JP5690334B2 - 基板をフォトイメージングする方法及び装置 - Google Patents

基板をフォトイメージングする方法及び装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5690334B2
JP5690334B2 JP2012513096A JP2012513096A JP5690334B2 JP 5690334 B2 JP5690334 B2 JP 5690334B2 JP 2012513096 A JP2012513096 A JP 2012513096A JP 2012513096 A JP2012513096 A JP 2012513096A JP 5690334 B2 JP5690334 B2 JP 5690334B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
speed
mask
light beam
photosensitive material
image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012513096A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012528357A (ja
JP2012528357A5 (ja
Inventor
ダニエル, ジェイ. ティス,
ダニエル, ジェイ. ティス,
レヴェント ビイクリ,
レヴェント ビイクリ,
ジェフリー, エイチ. トキエ,
ジェフリー, エイチ. トキエ,
デヴィッド, エル. ホーフェルト,
デヴィッド, エル. ホーフェルト,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
3M Innovative Properties Co
Original Assignee
3M Innovative Properties Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 3M Innovative Properties Co filed Critical 3M Innovative Properties Co
Publication of JP2012528357A publication Critical patent/JP2012528357A/ja
Publication of JP2012528357A5 publication Critical patent/JP2012528357A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5690334B2 publication Critical patent/JP5690334B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00Photographic printing apparatus
    • G03B27/32Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/52Details
    • G03B27/54Lamp housings; Illuminating means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/704Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70791Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels

Description

本開示は、概して、フォトイメージングする装置及び方法、並びにそれによって製造される物品に関する。
従来のロールからロールへのリソグラフィシステムは、しばしば、感光コーティング又はラミネートを備える基板を露光範囲に持ってくるために、「工程及び反復」割出しを使用する。マスク(「フォトツール」としても知られる)は、典型的には露光領域のフルサイズである像を有し、基板が真空工具上で静止状態に保持されるときに、広域スペクトルの紫外線源及び/又は可視光線源を使用して、その全領域が同時に露光される。長い回路を作製するためには、回路が露光領域内に完全に組み込まれるか、又は複数の工程若しくは露光周期の割出しから作製されるかのいずれかである必要がある。これらの方法はともに、露光領域より長い回路を作製するプロセスにつながる。
長い回路を作製するための1つの従来の方法は、露光領域内に上手く収まる蛇行パターンで回路を露光することである。この蛇行回路は、その後伝導体の線状バンドに折り畳まれる。そのような折り畳まれた回路設計の1つの問題は、結果として得られる周期的な厚い横断面であり、これは、カテーテル又は他のデバイスに含まれることが可能な導電性トレースの数を減少させる。
長い回路を作製するための2つ目の従来の方法は、長い回路のいくつかの部分に相当する複数のマスクによって得られた像が一緒に接合され得る、多工程手法を伴う。このような長い回路は多工程の露光の結果であり、これは不整合誤差をもたらす可能性がある。そのような不整合は、典型的に導電性トレースに細いバンドを生じさせ、それにより回路にホットスポット又は可溶結合を生じさせる。
一態様において本開示は、
感光材料の層を支持するキャリアを備える基板を用意する工程と、
像を備えるマスクを用意する工程であって、該像は、連続する第1、第2、及び第3の像部分を備え、順次、
i)該基板が第2の速度で第2の方向に沿って露光領域を通って前進する間、光線を、それが第1の像部分を第1の速度で第1の方向に沿って走査し、その後露光領域で感光材料の層に衝突するように、マスク上に導き、
ii)該基板が第4の速度で第2の方向に沿って露光領域を通って前進する間、該光線を、それが第3の速度で第2の像部分に衝突し、その後露光領域で感光材料の層に衝突するように、マスク上に導き、
iii)該基板が第6の速度で第2の方向に沿って露光領域を通って前進する間、該光線を、それが第5の速度で第1の方向に沿って第3の像部分を走査し、その後露光領域で感光材料の層に衝突するように、マスク上に導き、第1の速度及び第5の速度が第3の速度より大きい、工程と、を含む、方法を提供する。
いくつかの実施形態において、第1の方向が線状である。いくつかの実施形態において、第1の速度が第5の速度と等しく、かつ第2の速度、第4の速度、及び第6の速度が等しい。いくつかの実施形態において、第1の速度が第2の速度に比例する。いくつかの実施形態において、第1の速度が第2の速度と等しい。いくつかの実施形態において、第3の速度がゼロである。
いくつかの実施形態において、基板が露光領域にある間、ロールと接触して維持される。いくつかの実施形態において、基板が露光領域内で平面構成に維持される。いくつかの実施形態において、感光材料がフォトレジストを含む。いくつかの実施形態において、光線がマスクを通過する。いくつかの実施形態において、光線の一部分がマスクに反射して、感光材料上に導かれる。いくつかの実施形態において、光線が薄いシートを形成し、感光材料上に導かれる。いくつかの実施形態において、光線がラスター走査される。
いくつかの実施形態において、基板が、誘電性キャリアであって、該誘電性キャリアの少なくとも一部分の上に配置された金属層を有する、誘電性キャリアを備える。これらの実施形態のいくつかにおいて、フォトレジストが、金属層の少なくとも一部分の上に配置される。そのような実施形態において、本方法は、金属層の一部分を露光するようにフォトレジストを現像する工程と、金属層の露光された部分をエッチング除去し、少なくとも1つの導電性トレースを用意する工程と、を更に含んでもよい。残留フォトレジスト(即ち、現像後に残るフォトレジスト)が、導電性トレースを露光するように基板から除去されてもよく、保護層が、少なくとも露光された導電性トレース上に配置されてもよい。
いくつかの実施形態において、キャリアはポリマーフィルムを備え、かつ可撓性である。
別の態様において、本開示は、構成要素:
a)光線を発生させるための源と、
b)マスクを受容するように適合され、第1の速度、第2の速度、及び第3の速度で線状の第1の方向に沿って前進することができるマスクマウントであって、該マスクが像を備え、第1の像が連続する第1、第2、及び第3の像部分を備える、マスクマウントと、
c)マスクマウントと連通し、第1の速度、第2の速度、及び第3の速度のそれぞれで平行移動することができる、マスクステージと、
d)第2の方向に沿って露光領域を通って第4の速度で基板を前進させるためのコンベヤーアセンブリであって、該基板がキャリア及び感光材料の層を備える、コンベヤーアセンブリと、
e)該マスクに衝突し、その結果、該光線が、その後露光領域内で感光材料上に導かれるように、該光線を導くための、少なくとも1つの光学素子と、を備える、装置を提供する。
いくつかの実施形態において、該装置は、構成要素a)〜e)をそこに固設したフレームを更に備える。
実施形態のうちのいくつかでは、該装置は、f)コンベヤーアセンブリと連通し、第4の速度を変化させることができる、コンベヤーアセンブリコントローラを更に備える。これらの実施形態のうちのいくつかでは、該装置は、構成要素a)〜f)をそこに固設したフレームを更に備える。いくつかの実施形態において、光線がマスクに反射される。いくつかの実施形態において、少なくとも1つの光学素子が、光線をラスターパターンに導く。いくつかの実施形態において、該装置は、コンベヤーアセンブリコントローラ及びマスクステージと電気的導通状態にある、コンピュータを更に備える。
有利に、本開示に従う方法及び装置は、例えば、従来の技術を使用して利用可能である寸法を超え得る細長い寸法(例えば、医療用カテーテル用)を有する物品(例えば、可撓性回路)を調製するために有用である。更に、本開示の方法に従うと、不定の長さの可撓性回路を製造するために、回路の折り畳みが必要とされず、これは、連続的で均一、かつ途切れのない方法で形成され得る。
本明細書で使用される場合、本明細書で考察される第1〜第5の速度に適用される「速度」という用語は、プロセス許容誤差(例えば、機械的及びソフトウエア許容誤差)と一致した、値におけるわずかな変動を有してもよい、公称速度を指す。故に、2つの速度は、一時にわずかに異なる場合があったとしても、等しくあってよい。加えて、プロセスの精度は、プロセスの機器(例えば、走査光学素子)及びパラメーター(例えば、種々の速度)内の追加的許容誤差によって概して制限される。概して、そのような許容誤差は、1パーセント未満、0.1パーセント未満、又は更には0.01パーセント未満であり得る。
本明細書で使用される場合、光線とマスク及び像との相互作用に適用される「走査する」という用語は、像への系統的パターンでの光線の相対運動を指す。
本開示に従う例示的プロセスを描写する概略図。 本開示に従う例示的プロセスを描写する概略図。 本開示に従う例示的プロセスを描写する概略図。 光線160の1つの例示的構成を示す概略図。 光線160の1つの例示的構成を示す概略図。 本開示に従う例示的装置を描写する概略図。 本開示に従う例示的装置を描写する概略図。 それぞれ見通し線5A及び5Bに沿った、光線160の構成を示す概略図。 それぞれ見通し線5A及び5Bに沿った、光線160の構成を示す概略図。
本開示に従う例示的方法は、図1A〜1Cに示される逐次工程を含む。
ここで図1A〜Cを参照すると、基板130は、感光材料の層150を支持するキャリア138を備える。マスク120は、連続する第1、第2、及び第3の像部分(それぞれ122a、122b、122c)を備える像121を備える。第1の工程で、光線160は、源110によって発生され、光ファイバー112、光ファイバーカプラー/ビームシェイパー114、並びに光線が、第1の方向190に沿って第1の速度197aで第1の像部分122aを走査するように、マスク120上に導かれるシートとして現れる球面レンズ116の、光学素子を通って導かれる。移動するマスク設計については、第1の方向190は、マスクの移動方向と反対であることに留意されたい。示される実施形態では、基板130が第2の速度199aで第2の方向195に沿って露光領域185を通って前進する間、光線がマスク120、次いで投影レンズ118を通過し、その後露光領域185で感光材料の層150に衝突する。この工程の間、第1の像部分122aに対応する、顕像であっても潜像であってもよい第1のパターン部分134aが、感光材料の層150内に形成される。示されるように、基板130が巻き戻しロール140から供給され、巻き取りロール145によって露光領域185を通って前進させられる。
図1Bに例証される第2の工程では、光線160は、第3の速度197bで第1の方向190に沿って第2の像部分122bを走査し、その後露光領域185で感光材料の層150に衝突するように、マスク120上に導かれる。この工程では、光線160が第2の像部分122bに衝突する。光線160及び第2の像部分122bは、基板130が第4の速度199bで第2の方向195に沿って露光領域185を通って前進し、第2のパターン部分134bを形成する間、第1の方向190に沿って相互に対して固定されてもよく(即ち、第3の速度がゼロに等しい)、あるいはそれらが、第1の工程においてと同様であるが、より遅い速度で相互に対して走査されてもよい。
図1Cに例証される第3の工程では、基板130が第6の速度199cで第2の方向195に沿って露光領域185を通って前進して、第3のパターン部分134cを形成する間、光線160は、第5の速度197cで第1の方向190に沿って第3の像部分122cを走査し、露光領域185で感光材料の層150に衝突するように、マスク120上に導かれる。
第1の速度197a及び第5の速度197cはそれぞれ、第3の速度197bより大きい。1つの単純かつ有用な実施形態において、第3の速度はゼロであり、かつ第2の速度、第4の速度、及び第6の速度が等しい。
これらの工程の正味効果は、マスクの像の第1、第2、及び第3の像部分に概して対応するが、第2の像部分と比較して細長い第2のパターン部分を備える、感光材料の層内の第1、第2、及び第3のパターン部分を有するパターンを生成することである。像は、例えば、可視的な図式的像等の顕像であってもよいが、より典型的には、像は、完全に実現するには現像工程を必要とする潜像である。例えば、感光材料の層は、その後の現像工程を必要とする写真乳剤又はフォトレジスト(例えば、ポジ型若しくはネジ型のフォトレジスト)を備えてもよい。いくつかの実施形態において、感光材料の層は、フォトレジストの多層を備えてもよい。フォトレジストの場合、典型的な現像工程は、例えば、現像液を使用して、感光材料の層の露光されていない部分(ネガ型フォトレジストの場合)又は露光された部分(ポジ型フォトレジストの場合)を溶解除去することを含む。
有用なキャリアは、感光材料の層、例えば、紙、ガラス、セラミックス、金属、及び/又はポリマーフィルムを支持することができるいずれの材料を含んでもよい。好ましくは、キャリアは可撓性であり、実質的に寸法安定性である。いくつかの実施形態において、キャリアは、誘電性ポリマーフィルムを含んでもよい。例としては、液晶ポリマー;ポリ塩化ビニル;アクリル系;ポリカーボネート類;ポリオレフィン類(例えば、ポリエチレン及びポリプロピレン);ポリエチレンテレフタレート(PET)及びポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル類;ポリイミド類、ポリ(エーテルエーテルケトン)(PEEK)、並びにポリエーテルイミド(PEI)を含むフィルムが挙げられる。キャリアの伝導度が要因ではない場合、金属ホイルがキャリアとして有用であり得る。キャリアは、任意の厚さ、例えば、約10マイクロメートル〜約1ミリメートルの厚さを有してもよい。キャリアは、剛性又は可撓性であってよく、好ましくは、例えば、ローラー等のウェブ取扱機器で取り扱われるために十分可撓性である。キャリアは、例えば、プライマー層若しくは結束層等の接着促進層、又はプラズマ表面処理等の、1つ以上の処理を含んでもよい。キャリアは、例えば、複合ポリマーフィルム等のいくつかの層の複合体であってもよい。
好ましくは、光線は、いくつかの商業用フォトイメージング機器内に存在する、光学的認識及び整合機構によって検出され得る、感光材料の層内の検出可能な色変化を生じさせるであろう。いくつかの実施形態において、基板は、例えば、レーザーマーキング、プリント、打抜き、又はエッチングを含む1つ以上の基準で刻印されてもよい。したがって、基板が前進すると、基準マークが検知され、基板が所望の位置に能動的に整合する。
いくつかの実施形態において、キャリアは、(任意に結束層でコーティングされた)ポリマーフィルムと感光材料の層との間に挟持された、導電性金属層を備える。例示的な金属としては、銅、アルミニウム、クロム、ニッケルクロム、金、パラジウム、白金、銀、スズ、及びそれらの合金が挙げられる)。任意に、配置された導電性金属層は、既知の電解メッキ又は無電解メッキプロセスにより所望の厚さまで更にメッキされることができる。あるいは、接着剤を用いて金属ホイルをキャリアに接着させることにより、好適なラミネートが形成されてもよい。導電性金属層は、マスクを通る紫外線及び/又は可視光線の露光等の種々のフォトリソグラフィ法を含む、いくつかの周知の方法によってパターン化され得る。
感光材料がフォトレジストを備える場合、フォトレジストが、マスクを通して化学線(例えば、深紫外線、紫外線、及び/又は可視光線)に露光される。ネガ型フォトレジストに関しては、露光された部分が典型的には架橋され、次いで、フォトレジストの露光されていない部分が適切な溶媒で現像される。次に、金属層の露光された部分が、典型的には、例えば、有機酸(例えば、酢酸)と任意で組み合わされた無機酸(例えば、硫酸又は硝酸)等の適切なエッチャントを使用して、エッチング除去される。
現像プロセス中に除去されなかった残留フォトレジストは、適切な溶媒(例えば、フォトレジスト製造業者によって推奨される溶媒)を使用して、この時点で除去されてもよい。これにより、エッチング後に残る金属層の部分(例えば、露光工程の間に感光材料上に形成されたパターンのポジ型像又はネガ型像に相当する)が露光される。
カバーコートが所望される場合、標準的なコーティング又は積層技術を使用して、単一工程又は2つの個別の工程のいずれかで、基板の1つ又は両方の表面にそれが適用されてもよい。カバーコートは、例えば、導電性トレースを保護するため、又は開口部若しくは境界縁を形成することによって露光された範囲を画定するために、使用されてもよい。例示的なカバーコートとしては、アクリル系及び/又はエポキシ類が挙げられる。
導電性トレースを形成する別の可能性のある方法は、セミアディティブメッキ及び以下の典型的な工程順序を使用する。キャリア(任意にその上に結束層を有する)に金属若しくは無電解メッキ触媒の薄層が上塗りされる。無電解メッキ触媒の金属層をパターン化するためにフォトリソグラフィが使用される場合、次いで、前述のように、水系であっても溶媒系であってもよく、ネガ型であってもポジ型であってもよいフォトレジストが適用され、露光され、現像される。次いで、導電性金属層の露光された部分が、所望の回路の厚さが達成されるまで、標準的な電気メッキ又は無電解メッキ法を使用して更にメッキされてもよい。レジストの架橋した露光された部分は次にラミネートの両側を剥離される。その後、好適なエッチャントにより露光されていたもとの薄い最初の導電性及び結合層はエッチングされる。所望であれば、回路は次に前述の通り更に処理されることができる。
図1A〜1Cに描写される工程は順次実行されるが、所望の場合は、連続的に実行されてもよいが、連続的に実行されることが必要なわけではない。
光線は、図1A〜1Cに示されるように、光のシートに形成されて、像にわたって走査されてもよい。あるいは、図2に示されるように、光線160は、第1の方向190に沿った像121の対応する走査速度(例えば、197a、197b、及び197c)より実質的に速い速度で、(例えば、ラスターパターンの)第1の方向190に垂直な構成要素192を有する方向で前後に走査され、それにより、光のシートと同じ結果を効果的に達成してもよい。
マスクは、図1A〜1Cに示されるように、光学的に透過性(例えば、透明又は半透明)であってもよい)。あるいは、光線160は、マスク120に反射され、その後感光材料の層150上に導かれてもよい。
本明細書で使用される、「マスク」という用語は、選択的に透過性、かつ/又は例えば、紫外線(深紫外線を含む)及び/若しくは可視光線等の化学線に反射性のフィルム又はシートを指す。例としては、作製されるパターンのネガ型又はポジ型像を有する固定寸法の、クロムコーティングガラス又はアートワークフィルムが挙げられる。ステンシル(例えば、金属ステンシル)又はポリマーマスクもまた、マスクとして使用されてもよい。
マスクの種類が何であれ、マスクは少なくとも3つの連続する部分を有する像を備える。ここで図1A〜1Cを参照すると、像121は、第1の像部分122a(例えば、図1Aに示される頭部分)、第2の像部分122b(例えば、図1Bに示される本体部分)、及び第3の像部分122c(例えば、図1Cに示される尾部分)を有する。像は、追加的部分を備えてもよい。マスクは、1つを超える別個の像を備えてもよい。像は、透過性、反射性、又は不透明(透過領域に囲まれる場合)であってもよい。
図3は、光ファイバー112、光ファイバーカプラー/ビームシェイパー114、及び光線160を反射マスク320上に導くための球面レンズ116の例示的な代替配設を示す。
概して、場合によっては微量の接触は許容可能であり得るが、マスクは基板に接触するべきではない。とはいえ、典型的には基板及びマスクが像の走査の間に独立して移動することができる限り、マスクが極めて近接に定置されてもよい(例えば、シャドーマスク)。マスクはいずれの寸法を有してもよいが、有利には、マスクは比較的小型であってもよく(例えば、1〜20センチメートルの長さ)、一方基板上に形成されるパターンははるかに長くてもよい(例えば、0.5〜10メートルの長さ)。
典型的には、マスクは、マスクをしっかりと位置付けるマスクマウントに定置され、順に、位置付け可能なマスクステージに固設される。マスクステージは、典型的には光線に対してマスクステージ、したがってマスクを位置付けることができる、駆動機構(例えば、サーボモーター)を含む。したがって、マスクステージは、コンピュータ及び/又は他の回路を含むことができる、マスクステージコントローラから命令を受け取ってもよい。また、代替実施形態において、適切な光学素子(例えば、回転ミラー)が使用される場合、マスクが不動化されて、光線がそれにわたって走査されてもよいことが認識されるであろう。
コンベヤーは、露光領域を通って基板を運搬することができる限り、いずれの好適な構成を有してもよい。典型的に、コンベヤーは、駆動機構(例えば、駆動ロール)と、典型的に、基板が露光領域を含んでコンベヤーを通って(基板経路に沿って)移動する際に、基板の速度を可変的に制御することができる、その駆動機構と通信するコンベヤーコントローラと、を有する。露光領域を通過する際のコンベヤー経路は、平坦であってもよい。同様に、露光領域を通過する際のコンベヤー経路は、曲線であってもよい(例えば、ロールの周囲)。
好ましくは、コンベヤーの駆動機構は、特に基板がウェブを備える場合、高精度の位置制御が可能である(例えば、精密フィードバックを伴うサーボモーター駆動ロール)。手短に述べると、十分な精度及びフィードバック分解能の駆動ロールを使用する手法は、基板がロール上を通過する際に基板を精密に誘導する工程を含む。精密なウェブの誘導は、概して、誘導基準としてウェブの縁を使用するのとは対照的に、基準誘導線を使用することを必要とする。駆動ロール上への精密な誘導は、ウェブ横断方向の基板の信頼性のある位置付け、ひいては基板上のパターンの信頼性のある位置付けを提供する。基板が駆動ロール上に誘導され、摩擦で拘束される際に、ダウンウェブ基準マークがウェブ上で検出されてもよい。精密なパターン化及びこれらのパターンの位置合わせは、ウェブが駆動ロールによって基板界面に拘束される間、ウェブを横断する誘導とダウンウェブ基準の追跡とを同時に組み合わせることによって達成される。
光線は、光線形状及び/又は方向を操作する一連の光学素子とファイバー結合されてもよい、レーザー又はランプ等の任意の好適な化学線源によって生成されてもよい。例示的光源としては、フラッシュランプ、水銀ランプ、発光ダイオード、及びレーザー(例えば、固体レーザー、色素レーザー、ガスエキシマレーザー)が挙げられる。光源から放射される光線は、1つ以上の光学素子を使用して、典型的には、露光領域内でマスク及び基板に実質的に垂直な薄いシートに形成されてもよいが、これは要件ではない。別の構成では、光線は、ラスターパターンを形成するように工程を踏むことでマスク上を走査させてもよい(即ち、ラスター走査される)。光線の形状、焦点、及び方向を使用するために、種々の光学素子が使用される。例としては、ミラー、回折光学素子、レンズ(例えば、球面レンズ及び平凹円柱レンズ)、並びにプリズムが挙げられる。1つの例示的構成において、固体レーザーがコリメータにファイバー結合される。光線が平凹レンズ、次いでマスクの一部分に焦点を当てた球面レンズに導かれる。マスクとの相互作用後、光線は第2の球面レンズに捉えられ、基板上に投影される。
光線でマスクを走査する速度と、基板の移動速度とが、同期制御されることが好ましい。マスクの速度(第1、第3、及び第5の速度)と、基板の移動の速度(第2、第4、及び第6の速度)とが、同期制御されることが好ましい。選択される感光材料及び光学素子の感度に依存して、マスクの像は、基板上でパターンを形成するように拡大又は縮小されてもよいため、マスクを走査する、及び基板の移動の種々の速度は、典型的には比例する(ゼロであってもよい第2の速度を除いて)。場合によっては、速度のうちの少なくともいくつかは、同一であってもよい。
典型的には、本開示の実践において使用される種々の機械設備構成要素は、それらの相対的構成を維持する少なくとも1つのフレームに固設される。
本開示に従う例示的装置が、図4Aに示される。例示的装置400は、光線160を発生させるための源110を備える。光学素子(光ファイバー112、光ファイバーカプラー/ビームシェイパー114、球面レンズ116、及び投影レンズ118)は、すでに説明された通りである。1つの好適な光ファイバーカプラー/ビームシェイパー114は、StockerYale,Inc.(Salem,NH)から、23ミリメートルのシート長、50ミクロンのシート幅を有するDiverging Flat Top Beam Shaperとして入手可能である。
マスクマウント125は、マスク120を受容するように適合され、種々の速度で線状の第1の方向190に沿って前進することができる。マスクマウント125は、開口若しくは透明窓を備えてもよく、かつ/又はマスクをしっかりと位置付けるように設計されたクランプ若しくは他のマウントを備えてもよい。マスクマウント125は、マスクステージ128にしっかりと固設され、種々の速度で線状の第1の方向190に沿って前進することができ、それによって光線160に対してマスク120を位置付ける。
コンベヤーアセンブリ170は、第2の方向195に沿って露光領域185を通り、基板130を前進させる。この実施形態では、コンベヤーアセンブリ170は、巻き戻しロール140及び巻き取りロール145、張力検知ローラー175、並びにステアリングローラーアセンブリ177を備える。ステアリングローラーアセンブリ177は、ステアリングガイド178を通じてステアリング機構184により制御される。基準センサ182は、基板130の適切なダウンウェブ位置付けを保証するために、基準415の情報を検出する。
ウェブの取り扱いを促進するために、装置400は、任意に、基板130がマーキングロール194の周囲を通過する際に、基板130に誘導線416及び少なくとも1つの基準415を適用する、マーキングデバイス410を含む。示される実施形態では、硬化ユニット181が、基板にマークを付けるために使用されたインクを乾燥させる。硬化ユニットの例には、赤外線乾燥機及び空気乾燥機が挙げられる。
同様に、基板130が露光ロール196の周囲を通過し、そこでそれが露光領域185を通って移動し、パターン134を生成する。この状況では、露光領域185を通って基板130によって移動される第2の方向195は、弓状である。露光ロールが存在しない代替設計もまた、可能であり有用である。
コンベヤーアセンブリコントローラ(図示せず)は、コンベヤーアセンブリと連通(例えば、電気的、水力的、及び/又は機械的に連通)しており、基板が露光領域を通って移動する速度を変化させることができる。コンベヤーアセンブリコントローラは、コンピュータ及び/又は追加的回路を含んでもよい。
示される実施形態では、種々の構成要素が台座452に固定されるフレーム450に固設されているが、単一フレームが使用されるか、又はフレームが使用されなくてもよい。任意に、コンベヤーアセンブリコントローラ(図示せず)及びマスクステージ128は、コンピュータ(図示せず)と連通していてもよい。これにより、操作者が装置から遠隔に位置することが可能になる。
図5A及び5Bは、それぞれ見通し線5A及び5Bに沿って表示される、図4Aに示される例示的装置400によって使用される光線160の構成を描写する。
ここで図4Bを参照すると、通過の間、見通し線5Aに沿ってマスク位置を調整する間、基板130が露光領域185を複数回通過させられてもよい(例えば、前進させられ、巻き戻される)ことが理解されるであろう。この方法により、いくつかのパターン134が、追加のマスクを必要とすることなく、基板上に定置され得る。
明瞭さを目的として、図4A及び4Bは、フレーム450をデバイスの後方にのみ位置付けて描かれおり、多くの構成において、類似のフレーム構成要素(例えば、フレーム450の鏡像)が、任意に2つのフレーム構成要素を機械的に接続する部材(例えば、ロッド及び/又は壁体)とともに、デバイスの前方に存在してもよく、その上に種々の他の構成要素が載置されることが認識されるであろう。
本開示に従う方法及び装置は、例えば、種々の物品、及び特に非常に細長い寸法を有する物品を調製するために有用である。例としては、高精度の図式的像及び可撓性電気回路(例えば、カテーテル)、光導波路、並びにマイクロ流体デバイスが挙げられる。
当業者は、本開示の様々な修正及び変更を、本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく行うことができ、また、本開示は、上記で説明した例示的な実施形態に過度に限定して理解すべきではない。

Claims (3)

  1. 感光材料の層を支持するキャリアを備える基板を用意する工程と、
    像を備えるマスクを用意する工程であって、前記像は、連続する第1、第2、及び第3の像部分を備え、順次、
    i)前記基板が第2の速度で第2の方向に沿って露光領域を通って前進する間、光線を、それが前記第1の像部分を第1の速度で第1の方向に沿って走査し、その後前記露光領域で前記感光材料の層に衝突するように、前記マスク上に導き、
    ii)前記基板が第4の速度で前記第2の方向に沿って前記露光領域を通って前進する間、前記光線を、それが前記第2の像部分を第3の速度で前記第1の方向に沿って走査し、その後前記露光領域で前記感光材料の層に衝突するように、前記マスク上に導き、
    iii)前記基板が第6の速度で前記第2の方向に沿って前記露光領域を通って前進する間、前記光線を、それが第5の速度で前記第1の方向に沿って前記第3の像部分を走査し、その後前記露光領域で前記感光材料の層に衝突するように、前記マスク上に導き、前記第1の速度及び前記第5の速度が前記第3の速度より大きい、工程と、を含む、方法。
  2. 構成要素:
    a)光線を発生させるための源と、
    b)連続する第1、第2、及び第3の像部分を備える像を備えるマスクを受容するように適合され、第1の速度、第2の速度、及び第3の速度で線状の第1の方向に沿って前進することができるマスクマウントと
    c)前記マスクマウントと連通し、前記第1の速度、前記第2の速度、及び前記第3の速度のそれぞれで平行移動することができる、マスクステージと、
    d)キャリア及び感光材料の層を備える基板を第2の方向に沿って露光領域を通って第4の速度で前進させるためのコンベヤーアセンブリと
    e)前記マスクに衝突し、その結果、前記光線が、その後前記露光領域内で前記感光材料上に導かれるように、前記光線を導くための少なくとも1つの光学素子と、を備え
    前記第1の像部分は、前記光線が前記感光材料上に導かれる際に、前記光線により前記第1の速度で前記第1の方向に沿って走査される部分であり、
    前記第2の像部分は、前記光線が前記感光材料上に導かれる際に、前記光線により前記第2の速度で前記第1の方向に沿って走査される部分であり、
    前記第3の像部分は、前記光線が前記感光材料上に導かれる際に、前記光線により前記第3の速度で前記第1の方向に沿って走査される部分である、装置。
  3. a)前記コンベヤーアセンブリと連通し、前記第4の速度を変化させることができる、コンベヤーアセンブリコントローラを更に備える、請求項2に記載の装置。
JP2012513096A 2009-05-27 2010-05-13 基板をフォトイメージングする方法及び装置 Expired - Fee Related JP5690334B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/472,618 2009-05-27
US12/472,618 US8339573B2 (en) 2009-05-27 2009-05-27 Method and apparatus for photoimaging a substrate
PCT/US2010/034707 WO2010138312A1 (en) 2009-05-27 2010-05-13 Method and apparatus for photoimaging a substrate

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012528357A JP2012528357A (ja) 2012-11-12
JP2012528357A5 JP2012528357A5 (ja) 2013-06-27
JP5690334B2 true JP5690334B2 (ja) 2015-03-25

Family

ID=43220644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012513096A Expired - Fee Related JP5690334B2 (ja) 2009-05-27 2010-05-13 基板をフォトイメージングする方法及び装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8339573B2 (ja)
EP (1) EP2435881A1 (ja)
JP (1) JP5690334B2 (ja)
KR (1) KR20120018200A (ja)
CN (1) CN102460306B (ja)
SG (1) SG175986A1 (ja)
WO (1) WO2010138312A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101924309B1 (ko) * 2011-12-20 2018-11-30 가부시키가이샤 니콘 기판 처리 장치, 디바이스 제조 시스템 및 디바이스 제조 방법
CN103057256B (zh) * 2012-06-21 2015-12-09 深圳市众立生包装科技有限公司 一种高精度印刷系统和印刷方法
JP5963194B2 (ja) * 2012-07-17 2016-08-03 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置
JP6616818B2 (ja) * 2014-03-21 2019-12-04 カルペ ディエム テクノロジーズ,インク. 可撓性基板上に微細構造体を製造するシステムおよび方法
JP6510768B2 (ja) * 2014-05-23 2019-05-08 株式会社オーク製作所 露光装置
CN110297403B (zh) * 2014-09-04 2023-07-28 株式会社尼康 处理系统
CN107077080B (zh) * 2015-01-15 2019-04-26 株式会社村田制作所 曝光装置
KR102288354B1 (ko) * 2015-08-10 2021-08-11 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
CN105549340B (zh) * 2016-02-24 2017-10-24 上海大学 卷对卷柔性衬底光刻方法和装置
JP6332482B2 (ja) * 2017-01-13 2018-05-30 株式会社ニコン 基板処理装置
CN110275388A (zh) * 2018-03-17 2019-09-24 深圳市深龙杰科技有限公司 一种固体介质光学成像的方法
JP7089920B2 (ja) * 2018-03-29 2022-06-23 株式会社オーク製作所 露光装置
DE102019128198B3 (de) * 2019-10-18 2021-02-25 Laser Imaging Systems Gmbh Vorrichtung zur Mustereinbringung mittels Strahlung an einem aufgewickelten Endlossubstrat

Family Cites Families (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3229607A (en) * 1963-03-19 1966-01-18 Polaroid Corp Photographic products, processes and apparatus
US3562005A (en) * 1968-04-09 1971-02-09 Western Electric Co Method of generating precious metal-reducing patterns
US3783520A (en) * 1970-09-28 1974-01-08 Bell Telephone Labor Inc High accuracy alignment procedure utilizing moire patterns
US3998544A (en) * 1975-06-13 1976-12-21 Terminal Data Corporation Synchronous auxiliary camera projector
US4174174A (en) * 1977-03-15 1979-11-13 Xerox Corporation Composing reducing camera
US4190352A (en) * 1977-06-30 1980-02-26 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method and apparatus for continuously patterning a photosensitive tape
JPS5614573A (en) 1979-07-13 1981-02-12 Kuraray Co Ltd Preparing hot melt adhesive
US4302096A (en) * 1980-02-11 1981-11-24 Sperry Corporation Graphic forms overlay apparatus
US4801979A (en) * 1987-12-23 1989-01-31 Innovative Technology, Inc. Device for copying microfiche
US4924257A (en) * 1988-10-05 1990-05-08 Kantilal Jain Scan and repeat high resolution projection lithography system
US5227839A (en) * 1991-06-24 1993-07-13 Etec Systems, Inc. Small field scanner
JPH0567558A (ja) * 1991-09-06 1993-03-19 Nikon Corp 露光方法
KR950004968B1 (ko) * 1991-10-15 1995-05-16 가부시키가이샤 도시바 투영노광 장치
US5328073A (en) * 1992-06-24 1994-07-12 Eastman Kodak Company Film registration and ironing gate assembly
US5285236A (en) * 1992-09-30 1994-02-08 Kanti Jain Large-area, high-throughput, high-resolution projection imaging system
US5591958A (en) * 1993-06-14 1997-01-07 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus
JP3291849B2 (ja) * 1993-07-15 2002-06-17 株式会社ニコン 露光方法、デバイス形成方法、及び露光装置
US5563867A (en) * 1994-06-30 1996-10-08 Discovision Associates Optical tape duplicator
US5739964A (en) * 1995-03-22 1998-04-14 Etec Systems, Inc. Magnification correction for small field scanning
US5652645A (en) * 1995-07-24 1997-07-29 Anvik Corporation High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates
US5721606A (en) * 1995-09-07 1998-02-24 Jain; Kanti Large-area, high-throughput, high-resolution, scan-and-repeat, projection patterning system employing sub-full mask
US5621216A (en) * 1996-04-26 1997-04-15 International Business Machines Corporation Hardware/software implementation for multipass E-beam mask writing
JPH09320933A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Nikon Corp 走査型露光装置
US6312134B1 (en) * 1996-07-25 2001-11-06 Anvik Corporation Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator
US6538723B2 (en) * 1996-08-05 2003-03-25 Nikon Corporation Scanning exposure in which an object and pulsed light are moved relatively, exposing a substrate by projecting a pattern on a mask onto the substrate with pulsed light from a light source, light sources therefor, and methods of manufacturing
JPH10189414A (ja) * 1996-12-26 1998-07-21 Nikon Corp X線投影露光装置及びx線投影露光方法
US5795299A (en) * 1997-01-31 1998-08-18 Acuson Corporation Ultrasonic transducer assembly with extended flexible circuits
US5897986A (en) * 1997-05-28 1999-04-27 Anvik Corporation Projection patterning of large substrates using limited-travel x-y stage
US5923403A (en) * 1997-07-08 1999-07-13 Anvik Corporation Simultaneous, two-sided projection lithography system
US6018383A (en) * 1997-08-20 2000-01-25 Anvik Corporation Very large area patterning system for flexible substrates
US20010003028A1 (en) * 1997-09-19 2001-06-07 Nikon Corporation Scanning Exposure Method
JPH11251229A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
KR100841147B1 (ko) * 1998-03-11 2008-06-24 가부시키가이샤 니콘 레이저 장치, 자외광 조사 장치 및 방법, 물체의 패턴 검출장치 및 방법
US6304316B1 (en) * 1998-10-22 2001-10-16 Anvik Corporation Microlithography system for high-resolution large-area patterning on curved surfaces
JP2000252192A (ja) * 1999-02-26 2000-09-14 Nikon Corp 投影露光方法および投影露光装置
JP2000277408A (ja) * 1999-03-23 2000-10-06 Nikon Corp 露光装置および露光方法
US6285438B1 (en) * 1999-05-19 2001-09-04 Nikon Corporation Scanning exposure method with reduced time between scans
EP1139521A4 (en) * 1999-09-10 2006-03-22 Nikon Corp LIGHT SOURCE AND WAVELENGTH STABILIZATION CONTROL METHOD, EXPOSURE APPARATUS AND METHOD, METHOD FOR PRODUCING EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DEVICE THEREOF
JP2001007023A (ja) * 2000-01-01 2001-01-12 Nikon Corp 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法
US6933098B2 (en) * 2000-01-11 2005-08-23 Sipix Imaging Inc. Process for roll-to-roll manufacture of a display by synchronized photolithographic exposure on a substrate web
JP2001319871A (ja) * 2000-02-29 2001-11-16 Nikon Corp 露光方法、濃度フィルタの製造方法、及び露光装置
JP2001274054A (ja) * 2000-03-24 2001-10-05 Canon Inc 露光装置、半導体デバイス製造方法および半導体デバイス製造工場
JP2001284210A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Canon Inc 露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
JP4947842B2 (ja) * 2000-03-31 2012-06-06 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置
JP2001358056A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Canon Inc 露光装置
JP2002009133A (ja) * 2000-06-26 2002-01-11 Canon Inc 基板搬送装置
EP1303792B1 (en) * 2000-07-16 2012-10-03 Board Of Regents, The University Of Texas System High-resolution overlay alignement methods and systems for imprint lithography
JP2002050559A (ja) * 2000-08-01 2002-02-15 Canon Inc 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2002057089A (ja) * 2000-08-09 2002-02-22 Canon Inc 露光装置
JP2002110526A (ja) * 2000-10-03 2002-04-12 Canon Inc 走査露光方法及び走査露光装置
JP2002217095A (ja) * 2000-11-14 2002-08-02 Canon Inc 露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場及び露光装置の保守方法並びに位置検出装置
JP2002158155A (ja) * 2000-11-17 2002-05-31 Canon Inc 露光装置および露光方法
JP3762307B2 (ja) * 2001-02-15 2006-04-05 キヤノン株式会社 レーザ干渉干渉計システムを含む露光装置
TW556044B (en) * 2001-02-15 2003-10-01 Sipix Imaging Inc Process for roll-to-roll manufacture of a display by synchronized photolithographic exposure on a substrate web
US6621553B2 (en) * 2001-03-30 2003-09-16 Perkinelmer, Inc. Apparatus and method for exposing substrates
TW544547B (en) * 2001-04-24 2003-08-01 Canon Kk Exposure method and apparatus
JP2002334826A (ja) * 2001-05-09 2002-11-22 Canon Inc 露光方法、面位置合わせ方法、露光装置及びデバイス製造方法
EP1276016B1 (en) * 2001-07-09 2009-06-10 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JP3977086B2 (ja) * 2002-01-18 2007-09-19 キヤノン株式会社 ステージシステム
US6774509B2 (en) * 2002-01-30 2004-08-10 Defond Manufacturing Limited Electrical switch assembly
US6774983B2 (en) * 2002-08-12 2004-08-10 Anvik Corporation Distributed projection system
JP3849932B2 (ja) * 2002-08-12 2006-11-22 キヤノン株式会社 移動ステージ装置
JP2004111579A (ja) * 2002-09-17 2004-04-08 Canon Inc 露光方法及び装置
JP3689698B2 (ja) * 2003-01-31 2005-08-31 キヤノン株式会社 投影露光装置、投影露光方法および被露光部材の製造方法
JP3977302B2 (ja) * 2003-08-13 2007-09-19 キヤノン株式会社 露光装置及びその使用方法並びにデバイス製造方法
US7165959B2 (en) * 2003-09-09 2007-01-23 3M Innovative Properties Company Apparatus and method for producing two-sided patterned webs in registration
US7270942B2 (en) * 2003-10-22 2007-09-18 Lsi Corporation Optimized mirror design for optical direct write
US7296717B2 (en) * 2003-11-21 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Method and apparatus for controlling a moving web
MX2007010858A (es) * 2005-03-09 2007-11-12 3M Innovative Properties Co Aparato y metodo para producir una trama configurada de dos lados en el registro.
JP4648063B2 (ja) * 2005-04-19 2011-03-09 日東電工株式会社 カテーテル用フレキシブル配線回路基板、並びに、該フレキシブル配線回路基板を用いたカテーテル及びその製造方法
WO2007008992A2 (en) 2005-07-12 2007-01-18 3M Innovative Properties Company Apparatus and methods for continuously depositing a pattern of material onto a substrate
US8383330B2 (en) * 2005-09-07 2013-02-26 Fujifilm Corporation Pattern exposure method and pattern exposure apparatus
EP2052294A4 (en) * 2006-08-03 2012-08-22 3M Innovative Properties Co FLEXIBLE CIRCUITS OF LARGE LENGTH AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
US7683351B2 (en) * 2006-12-01 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7400457B1 (en) * 2007-01-04 2008-07-15 Stockeryale Canada Inc. Rectangular flat-top beam shaper
US20080171422A1 (en) * 2007-01-11 2008-07-17 Tokie Jeffrey H Apparatus and methods for fabrication of thin film electronic devices and circuits

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012528357A (ja) 2012-11-12
KR20120018200A (ko) 2012-02-29
EP2435881A1 (en) 2012-04-04
CN102460306A (zh) 2012-05-16
CN102460306B (zh) 2015-08-12
WO2010138312A1 (en) 2010-12-02
US8339573B2 (en) 2012-12-25
SG175986A1 (en) 2011-12-29
US20100304309A1 (en) 2010-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5690334B2 (ja) 基板をフォトイメージングする方法及び装置
JP6927348B2 (ja) パターン形成方法
US9465304B2 (en) Roll-to-roll digital photolithography
CN106933065B (zh) 基板处理装置
JP2009545774A (ja) 長い全長のフレキシブル回路及びそれらの作製方法
JP5117243B2 (ja) 露光装置
JP6245342B2 (ja) デバイス製造方法
JP6978284B2 (ja) 露光システム、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2014035412A (ja) 露光装置、およびデバイス製造方法
KR20120104538A (ko) 노광 장치 및 그것에 사용하는 포토마스크
KR100523890B1 (ko) 필름 회로 기판의 주변 노광 장치
KR20050048466A (ko) 기판의 신축(伸縮)에 대응하는 프린트 배선 기판용 노광장치
TW201905603A (zh) 投影光學裝置、掃描曝光裝置、及元件製造方法
JP3541783B2 (ja) フィルム回路基板の周辺露光装置
JP2682002B2 (ja) 露光装置の位置合わせ方法及び装置
CN105308507A (zh) 基板处理装置、器件制造方法以及曝光方法
JP6950787B2 (ja) パターン形成装置
JPS62293248A (ja) フレキシブル基板の両面露光方法
JP2007127942A (ja) 投影露光装置
TWI634382B (zh) 圓筒型光罩製作方法、曝光方法、以及圖案形成方法
GB2442016A (en) Substrate exposure method and tool
TW200845848A (en) Manufacturing method of circuit board
JP2006098488A (ja) 両面描画装置
JPS6385561A (ja) プリント基板製作の露光方式
JPH01191152A (ja) プリント基板製作の露光方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130508

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130508

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140123

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140204

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140507

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140514

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140604

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140611

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140625

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150106

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150130

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5690334

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees