JP5523377B2 - 潤滑剤組成物、フッ素化合物、及びその用途 - Google Patents

Description

本発明は、極性基及びパーフルオロアルキレン基を有するフッ素化合物、及びそれを含有する潤滑剤組成物に関する。さらに詳しくは、大容量記録媒体である磁気ディスク、磁気テープなどの記録媒体用の潤滑剤として有用な潤滑剤組成物に関する。また、本発明は、当該潤滑剤組成物の種々の用途に関し、具体的には、当該潤滑剤組成物を用いて形成される、膜、並びに当該膜を有する積層体、磁気記録媒体、ヘッドスライダ、及び磁気記録装置に関する。

薄膜型の磁気記録媒体は、強磁性金属又はその合金からなる磁性層を、種々の方法（例えば、スパッタ、蒸着、無電解メッキ法等）によって非磁性基板上に形成して製造される。磁気記録媒体を実際に使用する際は、磁気ヘッドと高速で接触し、摩耗損傷を受けたり、磁気特性の劣化を起こしたりする場合がある。そのため、磁性層上に保護膜や潤滑層を設けて、耐摩耗性を向上させている。保護膜層の材料には、炭素質膜が一般的に利用されている。また潤滑層の材料には、フッ素系化合物が一般的に利用されている。
この様に、記録媒体の潤滑層は、動摩擦係数を低減し、ヘッドとの接触によって生ずる摩耗損傷や磁気特性の劣化を軽減する目的においては極めて有効であるが、一方で、特に潤滑層の膜厚が厚い場合は、潤滑層のヘッドへの付着や、潤滑剤／ヘッド間の相互作用によりヘッド浮上が不安定となりリードライト時のエラーやディスクとのクラッシュを引き起こす懸念がある。一方、潤滑層の膜厚を薄くすると、前記現象は起こり難くなるものの、潤滑層の機能、即ち、ヘッドとディスクの接触に起因する摩耗損傷や磁気特性の劣化の抑制、を達成し得ない場合がある。面記録密度を高めるためには、ヘッドの低浮上化並びにディスク回転の高速化が求められるため、潤滑層の機能を維持することは重要である。

そこで、潤滑層に用いる潤滑剤を精選することにより、上述の問題を解消しようとする試みが種々なされている。特許文献１には、環状基、芳香環に直接結合した極性基、及びフッ素鎖を有する所定の構造のフッ素化合物、並びにそれを含有する潤滑剤組成物が開示されているが、基板との吸着力、塗布面状が、必ずしも十分ではなく、さらなる改善が求められていた。

メソゲン構造を主鎖又は側鎖に有する重合体を利用した潤滑剤組成物及びグリース組成物も種々提案されているが（例えば、特許文献２、３）、記録媒体の潤滑層に用いられる材料としての有用性については、未だ明らかになっていない。

特開２０１０−２４８４６３号公報 特開２００６−３０７２０２号公報 特開２００８−１９５７９９号公報

特許文献１に開示の潤滑剤組成物は、記録媒体の潤滑層の材料として優れているが、一方で、溶剤への溶解性、塗布面状、及び基材への吸着性能の観点では、さらなる改善の余地がある。
本発明は、潤滑剤に要求される特性、特に記録媒体用の潤滑剤として要求される特性、がより改善された、潤滑剤組成物を提供することを課題とする。
本発明は、特に、溶剤への溶解性、塗布面状、及び基材への吸着性能の観点で、より改善された潤滑剤組成物を提供することを課題とする。
また、本発明は、上記潤滑剤組成物の種々の用途を提供することを課題とし、該組成物を用いて製造される膜、並びにそれを有する積層体、磁気記録媒体、ヘッドスライダ、及び磁気記録装置を提供することを課題とする。
また、本発明は、潤滑剤をはじめとする種々の用途に有用な、新規なフッ素化合物を提供することを課題とする。

本発明者らが、上記課題を解決すべく種々検討した結果、環状基とパーフルオロアルキレン基との間の連結基であって極性基を有する連結基の構造が、潤滑性能に影響するとの知見を得た。すなわち、該連結基を、芳香族性環状基を含まない柔軟な構造にすることにより、上記潤滑性能が向上することを見出し、本発明を完成するに至った。

前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。
［１］ 少なくとも１種類の下記一般式（１）で表される化合物を含有する潤滑剤組成物：

一般式（１）中、Ｘは置換されていてもよい環状基を表し；Ｙは少なくとも一つの極性基を有し、且つ芳香族性環状基を有しない、２価以上の連結基を表し；ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２、ｐ３およびｐ４はそれぞれ０〜４の整数を表し、ｑは０〜３０の整数を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｓは１〜４の整数を表し、ｔは２〜１０の整数を表し；但し、一般式（１）中の−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝−を構成する、−（ＣＦ₂）_p1−、−（ＣＦ）_p2−、−［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3−、及び−［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4−の結合の順番は限定されず、−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝−は、−（ＣＦ₂）_p1−、−（ＣＦ）_p2−、−［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3−、及び−［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4−から選ばれるパーフルオロアルキレン単位と酸素原子とがランダムに分布したパーフルオロアルキレンオキシ基を意味するものとし、ｑが２以上の時、複数の−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝−は互いに同一でも異なっていてもよく、またｓが２以上の時、複数のｎ及びｑはそれぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、またｔが２以上の時、複数のｓ及びＹはそれぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、ｐ２が１以上の時、パーフルオロアルキレンオキシ基は分岐構造を有する。

［２］ 前記化合物の１分子あたりのフッ素含率が、３７質量％以上７６質量％以下である［１］の潤滑剤組成物。
［３］ Ｘが、置換されていてもよい芳香族性環状基又は非芳香族性環状基である［１］又は［２］の潤滑剤組成物。
［４］ Ｙの有する極性基が、水酸基、アミノ基、メルカプト基、カルボキシル基、カルバモイル基、スルホンアミド基、リン酸基、及びフォスフェート基からなる群より選ばれる極性基である［１］〜［３］のいずれかの潤滑剤組成物。
［５］ Ｙの有する極性基が、水酸基である［１］〜［４］のいずれかの潤滑剤組成物。

［６］ Ｙが、Ｃ₂〜Ｃ₁₀のアルキレン基を含み、但しアルキレン基中の１つの炭素原子又は隣り合わない２以上の炭素原子は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子又はカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）に置き換わっていてもよく、且つアルキレン基中のいずれかの炭素原子に、又は炭素原子が窒素原子で置換されている場合は窒素原子に、直接もしくはＣ₁〜Ｃ₅のアルキレン基を介して極性基が結合している連結基である［１］〜［５］のいずれかの潤滑剤組成物。
［７］ Ｙが、下記式で表される部分構造を含む［１］〜［６］のいずれかの潤滑剤組成物：

式中、Ｗは極性基を表し、Ｚは酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を表わし；＊が付記された炭素原子のいずれか、又はＺが窒素原子である場合はＺが、Ｘと直接又はＣ₁〜Ｃ₈のアルキレン基（但しアルキレン基中の１つの炭素原子又は隣り合わない２以上の炭素原子は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子又はカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）に置き換わっていてもよい）を介して結合し；＊＊が付記された炭素原子が、−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝_q−Ｃ_nＦ_2n+1に結合する。

［８］ 一般式（１）中のパーフルオロアルキレンオキシ基が、下記式（２ａ）又は（２ｂ）で表される基である［１］〜［７］のいずれかの潤滑剤組成物：

一般式（２ａ）及び（２ｂ）中、ｍは２〜４の整数を表し、ｑは１〜３０の整数を表し、式（２a）中のｑが２以上の場合に複数存在するｍ、及び式（２ｂ）中に複数存在するｍは、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよく、＊はＹとの結合位置を、＊＊はＣ_nＦ_2n+1との結合位置を示す。

［９］ 一般式（１）中のパーフルオロアルキレンオキシ基が、下記式（３ａ）又は（３ｂ）で表される基である［１］〜［７］のいずれかの潤滑剤組成物：

一般式（３ａ）及び（３ｂ）中、ｖは１〜２０の整数を表し、ｗは１〜２０の整数を表し、但し（ｖ＋ｗ）は１〜３０の整数であり、且つ（ＣＦ₂Ｏ）と（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）との結合の順番は限定されず、＊はＹとの結合位置を、＊＊はＣ_nＦ_2n+1との結合位置を示す。

［１０］ Ｙが、下記式（Ｙ１）〜（Ｙ３）のいずれかで表される基である［１］〜［９］のいずれかの潤滑剤組成物：

式中、Ｗ¹及びＷ²はそれぞれ、極性基を、又は１以上の極性基と、１以上のメチレン基（ＣＨ₂）、１以上のメチン基（ＣＨ）、１以上の４級炭素原子、又はこれらの２以上の組み合わせてなる基とからなる極性基を有する基を表わし；ｋは０又は１であり；Ｌ¹〜Ｌ³はそれぞれ、−ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−を表わし；Ｚは酸素原子又はＮＨを表わし；＊及び＊＊はそれぞれ、Ｘ及び−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝−Ｃ_nＦ_2n+1との結合位置を示す。

［１１］ 前記少なくとも１種類の一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（１ａ）〜（１ｆ）のいずれかで表される化合物である［１］〜［１０］のいずれかの潤滑剤組成物：

式中、Ｘは置換されていてもよい環状基を表し；Ｗ¹及びＷ²はそれぞれ、極性基を、又は１以上の極性基と、１以上のメチレン基（ＣＨ₂）、１以上のメチン基（ＣＨ）、１以上の４級炭素原子、又はこれらの２以上の組み合わせてなる基とからなる極性基を有する基を表わし；ｋは０又は１であり；Ｌ¹〜Ｌ³はそれぞれ、−ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−を表わし；Ｚは酸素原子又はＮＨを表わし；ｍは２〜４の整数を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｔは２〜１０の整数を表し、ｑは１〜３０の整数を表し；但し、各式中に複数存在するＬ¹〜Ｌ³、ｋ、Ｗ¹、Ｗ²、Ｚ、ｍ、ｎ及びｑはそれぞれ、互いに同一であっても異なっていてもよい。

［１２］ 前記少なくとも１種類の一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（１ｇ）〜（１ｌ）のいずれかで表される化合物である［１］〜［１０］のいずれかの潤滑剤組成物：

式中、Ｘは置換されていてもよい環状基を表し；Ｗ¹及びＷ²はそれぞれ、極性基を、又は１以上の極性基と、１以上のメチレン基（ＣＨ₂）、１以上のメチン基（ＣＨ）、１以上の４級炭素原子、又はこれらの２以上の組み合わせてなる基とからなる極性基を有する基を表わし；ｋは０又は１であり；Ｌ¹〜Ｌ³はそれぞれ、−ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−を表わし；Ｚは酸素原子又はＮＨを表わし；ｖは１〜２０の整数を表し、ｗは１〜２０の整数を表し、但し（ｖ＋ｗ）は１〜３０の整数であり、且つ（ＣＦ₂Ｏ）と（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）との結合の順番は限定されず、ｎは１〜１０の整数を表し、ｔは２〜１０の整数を表し；但し、各式中に複数存在するＬ¹〜Ｌ³、ｋ、Ｗ¹、Ｗ²、Ｚ、ｖ、ｗ及びｎはそれぞれ、互いに同一であっても異なっていてもよい。

［１３］ 磁気記録媒体用ディスクの潤滑剤として用いられる［１］〜［１２］のいずれかの潤滑剤組成物。
［１４］ ［１］〜［１３］のいずれかの潤滑剤組成物からなる膜。
［１５］ ディップコート法、スピンコート法、又は真空蒸着法により形成されてなる［１４］の膜。
［１６］ 少なくとも表面の一部がカーボンを主原料とする基材と、その上に［１４］又は［１５］の膜を有する積層体。
［１７］ 紫外線照射処理又は熱処理を施して基材へ密着させた［１６］の積層体。
［１８］ 少なくとも、磁性層、及び［１４］又は［１５］の膜を有する磁気記録媒体。
［１９］ 前記磁性層と前記膜との間に、保護層を有する［１８］の磁気記録媒体。
［２０］ 磁気ヘッドを備えたヘッドスライダであって、少なくとも一部の表面に、［１４］又は［１５］の膜を有するヘッドスライダ。
［２１］ ［１８］又は［１９］の磁気記録媒体、及び［２０］のヘッドスライダのうち、少なくとも一方を有する磁気記録装置。

［２２］ 下記一般式（１）で表されるフッ素化合物：

一般式（１）中、Ｘは置換されていてもよい環状基を表し；Ｙは少なくとも一つの極性基を有し、且つ芳香族性環状基を有しない、２価以上の連結基を表し；ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２、ｐ３およびｐ４はそれぞれ０〜４の整数を表し、ｑは０〜３０の整数を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｓは１〜４の整数を表し、ｔは２〜１０の整数を表し；但し、一般式（１）中の−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝−を構成する、−（ＣＦ₂）_p1−、−（ＣＦ）_p2−、−［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3−、及び−［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4−の結合の順番は限定されず、−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝−は、−（ＣＦ₂）_p1−、−（ＣＦ）_p2−、−［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3−、及び−［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4−から選ばれるパーフルオロアルキレン単位と酸素原子とがランダムに分布したパーフルオロアルキレンオキシ基を意味するものとし、ｑが２以上の時、複数の−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝−は互いに同一でも異なっていてもよく、またｓが２以上の時、複数のｎ及びｑはそれぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、またｔが２以上の時、複数のｓ及びＹはそれぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、ｐ２が１以上の時、パーフルオロアルキレンオキシ基は分岐構造を有する。

［２３］ １分子あたりのフッ素含率が、３７質量％以上７６質量％以下である［２２］のフッ素化合物。
［２４］ Ｘが、置換されていてもよい、ベンゼン、シクロヘキサン、トリアジン、イソシアヌル、ピリミジン、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカンよりなる群から選ばれる基である［２２］又は［２３］のフッ素化合物。
［２５］ Ｘが、下記式（Ｘ１）〜（Ｘ４）のいずれかの環状基である［２２］〜［２４］のいずれかのフッ素化合物：

式中、＊はＹが結合可能な位置を示し、各式中の２以上の＊の位置にＹが結合し、Ｙが結合していない＊の位置、又はその他の結合可能な位置に他の置換基が結合していてもよい。

［２６］ 前記一般式（１）中のＹが、エーテル性酸素原子、アミン性窒素原子、及びアミド結合からなる群より選ばれる原子又は原子団を少なくとも１つ有する、炭素数１〜１５の直鎖状又は分枝状の２〜５価の連結基であることを特徴とする、［２２］〜［２５］のいずれかのフッ素化合物。

［２７］ Ｙが、Ｃ₂〜Ｃ₁₀のアルキレン基を含み、但しアルキレン基中の１つの炭素原子又は隣接しない２以上の炭素原子は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子又はカルボニル基（−（Ｃ＝Ｏ）−）に置き換わっていてもよく、且つアルキレン基中のいずれかの炭素原子又は炭素原子が窒素原子で置換されている場合は窒素原子に、直接もしくはＣ₁〜Ｃ₅のアルキレン基を介して極性基が結合している連結基である［２２］〜［２６］のいずれかのフッ素化合物。
［２８］ Ｙが、下記式で表される部分構造を含む［２２］〜［２７］のいずれかのフッ素化合物：

式中、Ｗは極性基を表し、Ｚは酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を表わし；＊が付記された炭素原子のいずれか、又はＺが窒素原子である場合はＺが、Ｘと直接又はＣ₁〜Ｃ₈のアルキレン基（但しアルキレン基中の１つの炭素原子又は隣接しない２以上の炭素原子は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子又はカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）に置き換わっていてもよい）を介して結合し；＊＊が付記された炭素原子が、−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝_q−Ｃ_nＦ_2n+1に結合する。

［２９］ Ｙが、下記式（Ｙ１）〜（Ｙ３）で表される基である［２２］〜［２８］のいずれかのフッ素化合物：

式中、Ｗ¹及びＷ²はそれぞれ、極性基を、又は１以上の極性基と、１以上のメチレン基（ＣＨ₂）、１以上のメチン基（ＣＨ）、１以上の４級炭素原子、又はこれらの２以上の組み合わせてなる基とからなる極性基を有する基を表わし；ｋは０又は１であり；Ｌ¹〜Ｌ³はそれぞれ、−ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−を表わし；Ｚは酸素原子又はＮＨを表わし；＊及び＊＊はそれぞれ、Ｘ及び−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝_q−Ｃ_nＦ_2n+1との結合位置を示す。

［３０］ 一般式（１）中のパーフルオロアルキレンオキシ基が、下記式（２ａ）又は（２ｂ）で表される基である［２２］〜［２９］のいずれかのフッ素化合物：

一般式（２ａ）及び（２ｂ）中、ｍは２〜４の整数を表し、ｑは１〜３０の整数を表し、式（２a）中のｑが２以上の場合に複数存在するｍ、及び式（２ｂ）中に複数存在するｍは、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよく、＊はＹとの結合位置を、＊＊はＣ_nＦ_2n+1との結合位置を示す。

［３１］ 一般式（１）中のパーフルオロアルキレンオキシ基が、下記式（３ａ）又は（３ｂ）で表される基である［２２］〜［２９］のいずれかのフッ素化合物：

一般式（３ａ）及び（３ｂ）中、ｖは１〜２０の整数を表し、ｗは１〜２０の整数を表し、但し（ｖ＋ｗ）は１〜３０の整数であり、且つ（ＣＦ₂Ｏ）と（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）との結合の順番は限定されず、＊はＹとの結合位置を、＊＊はＣ_nＦ_2n+1との結合位置を示す。

［３２］ 下記一般式（１ａ）〜（１ｆ）のいずれかで表されるフッ素化合物：

式中、Ｘは置換されていてもよい環状基を表し；Ｗ¹及びＷ²はそれぞれ、極性基を、又は１以上の極性基と、１以上のメチレン基（ＣＨ₂）、１以上のメチン基（ＣＨ）、１以上の４級炭素原子、又はこれらの２以上の組み合わせてなる基とからなる極性基を有する基を表わし；ｋは０又は１であり；Ｌ¹〜Ｌ³はそれぞれ、−ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−を表わし；Ｚは酸素原子又はＮＨを表わし；ｍは２〜４の整数を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｔは２〜１０の整数を表し、ｑは１〜３０の整数を表し；但し、各式中に複数存在するＬ¹〜Ｌ³、ｋ、Ｗ¹、Ｗ²、Ｚ、ｍ、ｎ及びｑはそれぞれ、互いに同一であっても異なっていてもよい。

［３３］ 下記一般式（１ｇ）〜（１ｌ）のいずれかで表されるフッ素化合物：

式中、Ｘは置換されていてもよい環状基を表し；Ｗ¹及びＷ²はそれぞれ、極性基を、又は１以上の極性基と、１以上のメチレン基（ＣＨ₂）、１以上のメチン基（ＣＨ）、１以上の４級炭素原子、又はこれらの２以上の組み合わせてなる基とからなる極性基を有する基を表わし；ｋは０又は１であり；Ｌ¹〜Ｌ³はそれぞれ、−ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−を表わし；Ｚは酸素原子又はＮＨを表わし；ｖは１〜２０の整数を表し、ｗは１〜２０の整数を表し、但し（ｖ＋ｗ）は１〜３０の整数であり、且つ（ＣＦ₂Ｏ）と（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）との結合の順番は限定されず、ｎは１〜１０の整数を表し、ｔは２〜１０の整数を表し；但し、各式中に複数存在するＬ¹〜Ｌ³、ｋ、Ｗ¹、Ｗ²、Ｚ、ｖ、ｗ及びｎはそれぞれ、互いに同一であっても異なっていてもよい。
[３４]
下記Ｌ−１〜Ｌ−１４のいずれかであるフッ素化合物：

式（Ｌ-１４）中、ｍは１〜２０の整数を表し、ｎは１〜２０の整数を表し、但し（ｍ＋ｎ）は１〜３０の整数であり、且つ（ＣＦ₂Ｏ）と（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）との結合の順番は限定されない。

本発明によれば、潤滑剤に要求される特性、特に記録媒体用の潤滑剤として要求される特性、がより改善された、潤滑剤組成物を提供することができる。
また、本発明によれば、特に、溶剤への溶解性、塗布面状、及び基材への吸着性能の観点で、より改善された潤滑剤組成物を提供することができる。
また、本発明によれば、上記潤滑剤組成物の種々の用途、該組成物を用いて製造される、膜、並びにそれを有する積層体、磁気記録媒体、ヘッドスライダ、及び磁気記録装置を提供することができる。
また、本発明は、潤滑剤をはじめとする種々の用途に有用な、新規なフッ素化合物を提供することができる。
本発明により、潤滑層をより薄層化することが可能になり、高基板吸着性、耐摺動特性、高安定性、表面平滑性、及びヘッド移着抑制性をさらに改善することができる。

本発明の磁気記録媒体の一例の断面模式図である。

以下、本発明について詳細に説明する。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
１． 潤滑剤組成物
本発明は、少なくとも一種の下記式（１）で表される化合物を含有する潤滑剤組成物に関する。下記化合物は、式中のＹに水酸基等の極性基を含む。極性基は、基板（もしくはその上に形成された炭素質膜、ＳｉＯ₂及びＺｒＯ₂等の酸化物膜、窒化物膜、ホウ化物膜等の保護膜層）に対する吸着基として作用する。例えば、公知の潤滑剤、「FOMBLIN Z-DOL」及び「FOMBLIN Z-TETRAOL」は、パーフルオロポリエーテルの両末端に極性基（水酸基）を有する。このような化合物では、両末端の吸着基が基板に吸着し、パーフルオロポリエーテル鎖がたわむため、膜厚を均一に薄膜化することが困難である。これに対し、本発明の下記式（１）で表される化合物は上記した通り、パーフルオロアルキレン（オキシ）基の片末端と環状基の間に極性基を有する。したがって、基板上でのパーフルオロアルキレン（オキシ）基の自由度が高く、環状基および極性基を基板に接触させ、パーフルオロアルキレン（オキシ）基が基板に対して直立した配向をとる。その結果、本発明の潤滑剤組成物は、均一に薄膜化することができ、潤滑性能に優れる。耐摺動特性に優れ、非吸着層が存在しなくても、耐摺動特性を保持し得る。また、本発明では、下記式（１）の化合物を利用することで、非吸着層の除去が可能であり、更なる薄膜化も実現し得る。

また、下記一般式（１）で表される化合物には、式中のＹが芳香族性環状基を有しないという特徴もある。この特徴により、Ｙが芳香族性環状基を有する化合物と比較して、溶剤への溶解性、塗布面状、及び基材への吸着性能の観点で、より改善された潤滑剤組成物の提供が可能となる。この特徴を有する化合物を用いることによって、上記諸特性が改善されることの詳細な機構については明らかではないが、Ｙが芳香族性環状基を有しないことによって、化合物の構造がより柔軟になり、その結果、例えば化合物の結晶性が失われ又は低下することが影響しているものと推察される。

一般式（１）中、Ｘは置換されていてもよい環状基を表し；Ｙは少なくとも一つの極性基を有し、且つ芳香族性環状基を有しない、２価以上の連結基を表す。

式（１）中、Ｘは置換されていてもよい環状基を表す。該環状基の例には、芳香族環の残基（芳香族性環状基）及び非芳香族環の残基（例えば、１２−アザクラウン−４及び１５,１８,２１,２４−アザクラウン等のアザクラウン環、並びにシクロヘキサン環等の非芳香族性環状基）の双方が含まれる。また、金属に配位している配位子の残基であってもよく、中心金属に配位することによってはじめて環状構造を形成する元々は鎖状の基であってもよい。即ち、本明細書では、「環状基」は、元々は鎖状等の非環状基であっても、分子が複数集合して、環状構造型の集合体または超分子または錯体を形成するのであれば、環状基の意味に含まれるものとする。前記環状基を構成する原子については特に制限はないが、少なくとも炭素原子を環構成原子として含むのが好ましい。前記環状基は、炭素原子のみを環構成原子とする環状基から選択されてもよいし、並びに炭素原子とともに、窒素原子、酸素原子、及び硫黄原子等のヘテロ原子を環構成原子とする環状基から選択されてもよい。基板吸着性の観点では、ヘテロ原子を環構成原子とする環状基から選択されるのが好ましく、特に、トリアジン環の残基等、窒素原子を含む環状基から選択されるのが好ましい。また、Ｘは、複数のヘテロ環の残基を、環状に連結してなる多環式環状基（例えば、フタロシアニン、ポリフィリン、及びコロール等）であってもよい。なお、これらの環状基については、中心金属に配位した状態であってもよい。以下に、Ｘの例として好ましい、ヘテロ環状基の例を示すが、これらに限定されるものではない。なお、以下では、環状基の置換基や中心金属は取り去り、環状基の骨格のみを示すものとする。また、Ｙの置換位置はいずれであってもよく、下記の環状基中、置換可能な水素原子のいずれもＹに置き換わっていてもよい。

また、炭素原子のみを環構成原子とする芳香族性環状基の例には、ベンゼン環の残基が含まれる。また、Ｘとしては、多環式化合物（例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、トリフェニレン、ペニレン、コロネン等）の残基、又は複数のベンゼン環が環状に連結してなる環状基も好ましい。以下に、炭素原子のみを環構成原子とする芳香族性環状基の例を示すが、以下の例に限定されるものではない。なお、以下では、置換基は取り去り、環状基の骨格のみを示すものとする。また、Ｙの置換位置はいずれであってもよく、下記の環状基中、置換可能な水素原子のいずれもＹに置き換わっていてもよい。

また、非芳香性脂環状基の例には、以下のものが含まれるが、これらに限定されるものではない。なお、以下では、置換基は取り去り、環状基の骨格のみを示すものとする。また、Ｙの置換位置はいずれであってもよく、下記の環状基中、置換可能な水素原子のいずれもＹに置き換わっていてもよい。

Ｘは、置換されていてもよい単環式化合物の残基であることが好ましく、ベンゼン、シクロヘキサン、トリアジン、イソシアヌル、ピリミジン、１，４，７−トリアザシクロノナン、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカンよりなる群から選ばれる基であるのが、より好ましく、例えば、以下の式（Ｘ１）〜（Ｘ４）のいずれかの環状基であるのが特に好ましい。

式中、＊はＹが結合可能な位置を示し、各式中の２以上の＊の位置にＹが結合し、Ｙが結合していない＊の位置、又はその他の結合可能な位置に他の置換基が結合していてもよい。

Ｘで表される環状基は、１以上の置換基を有していてもよい。当該置換基の例には、水酸基等の極性基を含む種々の置換基が含まれる。環状基の環構成原子に、直接水酸基等の極性基が結合していてもよいし、また連結基を介して水酸基等の極性基が結合していてもよい。連結基の例には、炭素原子数１〜２０のアルキレン基、炭素数２〜２０のアルケニレン基、炭素数２〜２０のアルキニレン基、炭素数１〜２０の芳香族性環状基等が含まれる（但し、連結鎖中の１つの炭素原子、又は隣接していない２以上の炭素原子が、酸素、窒素、硫黄等の原子に置換されていてもよく、水素原子がフッ素原子に置換されていてもよい）。
Ｘで表される環状基に置換可能な置換基の例には、水素原子の他、以下の置換基群Ｔが含まれる。
置換基群Ｔ：
ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換又は無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った１価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル基、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル基）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った１価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル基）、ビシクロアルケニル基（置換又は無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換又は無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った１価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル基、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル基）、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基）、ヘテロ環基（好ましくは５又は６員の置換又は無置換の、芳香族又は非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた１価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜３０の５又は６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基）、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基）、アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアニリノ基、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、Ｎ−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ基）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ基）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換又は無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルホニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換又は無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル基）、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイルベンゾイル基）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシカルボニル基）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基）、アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換又は無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基）を表わす。

なお、式（１）中、Ｘの置換基の例としては、水酸基等の極性基を含む置換基（水酸基等の極性基そのものも含む意味である）、フッ素原子等のハロゲン原子を含む置換基（ハロゲン原子そのものを含む意味である）、及びＣ₁〜Ｃ₅のアルコキシ基が好ましい。Ｘは、水酸基等の極性基を含む置換基を有するか、無置換であるのが好ましい。
また、式（１）の化合物は、２以上のＸが、直接又は炭素原子等（例えば−ＣＨ₂−）を介して結合した、ビス体等の多量体であってもよい。多量体の場合、それぞれの単量体の構造は同一であっても異なっていてもよい。

式（１）中、Ｙは、少なくとも一つの極性基を有し、且つ芳香族性環状基を有しない、２価以上の連結基を表す。該極性基は末端に位置する１価基であっても、末端以外に位置する２価基であってもよい。基板表面に対する吸着性の観点では、極性基は末端に位置する１価基であるのが好ましい。極性基の例には、水酸基（−ＯＨ）、アミノ基（−ＮＨ₂）、メルカプト基（−ＳＨ）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、アルコキシカルボニル基（−ＣＯＯＲ；但しＲはアルキル基）、カルバモイル（−ＣＯＮＨ₂）、ウレイド基（−ＮＨＣＯＮＨ₂）、スルホンアミド基（−ＳＯ₂ＮＨ₂）、リン酸基（−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）₂）、スルホ酸基（−ＳＯ₃Ｈ）、スルフィノ基（−Ｓ（＝Ｏ）ＯＨ）スルフィド基（−Ｓ−）、ジスルフィド基（−Ｓ−Ｓ−）、スルフィニル基（−Ｓ（＝Ｏ）−）、アミノカルボニル基（−ＮＨＣＯ−）、ウレイレン基（−ＮＨＣＯＮＨ−）、イミノ基（Ｃ＝ＮＨ又はＣ＝ＮＲ（Ｒ：は置換基））、イミド基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＣ（＝Ｏ−）、スルホンイミド基（−Ｓ（＝Ｏ）₂ＮＨＳ（＝Ｏ）₂−）及びアミノスルホニル基（−ＮＨＳＯ₂−）が含まれる。
これらの中でも、上記観点から１価の極性基が好ましく、中でも水酸基が好ましい。

Ｙが表す２価以上の連結基としては、置換もしくは無置換の、イミノ基（Ｃ＝ＮＨ又はＣ＝ＮＲ（Ｒ：は置換基））、スルフィド基（Ｓ）、炭素原子数１〜２０のアルキレン基（但し１つの炭素原子、又は隣接しない２以上の炭素原子が酸素、窒素、硫黄等の原子に置換されていてもよく、水素原子がハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）に置換されていてもよい）、炭素原子数２〜２０のアルケニレン基、炭素原子数２〜２０のアルキニレン基、カルボニル基（Ｃ＝Ｏ）、スルフィニル基（Ｓ＝Ｏ）、スルホニル基（Ｓ（＝Ｏ）₂）、ホスホリル基（Ｐ＝Ｏ）、酸素原子（Ｏ）、及びそれらから選択される一つ以上の組合せからなる２価以上の連結基が好ましい。

Ｙの好ましい例は、エーテル性酸素原子、アミン性窒素原子、及びアミド結合からなる群より選ばれる原子又は原子団を少なくとも１つ有する、炭素数１〜１５（より好ましくは１〜１０）の直鎖状又は分枝状の２〜５価の連結基である。

また、Ｙの例には、Ｃ₂〜Ｃ₁₀のアルキレン基を含み、但しアルキレン基中の１つの炭素原子又は隣接しない２以上の炭素原子は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子又はカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）に置き換わっていてもよく、且つアルキレン基中のいずれかの炭素原子（又は炭素原子が窒素原子で置換されている場合は窒素原子）に直接もしくはＣ₁〜Ｃ₅のアルキレン基を介して極性基が結合している連結基である。例えば、アルキレン基の末端の炭素原子に、下記パーフルオロアルキレンオキシ基が結合する。

またＹの例には、下記式で表される部分構造を含む連結基が含まれる。

式中、Ｗは極性基を表し、Ｚは酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を表わし；＊が付記された炭素原子のいずれか、又はＺが窒素原子である場合はＺが、Ｘと直接又はＣ₁〜Ｃ₈のアルキレン基（但しアルキレン基中の１つの炭素原子又は隣接しない２以上の炭素原子は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子又はカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）に置き換わっていてもよい）を介して結合し；＊＊が付記された炭素原子が、直接又はＣ₁〜Ｃ₈のアルキレン基（但しアルキレン基中の１つの炭素原子又は隣接しない２以上の炭素原子は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子又はカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）に置き換わっていてもよい）を介して、−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝_q−Ｃ_nＦ_2n+1に結合する。

また、Ｙの例には、下記式（Ｙ１）〜（Ｙ３）のいずれかで表される連結基が含まれる。

式中、Ｗ¹及びＷ²はそれぞれ、極性基を、又は１以上の極性基と、１以上のメチレン基（ＣＨ₂）、１以上のメチン基（ＣＨ）、１以上の４級炭素原子、又はこれらの２以上の組み合わせてなる基とからなる極性基を有する基を表わし；ｋは０又は１であり；Ｌ¹〜Ｌ³はそれぞれ、−ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−を表わし；Ｚは酸素原子又はＮＨを表わし；＊及び＊＊はそれぞれ、Ｘ及び−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3、［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝_q−Ｃ_nＦ_2n+1との結合位置を示す。

Ｗ¹及びＷ²がそれぞれ表す、１以上の極性基と、１以上のメチレン基（ＣＨ₂）、１以上のメチン基（ＣＨ）、１以上の４級炭素原子、又はこれらの２以上の組み合わせてなる基とからなる極性基を有する基の例には、以下の基が含まれる。

式中、Ｗは極性基を表し、＊は上記式（Ｙ１）、（Ｙ２）及び（Y3）との結合部位を示す。

前記式（１）中の環状基Ｘは、下記式で表されるパーフルオロアルキレンオキシ基をｔ個有する。ｔは２〜１０の整数を表し、環状基の構造に応じて、ｔの好ましい範囲が変動する。通常は、２〜６が好ましく、２〜４がより好ましい。

式中、Ｙは上記連結基であり；ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２、ｐ３およびｐ４はそれぞれ０〜４の整数を表し、ｑは０〜３０の整数を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｓは１〜４の整数を表す。但し、−（ＣＦ₂）_p1−、−（ＣＦ）_p2−、−［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3−、及び−［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4−の結合の順番は限定されず、−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝−は、−（ＣＦ₂）_p1−、−（ＣＦ）_p2−、−［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3−、及び−［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4−から選ばれるパーフルオロアルキレン単位と酸素原子とがランダムに分布したパーフロオロアルキレンオキシ基を意味するものとする。また、ｑが２以上の時、複数の−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝−は互いに同一でも異なっていてもよく、またｓが２以上の時、複数のｎ及びｑはそれぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、またｔが２以上の時、複数のｓ及びＹはそれぞれ互いに同一でも異なっていてもよい。また、ｐ２が１以上、即ち（ＣＦ）を含む場合は、パーフロアルキレンオロオキシ基は分岐構造を有する。

ｐ１は１〜３であるのが好ましく、ｐ２は０又は１であるのが好ましく、ｐ３は０〜２であるのが好ましく、ｐ３は０〜２であるのが好ましい。またｑは２〜２０であるのが好ましく、３〜１０であるのがより好ましい。ｓは好ましくは１〜４であり、より好ましくは１〜３である。

前記パーフルオロアルキレンオキシ基の例には、下記式（２ａ）又は（２ｂ）で表される基が含まれる。

一般式（２ａ）及び（２ｂ）中、ｍは２〜４の整数を表し、ｑは１〜３０の整数を表し、＊はＹとの結合位置を、＊＊はＣ_nＦ_2n+1との結合位置を示す。ｑは３〜１０であるのが好ましい。式（２ａ）中のｑが２以上の場合の複数のｍ、及び式（２ｂ）中の複数のｍは、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。

また、前記パーフルオロアルキレンオキシ基の例には、下記式（３ａ）又は（３ｂ）で表される基が含まれる。

一般式（３ａ）及び（３ｂ）中、ｗは１〜３０の整数を表し、但し（ｖ＋ｗ）は１〜３０の整数であり；＊はＹとの結合位置を、＊＊はＣ_nＦ_2n+1との結合位置を示す。式中、（ＣＦ₂Ｏ）と（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）の結合の順番は特に限定されない。ｖは１〜１５であるのが好ましく、１〜１０であるのがより好ましく；ｗは１〜１５であるのが好ましく、１〜１０であるのがより好ましい。また、（ｖ＋ｗ）は２〜３０であるのが好ましく、２〜２０であるのがより好ましい。

前記パーフルオロアルキレンオキシ基は、末端にパーフルオロアルキル基、−Ｃ_nＦ_2n+1を有する。パーフルオロアルキル基は直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。ｎは１〜１０の整数であり、ｎは２〜８であるのが好ましい。

前記式（１）で表される化合物の１分子あたりのフッ素含率が高いほど、フッ素溶媒への溶解度が高いという観点で好ましい。１分子あたりのフッ素含率は、３７〜７６質量％であるのが好ましく、５０〜７６質量％であるのがより好ましい。

前記一般式（１）で表される化合物の例には、以下の式（１ａ）〜（１ｆ）で表される化合物が含まれる。

式中の各符号の定義については、上記と同様であり、好ましい範囲も同様である。

また、前記一般式（１）で表される化合物の例には、以下の式（１ｇ）〜（１ｌ）で表される化合物が含まれる。

式中の各符号の定義については、上記と同様であり、好ましい範囲も同様である。

以下に式（１）で表される化合物の具体例を示すが、これらの具体例に限定されるものではない。なお例示化合物に付記されたカッコ内の数値は、フッ素原子含有率を意味する。ただし、以下の式中、ｍは１〜２０の整数を表し、ｎは１〜２０の整数を表し、但し（ｍ＋ｎ）は１〜３０の整数であり、且つ（ＣＦ₂Ｏ）と（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）との結合の順番は限定されない。

前記式（１）で表される化合物の合成方法は、特に限定されず、種々の公知の方法を組合せて合成することができる。例えば、前記式（１）で表される化合物の基本的な構成要素は、中心の環状基、末端のパーフルオロアルキレンオキシ基、それらをつなぐ連結基、及び中心環状基又は連結基に存在する極性基である。極性基は、環状基を中心として、放射状に複数配されているのが、多点吸着の意味では好ましく、極性基は、環状基を末端のパーフルオロアルキレンオキシ基へとつなぐ、連結部Ｙに、所定の反応により、導入するのが好ましい。
末端のパーフルオロアルキレンオキシ基鎖（以下、単に「フッ素鎖」という場合がある）は、化合物の極性を大きく変化させるので、好ましくは化合物合成の最終段階に近いところで、導入するのが好ましい。

例えば、W¹が水酸基、あるいはW¹中の極性基が水酸基である、前記式（１a）、（１ｂ）、（１ｄ）および（１ｅ）で表される化合物は、エポシキ基を有する環状化合物と、フッ素鎖を有するアルコールあるいはアミン等を反応させることによって、連結部Ｙを形成させ合成することができる。また、水酸基あるいはアミノ基等を有する環状化合物（例えば、アザクラウン）と、フッ素鎖を有するエポキシ化合物を反応させることによって合成することができる。
また、前記一般式（１ｃ）および（１ｆ）で表される化合物のうち、環状基がトリアジンであり、ｋ＝０のものは、例えば、ハロゲン化シアヌルに、極性基とフッ素鎖を有する脂肪族アミンを反応させることによって、合成できる。この反応では、アミンとハロゲン化シアヌルの反応と、極性基とハロゲン化シアヌルの反応が競争的になる場合があるので、極性基の種類によっては、あらかじめ該極性基を保護したり、又は後から極性基を導入するのが好ましい。また、フッ素鎖は、あらかじめアミンに導入しておいても、後から導入してもよい。

本発明に係わる式（１）の化合物を製造可能な製造方法の例には、以下のスキーム１〜３で表される製造方法が含まれる

各スキームの式中、Ｌは式（１）中のＹの一部になる連結基であり、酸素原子、アルキレン基又はそれらの組み合わせ等を表わし、ｋは０又は１であり、Ｈａｌはハロゲン原子（例えばＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩ）、Ｗは極性基を含む置換基であり、Ｒｆは式（１）中のパーフルオロアルキレンオキシ基を表し、ｔは式（１）中のｔと同義である。
スキーム１は、環状基Ｘが、フェニル基等の芳香族アリール基又はシアヌル酸のトリオン体残基である式（１）の化合物の合成に適する。
スキーム２中の試薬２Ａは、式（１）中のＸになり得る環状化合物であって、１以上のＮＨを含むテトラアザシクロドデカン等の環状化合物を意味する。即ち、スキーム２は、環状基Ｘが、窒素原子を環構成原子として含む非芳香族系へテロ環残基である式（１）の化合物の合成に適する。
スキーム３は、環状基Ｘが、トリアジンの残基である式（１）の化合物の合成に適する。

本発明の潤滑剤組成物は、式（１）で表される化合物とともに、本発明の効果を損なわない範囲で、用途に応じて他の化合物を含有していてもよい。例えば、本発明の潤滑剤組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、下記の化合物（ａ）〜（ｄ）を含有してもよい。下記化合物（ａ）〜（ｄ）から選択される２種類以上を含有していてもよい。下記化合物（ａ）〜（ｄ）の添加により、本発明の潤滑剤組成物の粘度が低減され、その結果、摩擦（例えば、磁気記録媒体の場合はヘッド/メディア間の摩擦低減）のさらなる低減が図られる。

Ａ−ＣＦ₂Ｏ（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）_r（ＣＦ₂Ｏ）_sＣＦ₂−Ｂ （ａ）
［Ａ及びＢはそれぞれ、ＯＨＣＨ₂−又は下式から選ばれる少なくとも1種の基を表し；ｒは１〜３０のいずれかの数であり、ｓは１〜３０のいずれかの数であり；

但し、ｘは１〜５のいずれかの数である。］

Ｘ−ＣＦ₂Ｏ（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）_m（ＣＦ₂Ｏ）_nＣＦ₂−Ｙ （ｂ）
［Ｘ及びＹはそれぞれ、Ｆ、ＨＯ（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_tＣＨ₂−、ＨＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂ＯＣＨ₂−、ＨＯＯＣ−及びピペロニル基から選ばれる基を表し；ｍは１〜６０のいずれかの数であり；ｎは１〜６０のいずれかの数であり；ｔは１〜３０のいずれかの数である。］
Ｆ［ＣＦ（ＣＦ₃）ＣＦ₂Ｏ］_uＣＦ（ＣＦ₃）−Ｘ’ （ｃ）
［Ｘ’は、Ｆ又は−ＣＯＯＨを表し；ｕは１〜６０のいずれかの数である。］
Ｆ［ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ］_vＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂−Ｚ （ｄ）
［Ｚは、Ｆ、ＨＯ−及びＣＯＯＨ−から選ばれる基を表し；ｖは１〜６０のいずれかの数である。］

前記式（ａ）の化合物の例としては、“Ｆｏｍｂｌｉｎ Ｚ−ｄｏｌ”（Ｓｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ社）、及び“ＭＯＲＥＳＣＯ ＰＨＯＳＦＡＲＯＬ Ａ２０Ｈ”（松村石油研究所）等がある。前記式（ｂ）の化合物の例としては、“Ｆｏｍｂｌｉｎ Ｚ−０３”、“Ｚ−ｄｏｌ ＴＸ”、“Ｚ−ｔｅｔｒａｏｌ”、“Ｚ−ＤＩＡＣ”、“ＡＭ２００１”、“ＡＭ３００１”（いずれもＳｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ社）等がある。式（ｃ）の化合物の例としては、“ＫＲＹＴＯＸ １４３”、及び“１５７ＦＳ”（デュポン社）等がある。式（ｄ）の化合物の例としては、“ＤｅｍｎｕｍＳＡ”、及び“ＤｅｍｎｕｍＳＨ”（いずれもダイキン工業社）等がある。

本発明の潤滑剤組成物は、溶媒を含む塗布液として調製されてもよい。磁気記録媒体等の潤滑層用材料として利用する態様では、塗布液として調製し、該塗布液を、基板等の表面に塗布して薄層（約５〜２０Å程度）を形成するのが好ましい。塗布液の調製に用いられる溶媒については特に制限はない。例えば、“Ｖｅｒｔｒｅｌ ＸＦ−ＵＰ“（三井・デュポンフロロケミカル社製）、“ＨＦＥ−７１００ＤＬ”（住友スリーエム社製）、“ＨＦＥ−７２００”（住友スリーエム社製）、“ＡＫ−２２５”（旭硝子製）、アセトン、２−ブタノンなどの市販品を使用することができる。塗布液中の式（１）の化合物の濃度は、形成する層の厚み、塗布量、等に応じて決定することができるが、一般的には０．００１〜０．５質量％程度である。

２．膜及び積層体
本発明は、本発明の潤滑剤組成物からなる膜にも関する。本発明の膜は、例えば、本発明の潤滑剤組成物を塗布液として調製し、基板の表面に、塗布することで形成することができる。塗布方法については特に制限はなく、従来公知の方法にて膜を形成することができる。具体的には、ディプコート法、スピンコート法、ディップスピン法、ＬＢ法等の種々の塗布法を利用することができる。また、真空蒸着法により形成することもできる。本発明の膜を、磁気記録ディスク等の磁気記録媒体の潤滑膜として、又は、磁気記録ヘッドの潤滑膜として利用する態様では、塗布面状が良好な膜を薄膜（例えば厚み約５〜２０Å程度）として形成することが要求される。かかる用途には、ディップコート法、スピンコート法及び真空蒸着法を利用するのが好ましく、特にディップコート法が好ましい。
なお、塗布液の調製に用いられる溶媒については特に制限はないが、ディップコート法の場合は、上記例示した溶媒の中でも、“Ｖｅｒｔｒｅｌ ＸＦ−ＵＰ”（三井・デュポンフロロケミカル社製）、“ＨＦＥ−７１００ＤＬ”（住友スリーエム社製）、“ＨＦＥ−７２００”（住友スリーエム社製）などのフッ素系溶剤を用いて調製することが好ましい。

本発明の膜を形成する基板について特に制限はなく、用途に応じて選択することができる。基板の一例としては、少なくとも表面の一部が、ダイヤモンドライクカーボン等のカーボン主原料とする基板が挙げられる。本発明の潤滑剤組成物を、ダイヤモンドライクカーボン等のカーボンを主原料とする基板の表面に塗布すると、前記式（１）の化合物は、その中心核である環状基Ｘを基板面に水平にして、及びその側鎖であるパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）鎖を垂直になるように配向すると推測される。その結果、特に高い潤滑性能を発現することが期待される。例えば、フッ素系溶媒を用いて本発明の潤滑剤組成物（式（１）の化合物として、末端に−（ＯＣＦ₂ＣＦ₂）_kＯＣ_nＦ_2n+1（但し、ｋ＋ｎは８以下で、且つｋは６以下）を有する化合物を含有する）を塗布液として調製し、ダイヤモンドライクカーボンからなる基板表面にディップコート法により膜を形成すると、当該膜のＦＴ−ＩＲ ＲＡＳスペクトルは、１２６０ｃｍ^-1近傍（具体的には、±５ｃｍ^-1の範囲）にＣＦ₃基に帰属されるピークの強い強度が生じる。一方、同一の化合物をＬＢ単層膜として形成し、同様にＦＴ−ＩＲ ＲＡＳスペクトルを測定すると、１２６０ｃｍ^-1近傍（具体的には、±５ｃｍ^-1の範囲）にＣＦ₃基に帰属される強い強度のピークが生じる。即ち、これらの結果から、カーボンからなる表面上に形成された膜中の式（１）の化合物の分子の状態は、ＬＢ単層膜中の状態と同等であると言うことができる。ＬＢ単層膜では、分子中の親水性あるいは極性部分は水面に向けられ、パーフルオロポリエーテル鎖の疎水性部分は空気界面側に集めて密集して膜が形成されていると考えられる。従って、カーボンからなる表面上に形成された膜中の式（１）の化合物の分子も、基板面に対してＰＦＰＥ鎖が垂直に配向し、密集して膜を形成していると推測される。ＬＢ単層膜中の分子状態との同一性は、１２６０ｃｍ^-1近傍におけるＣＦ₃基に帰属されるピークの強度が、ＬＢ単層膜の同ピークの強度の５０％以上であることで確認できる。ピーク強度が等しい場合もあり得、即ち１００％も可能である。

従来のＰＦＰＥ鎖を有する磁気記録媒体用の潤滑剤用化合物は、いずれも、長鎖のＰＦＰＥ鎖が基板面に対して水平配向性であり、その性質が、従来の潤滑剤の性能に限界があった一因であると、本発明者は考えている。上記した通り、本発明の潤滑剤組成物は、ＰＦＰＥ鎖が垂直配向性となり、ＰＦＰＥ鎖の末端に位置する、例えばＣＦ₃基が、磁気ヘッドと接する潤滑層最上面に存在することになる。一方、基板面に対してＰＦＰＥ鎖が水平配向性の従来の化合物では、潤滑層最上面に存在するのは、ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ基等のフッ化アルキレンオキシ基であり、この状態に対して、潤滑層最上面が、ＣＦ₃基になっている状態のほうが、確率的に低表面エネルギー性が期待できる。

また、上記した通り、従来、磁気ヘッドの構成成分である酸化アルミニウム（α−Ａｌ₂Ｏ₃）の存在下では、−ＯＣＦ₂Ｏ−が分解されてしまうという問題があった。ＰＦＰＥ鎖が垂直配向性ならば、−ＯＣＦ₂Ｏ−を磁気ヘッドから遠ざけて配することが可能である。さらに、Ａｕｓｉｍｏｎｔ社製潤滑剤「ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ−ＴＥＴＲＡＯＬ」のように鎖状ＰＦＰＥ鎖の両末端に極性吸着性基がある場合、その極性吸着基が隣接するＰＦＰＥ鎖末端の吸着基同士と相互作用すればよいが、同一分子の両末端の吸着基同士が相互作用する場合は、それらが基板面に吸着するとその膜厚は最大で鎖状ＰＦＰＥ鎖の半分、平均分子量を２０００とすると−（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）₁₀基程度の厚みとなり、草原に大木が林立したような潤滑層を生じる懸念を拭い去ることはできないし、−ＯＣＦ₂Ｏ−の分解やヘッドへの移着を助長することは容易に想像される。従って鎖状ＰＦＰＥ鎖の水平配向を前提とする、従来の潤滑技術は、一層の薄膜化の要請に対しては限界のある技術といえる。

さらに、吸着効率の点からも鎖状ＰＦＰＥ鎖は最大二か所だが、ＰＦＰＥ鎖を三本以上分子の中心から放射状に配し、且つ中心核もしくはＰＦＰＥ鎖の中心核との接合部分に吸着性基を配する構造の分子であれば、三点以上の吸着性基を持たせることは容易であり、鎖状ＰＦＰＥ鎖より好ましい吸着効果を期待できる。この場合、ＰＦＰＥ鎖を側鎖複数本に分割することで、その長さを短くできる。これは直接的に潤滑層の薄膜化に繋がることが期待される。特に、中心核を平面的な環状構造とすることにより、基板面自体が異方性場であり、平面的な環状構造すなわち円盤状構造も異方性、平面性であるため、極性基である吸着性基を円盤面近傍に有する場合、基板面に沿って水平配向するほうがエンタルピー的に安定である。一方、円盤面から放射状に伸びるＰＦＰＥ鎖も撥水、撥油性であり、極性面から遠ざかる方向、即ち、基板面に垂直に伸長する傾向があることは、特に疎水性側鎖を有する円盤状分子のＬＢ単層膜で確認されている（Kawata, K., The Chemical Record, Vol.2, pp59-80 (2002)参照）。

以上説明した通り、前記式（１）の化合物の分子は、ダイヤモンドライクトカーボン等のカーボン材料の表面で、ＰＦＰＥ鎖を垂直に配向させて、密集して膜を形成することが可能である。その結果、従来の水平配向側のＰＦＰＥ鎖を有する潤滑剤用化合物と比較して、潤滑性、吸着性、及び耐久性のいずれの観点でも改善されることが期待される。

少なくとも表面の一部がカーボンを主原料とする基板上に潤滑膜を有する積層体の用途としては、後述の磁気記録媒体、及びヘッドスライダ等がある。

以下に、一例として、磁気記録媒体の保護層上に、本発明の潤滑剤組成物からなる潤滑膜を形成する方法について説明する。
磁気記録媒体の保護層上に、潤滑膜を形成する方法の一例は、前処理工程、塗布工程、及び後処理工程の３工程を含む。
前処理工程は保護層表面の洗浄、活性化を目的としており、方法としては、特に制限はなく、例えばＵＶ照射、プラズマ処理などが挙げられる。保護層表面が十分に清浄、活性であれば、この前処理工程は省略することも可能である。

塗布工程は、潤滑剤組成物を前記前処理された磁気記録媒体の保護層表面に被覆して、潤滑層を形成する工程である。塗布方法としては、上記膜の形成方法の例と同様である。磁気記録媒体の潤滑膜には、塗布面状が良好な膜を薄膜（例えば厚み約５〜２０Å程度）として形成することが要求される。この要求に応えるためには、ディップコート法、スピンコート法及び真空蒸着法を利用して膜を形成するのが好ましい。特に、ディップコート法によれば、潤滑剤組成物の塗布液中に基板を浸漬している間に、保護層表面に前記式（１）の化合物が吸着、且つ配向するため、特にディップコート法が望ましい。
塗布液の調製に用いられる溶媒についても、上記と同様である。塗布液中には、本発明の効果を損なわない範囲で、用途に応じて他の化合物（例えば、他のフッ素系潤滑剤など）を添加してもよい。

後処理工程は、潤滑剤組成物の保護層表面への吸着を促進することを目的としている。方法としては、特に制限はないが、アニール、ＵＶ照射などが好ましい。アニール条件としては、５０℃〜１５０℃が好ましく、ＵＶ照射の場合は波長１８５ｎｍ、２５４ｎｍの光を含むＵＶランプを使用するのが好ましい。

本発明に係わる潤滑剤組成物は、上記効果とともに、本発明者らが予想しなかったことに、ＵＶ光照射を行うことにより基板吸着性がさらに高まるという性質を有し、その点でも優れている。本発明の潤滑剤組成物を利用して形成された潤滑膜は、元々基材への吸着性に優れ、そのまま利用することができるが、さらにＵＶ照射してより優れた吸着性の潤滑膜として利用するのが好ましい。

３．磁気記録媒体
本発明の潤滑剤組成物は、磁気記録媒体用の潤滑剤組成物として有用である。
以下、本発明の潤滑剤組成物を利用した、本発明の磁気記録媒体について説明する。
本発明の潤滑剤組成物は、磁気記録ディスク及び磁気テープ等の、磁性記録媒体の潤滑層の材料として適している。なお、本明細書において、「磁気記録媒体」とは、情報の記録、読み取りに磁気のみを使用するハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等の他、磁気と光を併用するＭＯ等の光磁気記録媒体、及び磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体のいずれも含むものである。
本発明の磁気記録媒体の一実施形態は、磁気記録ディスクである。図１に本発明の磁気記録ディスクの一例の断面模式図を示す。なお、各層の厚みの相対的関係は、実際の磁気記録ディスクの関係と一致していない場合もある。図１に示す磁気記録ディスクは、ガラス基板１と、その上に軟磁性層２が被膜されている。さらに、その上に、非磁性中間層３、及び金属合金からなる磁気記録層４、及びダイヤモンドライクカーボン等のカーボンを堆積することで形成される保護膜層５を有する。保護膜層５の上には、本発明の潤滑剤組成物からなる潤滑層が形成されている。保護膜層５及び潤滑層６は、例えば、磁気ヘッドとディスクとが接触した際の、ディスク及びヘッドの磨耗損傷を軽減している。さらに、潤滑層６は、本発明の潤滑剤組成物からなるので、保護層への吸着性及び表面平滑性が良好であり、さらに潤滑性にも優れる。よって、ヘッド汚れが軽減されるとともに、ヘッドとの接触時の磨耗損傷も軽減され、信頼性が高い磁気記録ディスクになり得る。

また、本発明の潤滑剤組成物は、ＤＴＭ(Discrete track media)及び、ＢＰＭ(Bit patterned media)の潤滑膜の形成にも有用である。本発明の潤滑剤組成物は、高粘度及び低蒸気圧性の特徴があるので、特に表面凹凸形状を埋め戻さないプロセスにおいて、凹部に余剰にたまった非吸着潤滑剤のヘッドへの移着、データ部表面への移動を低減することができる。
さらに、本発明の潤滑剤組成物はエネルギーをアシストする熱アシスト記録、マイクロ波アシスト記録の潤滑膜としても有用である。特に、本発明の潤滑剤組成物は熱耐久性に優れているため、熱アシスト磁気記録用の潤滑膜として有用である。

４．ヘッドスライダ
本発明は、磁気ヘッドを備えたヘッドスライダであって、少なくとも一部の表面に、本発明の潤滑剤組成物からなる潤滑膜を有するヘッドスライダにも関する。磁気ヘッドの表面に潤滑膜を形成すると、ヘッドとディスクが接触した際の摩擦力を低減することができる。また、本発明の潤滑剤組成物が含有する式（１）の化合物は、基材の表面に対して、高密度に被覆できる性質を有するので、ヘッドへの汚れ付着の低減が期待される。
なお、ヘッドスライダの表面に、本発明の潤滑剤組成物からなる潤滑膜を形成する方法については、上述の、磁気記録媒体の保護層上に形成する潤滑膜を形成する方法を利用することができ、好ましい態様についても同様である。また、膜厚についても、磁気記録媒体上に形成する潤滑膜の膜厚と同程度である。

ヘッドスライダの表面と本発明の潤滑剤組成物からなる潤滑膜との間には、保護層が形成されていてもよい。保護層は上記磁気記録媒体の保護層と同様、ダイヤモンドライクカーボン等のカーボンを堆積することで形成される保護層であるのが好ましい。本発明の潤滑剤組成物が含有する式（１）の化合物の分子は、かかる材料からなる表面に対する吸着性が高く、さらに、上記した通り、ＰＦＰＥ鎖が垂直に配向し、密集して膜を形成することができるので、好ましい。

本発明は、また、本発明の潤滑剤組成物からなる膜を有する磁気記録媒体、及び本発明の潤滑剤組成物からなる膜を有するヘッドスライダの少なくとも一方を有する磁気記録媒体にも関する。本発明の磁気記録装置は、潤滑剤組成物からなる膜を潤滑膜として有しているので、ヘッドへの汚れ付着の抑制効果に優れている。従って、本発明は、ヘッド汚れが顕著になる、ヘッド浮上量の小さい高記録密度の磁気記録装置の態様において、特に有効である。

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、割合、操作等は、本発明の精神から逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例に制限されるものではない。
ここでは、核磁気共鳴法をＮＭＲ、高速液体クロマトグラフィーをＨＰＬＣ、マトリックス支援レーザー脱離イオン化法をＭＡＬＤＩ、飛行時間型質量分析法をＴＯＦと記す。¹Ｈ−ＮＭＲではテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を内部標準として用いて測定を行った。¹⁹Ｆ−ＮＭＲではフルオロトリクロロメタンを外部標準として用いて測定を行った。

１．化合物の合成例
［実施例１：化合物（３）の合成］

化合物（１）２２３ｍｇ（０．７５ｍｍｏｌ）及び化合物（２）１．９７ｇ（２．４８ｍｍｏｌ）をガラス製反応容器に取り、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）１３．７ｍｇ（０．０９ｍｍｏｌ）を加えた。１００℃で２時間反応後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物（３）を７０６ｍｇ（０．２６３ｍｍｏｌ、収率３５．１％）得た。

化合物（３）の同定データ：
¹Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］＝３．５０（３Ｈ、ｍ）、３．６７（３Ｈ、ｔ、Ｊ＝８．７Ｈｚ）、３．８３（６Ｈ、ｄ、Ｊ＝４．２Ｈｚ）、３．９４（６Ｈ、ｍ）、４．７８（３Ｈ、ｍ）、５．０３（３Ｈ、ｓ）。
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］−８８．８（６６Ｆ、ｍ）、−８６．９（９Ｆ、ｓ）、−７７．９（６Ｆ、ｍ)。

［実施例２：化合物（５）の合成］

化合物（４）４００ｍｇ（１．３６ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）１ｍＬ、及び化合物（２）３．５７ｇ（４．４９ｍｍｏｌ）をガラス製反応容器に取り、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）２４．８ｍｇ（０．１６３ｍｍｏｌ）を加え、１００℃で１０時間反応させた。放冷後、酢酸エチル−１５ｗｔ％食塩水−ＦＣ−７２（商品名、住友スリーエム社製）で分液し、ＦＣ−７２層を硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物（５）を２７４ｍｇ（０．１０２ｍｍｏｌ、収率７．５％）得た。

化合物（５）の同定データ
¹Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］＝２．３８（３Ｈ、ｄ、Ｊ＝３．６Ｈｚ）、３．７８（６Ｈ、ｍ）、３．９０（６Ｈ、ｔ、Ｊ＝７．５Ｈｚ）、３．９８（６Ｈ、ｄ、Ｊ＝４．２Ｈｚ）、４．１５（３Ｈ、ｍ）、６．１１（３Ｈ、ｓ）。
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］−８８．９（６６Ｆ、ｍ）、−８７．０（９Ｆ、ｓ）、−７８．０（６Ｆ、ｍ）。
ＭＡＬＤＩ／ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ＝２７０４．２［Ｍ⁺＋Ｎａ］。

［参考例１：化合物（８）の合成］

化合物（６）５９ｍｇ（０．３４３ｍｍｏｌ）、化合物（７）１．２９ｇ（１．５１ｍｍｏｌ）及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）１ｍＬをガラス製反応容器に取り、１００℃で８時間反応させた。放冷後、酢酸エチル−１５ｗｔ％食塩水−ＦＣ−７２で分液し、ＦＣ−７２層を硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物（８）を７９４ｍｇ（０．２２２ｍｍｏｌ、収率６４．６％）得た。

化合物（８）の同定データ
¹Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］＝２．００−２．９９（２４Ｈ、ｍ）、３．５９（８Ｈ、ｍ）、３．８８（１２Ｈ、ｍ）。
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］−９０．１〜−８７．１（１００Ｆ）、−７９．０〜−７８．４（８Ｆ）。
ＭＡＬＤＩ／ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ＝３５８０．３［Ｍ⁺］。

［参考例２：化合物（１０）の合成］

化合物（７）１．２９ｇ（１．５１ｍｍｏｌ）のかわりに化合物（９）７６１ｍｇ（１
．５１ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、参考例１と同様に行い、化合物（１０）を５１９ｍｇ（０．２３７ｍｍｏｌ、収率６９．３％）得た。

化合物（１０）の同定データ
¹Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］＝１．９８−２．９８（２４Ｈ、ｍ）、３．５８（８Ｈ、ｍ）、３．８９（１２Ｈ、ｍ）。
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］−８９．９〜−８６．９（５２Ｆ）、−７８．８〜−７８．５（８Ｆ）。
ＭＡＬＤＩ／ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ＝２１８９．２［Ｍ⁺］。

［参考例３：化合物（１２）の合成］

化合物（７）１．２９ｇ（１．５１ｍｍｏｌ）のかわりに化合物（１１）９１２ｍｇ（１．５１ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、参考例１と同様に行い、化合物（１２）を６１０ｍｇ（０．２３７ｍｍｏｌ、収率６８．７％）得た。

化合物（１２）の同定データ
¹Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］＝１．９８−２．９９（２４Ｈ、ｍ）、３．６０（８Ｈ、ｍ）、３．８９（１２Ｈ、ｍ）。
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］−１８９．４〜−１８８．８（４Ｆ）、−８９．８〜−８７．０（３２Ｆ）、−７８．８〜−７８．５（８Ｆ）、−７７．２〜−７６．７（８Ｆ）、−７３．８〜−７３．４（２４Ｆ）。
ＭＡＬＤＩ／ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ＝２５８９．２［Ｍ⁺］。

［参考例４：化合物（１４）の合成］

化合物（７）１．２９ｇ（１．５１ｍｍｏｌ）のかわりに化合物（１３）１．５１ｇ（１．５１ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、参考例１と同様に行い、化合物（１４）を８６５ｍｇ（０．２０７ｍｍｏｌ、収率６０．３％）得た。

化合物（１４）の同定データ
¹Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］＝１．９８−２．９８（２４Ｈ、ｍ）、３．５８（８Ｈ、ｍ）、３．８９（１２Ｈ、ｍ）。
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］−１８６．１〜−１８３．２（４Ｆ）、−１２１．９〜−１２４．７（８Ｆ）、−９０．２〜−８６．９（１２０Ｆ）。
ＭＡＬＤＩ／ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ＝４１８１．７［Ｍ⁺］。

［実施例７：化合物（２０）の合成］
（７−１）化合物（１７）の合成：

化合物（１５）１．５０ｇ（６．０９ｍｍｏｌ）をガラス製反応容器にとり、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６ｍＬおよびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）６ｍＬに溶解させた。炭酸カリウム１．７０ｇ（１２．２ｍｍｏｌ）及び化合物（１６）８．７２ｇ（９．３９ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１時間反応させた。放冷後、酢酸エチル−水で分液した。有機層を１０ｗｔ％食塩水、２５ｗｔ％食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物（１７）を１．１８ｇ（１．１７ｍｍｏｌ、収率１９．３％）得た。

化合物（１７）の同定データ
¹Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］＝１．７９（１Ｈ、ｔ、Ｊ＝５．４Ｈｚ）、３．６１（２Ｈ、ｔ、Ｊ＝５．１Ｈｚ）、３．７７（２Ｈ、ｍ）、４．１６（２Ｈ、ｔ、１０．２Ｈｚ）、７．７３（３Ｈ、ｍ）、８．１３（１Ｈ、ｍ）。
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］−８８．７（２２Ｆ、ｍ）、−８６．９（３Ｆ、ｓ）、−７３．３（２Ｆ、ｍ）。
ＭＡＬＤＩ／ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ＝１０４６．９［Ｍ⁺＋Ｎａ］。

（７−２）化合物（１８）の合成：

化合物（１７）１．５２ｇ（１．５１ｍｍｏｌ）をガラス製反応容器にとり、アセトニトリル１０ｍＬに溶解させた。炭酸カリウム６２６ｍｇ（４．５３ｍｍｏｌ）およびｍ−トルエンチオール３７５ｍｇ（３．０２ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間反応させた。酢酸エチル−水−ＦＣ−７２で分液し、ＦＣ−７２層を硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物（１８）を１．１２ｇ（１．３４ｍｍｏｌ、収率８８．６％）得た。

化合物（１８）の同定データ
¹Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］＝１．４９（１Ｈ、ｓ）、２．１２（１Ｈ、ｓ）、２．９０（２Ｈ、ｔ、Ｊ＝５．０Ｈｚ）、３．２３（２Ｈ、ｔ、１０．５Ｈｚ）、３．６４（２Ｈ、ｍ）。
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］−８８．８（２２Ｆ、ｍ）、−８６．９（３Ｆ、ｓ）、−７５．７（２Ｆ、ｍ）。

（７−３）化合物（２０）の合成：

化合物（１８）１．１２ｇ（１．３４ｍｍｏｌ）をガラス製反応容器にとり、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）３ｍＬに溶解させた。氷冷下、化合物（１９）４１．２ｍｇ（０．２２３ｍｍｏｌ）を加え、１時間攪拌した。加熱還流下で４時間反応後、ＴＨＦを減圧下留去した。１，４−ジオキサン３ｍＬを加え、加熱還流下４時間反応後、１，４−ジオキサンを減圧下留去した。ハロカーボン１．８オイル（商品名、ハロカーボン社製）２ｍＬを加え、１２０℃で５時間反応させた。放冷後、ＦＣ−７２−水で分液し、ＦＣ−７２層を硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物（２０）を１７０ｍｇ（０．０６５６ｍｍｏｌ、収率２９．４％）得た。

化合物（２０）の同定データ
¹Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］＝３．７２−３．９０（１２Ｈ）、４．３０（６Ｈ）。
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］−７３．２〜−７４．９（６Ｆ）、−８７．２〜−９１．１（７５Ｆ）。
ＭＡＬＤＩ／ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ＝２５９２．３［Ｍ⁺］。

［実施例８：化合物（２２）の合成］

化合物（１８）１．１２ｇ（１．３４ｍｍｏｌ）のかわりに、実施例７−１、７−２と同様にして合成した化合物（２１）１．２６ｇ（１．３４ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、実施例７−３と同様に行い、化合物（２２）を１９４ｍｇ（０．０６７１ｍｍｏｌ、収率３０．１％）得た。

化合物（２２）の同定データ
¹Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］＝３．７１−３．９０（１２Ｈ）、４．３１（６Ｈ）。
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］−１８９．１〜−１８８．７（３Ｆ）、−７３．８〜−７３．４（１８Ｆ）、−７３．１〜−７４．８（６Ｆ）、−８７．２〜−９１．４（６６Ｆ）。
ＭＡＬＤＩ／ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ＝２８９３．４［Ｍ⁺］。

［実施例９：化合物（２４）の合成］

化合物（１８）１．１２ｇ（１．３４ｍｍｏｌ）のかわりに、実施例７−１、７−２と同様にして合成した化合物（２３）１．３３ｇ（１．３４ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、実施例７−３と同様に行い、化合物（２４）を１７２ｍｇ（０．０５６４ｍｍｏｌ、収率２５．３％）得た。

化合物（２４）の同定データ
¹Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］＝３．７２−３．９２（１２Ｈ）、４．２８（６Ｈ）。
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］−１８６．３〜−１８２．９（３Ｆ）、−１２５．０〜−１２１．７（６Ｆ）、−９０．５〜−８７．３（９０Ｆ）。
ＭＡＬＤＩ／ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ＝３０４２．９［Ｍ⁺］。

［実施例１０：化合物（２６）の合成］

化合物（１８）１．１２ｇ（１．３４ｍｍｏｌ）のかわりに、実施例７−１、７−２と同様にして合成した化合物（２５）１．１６ｇ（１．３４ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、実施例７−３と同様に行い、化合物（２６）を１２３ｍｇ（０．０４５９ｍｍｏｌ、収率２０．６％）得た。

化合物（２６）の同定データ
¹Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］＝３．６２−３．９３（１５Ｈ）、４．３０（６Ｈ）。
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］−７２．９〜−７４．９（６Ｆ）、−８７．２〜−９１．０（７５Ｆ）。
ＭＡＬＤＩ／ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ＝２６８３．２［Ｍ⁺］。

［実施例１１：化合物（２８）の合成］

化合物（１８）１．１２ｇ（１．３４ｍｍｏｌ）のかわりに、実施例７−１、７−２と同様にして合成した化合物（２７）１．１６ｇ（１．３４ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、実施例７−３と同様に行い、化合物（２８）を１１３ｍｇ（０．０４２１ｍｍｏｌ、収率１８．９％）得た。

化合物（２８）の同定データ
¹Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］＝３．６１−３．８８（１５Ｈ）、４．２８（６Ｈ）。
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］−７２．９〜−７４．８（６Ｆ）、−８７．０〜−９１．１（７５Ｆ）。
ＭＡＬＤＩ／ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ＝２６８３．０［Ｍ⁺］。

［実施例１２：化合物（３１）の合成］

化合物（３０）２９．２ｇ（３６．７ｍｍｏｌ）およびＡＫ−２２５（旭硝子社製）２０ｍＬをガラス製反応容器にとり、窒素雰囲気下、ボロントリフルオリド − エチルエーテル コンプレックス３１．３ｍｇ（０．２２１ｍｍｏｌ）を加えた。化合物（２９）５００ｍｇ（２．４５ｍｍｏｌ）とジクロロメタン２０ｍＬの混合物を、内温３０℃で２時間かけて添加し、５時間反応させた。反応液を氷水にあけ、ＦＣ−７２で抽出し、ＦＣ−７２層を硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物（３１）を１９１ｍｇ（０．０７３５ｍｍｏｌ、収率３．０％）得た。

化合物（３１）の同定データ
¹Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］＝２．１５（３Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝９．９、３．９Ｈｚ）３．５９−３．８６（１２Ｈ、ｍ）、４．５８（３Ｈ、ｄｄ、Ｊ＝８．４、３．６Ｈｚ）、７．１３（３Ｈ，ｓ）。
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］−８８．９〜−８８．６（６６Ｆ、ｍ）、−８６．９（９Ｆ、ｓ）、−７７．７〜−７７．６（６Ｆ、ｍ）。
ＭＡＬＤＩ／ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ＝２６１５．７［Ｍ⁺＋Ｎａ］。

［実施例１３：化合物（３３）の合成］

化合物（１８）１．１２ｇ（１．３４ｍｍｏｌ）のかわりに、実施例７−１、７−２と同様にして合成した化合物（３２）５２４ｍｇ（１．３４ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、実施例７−３と同様に行い、化合物（３３）を１０１ｍｇ（０．０７８３ｍｍｏｌ、収率３５．１％）得た。

化合物（３３）の同定データ
¹Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］＝３．７０−３．８７（１２Ｈ）、４．３０（６Ｈ）。
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］−５１．７（６Ｆ）、−５７．８（９Ｆ）、−７７．８（６Ｆ）、−８９．０（６Ｆ）、−９０．３（６Ｆ）。
ＭＡＬＤＩ／ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ＝１２９１．０［Ｍ⁺］。

［実施例１４：化合物（３５）の合成］

化合物（１８）１．１２ｇ（１．３４ｍｍｏｌ）のかわりに、実施例７−１、７−２と同様にして合成した化合物（３４）１．５０ｇ（分子量約１０００、¹⁹Ｆ−ＮＭＲより、ｍ：ｎ≒２：３）を用いたこと以外は、実施例７−３と同様に行い、化合物（３５）を２０２ｍｇ得た。

化合物（３５）の同定データ
¹Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］＝３．６８−３．９１（１２Ｈ）、４．３０（６Ｈ）。
¹⁹Ｆ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ₃］：δ［ｐｐｍ］−５２．２〜−５０．７、−５９．７〜−５６．１（９Ｆ）、−７８．４〜−７７．０（６Ｆ）、−９１．１〜−８８．１。

２．磁気記録媒体の作製と評価
［実施例１５］
磁気記録媒体の作製：
図１と同様の構成のハードディスクを作製した。具体的には、以下の通りである。
ガラス基板１上に軟磁性膜２が被膜され、次に非磁性中間層３、磁気記録層４、更に保護膜層５としてカーボンを堆積した。この保護膜層５の表面上に、下記の方法で調製した塗布液を、下記の方法で塗布して、潤滑層６を形成した。

塗布用組成物の調製：
化合物（３）をフッ素系溶剤（Ｖｅｒｔｒｅｌ、三井・デュポンフロロケミカル（株）製、もしくはＨＦＥ−７１００ＤＬ 住友３Ｍ（株）製）、又はトリフルオロエタノール中に、濃度０．１質量％で溶解して、塗布液を調製した。

潤滑層６の形成：
保護層５の表面に、調製した塗布液をディップコーター（Ｉｎｔｅｖａｃ Ｓａｎ Ｊｏｓｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ製 Ｍｉｎｉ Ｌｕｂｅｒ）を用い、浸漬速度：５ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間：６０ｓｅｃ、及び引き上げ速度：１ｍｍ／ｓｅｃの条件で塗布し、続いて紫外線照射装置（センエンジニアリング製 ＰＬ１６−１１０Ｄ）を用いて窒素雰囲気下で５分間、紫外線処理することで、潤滑層６を形成して試験用磁気ディスクを得た。

［実施例１６］
実施例１５の作製方法において、化合物（３）を下記化合物（５）とした以外は同様にして実施例１６の試験用磁気ディスクを得た。

［参考例５］
実施例１５の作製方法において、化合物（３）を、下記化合物（８）とし、濃度０．０１質量％で溶解した以外は、同様にして参考例５の試験用磁気ディスクを得た。

［参考例６］
実施例１５の作製方法において、化合物（３）を、下記化合物（１０）とし、濃度０．
０１質量％で溶解した以外は、同様にして参考例６の試験用磁気ディスクを得た。

［参考例７］
実施例１５の作製方法において、化合物（３）を、下記化合物（１２）とし、濃度０．
０１質量％で溶解した以外は、同様にして参考例７の試験用磁気ディスクを得た。

［参考例８］
実施例１５の作製方法において、化合物（３）を、下記化合物（１４）とし、濃度０．
０１質量％で溶解した以外は、同様にして参考例８の試験用磁気ディスクを得た。

［実施例２１］
実施例１５の作製方法において、化合物（３）を下記化合物（２０）とし、濃度０．０５質量％で溶解した以外は同様にして実施例２１の試験用磁気ディスクを得た。

［実施例２２］
実施例１５の作製方法において、化合物（３）を下記化合物（２２）とし、濃度０．０５質量％で溶解した以外は同様にして実施例２２の試験用磁気ディスクを得た。

［実施例２３］
実施例１５の作製方法において、化合物（３）を下記化合物（２４）とし、濃度０．０５質量％で溶解した以外は同様にして実施例２３の試験用磁気ディスクを得た。

［実施例２４］
実施例１５の作製方法において、化合物（３）を下記化合物（２６）とし、濃度０．０５質量％で溶解した以外は同様にして実施例２４の試験用磁気ディスクを得た。

［実施例２５］
実施例１５の作製方法において、化合物（３）を下記化合物（２８）とし、濃度０．０５質量％で溶解した以外は同様にして実施例２５の試験用磁気ディスクを得た。

［実施例２６］
実施例１５の作製方法において、化合物（３）を下記化合物（３１）とし、濃度０．０５質量％で溶解した以外は同様にして実施例２６試験用磁気ディスクを得た。

［実施例２７］
実施例１５の作製方法において、化合物（３）を下記化合物（３３）とし、濃度０．０５質量％で溶解した以外は同様にして実施例２７の試験用磁気ディスクを得た。

［実施例２８］
実施例１５の作製方法において、化合物（３）を下記化合物（３５）とし、濃度０．０５質量％で溶解した以外は同様にして実施例２８の試験用磁気ディスクを得た。

［比較例１］
実施例１５の作製方法において、化合物（３）を下記化合物（３６）とし、濃度０．２質量％で溶解した以外は同様にして比較例１の試験用磁気ディスクを得た。

［比較例２］
実施例１５の作製方法において、化合物（３）を下記化合物（３７）とし、濃度０．２質量％で溶解した以外は同様にして比較例２の試験用磁気ディスクを得た。

［比較例３］
実施例１５の作製方法において、化合物（３）を下記化合物（３８）とし、濃度０．２質量％で溶解した以外は同様にして比較例３の試験用磁気ディスクを得た。

［比較例４］
実施例１５の作製方法において、化合物（３）を下記化合物（３９）とし、濃度０．２質量％で溶解した以外は同様にして比較例４の試験用磁気ディスクを得た。

［比較例５］
実施例１５の作製方法において、化合物（３）を下記化合物（４０）とし、濃度０．２質量％で溶解した以外は同様にして比較例５の試験用磁気ディスクを得た。

評価：
・平均膜厚の評価
平均膜厚はヘッド／ディスク間のスペーシング低減の観点から薄膜であるほど良いとされるが、１Å以下のものは潤滑層の被覆が十分でないと判断できる。各試験用磁気ディスクの潤滑剤塗布面に対し潤滑膜の平均膜厚をＨＤＩ製ＳＲＡによって測定し、下記基準により四段階で官能評価した。
◎：超薄膜（１〜１０Å）
○：薄膜（１０〜２０Å）
△：厚膜（２０Å以上）
×：膜無し（１Å以下）

・塗布面状の評価
誤認識やヘッド衝突等を低減すべく、磁気ディスクの表面は平滑であるほど良いとされている。各試験用磁気ディスクの潤滑剤塗布面に対し、視認、レーザー表面検査装置（ＨＤＩ Ｉｎｓｕｔｒｕｍｅｎｔａｔｉｏｎ Ｉｎｃ．製 ＳＲＡ−１０，０００）、ＡＦＭ（Ｖｅｅｃｏ製 Ｄｅｍｅｎｓｉｏｎ ３１００ ＡＦＭ）によって表面粗さを観測し、下記基準により三段階で官能評価した。
◎：レーザー検査、ＡＦＭでも表面ムラが無い。
○：視認ではムラが無い。レーザー検査、ＡＦＭでは小さな凹凸が観察される。
△：視認でもムラが観察される。

・吸着性能
各試験用磁気ディスクについて、紫外線照射処理の前後においてフッ素系溶剤（Ｖｅｒｔｒｅｌ、三井・デュポンフロロケミカル（株）製 もしくは ＨＦＥ−７１００ＤＬ 住友３Ｍ（株）製 ）もしくはトリフルオロエタノールにディップコーター（Ｉｎｔｅｖａｃ Ｓａｎ Ｊｏｓｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ製 Ｍｉｎｉ Ｌｕｂｅｒ）を用い、浸漬速度：５ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間：６０ｓｅｃ、及び引き上げ速度：１ｍｍ／ｓｅｃの条件にて浸漬・洗浄を行なった後、前述の平均膜厚の評価と同様の方法にて膜厚評価を行なった。
◎：吸着良好（２．０Å以上）
○：吸着可能１．０〜２．０Å）
△：吸着不足（０．５〜１．０Å）
×：吸着不可（０．５Å未満）

・ヘッド浮上安定性の評価
まず各試験用磁気ディスクをスピンスタンドで回転させ、読取ヘッドを浮上させる。続いてディスク半径２０ｍｍにヘッドを固定し、常温常圧にて１週間定点浮上させた。続いてテスト後のヘッドを観察し、光学顕微鏡にてヘッドに移着した潤滑剤を下記基準により四段階で官能評価した。使用した評価装置はクボタコンプス製ＨＤＦ ｔｅｓｔｅｒ、ヘッドはフェムトスライダである。
◎：潤滑剤のヘッドへの移着が全くなく、ヘッドはきれいな状態である。
○：潤滑剤のヘッドへの異着が一部あるが、ヘッドには１０μｍサイズ以下の汚れが３箇所以内である。
△：潤滑剤のヘッドへの移着があり、ヘッドには１０μｍサイズ以上の汚れがあるか、または１０μｍサイズ以下の汚れが４箇所以上ある。但し、ヘッドは浮上可能である。
×：ヘッド全面に潤滑剤の移着があり、ヘッド／ディスクが定常的に接触し、ヘッドの浮上も不可能である。

上記測定結果及び評価結果を、下記表にまとめる。なお、下記表１中、実施例１７〜２０は、参考例５〜８に読み替えるものとする。

これらの磁気ディスクのそれぞれについて、日本分光（株）製の全真空ＦＴ−ＩＲ分光器「ＦＴ−ＩＲ６４００」の試料室にＲＡＳ装置を設置し、ＩＲスペクトルを測定した。
その結果、実施例１、２および参考例１、２の試験用磁気ディスクはいずれも、１２５５ｃｍ^-1〜１２７０ｃｍ^-1にＣＦ₃伸縮振動に帰属される鋭いピークを示すことが確認された。この結果は、上記例示化合物が、保護層面上でＰＦＰＥ鎖が、層面に対して垂直に配向していることを示唆している。

４．ヘッドスライダの作製と評価
[実施例２９]
ヘッドスライダの作製：
化合物（５）をフッ素系溶剤（Ｖｅｒｔｒｅｌ、三井・デュポンフロロケミカル（株）製、もしくはＨＦＥ−７１００ＤＬ 住友３Ｍ（株）製）、又はトリフルオロエタノール中に、濃度０．１質量％で溶解して、塗布液を調製した。

この塗布液を、フェムトスライダにディップコート法により塗布した。具体的には、前記塗布液に１分間浸漬し、引き上げ速度１ｍｍ／ｓｅｃで塗布した。続いて、紫外線照射装置（センエンジニアリング製 ＰＬ１６−１１０Ｄ）を用いて窒素雰囲気下で５分間、紫外線処理することで、潤滑層６を形成して試験用磁気ディスクを得た。 その後、フッ素系溶剤の「Ｖｅｒｔｒｅｌ」（三井・デュポンフロロケミカル（株）製）に１分間浸漬して洗浄した。この様にして、潤滑膜を有する試験用ヘッドスライダを作製した。

[実施例３０]
実施例２９の作製方法において、化合物（５）を下記化合物（２０）とし、濃度を０．０５質量％で溶解した以外は、同様にして実施例３０の試験用ヘッドスライダを作製した。

[比較例６]
実施例２９の作製方法において、化合物（５）を下記化合物（３６）とし、濃度を０．２質量％で溶解した以外は、同様にして比較例６の試験用ヘッドスライダを作製した。

[比較例７]
実施例２９の作製方法において、化合物（５）を下記化合物（４０）とし、濃度を０．２質量％で溶解した以外は、同様にして比較例７の試験用ヘッドスライダを作製した。

評価：
減圧スピンスタンドに、「Ｚ−Ｔｅｔｒａｏｌ」を塗布して潤滑膜を形成した、２．５インチの磁気メディアを、5400PRMで回転させ、実施例２９及び３０、比較例６及び７のそれぞれのスライダーを、ランプロードさせて、半径位置２２ｍｍにシークさせた。安定浮上したところから、チャンバーを減圧しフライングハイトが減少しメディアとコンタクトする瞬間を、ＡＥセンサーで検知したところで、大気圧に戻していきフライハイトを上昇させた。
接触をＡＥが検知した圧力をＴＤＰ（touch down pressure）、圧力を戻してＡＥが安定した圧力をＴＯＰ（take off pressure）と呼び、これらの圧力が小さいほどヘッドディスククリアランスが大きいことを意味する。接触時の摩擦力をヘッドピボット部に設置されたFriction gaugeによって測定した。この作業を３回繰り返し、平均値を算出した。
接触後のヘッドを、顕微鏡により観察し、ヘッド上への潤滑剤付着を観察し、以下の基準で評価した。
ヘッド汚れ評価基準
◎：潤滑剤のヘッドへの移着が全くなく、ヘッドはきれいな状態である。
○：潤滑剤のヘッドへの移着が一部あるが、ヘッドには１０μｍサイズ以下の汚れが３箇所以内ある。
△：潤滑剤のヘッドへの移着があり、ヘッドには１０μｍサイズ以上の汚れがあるか、又は１０μｍサイズ以下の汚れが４箇所以上ある。但し、ヘッドは再浮上可能である。
×：ヘッド全面に潤滑剤の移着があり、ヘッドの再浮上も不可能である。
結果を下記表に示す。

上記表に示す結果から、本発明の潤滑剤組成物からなる膜を有するヘッドスライダは、低摩擦性であり、且つヘッド汚れが少ないことが確認できた。

１ 基板
２ 軟磁性層
３ 中間層
４ 磁気記録層
５ 保護層
６ 潤滑層

Claims (28)

1. 少なくとも１種類の下記一般式（１）で表される化合物を含有する潤滑剤組成物：
   

   

   一般式（１）中、Ｘは下記式（Ｘ１）〜（Ｘ３）のいずれかの環状基を表し；Ｙは少なくとも一つの水酸基と、エーテル性酸素原子及びアミン性窒素原子の少なくとも１つを有し、且つ芳香族性環状基を有しない、炭素数１〜１５の直鎖状又は分枝状の２〜５価の連結基を表し；ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２、ｐ３およびｐ４はそれぞれ０〜４の整数を表し、ｑは０〜３０の整数を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｓは１〜４の整数を表し、ｔは２〜３の整数を表し；但し、一般式（１）中の−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝−を構成する、−（ＣＦ₂）_p1−、−（ＣＦ）_p2−、−［ＣＦ（ＣＦ3）］_p3−、及び−［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4−の結合の順番は限定されず、−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝−は、−（ＣＦ₂）_p1−、−（ＣＦ）_p2−、−［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3−、及び−［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4−から選ばれるパーフルオロアルキレン単位と酸素原子とがランダムに分布したパーフルオロアルキレンオキシ基を意味するものとし、ｑが２以上の時、複数の−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝−は互いに同一でも異なっていてもよく、またｓが２以上の時、複数のｎ及びｑはそれぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、またｔが２以上の時、複数のｓ及びＹはそれぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、ｐ２が１以上の時、パーフルオロアルキレンオキシ基は分岐構造を有する。
   

   

   式中、＊はＹが結合可能な位置を示し、各式中の２以上の＊の位置にＹが結合する。
2. 前記化合物の１分子あたりのフッ素含率が、３７質量％以上７６質量％以下である請求項１に記載の潤滑剤組成物。
3. Ｙが、Ｃ₂〜Ｃ₁₀のアルキレン基を含み、但しアルキレン基中の１つの炭素原子又は隣り合わない２以上の炭素原子は、酸素原子又は窒素原子に置き換わっていてもよく、且つアルキレン基中のいずれかの炭素原子に、又は炭素原子が窒素原子で置換されている場合は窒素原子に、直接もしくはＣ₁〜Ｃ₅のアルキレン基を介して水酸基が結合している連結基である請求項１又は２に記載の潤滑剤組成物。
4. Ｙが、下記式で表される部分構造を含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の潤滑剤組成物：
   

   

   式中、Ｗは水酸基を有する極性基を表し、Ｚは酸素原子又は窒素原子を表わし；＊が付記された炭素原子のいずれか、又はＺが窒素原子である場合はＺが、Ｘと直接又はＣ₁〜Ｃ₈のアルキレン基（但しアルキレン基中の１つの炭素原子又は隣り合わない２以上の炭素原子は、酸素原子又は窒素原子に置き換わっていてもよい）を介して結合し；＊＊が付記された炭素原子が、−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）2］_p4Ｏ｝_q−Ｃ_nＦ_2n+1に結合する。
5. Ｙが、下記式（Ｙ１）〜（Ｙ３）のいずれかで表される基である請求項１〜４のいずれか１項に記載の潤滑剤組成物：
   

   

   式中、Ｗ¹及びＷ²はそれぞれ、水酸基を、又は１以上の水酸基と、１以上のメチレン基（ＣＨ₂）、１以上のメチン基（ＣＨ）、１以上の４級炭素原子、又はこれらの２以上の組み合わせてなる基とからなる極性基を有する基を表わし；ｋは０又は１であり；Ｌ¹〜Ｌ³はそれぞれ、−ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、又は−ＣＨ₂Ｏ−を表わし；Ｚは酸素原子又はＮＨを表わし；＊及び＊＊はそれぞれ、Ｘ及び−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝_q−Ｃ_nＦ_2n+1との結合位置を示す。
6. 一般式（１）中のパーフルオロアルキレンオキシ基が、下記式（２ａ）又は（２ｂ）で表される基である請求項１〜５のいずれか１項に記載の潤滑剤組成物：
   

   

   一般式（２ａ）及び（２ｂ）中、ｍは２〜４の整数を表し、ｑは１〜３０の整数を表し、式（２a）中のｑが２以上の場合に複数存在するｍ、及び式（２ｂ）中に複数存在するｍは、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよく、＊はＹとの結合位置を、＊＊はＣ_nＦ_2n+1との結合位置を示す。
7. 一般式（１）中のパーフルオロアルキレンオキシ基が、下記式（３ａ）又は（３ｂ）で表される基である請求項１〜５のいずれか１項に記載の潤滑剤組成物：
   

   

   一般式（３ａ）及び（３ｂ）中、ｖは１〜２０の整数を表し、ｗは１〜２０の整数を表し、但し（ｖ＋ｗ）は１〜３０の整数であり、且つ（ＣＦ₂Ｏ）と（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）との結合の順番は限定されず、＊はＹとの結合位置を、＊＊はＣ_nＦ_2n+1との結合位置を示す。
8. 前記少なくとも１種類の一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（１ａ）〜（１ｆ）のいずれかで表される化合物である請求項１〜７のいずれか１項に記載の潤滑剤組成物：
   

   

   式中、Ｘは前記式（Ｘ１）〜（Ｘ３）のいずれかの環状基を表し；Ｗ¹及びＷ²はそれぞれ、水酸基を、又は１以上の水酸基と、１以上のメチレン基（ＣＨ₂）、１以上のメチン基（ＣＨ）、１以上の４級炭素原子、又はこれらの２以上の組み合わせてなる基とからなる極性基を有する基を表わし；ｋは０又は１であり；Ｌ¹〜Ｌ³はそれぞれ、−ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、又は−ＣＨ₂Ｏ−を表わし；Ｚは酸素原子又はＮＨを表わし；ｍは２〜４の整数を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｔは２〜３の整数を表し、ｑは１〜３０の整数を表し；但し、各式中に複数存在するＬ¹〜Ｌ³、ｋ、Ｗ¹、Ｗ²、Ｚ、ｍ、ｎ及びｑはそれぞれ、互いに同一であっても異なっていてもよい。
9. 前記少なくとも１種類の一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（１ｇ）〜（１ｌ）のいずれかで表される化合物である請求項１〜７のいずれか１項に記載の潤滑剤組成物：
   

   

   式中、Ｘは前記式（Ｘ１）〜（Ｘ３）のいずれかの環状基を表し；Ｗ¹及びＷ²はそれぞれ、水酸基を、又は１以上の水酸基と、１以上のメチレン基（ＣＨ₂）、１以上のメチン基（ＣＨ）、１以上の４級炭素原子、又はこれらの２以上の組み合わせてなる基とからなる極性基を有する基を表わし；ｋは０又は１であり；Ｌ¹〜Ｌ³はそれぞれ、−ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、又は−ＣＨ₂Ｏ−を表わし；Ｚは酸素原子又はＮＨを表わし；ｖは１〜２０の整数を表し、ｗは１〜２０の整数を表し、但し（ｖ＋ｗ）は１〜３０の整数であり、且つ（ＣＦ₂Ｏ）と（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）との結合の順番は限定されず、ｎは１〜１０の整数を表し、ｔは２〜３の整数を表し；但し、各式中に複数存在するＬ¹〜Ｌ³、ｋ、Ｗ¹、Ｗ²、Ｚ、ｖ、ｗ及びｎはそれぞれ、互いに同一であっても異なっていてもよい。
10. 磁気記録媒体用ディスクの潤滑剤として用いられる請求項１〜９のいずれか１項に記載の潤滑剤組成物。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の潤滑剤組成物からなる膜。
12. ディップコート法、スピンコート法、又は真空蒸着法により形成されてなる請求項１１に記載の膜。
13. 少なくとも表面の一部がカーボンを主原料とする基材と、その上に請求項１１又は１２に記載の膜を有する積層体。
14. 紫外線照射処理又は熱処理を施して基材へ密着させたことを特徴とする請求項１３に記載の積層体。
15. 少なくとも、磁性層、及び請求項１１又は１２に記載の膜を有する磁気記録媒体。
16. 前記磁性層と前記膜との間に、保護層を有する請求項１５に記載の磁気記録媒体。
17. 磁気ヘッドを備えたヘッドスライダであって、少なくとも一部の表面に、請求項１１又は１２に記載の膜を有するヘッドスライダ。
18. 請求項１５又は１６に記載の磁気記録媒体、及び請求項１７に記載のヘッドスライダのうち、少なくとも一方を有する磁気記録装置。
19. 下記一般式（１）で表されるフッ素化合物：
    

    

    一般式（１）中、Ｘは下記式（Ｘ１）〜（Ｘ３）のいずれかの環状基を表し；Ｙは少なくとも一つの水酸基と、エーテル性酸素原子及びアミン性窒素原子の少なくとも１つを有し、且つ芳香族性環状基を有しない、炭素数１〜１５の直鎖状又は分枝状の２〜５価の連結基を表し；ｐ１は１〜４の整数を表し、ｐ２、ｐ３およびｐ４はそれぞれ０〜４の整数を表し、ｑは０〜３０の整数を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｓは１〜４の整数を表し、ｔは２〜３の整数を表し；但し、一般式（１）中の−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝−を構成する、−（ＣＦ₂）_p1−、−（ＣＦ）_p2−、−［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3−、及び−［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4−の結合の順番は限定されず、−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝−は、−（ＣＦ₂）_p1−、−（ＣＦ）_p2−、−［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3−、及び−［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4−から選ばれるパーフルオロアルキレン単位と酸素原子とがランダムに分布したパーフルオロアルキレンオキシ基を意味するものとし、ｑが２以上の時、複数の−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝−は互いに同一でも異なっていてもよく、またｓが２以上の時、複数のｎ及びｑはそれぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、またｔが２以上の時、複数のｓ及びＹはそれぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、ｐ２が１以上の時、パーフルオロアルキレンオキシ基は分岐構造を有する。
    

    

    式中、＊はＹが結合可能な位置を示し、各式中の２以上の＊の位置にＹが結合する。
20. １分子あたりのフッ素含率が、３７質量％以上７６質量％以下である請求項１９に記載のフッ素化合物。
21. Ｙが、Ｃ₂〜Ｃ₁₀のアルキレン基を含み、但しアルキレン基中の１つの炭素原子又は隣接しない２以上の炭素原子は、酸素原子又は窒素原子に置き換わっていてもよく、且つアルキレン基中のいずれかの炭素原子又は炭素原子が窒素原子で置換されている場合は窒素原子に、直接もしくはＣ₁〜Ｃ₅のアルキレン基を介して極性基が結合している連結基である請求項１９又は２０に記載のフッ素化合物。
22. Ｙが、下記式で表される部分構造を含む請求項１９〜２１のいずれか１項に記載のフッ素化合物：
    

    

    式中、Ｗは水酸基を有する極性基を表し、Ｚは酸素原子又は窒素原子を表わし；＊が付記された炭素原子のいずれか、又はＺが窒素原子である場合はＺが、Ｘと直接又はＣ₁〜Ｃ₈のアルキレン基（但しアルキレン基中の１つの炭素原子又は隣接しない２以上の炭素原子は、酸素原子又は窒素原子に置き換わっていてもよい）を介して結合し；＊＊が付記された炭素原子が、−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝_q−Ｃ_nＦ_2n+1に結合する。
23. Ｙが、下記式（Ｙ１）〜（Ｙ３）のいずれかで表される基である請求項１９〜２２のいずれか１項に記載のフッ素化合物：
    

    

    式中、Ｗ¹及びＷ²はそれぞれ、水酸基を、又は１以上の水酸基と、１以上のメチレン基（ＣＨ₂）、１以上のメチン基（ＣＨ）、１以上の４級炭素原子、又はこれらの２以上の組み合わせてなる基とからなる極性基を有する基を表わし；ｋは０又は１であり；Ｌ¹〜Ｌ³はそれぞれ、−ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、又は−ＣＨ₂Ｏ−を表わし；Ｚは酸素原子又はＮＨを表わし；＊及び＊＊はそれぞれ、Ｘ及び−｛（ＣＦ₂）_p1（ＣＦ）_p2［ＣＦ（ＣＦ₃）］_p3［Ｃ（ＣＦ₃）₂］_p4Ｏ｝_q−Ｃ_nＦ_2n+1との結合位置を示す。
24. 一般式（１）中のパーフルオロアルキレンオキシ基が、下記式（２ａ）又は（２ｂ）で表される基である請求項１９〜２３のいずれか１項に記載のフッ素化合物：
    

    

    一般式（２ａ）及び（２ｂ）中、ｍは２〜４の整数を表し、ｑは１〜３０の整数を表し、式（２a）中のｑが２以上の場合に複数存在するｍ、及び式（２ｂ）中に複数存在するｍは、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよく、＊はＹとの結合位置を、＊＊はＣ_nＦ_2n+1との結合位置を示す。
25. 一般式（１）中のパーフルオロアルキレンオキシ基が、下記式（３ａ）又は（３ｂ）で表される基である請求項１９〜２３のいずれか１項に記載のフッ素化合物：
    

    

    一般式（３ａ）及び（３ｂ）中、ｖは１〜２０の整数を表し、ｗは１〜２０の整数を表し、但し（ｖ＋ｗ）は１〜３０の整数であり、且つ（ＣＦ₂Ｏ）と（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）との結合の順番は限定されず、＊はＹとの結合位置を、＊＊はＣ_nＦ_2n+1との結合位置を示す。
26. 下記一般式（１ａ）〜（１ｆ）のいずれかで表されるフッ素化合物：
    

    

    式中、Ｘは前記式（Ｘ１）〜（Ｘ３）のいずれかの環状基を表し；Ｗ¹及びＷ²はそれぞれ、水酸基を、又は１以上の水酸基と、１以上のメチレン基（ＣＨ2）、１以上のメチン基（ＣＨ）、１以上の４級炭素原子、又はこれらの２以上の組み合わせてなる基とからなる極性基を有する基を表わし；ｋは０又は１であり；Ｌ¹〜Ｌ³はそれぞれ、−ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、又は−ＣＨ₂Ｏ−を表わし；Ｚは酸素原子又はＮＨを表わし；ｍは２〜４の整数を表し、ｎは１〜１０の整数を表し、ｔは２〜３の整数を表し、ｑは１〜３０の整数を表し；但し、各式中に複数存在するＬ¹〜Ｌ³、ｋ、Ｗ¹、Ｗ²、Ｚ、ｍ、ｎ及びｑはそれぞれ、互いに同一であっても異なっていてもよい。
27. 下記一般式（１ｇ）〜（１ｌ）のいずれかで表されるフッ素化合物：
    

    

    式中、Ｘは前記式（Ｘ１）〜（Ｘ３）のいずれかの環状基を表し；Ｗ¹及びＷ²はそれぞれ、水酸基を、又は１以上の水酸基と、１以上のメチレン基（ＣＨ₂）、１以上のメチン基（ＣＨ）、１以上の４級炭素原子、又はこれらの２以上の組み合わせてなる基とからなる極性基を有する基を表わし；ｋは０又は１であり；Ｌ¹〜Ｌ³はそれぞれ、−ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、又は−ＣＨ₂Ｏ−を表わし；Ｚは酸素原子又はＮＨを表わし；ｖは１〜２０の整数を表し、ｗは１〜２０の整数を表し、但し（ｖ＋ｗ）は１〜３０の整数であり、且つ（ＣＦ₂Ｏ）と（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）との結合の順番は限定されず、ｎは１〜１０の整数を表し、ｔは２〜３の整数を表し；但し、各式中に複数存在するＬ¹〜Ｌ³、ｋ、Ｗ¹、Ｗ²、Ｚ、ｖ、ｗ及びｎはそれぞれ、互いに同一であっても異なっていてもよい。
28. 下記Ｌ−１〜Ｌ−１４のいずれかであるフッ素化合物：
    

    

    

    

    式（Ｌ-１４）中、ｍは１〜２０の整数を表し、ｎは１〜２０の整数を表し、但し（ｍ＋ｎ）は１〜３０の整数であり、且つ（ＣＦ₂Ｏ）と（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）との結合の順番は限定されない。

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