた。
染料を吸収した無機酸化物層で被膜された透明基板が準備される場合、本発明によるポリマー繊維は、電解質溶液が添加されて電解質として使用され、白金前駆体を焼結することにより製造される白金電極をガラス基板に接合して、本発明による色素増感太陽電池を得る。
チタン(IV)イソプロポキシドとエタノールとの混合溶液を1:10の体積比でスピンコート法により準備した後、混合溶液を、15mm×15mmサイズに切断されたFTOガラス基板(フッ素がドープされた酸化スズ、SnO2:F、15Ω/sq)上に1500rpmで20秒間、薄く塗布した。次に、これを電気るつぼ内に配置し、温度を室温から500℃に上昇させ、有機化合物を約30分間除去し、室温まで冷却させた。加熱率および冷却率はそれぞれ約5℃/分である。粒子サイズ9nmのコロイド状態の酸化チタンペーストをドクターブレード法により、約10μmの厚さを有するように基板に薄く塗布した後、電気るつぼ内に配置し、温度を室温から500℃に上昇させ、室温まで冷却させた。次に、界面接合層Iを最初の方法と同じように導入することにより、チタン(IV)イソプロポキシドとエタノールとの混合溶液を基板に薄く塗布した後、電気るつぼ内に配置し、温度を室温から500℃に上昇させ、室温まで冷却させた。ドクターブレード法により、粒子サイズ300nmのコロイド状態の酸化チタンペーストを基板に薄く塗布した後、温度を室温から500℃に上昇させ、室温まで冷却させた。粒子サイズ300nm以上のTiO2層を導入して、光を散乱させることにより光の吸収を増大させる。最後に、チタン(IV)イソプロポキシドとエタノールとの混合溶液を基板に薄く塗布した後、電気るつぼ内に配置し、温度を室温から500℃に上昇させ、室温まで冷却させて、最初の方法と同じように界面接合層IIを導入した。図3〜図5は、導入された界面接合層を有する無機酸化物層および無機酸化物層上の光散乱層のSEM図および側面断面図を示す。
有機化合物が除去され、酸化チタンのみが塗布された基板を、室温で24時間、染料溶液内に配置して、染料を酸化チタン層に吸収させる。使用される染料は、ソラノニクス(Solaronix)(スイス)から市販されているシス−ビス(イソチオシアナト)ビス(2,2’−ビピリジル−4,4’−ジカルボキシラート)−ルテニウム(II)(ルテニウム535染料)であった。ルテニウム535染料の溶液は、ルテニウム535染料を100mlのエタノールに20mgの濃度で溶かすことにより準備した。酸化チタン基板を24時間浸し、溶液から取り出した後、染料を吸収した酸化チタン基板をエタノールで再び洗浄して、物理的に吸収された染料層を除去し、次に、基板を60℃で再び乾燥させた。
ポリフッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレンを、アセトンとN,N−ジメチルアセトアミド(質量比7:3)の混合溶液に溶解させて、PVDF−HFPポリマー溶液を準備した。攪拌器内で24時間攪拌し、超音波処理を30分間行うことにより、完全に溶解させた。
ポリフッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレンを、アセトンとN,N−ジメチルアセトアミド(質量比2:1)の混合溶液に溶解させ、続けて、ポリマーに対して1〜20質量%の量のAgを添加し、PVDF−HFPポリマー溶液を準備した。攪拌器内で24時間攪拌し、超音波処理を30分間行うことにより、完全に溶解させた。
ポリフッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレンおよび無機ナノ充填材として個々に計量されたAl2O3およびBaTiO3を混合して、無機ナノ充填材を含むポリマー溶液を準備した。使用した無機ナノ充填材の量は、使用したポリマーに対して10〜40質量%であった。この混合物をアセトンとN,N−ジメチルアセトアミド(質量比7:3)との混合溶液に溶解させた。攪拌器内で24時間攪拌し、超音波処理を30分間行うことにより、完全に溶解させた。
蒸留水に対して10質量%の量でポリビニルアルコール(PVA)を蒸留水に溶解させて、PVAポリマー溶液を準備した。この溶液を攪拌器内で80℃で6時間攪拌し、より低い温度である室温でさらに24時間攪拌し、蒸留水中に完全に溶解させ、次に、超音波処理を1時間行った。
蒸留水に対して10質量%の量でポリビニルアルコール(PVA)を蒸留水に溶解させてから、Agを添加して、Agを含有するPVAポリマー溶液を準備した。この溶液を攪拌器内で80℃で6時間攪拌し、温度を室温まで下げて、ポリビニルアルコールを蒸留水に完全に溶解させた。硝酸の希釈液を2、3滴、溶液に添加して、Agをポリマーに対して0.01質量%の量で添加することにより形成されたポリマー溶液の攪拌中でのAgの低減を回避した。この溶液を攪拌器内でさらに24時間攪拌してよく混ぜ、超音波処理を1時間行った。
ポリスチレン、ポリメタクリル酸メチルのそれぞれをポリフッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレンに添加することにより、ポリマー混合溶液を準備した。使用した溶媒は、PVDF−HFPおよびPSが混合される場合はDMFであるが、PVDF−HFPおよびPMMAが混合される場合にはアセトンとN,N−ジメチルアセトアミド(質量比7:3)の混合溶液に溶解させた。この溶液を攪拌器内で24時間攪拌し、超音波処理を30分間行い、完全に溶解させた。
ポリマーの質量%、供給電圧、および紡糸間隔を変更することにより、エレクトロスピニングを実行して、ナノ規模の様々な直径を得た。溶媒に溶解したポリマーを、溶液トランスポータ内で定率でエレクトロスピナに導入した。実験では、出力率は2ml/hであった。ポリマーが溶媒に溶解する場合、ポリマーの量を溶液に対して11質量%〜17質量%の間で変更することにより、ポリマーナノ繊維を製造した。ポリマーの量は、本発明の構造内で触れたように、適した範囲である。電圧供給源からの電圧を8kV〜14kVの間で変更することにより、エレクトロスピニングを実行した。紡糸距離を13cm〜19cmの間で変更することにより、エレクトロスピニングを実行した。エレクトスピニングポリマーナノ繊維は、15質量%、14kV、および15cmという最適な条件で製造された。
ポリマーの質量%、供給電圧、および紡糸間隔を変更することにより、エレクトロスピニングを実行して、Agを含有する様々な直径のPVDF−HFPナノ繊維を得た。さらに、1質量%〜20質量%のAgを導入することで条件を変更することにより、ポリマーナノ繊維を製造した。実験では、溶液トランスポータからの出力率は0.2ml/h〜2.0ml/hであった。電圧供給源からの電圧を8kV〜20kVの間で変更することにより、エレクトロスピニングを実行した。紡糸距離を13cm〜21cmの間で変更することにより、エレクトロスピニングナノ繊維を製造した。
ポリマーの質量%、供給電圧、および紡糸間隔を変更することにより、エレクトロスピニングを実行して、ナノ規模の無機ナノ充填材を含有する様々な直径のPVDF−HFPナノ繊維を得た。さらに、10質量%〜40質量%の無機ナノ充填材(Al2O3、BaTiO3)を導入することで条件を変更することにより、ポリマーナノ繊維を製造した。実験では、溶液トランスポータからの出力率は1.5ml/hであった。電圧供給源からの電圧を12kV〜15kVの間で変更することにより、エレクトロスピニングを実行した。紡糸距離を15cm〜18cmの間で変更することにより、エレクトロスピニングナノ繊維を製造した。
ポリビニルアルコール(PVA)繊維を準備する場合、ポリマーの質量%、供給電圧、および紡糸間隔を変更することにより、エレクトロスピニングを実行して、上述したようにナノ規模の直径を得た。実験では、溶液トランスポータからの出力率は0.6ml/hであった。ポリマーを溶媒に溶解させる場合、ポリマーの量を溶液に対して8質量%〜10質量%の間で変更することにより、ポリマーナノ繊維を製造した。電圧供給源からの電圧を15kV〜20kVの間で変更することにより、繊維を製造した。紡糸距離を15cm〜22cmの間で変更することにより、エレクトロスピニングを実行した。ポリマーナノ繊維は、9質量%、20kV、および20cmという最適な条件で製造された。
Ag含有ポリビニルアルコール繊維が準備される場合、実施例7と同じ条件でエレクトロスピニングを実行した。グラファイトで作られたアダプタを使用して、エレクトロスピニング中のAgの低減を回避したが、エレクトロスピニングを実行する場合、ステンレス鋼で作られたアダプタが通常、先端とノズルとを接続するために使用される。最後に、Ag含有繊維を紡糸した後、熱板上に15分間押し付けて、Agを低減させた。
PVDF−HFPとポリスチレンを混合した後、実験では、溶液トランスポータからの出力率0.5ml/hで、電圧供給源からの電圧を13kV〜20kVの間で変更してエレクトロスピニングを実行した。紡糸距離を15cm〜23cmの間で変更することにより、エレクトロスピニングポリマーナノ繊維を製造した。ポリマーナノ繊維は、15質量%、20kV、および23cmという最適な条件で製造された。
図6Aおよび図6Bは、15質量%のポリマーを有するポリマー繊維の表面画像および直径の分布図である。供給電圧14kV、紡糸距離15cm、溶液供給率2ml/hで、ポリマーの質量%を変更することにより、ポリマーナノ繊維を製造した。図6Aおよび図6Bに示されるように、得られたナノ繊維は、直径800nm〜1000nmで最も均一な分布を有することが明らかになった。
図7A〜図7Lは、ポリマーに含有されるAgの量を0.3質量%〜10質量%の間で変更することによるポリマー繊維の表面画像である。供給電圧15kV〜20kV、紡糸間隔15cm〜20cm、および溶液供給率0.3ml/h〜2ml/hで、ポリマーに含有されるAgの質量%を変更することにより、ポリマーナノ繊維を製造した。図7A〜図7Lに示されるように、得られたナノ繊維は、直径200nm〜500nmで最も均一な分布を有することが明らかになった。
図8A〜図8Lは、無機ナノ充填材としてのAl2O3の量を10質量%〜40質量%の間で変更することによるポリマー繊維の表面画像である。供給電圧12kV、紡糸間隔15cm、および溶液供給率1.5ml/hで、無機ナノ充填材の質量%を変更することにより、ポリマーナノ繊維を製造した。図8A〜図8Lに示されるように、得られたナノ繊維は、40質量%のAl2O3を添加した場合に最良の繊維形態を有した。
図10Aおよび図10Bは、PVAポリマー繊維の直径の表面画像および分布図である。画像のポリマー繊維をエレクトロスピニングした際、供給電圧は20kV、紡糸間隔は20cm、溶液供給率は0.6ml/hであった。図10Bに示されるように、得られたナノ繊維は、直径180nm〜200nmで最も均一な分布を有することが示された。
図11は、Ag含有PVAポリマー繊維の表面画像である。画像のポリマー繊維をエレクトロスピニングした際、供給電圧は20kV、紡糸間隔は20cm、溶液供給率は0.6ml/hであった。Ag含有PVAポリマー繊維は、Agを含有しないポリマーと同様の範囲の直径を有した。AgはPVA繊維に含有されたが、元々の形態は変わらないことが明らかになった。
図12A〜図12Cは、PVDF−HFPおよびポリスチレンの混合ポリマーナノ繊維の表面画像を示す。画像のポリマー繊維をエレクトロスピニングした際、供給電圧は20kV、紡糸間隔は21cm、溶液供給率は5.0ml/hであった。PVDF−HFPおよびポリスチレンの混合ポリマーナノ繊維の直径は、非混合PVDF−HFPナノ繊維よりも厚い約1000nmであり、ストランドの形状はでこぼこであった。
テトラブチルアンモニウムヨウ化物0.2molと、ヨウ素0.05molと、1−プロピル−3−メチルイミダゾリウムヨウ化物0.3molとをエチレンカーボネート、ポリプロピレンカーボネート、およびアセトニトリル(体積比8:2:5)の溶媒内で混合することにより、電解質溶液を準備し、次に、24時間攪拌した。
実施例6〜実施例8に従って製造したポリマーナノ繊維を、実施例2の染料を吸収した酸化チタンの基板上に配置し、次に、微量ピペットを使用することにより、0.035molの電解質溶液を基板の上部に滴下した。その後、オーブン内で40℃〜50℃で2時間〜3時間乾燥させて、溶媒を蒸発させた。
Pt前駆体を含有するペーストを使用して、透明色素増感太陽電池を作成した。Pt前駆体を含有するペーストは、ソラノニクス(Solaronix)(スイス)から市販されている。
実施例22に従った染料を吸収した酸化チタン層上に塗布されたポリマー繊維および電解質を含む電極基板と、実施例23に従って作成したPt電極基板との素子接合により、色素増感太陽電池素子を作成した。
実施例24に従って製造された色素増感太陽電池の電気光学性質。実施例22によるポリマー繊維を含有する電解質を有する色素増感太陽電池の電圧−電流密度を標準条件(AM1.5、100mW/cm2、25℃)で、太陽シミュレータ(PEC−L11、PECCELL)を使用することにより測定した。150Wキセノンランプおよびキースレイ(Keithley)を取り付け、標準シリコン電池を使用することにより、太陽シミュレータを変更した。
色素増感太陽電池素子の電気光学性質の測定結果による電流および電圧グラフのそれぞれを図14〜図19に示す。
図14は、実施例9に従って製造したナノ規模の直径を有するPVDF−HFP繊維を使用しての100mW/cm2の照明状態での色素増感太陽電池素子の電圧−電流密度を示すグラフである。図14によれば、電流密度は、界面接合層および散乱層を導入した場合に増大した。
図15は、実施例9に従って製造したナノ規模の直径を有するPVDF−HFP繊維を使用する暗状態での色素増感太陽電池素子の電圧−電流密度を示すグラフである。界面接合層および散乱層が導入された場合、これら2つの層がTiO2層および電極層の再結合を阻止するため、電圧が増大することが明らかになった。
図16および表3によれば、短絡回路電流は、PVDF−HFPに添加されたAl2O3の含有が、20質量%〜30質量%である場合に最大値を有し、エネルギー変換効率は30質量%の場合に最大値を有する。
図17および表4によれば、電流密度およびエネルギー変換効率は、PVDF−HFPに添加されるBaTiO3の含有量が20質量%である場合に最大値を有する。
図19は、実施例12に従って製造したナノ規模の直径を有するPVA繊維を使用する、暗状態での色素増感太陽電池素子の電圧−電流密度を示すグラフである。界面接合層および散乱層を導入した場合、これら2つの層がTiO2層と電極層との再結合を阻止するため、電圧が増大することが明らかになった。
実施例15に従って製造した色素増感太陽電池素子のインピーダンスを測定することにより、各界面での抵抗を測定した。図21〜図27は、イーケムアナリスト(Echem Analyst)(ガムリー(GAMRY))を使用して値を測定、Z−MANソフトウェアにフィッティングすることから得られるインピーダンスのデータを示すグラフである。
エレクトロスピニング法によりPVDF−HFPナノ繊維を使用して作成した色素増感太陽電池素子およびスピンコート法によりPVDF−HFPポリマー薄膜を使用して作成した色素増感太陽電池素子のインピーダンスの測定からの抵抗レベル
エレクトロスピニング法によりPVAナノ繊維を使用して作成した色素増感太陽電池素子およびスピンコート法によりPVAポリマー薄膜を使用して作成した色素増感太陽電池素子のインピーダンスの測定からの抵抗レベル
PVDF−HFPをエレクトロスピニングすることにより、ポリマー繊維を準備し、次に、生成されたポリマー繊維をガラス基板の間に導入し、電解質も導入する。耐久性テストを行った。
図30の(A)は、ポリマー繊維を導入せずにガラス基板が接合され、次に、電解質のみが導入された後の画像である。図30の(A−1)は、繊維が導入され、ガラス基板が接合され、次に、電解質が導入された後の画像である。ガラス基板を通して直径1mmの穴を開けた後、その穴を通して電解質を導入し、穴を充填せずに48時間観察した。
図30の(B)は、ガラス基板を接合し、次に、電解質のみを導入してから12時間後の画像である。図30の(B−1)は、繊維が導入され、ガラス基板が接合され、次に、電解質が導入されてから12時間後の画像である。
図30の(C)は、ガラス基板を接合し、次に、電解質のみを導入してから36時間後の画像である。図30の(C−1)は、繊維が導入され、ガラス基板が接合され、次に、電解質が導入されてから36時間後の画像である。
図30の(D)は、ガラス基板を接合し、次に、電解質のみを導入してから48時間後の画像である。図30の(D−1)は、繊維が導入され、ガラス基板が接合され、次に、電解質が導入されてから48時間後の画像である。48時間後の画像を比較すると、電解質のみが導入された図30の(D)の電解質の量は、蒸発により少なくなっている一方で、繊維および電解質が導入された図30の(D)の電解質の蒸発は殆どなく、電解質はガラス基板内に保持されている。ポリマーナノ繊維がガラス基板内に電解質を安定して保持可能なことが示される。図30の(E)は、48時間後に繊維が電解質内に保持されているか否かをチェックするためにガラス基板が除去された写真である。48時間が経過しても、繊維が溶融または散乱せずに保持されていることが分かる。
ポリマーPVDF−HFPを使用してスピンコート法により、ポリマー薄膜を準備し、次に、生成された薄膜を色素増感太陽電池内に導入し、その後、素子の光起電性能を測定する。
実施例6において使用されるPVAポリマーを使用してスピンコート法により、ポリマー薄膜を準備し、次に、生成された薄膜を色素増感太陽電池に導入し、その後、素子の光起電性能を測定する。
電解質溶液を準備して、ポリマーナノ繊維の代わりにスピンコート法によるポリマー薄膜を使用すること除き、実施例と同じ進行および条件に従って色素増感太陽電池を作成する。スピンコート法によるポリマー薄膜を含む色素増感太陽電池に関して、実施例25と同じ条件の電圧に従って電流密度を測定した。比較例2による色素増感太陽電池の電圧−電流密度の測定を図32に示し、表12は、開路電圧、短絡回路電流、曲線因子、エネルギー変換効率を示した。
ポリマー繊維のない色素増感太陽電池のエネルギー変換効率を見つけて比較するために、液体電解質のみが導入された色素増感太陽電池を準備する。
実施例25と同じ条件で決定される電圧に従って、電流密度を測定する。比較例3による色素増感太陽電池の電圧−電流密度の測定を図33に示し、表13は、開路電圧、短絡回路電流、曲線因子、エネルギー変換効率を示す。
表14は、比較例3によるインピーダンス値を示す。表14によれば、全体のインピーダンス値が低減する。したがって、ナノ繊維により内部抵抗が増大するため、ナノ繊維なしで電解質のみを使用する場合、全体の抵抗が低減することが分かる。
1002:第1の電極
1003:無機酸化物層
1004:界面接合層I
1005:光散乱層
1006:界面接合層II
1007:染料層
1008:ポリマー電解質層
1009:第2の電極
1010:第2の基板
2001:電圧供給源
2002:溶液トランスポータ
2003:エレクトロスピナ
2004:コレクタ
Claims (15)
- 互いに面するように配置された第1の基板および第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置された第1の電極と、
前記第1の基板とは反対側の前記第1の電極上に配置された無機酸化物層と、
前記無機酸化物層上に配置された第1の界面接合層と、
前記第1の界面接合層上に配置され、吸光を増大させる光散乱層と、
前記第1の界面接合層とは反対側の前記光散乱層上に配置された第2の界面接合層と、
固体電解質と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置され、それにより、電流を流せるようにする第2の電極と
を備える色素増感太陽電池であって、
染料が、前記無機酸化物層、前記第1の界面接合層、前記光散乱層及び前記第2の界面接合層内に化学的に吸収され、励起電子を提供し、
前記固体電解質が、前記第2の界面接合層と前記第2の電極との間に配置され、エレクトロスピニング法により製造されたポリマーナノ繊維を含み、酸化還元反応により電子を前記染料に提供し、
前記第1の界面接合層及び前記第2の界面接合層の厚さが、それぞれ、2nm〜100nmであり、前記第1の界面接合層及び前記第2の界面接合層が、それぞれ、1nm〜50nmの平均直径を有する無機酸化物を含み、
前記光散乱層の厚さが500nm〜50μmであり、前記光散乱層が20nm〜1μmの平均直径を有する無機酸化物を含む、前記色素増感太陽電池。 - 前記ポリマーナノ繊維は、ポリフッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン(PVDF−HFP)、ポリエチレンオキシド(PEO)、ポリアクリロニトリル(PAN)、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、ポリビニルアルコール(PVA)、およびそれらのポリマー混合物からなる群から選択される少なくとも1つである、請求項1に記載の色素増感太陽電池。
- 前記ポリマーの含有量は、前記固体電解質に対して5質量パーセント〜95質量パーセントであり、かつ好ましくは前記ポリマーの重量平均分子量は、50,000〜1,000,000である、請求項1に記載の色素増感太陽電池。
- 前記ポリマーナノ繊維は20nm〜1500nmの直径を有する、請求項1に記載の色素増感太陽電池。
- 前記固体電解質はナノサイズのAgを含む、請求項1に記載の色素増感太陽電池。
- 前記固体電解質は無機ナノ充填材、好ましくはAl2O3またはBaTiO3をさらに含む、請求項1に記載の色素増感太陽電池。
- 前記第1および第2の界面接合層の厚さは10nm〜100nmである、請求項1に記載の色素増感太陽電池。
- 前記光散乱層を形成する粒子は、100nm〜500nmの粒子サイズを有する、請求項1に記載の色素増感太陽電池。
- 前記染料は、ルテニウム系染料、キサンテン系染料、シアニン系染料、ポルフィリン系染料、およびアントラキノン系染料からなる群から選択される少なくとも1つである、請求項1に記載の色素増感太陽電池。
- 色素増感太陽電池を準備する方法であって、
第1の基板を準備し、第1の基板上に第1の電極を形成すること、
前記第1の電極の一表面に無機酸化物層を形成すること、
前記無機酸化物層上に第1の界面接合層を形成すること、
前記第1の界面接合層上に、吸光を増大させる光散乱層を形成すること、
前記光散乱層上に、第2の界面接合層を形成すること、
前記無機酸化物層、前記第1の界面接合層、前記光散乱層及び前記第2の界面接合層内に染料を吸収させること、
エレクトロスピニング装置を使用してポリマー溶液をエレクトロスピニングすることにより製造されたポリマーナノ繊維を、前記染料を吸収した前記第2の界面接合層上に形成し、電解質溶液を前記ポリマーナノ繊維に塗布し、次に、前記塗布された溶液を蒸発させて固体電解質を形成すること、ならびに
前記固体電解質上に第2の電極および第2の基板を形成すること
を含む方法であり、
前記第1の界面接合層及び前記第2の界面接合層の厚さが、それぞれ、2nm〜100nmであり、前記第1の界面接合層及び前記第2の界面接合層が、それぞれ、1nm〜50nmの平均直径を有する無機酸化物を含み、
前記光散乱層の厚さが500nm〜50μmであり、前記光散乱層が20nm〜1μmの平均直径を有する無機酸化物を含む、前記方法。 - 前記固体電解質を形成するステップは、ポリマーを溶媒に溶解させて、ポリマー溶液を形成し、前記形成されたポリマー溶液をエレクトロスピニング装置に導入し、前記ポリマー溶液を紡糸することを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記ポリマー溶液は、前記固体電解質を形成するステップにおいてナノサイズのAgを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記ポリマー溶液は、前記固体電解質を形成するステップにおいて、無機ナノ充填材、好ましくはAl2O3またはBaTiO3をさらに含む、請求項10に記載の方法。
- 前記エレクトロスピニング装置は、ナノ繊維を形成するために電圧を印加する電圧供給源と、前記ポリマー溶液を定期的に噴霧する溶液トランスポータと、前記電圧供給源から印加された電圧を使用することにより、前記溶液トランスポータから運搬された前記ポリマー溶液からポリマーナノ繊維を生成するエレクトロスピナと、前記エレクトロスピナから紡糸された前記ナノ繊維を収集するコレクタとを備える、請求項10に記載の方法。
- 前記エレクトロスピニング装置は紡糸間隔を制御する、請求項10に記載の方法。
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US312340A (en) * | 1885-02-17 | Apparatus for emptying and charging galvanic elements | ||
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JP2000357544A (ja) * | 1999-04-16 | 2000-12-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 色素増感型太陽電池 |
JP4415482B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2010-02-17 | パナソニック電工株式会社 | 光電変換素子 |
JP2001273938A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Hitachi Maxell Ltd | 光電変換素子 |
US6453761B1 (en) * | 2000-11-16 | 2002-09-24 | Thomson Saginaw Ball Screw Company, L.L.C. | Direct attachment electric motor operated ball nut and screw linear actuator |
JP2002222968A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換素子および光電気化学電池 |
KR20030065957A (ko) | 2002-02-02 | 2003-08-09 | 한국전자통신연구원 | 폴리비닐리덴 플로라이드 함유 겔형 고분자 전해질을포함하는 염료감응 태양전지 |
JP4010170B2 (ja) * | 2002-04-11 | 2007-11-21 | ソニー株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
JP2003303629A (ja) | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Sony Corp | 色素増感太陽電池 |
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US7825330B2 (en) * | 2002-07-09 | 2010-11-02 | Fujikura Ltd. | Solar cell |
KR100681499B1 (ko) * | 2002-07-09 | 2007-02-09 | 가부시키가이샤후지쿠라 | 태양 전지 |
EP1536508B1 (en) | 2002-08-13 | 2014-06-25 | Bridgestone Corporation | Improvement of dye-sensitized solar cell |
JP4344120B2 (ja) * | 2002-08-23 | 2009-10-14 | シャープ株式会社 | 色素増感型太陽電池 |
WO2004112183A1 (en) * | 2003-06-17 | 2004-12-23 | Samshin Creation Co., Ltd. | A complex membrane for electrochemical device, manufacturing method and electrochemical device having the same |
EP1513171A1 (en) * | 2003-09-05 | 2005-03-09 | Sony International (Europe) GmbH | Tandem dye-sensitised solar cell and method of its production |
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US7615703B2 (en) * | 2004-03-03 | 2009-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrolyte composition, dye-sensitized solar cell and production method thereof |
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