JP2011155253A - 薄膜トランジスタ、表示装置及び薄膜トランジスタの作製方法 - Google Patents
薄膜トランジスタ、表示装置及び薄膜トランジスタの作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011155253A JP2011155253A JP2010287405A JP2010287405A JP2011155253A JP 2011155253 A JP2011155253 A JP 2011155253A JP 2010287405 A JP2010287405 A JP 2010287405A JP 2010287405 A JP2010287405 A JP 2010287405A JP 2011155253 A JP2011155253 A JP 2011155253A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor layer
- film
- impurity semiconductor
- wiring layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 226
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 128
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 43
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 173
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 431
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 43
- 239000002585 base Substances 0.000 description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 16
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 6
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 229910018518 Al—Ni—La Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000000628 photoluminescence spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 titanium oxide Chemical compound 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
- H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
- H01L29/66757—Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】薄膜トランジスタの下地層に「結晶核の生成を抑制する不純物」を含ませ、または下地層の表面に「結晶核の生成を抑制する不純物」を存在させ、下地層上に設けられた第1の配線層と、第1の配線層に少なくとも一部が接する不純物半導体層と、少なくとも一部が不純物半導体層を介して第1の配線層と電気的に接続される半導体層と、半導体層上に設けられた第1の絶縁層と、少なくとも半導体層と第1の絶縁層を覆って設けられた第2の絶縁層と、第2の絶縁層上であって、不純物半導体層の少なくとも一部、及び不純物半導体層によって形成されるソース領域とドレイン領域の間に重畳して設けられた第2の配線層と、を有する薄膜トランジスタとする。
【選択図】図1
Description
本実施の形態は、本発明の一態様であるTFTの一例について説明する。
本実施の形態は、本発明の一態様であって、実施の形態1に示すものとは異なる形態について説明する。具体的には、第1の導電膜と不純物半導体膜を積層して形成し、1枚のフォトマスクを用いてこれらの加工を行う。
本実施の形態は、本発明の一態様であって、実施の形態1及び実施の形態2に示すものとは異なる形態について説明する。具体的には、第2の配線層と第3の配線層との間に第3の絶縁層が設けられていない形態について説明する。
本実施の形態は、本発明の一態様であって、実施の形態1乃至実施の形態3に示すものとは異なる形態について説明する。具体的には、基板とTFTの間に遮光層が設けられた形態について説明する。基板とTFTの間に遮光層を設けることで、光電流による影響を抑えることができる。
本実施の形態は、本発明の一態様であって、実施の形態1乃至実施の形態4に示すものとは異なる形態について説明する。具体的には、実施の形態1の画素TFTの作製工程では6枚のフォトマスクを要するが、本実施の形態の画素TFTは、3枚のフォトマスクで作製することができる。更には、本実施の形態のTFTは2枚のフォトマスクで作製することができる。
本実施の形態は、本発明の一態様であって、実施の形態1乃至実施の形態5に示すものとは異なる形態について説明する。具体的には、実施の形態5からフォトマスク数を増やすことなく、ゲート電極として機能する第2の配線層と半導体層が重畳する面積を狭くした形態について説明する。
本実施の形態は、本発明の一態様であって、実施の形態1乃至実施の形態6に示すものとは異なる形態について説明する。具体的には、実施の形態5のTFTを覆って絶縁層を形成し、該絶縁層上に画素電極として機能する配線層を形成する。
本実施の形態は、本発明の一態様であって、実施の形態1乃至実施の形態7に示すものとは異なる形態について説明する。具体的には、実施の形態5のTFTと基板の間に遮光層を設けることで、光電流による影響を抑えることができる。
実施の形態1乃至実施の形態8に示したTFTは、表示装置の保護回路部に適用することも可能である。表示装置の保護回路部は、例えば、ダイオード接続されたTFTを複数設けて構成することができる。
実施の形態1乃至実施の形態8で説明したTFTは、表示装置のアレイ基板に適用することができる。実施の形態1乃至実施の形態8で説明したTFTを適用した表示装置を搭載して電子機器を作製することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用のモニタ、電子ペーパー、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。なお、本実施の形態の電子機器は、実施の形態9の構成を有していてもよい。
102 下地層
104 第1の配線層
106 不純物半導体層
108 半導体層
110 第1の絶縁層
112 第2の絶縁層
114 第2の配線層
116 第3の絶縁層
118 開口部
120 第3の配線層
130 部分
132 非晶質を含む領域
134 結晶領域
152 不純物半導体膜
154 半導体膜
156 第1の絶縁膜
158 第2の絶縁膜
160 第2の導電膜
162 第3の絶縁膜
200 第1の導電膜
202 不純物半導体膜
204 第1の配線層
206 不純物半導体層
208 絶縁膜
210 サイドウォール絶縁層
212 半導体膜
214 第1の絶縁膜
216 半導体層
218 第1の絶縁層
300 第3の導電膜
400 遮光層
402 下地層
500 基板
502 下地層
504 第1の配線層
506 不純物半導体層
508 半導体層
510 第1の絶縁層
512 第2の絶縁層
514 第2の配線層
516A サイドウォール絶縁層
516B サイドウォール絶縁層
516C サイドウォール絶縁層
520 第3の配線層
522 半導体膜
524 第1の絶縁膜
526 第2の絶縁膜
528 第2の導電膜
530 絶縁膜
532 第3の導電膜
600 レジストマスク
602 縮小レジストマスク
604 第2の配線層
700 開口部
702 絶縁層
704 第3の導電膜
706 第3の配線層
800 遮光層
802 下地層
804 サイドウォール絶縁層
900 筐体
901 筐体
902 表示部
903 表示部
904 蝶番
905 電源入力端子
906 操作キー
907 スピーカ
911 筐体
912 表示部
921 筐体
922 表示部
923 スタンド
931 筐体
932 表示部
933 操作ボタン
934 外部接続ポート
935 スピーカ
936 マイク
937 操作ボタン
950 TFT
952 第2の絶縁層
954 第3の絶縁層
956 樹脂層
958 第3の配線層
960 対向電極層
962 球形粒子
964a 黒色領域
964b 白色領域
966 キャビティ
968 充填材
Claims (12)
- 下地層上に設けられた第1の配線層と、
前記第1の配線層に少なくとも一部が接する不純物半導体層と、
前記不純物半導体層を介して前記第1の配線層と電気的に接続される半導体層と、
少なくとも前記半導体層を覆って設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上であって、前記不純物半導体層の少なくとも一部、及び前記不純物半導体層によって形成されるソース領域とドレイン領域の間に重畳して設けられた第2の配線層と、を有し、
前記半導体層のソース領域とドレイン領域の間には非晶質を含む層が設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 下地層上に設けられた第1の配線層と、
前記第1の配線層上の一部に設けられた不純物半導体層と、
少なくとも一部が前記不純物半導体層を介して前記第1の配線層と電気的に接続される半導体層と、
前記半導体層上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上であって、前記不純物半導体層の少なくとも一部、及び前記不純物半導体層によって形成されるソース領域とドレイン領域の間に重畳して設けられた第2の配線層と、を有し、
前記半導体層のソース領域とドレイン領域の間には非晶質を含む層が設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項1において、
前記不純物半導体層は前記第1の配線層上にのみ設けられ、
前記不純物半導体層と前記第1の配線層の側面が同一平面上に存在することを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項3において、
前記第1の配線層の側面に接してサイドウォール絶縁層が設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記下地層は結晶核の生成を抑制する不純物を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項5において、
前記結晶核の生成を抑制する不純物は窒素であることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一に記載の薄膜トランジスタが有する前記第1の配線層に少なくとも画素電極を形成する第3の配線層が接続され、
前記薄膜トランジスタと重畳して遮光層が設けられた画素トランジスタを有することを特徴とする表示装置。 - 結晶核の生成を抑制する不純物を含む下地層を形成し、
前記下地層上に第1の配線層を形成し、
少なくとも前記第1の配線層上に不純物半導体膜を形成し、
前記不純物半導体膜を加工して不純物半導体層を形成し、
前記不純物半導体層上に半導体膜及び第1の絶縁膜を形成し、
前記半導体膜及び前記第1の絶縁膜を加工して半導体層及び第1の絶縁層を形成し、
少なくとも前記不純物半導体層、前記半導体層及び前記第1の絶縁層を覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記不純物半導体層により形成されるソース領域とドレイン領域の間と重畳して、前記第2の絶縁膜上に第2の配線層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 表面に結晶核の生成を抑制する不純物が存在する下地層を形成し、
前記下地層上に第1の配線層を形成し、
少なくとも前記第1の配線層上に不純物半導体膜を形成し、
前記不純物半導体膜を加工して不純物半導体層を形成し、
前記不純物半導体層上に半導体膜及び第1の絶縁膜を形成し、
前記半導体膜及び前記第1の絶縁膜を加工して半導体層及び第1の絶縁層を形成し、
少なくとも前記不純物半導体層、前記半導体層及び前記第1の絶縁層を覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記不純物半導体層により形成されるソース領域とドレイン領域の間と重畳して、前記第2の絶縁膜上に第2の配線層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 結晶核の生成を抑制する不純物を含む下地層を形成し、
前記下地層上に第1の導電膜と不純物半導体膜を形成し、
前記第1の導電膜と前記不純物半導体膜を加工して第1の配線層と不純物半導体層を形成し、
少なくとも前記不純物半導体層上に半導体膜、絶縁膜及び第2の導電膜を形成し、
前記不純物半導体層、前記半導体膜、前記絶縁膜及び前記第2の導電膜を加工してソース領域及びドレイン領域となる不純物半導体層、半導体層、絶縁層及び第2の配線層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 表面に結晶核の生成を抑制する不純物が存在する下地層を形成し、
前記下地層上に第1の導電膜と不純物半導体膜を形成し、
前記第1の導電膜と前記不純物半導体膜を加工して第1の配線層と不純物半導体層を形成し、
少なくとも前記不純物半導体層上に半導体膜、絶縁膜及び第2の導電膜を形成し、
前記不純物半導体層、前記半導体膜、前記絶縁膜及び前記第2の導電膜を加工してソース領域及びドレイン領域となる不純物半導体層、半導体層、絶縁層及び第2の配線層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項10または請求項11において、
前記不純物半導体層、前記半導体膜、前記絶縁膜及び前記第2の導電膜を加工したレジストマスクを縮小して縮小レジストマスクを形成し、
前記縮小レジストマスクを用いて第2の配線層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010287405A JP5636275B2 (ja) | 2009-12-28 | 2010-12-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009297892 | 2009-12-28 | ||
JP2009297892 | 2009-12-28 | ||
JP2010287405A JP5636275B2 (ja) | 2009-12-28 | 2010-12-24 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011155253A true JP2011155253A (ja) | 2011-08-11 |
JP2011155253A5 JP2011155253A5 (ja) | 2013-11-14 |
JP5636275B2 JP5636275B2 (ja) | 2014-12-03 |
Family
ID=44186333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010287405A Active JP5636275B2 (ja) | 2009-12-28 | 2010-12-24 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8299467B2 (ja) |
JP (1) | JP5636275B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013033843A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Sony Corp | 回路基板、回路基板の製造方法、表示装置および電子機器 |
US20130162925A1 (en) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd | Thin-film Transistor Substrate and Manufacturing Method Thereof and Liquid Crystal Display Device |
CN107086244A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-08-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及制作方法、阵列基板和显示装置 |
KR20230077967A (ko) * | 2021-11-26 | 2023-06-02 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0435068A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Tonen Corp | 薄膜トランジスター |
EP0473988A1 (en) * | 1990-08-29 | 1992-03-11 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a thin film transistor having amorphous/polycrystalline semiconductor channel region |
JPH04177735A (ja) * | 1990-11-09 | 1992-06-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法 |
US5627089A (en) * | 1993-08-02 | 1997-05-06 | Goldstar Co., Ltd. | Method for fabricating a thin film transistor using APCVD |
JPH09275215A (ja) * | 1996-04-05 | 1997-10-21 | Nec Corp | 多結晶シリコン薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US6342409B1 (en) * | 1999-05-21 | 2002-01-29 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Polysilicon thin film transistor and method of manufacturing the same |
JP2003515928A (ja) * | 1999-11-19 | 2003-05-07 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | トップゲート薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2006245194A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体装置 |
JP2009152346A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Panasonic Corp | 薄膜トランジスタと、その製造方法と、薄膜トランジスタを用いた電子機器 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2839529B2 (ja) | 1989-02-17 | 1998-12-16 | 株式会社東芝 | 薄膜トランジスタ |
JP3255942B2 (ja) | 1991-06-19 | 2002-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 逆スタガ薄膜トランジスタの作製方法 |
US5920772A (en) | 1997-06-27 | 1999-07-06 | Industrial Technology Research Institute | Method of fabricating a hybrid polysilicon/amorphous silicon TFT |
JP3119228B2 (ja) * | 1998-01-20 | 2000-12-18 | 日本電気株式会社 | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
KR100436181B1 (ko) | 2002-04-16 | 2004-06-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
JP4748954B2 (ja) | 2003-07-14 | 2011-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2005167051A (ja) | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法 |
KR101455317B1 (ko) | 2008-04-18 | 2014-10-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 트랜지스터 및 그 제작 방법 |
CN102007585B (zh) | 2008-04-18 | 2013-05-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 薄膜晶体管及其制造方法 |
-
2010
- 2010-12-23 US US12/977,479 patent/US8299467B2/en active Active
- 2010-12-24 JP JP2010287405A patent/JP5636275B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0435068A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Tonen Corp | 薄膜トランジスター |
EP0473988A1 (en) * | 1990-08-29 | 1992-03-11 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a thin film transistor having amorphous/polycrystalline semiconductor channel region |
JPH06342909A (ja) * | 1990-08-29 | 1994-12-13 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 薄膜トランジスタ及びその製法 |
JPH04177735A (ja) * | 1990-11-09 | 1992-06-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法 |
US5627089A (en) * | 1993-08-02 | 1997-05-06 | Goldstar Co., Ltd. | Method for fabricating a thin film transistor using APCVD |
JPH09275215A (ja) * | 1996-04-05 | 1997-10-21 | Nec Corp | 多結晶シリコン薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US6342409B1 (en) * | 1999-05-21 | 2002-01-29 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Polysilicon thin film transistor and method of manufacturing the same |
JP2003515928A (ja) * | 1999-11-19 | 2003-05-07 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | トップゲート薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US6677191B1 (en) * | 1999-11-19 | 2004-01-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of producing a top-gate thin film transistor |
JP2006245194A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体装置 |
JP2009152346A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Panasonic Corp | 薄膜トランジスタと、その製造方法と、薄膜トランジスタを用いた電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5636275B2 (ja) | 2014-12-03 |
US8299467B2 (en) | 2012-10-30 |
US20110156042A1 (en) | 2011-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102506007B1 (ko) | 트랜지스터의 제작 방법 | |
JP5667864B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20220013667A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2022020664A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP5636275B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN113016090A (zh) | 半导体装置 | |
US8546810B2 (en) | Thin film transistor, display device, and electronic appliance | |
KR20210027366A (ko) | 반도체 장치의 제작 방법 | |
US20230420571A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2012094851A (ja) | トランジスタの作製方法 | |
US20210384314A1 (en) | Semiconductor device | |
US11935963B2 (en) | Semiconductor device | |
KR20200101964A (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 | |
US20220320340A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
JP5697819B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
CN112805838A (zh) | 半导体装置 | |
TWI841560B (zh) | 半導體裝置 | |
JP6845290B2 (ja) | 表示装置 | |
US10916430B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
TW202410452A (zh) | 半導體裝置 | |
KR20230117207A (ko) | 반도체 장치 | |
CN116685901A (zh) | 半导体装置 | |
TW202005099A (zh) | 半導體裝置 | |
JP5667868B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130926 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130926 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140917 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141014 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141020 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5636275 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |