JP5636275B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態は、本発明の一態様であるTFTの一例について説明する。
本実施の形態は、本発明の一態様であって、実施の形態1に示すものとは異なる形態について説明する。具体的には、第1の導電膜と不純物半導体膜を積層して形成し、1枚のフォトマスクを用いてこれらの加工を行う。
本実施の形態は、本発明の一態様であって、実施の形態1及び実施の形態2に示すものとは異なる形態について説明する。具体的には、第2の配線層と第3の配線層との間に第3の絶縁層が設けられていない形態について説明する。
本実施の形態は、本発明の一態様であって、実施の形態1乃至実施の形態3に示すものとは異なる形態について説明する。具体的には、基板とTFTの間に遮光層が設けられた形態について説明する。基板とTFTの間に遮光層を設けることで、光電流による影響を抑えることができる。
本実施の形態は、本発明の一態様であって、実施の形態1乃至実施の形態4に示すものとは異なる形態について説明する。具体的には、実施の形態1の画素TFTの作製工程では6枚のフォトマスクを要するが、本実施の形態の画素TFTは、3枚のフォトマスクで作製することができる。更には、本実施の形態のTFTは2枚のフォトマスクで作製することができる。
本実施の形態は、本発明の一態様であって、実施の形態1乃至実施の形態5に示すものとは異なる形態について説明する。具体的には、実施の形態5からフォトマスク数を増やすことなく、ゲート電極として機能する第2の配線層と半導体層が重畳する面積を狭くした形態について説明する。
本実施の形態は、本発明の一態様であって、実施の形態1乃至実施の形態6に示すものとは異なる形態について説明する。具体的には、実施の形態5のTFTを覆って絶縁層を形成し、該絶縁層上に画素電極として機能する配線層を形成する。
本実施の形態は、本発明の一態様であって、実施の形態1乃至実施の形態7に示すものとは異なる形態について説明する。具体的には、実施の形態5のTFTと基板の間に遮光層を設けることで、光電流による影響を抑えることができる。
実施の形態1乃至実施の形態8に示したTFTは、表示装置の保護回路部に適用することも可能である。表示装置の保護回路部は、例えば、ダイオード接続されたTFTを複数設けて構成することができる。
実施の形態1乃至実施の形態8で説明したTFTは、表示装置のアレイ基板に適用することができる。実施の形態1乃至実施の形態8で説明したTFTを適用した表示装置を搭載して電子機器を作製することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用のモニタ、電子ペーパー、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。なお、本実施の形態の電子機器は、実施の形態9の構成を有していてもよい。
102 下地層
104 第1の配線層
106 不純物半導体層
108 半導体層
110 第1の絶縁層
112 第2の絶縁層
114 第2の配線層
116 第3の絶縁層
118 開口部
120 第3の配線層
130 部分
132 非晶質を含む領域
134 結晶領域
152 不純物半導体膜
154 半導体膜
156 第1の絶縁膜
158 第2の絶縁膜
160 第2の導電膜
162 第3の絶縁膜
200 第1の導電膜
202 不純物半導体膜
204 第1の配線層
206 不純物半導体層
208 絶縁膜
210 サイドウォール絶縁層
212 半導体膜
214 第1の絶縁膜
216 半導体層
218 第1の絶縁層
300 第3の導電膜
400 遮光層
402 下地層
500 基板
502 下地層
504 第1の配線層
506 不純物半導体層
508 半導体層
510 第1の絶縁層
512 第2の絶縁層
514 第2の配線層
516A サイドウォール絶縁層
516B サイドウォール絶縁層
516C サイドウォール絶縁層
520 第3の配線層
522 半導体膜
524 第1の絶縁膜
526 第2の絶縁膜
528 第2の導電膜
530 絶縁膜
532 第3の導電膜
600 レジストマスク
602 縮小レジストマスク
604 第2の配線層
700 開口部
702 絶縁層
704 第3の導電膜
706 第3の配線層
800 遮光層
802 下地層
804 サイドウォール絶縁層
900 筐体
901 筐体
902 表示部
903 表示部
904 蝶番
905 電源入力端子
906 操作キー
907 スピーカ
911 筐体
912 表示部
921 筐体
922 表示部
923 スタンド
931 筐体
932 表示部
933 操作ボタン
934 外部接続ポート
935 スピーカ
936 マイク
937 操作ボタン
950 TFT
952 第2の絶縁層
954 第3の絶縁層
956 樹脂層
958 第3の配線層
960 対向電極層
962 球形粒子
964a 黒色領域
964b 白色領域
966 キャビティ
968 充填材
Claims (3)
- 第1の絶縁層上方の第1の配線層と、
前記第1の配線層上方の第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上方の第2の半導体層と、
前記第2の半導体層上方の第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上方の第2の配線層と、を有し、
前記第2の配線層は、トランジスタのゲート電極として機能し、
前記第2の絶縁層は、前記トランジスタのゲート絶縁層として機能し、
前記第1の配線層は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能し、
前記第1の半導体層の導電率は、前記第2の半導体層の導電率よりも高く、
前記第1の絶縁層は、窒素を含み、
前記第2の半導体層は、前記第1の絶縁層と接する第1の領域と、前記第1の絶縁層と接しない第2の領域とを有し、
前記第1の領域の結晶性は、前記第2の領域の結晶性よりも低く、
前記第1の領域の抵抗率は、前記第2の領域の抵抗率よりも高く、
前記第2の半導体層と、前記第2の絶縁層と、前記第2の配線層と、は、同一のフォトマスクを用いてエッチング加工する工程を経て形成されたものであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1の半導体層の側面、及び、前記第2の半導体層の側面に、第1のサイドウォール絶縁層を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第1の配線層の側面に、第2のサイドウォール絶縁層を有することを特徴とする半導体装置。
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