JP2011155253A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (1)

1. 第１の絶縁層上方の第１の配線層と、
   前記第１の配線層上方の第１の半導体層と、
   前記第１の半導体層上方の第２の半導体層と、
   前記第２の半導体層上方の第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上方の第２の配線層と、を有し、
   前記第２の配線層は、トランジスタのゲート電極として機能し、
   前記第２の絶縁層は、前記トランジスタのゲート絶縁層として機能し、
   前記第１の配線層は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能し、
   前記第１の半導体層の導電率は、前記第２の半導体層の導電率よりも高く、
   前記第１の絶縁層は、窒素を含み、
   前記第２の半導体層は、前記第１の絶縁層と接する第１の領域と、前記第１の絶縁層と接しない第２の領域とを有し、
   前記第１の領域の結晶性は、前記第２の領域の結晶性よりも低く、
   前記第１の領域の抵抗率は、前記第２の領域の抵抗率よりも高いことを特徴とする半導体装置。