JP6950787B2 - パターン形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、パターン形成装置に関するものである。

従来、基板処理装置として、シート状のワーク（基板）を搬送する露光ローラと、露光ローラの上部に配置されるフォトマスクと、露光光源からの光を回転ポリゴンミラーで走査して露光用フォトマスクに照射する照明部とを備えるプロキシミティ方式のパターン露光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このパターン露光装置は、露光ローラによりシート状のワークを搬送しながら、照明部からフォトマスクに光を照射することで、フォトマスクのマスクパターンがワークに露光される。特許文献１に記載のパターン露光装置は、ワークを露光ローラに巻き付けて搬送するが、露光ローラの回転による振動等の影響により、フォトマスクとワークとの配置関係が変化してしまう可能性がある。この場合、露光ローラに巻き付けられたワークとフォトマスクとの配置関係が、露光に適した所定の配置関係から変位してしまうことから、フォトマスクのマスクパターンがワークに精度良く露光することが困難となる。

特開２００７−７２１７１号公報

本発明の第１の態様に従えば、中心線の回りに回転する回転ドラムの外周面で支持される長尺のシート基板を長尺方向に搬送しながら、前記シート基板上に所定のパターンを描画するパターン形成装置であって、前記中心線と同軸に前記回転ドラムの両端側に設けられたシャフト部を回転可能に軸支する第１支持部材と、前記回転ドラムで支持される前記シート基板上に前記パターンを描画する描画モジュールの複数を、前記中心線の方向に奇数番と偶数番の順で保持すると共に、前記奇数番の描画モジュールによる奇数番の描画位置と前記偶数番の描画モジュールによる偶数番の描画位置とが前記回転ドラムの外周面の周方向に所定の間隔となるように保持する第２支持部材と、前記回転ドラムと共に前記中心線の回りに回転するように前記回転ドラムの前記シャフト部に設けられ、周方向に沿って刻設された目盛を有するスケール円盤と、前記奇数番の描画位置と前記偶数番の描画位置との各々に対応した周方向の位置の各々で、前記スケール円盤の前記目盛と対向するように前記第１支持部材側に設けられて、それぞれ前記目盛の回転方向の位置変化を計測する一対の第１読取りヘッドと、前記奇数番の描画位置と前記偶数番の描画位置との各々に対応した周方向の位置の各々で、前記スケール円盤の前記目盛と対向するように前記第２支持部材側に設けられて、それぞれ前記目盛の回転方向の位置変化を計測する一対の第２読取りヘッドとを有するエンコーダシステムと、を備えたパターン形成装置が提供される。

図１は、第１実施形態の露光装置（パターン形成装置）の全体構成を示す図である。 図２は、図１の露光装置の主要部の配置を示す斜視図である。 図３は、基板上でのアライメント顕微鏡と描画ラインとの配置関係を示す図である。 図４は、図１の露光装置の回転ドラム及び描画装置の構成を示す図である。 図５は、図１の露光装置の主要部の配置を示す平面図である。 図６は、図１の露光装置の分岐光学系の構成を示す斜視図である。 図７は、図１の露光装置の複数の走査器の配置関係を示す図である。 図８は、基板上でのアライメント顕微鏡と描画ラインとエンコーダヘッドとの配置関係を示す斜視図である。 図９は、図１の露光装置の回転ドラムの表面構造を示す斜視図である。 図１０は、図１の露光装置のエンコーダヘッドの配置を示す平面図である。 図１１は、図１の露光装置の回転ドラムと描画装置との配置関係を示す平面図である。 図１２は、第１実施形態の露光装置の調整方法に関するフローチャートである。 図１３は、第２実施形態の露光装置の主要部の配置を示す斜視図である。 図１４は、第３実施形態の露光装置の主要部の配置を示す斜視図である。 図１５は、第４実施形態の露光装置の回転ドラム及び描画装置の構成を示す図である。 図１６は、第５実施形態の露光装置のエンコーダヘッドの配置を示す平面図である。 図１７は、第６実施形態の露光装置のスケール円盤の配置を示す平面図である。 図１８は、第１〜第５実施形態のデバイス製造方法を示すフローチャートである。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態の露光装置（パターン形成装置）の全体構成を示す図である。第１実施形態の基板処理装置は、基板Ｐに露光処理を施す露光装置ＥＸであり、露光装置ＥＸは、露光後の基板Ｐに各種処理を施してデバイスを製造するデバイス製造システム１に組み込まれている。先ず、デバイス製造システム１について説明する。

＜デバイス製造システム＞
デバイス製造システム１は、デバイスとしてのフレキシブル・ディスプレーを製造するライン（フレキシブル・ディスプレー製造ライン）である。フレキシブル・ディスプレーとしては、例えば有機ＥＬディスプレー等がある。このデバイス製造システム１は、可撓性（フレキシブル）の基板Ｐをロール状に巻回した図示しない供給用ロールから、該基板Ｐが送り出され、送り出された基板Ｐに対して各種処理を連続的に施した後、処理後の基板Ｐを可撓性のデバイスとして図示しない回収用ロールに巻き取る、いわゆるロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ）方式となっている。第１実施形態のデバイス製造システム１では、フィルム状のシートである基板Ｐが供給用ロールから送り出され、供給用ロールから送り出された基板Ｐが、順次、プロセス装置Ｕ１、露光装置ＥＸ、プロセス装置Ｕ２を経て、回収用ロールに巻き取られるまでの例を示している。ここで、デバイス製造システム１の処理対象となる基板Ｐについて説明する。

基板Ｐは、例えば、樹脂フィルム、ステンレス鋼等の金属または合金からなる箔（フォイル）等が用いられる。樹脂フィルムの材質としては、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂のうち１または２以上を含んでいる。

基板Ｐは、例えば、基板Ｐに施される各種処理において受ける熱による変形量が実質的に無視できるように、熱膨張係数が顕著に大きくないものを選定することが望ましい。熱膨張係数は、例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合することによって、プロセス温度等に応じた閾値よりも小さく設定されていてもよい。無機フィラーは、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素等でもよい。また、基板Ｐは、フロート法等で製造された厚さ１００μｍ程度の極薄ガラスの単層体であってもよいし、この極薄ガラスに上記の樹脂フィルム、箔等を貼り合わせた積層体であってもよい。

このように構成された基板Ｐは、ロール状に巻回されることで供給用ロールとなり、この供給用ロールが、デバイス製造システム１に装着される。供給用ロールが装着されたデバイス製造システム１は、デバイスを製造するための各種の処理を、供給用ロールから送り出される基板Ｐに対して繰り返し実行する。このため、処理後の基板Ｐは、複数のデバイスが連なった状態となる。つまり、供給用ロールから送り出される基板Ｐは、多面取り用の基板となっている。なお、基板Ｐは、予め所定の前処理によって、その表面を改質して活性化したもの、或いは、表面に精密パターニングの為の微細な隔壁構造（凹凸構造）を形成したものでもよい。

処理後の基板Ｐは、ロール状に巻回されることで回収用ロールとして回収される。回収用ロールは、図示しないダイシング装置に装着される。回収用ロールが装着されたダイシング装置は、処理後の基板Ｐを、デバイスごとに分割（ダイシング）することで、複数個のデバイスにする。基板Ｐの寸法は、例えば、幅方向（短尺となる方向）の寸法が１０ｃｍ〜２ｍ程度であり、長さ方向（長尺となる方向）の寸法が１０ｍ以上である。なお、基板Ｐの寸法は、上記した寸法に限定されない。

引き続き、図１を参照し、デバイス製造システム１について説明する。デバイス製造システム１は、プロセス装置Ｕ１と、露光装置ＥＸと、プロセス装置Ｕ２とを備える。なお、図１では、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向が直交する直交座標系となっている。Ｘ方向は、水平面内において、プロセス装置Ｕ１から露光装置ＥＸを経てプロセス装置Ｕ２へ向かう方向である。Ｙ方向は、水平面内においてＸ方向に直交する方向であり、基板Ｐの幅方向となっている。Ｚ方向は、Ｘ方向とＹ方向とに直交する方向（鉛直方向）である。

プロセス装置Ｕ１は、露光装置ＥＸで露光処理される基板Ｐに対して前工程の処理（前処理）を行う。プロセス装置Ｕ１は、前処理を行った基板Ｐを露光装置ＥＸへ向けて送る。このとき、露光装置ＥＸへ送られる基板Ｐは、その表面に感光性機能層（光感応層）が形成された基板（感光基板）Ｐとなっている。

ここで、感光性機能層は、溶液として基板Ｐ上に塗布され、乾燥することによって層（膜）となる。感光性機能層の典型的なものはフォトレジストであるが、現像処理不要な材料として、紫外線の照射を受けた部分の親撥液性が改質される感光性シランカップリング材（ＳＡＭ）、或いは紫外線の照射を受けた部分にメッキ還元基が露呈する感光性還元材等がある。感光性機能層として感光性シランカップリング材を用いる場合は、基板Ｐ上の紫外線で露光されたパターン部分が撥液性から親液性に改質される為、親液性となった部分の上に導電性インク（銀や銅等の導電性ナノ粒子を含有するインク）を選択塗布し、パターン層を形成する。感光性機能層として、感光性還元材を用いる場合は、基板Ｐ上の紫外線で露光されたパターン部分にメッキ還元基が露呈する為、露光後、基板Ｐを直ちにパラジウムイオン等を含むメッキ液中に一定時間浸漬することで、パラジウムによるパターン層が形成（析出）される。

露光装置ＥＸは、プロセス装置Ｕ１から供給された基板Ｐに対して、ディスプレー用の回路または配線等のパターンを描画している。詳細は後述するが、この露光装置ＥＸは、複数の描画ビームＬＢの各々を所定の走査方向に走査することで得られる複数の描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５によって、基板Ｐに対し露光する。

プロセス装置Ｕ２は、露光装置ＥＸで露光処理された基板Ｐに対しての後工程の処理（後処理）を行う。プロセス装置Ｕ２は、露光装置ＥＸで露光処理が行われた基板Ｐが送られる。プロセス装置Ｕ２は、露光処理が行われた基板Ｐに対し、所定の処理を施すことで、基板Ｐ上にデバイスのパターン層を形成する。

＜露光装置（基板処理装置）＞
続いて、図１から図９を参照して、露光装置ＥＸについて説明する。図２は、図１の露光装置の主要部の配置を示す斜視図である。図３は、基板上でのアライメント顕微鏡と描画ラインとの配置関係を示す図である。図４は、図１の露光装置の回転ドラム及び描画装置の構成を示す図である。図５は、図１の露光装置の主要部の配置を示す平面図である。図６は、図１の露光装置の分岐光学系の構成を示す斜視図である。図７は、図１の露光装置の複数の走査器の配置関係を示す図である。図８は、基板上でのアライメント顕微鏡と描画ラインとエンコーダヘッドとの配置関係を示す斜視図である。図９は、図１の露光装置の回転ドラムの表面構造を示す斜視図である。

図１に示すように、露光装置ＥＸは、マスクを用いない露光装置、いわゆるラスタースキャン式の描画露光装置であり、基板Ｐを搬送方向に搬送しながら、描画ビームＬＢを所定の走査方向に走査することで、基板Ｐの表面に描画を行って、基板Ｐ上に所定のパターンを形成している。

図１に示すように、露光装置ＥＸは、描画装置１１と、基板搬送機構１２と、アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２と、制御装置１６とを備えている。描画装置１１は、複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５を有し、基板搬送機構１２によって搬送される基板Ｐの一部分に、複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５によって、所定のパターンを描画する。基板搬送機構１２は、前工程のプロセス装置Ｕ１から搬送される基板Ｐを、後工程のプロセス装置Ｕ２に所定の速度で搬送している。アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２は、基板Ｐ上に描画されるパターンと基板Ｐとを相対的に位置合せ（アライメント）する為に、基板Ｐに予め形成されたアライメントマーク等を検出する。制御装置１６は、露光装置ＥＸの各部を制御し、各部に処理を実行させる。制御装置１６は、デバイス製造システム１を制御する上位の制御装置の一部または全部であってもよい。また、制御装置１６は、上位の制御装置に制御される、上位の制御装置とは別の装置であってもよい。制御装置１６は、例えば、コンピュータを含む。

また、露光装置ＥＸは、描画装置１１及び基板搬送機構１２を支持する装置フレーム１３（図２参照）と、回転位置検出機構（図４及び図８参照）１４とを備えている。さらに、露光装置ＥＸ内には、描画ビームＬＢとしてのレーザ光（パルス光）を射出する光源装置ＣＮＴが設けられている。この露光装置ＥＸは、光源装置ＣＮＴから射出された描画ビームＬＢを、描画装置１１で案内して、基板搬送機構１２で搬送される基板Ｐに投射する。

図１に示すように、露光装置ＥＸは、温調チャンバーＥＶＣ内に格納されている。温調チャンバーＥＶＣは、パッシブまたはアクティブな防振ユニットＳＵ１，ＳＵ２を介して製造工場の設置面Ｅに設置される。防振ユニットＳＵ１，ＳＵ２は、設置面Ｅ上に設けられており、設置面Ｅからの振動を低減する。温調チャンバーＥＶＣは、内部を所定の温度に保つことで、内部において搬送される基板Ｐの温度による形状変化を抑制している。

次に、図１を参照して、露光装置ＥＸの基板搬送機構１２について説明する。基板搬送機構１２は、基板Ｐの搬送方向の上流側から順に、エッジポジションコントローラＥＰＣ、駆動ローラＤＲ４、テンション調整ローラＲＴ１、回転ドラム（円筒ドラム）ＤＲ、テンション調整ローラＲＴ２、駆動ローラＤＲ６、及び駆動ローラＤＲ７を有している。

エッジポジションコントローラＥＰＣは、プロセス装置Ｕ１から搬送される基板Ｐの幅方向における位置を調整する。エッジポジションコントローラＥＰＣは、プロセス装置Ｕ１から送られる基板Ｐの幅方向の端部（エッジ）における位置が、目標位置に対して±十数μｍ〜数十μｍ程度の範囲に収まるように、基板Ｐを幅方向に移動させて、基板Ｐの幅方向における位置を修正する。

駆動ローラＤＲ４は、エッジポジションコントローラＥＰＣから搬送される基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転し、基板Ｐを搬送方向の下流側に送り出すことで、基板Ｐを回転ドラムＤＲへ向けて搬送する。回転ドラムＤＲは、基板Ｐ上でパターン露光される部分を円筒面状に支持しつつ、Ｙ方向に延びる回転中心線ＡＸ２を中心として、回転中心線ＡＸ２の回りに回転することで、基板Ｐを搬送する。このような回転ドラムＤＲを回転中心線ＡＸ２の回りに回転させる為に、回転ドラムＤＲの両側には回転中心線ＡＸ２と同軸のシャフト部Ｓｆ２が設けられる。このシャフト部Ｓｆ２には、不図示の駆動源（モータや減速ギア機構等）からの回転トルクが与えられる。なお、回転中心線ＡＸ２を通り、Ｚ方向に延びる面は、中心面ｐ３となっている。２組のテンション調整ローラＲＴ１，ＲＴ２は、回転ドラムＤＲに巻き付けられて支持される基板Ｐに、所定のテンションを与えている。２組の駆動ローラＤＲ６，ＤＲ７は、基板Ｐの搬送方向に所定の間隔を空けて配置されており、露光後の基板Ｐに所定のたるみ（あそび）ＤＬを与えている。駆動ローラＤＲ６は、搬送される基板Ｐの上流側を挟持して回転し、駆動ローラＤＲ７は、搬送される基板Ｐの下流側を挟持して回転することで、基板Ｐをプロセス装置Ｕ２へ向けて搬送する。このとき、基板Ｐは、たるみＤＬが与えられているため、駆動ローラＲ６よりも搬送方向の下流側において生ずる基板Ｐの搬送速度の変動を吸収でき、搬送速度の変動による基板Ｐへの露光処理の影響を縁切りすることができる。

従って、基板搬送機構１２は、プロセス装置Ｕ１から搬送されてきた基板Ｐを、エッジポジションローラＥＰＣによって幅方向における位置を調整する。基板搬送機構１２は、幅方向の位置が調整された基板Ｐを、駆動ローラＤＲ４によりテンション調整ローラＲＴ１に搬送し、テンション調整ローラＲＴ１を通過した基板Ｐを、回転ドラムＤＲに搬送する。基板搬送機構１２は、回転ドラムＤＲを回転させることで、回転ドラムＤＲに支持される基板Ｐを、テンション調整ローラＲＴ２へ向けて搬送する。基板搬送機構１２は、テンション調整ローラＲＴ２に搬送された基板Ｐを、駆動ローラＤＲ６に搬送し、駆動ローラＤＲ６に搬送された基板Ｐを、駆動ローラＤＲ７に搬送する。そして、基板搬送機構１２は、駆動ローラＤＲ６及び駆動ローラＤＲ７により、基板ＰにたるみＤＬを与えながら、基板Ｐをプロセス装置Ｕ２へ向けて搬送する。

次に、図２を参照して、露光装置ＥＸの装置フレーム１３について説明する。図２では、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向が直交する直交座標系となっており、図１と同様の直交座標系となっている。露光装置ＥＸは、図１に示す描画装置１１と、基板搬送機構１２の回転ドラムＤＲとを支持する装置フレーム１３を備えている。

図２に示す装置フレーム１３は、Ｚ方向の下方側から順に、本体フレーム２１と、三点座（支持機構）２２と、第１光学定盤２３と、回転機構２４と、第２光学定盤２５とを有している。本体フレーム２１は、防振ユニットＳＵ１，ＳＵ２を介して設置面Ｅ上に設置されている。本体フレーム２１は、回転ドラムＤＲ及びテンション調整ローラＲＴ１（不図示），ＲＴ２を回転可能に軸支している。第１光学定盤２３は、回転ドラムＤＲの鉛直方向の上方側に設けられ、三点座２２を介して本体フレーム２１に設置されている。三点座２２は、第１光学定盤２３を３つの支持点２２ａで支持しており、各支持点２２ａにおけるＺ方向の長さを調整可能となっている。このため、三点座２２は、水平面に対する第１光学定盤２３の盤面の傾きを所定の傾きに調整できる。なお、装置フレーム１３の組み立て時において、本体フレーム２１と三点座２２との間は、ＸＹ面内において、Ｘ方向及びＹ方向における位置を調整可能となっている。一方で、装置フレーム１３の組み立て後において、本体フレーム２１と三点座２２との間は固定された状態（リジットな状態）となる。このように、三点座２２を介して連結される本体フレーム２１と第１光学定盤２３とは、第１支持部材として機能する。

第２光学定盤２５は、第１光学定盤２３の鉛直方向の上方側に設けられ、回転機構２４を介して第１光学定盤２３に設置されている。第２光学定盤２５は、その盤面が第１光学定盤２３の盤面とほぼ平行になっている。第２光学定盤２５には、描画装置１１の複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５が設置される。回転機構２４は、第１光学定盤２３及び第２光学定盤２５のそれぞれの盤面をほぼ平行に保った状態で、鉛直方向に延びる所定の回転軸Ｉを中心に、第１光学定盤２３に対して第２光学定盤２５を回転させている。この回転軸Ｉは、中心面ｐ３内において鉛直方向に延在するとともに、回転ドラムＤＲに巻き付けられた基板Ｐの表面（円周面に倣って湾曲した描画面）内の所定点を通っている（図３参照）。そして、回転機構２４は、第１光学定盤２３に対して第２光学定盤２５を回転させることで、回転ドラムＤＲに巻き付けられた基板Ｐに対する複数の描画モジュールＵＷ１〜５の位置を調整することができる。

続いて、図１及び図５を参照して、光源装置ＣＮＴについて説明する。光源装置ＣＮＴは、装置フレーム１３の本体フレーム２１上に設置されている。光源装置ＣＮＴは、基板Ｐに投射される描画ビームＬＢとしてのレーザ光を射出する。光源装置ＣＮＴは、基板Ｐ上の感光性機能層の露光に適した所定の波長域の光であって、光活性作用の強い紫外域の光を射出する光源を有する。光源としては、例えば、ＹＡＧの第三高調波レーザ光（波長３５５ｎｍ）を射出するレーザ光源、或いは半導体レーザ光源からの赤外波長域の種光をファイバー増幅器で増幅した後に波長変換素子（高調波を発生する結晶素子等）によって波長４００ｎｍ以下の紫外波長域のレーザ光を射出するファイバーアンプレーザ光源等が利用できる。その場合、射出される紫外レーザ光は、連続発振であっても良いし、１パルス当りの発光時間が数十ピコ秒以下で、１００ＭＨｚ以上の周波数で発振するパルスレーザ光であっても良い。その他、光源としては、例えば、紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線等）を有する水銀ランプ等のランプ光源、波長４５０ｎｍ以下の紫外域に発振ピークを有するレーザーダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の固体光源、又は遠紫外光（ＤＵＶ光）を発振するＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、ＸｅＣｌエキシマレーザ光（波長３０８ｎｍ）等を発生する気体レーザ光源が利用できる。

ここで、光源装置ＣＮＴから射出された描画ビームＬＢは、後述の偏光ビームスプリッタＰＢＳに入射する。描画ビームＬＢは、偏光ビームスプリッタＰＢＳによる描画ビームＬＢの分離によってエネルギーロスが生じることを抑制すべく、入射される描画ビームＬＢが偏光ビームスプリッタＰＢＳにおいてほぼ全て反射するような光束にすることが好ましい。偏光ビームスプリッタＰＢＳは、Ｓ偏光の直線偏光となる光束を反射し、Ｐ偏光の直線偏光となる光束を透過する。このため、光源装置ＣＮＴでは、偏光ビームスプリッタＰＢＳに入射する描画ビームＬＢが直線偏光（Ｓ偏光）の光束となるレーザ光を射出することが好ましい。また、レーザ光は、エネルギー密度が高いため、基板Ｐに投射される光束の照度を適切に確保することができる。

次に、露光装置ＥＸの描画装置１１について説明する。描画装置１１は、複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５を用いた、いわゆるマルチビーム型の描画装置１１となっている。この描画装置１１は、光源装置ＣＮＴから射出された描画ビームＬＢを複数に分岐させ、分岐させた複数の描画ビームＬＢを、基板Ｐ上の複数（第１実施形態では例えば５つ）の描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５に沿ってそれぞれ走査させている。そして、描画装置１１は、複数の描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５の各々によって基板Ｐ上に描画されるパターン同士を、基板Ｐの幅方向に継ぎ合わせている。先ず、図３を参照して、描画装置１１により複数の描画ビームＬＢを走査することで基板Ｐ上に形成される複数の描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５について説明する。

図３に示すように、複数の描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５は、中心面ｐ３を挟んで回転ドラムＤＲの周方向に２列に配置される。回転方向の上流側の基板Ｐ上には、奇数番の第１描画ラインＬＬ１、第３描画ラインＬＬ３及び第５描画ラインＬＬ５が配置される。回転方向の下流側の基板Ｐ上には、偶数番の第２描画ラインＬＬ２及び第４描画ラインＬＬ４が配置される。

各描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５は、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）、つまり回転ドラムＤＲの回転中心線ＡＸ２に沿って形成されており、幅方向における基板Ｐの長さよりも短くなっている。より厳密には、各描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５は、基板搬送機構１２により基準速度で基板Ｐを搬送したときに、複数の描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５により得られるパターンの継ぎ誤差が最小となるように、回転ドラムＤＲの回転中心線ＡＸ２に対し、所定の角度分だけ僅かに傾けられる。

奇数番の第１描画ラインＬＬ１、第３描画ラインＬＬ３及び第５描画ラインＬＬ５は、回転ドラムＤＲの回転中心線ＡＸ２が延びる方向（軸方向）に、所定の間隔を空けて配置されている。また、偶数番の第２描画ラインＬＬ２及び第４描画ラインＬＬ４は、回転ドラムＤＲの軸方向に、所定の間隔を空けて配置されている。このとき、第２描画ラインＬＬ２は、軸方向において、第１描画ラインＬＬ１と第３描画ラインＬＬ３との間に配置される。同様に、第３描画ラインＬＬ３は、軸方向において、第２描画ラインＬＬ２と第４描画ラインＬＬ４との間に配置される。第４描画ラインＬＬ４は、軸方向において、第３描画ラインＬＬ３と第５描画ラインＬＬ５との間に配置される。そして、第１〜第５描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５は、基板Ｐ上に描画される露光領域Ａ７の幅方向（軸方向）の全幅をカバーするように、配置されている。

奇数番の第１描画ラインＬＬ１、第３描画ラインＬＬ３及び第５描画ラインＬＬ５に沿って走査される描画ビームＬＢの走査方向は、一次元の方向となっており、同じ方向となっている。また、偶数番の第２描画ラインＬＬ２及び第４描画ラインＬＬ４に沿って走査される描画ビームＬＢの走査方向は、一次元の方向となっており、同じ方向となっている。このとき、奇数番の描画ラインＬＬ１，ＬＬ３，ＬＬ５に沿って走査される描画ビームＬＢの走査方向と、偶数番の描画ラインＬＬ２，ＬＬ４に沿って走査される描画ビームＬＢの走査方向とは、逆方向となっている。このため、基板Ｐの搬送方向から見て、奇数番の描画ラインＬＬ１，ＬＬ３，ＬＬ５の描画開始位置と、偶数番の描画ラインＬＬ２，ＬＬ４の描画開始位置とは隣接し、同様に、奇数番の描画ラインＬＬ１，ＬＬ３，ＬＬ５の描画終了位置と、偶数番の描画ラインＬＬ２，ＬＬ４の描画終了位置とは隣接する。

次に、図４から図７を参照して、描画装置１１について説明する。描画装置１１は、上記した複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５と、光源装置ＣＮＴからの描画ビームＬＢを分岐して複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５に導くビーム分配光学系ＳＬと、キャリブレーションを行う為のキャリブレーション検出系３１とを有する。

ビーム分配光学系ＳＬは、光源装置ＣＮＴから射出された描画ビームＬＢを複数に分岐し、分岐した複数の描画ビームＬＢを複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５へ向けてそれぞれ導いている。ビーム分配光学系ＳＬは、光源装置ＣＮＴから射出された描画ビームＬＢを２つに分岐する第１光学系４１と、第１光学系４１により分岐された一方の描画ビームＬＢが照射される第２光学系４２と、第１光学系４１により分岐された他方の描画ビームＬＢが照射される第３光学系４３とを有する。また、ビーム分配光学系ＳＬは、ＸＹハービング調整機構４４と、ＸＹハービング調整機構４５とを含んでいる。ビーム分配光学系ＳＬは、光源装置ＣＮＴ側の一部が本体フレーム２１に設置される一方で、描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５側の他の一部が第２光学定盤２５に設置されている。

第１光学系４１は、１／２波長板５１と、偏光ミラー５２と、ビームディフューザ５３と、第１反射ミラー５４と、第１リレーレンズ５５と、第２リレーレンズ５６と、第２反射ミラー５７と、第３反射ミラー５８と、第４反射ミラー５９と、第１ビームスプリッタ６０とを有する。

光源装置ＣＮＴから＋Ｘ方向に射出された描画ビームＬＢは、１／２波長板５１に照射される。１／２波長板５１は、描画ビームＬＢの照射面内において回転可能となっている。１／２波長板５１に照射された描画ビームＬＢは、その偏光方向が、１／２波長板５１の回転量に応じた所定の偏光方向となる。１／２波長板５１を通過した描画ビームＬＢは、偏光ミラー（偏向ビームスプリッタ）５２に照射される。偏光ミラー５２は、所定の偏光方向となる描画ビームＬＢを透過する一方で、所定の偏光方向以外の描画ビームＬＢを＋Ｙ方向に反射する。このため、偏光ミラー５２で反射される描画ビームＬＢは、１／２波長板５１を通過していることから、１／２波長板５１及び偏光ミラー５２の協働によって、１／２波長板５１の回転量に応じたビーム強度となる。つまり、１／２波長板５１を回転させ、描画ビームＬＢの偏光方向を変化させることで、偏光ミラー５２で反射される描画ビームＬＢのビーム強度を調整することができる。

偏光ミラー５２を透過した描画ビームＬＢは、ビームディフューザ５３に照射される。ビームディフューザ５３は、描画ビームＬＢを吸収しており、ビームディフューザ５３に照射される描画ビームＬＢの外部への漏れを抑制している。偏光ミラー５２で＋Ｙ方向に反射された描画ビームＬＢは、第１反射ミラー５４に照射される。第１反射ミラー５４に照射された描画ビームＬＢは、第１反射ミラー５４により＋Ｘ方向に反射され、第１リレーレンズ５５及び第２リレーレンズ５６を介して、第２反射ミラー５７に照射される。第２反射ミラー５７に照射された描画ビームＬＢは、第２反射ミラー５７により−Ｙ方向に反射されて、第３反射ミラー５８に照射される。第３反射ミラー５８に照射された描画ビームＬＢは、第３反射ミラー５８により−Ｚ方向に反射されて、第４反射ミラー５９に照射される。第４反射ミラー５９に照射された描画ビームＬＢは、第４反射ミラー５９により＋Ｙ方向に反射されて、第１ビームスプリッタ６０に照射される。第１ビームスプリッタ６０に照射された描画ビームＬＢは、その一部が−Ｘ方向に反射されて第２光学系４２に照射される一方で、その他の一部が透過して第３光学系４３に照射される。

ここで、第３反射ミラー５８と第４反射ミラー５９とは、回転機構２４の回転軸Ｉ上において所定の間隔を空けて設けられている。また、第３反射ミラー５８を含む光源装置ＣＮＴまでの構成（図４のＺ方向の上方側において二点鎖線で囲んだ部分）は、本体フレーム２１側に設置される一方で、第４反射ミラー５９を含む複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５までの構成（図４のＺ方向の下方側において二点鎖線で囲んだ部分）は、第２光学定盤２５側に設置される。このため、回転機構２４により第１光学定盤２３に対して第２光学定盤２５が回転しても、回転軸Ｉ上に第３反射ミラー５８と第４反射ミラー５９とが設けられているため、描画ビームＬＢの光路が変更されることがない。よって、回転機構２４により第１光学定盤２３に対して第２光学定盤２５が回転しても、本体フレーム２１側に設置された光源装置ＣＮＴから射出される描画ビームＬＢを、第２光学定盤２５側に設置された複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５へ好適に案内することが可能となる。

第２光学系４２は、第１光学系４１で分岐された一方の描画ビームＬＢを、後述する奇数番の描画モジュールＵＷ１，ＵＷ３，ＵＷ５へ向けて分岐して導いている。第２光学系４２は、第５反射ミラー６１と、第２ビームスプリッタ６２と、第３ビームスプリッタ６３と、第６反射ミラー６４とを有する。

第１光学系４１の第１ビームスプリッタ６０で−Ｘ方向に反射された描画ビームＬＢは、第５反射ミラー６１に照射される。第５反射ミラー６１に照射された描画ビームＬＢは、第５反射ミラー６１により−Ｙ方向に反射されて、第２ビームスプリッタ６２に照射される。第２ビームスプリッタ６２に照射された描画ビームＬＢは、その一部が反射されて、奇数番の１つの描画モジュールＵＷ５に照射される（図５参照）。第２ビームスプリッタ６２に照射された描画ビームＬＢは、その他の一部が透過して、第３ビームスプリッタ６３に照射される。第３ビームスプリッタ６３に照射された描画ビームＬＢは、その一部が反射されて、奇数番の１つの描画モジュールＵＷ３に照射される（図５参照）。第３ビームスプリッタ６３に照射された描画ビームＬＢは、その他の一部が透過して、第６反射ミラー６４に照射される。第６反射ミラー６４に照射された描画ビームＬＢは、第６反射ミラー６４により反射されて、奇数番の１つの描画モジュールＵＷ１に照射される（図５参照）。なお、第２光学系４２において、奇数番の描画モジュールＵＷ１，ＵＷ３，ＵＷ５に照射される描画ビームＬＢは、−Ｚ方向（Ｚ軸）に対して僅かに斜めとなっている。

第３光学系４３は、第１光学系４１で分岐された他方の描画ビームＬＢを、後述する偶数番の描画モジュールＵＷ２，ＵＷ４へ向けて分岐して導いている。第３光学系４３は、第７反射ミラー７１と、第８反射ミラー７２と、第４ビームスプリッタ７３と、第９反射ミラー７４とを有する。

第１光学系４１の第１ビームスプリッタ６０でＹ方向に透過した描画ビームＬＢは、第７反射ミラー７１に照射される。第７反射ミラー７１に照射された描画ビームＬＢは、第７反射ミラー７１によりＸ方向に反射されて、第８反射ミラー７２に照射される。第８反射ミラー７２に照射された描画ビームＬＢは、第８反射ミラー７２により−Ｙ方向に反射されて、第４ビームスプリッタ７３に照射される。第４ビームスプリッタ７３に照射された描画ビームＬＢは、その一部が反射されて、偶数番の１つの描画モジュールＵＷ４に照射される（図５参照）。第４ビームスプリッタ７３に照射された描画ビームＬＢは、その他の一部が透過して、第９反射ミラー７４に照射される。第９反射ミラー７４に照射された描画ビームＬＢは、第９反射ミラー７４により反射されて、偶数番の１つの描画モジュールＵＷ２に照射される。なお、第３光学系４３においても、偶数番の描画モジュールＵＷ２，ＵＷ４に照射される描画ビームＬＢは、−Ｚ方向（Ｚ軸）に対して僅かに斜めとなっている。

このように、ビーム分配光学系ＳＬでは、複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５へ向けて、光源装置ＣＮＴからの描画ビームＬＢを複数に分岐させている。このとき、第１ビームスプリッタ６０、第２ビームスプリッタ６２、第３ビームスプリッタ６３及び第４ビームスプリッタ７３は、複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５に照射される描画ビームＬＢのビーム強度が同じ強度となるように、その反射率（透過率）を、描画ビームＬＢの分岐数に応じて適切な反射率としている。

ＸＹハービング調整機構４４は、第２リレーレンズ５６と第２反射ミラー５７との間に配置されている。ＸＹハービング調整機構４４は、基板Ｐ上に形成される描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５の全てを、基板Ｐの描画面内において微少移動可能に調整する。ＸＹハービング調整機構４４は、図６のＸＺ面内で傾斜可能な透明な平行平板ガラスと、図６のＹＺ面内で傾斜可能な透明な平行平板ガラスとで構成される。その２枚の平行平板ガラスの各傾斜量を調整することで、基板Ｐ上に形成される描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５をＸ方向やＹ方向に微少シフトさせることができる。

ＸＹハービング調整機構４５は、第７反射ミラー７１と第８反射ミラー７２との間に配置されている。ＸＹハービング調整機構４５は、基板Ｐ上に形成される描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５のうち、偶数番の第２描画ラインＬＬ２及び第４描画ラインＬＬ４を、基板Ｐの描画面内において微少移動可能に調整する。ＸＹハービング調整機構４５は、ＸＹハービング調整機構４４と同様に、図６のＸＺ面内で傾斜可能な透明な平行平板ガラスと、図６のＹＺ面内で傾斜可能な透明な平行平板ガラスとで構成される。その２枚の平行平板ガラスの各傾斜量を調整することで、基板Ｐ上に形成される描画ラインＬＬ２，ＬＬ４をＸ方向やＹ方向に微少シフトさせることができる。

続いて、図４、図５及び図７を参照して、複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５について説明する。複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５は、複数の描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５に応じて設けられている。複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５には、ビーム分配光学系ＳＬにより分岐された複数の描画ビームＬＢがそれぞれ照射される。各描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５は、複数の描画ビームＬＢを、各描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５にそれぞれ導く。つまり、第１描画モジュールＵＷ１は、描画ビームＬＢを第１描画ラインＬＬ１に導き、同様に、第２〜第５描画モジュールＵＷ２〜ＵＷ５は、描画ビームＬＢを第２〜第５描画ラインＬＬ２〜ＬＬ５に導く。図４（及び図１）に示すように、複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５は、中心面ｐ３を挟んで回転ドラムＤＲの周方向に２列に配置される。複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５は、中心面ｐ３を挟んで、第１、第３、第５描画ラインＬＬ１，ＬＬ３，ＬＬ５が配置される側（図５の−Ｘ方向側）に、第１描画モジュールＵＷ１、第３描画モジュールＵＷ３及び第５描画モジュールＵＷ５が配置される。第１描画モジュールＵＷ１、第３描画モジュールＵＷ３及び第５描画モジュールＵＷ５は、Ｙ方向に所定の間隔を空けて配置される。また、複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５は、中心面ｐ３を挟んで、第２、第４描画ラインＬＬ２，ＬＬ４が配置される側（図５の＋Ｘ方向側）に、第２描画モジュールＵＷ２及び第４描画モジュールＵＷ４が配置される。第２描画モジュールＵＷ２及び第４描画モジュールＵＷ４は、Ｙ方向に所定の間隔を空けて配置される。このとき、第２描画モジュールＵＷ２は、Ｙ方向において、第１描画モジュールＵＷ１と第３描画モジュールＵＷ３との間に位置している。同様に、第３描画モジュールＵＷ３は、Ｙ方向において、第２描画モジュールＵＷ２と第４描画モジュールＵＷ４との間に位置している。第４描画モジュールＵＷ４は、Ｙ方向において、第３描画モジュールＵＷ３と第５描画モジュールＵＷ５との間に位置している。また、図４に示すように、第１描画モジュールＵＷ１、第３描画モジュールＵＷ３及び第５描画モジュールＵＷ５と、第２描画モジュールＵＷ２及び第４描画モジュールＵＷ４とは、Ｙ方向からみて中心面ｐ３を中心に対称に配置されている。

次に、図４を参照して、各描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５について説明する。なお、各描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５は、同様の構成となっているため、第１描画モジュールＵＷ１（以下、単に描画モジュールＵＷ１という）を例に説明する。

図４に示す描画モジュールＵＷ１は、描画ラインＬＬ１（第１描画ラインＬＬ１）に沿って描画ビームＬＢを走査すべく、光偏向器８１と、偏光ビームスプリッタＰＢＳと、１／４波長板８２と、走査器８３と、折り曲げミラー８４と、テレセントリックなｆ−θレンズ系８５と、Ｙ倍率補正用光学部材８６とを備える。また、偏向ビームスプリッタＰＢＳに隣接して、キャリブレーション検出系３１が設けられている。

光偏向器８１は、例えば、音響光学変調素子（ＡＯＭ）が用いられている。光偏向器８１は、制御装置１６によりＯＮ／ＯＦＦにスイッチングされることで、描画ビームＬＢの基板Ｐへの投射／非投射を高速に切り替える。具体的に、光偏向器８１には、ビーム分配光学系ＳＬからの描画ビームＬＢが、第２光学系４２中のリレーレンズ９１を介して、−Ｚ方向に対して僅かに傾斜して照射される。光偏向器８１は、ＯＦＦにスイッチングされると、描画ビームＬＢが傾斜した状態で直進し、光偏向器８１を通過した先に設けられる遮光板９２により遮光される。一方で、光偏向器８１は、ＯＮにスイッチングされると、光偏向器８１に入射する描画ビームＬＢが１次回折ビームとなって−Ｚ方向に偏向されて、光偏向器８１から射出し、光偏向器８１のＺ方向上に設けられる偏向ビームスプリッタＰＢＳに照射される。このため、光偏向器８１は、ＯＮにスイッチングされると、描画ビームＬＢを基板Ｐに投射し、ＯＦＦにスイッチングされると、描画ビームＬＢを基板Ｐに非投射の状態にする。

偏向ビームスプリッタＰＢＳは、光偏向器８１からリレーレンズ９３を介して照射された描画ビームＬＢを反射する。一方で、偏向ビームスプリッタＰＢＳは、偏向ビームスプリッタＰＢＳと走査器８３との間に設けられる１／４波長板８２と協働して、描画ビームＬＢ（スポット光）の照射によって基板Ｐ（又は回転ドラムＤＲの外周面）で発生する反射光を透過している。つまり、光偏向器８１から偏光ビームスプリッタＰＢＳに照射される描画ビームＬＢは、Ｓ偏光の直線偏光となるレーザ光であり、偏光ビームスプリッタＰＢＳにより反射される。また、偏光ビームスプリッタＰＢＳにより反射された描画ビームＬＢは、１／４波長板８２を通過して基板Ｐに照射され、基板Ｐから１／４波長板８２を再び通過することで、Ｐ偏光の直線偏光となるレーザ光となる。このため、基板Ｐ（又は回転ドラムＤＲの外周面）から発生して偏光ビームスプリッタＰＢＳに照射される反射光は、偏光ビームスプリッタＰＢＳを透過する。なお、偏光ビームスプリッタＰＢＳを透過した反射光は、リレーレンズ９４を介してキャリブレーション検出系３１に照射される。一方で、偏向ビームスプリッタＰＢＳで反射された描画ビームＬＢは、１／４波長板８２を通過して走査器８３に照射される。

図４及び図７に示すように、走査器８３は、反射ミラー９６と、回転ポリゴンミラー（回転多面鏡）９７と、原点検出器９８とを有する。１／４波長板８２を通過した描画ビームＬＢは、リレーレンズ９５を介して反射ミラー９６に照射される。反射ミラー９６で反射された描画ビームＬＢは、回転ポリゴンミラー９７に向かう。回転ポリゴンミラー９７は、Ｚ方向に延びる回転軸９７ａと、回転軸９７ａ周りに形成される複数の反射面（例えば８面）９７ｂとを含んで構成されている。回転ポリゴンミラー９７は、回転軸９７ａを中心に所定の回転方向に回転させることで、反射面９７ｂに照射される描画ビームＬＢの反射角を連続的に変化させ、これにより、反射した描画ビームＬＢを基板Ｐ上の描画ラインＬＬ１に沿って走査させている。回転ポリゴンミラー９７で反射された描画ビームＬＢは、折り曲げミラー８４に照射される。原点検出器９８は、基板Ｐの描画ラインＬＬ１に沿って走査する描画ビームＬＢの原点を検出している。原点検出器９８は、各反射面９７ｂで反射する描画ビームＬＢを挟んで、反射ミラー９６の反対側に配置されている。このため、原点検出器９８は、ｆ−θレンズ系８５に照射される前の描画ビームＬＢを検出している。つまり、原点検出器９８は、基板Ｐ上の描画ラインＬＬ１の描画開始位置に照射される直前のタイミングで描画ビームＬＢの通過を検出している。

走査器８３から折り曲げミラー８４に照射された描画ビームＬＢは、折り曲げミラー８４により反射され、ｆ−θレンズ系８５に照射される。ｆ−θレンズ系８５は、テレセントリックｆ−θレンズを含んでおり、折り曲げミラー８４を介して回転ポリゴンミラー９７から反射された描画ビームＬＢを、基板Ｐの描画面に対し垂直に投射する。このとき、回転ポリゴンミラー９７の各反射面９７ｂと、基板Ｐの描画面とが、描画ラインＬＬ１と直交した副走査方向（基板Ｐの長尺方向）関して光学的に共役となるように、回転ポリゴンミラー９７に向かう描画ビームＬＢの光路中と、ｆ−θレンズ系８５から射出する描画ビームＬＢの光路中との各々にシリンドリカルレンズ（不図示）が配置され、ｆ−θレンズ系８５と協働する面倒れ補正光学系も設けられている。

ここで、図７に示すように、複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５における複数の走査器８３は、中心面ｐ３を挟んで、左右対称な構成となっている。複数の走査器８３は、描画モジュールＵＷ１，ＵＷ３，ＵＷ５に対応する３つの走査器８３が、回転ドラムＤＲの回転方向の上流側（図７の−Ｘ方向側）に配置され、描画モジュールＵＷ２，ＵＷ４に対応する２つの走査器８３が、回転ドラムＤＲの回転方向の下流側（図７の＋Ｘ方向側）に配置されている。そして、上流側の３つの走査器８３と、下流側の２つの走査器８３とは、中心面ｐ３を挟んで、対向して配置されている。このとき、上流側に配置した各走査器８３と、下流側に配置した各走査器８３とは、回転軸Ｉを中心に、１８０°点対称な構成となっている。このため、上流側の３つの回転ポリゴンミラー９７が左回り（ＸＹ面内で反時計回り）に回転しながら、回転ポリゴンミラー９７に描画ビームＬＢが照射されると、回転ポリゴンミラー９７により反射された描画ビームＬＢは、描画開始位置から描画終了位置へ向けて所定の走査方向（例えば図７の＋Ｙ方向）に走査される。一方で、下流側の２つの回転ポリゴンミラー９７が左回りに回転しながら、回転ポリゴンミラー９７に描画ビームＬＢが照射されると、回転ポリゴンミラー９７により反射された描画ビームＬＢは、描画開始位置から描画終了位置へ向けて、上流側の３つの回転ポリゴンミラー９７とは逆となる走査方向（例えば図７の−Ｙ方向）に走査される。

ここで、図４のＸＺ面内でみたとき、奇数番の描画モジュールＵＷ１，ＵＷ３，ＵＷ５から基板Ｐに達する描画ビームＬＢの軸線は、設置方位線Ｌｅ１と一致した方向になっている。つまり、設置方位線Ｌｅ１は、ＸＺ面内において、奇数番の描画ラインＬＬ１，ＬＬ３，ＬＬ５と、回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線となっている。同様に、図４のＸＺ面内でみたとき、偶数番の描画モジュールＵＷ２，ＵＷ４から基板Ｐに達する描画ビームＬＢの軸線は、設置方位線Ｌｅ２と一致した方向になっている。つまり、設置方位線Ｌｅ２は、ＸＺ面内において、偶数番の描画ラインＬＬ２，ＬＬ４と、回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線となっている。

Ｙ倍率補正用光学部材８６は、ｆ−θレンズ系８５と基板Ｐとの間に配置されている。Ｙ倍率補正用光学部材８６は、各描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５によって形成される描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５のＹ方向の寸法を、微少量だけ拡大または縮小させる。

このように構成された描画装置１１は、制御装置１６により各部が制御されることで、基板Ｐ上に所定のパターンが描画される。つまり、制御装置１６は、基板Ｐに投射される描画ビームＬＢが走査方向へ走査している期間中、基板Ｐに描画すべきパターンのＣＡＤ情報（例えばビットマップ形式）に基づいて、光偏向器８１をＯＮ／ＯＦＦ変調することによって描画ビームＬＢを偏向し、基板Ｐの光感応層上にパターンを描画していく。また、制御装置１６は、描画ラインＬＬ１に沿って走査する描画ビームＬＢの走査方向と、回転ドラムＤＲの回転による基板Ｐの搬送方向の移動とを同期させることで、露光領域Ａ７中の描画ラインＬＬ１に対応した部分に所定のパターンを描画する。

このとき、各描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５から投射される描画ビームＬＢの基板Ｐ上におけるサイズ（スポット径）をＤ（μｍ）、描画ビームＬＢの描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５に沿った走査速度をＶ（μｍ／秒）とした場合、光源装置ＣＮＴがパルスレーザ光源の場合は、パルス光の発光繰り返し周期Ｔ（秒）を、Ｔ＜Ｄ／Ｖの関係としている。

次に、図３及び図８を参照して、アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２について説明する。アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２は、基板Ｐ上に予め形成されたアライメントマーク、または回転ドラムＤＲ上に形成された基準マークや基準パターン等を検出する。以下、基板Ｐのアライメントマーク及び回転ドラムＤＲの基準マークや基準パターンを、単にマークと称す。アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２は、基板Ｐと基板Ｐ上に描画される所定のパターンとを位置合せ（アライメント）したり、回転ドラムＤＲと描画装置１１とをキャリブレーションしたりするために用いられる。

アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２は、描画装置１１で形成される描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５よりも、回転ドラムＤＲの回転方向の上流側に設けられている。また、アライメント顕微鏡ＡＭ１は、アライメント顕微鏡ＡＭ２に比して回転ドラムＤＲの回転方向の上流側に配置されている。

アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２は、照明光を基板Ｐ又は回転ドラムＤＲに投射すると共に、マークで発生した光を入射する検出プローブとしての対物レンズ系ＧＡ、対物レンズ系ＧＡを介して受光したマークの像（明視野像、暗視野像、蛍光像等）を２次元ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等で撮像する撮像系ＧＤ等で構成される。なお、アライメント用の照明光は、基板Ｐ上の光感応層に対してほとんど感度を持たない波長域の光、例えば波長５００〜８００ｎｍ程度の光である。

アライメント顕微鏡ＡＭ１は、Ｙ方向（基板Ｐの幅方向）に一列に並んで複数（例えば３つ）設けられる。同様に、アライメント顕微鏡ＡＭ２は、Ｙ方向（基板Ｐの幅方向）に一列に並んで複数（例えば３つ）設けられる。つまり、アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２は、計６つ設けられている。

図３では、判り易くするため、６つのアライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２の各対物レンズ系ＧＡのうち、３つのアライメント顕微鏡ＡＭ１の各対物レンズ系ＧＡ１〜ＧＡ３の配置を示す。３つのアライメント顕微鏡ＡＭ１の各対物レンズ系ＧＡ１〜ＧＡ３による基板Ｐ（又は回転ドラムＤＲの外周面）上の観察領域Ｖｗ１〜Ｖｗ３は、図３に示すように、回転中心線ＡＸ２と平行なＹ方向に、所定の間隔で配置される。図８に示すように、各観察領域Ｖｗ１〜Ｖｗ３の中心を通る各対物レンズ系ＧＡ１〜ＧＡ３の光軸Ｌａ１〜Ｌａ３は、何れもＸＺ面と平行となっている。同様に、３つのアライメント顕微鏡ＡＭ２の各対物レンズ系ＧＡによる基板Ｐ（又は回転ドラムＤＲの外周面）上の観察領域Ｖｗ４〜Ｖｗ６は、図３に示すように、回転中心線ＡＸ２と平行なＹ方向に、所定の間隔で配置される。図８に示すように、各観察領域Ｖｗ４〜Ｖｗ６の中心を通る各対物レンズ系ＧＡの光軸Ｌａ４〜Ｌａ６も、何れもＸＺ面と平行となっている。そして、観察領域Ｖｗ１〜Ｖｗ３と、観察領域Ｖｗ４〜Ｖｗ６とは、回転ドラムＤＲの回転方向に、所定の間隔で配置される。

このアライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２によるマークの観察領域Ｖｗ１〜Ｖｗ６は、基板Ｐや回転ドラムＤＲ上で、例えば、２００〜５００μｍ角程度の範囲に設定される。ここで、アライメント顕微鏡ＡＭ１の光軸Ｌａ１〜Ｌａ３、即ち、対物レンズ系ＧＡの光軸Ｌａ１〜Ｌａ３は、回転中心線ＡＸ２から回転ドラムＤＲの径方向に延びる設置方位線Ｌｅ３と同じ方向に設定される。つまり、設置方位線Ｌｅ３は、図４のＸＺ面内でみたとき、アライメント顕微鏡ＡＭ１の観察領域Ｖｗ１〜Ｖｗ３と、回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線となっている。同様に、アライメント顕微鏡ＡＭ２の光軸Ｌａ４〜Ｌａ６、即ち、対物レンズ系ＧＡの光軸Ｌａ４〜Ｌａ６は、回転中心線ＡＸ２から回転ドラムＤＲの径方向に延びる設置方位線Ｌｅ４と同じ方向に設定される。つまり、設置方位線Ｌｅ４は、図４のＸＺ面内でみたとき、アライメント顕微鏡ＡＭ２の観察領域Ｖｗ４〜Ｖｗ６と、回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線となっている。このとき、アライメント顕微鏡ＡＭ１は、アライメント顕微鏡ＡＭ２に比して回転ドラムＤＲの回転方向の上流側に配置されていることから、中心面ｐ３と設置方位線Ｌｅ３とがなす角度は、中心面ｐ３と設置方位線Ｌｅ４とがなす角度に比して大きくなっている。

基板Ｐ上には、図３に示すように、５つの描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５の各々によって描画される露光領域Ａ７が、Ｘ方向に所定の間隔を空けて配置される。基板Ｐ上の露光領域Ａ７の周囲には、位置合せの為の複数のアライメントマークＫｓ１〜Ｋｓ３（以下、マークと略称する）が、例えば十字状に形成されている。

図３において、マークＫｓ１は、露光領域Ａ７の−Ｙ側の周辺領域に、Ｘ方向に一定の間隔で設けられ、マークＫｓ３は、露光領域Ａ７の＋Ｙ側の周辺領域に、Ｘ方向に一定の間隔で設けられる。さらに、マークＫｓ２は、Ｘ方向に隣り合う２つの露光領域Ａ７の間の余白領域において、Ｙ方向の中央に設けられる。

そして、マークＫｓ１は、アライメント顕微鏡ＡＭ１の対物レンズ系ＧＡ１の観察領域Ｖｗ１内、及びアライメント顕微鏡ＡＭ２の対物レンズ系ＧＡの観察領域Ｖｗ４内で、基板Ｐが送られている間、順次捕捉されるように形成される。また、マークＫｓ３は、アライメント顕微鏡ＡＭ１の対物レンズ系ＧＡ３の観察領域Ｖｗ３内、及びアライメント顕微鏡ＡＭ２の対物レンズ系ＧＡの観察領域Ｖｗ６内で、基板Ｐが送られている間、順次捕捉されるように形成される。さらに、マークＫｓ２は、それぞれ、アライメント顕微鏡ＡＭ１の対物レンズ系ＧＡ２の観察領域Ｖｗ２内、及びアライメント顕微鏡ＡＭ２の対物レンズ系ＧＡの観察領域Ｖｗ５内で、基板Ｐが送られている間、順次捕捉されるように形成される。

このため、３つのアライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２のうち、回転ドラムＤＲのＹ方向の両側のアライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２は、基板Ｐの幅方向の両側に形成されたマークＫｓ１，Ｋｓ３を常時観察または検出することができる。また、３つのアライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２のうち、回転ドラムＤＲのＹ方向の中央のアライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２は、基板Ｐ上に描画される露光領域Ａ７同士の間の余白部等に形成されるマークＫｓ２を常時観察または検出することができる。

ここで、露光装置ＥＸは、いわゆるマルチビーム型の描画装置１１を適用している為、複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５の各描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５によって、基板Ｐ上に描画される複数のパターン同士を、Ｙ方向に好適に継ぎ合わせるべく、複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５による継ぎ精度を許容範囲内に抑える為のキャリブレーションが必要となる。また、複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５の各描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５に対するアライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２の観察領域Ｖｗ１〜Ｖｗ６の相対的な配置関係（或いは、設計上の配置間隔に対する誤差量）はベースラインと呼ばれ、相対的な配置関係や誤差量は、ベースライン管理によって精密に求められている必要がある。そのベースライン管理の為にも、キャリブレーションが必要となる。

複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５による継ぎ精度を確認する為のキャリブレーション、アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２のベースライン管理の為のキャリブレーションでは、基板Ｐを支持する回転ドラムＤＲの外周面の少なくとも一部に、基準マークや基準パターンを設ける必要がある。そこで、図９に示すように、露光装置ＥＸでは、外周面に基準マークや基準パターンを設けた回転ドラムＤＲを用いている。

回転ドラムＤＲは、その外周面の両端側に、後述する回転位置検出機構１４の一部を構成するスケール部ＧＰａ，ＧＰｂが形成されている。また、回転ドラムＤＲは、スケール部ＧＰａ，ＧＰｂの内側に、凹状の溝、若しくは凸状のリムによる狭い幅の規制帯ＣＬａ，ＣＬｂが全周に渡って刻設されている。基板ＰのＹ方向の幅は、その２本の規制帯ＣＬａ，ＣＬｂのＹ方向の間隔よりも小さく設定され、基板Ｐは回転ドラムＤＲの外周面のうち、規制帯ＣＬａ，ＣＬｂで挟まれた内側の領域に密着して支持される。

回転ドラムＤＲは、規制帯ＣＬａ，ＣＬｂで挟まれた外周面に、回転中心線ＡＸ２に対して＋４５度で傾いた複数の線パターンＲＬ１と、回転中心線ＡＸ２に対して−４５度で傾いた複数の線パターンＲＬ２とを、一定のピッチ（周期）Ｐｆ１，Ｐｆ２で繰り返し刻設したメッシュ状の基準パターン（基準マークとしても利用可能）ＲＭＰが設けられる。

基準パターンＲＭＰは、基板Ｐと回転ドラムＤＲの外周面とが接触する部分において、摩擦力や基板Ｐの張力等の変化が生じないように、全面均一な、斜めパターン（斜格子状パターン）としている。なお、線パターンＲＬ１，ＲＬ２は、必ずしも斜め４５度である必要はなく、線パターンＲＬ１をＹ軸と平行にし、線パターンＲＬ２をＸ軸と平行にした縦横のメッシュ状パターンとしても良い。さらに、線パターンＲＬ１，ＲＬ２を９０度で交差させる必要はなく、隣接する２本の線パターンＲＬ１と、隣接する２本の線パターンＲＬ２とで囲まれた矩形領域が、正方形（又は長方形）以外の菱形になるような角度で、線パターンＲＬ１，ＲＬ２を交差させても良い。

次に、図３、図４及び図８を参照して、回転位置検出機構１４について説明する。図８に示すように、回転位置検出機構１４は、回転ドラムＤＲの回転位置を光学的に検出するものであり、例えばロータリーエンコーダ等を用いたエンコーダシステムが適用されている。回転位置検出機構１４は、回転ドラムＤＲの両端部に設けられるスケール部（指標）ＧＰａ，ＧＰｂと、スケール部ＧＰａ，ＧＰｂの各々と対向する複数のエンコーダヘッド（読取りヘッド）ＥＮ１，ＥＮ２，ＥＮ３，ＥＮ４とを有する。図４及び図８では、スケール部ＧＰａに対向した４つのエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２，ＥＮ３，ＥＮ４だけが示されているが、スケール部ＧＰｂにも同様のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２，ＥＮ３，ＥＮ４が対向して配置される（図１０参照）。

スケール部ＧＰａ，ＧＰｂは、回転ドラムＤＲの外周面の周方向の全体に亘って環状にそれぞれ形成されている。スケール部ＧＰａ，ＧＰｂの目盛は、回転ドラムＤＲの外周面の周方向に一定のピッチ（例えば２０μｍ）で凹状又は凸状の格子線を刻設した回折格子であり、インクリメンタル型スケールとして構成される。このため、スケール部ＧＰａ，ＧＰｂは、回転中心線ＡＸ２周りに回転ドラムＤＲと一体に回転する。

基板Ｐは、回転ドラムＤＲの両端のスケール部ＧＰａ，ＧＰｂを避けた内側、つまり、規制帯ＣＬａ，ＣＬｂの内側に巻き付けられるように構成される。厳密な配置関係を必要とする場合、スケール部ＧＰａ，ＧＰｂの外周面と、回転ドラムＤＲに巻き付いた基板Ｐの部分の外周面とが同一面（中心線ＡＸ２から同一半径）になるように設定する。その為には、スケール部ＧＰａ，ＧＰｂの外周面を、回転ドラムＤＲの基板巻付け用の外周面に対して、径方向に基板Ｐの厚み分だけ高くしておけば良い。このため、回転ドラムＤＲに形成されるスケール部ＧＰａ，ＧＰｂの外周面を、基板Ｐの外周面とほぼ同一の半径に設定することができる。そのため、エンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２，ＥＮ３，ＥＮ４は、回転ドラムＤＲに巻き付いた基板Ｐ上の描画面と同じ径方向位置でスケール部ＧＰａ，ＧＰｂを検出することができ、計測位置と処理位置とが回転系の径方向に異なることで生ずるアッベ誤差を小さくすることができる。

エンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２，ＥＮ３，ＥＮ４は、回転中心線ＡＸ２からみてスケール部ＧＰａ，ＧＰｂの周囲にそれぞれ配置されており、回転ドラムＤＲの周方向において異なる位置となっている。このエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２，ＥＮ３，ＥＮ４は、制御装置１６に接続されている。エンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２，ＥＮ３，ＥＮ４は、スケール部ＧＰａ，ＧＰｂに向けて計測用の光ビームを投射し、その反射光束（回折光）を光電検出することにより、スケール部ＧＰａ，ＧＰｂの周方向の位置変化に応じた検出信号（例えば、９０度の位相差を持った２相信号）を制御装置１６に出力する。制御装置１６は、エンコーダヘッドＥＮ１〜ＥＮ４の各々からの検出信号（２相信号）を不図示のカウンター回路で内挿補間してデジタル処理することにより、回転ドラムＤＲの角度変化、即ち、エンコーダヘッドＥＮ１〜ＥＮ４の各々の設置位置における回転ドラムＤＲの外周面の周方向の位置変化をサブミクロンの分解能で計測することができる。このとき、制御装置１６は、回転ドラムＤＲの角度変化から、回転ドラムＤＲにおける基板Ｐの搬送速度や周方向の移動量も計測することができる。

また、図４及び図８に示すように、エンコーダヘッドＥＮ１は、設置方位線Ｌｅ１上に配置される。設置方位線Ｌｅ１は、ＸＺ面内において、エンコーダヘッドＥＮ１による計測用光ビームのスケール部ＧＰａ（ＧＰｂ）上への投射領域（検出位置）と、回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線となっている。また、上記したように、設置方位線Ｌｅ１は、ＸＺ面内において、描画ラインＬＬ１，ＬＬ３，ＬＬ５と、回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線となっている。以上から、エンコーダヘッドＥＮ１の読取位置と回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線と、描画ラインＬＬ１，ＬＬ３，ＬＬ５と回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線とは、同じ方位線となっている。

同様に、図４及び図８に示すように、エンコーダヘッドＥＮ２は、設置方位線Ｌｅ２上に配置される。設置方位線Ｌｅ２は、ＸＺ面内において、エンコーダヘッドＥＮ２による計測用光ビームのスケール部ＧＰａ（ＧＰｂ）上への投射領域と、回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線となっている。また、上記したように、設置方位線Ｌｅ２は、ＸＺ面内において、描画ラインＬＬ２，ＬＬ４と、回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線となっている。以上から、エンコーダヘッドＥＮ２の読取位置と回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線と、描画ラインＬＬ２，ＬＬ４と回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線とは、同じ方位線となっている。

また、図４及び図８に示すように、エンコーダヘッドＥＮ３は、設置方位線Ｌｅ３上に配置される。設置方位線Ｌｅ３は、ＸＺ面内において、エンコーダヘッドＥＮ３による計測用光ビームのスケール部ＧＰａ（ＧＰｂ）上への投射領域と、回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線となっている。また、上記したように、設置方位線Ｌｅ３は、ＸＺ面内において、アライメント顕微鏡ＡＭ１による基板Ｐの観察領域Ｖｗ１〜Ｖｗ３と、回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線となっている。以上から、エンコーダヘッドＥＮ３の読取位置と回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線と、アライメント顕微鏡ＡＭ１の観察領域Ｖｗ１〜Ｖｗ３と回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線とは、同じ方位線となっている。

同様に、図４及び図８に示すように、エンコーダヘッドＥＮ４は、設置方位線Ｌｅ４上に配置される。設置方位線Ｌｅ４は、ＸＺ面内において、エンコーダヘッドＥＮ４による計測用光ビームのスケール部ＧＰａ（ＧＰｂ）上への投射領域と、回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線となっている。また、上記したように、設置方位線Ｌｅ４は、ＸＺ面内において、アライメント顕微鏡ＡＭ２による基板Ｐの観察領域Ｖｗ４〜Ｖｗ６と、回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線となっている。以上から、エンコーダヘッドＥＮ３の読取位置と回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線と、アライメント顕微鏡ＡＭ２の観察領域Ｖｗ４〜Ｖｗ６と回転中心線ＡＸ２とを結ぶ線とは、同じ方位線となっている。

エンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２，ＥＮ３，ＥＮ４の設置方位（回転中心線ＡＸ２を中心としたＸＺ面内での角度方向）を設置方位線Ｌｅ１，Ｌｅ２，Ｌｅ３，Ｌｅ４で表す場合、図４に示すように、設置方位線Ｌｅ１，Ｌｅ２が、中心面Ｐ３に対して角度±θ°になるように、複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５及びエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２が配置される。

ここで、制御装置１６は、エンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２によってスケール部（回転ドラムＤＲ）ＧＰａ，ＧＰｂの回転角度位置を検出し、検出した回転角度位置に基づいて基板Ｐの移動位置を特定しつつ、奇数番及び偶数番の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５による描画制御を行っている。つまり、制御装置１６は、基板Ｐに投射される描画ビームＬＢが走査方向へ走査している期間中、基板Ｐに描画すべきパターンのＣＡＤ情報に基づいて、光偏向器８１をＯＮ／ＯＦＦ変調するが、光偏向器８１によるＯＮ／ＯＦＦ変調のタイミングを、検出した回転角度位置（基板Ｐの移動位置）に基づいて行うことで、基板Ｐの光感応層上にパターンを精度良く描画することができる。

また、制御装置１６は、アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２により基板Ｐ上のアライメントマークＫｓ１〜Ｋｓ３が検出されたときの、エンコーダヘッドＥＮ３，ＥＮ４によって検出されるスケール部ＧＰａ，ＧＰｂ（回転ドラムＤＲ）の回転角度位置を記憶することにより、基板Ｐ上のアライメントマークＫｓ１〜Ｋｓ３の位置と回転ドラムＤＲの回転角度位置との対応関係を求めることができる。同様に、制御装置１６は、アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２により回転ドラムＤＲ上の基準パターンＲＭＰが検出されたときの、エンコーダヘッドＥＮ３，ＥＮ４によって検出されるスケール部ＧＰａ，ＧＰｂ（回転ドラムＤＲ）の回転角度位置を記憶することにより、回転ドラムＤＲ上の基準パターンＲＭＰの位置と回転ドラムＤＲの回転角度位置との対応関係を求めることができる。このように、アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２は、観察領域Ｖｗ１〜Ｖｗ６内で、マークをサンプリングした瞬間の回転ドラムＤＲの回転角度位置（又は周方向位置）を精密に計測することができる。そして、露光装置ＥＸでは、この計測結果に基づいて、基板Ｐと基板Ｐ上に描画される所定のパターンとを位置合せ（アライメント）したり、回転ドラムＤＲと描画装置１１とをキャリブレーションしたりする。

ところで、マルチビーム型の露光装置ＥＸでは、回転ドラムＤＲによって基板Ｐが搬送方向（長尺方向）に搬送されながら、基板Ｐ上の複数の描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５に沿って描画ビームＬＢが走査される。ここで、基板Ｐは、回転ドラムＤＲの外周面の一部に巻き付けて搬送されるが、回転ドラムＤＲの回転による振動等の影響によって、回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５との配置関係が相対的に変位する場合がある。回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５との配置関係の変位としては、例えば、ＸＹ面内おいて、回転ドラムＤＲの回転中心線ＡＸ２が、Ｙ方向に対して傾いてしまうことである。この場合、回転ドラムＤＲの位置が変位することにより、回転ドラムＤＲに巻き付けられた基板Ｐと、第２光学定盤２５上に設置された描画装置１１との相対配置関係が、露光に適した所定の相対配置関係（初期設定状態）から変位してしまう。このため、第１実施形態の露光装置ＥＸでは、回転ドラムＤＲと描画装置１１との相対的な配置関係を計測する為に、エンコーダヘッドＥＮ１〜ＥＮ４の取付けを図１０に示すような構成とする。

図１０は、図１の露光装置のエンコーダヘッドの配置を示す平面図である。図１０に示すように、エンコーダヘッド（第１検出装置）ＥＮ１，ＥＮ２は、取付部材１００を介して、第２光学定盤２５に取り付けられている。一方で、エンコーダヘッド（第２検出装置）ＥＮ３，ＥＮ４は、取付部材１０１を介して、本体フレーム２１に取り付けられ、また、アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２も本体フレーム２１に取り付けられている。エンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２は、回転ドラムＤＲの回転中心線ＡＸ２の両側に設けられる一対のスケール部ＧＰａ，ＧＰｂに対応させて一対設けられている。このため、一対のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２は、スケール部ＧＰａ，ＧＰｂのそれぞれの回転位置を検出している。

また、第１光学定盤２３と第２光学定盤２５との間には、回転機構２４による回転量を計測する回転量計測装置１０５が設けられている。回転量計測装置１０５は、例えば、リニアエンコーダが用いられ、直動する方向が回転軸Ｉの周方向に沿うように、回転軸Ｉから遠い側に配置されている。制御装置１６は、回転量計測装置１０５により検出された回転軸Ｉの周方向における微少移動量に基づいて、第１光学定盤２３に対する第２光学定盤２５の回転量を検出する。また、回転機構２４は、駆動部１０６を含み、駆動部１０６が制御装置１６により駆動制御されることで、第２光学定盤２５を回転させる。このとき、制御装置１６は、回転量計測装置１０５によって検出される回転量が、所定の回転量となるように、駆動部１０６の駆動制御を行って、第２光学定盤２５を回転させている。

図１１は、図１０の構成において、回転ドラムＤＲと描画装置１１（特に第２光学定盤２５）とがＸＹ面内において相対的に微小回転した場合を説明する平面図である。図１１に示すように、回転ドラムＤＲの回転中心線ＡＸ２はＹ方向に延びており、回転中心線ＡＸ２が静止座標系ＸＹＺのＹ軸と正確に平行な状態のとき、回転中心線ＡＸ２が基準位置にあるとする。ここで、ＸＹ面内において、回転中心線ＡＸ２が、床振動や装置内の駆動源からの振動等の影響によって、基準位置から所定の角度θ_ｚ分だけ傾いたとする。なお、図１１では、左回りの変位を＋θ_ｚとし、右回りの変位を−θ_ｚとする。ＸＹ面内において、回転中心線ＡＸ２が基準位置から所定の角度分だけ傾くと、回転ドラムＤＲの軸方向における一端部が、所定の方向（例えば図１１の−Ｘ方向）に移動する一方で、回転ドラムＤＲの軸方向における他端部が、回転ドラムＤＲの一端部とは反対の方向（例えば図１１の＋Ｘ方向）に移動する。

このため、一対のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２は、回転中心線ＡＸ２が基準位置から所定の角度θ_ｚ分だけ傾くことで、スケール部ＧＰａ側のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２により検出される回転位置（スケール部ＧＰａの移動位置）と、スケール部ＧＰｂ側のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２により検出される回転位置（スケール部ＧＰｂの移動位置）とに、角度θ_ｚに応じた差が生じてくる。よって、制御装置１６は、一対のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２により検出される回転位置に基づいて、ＸＹ面内における回転ドラムＤＲの回転中心線ＡＸ２の傾き角度θ_ｚを検出することができる。具体的には、スケール部ＧＰａ側のエンコーダヘッドＥＮ１に対応したカウンタ回路で計数される計数値（スケールＧＰａの移動位置）をＣＤ１ａ、スケール部ＧＰｂ側のエンコーダヘッドＥＮ１に対応したカウンタ回路で計数される計数値（スケールＧＰｂの移動位置）をＣＤ１ｂとしたとき、計数値ＣＤ１ａと計数値ＣＤ１ｂとの差分値を、回転ドラムＤＲ（スケール部ＧＰａ、ＧＰｂ）が一定の角度だけ回転するごと、或いは一定の時間ごとに、逐次求め、その差分値の変化をモニターすることで、回転ドラムＤＲの回転中心線ＡＸ２のＸＹ面内での傾き変動（角度θ_ｚ）を計測することができる。一対のエンコーダヘッドＥＮ２についても同様にして、スケール部ＧＰａ側のエンコーダヘッドＥＮ２に対応したカウンタ回路で計数される計数値（スケールＧＰａの移動位置）をＣＤ２ａ、スケール部ＧＰｂ側のエンコーダヘッドＥＮ２に対応したカウンタ回路で計数される計数値（スケールＧＰｂの移動位置）をＣＤ２ｂとして、その差分値の変化をモニターすれば良い。

なお、傾き変動（角度θ_ｚ）の計測に際しては、一対のエンコーダヘッドＥＮ１と、一対のエンコーダヘッドＥＮ２とが、先の図４のようにＸ方向に関して中心面ｐ３を挟んで対称的な位置に設置されるので、スケール部ＧＰａと対向するエンコーダヘッドＥＮ１による計数値ＣＤ１ａと、スケール部ＧＰｂと対向するエンコーダヘッドＥＮ２による計数値ＣＤ２ｂとの差分値の変化、或いはスケール部ＧＰａと対向するエンコーダヘッドＥＮ２による計数値ＣＤ２ａと、スケール部ＧＰｂと対向するエンコーダヘッドＥＮ１による計数値ＣＤ１ｂとの差分値の変化をモニターしても良い。

ここで、制御装置１６は、回転ドラムＤＲにより搬送される基板Ｐに対し、描画装置１１による描画を好適に行うべく、アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２の検出結果に基づいて、基板Ｐに対する描画装置１１の位置を補正している。つまり、制御装置１６は、アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２により検出したマークＫｓ１〜Ｋｓ３の位置に基づいて、基板Ｐの形状や基板Ｐ上に既に形成されたデバイスパターン（下地パターン）領域の変形等の状態を検出し、検出した変形状態（特に傾斜等）に対応するような相対的な補正回転量θ_２を求める。なお、補正回転量θ_２は、Ｘ方向に延びる基準線からの角度である。なお、図１１では、左回りの変位を＋θ_２とし、右回りの変位を−θ_２とする。そして、制御装置１６は、求めた補正回転量θ_２に基づいて、回転機構２４の駆動部１０６を制御することにより、回転ドラムＤＲに対する第２光学定盤２５の配置関係を補正する。

このとき、制御装置１６は、求めた相対的な補正回転量θ_２に基づいて、回転機構２４（第２光学定盤２５）を初期位置から回転補正させると、エンコーダヘッドＥＮ１、ＥＮ２も回転してしまうので、回転補正後に計測される回転中心線ＡＸ２の傾きθ_ｚを考慮することができない、すなわち意味をなさなくなる。このため、制御装置１６は、事前（又は直前）に計測された回転中心線ＡＸ２の傾きθ_ｚを考慮して、補正回転量θ_２に基づいて、回転機構２４を回転させている。

具体的に、制御装置１６は、アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２の検出結果に基づいて計測された相対的な補正回転量θ_２がゼロとなるように、つまり、「θ_２−θ_ｚ（＝０°）」がゼロとなるように、回転量計測装置１０５により回転機構２４による回転量を計測しながら、回転機構２４を回転させる。

このように、制御装置１６は、一対のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２の各検出結果に基づいて、回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５との所定の相対配置関係から、ずれ情報であるＸＹ面内での回転中心線ＡＸ２の傾き（ＸＹ面内での回転ドラムＤＲの傾き）θ_ｚを求め、アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２によって求めた基板ＰのＸＹ面内での傾きに対応した補正回転量θ_２と回転中心線ＡＸ２の傾きθ_ｚとの偏差が減少するように、つまり、所定の相対配置関係を維持するように、回転機構２４の駆動部１０６を制御する。

続いて、図１２を参照して、露光装置ＥＸの調整方法について説明する。図１２は、第１実施形態の露光装置の調整方法に関するフローチャートである。制御装置１６は、基板Ｐに対し描画装置１１により好適に描画すべく、回転機構２４により回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５の配置関係を補正する場合、先ず、アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２により検出した検出結果（基板Ｐ上のデバイスパターン領域の傾き等）を取得する（ステップＳ１）。制御装置１６は、アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２により検出した検出結果に基づいて、回転機構２４によって調整すべき補正回転量θ_２を求める（ステップＳ２）。この後、制御装置１６は、一対のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２の検出結果の比較から、傾きθ_ｚに関する情報を取得する（ステップＳ３）。制御装置１６は、一対のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２によって検出されるスケール部ＧＰａ，ＧＰｂのそれぞれの回転角度位置（計数値ＣＤ１ａ、ＣＤ１ｂ、ＣＤ２ａ、ＣＤ２ｂ）に基づいて、回転中心線ＡＸ２の傾きθ_ｚを求める（ステップＳ４）。そして、制御装置１６は、求めた補正回転量θ_２及び回転中心線ＡＸ２の傾きθ_ｚの偏差、つまり、「θ_２−θ_ｚ」がゼロとなるように、回転機構２４をフィードバック制御等により回転させる（ステップＳ５）。なお、このステップＳ５の後、制御装置１６は、再度、一対のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２によって検出されるスケール部ＧＰａ，ＧＰｂのそれぞれの回転角度位置（計数値ＣＤ１ａ、ＣＤ１ｂ、ＣＤ２ａ、ＣＤ２ｂ）に基づいて、回転中心線ＡＸ２の新たな傾きθ’_ｚを適当な時間間隔で求める。そして、装置の振動等によって、新たな傾きθ’_ｚが変化してきた場合は、その新たな傾きθ’_ｚが維持されるように、回転機構２４がフィードバック制御される。

以上、第１実施形態は、エンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２を、第２光学定盤２５に取り付けたので、露光装置ＥＸは、エンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２の検出結果に基づいて、ＸＹ面内における、回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５との所定の相対配置関係からのずれ情報（回転中心線ＡＸ２の傾きθ_ｚ）を求めることができる。そして、露光装置ＥＸは、求めたずれ情報に基づいて、回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５との相対配置関係を補正することが可能となる。よって、露光装置ＥＸは、回転ドラムＤＲの回転による振動等の影響により、回転ドラムＤＲの位置が変位しても、回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５との所定の相対配置関係を維持することができるため、基板Ｐに対して精度良く描画装置１１による描画を行うことができる。

また、第１実施形態は、エンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２を、設置方位線Ｌｅ１，Ｌｅ２上に設けることができる。このため、エンコーダヘッドＥＮ１と回転中心線ＡＸ２とを結ぶ方向と、奇数番の描画ラインＬＬ１，ＬＬ３，ＬＬ５と回転中心線ＡＸ２とを結ぶ方向とを同じ方向とすることができる。同様に、エンコーダヘッドＥＮ２と回転中心線ＡＸ２とを結ぶ方向と、偶数番の描画ラインＬＬ２，ＬＬ４と回転中心線ＡＸ２とを結ぶ方向とを同じ方向とすることができる。このため、エンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２と、描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５との配置関係を合わせることができる。よって、回転ドラムＤＲの位置が変位しても、回転ドラムＤＲに対する描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５の配置関係を、エンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２によって精度良く計測できることから、外乱による影響を受け難い計測を行うことができる。

また、第１実施形態は、エンコーダヘッドＥＮ３，ＥＮ４を、本体フレーム２１に取り付けることができる。このため、露光装置ＥＸは、エンコーダヘッドＥＮ３，ＥＮ４の検出結果に基づいて、アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２によるマークＫｓ１〜Ｋｓ３の計測を、本体フレーム２１（回転ドラムＤＲの軸受部）を静止基準として行うことができる。そして、露光装置ＥＸは、アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２の検出結果に基づいて、回転機構２４によって補正すべき相対的な補正回転量θ_２を求めることができる。よって、露光装置ＥＸは、求めた補正回転量θ_２とずれ情報である回転中心線ＡＸ２の傾きθ_ｚとの偏差に基づいて、回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５との配置関係を精密に補正することが可能となる。

また、第１実施形態は、エンコーダヘッドＥＮ３，ＥＮ４を、設置方位線Ｌｅ３，Ｌｅ４上に設けることができる。このため、エンコーダヘッドＥＮ３と回転中心線ＡＸ２とを結ぶ方向と、観察領域Ｖｗ１〜Ｖｗ３と回転中心線ＡＸ２とを結ぶ方向とを、同じ方向とすることができる。また、エンコーダヘッドＥＮ４と回転中心線ＡＸ２とを結ぶ方向と、観察領域Ｖｗ４〜Ｖｗ６と回転中心線ＡＸ２とを結ぶ方向とを、同じ方向とすることができる。このため、エンコーダヘッドＥＮ３，ＥＮ４の配置関係と、観察領域Ｖｗ１〜Ｖｗ６との配置関係を合わせることができる。よって、回転ドラムＤＲの位置が変位しても、回転ドラムＤＲに対する観察領域Ｖｗ１〜Ｖｗ６の配置関係を、エンコーダヘッドＥＮ３，ＥＮ４によって精度良く計測できることから、外乱による影響を受け難い計測を行うことができる。

また、第１実施形態は、回転機構２４により第１光学定盤２３に対し第２光学定盤２５を回転させることで、回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５との配置関係を補正することができる。このため、露光装置ＥＸは、第２光学定盤２５に設置された描画装置１１により形成される描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５を、回転ドラムＤＲに巻き付けられる基板Ｐに対して適切な位置に補正することができ、基板Ｐに精度良く描画装置１１による描画を行うことができる。

なお、第１実施形態では、補正回転量θ_２を求めるためのステップＳ１及びステップＳ２を実行した後、ずれ情報を求めるためのステップＳ３及びステップＳ４を実行したが、この構成に限定されない。補正回転量θ_２を求めるためのステップＳ１及びステップＳ２と、ずれ情報を求めるためのステップＳ３及びステップＳ４とを並行に行ってもよいし、ずれ情報を求めるためのステップＳ３及びステップＳ４を実行した後、補正回転量θ_２を求めるためのステップＳ１及びステップＳ２を実行してもよい。

［第２実施形態］
次に、図１３を参照して、第２実施形態の露光装置ＥＸについて説明する。図１３は、第２実施形態の露光装置の主要部の配置を示す斜視図である。なお、第２実施形態では、第１実施形態と重複する記載を避けるべく、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明し、第１実施形態と同様の構成要素については、第１実施形態と同じ符号を付して説明する。第１実施形態の露光装置ＥＸでは、回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５との配置関係の変位として、ＸＹ面内おいて、回転ドラムＤＲの回転中心線ＡＸ２がＸ方向（基準位置）に対して傾く場合について説明した。第２実施形態の露光装置ＥＸでは、回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５との配置関係の変位として、ＹＺ面内において、回転ドラムＤＲの回転中心線ＡＸ２がＹ方向（基準位置）に対して傾く場合について説明する。

図１３に示すように、三点座２２は、本体フレーム２１と、第１光学定盤２３及び第２光学定盤２５とを連結する連結機構として機能している。ここで、第１実施形態では、三点座２２を介して連結される本体フレーム２１と第１光学定盤２３とを第１支持部材として機能させ、第２光学定盤２５を第２支持部材として機能させ、回転機構２４を連結機構として機能させていた。第２実施形態では、本体フレーム２１を第１支持部材として機能させ、回転機構２４を介して連結される第１光学定盤２３と第２光学定盤２５とを第２支持部材として機能させ、三点座２２を連結機構として機能させている。

三点座２２は、モータやピエゾ素子等を含む駆動部１１０を含み、駆動部１１０が制御装置１６により駆動制御されることで、各支持点２２ａにおけるＺ方向の長さ（高さ）を独立に調整し、これにより、本体フレーム２１に対する第１光学定盤２３の傾きを調整する。ここで、回転中心線ＡＸ２はＹ方向に延びており、Ｙ方向に延びる回転中心線ＡＸ２の位置を基準位置とする。ＹＺ面内において、基準位置となる回転中心線ＡＸ２が、回転による振動等の影響によって、基準位置から所定の角度分だけ傾く。回転中心線ＡＸ２が基準位置から所定の角度分だけ傾くと、回転ドラムＤＲの軸方向における一端部が、所定の方向（例えば図１３の−Ｚ方向）に移動する一方で、回転ドラムＤＲの軸方向における他端部が、回転ドラムＤＲの一端部とは反対の方向（例えば図１３の＋Ｚ方向）に相対移動したことになる。

このため、一対のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２が、第２光学定盤２５（又は第１光学定盤２３）側に取り付けられている場合は、回転中心線ＡＸ２が基準位置から所定の角度分だけＹＺ面内で傾くことで、スケール部ＧＰａ側のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２により検出される回転角度位置（計数値ＣＤ１ａ、ＣＤ２ａ）と、スケール部ＧＰｂ側のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２により検出される回転角度位置（計数値ＣＤ１ｂ、ＣＤ２ｂ）とに差が生じ得る。よって、制御装置１６は、一対のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２により検出される回転角度位置に基づいて、ＹＺ面内における、回転ドラムＤＲの回転中心線ＡＸ２のＹＺ面内での傾き変化を検出することができる。但し、スケール部ＧＰａ側のエンコーダＥＮ１，ＥＮ２や、スケール部ＧＰｂ側のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２により検出される回転角度位置の情報には、回転中心線ＡＸ２（回転ドラムＤＲ）のＺ方向の変位に対しては、ほとんど感度を持たず、第１実施形態のように、回転中心線ＡＸ２（回転ドラムＤＲ）のＸ方向の変位に対して感度を持つような構成となっている。

そこで、第２実施形態においては、図４、図８、図１０、図１１で示したアライメント顕微鏡ＡＭ１、ＡＭ２の設置方位に配置された一対のエンコーダヘッドＥＮ３，ＥＮ４方向を用いて、回転中心線ＡＸ２（回転ドラムＤＲ）の両端側のＺ方向の変位を計測する。このため、図１０、図１１のように、本体フレーム２１に取り付けてあったエンコーダヘッドＥＮ３，ＥＮ４を第１光学定盤２３または第２光学定盤２５に取り付け、スケール部ＧＰａと対向する一対のエンコーダヘッドＥＮ３、ＥＮ４により検出される回転角度位置（対応するカウンタ回路の計数値ＣＤ３ａ、ＣＤ４ａ）と、スケール部ＧＰｂと対向する一対のエンコーダヘッドＥＮ３、ＥＮ４により検出される回転角度位置（対応するカウンタ回路の計数値ＣＤ３ｂ、ＣＤ４ｂ）との差分に基づいて、ＹＺ面内における、基準位置の回転中心線ＡＸ２に対する、回転ドラムＤＲの回転中心線ＡＸ２の傾きを検出してもよい。

そして、制御装置１６は、一対のエンコーダヘッドＥＮ３，ＥＮ４の各検出結果（計数値ＣＤ３ａ、ＣＤ３ｂ、ＣＤ４ａ、ＣＤ４ｂ）に基づいて、回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５との所定の相対配置関係から、ずれ情報であるＹＺ面内での回転中心線ＡＸ２の傾きを求め、求めた回転中心線ＡＸ２の傾きが減少するように、つまり、所定の相対配置関係を維持するように、三点座２２の駆動部１１０を制御し、第２光学定盤２５全体の傾きを補正する。

以上、第２実施形態は、エンコーダヘッドＥＮ３，ＥＮ４（またはエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２）を、第２光学定盤２５に取り付けることにより、エンコーダヘッドＥＮ３，ＥＮ４（またはエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２）の検出結果（回転角度位置の差分）に基づいて、ＹＺ面内における、回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５との所定の相対配置関係からのずれ情報（Ｚ方向の変位やＹＺ面内での傾き）を求めることができる。そして、露光装置ＥＸは、求めたずれ情報に基づいて、回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５との相対配置関係を補正することが可能となる。よって、露光装置ＥＸは、振動等の影響により回転ドラムＤＲの位置が変位しても、回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５との所定の相対配置関係を維持することができるため、基板Ｐに対して精度良く露光を行うことができる。

［第３実施形態］
次に、図１４を参照して、第３実施形態の露光装置ＥＸについて説明する。図１４は、第３実施形態の露光装置の主要部の配置を示す斜視図である。なお、第３実施形態でも、第１及び第２実施形態と重複する記載を避けるべく、第１及び第２実施形態と異なる部分についてのみ説明し、第１及び第２実施形態と同様の構成要素については、第１及び第２実施形態と同じ符号を付して説明する。第１及び第２実施形態の露光装置ＥＸでは、回転機構２４及び三点座２２によって、描画装置１１側（第２支持部材側）の位置を変位させていた。第３実施形態の露光装置ＥＸでは、Ｘ移動機構１２１及びＺ移動機構１２２によって、回転ドラムＤＲ（回転中心軸ＡＸ２）の両端側の位置をＸ方向とＺ方向とに変位させている。

図１４に示すように、回転ドラムＤＲは、軸方向の両側にシャフト部Ｓｆ２が設けられ、各シャフト部Ｓｆ２は、ベアリング１２３を介して本体フレーム２１に回転可能に軸支されている。両側のベアリング１２３には、Ｘ移動機構１２１及びＺ移動機構１２２がそれぞれ隣接して設けられ、各Ｘ移動機構１２１及び各Ｚ移動機構１２２は、ベアリング１２３をＸ方向及びＺ方向に移動（微動）させることができる。

ここで、第３実施形態では、ベアリング１２３を第１支持部材として機能させ、装置フレーム１３を第２支持部材として機能させ、各Ｘ移動機構１２１及び各Ｚ移動機構１２２を連結機構として機能させている。

両側の一対のＸ移動機構１２１は、両側の一対のベアリング１２３をＸ方向にそれぞれ移動させることが可能となっており、ＸＹ面内において、回転ドラムＤＲの回転中心線ＡＸ２の傾きとＸ方向位置を微調整している。ここで、回転中心線ＡＸ２は、第１実施形態と同様に、Ｙ方向に延びており、Ｙ方向に延びる回転中心線ＡＸ２の位置を基準位置とする。ＸＹ面内において、基準位置となる回転中心線ＡＸ２が、振動等の影響によって、基準位置から所定の角度分だけ傾いた場合、両側の一対のＸ移動機構１２１の駆動量を調整することで、回転ドラムＤＲのＸＹ面内での傾きが補正できる。

また、両側の一対のＺ移動機構１２２は、両側の一対のベアリング１２３をＺ方向にそれぞれ移動させることが可能となっており、ＹＺ面内において、回転ドラムＤＲの回転中心線ＡＸ２の傾きとＺ方向位置を微調整している。ここで、回転中心線ＡＸ２は、第２実施形態と同様に、Ｙ方向に延びており、Ｙ方向に延びる回転中心線ＡＸ２の位置を基準位置とする。ＹＺ面内において、基準位置となる回転中心線ＡＸ２が、振動等の影響によって、基準位置から所定の角度分だけ傾いた場合、両側の一対のＺ移動機構１２２の駆動量を調整することで、回転ドラムＤＲのＹＺ面内での傾きが補正できる。

一対のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２は、第１実施形態で説明したように、第２光学定盤２５と回転ドラムＤＲ（回転中心線ＡＸ２）とのＸＹ面内における相対的な傾き誤差を計測可能である。また、第３実施形態でも、第２実施形態と同様に、エンコーダヘッドＥＮ３，ＥＮ４を第２光学定盤２５（または第１光学定盤２３）に取り付けた場合、一対のエンコーダヘッドＥＮ３，ＥＮ４は、第２実施形態で説明したように、第２光学定盤２５と回転ドラムＤＲ（回転中心線ＡＸ２）とのＹＺ面内における相対的な傾き誤差を計測可能である。

そこで、制御装置１６は、一対のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２の各検出結果（計数値ＣＤ１ａ、ＣＤ１ｂ、ＣＤ２ａ、ＣＤ２ｂ）に基づいて、回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５との所定の相対配置関係からのずれ情報（ＸＹ面内における回転中心線ＡＸ２の相対的な傾きθ_Ｚ）を求める。さらに制御装置１６は、アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２の検出結果に基づいて、基板Ｐ上のデバイスパターン領域の傾き等を計測し、Ｘ移動機構１２１による補正回転量θ_２を求める。制御装置１６は、求めた補正回転量θ_２と回転中心線ＡＸ２の傾きθ_Ｚとの偏差が減少するように、つまり、所定の相対配置関係を維持するように、両側のＸ移動機構１２１の駆動量を制御する。同様に、制御装置１６は、一対のエンコーダヘッドＥＮ３，ＥＮ４の各検出結果（計数値ＣＤ３ａ、ＣＤ３ｂ、ＣＤ４ａ、ＣＤ４ｂ）に基づいて、回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５との所定の相対配置関係から、ずれ情報であるＹＺ面内での回転中心線ＡＸ２の傾き（θ_Ｘとする）を求め、求めた回転中心線ＡＸ２の傾きθ_Ｘが減少するように、つまり、所定の相対配置関係を維持するように、両側のＺ移動機構１２２の駆動量を制御する。

以上、第３実施形態は、ＸＹ面内においてＸ移動機構１２１により本体フレーム２１に対し回転ドラムＤＲをＺ軸と平行な軸回りに回転させ、また、ＹＺ面内においてＺ移動機構１２２により本体フレーム２１に対し回転ドラムＤＲをＸ軸と平行な軸回りに回転させることで、回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５との相対的な配置関係を調整することができる。このため、露光装置ＥＸは、第２光学定盤２５に設置された描画装置１１により形成される描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５を、回転ドラムＤＲに巻き付けられる基板Ｐに対して適切な位置に補正することができ、基板Ｐに精度良くデバイスパターンを露光できる。

［第４実施形態］
次に、図１５を参照して、第４実施形態の露光装置ＥＸについて説明する。図１５は、第４実施形態の露光装置の回転ドラム及び描画装置の構成を示す図である。なお、第４実施形態でも、第１から第３実施形態と重複する記載を避けるべく、第１から第３実施形態と異なる部分についてのみ説明し、第１から第３実施形態と同様の構成要素については、第１から第３実施形態と同じ符号を付して説明する。第３実施形態の露光装置ＥＸでは、ベアリング１２３を移動させるＸ移動機構１２１及びＺ移動機構１２２によって、回転ドラムＤＲの位置を変位させていた。第４実施形態の露光装置ＥＸでは、装置フレーム１３とは別体のドラム支持フレーム１３０によって、回転ドラムＤＲの位置を変位させている。

図１５に示すように、ドラム支持フレーム１３０は、Ｚ方向の下方側から順に、ドラム回転機構１３１と、ドラム支持部材１３２とを有している。ドラム回転機構１３１は、防振ユニットＳＵ３を介して設置面Ｅ上に設置されている。ドラム支持部材１３２は、ドラム回転機構１３１上に設置され、回転ドラムＤＲのシャフトを両持ちで回転可能に軸支している。ドラム回転機構１３１は、ＸＹ面内において、Ｚ軸と平行な回転軸Ｉａ（回転中心軸ＡＸ２と交差する）を中心にドラム支持部材１３２を回転させることで、回転ドラムＤＲの回転中心線ＡＸ２のＸＹ面内での傾きを調整する。

また、回転ドラムＤＲを装置フレーム１３とは別体のドラム支持フレーム１３０に設けるようにしたので、本実施形態は、先の第１〜第３実施形態における三点座２２、第１光学定盤２３及び回転機構２４が省かれており、本体フレーム２１上には、第２光学定盤２５とそれに支持される描画装置１１だけが設置される。ここで、第４実施形態では、ドラム支持フレーム１３０を第１支持部材として機能させ、装置フレーム１３を第２支持部材として機能させ、ドラム回転機構１３１を連結機構として機能させている。

ここで、制御装置１６は、第２光学定盤２５に取り付けられた一対のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２の各検出結果（計数値ＣＤ１ａ、ＣＤ１ｂ、ＣＤ２ａ、ＣＤ２ｂ）に基づいて、Ｙ方向に延びる基準位置の回転中心線ＡＸ２に対する、回転ドラムＤＲ（回転中心線ＡＸ２）と第２光学定盤２５とのＸＹ面内における相対的な傾きθ_Ｚを検出する。さらに制御装置１６は、アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２の検出結果に基づいて、基板Ｐ上のデバイスパターン領域の傾き等を計測し、ドラム回転機構１３１による補正回転量θ_２を求める。制御装置１６は、求めた補正回転量θ_２と回転中心線ＡＸ２の傾きθ_Ｚとの偏差が減少するように、つまり、所定の相対配置関係を維持するように、ドラム回転機構１３１を制御する。なお、アライメント顕微鏡ＡＭ１，ＡＭ２の設置方位と同じ方向に配置される一対のエンコーダヘッドＥＮ３，ＥＮ４は、第２光学定盤２５に取り付けられるが、ドラム支持部材１３２側に取り付けても良い。

以上、第４実施形態は、ドラム回転機構１３１によりドラム支持フレーム１３０を回転させることで、第２光学定盤２５に対して回転ドラムＤＲを回転させることができるため、回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５との相対配置関係を補正することができる。このため、露光装置ＥＸは、回転ドラムＤＲに巻き付けられる基板Ｐを、第２光学定盤２５に設置された描画装置１１により形成される描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５に対して適切な位置に調整することができ、基板Ｐに精度良くデバイスパターンを露光できる。

［第５実施形態］
次に、図１６を参照して、第５実施形態の露光装置ＥＸについて説明する。図１６は、第５実施形態の露光装置のエンコーダヘッドの配置を示す平面図である。なお、第５実施形態でも、第１から第４実施形態と重複する記載を避けるべく、第１から第４実施形態と異なる部分についてのみ説明し、第１から第４実施形態と同様の構成要素については、第１から第４実施形態と同じ符号を付して説明する。第１実施形態の露光装置ＥＸでは、一対のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２によって回転ドラムＤＲの傾きを検出した。第５実施形態では、一対のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２と、一対のエンコーダヘッドＥＮ５，ＥＮ６によって回転ドラムＤＲの傾きを検出している。

図１６に示すように、一対のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２は、取付部材１００を介して第２光学定盤２５に取り付けられている。また、一対のエンコーダヘッドＥＮ５，ＥＮ６は、取付部材１４１を介して本体フレーム２１に取り付けられている。ここで、各エンコーダヘッドＥＮ１と、各エンコーダヘッドＥＮ５は、Ｙ方向に一定の隙間を空けて隣接して設けられている。そして、Ｙ方向に隣接する２つのエンコーダヘッドＥＮ１及びエンコーダヘッドＥＮ５の各々が、共に各スケール部ＧＰａ，ＧＰｂを検出できるように、スケール部ＧＰａ，ＧＰｂはＹ方向の幅を広く設定してある。

ここで、回転ドラムＤＲは、本体フレーム２１に取り付けられていることから、制御装置１６は、一対のエンコーダヘッドＥＮ５，ＥＮ６の各々により検出される回転角度位置（対応するカウンタ回路の計数値ＣＤ５ａ、ＣＤ５ｂ、ＣＤ６ａ、ＣＤ６ｂとする）に基づいて、回転ドラムＤＲの回転中心線ＡＸ２のＸＹ面内における傾きθ_ＺＲを検出し、検出された傾きθ_ＺＲを基準位置とする。すなわち、回転中心軸ＡＸ２の一方側でスケール部ＧＰａと対向するエンコーダヘッドＥＮ５による計数値ＣＤ５ａと、回転中心軸ＡＸ２の他方側でスケール部ＧＰｂと対向するエンコーダヘッドＥＮ５による計数値ＣＤ５ｂとの差分値の変化、或いは、スケール部ＧＰａと対向するエンコーダヘッドＥＮ６による計数値ＣＤ６ａと、回転中心軸ＡＸ２の他方側でスケール部ＧＰｂと対向するエンコーダヘッドＥＮ６による計数値ＣＤ５６との差分値の変化によって、本体フレーム２１を基準とした回転ドラムＤＲのＸＹ面内における傾きθ_ＺＲの変動が計測できる。

また、制御装置１６は、第１実施形態と同様に、一対のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２により検出される回転角度位置（計数値ＣＤ１ａ、ＣＤ１ｂ、ＣＤ２ａ、ＣＤ２ｂ）に基づいて、回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５とのＸＹ面内における相対的な傾きθ_Ｚを求める。従って、一対のエンコーダヘッドＥＮ５，ＥＮ６の各々により検出される回転角度位置に基づいて計測される傾きθ_ＺＲと、一対のエンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２により検出される回転角度位置に基づいて計測される傾きθ_Ｚとに基づいて、第２光学定盤２５を回転機構２４によって回転させることで、第２光学定盤２５とそれに支持されている描画装置１１を、本体フレーム２１（静止基準）に対して回転誤差なく設定することができる。但し、第１実施形態と同様に、基板Ｐ上に形成するデバイスパターン領域の傾き誤差に対応する場合は、アライメント顕微鏡ＡＭ１、ＡＭ２の検出結果に基づいて計測されたデバイスパターン領域の相対的な傾きθ_２に応じた補正量を加味して回転機構２４を駆動する。

以上、第５実施形態は、一対のエンコーダヘッドＥＮ５，ＥＮ６により検出される回転位置に基づいて、本体フレーム２１を基準とした回転ドラムＤＲの回転中心線ＡＸ２のＸＹ面内での傾きθ_ＺＲを検出することができる。このため、制御装置１６は、回転ドラムＤＲの回転中心線ＡＸ２の基準位置を計測することができ、これにより、回転ドラムＤＲと第２光学定盤２５との所定の相対配置関係を精度良く計測することができる。特に、基板Ｐ上にデバイスパターン領域の第１層用のパターンを描画するファースト露光の際には、静止基準となる本体フレーム２１に対して回転ドラムＤＲがＸＹ面内で傾斜しても、ファースト露光のパターンが基板Ｐ上で傾いて転写されることが補正される。

［第６実施形態］
次に、図１７を参照して、第６実施形態の露光装置ＥＸについて説明する。図１７は、第６実施形態の露光装置のスケール円盤の配置を示す平面図である。なお、第６実施形態でも、第１から第５実施形態と重複する記載を避けるべく、第１から第５実施形態と異なる部分についてのみ説明し、第１から第５実施形態と同様の構成要素については、第１から第５実施形態と同じ符号を付して説明する。第１から第５実施形態の露光装置ＥＸでは、回転ドラムＤＲの外周面に形成されたスケール部ＧＰａ，ＧＰｂを用いて、回転ドラムＤＲの回転位置を検出した。第６実施形態の露光装置ＥＸでは、回転ドラムＤＲに取り付けられた高真円度のスケール円盤ＳＤを用いて、回転ドラムＤＲの回転位置を検出している。

図１７に示すように、このスケール円盤ＳＤは、外周面にスケール部ＧＰａ，ＧＰｂが刻設され、回転ドラムＤＲの端部に回転中心線ＡＸ２と直交するように固定されている。このため、スケール円盤ＳＤは、回転中心線ＡＸ２回りに回転ドラムＤＲと共に一体に回転する。また、スケール円盤ＳＤは、低熱膨張の金属、ガラス、セラミックス等を母材とし、計測分解能を高めるために、なるべく大きな直径（例えば直径２０ｃｍ以上）になるように作られる。図１７では、スケール円盤ＳＤの外周面の直径を感光ドラムＤＲの外周面の直径よりも小さく示したが、スケール円盤ＳＤのスケール部ＧＰの直径を、回転ドラムＤＲに巻き付けられる基板Ｐの外周面の直径と揃える（ほぼ一致させる）ことで、所謂、計測アッベ誤差をさらに小さくすることができる。

以上、第６実施形態は、回転ドラムＤＲに別体のスケール円盤ＳＤを取り付けることができるため、回転ドラムＤＲに適したスケール円盤ＳＤを選択することができる。また、スケール円盤ＳＤとして、周方向の複数ヶ所に真円度を微調整できる機構（押しネジ等）を搭載したものが利用できるので、スケール部ＧＰの回転中心軸ＡＸ２からの偏心誤差やスケール（回折格子）のピッチ誤差等による計測誤差（累積誤差）をさらに小さくすることができる。

なお、第１から第６実施形態は、スポット光を走査する描画装置１１を用いて基板Ｐにパターンを形成したが、この構成に限定されず、基板Ｐにパターンを形成する装置であれば良く、例えば、透過型または反射型の平坦、或いは円筒状のマスクを用いて、マスクからの投影光束を基板Ｐに投影露光して、基板Ｐにパターンを形成する投影露光系であってもよい。さらに、マスクの代わりに傾斜可能な多数のマイクロミラーをマトリックス状に並べたデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）によって、描画すべきパターンに対応した光分布を基板Ｐに投影するマスクレス方式の露光装置であっても良い。また、基板Ｐにパターンを形成する装置としては、例えば、インク等の液滴を吐出するインクジェットヘッドを用いて、基板Ｐにパターンを形成するインクジェット方式の描画装置であってもよい。そのようなマスクレス方式の露光機やインクジェット方式の描画装置の場合も、例えば特開２０１０−０９１９９０号公報に開示されているように、ＤＭＤで作られるパターンに対応した光分布を基板Ｐに投影する露光部（パターン形成部）の複数を基板Ｐの幅方向に並べた構成、或いはインクジェット方式のインクノズルを備えた液滴塗布部（パターン形成部）の複数を基板Ｐの幅方向に並べた構成として、複数の露光部の全体、或いは複数の液滴塗布部の全体を基板Ｐに対してＸＹ面内で相対回転可能な構成としても良い。

また、第１から第６実施形態では、描画装置１１を構成する複数の描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５が固定される第２光学定盤２５を回転機構２４によってＸＹ面内で回転させる構成としたが、描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５の各々をＸＹ面内で平行に調整したり、ＸＹ面内で所定の傾きを持たせるように調整したりする為に、描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５の各々を、第２光学定盤２５上でＸＹ面内において個別に微少回転可能とするアクチュエータ（第２の回転機構、駆動機構）を設けても良い。その場合、第２光学定盤２５に対する描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５（パターン形成部）の各々の回転角度位置（傾斜量等）を計測する個別角度計測センサを設け、一対のエンコーダヘッドＥＮ１、又はＥＮ２等によって計測される第２光学定盤２５のＸＹ面内での傾き量と、個別角度計測センサ（第２検出装置）で計測される描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５の各々の傾き量との両方に基づいて、描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５の各々の基板Ｐ上での傾きを調整することができる。従って、回転ドラムＤＲを回転させて基板Ｐを長尺方向（Ｘ方向）に一定の速度で搬送している間に、基板Ｐが回転ドラムＤＲ上でＹ方向に僅かにシフトする蛇行現象に伴って基板Ｐの送り方向が僅かに傾いた場合でも、アライメント顕微鏡ＡＭ１（又はＡＭ２）によるアライメントマークＫｓ１〜Ｋｓ３の位置検出によって、その傾きが逐次計測可能なので、その傾きに合わせて描画ラインＬＬ１〜ＬＬ５の各々が傾くように、描画モジュールＵＷ１〜ＵＷ５の各々のアクチュエータ（駆動機構）を制御することができる。これによって、基板Ｐ上の露光領域Ａ７に既に形成されている電子デバイス用の下地パターン（例えば、第１層パターン）に対して新たなパターンを重ね合せ露光する際、基板Ｐの搬送中に蛇行が生じたとしても、重ね合せ精度を基板Ｐ上の露光領域Ａ７の全面で良好に維持することができる。

さらに、第１から第６実施形態では、描画装置１１を支持する第２光学定盤２５と回転ドラムＤＲを支持する本体フレーム２１とを、ＸＹ面内（又はＹＺ面内）で相対的に微少回転させるモータ等を含む駆動機構（回転機構２４、三点座２２の駆動部１１０、Ｘ移動機構１２１、Ｚ移動機構１２２）を設けた。しかしながら、モータ等による電動操作ではなく、調整ネジ、マイクロゲージ、厚みの異なるワッシャの入替え等の手動操作によって、描画装置１１と回転ドラムＤＲとの空間的な配置関係を相対的に微調整するように第２光学定盤２５と本体フレーム２１とを連結する連結機構であっても良い。このような手動操作による調整部を持った連結機構は、例えば、装置の組立時や保守点検の際に、描画装置１１を搭載した第２光学定盤２５（第１光学定盤２３）を本体フレーム２１から取り外して、再度、三点座２２を介して本体フレーム２１に取り付ける場合などに、三点座２２の各々のＸＹＺ方向の位置を微調整するときに有用である。

＜デバイス製造方法＞
次に、図１８を参照して、デバイス製造方法について説明する。図１８は、各実施形態のデバイス製造方法を示すフローチャートである。

図１８に示すデバイス製造方法では、まず、例えば有機ＥＬ等の自発光素子による表示パネルの機能・性能設計を行い、必要な回路パターンや配線パターンをＣＡＤ等で設計する（ステップＳ２０１）。また、表示パネルの基材となる可撓性の基板Ｐ（樹脂フィルム、金属箔膜、プラスチック等）が巻かれた供給用ロールを準備しておく（ステップＳ２０２）。なお、このステップＳ２０２にて用意しておくロール状の基板Ｐは、必要に応じてその表面を改質したもの、下地層（例えばインプリント方式による微小凹凸）を事前形成したもの、光感応性の機能膜や透明膜（絶縁材料）を予めラミネートしたもの、でも良い。

次いで、基板Ｐ上に表示パネルデバイスを構成する電極や配線、絶縁膜、ＴＦＴ（薄膜半導体）等によって構成されるバックプレーン層を形成すると共に、そのバックプレーンに積層されるように、有機ＥＬ等の自発光素子による発光層（表示画素部）が形成される（ステップＳ２０３）。このステップＳ２０３には、先の各実施形態で説明した露光装置ＥＸを用いて、フォトレジスト層を露光する従来のフォトリソグラフィ工程も含まれるが、フォトレジストの代わりに感光性シランカップリング材を塗布した基板Ｐをパターン露光して表面に親撥水性によるパターンを形成する露光工程、光感応性の触媒層をパターン露光し無電解メッキ法によって金属膜のパターン（配線、電極等）を形成する湿式工程、或いは、銀ナノ粒子を含有した導電性インク等によってパターンを描画する印刷工程、等による処理も含まれる。

次いで、ロール方式で長尺の基板Ｐ上に連続的に製造される表示パネルデバイス毎に、基板Ｐをダイシングしたり、各表示パネルデバイスの表面に、保護フィルム（耐環境バリア層）やカラーフィルターシート等を貼り合せたりして、デバイスを組み立てる（ステップＳ２０４）。次いで、表示パネルデバイスが正常に機能するか、所望の性能や特性を満たしているかの検査工程が行なわれる（ステップＳ２０５）。以上のようにして、表示パネル（フレキシブル・ディスプレー）を製造することができる。また、図１８のような表示パネルの製造以外にも、精密な配線パターン（高密度配線）が必要とされるフレキシブルプリント基板、ＴＦＴ等の半導体素子とセンシング用の電極パターンとを持つ化学的センサーシート、或いはＤＮＡチップ等をフレキシブルな基板Ｐ上に製造する際にも、上記の各実施形態による露光装置を使うことができる。

１ デバイス製造システム
１１ 描画装置
１２ 基板搬送機構
１３ 装置フレーム
１４ 回転位置検出機構
１６ 制御装置
２１ 本体フレーム
２２ 三点座
２３ 第１光学定盤
２４ 回転機構
２５ 第２光学定盤
３１ キャリブレーション検出系
４４，４５ ＸＹハービング調整機構
５１ １／２波長板
５２ 偏光ミラー
５３ ビームディフューザ
６０ 第１ビームスプリッタ
６２ 第２ビームスプリッタ
６３ 第３ビームスプリッタ
７３ 第４ビームスプリッタ
８１ 光偏向器
８２ １／４波長板
８３ 走査器
８４ 折り曲げミラー
８５ ｆ−θレンズ系
８６ Ｙ倍率補正用光学部材
９２ 遮光板
９６ 反射ミラー
９７ 回転ポリゴンミラー
９８ 原点検出器
１００ エンコーダヘッドＥＮ１，ＥＮ２の取付部材
１０１ エンコーダヘッドＥＮ３，ＥＮ４の取付部材
１０５ 回転量計測装置
１０６ 回転機構の駆動部
１１０ 三点座の駆動部
１２１ Ｘ移動機構
１２２ Ｚ移動機構
１２３ ベアリング
１３０ ドラム支持フレーム
１３１ ドラム回転機構
１３２ ドラム支持部材
１４１ エンコーダヘッドＥＮ５，ＥＮ６の取付部材
Ｐ 基板
Ｕ１，Ｕ２ プロセス装置
ＥＸ 露光装置
ＡＭ１，ＡＭ２ アライメント顕微鏡
ＥＶＣ 温調チャンバー
ＳＵ１，ＳＵ２ 防振ユニット
Ｅ 設置面
ＥＰＣ エッジポジションコントローラ
ＲＴ１，ＲＴ２ テンション調整ローラ
ＤＲ 回転ドラム
ＡＸ２ 回転中心線
Ｓｆ２ シャフト部
ｐ３ 中心面
ＤＬ たるみ
ＵＷ１〜ＵＷ５ 描画モジュール
ＣＮＴ 光源装置
ＬＢ 描画ビーム
Ｉ 回転軸
ＬＬ１〜ＬＬ５ 描画ライン
ＰＢＳ 偏光ビームスプリッタ
Ａ７ 露光領域
ＳＬ ビーム分配光学系
Ｌｅ１〜Ｌｅ４ 設置方位線
Ｖｗ１〜Ｖｗ６ 観察領域
Ｋｓ１〜Ｋｓ３ アライメントマーク
ＧＰａ，ＧＰｂ スケール部
ＥＮ１〜ＥＮ６ エンコーダヘッド
ＳＤ スケール円盤

Claims (10)

1. 中心線の回りに回転する回転ドラムの外周面で支持される長尺のシート基板を長尺方向に搬送しながら、前記シート基板上に所定のパターンを描画するパターン形成装置であって、
   前記中心線と同軸に前記回転ドラムの両端側に設けられたシャフト部を回転可能に軸支する第１支持部材と、
   前記回転ドラムで支持される前記シート基板上に前記パターンを描画する描画モジュールの複数を、前記中心線の方向に奇数番と偶数番の順で保持すると共に、前記奇数番の描画モジュールによる奇数番の描画位置と前記偶数番の描画モジュールによる偶数番の描画位置とが前記回転ドラムの外周面の周方向に所定の間隔となるように保持する第２支持部材と、
   前記回転ドラムと共に前記中心線の回りに回転するように前記回転ドラムの前記シャフト部に設けられ、周方向に沿って刻設された目盛を有するスケール円盤と、
   前記奇数番の描画位置と前記偶数番の描画位置との各々に対応した周方向の位置の各々で、前記スケール円盤の前記目盛と対向するように前記第１支持部材側に設けられて、それぞれ前記目盛の回転方向の位置変化を計測する一対の第１読取りヘッドと、前記奇数番の描画位置と前記偶数番の描画位置との各々に対応した周方向の位置の各々で、前記スケール円盤の前記目盛と対向するように前記第２支持部材側に設けられて、それぞれ前記目盛の回転方向の位置変化を計測する一対の第２読取りヘッドとを有するエンコーダシステムと、
   を備えたパターン形成装置。
2. 請求項１に記載のパターン形成装置であって、
   前記一対の第１読取りヘッドは、
   前記奇数番の描画位置に対応した周方向の位置で前記目盛の回転方向の位置変化を計測する奇数番用の第１エンコーダヘッドと、前記偶数番の描画位置に対応した周方向の位置で前記目盛の回転方向の位置変化を計測する偶数番用の第１エンコーダヘッドと、を含み、
   前記一対の第２読取りヘッドは、
   前記奇数番の描画位置に対応した周方向の位置で前記目盛の回転方向の位置変化を計測する奇数番用の第２エンコーダヘッドと、前記偶数番の描画位置に対応した周方向の位置で前記目盛の回転方向の位置変化を計測する偶数番用の第２エンコーダヘッドと、を含む
   パターン形成装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載のパターン形成装置であって、
   前記回転ドラムの回転による前記シート基板の搬送方向に関して、前記奇数番の描画位置は前記偶数番の描画位置に対して下流側に配置される、
   パターン形成装置。
4. 請求項３に記載のパターン形成装置であって、
   前記回転ドラムの回転による前記シート基板の搬送方向に関して、前記奇数番の描画位置は前記偶数番の描画位置に対して下流側に配置される、
   パターン形成装置。
5. 請求項１に記載のパターン形成装置であって、
   前記スケール円盤は、
   前記回転ドラムの一方の端側の前記シャフト部に同軸に設けられた第１のスケール円盤と、他方の端側の前記シャフト部に同軸に設けられた第２のスケール円盤とを含み、
   前記エンコーダシステムは、前記第１のスケール円盤の前記目盛と対向する第１のエンコーダシステムと、前記第２のスケール円盤の前記目盛と対向する第２のエンコーダシステムとを含む、
   パターン形成装置。
6. 請求項５に記載のパターン形成装置であって、
   前記シート基板上に形成すべき前記パターンの全体的な傾きを調整する為に、前記第１支持部材と前記第２支持部材との相対的な角度関係を調整可能とする第１の回転機構を、更に備えるパターン形成装置。
7. 請求項６に記載のパターン形成装置であって、
   前記第１のエンコーダシステムの前記一対の第１読取りヘッド、又は前記一対の第２読取りヘッドによる前記目盛の計測結果と、前記第２のエンコーダシステムの前記一対の第１読取りヘッド、又は前記一対の第２読取りヘッドによる前記目盛の計測結果とに基づいて、前記回転ドラムと前記第２支持部材との相対的な角度変化を検出する第１検出装置を更に備え、
   前記第１検出装置で検出される前記角度変化に応じて、前記シート基板上に形成すべき前記パターンの全体的な傾きを前記第１の回転機構によって調整する、
   パターン形成装置。
8. 請求項７に記載のパターン形成装置であって、
   前記奇数番の描画モジュールと前記偶数番の描画モジュールの各々によって前記シート基板上に形成される前記パターンの各々の傾きを調整する為に、前記複数の描画モジュールの各々を前記第２支持部材に対して個別に回転させる第２の回転機構と、
   前記第２支持部材側に設けられて、前記第２の回転機構によって個別に回転される前記複数の描画モジュールの各々の回転角度位置を計測する第２検出装置と、
   を更に備えるパターン形成装置。
9. 請求項８に記載のパターン形成装置であって、
   前記第２の回転機構は、前記第１検出装置によって計測される前記角度変化と、前記第２検出装置で計測される前記回転角度位置とに基づいて、前記回転ドラムの回転による前記シート基板の搬送中に前記複数の描画モジュールの各々を回転させるアクチュエータを含む、
   パターン形成装置。
10. 請求項１〜９のいずれか１項に記載のパターン形成装置であって、
    前記複数の描画モジュールの各々は、
    前記シート基板上に描画すべきパターンのＣＡＤ情報に基づいてＯＮ／ＯＦＦ変調される描画ビームのスポット光を、前記中心線の方向に一次元走査して前記パターンを描画するパターン描画装置、多数のマイクロミラーによって前記シート基板上に描画すべきパターンに対応した光分布を前記シート基板上に投影露光するマスクレス方式の露光装置、並びに、インクの液滴を吐出するインクジェットヘッドによって前記シート基板上に前記インクによるパターンを形成するインクジェット方式の描画装置のうちのいずれか１つである、
    パターン形成装置。

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