JP2006337614A - 描画方法および装置 - Google Patents

描画方法および装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006337614A
JP2006337614A JP2005160769A JP2005160769A JP2006337614A JP 2006337614 A JP2006337614 A JP 2006337614A JP 2005160769 A JP2005160769 A JP 2005160769A JP 2005160769 A JP2005160769 A JP 2005160769A JP 2006337614 A JP2006337614 A JP 2006337614A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
head
heads
image data
scanning direction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005160769A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuto Sumi
克人 角
Kazuteru Kowada
一輝 古和田
Kazumasa Suzuki
一誠 鈴木
Takashi Fukui
隆史 福井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fujifilm Holdings Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Holdings Corp filed Critical Fujifilm Holdings Corp
Priority to JP2005160769A priority Critical patent/JP2006337614A/ja
Priority to CNA2006800194091A priority patent/CN101218542A/zh
Priority to PCT/JP2006/310333 priority patent/WO2006129535A1/ja
Priority to KR1020077028097A priority patent/KR20080014983A/ko
Priority to US11/916,225 priority patent/US20100188646A1/en
Publication of JP2006337614A publication Critical patent/JP2006337614A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2057Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using an addressed light valve, e.g. a liquid crystal device
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70275Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70283Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70791Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)

Abstract

【課題】 複数の露光ヘッドを露光面に対して所定の走査方向に相対的に移動させて露光面上に画像を露光する露光方法および装置において、各露光ヘッド毎の画像のずれを生じることなく、適切な画像を露光する。
【解決手段】 各露光ヘッド3021,3012毎に予め設定された基準マイクロミラーr21,r12を用いて露光面上に各露光ヘッド3021,3012毎の基準点rp21,rp12を形成するとともに、各露光ヘッド3012,3012毎の基準点rp21,rp12が基準線RL上に並ぶように各露光ヘッド2021,3012による露光タイミングを制御する。
【選択図】 図21

Description

本発明は、複数の描画ヘッドを描画面に対して所定の走査方向に相対的に移動させて描画面上に画像を描画する描画方法および装置に関するものである。
従来、画像データが表す所望の2次元パターンを描画面上に形成する描画装置が種々知られている。
上記のような描画装置として、たとえば、デジタル・マイクロミラー・デバイス(以下「DMD」という。)等の空間光変調素子を利用し、画像データに応じて空間光変調素子により光ビームを変調して露光を行う露光装置が種々提案されている。
そして、上記のようなDMDを用いた露光装置としては、たとえば、DMDを露光面に対して所定の走査方向に相対的に移動させるとともに、その走査方向への移動に応じてDMDにより露光点群を時系列に順次形成することにより所望の画像を露光面に形成する露光装置が提案されている。
また、上記のような露光装置として、DMDの設けられた露光ヘッドを走査方向に直交する方向に複数配列し、その露光ヘッド列を露光面に対して相対的に移動させる露光装置も提案されている。上記のようにラインヘッドを構成して露光を行うことにより露光時間を短縮することができる。
しかしながら、上記のような複数の露光ヘッドを備えた露光装置において、各露光ヘッド毎にそれぞれ異なる座標系に基づいて露光面に露光画像を露光するようにしたのでは、各露光ヘッド毎の露光画像が上記走査方向についてずれてしまい、適切な露光画像を露光することができない。
本発明は、上記事情に鑑み、上記露光装置のような、複数の描画ヘッドにより画像を描画する描画方法および装置において、上記のような各描画ヘッド毎の画像のずれを生じることなく、適切な画像を描画することができる描画方法おおび装置を提供することを目的とするものである。
本発明の描画方法は、画像を表す画像データに基づいて描画面上に描画点を形成する描画素子が2次元状に配置された描画点形成部を有する描画ヘッドを、描画面に対して所定の走査方向に相対的に移動させるとともに、その移動に応じて描画点を描画面上に順次形成して描画面上に画像を描画する描画方法であって、上記走査方向に交差する方向に並べられた複数の描画ヘッドによって描画を行う描画方法において、各描画ヘッド毎に予め設定された基準描画素子を用いて描画面上に各描画ヘッド毎の基準点を形成するとともに、各描画ヘッド毎の基準点が上記走査方向について同じ位置に並ぶように各描画ヘッドによる描画タイミングを制御することを特徴とする。
また、上記本発明の描画方法においては、各描画ヘッドにより描画面に形成される各部分画像の上記交差方向についてのいずれか一方の端部に基準点を形成するようにすることができる。
また、互いに隣接する描画ヘッドのうちの一方の描画ヘッドにより形成される部分画像の基準点が形成される端部に、他方の描画ヘッドにより形成される部分画像の基準点が形成されない方の上記交差方向についての端部が繋がるように、各描画ヘッドに入力される部分画像データに補正を施すようにすることができる。
また、補正として回転処理を施すようにすることができる。
また、基準描画素子により形成される描画点の画像が、予め設定された上記走査方向に交差する方向についての所定の位置に描画すべきものとなるように各描画ヘッドに入力される画像データに補正を施すようにすることができる。
また、互いに隣接する描画ヘッドにより描画面に形成される各部分画像が上記走査方向に交差する方向について繋がるように、各描画ヘッドに入力される部分画像データに補正を施すようにすることができる。
また、上記交差方向について繋がるように施される補正として補間または間引き処理を施すようにすることができる。
また、描画面をN重描画(Nは2以上の自然数)するようにすることができる。
本発明の描画装置は、画像を表す画像データに基づいて描画面上に描画点を形成する描画素子が2次元状に配置された描画点形成部を有する描画ヘッドを、描画面に対して所定の走査方向に相対的に移動させるとともに、その移動に応じて描画点を描画面上に順次形成して描画面上に画像を描画する描画装置であって、複数の描画ヘッドが上記走査方向に交差する方向に並べられた描画装置において、複数の描画ヘッドが、各描画ヘッド毎に予め設定された基準描画素子を用いて描画面上に基準点を形成するものであり、各描画ヘッド毎の基準点が、上記走査方向について同じ位置に並ぶように各描画ヘッドによる描画タイミングを制御する描画ヘッド制御部を備えたことを特徴とする。
また、上記本発明の描画装置においては、各描画ヘッドを、その各描画ヘッドにより描画面に形成される各部分画像の上記交差方向についてのいずれか一方の端部に基準点を形成するものとすることができる。
また、互いに隣接する描画ヘッドのうちの一方の描画ヘッドにより形成される部分画像の基準点が形成される端部に、他方の描画ヘッドにより形成される部分画像の基準点が形成されない方の上記交差方向についての端部が繋がるように、補正を施す走査方向補正手段を備えるようにすることができる。
また、走査方向補正手段を、各描画ヘッドに入力される部分画像データに回転処理を施すものとすることができる。
また、基準画素により形成される描画点の画像が、予め設定された上記走査方向に交差する方向についての所定の位置に描画すべきものとなるように各描画ヘッドに入力される画像データに補正を施す描画点位置補正手段をさらに備えるようにすることができる。
また、互いに隣接する描画ヘッドにより描画面に形成される各部分画像が上記走査方向に交差する方向について繋がるように、各描画ヘッドに入力される部分画像データに補正を施す交差方向補正手段を備えるようにすることができる。
また、交差方向補正手段を、各描画ヘッドに入力される部分画像データに補間または間引き処理を施すものとすることができる。
また、描画面をN重描画(Nは2以上の自然数)するものとすることができる。
本発明の描画方法および装置によれば、各描画ヘッド毎に予め設定された基準描画素子を用いて描画面上に各描画ヘッド毎の基準点を形成するとともに、各描画ヘッド毎の基準点が上記走査方向について同じ位置に並ぶように各描画ヘッドによる描画タイミングを制御するようにしたので、各描画ヘッドの座標系を一致させることができ、上記のようなずれを生じることなく適切な画像を描画することができる。
以下、図面により、本発明の描画装置の1つの実施形態である露光装置について、詳細に説明する。
本実施形態に係る露光装置10は、図1に示すように、シート状の感光材料12を表面に吸着して保持する平板状の移動ステージ14を備えている。4本の脚部16に支持された厚い板状の設置台18の上面には、ステージ移動方向に沿って延びた2本のガイド20が設置されている。ステージ14は、その長手方向がステージ移動方向を向くように配置されると共に、ガイド20によって往復移動可能に支持されている。なお、この露光装置10には、移動手段としてのステージ14をガイド20に沿って駆動するステージ駆動装置(図示せず)が設けられている。
設置台18の中央部には、ステージ14の移動経路を跨ぐようにコの字状のゲート22が設けられている。コの字状のゲート22の端部の各々は、設置台18の両側面に固定されている。このゲート22を挟んで一方の側にはスキャナ24が設けられ、他方の側には感光材料12の先端および後端を検知する複数(たとえば2個)のセンサ26が設けられている。スキャナ24およびセンサ26はゲート22に各々取り付けられて、ステージ14の移動経路の上方に固定配置されている。なお、スキャナ24およびセンサ26は、これらを制御する図示しないコントローラに接続されている。ここで、説明のため、ステージ14の表面と平行な平面内に、図1に示すように、互いに直交するX軸およびY軸を規定する。
ステージ14の走査方向に沿って上流側(以下、単に「上流側」ということがある。)の端縁部には、X軸の方向に向かって開く「く」の字型に形成されたスリット28が、等間隔で9本形成されている。各スリット28は、上流側に位置するスリット28aと下流側に位置するスリット28bとからなっている。スリット28aとスリット28bとは互いに直交するとともに、X軸に対してスリット28aは−45度、スリット28bは+45度の角度を有している。ステージ14内部の各スリット28の下方の位置には、それぞれ単一セル型の光検出器(図示せず)が組み込まれている。各光検出器は、後述する使用画素選択処理を行う演算装置(図示せず)に接続されている。
スキャナ24は、図2および図3(B)に示すように、2行5列の略マトリックス状に配列された10個の露光ヘッド30を備えている。なお、以下において、m行目のn列目に配列された個々の露光ヘッドを示す場合は、露光ヘッド30mnと表記する。
各露光ヘッド30は、後述する内部のデジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)36の画素列方向が走査方向と所定の設定傾斜角度θをなすように、スキャナ24に取り付けられている。したがって、各露光ヘッド30による露光エリア32は、走査方向に対して傾斜した矩形状のエリアとなる。ステージ14の移動に伴い、感光材料12の露光面上には露光ヘッド30ごとに帯状の露光済み領域34が形成される。なお、以下において、m行目のn列目に配列された個々の露光ヘッドによる露光エリアを示す場合は、露光エリア32mnと表記する。
また、図3の(A)および(B)に示すように、各露光ヘッド30は、帯状の露光済み領域34のそれぞれが、隣接する露光済み領域34と部分的に重なるように配置されている。このため、たとえば1行目の露光エリア3211と露光エリア3212との間の露光できない部分は、2行目の露光エリア3221により露光することができる。
なお、上記の9個のスリット28の位置は、隣接する露光済み領域34間の重複部分の中心位置と略一致させられている。また、各スリット28の大きさは、露光済み領域34間の重複部分の幅を十分覆う大きさとされている。
露光ヘッド30の各々は、図4および図5に示すように、入射された光を画像データに応じて各画素部ごとに変調する空間光変調素子として、米国テキサス・インスツルメンツ社製のDMD36を備えている。このDMD36は、データ処理部とミラー駆動制御部とを備えたコントローラに接続されている。このコントローラのデータ処理部では、入力された画像データに基づいて、各露光ヘッド30ごとに、DMD36上の使用領域内の各マイクロミラーを駆動制御する制御信号を生成する。また、ミラー駆動制御部では、画像データ処理部で生成した制御信号に基づいて、各露光ヘッド30ごとにDMD36の各マイクロミラーの反射面の角度を制御する。
図4に示すように、DMD36の光入射側には、光ファイバの出射端部(発光点)が露光エリア32の長辺方向と一致する方向に沿って一列に配列されたレーザ出射部を備えたファイバアレイ光源38、ファイバアレイ光源38から出射されたレーザ光を補正してDMD上に集光させるレンズ系40、このレンズ系40を透過したレーザ光をDMD36に向けて反射するミラー42がこの順に配置されている。なお図4では、レンズ系40を概略的に示してある。
上記レンズ系40は、図5に詳しく示すように、ファイバアレイ光源38から出射されたレーザ光を平行光化する1対の組合せレンズ44、平行光化されたレーザ光の光量分布が均一になるように補正する1対の組合せレンズ46、および光量分布が補正されたレーザ光をDMD36上に集光する集光レンズ48で構成されている。
また、DMD36の光反射側には、DMD36で反射されたレーザ光を感光材料12の露光面上に結像するレンズ系50が配置されている。レンズ系50は、DMD36と感光材料12の露光面とが共役な関係となるように配置された、2枚のレンズ52および54からなる。
本実施形態では、ファイバアレイ光源38から出射されたレーザ光は、実質的に5倍に拡大された後、DMD36上の各マイクロミラーからの光線が上記のレンズ系50によって約5μmに絞られるように設定されている。
DMD36は図6に示すように、SRAMセル(メモリセル)56上に、各々画素(ピクセル)を構成する多数のマイクロミラー58が格子状に配列されてなるミラーデバイスである。本実施形態では、1024列×768行のマイクロミラー58が配されてなるDMD36を使用するが、このうちDMD36に接続されたコントローラにより駆動可能すなわち使用可能なマイクロミラー58は、1024列×256行のみであるとする。DMD36のデータ処理速度には限界があり、使用するマイクロミラー数に比例して1ライン当りの変調速度が決定されるので、このように一部のマイクロミラーのみを使用することにより1ライン当りの変調速度が速くなる。各マイクロミラー58は支柱に支えられており、その表面にはアルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。なお、本実施形態では、各マイクロミラー58の反射率は90%以上であり、その配列ピッチは縦方向、横方向ともに13.7μmである。SRAMセル56は、ヒンジおよびヨークを含む支柱を介して通常の半導体メモリの製造ラインで製造されるシリコンゲートのCMOSのものであり、全体はモノリシック(一体型)に構成されている。
DMD36のSRAMセル56に、所望の2次元パターンを構成する各点の濃度を2値で表した画像信号が書き込まれると、支柱に支えられた各マイクロミラー58が、対角線を中心としてDMD36が配置された基板側に対して±α度(たとえば±10度)のいずれかに傾く。図7の(A)は、マイクロミラー58がオン状態である+α度に傾いた状態を示し、図7の(B)は、マイクロミラー58がオフ状態である−α度に傾いた状態を示す。したがって、画像信号に応じて、DMD36の各ピクセルにおけるマイクロミラー58の傾きを、図6に示すように制御することによって、DMD36に入射したレーザ光Bはそれぞれのマイクロミラー58の傾き方向へ反射される。
なお図6には、DMD36の一部を拡大し、各マイクロミラー58が+α度または−α度に制御されている状態の一例を示す。それぞれのマイクロミラー58のオンオフ制御は、DMD36に接続されたコントローラによって行われる。また、オフ状態のマイクロミラー58で反射したレーザ光Bが進行する方向には、光吸収体(図示せず)が配置されている。
ファイバアレイ光源38は、図8に示すように、複数(たとえば14個)のレーザモジュール60を備えており、各レーザモジュール60には、マルチモード光ファイバ62の一端が結合されている。マルチモード光ファイバ62の他端には、マルチモード光ファイバ62より小さいクラッド径を有するマルチモード光ファイバ64が結合されている。図9に詳しく示すように、マルチモード光ファイバ64のマルチモード光ファイバ62と反対側の端部は走査方向と直交する方向に沿って7個並べられ、それが2列に配列されてレーザ出射部66が構成されている。
マルチモード光ファイバ64の端部で構成されるレーザ出射部66は、図9に示すように、表面が平坦な2枚の支持板68に挟み込まれて固定されている。また、マルチモード光ファイバ64の光出射端面には、その保護のために、ガラス等の透明な保護板が配置されるのが望ましい。マルチモード光ファイバ64の光出射端面は、光密度が高いため集塵しやすく劣化しやすいが、上述のような保護板を配置することにより、端面への塵埃の付着を防止し、また劣化を遅らせることができる。
以下、図10から13を用いて、本実施形態の露光装置10における使用画素指定処理の例について説明する。
本実施形態では、露光装置10により2重露光処理を行うこととし、各露光ヘッド30すなわち各DMD36の設定傾斜角度としては、露光ヘッド30の取付角度誤差等がない理想的な状態であれば、使用可能な1024列×256行のマイクロミラー58を使用してちょうど2重露光となる角度θidealを採用するものとする。この角度θidealは、N重露光の数N、使用可能なマイクロミラー58の各画素列をなすマイクロミラー58の個数s、使用可能なマイクロミラー58の画素列方向の画素ピッチp、および走査方向と直交する方向に沿った使用可能なマイクロミラー58の画素列ピッチδに対し、
Figure 2006337614
により与えられる。本実施形態におけるDMD36は、上記のとおり、縦横の配置ピッチが等しい多数のマイクロミラー58が矩形格子状に配されたものであるので、
Figure 2006337614
であり、上記の式(1)は、
Figure 2006337614
となる。本実施形態では、上記のとおりs=256、N=2であるので、式(3)より、角度θidealは約0.45度である。露光装置10は、各露光ヘッド30すなわち各DMD36の取付角度がこの角度θidealとなるように、初期調整されているものとする。
図10は、上記のように初期調整された露光装置10において、2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)のX軸方向に関する相対位置の、理想的な状態からのずれの影響により、露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。このX軸方向に関する相対位置のずれは、露光ヘッド間の相対位置の微調整が困難であるために生じ得るものである。
以下の図面および説明においては、露光面上における各露光エリア32中の第m番目の光点行をr(m)、露光面上における第n番目の光点列をc(n)、第m行第n列の光点をP(m,n)とそれぞれ表記するものとする。図10の上段部分は、ステージ14を静止させた状態で感光材料12の露光面上に投影される、露光ヘッド3012と3021が有するDMD36の使用可能なマイクロミラー58からの光点群のパターンを示した図である。図10の下段部分は、上段部分に示したような光点群のパターンが現れている状態でステージ14を移動させて連続露光を行った際に、露光面上に形成される露光パターンの状態を、露光エリア3212と3221のヘッド間つなぎ領域およびその周辺部について示したものである。なお、図10では、説明の便宜のため、使用可能なマイクロミラー58の1本おきの画素列からなる画素列群Aによる露光パターンと、残りの画素列からなる画素列群Bによる露光パターンを分けて示してあるが、実際の露光面上における露光パターンは、これら2つの露光パターンを重ね合わせたものである。
図10の例では、上記したX軸方向に関する露光ヘッド3012と3021の間の相対位置の、理想的な状態からのずれの結果として、画素列群Aによる露光パターンと画素列群Bによる露光パターンとの双方で、露光エリア3212と3221のヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重露光の状態よりも露光が冗長な部分が生じてしまっている。
上記のような露光面上のヘッド間つなぎ領域に現れるむらを軽減するために、本実施形態では、上述のスリット28および光検出器の組を用いて、露光ヘッド3012と3021からの光点群のうち、描画面上においてヘッド間つなぎ領域を構成する光点のいくつかについて、その描画面上における位置を検出する。その位置検出結果に基づいて、光検出器に接続された演算装置において、露光ヘッド3012と3021のヘッド間つなぎ領域を構成する光点に対応するマイクロミラーのうち、実際に本露光処理に使用するマイクロミラーを選択する、つなぎ領域使用画素の選択処理を行う。
まず、図11および12を用いて、スリット28および光検出器の組を用いた光点の位置検出手法について説明する。図11は、図10と同様の露光エリア3212および3221と、対応するスリット28との位置関係を示した上面図である。すでに述べたように、スリット28の大きさは、露光ヘッド3012と3021による露光済み領域34間の重複部分の幅を十分覆う大きさ、すなわちヘッドつなぎ領域を十分覆う大きさとされている。
図12は、一例として露光エリア3221の光点P(256,1024)の位置を検出する際の検出手法を説明した上面図である。まず、P(256,1024)を点灯させた状態で、ステージ14をゆっくり移動させてスリット28をY軸方向に沿って相対移動させ、光点P(256,1024)が上流側のスリット28aと下流側のスリット28bの間に来るような任意の位置に、スリット28を位置させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標を(X0,Y0)とする。この座標(X0,Y0)の値は、ステージ14に与えられた駆動信号が示す上記の位置までのステージ14の移動距離、および、既知であるスリット28のX軸方向位置から決定され、記録される。
次に、ステージ14を移動させ、スリット28をY軸に沿って図12における右方に相対移動させる。そして、図12において二点鎖線で示すように、光点P(256,1024)の光が左側のスリット28bを通過して光検出器で検出されたところでステージ14を停止させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標を(X0,Y1)として記録する。
今度はステージ14を反対方向に移動させ、スリット28をY軸に沿って図12における左方に相対移動させる。そして、図12において二点鎖線で示すように、光点P(256,1024)の光が右側のスリット28aを通過して光検出器で検出されたところでステージ14を停止させる。このときのスリット28aとスリット28bとの交点の座標を(X0,Y2)として記録する。
以上の測定結果から、光点P(256,1024)の座標(X,Y)を、X=X0+(Y1−Y2)/2、Y=(Y1+Y2)/2の計算により決定する。
つなぎ領域使用画素の選択に際しては、図10の例では、まず、露光エリア3212の光点P(256,1)の位置を、上記のスリット28と光検出器の組により検出する。続いて、露光エリア3221の光点行r(256)上の光点の位置を、光点P(256,1024)、P(256,1023)・・・と順番に検出していき、露光エリア3212の光点P(256,1)よりも大きいX座標を示す光点P(256,n)が検出されたところで、検出動作を終了する。そして、露光エリア3221の光点列c(n+1)からc(1024)を構成する光点に対応するマイクロミラーを、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定する。たとえば、図10の例において露光エリア3221の光点P(256,1020)が露光エリア3212の光点P(256,1)よりも大きいX座標を示し、その露光エリア3221の光点P(256,1020)が検出されたところで検出動作が終了したとすると、図13において斜線で覆われた部分70に相当する、露光エリア3221の光点列c(1021)からc(1024)を構成する光点に対応するマイクロミラーが、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定される。
次に、N重露光の数Nに対して、露光エリア3212の光点P(256,N)の位置が検出される。本実施形態ではN=2であるので、光点P(256,2)の位置が検出される。続いて、露光エリア3221の光点列のうち、上記で本露光に使用しないマイクロミラーに対応する光点列として特定されたものを除く最も右側の光点列c(1020)を構成する光点の位置を、光点P(1,1020)から順番にP(1,1020)、P(2,1020)・・・と検出していき、露光エリア3212の光点P(256,2)よりも大きいX座標を示す光点P(m,1020)が検出されたところで、検出動作を終了する。その後、光検出器に接続された演算装置において露光エリア3212の光点P(256,2)のX座標と、露光エリア3221の光点P(m,1020)およびP(m−1,1020)のX座標とが比較され、露光エリア3221の光点P(m,1020)のX座標の方が露光エリア3212の光点P(256,2)のX座標に近い場合は、露光エリア3221の光点P(1,1020)からP(m−1,1020)に対応するマイクロミラーが、露光エリア3221の光点P(m−1,1020)のX座標の方が露光エリア3212の光点P(256,2)のX座標に近い場合は、露光エリア3221の光点P(1,1020)からP(m−2,1020)に対応するマイクロミラーが、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定される。露光エリア3212の光点P(256,N−1)すなわちP(256,1)の位置と、露光エリア3221の次の光点列c(1019)を構成する各光点の位置についても、同様の検出処理およびマイクロミラーの選択処理が行われる。その結果、たとえば、図13において網掛けで覆われた部分72を構成する光点に対応するマイクロミラーが、本露光に使用しないマイクロミラーとして追加特定される。これらの本露光に使用しないものとして特定されたマイクロミラーには、常時、そのマイクロミラーの角度をオフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に本露光に使用されない。
以上のようにして本露光に使用しないマイクロミラーを選択すれば、露光エリア3212と3221のヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重露光に対して露光が冗長となる部分および理想的な2重露光に対して露光が不足となる部分の合計を最小とすることができ、図13の下段に示すように、理想的状態に極めて近い均一な2重露光を実現することができる。
なお、上記の例においては、図13において網掛けで覆われた部分72を構成する光点の特定に際し、露光エリア3212の光点P(256,2)のX座標と、露光エリア3221の光点P(m,1020)およびP(m−1,1020)のX座標との比較を行わずに、ただちに、露光エリア3221の光点P(1,1020)からP(m−2,1020)に対応するマイクロミラーを、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定することとしてもよい。その場合、ヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重露光に対して露光が冗長となる部分が最小になり、かつ、理想的な2重露光に対して露光が不足となる部分が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。あるいは、露光エリア3221の光点P(1,1020)からP(m−1,1020)に対応するマイクロミラーを、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定することとしてもよい。その場合、ヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重露光に対して露光が不足となる部分が最小になり、かつ、理想的な2重露光に対して露光が冗長となる部分が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。あるいは、露光面上のヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重描画に対して露光が冗長となる部分の光点数と、理想的な2重描画に対して露光が不足となる部分の光点数とが等しくなるように、実際に使用するマイクロミラーを選択することとしてもよい。
続いて、上記に説明した本実施形態の露光装置10の変更例における画素指定処理の例を、図14および15を用いて説明する。この例は、図10から13を用いて説明した画素指定処理の例において考慮された、露光ヘッド3212と3221の間の平行な相対位置のずれに加えて、各露光ヘッド3212および3221の取付角度誤差ならびに露光ヘッド3212と3221の間の相対取付角度のずれも考慮し、それらの影響を最小限に抑えて、露光面上における解像性や濃度のむらをさらに軽減する処理の例である。
この変更例では、露光装置10は、上記の実施形態と同様、2重露光処理を行うものであるが、各露光ヘッド30すなわち各DMD36の設定傾斜角度としては、上記の式(1)を満たす理想的な角度θidealよりも若干大きい角度、たとえば0.50度程度の角度θを採用する。これは、各露光ヘッド30の取付角度の微調整は困難であるが、取付角度に多少の誤差が生じても、各露光ヘッド30の実際の取付角度が理想的な角度θidealを下回らないようにするためである。露光装置10は、調整可能な範囲内で、各露光ヘッド30すなわち各DMD36の取付角度がこの設定傾斜角度θに近い角度となるように、初期調整されているものとする。
図14は、上記のように初期調整された露光装置10において、2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)のX軸方向に関する相対位置のずれ、ならびに各露光ヘッド3012と3021の取付角度誤差および相対的な角度ずれの影響により、露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。
図14の例では、図10の例と同様の、X軸方向に関する露光ヘッド3012と3021の相対位置のずれの結果として、画素列群Aによる露光パターンと画素列群Bによる露光パターンとの双方で、露光エリア3212と3221のヘッド間つなぎ領域において、理想的な2重露光の状態よりも露光が冗長な部分74が生じ、これが濃度むらを引き起こしている。加えて、図14の例では、各露光ヘッドの設定傾斜角度θを上記の式(1)を満たす角度θidealよりも若干大きくしたこと、および、各露光ヘッドの取付角度の微調整が困難であるために、実際の取付角度が上記の設定傾斜角度θからもわずかにずれてしまったことの結果として、露光面上のヘッド間つなぎ領域以外の領域でも、画素列群Aによる露光パターンと画素列群Bによる露光パターンの双方で、各画素列の端部に対応する部分すなわち画素列間のつなぎの部分において、理想的な2重露光の状態よりも露光が冗長な部分76が生じ、これがさらなる濃度むらを引き起こしている。
この変更例では、まず、上記の各露光ヘッド3012と3021の取付角度誤差および相対取付角度のずれの影響による濃度むらを軽減するための使用画素選択処理を行う。具体的には、上述のスリット28および光検出器の組を用いて、露光ヘッド3012と3021のそれぞれについて、露光面上に投影された画素列の実傾斜角度θ’を特定し、光検出器に接続された演算装置において、その実傾斜角度θ’に基づいて実際に本露光処理に使用するマイクロミラーを選択する。実傾斜角度θ’の特定は、たとえば、露光ヘッド3012については図14の露光エリア3212内の光点P(1,1)とP(256,1)の位置を、露光ヘッド3021については露光エリア3221内の光点P(1,1024)とP(256,1024)の位置を、それぞれ上記のスリット28と光検出器の組により検出し、それらの光点を結ぶ直線の傾斜角度を、演算装置において計算することにより行われる。
そのようにして特定された実傾斜角度θ’を用いて、光検出器に接続された演算装置は、
Figure 2006337614
の関係を満たす値tに最も近い自然数Tを、露光ヘッド3012と3021のそれぞれについて導出し、DMD36上の(T+1)行目から256行目のマイクロミラーを、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定する処理を行う。たとえば、露光ヘッド3012についてはT=254、露光ヘッド3021についてはT=255が導出されたとすると、図15において斜線で覆われた部分78および80を構成する光点に対応するマイクロミラーが、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定される。これにより、露光エリア3212と3221のヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な2重露光に対して露光が冗長となる部分および理想的な2重露光に対して露光が不足となる部分の合計が最小となるようになすことができる。
ここで、上記の値tに最も近い自然数を導出することに代えて、値t以上の最小の自然数を導出することとしてもよい。その場合、露光エリア3212と3221のヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な2重露光に対して露光が冗長となる部分が最小になり、かつ、理想的な2重露光に対して露光が不足となる部分が生じないようになすことができる。あるいは、値t以下の最大の自然数を導出することとしてもよい。その場合、露光エリア3212と3221のヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な2重露光に対して露光が不足となる部分が最小になり、かつ、理想的な2重露光に対して露光が冗長となる部分が生じないようになすことができる。ヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な2重描画に対して露光が冗長となる部分の光点数と、理想的な2重描画に対して露光が不足となる部分の光点数とが等しくなるように、本露光に使用しないマイクロミラーを特定することとしてもよい。
その後、図15において斜線で覆われた部分78および80を構成する光点以外の光点に対応するマイクロミラーに関して、図10から13を用いて説明した上記の使用画素選択処理と同様の処理がなされ、図15において斜線で覆われた部分82および網掛けで覆われた部分84を構成する光点に対応するマイクロミラーが、本露光に使用しないマイクロミラーとして追加特定される。これらの本露光に使用しないものとして特定されたマイクロミラーには、常時、そのマイクロミラーの角度をオフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に本露光に使用されない。
上記の変更例によれば、ヘッド間つなぎ領域とそれ以外の領域を含む描画面の全体に亘って解像性や濃度のむらを軽減した、均一な2重露光を行うことができる。
以上、本発明の描画装置の1つの実施形態およびその変更例について詳細に説明したが、上記は例示に過ぎず、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変更が可能である。
たとえば、上記の実施形態および変更例では、露光面上の光点の位置を検出するための手段として、スリット28と単一セル型の光検出器の組を用いたが、これに限られずいかなる形態のものを用いてもよく、たとえば2次元検出器等を用いてもよい。
また、上記の実施形態および変更例では、スリット28と光検出器の組による光点の位置検出結果に基づいて、光検出器に接続された演算装置により、本露光に実際に使用するマイクロミラーを選択する形態としたが、たとえばすべての使用可能なマイクロミラーを用いた参照露光を行い、参照露光結果の目視による解像性や濃度のむらの確認等により、操作者が使用するマイクロミラーを手動で指定する形態も、本発明の範囲に含まれるものである。
さらに、上記の実施形態の別の変更例として、各露光ヘッド30のDMD36が有する使用可能なマイクロミラーのうち、(N−1)本おきの画素列を構成するマイクロミラー、または全画素行数の1/N本に相当する互いに隣接する画素行の群を構成するマイクロミラーのみを使用して、参照露光を行い、ヘッド間つなぎ領域を構成する光点に対応するマイクロミラーのうち参照露光に使用されたものの中から、理想的な1重露光に近い状態を実現できるように、本露光に使用しないマイクロミラーを特定することとしてもよい。
図16は、(N−1)本おきの画素列を構成するマイクロミラーのみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。この例では、本露光は2重露光とするものとし、したがってN=2である。まず、図16に実線で示した、X軸方向に関して隣接する2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)の奇数列目の光点列に対応するマイクロミラーのみを使用して、参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。出力された参照露光結果に対し、操作者は、目視により解像性や濃度のむらを確認したり、実傾斜角度を推定したりすることで、ヘッド間つなぎ領域において解像性や濃度のむらを最小限に抑えた本露光が実現できるように、本露光において使用するマイクロミラーを指定することができる。たとえば、図16に斜線で覆って示す部分86および網掛けで示す部分88内の光点列に対応するもの以外のマイクロミラーが、奇数列目の画素列を構成するマイクロミラーのうち本露光において実際に使用されるものとして指定され得る。偶数列目の画素列については、別途同様に参照露光を行って、本露光に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、奇数列目の画素列に対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。このようにして本露光に使用するマイクロミラーを指定することにより、奇数列目および偶数列目の双方のマイクロミラー列を使用した本露光では、ヘッド間つなぎ領域において理想的な2重露光に近い状態が実現できる。なお、参照露光結果の分析は、操作者の目視によるものに限らず、機械的な分析であってもよい。なお、図16での説明は、露光ヘッド3012と露光ヘッド3021の関係が、図16に示したように露光ヘッド3012の奇数列と露光ヘッド3021の奇数列が連続する関係にあるので、両方の露光ヘッドについて奇数列の間引き参照露光としたが、これに限らず、一方の露光ヘッドについては偶数列の間引き参照露光とし、他方の露光ヘッドについては奇数列の間引き参照露光とするようにしてもよい。
図17は、X軸方向に関して隣接する2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)について、それぞれ全画素行数の1/N本に相当する互いに隣接する画素行の群を構成するマイクロミラーのみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。この例では、本露光は2重露光とするものとし、したがってN=2である。まず、図17に実線で示した1行目から128(=256/2)行目の光点に対応するマイクロミラーのみを使用して、参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。出力された参照露光結果に対し、操作者は、目視により解像性や濃度のむらを確認したり、実傾斜角度を推定したりすることで、ヘッド間つなぎ領域において解像性や濃度のむらを最小限に抑えた本露光が実現できるように、本露光において使用するマイクロミラーを指定することができる。たとえば、図17に斜線で覆って示す部分90および網掛けで示す部分92内の光点列に対応するもの以外のマイクロミラーが、1行目から128行目のマイクロミラーのうち本露光において実際に使用されるものとして指定され得る。129行目から256行目のマイクロミラーについては、別途同様に参照露光を行って、本露光に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、1行目から128行目のマイクロミラーに対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。このようにして本露光に使用するマイクロミラーを指定することにより、全体のマイクロミラーを使用した本露光では、ヘッド間つなぎ領域において理想的な2重露光に近い状態が実現できる。なお、参照露光結果の分析は、操作者の目視によるものに限らず、機械的な分析であってもよい。
以上の実施形態および変更例は、いずれも本露光を2重露光とする場合について説明したが、これに限られず、1重露光以上のいかなるN重露光としてもよい。ただし、描画面上に残留する2次元パターンの解像性や濃度のむらを、埋め合わせの効果によりさらに軽減するためには、2重露光以上の多重露光とすることが好ましい。特に3重露光から7重露光程度とすることにより、高い解像性の確保と、解像性および濃度のむらの軽減の効果のバランスがよい露光とすることができる。
また、上記の実施形態および変更例に係る露光装置において、ヘッド間つなぎ領域における使用画素の選択は、上記の図13の例のように、そのヘッド間つなぎ領域に関与する2つの露光ヘッドのうち一方の露光ヘッドにおいてのみ、いくつかの画素を不使用とする形態でもよいし、双方の露光ヘッドが不使用画素を分担するような形態であってもよい。
ここで、上記のような露光装置において、参照露光結果に基づいて、使用するマイクロミラーを指定する方法についての一例を説明する。
具体的には、2つの露光ヘッド(一例として露光ヘッド3012と3021)のX軸方向に関する相対位置の、理想的な状態からのずれ量を計測し、その計測したずれ量に基づいて使用するマイクロミラーを指定する。まずは、上記ずれ量を計測する方法について説明する。
上記ずれ量を計測する際には、たとえば、図16で説明したように、露光ヘッド3012および露光ヘッド3021の(N−1)本おきの画素列を構成するマイクロミラーのみを使用して、X軸方向に延びる直線を露光する。つまり、露光ヘッド3012および露光ヘッド3021の各画素列を構成するマイクロミラーにより露光される露光点がX軸方向に並ぶように露光を行う。なお、上記のような(N−1)本おきの画素列を構成するマイクロミラーのみを使用する露光方法を以下「間引き参照露光」という。
そして、上記のようにX軸方向に延びる直線を露光する際、露光ヘッド3021については、所定の画素数(以下「所定のスキマ画像」という。)に対応したマイクロミラーを使用しないようにして露光を行う。
図18に、上記のようにして露光したX軸方向に延びる直線の一部を示す。なお、図18においては、露光ヘッド3021と露光ヘッド3012とで重複または不足して露光される可能性があると想定される領域近傍の直線を示している。そして、図18における直線L21が露光ヘッド3021より露光される直線であり、直線L12が露光ヘッド3012により露光される直線であり、直線Leが所定のスキマ画像に対応したマイクロミラーにより露光されるべき直線を示している(実際には露光されないので以下「間隔Le」という)。
そして、上記のように所定のスキマ画像に対応したマイクロミラーを使用せずに露光を行うとともに、露光ヘッド3012または露光ヘッド3021によって、図19に示すような、リファレンススケールLsを露光する。リファレンススケールLsとは、図19に示すように、露光ヘッド3012または露光ヘッド3021の画素列を構成するマイクロミラーにより露光されるX軸方向に延びる直線であって、n個、n+1個、n+2個、n+3個、n−1個、n−2個およびn−3個の露光点(画素数)に対応する間隔L(n)、L(n+1)、L(n+2)、L(n+3)、L(n−1)、L(n−2)およびL(n−3)を、所定数の露光点毎にX軸方向に並べた直線である。なお、リファレンススケールLsは、露光ヘッド3012または露光ヘッド3021のどちらで露光してもよく、両方の露光ヘッドで露光するようにしてもよい。また、図18に示す直線L21または直線L12の一部にリファレンススケールLsを露光するようにしてもよいし、上記直線L21および直線L12とは別個に露光するようにしてもよい。また、このレファレンススケールLsも間引き参照露光によって露光される。
そして、リファレンススケールLsにおける間隔L(n)の露光点の数nは、所定のスキマ画像に対応したマイクロミラーの数と同じ数に設定されており、間隔Leの長さと間隔Lとを比較することにより上記ずれ量に対応するマイクロミラーの数を計測することができる。
たとえば、間隔Leの長さが間隔L(n)と同じ長さであれば、上記ずれ量は0である。そして、間隔Leの長さが間隔L(n−3)と同じ長さであれば、上記ずれ量に対応するマイクロミラー数は3個である。したがって、露光ヘッド3012の露光領域に対して、露光ヘッド3221の露光領域がマイクロミラー3個分重複していることになる。したがって、上記のような場合には、図16における光点P(m,1019)、光点P(m+1,1019)および光点P(m+2,1019)に対応するマイクロミラーを使用しないようにすればよい。
なお、たとえば、間隔Leの長さが間隔L(n+2)と同じ長さであれば、上記ずれ量に対応するマイクロミラー数は2個である。つまり、画素列におけるマイクロミラー2個分だけ露光ヘッド3012と露光ヘッド3021とが離れていることになる。上記のような場合には、光点P(m−1,1019)、光点P(m−2,1019)を使用するようにすればよい。
なお、間隔Leの長さと間隔Lの長さの比較は目視で行うようにしてもよいし、所定の計測装置により計測するようにしてもよい。
上記のようにして間引き参照露光結果に基づいて、使用するマイクロミラーを指定することができる。
ここで、上記の説明では、露光ヘッド3021および露光ヘッド3012において、使用するマイクロミラーを指定することによって、2つの露光ヘッドのX軸方向についての相対位置のずれの影響による露光パターンのむらをなくす方法について説明したが、上記のように各露光ヘッドにおける使用するマイクロミラーを指定したとしても、たとえば、露光ヘッド3021と露光ヘッド3012による、露光面上への露光タイミングが適切でなければ、露光ヘッド3021により露光される露光パターンと露光ヘッド3012により露光される露光パターンとが、Y軸方向についてずれてしまう。
たとえば、露光ヘッド3021および露光ヘッド3012によって、上記のようにX軸方向に延びる直線L21,直線L12をそれぞれ間引き参照露光した場合を考えると、各露光ヘッドの露光タイミングが適切でなければ、図20(A)に示すように、直線L21と直線L12とがY軸方向にずれてしまう。
したがって、図20(B)に示すように、直線L21と直線L12とがY軸方向にずれることなく接続されるように、露光ヘッド3021および露光ヘッド3012による露光タイミングを制御することが望ましい。
具体的には、たとえば、図20(B)の直線L21の右端の露光点に対応するマイクロミラーと直線L12の左端の露光点の対応するマイクロミラーの位置を、上記スリット28と光検出器の組や2次元検出器等を用いて計測し、これらのマイクロミラーのY軸方向の距離を求め、この距離とステージ14の移動速度に基づいて、直線L21と直線L12とがY軸方向にずれることなく接続されるような、露光ヘッド3021および露光ヘッド3012の露光タイミングを求め、その露光タイミングで露光するようにすればよい。
また、上記のような方法に限らず、予め設定された露光タイミングで露光ヘッド3021および露光ヘッド3012によって実際に直線L21および直線L12を露光し、この露光された直線L21と直線L12のY軸方向へのずれ量を、所定の計測手段によって測定し、そのずれ量に基づいて、上記予め設定された露光タイミングを調整するようにしてもよい。
また、さらに、露光ヘッド3021と露光ヘッド3012とにおいて、図21に示すように、基準となるマイクロミラーr21,r12(以下「基準マイクロミラー」という。)を予め設定しておき、この基準マイクロミラーr21,r12により露光される露光点rp21,rp12が、予め設定された露光面上におけるY軸方向についての基準線RL上に位置するように、露光ヘッド3021および露光ヘッド3012の露光タイミングを調整するようにしてもよい。
また、上記のようにしてY軸方向についてのずれ量を計測する際、マイクロミラーのビームの走査方向がY軸方向に一致しておらず、ずれがある場合には、所定のマイクロミラーでその走査方向に直線を引き、この直線を基準にして各露光ヘッドの基準マイクロミラーによる露光位置の計測を行うことも考えられる。たとえば、走査方向とX軸方向との間の角度が決まっていれば、その走査方向に対してこの角度の仮想線を設定し、この仮想線に対するずれとして、露光位置の計測を行うこともできる。なお、仮想線にパターンの位置および角度を合わせこむように粗調整を行うようにしてもよい。
なお、上記基準マイクロミラーとしては、各露光ヘッドのDMDの同じ位置にあるマイクロミラーが指定されるものとし、たとえば、図21のように、直線L21の左端の露光点に対応するマイクロミラーと直線L12の左端の露光点に対応するマイクロミラーとを指定するようにすればよい。また、基準マイクロミラーr21,r12により露光される露光点rp21,rp12が、予め設定された露光面上におけるY軸方向についての基準線RL上に位置するように露光タイミングを調整する方法としては、たとえば、予め設定された露光タイミングで露光ヘッド3021と露光ヘッド3012によって直線L21および直線L12を露光し、基準線RLと露光点rp21および露光rp12との位置関係を所定の測定手段により測定し、その計測された位置関係とステージ14の移動速度とに基づいて、上記のように露光タイミングを調整するようにすればよい。
また、上記基準線RLは、露光面上において予め設定していてもよいが、たとえば、所定の露光ヘッドの基準マイクロミラーによる光点を通過する、X軸方向に平行な(走査方向に直交する)直線を基準線RLとして設定し、その他の露光ヘッドの基準マイクロミラーのよる光点が、上記基準線RL上に位置するように露光タイミングを調整するようにしてもよい。なお、上記所定の露光ヘッドとしては、たとえば、図3(B)における露光ヘッド3011を指定するようにすればよい。
ここで、上記のようにして基準マイクロミラーに対応する光点が基準線RL上に位置するような露光タイミングで露光ヘッド3021および露光ヘッド3012によって露光するようにしても、たとえば、露光ヘッド3021または露光ヘッド3012のDMDの実傾斜角度が設定傾斜角度からずれている場合には、図22に示すように、直線L21および直線L12がX軸方向に対して平行にならない。つまり、露光ヘッド3021により露光される露光パターンおよび露光ヘッド3012により露光される露光パターンが基準マイクロミラーに対応する光点を中心として回転したものになってしまう。
そこで、上記のような基準マイクロミラーに対応する光点を中心とする回転ずれ量を、各露光ヘッド毎に計測し、各露光ヘッドにより露光される露光パターンを表す露光画像データに対し、上記回転ずれ量に応じた回転処理を施すことによって、露光ヘッド3021により露光される露光パターン(たとえば、直線L21)と露光ヘッド3012により露光される露光パターン(たとえば、直線L12)とが、Y軸方向について繋がるようにしてもよい。なお、上記回転ずれ量は、たとえば、露光ヘッド3021および露光ヘッド3012により、図22に示すような直線L21および直線L12を露光し、その露光した直線L21と直線L12のX軸方向に対する角度を所定の計測手段により計測して取得するようにすればよい。また、ここで回転処理とは、露光パターンを表す画像データを回転してもよいし、露光ヘッドの中の各列(たとえば、1列から1024列まで)毎のタイミングを制御することによって回転された露光パターンを露光するようにしてもよい。
また、上記のように所定の計測手段により角度を実施に計測するのではなく、たとえば、上記のように露光ヘッド3021および露光ヘッド3012の基準マイクロミラーr21,r12に対応する露光点rp21,rp12が、基準線RL上に位置するような露光タイミングで直線L21および直線L12を露光するとともに、この直線L21および直線L12にそれぞれ平行な直線を、Y軸方向についてそれぞれ異なるピッチで多数露光し、この露光パターンに基づいて回転ずれ量を取得するようにしてもよい。具体的には、たとえば、図23に示すように、露光ヘッド3021によって直線L21に平行な直線を45μmピッチで多数露光するとともに、露光ヘッド3012によって直線L12に平行な直線を46μmピッチで多数露光し、露光ヘッド3021により露光される直線の右端の光点とY軸方向についての位置が一致する左端を有する、露光ヘッド3012により露光される直線を求め、その直線が直線L12から何番目の直線かを数え、たとえば、図23に示すように直線L12から3番目の直線である場合には、ノギスの計測原理と同様に、直線L21の右端の光点が基準線RLから3μmずれていると計測するようにすればよい。そして、たとえば、上記ずれを光点rp21を中心とする直線L21の回転角に換算し、その回転角に基づいて上記のように回転処理を露光画像データに施すようにすればよい。
また、上記説明では、露光ヘッド3021および露光ヘッド3012の基準マイクロミラーr21,r12により露光される露光点rp21,rp12が基準線RL上に位置するように露光タイミングに設定した後、露光ヘッド3021により露光される直線L21および露光ヘッド3012により露光される直線L12のX軸方向に対する回転ずれ量を求め、この回転ずれ量に基づいて露光画像データに回転処理を施すようにしたが、上記露光タイミングの設定と、上記回転処理の順序が逆でもよい。具体的には、予め設定された露光タイミングで、図24に示すように、直線L21および直線L12を露光し、この直線L21および直線L12のX軸方向に対する回転ずれ量を計測してその回転ずれ量に応じた回転処理を露光画像データに施した後、再び、図24(B)に示すように、露光ヘッド21および露光ヘッド12によって直線L21および直線L12を露光し、その露光した直線L21および直線l2と基準線RLとのY軸方向についてのずれ量を計測し、そのずれ量に応じて上記予め設定された露光タイミングを調整することによって、基準線RL上に直線L21および直線L12が基準線RL上に位置するようにしてもよい。
また、上記のように回転処理は行わずに、露光タイミングのみを調整して、図25に示すように直線L21の右端と直線L12の左端とをY軸方向について一致させるようにしてもよい。具体的には、予め設定された露光タイミングで直線L21と直線L12とを露光し、その直線L21の右端の露光点のY軸方向についての位置と直線L12の左端の光点のY軸方向についての位置とのずれ量を所定の計測手段により計測し、そのずれ量に基づいて、直線L21の右端の露光点のY軸方向についての位置と直線L12の左端の露光点のY軸方向についての位置が一致するように露光ヘッド3021と露光ヘッド3012の露光タイミングを調整するようにすればよい。さらに、露光ヘッド3022の露光タイミングについては、露光ヘッド3022により露光される直線L22の左端の露光点のY軸方向についての位置と直線L12の右端の露光点のY軸方向についての位置とが一致するように調整するようにすればよい。なお、上記のようにして各露光ヘッドによる露光パターンを繋いでいく場合には、少なくとも1つの露光ヘッドについて、その基準マイクロミラーによる露光点が基準線RL上に位置するような露光タイミングで露光することが望ましい。図25では、露光ヘッド3021の基準マイクロミラーによる露光点が基準線RL上に位置するようにしている。
また、上記のように露光タイミングの調整は行わずに、回転処理のみを行って、図26に示すように直線L21の右端と直線L12の左端とをY軸方向について一致させるようにしてもよい。具体的には、予め設定された露光タイミングで直線L21と直線L12とを露光し、その直線L21の右端の露光点のY軸方向についての位置と直線L12の左端の露光点のY軸方向についての位置とのずれ量を、所定の計測手段や、図23に示した複数の直線パターンなどを利用して計測し、そのずれ量に基づいて、直線L21の右端の露光点のY軸方向についての位置と直線L12の左端の露光点のY軸方向についての位置が一致するように直線L12を表す露光画像データに回転処理を施し、その回転処理の施された露光画像データに基づいて露光ヘッド3012により直線L12を露光するようにすればよい。さらに、露光ヘッド3022の露光画像データについては、露光ヘッド3022により露光される直線L22の左端の露光点のY軸方向についての位置と直線L12の右端の露光点のY軸方向についての位置とが一致するように回転処理を施すようにすればよい。なお、上記のようにして各露光ヘッドによる露光パターンを繋いでいく場合においても、少なくとも1つの露光ヘッドについて、その基準マイクロミラーによる露光点が基準線RL上に位置するような露光タイミングで露光することが望ましい。図26では、露光ヘッド3021の基準マイクロミラーによる露光点が基準線RL上に位置するようにしている。
また、露光ヘッドの所定のマイクロミラーにより走査方向に沿った走査方向基準線を露光し、かつ、各露光ヘッド毎に所定の方向の線を露光し、その走査方向基準線を基準にして各露光ヘッドが露光した線の上記所定の方向が正しくそろうように回転処理を施すようにしてもよい。
ここで、上記のようにして各露光ヘッドにおいて使用するマイクロミラーを指定し、そのマイクロミラーによって露光を行う際には、所望の露光画像データに応じた露光点が所望のX軸方向についての露光位置に露光されるように、各マイクロミラーに露光画像データが割り当てられる。具体的には、たとえば、図27(A)に示すように、露光画像データ1に応じた露光点1がX=0の位置に露光されるようにマイクロミラー1に露光画像データが割り当てられる。
しかしながら、上記のようにして露光画像データを割り当てたとしても、たとえば、露光ヘッドにおける光学系の設置位置のずれや特性などによって、実際には図27(B)に示すように、露光点1がX=0ではなくX=1の位置に露光され、その他の露光点についても図27(B)に示すようにX軸方向にずれる場合があり、感光材料12の所望の位置に所望の露光パターンを露光することができない。
そこで、たとえば、図27(C)に示すように、露光画像データをX軸方向にシフトして各マイクロミラーに割り当てることによって、各露光点を所望の位置に露光するようにしてもよい。なお、図27(C)において露光画像データ1が割り当てられるマイクロミラーが示されていないが、たとえば、マイクロミラー1が所定の露光ヘッドの一番端の光点を露光するマイクロミラーである場合には、露光画像データ1は隣接する露光ヘッドのマイクロミラーに割り当てるようにすればよい。また、X軸方向にシフトした露光画像データを各マイクロミラーに割り当てる方法としては、露光画像データ自体に画像処理としてのシフト処理を施した後、そのシフト処理後の露光画像データを各マイクロミラーに割り当てるようにしてもよいし、メモリなどに記憶された露光画像データを読み出す際のアドレスをシフトして設定し、そのシフトされたアドレスに応じて露光画像データをメモリから読み出し、各マイクロミラーに割り当てるようにしてもよい。
また、上記のようにX軸方向にシフトした露光画像データを各マイクロミラーに割り当てる際、そのシフト量については、たとえば、図21で説明したように直線L21を露光し、基準マイクロミラーr21により露光される露光点rp21のX軸方向についてのずれ量を所定の計測手段により計測し、そのずれ量に基づいて、露光画像データにシフト処理を施したり、メモリからの読出アドレスを加減算したりすればよい。
ここで、各露光ヘッドのマイクロミラーに露光画像データを割り当てる際には、たとえば、図28(A)に示すように、X軸方向の0〜9の範囲にマイクロミラー1〜10までの露光点が露光されるという前提のもとに、各マイクロミラーに対し露光画像データが割り当てられるが、たとえば、露光ヘッドにおける光学系の倍率が設計値よりも小さい場合には、図28(B)に示すように、X軸方向の0〜9の範囲をマイクロミラー1〜12の露光点で露光することになる。このような場合に、上記のような前提で露光画像データを割り当てると、図28(B)に示すように、露光パターンが所望の露光パターンよりも縮小されてしまい、露光パターンが歪むとともに、露光ヘッド間で露光パターンが適切に繋がらなくなってしまう。なお、図28(B)のマイクロミラー11,12には、隣接する露光ヘッドのマイクロミラーに割り当てられる露光画像データが割り当てられることになる。
そこで、上記のような露光ヘッドの光学系の倍率ずれ量に応じて、たとえば、図28(c)に示すように、露光画像データを補間することによってX軸方向の0〜9の範囲に所望の露光パターンを露光するようにしてもよい。なお、図28(c)の矢印で示す露光画像データが補間された露光画像データである。
また、上記説明では、露光ヘッドの光学系の倍率が設計値よりも小さい場合の処理について説明したが、逆に露光ヘッドの光学系の倍率が設計値よりも大きい場合には、その倍率ずれ量に応じた数だけ露光画像データを間引いて各マイクロミラーに割り当てるようにすればよい。
ここで、上記のような露光ヘッドの光学系の倍率ずれ量を計測する方法について、以下に説明する。
ここでは、露光ヘッド3021の倍率ずれ量を計測する方法について説明するが、その他の露光ヘッドについても同様の方法を用いて各露光ヘッド毎の倍率ずれ量を計測することができる。
まず、露光ヘッド3012の基準マイクロミラーr12によって、図29の下段に示すようなY軸方向に延びる第1の基準線X12(0)を露光するとともに、露光ヘッド3012により上記第1の基準線X12(0)に対してX軸方向に46μmピッチで、Y軸方向に延びる直線を多数露光する(以下「第1の目盛パターン」という。)。一方、露光ヘッド3012の基準マイクロミラーr12に対応する露光点rp12とX軸方向について同じ位置の露光点を露光する露光ヘッド3021のマイクロミラーによって、図29の上段に示すようなY軸方向に延びる第2の基準線X21(0)を露光するとともに、露光ヘッド3021により上記第2の基準線X21(0)に対し、たとえば、X軸方向に45μmピッチで、Y軸方向に延びる直線を多数露光する(以下「第2の目盛パターン」という。)。
ここで、たとえば、露光ヘッド3021の光学系の倍率ずれ量が0である場合には、上記第1の基準線X12(0)のX軸方向の位置と上記第2の基準線X21(0)のX軸方向の位置とが一致することになるが、露光ヘッド3021の光学系の倍率ずれ量がある場合には一致しない。そして、第2の基準線X21(0)の最も近くにおいて、第1の目盛パターンと第2の目盛パターンとが一致する直線を計測する。図29においては、第1の目盛パターンの直線X12(2)が、第2の基準線X21(0)の最も近くにおいて、第2の目盛パターンの直線と一致している。したがって、ノギスの計測原理と同様に、露光ヘッド3021により露光される露光点の位置は、X軸右方向に2μmずれていることがわかる。このずれ量が倍率ずれ量である。
したがって、X軸方向について2μの範囲に露光される露光点の数に応じた露光画像データだけ間引いて露光するようにすればよい。また、X軸方向について、上記とは逆方向のずれ量がある場合には、露光画像データを補間すればよい。
また、上記の実施形態および変更例に係る露光装置には、さらに、画像データが表す2次元パターンの所定部分の寸法が、本露光に実際に使用するものとして選択されたマイクロミラーにより実現できる対応部分の寸法と一致するように、画像データを変換する機構が設けられていてもよい。そのように画像データを変換することによって、所望の2次元パターンどおりの高精細なパターンを露光面上に形成することができる。
さらに、上記の実施形態および変更例に係る露光装置では、光源からの光を画素ごとに変調するDMDを画素アレイとして用いたが、これに限られず、DMD以外の液晶アレイ等の光変調素子や、光源アレイ(たとえば、LDアレイ、有機ELアレイ等)を使用してもよい。
また、上記の実施形態および変更例に係る露光装置の動作形態は、露光ヘッドを常に移動させながら連続的に露光を行う形態であってもよいし、露光ヘッドを段階的に移動させながら、各移動先の位置で露光ヘッドを静止させて露光動作を行う形態であってもよい。
また、本発明は、露光装置および露光方法に限らず、複数の描画ヘッドを用いて、描画面をN重描画(Nは1以上の自然数)により描画し、画像データが表す2次元パターンを描画面上に形成する描画装置および描画方法であれば、いかなる装置および方法にも適用可能である。一例としては、たとえばインクジェットプリンタやインクジェット方式のプリント方法が挙げられる。すなわち、一般にインクジェットプリンタのインクジェット記録ヘッドには、記録媒体(たとえば記録用紙やOHPシートなど)に対向するノズル面に、インク滴を吐出するノズルが形成されているが、インクジェットプリンタのなかには、このノズルを格子状に複数配置し、ヘッド自体を走査方向に対して傾斜させて、N重描画により画像を記録可能なものがある。このような2次元配列が採用されたインクジェットプリンタにおいて、描画ヘッド間の相対的な位置や角度が理想的な状態からずれていたとしても、本発明を適用することにより、かかるずれの影響が最小限に抑えられる数のノズルを実際に使用するノズルとして指定することができるので、記録画像のヘッド間つなぎ領域において生じる解像性や濃度のむらを軽減することができる。
以上、本発明の実施形態および変更例について詳細に述べたが、これらの実施形態および変更例は例示的なものに過ぎず、本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲のみによって定められるべきものであることは言うまでもない。
本発明の描画装置の一実施形態である露光装置の外観を示す斜視図 図1の露光装置のスキャナの構成を示す斜視図 (A)は感光材料の露光面上に形成される露光済み領域を示す上面図、(B)は各露光ヘッドによる露光エリアの配列を示す上面図 図1の露光装置の露光ヘッドの概略構成を示す斜視図 図1の露光装置の露光ヘッドの詳細な構成を示す上面図および側面図 図1の露光装置のDMDの構成を示す部分拡大図 DMDの動作を説明するための斜視図 ファイバアレイ光源の構成を示す斜視図 ファイバアレイ光源のレーザ出射部における発光点の配列を示す正面図 隣接する露光ヘッド間に相対位置のずれがある際に、露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図 隣接する2つの露光ヘッドによる露光エリアと、対応するスリットとの位置関係を示した上面図 露光面上の光点の位置を、スリットを用いて測定する手法を説明するための上面図 図10の例において選択された使用画素のみが実動され、露光面上のパターンに生じるむらが改善された状態を示す説明図 隣接する露光ヘッド間に相対位置のずれおよび取付角度誤差がある際に、露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図 図14の例において選択された使用画素のみが実動され、露光面上のパターンに生じるむらが改善された状態を示す説明図 参照露光の第1の例を示した説明図 参照露光の第2の例を示した説明図 2つの露光ヘッドのX軸方向に関するずれ量の計測方法の一例を説明するための図 リファレンススケールの一例を示す図 (A)2つの露光ヘッドにより露光される露光パターンのY軸方向のずれを説明するための図、(B)2つの露光ヘッドの露光タイミングを調整した後の露光パターンを示す図 2つの露光ヘッドにより露光される露光パターンのY軸方向のずれの補正方法を説明するための図 2つの露光ヘッドの設置角度などに起因する露光パターンのずれを説明するための図 2つの露光ヘッドの設置角度などに起因する露光パターンのずれの計測方法の一例を説明するための図 2つの露光ヘッドの露光パターンをY軸方向について繋ぐ方法のその他の例を説明するための図 各露光ヘッドの露光パターンをY軸方向について繋ぐ方法のその他の例を説明するための図 各露光ヘッドの露光パターンをY軸方向について繋ぐ方法のその他の例を説明するための図 (A)各マイクロミラーにより露光される露光点の理想的な位置を示す図、(B)各マイクロミラーにより露光される露光点が光学系の結像位置の誤差などに起因してX軸方向にずれる様子を示す図、(C)光学系の結像位置の誤差などに起因する露光点のX軸方向についてのずれを補正する方法の一例を説明するための図 (A)各マイクロミラーにより露光される露光点の理想的な位置を示す図、(B))各マイクロミラーにより露光される露光点が光学系の倍率の誤差などに起因してX軸方向にずれる様子を示す図、(C)光学系の倍率の誤差などに起因する露光点のX軸方向についてのずれを補正する方法の一例を説明するための図 光学系の倍率の誤差などに起因する露光点のX軸方向についてのずれ量を計測する方法の一例を説明するための図
符号の説明
10 露光装置
12 感光材料
14 移動ステージ
18 設置台
20 ガイド
22 ゲート
24 スキャナ
26 センサ
28 スリット
30 露光ヘッド
32 露光エリア
36 DMD
38 ファイバアレイ光源

Claims (16)

  1. 画像を表す画像データに基づいて描画面上に描画点を形成する描画素子が2次元状に配置された描画点形成部を有する描画ヘッドを、前記描画面に対して所定の走査方向に相対的に移動させるとともに、該移動に応じて前記描画点を前記描画面上に順次形成して前記描画面上に前記画像を描画する描画方法であって、前記走査方向に交差する方向に並べられた複数の前記描画ヘッドによって前記描画を行う描画方法において、
    各描画ヘッド毎に予め設定された基準描画素子を用いて前記描画面上に前記各描画ヘッド毎の基準点を形成するとともに、前記各描画ヘッド毎の基準点が前記走査方向について所定の位置に並ぶように前記各描画ヘッドによる描画タイミングを制御することを特徴とする描画方法。
  2. 前記各描画ヘッドにより前記描画面に形成される各部分画像の前記交差方向についてのいずれか一方の端部に前記基準点を形成することを特徴とする請求項1記載の描画方法。
  3. 互いに隣接する前記描画ヘッドのうちの一方の前記描画ヘッドにより形成される部分画像の前記基準点が形成される端部に、他方の前記描画ヘッドにより形成される部分画像の前記基準点が形成されない方の前記交差方向についての端部が繋がるように、前記各描画ヘッドに入力される部分画像データに補正を施すことを特徴とする請求項2記載の描画方法。
  4. 前記補正として回転処理を施すことを特徴とする請求項3記載の描画方法。
  5. 前記基準描画素子により形成される描画点の画像が、予め設定された前記走査方向に交差する方向についての所定の位置に描画すべきものとなるように前記各描画ヘッドに入力される画像データに補正を施すことを特徴とする請求項1から4記載いずれか1項記載の描画方法。
  6. 互いに隣接する前記描画ヘッドにより前記描画面に形成される各部分画像が前記走査方向に交差する方向について繋がるように、前記各描画ヘッドに入力される部分画像データに補正を施すことを特徴とする請求項1から5いずれか1項記載の描画方法。
  7. 前記交差方向について繋がるように施される補正として補間または間引き処理を施すことを特徴とする請求項6記載の描画方法。
  8. 前記描画面をN重描画(Nは2以上の自然数)することを特徴とする請求項1から7いずれか1項記載の描画方法。
  9. 画像を表す画像データに基づいて描画面上に描画点を形成する描画素子が2次元状に配置された描画点形成部を有する描画ヘッドを、前記描画面に対して所定の走査方向に相対的に移動させるとともに、該移動に応じて前記描画点を前記描画面上に順次形成して前記描画面上に前記画像を描画する描画装置であって、複数の前記描画ヘッドが前記走査方向に交差する方向に並べられた描画装置において、
    前記複数の描画ヘッドが、該各描画ヘッド毎に予め設定された基準描画素子を用いて前記描画面上に基準点を形成するものであり、
    前記各描画ヘッド毎の基準点が、前記走査方向について所定の位置に並ぶように前記各描画ヘッドによる描画タイミングを制御する描画ヘッド制御部を備えたことを特徴とする描画装置。
  10. 前記各描画ヘッドが、該各描画ヘッドにより前記描画面に形成される各部分画像の前記交差方向についてのいずれか一方の端部に前記基準点を形成するものであることを特徴とする請求項9記載の描画装置。
  11. 互いに隣接する描画ヘッドのうちの一方の前記描画ヘッドにより形成される部分画像の前記基準点が形成される端部に、他方の前記描画ヘッドにより形成される部分画像の前記基準点が形成されない方の前記交差方向についての端部が繋がるように、前記各描画ヘッドに入力される部分画像データに補正を施す走査方向補正手段を備えたことを特徴とする請求項10記載の描画装置。
  12. 前記走査方向補正手段が、前記各描画ヘッドに入力される部分画像データに回転処理を施すものであることを特徴とする請求項11記載の描画装置。
  13. 前記基準画素により形成される描画点の画像が、予め設定された前記走査方向に交差する方向についての所定の位置に描画すべきものとなるように前記各描画ヘッドに入力される画像データに補正を施す描画点位置補正手段をさらに備えたことを特徴とする請求項9から12記載いずれか1項記載の描画装置。
  14. 互いに隣接する前記描画ヘッドにより前記描画面に形成される各部分画像が前記走査方向に交差する方向について繋がるように、前記各描画ヘッドに入力される部分画像データに補正を施す交差方向補正手段を備えたことを特徴とする請求項9から13いずれか1項記載の描画装置。
  15. 前記交差方向補正手段が、前記各描画ヘッドに入力される部分画像データに補間または間引き処理を施すものであることを特徴とする請求項14記載の描画装置。
  16. 前記描画面をN重描画(Nは2以上の自然数)するものであることを特徴とする請求項9から15いずれか1項記載の描画装置。
JP2005160769A 2005-05-31 2005-05-31 描画方法および装置 Pending JP2006337614A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005160769A JP2006337614A (ja) 2005-05-31 2005-05-31 描画方法および装置
CNA2006800194091A CN101218542A (zh) 2005-05-31 2006-05-24 描绘方法及装置
PCT/JP2006/310333 WO2006129535A1 (ja) 2005-05-31 2006-05-24 描画方法および装置
KR1020077028097A KR20080014983A (ko) 2005-05-31 2006-05-24 묘화 방법 및 장치
US11/916,225 US20100188646A1 (en) 2005-05-31 2006-05-24 Drawing method and drawing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005160769A JP2006337614A (ja) 2005-05-31 2005-05-31 描画方法および装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006337614A true JP2006337614A (ja) 2006-12-14

Family

ID=37481464

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005160769A Pending JP2006337614A (ja) 2005-05-31 2005-05-31 描画方法および装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20100188646A1 (ja)
JP (1) JP2006337614A (ja)
KR (1) KR20080014983A (ja)
CN (1) CN101218542A (ja)
WO (1) WO2006129535A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011107569A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220163894A1 (en) * 2019-01-25 2022-05-26 Zhongshan Aiscent Technologies Co, Ltd. System and method for double-sided digital lithography or exposure

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004226520A (ja) * 2003-01-21 2004-08-12 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置及び露光装置の調整方法
JP2004335639A (ja) * 2003-05-06 2004-11-25 Fuji Photo Film Co Ltd 投影露光装置
JP2005003762A (ja) * 2003-06-10 2005-01-06 Fuji Photo Film Co Ltd 画素位置特定方法、画像ずれ補正方法、および画像形成装置
JP2006173470A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Shinko Electric Ind Co Ltd 自動補正方法および自動補正装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5144863B2 (ja) * 2001-06-29 2013-02-13 株式会社オーク製作所 多重露光描画方法及び多重露光描画装置
JP3951939B2 (ja) * 2003-02-28 2007-08-01 ノーリツ鋼機株式会社 画像処理方法、画像処理装置、画像処理プログラム、画像処理プログラムを記録した記録媒体
EP1486826A3 (en) * 2003-06-10 2006-12-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Pixel position specifying method, method of correcting image offset, and image forming device
TW200606601A (en) * 2004-06-17 2006-02-16 Fuji Photo Film Co Ltd A plotting device and a plotting method
JP2006030966A (ja) * 2004-06-17 2006-02-02 Fuji Photo Film Co Ltd 描画方法および装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004226520A (ja) * 2003-01-21 2004-08-12 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置及び露光装置の調整方法
JP2004335639A (ja) * 2003-05-06 2004-11-25 Fuji Photo Film Co Ltd 投影露光装置
JP2005003762A (ja) * 2003-06-10 2005-01-06 Fuji Photo Film Co Ltd 画素位置特定方法、画像ずれ補正方法、および画像形成装置
JP2006173470A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Shinko Electric Ind Co Ltd 自動補正方法および自動補正装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011107569A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080014983A (ko) 2008-02-15
US20100188646A1 (en) 2010-07-29
CN101218542A (zh) 2008-07-09
WO2006129535A1 (ja) 2006-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4823581B2 (ja) 描画装置および描画方法
KR101112008B1 (ko) 묘화장치 및 묘화방법
JP4328385B2 (ja) 露光装置
US20090097002A1 (en) Exposure device
JP4401308B2 (ja) 露光装置
US7177011B2 (en) Image drawing apparatus and image drawing method
KR101373643B1 (ko) 묘화 위치 측정 방법과 장치 및 묘화 방법과 장치
JP2006350022A (ja) 描画装置及び描画方法
JP2005003762A (ja) 画素位置特定方法、画像ずれ補正方法、および画像形成装置
KR101067729B1 (ko) 프레임 데이타 작성 장치, 작성 방법, 작성 프로그램, 그프로그램을 격납한 기억 매체, 및 묘화 장치
JP2006030966A (ja) 描画方法および装置
JP4606949B2 (ja) 描画装置および描画方法
JP2007078764A (ja) 露光装置および露光方法
US20070291348A1 (en) Tracing Method and Apparatus
JP2005294373A (ja) マルチビーム露光装置
JP4606992B2 (ja) 描画装置及び描画方法
JP2007052080A (ja) 描画装置、露光装置、および描画方法
JP2006276696A (ja) 描画ずれ測定方法、露光方法、目盛パターン、目盛パターン描画方法、および目盛パターン描画装置
JP4348345B2 (ja) 描画装置及び描画方法
JP2006337614A (ja) 描画方法および装置
JP2007047561A (ja) 露光装置
JP2005202226A (ja) 感光材料の感度検出方法および装置並びに露光補正方法
JP2007058207A (ja) 描画方法および装置
JP2006337602A (ja) 描画装置および描画方法
JP2007264574A (ja) 描画データ取得方法および装置並びに描画方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20061209

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080213

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100506

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100907