JP5637687B2 - 高い引掻耐性及び耐候性を有する被覆剤 - Google Patents
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Description
本発明の課題は、高度に耐候性の網状構造を生じさせる被覆剤、殊に、OEM連続ラッカー被膜における及び自動車補修ラッカー被膜における、クリアラッカー層のための被覆剤を得ることにあって、この際、高い耐酸性を保証するために、加水分解及び天候に不安定な基団の不所望な生成は極めて広汎に抑制される。同時に、熱硬化直後に既に高度に引掻耐性で、かつ殊に引掻負荷後に高い光沢を保持している被覆物を生成させるべきである。更に、被覆物及びラッカー被膜、特にクリアラッカー被膜は、引張亀裂が生じることなく、層厚>40μmで製造されるべきである。このことは、技術的及び美的に特に要求の高い自動車連続ラッカー塗布(OEM)分野における、被覆物及びラッカー被膜、殊にクリアラッカー被膜の使用のための重要な前提である。
前記の課題状況の観点から、
(a)少なくとも1種のヒドロキシル基含有化合物(A)、
(b)遊離及び/又は遮断されたイソシアネート基を有する、少なくとも1種の化合物(B)、
(c)シラン基の架橋結合のための、少なくとも1種の触媒(D)
を含有する被覆剤
(この際、
(i)被覆剤の1種以上の成分は、加水分解可能なシラン基を含有し、かつ
(ii)被覆剤は、統計的に分配されたSi‐O‐Si網状構造の領域を有する被膜に最終硬化され得る)が発明され、
この被覆剤は、1種以上の触媒(D)が燐を含有していることを特徴とする。
本発明により、シラン架橋結合のための触媒(D)の照準された選択に基づき、通例的にはシラン架橋結合の高い割合と結びついた欠点を示さない、極めて高い引掻耐性の調整のために必要な比較的高い割合のシラン架橋結合を有する被覆剤は供給され得る。殊に、触媒(D)の照準された選択によって、CAM 180‐試験(DIN EN ISO 11341 Feb 98及びDIN EN ISO 4892-2 Nov 00による)において、UV線及び湿潤‐乾燥交代での亀裂形成に対する本発明による被覆物の良好な耐性を、高い引掻耐性、高い光沢及び暴候後の高い光沢保持と組み合わせて有する被覆剤を得ることができる。
触媒(D)として、燐含有の、殊に燐‐及び窒素含有の触媒を使用することが本発明の本質である。この際、2種以上の異なった触媒(D)を含む混合物を使用することもできる。
基R10の原子と基R11の原子との間の共有結合;
酸素原子、置換された、殊に酸素で置換された、及び非置換の硫黄原子、置換された、殊にアルキルで置換された窒素原子、置換された、殊に酸素で置換された燐原子及び置換された、殊にアルキル及びアルコキシで置換された珪素原子、殊に酸素原子を含む群から選択される二結合性の結合基;又は
置換された及び非置換の、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、燐原子及び珪素原子、殊に酸素原子、硫黄原子及び窒素原子を含む群から選択される少なくとも1個のヘテロ原子を含有する又はヘテロ原子を含まない、1〜10、有利に1〜6及び殊に1〜4個の炭素原子を有するアルキル、3〜10、有利に3〜6及び殊に6個の炭素原子を有するシクロアルキル及び5〜10及び殊に6個の炭素原子を有するアリールを含む群から選択される二結合性の結合基。
(R10‐O)(O)PH‐O‐PH(O)(O‐R11) (VII)
[式中、変員は、前記の意味を有する]の非環状のジホスホン酸ジエステルを使用することもできる。
置換された及び非置換の、1〜20、有利に2〜16及び殊に2〜10個の炭素原子を有するアルキル基、3〜20、有利に3〜16及び殊に3〜10個の炭素原子を有するシクロアルキル基及び5〜20、有利に6〜14及び殊に6〜10個の炭素原子を有するアリール基、
置換された及び非置換の、アルキルアリール基、アリールアルキル基、アルキルシクロアルキル基、シクロアルキルアルキル基、アリールシクロアルキル基、シクロアルキルアリール基、アルキルシクロアルキルアリール基、アルキルアリールシクロアルキル基、アリールシクロアルキルアルキル基、アリールアルキルシクロアルキル基、シクロアルキルアルキルアリール基及びシクロアルキルアリールアルキル基(この際、ここに含まれるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、各々前記の数の炭素原子を含有する)及び
酸素原子、硫黄原子、窒素原子、燐原子及び珪素原子、殊に酸素原子、硫黄原子及び窒素原子を含む群から選択される、少なくとも1個の、殊に1個のヘテロ原子を含有する、前記の種類の置換された及び非置換の基。
被覆剤の1種以上の成分が、加水分解可能なシラン基を含有することは、本発明の本質である。この加水分解可能なシラン基は、最終硬化被膜中で統計的に分配されているSi‐O‐Si網状構造を構成させる。このことは、被膜の一定範囲での照準されたSi‐O‐Si網状構造の富化又は貧化を引き起こさない、即ち、まだ未公開のドイツ国特許出願P102007013242に記載された、表面近くでの被覆域の富化も引き起こさないことを意味する。
この際、殊に、被覆剤の1種以上の成分が、少なくとも部分的に、1種以上の同じ又は異なる式(I):
‐X‐Si‐R"xG3‐x (I)
[式中、
G=同じ又は異なる加水分解可能な基であり、
X=有機基、殊に1〜20個の炭素原子を有する直鎖及び/又は分枝鎖のアルキレン基又はシクロアルキレン基であり、極めて特に有利にX=1〜4個の炭素原子を有するアルキレン基であり、
R"=アルキル、シクロアルキル、アリール、又はアルアルキルであり、この際、炭素鎖は非隣接の酸素基、硫黄基又はNRa基によって遮断されていてよく、ここで、Ra=アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルアルキルであり、有利にR"=殊に、1〜6個のC原子を有するアルキル基であり、
x=0〜2、有利に0〜1であり、特に有利にx=0である]
の構造単位を有する被覆剤が考慮される。
‐N(X‐SiR"x(OR’)3‐x)n(X’‐SiR"y(OR’)3‐y)m
(II)
[式中、
R’=水素、アルキル又はシクロアルキルであり、この際、炭素鎖は非隣接の酸素基、硫黄基又はNRa基で遮断されていてよく、ここで、Ra=アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルアルキルであり、有利にR’=エチル及び/又はメチルであり、
X、X’=1〜20個の炭素原子を有する直鎖及び/又は分枝鎖のアルキレン又はシクロアルキレン基であり、有利にX、X’=1〜4個の炭素原子を有するアルキレン基であり、
R"=アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルアルキルであり、この際、炭素鎖は非隣接の酸素基、硫黄基又はNRa基で遮断されていてよく、ここで、Ra=アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルアルキルであり、有利にR"=殊に1〜6個のC原子を有するアルキル基であり、
n=0〜2であり、m=0〜2であり、m+n=2であり、かつx、y=0〜2である]の構造単位2.5〜97.5モル%
及び
構造単位(II)及び(III)の総計に対して、少なくとも1種の式(III):
‐Z‐(X‐SiR"x(OR’)3‐x) (III)
[式中、
Z=‐NH‐、‐NR‐、‐O‐であり、ここで、
R=アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルアルキルであり、この際、炭素鎖は非隣接の酸素基、硫黄基又はNRa基で遮断されていてよく、ここで、Ra=アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルアルキルであり、
x=0〜2であり、
X、R’、R"は、式(II)で挙げた意味を有する]の構造単位2.5〜97.5モル%を有することを特徴とする。
ヒドロキシル基含有化合物(A)として、有利に、低分子ポリオールもオリゴ‐及び/又はポリマーのポリオールも使用される。
HN(X‐SiR"x(OR’)3‐x)n(X’‐SiR"y(OR’)3‐y)m
(IIa)
[式中、置換基は前記の意味を有する]の化合物との反応によって導入され得る。これは、ポリオールと化合物(IIa)との反応のために、化合物(IIa)の二級アミノ基と反応する、他の官能基、例えば、殊に酸‐又はエポキシ基を相応に有する。本発明により有利な化合物(IIa)は、ビス(2‐エチルトリメトキシシリル)アミン、ビス(3‐プロピルトリメトキシシリル)アミン、ビス(4‐ブチルトリメトキシシリル)アミン、ビス(2‐エチルトリエトキシシリル)アミン、ビス(3‐プロピルトリエトキシシリル)アミン及び/又はビス(4‐ブチルトリエトキシシリル)アミンである。ビス(3‐プロピルトリメトキシシリル)アミンが極めて特に有利である。そのようなアミノシランは、例えば、デグッサ社の商標ダイナシラン(DYNASILAN)(登録商標)又はオシ社のシルクエスト(登録商標)で得られる。
H‐Z‐(X‐SiR"x(OR’)3‐x) (IIIa)
[式中、置換基は前記の意味を有する]の化合物との反応によって導入され得る。これは、ポリオールと化合物(IIIa)との反応のために、化合物(IIIa)の官能基‐ZHと反応する、他の官能基、例えば、殊に酸‐、エポキシ‐又はエステル基を相応に有する。本発明により有利な化合物(IIIa)は、オメガ‐アミノアルキル‐又はオメガ‐ヒドロキシアルキル‐トリアルコキシシラン、例えば、有利に2‐アミノエチルトリメトキシシラン、2‐アミノエチルトリエトキシシラン、3‐アミノプロピルトリメトキシシラン、3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、4‐アミノブチルトリメトキシシラン、4‐アミノブチルトリエトキシシラン、2‐ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、2‐ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、3‐ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、3‐ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、4‐ヒドロキシブチルトリメトキシシラン、4‐ヒドロキシブチルトリエトキシシランである。特に有利な化合物(IIIa)は、N‐(2‐(トリメトキシシリル)エチル)アルキルアミン、N‐(3‐(トリメトキシシリル)プロピル)アルキルアミン、N‐(4‐(トリメトキシシリル)ブチル)アルキルアミン、N‐(2‐(トリエトキシシリル)エチル)アルキルアミン、N‐(3‐(トリエトキシシリル)プロピル)アルキルアミン及び/又はN‐(4‐(トリエトキシシリル)ブチル)アルキルアミンである。N‐(3‐(トリメトキシシリル)プロピル)ブチルアミンが極めて特に有利である。そのようなアミノシランは、例えば、デグッサ社の商標ダイナシラン(登録商標)又はオシ社のシルクエスト(登録商標)で得られる。
本発明による被覆剤は、成分(B)として、遊離の、即ち非遮断の及び/又は遮断されたイソシアネート基を有する1種以上の化合物を含有する。本発明による被覆剤は、有利に、遊離イソシアネート基を有する化合物(B)を含有する。しかし、イソシアネート基含有化合物(B)の遊離イソシアネート基は、遮断された形で使用されることもできる。これは、本発明による被覆剤が単一成分系として使用される場合には有利である。
イソシアネート基含有化合物Bの質量割合に対する、使用すべきヒドロキシル基含有化合物Aの質量割合は、ポリオールのヒドロキシ当量及びポリイソシアネートBの遊離イソシアネート基の当量に依存する。
殊にUV‐吸収剤;殊に遮光剤、例えば、HALS‐化合物、ベンズトリアゾール又はオキサルアニリド;ラジカル受容体;滑剤;重合抑制剤;消泡剤;反応性希釈剤、例えば、‐Si(OR)3‐基に対して有利に不活性である、公知技術水準から一般に公知であるもの;湿潤剤、例えば、シロキサン、弗素含有化合物、カルボン酸半エステル、燐酸エステル、ポリアクリル酸及びそのコポリマー又はポリウレタン;粘着助剤、例えば、トリシクロデカンジメタノール;流展剤;被膜形成助剤、例えば、セルロース‐誘導体;充填剤、例えば、二酸化珪素、酸化アルミニウム又は酸化ジルコニウムをベースとするナノ粒子;補足的に、更にレンプレキシコン(Roempp Lexikon)》ラッカー及び印刷インク(Lacke und Druckfarben)《Georg Thieme Verlag, Stuttgart, 1998, 250〜252頁に示されている;流動学的調整剤、例えば、特許明細書WO94/22968、EP‐A‐0276501、EP‐A‐0249201又はWO97/12945から公知である添加剤;架橋結合ポリマーミクロ粒子、例えば、EP‐A‐0008127に公開されているもの;無機層状シリケート、例えば、モンモリロナイト‐型のアルミニウム‐マグネシウム‐シリケート、ナトリウム‐マグネシウム‐及びナトリウム‐マグネシウム‐弗素‐リチウム‐層状シリケート;珪酸、例えば、エーロジル;又はイオン性及び/又は会合作用性の基を有する合成ポリマー、例えば、ポリビニルアルコール、ポリ(メタ)アクリルアミド、ポリ(メタ)アクリル酸、ポリビニルピロリドン、スチレン‐無水マレイン酸‐又はエチレン‐無水マレイン酸‐コポリマー及びその誘導体又は疎水性に変性されたエトキシル化ウレタン又はポリアクリレート;及び/又は防炎剤。
本発明による成分Bの製造
製造例B1 部分シラン化ポリイソシアネートの製造(IIIa100モル%を有するHDI:変換度c=30モル%)
還流冷却器及び温度計を備えた三頸ガラスフラスコ中に、トライマー化ヘキサメチレンジイソシアネート(HDI)(バスフ社(Fa. BASF AG)のバソネート(Basonat)HI 100)57.3質量部及びソルベントナフサ88.0質量部を前もって装入させる。還流冷却、窒素被覆及び攪拌下に、N‐[3‐(トリメトキシシリル)プロピル]‐ブチルアミン(IIIa)(デグッサ社のダイナシラン(登録商標)1189)21.8質量部を、50〜60℃を越さないように添加する。供給の終了後に、滴定により調べられるイソシアネートの質量割合が、理論的に計算される70モル%となるまで、反応温度を50〜60℃で保持する。
還流冷却器及び温度計を備えた三頸ガラスフラスコ中に、トライマー化ヘキサメチレンジイソシアネート(HDI)(バスフ社のバソネートHI 100)57.3質量部及びソルベントナフサ69.7質量部を前もって装入させる。還流冷却、窒素被覆及び攪拌下に、N‐[3‐(トリメトキシシリル)プロピル]‐ブチルアミン(IIIa)(デグッサ社のダイナシラン(登録商標)1189)14.8質量部及びビス‐[3‐(トリメトキシシリル)プロピル]‐アミン(デグッサ社のダイナシラン(登録商標)1124)9.2質量部を含む混合物を、50〜60℃を越さないように添加する。供給の終了後に、滴定により調べられるイソシアネート‐質量割合が、理論的に計算される70モル%となるまで、反応温度を50〜60℃で保持する。
還流冷却器及び温度計を備えた三頸ガラスフラスコ中に、トライマー化ヘキサメチレンジイソシアネート(HDI)(バスフ社のバソネートHI 100)57.3質量部及びソルベントナフサ69.7質量部を前もって装入させる。還流冷却、窒素被覆及び攪拌下に、N‐[3‐(トリメトキシシラン)プロピル]‐ブチルアミン(IIIa)(デグッサ社のダイナシラン(登録商標)1189)6.4質量部及びビス‐[3‐(トリメトキシシリル)プロピル]‐アミン(IIa)(デグッサ社のダイナシラン(登録商標)1124)21.5質量部を含む混合物を、50〜60℃を越さないように添加する。供給の終了後に、滴定により調べられるイソシアネート‐質量割合が、理論的に計算される70モル%となるまで、反応温度を50〜60℃で保持する。
還流冷却器及び温度計を備えた三頸ガラスフラスコ中に、トライマー化ヘキサメチレンジイソシアネート(HDI)(バスフ社のバソネートHI 100)57.3質量部及びソルベントナフサ88.0質量部を前もって装入させる。還流冷却、窒素被覆及び攪拌下に、ビス‐[3‐(トリメトキシシリル)プロピル]‐アミン(デグッサ社のダイナシラン(登録商標)1124)30.7質量部を、50〜60℃を越さないように添加する。供給の終了後に、滴定により調べられるイソシアネート‐質量割合が、理論的に計算される70モル%となるまで、反応温度を50〜60℃で保持する。
還流冷却器及び温度計を備えた三頸ガラスフラスコ中に、トライマー化ヘキサメチレンジイソシアネート(HDI)(バスフ社のバソネートHI 100)57.3質量部及びソルベントナフサ88.0質量部を前もって装入させる。還流冷却、窒素被覆及び攪拌下に、N‐[3‐(トリメトキシシリル)プロピル]‐ブチルアミン(IIIa)(デグッサ社のダイナシラン(登録商標)1189)49.4質量部を、50〜60℃を越さないように添加する。供給の終了後に、滴定により調べられるイソシアネート‐質量割合が、理論的に計算される30モル%となるまで、反応温度を50〜60℃で保持する。
還流冷却器及び温度計を備えた三頸ガラスフラスコ中に、トライマー化ヘキサメチレンジイソシアネート(HDI)(バスフ社のバソネートHI 100)57.3質量部及びソルベントナフサ69.7質量部を前もって装入させる。還流冷却、窒素被覆及び攪拌下に、N‐[3‐(トリメトキシシリル)プロピル]‐ブチルアミン(IIIa)(デグッサ社のダイナシラン(登録商標)1189)34.6質量部及びビス‐[3‐(トリメトキシシリル)プロピル]‐アミン(IIa)(デグッサ社のダイナシラン(登録商標)1124)21.5質量部を含む混合物を、50〜60℃を越さないように添加する。供給の終了後に、滴定により調べられるイソシアネート‐質量割合が、理論的に計算される30モル%となるまで、反応温度を50〜60℃で保持する。
還流冷却器及び温度計を備えた三頸ガラスフラスコ中に、トライマー化ヘキサメチレンジイソシアネート(HDI)(バスフ社のバソネートHI 100)57.3質量部及びソルベントナフサ88.0質量部を前もって装入させる。還流冷却、窒素被覆及び攪拌下に、N‐[3‐(トリメトキシシリル)プロピル]‐ブチルアミン(IIIa)(デグッサ社のダイナシラン(登録商標)1189)14.8質量部及びビス‐[3‐(トリメトキシシリル)プロピル]‐アミン(IIa)(デグッサ社のダイナシラン(登録商標)1124)50.2質量部を含む混合物を、50〜60℃を越さないように添加する。供給の終了後に、滴定により調べられるイソシアネート‐質量割合が、理論的に計算される70モル%となるまで、反応温度を50〜60℃で保持する。
モノマー供給口、重合開始剤供給口、温度計、油加熱器及び還流冷却器を備えた鋼釜中で、商慣習の芳香族溶剤混合物(ディーエイチシーソルベントヒェミー社(Fa. DHC Solvent Chemie GmbH)のソルベントナフサ(Solventnaphtha)(登録商標))29.08質量部を140℃に加熱する。次いで、ソルベントナフサ3.39質量部及びt‐ブチルペルオキシ‐2‐エチルヘキサノエート2.24質量部を含む混合物a1を、混合物a1の添加が6.75時間後に終了するような速度で攪拌下に添加する。混合物a1の添加開始15分間後に、スチレン4.97質量部、t‐ブチルアクリレート16.91質量部、2‐ヒドロキシプロピルメタクリレート19.89質量部、n‐ブチルメタクリレート7.45質量部及びアクリル酸0.58質量部を含む混合物a2を、混合物a2の添加が6時間後に終了するような速度で添加する。混合物a1の添加後に、反応混合物を更に2時間140℃に保ち、引き続いて100℃下に冷却させる。引き続き、反応混合物を、更に1‐メトキシプロピルアセテート‐2 3.70質量部、ブチルグリコールアセテート3.06質量部及びブチルアセテート6.36質量部を含む混合物a3で更に98/100に希釈する。
被覆剤は、次のように組成された:
成分A(ポリオール)及び商慣習の添加剤及び触媒及び溶剤を含む成分1を、塗布直前に、成分B(変性化ポリイソシアネート)を含む成分2と合一させ、均一な混合物が生じるまで攪拌する。
例1〜7を繰り返したが、ここで、アミン遮断化の燐酸部分エステルをベースとする触媒の代わりに、触媒として、遮断化のパラトルオールスルホン酸を使用したという唯一の違いを有した。
Claims (18)
- (a)少なくとも1種のポリ(メタ)アクリレートポリオールを含有するヒドロキシル基含有化合物(A)と、
(b)遊離及び/又はブロックトイソシアネート基を有する、少なくとも1種の化合物(B)と、
(c)シラン基の架橋結合のための、少なくとも1種の触媒(D)と
を含有する、非プロトン性溶剤ベースの被覆剤であって、
ここで、
(i)該被覆剤の1種以上の成分は、加水分解可能なシラン基を含有し、かつ
(ii)該被覆剤は、統計的に分配されたSi‐O‐Si網状構造の領域を有する被膜に最終硬化され得る、
被覆剤において、
(iii)前記1種以上の触媒(D)は燐を含有しており、
(iv)前記被覆剤の1種以上の成分が、
構造単位(II)及び(III)の総計に対して2.5〜97.5モル%の、以下の式(II):
‐N(X‐SiR”x(OR’)3-x)n(X’‐SiR”y(OR’)3-y)m (II)
[式中、
R’=水素、アルキル又はシクロアルキルであり、この際、炭素鎖は非隣接の酸素基、硫黄基又はNRa基で遮断されていてよく、ここで、Ra=アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルアルキルであり、
X、X’=1〜20個の炭素原子を有する直鎖及び/又は分枝鎖のアルキレン基若しくはシクロアルキレン基であり、
R”=アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルアルキルであり、この際、炭素鎖は非隣接の酸素基、硫黄基又はNRa基で遮断されていてよく、ここで、Ra=アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルアルキルであり、
n=0〜2であり、
m=0〜2であり、
m+n=2であり、かつ
x、y=0〜2である]の構造単位を少なくとも1種と、
前記構造単位(II)及び(III)の総計に対して2.5〜97.5モル%の、以下の式(III):
‐Z‐(X‐SiR”x(OR’)3-x) (III)
[式中、
Z=‐NH‐、‐NR‐、又は‐O‐であり、ここで、
R=アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルアルキルであり、この際、炭素鎖は非隣接の酸素基、硫黄基又はNRa基で遮断されていてよく、ここで、Ra=アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルアルキルであり、
x=0〜2であり、かつ
X、R’、R”は、式(II)で挙げた意味を有する]の構造単位を少なくとも1種と
を有する、
ことを特徴とする被覆剤。 - 前記化合物(B)が、前記構造単位(II)と前記構造単位(III)を有する請求項1に記載の被覆剤。
- 前記触媒(D)は、燐及び窒素を含有している、請求項1または2に記載の被覆剤。
- 前記1種以上の触媒(D)は、置換されたホスホン酸ジエステル及び/又はジホスホン酸ジエステル、並びに、置換された燐酸モノエステル及び/又は燐酸ジエステルの群から選択される、請求項1から3までのいずれか1項に記載の被覆剤。
- 前記触媒(D)は、三級アミンでブロックされている、請求項3又は4に記載の被覆剤。
- 前記触媒(D)は、アミンでブロックされた燐酸エチルヘキシル部分エステル及びアミンでブロックされた燐酸フェニル部分エステルの群から選択される、請求項1から5までのいずれか1項に記載の被覆剤。
- 前記被覆剤の1種以上の成分は、少なくとも部分的に、同じであるか又は異なる、式(I):
‐X‐Si‐R”xG3‐x (I)
[式中、
G=同じであるか又は異なる加水分解可能な基であり、
X=1〜20個の炭素原子を有する直鎖及び/又は分枝鎖のアルキレン基若しくはシクロアルキレン基を包含する有機基であり、
R”=アルキル、シクロアルキル、アリール、又はアルアルキルであり、この際、炭素鎖は非隣接の酸素基、硫黄基又はNRa基によって遮断されていてよく、ここで、Ra=アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルアルキルであり、かつ、
x=0〜2である]
の構造単位を1種以上有する、
請求項1から6までのいずれか1項に記載の被覆剤。 - 前記被覆剤の1種以上の成分は、
前記の少なくとも1種の式(II)の構造単位を、前記構造単位(II)及び(III)の総計に対して、5〜95モル%で有するとともに、
前記少なくとも1種の式(III)の構造単位を、前記構造単位(II)及び(III)の総計に対して、5〜95モル%で有する、
請求項1から7までのいずれか1項に記載の被覆剤。 - 前記構造要素(II)及び(III)が、
前記被覆剤における架橋結合の基準となる官能基の合計であって、ヒドロキシル基の割合及びイソシアネート基の割合から算出される合計と、
構造要素(II)の割合及び構造要素(III)の割合と、に対して、2.5〜97.5モル%の割合で存在している、請求項1から8までのいずれか1項に記載の被覆剤。 - 前記被覆剤は、当該被覆剤の固体含量に対して、以下の構造単位(I)及び/又は前記構造単位(II)及び/又は前記構造単位(III)のSi6.5質量%未満を含有し、
ここで、前記構造単位(I)は、式(I):
‐X‐Si‐R”xG3‐x (I)
[式中、
G=同じであるか又は異なる加水分解可能な基であり、
X=1〜20個の炭素原子を有する直鎖及び/又は分枝鎖のアルキレン基若しくはシクロアルキレン基を包含する有機基であり、
R”=アルキル、シクロアルキル、アリール、又はアルアルキルであり、この際、炭素鎖は非隣接の酸素基、硫黄基又はNRa基によって遮断されていてよく、ここで、Ra=アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルアルキルであり、かつ、
x=0〜2である]を有する、
請求項1から9までのいずれか1項に記載の被覆剤。 - 前記化合物(B)としてのポリイソシアネートが、以下の構造単位(I)又は前記構造単位(II)又は前記構造単位(III)を有し、
ここで、前記構造単位(I)は、式(I):
‐X‐Si‐R”xG3‐x (I)
[式中、
G=同じであるか又は異なる加水分解可能な基であり、
X=1〜20個の炭素原子を有する直鎖及び/又は分枝鎖のアルキレン基若しくはシクロアルキレン基を包含する有機基であり、
R”=アルキル、シクロアルキル、アリール、又はアルアルキルであり、この際、炭素鎖は非隣接の酸素基、硫黄基又はNRa基によって遮断されていてよく、ここで、Ra=アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルアルキルであり、かつ、
x=0〜2である]を有する、
請求項1から10までのいずれか1項に記載の被覆剤。 - 前記化合物(B)としてのポリイソシアネートにおいて、該ポリイソシアネート基体中のイソシアネート基の2.5〜90モル%が反応して前記構造単位(II)になっているとともに、該ポリイソシアネート基体中のイソシアネート基の2.5〜90モル%が反応して前記構造単位(III)になっており、かつ/又は
前記ポリイソシアネート基体中で、前記構造単位(II)及び/又は(III)を有するイソシアネート基の全割合が5〜95モル%である、
請求項11に記載の被覆剤。 - 前記化合物(B)としてのポリイソシアネートにおけるポリイソシアネート基体は、1,6‐ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、及び4,4’‐メチレンジシクロヘキシルジイソシアネート、並びに、前記のポリイソシアネートのビゥレット‐ダイマー及び/又は前記のポリイソシアネートのイソシアヌレート‐トライマーの群から選択される、請求項11又は12に記載の被覆剤。
- 場合により予備被覆された支持体上に、着色ベースラッカー層を塗布し、次いで、請求項1から13までのいずれか1項に記載の被覆剤からなる層を塗布する、多段階の被覆法。
- 前記着色ベースラッカー層の塗布を行った後に、該塗布されたベースラッカーを、先ず室温から80℃までの温度で乾燥させ、かつ
請求項1から13までのいずれか1項に記載の被覆剤の塗布を行った後に、30〜200℃の温度で、1分間から10時間までの時間で硬化させる、
請求項14に記載の多段階の被覆法。 - 自動車連続ラッカー塗布及び/又は自動車補修ラッカー塗布のための、請求項14又は15に記載の方法の適用。
- 請求項1から13までのいずれか1項に記載の被覆剤の使用であって、
自動車連続ラッカー塗布及び/又は自動車補修ラッカー塗布のためのクリアラッカーとしての使用。 - 請求項1から13までのいずれか1項に記載の被覆剤の使用であって、
透明なプラスチック支持体の被覆のための透明なクリアラッカーとしての使用。
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